KR101754303B1

KR101754303B1 - 전사 필름 및 투명 적층체, 그 제조 방법, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치

Info

Publication number: KR101754303B1
Application number: KR1020157013561A
Authority: KR
Inventors: 신이치 간나; 히데아키 이토
Original assignee: 후지필름 가부시키가이샤
Priority date: 2012-11-30
Filing date: 2013-11-21
Publication date: 2017-07-06
Also published as: US20150251393A1; KR20150082338A; CN104812569B; CN107031221B; KR101754302B1; CN107031222A; CN107031222B; CN107031221A; WO2014084112A1; JP5922008B2; KR20160129102A; US10507630B2; US10336043B2; JP2014108541A; CN104812569A; US20180001606A1

Abstract

전사 필름은, 가지지체와, 제1 경화성 투명 수지층과, 그 제1 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치된 제2 경화성 투명 수지층을 이 순서대로 가지며, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상이다.

Description

전사 필름 및 투명 적층체, 그 제조 방법, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치{TRANSFER FILM, TRANSPARENT LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING TRANSFER FILM, METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT LAMINATE, CAPACITIVE INPUT DEVICE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 전사 필름 및 투명 적층체, 그 제조 방법, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치에 관한 것이다. 자세하게는, 손가락의 접촉 위치를 정전 용량의 변화로서 검출 가능한 정전 용량형 입력 장치와 이에 이용할 수 있는 투명 적층체, 투명 적층체를 제조하기 위하여 이용하는 전사 필름과 전사 필름의 제조 방법, 그 전사 필름을 이용한 투명 적층체의 제조 방법, 및, 당해 정전 용량형 입력 장치를 구성요소로서 구비한 화상 표시 장치에 관한 것이다.

휴대전화, 카 내비게이션, 퍼스널 컴퓨터, 매표기, 은행의 단말 등의 전자기기에서는, 최근, 액정 장치 등의 표면에 태블릿형의 입력 장치가 배치되어, 액정 장치의 화상 표시 영역에 표시된 지시 화상을 참조하면서, 이 지시 화상이 표시되어 있는 개소에 손가락 또는 터치펜 등을 접촉시킴으로써, 지시 화상에 대응하는 정보의 입력을 행할 수 있는 것이 있다.

이와 같은 입력 장치(터치패널)에는, 저항막형, 정전 용량형 등이 있다. 그러나, 저항막형의 입력 장치는, 필름과 유리의 2매 구조로 필름을 압하하여 쇼트시키는 구조이기 때문에, 동작 온도 범위가 좁거나, 경시 변화에 취약하다는 결점을 가지고 있다.

이에 대하여, 정전 용량형 입력 장치는, 간단히 1매의 기판에 투광성 도전막을 형성하면 된다는 이점이 있다. 이러한 정전 용량형 입력 장치에서는, 예를 들면, 서로 교차하는 방향으로 전극 패턴을 연장시켜, 손가락 등이 접촉했을 때, 전극간의 정전 용량이 변화되는 것을 검지하여 입력 위치를 검출하는 타입의 것이 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 1~3 참조).

이들 정전 용량형 입력 장치를 사용함에 있어서, 예를 들면, 광원이 비추어졌을 때의 정반사 근방으로부터 약간 떨어진 위치에 있어서, 투명 전극 패턴이 눈에 띄어, 외관상 좋지 않다는 등의 시인성의 문제가 있었다. 이에 대하여, 특허문헌 1에서는, 기판 상에 ITO 패턴을 형성하여, ITO 패턴의 상측에만 SiO₂ 등의 저굴절률 유전체 재료로 이루어지는 층과, Nb₂O₅ 등의 고굴절률 유전체 재료로 이루어지는 층을 교대로 적층함으로써, 이들 각 층에 의한 광간섭 효과에 의하여, 투명 전극 패턴이 은폐되어, 뉴트럴한 색조가 된다고 기재되어 있다.

특허문헌 2에서는, 기판 상에 ITO 패턴을 형성하기 전에, ITO 패턴의 하측에만 SiO₂ 등의 저굴절률층과 Nb₂O₅ 등의 고굴절률층을 적층한 후 ITO 패턴을 형성함으로써, 투명 전극 패턴 형상이 나타나는 것을 방지할 수 있다고 기재되어 있다.

특허문헌 3에는, 기판 상에 ITO 패턴을 형성하기 전에, ITO 패턴의 하측에만 SiO₂ 등의 저굴절률층과 Nb₂O₅ 등의 고굴절률층을 적층한 후 ITO 패턴을 형성함으로써, 투명 전극 패턴이나 패턴끼리의 교차부를 두드러지지 않도록 할 수 있다고 기재되어 있다.

이들 문헌에 기재된 투명 절연층이나 투명 보호막 등의 투명막의 형성 방법으로서는 다양한 방법이 알려져 있다. 여기에서, 정전 용량형 터치패널을 액정이나 유기 EL 디스플레이 상에 구비한 스마트폰이나 태블릿 PC에서는 전면판(직접 손가락으로 접촉하는 면)에 코닝사(Corning Inc.)의 고릴라 글래스(Gorilla Glass)로 대표되는 강화 유리를 이용한 것이 개발, 발표되어 있다. 또, 상기 전면판의 일부에, 감압(정전 용량 변화가 아닌, 압압식의 기계적인 기구) 스위치를 설치하기 위한 개구부가 형성되어 있는 것이 시판되고 있다. 이들 강화 유리는 강도가 높아, 가공이 곤란하기 때문에, 상기 개구부를 형성하려면 강화 처리 전에 개구부를 형성한 후, 강화 처리를 행하는 것이 일반적이다.

특허문헌 4 및 5에는 투명 절연층이나 투명 보호막의 형성 방법으로서, 유기 재료를 이용할 경우는 도포를 행하는 방법만이 기재되어 있다. 그러나, 상기의 개구부를 가지는 강화 처리 후의 기판에, 특허문헌 4나 5에 기재되어 있는 도포법에 따라 특허문헌 3 및 4에 기재된 재료를 이용하여 투명 절연층이나 투명 보호막을 형성하려고 하면, 개구부로부터 레지스트 성분이 누출되거나 돌출되고, 돌출된 부분을 제거하는 공정이 필요하게 되어, 생산 효율이 현저하게 저하된다는 문제가 있었다.

한편, 특허문헌 6 및 7에는, 컬러 필터용 전사 재료가 기재되어 있으며, 전사 재료를 기판 상에 래미네이팅하는 것이 제안되어 있다. 그러나, 이들 문헌에서는 액정 표시 장치에 대한 이용에 대해서는 언급하고 있지만 그 ITO 패턴 시인성을 개선하는 것에 대하여 검토되어 있지 않고, 또, 정전 용량형 입력 장치에 대한 전사 재료의 응용에 대해서도 기재되어 있지 않았다.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2010-86684호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2010-152809호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 2010-257492호 특허문헌 4: WO 2010-061744호 공보 특허문헌 5: 일본 공개특허공보 2010-061425호 특허문헌 6: 일본 공개특허공보 2007-334045호 특허문헌 7: 일본 공개특허공보 2008-107779호

이에 대하여, 본 발명자들이 이들 특허문헌 1~3에 기재되어 있는 층 구성을 검토한 바, 투명 전극 패턴이 시인되어, 여전히 투명 전극 패턴이 시인될 문제는 완전하게는 해결되지 않았다는 것을 알 수 있었다.

본 발명이 해결하려고 하는 과제는, 투명 전극 패턴이 시인될 문제가 없는 투명 적층체를 형성할 수 있는 전사 필름을 제공하는 것이다.

본 발명자들은, 가지지체와, 특정의 굴절률 범위로 조정된 저굴절률의 제1 경화성 투명 수지층 및 고굴절률의 제2 경화성 투명 수지층을 인접하여 가지는 전사 필름을 이용함으로써, 투명 전극 패턴 상에 특정의 굴절률 범위를 가진 고굴절률의 제2 경화성 투명 수지층 및 저굴절률의 제1 경화성 투명 수지층을 전사한 구성의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴이 시인될 문제를 해결할 수 있음을 발견하기에 이르렀다.

상기 과제를 해결하기 위한 구체적인 수단인 본 발명은 이하와 같다.

[1] 가지지체와, 제1 경화성 투명 수지층과, 상기 제1 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치된 제2 경화성 투명 수지층을 이 순서대로 가지며, 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고, 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상인 것을 특징으로 하는 전사 필름.

[2] [1]에 기재된 전사 필름은, 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.5~1.53인 것이 바람직하다.

[3] [1] 또는 [2]에 기재된 전사 필름은, 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.65 이상인 것이 바람직하다.

[4] [1]~[3] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름은, 제2 경화성 투명 수지층의 막두께가 500nm 이하인 것이 바람직하다.

[5] [1]~[4] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름은, 제2 경화성 투명 수지층의 막두께가 100nm 이하인 것이 바람직하다.

[6] [1]~[5] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름은, 제1 경화성 투명 수지층의 막두께가 1㎛ 이상인 것이 바람직하다.

[7] [1]~[6] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름은, 제1 경화성 투명 수지층이 중합성 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다.

[8] [1]~[7] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름은, 제1 경화성 투명 수지층의 이중 결합 소비율이 10% 이하인 것이 바람직하다.

[9] [1]~[8] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름은, 제2 경화성 투명 수지층이, 굴절률이 1.55 이상인 입자를 함유하는 것이 바람직하다.

[10] [1]~[9] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름은, 제2 경화성 투명 수지층이 중합성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.

[11] [1]~[10] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름은, 제1 경화성 투명 수지층 및 제2 경화성 투명 수지층이, 모두 열경화성 수지층인 것이 바람직하다.

[12] [1]~[11] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름은, 가지지체와 제1 경화성 투명 수지층과의 사이에, 열가소성 수지층을 가지는 것이 바람직하다.

[13] [12]에 기재된 전사 필름은, 제1 경화성 투명 수지층과 열가소성 수지층과의 사이에, 추가로 중간층을 가지는 것이 바람직하다.

[14] 가지지체 상에, (b) 중합성 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 제1 경화성 투명 수지층을 형성하는 공정과, (c) 노광에 의하여, 제1 경화성 투명 수지층을 경화하는 공정과, (d) 경화 후의 제1 경화성 투명 수지층 상에 직접 제2 경화성 투명 수지층을 형성하는 공정을 가지며, 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고, 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상인 것을 특징으로 하는 전사 필름의 제조 방법.

[15] [14]에 기재된 전사 필름의 제조 방법은, 가지지체 상에 제1 경화성 투명 수지층을 형성하기 전에, 추가로 (a) 열가소성 수지층을 형성하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

[16] 투명 전극 패턴 상에, [1]~[13] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름의 제2 경화성 투명 수지층 및 제1 경화성 투명 수지층을 이 순서대로 적층하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 적층체의 제조 방법.

[17] [16]에 기재된 투명 적층체의 제조 방법은, 추가로 가지지체를 제거하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

[18] [16] 또는 [17]에 기재된 투명 적층체의 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 투명 적층체.

[19] 투명 전극 패턴과, 상기 투명 전극 패턴에 인접하여 배치된 제2 경화성 투명 수지층과, 상기 제2 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치된 제1 경화성 투명 수지층을 가지며, 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고, 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상인 것을 특징으로 하는 투명 적층체.

[20] [19]에 기재된 투명 적층체는, 투명 전극 패턴의 제2 경화성 투명 수지층이 형성된 측과는 반대측에, 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막을 더욱 가지는 것이 바람직하다.

[21] [19] 또는 [20]에 기재된 투명 적층체는, 제1 경화성 투명 수지층의 이중 결합 소비율이 10% 이하인 것이 바람직하다.

[22] [1]~[13] 중 어느 하나에 기재된 전사 필름을 이용하여 제작되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.

[23] [18]~[21] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.

[24] [22] 또는 [23]에 기재된 정전 용량형 입력 장치를 구성요소로서 구비한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.

본 발명에 의하면, 투명 전극 패턴이 시인될 문제가 없는 투명 적층체를 형성할 수 있는 전사 필름을 제공할 수 있다.

도 1a는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 구성의 일례를 나타내는 단면 개략도이다.
도 1b는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 구성의 다른 일례를 나타내는 단면 개략도이다.
도 2는 본 발명에 있어서의 전면판의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 3은 본 발명에 있어서의 투명 전극 패턴과, 비패턴 영역의 관계의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 4는 개구부가 형성된 강화 처리 유리의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 5는 마스크층이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 6은 제1 투명 전극 패턴이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 7은 제1 및 제2 투명 전극 패턴이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 8은 제1 및 제2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소가 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 9는 금속 나노 와이어 단면을 나타내는 설명도이다.
도 10은 투명 전극 패턴의 단부의 테이퍼 형상의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 11은 본 발명의 투명 적층체의 구성의 일례를 나타내는 단면 개략도이다.
도 12는 본 발명의 전사 필름의 구성의 일례를 나타내는 단면 개략도이다.

이하, 본 발명의 투명 적층체, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치에 대하여 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시형태나 구체예에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그러한 실시형태나 구체예에 한정되지 않는다. 다만, 본 명세서에 있어서 “~”를 이용하여 나타나는 수치 범위는, “~”의 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로 하여 포함하는 범위를 의미한다.

본 명세서에 있어서, 각 층의 굴절률은, 특별히 명기되어 있지 않은 한, 550nm의 파장에 있어서의 굴절률을 의미한다.

[전사 필름]

본 발명의 전사 필름은, 가지지체와, 제1 경화성 투명 수지층과, 그 제1 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치된 제2 경화성 투명 수지층을 이 순서대로 가지며, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상인 것을 특징으로 한다.

이러한 구성으로 함으로써, 투명 전극 패턴이 시인될 문제가 없는 투명 적층체를 형성할 수 있다. 투명 전극 패턴(바람직하게는 ITO)과 상기 제2 경화성 투명 수지층과의 굴절률차, 및, 상기 제2 경화성 투명 수지층과 상기 제1 경화성 투명 수지층과의 굴절률차를 작게 함으로써, 광반사가 저감되어 투명 전극 패턴이 눈에 띄기 어렵게 되어, 시인성을 개선할 수 있다.

이하, 본 발명의 전사 필름의 바람직한 양태에 대하여 설명한다. 다만, 본 발명의 전사 필름은, 정전 용량형 입력 장치의 투명 절연층용 또는 투명 보호층용인 것이 바람직하다.

＜가지지체＞

본 발명의 전사 필름은, 가지지체를 가진다.

상기 가지지체로서는, 가요성을 가지며, 가압하 또는, 가압 및 가열하에서 현저한 변형, 수축 혹은 신장을 일으키지 않는 재료를 이용할 수 있다. 이러한 가지지체의 예로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 트라이아세트산 셀룰로오스 필름, 폴리스타이렌 필름, 폴리카보네이트 필름 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 2축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 특히 바람직하다.

가지지체의 두께에는, 특별히 제한은 없으며, 5~200㎛의 범위가 일반적이고, 취급 용이성, 범용성 등의 점에서, 특히 10~150㎛의 범위가 바람직하다.

또, 가지지체는 투명해도 되고, 염료화 규소, 알루미나졸, 크롬염, 지르코늄염 등을 함유하고 있어도 된다.

또, 상기 가지지체에는, 일본 공개특허공보 2005-221726호에 기재된 방법 등에 의하여, 도전성을 부여할 수 있다.

＜제1 경화성 투명 수지층 및 제2 경화성 투명 수지층＞

본 발명의 전사 필름은, 제1 경화성 투명 수지층과, 그 제1 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치된 제2 경화성 투명 수지층을 가지며, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상이다.

상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층은, 열경화성이어도 되고, 광경화성이어도 되며, 열경화성이면서 또한 광경화성이어도 된다. 그 중에서도, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층은 적어도 열경화성 투명 수지층인 것이, 전사 후에 열경화하여 막의 신뢰성을 부여할 수 있는 관점에서 바람직하고, 열경화성 투명 수지층이면서 또한 광경화성 투명 수지층인 것이, 전사 후에 광경화하여 제막하기 쉽고, 또한, 제막 후에 열경화하여 막의 신뢰성을 부여할 수 있는 관점에서 보다 바람직하다.

다만, 본 명세서 중에서는 설명의 편의상, 본 발명의 전사 필름의 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 투명 전극 패턴 상에 전사하고, 이들 층을 광경화한 후에 이들 층이 광경화성을 잃은 경우에 있어서, 이들 층이 열경화성을 가지는지 여부에 상관없이 각각 계속해서 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이라고 부른다. 또한, 이들 층을 광경화한 후, 열경화를 행하는 경우도 있지만, 그 경우에도 이들 층이 경화성을 가지는지 여부에 상관없이 각각 계속해서 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이라고 부른다.

(제1 경화성 투명 수지층 및 제2 경화성 투명 수지층의 재료)

상술과 같은 굴절률의 범위를 충족하는 한, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층의 재료는 특별히 제한되지 않는다.

본 발명의 전사 필름은, 네거티브형 재료여도 되고 포지티브형 재료여도 된다.

본 발명의 전사 필름이 네거티브형 재료인 경우, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층에는, 금속 산화물 입자, 수지(바람직하게는 알칼리 가용성 수지), 중합성 화합물, 중합 개시제 또는 중합 개시계를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 첨가제 등을 이용할 수 있지만 이에 한정되지 않는다.

본 발명의 전사 필름은, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이 투명 수지막이어도 되고, 무기막이어도 된다.

상기 무기막으로서는, 일본 공개특허공보 2010-86684호, 일본 공개특허공보 2010-152809호 및 일본 공개특허공보 2010-257492호 등에 이용되고 있는 무기막을 이용할 수 있으며, 이들 문헌에 기재되어 있는 저굴절률 재료와 고굴절률 재료의 적층 구조의 무기막이나, 저굴절률 재료와 고굴절률 재료의 혼합막의 무기막을 이용하는 것이 굴절률을 제어하는 관점에서 바람직하다. 상기 저굴절률 재료와 상기 고굴절률 재료는, 상기의 일본 공개특허공보 2010-86684호, 일본 공개특허공보 2010-152809호 및 일본 공개특허공보 2010-257492호에 이용되고 있는 재료를 바람직하게 이용할 수 있다.

상기 무기막은, SiO₂와 Nb₂O₅의 혼합막이어도 되고, 그 경우에는 스퍼터링에 의하여 형성된 SiO₂와 Nb₂O₅의 혼합막인 것이 보다 바람직하다.

본 발명에서는, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이, 투명 수지막인 것이 바람직하다.

상기 투명 수지막의 굴절률을 제어하는 방법으로서는 특별히 제한은 없지만, 원하는 굴절률의 투명 수지막을 단독으로 이용하거나, 금속 입자나 금속 산화물 입자 등의 입자를 첨가한 투명 수지막을 이용하거나 할 수 있다.

상기 투명 수지막에 이용되는 수지 조성물은, 굴절률이나 광투과성을 조절하는 것을 목적으로 하며, 금속 산화물 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 금속 산화물 입자는, 투명성이 높고, 광투과성을 가지기 때문에, 고굴절률이고, 투명성이 뛰어난 포지티브형 감광성 수지 조성물이 얻어진다.

상기 금속 산화물 입자는, 당해 입자를 제외한 재료로 이루어지는 수지 조성물의 굴절률보다 굴절률이 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는, 400~750nm의 파장을 가지는 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상인 입자가 보다 바람직하며, 굴절률이 1.55 이상인 입자가 더욱 바람직하고, 굴절률이 1.70 이상인 입자가 특히 바람직하며, 1.90 이상인 입자가 가장 바람직하다.

여기에서, 400~750nm의 파장을 가지는 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상이라는 것은, 상기 범위의 파장을 가지는 광에 있어서의 평균 굴절률이 1.50 이상인 것을 의미하며, 상기 범위의 파장을 가지는 모든 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상일 필요는 없다. 또, 평균 굴절률은, 상기 범위의 파장을 가지는 각 광에 대한 굴절률의 측정치의 합계를, 측정점의 수로 나눈 값이다.

또한, 상기 금속 산화물 입자의 금속에는, B, Si, Ge, As, Sb, Te 등의 반금속도 포함되는 것으로 한다.

광투과성이고 굴절률이 높은 금속 산화물 입자로서는, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Nb, Mo, W, Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi, Te 등의 원자를 포함하는 산화물 입자가 바람직하고, 산화 타이타늄, 타이타늄 복합 산화물, 산화 아연, 산화 지르코늄, 인듐/주석 산화물, 안티몬/주석 산화물이 보다 바람직하며, 산화 타이타늄, 타이타늄 복합 산화물, 산화 지르코늄이 더욱 바람직하고, 산화 타이타늄, 산화 지르코늄이 특히 바람직하며, 이산화 타이타늄이 가장 바람직하다. 이산화 타이타늄으로서는, 특히 굴절률이 높은 루틸형이 바람직하다. 이들 금속 산화물 입자는, 분산 안정성 부여를 위하여 표면을 유기 재료로 처리할 수도 있다.

수지 조성물의 투명성의 관점에서, 상기 금속 산화물 입자의 평균 1차 입자경은, 1~200nm가 바람직하고, 3~80nm가 특히 바람직하다. 여기에서 입자의 평균 1차 입자경은, 전자현미경에 의하여 임의의 입자 200개의 입자경을 측정하여, 그것을 산술 평균한 것을 말한다. 또, 입자의 형상이 구형이 아닌 경우에는, 가장 긴 변을 직경으로 한다.

또, 상기 금속 산화물 입자는, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.

상기 수지 조성물에 있어서의 금속 산화물 입자의 함유량은, 수지 조성물에 의하여 얻어지는 광학 부재에 요구되는 굴절률이나, 광투과성 등을 고려하여, 적절히 결정하면 되지만, 상기 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여, 5~80질량%로 하는 것이 바람직하고, 10~70질량%로 하는 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 전사 필름은, 상기 투명 수지막이, ZrO₂ 입자 및 TiO₂ 입자 중 적어도 한쪽을 가지는 것이, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률의 범위로 굴절률을 제어하는 관점에서 바람직하고, ZrO₂ 입자가 보다 바람직하다.

투명 수지막에 이용되는 수지(바인더, 폴리머라고 함) 및 기타 첨가제로서는 본 발명의 취지에 반하지 않는 한 특별히 제한은 없으며, 본 발명의 전사 필름에 있어서의 상기 제2 경화성 투명 수지층에 이용되는 수지나 기타 첨가제를 바람직하게 이용할 수 있다.

상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층에 이용되는 수지(바인더, 폴리머라고 함)로서는 알칼리 가용성 수지가 바람직하고, 상기 알칼리 가용성 수지로서는, 일본 공개특허공보 2011-95716호의 단락 0025, 일본 공개특허공보 2010-237589호의 단락 0033~0052에 기재된 폴리머를 이용할 수 있다.

상기 중합성 화합물로서는, 일본 특허공보 제4098550호의 단락 0023~0024에 기재된 중합성 화합물을 이용할 수 있다.

상기 중합 개시제 또는 중합 개시계로서는, 일본 공개특허공보 2011-95716호에 기재된 단락 0031~0042에 기재된 중합성 화합물을 이용할 수 있다.

또한, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층에는, 첨가제를 이용해도 된다. 상기 첨가제로서는, 예를 들면 일본 특허공보 제4502784호의 단락 0017, 일본 공개특허공보 2009-237362호의 단락 0060~0071에 기재된 계면활성제나, 특허 제4502784호의 단락 0018에 기재된 열중합 방지제, 또한, 일본 공개특허공보 2000-310706호의 단락 0058~0071에 기재된 기타 첨가제를 들 수 있다.

또, 상기 감광성 필름을 도포에 의하여 제조할 때의 용제로서는, 일본 공개특허공보 2011-95716호의 단락 0043~0044에 기재된 용제를 이용할 수 있다.

이상, 본 발명의 전사 필름이 네거티브형 재료인 경우를 중심으로 설명했지만, 본 발명의 전사 필름은, 포지티브형 재료여도 된다. 본 발명의 전사 필름이 포지티브형 재료인 경우, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층에, 예를 들면 일본 공개특허공보 2005-221726호에 기재된 재료 등이 이용되지만, 이에 한정되지 않는다.

(제1 경화성 투명 수지층)

본 발명의 전사 필름은, 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.5~1.53인 것이 바람직하고, 1.5~1.52인 것이 보다 바람직하며, 1.51~1.52인 것이 특히 바람직하다.

본 발명의 전사 필름은, 상기 제1 경화성 투명 수지층의 층 두께가, 제1 경화성 투명 수지층을 이용하여 정전 용량형 입력 장치의 투명 보호층을 형성할 때에 충분한 표면 보호능을 발휘시키는 관점에서, 1㎛ 이상인 것이 바람직하고, 1~10㎛가 보다 바람직하며, 1~5㎛가 특히 바람직하고, 1~3㎛가 보다 특히 바람직하다.

상기 제1 경화성 투명 수지층의 재료로서는 임의의 폴리머 성분이나 임의의 중합성 화합물 성분을 특별히 제한 없이 이용할 수 있지만, 정전 용량형 입력 장치의 투명 보호막으로서 이용하는 관점에서, 표면 경도, 내열성이 높은 것이 바람직하고, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층에 포함되는 알칼리 가용성 수지나 상기 중합성 화합물 중에서도, 공지의 감광성 실록세인 수지 재료, 아크릴 수지 재료 등이 바람직하게 이용된다.

본 발명의 전사 필름은, 상기 제1 경화성 투명 수지층이, 상기 중합성 화합물 및 상기 광중합 개시제를 포함하는 것이, 광경화 후의 막의 강도 등을 높이는 관점이나, 상기 제1 경화성 투명 수지층을 형성한 후부터 상기 제2 경화성 투명 수지층을 형성하기 전까지의 사이에 상기 제1 경화성 투명 수지층을 광경화하여 상기 제1 경화성 투명 수지층의 이중 결합 소비율을 높이고, 상기 제1 경화성 투명 수지층과 상기 제2 경화성 투명 수지층의 계면을 명확하게 하여 투명 전극 패턴의 시인성을 보다 개선하는 관점에서 바람직하다.

상기 제1 경화성 투명 수지층 중, 상기 제1 경화성 투명 수지층의 고형분에 대하여, 상기 광중합 개시제는, 1질량% 이상 포함되는 것이 바람직하고, 2질량% 이상 포함되는 것이 보다 바람직하며, 3질량% 이상 포함되는 것이 특히 바람직하다.

또, 상기 제1 경화성 투명 수지층 중의 광중합 개시제의 함유량은, 상기 제2 경화성 투명 수지층 중의 광중합 개시제의 함유량보다 많게 하는 것이, 상술한 상기 제1 경화성 투명 수지층을 형성한 후부터 상기 제2 경화성 투명 수지층을 형성하기 전까지의 사이에 상기 제1 경화성 투명 수지층의 광경화를 적절히 행하는 관점에서 바람직하고, 상기 제1 경화성 투명 수지층 중의 광중합 개시제의 함유량은, 상기 제2 경화성 투명 수지층 중의 광중합 개시제의 함유량의 1.5배 이상으로 하는 것이 바람직하며, 1.5~5배로 하는 것이 보다 바람직하고, 2~4배로 하는 것이 특히 바람직하다.

상기 제1 경화성 투명 수지층은, 금속 산화물 입자를 포함하고 있어도 되고 포함하고 있지 않아도 된다. 상술한 범위로 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률을 제어하기 위하여, 사용하는 폴리머나 중합성 화합물의 종류에 따라, 임의의 비율로 금속 산화물 입자를 포함시킬 수 있다. 상기 제1 경화성 투명 수지층 중, 상기 제1 경화성 투명 수지층의 고형분에 대하여, 상기 금속 산화물 입자는, 0~35질량% 포함되는 것이 바람직하고, 0~10질량% 포함되는 것이 보다 바람직하며, 포함되지 않는 것이 특히 바람직하다.

(제2 경화성 투명 수지층)

본 발명의 전사 필름은, 상기 제1 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치되며, 굴절률이 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고, 굴절률이 1.6 이상인 제2 경화성 투명 수지층을 가진다.

본 발명의 전사 필름은, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.65 이상인 것이 바람직하다.

한편, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률의 상한치로서는 특별히 제한은 없지만, 1.78 이하인 것이 실용상 바람직하고, 1.74 이하여도 된다.

본 발명의 전사 필름은, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 막두께가 500nm 이하인 것이 바람직하고, 110nm 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 제2 경화성 투명 수지층의 두께가 55~100nm인 것이 특히 바람직하고, 60~90nm인 것이 보다 특히 바람직하며, 70~90nm인 것이 보다 더욱 특히 바람직하다.

본 발명의 전사 필름은, 상기 제2 경화성 투명 수지층이, 상기 중합성 화합물을 포함하는 것이, 경화시켜 막의 강도 등을 높이는 관점에서 바람직하다.

상기 제2 경화성 투명 수지층은, 금속 산화물 입자를 포함하고 있어도 되고 포함하고 있지 않아도 되지만, 금속 산화물 입자를 포함하는 것이, 상술한 범위로 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률을 제어하는 관점에서 바람직하다. 상기 제2 경화성 투명 수지층에는, 사용하는 폴리머나 중합성 화합물의 종류에 따라, 임의의 비율로 금속 산화물 입자를 포함시킬 수 있지만, 상기 제2 경화성 투명 수지층 중, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 고형분에 대하여, 상기 금속 산화물 입자는, 40~95질량% 포함되는 것이 바람직하고, 55~95질량% 포함되는 것이 보다 바람직하며, 82~90질량% 포함되는 것이 특히 바람직하다.

＜열가소성 수지층＞

본 발명의 전사 필름은, 상기 가지지체와 상기 제1 경화성 투명 수지층과의 사이에 열가소성 수지층이 마련되는 것이 바람직하다. 상기 열가소성 수지층을 가지는 전사 필름을 이용하여, 제1 경화성 투명 수지층 및 제2 경화성 투명 수지층을 전사하여 투명 적층체를 형성하면, 전사하여 형성한 각 요소에 기포가 발생하기 어렵게 되고, 화상 표시 장치에 화상 불균일 등이 발생하기 어렵게 되어, 뛰어난 표시 특성을 얻을 수 있다.

상기 열가소성 수지층은 알칼리 가용성인 것이 바람직하다. 열가소성 수지층은, 하지(下地) 표면의 요철(이미 형성되어 있는 화상 등에 의한 요철 등도 포함)을 흡수할 수 있도록 쿠션재로서의 역할을 하는 것이며, 대상면의 요철에 따라 변형할 수 있는 성질을 가지고 있는 것이 바람직하다.

열가소성 수지층은, 일본 공개특허공보 평5-72724호에 기재된 유기 고분자 물질을 성분으로서 포함하는 양태가 바람직하고, 비카(Vicat)법〔구체적으로는, 미국 재료시험법 에이에스티엠디 ASTMD1235에 의한 폴리머 연화점 측정법〕에 따른 연화점이 약 80℃ 이하인 유기 고분자 물질러부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 양태가 특히 바람직하다.

구체적으로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 에틸렌과 아세트산 바이닐 또는 그 비누화물 등과의 에틸렌 공중합체, 에틸렌과 아크릴산 에스터 또는 그 비누화물과의 공중합체, 폴리 염화 바이닐이나 염화 바이닐과 아세트산 바이닐 또는 그 비누화물 등과의 염화 바이닐 공중합체, 폴리 염화 바이닐리덴, 염화 바이닐리덴 공중합체, 폴리스타이렌, 스타이렌과 (메트)아크릴산 에스터 또는 그 비누화물 등과의 스타이렌 공중합체, 폴리바이닐톨루엔, 바이닐톨루엔과 (메트)아크릴산 에스터 또는 그 비누화물 등과의 바이닐톨루엔 공중합체, 폴리(메트)아크릴산 에스터, (메트)아크릴산 뷰틸과 아세트산 바이닐 등과의 (메트)아크릴산 에스터 공중합체, 아세트산 바이닐 공중합체, 나일론, 공중합 나일론, N-알콕시메틸화 나일론, N-다이메틸아미노화 나일론 등의 폴리아마이드 수지 등의 유기 고분자를 들 수 있다.

열가소성 수지층의 층 두께는, 3~30㎛가 바람직하다. 열가소성 수지층의 층 두께가 3㎛ 미만인 경우에는, 래미네이팅 시의 추종성이 불충분하여, 하지 표면의 요철을 완전하게 흡수할 수 없는 경우가 있다. 또, 층 두께가 30㎛를 넘는 경우에는, 가지지체에 대한 열가소성 수지층의 형성 시의 건조(용제 제거)에 부하가 걸리거나, 열가소성 수지층의 현상에 시간을 필요로 하거나 하여, 프로세스 적성을 악화시키는 경우가 있다. 상기 열가소성 수지층의 층 두께로서는, 4~25㎛가 더욱 바람직하고, 5~20㎛가 특히 바람직하다.

열가소성 수지층은, 열가소성의 유기 고분자를 포함하는 조제액을 도포하거나 하여 형성할 수 있으며, 도포 시 등에 이용하는 조제액은 용매를 이용하여 조제할 수 있다. 용매에는, 열가소성 수지층을 구성하는 고분자 성분을 용해할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜모노메틸에터아세테이트(MMPGAc), n-프로판올, 2-프로판올 등을 들 수 있다.

(열가소성 수지층 및 광경화성 수지층의 점도)

상기 열가소성 수지층의 100℃에서 측정한 점도가 1000~10000Pa·sec의 영역에 있고, 광경화성 수지층의 100℃에서 측정한 점도가 2000~50000Pa·sec의 영역에 있으며, 더욱 다음 식(A)을 충족하는 것이 바람직하다.

식(A): 열가소성 수지층의 점도＜광경화성 수지층의 점도

여기에서, 각 층의 점도는, 다음과 같이 하여 측정할 수 있다. 대기압 및 감압 건조에 의하여, 열가소성 수지층 혹은 광경화성 수지층용 도포액으로부터 용제를 제거하여 측정 샘플로 하고, 예를 들면, 측정기로서, 바이브론(DD-III형: 도요볼드윈가부시키가이샤(Toyo Baldwin Co., Ltd.)제)을 사용하여, 측정 개시 온도 50℃, 측정 종료 온도 150℃, 승온 속도 5℃/분 및 진동수 1Hz/deg의 조건에서 측정하며, 100℃의 측정치를 이용할 수 있다.

＜중간층＞

본 발명의 전사 필름은, 상기 제1 경화성 투명 수지층과 상기 열가소성 수지층과의 사이에, 추가로 중간층을 포함하는 것이, 복수 층을 도포할 때 및 도포 후의 보존 시에 있어서의 성분의 혼합을 방지하는 관점에서, 바람직하다. 중간층으로서는, 일본 공개특허공보 평5-72724호에 “분리층”으로서 기재되어 있는, 산소 차단기능이 있는 산소 차단막이 바람직하며, 노광 시의 감도가 상승하여, 노광기의 시간 부하를 저감할 수 있어, 생산성이 향상된다.

본 발명의 전사 필름은, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 표면에 보호 필름(이하, “보호 박리층”이라고도 함) 등을 더욱 마련하는 것이 바람직하다.

상기 중간층 및 보호 필름으로서는, 일본 공개특허공보 2006-259138호의 단락 0083~0087 및 0093에 기재된 중간층 및 보호 필름을 적절히 사용할 수 있다.

도 12에, 본 발명의 전사 필름의 바람직한 구성의 일례를 나타낸다. 도 12는, 가지지체(26), 열가소성 수지층(27), 중간층(28), 제1 경화성 투명 수지층(7), 제2 경화성 투명 수지층(12) 및 보호 박리층(보호 필름)(29)이 이 순서대로 서로 인접하여 적층된, 본 발명의 전사 필름(30)의 개략도이다.

[전사 필름의 제조 방법]

본 발명의 전사 필름은, 일본 공개특허공보 2006-259138호의 단락 0094~0098에 기재된 감광성 전사 재료의 제작 방법에 준하여 제작할 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 전사 필름은, 이하의 본 발명의 전사 필름의 제조 방법에 따라 제조되는 것이 바람직하다.

본 발명의 전사 필름의 제조 방법은, 가지지체 상에, (b) 중합성 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 제1 경화성 투명 수지층을 형성하는 공정과, (c) 노광에 의하여, 상기 제1 경화성 투명 수지층을 경화하는 공정과, (d) 경화 후의 상기 제1 경화성 투명 수지층 상에 직접 제2 경화성 투명 수지층을 형성하는 공정을 가지고, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상인 것을 특징으로 한다.

이러한 구성에 의하여, 상기 제1 경화성 투명 수지층의 이중 결합 소비율을 10% 이상까지 높이고, 상기 제1 경화성 투명 수지층과 상기 제2 경화성 투명 수지층의 계면을 명확하게 하여 투명 전극 패턴의 시인성을 보다 개선할 수 있다. 특히, 상기 제1 경화성 투명 수지층과 상기 제2 경화성 투명 수지층에 이용하는 폴리머 및 중합성 화합물이 동일한 경우에도, 이러한 구성에 의하여, 양자의 계면을 명확하게 할 수 있다.

본 발명의 전사 필름의 제조 방법은, 상기 가지지체 상에 상기 제1 경화성 투명 수지층을 형성하기 전에, 추가로 (a) 열가소성 수지층을 형성하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 전사 필름의 제조 방법은, 상기 (a) 열가소성 수지층을 형성하는 공정 후에, 상기 열가소성 수지층과 상기 제1 경화성 투명 수지층의 사이에 중간층을 형성하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 구체적으로 중간층을 가지는 상기 감광성 필름을 형성하는 경우에는, 가지지체 상에, 열가소성의 유기 고분자와 함께 첨가제를 용해한 용해액(열가소성 수지층용 도포액)을 도포하고, 건조시켜 열가소성 수지층을 마련한 후, 이 열가소성 수지층 상에 열가소성 수지층을 용해시키지 않는 용제에 수지나 첨가제를 첨가하여 조제한 조제액(중간층용 도포액)을 도포하고, 건조시켜 중간층을 적층하고, 이 중간층 상에, 중간층을 용해시키지 않는 용제를 이용하여 조제한 착색 감광성 수지층용 도포액을 더욱 도포하고, 건조시켜 착색 감광성 수지층을 적층함으로써, 적합하게 제작할 수 있다.

[투명 적층체]

본 발명의 투명 적층체는, 투명 전극 패턴과, 그 투명 전극 패턴에 인접하여 배치된 제2 경화성 투명 수지층과, 그 제2 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치된 제1 경화성 투명 수지층을 가지고, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상인 것을 특징으로 한다.

이러한 구성으로 함으로써, 투명 전극 패턴이 시인될 문제를 해결할 수 있다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 제1 경화성 투명 수지층의 이중 결합 소비율이 10% 이하인 것이, 상기 제1 경화성 투명 수지층과 상기 제2 경화성 투명 수지층의 계면을 쉽게 형성할 수 있어, 투명 전극 패턴의 시인성을 보다 개선하는 관점에서, 바람직하다.

＜투명 적층체의 구성＞

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명 전극 패턴의 상기 제2 경화성 투명 수지층이 형성된 측과는 반대측에, 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막을 더욱 가지는 것이, 투명 전극 패턴의 시인성을 보다 개선하는 관점에서, 바람직하다. 다만, 본 명세서 중, 특별히 제한 없이 “투명막”이라고 기재하는 경우에는, 상기의 “굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막”을 가리킨다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막의 상기 투명 전극 패턴이 형성된 측과는 반대측에, 투명 기판을 더욱 가지는 것이 바람직하다.

도 11에 본 발명의 투명 적층체의 구성의 일례를 나타낸다.

도 11에서는, 투명 기판(1), 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막(11)을 가지고, 추가로 투명 전극 패턴(4), 제2 경화성 투명 수지층(12) 및 제1 경화성 투명 수지층(7)이 이 순서대로 적층된 영역(21)을 면내에 가진다. 또, 도 11에서는, 상기 투명 적층체는, 상기 영역에 더하여, 투명 기판(1), 및 상이한 굴절률을 가지는 적어도 2종의 투명 박막을 포함하는 다층막(11)이 이 순서대로 적층된 영역(도 11의 구성에서는, 제2 경화성 투명 수지층(12)과 제1 경화성 투명 수지층(7)이 이 순서대로 적층된 영역(22)(즉, 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역(22)))을 포함하는 것이 나타나 있다.

바꾸어 말하면, 상기 투명 전극 패턴을 갖춘 기판은, 투명 기판(1), 상이한 굴절률을 가지는 적어도 2종의 투명 박막을 포함하는 다층막(11), 투명 전극 패턴(4), 제2 경화성 투명 수지층(12) 및 제1 경화성 투명 수지층(7)이 이 순서대로 적층된 영역(21)을 면내 방향으로 포함한다.

면내 방향이란, 투명 적층체의 투명 기판과 평행인 면에 대하여 대략 평행한 방향을 의미한다. 따라서, 투명 전극 패턴(4), 제2 경화성 투명 수지층(12) 및 제1 경화성 투명 수지층(7)이 이 순서대로 적층된 영역을 면내에 포함한다는 것은, 투명 전극 패턴(4), 제2 경화성 투명 수지층(12) 및 제1 경화성 투명 수지층(7)이 이 순서대로 적층된 영역의, 투명 적층체의 투명 기판과 평행인 면으로의 정사영이, 투명 적층체의 투명 기판과 평행인 면내에 존재하는 것을 의미한다.

여기에서, 본 발명의 투명 적층체를 후술하는 정전 용량형 입력 장치에 이용하는 경우, 투명 전극 패턴은 행방향과 열방향이 대략 직교하는 2개의 방향으로 각각 제1 투명 전극 패턴 및 제2 투명 전극 패턴으로서 마련되는 경우가 있다(예를 들면, 도 3 참조). 예를 들면 도 3의 구성에서는, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴은, 제2 투명 전극 패턴(4)이어도 되고, 제1 투명 전극 패턴(3)의 패드 부분(3a)이어도 된다. 바꾸어 말하면, 이하의 본 발명의 투명 적층체의 설명에서는, 투명 전극 패턴의 부호를 “4”로 대표하여 나타내는 경우가 있는데, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴은, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치에 있어서의 제2 투명 전극 패턴(4)에 대한 사용에 한정되지 않고, 예를 들면 제1 투명 전극 패턴(3)의 패드 부분(3a)으로서 사용해도 된다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역을 포함하는 것이 바람직하다. 본 명세서 중, 비패턴 영역이란, 투명 전극 패턴(4)이 형성되어 있지 않은 영역을 의미한다.

도 11에는, 본 발명의 투명 적층체가 비패턴 영역(22)을 포함하는 양태가 나타나 있다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역(22)의 적어도 일부에, 상기 투명 기판, 상기 투명막 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이 이 순서대로 적층된 영역을 면내에 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명 기판, 상기 투명막 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이 이 순서대로 적층된 영역에 있어서, 상기 투명막 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이 서로 인접하고 있는 것이 바람직하다.

단, 상기 비패턴 영역(22)의 기타 영역에는, 본 발명의 취지에 반하지 않는 한 기타 부재를 임의의 위치에 배치해도 되고, 예를 들면 본 발명의 투명 적층체를 후술하는 정전 용량형 입력 장치에 이용하는 경우, 도 1a에 있어서의 마스크층(2)이나, 절연층(5)이나 도전성 요소(6) 등을 적층할 수 있다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명 기판 및 투명막이 서로 인접하고 있는 것이 바람직하다.

도 11에는, 상기 투명 기판(1) 상에 인접하여 상기 투명막(11)이 적층되어 있는 양태가 나타나 있다.

단, 본 발명의 취지에 반하지 않는 한, 상기 투명 기판 및 상기 투명막 사이에, 제３ 투명막이 적층되어 있어도 된다. 예를 들면, 상기 투명 기판 및 상기 투명막 사이에, 굴절률 1.5~1.52의 제３ 투명막(도 11에는 도시하지 않음)을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 투명 적층체는 상기 투명막의 두께가 55~110nm이고, 60~110nm인 것이 바람직하며, 70~90nm인 것이 보다 바람직하다.

여기에서, 상기 투명막은, 단층 구조여도, 2층 이상의 적층 구조여도 된다. 상기 투명막이 2층 이상의 적층 구조인 경우, 상기 투명막의 막두께란, 전체층의 합계 막두께를 의미한다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명막 및 상기 투명 전극 패턴이 서로 인접하고 있는 것이 바람직하다.

도 11에는, 상기 투명막(11)의 일부 영역 상에 인접하여 상기 투명 전극 패턴(4)이 적층되어 있는 양태가 나타나 있다.

도 11에 나타내는 바와 같이, 상기 투명 전극 패턴(4)의 단부는, 그 형상에 특별히 제한은 없지만 테이퍼 형상을 가지고 있어도 되고, 예를 들면, 상기 투명 기판측의 면이, 상기 투명 기판과는 반대측의 면보다 넓은 테이퍼 형상을 가지고 있어도 된다.

여기에서, 상기 투명 전극 패턴의 단부가 테이퍼 형상일 때의 투명 전극 패턴의 단부의 각도(이하, 테이퍼각이라고도 함)는, 30° 이하인 것이 바람직하고, 0.1~15°인 것이 보다 바람직하며, 0.5~5°인 것이 특히 바람직하다.

본 명세서 중에 있어서의 테이퍼각의 측정 방법은, 상기 투명 전극 패턴의 단부의 현미경 사진을 촬영하고, 그 현미경 사진의 테이퍼 부분을 삼각형에 근사하여, 테이퍼각을 직접 측정하여 구할 수 있다.

도 10에 투명 전극 패턴의 단부가 테이퍼 형상인 경우의 일례를 나타낸다. 도 10에 있어서의 테이퍼 부분을 근사한 삼각형은, 바닥면이 800nm이고, 높이(바닥면과 대략 평행인 상측 바닥 부분에 있어서의 막두께)가 40nm이며, 이 때의 테이퍼각(α)은 약 3°이다. 테이퍼 부분을 근사한 삼각형의 바닥면은, 10~3000nm인 것이 바람직하고, 100~1500nm인 것이 보다 바람직하며, 300~1000nm인 것이 특히 바람직하다. 또한, 테이퍼 부분을 근사한 삼각형의 높이의 바람직한 범위는, 투명 전극 패턴의 막두께의 바람직한 범위와 동일하다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명 전극 패턴 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이 서로 인접하고 있는 영역을 포함하는 것이 바람직하다.

도 11에는, 상기 투명 전극 패턴, 상기 제2 경화성 투명 수지층 및 제1 경화성 투명 수지층이 이 순서대로 적층된 영역(21)에 있어서, 상기 투명 전극 패턴, 상기 제2 경화성 투명 수지층 및 제1 경화성 투명 수지층이 서로 인접하고 있는 양태가 나타나 있다.

또, 본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명막 및 상기 제2 경화성 투명 수지층에 의하여, 상기 투명 전극 패턴 및 상기 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역(22)의 양방이 연속하여 직접 또는 다른 층을 통하여 피복된 것이 바람직하다.

여기에서, “연속하여”란, 상기 투명막 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이 패턴막이 아닌, 연속막인 것을 의미한다. 즉, 상기 투명막 및 상기 제2 경화성 투명 수지층은, 개구부를 가지고 있지 않는 것이, 투명 전극 패턴이 시인되기 어렵게 하는 관점에서 바람직하다.

또, 상기 투명막 및 상기 제2 경화성 투명 수지층에 의하여, 상기 투명 전극 패턴 및 상기 비패턴 영역(22)이, 다른 층을 통하여 피복되는 것보다도, 직접 피복되는 것이 바람직하다. 다른 층을 통하여 피복되는 경우에 있어서의 그 “다른 층”으로서는, 후술하는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치에 포함되는 절연층(5)이나, 후술하는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치와 같이 투명 전극 패턴이 2층 이상 포함되는 경우에는 2층째의 투명 전극 패턴 등을 들 수 있다.

도 11에는, 상기 제2 경화성 투명 수지층(12)이 적층되어 있는 양태가 나타나 있다. 상기 제2 경화성 투명 수지층(12)은, 상기 투명막(11) 상의 투명 전극 패턴(4)이 적층되어 있지 않은 영역과, 투명 전극 패턴(4)이 적층되어 있는 영역의 위에 걸쳐 적층되어 있다. 즉, 상기 제2 경화성 투명 수지층(12)은, 상기 투명막(11)과 인접하고 있고, 또한, 상기 제2 경화성 투명 수지층(12)은, 투명 전극 패턴(4)과 인접하고 있다.

또, 투명 전극 패턴(4)의 단부가 테이퍼 형상인 경우에는, 테이퍼 형상을 따라 (테이퍼각과 동일한 기울기로) 상기 제2 경화성 투명 수지층(12)이 적층되어 있는 것이 바람직하다.

도 11에서는, 상기 제2 경화성 투명 수지층(12)의 상기 투명 전극 패턴이 형성된 표면과는 반대측의 표면 상에, 제1 경화성 투명 수지층(7)이 적층된 양태가 나타나 있다.

＜투명 적층체의 재료＞

(투명 기판)

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명 기판이 굴절률 1.5~1.55의 유리 기판인 것이 바람직하다. 상기 투명 기판의 굴절률은, 1.5~1.52인 것이 특히 바람직하다.

상기 투명 기판은, 유리 기판 등의 투광성 기판으로 구성되어 있으며, 코닝사의 고릴라 글래스로 대표되는 강화 유리 등을 이용할 수 있다. 또, 상기 투명 기판으로서는, 일본 공개특허공보 2010-86684호, 일본 공개특허공보 2010-152809호 및 일본 공개특허공보 2010-257492호에 이용되고 있는 재료를 바람직하게 이용할 수 있다.

(투명 전극 패턴)

상기 투명 전극 패턴의 굴절률은 1.75~2.1인 것이 바람직하다.

상기 투명 전극 패턴의 재료는 특별히 제한되지 않으며, 공지의 재료를 이용할 수 있다. 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투광성의 도전성 금속 산화막으로 제작할 수 있다. 이러한 금속막으로서는, ITO막；Al, Zn, Cu, Fe, Ni, Cr, Mo 등의 금속막；SiO₂ 등의 금속 산화막 등을 들 수 있다. 이 때, 각 요소의, 막두께는 10~200nm로 할 수 있다. 또, 소성에 의하여, 아모퍼스의 ITO막을 다결정의 ITO막으로 하기 때문에, 전기적 저항을 저감할 수도 있다. 또, 상기 제1 투명 전극 패턴(3)과, 제2 투명 전극 패턴(4)과, 후술하는 도전성 요소(6)는, 도전성 섬유를 이용한 광경화성 수지층을 가지는 감광성 필름을 이용하여 제조할 수도 있다. 그 외에, ITO 등에 의하여 제1 도전성 패턴 등을 형성하는 경우에는, 일본 특허공보 제4506785호의 단락 0014~0016 등을 참고로 할 수 있다. 그 중에서도, 상기 투명 전극 패턴은, ITO막인 것이 바람직하다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명 전극 패턴이 굴절률 1.75~2.1의 ITO막인 것이 바람직하다.

(제1 경화성 투명 수지층 및 제2 경화성 투명 수지층)

제1 경화성 투명 수지층 및 제2 경화성 투명 수지층의 바람직한 범위는, 본 발명의 전사 필름에 있어서의 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층의 바람직한 범위와 동일하다.

(투명막)

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명막의 굴절률이 1.6~1.78이고, 1.65~1.74인 것이 바람직하다. 여기에서, 상기 투명막은, 단층 구조여도 되고, 2층 이상의 적층 구조여도 된다. 상기 투명막이 2층 이상의 적층 구조인 경우, 상기 투명막의 굴절률이란, 전체층의 굴절률을 의미한다.

이러한 굴절률의 범위를 충족하는 한, 상기 투명막의 재료는 특별히 제한되지 않는다.

상기 투명막의 재료의 바람직한 범위와 굴절률 등의 물성의 바람직한 범위는, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 그 바람직한 범위와 동일하다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명막과 상기 제2 경화성 투명 수지층이, 동일 재료에 의하여 구성된 것이 광학적 균질성의 관점에서 바람직하다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명막이 투명 수지막인 것이 바람직하다. 투명 수지막에 이용되는 금속 산화물 입자나 수지(바인더)나 기타 첨가제로서는 본 발명의 취지에 반하지 않는 한 특별히 제한은 없으며, 본 발명의 전사 필름에 있어서의 상기 제2 경화성 투명 수지층에 이용되는 수지나 기타 첨가제를 바람직하게 이용할 수 있다.

본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명막이 무기막이어도 된다. 무기막에 이용되는 재료로서는, 본 발명의 전사 필름에 있어서의 상기 제2 경화성 투명 수지층에 이용되는 재료를 바람직하게 이용할 수 있다.

(제３ 투명막)

상기 제３ 투명막의 굴절률은, 1.5~1.55인 것이 상기 투명 기판의 굴절률에 근접시켜, 투명 전극 패턴의 시인성을 개선하는 관점에서 바람직하고, 1.5~1.52인 것이 보다 바람직하다.

[투명 적층체의 제조 방법]

본 발명의 투명 적층체의 제조 방법은, 투명 전극 패턴 상에, 본 발명의 전사 필름의 상기 제2 경화성 투명 수지층 및 상기 제1 경화성 투명 수지층을 이 순서대로 적층하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이러한 구성에 의하여, 투명 적층체의 제2 경화성 투명 수지층 및 상기 제1 경화성 투명 수지층을 일괄하여 전사할 수 있어, 투명 전극 패턴이 시인될 문제가 없는 투명 적층체를 용이하게, 생산성 좋게 제조할 수 있다.

다만, 본 발명의 투명 적층체의 제조 방법에 있어서의 상기 제2 경화성 투명 수지층은, 상기 투명 전극 패턴 상과, 상기 비패턴 영역에서는 상기 투명막 상에 직접, 또는, 다른 층을 통하여, 제막된다.

(투명 기판의 표면 처리)

또, 이후의 전사공정에 있어서의 래미네이팅에 의한 각 층의 밀착성을 높이기 위하여, 미리 투명 기판(전면판)의 비접촉면에 표면 처리를 실시할 수 있다. 상기 표면 처리로서는, 실레인 화합물을 이용한 표면 처리(실레인 커플링 처리)를 실시하는 것이 바람직하다. 실레인 커플링제로서는, 감광성 수지와 상호작용하는 관능기를 가지는 것이 바람직하다. 예를 들면 실레인 커플링액(N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트라이메톡시실레인 0.3질량% 수용액, 상품명: KBM603, 신에츠 가가쿠 가부시키가이샤(Shin-Etsu Chemical Co. Ltd.)제)을 샤워에 의하여 20초간 블로잉하여, 순수 샤워 세정한다. 그 후, 가열에 의하여 반응시킨다. 가열조를 이용해도 되고, 래미네이터의 기판 예비 가열로도 반응을 촉진할 수 있다.

(투명 전극 패턴의 제막)

상기 투명 전극 패턴은, 후술하는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 설명에 있어서의, 제1 투명 전극 패턴(3), 제2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전성 요소(6)의 형성 방법 등을 이용하여, 투명 기판 상 또는 상기 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막 상에 제막할 수 있으며, 감광성 필름을 이용하는 방법이 바람직하다.

(제1 경화성 투명 수지층 및 제2 경화성 투명 수지층의 제막)

상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 형성하는 방법은, 본 발명의 전사 필름으로부터 상기 보호 필름을 제거하는 보호 필름 제거 공정과, 상기 보호 필름이 제거된 본 발명의 전사 필름의 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 투명 전극 패턴 상에 전사하는 전사공정과, 투명 전극 패턴 상에 전사된 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 노광하는 노광 공정과, 노광된 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 현상하는 현상 공정을 가지는 방법을 들 수 있다.

-전사공정-

상기 전사공정은, 상기 보호 필름이 제거된 본 발명의 전사 필름의 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 투명 전극 패턴 상에 전사하는 공정이다.

이 때, 본 발명의 전사 필름의 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 투명 전극 패턴에 래미네이팅한 후, 가지지체를 제거하는 공정을 포함하는 방법이 바람직하다.

상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층의 기재 표면으로의 전사(접합)는, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 투명 전극 패턴 표면에 중첩하여, 가압, 가열하는 것으로 행해진다. 접합에는, 래미네이터, 진공 래미네이터, 및, 보다 생산성을 높일 수 있는 오토 컷 래미네이터 등의 공지의 래미네이터를 사용할 수 있다.

-노광 공정, 현상 공정, 및 기타 공정-

상기 노광 공정, 현상 공정, 및 기타 공정의 예로서는, 일본 공개특허공보 2006-23696호의 단락 0035~0051에 기재된 방법을 본 발명에 있어서도 적합하게 이용할 수 있다.

상기 노광 공정은, 투명 전극 패턴 상에 전사된 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 노광하는 공정이다.

구체적으로는, 상기 투명 전극 패턴 상에 형성된 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층의 상방에 소정의 마스크를 배치하고, 그 후 그 마스크, 열가소성 수지층, 및 중간층을 통하여 마스크 상방으로부터 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 노광하는 방법이나, 마스크를 이용하지 않고 열가소성 수지층, 및 중간층을 통하여 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 전체면 노광하는 방법을 들 수 있다.

여기에서, 상기 노광의 광원으로서는, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 경화할 수 있는 파장역의 광(예를 들면, 365nm, 405nm 등)을 조사할 수 있는 것이면 적절히 선정하여 이용할 수 있다. 구체적으로는, 초고압 수은등, 고압 수은등, 메탈할라이드 램프 등을 들 수 있다. 노광량으로서는, 통상 5~200mJ/cm² 정도이며, 바람직하게는 10~100mJ/cm² 정도이다.

상기 현상 공정은, 노광된 광경화성 수지층을 현상하는 공정이다.

본 발명에서는, 상기 현상 공정은, 패턴 노광된 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 현상액에 의하여 패턴 현상하는 협의의 의미의 현상 공정이 아니라, 전체면 노광 후에 열가소성 수지층이나 중간층을 제거하기만 하고 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층 자체는 패턴을 형성하지 않는 경우도 포함하는 현상 공정이다.

상기 현상은, 현상액을 이용하여 행할 수 있다. 상기 현상액으로서는, 특별히 제약은 없으며, 일본 공개특허공보 평5-72724호에 기재된 현상액 등, 공지의 현상액을 사용할 수 있다. 다만, 현상액은 광경화성 수지층이 용해형의 현상 거동을 하는 현상액이 바람직하고, 예를 들면, pKa=7~13의 화합물을 0.05~5mol/L의 농도로 포함하는 현상액이 바람직하다. 한편, 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층 자체는 패턴을 형성하지 않는 경우의 현상액은 비알칼리 현상형 착색 조성물층을 용해하지 않는 형의 현상 거동을 하는 현상액이 바람직하며, 예를 들면, pKa=7~13의 화합물을 0.05~5mol/L의 농도로 포함하는 현상액이 바람직하다. 현상액에는, 더욱 물과 혼화성을 가지는 유기용제를 소량 첨가해도 된다. 물과 혼화성을 가지는 유기용제로서는, 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 1-프로판올, 뷰탄올, 다이아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노메틸에터, 에틸렌글리콜모노에틸에터, 에틸렌글리콜모노-n-뷰틸에터, 벤질알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, ε-카프로락톤, γ-뷰티로락톤, 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드, 헥사메틸포스포아마이드, 락트산 에틸, 락트산 메틸, ε-카프로락탐, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다. 그 유기용제의 농도는 0.1질량%~30질량%가 바람직하다. 또, 상기 현상액에는, 공지의 계면활성제를 더욱 첨가할 수 있다. 계면활성제의 농도는 0.01질량%~10질량%가 바람직하다.

상기 현상의 방식으로서는, 퍼들 현상, 샤워 현상, 샤워＆스핀 현상, 딥 현상 등 중 어느 것이어도 된다. 여기에서, 상기 샤워 현상에 대하여 설명하면, 노광 후의 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층에 현상액을 샤워에 의하여 블로잉함으로써, 미경화 부분을 제거할 수 있다. 다만, 열가소성 수지층이나 중간층을 마련한 경우에는, 현상 전에 광경화성 수지층의 용해성이 낮은 알칼리성의 액을 샤워 등에 의하여 블로잉하여, 열가소성 수지층, 중간층 등을 제거해 두는 것이 바람직하다. 또, 현상 후에, 세정제 등을 샤워에 의하여 블로잉하고, 브러시 등으로 문지르면서, 현상 잔사를 제거하는 것이 바람직하다. 현상액의 액온도는 20℃~40℃가 바람직하고, 또, 현상액의 pH는 8~13이 바람직하다.

상기 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법은, 포스트 노광 공정, 포스트 베이크 공정 등, 기타 공정을 가지고 있어도 된다. 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이, 열경화성 투명 수지층인 경우에는, 포스트 베이크 공정을 행하는 것이 바람직하다.

다만, 패터닝 노광이나 전체면 노광은, 가지지체를 박리한 후에 행해도 되고, 가지지체를 박리하기 전에 노광하고, 그 후, 가지지체를 박리해도 된다. 마스크를 통한 노광이어도 되고, 레이저 등을 이용한 디지털 노광이어도 된다.

(투명막의 제막)

본 발명의 투명 적층체가, 상기 투명 전극 패턴의 상기 제2 경화성 투명 수지층이 형성된 측과는 반대측에, 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막을 더욱 가지는 경우, 상기 투명막은, 상기 투명 전극 패턴 상에 직접, 또는, 상기 제３ 투명막 등의 다른 층을 통하여, 제막된다.

상기 투명막의 제막 방법으로서는 특별히 제한은 없지만, 전사 또는 스퍼터링에 의하여 제막하는 것이 바람직하다.

그 중에서도, 본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명막이, 가지지체 상에 형성된 경화성 투명 수지막을, 상기 투명 기판 상에 전사하여 제막되어 이루어지는 것이 바람직하고, 전사 후에 경화하여 제막되어 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 전사 및 경화 방법으로서는, 후술하는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 설명에 있어서의 감광성 필름을 이용하여, 본 발명의 투명 적층체의 제조 방법에 있어서의 상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층을 전사하는 방법과 마찬가지로 전사, 노광, 현상 및 기타 공정을 행하는 방법을 들 수 있다. 그 경우에는, 감광성 필름 중의 광경화성 수지층에 상기 금속 산화물 입자를 분산시킴으로써, 상술한 범위로 상기 투명막의 굴절률을 조정하는 것이 바람직하다.

한편, 상기 투명막이 무기막인 경우에는, 스퍼터링에 의하여 형성되어 이루어지는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 투명 적층체는, 상기 투명막이, 스퍼터링에 의하여 형성되어 이루어지는 것도 바람직하다.

스퍼터링 방법으로서는, 일본 공개특허공보 2010-86684호, 일본 공개특허공보 2010-152809호 및 일본 공개특허공보 2010-257492호에 이용되고 있는 방법을 바람직하게 이용할 수 있다.

(제３ 투명막의 제막)

상기 제３ 투명막의 제막 방법은, 투명 기판 상에 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막을 제막하는 방법과 동일하다.

[정전 용량형 입력 장치]

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는, 본 발명의 전사 필름을 이용하여 제작되어 이루어지는 것, 혹은, 본 발명의 투명 적층체를 가지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는, 투명 전극 패턴과, 그 투명 전극 패턴에 인접하여 배치된 제2 경화성 투명 수지층과, 그 제2 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치된 제1 경화성 투명 수지층을 가지고, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고, 상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상인, 투명 적층체를 가지는 것이 바람직하다.

이하, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 바람직한 양태의 상세를 설명한다.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는, 전면판(본 발명의 투명 적층체에 있어서의 상기 투명 기판에 상당)과, 상기 전면판의 비접촉면측에 적어도 하기 (3)~(5), (7) 및 (8)의 요소를 가지고, 본 발명의 투명 적층체를 가지는 것이 바람직하다.

(3) 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통하여 제1 방향으로 뻗어 형성된 복수의 제1 투명 전극 패턴

(4) 상기 제1 투명 전극 패턴과 전기적으로 절연되어, 상기 제1 방향에 교차하는 방향으로 뻗어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제2 전극 패턴

(5) 상기 제1 투명 전극 패턴과 상기 제2 전극 패턴을 전기적으로 절연되는 절연층

(7) 상기 (3)~(5)의 요소 전부 또는 일부를 덮도록 형성된 제2 경화성 투명 수지층

(8) 상기 (7)의 요소를 덮도록 인접하여 형성된 제1 경화성 투명 수지층

여기에서, 상기 (7) 제2 경화성 투명 수지층이, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 상기 제2 경화성 투명 수지층에 상당한다. 또, 상기 (8) 제1 경화성 투명 수지층이, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 상기 제1 경화성 투명 수지층에 상당한다. 다만, 상기 제1 경화성 투명 수지층은, 통상 공지의 정전 용량형 입력 장치에 있어서의 이른바 투명 보호층인 것이 바람직하다.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는, 상기 (4) 제2 전극 패턴이 투명 전극 패턴이어도 되고, 투명 전극 패턴이 아니어도 되지만, 투명 전극 패턴인 것이 바람직하다.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는, 추가로,

(6) 상기 제1 투명 전극 패턴 및 상기 제2 전극 패턴 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되는, 상기 제1 투명 전극 패턴 및 상기 제2 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 가지고 있어도 된다.

여기에서, 상기 (4) 제2 전극 패턴이 투명 전극 패턴이 아니고, 상기 (6) 다른 도전성 요소를 갖지 않는 경우에는, 상기 (3) 제1 투명 전극 패턴이, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴에 상당한다.

상기 (4) 제2 전극 패턴이 투명 전극 패턴이고, 상기 (6) 다른 도전성 요소를 갖지 않는 경우에는, 상기 (3) 제1 투명 전극 패턴 및 상기 (4) 제2 전극 패턴 중 적어도 하나가, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴에 상당한다.

상기 (4) 제2 전극 패턴이 투명 전극 패턴이 아니고, 상기 (6) 다른 도전성 요소를 가지는 경우에는, 상기 (3) 제1 투명 전극 패턴 및 상기 (6) 다른 도전성 요소 중 적어도 하나가, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴에 상당한다.

상기 (4) 제2 전극 패턴이 투명 전극 패턴이고, 상기 (6) 다른 도전성 요소를 가지는 경우에는, 상기 (3) 제1 투명 전극 패턴, 상기 (4) 제2 전극 패턴 및 상기 (6) 다른 도전성 요소 중 적어도 하나가, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴에 상당한다.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는, (2) 투명막을, 상기 (3) 제1 투명 전극 패턴과 상기 전면판의 사이, 상기 (4) 제2 전극 패턴과 상기 전면판의 사이, 또는, 상기 (6) 다른 도전성 요소와 상기 전면판의 사이에 더욱 가지는 것이 바람직하다. 여기에서, 상기 (2) 투명막이, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의, 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막에 상당하는 것이, 투명 전극 패턴의 시인성을 보다 개선하는 관점에서 바람직하다.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는, 추가로 필요에 따라 (1) 마스크층 및/또는 가식층(加飾層)을 가지는 것이 바람직하다. 상기 마스크층은, 손가락 또는 터치펜 등으로 접촉하는 영역의 주위에 흑색의 액자 부분으로서, 투명 전극 패턴의 인회 배선을 접촉측으로부터 시인할 수 없도록 하거나, 가식을 하거나 하기 위해서도 마련된다. 상기 가식층은, 가식을 위하여 마련되며, 예를 들면 백색의 가식층을 마련하는 것이 바람직하다.

상기 (1) 마스크층 및/또는 가식층은, 상기 (2) 투명막과 상기 전면판의 사이, 상기 (3) 제1 투명 전극 패턴과 상기 전면판의 사이, 상기 (4) 제2 투명 전극 패턴과 상기 전면판의 사이, 또는, 상기 (6) 다른 도전성 요소와 상기 전면판의 사이에 가지는 것이 바람직하다. 상기 (1) 마스크층 및/또는 가식층은, 상기 전면판에 인접하여 마련되는 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치는, 이러한 다양한 부재를 포함하는 경우이더라도, 투명 전극 패턴에 인접하여 배치된 상기 제2 경화성 투명 수지층과, 상기 제2 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치된 상기 제1 경화성 투명 수지층을 포함함으로써, 투명 전극 패턴을 눈에 띄지 않도록 할 수 있어, 투명 전극 패턴의 시인성의 문제를 개선할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 상기 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막과 상기 제2 경화성 투명 수지층을 이용하여, 투명 전극 패턴을 사이에 끼워 넣는 구성으로 함으로써, 보다 투명 전극 패턴의 시인성 문제를 개선할 수 있다.

＜정전 용량형 입력 장치의 구성＞

먼저, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 바람직한 구성에 대하여, 장치를 구성하는 각 부재의 제조 방법과 함께 설명한다. 도 1a는, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 바람직한 구성을 나타내는 단면도이다. 도 1a에 있어서 정전 용량형 입력 장치(10)는, 투명 기판(전면판)(1)과, 마스크층(2)과, 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막(11)과, 제1 투명 전극 패턴(3)과, 제2 투명 전극 패턴(4)과, 절연층(5)과, 도전성 요소(6)와, 제2 경화성 투명 수지층(12)과, 제1 경화성 투명 수지층(7)으로 구성되어 있는 양태가 나타나 있다.

또, 후술하는 도 3에 있어서의 X-X' 단면을 나타낸 도 1b도 마찬가지로, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 바람직한 구성을 나타내는 단면도이다. 도 1b에 있어서 정전 용량형 입력 장치(10)는, 투명 기판(전면판)(1)과, 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막(11)과, 제1 투명 전극 패턴(3)과, 제2 투명 전극 패턴(4)과, 제2 경화성 투명 수지층(12)과, 제1 경화성 투명 수지층(7)으로 구성되어 있는 양태가 나타나 있다.

투명 기판(전면판)(1)은, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴의 재료로서 든 재료를 이용할 수 있다. 또, 도 1a에 있어서, 전면판(1)의 각 요소가 마련되어 있는 측을 비접촉면측이라고 칭한다. 본 발명의 정전 용량형 입력 장치(10)에 있어서는, 전면판(1)의 접촉면(비접촉면의 반대의 면)에 손가락 등을 접촉시키거나 하여 입력이 행해진다.

또, 전면판(1)의 비접촉면 상에는 마스크층(2)이 마련되어 있다. 마스크층(2)은, 터치패널 전면판의 비접촉면측에 형성된 표시 영역 주위의 액자 형상의 패턴이며, 인회 배선 등이 보이지 않도록 하기 위하여 형성된다.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치(10)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 전면판(1)의 일부 영역(도 2에 있어서는 입력면 이외의 영역)을 덮도록 마스크층(2)이 마련되어 있다. 전면판(1)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 일부에 개구부(8)를 더욱 마련할 수 있다. 개구부(8)에는, 압압식의 기계적인 스위치를 설치할 수 있다.

전면판(1)의 접촉면에는, 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통하여 제1 방향으로 뻗어 형성된 복수의 제1 투명 전극 패턴(3)과, 제1 투명 전극 패턴(3)과 전기적으로 절연되어, 제1 방향과 교차하는 방향으로 뻗어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제2 투명 전극 패턴(4)과, 제1 투명 전극 패턴(3)과 제2 투명 전극 패턴(4)을 전기적으로 절연하는 절연층(5)이 형성되어 있다. 상기 제1 투명 전극 패턴(3)과, 제2 투명 전극 패턴(4)과, 후술하는 도전성 요소(6)는, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴의 재료로서 든 것을 이용할 수 있으며, ITO막인 것이 바람직하다.

또, 제1 투명 전극 패턴(3) 및 제2 투명 전극 패턴(4) 중 적어도 한쪽은, 전면판(1)의 비접촉면 및 마스크층(2)의 전면판(1)과는 반대측의 면의 양방의 영역에 걸쳐 설치할 수 있다. 도 1a에 있어서는, 제2 투명 전극 패턴이, 전면판(1)의 비접촉면 및 마스크층(2)의 전면판(1)과는 반대측의 면의 양방의 영역에 걸쳐 설치되어 있는 도면이 나타나 있다. 이와 같이, 일정한 두께가 필요한 마스크층과 전면판 이면에 걸쳐 감광성 필름을 래미네이팅하는 경우에도, 후술하는 특정의 층 구성을 가지는 감광성 필름을 이용함으로써 진공 래미네이터 등의 고가의 설비를 이용하지 않아도, 간단한 공정으로 마스크 부분 경계에 기포의 발생이 없는 래미네이팅이 가능해진다.

도 3을 이용하여 제1 투명 전극 패턴(3) 및 제2 투명 전극 패턴(4)에 대하여 설명한다. 도 3은, 본 발명에 있어서의 제1 투명 전극 패턴 및 제2 투명 전극 패턴의 일례를 나타내는 설명도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 제1 투명 전극 패턴(3)은, 패드 부분(3a)이 접속 부분(3b)을 통하여 제1 방향으로 뻗어 형성되어 있다. 또, 제2 투명 전극 패턴(4)은, 제1 투명 전극 패턴(3)과 절연층(5)에 의하여 전기적으로 절연되어 있으며, 제1 방향과 교차하는 방향(도 3에 있어서의 제2 방향)으로 뻗어 형성된 복수의 패드 부분에 의하여 구성되어 있다. 여기에서, 제1 투명 전극 패턴(3)을 형성하는 경우, 상기 패드 부분(3a)과 접속 부분(3b)을 일체로서 제작해도 되고, 접속 부분(3b)만을 제작하여, 패드 부분(3a)과 제2 투명 전극 패턴(4)을 일체로서 제작(패터닝)해도 된다. 패드 부분(3a)과 제2 투명 전극 패턴(4)을 일체로서 제작(패터닝)하는 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이 접속 부분(3b)의 일부와 패드 부분(3a)의 일부가 연결되고, 또한, 절연층(5)에 의하여 제1 투명 전극 패턴(3)과 제2 투명 전극 패턴(4)이 전기적으로 절연되도록 각 층이 형성된다.

또, 도 3에 있어서의 제1 투명 전극 패턴(3)이나 제2 투명 전극 패턴(4)이나 후술하는 도전성 요소(6)가 형성되어 있지 않은 영역이, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 비패턴 영역(22)에 상당한다.

도 1a에 있어서, 마스크층(2)의 전면판(1)과는 반대측의 면측에는 도전성 요소(6)가 설치되어 있다. 도전성 요소(6)는, 제1 투명 전극 패턴(3) 및 제2 투명 전극 패턴(4) 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되며, 또한, 제1 투명 전극 패턴(3) 및 제2 투명 전극 패턴(4)과는 다른 요소이다. 도 1a에 있어서는, 도전성 요소(6)가 제2 투명 전극 패턴(4)에 접속되어 있는 도면이 나타나 있다.

또, 도 1a에 있어서는, 각 구성요소의 전부를 덮도록 제1 경화성 투명 수지층(7)이 설치되어 있다. 제1 경화성 투명 수지층(7)은, 각 구성요소의 일부만을 덮도록 구성되어 있어도 된다. 절연층(5)과 제1 경화성 투명 수지층(7)은, 동일 재료여도 되고, 상이한 재료여도 된다. 절연층(5)을 구성하는 재료로서는, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 제1 또는 제2 경화성 투명 수지층의 재료로서 든 것을 바람직하게 이용할 수 있다.

＜정전 용량형 입력 장치의 제조 방법＞

본 발명의 정전 용량형 입력 장치를 제조하는 과정에서 형성되는 양태예로서, 도 4~8의 양태를 들 수 있다. 도 4는, 개구부(8)가 형성된 강화 처리 유리(11)의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 5는, 마스크층(2)이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 6은, 제1 투명 전극 패턴(3)이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 7은, 제1 투명 전극 패턴(3)과 제2 투명 전극 패턴(4)이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 8은, 제1 및 제2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소(6)가 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 이들은, 이하의 설명을 구체화한 예를 나타내는 것이며, 본 발명의 범위가 이들 도면에 의하여 한정적으로 해석되는 일은 없다.

정전 용량형 입력 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제2 경화성 투명 수지층(12) 및 상기 제1 경화성 투명 수지층(7)을 형성하는 경우, 본 발명의 전사 필름을 이용하여, 각 요소가 임의로 형성된 상기 전면판(1)의 표면에 상기 제2 경화성 투명 수지층 및 상기 제1 경화성 투명 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다.

정전 용량형 입력 장치의 제조 방법에 있어서는, 마스크층(2)과, 제1 투명 전극 패턴(3)과, 제2 투명 전극 패턴(4)과, 절연층(5)과, 도전성 요소(6) 중 적어도 하나의 요소가, 가지지체와 광경화성 수지층을 이 순서대로 가지는 상기 감광성 필름을 이용하여 형성되는 것이 바람직하다.

본 발명의 전사 필름이나 상기 감광성 필름을 이용하여 상기 각 요소를 형성하면, 개구부를 가지는 기판(전면판)이어도 개구 부분으로부터 레지스트 성분의 누출이 없고, 특히 전면판의 경계선 바로 위까지 차광 패턴을 형성할 필요가 있는 마스크층에 있어서, 유리단으로부터의 레지스트 성분의 돌출(누출)이 없기 때문에 전면판의 이측을 오염시키지 않고, 간략한 공정으로, 박층화 및 경량화된 터치패널을 제조할 수 있다.

상기 마스크층, 절연층, 도전성 광경화성 수지층을 이용한 경우의 제1 투명 전극 패턴, 제2 투명 전극 패턴 및 도전성 요소 등의 영구재를, 상기 감광성 필름을 이용하여 형성하는 경우, 감광성 필름은, 기재에 래미네이팅된 후, 필요에 따라 패턴 모양으로 노광되어, 네거티브형 재료인 경우에는 비노광 부분, 포지티브형 재료인 경우에는 노광 부분을 현상 처리하여 제거함으로써 패턴을 얻을 수 있다. 현상은 열가소성 수지층과, 광경화성 수지층을 별개의 액으로 현상 제거해도 되고, 동일한 액으로 제거해도 된다. 필요에 따라, 브러시나 고압 제트 등의 공지의 현상 설비를 조합해도 된다. 현상 후, 필요에 따라, 포스트 노광, 포스트 베이크를 행해도 된다.

(감광성 필름)

본 발명의 정전 용량형 입력 장치를 제조할 때에 바람직하게 이용되는, 본 발명의 전사 필름 이외의 상기 감광성 필름에 대하여 설명한다. 상기 감광성 필름은, 가지지체와 광경화성 수지층을 가지고, 가지지체와 광경화성 수지층과의 사이에 열가소성 수지층을 가지는 것이 바람직하다. 상기 열가소성 수지층을 가지는 감광성 필름을 이용하여, 마스크층 등을 형성하면, 광경화성 수지층을 전사하여 형성한 요소에 기포가 발생하기 어렵게 되어, 화상 표시 장치에 화상 불균일 등이 발생하기 어렵게 되어, 뛰어난 표시 특성을 얻을 수 있다.

상기 감광성 필름은, 네거티브형 재료여도 포지티브형 재료여도 된다.

-광경화성 수지층 이외의 층, 제작 방법-

상기 감광성 필름에 있어서의 상기 가지지체, 상기 열가소성 수지층으로서는, 본 발명의 전사 필름에 이용되는 것과 동일한 열가소성 수지층을 이용할 수 있다. 또, 상기 감광성 필름의 제작 방법으로서도, 본 발명의 전사 필름의 제작 방법과 동일한 방법을 이용할 수 있다.

-광경화성 수지층-

상기 감광성 필름은, 그 용도에 따라 광경화성 수지층에 첨가물을 참가한다. 즉, 마스크층의 형성에 상기 감광성 필름을 이용하는 경우에는, 광경화성 수지층에 착색제를 함유시킨다. 또, 상기 감광성 필름이 도전성 광경화성 수지층을 가지는 경우에는, 상기 광경화성 수지층에 도전성 섬유 등이 함유된다.

상기 감광성 필름이 네거티브형 재료인 경우, 광경화성 수지층에는, 알칼리 가용성 수지, 중합성 화합물, 중합 개시제 또는 중합 개시계를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 도전성 섬유, 착색제, 기타 첨가제, 등이 이용되지만 이에 한정되지 않는다.

--알칼리 가용성 수지, 중합성 화합물, 상기 중합 개시제 또는 중합 개시계--

상기 감광성 필름에 포함되는 알칼리 가용성 수지, 중합성 화합물, 상기 중합 개시제 또는 중합 개시계로서는, 본 발명의 전사 필름에 이용되는 것과 동일한 알칼리 가용성 수지, 중합성 화합물, 중합 개시제 또는 중합 개시계를 이용할 수 있다.

--도전성 섬유(도전성 광경화성 수지층으로서 이용하는 경우)--

상기 도전성 광경화성 수지층을 적층한 상기 감광성 필름을 투명 전극 패턴, 혹은 다른 도전성 요소의 형성에 이용하는 경우에는, 이하의 도전성 섬유 등을 광경화성 수지층에 이용할 수 있다.

도전성 섬유의 구조로서는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 중실 구조 및 중공 구조 중 어느 하나가 바람직하다.

여기에서, 중실 구조의 섬유를 “와이어”라고 하는 경우가 있고, 중공 구조의 섬유를 “튜브”라고 하는 경우가 있다. 또, 평균 단축 길이가 1nm~1,000nm이고, 평균 장축 길이가 1㎛~100㎛인 도전성 섬유를 “나노 와이어”라고 하는 경우가 있다.

또, 평균 단축 길이가 1nm~1,000nm, 평균 장축 길이가 0.1㎛~1,000㎛며, 중공 구조를 가지는 도전성 섬유를 “나노 튜브”라고 하는 경우가 있다.

상기 도전성 섬유의 재료로서는, 도전성을 가지고 있으면, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 금속 및 카본 중 적어도 어느 하나가 바람직하고, 이들 중에서도, 상기 도전성 섬유는, 금속 나노 와이어, 금속 나노 튜브, 및 카본 나노 튜브 중 적어도 어느 하나가 특히 바람직하다.

상기 금속 나노 와이어의 재료로서는, 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 장주기율표(IUPAC1991)의 제4 주기, 제5 주기, 및 제6 주기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속이 바람직하고, 제2 족~제14 족으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속이 보다 바람직하며, 제2 족, 제8 족, 제9 족, 제10 족, 제11 족, 제12 족, 제13 족, 및 제14 족으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속이 더욱 바람직하고, 주성분으로서 포함하는 것이 특히 바람직하다.

상기 금속으로서는, 예를 들면, 구리, 은, 금, 백금, 팔라듐, 니켈, 주석, 코발트, 로듐, 이리듐, 철, 루테늄, 오스뮴, 망가니즈, 몰리브데넘, 텅스텐, 나이오븀, 탄탈럼, 타이타늄, 비스무트, 안티모니, 납, 이들의 합금 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 도전성이 뛰어난 점에서, 은을 주로 함유하는 것, 또는 은과 은 이외의 금속과의 합금을 함유하는 것이 바람직하다.

상기 은을 주로 함유한다는 것은, 금속 나노 와이어 중에 은을 50질량% 이상, 바람직하게는 90질량% 이상 함유하는 것을 의미한다.

상기 은과의 합금으로 사용하는 금속으로서는, 백금, 오스뮴, 팔라듐 및 이리듐 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

상기 금속 나노 와이어의 형상으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 원기둥 형상, 직육면체 형상, 단면이 다각형인 기둥 형상 등 임의의 형상을 취할 수 있지만, 높은 투명성을 필요로 하는 용도에서는, 원기둥 형상, 단면의 다각형의 모서리가 둥글게 되어 있는 단면 형상이 바람직하다.

상기 금속 나노 와이어의 단면 형상은, 기재 상에 금속 나노 와이어 수분산액을 도포하여, 단면을 투과형 전자현미경(TEM)으로 관찰함으로써 조사할 수 있다.

상기 금속 나노 와이어의 단면의 모서리란, 단면의 각 변을 연장하여, 인접하는 변으로부터 내려진 수선과 교차하는 점의 주변부를 의미한다. 또, “단면의 각 변”이란 이들 인접하는 모서리와 모서리를 연결한 직선으로 한다. 이 경우, 상기 “단면의 각 변”의 합계 길이에 대한 상기 “단면의 외주 길이”의 비율을 예리도라고 했다. 예리도는, 예를 들면 도 9에 나타낸 금속 나노 와이어 단면에서는, 실선으로 나타낸 단면의 외주 길이와 점선으로 나타낸 5각형의 외주 길이의 비율로 나타낼 수 있다. 이 예리도가 75% 이하인 단면 형상을 모서리가 둥근 단면 형상이라고 정의한다. 상기 예리도는 60% 이하가 바람직하고, 50% 이하가 보다 바람직하다. 상기 예리도가 75%를 초과하면, 그 모서리에 전자가 국재하여, 플라즈몬 흡수가 증가하기 때문인지, 황색이 남거나 하여 투명성이 악화되는 경우가 있다. 또, 패턴의 에지부의 직선성이 저하되어, 불균일이 발생하는 경우가 있다. 상기 예리도의 하한은, 30%가 바람직하고, 40%가 보다 바람직하다.

상기 금속 나노 와이어의 평균 단축 길이(“평균 단축 지름”, “평균 직경”이라고 하는 경우가 있음)로서는, 150nm 이하가 바람직하고, 1nm~40nm가 보다 바람직하며, 10nm~40nm가 더욱 바람직하고, 15nm~35nm가 특히 바람직하다.

상기 평균 단축 길이가, 1nm 미만이면, 내산화성이 악화되어, 내구성이 나빠지는 경우가 있고, 150nm를 초과하면, 금속 나노 와이어에 기인한 산란이 발생하여, 충분한 투명성을 얻을 수 없는 경우가 있다.

상기 금속 나노 와이어의 평균 단축 길이는, 투과형 전자현미경(TEM；니혼 덴시 가부시키가이샤(JEOL Ltd.)제, JEM-2000FX)을 이용하여, 300개의 금속 나노 와이어를 관찰하고, 그 평균값로부터 금속 나노 와이어의 평균 단축 길이를 구했다. 다만, 상기 금속 나노 와이어의 단축이 원형이 아닌 경우의 단축 길이는, 가장 긴 것을 단축 길이로 했다.

상기 금속 나노 와이어의 평균 장축 길이(“평균 길이”라고 하는 경우가 있음)로서는, 1㎛~40㎛가 바람직하고, 3㎛~35㎛가 보다 바람직하며, 5㎛~30㎛가 더욱 바람직하다.

상기 평균 장축 길이가, 1㎛ 미만이면, 조밀한 네트워크를 형성하는 것이 어려워, 충분한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있고, 40㎛를 초과하면, 금속 나노 와이어가 너무 길어 제조 시에 얽혀, 제조 과정에서 응집물이 발생하는 경우가 있다.

상기 금속 나노 와이어의 평균 장축 길이는, 예를 들면 투과형 전자현미경(TEM；니혼 덴시 가부시키가이샤제, JEM-2000FX)을 이용하여, 300개의 금속 나노 와이어를 관찰하고, 그 평균값로부터 금속 나노 와이어의 평균 장축 길이를 구했다. 다만, 상기 금속 나노 와이어가 구부러져 있는 경우, 그것을 호로 하는 원을 고려하여, 그 반경 및 곡률로부터 산출되는 값을 장축 길이로 했다.

도전성 광경화성 수지층의 층 두께는, 도포액의 안정성이나 도포 시의 건조나 패터닝 시의 현상시간 등의 프로세스 적성의 관점에서, 0.1~20㎛가 바람직하고, 0.5~18㎛가 더욱 바람직하며, 1~15㎛가 특히 바람직하다. 상기 도전성 광경화성 수지층의 전체 고형분에 대한 상기 도전성 섬유의 함유량은, 도전성과 도포액의 안정성의 관점에서, 0.01~50질량%가 바람직하고, 0.05~30질량%가 더욱 바람직하며, 0.1~20질량%가 특히 바람직하다.

--착색제(마스크층으로서 이용하는 경우)--

또, 상기 감광성 필름을 마스크층으로서 이용하는 경우에는, 광경화성 수지층에 착색제를 이용할 수 있다. 본 발명에 이용하는 착색제로서는, 공지의 착색제(유기 안료, 무기 안료, 염료 등)를 적합하게 이용할 수 있다. 다만, 본 발명에 있어서는, 흑색 착색제 외에, 적색, 청색, 녹색 등의 안료의 혼합물 등을 이용할 수 있다.

상기 광경화성 수지층을 흑색의 마스크층으로서 이용하는 경우에는, 광학 농도의 관점에서, 흑색 착색제를 포함하는 것이 바람직하다. 흑색 착색제로서는, 예를 들면, 카본 블랙, 타이타늄 카본, 산화 철, 산화 타이타늄, 흑연 등을 들 수 있고, 그 중에서도 카본 블랙이 바람직하다.

상기 광경화성 수지층을 백색의 마스크층으로서 이용하는 경우에는, 일본 공개특허공보 2005-7765의 단락 0015나 0114에 기재된 화이트 안료를 이용할 수 있다. 그 외의 색의 마스크층으로서 이용하기 위해서는, 일본 특허공보 제4546276호의 단락 0183~0185 등에 기재된 안료, 혹은 염료를 혼합하여 이용해도 된다. 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2005-17716호의 단락 0038~0054에 기재된 안료 및 염료, 일본 공개특허공보 2004-361447호의 단락 0068~0072에 기재된 안료, 일본 공개특허공보 2005-17521호의 단락 0080~0088에 기재된 착색제 등을 적합하게 이용할 수 있다.

상기 착색제(바람직하게는 안료, 보다 바람직하게는 카본 블랙)는, 분산액으로서 사용하는 것이 요망된다. 이 분산액은, 상기 착색제와 안료 분산제를 미리 혼합하여 얻어지는 조성물을, 후술하는 유기 용매(또는 비이클)에 첨가하여 분산시킴으로써 조제할 수 있다. 상기 비이클이란, 도료가 액체 상태에 있을 때에 안료를 분산시키고 있는 매질의 부분을 말하며, 액상으로서 상기 안료와 결합하여 도막을 형성하는 성분(바인더)과, 이를 용해 희석하는 성분(유기 용매)을 포함한다.

상기 안료를 분산시킬 때에 사용하는 분산기로서는, 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 아사쿠라 구니조(Asakura Kunizo)저, “안료의 사전”, 제1 판, 아사쿠라 쇼텐(Asakura Publishing Co., Ltd.), 2000년, 438페이지에 기재되어 있는 니더, 롤밀, 아트리터, 수퍼밀, 디졸버, 호모믹서, 샌드밀 등의 공지의 분산기를 들 수 있다. 또한 그 문헌 310페이지에 기재된 기계적 마쇄에 의하여, 마찰력을 이용하여 미분쇄해도 된다.

상기 착색제는, 분산 안정성의 관점에서, 수평균 입경이 0.001㎛~0.1㎛인 착색제가 바람직하고, 0.01㎛~0.08㎛인 착색제가 더욱 바람직하다. 다만, 여기서 말하는 “입경”이란 입자의 전자현미경 사진 화상을 동일 면적의 원으로 했을 때의 직경을 말하며, 또 “수평균 입경”이란 다수의 입자에 대하여 상기의 입경을 구하고, 이 중, 임의로 선택하는 100개의 입경의 평균값을 말한다.

착색제를 포함하는 광경화성 수지층의 층 두께는, 다른 층과의 두께차의 관점에서, 0.5~10㎛가 바람직하고, 0.8~5㎛가 더욱 바람직하며, 1~3㎛가 특히 바람직하다. 상기 착색 감광성 수지 조성물의 고형분 중의 착색제의 함유율로서는, 특별히 제한은 없지만, 충분히 현상시간을 단축하는 관점에서, 15~70질량%인 것이 바람직하고, 20~60질량%인 것이 보다 바람직하며, 25~50질량%인 것이 더욱 바람직하다.

본 명세서에서 말하는 전체 고형분이란 착색 감광성 수지 조성물로부터 용제 등을 제외한 불휘발 성분의 총질량을 의미한다.

다만, 상기 감광성 필름을 이용하여 절연층을 형성하는 경우, 광경화성 수지층의 층 두께는, 절연성 유지의 관점에서, 0.1~5㎛가 바람직하고, 0.3~3㎛가 더욱 바람직하며, 0.5~2㎛가 특히 바람직하다.

--기타 첨가제--

또한, 상기 광경화성 수지층은, 기타 첨가제를 이용해도 된다. 상기 첨가제로서는, 본 발명의 전사 필름에 이용되는 것과 동일한 첨가제를 이용할 수 있다.

또, 상기 감광성 필름을 도포에 의하여 제조할 때의 용제로서는, 본 발명의 전사 필름에 이용되는 것과 동일한 용제를 이용할 수 있다.

이상, 상기 감광성 필름이 네거티브형 재료인 경우를 중심으로 설명했지만, 상기 감광성 필름은, 포지티브형 재료여도 된다. 상기 감광성 필름이 포지티브형 재료인 경우, 광경화성 수지층에, 예를 들면 일본 공개특허공보 2005-221726호에 기재된 재료 등이 이용되지만, 이에 한정되지 않는다.

(감광성 필름에 의한 마스크층, 절연층의 형성)

상기 마스크층(2), 절연층(5)은, 상기 감광성 필름을 이용하여 광경화성 수지층을 전면판(1) 등에 전사함으로써 형성할 수 있다. 예를 들면, 흑색의 마스크층(2)을 형성하는 경우에는, 상기 광경화성 수지층으로서 흑색 광경화성 수지층을 가지는 상기 감광성 필름을 이용하여, 상기 전면판(1)의 표면에 상기 흑색 광경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다. 절연층(5)을 형성하는 경우에는, 상기 광경화성 수지층으로서 절연성의 광경화성 수지층을 가지는 상기 감광성 필름을 이용하여, 제1 투명 전극 패턴이 형성된 상기 전면판(1)의 표면에 상기 광경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다.

또한, 차광성이 필요한 마스크층(2)의 형성에, 광경화성 수지층과 가지지체와의 사이에 열가소성 수지층을 가지는 특정의 층 구성을 가지는 상기 감광성 필름을 이용함으로써 감광성 필름 래미네이팅 시의 기포 발생을 방지하여, 광 누출이 없는 고품위의 마스크층(2) 등을 형성할 수 있다.

(감광성 필름에 의한 제1 및 제2 투명 전극 패턴, 다른 도전성 요소의 형성)

상기 제1 투명 전극 패턴(3), 제2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전성 요소(6)는, 에칭 처리 또는 도전성 광경화성 수지층을 가지는 상기 감광성 필름을 이용하여, 혹은 감광성 필름을 리프트 오프재로서 사용하여 형성할 수 있다.

-에칭 처리-

에칭 처리에 의하여, 상기 제1 투명 전극 패턴(3), 제2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전성 요소(6)를 형성하는 경우, 먼저 마스크층(2) 등이 형성된 전면판(1)의 비접촉면 상에 ITO 등의 투명 전극층을 스퍼터링에 의하여 형성한다. 이어서, 상기 투명 전극층 상에 상기 광경화성 수지층으로서 에칭용 광경화성 수지층을 가지는 상기 감광성 필름을 이용하여 노광·현상에 의하여 에칭 패턴을 형성한다. 그 후, 투명 전극층을 에칭하여 투명 전극을 패터닝하고, 에칭 패턴을 제거함으로써, 제1 투명 전극 패턴(3) 등을 형성할 수 있다.

상기 감광성 필름을 에칭 레지스트(에칭 패턴)로서 이용하는 경우에도, 상기 방법과 동일하게 하여, 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 상기 에칭은, 일본 공개특허공보 2010-152155의 단락 0048~0054 등에 기재된 공지의 방법으로 에칭, 레지스트 박리를 적용할 수 있다.

예를 들면, 에칭의 방법으로서는, 일반적으로 행해지고 있는, 에칭액에 침지하는 웨트 에칭법을 들 수 있다. 웨트 에칭에 이용되는 에칭액은, 에칭의 대상에 맞추어 산성 타입 또는 알칼리성 타입의 에칭액을 적절히 선택하면 된다. 산성 타입의 에칭액으로서는, 염산, 황산, 불산, 인산 등의 산성 성분 단독의 수용액, 산성 성분과 염화 제2 철, 불화 암모늄, 과망간산 칼륨 등의 염의 혼합 수용액 등이 예시된다. 산성 성분은, 복수의 산성 성분을 조합한 것을 사용해도 된다. 또, 알칼리성 타입의 에칭액으로서는, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 암모니아, 유기 아민, 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드와 같은 유기 아민의 염 등의 알칼리 성분 단독의 수용액, 알칼리 성분과 과망간산 칼륨 등의 염의 혼합 수용액 등이 예시된다. 알칼리 성분은, 복수의 알칼리 성분을 조합한 것을 사용해도 된다.

에칭액의 온도는 특별히 한정되지 않지만, 45℃ 이하인 것이 바람직하다. 본 발명에서 에칭 마스크(에칭 패턴)로서 사용되는 수지 패턴은, 상술한 광경화성 수지층을 사용하여 형성됨으로써, 이러한 온도역에 있어서의 산성 및 알칼리성의 에칭액에 대하여 특히 뛰어난 내성을 발휘한다. 따라서, 에칭 공정 중에 수지 패턴이 박리되는 것이 방지되어, 수지 패턴이 존재하지 않는 부분이 선택적으로 에칭되게 된다.

상기 에칭 후, 라인 오염을 방지하기 위하여 필요에 따라, 세정 공정·건조 공정을 행해도 된다. 세정 공정에 대해서는, 예를 들면 상온에서 순수에 의하여 10~300초간 기재를 세정하여 행하고, 건조 공정에 대해서는, 에어 블로를 사용하여, 에어 블로압(0.1~5kg/cm² 정도)을 적절히 조정하여 행하면 된다.

이어서, 수지 패턴의 박리 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 30~80℃, 바람직하게는 50~80℃에서 교반 중인 박리액에 기재를 5~30분간 침지하는 방법을 들 수 있다. 본 발명에서 에칭 마스크로서 사용되는 수지 패턴은, 상술과 같이 45℃ 이하에 있어서 뛰어난 약액 내성을 나타내는 것이지만, 약액 온도가 50℃ 이상이 되면 알칼리성의 박리액에 의하여 팽윤하는 성질을 나타낸다. 이러한 성질에 의하여, 50~80℃의 박리액을 사용하여 박리 공정을 행하면 공정 시간이 단축되어, 수지 패턴의 박리 잔사가 적어진다는 이점이 있다. 즉, 상기 에칭 공정과 박리 공정간에 약액 온도에 차를 마련함으로써, 본 발명에서 에칭 마스크로서 사용되는 수지 패턴은, 에칭 공정에 있어서 양호한 약액 내성을 발휘하는 한편, 박리 공정에 있어서 양호한 박리성을 나타내게 되어, 약액 내성과 박리성이라는, 상반되는 특성을 양방 모두 만족시킬 수 있다.

박리액으로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 등의 무기 알칼리 성분이나, 제3 급 아민, 제4 급 암모늄염 등의 유기 알칼리 성분을, 물, 다이메틸설폭사이드, N-메틸피롤리돈, 또는 이들의 혼합 용액에 용해시킨 박리액을 들 수 있다. 상기의 박리액을 사용하여, 스프레이법, 샤워법, 퍼들법 등에 의하여 박리해도 된다.

-도전성 광경화성 수지층을 가지는 감광성 필름-

도전성 광경화성 수지층을 가지는 상기 감광성 필름을 이용하여, 상기 제1 투명 전극 패턴(3), 제2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전성 요소(6)를 형성하는 경우, 상기 전면판(1)의 표면에 상기 도전성 광경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다.

상기 제1 투명 전극 패턴(3) 등을, 상기 도전성 광경화성 수지층을 가지는 감광성 필름을 이용하여 형성하면, 개구부를 가지는 기판(전면판)이어도 개구 부분으로부터 레지스트 성분의 누출이 없어, 기판의 이측을 오염시키지 않고, 간략한 공정으로, 박층/경량화의 메리트가 있는 터치패널의 제조가 가능해진다.

또한, 제1 투명 전극 패턴(3) 등의 형성에, 도전성 광경화성 수지층과 가지지체와의 사이에 열가소성 수지층을 가지는 특정의 층 구성을 가지는 상기 감광성 필름을 이용함으로써 감광성 필름 래미네이팅 시의 기포 발생을 방지하여, 도전성이 뛰어나고 저항이 적은 제1 투명 전극 패턴(3), 제2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전성 요소(6)를 형성할 수 있다.

-감광성 필름의 리프트 오프재로서의 사용-

또, 상기 감광성 필름을 리프트 오프재로서 사용하여, 제1 투명 전극층, 제2 투명 전극층 및 기타 도전성 부재를 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 감광성 필름을 이용하여 패터닝한 후에, 기재 전체면에 투명 도전체층을 형성한 후, 퇴적한 투명 도전체층마다 상기 광경화성 수지층의 용해 제거를 행함으로써 원하는 투명 도전체층 패턴을 얻을 수 있다(리프트 오프법).

[화상 표시 장치]

본 발명의 화상 표시 장치는, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 정전 용량형 입력 장치, 및 당해 정전 용량형 입력 장치를 구성요소로서 구비한 화상 표시 장치는, “최신 터치패널 기술”(2009년 7월 6일 발행 가부시키가이샤 테크노 타임즈(Techno Times Co.,Ltd.)), 미타니 유지(Mitani Yuji) 감수, “터치패널의 기술과 개발”, 시엠시 슛판(CMC Publishing CO.,LTD.)(2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 강연 텍스트북, Cypress Semiconductor Corporation 어플리케이션 노트 AN2292 등에 개시되어 있는 구성을 적용할 수 있다.

실시예

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 적절히, 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되지 않는다. 다만, 특별히 제한이 없는 한, “부”, “%”는 질량 기준이다.

[실시예 1~13, 비교예 1 및 2]

〔전사 필름의 제작〕

＜열가소성 수지층 및 중간층의 형성＞

두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(가지지체) 상에, 슬릿 형상 노즐을 이용하여, 하기 처방 H1로 이루어지는 열가소성 수지층용 도포액을 도포하고, 건조시켜 열가소성 수지층을 형성했다. 다음으로, 열가소성 수지층 상에, 하기 처방 P1로 이루어지는 중간층용 도포액을 도포하고, 건조시켜 중간층을 형성했다.

(열가소성 수지층용 도포액: 처방 H1)

·메탄올 : 11.1질량부

·프로필렌글리콜모노메틸에터아세테이트 : 6.36질량부

·메틸에틸케톤 : 52.4질량부

·메틸메타크릴레이트/2-에틸헥실아크릴레이트/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체(공중합 조성비(몰비)=55/11.7/4.5/28.8, 중량 평균 분자량=10만, Tg(유리 전이 온도)≒70℃) : 5.83질량부

·스타이렌/아크릴산 공중합체(공중합 조성비(몰비)=63/37, 중량 평균 분자량=1만, Tg≒100℃) : 13.6질량부

·모노머-1(상품명: BPE-500, 신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤(Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)제) : 9.1질량부

·플루오린계 폴리머 : 0.54질량부

상기 플루오린계 폴리머는, C₆F₁₃CH₂CH₂OCOCH=CH₂ 40부와 H(OCH(CH₃) CH₂)₇OCOCH=CH₂ 55부와 H(OCHCH₂)₇OCOCH=CH₂ 5부의 공중합체이며, 중량 평균 분자량 3만, 메틸에틸케톤 30질량% 용액이다(상품명: 메가팍(Megafac) F780F, 다이닛폰 잉키 가가쿠 고교 가부시키가이샤(Dainippon Ink and Chemicals, Inc.)제).

(중간층용 도포액: 처방 P1)

·폴리바이닐알코올 : 32.2질량부

(상품명: PVA205, 가부시키가이샤 쿠라레(Kuraray Co., Ltd.)제, 비누화도=88%, 중합도 550)

·폴리바이닐피롤리돈 : 14.9질량부

(상품명: K-30, 아이에스피 재팬 가부시키가이샤(ISP Japan Co., Ltd.)제)

·증류수 : 524질량부

·메탄올 : 429질량부

＜제1 경화성 투명 수지층＞

하기 표 1에 기재된 조성에 의하여 조제한 제1 경화성 투명 수지층용의 재료-1, 재료-2 및 재료-11을, 도포량을 변경하면서, 하기 표 2에 기재된 원하는 막두께가 되도록 조정하여 도포하고, 건조시켜, 중간층 상에 제1 경화성 투명 수지층을 형성했다.

다만, 하기 표 1 및 하기 일반식 (1) 중, “%”, “wt%”는, 모두 질량%를 나타낸다.

[표 1]

[화학식 1]

제1 경화성 투명 수지층용의 재료를 도포하고, 건조하여 제1 경화성 투명 수지층을 형성한 시점에서, 이 제1 경화성 투명 수지층을, 마이크로톰을 이용하여 표면으로부터 절편을 절삭했다. 이 절편 0.1mg에 대하여, KBr 분말 2mg을 첨가하여, 황색등 밑에서 잘 혼합하여, 후술하는 이중 결합 소비율의 측정에 있어서의 UV 미경화품의 측정 시료를 제작했다.

실시예 1~12, 비교예 1 및 2에서는, 제1 경화성 투명 수지층을 제막 후, UV 램프 조사(노광량 300mJ/cm², 메탈할라이드 램프)를 실행했다. 단, 실시예 13에서는 UV램프 조사를 실행하지 않았다.

제1 경화성 투명 수지층을 형성하여, 경화된 시점에서, 이 제1 경화성 투명 수지층을, 마이크로톰을 이용하여 표면으로부터 절편을 절삭했다. 이 절편 0.1mg에 대하여, KBr 분말 2mg을 첨가하여, 황색등 밑에서 잘 혼합하여, 후술하는 이중 결합 소비율의 측정에 있어서의 도포·건조·경화 후의 측정 시료(필름 절편)를 제작했다.

(이중 결합 소비율의 측정)

FT-IR장치(서모·니콜레·재팬(Thermo Nicolet Corp.)제, 니콜렛(nicolet) 710)를 이용하여, 400cm^-1~4000cm^-1의 파장 영역을 측정하여, C=C 결합 유래의 810cm^-1의 피크 강도를 구했다. 도포·건조만을 행한 UV 미경화품의 피크 강도(=이중 결합 잔존량) A와, 도포·건조·경화 후의 각 필름 절편의 피크 강도 B를 구했다. 각 실시예 및 비교예에서 형성한 제1 경화성 투명 수지층에 대하여 하기 식에 따라, 이중 결합 소비율을 계산했다.

식:

이중 결합 소비율=｛1-(B/A)｝×100%

《평가 기준》

G: 이중 결합 소비율이 10% 이상

NG: 이중 결합 소비율이 10% 미만

다만, 이중 결합 소비율은, 제1 층과 제2 층의 계면 혼합 정도의 지표가 된다.

＜제2 경화성 투명 수지층의 형성＞

그 후, 상기 표 1에 기재된 조성에 따라 조제한 제2 경화성 투명 수지층용의 재료-3~재료-10을, 도포량을 변경하면서, 하기 표 2에 기재된 원하는 막두께가 되도록 조정하여 도포하고, 건조시켜, 제1 경화성 투명 수지층 상에 제2 경화성 투명 수지층을 형성했다. 다만, 재료-3~재료-10에서 이용한 ZrO₂는, 굴절률이 2.2이며, 평균 입경이 약 20nm인 입자이다.

＜보호 필름의 압착＞

이와 같이 하여 가지지체 상에 건조 막두께가 15.1㎛인 열가소성 수지층과, 건조 막두께가 1.6㎛인 중간층과, 하기 표 2 중의 건조 막두께가 되는 제1 경화성 투명 수지층 및 제2 경화성 투명 수지층을 마련하고, 마지막에 보호 필름(두께 12㎛ 폴리프로필렌 필름)을 압착했다.

이렇게 하여 가지지체와 열가소성 수지층과 중간층(산소 차단막)과 제1 경화성 투명 수지층과 제2 경화성 투명 수지층과 보호 필름이 일체가 된 전사 필름을 제작했다. 얻어진 전사 필름을 각 실시예 및 비교예의 전사 필름으로 했다.

〔투명 적층체의 제작〕

상기에서 얻어진 각 실시예 및 비교예의 전사 필름을 이용하여, 이하의 방법으로 투명 적층체를 제작했다.

＜1. 투명막의 형성＞

굴절률 1.51의 유리제 투명 기판 상(유리 기판)에, 상기 표 1 중에 나타내는 재료-3을 이용한 굴절률 1.60, 막두께 80nm의 투명막을 이하의 방법으로 제막했다.

(전사 재료의 제작)

두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(가지지체) 상에, 슬릿 형상 노즐을 이용하여, 상술한 처방 H1로 이루어지는 열가소성 수지층용 도포액을 도포하고, 건조시켜 열가소성 수지층을 형성했다. 다음으로, 열가소성 수지층 상에, 상술한 처방 P1로 이루어지는 중간층용 도포액을 도포하고, 건조시켜 중간층을 형성했다. 다음으로, 상기 표 1에 기재된 조성에 따라 조제한 투명 경화성 조성물용의 재료-3을 도포하고, 건조시켜 투명 수지층을 형성했다. 이와 같이 하여 가지지체 상에 건조 막두께가 15.1㎛인 열가소성 수지층과, 건조 막두께가 1.6㎛인 중간층과, 건조 막두께가 80nm인 투명 수지층을 마련했다. 마지막으로, 투명 수지층 상에 보호 필름(두께 12㎛의 폴리프로필렌 필름)을 압착했다. 이렇게 하여 가지지체와 열가소성 수지층과 중간층(산소 차단막)과 투명 수지층과 보호 필름이 일체가 된 전사 재료를 제작했다.

(투명막의 형성)

보호 필름을 박리한 상기 전사 재료를 이용하여, 유리제 투명 기판 상에, 투명 수지층을 열가소성 수지층 및 중간층 및 PET 가지지체와 함께 전사한 후, PET 가지지체를 박리했다.

다음으로, 초고압 수은등을 가지는 프록시미티형 노광기(히타치 하이테크 덴시 엔지니어링 가부시키가이샤(Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co., Ltd.)제)를 이용하여, 열가소성 수지층측으로부터 i선, 40mJ/cm²로 전체면 노광했다. 다음으로, 트라이에탄올아민계 현상액(트라이에탄올아민 30% 함유, 상품명: T-PD2(후지필름 가부시키가이샤(Fujifilm Co., Ltd.)제)를 순수로 10배(T-PD2 1부와 순수 9부의 비율로 혼합)로 희석한 액)을 30℃에서 60초간, 플랫 노즐 압력 0.04MPa로 샤워 현상하여, 열가소성 수지와 중간층을 제거했다. 이어서, 이 유리제 투명 기판의 상면(투명 수지층측)에 에어를 블로잉하여 액 제거한 후, 순수를 샤워에 의하여 10초간 블로잉하여, 순수 샤워 세정하고, 에어를 블로잉하여 유리제 투명 기판 상의 액 저류를 감소시켰다. 다음으로, 유리제 투명 기판을 230℃ 하에서 60분간 가열 처리(포스트 베이크)하여, 유리제 투명 기판 상에 투명막이 적층된 기판을 얻었다.

＜2. 투명 전극 패턴의 형성＞

상기에서 얻어진 유리제 투명 기판 상에 투명막이 적층된 기판을, 진공 챔버 내에 도입하여, SnO₂ 함유율이 10질량%인 ITO 타겟(인듐:주석=95:5(몰비))을 이용하여, DC 마그네트론 스퍼터링(조건: 기재의 온도 250℃, 아르곤압 0.13Pa, 산소압 0.01Pa)에 의하여, 두께 40nm, 굴절률 1.82의 ITO 박막을 형성하여, 투명 전극층을 형성한 전면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 80Ω/□였다.

(에칭용 감광성 필름 E1의 제작)

두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(가지지체) 상에, 슬릿 형상 노즐을 이용하여, 상술한 처방 H1로 이루어지는 열가소성 수지층용 도포액을 도포하고, 건조시켜 열가소성 수지층을 형성했다. 다음으로, 열가소성 수지층 상에, 상술한 처방 P1로 이루어지는 중간층용 도포액을 도포하고, 건조시켜 중간층을 형성했다. 다음으로, 에칭용 광경화성 수지층용 도포액: 처방 E1을 도포하고, 건조시켜 에칭용 광경화성 수지층을 형성했다. 이와 같이 하여 가지지체 상에 건조 막두께가 15.1㎛인 열가소성 수지층과, 건조 막두께가 1.6㎛인 중간층과, 막두께 2.0㎛ 에칭용 광경화성 수지층으로 이루어지는 적층체를 얻었다. 마지막으로, 에칭용 광경화성 수지층 상에 보호 필름(두께 12㎛ 폴리프로필렌 필름)을 압착했다. 이렇게 하여 가지지체와 열가소성 수지층과 중간층(산소 차단막)과 에칭용 광경화성 수지층이 일체가 된 전사 재료를 제작했다.

(에칭용 광경화성 수지층용 도포액: 처방 E1)

·메틸메타크릴레이트/스타이렌/메타크릴산 공중합체

(공중합체 조성(질량%): 31/40/29, 중량 평균 분자량 60000,

산가 163mgKOH/g) : 16질량부

·모노머-1(상품명: BPE-500, 신나카무라 가가쿠 고교 가부시키가이샤제)

: 5.6질량부

·헥사메틸렌다이아이소사이아네이트의 테트라에틸렌옥사이드모노메타크릴레이트 0.5몰 부가물 : 7질량부

·분자 중에 중합성기를 1개 가지는 화합물로서의 사이클로헥세인다이메탄올모노아크릴레이트 : 2.8질량부

·2-클로로-N-뷰틸아크리돈 : 0.42질량부

·2,2-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐바이이미다졸

: 2.17질량부

·말라카이트그린옥살산염 : 0.02질량부

·류코크리스탈바이올렛 : 0.26질량부

·페노티아진 : 0.013질량부

·계면활성제(상품명: 메가팍 F-780F, 다이닛폰 잉키 가부시키가이샤제)

: 0.03질량부

·메틸에틸케톤 : 40질량부

·1-메톡시-2-프로판올 : 20질량부

다만, 에칭용 광경화성 수지층용 도포액: 처방 E1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 2500Pa·sec였다.

(투명 전극 패턴의 형성)

투명 전극층을 형성한 전면판을 세정하고, 보호 필름을 제거한 에칭용 감광성 필름 E1을 래미네이팅했다(기재 온도: 130℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/cm, 반송 속도 2.2m/분). 가지지체를 박리 후, 노광 마스크(투명 전극 패턴을 가지는 석영 노광 마스크)면과 그 에칭용 광경화성 수지층과의 사이의 거리를 200㎛로 설정하고, 노광량 50mJ/cm²(i선)로 패턴 노광했다.

다음으로, 트라이에탄올아민계 현상액(트라이에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(후지필름 가부시키가이샤제)를 순수로 10배로 희석한 액)을 이용하여 25℃에서 100초간 현상 처리하여, 계면활성제 함유 세정액(상품명: T-SD3(후지필름 가부시키가이샤제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 이용하여 33℃에서 20초간 세정 처리했다. 세정 처리 후의 전면판을, 회전 브러시로 문지르고, 다음으로 초고압 세정 노즐로부터, 초순수를 블로잉함으로써 잔사를 제거했다. 이어서, 130℃ 30분간의 포스트 베이크 처리를 행하여, 투명 전극층과 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.

투명 전극층과 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 전면판을, ITO 에천트(염산, 염화 칼륨 수용액. 액온 30℃)를 넣은 에칭조에 침지하여, 100초간 처리(에칭 처리)하고, 에칭용 광경화성 수지층으로 덮여 있지 않은 노출된 영역의 투명 전극층을 용해 제거하여, 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 가진 투명 전극층 패턴을 갖춘 전면판을 얻었다.

다음으로, 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 가진 투명 전극층 패턴을 갖춘 전면판을, 레지스트 박리액(N-메틸-2-피롤리돈, 모노에탄올아민, 계면활성제(상품명: 서피놀(Surfynol) 465, 에어 프로덕츠(Air Products Limited.)제), 액온 45℃)을 넣은 레지스트 박리조에 침지하여, 200초간 처리(박리 처리)하고, 에칭용 광경화성 수지층을 제거하여, 유리제 투명 기판 상에 투명막 및 투명 전극 패턴을 형성한 기판을 얻었다.

투명 전극 패턴의 단부를 Pt 코트(약 20nm 두께)에 의하여, 도전성 부여 및 표면 보호를 행한 후, FEI제 Nova200형 FIB/SEM 복합기를 이용하여, 투명 전극 패턴 단부의 형상 관찰(2차 전자상, 가속 전압 20kV)을 행했다.

형성한 ITO 패턴은, 도 10과 같은 테이퍼 형상으로 되어 있으며, 테이퍼각(α)= 약 3°였다.

＜3. 제1 경화성 투명 수지층과 제2 경화성 투명 수지층의 형성＞

상기에서 얻어진, 유리제 투명 기판 상에 투명막 및 투명 전극 패턴을 형성한 기판 상에, 각 실시예 및 비교예의 전사 필름을 이용하여, 유리제 투명 기판 상으로의 투명막의 형성과 동일한 방법에 의하여, 투명 전극 패턴, 제2 경화성 투명 수지층 및 제1 경화성 투명 수지층이 이 순서대로 연속된 투명 적층체를 제막했다.

이렇게 하여, 유리제 투명 기판 상에 투명막, 투명 전극 패턴, 제2 경화성 투명 수지층 및 제1 경화성 투명 수지층을 이 순서대로 적층시킨 투명 적층체를 얻었다. 얻어진 투명 적층체를, 각 실시예 및 비교예의 투명 적층체로 했다.

〔투명 적층체의 평가〕

＜투명 전극 패턴의 시인성의 평가＞

유리제 투명 기판 상에, 투명막, 투명 전극 패턴, 제2 경화성 투명 수지층 및 제1 경화성 투명 수지층을 이 순서대로 적층시킨 각 실시예 및 비교예의 투명 적층체를, 투명 접착 테이프(3M사(3M Company)제, 상품명, OCA 테이프 8171CL)를 통하여, 흑색 PET재와 접착시켜, 기판 전체를 차광했다.

투명 전극 패턴 시인성의 평가는, 암실에 있어서, 형광등(광원)과 작성한 기판을, 유리면측으로부터 광을 입사시켜, 유리 표면으로부터의 반사광을, 비스듬하게 육안으로 관찰함으로써 행했다.

《평가 기준》

A: 투명 전극 패턴이 전혀 보이지 않는다.

B: 투명 전극 패턴이 약간 보이지만, 거의 보이지 않는다.

C: 투명 전극 패턴이 보인다(알기 어렵다).

D: 투명 전극 패턴이 보이지만, 실용상 허용할 수 있다.

E: 투명 전극 패턴이 명확하게 보인다(알기 쉽다).

얻어진 결과를 하기 표 2에 기재했다.

＜연필 경도의 평가＞

내상성의 지표로서 JIS K 5400에 기재된 연필 경도 평가를 행했다. 각 실시예 및 비교예의 전사 필름을, 유리제 투명 기판, 투명막 및 투명 전극 패턴을 가지는 기판에 전사 제막하여 얻어진 각 실시예 및 비교예의 투명 적층체를, 온도 25℃, 상대습도 60%에서 1시간 조습한 후, JIS S 6006에 규정하는 2H의 시험용 연필을 이용하여, 500g의 하중으로 n=7의 평가를 행했다.

《평가 기준》

A: 손상이 3개 미만이다.

B: 손상이 3개 이상, 5개 미만이다.

C: 손상이 5개 이상, 6개 미만이다.

D: 손상이 6개 이상이다.

얻어진 결과를 하기 표 2에 기재했다.

[표 2]

상기 표 2로부터, 본 발명의 전사 필름을 이용하여 제작한 본 발명의 투명 적층체는, 투명 전극 패턴이 시인될 문제가 없음을 알 수 있었다.

한편, 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.59이고, 본 발명의 범위를 하회하는 전사 필름을 이용한 비교예 1에서는, 얻어진 투명 적층체의 투명 전극 패턴이 명확하게 보였다. 제2 경화성 투명 수지층을 포함하지 않는 전사 필름을 이용한 비교예 2에서는, 얻어진 투명 적층체의 투명 전극 패턴이 명확하게 보였다.

[실시예 101~113, 비교예 101 및 102: 정전 용량형 입력 장치의 제조]

《마스크층의 형성》

[마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 제작]

두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(가지지체) 상에, 슬릿 형상 노즐을 이용하여, 상술한 처방 H1로 이루어지는 열가소성 수지층용 도포액을 도포하고, 건조시켜 열가소성 수지층을 형성했다. 다음으로, 열가소성 수지층 상에, 상술한 처방 P1로 이루어지는 중간층용 도포액을 도포하고, 건조시켜 중간층을 형성했다. 다음으로, 하기 처방 K1로 이루어지는 흑색 광경화성 수지층용 도포액을 도포하고, 건조시켜 흑색 광경화성 수지층을 형성했다. 이와 같이 하여 가지지체 상에 건조 막두께가 15.1㎛인 열가소성 수지층과, 건조 막두께가 1.6㎛인 중간층과, 광학 농도가 4.0이 되도록 건조 막두께가 2.2㎛인 흑색 광경화성 수지층을 마련하고, 마지막으로 보호 필름(두께 12㎛의 폴리프로필렌 필름)을 압착했다. 이렇게 하여 가지지체와 열가소성 수지층과 중간층(산소 차단막)과 흑색 광경화성 수지층이 일체가 된 전사 재료를 제작하여, 샘플명을 마스크층 형성용 감광성 필름 K1로 했다.

(흑색 광경화성 수지층용 도포액: 처방 K1)

·K안료 분산물 1 : 31.2질량부

·R안료 분산물 1(하기의 조성) : 3.3질량부

·MMPGAc(프로필렌글리콜모노메틸에터아세테이트, 다이셀 가가쿠 가부시키가이샤(Daicel Chemical Industries, Ltd.)제) : 6.2질량부

·메틸에틸케톤(도넨 가가쿠 가부시키가이샤(Tonen Chemical Corporation)제) : 34.0질량부

·사이클로헥사논(간토 덴카 고교 가부시키가이샤(Kanto Denka Kogyo Co., Ltd.)제) : 8.5질량부

·바인더-2(벤질메타크릴레이트/메타크릴산=78/22 몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 3.8만) : 10.8질량부

·페노티아진(도쿄 가세이 가부시키가이샤(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)제) : 0.01질량부

·DPHA(다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤(Nippon Kayaku Co., Ltd.)제)의 프로필렌글리콜모노메틸에터아세테이트 용액(76질량%) : 5.5질량부

·2,4-비스(트라이클로로메틸)-6-[4'-(N,N-비스(에톡시카보닐메틸)아미노-3'-브로모페닐]-s-트리아진 : 0.4질량부

: 0.1질량부

다만, 상기 처방 K1로 이루어지는 흑색 광경화성 수지층용 도포액의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 10000Pa·sec였다.

(K안료 분산물 1의 조성)

·카본 블랙(상품명: Nipex35, 데구사사(Degussa)제) : 13.1질량%

·하기 분산제 1 : 0.65질량%

·바인더-1(벤질메타크릴레이트/메타크릴산=72/28 몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 3.7만) : 6.72질량%

·프로필렌글리콜모노메틸에터아세테이트 : 79.53질량%

[화학식 2]

-R안료 분산물 1의 조성-

·안료(C.I.피그먼트 레드 177) : 18질량%

·바인더-1(벤질메타크릴레이트/메타크릴산=72/28 몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 3.7만) : 12질량%

·프로필렌글리콜모노메틸에터아세테이트 : 70질량%

[마스크층의 형성]

이어서, 개구부(15mmΦ)가 형성된 강화 처리 유리(300mm×400mm×0.7mm)에, 25℃로 조정한 유리 세정제 액을 샤워에 의하여 20초간 블로잉하면서 나일론모를 가지는 회전 브러시로 세정하여, 순수 샤워 세정 후, 실레인 커플링액(N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트라이메톡시실레인 0.3질량% 수용액, 상품명: KBM603, 신에츠 가가쿠 고교 가부시키가이샤제)을 샤워에 의하여 20초간 블로잉하여, 순수 샤워 세정했다. 이 기재를 기재 예비 가열 장치에서 140℃ 2분간 가열했다. 얻어진 실레인 커플링 처리 유리 기재에, 상술로부터 얻어진 마스크층 형성용 감광성 필름 K1로부터 보호 필름을 제거하고, 제거 후에 노출된 흑색 광경화성 수지층의 표면과 상기 실레인 커플링 처리 유리 기재의 표면이 접하도록 중첩하여, 래미네이터(가부시키가이샤 히타치 인더스트리(Hitachi Industries Ltd.)제(LamicII형))를 이용하여, 상기 140℃로 가열한 기재에, 고무 롤러 온도 130℃, 선압 100N/cm, 반송 속도 2.2m/분으로 래미네이팅했다. 이어서 폴리에틸렌테레프탈레이트의 가지지체를, 열가소성 수지층과의 계면에서 박리하여, 가지지체를 제거했다. 가지지체를 박리한 후, 초고압 수은등을 가지는 프록시미티형 노광기(히타치 하이테크 덴시 엔지니어링 가부시키가이샤제)로, 기재와 노광 마스크(액자 패턴을 가지는 석영 노광 마스크)를 수직으로 세운 상태에서, 노광 마스크면과 그 흑색 광경화성 수지층의 사이의 거리를 200㎛로 설정하고, 노광량 70mJ/cm²(i선)로 패턴 노광했다.

다음으로, 트라이에탄올아민계 현상액(트라이에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(후지필름 가부시키가이샤제)를 순수로 10배로 희석한 액)을 이용하여 33℃에서 60초간, 플랫 노즐 압력 0.1MPa로 샤워 현상하여, 열가소성 수지층과 중간층을 제거했다. 이어서, 이 유리 기재의 상면에 에어를 블로잉하여 액을 제거한 후, 순수를 샤워에 의하여 10초간 블로잉하여, 순수 샤워 세정하고, 에어를 블로잉하여 기재 상의 액 저류를 감소시켰다.

그 후, 탄산나트륨/탄산수소나트륨계 현상액(상품명: T-CD1(후지필름 가부시키가이샤제)을 순수로 5배로 희석한 액)을 이용하여 32℃에서 샤워압을 0.1MPa로 설정하고, 45초 현상하여, 순수로 세정했다.

이어서, 계면활성제 함유 세정액(상품명: T-SD3(후지필름 가부시키가이샤제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 이용하여 33℃에서 20초간, 콘형 노즐 압력 0.1MPa로 샤워로 블로잉하고, 다음으로 부드러운 나일론모를 가지는 회전 브러시에 의하여, 형성된 패턴상을 문질러 잔사 제거를 행했다. 다음으로, 초고압 세정 노즐로 9.8MPa의 압력으로 초순수를 분사하여 잔사 제거를 행했다.

이어서 대기하에서 노광량 1300mJ/cm²로 포스트 노광을 행하고, 다음으로, 240℃ 80분간의 포스트 베이크 처리를 행하여, 광학 농도 4.0, 막두께 2.0㎛의 마스크층이 형성된 전면판을 얻었다.

《투명막》

마스크층이 형성된 전면판에 대하여, 실시예 1~13, 비교예 1 및 2의 적층체의 형성에 있어서의 유리제 투명 기판 상으로의 투명막의 제막과 동일하게 하여, 투명막을 제막했다.

《제1 투명 전극 패턴의 형성》

[투명 전극층의 형성]

마스크층 및 투명막이 형성된 전면판을, 진공 챔버 내로 도입하여, SnO₂ 함유율이 10질량%인 ITO 타겟(인듐:주석=95:5(몰비))을 이용하여, DC 마그네트론 스퍼터링(조건: 기재의 온도 250℃, 아르곤압 0.13Pa, 산소압 0.01Pa)에 의하여, 두께 40nm의 ITO 박막을 형성하여, 투명 전극층을 형성한 전면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 80Ω/□였다.

[에칭용 감광성 필름 E1의 제작]

상기 마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 제작에 있어서, 흑색 광경화성 수지층용 도포액을, 하기 처방 E1로 이루어지는 에칭용 광경화성 수지층용 도포액으로 대신한 것 이외에는 마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 제작과 동일하게 하여, 에칭용 감광성 필름 E1을 얻었다(에칭용 광경화성 수지층의 막두께는 2.0㎛였다).

(에칭용 광경화성 수지층용 도포액: 처방 E1)

·메틸메타크릴레이트/스타이렌/메타크릴산 공중합체

(공중합체 조성(질량%): 31/40/29, 중량 평균 분자량 60000, 산가 163mgKOH/g) : 16질량부

: 5.6질량부

·2-클로로-N-뷰틸아크리돈 : 0.42질량부

·2,2-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐바이이미다졸

: 2.17질량부

·말라카이트그린옥살산염 : 0.02질량부

·류코크리스탈바이올렛 : 0.26질량부

·페노티아진 : 0.013질량부

: 0.03질량부

·메틸에틸케톤 : 40질량부

·1-메톡시-2-프로판올 : 20질량부

다만, 상기 처방 E1로 이루어지는 에칭용 광경화성 수지층용 도포액의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 2500Pa·sec였다.

[제1 투명 전극 패턴의 형성]

마스크층의 형성과 동일하게 하여, 마스크층, 투명막, 투명 전극층을 형성한 전면판을 세정하고, 이어서 보호 필름을 제거한 에칭용 감광성 필름 E1을 래미네이팅했다(기재 온도: 130℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/cm, 반송 속도 2.2m/분). 가지지체를 박리 후, 노광 마스크(투명 전극 패턴을 가지는 석영 노광 마스크)면과 그 에칭용 광경화성 수지층과의 사이의 거리를 200㎛로 설정하고, 노광량 50mJ/cm²(i선)로 패턴 노광했다.

다음으로, 트라이에탄올아민계 현상액(트라이에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(후지필름 가부시키가이샤제)를 순수로 10배로 희석한 액)을 이용하여 25℃에서 100초간 현상 처리하고, 계면활성제 함유 세정액(상품명: T-SD3(후지필름 가부시키가이샤제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 이용하여 33℃에서 20초간 세정 처리했다. 세정 처리 후의 전면판을 회전 브러시로 문지르고, 다음으로 초고압 세정 노즐로부터, 초순수를 분사함으로써 잔사를 제거했다. 이어서 130℃ 30분간의 포스트 베이크 처리를 행하여, 투명 전극층과 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.

다음으로, 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 가진 투명 전극층 패턴을 갖춘 전면판을, 레지스트 박리액(N-메틸-2-피롤리돈, 모노에탄올아민, 계면활성제(상품명: 서피놀 465, 에어 프로덕츠제), 액온 45℃)을 넣은 레지스트 박리조에 침지하여, 200초간 처리하고, 에칭용 광경화성 수지층을 제거하여, 마스크층, 투명막 및 제1 투명 전극 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.

《절연층의 형성》

[절연층 형성용 감광성 필름 W1의 제작]

마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 제작에 있어서, 흑색 광경화성 수지층용 도포액을, 하기 처방 W1로 이루어지는 절연층용 도포액으로 대신한 것 이외에는 마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 제작과 동일하게 하여, 절연층 형성용 감광성 필름 W1을 얻었다(절연층의 막두께는 1.4㎛).

(절연층용 도포액: 처방 W1)

·바인더-3(사이클로헥실메타크릴레이트(a)/메틸메타크릴레이트(b)/메타크릴산 공중합체(c)의 글리시딜메타크릴레이트 부가물(d)(조성(질량%): a/b/c/d=46/1/10/43, 중량 평균 분자량: 36000, 산가 66mgKOH/g)의 1-메톡시-2-프로판올, 메틸에틸케톤 용액(고형분: 45%)) : 12.5질량부

·DPHA(다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 일본 가야쿠 가부시키가이샤제)의 프로필렌글리콜모노메틸에터아세테이트 용액(76질량%) : 1.4질량부

·우레탄계 모노머(상품명: NK올리고 UA-32P, 신나카무라 가가쿠 가부시키가이샤제: 불휘발분 75%, 프로필렌글리콜모노메틸에터아세테이트: 25%)

: 0.68질량부

·트라이펜타에리트리톨옥타아크릴레이트(상품명: V＃802, 오사카 유키 가가쿠 고교 가부시키가이샤(Osaka Organic Chemical Industry Ltd.)제)

: 1.8질량부

·다이에틸싸이오잔톤 : 0.17질량부

·2-(다이메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모폴린일)페닐]-1-뷰탄온(상품명: Irgacure379, BASF제) : 0.17질량부

·분산제(상품명: 솔스퍼스(Solsperse) 20000, 아베시아(Avecia)제)

: 0.19질량부

·계면활성제(상품명: 메가팍 F-780F, 다이닛폰 잉키제) : 0.05질량부

·메틸에틸케톤 : 23.3질량부

·MMPGAc(프로필렌글리콜모노메틸에터아세테이트, 다이셀 가가쿠 가부시키가이샤제) : 59.8질량부

다만, 상기 처방 W1로 이루어지는 절연층 형성용 도포액의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 4000Pa·sec였다.

마스크층의 형성과 동일하게 하여, 상기 마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴을 갖춘 전면판을 세정, 실레인 커플링 처리하고, 이어서, 보호 필름을 제거한 절연층 형성용 감광성 필름 W1을 래미네이팅했다(기재 온도: 100℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/cm, 반송 속도 2.3m/분). 가지지체를 박리 후, 노광 마스크(절연층용 패턴을 가지는 석영 노광 마스크)면과 절연층과의 사이의 거리를 100㎛로 설정하고, 노광량 30mJ/cm²(i선)로 패턴 노광했다.

다음으로, 트라이에탄올아민계 현상액(트라이에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(후지필름 가부시키가이샤제)를 순수로 10배로 희석한 액)을 이용하여 33℃에서 60초간 현상 처리하고, 다음으로 탄산나트륨/탄산수소나트륨계 현상액(상품명: T-CD1(후지필름 가부시키가이샤제)을 순수로 5배로 희석한 액)을 이용하여 25℃에서 50초간 현상 처리한 후, 계면활성제 함유 세정액(상품명: T-SD3(후지필름 가부시키가이샤제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 이용하여 33℃에서 20초간 세정 처리했다. 세정 처리 후의 전면판을, 회전 브러시로 문지르고, 다음으로 초고압 세정 노즐로부터, 초순수를 분사함으로써 잔사를 제거했다. 이어서, 230℃ 60분간의 포스트 베이크 처리를 행하여, 마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.

《제2 투명 전극 패턴의 형성》

[투명 전극층의 형성]

상기 제1 투명 전극 패턴의 형성과 동일하게 하여, 마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴을 형성한 전면판을 DC 마그네트론 스퍼터링 처리하고(조건: 기재의 온도 50℃, 아르곤압 0.13Pa, 산소압 0.01Pa), 두께 80nm의 ITO 박막을 형성하여, 투명 전극층을 형성한 전면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 110Ω/□였다.

제1 투명 전극 패턴의 형성과 동일하게 하여, 에칭용 감광성 필름 E1을 이용하여, 마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 투명 전극층, 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다(포스트 베이크 처리；130℃ 30분간).

또한, 제1 투명 전극 패턴의 형성과 동일하게 하여, 에칭하고(30℃ 50초간), 이어서 에칭용 광경화성 수지층을 제거(45℃ 200초간)함으로써, 마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제2 투명 전극 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.

《제1 및 제2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소의 형성》

상기 제1, 및 제2 투명 전극 패턴의 형성과 동일하게 하여, 마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제2 투명 전극 패턴을 형성한 전면판을 DC 마그네트론 스퍼터링 처리하여, 두께 200nm의 알루미늄(Al) 박막을 형성한 전면판을 얻었다.

상기 제1, 및 제2 투명 전극 패턴의 형성과 동일하게 하여, 에칭용 감광성 필름 E1을 이용하여, 마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제2 투명 전극 패턴, 에칭용 광경화성 수지층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다(포스트 베이크 처리；130℃ 30분간).

또한, 제1 투명 전극 패턴의 형성과 동일하게 하여, 에칭하고(30℃ 50초간), 이어서 에칭용 광경화성 수지층을 제거(45℃ 200초간)함으로써, 마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제2 투명 전극 패턴, 제1 및 제2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판을 얻었다.

《제1 경화성 투명 수지층과 제2 경화성 투명 수지층》

마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제2 투명 전극 패턴, 제1 및 제2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소가 형성된 전면판에 대하여, 실시예 1~11 및 비교예 1~15와 동일하게 하여, 제1 경화성 투명 수지층과 제2 경화성 투명 수지층을 제막하여, 유리제 투명 기판 상에, 마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제2 투명 전극 패턴, 제1 및 제2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소, 제2 경화성 투명 수지층 및 제1 경화성 투명 수지층이 이 순서대로 형성된 실시예 101~113, 비교예 101 및 102의 정전 용량형 입력 장치(전면판)를 얻었다.

《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》

일본 공개특허공보 2009-47936호에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에, 먼저 제조한 실시예 101~113, 비교예 101 및 102의 전면판을 접합하여, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성요소로서 구비한 실시예 101~113, 비교예 101 및 102의 화상 표시 장치를 제작했다.

《전면판 및 화상 표시 장치의 평가》

실시예 101~113의 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치는, 투명 전극 패턴이 시인될 문제가 없었다.

상술한 각 공정에 있어서, 마스크층, 투명막, 제1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제2 투명 전극 패턴, 제1 및 제2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소, 제2 경화성 투명 수지층 및 제1 경화성 투명 수지층을 형성한 전면판(1)은, 개구부, 및 이면(비접촉면)에 오염이 없고, 세정이 용이하며, 또한, 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.

또, 마스크층에는 핀홀이 없고, 광차폐성이 뛰어났다.

그리고, 제1 투명 전극 패턴, 제2 투명 전극 패턴, 및 이들과는 다른 도전성 요소의, 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편, 제1 투명 전극 패턴과 제2 투명 전극 패턴의 사이에서는 절연성을 가지고 있었다.

또한, 제1 경화성 투명 수지층에도 기포 등의 결함이 없어, 표시 특성이 뛰어난 화상 표시 장치가 얻어졌다.

1…투명 기판(전면판)
2…마스크층
3…투명 전극 패턴(제1 투명 전극 패턴)
3a…패드 부분
3b…접속 부분
4…투명 전극 패턴(제2 투명 전극 패턴)
5…절연층
6…별도의 도전성 요소
7…제1 경화성 투명 수지층(투명 보호층의 기능을 갖는 것이 바람직함)
8…개구부
10…정전 용량형 입력 장치
11…투명막
12…제2 경화성 투명 수지층(투명 절연층의 기능을 가져도 됨)
13…투명 적층체
21…투명 전극 패턴과 제2 경화성 투명 수지층과 제1 경화성 투명 수지층이 이 순서대로 적층된 영역
22…비패턴 영역
α…테이퍼각
26…가지지체
27…열가소성 수지층
28…중간층
29…보호 박리층(보호 필름)
30…전사 필름

Claims

가지지체와,
제1 경화성 투명 수지층과,
상기 제1 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치된 제2 경화성 투명 수지층을 이 순서대로 가지며,
상기 제1 경화성 투명 수지층의 막두께가, 1㎛ 이상이며,
상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고,
상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상인 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.5~1.53인 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.65 이상인 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 2에 있어서,
상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.65 이상인 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 경화성 투명 수지층의 막두께가 500nm 이하인 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 경화성 투명 수지층이, 알칼리 가용 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 경화성 투명 수지층이 중합성 화합물 및 광중합성 개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이 투명 전극 패턴 상에 배치되는 용도인 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 경화성 투명 수지층의 이중 결합 소비율이 10% 이상인 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 경화성 투명 수지층이, 굴절률이 1.55 이상의 입자를 함유하는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 경화성 투명 수지층이 중합성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 경화성 투명 수지층 및 상기 제2 경화성 투명 수지층이, 모두 열경화성 수지층인 것을 특징으로 하는 전사 필름.
삭제
가지지체 상에,
(b) 중합성 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 제1 경화성 투명 수지층을 형성하는 공정과,
(c) 노광에 의하여, 상기 제1 경화성 투명 수지층을 경화하는 공정과,
(d) 경화 후의 상기 제1 경화성 투명 수지층 상에 직접 제2 경화성 투명 수지층을 형성하는 공정
을 가지며,
상기 제1 경화성 투명 수지층의 막두께가, 1㎛ 이상이며,
상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고,
상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상인 것을 특징으로 하는 전사 필름의 제조 방법.
청구항 14에 있어서,
상기 가지지체 상에 상기 제1 경화성 투명 수지층을 형성하기 전에, 추가로 (a) 열가소성 수지층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 필름의 제조 방법.
투명 전극 패턴 상에,
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 따른 전사 필름의 상기 제2 경화성 투명 수지층 및 상기 제1 경화성 투명 수지층을 이 순서대로 적층하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 적층체의 제조 방법.
청구항 16에 따른 투명 적층체의 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
투명 전극 패턴과,
상기 투명 전극 패턴에 인접하여 배치된 제2 경화성 투명 수지층과,
상기 제2 경화성 투명 수지층에 인접하여 배치된 제1 경화성 투명 수지층을 가지며,
상기 제1 경화성 투명 수지층의 막두께가, 1㎛ 이상이며,
상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 상기 제1 경화성 투명 수지층의 굴절률보다 높고,
상기 제2 경화성 투명 수지층의 굴절률이 1.6 이상인 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
청구항 18에 있어서,
상기 투명 전극 패턴의 상기 제2 경화성 투명 수지층이 형성된 측과는 반대측에, 굴절률이 1.6~1.78이고 막두께가 55~110nm인 투명막을 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
청구항 18에 있어서,
상기 제1 경화성 투명 수지층이, 알칼리 가용 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
청구항 18 내지 청구항 20 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 경화성 투명 수지층의 이중 결합 소비율이 10% 이상인 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 따른 전사 필름을 이용하여 제작되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
청구항 18 내지 청구항 20 중 어느 한 항에 따른 투명 적층체를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
청구항 23에 따른 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
삭제
삭제
삭제