CN111225790A - 转印材料、触摸传感器及其制造方法以及图像显示装置 - Google Patents

转印材料、触摸传感器及其制造方法以及图像显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111225790A
CN111225790A CN201880067248.6A CN201880067248A CN111225790A CN 111225790 A CN111225790 A CN 111225790A CN 201880067248 A CN201880067248 A CN 201880067248A CN 111225790 A CN111225790 A CN 111225790A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent
layer
transfer layer
transfer
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880067248.6A
Other languages
English (en)
Inventor
丰冈健太郎
有年阳平
中村秀之
后藤英范
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN111225790A publication Critical patent/CN111225790A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
    • B32B37/025—Transfer laminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/025—Electric or magnetic properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2367/00—Polyesters, e.g. PET, i.e. polyethylene terephthalate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/208—Touch screens
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

本发明提供一种被隐蔽物的隐蔽性高且被隐蔽物的可见性得到改善的转印材料以及电极图案的隐蔽性优异且电极图案的可见性得到改善的触摸传感器、触摸传感器的制造方法及图像显示装置。转印材料，具有：临时支承体；第2透明转印层；第3透明转印层，在临时支承体与第2透明转印层之间配置于第2透明转印层的一个面，且具有比第2透明转印层的折射率高的折射率；及第1透明转印层，配置于第2透明转印层的另一个面，且具有比第2透明转印层的折射率高的折射率。

Description

转印材料、触摸传感器及其制造方法以及图像显示装置
技术领域
本发明涉及一种转印材料、触摸传感器及其制造方法以及图像显示装置。
背景技术
一直以来在研究，在移动电话、汽车导航系统、个人电脑、售票机、银行终端等电子设备中赋予功能性的同时以免损坏外观及显示图像而通过外部难以视觉辨认内部结构(例如电极等)的技术。
近年来，通过触碰手指或触控笔等而可以输入与指令图像对应的信息的输入装置(以下，还称为触摸面板。)被广泛利用。在触摸面板中有电阻膜型及静电电容型装置。在静电电容型触摸面板具有能够完成在一片基板上形成有透光性导电膜的简单的结构的优点。
作为静电电容型触摸面板的例，已知有使电极图案沿彼此交叉的方向分别延伸并通过捕获由人手指等接近导体而产生的静电电容的变化来检测触摸位置的装置(例如，参考专利文献1)。
并且，作为与电极图案的隐蔽性相关的技术，公开有透明层叠体，其具有第一固化性透明树脂层及与第一固化性透明树脂层相邻而配置且折射率高于第一固化性透明树脂层的折射率且1.6以上的第二固化性透明树脂层(例如，参考专利文献2)。
并且，公开有透明触摸开关，其层叠有透明导电膜、厚度25μm以上的粘合层及折射率大于粘合层的折射率的外涂层，使其折射率逐渐变小(例如，参考专利文献3)。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-206197号公报
专利文献2：日本特开2014-108541号公报
专利文献3：国际公开第2006/126604号
发明内容
发明要解决的技术课题
使用静电电容型触摸面板时，有时例如若稍微远离从内部光源入射的光正反射的位置附近观察触摸面板的表面，则可视觉辨认存在于面板内部的电极图案，而损害外观。因此，作为对于触摸面板的性能，要求电极图案的隐蔽性良好。
与具备桥接电极之间的桥接配线的桥接型触摸传感器相比，在基材的单侧配置隔着透明层沿一方向(例如X方向)延伸的电极及沿另一方向(例如Y方向)延伸的电极的触摸传感器难以视觉辨认配线及电极的图案。
然而，关于电极图案，难以说确保了充分的隐蔽性，需要进一步改善图案的可见性。
本发明是鉴于上述情况而完成。即，
本发明的一实施方式欲要解决的课题在于提供一种被隐蔽物的隐蔽性高且被隐蔽物的可见性得到改善的转印材料。
本发明的另一实施方式欲要解决的课题在于提供一种电极图案的隐蔽性优异且电极图案的可见性的得到改善的触摸传感器。
本发明的另一实施方式欲要解决的课题在于提供一种电极图案的隐蔽性优异且电极图案的可见性的得到改善的触摸传感器的制造方法。
本发明的一实施方式欲要解决的课题在于提供一种电极图案的可见性的得到改善的图像显示装置。
用于解决技术课题的手段
用于解决课题的具体的手段包括以下的方式。
＜1＞一种转印材料，其具有：
临时支承体；
第2透明转印层；
第3透明转印层，在临时支承体与第2透明转印层之间配置于第2透明转印层的一个面，且具有比第2透明转印层的折射率高的折射率；及
第1透明转印层，配置于第2透明转印层的另一个面，且具有比第2透明转印层的折射率高的折射率。
＜2＞根据＜1＞所述的转印材料，其中，
第2透明转印层的厚度是0.5μm以上，第1透明转印层及第3透明转印层的厚度是0.3μm以下。
＜3＞根据＜1＞或＜2＞中所述的转印材料，其中，
第1透明转印层及第3透明转印层的折射率是1.6以上。
＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项所述的转印材料，其中，
第1透明转印层及第3透明转印层含有金属氧化物粒子。
＜5＞根据＜1＞～＜4＞中任一项所述的转印材料，其具有：
第4透明转印层，配置于第1透明转印层的与配置有第2透明转印层的面相反的一侧，折射率低于第1透明转印层的折射率；及
第5透明转印层，配置于第3透明转印层的与配置有第2透明转印层的面相反的一侧，折射率低于第3透明转印层的折射率。
＜6＞一种触摸传感器，其具有：
基板，具有基材和图案状的第1电极；
图案状的第2电极；
第2透明层，配置于第1电极与第2电极之间，厚度是0.5μm以上且小于25μm；
第1透明层，配置于第1电极与第2透明层之间，折射率高于第2透明层的折射率；及
第3透明层，配置于第2电极与第2透明层之间，折射率高于第2透明层的折射率。
＜7＞根据＜6＞所述的触摸传感器，其中，
第2透明层的厚度是0.5μm以上，第1透明层及第3透明层的厚度是0.3μm以下。
＜8＞根据＜6＞或＜7＞所述的触摸传感器，其中，
第1透明层及第3透明层的折射率是1.6以上。
＜9＞根据＜6＞～＜8＞中任一项所述的触摸传感器，其中
第1透明层及第3透明层含有金属氧化物粒子。
＜10＞根据＜6＞～＜9＞中任一项所述的触摸传感器，其具有：
第4透明层，配置于第1透明层的与配置有第2透明层的一侧相反的一侧，折射率低于第1透明层的折射率；及
第5透明层，配置于第3透明层的与配置有第2透明层的一侧相反的一侧，折射率低于第3透明层的折射率。
＜11＞根据＜10＞所述的触摸传感器，其中，
第1透明层、第2透明层、第3透明层、第4透明层及第5透明层是转印层。
＜12＞根据＜6＞～＜11＞中任一项所述的触摸传感器，其中，
在基材与第1电极之间具有折射率高于基材的折射率并且低于第1电极的折射率的第6透明层。
＜13＞根据＜6＞～＜12＞中任一项所述的触摸传感器，其中，
在第2电极的与配置有第2透明层的一侧相反的一侧的表面具有折射率低于第2电极的折射率的第7透明层。
＜14＞一种触摸感测器的制造方法，其使用＜1＞～＜5＞中任一项所述的转印材料，该制造方法包括：
通过上述转印材料的转印在第1电极上形成第2透明层的工序；
通过上述转印材料的转印在第1电极与第2透明层之间形成折射率高于第2透明层的折射率的第1透明层的工序；
通过上述转印材料的转印在第2透明层的与具有第1透明层之一侧相反的一侧形成折射率高于第2透明层的折射率的第3透明层的工序；及
在第3透明层的与具有第2透明层之一侧相反的一侧配置第2电极的工序。
＜15＞根据＜14＞所述的触摸传感器的制造方法，其还包括：
通过上述转印材料的转印在第1透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧形成折射率低于第1透明层的折射率的第4透明层的工序；及
通过上述转印材料的转印在第3透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧形成折射率低于第3透明层的折射率的第5透明层的工序。
＜16＞一种图像显示装置，其具备＜6＞～＜13＞中任一项所述的触摸传感器。
发明效果
根据本发明的一实施方式，提供一种被隐蔽物的隐蔽性高且被隐蔽物的可见性得到改善的转印材料。
根据本发明的另一实施方式，提供一种电极图案的隐蔽性优异且电极图案的可见性的得到改善的触摸传感器。
根据本发明的另一实施方式，提供一种电极图案的隐蔽性优异且电极图案的可见性的得到改善的触摸传感器的制造方法。
根据本发明的另一实施方式，提供一种电极图案的可见性的得到改善的图像显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的转印材料的一实施方式的概略剖视图。
图2是表示本发明的转印材料的另一实施方式的概略剖视图。
图3是表示本发明的触摸传感器的第1实施方式的概略剖视图。
图4是表示本发明的触摸传感器的第2实施方式的概略剖视图。
图5是表示本发明的触摸传感器的第3实施方式的概略剖视图。
图6是表示本发明的触摸传感器的第4实施方式的概略剖视图。
具体实施方式
本说明书中，利用“～”表示的数值范围是表示包含记载于“～”的前后的数值分别作为最小值及最大值的范围。在本发明中阶段性地记载的数值范围中，在某一数值范围记载的上限值或下限值可以替换成其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本发明中记载的数值范围中，在某一数值范围记载的上限值或下限值可以替换成实施例中示出的值。
本说明书中，在组合物中存在多个相当于各成分的物质时，在无特别说明的情况下，组合物中的各成分的量表示在组合物中存在的多个物质的总量。
并且，关于本说明书中的“工序”这一用语，不仅是独立的工序，而且即使在无法与其他工序明确区分的情况下，只要达到该工序所预期的目的，则包含于本用语中。
本说明书中，“透明”是指波长400nm～700nm的可见光的平均透射率为80％以上。因此，“透明层”及“透明导电层”等是指波长400nm～700nm的可见光的平均透射率为80％以上的层。“透明层”及“透明转印层”等可见光的平均透射率优选为90％以上。
并且，“透明层”及“透明转印层”等平均透射率是使用分光光度计在25℃下测定的值，例如能够使用Hitachi,Ltd.制造的分光光度计U-3310进行测定。
本说明书中，只要无特别说明，则聚合物的各构成单元的含有比率是摩尔比。
并且，本说明书中，只要无特别说明，则折射率是在波长550nm下通过椭圆偏光法在25℃下测定的值。
以下，对本发明的转印材料、触摸传感器及其制造方法以及图像显示装置进行详细说明。
本发明的转印材料具有：临时支承体；第2透明转印层；第3透明转印层，在临时支承体与第2透明转印层之间配置于第2透明转印层的一个面，且具有比第2透明转印层的折射率高的折射率；及第1透明转印层，配置于第2透明转印层的另一个面(第2透明转印层的2个面中，未配置有第3透明转印层的一侧的面)，并具有比第2透明转印层的折射率高的折射率。转印材料依次具有临时支承体、第3透明转印层、第2透明转印层及第1透明转印层。
本发明的转印材料可以为薄膜或片材中的任一种形态。
一直以来在研究，在各种电子设备中赋予功能性的同时通过外部难以视觉辨认需要隐蔽的内部结构(例如电极)并良好地维持外观及显示图像的技术。例如触摸传感器的领域中，在内部具备隔着透明层配置沿一方向延伸的电极及沿另一方向延伸的电极的结构的情况下，使用时容易从外部视觉辨认电极图案成为课题。
已叙述的以往技术中，作为回避电极图案的可见性的技术，例如在专利文献2中，提出有在第一固化性透明树脂层的单侧配置有折射率高于第一固化性透明树脂层的折射率的第二固化性透明树脂层的结构。然而，在该技术中，需要设置桥接配线或在传感器电极之间设置绝缘层。
并且，在专利文献3中，公开有在厚度成为25μm以上的厚的粘合层上层叠有外涂层的结构。然而，在专利文献3中记载的技术中，层叠体过厚成为课题。
鉴于上述，在本发明的转印材料中，如已叙述的那样，通过设为层叠第2透明转印层与以夹持第2透明转印层的方式而配置且折射率高于第2透明转印层的折射率的第1透明转印层及第3透明转印层而配置的层叠结构，可得到相对于例如通过包含金属来显示高的折射率的结构物(例如电极)的隐蔽作用，并能够有效地改善结构物的可见性。
例如如图1所示，本发明的转印材料可以为配置临时支承体10、第2透明转印层23、在临时支承体10与第2透明转印层23之间配置于第2透明转印层23的一个面的第3透明转印层25及配置于第2透明转印层23的另一个面的第1透明转印层21的方式。
(临时支承体)
临时支承体的材质只要具有形成薄膜时所需要的强度及柔软性，则没有特别限制。从成形性、成本的观点出发，优选为树脂薄膜。
用作临时支承体的薄膜优选为具有挠性且在加压下或加压及加热下不发生显著的变形、收缩或伸长的薄膜。更具体而言，作为临时支承体，可举出聚对酞酸乙二酯(PET)薄膜、三醋酸纤维素(TAC)薄膜、聚苯乙烯(PS)薄膜、聚碳酸盐(PC)薄膜等，优选为双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二酯薄膜。
对临时支承体的外观也没有特别限制，可以是透明薄膜，也可以是被着色的薄膜。作为被着色的薄膜，可举出含有染色硅、氧化铝溶胶、铬盐、锆盐等的树脂薄膜。
能够通过日本特开2005-221726号公报中记载的方法等对临时支承体赋予导电性。
以下，关于设置于临时支承体上的透明层，对第1透明转印层、第2透明转印层及第3透明转印层以及第4透明转印层及第5透明转印层进行了详细说明。
通过使用了转印材料的转印法形成了本发明的触摸传感器的情况下，通过第1透明转印层的转印而形成的层是第1透明层，通过第2透明转印层的转印而形成的层是第2透明层，通过第3透明转印层的转印而形成的层是第3透明层。并且，通过第4透明转印层的转印而形成的层是第4透明层，通过第5透明转印层的转印而形成的层是第5透明层。
首先，对第2透明转印层进行详细地说明。
(第2透明转印层)
本发明的转印材料在临时支承体上的后述的第1透明转印层与第3透明转印层之间具有第2透明转印层。第2透明转印层如后述那样制作触摸传感器的情况下，能够形成转印后的第2透明层。
第2透明转印层可以是例如至少包含聚合性单体及树脂的层，也可以是通过赋予能量而固化的层。第2透明转印层还可以包含聚合引发剂、通过加热能够与酸进行反应的化合物。
第2透明转印层可以是光固化性，也可以是热固化性，还可以是热固化性且光固化性。其中，从能够更加提高膜的可靠性这一观点出发，优选为热固化性且光固化性的组合物。
即，第2透明层也可以如以下的方式形成。
在临时支承体上使用具有第2透明转印层的转印材料，通过转印法在被转印体上转印第2透明转印层。通过光照射对所转印的第2透明转印层进行图案化。对图案化后的第2透明转印层实施显影等处理。
本发明中的第2透明转印层优选为碱溶性树脂层，并能够通过弱碱水溶液进行显影。
第2透明转印层的折射率及厚度与后述的第2透明层相同。
第2透明转印层只要是折射率低于第1透明转印层及第3透明转印层的折射率的透明层，则没有特别限制，能够根据目的适当选择。第2透明转印层的折射率优选为1.4～1.6，更优选为1.4～1.55，进一步优选为1.45～1.55。
对第2透明转印层的厚度没有特别限制，能够根据目的适当选择。第2透明转印层的厚度优选为0.5μm(500nm)以上，更优选为0.5μm以上且小于30μm，进一步优选为0.5μm以上且小于25μm。并且，将本发明的转印材料适用于例如静电电容型输入装置即触摸传感器的情况下，从透明性的观点出发，第2透明转印层的厚度更优选为1μm～25μm，尤其优选为1μm～10μm。
第2透明转印层可以由包含聚合性单体的负型材料形成。此时，成为强度及可靠性优异的转印层。
-树脂-
第2透明转印层能够含有树脂中的至少一种。树脂能够作为粘合剂而发挥功能。第2透明转印层中包含的树脂优选为碱溶性树脂。
另外，碱溶性是指在25℃的1mol/l氢氧化钠溶液中可溶。
从显影性的观点出发，作为碱溶性树脂，例如优选为酸值为60mgKOH/g以上的树脂。并且，从与交联成分进行反应而热交联，并容易形成强固的膜的观点出发，优选为具有羧基的树脂。
从显影性及透明性的观点出发，作为碱溶性树脂，优选为丙烯酸树脂。丙烯酸树脂是指具有来自于(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸酯中的至少一种的构成单元的树脂。
作为碱溶性树脂没有特别限制，但优选为酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂。
作为酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂，只要满足上述酸值的条件，则没有特别限制，能够从公知的树脂中适当选择而使用。例如可举出日本特开2011-095716号公报的0025段中记载的聚合物中酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂、日本特开2010-237589号公报的0033～0052段中记载的聚合物中酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂等。
碱溶性树脂中的具有羧基的单体的共聚合比的优选范围相对于碱溶性树脂100质量％为5质量％～50质量％，更优选为5质量％～40质量％，进一步优选为20质量％～30质量％的范围内。
作为碱溶性树脂，优选为以下所示的聚合物。另外，以下所示的各构成单元的含有比率能够根据目的而适当变更。
[化学式1]
Figure BDA0002451868160000091
具体而言，碱溶性树脂的酸值优选为60mgKOH/g～200mgKOH/g，更优选为60mgKOH/g～150mgKOH/g，进一步优选为60mgKOH/g～110mgKOH/g。
本说明书中，树脂的酸值为利用JIS K0070(1992)中规定的滴定方法而测定的值。
第2透明转印层及后述的第1透明转印层均含有丙烯酸树脂的情况下，能够提高第2透明转印层与第1透明转印层之间的层间密合性。
碱溶性树脂的重均分子量优选为5,000以上，更优选为10,000以上。碱溶性树脂的重均分子量的上限值没有特别限制，也可以设为100,000。
重均分子量是指通过凝胶渗透色谱法(GPC)测定的值。以下也相同。
关于基于GPC的测定，作为测定装置，使用HLC(注册商标)-8020GPC(TOSOHCORPORATION)，作为管柱，使用3根TSKgel(注册商标)Super Multipore HZ-H(4.6mmID×15cm、TOSOH CORPORATION制造)，作为洗脱液，使用四氢呋喃。并且，作为测定条件，将试样浓度设为0.45质量％、将流速设为0.35mL/min、将样品注入量设为10μL及将测定温度设为40℃，并使用示差折射率(RI)检测器来进行。
校准曲线根据TOSOH CORPORATION“标准试样TSK standard,polystyrene”：“F-40”、“F-20”、“F-4”、“F-1”、“A-5000”、“A-2500”、“A-1000”及“正丙苯”这8个样品而制作。
从固化前的膜的操作性、固化后的第2透明转印层的硬度的观点出发，树脂的含量相对于第2透明转印层的总质量优选为10质量％～80质量％的范围，更优选为40质量％～60质量％的范围。若树脂的含量为80质量％以下，则单体量不会变得过少而良好地维持固化膜的交联密度，成为硬度优异的膜。并且，若树脂的含量为10质量％以上，则固化前的膜不会变得过于柔软，在中途的操作性这一点上有利。
-聚合性单体-
本发明中的第2透明转印层可以含有聚合性单体。
作为聚合性单体，优选为包含具有乙烯性不饱和基团的聚合性单体，更优选为包含具有乙烯性不饱和基团的光聚合性化合物。聚合性单体优选为具有至少1个乙烯性不饱和基团作为光聚合性基团，除了具有乙烯性不饱和基团以外，还可以具有环氧基等阳离子聚合性基团。作为第2透明转印层中所包含的聚合性单体，优选为具有(甲基)丙烯酰基的化合物。
第2透明转印层优选为包含具有两个乙烯性不饱和基团的化合物及具有至少三个乙烯性不饱和基团的化合物作为聚合性单体，更优选为包含具有两个(甲基)丙烯酰基的化合物及具有至少三个(甲基)丙烯酰基的化合物。
并且，从上述树脂中的羧基和聚合性单体的羧基形成羧酸酐而能够提高湿热耐性的观点出发，优选为聚合性单体的至少1种含有羧基。
作为含有羧基的聚合性单体，并无特别限定，能够使用市售的化合物。作为市售品，例如可优选地举出ARONIX TO-2349(TOAGOSEI CO.,LTD.)、ARONIX M-520(TOAGOSEICO.,LTD.)、ARONIX M-510(TOAGOSEI CO.,LTD.)等。包含含有羧基的聚合性单体的情况下的含量相对于第2透明转印层中包含的所有聚合性单体，优选为在1质量％～50质量％的范围含有，更优选为在1质量％～30质量％的范围含有，进一步优选为在5质量％～15质量％的范围含有。
聚合性单体优选为包含(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯化合物。
包含(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯化合物的情况下的含量相对于第2透明转印层中所包含的所有聚合性单体优选为10质量％以上，更优选为20质量％以上。(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯化合物中，光聚合性基团的官能团数量即(甲基)丙烯酰基的数量优选为3官能以上，更优选为4官能以上。
具有2官能的乙烯性不饱和基团的聚合性单体只要是在分子内具有两个乙烯性不饱和基团的化合物，则并无特别限定，能够使用市售的(甲基)丙烯酸酯化合物。作为市售品，例如可优选举出三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(A-DCP SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.)、三环癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯(DCP SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.)、1,9-壬二醇二丙烯酸酯(A-NOD-N SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.)、1,6-已烷二醇二丙烯酸酯(A-HD-N SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.)等。
具有3官能以上的乙烯性不饱和基团的聚合性单体只要是在分子内具有三个以上乙烯性不饱和基团的化合物，则并无特别限定，例如能够使用二季戊四醇(三/四/五/六)丙烯酸酯、季戊四醇(三/四)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、异三聚氰酸丙烯酸酯、甘油三丙烯酸酯等骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物。
聚合性单体的分子量优选为200～3,000，更优选为250～2,600，尤其优选为280～2,200。
聚合性单体可以仅使用1种，也可以使用2种以上。从能够控制第2透明转印层的膜物性的观点出发，优选为使用2种以上的聚合性单体。
其中，从改善将转印后的第2透明转印层曝光之后的膜物性的观点出发，第2透明转印层中含有的聚合性单体优选为组合使用3官能以上的聚合性单体和2官能的聚合性单体。
使用2官能的聚合性单体的情况下，相对于第2透明转印层中包含的所有的聚合性单体，优选为在10质量％～90质量％的范围使用，更优选为在20质量％～85质量％的范围使用，进一步优选为在30质量％～80质量％的范围使用。
使用3官能以上的聚合性单体的情况下，相对于第2透明转印层中包含的所有的聚合性单体，优选为在10质量％～90质量％的范围使用，更优选为在15质量％～80质量％的范围使用，进一步优选为在20质量％～70质量％的范围使用。
第2透明转印层中除了含有树脂及聚合性单体以外，进一步还能够根据目的含有各种成分。
作为任意成分，可举出聚合引发剂、通过加热能够与酸进行反应的化合物等。
-聚合引发剂-
第2透明转印层优选为包含聚合引发剂，更优选为包含光聚合引发剂。第2透明转印层除了包含树脂、聚合性单体以外，还包含聚合引发剂，由此容易在第2透明转印层形成图案。
作为聚合引发剂，可举出日本特开2011-095716号公报中记载的0031～0042段中记载的光聚合引发剂。
作为光聚合引发剂，例如除了1,2-辛二酮、1-[4-(苯硫基)-,2-(邻苯甲酰肟)](产品名：IRGACURE OXE-01、BASF公司)的外，还可优选举出乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(邻乙酰基肟)(产品名：IRGACURE OXE-02、BASF公司)、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)丁酮(产品名：Irgacure 379、BASF公司)、2-(二甲基氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮(产品名：IRGACURE 379EG、BASF公司)、2-甲基-1-(4-甲基苯硫基)-2-吗啉代丙烷-1-酮(产品名：IRGACURE 907、BASF公司)、KAYACURE DETX-S(Nippon Kayaku Co.,Ltd.)等。
第2透明转印层包含聚合引发剂时的聚合引发剂相对于第2透明转印层的固体成分的含量优选为0.01质量％以上，更优选为0.1质量％以上。并且，聚合引发剂的含量优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下。通过聚合引发剂的含量在上述范围，在能够更加改善转印材料中的图案形成性、与被转印体的密合性。
为了调整固化灵敏度，本发明中的第2透明转印层还能够包含选自增感剂及聚合抑制剂的至少1种。
-增感剤-
本发明中的第2透明转印层能够包含增感剤。
增感剤具有更加提高第2透明转印层中包含的敏化色素、聚合引发剂等的针对活性放射线的灵敏度的作用，或者抑制因氧引起的聚合性化合物的聚合抑制的作用等。
作为本发明中的增感剤的例，可举出硫醇及硫化物化合物，例如日本特开昭53-000702号公报、日本特公昭55-500806号公报、日本特开平5-142772号公报中记载的硫醇化合物、日本特开昭56-075643号公报的二硫化物化合物等。更具体而言，可举出2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并
Figure BDA0002451868160000131
唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基-4(3H)-喹唑啉、β-巯基萘基等。
作为本发明中的增感剤的另一例，N-苯基甘胺酸等氨基氧化合物、日本特公昭48-042965号公报中记载的有机金属化合物(例如，三丁基锡乙酸酯等)、日本特公昭55-034414号公报中记载的氢供体、日本特开平6-308727号公报中记载的硫化合物(例如，三噻烷等)等。
从因聚合成长速度和链转移的平衡引起而固化速度更加提高这一观点出发，本发明中的第2透明转印层包含增感剤时的增感剤的含量相对于第2透明转印层的总固体成分量优选为在0.01质量％～30质量％的范围，更优选为在0.05质量％～10质量％的范围。
本发明中的第2透明转印层包含增感剤时，可以仅包含1种增感剤，也可以包含2种以上。
-聚合抑制剂-
本发明中的第2透明转印层能够包含聚合抑制剂。
聚合抑制剂具有在制造过程中或保存过程中阻止聚合性单体的不期望的聚合的功能。
对本发明的聚合抑制剂没有特别限制，能够根据目的使用公知的聚合抑制剂。作为公知的聚合抑制剂，例如可举出氢醌、对甲氧苯酚、二-三级丁基-对甲酚、五倍子酚、三级丁基儿茶酚、苯醌、4,4’-硫代双(3-甲基-6-三级丁苯酚)、2,2’-亚甲基双(4-甲基-6-三级丁苯酚)、N-亚硝基苯基羟基胺第一铈盐、吩噻嗪、啡
Figure BDA0002451868160000132
嗪等。
本发明中的第2透明转印层包含聚合抑制剂时的聚合抑制剂的添加量相对于第2透明转印层的总固体成分优选为0.01质量％～20质量％。
本发明中的第2透明转印层包含聚合抑制剂时，聚合抑制剂可以仅包含1种，也可以包含2种以上。
-通过加热能够与酸进行反应的化合物-
本发明中的第2透明转印层可以含有通过加热能够与酸进行反应的化合物。
通过加热能够与酸进行反应的化合物优选为反应性相较于与25℃下的酸的反应性，与超过25℃进行加热之后的酸的反应性高的化合物。通过加热能够与酸进行反应的化合物优选为具有能够与因封闭剂而暂时不活性化的酸进行反应的基团，在规定的解离温度下来自于封闭剂的基团解离的化合物。
通过加热能够与酸进行反应的化合物能够举出羧氧化合物、醇化合物、胺化合物、封端异氰酸酯化合物、环氧化合物等，优选为封端异氰酸酯化合物。
作为用于转印材料的封端异氰酸酯化合物，能够举出市售的封端异氰酸酯。例如能够举出异佛尔酮二异氰酸酯的甲基乙基酮肟封端化体即Takenate(注册商标)B870N(Mitsui Chemicals,Inc.)、六亚甲基二异氰酸酯系封端异氰酸酯化合物即Duranate(注册商标)MF-K60B、TPA-B80E、X3071.04(均为ASAHIKASEI CHEMICALS.CORPORATION.)、AOI-BM(Showa Denko CO.,Ltd.)等。
第2透明转印层所包含的封端异氰酸酯化合物的重均分子量优选为200～3,000，更优选为250～2,600，尤其优选为280～2,200。
从转印后的加热工序前的操作性、加热工序后的低透湿性的观点出发，封端异氰酸酯化合物的含量相对于第2透明转印层的总固体成分量优选为1质量％～30质量％的范围，更优选为5质量％～20质量％的范围。
-粒子-
从折射率及透明性的观点出发，第2透明转印层优选为包含粒子，更优选为包含金属氧化物粒子。通过包含粒子，能够调节折射率及透光性。
作为金属氧化物粒子的种类，能够使用公知的金属氧化物粒子，而没有特别限制。具体而言，能够在第1透明转印层中使用能够用于后述的第1透明转印层的金属氧化物粒子。其中，关于第2透明转印层，从将转印层的折射率抑制成低于1.6的观点出发，金属氧化物粒子优选为氧化锆粒子或二氧化硅粒子，更优选为二氧化硅粒子。
-添加剂-
作为第2透明转印层中包含的另一添加剂，例如可举出日本专利第4502784号公报的0017段、日本特开2009-237362号公报的0060～0071段中记载的表面活性剂、公知的氟系表面活性剂、日本专利第4502784号公报的0018段中记载的热聚合抑制剂，在日本特开2000-310706号公报的0058～0071段中记载的其他添加剂。
作为优选地用于第2透明转印层中的添加剂，可举出公知的氟系表面活性剂即MEGAFACE(注册商标)F551(DIC Corporation)。并且，第2透明转印层优选为包含金属氧化抑制剂。
金属氧化抑制剂优选为具有在分子内包含氮原子的芳香环的化合物。作为上述包含氮原子的芳香环，优选为选自包括咪唑环、三唑环、四唑环、噻二唑环及该等与其他芳香环的缩合环的群组中的至少一个环，更优选为包含氮原子的芳香环为咪唑环或咪唑环与其他芳香环的缩合环。作为其他芳香环，可以是单环，也可以是杂环，但优选为单环，更优选为苯环或萘环，进一步优选为苯环。
优选的金属氧化抑制剂可例示出咪唑、苯并咪唑、四唑、巯基噻二唑、1,2,4-三唑及苯并三唑，更优选为咪唑、苯并咪唑、1,2,4-三唑及苯并三唑。作为金属氧化抑制剂，可以使用市售品，例如可优选列举包含苯并三唑的JOHOKU CHEMICAL CO.,LTD.制的BT120等。
第2透明转印层能够涂布溶液(称为第2透明转印层形成用涂布液)并使其干燥而形成，该溶液为将用于形成至少包含聚合性单体及树脂的第2透明转印层的树脂组合物溶解于溶剂而成的溶液。
第2透明转印层形成用涂布液能够包含溶剂。作为溶剂，例如可举出1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、甲基乙基酮、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇、异丁醇等。
(第1透明转印层)
第1透明转印层是配置于与第2透明转印层的具有临时支承体及后述第3透明转印层的一侧相反的一侧的面(另一面)并具有折射率比第2透明转印层的折射率高的透明性的层。第1透明转印层在如后述那样制作触摸传感器的情况下，能够形成转印后的第1透明层。
例如，如图1所示，本发明的转印材料可以为如下方式：在第2透明转印层23的、具有临时支承体10及后述第3透明转印层25的一侧相反的一侧的面(另一面)配置有第1透明转印层21。
第1透明转印层可以是包含金属氧化物粒子及树脂的层，也可以是通过赋予能量而固化的层。第1透明转印层可以是光固化性层，也可以是热固化性层，还可以是热固化性且光固化性层。其中，若为热固化性且光固化性的层，则能够容易制膜。
第1透明转印层由负型材料形成的情况下，第1透明转印层优选为除了包含金属氧化物粒子、树脂(优选为碱溶性树脂)以外，还包含聚合性单体及聚合引发剂，根据需要也可以包含其他添加剂。
第1透明转印层的折射率及厚度与后述的第1透明层相同。
第1透明转印层的折射率优选为1.6以上，更优选为1.6～1.9，进一步优选为1.65～1.8。
第1透明转印层的厚度优选为0.5μm以下，更优选为0.3μm(300nm)以下，进一步优选为20nm～300nm，进一步优选为30nm～200nm，尤其优选为30nm～100nm。
作为控制第1透明转印层的折射率的方法，可举出单独使用所期望的折射率的透明树脂层的方法、使用添加了金属粒子或金属氧化物粒子等粒子的透明树脂层的方法、使用金属盐和高分子的复合体的方法等，而没有特别限制。
-树脂-
第1透明转印层优选为包含树脂。
树脂可以具有作为粘合剂的功能。作为树脂，优选为碱溶性树脂。关于碱溶性树脂的详细内容，与第2透明转印层中的碱溶性树脂的含义相同。
其中，更优选为具有来自于(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸酯中的至少一种的构成单元的树脂((甲基)丙烯酸树脂)，更优选为具有来自于(甲基)丙烯酸的构成单元及来自于烯丙基(甲基)丙烯酸酯的构成单元的(甲基)丙烯酸树脂。并且，第1透明转印层中，能够举出具有酸基的树脂的铵盐作为优选的树脂的例。
第1透明转印层形成用组合物可以包含具有酸基的单体的铵盐作为固化成分。
-具有酸基的树脂的铵盐-
作为具有酸基的树脂的铵盐，没有特别限制，可优选举出(甲基)丙烯酸树脂的铵盐。
制备第1透明转印层形成用组合物时，优选为包括制备第1透明转印层形成用涂布液的工序，该第1透明转印层形成用涂布液包含将具有酸基的树脂溶解于氨水溶液，酸基的至少一部分铵盐化的树脂。
--具有酸基的树脂--
具有酸基的树脂为对于水性溶剂(优选为水或碳原子数1～3的低级醇与水的混合溶剂)具有溶解性的树脂，能够从公知的树脂中适当选择，没有特别限制。作为具有酸基的树脂的优选的例，可举出具有1价的酸基(羧基等)的树脂。第1透明转印层中包含的树脂尤其优选为具有羧基的树脂。
作为具有酸基的树脂，优选为碱溶性树脂。
碱溶性树脂能够从线状有机高分子聚合物且在分子中具有至少1个促进碱溶性的基团的聚合物中适当选择。作为促进碱溶性的基团，即酸基，例如可举出羧基、磷酸基、磺酸基等，优选为羧基。
作为碱溶性树脂，可优选举出在主链包含选自(甲基)丙烯酸及苯乙烯中的构成单元的共聚物。关于碱溶性树脂，可以更优选举出溶解于有机溶剂且能够通过弱碱水溶液而显影的树脂。
并且，作为具有酸基的树脂，优选为具有酸基的(甲基)丙烯酸树脂，更优选为(甲基)丙烯酸/乙烯化合物的共聚树脂，尤其优选为(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸烯丙酯的共聚树脂。
其中，第1透明转印层作为树脂优选为包含具有来自于(甲基)丙烯酸的构成单元及来自于苯乙烯的构成单元的共聚物，更优选为包含具有来自于(甲基)丙烯酸的构成单元、来自于苯乙烯的构成单元及具有乙烯氧基链的来自于(甲基)丙烯酸酯的构成单元的共聚物。
用于第1透明转印层的树脂包含具有来自于(甲基)丙烯酸的构成单元及来自于苯乙烯的构成单元的共聚物，还包含具有来自于(甲基)丙烯酸的构成单元、来自于苯乙烯的构成单元及具有乙烯氧基链的来自于(甲基)丙烯酸酯的构成单元的共聚物，由此形成第1透明转印层时的膜厚均匀性变得更加良好。
具有酸基的树脂可以使用市售品。具有酸基的树脂的市售品，能够根据目的适当选择，没有特别限制。作为具有酸基的树脂的市售品，例如可举出TOAG OSEI CO.,LTD.制造的ARUFON(ARUFON：注册商标)UC3000、UC3510、UC3080、UC3920、UF5041(以上，产品名)，BASF公司制造的JONCRYL(注册商标)67、JONCRYL611、JONCRYL678、JONCRYL690、JONCRYL819(以上，产品名)等。
具有酸基的树脂相对于第1透明转印层的总质量，优选为包含10质量％～80质量％，更优选为包含15质量％～65质量％，进一步优选为包含20质量％～50质量％。
-其他树脂-
第1透明转印层还可以包含不具有酸基的其他树脂。对不具有酸基的其他树脂没有特别限制。
-金属氧化物粒子-
第1透明转印层优选为包含金属氧化物粒子。通过包含金属氧化物粒子，能够调节折射率及透光性。
根据所使用的树脂、聚合性单体的种类及含量、所使用的金属氧化物粒子的种类等，能够使第1透明转印层以任意比例包含金属氧化物粒子。
作为金属氧化物粒子的种类，能够使用公知的金属氧化物粒子，而没有特别限制。从透明性的观点及在第1透明转印层的折射率的范围控制折射率的观点出发，第1透明转印层优选为含有氧化锆粒子(ZrO2粒子)、Nb2O5粒子、氧化钛粒子(TiO2粒子)及二氧化硅粒子(SiO2粒子)中的至少1个。其中，从容易将转印层的折射率调整为1.6以上的观点出发，第1透明转印层中的金属氧化物粒子更优选为氧化锆粒子或氧化钛粒子，进一步优选为氧化锆粒子。
作为二氧化硅粒子，例如可举出胶体二氧化硅、烟雾状二氧化硅等，作为上市的市售品的例，可举出Nissan Chemical Industries,LTD.制的SNOWTEX ST-N(胶体二氧化硅；不挥发量20％)、SNOWTEX ST-C(胶体二氧化硅；不挥发量20％)等。
作为氧化锆粒子的例，可举出Nissan Chemical Industries,LTD.制的NanoUseOZ-S30M(甲醇分散液、不挥发量30.5质量％)、Sakai Chemical Industry Co.,Ltd.制的SZR-CW(水分散液、不挥发量30质量％)、SZR-M(甲醇分散液、不挥发量30质量％)等。
作为氧化钛粒子的例，可举出TAYCA CO.,Ltd.制的TS-020(水分散液、不挥发量25.6质量％)、Nissan Chemical Industries,LTD.制二氧化钛溶胶R(甲醇分散液、不挥发量32.1质量％)等。
当使用氧化锆粒子作为金属氧化物粒子时，从电极图案等被隐蔽物的隐蔽性良好并能够有效地被隐蔽物的可见性得到改善的观点出发，氧化锆粒子的含量相对于第1透明转印层的总固体成分质量，优选为1质量％～95质量％，更优选为20质量％～90质量％，进一步优选为40质量％～85质量％。
当使用氧化钛作为金属氧化物粒子时，从电极图案等被隐蔽物的隐蔽性良好并能够有效地被隐蔽物的可见性得到改善的观点出发，氧化钛粒子的含量相对于第1透明转印层的总固体成分质量，优选为1质量％～95质量％，更优选为20质量％～90质量％，进一步优选为40质量％～85质量％。
金属氧化物粒子的折射率优选为高于由从第1透明转印层形成用涂布液除去了金属氧化物粒子的组合物形成的透明膜的折射率。
具体而言，转印材料的第1透明转印层优选为含有折射率为1.5以上的金属氧化物粒子，更优选为含有折射率为1.55以上的粒子，进一步优选为含有折射率为1.7以上的粒子，尤其优选为含有折射率为1.9以上的粒子，最优选为含有折射率为2.0以上的粒子。
在此，折射率为1.5以上是指波长550nm的光中的平均折射率为1.5以上。另外，平均折射率是相对于波长550nm的光的折射率的测定值的总和除以测定点的数而得的值。
从雾度等光学性能的观点出发，金属氧化物粒子的平均一次粒径优选为100nm以下，更优选为50nm以下，进一步优选为20nm以下。
金属氧化物粒子的平均一次粒径为通过使用透射型电子显微镜(TEM)的观测而测定任意100个粒子的直径，并通过100个直径的算数平均而求得的值。
第1透明转印层可以单独包含1种金属氧化物粒子，也可以包含2种以上的金属氧化物粒子。
金属氧化物粒子的第1透明转印层中的含量与金属氧化物粒子的种类无关，相对于第1透明转印层的总固体成分质量优选为1质量％～95质量％，更优选为20质量％～90质量％，进一步优选为40质量％～85质量％。金属氧化物粒子的含量在已叙述的范围内，由此更加提高转印后的透明电极图案的隐蔽性。
第1透明转印层除了包含树脂及金属氧化物粒子以外，还能够包含其他成分。
-金属氧化抑制剂-
第1透明转印层优选为包含金属氧化抑制剂。
作为金属氧化抑制剂，优选为具有在分子内包含氮原子的芳香环的化合物。
并且，作为金属氧化抑制剂，优选为上述包含氮原子的芳香环为选自包括咪唑环、三唑环、四唑环、噻二唑环及该等与其他芳香环的缩合环的群组中的至少一个环，更优选为包含上述氮原子的芳香环为咪唑环或咪唑环与其他芳香环的缩合环。
作为上述其他芳香环，可以是单环，也可以是杂环，但优选为单环，更优选为苯环或萘环，进一步优选为苯环。
作为优选的金属氧化抑制剂，优选例示出咪唑、苯并咪唑、四唑、巯基噻二唑及苯并三唑，更优选为咪唑、苯并咪唑及苯并三唑。作为金属氧化抑制剂，可以使用市售品，例如能够优选使用包含苯并三唑的JOHOKU CHEMICAL CO.,LTD.、BT120等。
并且，金属氧化抑制剂的含量相对于第1透明转印层的总质量，优选为0.1质量％～20质量％，更优选为0.5质量％～10质量％，进一步优选为1质量％～5质量％。
-聚合性单体-
关于第1透明转印层，从使其固化而提高膜的强度等的观点出发，优选为包含聚合性单体或热聚合性单体等聚合性单体。作为聚合性单体，优选为乙烯性不饱和化合物，更优选为(甲基)丙烯酸酯化合物及(甲基)丙烯酰胺化合物。第1透明转印层可以仅包含前述具有酸基的单体作为聚合性单体。
作为用于第1透明转印层的聚合性单体，能够使用日本专利第4098550号的0023～0024段中记载的聚合性化合物。其中，能够优选使用季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇环氧乙烷加成物的四丙烯酸酯。可以单独使用这些聚合性单体，也可以组合多个而使用。使用季戊四醇四丙烯酸酯与季戊四醇三丙烯酸酯的混合物时，季戊四醇三丙烯酸酯比率以质量比计优选为0％～80％以下，更优选为10％～60％。
作为用于第1透明转印层的聚合性单体，能够举出由下述结构式1表示的水溶性的聚合性单体、季戊四醇四丙烯酸酯混合物(NK ESTER A-TMMT：SHIN-NAKAMURA CHEMICALCO.,LTD.、含有约10％的三丙烯酸酯作为杂质)、季戊四醇四丙烯酸酯与三丙烯酸酯的混合物(NK ESTER A-TMM3LM-N SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.、三丙烯酸酯37％)、季戊四醇四丙烯酸酯与三丙烯酸酯的混合物(NK ESTER A-TMM-3L SHIN-NAKAMURA CHEMICALCO.,LTD.、三丙烯酸酯55％)、季戊四醇四丙烯酸酯与三丙烯酸酯的混合物(NK ESTER A-TMM3SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.、三丙烯酸酯57％)、季戊四醇环氧乙烷加成物的四丙烯酸酯(KAYARAD RP-1040Nippon Kayaku Co.,Ltd.)等。
[化学式2]
Figure BDA0002451868160000211
作为用于第1透明转印层的其他聚合性单体，优选为对于水或碳原子数1～3的低级醇与水的混合溶剂等水性溶剂具有溶解性的聚合性单体、具有酸基的单体。对于水性溶剂具有溶解性的聚合性单体，可举出具有羟基的单体、在分子内具有环氧乙烷或聚环氧丙烷及磷酸基的单体。作为具有酸基的单体，优选为含有羧基的聚合性单体，能够更优选使用(甲基)丙烯酸或其衍生体等的丙烯酸单体，其中，尤其优选为ARONIX TO-2349(TOAGOSEICO.,LTD.)。
-聚合引发剂-
第1透明转印层能够包含聚合引发剂。
作为用于第1透明转印层的聚合引发剂，优选为对于水性溶剂具有溶解性的聚合引发剂。作为对于水性溶剂具有溶解性的聚合引发剂，可举出IRGACURE2959、下述结构式2的光聚合引发剂等。
[化学式3]
Figure BDA0002451868160000221
以上，以转印材料为负型材料的情况为中心进行了说明，但转印材料也可以是正型材料。转印材料为正型材料的情况下，前述的第1透明转印层中例如可以使用日本特开2005-221726号公报中记载的材料等，但并不限于已叙述的材料。
第1透明转印层能够涂布溶液(称为第1透明转印层形成用涂布液)并使其干燥而形成，该溶液为将用于形成至少包含聚合性单体及树脂的第1透明转印层的树脂组合物溶解于溶剂而成的溶液。
第1透明转印层形成用涂布液能够包含溶剂。作为溶剂，例如可举出水、甲醇、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇、异丁醇等。
(第3透明转印层)
第3透明转印层是在临时支承体与第2透明转印层之间配置于第2透明转印层的与具有第1透明转印层的一侧相反的一侧的表面(一个面)并具有折射率比第2透明转印层的折射率高的透明性的层。第3透明转印层如后述那样制作触摸传感器的情况下，能够形成转印后的第3透明层。
如图1所示，本发明的转印材料例如也可以为在临时支承体10与第2透明转印层23之间在第2透明转印层23的一个面配置有第3透明转印层25的方式。
第3透明转印层的折射率及厚度与后述的第3透明层相同。
具体而言，第3透明转印层的折射率优选为1.6以上，更优选为1.6～1.9，进一步优选为1.65～1.8。
第3透明转印层的厚度优选为0.5μm以下，更优选为0.3μm(300nm)以下，进一步优选为20nm～300nm，进一步优选为30nm～200nm，尤其优选为30nm～100nm。
第3透明转印层能够以与用于转印形成已叙述的第1透明层的第1透明转印层相同的方式形成。
第3透明转印层中所使用的成分能够使用与能够用于第1透明转印层的成分相同的成分。第3透明转印层优选为包含金属氧化物粒子。通过包含金属氧化物粒子，能够调节折射率及透光性。
关于金属氧化物粒子，含义与第1透明转印层中的金属氧化物粒子相同，优选的方式也相同。作为金属氧化物粒子的种类，能够使用公知的金属氧化物粒子，而没有特别限制。从透明性的观点及在第1透明转印层的折射率的范围控制折射率的观点出发，第1透明转印层优选为含有氧化锆粒子(ZrO2粒子)、Nb2O5粒子、氧化钛粒子(TiO2粒子)及二氧化硅粒子(SiO2粒子)中的至少1个。其中，从容易将转印层的折射率调整为1.6以上的观点出发，第1透明转印层中的金属氧化物粒子更优选为氧化锆粒子或氧化钛粒子，进一步优选为氧化锆粒子。
作为二氧化硅粒子，例如可举出胶体二氧化硅、烟雾状二氧化硅等，作为上市的市售品的例，可举出Nissan Chemical Industries,LTD.制的SNOWTEX ST-N(胶体二氧化硅；不挥发量20％)、SNOWTEX ST-C(胶体二氧化硅；不挥发量20％)等。
第3透明转印层能够涂布溶液(称为第3透明转印层形成用涂布液)并使其干燥而形成，该溶液为将用于形成至少包含聚合性单体及树脂的第3透明转印层的树脂组合物溶解于溶剂而成的溶液。
第3透明转印层形成用涂布液能够包含溶剂。作为溶剂，例如可举出水、甲醇、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、甲基乙基酮、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇、异丁醇等。
(第4透明转印层)
从更加提高电极图案的隐蔽性的观点出发，本发明的转印材料优选为除了上述第1透明转印层、第2透明转印层及第3透明转印层以外，进一步在第1透明转印层的与第2透明转印层接触的一侧相反的一侧具有折射率低于第1透明转印层的折射率的第4透明转印层。
如图2所示，本发明的转印材料例如也可以为进一步在第1透明转印层21的与第2透明转印层23接触的一侧相反的一侧配置有折射率低于第1透明转印层21的折射率的第4透明转印层27的方式。
第4透明转印层如后述那样制作触摸传感器的情况下，能够形成转印后的第4透明层。
第4透明转印层的折射率及厚度与后述的第4透明层相同。
具体而言，第4透明转印层的折射率优选为小于第1透明层的折射率，优选为折射率小于1.6。其中，从更加有效地改善结构物的可见性的观点出发，优选为1.2以上且小于1.6，更优选为1.3～1.5，进一步优选为1.4～1.5。
并且，第4透明转印层的厚度优选为300nm以下，更优选为200nm以下，进一步优选为10nm～100nm，尤其优选为10nm～50nm。
上述的中，第4透明转印层优选为折射率是1.3～1.5且厚度是10nm～50nm的情况。
第4透明转印层能够以与用于转印形成已叙述的第1透明层的第1透明转印层相同的方式形成。
第4透明转印层中所使用的成分能够使用与能够用于第1透明转印层的成分相同的成分。第4透明转印层中所包含的粒子优选为赋予低折射率的粒子，优选为折射率小于1.6的无机氧化物粒子，进一步优选为SiO2粒子等。
(第5透明转印层)
从更加提高电极图案的隐蔽性的观点出发，本发明的转印材料优选为除了上述第1透明转印层、第2透明转印层及第3透明转印层以外，还在第3透明转印层的与第2透明转印层接触的一侧相反的一侧即临时支承体与第3透明转印层之间具有折射率低于第3透明转印层的折射率的第5透明转印层。
如图2所示，本发明的转印材料例如以可以为在临时支承体10与第3透明转印层25之间配置有折射率低于第3透明转印层25的折射率的第5透明转印层29的方式。
第5透明转印层如后述那样制作触摸传感器的情况下，能够形成转印后的第5透明层。
第5透明转印层的折射率及厚度与后述的第5透明层相同。
具体而言，第5透明转印层的折射率优选为小于第3透明层的折射率，进一步更优选为小于1.6。第5透明转印层的折射率比第1透明转印层的折射率低，由此尤其能够提高第2电极图案的隐蔽性，从而更加改善电极图案的可见性。作为第5透明转印层的折射率，优选为1.2以上且小于1.6，更优选为1.3～1.5，进一步优选为1.4～1.5。
并且，作为第5透明转印层的厚度，优选为300nm以下，更优选为200nm以下，进一步优选为10nm～100nm，尤其优选为10nm～50nm。
上述的中，第5透明转印层优选为折射率是1.3～1.5且厚度是10nm～50nm的情况。
第5透明转印层能够以与用于转印形成已叙述的第1透明层的第1透明转印层相同的方式形成。第5透明转印层中所包含的粒子优选为赋予低折射率的粒子，更优选为折射率小于1.6的无机氧化物粒子，进一步优选为SiO2粒子等。
从更加提高电极图案的隐蔽性的观点出发，本发明的转印材料优选为除了上述第1透明转印层、第2透明转印层及第3透明转印层以外，还在第1透明转印层的与第2透明转印层接触的一侧相反的一侧具有折射率低于第1透明转印层的折射率的第4透明转印层，并且在第3透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧具有折射率低于第3透明转印层的折射率的第5透明转印层的方式。
另外，从更加提高电极图案的隐蔽性的观点出发，优选为第1透明转印层的折射率是1.65～1.8且厚度是30nm～200nm，第2透明转印层的折射率是1.4～1.55且厚度是1μm～10μm，第3透明转印层的折射率是1.65～1.8且厚度是30nm～200nm，第4透明转印层的折射率是1.3～1.5且厚度是10nm～100nm，第5透明转印层的折射率是1.3～1.5且厚度是10nm～100nm的情况。
转印材料除了已叙述的各种透明转印层以外，在不损害效果的范围内，也可以具有热塑性树脂层、中间层、保护薄膜等其他任意的层。
＜触摸传感器＞
本发明的触摸传感器是具有在基材的单侧隔着透明层配置有沿一方向延伸的电极及沿另一方向延伸的电极的结构的触摸传感器，作为透明层，至少具备第1透明层、第2透明层及第3透明层。作为电极，优选为使用了ITO(Indium TinOxide，铟锡氧化物)等金属氧化物的透明电极。
具体而言，层叠地具有：具有基材及图案状的第1电极(以下，也称为第1电极图案。)的基板；图案状的第2电极(以下，也称为第2电极图案。)；配置于第1电极与第2电极之间且厚度是0.5μm以上且小于25μm的第2透明层；配置于第1电极与第2透明层之间(优选为第1电极与第2透明层之间的第2透明层的表面)并且折射率高于第2透明层的折射率的第1透明层；及配置于第2电极与第2透明层之间(优选为第2电极与第2透明层之间的第2透明层的表面)并且折射率高于第2透明层的折射率的第3透明层。即，本发明的触摸传感器成为第2电极/第3透明层/第2透明层/第1透明层/基板(＝第1电极/基材)的层叠结构。
从以往，已知具有在基材的单侧隔着透明层配置沿一方向延伸的电极及沿另一方向延伸的电极的结构的触摸传感器。然而，在具备触摸传感器的触摸面板画面中，使用时可以视觉辨认电极的图案成为课题。
已叙述的以往技术中，作为回避电极图案的可见性的技术，例如在专利文献2中，提出有在第一固化性透明树脂层的单侧配置有折射率高于第一固化性透明树脂层的折射率的第二固化性透明树脂层的结构。然而，在该技术中，需要设置桥接配线或在传感器电极之间设置绝缘层。
并且，在专利文献3中，公开有在厚度成为25μm以上的厚的粘合层上层叠有外涂层的结构。然而，在专利文献3中记载的技术中，层叠体过厚成为课题。
鉴于上述，在本发明的触摸传感器中，如已叙述，设为图案状的第1电极与第2电极之间层叠配置厚度是0.5μm以上且小于25μm的第2透明层、配置成夹持第2透明层的折射率高于第2透明层的折射率的第1透明层及第3透明层的层叠结构，由此电极图案的隐蔽性更加提高，有效地改善电极图案的可见性。
关于本发明的触摸传感器的一实施方式，参考图3说明一例(第1实施方式)。但是，本发明的触摸传感器并不限定于图3所示的实施方式。并且，图3所示的第1实施方式中所包含的构成要件也能够适用于对第1实施方式还附加了其他构成要件的其他实施方式。
图3是表示成为无法视觉辨认电极图案的状态的触摸传感器的第1实施方式的层叠剖视图。
如图3所示，本发明的一实施方式即触摸传感器300在基材60上具备形成为图案状的第1电极(第1电极图案)51及第2电极(第2电极图案)53，隔着第1电极图案51与第2电极图案53之间从第1电极图案51侧依次层叠有第1透明层31、第2透明层33及第3透明层35。
第1电极图案51也可以配设成具有沿基板上的第1方向隔开间隔而配置的多个第1岛状电极部及电连接相邻的第1岛状电极部的第1配线部的结构。第1电极图案的图案形状根据欲要制作的触摸传感器选择即可，能够设为任意的结构。
第1岛状电极部及第1配线部优选为折射率在1.75～2.1的范围内。
对第1岛状电极部的材料没有特别限制，能够形成透明导电膜的材料即可，能够使用公知的材料。作为具体的材料，例如可举出氧化铟锡(Indium Tin Oxide：ITO)、氧化锌铝(AZO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide：IZO)等金属氧化物。
第1岛状电极部例如能够设为ITO膜、IZO膜、SiO2膜等透光性金属氧化膜；Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo、Ag、Au等金属膜；铜镍合金等多个金属的合金膜等。
第1岛状电极部的厚度能够设为10nm～200nm。
并且，也可以通过煅烧将非晶态ITO膜制成多晶ITO膜。通过ITO膜等形成导电性图案的情况下，能够参考日本专利第4506785号公报的0014～0016段等的记载。
对第1岛状电极部的形状没有特别限制，可以为正方形、长方形、菱形、台形、五边形以上的多边形等中的任一种，从容易形成细密填充结构的观点出发，优选为正方形、菱形或六边形。
第1配线部只要能够彼此电连接相邻的第1岛状电极部的构件，则并无限制。第1配线部能够适用与第1岛状电极部相同的材料，厚度也相同。并且，也可以通过煅烧将非晶态ITO膜制成多晶ITO膜。
第2电极图案配设于与配置有第3透明层的第1电极图案的一侧相反的一侧。第2电极图案可以配设成具有沿第1电极图案中的与第1方向交叉的第2方向隔着间隔而配置的多个第2岛状电极部及电连接相邻的第2岛状电极部的第2配线部的结构。第2电极图案的图案形状根据欲要制作的触摸传感器选择即可，能够设为任意结构。
第2岛状电极部及第2配线部优选为折射率在1.75～2.1的范围。
对第2岛状电极部的材料没有特别限制，能够形成透明导电膜的材料即可，能够使用公知的材料。具体的材料与第1岛状电极部的材料相同。
第2岛状电极部例如能够设为ITO膜、IZO膜、SiO2膜等透光性金属氧化膜；Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo、Ag、Au等金属膜；铜镍合金等多个金属的合金膜等。
第2岛状电极部的厚度能够设为10nm～200nm。
并且，也可以通过煅烧将非晶态ITO膜制成多晶ITO膜。通过ITO膜等形成导电性图案的情况下，能够参考日本专利第4506785号公报的0014～0016段等的记载。
并且，对第2岛状电极部的形状没有特别限制，可以为正方形、长方形、菱形、台形、五边形以上的多边形等中的任一种，从容易形成细密填充结构的观点出发，优选为正方形、菱形或六边形。
第2配线部只要是能够彼此电连接相邻的第2岛状电极部的构件，则并无限制。第2配线部能够适用与第2岛状电极部相同的材料，厚度也相同。并且，也可以通过煅烧将非晶态ITO膜制成多晶ITO膜。
其中，第2配线部优选为透明电极的情况。通过作为透明电极而配设，从而设为触摸传感器时的桥接配线的可见性更加显著地降低，外观品质的提高效果高。
本发明的触摸传感器中的第1电极图案51及第2电极图案53优选为折射率在1.75～2.1的范围。
基材60优选为透明基材，更优选为电绝缘性的基材。
基材的折射率优选为1.5～1.6，更优选为1.5～1.55。若基材的折射率在上述范围，则可得到电极图案的隐蔽作用。
作为电绝缘性的基材，例如可举出玻璃基材及PET(聚对酞酸乙二酯)薄膜、PC(聚碳酸盐)薄膜、COP(环烯烃聚合物)薄膜、PVC(聚氯乙烯)薄膜等树脂薄膜。
COP薄膜不仅光学均向性优异，而且尺寸稳定性、进而加工精度也优异，在这一点上为优选。另外，透明基材是玻璃基板的情况下，厚度可以为0.3mm～3mm。并且，基材是树脂薄膜的情况下，厚度可以为20μm～3mm。
接着，对配置于第1电极图案51与第2电极图案53之间的第1透明层、第2透明层及第3透明层进行说明。
首先，对第2透明层33进行说明。
本发明中的第2透明层33是具有厚度是0.5μm以上且小于25μm的透明性的层。第2透明层33通过折射率比第2透明层的折射率高的第1透明层31或来自与第3透明层35之间的界面的反射光的干扰作用来隐蔽电极图案的像，突破性地改善电极图案的可见性。
本发明中的第2透明层是折射率低于第1透明层及第3透明层的折射率的透明层，第2透明层的折射率优选为1.4～1.6，更优选为1.4～1.55，进一步优选为1.45～1.55。
第2透明层的厚度0.5μm以上且小于25μm。若第2透明层的厚度是0.5μm以上，则容易得到所期望的折射率。并且，第2透明层的厚度小于25μm是指第2透明层不太厚，能够提高根据目的或用途等要求出的触摸传感器的设计上的自由度。
作为第2透明层的厚度，从透明性及彼此相邻的第1透明层及第3透明层更有效地显现光的干扰作用的观点出发，更优选为0.5μm～20μm，进一步优选为1μm～10μm。
第2透明层尤其优选为折射率是1.4～1.55且厚度是1μm～10μm。
第2透明层的厚度是使用扫描型电子显微镜(SEM；Scanning ElectronMicroscope)来测定的平均厚度。具体而言，使用超薄切片机形成触摸面板的切片，并使用SEM对切片中的截面的5mm长度的区域进行扫描而测定第2透明层的厚度。接着，求出以等间隔划分的20个部位的厚度的测定值的算数平均作为平均厚度。
第2透明层的厚度只要是0.5μm以上且小于25μm的透明的层(优选为折射率是1.4～1.6)，则对材料没有特别限制。第2透明层中例如也可以使用通过溅射形成的金属氧化物层，或使用由已叙述的第2透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
关于第2透明层，优选为通过使用了转印材料的转印法，例如将已叙述的转印材料的第2透明转印层作为通过转印于后述的第1透明层上而形成的转印层而设置。若为转印层，则由于各层容易以均匀性高的厚度形成，因此可得到稳定的折射率，利用光的干扰的电极图案的隐蔽性更加优异。
并且，第2透明层可以为进行固化反应而成的层，优选为包含碱溶性树脂、聚合性单体及光聚合引发剂的组合物的固化物。作为碱溶性树脂的重均分子量，优选为35,000以下，更优选为25,000以下，进一步优选为20,000以下。
关于形成第2透明层的成分的详细内容，包括碱溶性树脂、聚合性单体及光聚合引发剂在内如已叙述的转印材料中的第2透明转印层的一项中的说明。
作为第2透明层中的来自于碱溶性树脂的成分的含量，相对于第2透明层的固体成分优选为30质量％以上。若来自于碱溶性树脂的成分的含量为30质量％以上，则在设为锥形形状这一点上为优选。作为来自于碱溶性树脂的成分的含量，相对于第2透明层的固体成分更优选为40质量％～70质量％。
接着，对第1透明层31进行说明。
本发明中的第1透明层是配置于第1电极与第2透明层之间且具有折射率高于第2透明层的折射率的高透明性的层。第1透明层31以适当的厚度配置于折射率比第1透明层的折射率低的第2透明层与第1电极(第1电极图案)51之间，通过来自层间的界面的反射光或来自层及电极的界面的反射光的干扰作用来显现电极图案的隐蔽作用。由此，改善来自电极图案的外部的可见性。
本发明中的第1透明层的折射率优选为1.6以上，更优选为1.6～1.9，进一步优选为1.65～1.8。
第1透明层的厚度优选为0.5μm以下，更优选为0.3μm(300nm)以下，进一步优选为20nm～300nm，进一步优选为30nm～200nm，尤其优选为30nm～100nm。
上述中，第1透明层优选为折射率是1.65～1.8且厚度是30nm～200nm，更优选为折射率是1.65～1.8且厚度是30nm～100nm。
第1透明层的折射率优选为比第2透明层的折射率大0.05以上，更优选为大0.1以上，进一步优选为大0.15以上。
该情况下，成为在第1透明层上层叠第2透明层的结构，从靠近第1电极图案的一侧朝向远离第1电极图案的一侧，层的折射率变低。由此，ITO等的折射率较高的电极图案难以从外部视觉辨认，能够得到外观优异的触摸传感器。
第1透明层的折射率是例如能够通过包含粒子来调整，第1透明层优选为含有金属氧化物粒子。关于金属氧化物粒子的详细内容，与已叙述的第1透明转印层中所包含的金属氧化物粒子相同，优选的方式也相同。第1透明层尤其优选为含有氧化锆粒子(ZrO2粒子)、Nb2O5粒子、氧化钛粒子(TiO2粒子)及二氧化硅粒子(SiO2粒子)中的至少一个。
另外，第1透明层的厚度是使用透射型电子显微镜(TEM；Transmission ElectronMicroscope)来测定的平均厚度。具体而言，使用超薄切片机形成触摸面板的切片，并使用TEM对切片中的截面的5mm长度的区域进行扫描而测定第2透明层的厚度。接着，求出以等间隔划分的20个部位的厚度的测定值的算数平均作为平均厚度。
第1透明层只要是折射率大于第2透明层的折射率的透明的层(优选为折射率是1.6以上且厚度小于500nm(优选为300nm以下)的透明的层)，则对材料没有特别限制。第1透明层中例如也可以使用通过真空蒸镀法或溅射法形成的金属氧化物层，或者使用由已叙述的第1透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第1透明层例如可以设为将已叙述的转印材料的第1透明转印层至少转印于第1电极图案上的转印层，也可以为进行固化反应而成的层。
关于形成第1透明层的成分的详细内容，如已叙述的转印材料中的第1透明转印层的一项中的说明。
接着，对第3透明层35进行说明。
本发明中的第3透明层35是配置于第2电极与第2透明层之间且具有折射率高于第2透明层的折射率的透明性的层。第3透明层35与第2透明层33相邻而配置，由此根据折射率比第3透明层35低的第2透明层33而得到的光的干扰作用来显现电极图案的隐蔽作用。由此，改善来自电极图案的外部的可见性。
本发明中的第3透明层的折射率优选为1.6以上，更优选为1.6～1.9，进一步优选为1.65～1.8。
第3透明层的厚度优选为0.5μm以下，更优选为0.3μm(300nm)以下，进一步优选为20nm～300nm，进一步优选为30nm～200nm，尤其优选为30nm～100nm。
上述中，第3透明层优选为折射率是1.65～1.8且厚度是30nm～200nm，更优选为折射率是1.65～1.8且厚度是30nm～100nm。
第3透明层的折射率优选为比第2透明层的折射率大0.05以上，更优选为大0.1以上，进一步优选为大0.15以上。
该情况下，成为在第2透明层上层叠第3透明层的结构，从与第2电极图案靠近的一侧朝向远离第2电极图案的一侧，层的折射率变低。由此，ITO等的折射率较高的电极图案难以从外部视觉辨认，能够得到外观优异的触摸传感器。
第3透明层的折射率例如能够通过包含粒子来调整，第3透明层优选为含有金属氧化物粒子。关于金属氧化物粒子的详细内容，与已叙述的第1透明转印层中所包含的金属氧化物粒子相同，优选的方式也相同。第1透明层尤其优选为含有氧化锆粒子(ZrO2粒子)、Nb2O5粒子、氧化钛粒子(TiO2粒子)及二氧化硅粒子(SiO2粒子)中的至少一种。
另外，第3透明层的厚度是使用透射型电子显微镜(TEM)来测定的平均厚度，能够与上述第1透明层中的情况相同的方式进行测定。
第3透明层只要是折射率大于第2透明层的折射率的透明的层(优选为折射率是1.6以上且厚度小于500nm(优选为300nm以下)的透明的层)，则对材料没有特别限制。第3透明层中例如也可以使用通过真空蒸镀法或溅射法而形成的金属氧化物层，或使用由已叙述的第1透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第3透明层例如可以为通过将已叙述的转印材料的第3透明转印层转印于第2透明层上而形成的转印层，也可以为进行固化反应而成的层。
形成第3透明层的成分的详细内容如已叙述的转印材料中的第3透明转印层的一项中的说明。
～第2实施方式～
本发明的触摸传感器的另一实施方式可以为具有图4所示的结构的第2实施方式。关于第2实施方式，参考图4进行说明。另外，第2实施方式的触摸传感器中，对与第1实施方式的触摸传感器相同的构成要件附加相同元件符号，省略附加相同元件符号的构成要件的说明。
即，本发明的触摸传感器优选为在第1透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧具有折射率低于第1透明层的折射率的第4透明层，并且在第3透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧具有折射率低于第3透明层的折射率的第5透明层。
通过配设第4透明层及第5透明层，分别从第1电极图案或第2电极图案的一侧成为低折射率层/高折射率层/低折射率层的层叠结构，电极图案的可见性的改善效果高。
具体而言，例如如图4所示，第2实施方式的触摸传感器400在第1透明层31的与第2透明层33接触的一侧相反的一侧具有折射率低于第1透明层31的折射率的第4透明层37，并且在第3透明层35的与第2透明层33接触的一侧相反的一侧具有折射率低于第3透明层35的折射率的第5透明层39。
以下，对第4透明层37及第5透明层39进行说明。
第4透明层37是配置于第1电极(第1电极图案)51与第1透明层31之间且具有折射率低于第1透明层31的折射率的透明性的层。
作为第4透明层的厚度，优选为300nm以下，更优选为200nm以下，进一步优选为10nm～100nm，尤其优选为10nm～50nm。
第4透明层的折射率优选为低于第1透明层的折射率，优选为折射率小于1.6。通过第4透明层的折射率比第1透明层的折射率低，尤其提高第1电极图案的隐蔽性，能够更加改善电极图案的可见性。
作为第4透明层的折射率，优选为1.2以上且小于1.6，更优选为1.3～1.5，进一步优选为1.4～1.5。
上述的中，第4透明层优选为折射率是1.3～1.5且厚度是10nm～100nm的情况。
另外，第4透明层的厚度为使用透射型电子显微镜(TEM)而测定的平均厚度，能够设为与上述第1透明层中的情况相同的方式而进行测定。
第4透明层只要是折射率比第1透明层的折射率低的低折射率层(优选为折射率小于1.6且厚度是300nm以下的低折射率层)，则形成第4透明层的材料并没有限制，除了对折射率带来影响的粒子等的成分以外，能够使用与第1透明层中所使用的材料相同的材料。
第4透明层例如能够使用通过真空蒸镀法或溅射法形成的金属氧化物层，也可以使用由已叙述的第1透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第4透明层优选为例如通过将已叙述的转印材料的第1透明转印层至少转印于第1电极图案上来配置于第1电极图案51与第1透明层31之间的转印层，也可以为进行固化反应而成的层。
形成第4透明层的成分的详细内容与已叙述的转印材料中的第1透明转印层(去除粒子)中的成分相同，优选的方式也相同。第4透明层中所包含的粒子优选为对低折射率带来影响的粒子，更优选为折射率小于1.6的无机氧化物粒子，进一步优选为SiO2粒子等。
第5透明层39是配置于第2电极(第2电极图案)53与第3透明层35之间且具有折射率低于第3透明层35的折射率的透明性的层。
第5透明层优选为折射率小于第3透明层的折射率，优选为折射率小于1.6。通过第5透明层的折射率比第3透明层的折射率低，尤其提高第2电极图案的隐蔽性，能够更加改善电极图案的可见性。作为第5透明层的折射率，优选为1.2以上且小于1.6，更优选为1.3～1.5，进一步优选为1.4～1.5。
作为第5透明层的厚度，优选为300nm以下，更优选为200nm以下，进一步优选为10nm～100nm，尤其优选为10nm～50nm。
上述的中，第5透明层优选为折射率是1.3～1.5且厚度是10nm～100nm的情况。
另外，第5透明层的厚度为使用透射型电子显微镜(TEM)而测定的平均厚度，能够设为与上述第1透明层中的情况相同的方式而进行测定。
第5透明层只要是折射率比第3透明层的折射率低的低折射率层(优选为折射率小于1.6且厚度是300nm以下的低折射率层)，则形成第5透明层的材料并没有限制，除了对折射率带来影响的粒子等成分以外，能够使用与第1透明层中所使用的材料相同的材料。
第5透明层例如能够使用通过真空蒸镀法或溅射法而形成的金属氧化物层，也可以使用由已叙述的第1透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第5透明层优选为例如通过将已叙述的转印材料的第1透明转印层转印于第3透明层上来配置于第2电极图案53与第3透明层35之间的转印层，也可以为进行固化反应而成的层。
形成第5透明层的成分的详细内容如在已叙述的转印材料中的第1透明转印层(去除粒子)的一项中的说明。第5透明层中所包含的粒子优选为对低折射率带来影响的粒子，更优选为折射率小于1.6的无机氧化物粒子，进一步优选为SiO2粒子等。
从更加提高电极图案的隐蔽性的观点出发，本发明的触摸传感器优选为除了上述第1透明层、第2透明层及第3透明层以外还在第1透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧具有折射率低于第1透明层的折射率的第4透明层并且在第3透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧具有折射率低于第3透明层的折射率的第5透明层的方式。
另外，从与上述相同的观点出发，本发明的触摸传感器可以为如下方式优选为：第1透明层的折射率是1.65～1.8且厚度是30nm～200nm，第2透明层的折射率是1.4～1.55且厚度是1μm～10μm，第3透明层的折射率是1.65～1.8且厚度是30nm～200nm，第4透明层的折射率是1.3～1.5且厚度是10nm～100nm，第5透明层的折射率是1.3～1.5且厚度是10nm～100nm。
该情况下，还优选为以如下的方式组合的情况：第6透明层的折射率是1.6～1.7且厚度是50nm～100nm、第7透明层的折射率是1.6～1.7且厚度是50nm～100nm。
～第3实施方式～
本发明的触摸传感器的另一实施方式可以为具有图5所示的结构的第3实施方式。参考图5对第3实施方式进行说明。另外，第3实施方式的触摸传感器中，对与第1实施方式或第2实施方式的触摸传感器相同的构成要件附加相同元件符号，省略附加了相同元件符号的构成要件的说明。
即，本发明的触摸传感器优选为在基板中的基材与第1电极(第1电极图案)之间具有折射率高于基板中的基材的折射率并且折射率低于第1电极的折射率的第6透明层。即，折射率的顺序优选为成为基材＜第6透明层＜第1电极图案。通过具有第6透明层，更加有效地提高第1电极的隐蔽性。
并且，本发明的触摸传感器优选为在第2电极(第2电极图案)的与配置有第2透明层的一侧相反的一侧的面具有折射率低于第2电极的折射率的第7透明层。即，折射率的顺序优选为成为第7透明层＜第2电极图案。通过具有第7透明层，更加有效地提高第2电极的隐蔽性。
具体而言，例如如图5所示，第3实施方式的触摸传感器500在基板中的基材60与第1电极(第1电极图案)51之间具有折射率高于基板中的基材60的折射率并且折射率低于第1电极51的折射率的第6透明层41，并且在第2电极(第2电极图案)53的与配置有第2透明层33的一侧相反的一侧的面具有折射率低于第2电极53的折射率的第7透明层43。
以下，对第6透明层41及第7透明层43进行说明。
第6透明层41是配置于基板中的基材60与第1电极(第1电极图案)51之间且折射率高于基板中的基材60的折射率并且低于第1电极51的折射率的具有透明性的层。
作为第6透明层的折射率，从与上述相同的理由，优选为1.55以上且小于1.9，更优选为1.6～1.7，进一步优选为1.6～1.65。
第6透明层的厚度优选为200nm以下，更优选为40nm～200nm，进一步优选为50nm～100nm。
上述中，第6透明层优选为折射率是1.6～1.7且厚度是50nm～100nm。
如图5所示，第6透明层是配设于基材60上的层，因此作为触摸传感器的基材，也可以使用在基材上附设有第6透明层的层叠基材。
另外，第6透明层的厚度是使用透射型电子显微镜(TEM)来测定的平均厚度，能够以与上述第1透明层中的情况相同的方式来测定。
第6透明层只要是折射率高于基板中的基材的折射率并且折射率低于第1电极的折光率的层，则形成第6透明层的材料并没有限制，能够使用与第1透明层中所使用的材料相同的材料。
第6透明层也可以使用由已叙述的第1透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第6透明层例如可以为将已叙述的转印材料的第1透明转印层转印于基材上而配置的转印层，也可以为进行固化反应而成的层。形成第6透明层的成分的详细内容与已叙述的第1透明转印层的成分相同。
第7透明层43是配置于第2电极(第2电极图案)的与配置有第2透明层的一侧相反的一侧的面且折射率低于第2电极的折射率的透明性的层。
作为第7透明层的折射率，优选为1.55以上且小于1.9，更优选为1.6～1.7，进一步优选为1.6～1.65。
第7透明层的厚度优选为200nm以下，更优选为40nm～200nm，进一步优选为50nm～100nm。
上述中，第7透明层优选为折射率是1.6～1.7且厚度是50nm～100nm。
另外，第7透明层的厚度为使用透射型电子显微镜(TEM)而测定的平均厚度，能够设为与上述第1透明层中的情况相同的方式而进行测定。
第7透明层只要是折射率低于第2电极的折射率的层，则形成第7透明层的材料并没有限制，能够使用与第1透明层中所使用的材料相同的材料。第7透明层也可以使用由已叙述的第1透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第7透明层例如可以为将已叙述的转印材料的第1透明转印层转印于基材上而配置的转印层，也可以为进行固化反应而成的层。形成第7透明层的成分的详细内容与已叙述的第1透明转印层的成分相同。
～第4实施方式～
本发明的触摸传感器的另一实施方式可以为具有图6所示的结构的第4实施方式。参考图6对第4实施方式进行说明。另外，第4实施方式的触摸传感器中，对与第1实施方式、第2实施方式或第3实施方式的触摸传感器相同的构成要件附加相同元件符号，省略对附加了相同元件符号的构成要件的说明。
本公开的触摸传感器，优选在具有基材和第1电极图案的基材与第2电极图案之间，具有：
配置于第1电极(第1电极图案)与第2电极(第2电极图案)之间且厚度是0.5μm以上且小于25μm的第2透明层；
配置于第1电极图案与第2透明层之间并且折射率高于第2透明层的折射率的第1透明层；
配置于第2电极图案与第2透明层之间并且折射率高于第2透明层的折射率的第3透明层；
在第1透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧，折射率低于第1透明层的折射率的第4透明层；
在第3透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧，折射率低于第3透明层的折射率的第5透明层；
在基板中的基材与第1电极图案之间，折射率高于基板中的基材的折射率并且低于第1电极图案的折射率的第6透明层；及
在第2电极的与配置有第2透明层的一侧相反的一侧的面，折射率低于第2电极图案的折射率的第7透明层
的方式。
通过具有这种层叠结构，第1电极图案及第2电极图案的隐蔽性变得更加优异，对电极图案的可见性的改善效果高。
如图3～图6所示，本发明的触摸传感器也可以在第2电极图案或第7透明层上进一步形成有透明粘合层70。并且，在透明粘合层70的上方(透明粘合层70的与配置有第2电极图案的一侧相反的的一侧)进一步可以配置玻璃基板。
透明粘合层70也可以设为折射率是1.5～1.55左右的透明性的层。
＜触摸传感器的制造方法＞
本发明的触摸传感器只要是使用了转印材料的方法，则能够选择任意方法来制造。
本发明的触摸传感器的制造方法也可以为在所期望的基材、具体而言在基材上具有第1电极图案的基板上通过转印法形成第1透明层、第2透明层及第3透明层的情况下，使用具有第1透明转印层的转印材料、具有第2透明转印层的转印材料及具有第3透明转印层的转印材料，依次转印第1透明层、第2透明层及第3透明层而形成的方式。并且，本发明的触摸传感器的制造方法也可以为使用具有第1透明转印层、第2透明转印层及第3透明转印层的转印材料，一起转印第1透明层、第2透明层及第3透明层而形成的方式。
在本发明的制造方法中，两方式中，从制造效率的观点出发，优选为使用具有第1透明转印层、第2透明转印层及第3透明转印层的转印材料，一起转印第1透明层、第2透明层及第3透明层的方式。
具体而言，本发明的触摸传感器通过使用了已叙述的本发明的转印材料的方法(本发明的触摸传感器的制造方法)适当地制造。即，
本发明的触摸传感器通过具有如下工序来制造：在第1电极上通过转印材料的转印层的转印而形成第2透明层的工序(以下，也称为第2透明层形成工序。)；在第1电极与第2透明层之间(优选为、第1电极与第2透明层之间的第2透明层的表面)通过转印材料的转印层的转印而形成折射率高于第2透明层的折射率的第1透明层的工序(以下，也称为第1透明层形成工序。)；在第2透明层的与具有第1透明层的一侧相反的一侧(在第2透明层的与具有第1透明层的一侧相反的一侧的面)通过转印材料的转印层的转印而形成折射率高于第2透明层的折射率的第3透明层的工序(以下，也称为第3透明层形成工序。)及在第3透明层的与具有第2透明层的一侧相反的一侧配置第2电极的工序。
使用本发明的转印材料的制造方法中，能够设为具有如下工序的方法：在第1电极上通过转印材料的转印层的转印配置第1透明转印层、第2透明转印层及第3透明转印层，在(优选为经由曝光及显影)第1电极上从第1电极一侧依次形成第1透明层、第2透明层及第3透明层的工序；及在第3透明层的与具有第2透明层的一侧相反的一侧配置第2电极的工序。
本发明中，通过设为将第2透明层由折射率大于第2透明层的折射率的第1透明层及第3透明层夹持在第1电极图案与第2电极图案之间的层叠结构，而成为电极图案的隐蔽性优异的透明层，更加有效地改善电极图案的可见性。
而且，通过使用了转印材料的转印法进行各透明层的形成，因此确保具有均匀性的厚度，容易稳定地得到所期望的折射率，也提高密合性。由此，得到电极图案的隐蔽性优异的触摸传感器。
从上述，本发明的触摸传感器的制造方法可以为，
(i)使用具有临时支承体、从临时支承体侧依次层叠的第3透明转印层、第2透明转印层及第1透明转印层的转印材料，压接于被转印体，剥离临时支承体并一起转印3层的方法。
与上述不同地，本发明的触摸传感器的制造方法可以为，
(ii)使用具有在临时支承体A上配设有第3透明转印层的保护薄膜/第3透明转印层/临时支承体A的层叠结构的转印材料a及具有在临时支承体B上配设有第2透明转印层及第1透明转印层的覆盖膜/第1透明转印层/第2透明转印层/临时支承体B的层叠结构的转印材料b的方法。即，准备转印材料a、b，分别剥离转印材料a的保护薄膜及转印材料b的临时支承体B，使用使暴露的各暴露面彼此接触而层叠并压接而得到的转印材料c，进一步剥离覆盖膜，将3层一起转印于被转印体的方法。另外，转印材料c具有临时支承体A/第3透明转印层/第2透明转印层/第1透明转印层/覆盖膜的层叠结构。
本发明的触摸面板的制造方法优选为还具有：在第1透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧通过转印材料的转印层的转印形成折射率低于第1透明层的折射率的第4透明层的工序(以下，也称为第4透明层形成工序。)及在第3透明层的与第2透明层接触的一侧相反的一侧通过转印材料的转印层的转印形成折射率低于第3透明层的折射率的第5透明层的工序(以下，也称为第5透明层形成工序。)。
该情况下，本发明的触摸传感器的制造方法中，
优选为使用具有临时支承体、从临时支承体侧依次层叠的第5透明转印层、第3透明转印层、第2透明转印层、第1透明转印层及第4透明转印层的转印材料的方法。
在第4透明层形成工序中，以成为所期望的折射率的方式适当选择粒子等，由此能够以与第1透明层形成工序相同的方式转印形成第4透明层。
并且，第5透明层形成工序中，以成为所期望的折射率的方式适当选择粒子等，由此能够以与第1透明层形成工序相同的方式转印形成第5透明层。
并且，如图3～图6所示，本发明的触摸传感器的制造方法也可以具有在第2电极图案或第7透明层上进一步形成透明粘合层的工序。
如上述，在被转印体转印各透明层之后，将各透明层曝光成图案状，通过经由显影处理，能够形成所期望的图案。
对曝光成图案状的方法没有特别限制，也可以通过利用光罩的面曝光进行，也可以通过基于激光束等的扫描曝光进行。并且，也可以通过使用了透镜的折射式曝光，也可以通过使用了反射镜的反射式曝光。并且，也可以利用接触式曝光、接近式曝光、缩小投影曝光、反射投影曝光等曝光方式进行。关于光源，优选为g射线、h射线、i射线、j射线等紫外线。作为光源种类，例如可举出金属卤素灯、高压汞灯及发发光二极管(LED)。
并且，曝光后的显影没有特别限制，优选使用碱性显影液。
＜图像显示装置＞
本发明的图像显示装置具备已叙述的本发明的触摸传感器。然而，图像显示装置的来自于图像显示部中的内部电极配线的图案的可见性得到改善，并成为外观上良好的显示画面。
图像显示装置是具备静电电容型输入装置等触摸面板的显示装置，例如包括有机电致发光(EL)显示装置、液晶显示装置等。
实施例
以下，通过实施例对本发明的实施方式进行进一步具体说明。但是，本发明的实施方式只要不超过其主旨，则并不限定于以下的实施例。另外，只要没有特别的限定，“份”及“％”是质量基准。
另外，聚合物中的成分比只要无特别说明，则是摩尔比。
并且，只要无特别说明，折射率是在波长550nm下通过椭圆偏振计测定的值。
以下所示的实施例中，树脂的重均分子量(Mw)及数均分子量(Mn)在下述条件下通过凝胶渗透色谱(GPC)进行。校准曲线根据TOSOH CORPORATION制“标准试样TSK standard,polystyrene”：“F-40”、“F-20”、“F-4”、“F-1”、“A-5000”、“A-2500”、“A-1000”、“正丙苯”这8个样品而制作。
<条件>
GPC：HLC(注册商标)-8020GPC(TOSOH CORPORATION制)
管柱：TSKgel(注册商标)、Super MultiporeHZ-H(TOSOH CORPORATION、4.6mmID×15cm)3根
洗提液：THF(四氢呋喃)
试样浓度：0.45质量％
流速：0.35ml/min
样品注入量：10μl
测定温度：40℃
检测器：差示折射计(RI)
＜透明转印层形成用涂布液的制备＞
通过以下表1～表3所示的组成中的成分及含量，制备了用于形成第1透明转印层、第2透明转印层、第3透明转印层、第4透明转印层及第5透明转印层的涂布液的材料。
[表1]
Figure BDA0002451868160000421
[化学式4]
化合物A：Mw＝29000、Mn＝13700
Figure BDA0002451868160000422
[表2]
Figure BDA0002451868160000431
[化学式5]
化合物B
Figure BDA0002451868160000432
[表3]
Figure BDA0002451868160000441
[化学式6]
化合物C
Figure BDA0002451868160000442
＜转印薄膜的制作＞
-转印薄膜1(实施例1)-
使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为70nm的涂布量，将第3透明转印层形成用的材料A-2涂布于厚度16μm的聚对酞酸乙二酯薄膜即临时支承体上，在80℃的干燥区域下挥发溶剂，从而形成了第3透明转印层。接着，在第3透明转印层的表面压接了作为保护薄膜厚度16μm的聚对酞酸乙二酯薄膜。
如上所述，制作了具有保护薄膜/第3透明转印层/临时支承体的层叠结构的转印薄膜1a。
接着，使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为8.0μm的涂布量，将第2透明转印层形成用的材料A-1涂布于厚度16μm的聚对酞酸乙二酯薄膜即临时支承体上，在80℃的干燥区域下挥发溶剂，从而形成了第2透明转印层。接着，使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为70nm的量，将第1透明转印层形成用的材料B-1涂布于干燥后的第2透明转印层上。之后，在70℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第1透明转印层。接着，在第1透明转印层的表面压接了作为覆盖膜厚度16μm的聚对酞酸乙二酯薄膜。
如上所述，制作了具有覆盖膜/第1透明转印层/第2透明转印层/临时支承体的层叠结构的转印薄膜1b。
接着，剥离上述的转印薄膜1a的保护薄膜，还剥离了上述的转印薄膜1b的临时支承体。而且，使作为转印膜1a的露出面的第3透明转印层的表面与作为转印膜1b的露出面的第2透明转印层的表面接触来进行压接。
如上所述，制作了具有临时支承体/第3透明转印层/第2透明转印层/第1透明转印层/覆盖膜的层叠结构的转印薄膜1(转印材料)。转印薄膜1具有图1所示的层叠结构。
-转印薄膜2～7(实施例2、4、6～10)-
使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为70nm的涂布量，将第3透明转印层形成用的材料C-1涂布于厚度16μm的聚对酞酸乙二酯薄膜即临时支承体上，在80℃的干燥区域下挥发溶剂，从而形成了第3透明转印层。
接着，使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为8.0μm的量，将第2透明转印层形成用的材料A-1涂布于干燥后的第3透明转印层上。之后，在80℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第2透明转印层。
接着，使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为70nm的量，将第1透明转印层形成用的材料B-1涂布于干燥后的第2透明转印层上。之后，在70℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第1透明转印层。
接着，在第1透明转印层的表面压接了作为保护薄膜的厚度16μm的聚对酞酸乙二酯薄膜。
如上所述，如图1所示，制作了具有保护薄膜/第1透明转印层/第2透明转印层/第3透明转印层/临时支承体的层叠结构的转印薄膜(转印材料)2。
并且，上述的转印薄膜2的制作中，如下述表5所示，将用于形成第1透明层的第1透明转印层形成用的材料B-1代替为材料B-4或B-5，并且将第3透明转印层形成用的材料C-1代替为材料C-3或C-4，分别设为表5所示的厚度，除此以外，以与转印薄膜2相同的方式，制作了转印薄膜(转印材料)3～4。
另外，在上述的转印薄膜2的制作中，将第2透明层的厚度从8.0μm变更为表5所示的厚度，除此以外，以与转印薄膜2相同的方式，制作了转印薄膜(转印材料)5～7。
-转印薄膜8(实施例3、5)-
使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为33nm的涂布量，将第5透明转印层形成用的材料A-3涂布于厚度16μm的聚对酞酸乙二酯薄膜即临时支承体上，在80℃的干燥区域下挥发溶剂，从而形成了第5透明转印层。
接着，使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为35nm的量，将第3透明转印层形成用的材料C-2涂布于干燥后的第5透明转印层上。之后，在80℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第3透明转印层。
接着，使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为8.0μm的量，将第2透明转印层形成用的材料A-1涂布于干燥后的第3透明转印层上。之后，在80℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第2透明转印层。
接着，使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为35nm的量，将第1透明转印层形成用的材料B-2涂布于干燥后的第2透明转印层上。之后，在70℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第1透明转印层。
另外，使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为33nm的量，将第4透明转印层形成用的材料B-3涂布于干燥后的第1透明转印层上。之后，在70℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第4透明转印层。
接着，在干燥后的第4透明转印层的表面压接了作为保护薄膜的厚度16μm的聚对酞酸乙二酯薄膜。
如上所述，如图2所示，制作了具有保护薄膜/第4透明转印层/第1透明转印层/第2透明转印层/第3透明转印层/第5透明转印层/临时支承体的层叠结构的转印薄膜(转印材料)8。
-转印薄膜9(比较例1)-
使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整为干燥后的厚度成为8.0μm的涂布量，将第2透明转印层形成用的材料A-1涂布于厚度16μm的聚对酞酸乙二酯薄膜即临时支承体上。之后，在80℃的干燥区域下挥发溶剂，从而形成了第2透明转印层。接着，在第2透明转印层的表面压接了作为保护薄膜的厚度16μm的聚对酞酸乙二酯薄膜。
如上所述，制作了具有保护薄膜/第2透明转印层/临时支承体的层叠结构的比较用转印薄膜(转印材料)9。
-转印薄膜10(比较例2)-
上述的转印薄膜2的制作中，将用于形成第1透明层的第1透明转印层形成用的材料B-1代替为材料B-3，并且将第3透明转印层形成用的材料C-1代替为材料C-5，除此以外，以与转印薄膜2相同的方式，如图1所示，制作了具有保护薄膜/第1透明转印层/第2透明转印层/第3透明转印层/临时支承体的层叠结构的比较用转印薄膜(转印材料)10。
＜附透明电极图案的薄膜的制作＞
(透明薄膜基板的形成)
使用高频振荡器在下述条件下，对膜厚38μm及折射率1.53的环烯烃树脂薄膜(基材)进行3秒钟的电晕放电处理，实施表面改质，从而制作了透明薄膜基板。
透明薄膜基板是在后述的实施例1～3及比较例1～2使用的基板。
<条件>
输出电压：100％
输出：250W
电极：直径1.2mm的线电极
电极长：240mm
工作电极之间：1.5mm
(附透明膜的基板的形成)
与上述不同地，使用狭缝状喷嘴，在以与上述相同的方式制作的透明薄膜基板的电晕放电处理面，涂布下述表4所示的材料-D，照射紫外线(积算光量：300mJ/cm2)，在约110℃下进行了干燥。由此，在透明薄膜基板上制作了具有折射率1.60及膜厚80nm的第6透明层的附透明膜的基板。
附透明膜的基板是在后述的实施例4～10中所使用的基板。
[表4]
Figure BDA0002451868160000471
Figure BDA0002451868160000481
[化学式7]
Figure BDA0002451868160000482
＜透明电极图案的形成＞
将上述透明薄膜基板或附透明膜的基板导入到真空腔室内，使用氧化锡(SnO2)含有率是10质量％的ITO靶(铟:锡＝95:5(摩尔比))，通过直流(DC)磁控溅射(条件：透明薄膜基板的温度150℃、氩气压力0.13Pa、氧气压力0.01Pa)，形成了厚度40nm及折射率1.82的ITO膜作为透明电极层。
由此，得到了在透明薄膜基板上配设透明的ITO膜的基板及在附透明膜的基板上配设第6透明层及透明的ITO膜的基板。ITO膜的表面电阻值是80Ω/□(Ω每平方)，折射率是1.9。
接着，通过公知的化学蚀刻法蚀刻ITO膜，由此将ITO膜图案化。由此，制作了在透明薄膜基板上具有图案状的第1透明电极(第1电极；以下为第1电极图案)的附透明电极图案的薄膜1及在附透明膜的基板的第6透明层上具有图案状的第1透明电极(第1电极图案)的附透明电极图案的薄膜2。
接着，如以下的表5所示，使用转印薄膜1～10及附透明电极图案的薄膜1～2制作了触摸传感器。
(实施例1～10、比较例1～2)
-触摸传感器的制作-
分别剥离在上述中制作的转印薄膜1～10的各保护薄膜(或覆盖膜)。使通过剥离暴露的转印薄膜1～10的暴露面与附透明电极图案的薄膜1的包含透明电极图案的电晕放电处理面或附透明电极图案的薄膜2的包含透明电极图案的第6透明层的表面接触，在以下的条件下层叠。由此，得到了12种透明层叠体。
<条件>
透明薄膜基板的温度：40℃
橡胶辊的温度：90℃
线压：3N/cm
搬送速度：4m/分钟
接着，将曝光掩模(通孔形成用掩模)的表面与透明层叠体的临时支承体的表面之间的距离设定成125μm，使用具有超高压汞灯的接近型曝光机(Hitachi high-techelectronic engineering)，经由临时支承体，将i射线以曝光量100mJ/cm2对透明层叠体曝光成图案状。
之后，从透明层叠体剥离临时支承体，使用温度32℃的碳酸钠1质量％水溶液，对剥离面进行了60秒钟的洗净处理。洗净处理之后，还从超高压洗净喷嘴对剥离面喷射超纯水，由此去除了残渣。接着，对剥离面的表面喷吹空气来去除水分，在温度145℃下实施了30分钟之后烘烤处理。
接着，使用氧化锡(SnO2)含有率是10质量％的ITO靶(铟:锡＝95:5(摩尔比))，通过直流(DC)磁控溅射(条件：透明薄膜基板的温度150℃、氩气压力0.13Pa、氧气压力0.01Pa)，形成了厚度40nm及折射率1.82的ITO膜。ITO膜的表面电阻值是80Ω/□(Ω每平方)，折射率是1.9。
接着，通过公知的化学蚀刻法蚀刻ITO膜使其图案化，在各透明层叠体的剥离面形成了图案状透明电极(第2电极；以下为第2电极图案)。
如上所述，实施例1～2及比较例2中，制作了具有图3所示的层叠结构的触摸传感器。并且，实施例3中，制作了具有图4所示的层叠结构的触摸传感器。
并且，实施例4～10中，使用狭缝状喷嘴，还将已叙述的材料-D涂布于形成于各透明层叠体的剥离面的第2透明电极图案上。之后，对涂布膜照射紫外线(积算光量300mJ/cm2)，在约110℃下进行了干燥。由此，形成了折射率1.60及厚度80nm的第7透明层。
如上所述，实施例4及实施例6～10中，制作了具有图5所示的层叠结构的触摸传感器。并且，实施例5中，制作了具有图6所示的层叠结构的触摸传感器。
-评价1-
(1)透明电极图案的隐蔽性
如已叙述，使各个转印薄膜1～10与附透明电极图案的薄膜1或附透明电极图案的薄膜2接触而层叠的12种透明层叠体的透明薄膜基板粘接黑色聚对酞酸乙二酯(PET)材料，并遮挡了基板整体。黑色的PET材料的粘接使用透明接着胶(产品名：OCA胶8171CL、3MJapan Limited制)来进行。
在暗室内，从配置于与粘接对透明层叠体、透明层叠体的黑色的PET材的一侧相反的一侧的临时支承体的面照射荧光灯的光，从侧面以肉眼观察来自临时支承体的反射光，按照下述评价基准评价了透明电极图案的外观。评价基准中，A、B及C在实用上的允许范围，优选为A或B，更优选为A。将评价结果示于下述表5中。
<评价基准>
A：即使从距离层叠体15cm的位置凝视，也看不到电极图案，从距离层叠体40cm的位置正常肉眼观察时，也看不到电极图案。
B：若从距离层叠体15cm的位置凝视，则略微看到电极图案，从距离层叠体40cm的位置正常肉眼观察时，看不到电极图案。
C：若从距离层叠体15cm的位置凝视时，则略微看到电极图案，从距离层叠体40cm的位置正常肉眼观察时，也稍微看到电极图案。
D：若从距离层叠体15cm的位置凝视，则清楚地看到电极图案，从距离层叠体40cm的位置正常肉眼观察时，稍微看到电极图案。
E：若从距离层叠体15cm的位置凝视，清楚地看到电极图案，从距离层叠体40cm的位置正常肉眼观察时，也清楚地看到电极图案。
(2)反射率
以与上述“透明电极图案的隐蔽性”的评价相同的方式，准备了粘接黑色PET材料的透明层叠体，使用分光光度计V-570(JASCO Corporation制)，测定了相对于透明层叠体的D65光源的反射率。将测定结果示于下述表5中。
[表5]
Figure BDA0002451868160000521
如表5所示，在夹持第2透明层的两侧层叠折射率高于第2透明层的折射率的第1透明层及第3透明层的实施例的触摸传感器中，与单层结构即比较例1的触摸传感器及第2透明层的折射率高于第1透明层及第3透明层的折射率的比较例2的触摸传感器相比，显著地显现反射率的降低效果，电极图案的隐蔽性也突破性地提高。
并且，在设为具有折射率低于第1透明层的折射率的第4透明层及折射率低于第3透明层的折射率的第5透明层的层叠结构的实施例3的触摸传感器中，与实施例1～2相比，反射率更加降低，电极图案的隐蔽性高且更加改善了电极图案的可见性。
设为配设有折射率高于基板中的基材的折射率并且低于第1透明电极的折射率的第6透明层及折射率低于第2电极图案的折射率的第7透明层的层叠结构的实施例4的触摸传感器中，与实施例3相比，能够实现反射率的进一步降低。
另外，具备第4透明层、第5透明层、第6透明层及第7透明层的实施例5的触摸传感器中，反射率的降低效果显著，且电极图案的隐蔽性高且更加改善了电极图案的可见性。
-图像显示装置(触摸面板)的制作-
通过日本特开2009-47936号公报的0097～0119段中记载的方法制造的液晶显示元件中贴合在实施例1中制作的触摸传感器，进一步贴合前面玻璃板，由此通过公知的方法制作了将静电电容型输入装置作为构成要件而具备的图像显示装置。
与上述相同地，使用实施例2～10及比较例1～2的触摸传感器制作了图像显示装置即触摸面板。
-评价2-
如上所述，在所制作的触摸面板显示样品图像来进行了观察。
其结果，显示于具备在各实施例中制作的触摸传感器的触摸面板的图像，与显示于具备比较例的触摸传感器的触摸面板的图像相比，对比度高且鲜明。
符号说明
10-临时支承体，12-保护薄膜或覆盖膜，21-第1透明转印层，23-第2透明转印层，25-第3透明转印层，27-第4透明转印层，29-第5透明转印层，31-第1透明层，33-第2透明层，35-第3透明层，37-第4透明层，39-第5透明层，41-第6透明层，43-第7透明层，51-第1电极(第1电极图案)，53-第2电极(第2电极图案)，60-基材，70-透明粘合层，100、200-转印薄膜，300、400、500、600-触摸传感器。

Claims (16)

1.一种转印材料，其具有：
临时支承体；
第2透明转印层；
第3透明转印层，在所述临时支承体与所述第2透明转印层之间配置于第2透明转印层的一个面，且具有比第2透明转印层的折射率高的折射率；及
第1透明转印层，配置于所述第2透明转印层的另一个面，且具有比第2透明转印层的折射率高的折射率。
2.根据权利要求1所述的转印材料，其中，
所述第2透明转印层的厚度是0.5μm以上，所述第1透明转印层及所述第3透明转印层的厚度是0.3μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的转印材料，其中，
所述第1透明转印层及所述第3透明转印层的折射率是1.6以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的转印材料，其中，
所述第1透明转印层及所述第3透明转印层含有金属氧化物粒子。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的转印材料，其具有：
第4透明转印层，配置于所述第1透明转印层的与配置有所述第2透明转印层的面相反的一侧，且折射率低于所述第1透明转印层的折射率；及
第5透明转印层，配置于所述第3透明转印层的与配置有所述第2透明转印层的面相反的一侧，且折射率低于第3透明转印层的折射率。
6.一种触摸传感器，其具有：
基板，具有基材和图案状的第1电极；
图案状的第2电极；
第2透明层，配置于所述第1电极与所述第2电极之间，且厚度是0.5μm以上且小于25μm；
第1透明层，配置于所述第1电极与所述第2透明层之间，且折射率高于所述第2透明层的折射率；及
第3透明层，配置于所述第2电极与所述第2透明层之间，且折射率高于所述第2透明层的折射率。
7.根据权利要求6所述的触摸传感器，其中,
所述第2透明层的厚度是0.5μm以上，所述第1透明层及所述第3透明层的厚度是0.3μm以下。
8.根据权利要求6或7所述的触摸传感器，其中,
所述第1透明层及所述第3透明层的折射率是1.6以上。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的触摸传感器，其中,
所述第1透明层及所述第3透明层含有金属氧化物粒子。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的触摸传感器，其具有：
第4透明层，配置于所述第1透明层的与配置有所述第2透明层的一侧相反的一侧，且折射率低于所述第1透明层的折射率；及
第5透明层，配置于所述第3透明层的与配置有所述第2透明层的一侧相反的一侧，且折射率低于所述第3透明层的折射率。
11.根据权利要求10所述的触摸传感器，其中,
所述第1透明层、所述第2透明层、所述第3透明层、所述第4透明层及所述第5透明层是转印层。
12.根据权利要求6～11中任一项所述的触摸传感器，其中,
在所述基材与所述第1电极之间具有折射率高于所述基材的折射率并且低于所述第1电极的折射率的第6透明层。
13.根据权利要求6～12中任一项所述的触摸传感器，其中,
在所述第2电极的与配置有所述第2透明层的一侧相反的一侧的表面具有折射率低于第2电极的折射率的第7透明层。
14.一种触摸传感器的制造方法，其使用权利要求1～5中任一项所述的转印材料，该制造方法包括：
通过所述转印材料的转印在第1电极上形成第2透明层的工序；
通过所述转印材料的转印在所述第1电极与所述第2透明层之间形成折射率高于第2透明层的折射率的第1透明层的工序；
通过所述转印材料的转印在所述第2透明层的与具有所述第1透明层的一侧相反的一侧形成折射率高于第2透明层的折射率的第3透明层的工序；及
在所述第3透明层的与具有所述第2透明层的一侧相反的一侧配置第2电极的工序。
15.根据权利要求14所述的触摸传感器的制造方法，其还包括：
通过所述转印材料的转印在所述第1透明层的与所述第2透明层接触的一侧相反的一侧形成折射率低于所述第1透明层的折射率的第4透明层的工序；及
通过所述转印材料的转印在所述第3透明层的与所述第2透明层接触的一侧相反的一侧形成折射率低于所述第3透明层的折射率的第5透明层的工序。
16.一种图像显示装置，其具备权利要求6～13中任一项所述的触摸传感器。
CN201880067248.6A 2017-10-16 2018-08-30 转印材料、触摸传感器及其制造方法以及图像显示装置 Pending CN111225790A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017200558 2017-10-16
JP2017-200558 2017-10-16
PCT/JP2018/032113 WO2019077891A1 (ja) 2017-10-16 2018-08-30 転写材料、タッチセンサー及びその製造方法、並びに画像表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111225790A true CN111225790A (zh) 2020-06-02

Family

ID=66174400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880067248.6A Pending CN111225790A (zh) 2017-10-16 2018-08-30 转印材料、触摸传感器及其制造方法以及图像显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20200278772A1 (zh)
JP (1) JP6921220B2 (zh)
CN (1) CN111225790A (zh)
TW (1) TWI771483B (zh)
WO (1) WO2019077891A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10572080B2 (en) * 2016-06-13 2020-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Optical touch film, display device including the same, and manufacturing method thereof
JP6943249B2 (ja) * 2016-08-18 2021-09-29 Ａｇｃ株式会社 積層体、電子デバイスの製造方法、積層体の製造方法
WO2021075304A1 (ja) * 2019-10-18 2021-04-22 富士フイルム株式会社 透明積層体、画像表示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014041880A1 (ja) * 2012-09-11 2014-03-20 富士フイルム株式会社 転写材料、静電容量型入力装置の製造方法および静電容量型入力装置、並びに、これを備えた画像表示装置
JP2015196369A (ja) * 2014-04-03 2015-11-09 富士フイルム株式会社 転写フィルムおよび透明積層体、それらの製造方法、静電容量型入力装置ならびに画像表示装置
WO2016024479A1 (ja) * 2014-08-12 2016-02-18 富士フイルム株式会社 転写フィルム、転写フィルムの製造方法、積層体、積層体の製造方法、静電容量型入力装置、及び、画像表示装置
JP2016155384A (ja) * 2016-04-13 2016-09-01 富士フイルム株式会社 転写フィルムおよび透明積層体、それらの製造方法、静電容量型入力装置ならびに画像表示装置
WO2017018406A1 (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 富士フイルム株式会社 透明電極付き複合体、転写フィルム、透明電極付き複合体の製造方法および静電容量型入力装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8603611B2 (en) * 2005-05-26 2013-12-10 Gunze Limited Transparent planar body and transparent touch switch
JP5157218B2 (ja) * 2007-03-29 2013-03-06 大日本印刷株式会社 ディスプレイ用複合フィルタ
JP2013206197A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Nissha Printing Co Ltd タッチセンサー
JP5922008B2 (ja) * 2012-11-30 2016-05-24 富士フイルム株式会社 転写フィルムおよび透明積層体、それらの製造方法、静電容量型入力装置ならびに画像表示装置
JP6264798B2 (ja) * 2013-09-13 2018-01-24 日油株式会社 転写用波長選択的反射フィルム並びにそれを用いた転写方法及び転写成型物
JP5839305B1 (ja) * 2014-08-19 2016-01-06 大日本印刷株式会社 中間基材フィルム、導電性フィルムおよびタッチパネルセンサ
US11247501B2 (en) * 2014-08-27 2022-02-15 3M Innovative Properties Company Layer-by-layer assembled multilayer lamination transfer films

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014041880A1 (ja) * 2012-09-11 2014-03-20 富士フイルム株式会社 転写材料、静電容量型入力装置の製造方法および静電容量型入力装置、並びに、これを備えた画像表示装置
JP2014056311A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Fujifilm Corp 転写材料、静電容量型入力装置の製造方法および静電容量型入力装置、並びに、これを備えた画像表示装置
CN104412207A (zh) * 2012-09-11 2015-03-11 富士胶片株式会社 转印材料、静电电容型输入装置的制造方法与静电电容型输入装置以及具备这些的图像显示装置
JP2015196369A (ja) * 2014-04-03 2015-11-09 富士フイルム株式会社 転写フィルムおよび透明積層体、それらの製造方法、静電容量型入力装置ならびに画像表示装置
WO2016024479A1 (ja) * 2014-08-12 2016-02-18 富士フイルム株式会社 転写フィルム、転写フィルムの製造方法、積層体、積層体の製造方法、静電容量型入力装置、及び、画像表示装置
WO2017018406A1 (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 富士フイルム株式会社 透明電極付き複合体、転写フィルム、透明電極付き複合体の製造方法および静電容量型入力装置
JP2016155384A (ja) * 2016-04-13 2016-09-01 富士フイルム株式会社 転写フィルムおよび透明積層体、それらの製造方法、静電容量型入力装置ならびに画像表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6921220B2 (ja) 2021-08-18
TW201917010A (zh) 2019-05-01
JPWO2019077891A1 (ja) 2020-12-03
WO2019077891A1 (ja) 2019-04-25
TWI771483B (zh) 2022-07-21
US20200278772A1 (en) 2020-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI774838B (zh) 觸控感測器及觸控感測器的製造方法以及圖像顯示裝置
TWI514033B (zh) 透明導電性積層體之製造方法
CN108698370B (zh) 转印薄膜、静电电容型输入装置的电极保护膜、层叠体及静电电容型输入装置
CN108351716B (zh) 转印薄膜、膜传感器的制造方法、膜传感器、前面板一体型传感器及图像显示装置
CN108712964B (zh) 转印薄膜、电极保护膜、层叠体、静电电容型输入装置、静电电容型输入装置的制造方法及转印薄膜的制造方法
US11023082B2 (en) Touch sensor and method for manufacturing touch sensor
US20200278772A1 (en) Transfer material, touch sensor, method for manufacturing touch sensor, and image display device
CN108351722B (zh) 薄膜触控传感器
KR20150108757A (ko) 도전성 필름 및 터치 패널 센서
CN112789166A (zh) 转印膜、固化膜的制造方法、层叠体的制造方法、及触摸面板的制造方法
CN111742260A (zh) 感光性转印材料、电极保护膜、层叠体、静电电容型输入装置及触摸面板的制造方法
KR102521385B1 (ko) 전사 필름, 정전 용량형 입력 장치의 전극 보호막, 적층체 및 정전 용량형 입력 장치
TW201718248A (zh) 轉印型感光性折射率調整膜
US20220382396A1 (en) Sensor film, touch sensor, and image display device
CN115685675A (zh) 感光性转印材料及其制造方法、膜、触控面板、劣化抑制方法以及层叠体及其制造方法
TW202239606A (zh) 積層體及其製造方法
WO2021166652A1 (ja) 導電パターンの形成方法、導電パターン、転写フィルム及びタッチパネル
WO2022176382A1 (ja) タッチセンサ
US20220308704A1 (en) Transparent laminate and image display apparatus
JP6587769B1 (ja) 転写フィルム、静電容量型入力装置の電極保護膜、積層体および静電容量型入力装置
CN114846402A (zh) 感光性转印材料及其制造方法、带图案的金属导电性材料的制造方法、膜、触控面板、劣化抑制方法、以及层叠体
CN115701856A (zh) 感光性组合物、固化膜、感光性转印材料及制造方法、膜、触控面板、层叠体及制造方法
JP2019206190A (ja) 転写フィルム、静電容量型入力装置の電極保護膜、積層体および静電容量型入力装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200602