KR101476567B1 - 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진 감광 부재의 제조 방법 - Google Patents

전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진 감광 부재의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101476567B1
KR101476567B1 KR1020137008761A KR20137008761A KR101476567B1 KR 101476567 B1 KR101476567 B1 KR 101476567B1 KR 1020137008761 A KR1020137008761 A KR 1020137008761A KR 20137008761 A KR20137008761 A KR 20137008761A KR 101476567 B1 KR101476567 B1 KR 101476567B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
photosensitive member
charge transport
electrophotographic photosensitive
resin
Prior art date
Application number
KR1020137008761A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130051007A (ko
Inventor
하루노부 오가키
가즈노리 노구치
아츠시 오쿠다
시오 무라이
가즈히사 시다
다카시 아네자키
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20130051007A publication Critical patent/KR20130051007A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101476567B1 publication Critical patent/KR101476567B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0564—Polycarbonates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G21/00—Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
    • G03G21/16—Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements
    • G03G21/18—Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements using a processing cartridge, whereby the process cartridge comprises at least two image processing means in a single unit
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0578—Polycondensates comprising silicon atoms in the main chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0592—Macromolecular compounds characterised by their structure or by their chemical properties, e.g. block polymers, reticulated polymers, molecular weight, acidity
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0596—Macromolecular compounds characterised by their physical properties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614—Amines
    • G03G5/06142—Amines arylamine
    • G03G5/06147—Amines arylamine alkenylarylamine
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614—Amines
    • G03G5/06142—Amines arylamine
    • G03G5/06147—Amines arylamine alkenylarylamine
    • G03G5/061473—Amines arylamine alkenylarylamine plural alkenyl groups linked directly to the same aryl group
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
    • G03G5/078—Polymeric photoconductive materials comprising silicon atoms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14747—Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/14756—Polycarbonates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14747—Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/14769—Other polycondensates comprising nitrogen atoms with or without oxygen atoms in the main chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14747—Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/14773—Polycondensates comprising silicon atoms in the main chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14791—Macromolecular compounds characterised by their structure, e.g. block polymers, reticulated polymers, or by their chemical properties, e.g. by molecular weight or acidity
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14795—Macromolecular compounds characterised by their physical properties

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Electrophotography Configuration And Component (AREA)

Abstract

전자사진 감광 부재는 전자사진 감광 부재의 표면층인 전하 수송층을 포함하며; 여기서 상기 전하 수송층은 폴리카보네이트 수지 C 및 폴리에스테르 수지 D로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 수지, 및 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 (1')로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 전하 수송 물질을 포함하는 매트릭스, 및 폴리카보네이트 수지 A를 포함하는 도메인을 갖는 매트릭스-도메인 구조를 갖는다:
[화학식 1]
Figure 112013029767852-pct00050

[화학식 1']

Description

전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진 감광 부재의 제조 방법{ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE, ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER}
본 발명은 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진 감광 부재의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전하 발생 물질(유기 광전도성 물질)을 함유하는 유기 전자사진 감광 부재(이하에서는 "전자 사진 감광 부재"로 언급함)는 전자사진 장치상에 장착되는 전자사진 감광 부재로서 알려져 있다. 전자사진 공정에서, 다양한 부재, 예컨대 현상제, 대전 부재, 클리닝 블레이드, 종이, 및 전사 부재(이하에서는, "접촉 부재 등"으로도 언급함)가 전자사진 감광 부재의 표면과 접촉한다. 그러므로, 전자사진 감광 부재는 이와 같은 접촉 부재 등과의 접촉 응력에 기인하는 이미지 열화의 발생을 감소시킬 필요가 있다. 구체적으로, 최근에, 전자사진 감광 부재는 전자사진 감광 부재의 내구성 개선과 함께 접촉 응력에 기인하는 이미지 열화를 감소시키는 지속적인 효과를 가질 필요가 있다.
접촉 응력의 지속적인 감소를 위해서, 특허문헌 1은 실록산 구조를 분자 사슬내로 통합시킴으로써 수득한 실록산 수지를 사용해서 표면층에 매트릭스-도메인(matrix-domain) 구조를 형성하는 방법을 제안한 바 있다. 구체적으로, 상기 특허문헌은 특이적인 실록산 구조가 통합된 폴리에스테르 수지를 사용할 경우 접촉 응력의 지속적인 감소와 전자사진 감광 부재의 반복 사용시 포텐셜 안정성(변화의 억제) 사이에서 탁월한 균형을 달성할 수 있다는 것을 보여준다.
반면에, 그 분자 사슬에 실록산 구조를 갖는 실록산-변형 수지를 전자사진 감광 부재의 표면층에 첨가하는 기법이 제안된 바 있다. 특허문헌 2 및 특허문헌 3은 각각 특이적인 구조를 갖는 실록산 구조가 통합된 폴리카보네이트 수지를 함유하는 전자사진 감광 부재를 제안하고 있으며, 예컨대 오염 방지 및 완화 효과에 의해 유발되는 필름형성 방지와 같은 효과가 보고되어 있다.
특허문헌 1에 개시된 전자사진 감광 부재는 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 포텐셜 안정성 사이에서 탁월한 균형을 갖는다. 그러나, 본 발명자들은 예의 연구를 거듭하였으며, 그 결과 특이적인 구조를 갖는 전하 수송 물질을 전하 수송 물질로서 사용할 경우에 반복 사용시 포텐셜 안정성을 더욱 개선할 수 있다는 것을 발견하였다.
특허문헌 2 및 특허문헌 3에 각각 개시된, 분자 사슬에 실록산 구조를 갖는 실록산-변형 수지를 함유하는 표면층을 포함하는 전자사진 감광 부재에서는, 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 포텐셜 안정성 사이의 균형이 달성될 수가 없다.
국제 특허 공개 WO 2010/008095A호 일본 특허 출원 공개 제 H10-232503호 일본 특허 출원 공개 제 2001-337467호
본 발명의 목적은 특이적인 전하 수송 물질을 함유하여, 접촉 부재 등과의 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 포텐셜 안정성 사이에서 탁월한 균형을 갖는 전자사진 감광 부재를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지 및 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 전자사진 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 상기 전자사진 감광 부재의 제조 방법을 제공하는 것이다.
전술한 목적들이 이하에 설명하는 본 발명에 의해서 달성된다.
본 발명의 전자사진 감광 부재는, 도전성 지지체, 상기 도전성 지지체상에 제공되고 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층, 및 상기 전하 발생층상에 제공되고 전자사진 감광 부재의 표면층인 전하 수송층을 포함하며, 여기서 상기 전하 수송층은, 하기 화학식 (A)로 표시되는 반복 구조 단위 및 하기 화학식 (B)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리카보네이트 수지 A를 포함하는 도메인; 및 하기 화학식 (C)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리카보네이트 수지 C 및 하기 화학식 (D)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 D로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 수지, 및 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 (1')로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 전하 수송 물질을 포함하는 매트릭스를 갖는 매트릭스-도메인 구조를 갖고; 여기서 상기 폴리카보네이트 수지 A중의 실록산 모이어티(moiety)의 함량은 폴리카보네이트 수지 A의 총 질량에 대하여 5 질량% 이상 40 질량% 이하이다:
[화학식 A]
Figure 112013029767852-pct00001
상기 화학식 (A)에서, "a", "b", 및 "c"는 각각 독립적으로 괄호안의 구조의 반복 수를 나타내고, 폴리카보네이트 수지 A에서 "a"의 평균치는 1 내지 10 범위이며, 폴리카보네이트 수지 A에서 "b"의 평균치는 1 내지 10 범위이고, 폴리카보네이트 수지 A에서 "c"의 평균치는 20 내지 200 범위이다.
[화학식 B]
Figure 112013029767852-pct00002
상기 화학식 (B)에서, R21 내지 R24는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고, Y1은 단일 결합, 메틸렌기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 폴리에틸리덴기, 시클로헥실리덴기, 또는 산소 원자를 나타낸다.
[화학식 C]
Figure 112013029767852-pct00003
상기 화학식 (C)에서, R31 내지 R34는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고, Y2는 단일 결합, 메틸렌기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 페닐에틸리덴기, 시클로헥실리덴기, 또는 산소 원자를 나타낸다.
[화학식 D]
Figure 112013029767852-pct00004
상기 화학식 (D)에서, R41 내지 R44는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고, X는 메타-페닐렌기, 파라-페닐렌기, 또는 산소 원자와 결합된 2개의 파라-페닐렌기를 갖는 2가의 기를 나타내며, Y3은 단일 결합, 메틸렌기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 시클로헥실리덴기, 또는 산소 원자를 나타낸다.
[화학식 1]
Figure 112013029767852-pct00005
[화학식 1']
Figure 112013029767852-pct00006
상기 화학식 (1) 및 (1')에서, Ar1은 페닐기, 또는 메틸기나 에틸기로 치환된 페닐기를 나타내고, Ar2는 페닐기, 메틸기로 치환된 페닐기, 식 "-CH=CH-Ta"로 표시되는 1가의 기로 치환된 페닐기, 또는 식 "-CH=CH-Ta"로 표시되는 1가의 기로 치환된 비페닐기를 나타내며(여기서, Ta는 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 하나의 수소 원자를 잃음으로써 유도되거나, 메틸기나 에틸기로 치환된 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 하나의 수소 원자를 잃음으로써 유도되는 1가의 기를 나타냄), R1은 페닐기, 메틸기로 치환된 페닐기, 또는 식 "-CH=(Ar3)Ar4"로 표시되는 1가의 기로 치환된 페닐기를 나타내고(여기서, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 페닐기 또는 메틸기로 치환된 페닐기를 나타냄), R2는 수소 원자, 페닐기, 또는 메틸기로 치환된 페닐기를 나타낸다.
또한, 본 발명은 전자사진 장치의 본체에 탈착가능하게 부착될 수 있는 프로세스 카트리지에 관한 것이며, 상기 프로세스 카트리지는 상기 전자사진 감광 부재; 및 대전 장치, 현상 장치, 전사 장치, 및 클리닝 장치로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 장치를 일체로 지지한다.
또한, 본 발명은 상기 전자사진 감광 부재; 대전 장치; 노광 장치; 현상 장치; 및 전사 장치를 포함하는 전자사진 장치에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 특이적인 전하 수송 물질을 함유하여, 접촉 부재 등과의 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 포텐셜 안정성 사이에서 탁월한 균형을갖는 전자사진 감광 부재를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지 및 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 전자사진 장치를 제공할 수 있다. 나아가, 본 발명에 의하면, 상기 전자사진 감광 부재의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도면은 본 발명의 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지를 포함하는 전자사진 장치의 구성을 개략적으로 도시한 개요도이다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 전자사진 감광 부재는, 도전성 지지체, 상기 도전성 지지체상에 제공되고 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층, 및 상기 전하 발생층상에 제공되고 전자사진 감광 부재의 표면층인 전하 수송층을 포함하며, 여기서 상기 전하 수송층은, 상기 화학식 (C)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리카보네이트 수지 C 및 상기 화학식 (D)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 D로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 수지(이하에서 성분 [β]로도 언급함), 및 상기 화학식 (1)로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 (1')로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 전하 수송 물질(이하에서 성분 [γ]로도 언급함)을 포함하는 매트릭스; 및 상기 화학식 (A)로 표시되는 반복 구조 단위 및 상기 화학식 (B)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리카보네이트 수지 A를 포함하는 도메인(이하에서 성분 [α]로도 언급함)을 갖는 매트릭스-도메인 구조를 갖는다.
본 발명의 매트릭스-도메인 구조를 "바다-섬(sea-island) 구조"와 비교해 보면, 매트릭스는 바다에 상응하고 도메인은 섬에 상응한다. 성분 [α]를 포함하는 도메인은 성분 [β] 및 [γ]를 포함하는 매트릭스에 형성된 과립형(섬과 같음) 구조를 갖는다. 성분 [α]를 포함하는 도메인은 독립적인 도메인으로서 매트릭스에 존재한다. 이와 같은 매트릭스-도메인 구조는 전하 수송층의 표면 또는 전하수송층의 횡단면을 관찰함으로써 확인할 수 있다.
매트릭스-도메인 구조의 상태 관찰 또는 도메인 구조의 확인은 예컨대 시판되는 레이저 현미경, 광 현미경, 전자 현미경, 또는 원자력 현미경을 사용해서 수행할 수 있다. 매트릭스-도메인 구조의 상태 관찰 또는 도메인 구조의 확인은 소정의 배율하에 전술한 현미경중 임의의 현미경을 사용해서 수행할 수 있다.
본 발명에서 성분 [α]를 포함하는 도메인의 수 평균 입자 크기는 바람직하게는 100 nm 이상 1,000 nm 이하이다. 또한, 각 도메인의 입자 크기의 입자 크기 분포는 접촉 응력 감소의 지속적인 효과의 관점에서 좁은 것이 바람직하다. 본 발명에서 수 평균 입자 크기는 전술한 현미경에 의해서 본 발명의 전하 수송층을 수직으로 절단함으로써 얻은 횡단면을 관찰함으로써 확인된 영역들 중 임의로 100개를 선택함으로써 측정된다. 이어서, 각각의 절단된 도메인의 최대 직경을 측정하고 평균하여 각 도메인의 수 평균 입자 크기를 계산한다. 전하 수송층의 횡단면을 현미경에 의해서 관찰할 경우, 깊이 방향에서 이미지 정보를 얻어서 전하 수송층의 입체 이미지를 제공할 수 있음을 유의하여야 한다.
본 발명에서, 매트릭스-도메인 구조를 형성하기 위해, 성분 [α]인 폴리카보네이트 수지 A중의 실록산 모이어티의 함량은 전하 수송층 중의 전체 수지의 총 질량에 대하여 1 질량% 이상 20 질량% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 포텐셜 안정성 사이의 균형의 관점에서, 성분 [α]인 폴리카보네이트 수지 A중의 실록산 모이어티의 함량은 전하 수송층 중의 전체 수지의 총 질량에 대하여 1 질량% 이상 20 질량% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 상기 함량은 2 질량% 이상 10 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하며, 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 포텐셜 안정성을 더욱 증가될 수 있다.
본 발명의 전자사진 감광 부재에서 전하 수송층의 매트릭스-도메인 구조는 성분 [α], [β] 및 [γ]를 함유하는 전하 수송층 코팅액을 사용함으로써 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 전자사진 감광 부재는 상기 전하 수송층 코팅액을 전하 발생층상에 도포하고 그 용액을 건조시킴으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 매트릭스-도메인 구조는 성분 [α]를 포함하는 도메인이 성분 [β] 및 [γ]를 포함하는 매트릭스에 형성되는 구조이다. 접촉 응력을 감소시키는 효과는 전하 수송층의 표면상에뿐만 아니라 전하 수송층에도 성분 [α]를 포함하는 도메인을 형성함으로써 지속적으로 발휘되는 것으로 생각된다. 구체적으로, 그 이유는 접촉 응력 감소 효과(접촉 응력은 종이 또는 클리닝 블레이드와 같은 부재의 마찰에 의해서 감소됨)를 갖는 실록산 수지 성분이 전하 수송층에서 도메인으로부터 공급될 수 있기 때문인 것으로 추정된다.
본 발명자들은, 특이적인 구조를 갖는 전하 수송 물질을 전하 수송 물질로서 사용할 경우에, 반복 사용시 포텐셜 안정성이 더욱 개선될 수 있다는 것을 발견하였다. 또한, 본 발명자들은 본 발명의 특이적인 전하 수송 물질(성분 [γ])을 함유하는 전자사진 감광 부재에서 반복 사용시 포텐셜 안정성이 더욱 증진되는 이유를 다음과 같이 추정하였다.
본 발명의 매트릭스-도메인 구조를 갖는 전하 수송층을 포함하는 전자사진 감광 부재에서, 형성된 매트릭스-도메인 구조의 도메인에서 전하 수송 물질을 반복 사용시 포텐셜 변동을 가능한 한 많이 억제할 수 있도록 감소시키는 것이 중요하다. 도메인을 형성하는 실록산 구조가 통합된 수지와 전하 수송 물질 사이의 상용성이 높을 경우에, 도메인 중의 전하 수송 물질 함량은 높아지고, 감광 부재의 반복 사용시 도메인내의 전하 수송 물질에 전하가 포획되어, 포텐셜 안정성이 불충분해진다.
특이적인 구조를 갖는 전하 수송 물질을 함유하는 전자사진 감광 부재에서 반복 사용시 포텐셜 안정성과 접촉 응력의 지속적인 감소 사이에서 탁월한 균형을 달성하기 위해서, 실록산 구조가 통합된 수지에 의해서 특정을 개선할 필요가 있다. 본 발명에서 성분 [γ]는 전하 수송층내의 수지와의 상용성이 높은 전하 수송 물질이며, 성분 [γ]가 실록산 함유 수지를 포함하는 도메인 중에 다량으로 함유되기 때문에 성분 [γ]의 응집체가 형성되기 쉬울 수 있다.
본 발명에서, 성분 [γ]를 포함하는 전자 사진 감광 부재에서 본 발명의 성분 [α]를 포함하는 도메인을 형성함으로써 탁월한 전하 수송능이 유지될 수 있다. 그 이유는 도메인 중의 성분 [γ](특이적인 전하 수송 물질)의 함량이 성분 [α]를 포함하는 도메인을 형성함으로써 감소되기 때문인 것으로 추정된다. 그 이유는 성분 [α]인 폴리카보네이트 수지 A중의 분지쇄 실록산 구조가 도메인내의 수지와 상용성인 구조를 갖는 성분 [γ](특이적인 전하 수송 물질)의 잔류를 억제할 수 있기 때문인 것으로 추정된다.
<성분 [γ]>
본 발명의 성분 [γ]는 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 (1')로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전하 수송 물질이다.
[화학식 1]
Figure 112013029767852-pct00007
[화학식 1']
Figure 112013029767852-pct00008
상기 화학식 (1) 및 (1')에서, Ar1은 페닐기, 또는 메틸기나 에틸기로 치환된 페닐기를 나타낸다. Ar2는 페닐기, 메틸기로 치환된 페닐기, 식 "-CH=CH-Ta"로 표시되는 1가의 기로 치환된 페닐기(여기서, Ta는 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 하나의 수소 원자를 잃음으로써 유도되거나, 메틸기나 에틸기로 치환된 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 하나의 수소 원자를 잃음으로써 유도되는 1가의 기를 나타냄), 또는 식 "-CH=CH-Ta"로 표시되는 1가의 기로 치환된 비페닐기를 나타낸다. R1은 페닐기, 메틸기로 치환된 페닐기, 또는 식 "-CH=(Ar3)Ar4"로 표시되는 1가의 기로 치환된 페닐기를 나타낸다(여기서, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 페닐기 또는 메틸기로 치환된 페닐기를 나타냄). R2는 수소 원자, 페닐기, 또는 메틸기로 치환된 페닐기를 나타낸다.
성분 [γ]이고 상기 화학식 (1) 또는 (1')로 표시되는 구조를 갖는 전하 수송 물질의 구체적인 예를 이하에 제시하였다.
Figure 112013029767852-pct00009
이들 중에서, 성분 [γ]는 상기 화학식 (1-1), (1-3), (1-5), 또는 (1-7)로 표시되는 구조를 갖는 전하 수송 물질인 것이 바람직하다.
<성분 [α]>
본 발명의 성분 [α]는 하기 화학식 (A)로 표시되는 반복 구조 단위 및 하기 화학식 (B)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리카보네이트 수지 A이며, 여기서 폴리카보네이트 수지 A중의 실록산 모이어티의 함량은 5 질량% 이상 40 질량% 이하이다.
[화학식 A]
Figure 112013029767852-pct00010
상기 화학식 (A)에서, "a", "b", 및 "c"는 각각 독립적으로 괄호안의 구조의 반복 수를 나타내고, 폴리카보네이트 수지 A에서 "a"의 평균치는 1 내지 10 범위이며, 폴리카보네이트 수지 A에서 "b"의 평균치는 1 내지 10 범위이고, 폴리카보네이트 수지 A에서 "c"의 평균치는 20 내지 200 범위이다.
[화학식 B]
Figure 112013029767852-pct00011
상기 화학식 (B)에서, R21 내지 R24는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸기를 나타낸다. Y1은 단일 결합, 메틸렌기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 페닐에틸리덴기, 시클로헥실리덴기, 또는 산소 원자를 나타낸다.
이하에서는, 성분 [α]이고 상기 화학식 (A)로 표시되는 반복 구조 단위 및 상기 화학식 (B)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리카보네이트 수지 A를 설명한다.
상기 화학식 (A)에서, "a" 및 "b"는 각각 독립적으로 괄호안의 구조의 반복 수를 나타낸다. 폴리카보네이트 수지 A에서 "a" 및 "b"의 평균치는 각각 1 내지 10 범위이다. 또한, 반복 사용시 포텐셜 안정성 면에서, 이 평균치들은 각각 1 내지 5 범위인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 각각의 반복 구조 단위의 괄호안의 구조의 반복 수 "a"의 최대값과 최소값 사이의 차이는 0 내지 2 범위인 것이 바람직하며, 각각의 반복 구조 단위의 괄호안의 구조의 반복 수 "b"의 최대값과 최소값 사이의 차이는 0 내지 2 범위인 것이 바람직하다. 또한, "c"는 괄호안의 구조의 반복 수를 나타내며, 폴리카보네이트 수지 A에서 "c"의 평균치는 20 내지 200 범위이다. 또한, 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 포텐셜 안정성 사이의 탁월한 균형 면에서, 그 평균치는 30 내지 150 범위인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 각 구조 단위에서 괄호안의 구조의 반복 수 "c"는 반복 수 "c"의 평균치로서 나타낸 값의 ±10% 범위내인 것이 바람직한데, 그 이유는 본 발명의 효과를 안정적으로 얻을 수 있기 때문이다. 또한, "a", "b" 및 "c"의 평균치들의 합계는 30 내지 200 범위인 것이 바람직하다.
하기 표 1은 상기 화학식 (A)로 표시되는 반복 구조 단위의 예들을 제시한 것이다.
Figure 112013029767852-pct00012
이들 중에서, 상기 화학식 (A-1), (A-2), (A-3), (A-4), (A-5), (A-9), 또는 (A-10)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.
다음에는, 상기 화학식 (B)로 표시되는 반복 구조 단위를 설명한다. 상기 화학식 (B)로 표시되는 반복 구조 단위의 구체적인 예들을 이하에 제시하였다.
Figure 112013029767852-pct00013
이들 중에서, 상기 화학식 (B-1), (B-2), (B-7), (B-8), (B-9), 또는 (B-10)으로 표시되는 반복 구조 단위가 바람직하다.
또한, 본 발명에서 성분 [α]인 폴리카보네이트 수지 A는 실록산 모이어티를 폴리카보네이트 수지 A의 총 질량에 대하여 5 질량% 이상 40 질량% 이하의 함량으로 함유한다.
본 발명에서, 실록산 모이어티는 실록산 구조의 양단에 존재하는 규소 원자들, 상기 규소 원자들에 결합된 기들, 및 산소 원자들, 규소 원자들, 그리고 양단에 존재하는 규소 원자들 사이에 존재하는 원자들에 결합된 기들을 포함하는 모이어티이다. 구체적으로, 본 발명에서 실록산 모이어티는 예컨대 하기 화학식 (A-S)로 표시되는 반복 구조 단위내의 점선으로 둘러싸인 모이어티를 말한다.
[화학식 A-S]
Figure 112013029767852-pct00014
즉, 하기 구조식이 실록산 모이어티를 나타낸다.
Figure 112013029767852-pct00015
본 발명의 성분 [α]인 폴리카보네이트 수지 A의 총 질량에 대한 실록산 모이어티의 함량이 5 질량% 이상일 경우에, 접촉 응력 감소 효과가 지속적으로 발휘되고, 성분 [β] 및 [γ]를 포함하는 매트릭스에 도메인 구조가 효과적으로 형성된다. 한편, 실록산 모이어티의 함량이 40 질량% 이하일 경우에는, 성분 [α]를 포함하는 도메인에서 성분 [γ]의 응집체의 형성이 억제되어, 반복 사용시 포텐셜 변동이 억제된다.
본 발명의 성분 [α]인 폴리카보네이트 수지 A의 총 질량에 대한 실록산 모이어티의 함량은 일반적인 분석 기법에 의해서 분석될 수 있다. 그러한 분석 기법의 일례를 이하에 제시하였다.
먼저, 전자사진 감광 부재의 표면층인 전하 수송층을 용제로 용해시킨다. 이어서, 표면층인 전하 수송층중의 다양한 물질들을 성분들을 분리 및 수집할 수 있는 분별 장치, 예컨대 크기 배제 크로마토그래피 또는 고성능 액체 크로마토그래피를 사용해서 분별한다. 분별된 성분 [α], 즉, 폴리카보네이트 수지 A를 알칼리의 존재하에 가수분해시켜서 그 성분을 카르복실산 모이어티와 비스페놀 모이어티로 분해시킨다. 핵자기 공명 스펙트럼 분석 또는 질량 분석을 수득한 비스페놀 모이어티에 대해 수행하여 실록산 모이어티의 반복 수와 몰비율을 계산하여, 이를 함량으로 환산한다(질량비).
본 발명에서 성분 [α]로 사용된 폴리카보네이트 수지 A의 공중합 비율은 일반적인 기법에 의해서, 즉, 수지의 1H-NMR에 의해서 측정된 수소 원자(수지에 포함된 수소 원자) 피크 면적을 기준으로 한 환산법에 의해서 결정할 수 있다.
본 발명에서 성분 [α]로 사용된 폴리카보네이트 수지 A는 예컨대 통상의 포스겐 방법에 의해서 합성할 수 있다. 또한, 수지는 트랜스에스테르화 방법에 의해서 합성할 수도 있다.
본 발명에서 성분 [α]로 사용된 폴리카보네이트 수지 A는 상기 화학식 (A)로 표시되는 반복 구조 단위-상기 화학식 (B)로 표시되는 반복 구조 단위이다. 또한, 공중합 형태는 임의의 형태, 예컨대 블록 공중합, 랜덤 공중합, 또는 교대 공중합일 수 있다.
성분 [β] 및 [γ]를 포함하는 매트릭스에서 도메인 구조를 형성하는 관점에서, 본 발명에서 성분 [α]로 사용된 폴리카보네이트 수지 A의 중량 평균 분자량은 30,000 이상 150,000 이하인 것이 바람직하고, 40,000 이상 100,000 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에서, 수지의 중량 평균 분자량은 일본 특허 출원 공개 제 2007-79555호에 개시된 방법에 의해서 통상적인 방법에 따라 측정한 폴리스티렌으로 환산한 중량 평균 분자량이다.
본 발명에서 성분 [α]로 사용된 폴리카보네이트 수지 A의 합성예를 이하에 제시하였다.
상기 폴리카보네이트 수지 A는 일본 특허 출원 공개 제 H10-182832호에 의해 합성할 수 있다. 본 발명에서, 하기 표 2에서 합성예에 나타낸 성분 [α](폴리카보네이트 수지 A)는 상기 화학식 (A)로 표시되는 반복 단위 및 상기 화학식 (B)로 표시되는 구조 단위에 상응하는 원료들을 사용해서 동일한 합성 방법에 의해 합성하였다. 하기 표 2는 합성된 폴리카보네이트 수지 A의 중량 평균 분자량 및 합성된 폴리카보네이트 수지 A중의 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다.
Figure 112013029767852-pct00016
Figure 112013029767852-pct00017
반복 구조 단위 실시예 (A-1)의 괄호안의 구조의 반복 수 "a"의 최대값과 최소값 사이의 차이는 0이고, 반복 구조 단위 실시예 (A-1)의 괄호안의 구조의 반복 수 "b"의 최대값과 최소값 사이의 차이는 0이며, 반복 구조 단위 실시예 (A-1)의 괄호안의 구조의 반복 수 "c"의 최대값과 최소값은 각각 42 및 38이었다. 반복 구조 단위 실시예 (A-6)의 괄호안의 구조의 반복 수 "a"의 최대값과 최소값 사이의 차이는 0이고, 반복 구조 단위 실시예 (A-6)의 괄호안의 구조의 반복 수 "b"의 최대값과 최소값 사이의 차이는 0이며, 반복 구조 단위 실시예 (A-6)의 괄호안의 구조의 반복 수 "c"의 최대값과 최소값은 각각 210 및 195였다. 반복 구조 단위 실시예 (A-11)의 괄호안의 구조의 반복 수 "a"의 최대값과 최소값 사이의 차이는 2이고, 반복 구조 단위 실시예 (A-11)의 괄호안의 구조의 반복 수 "b"의 최대값과 최소값 사이의 차이는 2이며, 반복 구조 단위 실시예 (A-11)의 괄호안의 구조의 반복 수 "c"의 최대값과 최소값은 각각 42 및 38이었다.
<성분 [β]>
본 발명의 성분 [β]는 하기 화학식 (C)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리카보네이트 수지 C 및 하기 화학식 (D)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 D로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 수지이다.
[화학식 C]
Figure 112013029767852-pct00018
상기 화학식 (C)에서, R31 내지 R34는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸기를 나타낸다. Y2는 단일 결합, 메틸렌기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 페닐에틸리덴기, 시클로헥실리덴기, 또는 산소 원자를 나타낸다.
[화학식 D]
Figure 112013029767852-pct00019
상기 화학식 (D)에서, R41 내지 R44는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸기를 나타낸다. X는 메타-페닐렌기, 파라-페닐렌기, 또는 산소 원자와 결합된 2개의 파라-페닐렌기를 갖는 2가의 기를 나타낸다. Y3은 단일 결합, 메틸렌기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 시클로헥실리덴기, 또는 산소 원자를 나타낸다.
상기 화학식 (C)로 표시되는 반복 구조 단위의 구체적인 예들을 이하에 제시하였다.
Figure 112013029767852-pct00020
이들 중에서, 상기 화학식 (C-1), (C-2), (C-7), (C-8), (C-9) 또는 (C-10)으로 표시되는 반복 구조 단위가 바람직하다.
상기 화학식 (D)로 표시되는 반복 구조 단위의 구체적인 예들을 이하에 제시하였다.
Figure 112013029767852-pct00021
이들 중에서, 상기 화학식 (D-1), (D-2), (D-6), 또는 (D-7)으로 표시되는 반복 구조 단위가 바람직하다. 또한, 성분 [β]와 전하 수송 물질의 균일한 매트릭스를 형성하는 면에서, 성분 [β]가 실록산 모이어티를 갖지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 전자사진 감광 부재의 표면층인 전하 수송층은 성분 [α] 및 [β]를 수지로서 함유하고, 추가의 수지를 여기에 혼합할 수 있다. 혼합할 수 있는 추가의 수지의 예로서는, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 및 폴리카보네이트 수지를 들 수 있다. 추가의 수지를 혼합하는 경우에, 폴리카보네이트 수지 C 또는 폴리에스테르 수지 D 대 추가의 수지의 비율은 9:1 내지 99:1(질량비)인 것이 바람직하다. 본 발명에서, 폴리카보네이트 수지 C 또는 폴리에스테르 수지 D 이외에 추가의 수지를 혼합할 경우에, 전하 수송 물질과 균일한 매트릭스를 형성하는 면에서, 추가의 수지는 실록산 구조를 갖지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 전자사진 감광 부재의 표면층인 전하 수송층은 성분 [γ]를 전하 수송 물질로서 함유하고, 다른 구조를 갖는 전하 수송 물질을 함유할 수 있다. 다른 구조를 갖는 전하 수송 물질의 예로서는 트리아릴아민 화합물 및 히드라존 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서, 트리아릴아민 화합물을 전하 수송 물질로서 사용하는 것이 반복 사용시 포텐셜 안정성 면에서 바람직하다. 성분 [γ] 이외의 전하수송 물질을 혼합하는 경우에, 성분 [γ]는 전하 수송층내의 전체 전하 수송 물질에 50 질량% 이상의 함량으로 함유되는 것이 바람직하고, 70 질량% 이상의 함량으로 함유되는 것이 더욱 바람직하다.
이어서, 본 발명의 전자사진 감광 부재의 구성을 설명한다.
본 발명의 전자사진 감광 부재는 도전성 지지체, 상기 도전성 지지체상에 제공되고 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층, 및 상기 전하 발생층상에 제공되는 전하 수송층을 포함한다. 또한, 전자사진 감광 부재에서, 전하 수송층은 전자사진 감광 부재의 표면층(최외곽층)이다.
또한, 본 발명의 전자사진 감광 부재의 전하 수송층은 상기 성분 [α], [β] 및 [γ]를 포함한다.
또한, 상기 전하 수송층은 적층체 구조를 가질 수 있으며, 이 경우에, 상기 층은 적어도 최외곽 표면상에 제공된 전하 수송층이 전술한 바와 같은 매트릭스-도메인 구조를 갖도록 형성된다.
일반적으로, 전자사진 감광 부재로서, 원통형 도전성 지지체상에 감광층(전하 발생층 또는 전하 수송층)을 형성함으로써 제조된 원통형 전자 사진 감광 부재가 널리 사용되지만, 상기 부재는 벨트 또는 시트 형태를 가질 수도 있다.
[도전성 지지체]
본 발명에 사용되는 도전성 지지체는 도전성인 것(도전성 지지체)이 바람직하며, 예를 들면 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조된 지지체이다. 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 경우에, 사용되는 도전성 지지체는 ED 튜브 또는 EI 튜브이거나, ED 튜브 또는 EI 튜브를 절단, 전해 복합 연마, 또는 습식- 또는 건식-호닝(honing) 공정으로 처리함으로써 얻은 것일 수 있다. 도전성 지지체의 추가의 예로서는 도전성 물질, 예컨대 알루미늄, 알루미늄 합금, 또는 산화인듐-산화주석 합금의 박막이 표면상에 형성된 금속 또는 수지로 제조된 도전성 지지체를 들 수 있다. 또 다른 예로서는, 도전성 입자, 예컨대 카본 블랙, 산화주석 입자, 산화티타늄 입자, 또는 은 입자가 분산된 수지를 포함하는 도전성 층이 표면상에 제공된 금속 또는 수지로 제조된 도전성 지지체를 들 수 있다.
또한, 간섭 프린지(fringe)를 억제하기 위해서, 도전성 지지체의 표면을 적절히 거칠게 만드는 것이 바람직하다. 구체적으로, 전술한 도전성 지지체의 표면을 호닝, 블라스트(blast), 절단, 또는 전해 연마 처리함으로써 얻은 도전성 지지체, 또는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조된 도전성 지지체상에 도전성 금속 산화물 입자 및 수지를 포함하는 도전성 층을 갖는 도전성 지지체가 바람직하게 사용된다. 도전성 층의 표면상에 반사된 광의 간섭에 기인하여 출력 이미지에서 간섭 프린지가 발생하는 것을 억제하기 위해서, 도전성 층의 표면을 거칠게 만들기 위한 표면 거칠기 부여제를 도전성 층에 첨가할 수 있다.
도전성 지지체상에 도전성 입자 및 수지를 갖는 도전성 층을 형성하는 방법에서, 도전성 입자를 함유하는 분말이 도전성 층에 함유된다. 도전성 입자의 예로서는, 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 예컨대 알루미늄, 니켈, 철, 니크롬, 구리, 아연, 및 은으로 제조된 금속 분말, 및 예컨대 도전성 산화주석 및 ITO로 제조된 금속 산화물 분말을 들 수 있다.
도전성 층에 사용되는 수지의 예로서는, 폴리에스테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리비닐 부티랄 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지, 및 알키드 수지를 들 수 있다. 이러한 수지들을 각각 단독으로 또는 2종 이상을 함께 사용할 수 있다.
도전성 층은 침지 코팅 또는 메이어(Meyer) 바아 등을 사용하는 용제 도포법에 의해서 형성될 수 있다. 도전성 층 코팅액으로서 사용되는 용제의 예로서는, 에테르계 용제, 알코올계 용제, 케톤계 용제, 및 방향족 탄화수소 용제를 들 수 있다.
도전성 층의 필름 두께는 0.2 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하며, 5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하인 것이 보다 더 바람직하다.
[중간층]
본 발명의 전자사진 감광 부재는 도전성 지지체 또는 도전성 층과 전하 발생층 사이에 중간층을 포함할 수 있다.
상기 중간층은 도전성 층상에 수지를 함유하는 중간층 코팅액을 도포하고, 그 코팅액을 건조 또는 경화시킴으로써 형성될 수 있다.
상기 중간층에 사용되는 수지의 예로서는, 폴리아크릴산, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드 산 수지, 멜라민 수지, 에폭시 수지, 및 폴리우레탄 수지를 들 수 있다. 중간층의 수지는 열가소성 수지인 것이 바람직하고, 열가소성 폴리아미드 수지인 것이 더욱 바람직하다. 폴리아미드 수지의 예로서는, 용액 상태에서 도포될 수 있는 비정질 또는 결정도가 낮은 공중합체 나일론을 들 수 있다.
상기 중간층의 필름 두께는 0.05 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상 7 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
중간층은 반도체 입자, 전하 수송 물질, 또는 전하 수용 물질을 더 함유할 수 있다.
[전하 발생층]
본 발명의 전자사진 감광 부재에서, 전하 발생층이 도전성 지지체, 도전성 층 또는 중간층상에 제공된다.
본 발명의 전자사진 감광 부재에 사용되는 전하 발생 물질의 예로서는, 아조 안료, 프탈로시아닌 안료, 인디고 안료, 및 페릴렌 안료를 들 수 있다. 이러한 전하 발생 물질을 단 한 종류 사용하거나, 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서, 옥시티타늄 프탈로시아닌, 히드록시갈륨 프탈로시아닌, 및 클로로갈륨 프탈로시아닌이 그 높은 감광성에 기인하여 특히 바람직하다.
전하 발생층에 사용되는 수지의 예로서는, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 부티랄 수지, 폴리비닐 아세탈 수지, 아크릴 수지, 비닐 아세테이트 수지, 및 우레아 수지를 들 수 있다. 이들 중에서, 부티랄 수지가 특히 바람직하다. 이러한 수지들을 한 종류 단독으로 사용하거나, 2종 이상을 혼합물 또는 공중합체로서 사용할 수 있다.
전하 발생층은 전하 발생 물질을 수지 및 용제와 함께 분산시킴으로써 제조된 전하 발생층 코팅액을 도포한 후에, 그 코팅액을 건조시킴으로써 형성될 수 있다. 또한, 전하 발생층은 전하 발생 물질의 증착 필름일 수도 있다.
분산 방법의 예로서는, 균질화기, 초음파, 볼밀, 샌드밀, 마멸기, 또는 로울밀을 사용하는 방법을 들 수 있다.
전하 발생 물질과 수지 사이의 비율은 수지 1 질량부에 대하여 전하 발생 물질 0.1 질량부 이상 10 질량부 이하인 것이 바람직하고, 1 질량부 이상 3 질량부 이하인 것이 특히 바람직하다.
상기 전하 발생층 코팅액에 사용되는 용제의 예로서는, 알코올계 용제, 술폭시드계 용제, 케톤계 용제, 에테르계 용제, 에스테르계 용제, 및 방향족 탄화수소 용제를 들 수 있다.
전하 발생층의 필름 두께는 0.01 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상 2 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 전하 발생층에 다양한 감광제, 항산화제, UV 흡수제, 가소제 등을 필요에 따라 첨가할 수 있다. 전하 수송 물질 또는 전하 수용 물질도 전하 발생층에 첨가해서, 전하 발생층에서 전하의 흐름이 교란되는 것을 방지할 수 있다.
[전하 수송층]
전하 발생층상에 전하 수송층이 제공된다.
본 발명의 전자사진 감광 부재의 표면층인 전하 수송층은 성분 [γ]를 특이적인 전하 수송 물질로서 함유하며, 전술한 바와 같은 다른 구조를 갖는 전하 수송 물질을 더 함유할 수 있다. 다른 구조를 갖고 혼합될 수 있는 전하 수송 물질은 전술한 바와 같다.
본 발명의 전자사진 감광 부재의 표면층인 전하 수송층은 성분 [α] 및 [β]를 수지로서 함유하며, 전술한 바와 같이, 다른 수지가 더 혼합될 수 있다. 혼합될 수 있는 수지는 전술한 바와 같다.
전하 수송층은 전하 수송 물질과 상기 수지를 용제에 용해시킴으로써 얻은 전하 수송층 코팅액을 도포한 후에 그 코팅액을 건조시킴으로써 형성될 수 있다.
전하 수송 물질과 수지 사이의 비율은 수지 1 질량부에 대하여 전하 수송 물질 0.4 질량부 이상 2 질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.5 질량부 이상 1.2 질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다.
전하 수송층 코팅액에 사용되는 용제의 예로서는 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 에테르계 용제, 및 방향족 탄화수소 용제를 들 수 있다. 이러한 용제들을 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로 사용할 수 있다. 이러한 용제들 중에서, 에테르계 용제 및 방향족 탄화수소 용제를 사용하는 것이 수지 용해도 면에서 바람직하다.
전하 수송층은 바람직하게는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하의 필름 두께를 갖는다.
또한, 전하 수송층에 항산화제, UV 흡수제, 또는 가소제를 필요에 따라서 첨가할 수 있다.
본 발명의 전자사진 감광 부재의 각 층에 다양한 첨가제를 첨가할 수 있다. 첨가제의 예로서는 열화 방지제, 예컨대 항산화제, UV 흡수제, 또는 광 안정제; 및 미립자, 예컨대 유기 미립자 또는 무기 미립자를 들 수 있다. 열화 방지제의 예로서는 입체장애 페놀계 항산화제, 입체장애 아민계 광 안정제, 황 원자 함유 항산화제, 및 인 원자 함유 항산화제를 들 수 있다. 유기 미립자의 예로서는 중합체 수지 입자, 예컨대 플루오르 원자 함유 수지 입자, 폴리스티렌 미립자, 및 폴리에틸렌 수지 입자를 들 수 있다. 무기 미립자의 예로서는 금속 산화물, 예컨대 실리카 및 알루미나를 들 수 있다.
전술한 각각의 층에 상응하는 각각의 코팅액을 도포하기 위해서, 임의의 도포 방법, 예컨대 침지 코팅, 분무 코팅, 스핀 코팅, 로울러 코팅, 메이어 바아 코팅, 및 블레이드 코팅을 사용할 수 있다.
[전자사진 장치]
도면은 본 발명의 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지를 포함하는 전자사진 장치의 구성의 일례를 도시한 것이다.
도면에서, 원통형 전자사진 감광 부재(1)를 소정의 주변 속도하에 화살표로 표시된 방향으로 축(2) 주위로 회전하도록 구동시킬 수 있다. 회전된 전자사진 감광 부재(1)의 표면은 대전 장치(주요 대전 장치: 예컨대 대전 로울러)(3)에 의해서 회전 과정 동안에 소정의 포텐셜하에 음으로 균일하게 대전된다. 이어서, 전자사진 감광 부재(1)의 표면은 노광 장치(도시 생략), 예컨대 슬릿 노광 또는 레이저빔 스캐닝 노광 장치로부터 방출되고 목적하는 이미지 정보의 시계열 전기 디지털 이미지 신호에 따라 강도 조절되는 노광 광(이미지 노광 광)(4)을 수용한다. 이런 식으로, 목적하는 이미지 정보에 상응하는 정전 잠재 이미지가 전자사진 감광 부재(1)의 표면상에 순차적으로 형성된다.
전자사진 감광 부재(1)의 표면상에 형성된 정전 잠재 이미지는 현상 장치(5)의 현상제에 포함된 토너를 사용하는 역 현상에 의해서 토너 이미지로 전환된다. 이어서, 형성되어 전자사진 감광 부재(1)의 표면상에 유지된 토너 이미지가 순차적으로 전사 장치(예컨대, 전사 로울러)(6)로부터 전사 바이어스에 의해서 전사 재료(예컨대 종이)(P)로 전사된다. 전사 재료(P)는 전자사진 감광 부재(1)의 회전과 동시에 전사 재료 공급 장치(도시 생략)로부터 취해지며 전자사진 감광 부재(1)와 전사 장치(6) 사이의 부분(접촉부)에 공급됨을 유의하여야 한다. 또한, 토너가 가진 전기 전하의 극성과 반대인 극성을 갖는 바이어스 전압이 바이어스 전원(도시 생략)으로부터 전사 장치(6)에 부하된다.
토너 이미지의 전사를 수용한 전사 재료(P)는 전자사진 감광 부재(1)의 표면으로부터 분리된 후에 고착 장치(8)에 도입된다. 전사 재료(P)는 토너 이미지의 이미지 고착 처리후에 장치로부터 이미지가 형성된 생성물(인쇄 또는 복사)로서 인쇄된다.
토너 이미지의 전사 이후에 전자사진 감광 부재(1)의 표면은 클리닝 장치(예컨대 클리닝 블레이드)(7)에 의해 전사된 후에, 잔류 현상제(잔류 토너)를 제거함으로써 클리닝된다. 이어서, 전자사진 감광 부재(1)의 표면은 예비 노광 장치(도시 생략)로부터 방출된 예비 노광 광(도시 생략)으로 중화 처리된 다음, 반복해서 이미지를 형성하는데 사용된다. 또한, 도면에 도시된 바와 같이, 클리닝 장치(3)가 대전 로울러를 사용하는 접촉-대전 장치인 경우에는, 예비 노광이 항상 필요한 것은 아니다.
본 발명에서, 전술한 바와 같이 전자사진 감광 부재(1), 대전 장치(3), 현상 장치(5), 전사 장치(6), 및 클리닝 장치(7)를 포함하는 구조 부품들 중에서, 그 다수를 선택하고 용기에 수용한 다음, 프로세스 카트리지로서 일체로 지지할 수 있다. 또한, 상기 프로세스 카트리지는 전자사진 장치, 예컨대 복사기 또는 레이저빔 프린터의 본체상에 탈착 가능하게 장착되도록 구성될 수 있다. 도면에서, 전자사진 감광 부재(1), 대전 장치(3), 현상 장치(5), 및 클리닝 장치(7)가 일체로 지지되어 카트리지에 배치됨으로써, 프로세스 카트리지(9)를 형성한다. 상기 프로세스 카트리지(9)는 가이드 장치(10), 예컨대 전자사진 장치의 본체의 레일을 사용하여 전자사진 장치의 본체상에 탈착 가능하게 장착된다.
실시예
이하에서는, 실시예 및 비교예에 의거하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 발명이 후술하는 실시예에 제한되는 것은 아니다. 또한, 실시예에서 "부"는 "질량부"를 의미한다.
실시예 1
직경이 30 mm이고 길이가 260.5 mm인 알루미늄 실린더를 도전성 지지체로서 사용하였다.
이어서, SnO2 코팅된 황산바륨(도전성 입자) 10부, 산화티타늄(저항 조절용 안료) 2부, 페놀 수지 6부, 및 실리콘 오일(레벨링제) 0.001부를 메탄올 4부와 메톡시프로판올 16부의 혼합 용제와 함께 사용하여 도전성 층 코팅액을 제조하였다.
도전성 층 코팅액을 상기 알루미늄 실린더상에 침지 코팅에 의해서 도포하고 140℃에서 30분 동안 경화시켜서 필름 두께가 15 ㎛인 도전성 층을 형성하였다.
이어서, N-메톡시메틸화 나일론 3부 및 공중합체 나일론 3부를 메탄올 65부와 n-부탄올 30부의 혼합 용제에 용해시켜서 중간층 코팅액을 제조하였다.
중간층 코팅액을 상기 도전성 층상에 침지 코팅에 의해서 도포하고 100℃에서 10분 동안 건조시켜서, 필름 두께가 0.7 ㎛인 중간층을 형성하였다.
이어서, CuKα 특성 X선 회절 분석에서 브래그 각도(2θ±0.2°) 7.5°, 9.9°, 16.3°, 18.6°, 25.1° 및 28.3°에 강한 피크를 나타내는 결정 구조를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정(전하 발생 물질) 10부를, 폴리비닐 부티랄 수지(제품명: S-LEC BX-1, 세키스이 케이컬 컴패니, 리미티드 제조) 5부를 시클로헥산온 250부에 용해시킴으로써 수득한 용액에 첨가하였다. 수득한 혼합물을 직경이 1 mm인 유리 비이드를 사용하는 샌드밀 장치에 의해서 23±3℃ 대기하에 1 시간 동안 분산시켰다. 분산시킨 후에, 에틸 아세테이트 250부를 첨가하여 전하 발생층 코팅액을 제조하였다.
전하 발생층 코팅액을 상기 중간층상에 침지 코팅에 의해서 도포하고 100℃에서 10분 동안 건조시켜서 필름 두께가 0.26 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
이어서, 성분 [γ]로서 상기 화학식 (1-1)로 표시되는 구조를 갖는 전하 수송 물질 10부, 성분 [α]로서 합성예 1에서 합성된 폴리카보네이트 수지 A(1) 4부, 및 성분 [β]로서 상기 화학식 (C-5)로 표시되는 반복 구조와 화학식 (C-7)로 표시되는 반복 구조를 8:2의 비율로 포함하는 폴리카보네이트 수지 C(중량 평균 분자량: 120,000) 6부를 테트라히드로푸란 20부와 톨루엔 60부의 혼합 용제에 용해시켜서, 전하 수송층 코팅액을 제조하였다.
전하 수송층 코팅액을 상기 전하 발생층상에 침지 코팅에 의해서 도포하고 110℃에서 1 시간 동안 건조시켜서, 필름 두께가 16 ㎛인 전하 수송층을 형성하였다. 수득한 전하 수송층은 성분 [β]와 [γ]를 포함하는 매트릭스에 성분 [α]를 포함하는 도메인을 함유하는 것으로 확인되었다.
이와 같이 하여, 상기 전하 수송층을 표면층으로 하는 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 하기 표 3은 수득한 전하 수송층중의 성분 [α], [β], 및 [γ], 및 전하 수송층중의 전체 수지의 총 질량에 대한 폴리카보네이트 수지 A중의 실록산 모이어티의 함량을 제시한 것이다.
이어서, 평가에 관해 설명한다.
종이 2,000장의 반복 사용시 명부 포텐셜의 변화(포텐셜 변화), 초기 및 종이 2,000장의 반복 사용시 토오크 상대값, 및 토오크 측정시 전자사진 감광 부재의 표면의 관찰에 대하여 평가를 수행하였다.
전자사진 감광 부재의 전하 포텐셜(암부 포텐셜)을 조정하도록 변형시킨 캐논 인코오포레이티드에서 제조한 레이저빔 프린터(LBP-2510)를 평가 장치로서 사용하였다. 또한, 폴리우레탄 고무로 제조된 클리닝 블레이드를 전자사진 감광 부재의 표면에 대하여 22.5°의 접촉각 및 35 g/㎠의 접촉 압력을 갖도록 설정하였다. 23℃의 온도 및 50%의 상대 습도의 환경하에 평가를 수행하였다.
<포텐셜 변화의 평가>
평가 장치로서 사용된 780 nm 레이저 광원의 노광량(이미지 노광량)을, 전자사진 감광 부재의 표면상의 광 강도가 0.3 μJ/㎠이 되도록 설정하였다. 현상 장치를 포텐셜 측정용 탐침이 전자사진 감광 부재의 단부로부터 130 mm의 위치에 위치하도록 고정된 고정체로 교체한 후에, 전자사진 감광 부재의 표면의 포텐셜(암부 포텐셜 및 명부 포텐셜)의 측정을 상기 현상 장치의 위치에서 수행하였다. 전자사진 감광 부재의 미노광된 부분에서 암부 포텐셜을 450 V로 설정하고, 레이저 광을 조사하고, 암부 포텐셜로부터 광 감쇠에 의해서 얻은 명부 포텐셜을 측정하였다. 또한 A4 크기 무괘선 백지를 사용해서 2,000장의 이미지를 연속적으로 출력하고, 출력하기 이전 및 이후의 명부 포텐셜의 변화를 평가하였다. 인쇄율이 5%인 시험 차트를 사용하였다. 그 결과를 하기 표 8에서 "포텐셜 변화" 란에 나타내었다.
<토오크 상대값의 평가>
전자사진 감광 부재의 회전 모터의 구동 전류(전류 A)를 전술한 포텐셜 변화의 평가에 사용한 것과 동일한 조건하에 측정하였다. 이 평가는 전자사진 감광 부재와 클리닝 블레이드 사이의 접촉 응력의 양의 평가에 대하여 수행하였다. 수득한 전류는 전자사진 감광 부재와 클리닝 블레이드 사이의 접촉 응력의 양이 얼마나 큰가를 보여준다.
또한, 토오크 상대값 비교용 전자사진 감광 부재를 다음과 같은 방법에 의해 제조하였다. 실시예 1의 전자사진 감광 부재의 전하 수송층에 사용된 성분 [α]인 폴리카보네이트 수지 A(1)을 표 3에서 성분 [β]로 대체하고, 성분 [β]만을 수지로서 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 수득한 전자사진 감광 부재를 비교용 전자사진 감광 부재로서 사용하였다. 수득한 비교용 전자사진 감광 부재를 사용해서 실시예 1과 같은 방식으로 전자사진 감광 부재의 회전 모터의 구동 전류(전류 B)를 측정하였다.
본 발명에 의한 성분 [α]를 함유하는 전자사진 감광 부재의 회전 모터의 구동 전류(전류 A) 대 성분 [α]를 함유하지 않는 전자사진 감광 부재의 회전 모터의 구동 전류(전류 B)의 비율을 계산하였다. 수득한 (전류 A)/(전류 B)의 값을 토오크 상대값으로서 비교하였다. 토오크 상대값은 전자사진 감광 부재와 클리닝 블레이드 사이의 접촉 응력이 성분 [α]의 사용에 의해 감소된 정도를 나타낸다. 토오크 상대값이 작아질수록, 전자사진 감광 부재와 클리닝 블레이드 사이의 접촉 응력 감소 정도가 커진다. 그 결과를 하기 표 8의 "초기 토오크 상대값" 란에 나타내었다.
이어서, A4-크기 무괘선 백지를 사용해서 연속적으로 2,000장의 이미지를 출력하였다. 인쇄율이 5%인 시험 차트를 사용하였다. 이어서, 2,000장의 반복 사용후에 토오크 상대값 측정을 수행하였다. 종이 2,000장 반복 사용 이후 토오크 상대값은 초기 토오크 상대값에 대한 평가와 동일한 방식으로 측정하였다. 이 과정에서, 종이 2,000장을 비교용 전자사진 감광 부재에 반복적인 방식으로 사용하고, 수득한 회전 모터의 구동 전류를 사용해서 종이 2,000장 반복 사용후의 토오크 상대값을 계산하였다. 그 결과를 하기 표 8의 "종이 2,000장 반복 사용후 토오크 상대값" 란에 나타내었다.
<매트릭스-도메인 구조의 평가>
전술한 방법에 의해서 제조한 전자사진 감광 부재에 대하여 수직 방향으로 전하 수송층을 절단함으로써 얻은 전하 수송층의 횡단면을 초심화 프로파일 측정 현미경 VK-9500(키엔스 코오포레이션 제조)을 사용해서 관찰하였다. 이 과정에서, 전자사진 감광 부재의 표면에서 100 ㎛ x 100 ㎛의 면적(10,000 ㎛2)의 면적을 시야로서 정하고 50x 배율하에 대물 렌즈로 관찰하여 시야에서 무작위로 선택된 100개의 형성된 도메인의 최대 직경을 측정하였다. 최대 직경으로부터 평균치를 계산하여 수 평균 입자 크기로서 제공하였다. 표 8에 그 결과를 나타내었다.
실시예 2 내지 45
전하 수송층에서 성분 [α], [β] 및 [γ]를 하기 표 3에 나타낸 바와 같이 변경하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 같은 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하고 평가하였다. 수득한 전하 수송층들은 각각 성분 [β] 및 [γ]를 포함하는 매트릭스에 성분 [α]를 포함하는 도메인을 함유하는 것으로 확인되었다. 하기 표 8에 그 결과를 제시하였다.
성분 [β]로서 사용된 폴리카보네이트 수지 C의 중량 평균 분자량은 다음과 같은 것으로 밝혀졌다.
(C-5)/(C-7)= 8/2: 120,000
(C-1): 100,000
실시예 46 내지 90
전하 수송층에서 성분 [α], [β] 및 [γ]를 하기 표 4에 나타낸 바와 같이 변경하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 같은 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하고 평가하였다. 수득한 전하 수송층들은 각각 성분 [β] 및 [γ]를 포함하는 매트릭스에 성분 [α]를 포함하는 도메인을 함유하는 것으로 확인되었다. 하기 표 8에 그 결과를 제시하였다.
성분 [β]로서 사용된 폴리카보네이트 수지 C의 중량 평균 분자량은 다음과 같은 것으로 밝혀졌다.
(C-5)/(C-7)= 8/2: 120,000
(C-2): 130,000
(C-3)/C(-5)= 3/7: 100,000
실시예 91 내지 135
전하 수송층에서 성분 [α], [β] 및 [γ]를 하기 표 5에 나타낸 바와 같이 변경하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 같은 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하고 평가하였다. 수득한 전하 수송층들은 각각 성분 [β] 및 [γ]를 포함하는 매트릭스에 성분 [α]를 포함하는 도메인을 함유하는 것으로 확인되었다. 하기 표 9에 그 결과를 제시하였다.
성분 [β]로서 사용된 폴리카보네이트 수지 C의 중량 평균 분자량은 다음과 같은 것으로 밝혀졌다.
(C-6)/(C-7)= 8/2: 120,000
(C-1)/(C-10)= 7/3: 130,000
(C-1)/(C-4)= 8/2: 120,000
(C-1)/(C-8)= 8/2: 100,000
(C-1)/(C-9)= 8/2: 90,000
실시예 136 내지 180
전하 수송층에서 성분 [α], [β] 및 [γ]를 하기 표 6에 나타낸 바와 같이 변경하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 같은 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하고 평가하였다. 수득한 전하 수송층들은 각각 성분 [β] 및 [γ]를 포함하는 매트릭스에 성분 [α]를 포함하는 도메인을 함유하는 것으로 확인되었다. 하기 표 9에 그 결과를 제시하였다.
하기 화학식 (2-1)로 표시되는 구조를 갖는 전하 수송 물질과 하기 화학식 (2-2)로 표시되는 구조를 갖는 전하 수송 물질이 성분 [γ]인 상기 화학식 (1) 또는 (1')로 표시되는 구조를 갖는 전하 수송 물질과 혼합된 혼합물을 전하 수송 물질로서 사용하였음을 유의하여야 한다.
[화학식 2-1]
Figure 112013029767852-pct00022
[화학식 2-2]
Figure 112013029767852-pct00023
성분 [β]로서 사용된 폴리에스테르 수지 D의 중량 평균 분자량은 다음과 같은 것으로 밝혀졌다.
(D-1): 120,000
(D-2): 90,000
(D-1)/(D-4)= 7/3: 130,000
(D-2)/(D-3)= 9/1: 100,000
(D-5): 100,000
(D-6): 120,000
(D-7): 110,000
상기 화학식 (D-1), (D-2), (D-3), (D-4), 및 (D-5)로 표시되는 반복 구조 단위는 각각 1/1의 테레프탈산/이소프탈산 비율을 갖는다.
비교예 1 내지 6
폴리카보네이트 수지 A(1)을 상기 화학식 (A-1)으로 표시되는 반복 구조 단위 및 상기 화학식 (B-1)으로 표시되는 반복 구조 단위를 포함하는 폴리카보네이트 수지(E(1): 중량 평균 분자량 60,000)로 변경하고(여기서, 상기 폴리카보네이트 수지의 실록산 모이어티의 함량은 2 질량%임), 하기 표 7에 나타낸 바와 같이 변형시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 하기 표 7은 전하 수송층내의 수지 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않는 것으로 밝혀졌다.
비교예 7 내지 12
폴리카보네이트 수지 A(1)을 상기 폴리카보네이트 수지 E(1)으로 변경하고 표 7에 나타낸 바와 같이 변형시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 표 7은 전하 수송층내의 수지의 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않는 것으로 밝혀졌다.
비교예 13
폴리카보네이트 수지 E(1)만을 전하 수송층에 수지로서 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 표 7은 전하 수송층내의 수지의 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않는 것으로 밝혀졌다. 실시예 1에 사용된 비교용 전자사진 감광 부재를 토오크 상대값 비교용 전자사진 감광 부재로서 사용하였음을 유의하여야 한다.
비교예 14 내지 19
폴리카보네이트 수지 A(1)을 상기 화학식 (A-1)으로 표시되는 반복 구조 단위 및 상기 화학식 (B-1)으로 표시되는 반복 구조 단위를 포함하는 폴리카보네이트 수지(E(2): 중량 평균 분자량 70,000)로 변경하고(여기서, 상기 폴리카보네이트 수지의 실록산 모이어티의 함량은 50 질량%임), 하기 표 7에 나타낸 바와 같이 변형시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 표 7은 전하 수송층내의 수지 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 각각 매트릭스-도메인 구조를 갖는 것으로 밝혀졌다.
비교예 20 내지 25
폴리카보네이트 수지 A(1)을 상기 폴리카보네이트 수지 E(2)로 변경하고 표 7에 나타낸 바와 같이 변형시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 표 7은 전하 수송층내의 수지의 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 각각 매트릭스-도메인 구조를 갖는 것으로 밝혀졌다.
비교예 26
폴리카보네이트 수지 E(2)만을 전하 수송층에 수지로서 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 표 7은 전하 수송층내의 수지의 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않는 것으로 밝혀졌다. 실시예 1에 사용된 비교용 전자사진 감광 부재를 토오크 상대값 비교용 전자사진 감광 부재로서 사용하였음을 유의하여야 한다.
비교예 27 내지 32
폴리카보네이트 수지 A(1)을 특허문헌 3에 개시된 반복 구조를 포함하는 수지 E(3)으로 변경하고, 하기 표 7에 나타낸 바와 같이 변형시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 상기 수지(E(3): 중량 평균 분자량 120,000)는 하기 화학식 (E-3)으로 표시되는 반복 구조 단위, 상기 화학식 (B-5)로 표시되는 반복 구조 단위, 및 상기 화학식 (B-7)로 표시되는 반복 구조 단위를 85/14.9/0.1의 비율로 포함한다. 수지내의 실록산 모이어티의 함량은 1 질량%인 것으로 밝혀졌다. 하기 표 7은 전하 수송층내의 수지 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않는 것으로 밝혀졌다. 하기 화학식 (E-3)으로 표시되는 반복 구조 단위내의 실록산 모이어티의 반복 수를 나타내는 수치는 반복 수의 평균치를 나타냄을 유의하여야 한다. 이 경우에, 수지 E(3)내의 하기 화학식 (E-3)으로 표시되는 반복 구조 단위내의 실록산 모이어티의 반복 수의 평균치는 25이다.
[화학식 E-3]
Figure 112013029767852-pct00024
비교예 33
폴리카보네이트 수지 A(1)을 상기 폴리카보네이트 수지 E(3)로 변경하고, 표 7에 나타낸 바와 같이 변형시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 표 7은 전하 수송층내의 수지의 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않는 것으로 밝혀졌다.
비교예 34 내지 39
폴리카보네이트 수지 A(1)을 특허문헌 1에 개시된 구조인 하기 화학식 (E-4)로 표시되는 반복 구조 단위 및 상기 화학식 (D-1)으로 표시되는 반복 구조 단위를 포함하는 수지(E(4): 중량 평균 분자량 60,000)(여기서 상기 수지내의 실록산 모이어티 함량은 30 질량%임)로 변경하고, 표 7에 나타낸 바와 같이 변형시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 화학식 (E-4)로 표시되는 반복 구조 단위 및 화학식 (D-1)으로 표시되는 반복 구조 단위는 각각 1/1의 테레프탈산/이소프탈산 비율을 갖는다. 표 7은 전하 수송층내의 수지 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 각각 매트릭스-도메인 구조를 갖는 것으로 밝혀졌다. 실시예 139에 사용된 비교용 전자사진 감광 부재를 토오크 상대값 비교용 전자사진 감광 부재로서 사용하였음을 유의하여야 한다. 하기 화학식 (E-4)로 표시되는 반복 구조 단위내의 실록산 모이어티의 반복 수를 나타내는 수치는 반복 수의 평균치를 나타냄을 유의하여야 한다. 이 경우에, 수지 E(4)내의 하기 화학식 (E-4)로 표시되는 반복 구조 단위내의 실록산 모이어티의 반복 수의 평균치는 40이다.
[화학식 E-4]
Figure 112013029767852-pct00025
비교예 40 내지 43
폴리카보네이트 수지 A(1)을 상기 폴리카보네이트 수지 E(4)로 변경하고, 전하 수송 물질을 상기 화학식 (2-1)로 표시되는 물질로 변경하고, 표 7에 나타낸 바와 같이 변형시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 표 7은 전하 수송층내의 수지의 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 각각 매트릭스-도메인 구조를 갖는 것으로 밝혀졌다. 실시예 139에 사용된 비교용 전자사진 감광 부재를 토오크 상대값 비교용 전자사진 감광 부재로서 사용하였음을 유의하여야 한다.
비교예 44 및 45
폴리카보네이트 수지 A(1)을 상기 폴리카보네이트 수지 A(2)로 변경하고, 전하 수송 물질을 상기 화학식 (2-1)로 표시되는 물질로 변경하고, 표 7에 나타낸 바와 같이 변형시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 전자사진 감광 부재를 제조하였다. 표 7은 전하 수송층내의 수지의 조성 및 실록산 모이어티 함량을 나타낸 것이다. 실시예 1과 동일한 방식으로 평가를 수행하였으며, 그 결과를 하기 표 10에 나타내었다. 수득한 전하 수송층은 각각 매트릭스-도메인 구조를 갖는 것으로 밝혀졌다. 실시예 139에 사용된 비교용 전자사진 감광 부재를 토오크 상대값 비교용 전자사진 감광 부재로서 사용하였음을 유의하여야 한다.
Figure 112013029767852-pct00026
Figure 112013029767852-pct00027
표 3 내지 6에서 "성분 [γ]라는 용어는 전하 수송층내의 성분 [γ]를 언급한 것이다. 전하 수송 물질들의 혼합물을 사용할 경우에, 상기 용어는 성분 [γ] 및 다른 전하 수송 물질의 종류 및 혼합비를 언급한 것이다. 표 3 내지 6에서 "성분 [α]"라는 용어는 성분 [α]의 조성을 언급한 것이다. 표 3 내지 6에서 용어 "실록산 함량 A(질량%)"는 폴리카보네이트 수지 A내의 실록산 모이어티의 함량(질량%)을 언급한 것이다. 표 3 내지 6에서 "성분 [β]"는 성분 [β]의 조성을 언급한 것이다. 표 3 내지 6에서 용어 "성분 [α] 대 성분 [β]의 혼합비"는 전하 수송층내의 성분 [α] 대 성분 [β]의 혼합비(성분 [α]/성분 [β])를 언급한 것이다. 표 3 내지 6에서 용어 "실록산 함량 B(질량%)"는 전하 수송층내의 전체 수지의 총 질량에 대한 폴리카보네이트 수지 A내의 실록산 모이어티의 함량(질량%)을 언급한 것이다.
Figure 112013029767852-pct00028
Figure 112013029767852-pct00029
Figure 112013029767852-pct00030
Figure 112013029767852-pct00031
Figure 112013029767852-pct00032
Figure 112013029767852-pct00033
Figure 112013029767852-pct00034
Figure 112013029767852-pct00035
표 7에서 용어 "전하 수송 물질"은 전하 수송층내의 전하 수송 물질을 언급한 것이다. 전하 수송 물질들의 혼합물을 사용할 경우에, 상기 용어는 전하 수송 물질들의 종류 및 혼합비를 언급한 것이다. 표 7에서 용어 "수지 E"는 실록산 모이어티를 갖는 수지 E를 언급한 것이다. 표 7에서 용어 "실록산 함량 A(질량%)"는 "수지 E"내의 실록산 모이어티의 함량(질량%)을 언급한 것이다. 표 7에서 용어 "성분 [β]"는 성분 [β]의 조성을 언급한 것이다. 표 7에서 용어 "수지 E 대 성분 [β]의 혼합비"는 전하 수송층내의 수지 E 또는 폴리카보네이트 수지 A 대 성분 [β]의 혼합비(수지 E/성분 [β])를 언급한 것이다. 표 7에서 용어 "실록산 함량 B(질량%)"는 전하 수송층내의 전체 수지의 총 질량에 대한 "수지 E"내의 실록산 모이어티의 함량(질량%)을 언급한 것이다.
하기 표 8 내지 10은 실시예 1 내지 180 및 비교예 1 내지 45의 평가 결과를 나타낸 것이다.
Figure 112013029767852-pct00036
Figure 112013029767852-pct00037
Figure 112013029767852-pct00038
Figure 112013029767852-pct00039
Figure 112013029767852-pct00040
Figure 112013029767852-pct00041
실시예와 비교예 1 내지 12를 비교해보면, 전하 수송층내의 실록산 모이어티를 갖는 폴리카보네이트 수지에 대한 실록산의 질량비가 낮을 경우에, 접촉 응력 감소 효과가 불충분하다는 것을 알 수 있다. 이는 이 평가 방법의 비교예 1 내지 12에서 초기 및 종이 2,000장 반복 사용 이후에 토오크 감소 효과가 달성되지 못한다는 사실에 의해서 입증된다. 또한, 비교예 13은, 실록산 모이어티를 갖는 폴리카보네이트 수지에 대한 실록산의 질량비가 낮을 경우에, 전하 수송층내의 실록산 함유 수지의 함량이 증가된다 하더라도 접촉 응력 감소 효과가 불충분하다는 것을 입증한다.
실시예와 비교예 14 내지 25를 비교해보면, 전하 수송층내의 실록산 모이어티 함유 폴리카보네이트 수지에 대한 실록산의 질량비가 높을 경우에, 반복 사용시 포텐셜 안정성이 현저하게 낮다는 것을 알 수 있다. 이 경우에, 실록산 모이어티 함유 폴리카보네이트 수지에 기인하여 매트릭스-도메인 구조가 형성되지만, 폴리카보네이트 수지 및 전하 수송층이 과량의 실록산 구조를 가지므로, 전하 수송 물질과의 상용성이 불충분하다. 그러므로, 반복 사용시 포텐셜 안정성에 대한 효과가 불충분하다. 또한, 비교예 26은, 반복 사용시 포텐셜 안정성이 현저하게 낮다는 것을 보여준다. 비교예 26의 결과는 매트릭스-도메인 구조가 형성되지 않았음에도 불구하고 큰 포텐셜 변화가 유발됨을 보여준다. 즉, 비교예 14 내지 26에서, 형성되는 부재는 전하 수송 물질 및 과량의 실록산 구조를 함유하는 수지를 포함하므로, 전하 수송 물질과의 상용성이 불충분할 수 있다.
실시예와 비교예 27 내지 33을 비교해보면, 비교예 1 내지 12의 경우와 마찬가지로, 전하 수송층내의 실록산 모이어티 함유 폴리카보네이트 수지에 대한 실록산의 질량비가 낮을 경우에, 접촉 응력 감소 효과가 불충분함을 알 수 있다.
비교예 34 내지 39에서, 본 발명에서 제시된 전하 수송 물질이 실록산 구조를 갖는 수지에 의해 매트릭스-도메인 구조가 형성된다 하더라도 어떤 경우에는 낮은 포텐셜 안정성을 갖는다. 실시예와 비교예 34 내지 39를 비교해보면, 본 발명의 폴리카보네이트 수지를 사용함으로써 반복 사용시 포텐셜 안정성이 개선될 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 이들을 비교해 보면, 포텐셜 안정성에 대한 충분한 효과와 접촉 응력의 지속적인 감소 사이에서 탁월한 균형을 달성할 수 있음을 알 수 있다. 비교예 34 내지 39에서, 포텐셜 안정성이 불충분한데, 그 이유는 전하 수송층내의 수지와 높은 상용성을 갖는 성분 [γ]가 실록산 함유 수지를 포함하는 도메인에 다량의 전하 수송 물질을 함유함으로써, 상기 도메인에서 전하 수송 물질의 응집체를 형성하기 때문이다. 그러나, 실시예에서는, 본 발명의 성분 [α]와 성분 [γ] 사이의 상용성이 낮으므로, 상기 도메인에서 전하 수송 물질의 함량이 감소된다. 따라서, 포텐셜 변화에 대한 요인인 상기 도메인내의 전하 수송 물질의 함량이 감소됨으로써, 포텐셜 변화를 감소시키는 것으로 추정된다. 반복 사용시 포텐셜 안정성이 성분 [α]와 성분 [γ] 사이의 상용성에 의해서 개선된다는 사실은 비교예 40 내지 45의 결과에 의해서도 제시된다. 비교예 34 내지 45와 실시예를 비교해보면, 본 발명의 성분 [α]와 성분 [γ]를 함유하는 전하 수송층을 형성할 경우에 포텐셜 변화를 억제하는 현저한 효과를 달성할 수 있음을 알 수 있다.
이상에서는 예시적인 실시양태에 의거하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시양태에 제한되지 않음을 알아야 한다. 첨부된 특허 청구의 범위는 모든 변형예 및 등가의 구조와 기능을 모두 포함하도록 가장 넓게 해석되어야 한다.
본 출원은 2010년 9월 14일자 일본 특허 출원 제 2010-205832호에 대한 우선권을 주장하며, 상기 특허 출원은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.

Claims (6)

  1. 도전성 지지체,
    상기 도전성 지지체상에 제공되고 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층, 및
    상기 전하 발생층상에 제공되고 전자사진 감광 부재의 표면층인 전하 수송층을 포함하며,
    여기서 상기 전하 수송층은, 하기 화학식 (A)로 표시되는 반복 구조 단위 및 하기 화학식 (B)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리카보네이트 수지 A를 포함하는 도메인; 및
    하기 화학식 (C)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리카보네이트 수지 C 및 하기 화학식 (D)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 D로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 수지, 및 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 (1')로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 전하 수송 물질을 포함하는 매트릭스를 갖는 매트릭스-도메인 구조를 갖고;
    여기서 상기 폴리카보네이트 수지 A 중의 실록산 모이어티의 함량은 상기 폴리카보네이트 수지 A의 총 질량에 대하여 5 질량% 이상 40 질량% 이하인, 전자사진 감광 부재.
    [화학식 A]
    Figure 112013029767852-pct00042

    상기 화학식 (A)에서, "a", "b", 및 "c"는 각각 독립적으로 괄호안의 구조의 반복 수를 나타내고,
    상기 폴리카보네이트 수지 A에서 "a"의 평균치는 1 내지 10 범위이며,
    상기 폴리카보네이트 수지 A에서 "b"의 평균치는 1 내지 10 범위이고,
    상기 폴리카보네이트 수지 A에서 "c"의 평균치는 20 내지 200 범위이며;
    [화학식 B]
    Figure 112013029767852-pct00043

    상기 화학식 (B)에서, R21 내지 R24는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고,
    Y1은 단일 결합, 메틸렌기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 페닐에틸리덴기, 시클로헥실리덴기, 또는 산소 원자를 나타내며;
    [화학식 C]
    Figure 112013029767852-pct00044

    상기 화학식 (C)에서, R31 내지 R34는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고,
    Y2는 단일 결합, 메틸렌기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 페닐에틸리덴기, 시클로헥실리덴기, 또는 산소 원자를 나타내며;
    [화학식 D]
    Figure 112013029767852-pct00045

    상기 화학식 (D)에서, R41 내지 R44는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고,
    X는 메타-페닐렌기, 파라-페닐렌기, 또는 산소 원자와 결합된 2개의 파라-페닐렌기를 갖는 2가의 기를 나타내며,
    Y3은 단일 결합, 메틸렌기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 시클로헥실리덴기, 또는 산소 원자를 나타내고;
    [화학식 1]
    Figure 112013029767852-pct00046

    [화학식 1']
    Figure 112013029767852-pct00047

    상기 화학식 (1) 및 (1')에서, Ar1은 페닐기, 또는 메틸기나 에틸기로 치환된 페닐기를 나타내고,
    Ar2는 페닐기, 메틸기로 치환된 페닐기, 식 "-CH=CH-Ta"로 표시되는 1가의 기로 치환된 페닐기, 또는 식 "-CH=CH-Ta"로 표시되는 1가의 기로 치환된 비페닐기를 나타내며(여기서, Ta는 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 하나의 수소 원자를 잃음으로써 유도되거나, 메틸기나 에틸기로 치환된 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 하나의 수소 원자를 잃음으로써 유도되는 1가의 기를 나타냄),
    R1은 페닐기, 메틸기로 치환된 페닐기, 또는 식 "-CH=(Ar3)Ar4"로 표시되는 1가의 기로 치환된 페닐기를 나타내고(여기서, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 페닐기 또는 메틸기로 치환된 페닐기를 나타냄),
    R2는 수소 원자, 페닐기, 또는 메틸기로 치환된 페닐기를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전하 수송층내의 실록산 모이어티의 함량이 상기 전하 수송층내의 전체 수지의 총 질량에 대하여 1 질량% 이상 20 질량% 이하인, 전자사진 감광 부재.
  3. 제1항에 있어서, 상기 화학식 (A)에서, 상기 폴리카보네이트 수지 A에서 "c"의 평균치가 20 내지 150 범위인, 전자사진 감광 부재.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 전자사진 감광 부재; 및
    대전 장치, 현상 장치, 전사 장치, 및 클리닝 장치로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 장치를 일체로 지지하는, 전자사진 장치의 본체에 탈착가능하게 부착될 수 있는 프로세스 카트리지.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 전자사진 감광 부재; 대전 장치; 노광 장치; 현상 장치; 및 전사 장치를 포함하는 전자사진 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 전자사진 감광 부재의 제조 방법이며,
    전하 발생층상에 전하 수송층 코팅액을 도포하고, 상기 전하 수송층 코팅액을 건조시킴으로써 전하 수송층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 전하 수송층 코팅액이
    상기 폴리카보네이트 수지 A,
    상기 폴리카보네이트 수지 C 및 상기 폴리에스테르 수지 D로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 수지, 및
    하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 (1')로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 전하 수송 물질을 포함하는 것인, 전자사진 감광 부재의 제조 방법.
    [화학식 1]
    Figure 112013029767852-pct00048

    [화학식 1']
    Figure 112013029767852-pct00049
KR1020137008761A 2010-09-14 2011-08-18 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진 감광 부재의 제조 방법 KR101476567B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010205832 2010-09-14
JPJP-P-2010-205832 2010-09-14
PCT/JP2011/069096 WO2012035944A1 (en) 2010-09-14 2011-08-18 Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130051007A KR20130051007A (ko) 2013-05-16
KR101476567B1 true KR101476567B1 (ko) 2014-12-24

Family

ID=45831416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137008761A KR101476567B1 (ko) 2010-09-14 2011-08-18 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진 감광 부재의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8753789B2 (ko)
EP (1) EP2616882B1 (ko)
JP (1) JP4975181B2 (ko)
KR (1) KR101476567B1 (ko)
CN (1) CN103109236B (ko)
WO (1) WO2012035944A1 (ko)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4948670B2 (ja) 2010-10-14 2012-06-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP5036901B1 (ja) 2010-10-29 2012-09-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP4959022B2 (ja) 2010-10-29 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4975185B1 (ja) 2010-11-26 2012-07-11 キヤノン株式会社 円筒状電子写真感光体の表面層の表面に凸凹形状を形成する方法、および、表面層の表面に凸凹形状が形成された円筒状電子写真感光体を製造する方法
JP4959024B1 (ja) 2010-12-02 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP5079153B1 (ja) 2011-03-03 2012-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、電子写真感光体の製造方法
JP5054238B1 (ja) 2011-03-03 2012-10-24 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP5089815B2 (ja) 2011-04-12 2012-12-05 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP5089816B2 (ja) 2011-04-12 2012-12-05 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
US9029054B2 (en) 2012-06-29 2015-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
US9069267B2 (en) 2012-06-29 2015-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
EP2680076B1 (en) 2012-06-29 2016-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP5911459B2 (ja) 2012-09-28 2016-04-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
JP6214321B2 (ja) * 2012-11-14 2017-10-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2014130329A (ja) * 2012-11-30 2014-07-10 Canon Inc 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
JP6198571B2 (ja) * 2012-11-30 2017-09-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置
JP6161297B2 (ja) 2013-01-18 2017-07-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6347696B2 (ja) * 2013-09-30 2018-06-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP6287366B2 (ja) * 2014-03-07 2018-03-07 三菱ケミカル株式会社 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体
JP6427026B2 (ja) 2014-03-26 2018-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置
JP6427024B2 (ja) * 2014-03-26 2018-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
US9684277B2 (en) * 2014-11-19 2017-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and image-forming method
JP6588731B2 (ja) 2015-05-07 2019-10-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6762799B2 (ja) * 2015-08-27 2020-09-30 キヤノン株式会社 画像形成方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP6639256B2 (ja) 2016-02-10 2020-02-05 キヤノン株式会社 電子写真装置、およびプロセスカートリッジ
US10162278B2 (en) 2017-02-28 2018-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
US10203617B2 (en) 2017-02-28 2019-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP6850205B2 (ja) 2017-06-06 2021-03-31 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7046571B2 (ja) 2017-11-24 2022-04-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7187270B2 (ja) 2017-11-24 2022-12-12 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7057104B2 (ja) 2017-11-24 2022-04-19 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置
JP7034768B2 (ja) 2018-02-28 2022-03-14 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び画像形成装置
JP7034769B2 (ja) 2018-02-28 2022-03-14 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2019152699A (ja) 2018-02-28 2019-09-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7150485B2 (ja) 2018-05-31 2022-10-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7129225B2 (ja) 2018-05-31 2022-09-01 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法
US10747130B2 (en) 2018-05-31 2020-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP7059111B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体およびその製造方法、並びにプロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7059112B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7054366B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-13 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7413054B2 (ja) 2019-02-14 2024-01-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US11573499B2 (en) 2019-07-25 2023-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
US11320754B2 (en) 2019-07-25 2022-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP7337649B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7337652B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及びそれを用いた電子写真装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004177560A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Konica Minolta Holdings Inc 電子写真感光体及びそれを用いた画像形成方法並びにプロセスカートリッジ

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2967724B2 (ja) * 1995-07-25 1999-10-25 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体及び電子写真装置
JP3730349B2 (ja) 1997-02-20 2006-01-05 出光興産株式会社 電子写真感光体
US6136521A (en) 1997-02-20 2000-10-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Polycarbonate, and molding and electrophotographic photoreceptor prepared therefrom
JP2001142235A (ja) 1999-11-17 2001-05-25 Fuji Denki Gazo Device Kk 電子写真用感光体
JP2001337467A (ja) 2000-05-25 2001-12-07 Fuji Denki Gazo Device Kk 電子写真感光体
JP2002182406A (ja) * 2000-12-13 2002-06-26 Sharp Corp 電子写真感光体、その電荷輸送層用塗布液および電子写真装置
CN1306342C (zh) 2002-04-26 2007-03-21 佳能株式会社 电摄影感光体、成像处理盒和电摄影装置
JP3913148B2 (ja) 2002-08-30 2007-05-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4174391B2 (ja) 2002-08-30 2008-10-29 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US7001699B2 (en) 2002-08-30 2006-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
KR100862780B1 (ko) 2004-09-10 2008-10-13 캐논 가부시끼가이샤 전자 사진 감광체, 공정 카트리지 및 전자 사진 장치
JP4679914B2 (ja) 2005-01-27 2011-05-11 キヤノン化成株式会社 導電性ローラー及び該導電性ローラーを有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
US7402366B2 (en) * 2005-05-25 2008-07-22 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Organic photoreceptor, process cartridge, image forming method, and image forming apparatus
US20070054207A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-08 Michio Kimura Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus, and process cartridge
JP4183267B2 (ja) 2006-01-31 2008-11-19 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP4194631B2 (ja) 2006-01-31 2008-12-10 キヤノン株式会社 画像形成方法ならびに該画像形成方法を用いた電子写真装置
JP4101279B2 (ja) 2006-01-31 2008-06-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4101278B2 (ja) 2006-01-31 2008-06-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4059518B2 (ja) 2006-01-31 2008-03-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP4251663B2 (ja) 2006-10-31 2009-04-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
KR101189027B1 (ko) 2006-10-31 2012-10-08 캐논 가부시끼가이샤 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체의 제조 방법, 공정 카트리지 및 전자 사진 장치
JP4041921B1 (ja) 2007-01-26 2008-02-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体製造方法
JP4018741B1 (ja) 2007-01-26 2007-12-05 キヤノン株式会社 表面に凹形状を有する固形物の製造方法
CN101641648B (zh) 2007-03-27 2012-05-30 佳能株式会社 电子照相感光部件、处理盒和电子照相装置
JP4372213B2 (ja) 2007-03-28 2009-11-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4235673B2 (ja) 2007-07-17 2009-03-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
CN102099750B (zh) 2008-07-18 2014-07-23 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
JP5270253B2 (ja) * 2008-08-07 2013-08-21 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 電子写真感光体及び画像形成装置
US8846281B2 (en) 2008-09-26 2014-09-30 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP4663819B1 (ja) 2009-08-31 2011-04-06 キヤノン株式会社 電子写真装置
JP4743921B1 (ja) 2009-09-04 2011-08-10 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5629588B2 (ja) 2010-01-15 2014-11-19 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5755162B2 (ja) 2011-03-03 2015-07-29 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004177560A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Konica Minolta Holdings Inc 電子写真感光体及びそれを用いた画像形成方法並びにプロセスカートリッジ

Also Published As

Publication number Publication date
CN103109236A (zh) 2013-05-15
CN103109236B (zh) 2015-03-25
EP2616882A4 (en) 2016-05-11
EP2616882B1 (en) 2017-01-18
JP4975181B2 (ja) 2012-07-11
EP2616882A1 (en) 2013-07-24
KR20130051007A (ko) 2013-05-16
US20120301181A1 (en) 2012-11-29
WO2012035944A1 (en) 2012-03-22
JP2012083737A (ja) 2012-04-26
US8753789B2 (en) 2014-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101476567B1 (ko) 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진 감광 부재의 제조 방법
KR101442443B1 (ko) 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진 감광 부재의 제조 방법
EP2646877B1 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member
KR101488129B1 (ko) 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치 및 전자 사진 감광 부재의 제조 방법
EP2633369B1 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member
KR101486184B1 (ko) 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치 및 전자 사진 감광 부재의 제조 방법
JP5629588B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
KR101447402B1 (ko) 전자사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치
JP5911459B2 (ja) 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
KR20140070398A (ko) 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
US8956792B2 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and method of producing electrophotographic photosensitive member
JP2012042628A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
JP5491208B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171124

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181126

Year of fee payment: 5