KR101423006B1 - 로봇 아암 - Google Patents
로봇 아암 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101423006B1 KR101423006B1 KR1020137000503A KR20137000503A KR101423006B1 KR 101423006 B1 KR101423006 B1 KR 101423006B1 KR 1020137000503 A KR1020137000503 A KR 1020137000503A KR 20137000503 A KR20137000503 A KR 20137000503A KR 101423006 B1 KR101423006 B1 KR 101423006B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- link
- forearm
- arm
- joint
- arm link
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J9/00—Programme-controlled manipulators
- B25J9/02—Programme-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type
- B25J9/04—Programme-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type by rotating at least one arm, excluding the head movement itself, e.g. cylindrical coordinate type or polar coordinate type
- B25J9/041—Cylindrical coordinate type
- B25J9/042—Cylindrical coordinate type comprising an articulated arm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
- B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
- B25J19/0066—Means or methods for maintaining or repairing manipulators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J9/00—Programme-controlled manipulators
- B25J9/08—Programme-controlled manipulators characterised by modular constructions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J9/00—Programme-controlled manipulators
- B25J9/10—Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements
- B25J9/106—Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements with articulated links
- B25J9/1065—Programme-controlled manipulators characterised by positioning means for manipulator elements with articulated links with parallelograms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S901/00—Robots
- Y10S901/27—Arm part
- Y10S901/28—Joint
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manipulator (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 출원의 로봇 아암은, 반도체 웨이퍼를 반송하는 로봇 아암이다. 그 로봇 아암은, 핸드와 전완 링크와 상완 링크를 구비하고 있다. 핸드는, 제 1 관절을 개재하여 전완 링크에 연결되어 있다. 상완 링크는, 제 2 관절을 개재하여 전완 링크에 연결되어 있다. 본 출원의 로봇 아암에서는, 전완 링크가, 제 1 관절과 제 2 관절 사이의 위치에서 분할되는 것이 가능하다.
Description
본 출원은, 2010 년 6 월 10 일에 출원된 일본국 특허출원 제2010-132695호에 기초하는 우선권을 주장한다. 그 출원의 모든 내용은, 이 명세서 중에 참조에 의해 원용되어 있다. 본 출원은, 로봇 아암에 관한 것이다. 특히, 반도체 웨이퍼를 반송하는 로봇 아암에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼를 반송하는 로봇 아암이 알려져 있다. 구체적으로는, 그 로봇 아암은, 반도체 웨이퍼를 프로세스 챔버 (process chamber) 에 삽입하거나, 반도체 웨이퍼를 프로세스 챔버로부터 꺼낸다. 프로세스 챔버에는, 트랜스퍼 챔버 (transfer chamber) 가 연결되어 있다. 로봇 아암은, 그 트랜스퍼 챔버 내에 배치된다. 반도체 웨이퍼는, 로봇 아암에 의해, 트랜스퍼 챔버와 프로세스 챔버 사이를 이동한다. 트랜스퍼 챔버는, 작은 클린 룸에 상당한다. 트랜스퍼 챔버는, 반도체 웨이퍼에 먼지 등의 불순물이 부착하는 것을 방지한다. 트랜스퍼 챔버 내에서는, 공기 (또는 가스) 가 청정하게 유지된다. 또한, 트랜스퍼 챔버 내는, 진공으로 유지되는 경우도 있다. 트랜스퍼 챔버 내에서 동작하는 로봇 아암은, 불순물을 발생시키지 않는 궁리가 요구된다.
반도체 웨이퍼를 반송하는 로봇 아암은, 통상 2 이상의 자유도를 갖는다. 그와 같은 로봇 아암은, 전형적으로는, 2 개의 링크와 핸드로 구성되어 있다. 본 명세서에서는, 2 개의 링크를, 상완 (上腕) 링크와 전완 (前腕) 링크로 칭한다. 전형적으로는, 상완 링크의 일단은 모터의 출력 샤프트에 연결되어 있고, 상완 링크의 타단은 전완 링크의 일단에 연결되어 있다. 그리고, 전완 링크의 타단은 핸드에 연결되어 있다. 상완 링크와 전완 링크는, 관절을 개재하여 연결되어 있다. 전완 링크와 핸드도, 관절을 개재하여 연결되어 있다. 각각의 관절에는, 링크가 원활하게 회전하도록 베어링이 실장되어 있다. 그와 같은 로봇 아암의 일례가, 일본 공개특허공보 2000-150617호 및 일본 공개특허공보 2000-195923호에 개시되어 있다. 반도체 웨이퍼를 반송하는 로봇 아암에서는, 트랜스퍼 챔버 내를 오염시키지 않도록, 관절에 실장되어 있는 베어링이 실드 (shield) 되어 있다.
반도체 웨이퍼는, 프로세스 챔버 내에서 고온에 노출되는 경우가 있다. 그 때문에, 로봇 아암은, 고온의 반도체 웨이퍼를 반송하는 경우가 있다. 고온의 반도체 웨이퍼가 핸드에 접하면, 핸드의 온도가 상승함과 함께, 전완 링크와 핸드 사이에 배치되어 있는 관절의 온도도 상승한다. 그것에 의해, 관절에 실장되어 있는 베어링의 온도가 상승한다. 베어링의 온도 상승은, 그 베어링 내의 윤활제의 열화를 촉진한다. 그 때문에, 전완 링크와 핸드 사이에 배치되어 있는 관절의 베어링은, 상완 링크와 전완 링크 사이에 배치되어 있는 관절의 베어링보다 메인터넌스의 빈도가 많다.
상기 서술한 바와 같이, 로봇 아암은, 내부가 청정하게 유지되는 트랜스퍼 챔버 내에 배치된다. 관절의 베어링을 메인터넌스하기 위해서는, 관절을 분해하는 것이 필요하다. 관절의 베어링을 트랜스퍼 챔버 내에서 메인터넌스하면, 트랜스퍼 챔버 내가 더러워진다. 본 명세서에 개시하는 기술은, 베어링의 메인터넌스시에, 트랜스퍼 챔버 내의 오염을 억제할 수 있는 로봇 아암을 제공한다.
본 명세서가 개시하는 로봇 아암은, 반도체 웨이퍼를 반송하는 로봇 아암이며, 핸드와 전완 링크와 상완 링크를 구비하고 있다. 반도체 웨이퍼를 파지하기 위한 핸드는, 관절을 개재하여 전완 링크에 연결되어 있다. 상완 링크는, 관절을 개재하여 전완 링크에 연결되어 있다. 이하의 설명에서는, 핸드와 전완 링크를 연결하는 관절을 제 1 관절로 칭하고, 전완 링크와 상완 링크를 연결하는 관절을 제 2 관절로 칭한다. 본 명세서가 개시하는 로봇 아암에서는, 전완 링크가, 제 1 관절과 제 2 관절 사이의 위치에서 분할 가능하게 구성되어 있다.
상기 로봇 아암에서는, 전완 링크를 분할함으로써, 핸드와 전완 링크를, 핸드와 전완 링크의 연결을 유지한 채 트랜스퍼 챔버 내로부터 꺼낼 수 있다. 제 1 관절을 분해하지 않고, 제 1 관절을 트랜스퍼 챔버로부터 꺼낼 수 있다. 그 후, 트랜스퍼 챔버 외에서, 제 1 관절 내의 베어링의 메인터넌스 작업을 실시할 수 있다. 본 명세서가 개시하는 기술에 의해, 트랜스퍼 챔버 내의 오염을 억제할 수 있다. 또, 전완 링크의 선단부와 제 1 관절과 핸드가 조립된 교환 부품을 미리 준비하고, 메인터넌스 작업시에 트랜스퍼 챔버 내의 선단부와 교환해도 된다.
상기한 바와 같이, 본 명세서에 개시하는 로봇 아암에서는, 전완 링크가, 제 1 관절과 제 2 관절 사이의 위치에서 분할 가능하게 구성되어 있다. 이하의 설명에서는, 상완 링크에 연결되어 있는 전완 링크를 전완 링크 후단부로 칭하고, 핸드에 연결되어 있는 전완 링크를 전완 링크 선단부로 칭하는 경우가 있다. 본 명세서에 개시하는 로봇 아암에서는, 전완 링크 후단부와 전완 링크 선단부가, 전완 링크의 길이 방향에 직교하는 방향에서 오버랩되어 있어도 된다. 이 경우, 전완 링크 후단부와 전완 링크 선단부의 오버랩 부분에, 복수의 위치 결정 핀이 삽입되어 있는 것이 바람직하다. 복수의 위치 결정 핀에 의해, 전완 링크 후단부와 전완 링크 선단부를 다시 조립할 때, 양자를 정확하게 위치 맞춤할 수 있다.
본 명세서가 개시하는 기술은, 트랜스퍼 챔버 내의 오염을 억제할 수 있는 로봇 아암을 실현할 수 있다.
도 1 은 로봇 아암의 평면도를 나타낸다.
도 2 는 로봇 아암의 측면도를 나타낸다.
도 3 은 도 1 의 III-III 선을 따른 단면도를 나타낸다.
도 4 는 전완 링크 선단부를 전완 링크 후단부에 장착하는 순서를 설명하기 위한 단면도를 나타낸다.
도 2 는 로봇 아암의 측면도를 나타낸다.
도 3 은 도 1 의 III-III 선을 따른 단면도를 나타낸다.
도 4 는 전완 링크 선단부를 전완 링크 후단부에 장착하는 순서를 설명하기 위한 단면도를 나타낸다.
실시예에서 설명하는 로봇 아암의 기술적 특징을, 이하에 간결하게 기재한다.
*(특징 1) 로봇 아암은, 제 1 베어링과 제 2 베어링의 축선이 연직 방향으로 신장되어 있고, 핸드가 수평면 내에서 이동하는 수평 이동형 로봇이다.
(특징 2) 전완 링크 선단부와 후단부가 오버랩되어 있는 부분의 두께는, 오버랩되어 있는 부분에 인접하는 비오버랩 부분의 두께와 동일하다.
(특징 3) 전완 링크 선단부가, 전완 링크 후단부의 상측에 위치하고 있다.
(특징 4) 전완 링크 선단부와 전완 링크 후단부가 복수의 볼트에 의해 고정되어 있고, 복수의 볼트가, 전완 링크의 길이 방향에 있어서 위치 결정 핀의 양측에 배치되어 있다.
(특징 5) 위치 결정 핀이, 전완 링크 후단부에 고정되어 있다. 따라서, 전완 링크 선단부와 전완 링크 후단부를 분할할 때, 위치 결정 핀은 전완 링크 선단부로부터 벗어난다.
실시예
도 1 과 도 2 를 참조하여, 로봇 아암 (100) 에 관해서 설명한다. 로봇 아암 (100) 은, 상완 링크 (14) 와 전완 링크 (10) 와 핸드 (2) 를 구비하고 있다. 로봇 아암 (100) 은, 지지 박스 (22) 에 장착되어 있다. 상완 링크 (14) 는, 제 1 상완 링크 (14a) 와 제 2 상완 링크 (14b) 로 구성되어 있다. 제 2 상완 링크 (14b) 를 구동하기 위한 모터는, 지지 박스 (22) 내에 배치되어 있다.
전완 링크 (10) 는, 제 1 전완 링크 (10a) 와 제 2 전완 링크 (10b) 로 구성되어 있다. 제 1 전완 링크 (10a) 와 제 2 전완 링크 (10b) 는, 항상 평행하게 유지된다. 전완 링크 (10) (제 1 전완 링크 (10a) 와 제 2 전완 링크 (10b)) 의 일단은, 제 1 관절 (20) 을 개재하여 핸드 (2) 에 연결되어 있다. 전완 링크 (10) 의 타단은, 제 2 관절 (11) 을 개재하여 상완 링크 (14) 에 연결되어 있다.
제 1 전완 링크 (10a) 는, 제 1 전완 링크 후단부 (8a) 와 제 1 전완 링크 선단부 (6a) 로 구성된다. 제 2 전완 링크 (10b) 는, 제 2 전완 링크 후단부 (8b) 와 제 2 전완 링크 선단부 (6b) 로 구성된다. 이하의 설명에서는, 제 1 전완 링크 후단부 (8a) 와 제 2 전완 링크 후단부 (8b) 를, 간단히 전완 링크 후단부 (8) 로 칭하는 경우가 있다. 제 1 전완 링크 선단부 (6a) 와 제 2 전완 링크 선단부 (6b) 를, 간단히 전완 링크 선단부 (6) 로 칭하는 경우가 있다.
제 2 관절 (11) 에는, 제 2 베어링 (도시 생략) 이 배치되어 있다. 제 2 베어링은, 상완 링크 (14) 에 대한 전완 링크 (10) 의 회전을 원활하게 한다. 제 1 관절 (20) 에는, 제 1 베어링이 배치되어 있다. 제 1 베어링은, 전완 링크 (10) 에 대한 핸드 (2) 의 회전을 원활하게 한다.
제 1 상완 링크 (14a) 와 제 2 상완 링크 (14b) 는, 항상 평행하게 유지된다. 제 1 상완 링크 (14a) 의 일단은, 지지 박스에 연결되어 있다. 제 2 상완 링크 (14b) 의 일단 (16) 은, 모터 (도시 생략) 에 연결되어 있다. 도 1 의 부호 17 은, 제 2 상완 링크 (14b) 의 회전축을 나타내고 있다. 모터는, 제 2 상완 링크 (14b) 를 회전시킨다. 제 2 상완 링크 (14b) 는, 모터에 의해 구동되는 구동 링크로 표현할 수 있다. 또한, 제 1 상완 링크 (14a) 는, 구동 링크 (제 2 상완 링크 (14b)) 의 동작에 따라 동작하는 종동 링크로 표현할 수 있다. 모터가 제 2 상완 링크 (14b) 를 구동함으로써, 상완 링크 (14) 가 수평면 내에서 이동한다. 그것에 의해, 핸드 (2) 를 수평면 내에서 도 1 의 X 방향으로 이동시킬 수 있다. 로봇 아암 (100) 은 조정 링크 (12) 를 구비한다. 상세한 설명은 생략하는데, 조정 링크 (12) 는, 복수의 링크군으로 구성되어 있고, 상완 링크 (14) 와 전완 링크 (10) 에 접속되어 있다. 조정 링크 (12) 가, 모터의 회전을 핸드 (2) 의 직진 운동으로 변환한다. 로봇 아암 (100) 은, 핸드 (2) 를 수평면 내에서 이동시킬 수 있기 때문에, 수평 이동형 로봇 아암으로 칭해지는 경우가 있다.
로봇 아암 (100) 은, 트랜스퍼 챔버 (도시 생략) 내에 배치되고, 반도체 웨이퍼를 반송하기 위해 사용된다. 핸드 (2) 에는, 고온의 반도체 웨이퍼가 재치 (載置) 되는 경우가 있다. 고온의 반도체 웨이퍼가 핸드 (2) 에 접하면, 핸드 (2) 의 온도가 상승한다.
상기한 바와 같이, 전완 링크 (10) 는, 전완 링크 후단부 (8) 와 전완 링크 선단부 (6) 로 구성되어 있다. 전완 링크 후단부 (8) 와 전완 링크 선단부 (6) 는, 제 1 관절 (20) 과 제 2 관절 (11) 사이의 위치에서 분할 가능하다. 구체적으로는, 전완 링크 후단부 (8) 와 전완 링크 선단부 (6) 는, 제 1 관절 (20) 과 제 2 관절 (11) 의 거의 중간점에서 분할 가능하다. 상기한 바와 같이, 전완 링크 (10) 의 타단 (전완 링크 선단부 (6)) 은, 제 1 관절 (20) 을 개재하여 핸드 (2) 에 연결되어 있다. 그 때문에, 전완 링크 선단부 (6) 와 핸드 (2) 를 제 1 관절 (20) 로 연결한 채, 그것들을 트랜스퍼 챔버 내로부터 꺼낼 수 있다. 이하의 설명에서는, 전완 링크 선단부 (6) 와 제 1 관절 (20) 과 핸드 (2) 를 합하여, 아암 선단 유닛 (4) 으로 칭하는 경우가 있다. 로봇 아암 (100) 은, 전완 링크 후단부 (8) 와 전완 링크 선단부 (6) 를 분할함으로써, 트랜스퍼 챔버 내로부터 아암 선단 유닛 (4) 을 꺼낼 수 있다.
도 3 을 참조하여, 전완 링크 후단부 (8) 와 아암 선단 유닛 (4) 에 관해서 설명한다. 상기한 바와 같이, 아암 선단 유닛 (4) 은, 전완 링크 선단부 (6) 와 제 1 관절 (20) 과 핸드 (2) 로 구성되어 있다. 제 1 관절 (20) 은, 베이스 (23) 와, 베이스 (23) 에 고정되어 있는 원주부 (24) (24a, 24b) 를 구비하고 있다. 원주부 (24) 와 전완 링크 선단부 (6) (6a, 6b) 사이에, 한 쌍의 제 1 베어링 (34) 이 배치되어 있다. 제 1 베어링 (34) 은, 원통 구름 베어링이다. 또, 제 1 전완 링크 선단부 (6a) 는, 제 1 베어링 (34a) 을 개재하여 원주부 (24a) 를 회전 가능하게 지지하고 있다. 제 2 전완 링크 선단부 (6b) 는, 제 1 베어링 (34b) 을 개재하여 원주부 (24b) 를 회전 가능하게 지지하고 있다. 원주부 (24a) 와 원주부 (24b) 는, 핸드 (2) 가 왕복 이동 (직진 운동) 하는 방향 X 를 따라 배치되어 있다.
상기 서술한 바와 같이, 고온의 반도체 웨이퍼가 핸드 (2) 에 접하면, 핸드 (2) 의 온도가 상승한다. 핸드 (2) 의 온도 상승에 따라, 제 1 관절 (20) 의 온도가 상승한다. 또한, 반도체 웨이퍼, 프로세스 챔버 등으로부터의 복사열에 의해서도, 핸드 (2) 나 제 1 관절 (20) 근방의 온도가 상승한다. 반도체 웨이퍼의 온도에 따라서는, 제 1 관절 (20) 근방의 온도가 200 ℃ 이상으로 상승하는 경우도 있다. 제 1 베어링 (34) 의 온도도 상승하고, 제 1 베어링 (34) 내의 윤활제가 열화되는 경우가 있다. 로봇 아암 (100) 에서는, 전완 링크 선단부 (6) 와 핸드 (2) 를 연결한 채의 상태에서, 아암 선단 유닛 (4) 을 전완 링크 후단부 (8) 로부터 떼어낼 수 있다. 그 때문에, 아암 선단 유닛 (4) 을 트랜스퍼 챔버로부터 꺼낸 후, 제 1 관절 (20) 을 분해하여 제 1 베어링 (34) 을 메인터넌스할 수 있다. 즉, 제 1 베어링 (34) 의 메인터넌스 작업을, 트랜스퍼 챔버 내에서 실시할 필요가 없다. 로봇 아암 (100) 은, 종래의 로봇 아암에 비해, 트랜스퍼 챔버 내의 오염을 억제할 수 있다.
로봇 아암 (100) 에서는, 아암 선단 유닛 (4) 을 트랜스퍼 챔버 내로부터 꺼내고, 트랜스퍼 챔버 외에서 제 1 베어링 (34) 의 메인터넌스를 실시한다. 메인터넌스를 실시한 후의 아암 선단 유닛 (4) 을, 전완 링크 후단부 (8) 에 장착한다. 제 1 베어링 (34) 의 메인터넌스를 트랜스퍼 챔버 내에서 실시하지 않기 때문에, 제 1 베어링 (34) 내의 윤활제 등이, 트랜스퍼 챔버 내에 비산되는 일이 없다. 또, 전완 링크 후단부 (8) 로부터 떼어낸 아암 선단 유닛 (4) 과는 별도의 아암 선단 유닛 (4) 을 미리 준비해 두어도 된다. 그리고, 아암 선단 유닛 (4) 을 떼어내는 작업에 계속하여, 메인터넌스가 완료된 별도의 아암 선단 유닛 (4) 을 전완 링크 후단부 (8) 에 장착해도 된다. 아암 선단 유닛 (4) 의 교환 시간을 짧게 할 수 있다.
종래의 로봇 아암이라도, 로봇 아암 전체를 트랜스퍼 챔버 외로 꺼내면, 트랜스퍼 챔버 내를 오염시키지 않고, 베어링의 메인터넌스를 실시할 수 있다. 상기한 바와 같이, 제 1 베어링 (34) 의 윤활재의 열화는, 고온의 웨이퍼를 파지하는 핸드 (2) 의 온도 상승에 따라 발생한다. 제 2 관절 (11) 내의 제 2 베어링은, 제 1 베어링 (34) 보다 핸드 (2) 로부터의 거리가 멀다. 그 때문에, 제 2 관절 (11) 내의 제 2 베어링은, 제 1 베어링 (34) 보다 메인터넌스의 빈도가 적게 끝난다. 종래의 로봇 아암은, 트랜스퍼 챔버 외에서 제 1 베어링의 메인터넌스를 하기 위해서는, 메인터넌스의 필요가 없는 부품 (상완 링크, 제 2 베어링 등) 까지도 트랜스퍼 챔버 외로 꺼내는 것이 필요하다. 그러나, 로봇 아암 (100) 은, 트랜스퍼 챔버 내에 제 2 베어링 (제 2 관절 (11)) 을 남긴 채, 제 1 베어링 (34) (제 1 관절 (20)) 을 트랜스퍼 챔버 외로 꺼낼 수 있다. 그 때문에, 종래의 로봇 아암보다, 메인터넌스 작업을 용이하게 할 수 있다.
로봇 아암 (100) 의 다른 특징에 관해서 설명한다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 전완 링크 후단부 (8) 의 일부 (전완 링크 후단부 (8) 중의 핸드 (2) 에 가까운 부분) 와 전완 링크 선단부 (6) 의 일부 (전완 링크 선단부 (6) 중의 핸드 (2) 로부터 먼 부분) 가, 범위 (7) 에서 오버랩되어 있다. 이하의 설명에서는, 범위 (7) 를 오버랩 부분 (7) 으로 칭하는 경우가 있다. 오버랩 부분 (7) 에서는, 전완 링크 선단부 (6) 와 전완 링크 후단부 (8) 가, 전완 링크 (10) 의 길이 방향에 직교하는 방향에서 오버랩되어 있다. 보다 정확하게 말하면, 전완 링크 선단부 (6) 와 전완 링크 후단부 (8) 가, 핸드 (2) 가 이동하는 평면 (수평면) 에 직교하는 방향에서 오버랩되어 있다. 즉, 로봇 아암 (100) 을 평면에서 보았을 때, 전완 링크 선단부 (6) 의 일부와 전완 링크 후단부 (8) 의 일부가 오버랩되어 있다. 로봇 아암 (100) 에서는, 전완 링크 선단부 (6) 가, 전완 링크 후단부 (8) 보다 상측에 위치하고 있다. 그 때문에, 로봇 아암 (100) 으로부터 아암 선단 유닛 (4) 을 떼어낼 때에 작업이 용이하다. 동일하게, 전완 링크 후단부 (8) 에 아암 선단 유닛 (4) 을 장착할 때에도 작업이 용이하다.
오버랩 부분 (7) 에서는, 2 개의 위치 결정 핀 (30) 이, 전완 링크 후단부 (8) 와 전완 링크 선단부 (6) 의 쌍방에 끼워 넣어져 있다. 위치 결정 핀 (30) 에 의해, 전완 링크 후단부 (8) 와 전완 링크 선단부 (6) 의 위치 어긋남이 억제된다. 다르게 말하면, 위치 결정 핀 (30) 에 의해, 전완 링크 후단부 (8) 와 전완 링크 선단부 (6) 의 상대적인 각도가 변화되는 것을 억제할 수 있다.
오버랩 부분 (7) 에 있어서의 전완 링크 후단부 (8) 의 두께 (T78) 는, 오버랩 부분 (7) 에 인접하는 위치 (비오버랩 부분) 에 있어서의 전완 링크 후단부 (8) 의 두께 (T8) 의 대략 절반이다. 또한, 오버랩 부분 (7) 에 있어서의 전완 링크 선단부 (6) 의 두께 (T76) 는, 비오버랩 부분의 전완 링크 선단부 (6) 의 두께 (T6) 의 대략 절반이다. 두께 (T8) 와 두께 (T6) 는 동일하다. 그 때문에, 핸드 (2) 가 이동하는 평면에 직교하는 방향에서, 두께 (T8), 두께 (T6) 및 오버랩 부분 (7) 의 두께가 동일하다. 즉, 전완 링크 (10) 의 길이 방향에 있어서, 전완 링크 (10) 의 두께가 일정하다. 이 특징에 의해, 핸드 (2) 가 왕복 이동할 때, 전완 링크 (10) 가, 다른 링크와 간섭하는 것을 방지할 수 있다. 또, 핸드 (2) 가 이동하는 평면에 직교하는 방향은 연직 방향에 상당한다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 위치 결정 핀 (30) 은, 전완 링크 후단부 (8) 에 고정되어 있다. 따라서, 전완 링크 후단부 (8) 와 전완 링크 선단부 (6) (아암 선단 유닛 (4)) 를 분리하면, 위치 결정 핀 (30) 은 전완 링크 선단부 (6) 로부터 떨어진다. 그 때문에, 전완 링크 후단부 (8) 에 전완 링크 선단부 (6) (아암 선단 유닛 (4)) 를 장착할 때, 위치 결정 핀 (30) 의 위치를 보면서 전완 링크 선단부 (6) (아암 선단 유닛 (4)) 를 장착할 수 있다. 전완 링크 선단부 (6) 에는 핀 관통공 (42) 이 형성되어 있다. 위치 결정 핀 (30) 을 핀 관통공 (42) 에 끼워 넣음으로써, 전완 링크 후단부 (8) 에 대한 전완 링크 선단부 (6) (아암 선단 유닛 (4)) 의 위치가 결정된다.
전완 링크 (10) 의 길이 방향에 있어서, 2 개의 볼트 홈 (44) 이, 전완 링크 후단부 (8) 에 형성되어 있다. 2 개의 볼트 홈 (44) 은, 위치 결정 핀의 양측에 형성되어 있다. 전완 링크 선단부 (6) 에는, 2 개의 볼트 구멍 (40) 이, 핀 관통공 (42) 의 양측에 형성되어 있다. 아암 선단 유닛 (4) 을 전완 링크 후단부 (8) 에 장착할 때에는, 위치 결정 핀 (30) 을 핀 관통공 (42) 에 삽입한 후, 볼트 (32) 를 볼트 홈 (44) 에 고정시킨다. 아암 선단 유닛 (4) 을 전완 링크 후단부 (8) 에 장착하면, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 2 개의 볼트 (32) 가, 전완 링크 (10) 의 길이 방향에 있어서 위치 결정 핀 (30) 의 양측에 위치한다. 그 때문에, 로봇 아암 (100) 의 사용 중에 핸드 (2) 가 휘어도, 위치 결정 핀 (30) 에 힘이 가해지는 것을 억제할 수 있다. 위치 결정 핀 (30) 이 변형되는 것이 억제되기 때문에, 제 1 베어링 (34) 의 메인터넌스를 반복해도, 핸드 (2) 의 위치가 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 구체예를 상세하게 설명했는데, 이들은 예시에 불과하며, 특허 청구의 범위를 한정하는 것은 아니다. 특허 청구의 범위에 기재된 기술에는, 이상에 예시한 구체예를 여러 가지로 변형, 변경한 것이 포함된다. 본 명세서 또는 도면에 설명한 기술 요소는, 단독으로 또는 각종 조합에 의해 기술적 유용성을 발휘하는 것이고, 출원시의 청구항에 기재된 조합에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서 또는 도면에 예시한 기술은 복수의 목적을 동시에 달성하는 것이며, 그 중 하나의 목적을 달성하는 것 자체로 기술적 유용성을 갖는 것이다.
Claims (9)
- 반도체 웨이퍼를 반송하는 로봇 아암이며,
반도체 웨이퍼를 파지하기 위한 핸드와,
제 1 관절을 개재하여 핸드에 연결되어 있는 전완 링크와,
제 2 관절을 개재하여 전완 링크에 연결되어 있는 상완 링크를 구비하고 있고,
전완 링크가, 제 1 관절과 제 2 관절 사이의 위치에서 전완 링크 선단부와 전완 링크 후단부로 분할 가능하게 구성되어 있으며,
상완 링크에 연결되어 있는 전완 링크 후단부와 핸드에 연결되어 있는 전완 링크 선단부가, 전완 링크의 길이 방향에 직교하는 방향에서 오버랩되어 있고,
상기 후단부와 상기 선단부의 오버랩 부분에, 복수의 위치 결정 핀이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 로봇 아암.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
전완 링크 선단부와 전완 링크 후단부가 복수의 볼트에 의해 고정되어 있고,
상기 복수의 볼트가, 전완 링크의 길이 방향에 있어서 위치 결정 핀의 양측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 로봇 아암. - 제 1 항에 있어서,
전완 링크 선단부가, 전완 링크 후단부의 상측에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 로봇 아암. - 제 1 항에 있어서,
위치 결정 핀이 전완 링크 후단부에 고정되어 있고, 위치 결정 핀과 전완 링크 선단부가 분할 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 로봇 아암. - 제 1 항에 있어서,
축선이 연직 방향으로 연장되어 있는 베어링이, 제 1 관절 및 제 2 관절에 배치되어 있고,
핸드가, 상기 연직 방향에 직교하는 수평 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 로봇 아암. - 제 1 항에 있어서,
전완 링크 선단부와 전완 링크 후단부는, 오버랩 부분에서 오버랩되어 있고,
오버랩 부분의 두께가, 오버랩 부분에 인접하는 전완의 비오버랩 부분의 두께와 동일한 것을 특징으로 하는 로봇 아암. - 제 1 항에 있어서,
핸드는, 제 1 베어링을 개재하여 전완 링크에 대해 회전 가능하고,
전완 링크는, 제 2 베어링을 개재하여 상완 링크에 대해 회전 가능한 것을 특징으로 하는 로봇 아암. - 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상완 링크는, 제 1 상완 링크와 제 2 상완 링크를 구비하고 있고,
제 1 상완 링크와 제 2 상완 링크는, 항상 평행하게 유지되어 있고,
제 2 상완 링크는, 모터에 의해 구동되는 구동 링크이고,
제 1 상완 링크는, 제 2 상완 링크의 동작에 따라 동작하는 것을 특징으로 하는 로봇 아암.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2010-132695 | 2010-06-10 | ||
JP2010132695A JP5525339B2 (ja) | 2010-06-10 | 2010-06-10 | ロボットアーム |
PCT/JP2011/061828 WO2011155320A1 (ja) | 2010-06-10 | 2011-05-24 | ロボットアーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130041081A KR20130041081A (ko) | 2013-04-24 |
KR101423006B1 true KR101423006B1 (ko) | 2014-07-23 |
Family
ID=45097928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137000503A KR101423006B1 (ko) | 2010-06-10 | 2011-05-24 | 로봇 아암 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8915693B2 (ko) |
JP (1) | JP5525339B2 (ko) |
KR (1) | KR101423006B1 (ko) |
CN (1) | CN102934215B (ko) |
WO (1) | WO2011155320A1 (ko) |
Families Citing this family (341)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
KR102127215B1 (ko) * | 2013-05-07 | 2020-06-30 | 삼성전자주식회사 | 와이어 연결 장치 |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US9370863B2 (en) * | 2014-02-04 | 2016-06-21 | Asm Ip Holding B.V. | Anti-slip end-effector for transporting workpiece |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
JP2015209951A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 軸受機構及び搬送装置 |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
DE102015116582B4 (de) | 2015-09-30 | 2021-08-05 | Walter Maschinenbau Gmbh | Transportvorrichtung zum Transportieren eines Werkstücks |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
WO2017138651A1 (ja) | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 株式会社国際電気通信基礎技術研究所 | 回転構造、アシストシステム、および、ロボット |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
JP2017163088A (ja) | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の制御方法 |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10090188B2 (en) * | 2016-05-05 | 2018-10-02 | Applied Materials, Inc. | Robot subassemblies, end effector assemblies, and methods with reduced cracking |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102048881B1 (ko) * | 2017-11-03 | 2020-01-08 | 주식회사 싸이맥스 | 엔코더를 통해 샤프트에 형성된 스케일을 판독하여 위치를 검출하는 웨이퍼 이송장치 |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
NL2020044B1 (en) * | 2017-12-08 | 2019-06-19 | Vdl Enabling Tech Group B V | A planar multi-joint robot arm system |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
TWI751420B (zh) | 2018-06-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 薄膜沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220006455A (ko) | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN114406979B (zh) * | 2022-02-25 | 2022-11-15 | 德威土行孙工程机械(北京)有限公司 | 一种可灵活调节的万向机械手 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06262555A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-20 | Toshiba F Ee Syst Eng Kk | 産業用ロボット |
JPH07108483A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-25 | Koyo Seiko Co Ltd | ロボットアーム |
WO2001062448A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Bandai Co., Ltd. | Ensemble elements destine a un robot |
KR20080018205A (ko) * | 2005-06-22 | 2008-02-27 | 로제 가부시키가이샤 | 기판 반송 로보트 및 처리 장치 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04130190U (ja) * | 1991-05-21 | 1992-11-30 | 日本真空技術株式会社 | 磁気浮上搬送装置用可動アーム |
JP3802119B2 (ja) * | 1996-02-02 | 2006-07-26 | 株式会社安川電機 | ウェハ搬送装置 |
JP2000150617A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 搬送装置 |
JP2000195923A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Hitachi Ltd | 搬送用ロボット、搬送装置、真空チャンバ内搬送装置およびプロセス処理装置 |
-
2010
- 2010-06-10 JP JP2010132695A patent/JP5525339B2/ja active Active
-
2011
- 2011-05-24 WO PCT/JP2011/061828 patent/WO2011155320A1/ja active Application Filing
- 2011-05-24 CN CN201180028549.6A patent/CN102934215B/zh active Active
- 2011-05-24 KR KR1020137000503A patent/KR101423006B1/ko active IP Right Grant
- 2011-05-24 US US13/703,161 patent/US8915693B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06262555A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-20 | Toshiba F Ee Syst Eng Kk | 産業用ロボット |
JPH07108483A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-25 | Koyo Seiko Co Ltd | ロボットアーム |
WO2001062448A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Bandai Co., Ltd. | Ensemble elements destine a un robot |
KR20080018205A (ko) * | 2005-06-22 | 2008-02-27 | 로제 가부시키가이샤 | 기판 반송 로보트 및 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102934215A (zh) | 2013-02-13 |
JP2011258793A (ja) | 2011-12-22 |
KR20130041081A (ko) | 2013-04-24 |
WO2011155320A1 (ja) | 2011-12-15 |
JP5525339B2 (ja) | 2014-06-18 |
US8915693B2 (en) | 2014-12-23 |
CN102934215B (zh) | 2015-08-26 |
US20130084156A1 (en) | 2013-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101423006B1 (ko) | 로봇 아암 | |
KR101496856B1 (ko) | 회전축 및 이 회전축을 구비하는 산업용 로봇 | |
KR100955405B1 (ko) | 다관절 로봇 및 그의 감속기 교환 방법 | |
CN107275268B (zh) | 机械手单元及移载方法 | |
KR20130033268A (ko) | 로봇 핸드 및 로봇 | |
CN109153133B (zh) | 直动伸缩机构 | |
US10427294B2 (en) | Parallel link robot and parallel link structure | |
WO2019011020A1 (zh) | 具有平面两移动自由度的并联机构 | |
TWI675728B (zh) | 機器人及機器人系統 | |
KR101773272B1 (ko) | 엔드 이펙터 장치 | |
EP3127663B1 (en) | Industrial robot and frame unit thereof | |
US9289900B2 (en) | Calibration tool for a delta robot | |
KR102133109B1 (ko) | 확장된 작업영역을 갖는 병렬로봇 | |
JP2014159076A (ja) | 基板搬送ロボット | |
US9221180B2 (en) | Extended wrist assembly for robotic arm | |
CN103485842B (zh) | 用于燃气涡轮机的壳体罩的滚入和对准的方法和装置 | |
CN104626098B (zh) | 结合有3自由度腕部结构的直角坐标机器人 | |
TW201345678A (zh) | 線性運動機構和設置有該線性運動機構的機器人 | |
CN105496558A (zh) | 一种可实现空间三维定位和二维定向的五自由度混联机构 | |
JP5563271B2 (ja) | 基板搬送ロボット | |
JP6371173B2 (ja) | 電動グリッパ装置 | |
WO2019021834A1 (ja) | 産業用ロボット | |
JP2014061559A (ja) | パラレルリンクロボット | |
TWI750741B (zh) | 產業用機器人 | |
JP7256899B2 (ja) | モールドを挿入又は排出するためのコンベアデバイスを有する射出成形システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170707 Year of fee payment: 4 |