KR101328764B1 - 수직 공진형 면 발광 레이저 소자, 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이, 광 주사 장치, 및 화상 형성 장치 - Google Patents

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Abstract

개시된 수직 공진형 면 발광 레이저 소자는, 기판, 상부 반사경과 하부 반사경으로 반도체 활성층을 상하로 끼운 적층체, 하부 전극, 및 상부 전극을 포함한다. 본 레이저 소자는, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전류가 공급될 때, 상기 기판의 표면에 수직인 방향으로 레이저 광을 조사한다. 본 레이저 소자는, 산화된 영역과 산화되지 않은 영역으로 제조된 전류 협착 구조를 갖는 상기 상부 반사경에서의 선택적 산화층, 및 상기 활성층과 상기 선택적 산화층을 포함하는 상기 상부 반사경으로 형성된 메사 구조의 측면 상에 형성되어, 상기 적층체의 깊이 방향으로 상기 적층체의 상부로부터 상기 선택적 산화층의 위치를 검출할 수 있게 하는 검출부를 더 포함한다.

Description

수직 공진형 면 발광 레이저 소자, 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이, 광 주사 장치, 및 화상 형성 장치{VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER ELEMENT, VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL SCANNING DEVICE, AND IMAGE FORMING APPARATUS}
본 발명은, 수직 공진형 면 발광 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Laser, VCSEL) 소자, 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이, 광 주사 장치 및 화상 형성 장치에 관한 것이다.
수직 공진형 면 발광 레이저(VCSEL) 소자는, 기판에 수직인 방향으로 전파한다. 통상의 단면 발광형 반도체 레이저(edge emitting type semiconductor laer)와 비교해서, 수직 공진형 면 발광 레이저 소자는, 저가격, 저소비 전력, 및 소형으로 달성될 수 있고, 2차원 디바이스에 적합하다. 이러한 이유들로, 수직 공진형 면 발광 레이저 소자는 많은 사람들의 주목을 받고 있다.
예컨대, 미국 특허 제5493577호에 개시된 바와 같이, 수직 공진형 면 발광 레이저 소자는, 전류 협착 구조(current blocking structure)를 갖고, AiAs 등으로 제조된 선택적 산화 협착 구조를 채용한다.
수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 전류 협착 구조는, 원형 또는 직사각형 또는 사각형의 메사 구조를 갖는 반도체 기판 또는 반도체 부재를 고온 수증기 분위기에 배치하고, p-AlAs 또는 AlGaAs 층으로 제조된 메사 구조의 측면 상의 외주부로부터 메사 구조의 중심을 향하여 산화하여, 산화된 AlO의 영역과 산화되지 않는 영역으로 형성된 선택적 산화층을 형성함으로써 형성된다. 선택적 산화층의 산화된 영역의 굴절률은 약 1.6이며, 다른 반도체층들의 굴절률들보다 낮다. 따라서, 조사된 빔들은 산화된 영역으로 둘러싸인 산화되지 않는 영역에 가둬지고, 따라서 임계값을 낮춘다.
그런데, 선택적 산화층에서의 산화되지 않는 영역의 크기가 최적값으로부터 벗어나면, 광 출력 등의 발진 특성도 벗어난다. 따라서, 수율이 저하된다는 문제점이 발생될 수도 있다.
이러한 선택적 산화층의 산화되지 않는 영역이 미리 결정된 크기로부터 벗어나는 것을 피하기 위하여, 몇가지 방법들이 제한되어 있다.
일본 특허 공개 공보 제2004-95934호에, 산화 모니터 패턴을 사용하여 산화의 정도를 간접적으로 모니터하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법으로, 통상의 공진기의 형상 외에, 산화 속도를 모니터하기 위해서 스트라이프 패턴이 제공되고, 산화 챔버 내에서 패턴의 반사율이 측정되어, 산화의 정도를 취득한다.
일본 특허 공개 공보 제2003-179309호에는, 산화의 정도를 실시간으로 모니터하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법으로, 산화 처리 중인 반도체 부재가 관찰창(observation port)을 통해 현미경으로 관찰되어, 산화된 영역과 산화되지 않은 영역 간의 현미경으로 관찰된 콘트라스트를 사용하여 산화의 정도가 추정되고, 이로써 그 후의 산화를 제어한다.
일본 특허 공개 공보 제2004-95934호에 개시된 산화 모니터 패턴을 사용하여 산화의 정도를 간접적으로 모니터하는 방법에서는, 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 배치하는 면적이 한정되어, 비용이 높아진다는 문제점이 있다. 이것은, 높은 정밀도로 산화 속도를 모니터할 수 있게 하기 위해서, 산화 모니터 패턴 근방의 패턴들을 블랭크(blank)로 할 필요가 있어, 통상의 공진기가 이 블랭크 패턴으로 배치될 수 없기 때문이다.
또한, 일본 특허 공개 공보 제2003-179309호에 개시된 현미경으로 산화의 정도를 관찰하는 방법에서는, 산화의 정도를 향상시킬 필요가 있고, 또한 현미경의 촛점을 메사 구조가 형성되어 있는 부분에 맞추기 위해서 반도체 부재와 현미경 간의 거리를 좁힐 필요가 있다. 그러나, 관찰창과 반도체 부재 간의 간격을 좁히면, 반도체 부재 상의 수증기 농도 분포가 흩어져, 산화량이 불균일하게 된다. 따라서, 수율이 저하된다. 또한, 관찰창과 반도체 부재 간의 거리를 좁히면, 히터로부터 방열되는 열에 의해서 관찰창의 굴절률이 변화될 수도 있고, 현미경에 설치된 렌즈와 같은 광학 소자들이 변형될 수도 있다. 이들 경우들에서, 촛점에 어긋남이 생겨 측정 정밀도가 떨어진다. 따라서, 수율이 저하될 수도 있다. 또한, 이 방법으로 현미경을 재사용하는 것이 불가능하기 때문에, 비용이 더 높아질 수도 있다.
따라서, 본 발명의 일반적인 목적은, 저비용으로 실질적으로 균일한 레이저 발광 특성을 갖는 신규하고 유용한 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들, 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이들, 광 주사 장치들, 및 화상 형성 장치들을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 더욱 구체적인 목적은, 산화 전류 협착층을 제조하는 공정에서 저비용으로 실질적으로 균일한 특징들을 갖는 산화 영역을 갖는 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예들의 태양에 따르면, 기판, 상부 반사경과 하부 반사경으로 반도체 활성층을 상하로 끼워 형성되고 기판의 표면 상에 위치된 적층체, 상기 표면에 반대측인 기판의 다른 표면에 연결된 하부 전극, 및 상부 반사경의 상부 표면에 연결된 상부 전극을 포함하고, 상기 상부 반사경과 상기 하부 반사경은, 상이한 굴절률들을 갖는 반도체 막들을 교대로 적층시킴으로써 각각 제조되는 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자, 및
상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전류가 공급될 때 기판의 표면에 수직인 방향으로 레이저 광을 조사하고, 산화된 영역과 산화되지 않은 영역으로 형성된 전류 협착 구조(current blocking structure)를 갖는 상부 반사경에서의 선택적 산화층, 및 활성층과 선택적 산화층을 포함하는 상부 반사경으로 형성된 메사 구조의 측면 상에 형성되어, 상기 적층체의 깊이 방향으로 상기 적층체의 상부로부터 상기 선택적 산화층의 위치를 검출할 수 있는 검출부를 더 포함하는 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 상기 검출부는 상기 메사 구조의 측면의 테이퍼 각을 변화시킴으로써 형성되는 단차인 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 상기 검출부는 상기 적층체의 상부로부터 상기 선택적 산화층의 깊이 위치에 대응하는 깊이 위치에 형성되는 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 상기 메사 구조의 측면은, 상기 메사 구조의 상부의 테이퍼 각보다 상기 메사 구조의 하부의 테이퍼 각이 크도록 형성되며, 상기 메사 구조의 하부와 상부 간에 상기 테이퍼 각이 변하는 상기 검출부의 깊이 위치는, 상기 선택적 산화층의 깊이 위치와 동일한 위치 또는 그보다 상부에 있는 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 상기 메사 구조의 측면 상에는 절연막이 형성되어 있는 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 상기 상부 전극은 상기 절연막 상에 형성되고, 상기 상부 전극의 두께는 상기 메사 구조의 하부의 높이보다 두꺼운 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 상기 활성층은 다중 양자 우물 구조를 갖는 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 상기 메사 구조는 플라즈마 에칭으로 형성되고, 상기 메사 구조의 하부를 형성할 때 인가되는 압력과, 상기 메사 구조의 상부를 형성할 때 인가될 때의 압력은 상이한 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 복수의 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들을 포함하는 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이를 포함하는 광원 유닛, 상기 광원 유닛으로부터의 광 빔을 편향시키도록 구성된 편향 유닛, 및 편향된 광 빔을 피주사면에 집광시키도록 구성된 주사 광학 시스템을 포함하는, 광 빔으로 피주사면을 주사하는 광 주사 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이를 포함하는 광원 유닛, 상기 광원 유닛으로부터의 복수의 광 빔들을 편향시키도록 구성된 편향 유닛, 및 편향된 광 빔들을 피주사면에 집광시키도록 구성된 주사 광학 시스템을 포함하는, 복수의 광 빔들로 피주사면을 주사하는 광 주사 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 하나 이상의 화상 유지 유닛들, 상기 하나 이상의 화상 유지 유닛들을 화상에 대응하는 광 빔으로 주사하도록 구성된 하나 이상의 광 주사 장치들, 및 상기 화상 유지 유닛 상에 형성된 화상을 전사 대상물에 전사하도록 구성된 전사 유닛을 포함하는 화상 형성 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예들의 또다른 태양에 따르면, 하나 또는 복수의 화상 유지 유닛들, 상기 하나 또는 복수의 화상 유지 유닛들을 화상에 대응하는 복수의 광 빔들로 주사하도록 구성된 하나 또는 복수의 광 주사 장치들, 및 상기 화상 유지 유닛 상에 형성된 화상을 전사 대상물에 전사하도록 구성된 전사 유닛을 포함하는 화상 형성 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 목적들, 특징들 및 이점들은, 첨부되는 도면들과 함께 이해하면, 다음의 상세한 설명으로부터 보다 명백해질 것이다.
도 1은 실시예 1에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 구조를 도시한다.
도 2는 실시예 1에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 제조 공정의 제1 단계를 도시한다.
도 3은 실시예 1에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 제조 공정의 제2 단계를 도시한다.
도 4는 실시예 1에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 제조 공정의 제3 단계를 도시한다.
도 5는 실시예 1에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 제조 공정의 제4 단계를 도시한다.
도 6은 실시예 1에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 제조 공정의 제5 단계를 도시한다.
도 7은 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma, ICP) 플라즈마 에칭 장치의 구성을 도시한다.
도 8은 산화 장치의 구성을 도시한다.
도 9a 및 도 9b는 주사 전자 현미경(scanning electron mircoscope, SEM)으로 취한 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들의 단면도의 사진들이다.
도 10은 실시예 2에 따른 레이저 프린터의 구성을 도시한다.
도 11은 광 주사 장치의 구성을 도시한다.
도 12는 레이저 어레이를 이용한 해상도를 설명하는 도면이다.
본 발명의 실시예들을 도 1 내지 도 12를 참조하여 이하에 설명한다.
이하, 도면 부호는 일반적으로 다음과 같이 나타낸다.
11 : n-GaAs 경사 기판
12 : 하부 분포 브래그 반사기(distribution Bragg reflector, DBR)층
13 : 하부 스페이서층 14 : 활성층
15 : 상부 스페이서층 16 : 선택적 산화층
17 : 상부 분포 브래그 반사기(DBR)층 18 : 절연막
19 : 포지티브 전극 20 : 네가티브 전극
30 : 공진기 31 : 산화된 영역
32 : 산화되지 않는 영역 41 : 메사 구조 하부
42 : 메사 구조 상부 43 : 단차부(검출부)
N : 메사 구조 하부의 높이 T : p측 전극의 두께
실시예 1
실시예 1에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 설명한다.
<수직 공진형 면 발광 레이저 소자(VCSEL)의 구조>
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 구조를 도시한다. 실시예 1의 780 nm 수직 공진형 면 발광 레이저 소자는, n-GaAs 경사 기판(11) 상에, 하부 반도체 DBR층(12), 하부 스페이서층(13), 활성층(14), 상부 스페이서층(15), 선택적 산화층(16), 및 상부 반도체 DBR층(17)을 에피택시얼 성장시킴으로써 형성된다. 하부 스페이서층(13), 활성층(14), 상부 스페이서층(15), 선택적 산화층(16), 상부 반도체 DBR층(17), 및 하부 반도체 DBR층(12)의 일부는, 메사 구조를 갖도록 형성되어 있다. 메사 구조의 측면을 포함하는 메사 구조 상부(42)는 기판면에 대하여 완만한(moderate) 각을 갖고 형성되고, 메사 구조 하부(41)는 메사 구조 상부(42)보다 급경사인 각을 갖는다.
여기서, 완만한 테이퍼 각은, 기판면에 대하여 n-GaAs 경사 기판(11)의 73° 내지 78°이고, 보다 큰 테이퍼 각은 85°내지 90°로, 기판면에 실질적으로 수직이다. 메사 구조 상부(42)와 메사 구조 하부(41) 간에 테이퍼 각이 변하는 위치에서, 단차부(43)가 형성된다. 후술되는 바와 같이, 선택적 산화층(16)은, 상부 반도체 DBR층(17)을 형성할 때에 형성된다.
메사 구조의 측면 및 하부 스페이서층(13)의 표면을 덮도록, 산화실리콘 또는 질화실리콘으로 제조된 층간 절연막(18)이 형성된다. 상부 반도체 DBR층(17) 및 층간 절연막(18) 상에는 포지티브 전극(19)이 형성된다. n-GaAs 경사 기판(11)의 이면에는, 네가티브 전극(20)이 형성된다.
n-GaAs 경사 기판(11)은, 경면 연마된 기판면의 법선이 [100] 방향에서 [111] A 방향으로 15°로 경사진 n-GaAs 단결정 기판이다.
하부 반도체 DBR층(12)은, n-Al0 .93Ga0 .07As로 제조된 저굴절률층과, n-Al0.3Ga0.7As로 제조된 고굴절률층을 교대로 적층함으로써 형성된다. 저굴절률층들과 고굴절률층들의 쌍의 수는 42.5쌍이다.
하부 스페이서층(13)은 Al0 .33Ga0 .67As로 제조된다.
활성층(14)은 GaInAsP/Al0 .33Ga0 .67As로 제조된 3중 양자 우물 구조를 갖는다.
상부 스페이서층(15)은 Al0 .33Ga0 .67As로 제조된다. 하부 스페이서층(13), 활성층(14), 및 상부 스페이서층(15)으로 공진기(30)가 형성된다.
상부 반도체 DBR층(17)은, p-Al0 .93Ga0 .07As로 제조된 저굴절률층과, p-Al0.33Ga0.67As로 제조된 고굴절률층을 교대로 적층함으로써 형성된다. 저굴절률층들과 고굴절률층들의 쌍의 수는 32쌍이다.
선택적 산화층(16)은, 상부 반도체 DBR층(17)에서 상부 스페이서층(15)으로부터 세어 제2 쌍의 저굴절률층이다. 이 선택적 산화층(16)은 p-AlAs로 제조되며, 20 nm의 두께를 갖는다. 이 선택적 산화층(16)은, 후술하는 바와 같이, 산화된 영역(31)과 산화되지 않는 영역(32)을 포함한다. 본 수직 공진형 면 발광 레이저 소자에서, 전류가 협착되는 산화되지 않는 영역(32)을 전류가 통과한다. 따라서, 산화되지 않는 영역(32)을 포함하는 선택적 산화층(16)을 전류 협착층으로 칭한다.
또한, 메사 구조의 테이퍼 각이 변화되는 단차부(43)는, 상부 반도체 DBR층(17)의 상부로부터 깊이 방향으로, 선택적 산화층(16)이 형성되는 위치와 유사한 위치에 형성된다. 단차부(43)는 상부 반도체 DBR층(17)의 상부로부터 깊이 방향으로 선택적 산화층(16)의 위치를 검출하는 검출부로서 기능한다. 후술되는 바와 같이, 단차부(43)를 현미경 등으로 검출함으로써 메사 구조의 외경을 측정할 수 있다. 메사 구조 하부(41)의 테이퍼 각(기판면과 메사 구조의 측면 간의 각)은 85°내지 90°이고, 메사 구조 상부(42)의 테이퍼 각은 73°내지 78°이다.
상술된 바와 같이, 단차부(43)는, 선택적 산화층(16)의, 상부 반도체 DBR층(17)의 상부로부터의 깊이 방향으로의 위치를 검출할 수 있게 하는 검출부로서 기능한다. 메사 구조 하부(41)는 이 예에서와 같이 85°내지 90°의 급경사인 각을 갖는 경우에는, 이 단차부(43)가 선택적 산화층(16)이 형성되는 위치보다 상부에 위치되어도, 그 깊이 방향을 따른 단차부(43)와 선택적 산화층(16) 간의 위치적 차이는 무시될 수 있고, 메사 구조의 측면의 외경을 측정하는 결과적인 정밀도는 거의 저하되지 않는다. 따라서, 이 단차부(43)는 그 깊이 방향을 따라, 선택적 산화층(16)의 위치와 유사한 위치 또는 그보다 약간 상부에 있을 수도 있다. 도 1에 도시된 메사 구조를 참조하면, 포지티브 전극(19)의 두께(T)는 메사 구조 하부(41)의 높이(N)보다 크다. 이에 따라, 메사 구조의 테이퍼 각이 급경사인 메사 구조 하부(41)의 하단 근방에서, 포지티브 전극(19)이 단선되는 것이 방지될 수 있다.
<수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 제조 방법>
다음, 실시예 1에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 기판으로서 n-GaAs 경사 기판(11) 상에, 하부 반도체 DBR층(12), 하부 스페이서층(13), 활성층(14), 상부 스페이서층(15), 선택적 산화층(16), 및 상부 반도체 DBR층(17)이 에피택시얼 형성된다. 막들은 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)법 또는 분자선 에피택시얼 성장법에 의하여 결정 성장시킴으로써 형성될 수도 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상부 반도체 DBR층(17)의 표면 상에, 한변이 20㎛인 정사각형의 레지스트 패턴(50)이 형성된다. 이 레지스트 패턴(50)은 메사 구조를 형성하기 위하여 제공된다. 상부 반도체 DBR층(17)의 표면을 포토레지스트로 코팅한 후, 상부 반도체 DBR층(16)이 노광되고 현상된다. 실시예 1의 수직 공진형 면 발광 레이저 소자에서, n-GaAs 경사 기판(11) 상에 각종 층들이 형성된 것을 반도체 부재(113)라고 칭한다(도 7 참조).
도 4에 도시된 바와 같이, 레지스트 패턴을 마스크로서 사용하는 유도 결합 플라즈마(ICP) 에칭 장치를 이용하여, 그 측면도가 사다리꼴 형상의 메사 구조가 형성된다. 도 7은, 메사 구조를 형성하기 위한 IPC 에칭 장치의 개략도이다.
도 3에 도시된 레지스트 패턴(50)을 갖는 반도체 부재(113)를 로드 록 챔버(load lock chamber)(101)에 삽입하고, 드라이 펌프(121)로 10분간 배기한 후, 게이트 밸브(102)가 개방되어, 반응 챔버(103)에 반도체 부재(113)가 반송된다. 반응 챔버(103)에는 링형의 실리콘(104)이 수용되어, 실리콘(104)의 반응 생성물이 GaAs 시스템 재료의 에칭에 기여한다.
반응 챔버(103) 내에 반도체 부재(113)를 10분간 유지한 후, 염소(Cl2) 가스 실린더(105)로부터 반응 챔버로 Cl2 가스가 2 sccm(standard cc/min)으로 도입되고, 사염화규소(SiCl4) 가스 실린더(106)로부터 SiCl4 가스가 1 sccm로 도입되고, 아르곤(Ar) 가스 실린더(107)로부터 Ar 가스가 3 sccm로 도입된다. 가스 실린더들(105, 106, 107) 각각에는 매스 플로우 컨트롤러들(108, 109, 110)이 연결되어, 가스 실린더들로부터의 가스들의 유량들을 제어한다.
또한, 반응 챔버(103)는 터보 분자 펌프(122) 및 드라이 펌프(123)에 의하여 배기된다. 반응 챔버(103)와 터보 분자 펌프(122) 간에 유량 조정 밸브(111)가 연결되어 있다.
반응 챔버(103) 내의 압력을 측정하기 위한 압력계(112)가 제공된다. 반응 챔버(103) 내의 미리 결정된 압력을 유지하도록, 압력계(112)에 의하여 측정된 압력에 기초하여, 유량 조정 밸브(111)의 개방도가 조정된다.
이 IPC 플라즈마 에칭 장치는, 반응 챔버(103)의 내압이 0.1 내지 0.3 Pa의 값 범위에서 일정한 경우, 73°내지 78°의 메사 구조의 안정한 테이퍼 각을 갖는 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제작한다. 반응 챔버(103)의 내압이 0.3 Pa 내지 0.5 Pa의 값 범위에 있는 경우, ICP 플라즈마 에칭 장치는, 넓게 퍼진 테이퍼 각 범위 73°내지 90°를 갖는 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제작한다. 반응 챔버(103)의 내압이 0.6 Pa 내지 1.0 Pa의 값 범위에 있는 경우, ICP 플라즈마 에칭 장치는 85°내지 90°의 범위의 안정된 테이퍼 각을 갖는 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 제작한다.
따라서, 메사 구조의 바닥부로부터 500 nm까지의 메사 구조의 상부는, 메사 구조의 테이퍼 각이 완만히 되도록, 0.3 Pa의 압력 하에 에칭된다. 구체적으로는, Cl2 가스, SiCl4 가스, 및 Ar 가스의 도입으로부터 30초 경과한 후, 유도 코일(114)에 400 W의 전력이 공급된다. 이와 같이 하여, 메사 구조의 바닥부 위로 500 nm보다 상부에 있는 메사 구조 상부(42)는, 73 °내지 78°의 테이퍼 각을 갖도록 형성된다.
이 후, 유도 코일(114)에 공급된 전력이 차단되고, 반응 챔버(103)의 내압을 1.0 Pa이도록 유지하도록, 유량 조정 밸브(111)의 개방도가 제어된다. 다음, 30초 동안 1.0 Pa의 내압이 유지되고, 유도 코일(114)에 400 W의 전력이 공급되어 반도체 부재(113)를 에칭한다. 그 후, 반도체 부재(113)는 500 nm로 에칭되고, 유도 코일에 공급된 전력이 차단된다. 에칭 후, 하부 스페이서층(13)의 표면이 노출되어 있다. 이러한 방식으로, 메사 구조의 바닥부 위로 500 nm까지 위치된 메사 구조 하부(41)는, 85°내지 90°의 테이퍼 각을 갖도록 형성된다.
설명된 바와 같이, 완만한 테이퍼 각을 갖는 메사 구조 상부(42)와 급경사인 테이퍼 각을 갖는 메사 구조 하부(41)로 제조된 메사 구조가 형성된다. 메사 구조의 상부 DBR층(17)의 측면 상에는, 메사 구조 하부(41)와 메사 구조 상부(42) 간의 접촉부에 단차부(43)가 형성된다. 또한, 단차부의 위치는, 상부 반도체 DBR층(17)의 상부로부터 깊이 방향으로, 선택적 산화층(16)의 위치와 유사하거나 또는 그보다 상부에 있다.
에칭 상태는, 반응 챔버(103)의 상부에, 사파이어창(미도시)을 통해 제공된 반사율 측정 장치(115)에 의한 반사율의 변화로서 계측될 수 있다. 반사율 모니터(116)에 표시된 상태를 확인함으로써, 어떤 층이 현재 에칭되고 있는지를 알 수 있다. 따라서, 테이퍼 각들은, 상술된 바와 같이 가스들의 도입 조건들을 제어함으로써 변경될 수 있다.
다음, 도 5에 도시된 바와 같이, 레지스트 패턴(50)이 제거된다. 다음, 선택적 산화층(16)에 산화된 영역(31)이 형성된다. 구체적으로는, 레지스트 패턴(50)을 제거한 후, 반도체 부재(113)의 상부로부터 금속 현미경을 이용하여 100배의 배율로 메사 구조의 화상이 취득되고, 화상 편집 소프트웨어 등에 의하여 메사 구조의 측면의 직경이 측정된다. 산화 전류 협착 공정의 처리 시간(T)은, 메사 구조의 측면부의 외경을 측정하여 취득된 산화 전류 협착층의 외경값(M), 미리 결정된 산화되지 않는 영역의 반경(OA), 및 산화 속도(V)를 다음과 같은 수학식 1에 연결시켜 취득된다.
[수학식 1]
T = (M - OA) / 2 x V
수학식 1로 취득된 처리 시간에 기초하여 산화 전류 협착 공정이 행해진다. 구체적으로는, 선택적 산화층(16)은 산화 장치에 의해 산화함으로써 형성된다.
도 8은 산화 장치의 구성을 도시한다. 산화 장치는, 수증기 공급부(210), 스테인레스 반응 용기(220), 도입관(230), 배기관(240), 물 수집기(250), 온도 컨트롤러(미도시) 등을 포함한다.
수증기 공급부(210)는, 매스 플로우 컨트롤러(211), 기화기(212), 액체 매스 플로우 컨트롤러(213), 및 물 공급부(214)를 포함하고, 수증기가 스테인레스 반응 용기(220)에 공급된다.
스테인레스 반응 용기(220)는, 반도체 부재(113)가 산화되도록 설치되는 트레이(221), 이 트레이(221)를 통해 반도체 부재(113)를 가열시키기 위한 세라믹 히터(224)를 내장하는 원반형의 가열 테이블(222), 반도체 부재(113)의 온도를 측정하기 위한 열전대(225), 및 가열 테이블(222)을 회전시키도록 유지하는 회전 베이스(223)를 포함한다. 온도 컨트롤러(미도시)는, 열전대(225)로부터의 출력 신호를 모니터하면서 세라믹 히터(224)에 공급된 전류 또는 전압을 제어하여, 반도체 부재(113)의 미리 설정된 온도(유지 온도)를 미리 설정된 기간(유지 기간) 동안 일정하게 유지한다.
도 8에 도시된 산화 장치에서, 물 공급부(214)에 질소(N2) 가스가 도입되면, 물(H2O)의 유량이 액체 매스 플로우 컨트롤러(213)에 의하여 제어되고, 물이 기화기(212)에 공급된다. 공급된 물은 수증기(212)에 의하여 수증기로 변한다. N2 캐리어 가스가 기화기(212)에 도입될 때 N2 캐리어 가스의 유량은 매스 플로우 컨트롤러(211)에 의하여 제어되어, N2 캐리어 가스는 수증기를 함유한다. N2 캐리어 가스와 수증기는 도입관(230)을 통해 스테인레스 반응 용기(220) 내에 공급된다.
스테인레스 반응 용기(220) 내에 공급된 수증기를 함유하는 N2 캐리어 가스는, 반도체 부재(113)에 및 그 주위에 도달한다. 이러한 방식으로, 반도체 부재(113)는 수증기 분위기에 노출되어, 반도체 부재(113)의 선택적 산화층(16)에 대응하는 부분의 주위로부터 점차 산화가 진행한다. 따라서, 선택적 산화층(16)에 산화된 영역(31)이 형성된다. 그 후, N2 캐리어 가스는, 배기관(240) 및 물 수집기(250)로부터 배출된다.
공급된 물의 유량은, 예컨대 1 atm과 0℃에서, 80 g/hr(gram per hour)이고, N2 캐리어 가스의 유량은 20 SLM(standard liter per minutue)이고, 유지 온도는 410℃이고, 기간(T)은 식 (1)로 취득된 11.3분인 조건 하에 산화가 수행된다. 따라서, 3.5㎛ 정사각형의 전류 협착 영역인 산화되지 않는 영역(32)과, 이 산화되지 않은 영역(32)을 둘러싸는 산화된 영역(31)을 포함하는 선택적 산화층(16)이 형성된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 층간 절연막(18)이 형성된 후, 포지티브 전극(19) 및 네가티브 전극(20)이 형성된다. 구체적으로는, 미리 결정된 영역에 산화실리콘 또는 질화실리콘으로 제조된 층간 절연막(18)이 형성된다.
다음, 질화실리콘(SiN)막이 150 nm 두께로 형성된다. 그 측면도가 사다리꼴 형상인 메사 구조의 상부에는, 한변 18 ㎛의 정사각형의 개구부를 위한 레지스트 패턴이 SiN 막 상에 형성된다. SiN 막은, 버퍼된(buffered) 플루오르화수소산에 의해 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 영역에서 에칭되어, 메사 구조의 상부에 18 ㎛ 정사각형의 개구부를 형성한다.
다음, 포지티브 전극(19)을 형성하기 위한 레지스트 패턴이 형성되고, 진공 증착법으로 Cr, AuZn 및 Au의 순으로 금속막들이 적층되어, 750 nm의 전체 두께를 갖는다. 다음, 적층된 금속막들에 리프트 오프가 행해져, 포지티브 전극(19)을 형성한다.
다음, 반도체 기판인 n-GaAs 경사 기판(11)의 이면을 연마한 후, 연마된 이면 상에 진공 증착법으로, AuGe, Ni, 및 Au의 순으로 금속막들이 적층된다. 따라서, 네가티브 전극(20)이 형성된다.
그 후, 반도체 부재가 400 ℃에서 4분간 열 처리된다.
도 9a 및 도 9b는, 주사 전자 현미경(SEM)에 의하여 취한 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들의 단면도의 사진들이다. 도 9a는, 본 실시예에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 메사 구조의 측 단면도의 사진이다. 도 9b는 종래 기술에 따른 수직 공진형 면 발광 레이저 소자의 메사 구조의 측단면도의 사진이다.
도 9a를 참조하여, 실시예 1에서, 화살표 B1은 측정된 위치(메사 상부)를 나타내고, 화살표 A1은 본 발명의 실시예 1에서의 측정된 위치를 나타내고, 화살표 A2는 협착 산화층을 나타낸다. 도 9b를 참조하여, 종래 기술에서, 화살표 B1은 측정된 위치(메사 상부)를 나타내고, 화살표 B2는 협착 산화층을 나타낸다.
메사 구조들의 측면들 상에는, 층간 절연막들이 형성된다. 또한, 층간 절연막들 상에는 포지티브 전극들(19)이 형성된다. 메사 구조 상부 및 메사 구조 하부에서, 메사 구조들의 테이퍼 각들이 크면, 단선이 생기기 쉽다. 이러한 경우에서, 수율이 떨어질 수도 있다. 따라서, 메사 구조는 통상적으로, 도 9b에 도시된 바와 같이 완만한 테이퍼 각을 갖도록 형성된다.
그러나, 메사 구조가 완만한 테이퍼 각을 갖도록 형성되면, 전류 협착층으로서 기능하는 선택적 산화층이 형성되는 부분의 폭 값을 정확히 아는 것은 곤란하다. 즉, 전류 협착층으로서 기능하는 선택적 산화층이 형성되는 부분의 폭 값이 위쪽에서만 관찰될 수 있다. 측면으로부터 관찰하기 위해서는, 제조 동안 반도체 부재(113)를 파괴할 필요가 있을 것이다. 도 9b에 도시된 바와 같은 완만한 테이퍼 각을 갖는 메사 구조를 위쪽에서 관찰하면, 전류 협착층으로서 기능하는 선택적 산화층이 형성되는 부분의 폭 값을 결정하는 데 오차가 커질 수도 있다. 이것은, 메사 구조가 도 9b의 화살표 B1으로부터 관찰될 수 있으므로, 화살표 B2로 나타내는 위치에 형성된 선택적 산화층의 폭 값의 오차가 커지기 때문이다. 따라서, 선택적 산화층에서의 산화되지 않는 영역의 크기가 크게 변동하여, 수율이 저하되게 된다.
그러나, 도 9a에 도시된 바와 같이, 메사 구조가, 선택적 산화층(16)이 형성되는 부분에서 측면 상의 급경사의 테이퍼 각을 가지면, 완만한 테이퍼 각을 갖는 메사 구조 상부와 급경사의 테이퍼 각을 갖는 메사 구조 하부 사이에 단차부가 형성될 수 있다. 그러면, 전류 협착층으로서 기능하는 선택적 산화층이 형성된 부분의 폭을 상측에서 보다 정확히 관찰할 수 있게 된다. 따라서, 메사 구조는 화살표 B1에서뿐 아니라, 화살표 A1에서도 관찰될 수 있어, 화살표 A2로 나타내는 위치에 형성된 선택적 산화층(16)의 폭을 정확히 검출할 수 있다. 그 결과, 선택적 산화층(16)이 형성되는 부분의 위치를, 상부 반도체 DBR층(17)의 상부로부터 깊이 방향으로 결정할 수 있게 되어, 메사 구조의 측면의 외경을 측정할 수 있게 한다. 따라서, 선택적 산화층(16)의 산화 전류 협착층의 외경값(M)을 결정할 수 있다.
실시예 1의 수직 공진형 면 발광 레이저 소자에 따르면, 선택적 산화층(16)에서의 산화되지 않는 영역이 균일하게 제조될 수 있어 수율의 저하를 막을 수 있고, 포지티브 전극(19)의 단선 등이 방지될 수 있어 수율의 저하를 막을 수 있다.
실시예 1의 수직 공진형 면 발광 레이저 소자에 따르면, 선택적 산화층(16)에서의 전류 협착 영역을 형성하는 정밀도가 높으므로, 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들을 사용하는 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이를 높은 수율로 제조할 수 있다.
실시예 2
실시예 2의 화상 형성 장치를 설명한다.
<레이저 프린터>
도 10은 실시예 2의 화상 형성 장치로서의 레이저 프린터의 구성을 도시한다.
레이저 프린터는, 광 주사 장치(300), 감광체 드럼(301), 대전 챠저(302), 현상 롤러(303), 토너 카트리지(304), 클리닝 블레이드(305), 급지 트레이(306), 급지 롤러(307), 레지스트 롤러쌍(308), 전사 챠저(311), 제전(neutralization) 유닛(314), 정착 롤러(fuser roller)(309), 배지 롤러(ejecting roller)(312), 배지 트레이(310) 등을 포함한다.
대전 챠저(302), 현상 롤러(303), 전사 챠저(311), 제전 유닛(314) 및 클리닝 블레이드(305)는, 감광체 드럼(301)의 표면 근방에 제공되어 있다. 감광체 드럼(301)의 회전 방향을 따라 감광체 드럼(301) 주위에, 대전 챠저(302), 현상 롤러(303), 전사 챠저(311), 제전 유닛(314), 및 클리닝 블레이드(305)가 배열되어 있다.
감광체 드럼(301)의 표면 상에 감광층이 형성되어 있다. 여기서, 감광체 드럼(301)은, 도 10에서 보는 바와 같이 시계 방향(화살표 방향)으로 회전한다.
대전 챠저(302)는 감광체 드럼(301)의 표면을 균일하게 대전시킨다.
광 주사 장치(300)는, 대전 챠저(302)로 대전된 감광체 드럼(301)의 표면 상에, PC와 같은 상위 장치로부터 수신된 화상 정보에 기초하여 변조된 광을 조사한다. 이에 따라, 감광체 드럼(301)의 표면 상에는, 화상 정보에 대응하는 잠상이 형성된다. 여기서 형성된 잠상은, 감광체 드럼(301)의 회전에 따라 현상 롤러(303)를 향하는 방향으로 이동한다. 광 주사 장치(300)의 구성의 상세한 설명을 이하에 설명한다.
토너 카트리지(304)는 토너를 포함한다. 이 토너는 현상 롤러(303)에 공급된다.
현상 롤러(303)는, 감광체 드럼(301)의 표면 상에 형성된 잠상에 토너 카트리지(304)로부터 공급된 토너를 부착시켜, 화상 정보를 시각화시킨다. 토너가 부착된 잠상은, 감광체 드럼(301)의 회전에 따라 현상 롤러(303)의 방향으로 이동한다.
급지 트레이(306)는 기록지(313)를 갖고 있다. 이 급지 트레이(306)의 근방에는 급지 롤러(307)가 배치되어 있다. 급지 롤러(307)는, 기록지들을 급지 트레이(306)로부터 1매씩 추출하여, 이들을 레지스트 롤러쌍(308)에 전달한다. 레지스트 롤러쌍(308)은 전사 롤러(311)의 근방에 배치되어, 급지 롤러(307)에 의하여 추출된 기록지들(313)을 일시 유지하고, 기록지들(313)을, 감광체 드럼(301)의 회전에 따라 감광체 드럼(301)과 전사 챠저(311) 간의 간극을 향해서 1매씩 송출한다.
전사 챠저(311)에는, 감광체 드럼(301)의 표면 상의 토너를 전기적으로 기록지(313)에 끌어 당기기 위해서, 토너의 극성과는 역극성인 전압이 인가되어 있다. 이 인가된 전압에 의해, 감광체 드럼(301)의 표면 상의 잠상이 기록지에 전사된다. 전사된 기록지(313)는 정착 롤러(309)에 보내진다.
정착 롤러(309)는 열과 압력을 기록지(313)에 가하여, 이것에 의해서 토너를 기록지(313)에 정착시킨다. 정착된 기록지들(313)은 배지 트레이(310)에 보내지고, 배지 트레이(310) 상에 순차 스택된다.
제전 유닛(314)은 감광체 드럼(301)의 표면의 전하들을 제거한다.
클리닝 블레이드(305)는, 감광체 드럼(301)의 표면에 남은 토너(잔류 토너)를 제거한다. 제거된 잔류 토너는 재이용될 수 있다. 잔류 토너가 제거된 감광체 드럼(301)의 표면은 대전 챠저(302)의 위치로 되돌아간다.
<광 주사 장치>
도 11을 참조하여, 광 주사 장치(300)의 구성 및 작용을 설명한다.
광 주사 장치(300)는, 실시예 1의 수직 공진형 면 발광 레이저 소자로 제조된 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이(LA)를 갖는 광원 유닛(410), 커플링 렌즈(411), 애퍼쳐(aperture)(412), 원통형 렌즈(413), 폴리곤 미러(414), fθ 렌즈(415), 토로이달(toroidal) 렌즈(416), 2개의 미러들(417, 418), 및 상기 각부들을 통괄적으로 제어하는 주 제어 장치(미도시)를 포함한다.
커플링 렌즈(411)는, 광원 유닛(410)으로부터 조사된 광 빔을 실질적으로 평행광으로 정형시킨다.
애퍼쳐(412)는, 커플링 렌즈(411)에 의하여 릴레이된 광 빔의 빔 직경을 결정한다.
원통형 렌즈(413)는, 애퍼쳐(412)를 통과한 광 빔을 미러(417)에 의하여 반사시켜, 폴리곤 미러(414)의 반사면에 집광시킨다.
폴리곤 미러(414)는, 높이가 낮은 정육각 기둥 부재로 제조되고, 그 측에는 6면의 편향면들을 갖는다. 폴리곤 미러(414)는, 회전 기구(미도시)에 의해 도 11에 도시되는 화살표의 방향으로 미리 결정된 각속도로 회전된다. 따라서, 광원 유닛(410)으로부터 조사되어, 원통형 렌즈(413)에 의하여 폴리곤 미러(414)의 편향면들에 집광된 광 빔은, 폴리곤 미러(414)의 회전에 의해 일정한 각속도로 편향된다.
fθ 렌즈(415)는, 폴리곤 미러(414)로부터의 광 빔의 입사각에 비례한 높이를 갖는 화상을 가져, 폴리곤 미러(414)에 의하여 일정한 각속도로 편향되는 화상면을 주 주사 방향에 대하여 일정한 속도로 이동시킨다.
fθ 렌즈(415)로부터의 광 빔은 토로이달 렌즈(416)를 통하여 전달되고, 미러(418)로 반사되어, 감광체 드럼(301)의 표면 상에 결상한다.
도 12를 참조하여, 40개의 수직 공진형 면 발광 레이저 소자 채널들을 갖는 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이(LA)가 예로서 감광체 드럼(301)에 제공되어 있다. 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들의 중심들로부터 부 주사 방향들에 평행한 선까지의 수선은 등간격들(d2)로 배열되어 있다. 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들의 점등 타이밍을 조정함으로써, 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들이 감광체 드럼(301) 상에 부 주사 방향들에 등간격들(d2)로 평행한 선에 실제로 배치되어 있는 경우에서의 기능과 유사한 기능을 취득할 수 있다. 예컨대, 360°에 대한 10개의 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들의 피치(d1)가 26.5㎛이면, 간격들은 2.65㎛이 된다.
상기 광학 시스템의 광학 배율을 2배라고 하면, 감광체 드럼(301) 상에서는 부 주사 방향으로 5.3㎛ 간격들로 기록 도트들을 형성할 수 있다. 5.3 ㎛ 간격들은 4800 dpi(dots per inch)에 대응하고 있다. 즉, 4800 dpi의 고밀도 기록을 달성할 수 있다. 주 주사 방향으로 360°회전을 위한 수직 공진형 면 발광 레이저 소자수를 증가시키거나, 피치(d1)를 좁게 하여 간격들(d2)을 감소시켜 어레이 구조를 변경하거나, 상기 광학 시스템의 광학 배율을 감소시킴으로써 한층 고밀도와 고품질의 인쇄(기록)를 달성할 수 있다. 다음, 주 주사 방향의 인쇄(기록)의 간격들은, 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들(광원)의 타이밍을 변경시킴으로써 용이하게 제어될 수 있다.
이러한 광원 유닛(410)이 채용되면, 레이저 프린터의 도트 밀도가 높아도, 인쇄 속도를 감소시키지 않고 인쇄할 수 있다. 또한, 도트 밀도가 변하지 않으면, 인쇄 속도를 더욱 빠르게 할 수 있다.
수직 공진형 면 발광 레이저 어레이(LA)는, 그 측면들의 테이퍼 각들이 상호 상이한, 메사 구조 상부(42)와 메사 구조 하부(41) 사이에 접촉부가 있는 단차부(43)를 가지므로, 산화 협착층의 외경은, 제조 공정 동안 메사 구조 하부(41)에 포함된 단차부(43)보다 낮은 부분에서의 메사 구조의 폭을 측정함으로써 취득될 수 있다. 따라서, 산화 협착층의 외경의 추정 정밀도가 높고, 따라서 전류 협착 영역의 어긋남이 매우 작다. 따라서, 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이의 수직 공진형 면 발광 레이서 소자수를 증가시킬 수 있다. 또한, 고선명인 화상을 저비용으로 고속으로 형성하는 레이저 프린터를 취득할 수 있다.
상술된 바와 같이, 실시예 2의 광 주사 장치(300)의 광원 유닛(410)은, 실시예 1의 수직 공진형 면 발광 레이저 소자들로 제조된 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이(LA)를 포함하므로, 감광체 드럼(301)의 표면을 고선명으로 고속으로 주사할 수 있는 광 주사 장치를 저비용으로 얻을 수 있다.
실시예 2의 레이저 프린터는, 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이(LA)를 포함하는 광 주사 장치(300)를 포함하므로, 고선명인 화상을 고속으로 형성하는 레이저 프린터를 저비용으로 얻을 수 있다.
컬러 화상들을 주사할 수 있는 광 주사 장치를 이용함으로써, 컬러 화상들을 고선명하게 고속으로 형성하는 화상 형성 장치를 저비용으로 얻을 수 있다.
화상 형성 장치는, 블랙(K)용 감광체 드럼, 시안(C)용 감광체 드럼, 마젠더(M)용 감광체 드럼, 및 옐로우(Y)용 감광체 드럼과 같은 복수의 감광체 드럼들을 포함하는 컬러 촬상용 탠덤 컬러기일 수도 있다.
본 발명은 이들 실시예들에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 변형 및 수정이 행해질 수도 있다.
본 발명은, 일본 특허청에 2009년 3월 18일 출원된 일본 우선권 특허 출원 제2009-065667호, 및 2009년 9월 18일 출원된 제2009-217914호에 기초하며, 그 전체 내용이 여기서 참조용으로 사용되었다.

Claims (13)

  1. 수직 공진형 면 발광 레이저 소자로서,
    기판,
    상부 반사경과 하부 반사경으로 반도체 활성층을 상하로 끼워 형성되고, 상기 기판의 표면 상에 위치된 적층체,
    상기 표면에 반대측인 상기 기판의 다른 표면에 연결된 하부 전극, 및
    상기 상부 반사경의 상부 표면에 연결된 상부 전극
    을 포함하고,
    상기 상부 반사경과 상기 하부 반사경은, 상이한 굴절률들을 갖는 반도체 막들을 교대로 적층시킴으로써 각각 제작되고, 상기 수직 공진형 면 발광 레이저 소자는, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전류가 공급될 때, 상기 기판의 표면에 수직인 방향으로 레이저 광을 조사하고,
    상기 수직 공진형 면 발광 레이저 소자는,
    산화된 영역과 산화되지 않은 영역으로 제조된 전류 협착 구조(current blocking structure)를 갖는 상기 상부 반사경에서의 선택적 산화층, 및
    상기 반도체 활성층과 상기 선택적 산화층을 포함하는 상기 상부 반사경으로 형성된 메사 구조의 측면 상에 형성되어, 상기 적층체의 깊이 방향으로 상기 적층체의 상부로부터 상기 선택적 산화층의 위치를 검출할 수 있게 하는 검출부
    를 포함하고,
    상기 검출부는 상기 메사 구조의 측면의 테이퍼 각을 변화시킴으로써 형성되는 단차이며,
    상기 검출부는 상기 적층체의 상부로부터 상기 선택적 산화층의 깊이 위치에 대응하는 깊이 위치에 형성되는 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 메사 구조의 측면은, 상기 메사 구조의 상부의 테이퍼 각보다 상기 메사 구조의 하부의 테이퍼 각이 크도록 형성되고,
    상기 메사 구조의 하부와 상부 간에 상기 테이퍼 각이 변하는 상기 검출부의 깊이 위치는, 상기 선택적 산화층의 깊이 위치와 동일한 위치 또는 그보다 상부에 있는 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자.
  5. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 메사 구조의 측면 상에는 절연막이 형성되어 있는 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 상부 전극은 상기 절연막 상에 형성되고,
    상기 상부 전극의 두께는 상기 메사 구조의 하부의 높이보다 두꺼운 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자.
  7. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 반도체 활성층은 다중 양자 우물 구조를 갖는 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자.
  8. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 메사 구조는 플라즈마 에칭으로 형성되고, 상기 메사 구조의 하부를 형성할 때 인가되는 압력과, 상기 메사 구조의 상부를 형성할 때 인가되는 압력은 상이한 것인 수직 공진형 면 발광 레이저 소자.
  9. 제 1 항 또는 제 4 항에 기재된 수직 공진형 면 발광 레이저 소자를 복수개 포함하는 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이.
  10. 광 빔으로 피주사면을 주사하는 광 주사 장치로서,
    제 9 항에 기재된 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이를 포함하는 광원 유닛,
    상기 광원 유닛으로부터의 광 빔을 편향시키도록 구성된 편향 유닛, 및
    편향된 광 빔을 상기 피주사면에 집광시키도록 구성된 주사 광학 시스템
    을 포함하는 광 주사 장치.
  11. 복수의 광 빔들로 피주사면을 주사하는 광 주사 장치로서,
    제 9 항에 기재된 수직 공진형 면 발광 레이저 어레이를 포함하는 광원 유닛,
    상기 광원 유닛으로부터의 복수의 광 빔들을 편향시키도록 구성된 편향 유닛, 및
    편향된 광 빔들을 상기 피주사면에 집광시키도록 구성된 주사 광학 시스템
    을 포함하는 광 주사 장치.
  12. 화상 형성 장치로서,
    하나 이상의 화상 유지 유닛들,
    상기 하나 이상의 화상 유지 유닛들을 화상에 대응하는 광 빔으로 주사하도록 구성된 하나 이상의 제 10 항에 기재된 광 주사 장치, 및
    상기 화상 유지 유닛 상에 형성된 화상을 전사 대상물에 전사하도록 구성된 전사 유닛
    을 포함하는 화상 형성 장치.
  13. 화상 형성 장치로서,
    하나 이상의 화상 유지 유닛들,
    상기 하나 이상의 화상 유지 유닛들을 화상에 대응하는 복수의 광 빔들로 주사하도록 구성된 하나 이상의 제 11 항에 기재된 광 주사 장치, 및
    상기 화상 유지 유닛 상에 형성된 화상을 전사 대상물에 전사하도록 구성된 전사 유닛
    을 포함하는 화상 형성 장치.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6085956B2 (ja) 2012-03-09 2017-03-01 株式会社リコー 面発光レーザアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置
JP2015050202A (ja) * 2013-08-29 2015-03-16 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光半導体装置およびその製造方法
DE102014207893A1 (de) * 2014-04-28 2015-10-29 Robert Bosch Gmbh 3D-Laserscanner
JP2016174136A (ja) 2015-03-16 2016-09-29 株式会社リコー 面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置、及び内燃機関
KR102425083B1 (ko) * 2017-10-19 2022-07-27 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체소자, 반도체소자 패키지 및 자동 초점 장치
KR102507630B1 (ko) * 2017-12-08 2023-03-09 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
CN108847573B (zh) * 2018-06-27 2021-06-01 湖北光安伦芯片有限公司 垂直腔面发射激光器及其制作方法
US11239638B2 (en) * 2018-09-04 2022-02-01 Lumentum Operations Llc Emitter oxidation uniformity within a wafer
US20210098962A1 (en) * 2019-10-01 2021-04-01 Facebook Technologies, Llc Vertical cavity surface-emitting laser (vcsel) with a light barrier
JP7367484B2 (ja) 2019-11-22 2023-10-24 株式会社リコー 面発光レーザ素子、面発光レーザ、面発光レーザ装置、光源装置及び検出装置
CN110994359A (zh) * 2019-12-13 2020-04-10 武汉光安伦光电技术有限公司 一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺
TWI775195B (zh) 2020-10-26 2022-08-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件
DE102022114856A1 (de) 2022-06-13 2023-12-14 Trumpf Photonic Components Gmbh VCSEL zum Emittieren von Laserlicht

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6014400A (en) * 1996-09-02 2000-01-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Surface-emitting laser and a fabrication method thereof
JP2007266592A (ja) * 2006-03-03 2007-10-11 Ricoh Co Ltd 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、その面発光レーザアレイを備えた光走査装置、その光走査装置を備えた電子写真装置
US20080056321A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Hiroshi Motomura Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and optical communication system

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3262676B2 (ja) 1993-06-25 2002-03-04 株式会社リコー 半導体装置
JP3325720B2 (ja) 1993-12-03 2002-09-17 株式会社リコー 半導体装置とその製造方法
US6001720A (en) 1994-06-27 1999-12-14 Ricoh Company, Ltd. Method for forming ohmic contact
JPH08130246A (ja) 1994-10-28 1996-05-21 Ricoh Co Ltd 半導体装置とその製造方法
US5493577A (en) 1994-12-21 1996-02-20 Sandia Corporation Efficient semiconductor light-emitting device and method
US5976971A (en) 1995-07-19 1999-11-02 Ricoh Company, Ltd. Fabrication process of a semiconductor device having an interconnection structure
JP3188658B2 (ja) * 1996-09-02 2001-07-16 松下電器産業株式会社 面発光半導体レーザおよびその製造方法
JP3692060B2 (ja) * 2001-09-14 2005-09-07 株式会社東芝 垂直共振器型半導体発光素子
JP2003133285A (ja) 2001-10-24 2003-05-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4061062B2 (ja) 2001-12-13 2008-03-12 ローム株式会社 半導体発光素子の製法および酸化炉
JP2004063707A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Fuji Xerox Co Ltd 表面発光型半導体レーザ
JP4362682B2 (ja) 2002-09-02 2009-11-11 富士ゼロックス株式会社 面発光型半導体レーザおよびその製造方法ならびにその製造装置
JP2005260020A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
US7981700B2 (en) 2005-02-15 2011-07-19 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor oxidation apparatus and method of producing semiconductor element
JP4485972B2 (ja) 2005-02-15 2010-06-23 株式会社リコー 半導体酸化装置及び半導体素子の製造方法
JP2006332623A (ja) * 2005-04-27 2006-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置
US7693204B2 (en) 2006-02-03 2010-04-06 Ricoh Company, Ltd. Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same
JP4935278B2 (ja) * 2006-09-28 2012-05-23 富士ゼロックス株式会社 表面発光型半導体アレイ素子、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置、および光空間伝送システム
JP4653124B2 (ja) 2007-01-12 2011-03-16 古河電気工業株式会社 半導体素子製造方法
JP2009038227A (ja) * 2007-08-02 2009-02-19 Ricoh Co Ltd 光源ユニット、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム
EP2034485A1 (en) 2007-09-07 2009-03-11 Thomson Licensing System and method for generating linear time code data
DE102008022793B4 (de) * 2008-05-08 2010-12-16 Universität Ulm Vollständig selbstjustierter oberflächenemittierender Halbleiterlaser für die Oberflächenmontage mit optimierten Eigenschaften
JP2010021418A (ja) 2008-07-11 2010-01-28 Ricoh Co Ltd 面発光レーザの製造方法および面発光レーザと面発光レーザアレイならびに光走査装置と画像形成装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6014400A (en) * 1996-09-02 2000-01-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Surface-emitting laser and a fabrication method thereof
JP2007266592A (ja) * 2006-03-03 2007-10-11 Ricoh Co Ltd 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、その面発光レーザアレイを備えた光走査装置、その光走査装置を備えた電子写真装置
US20080056321A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Hiroshi Motomura Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, and optical communication system

Also Published As

Publication number Publication date
TW201036295A (en) 2010-10-01
TWI483497B (zh) 2015-05-01
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KR20110125239A (ko) 2011-11-18
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US8599233B2 (en) 2013-12-03
JP2010245502A (ja) 2010-10-28
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JP5504784B2 (ja) 2014-05-28
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US20110316961A1 (en) 2011-12-29

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