TWI392178B - 表面發光雷射元件，表面發光雷射陣列，光學掃瞄裝置，及影像形成設備 - Google Patents

表面發光雷射元件，表面發光雷射陣列，光學掃瞄裝置，及影像形成設備 Download PDF

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Description

表面發光雷射元件，表面發光雷射陣列，光學掃瞄裝置，及影像形成設備
本發明一般而言係有關一種表面發光雷射元件，其係以垂直於該表面發光雷射元件之基底表面的方向發射雷射光束；一種表面發光雷射陣列，其中係配置了該等表面發光雷射元件；一種使用該表面發光雷射元件或該表面發光雷射陣列之光學掃瞄裝置；及使用該光學掃瞄裝置之影像形成設備。
VCSEL(垂直空腔表面發光雷射)係以垂直於VCSEL之基底表面的方向發射雷射光束，並具有低成本、低電流耗損、小尺寸、及高效率，且適於二維裝置，當比較VCSEL與邊緣發光雷射時。因此，VCSEL已被深入地研究。
作為VCSEL之應用領域，可有：印表機之光學寫入系統的光源(振盪波長係於780nm頻帶)、光碟裝置之記錄及再生光源(振盪波長係於780nm頻帶及850nm頻帶)、及使用光纖之光學傳輸系統，例如，LAN(區域網路)(振盪波長係於1.3μm頻帶及1.5μm頻帶)。此外，VCSEL已被預期能使用為介於板之間、於板內部、介於一LSI(大型積體)中的晶片之間、以及LSI之晶片內部的光源。
於VCSEL之應用領域中，於許多情況下，輸出自VCSEL之雷射光束(於下文中在某些情況下稱之為輸出雷射光束)需具有恆定的極化模式及圓形的橫斷面形狀。
有關極化模式之控制，於使用其主表面為(100)表面之基底(無傾斜基底)以製造VCSEL時，一電流通過區(電流通道區)具有各向異性形狀(例如，參見專利文件1至3)。
此外，極化模式係藉由使用一種所謂的傾斜基底來控制(參見專利文件4及非專利文件1)。
再者，有關輸出雷射光束之橫斷面形狀，電流通過區之形狀係藉由調整一共振器結構體之圓柱形狀(台面形狀)而被決定為圓形或方形(參見專利文件5)。
然而，當電流通過區具有各向異性形狀時，則輸出雷射光束之橫斷面形狀難以成為圓形。此外，當傾斜基底被簡單地使用時，則電流通過區之形狀變為不對稱(參見圖17A)，且輸出雷射光束之橫斷面形狀難以成為圓形。於圖17B中，顯示一電流通過區，其形狀係針對兩軸為對稱的。
[專利文件1]日本未審查專利公告號H9-172218
[專利文件2]日本專利號2891133
[專利文件3]日本未審查專利公告號2008-28424
[專利文件4]日本專利號4010095
[專利文件5]日本專利號3762765
[非專利文件1]T. Ohtoshi,T. Kuroda,A. Niwa,及S. Tsuji「對於具有應變量子井之表面發光雷射中的晶體定向之光學增益的依存」,Appl. Phys. Lett. 65(15),pp. 1886-1877,1994
藉由製造具有傾斜基底之表面發光雷射元件，本發明之發明人已詳細地研究了介於電流通過區的形狀以及極化抑制比與輸出雷射光束的輻射角度之間的關係。結果，發明人已新穎地發現如下事實。亦即，於某些情況下，僅藉由致使電流通過區之形狀成為圓形或方形，將難以使輸出雷射光束之橫斷面形狀成為圓形。
發明人已詳細地研究了上述結果之原因並已新穎地發現了：當使用一傾斜基底時，一圍繞電流通過區之氧化物的厚度會顯著地影響輸出雷射光束之輻射角度。
於本發明之一較佳實施例中，有提供一種表面發光雷射元件，其係以垂直於該表面發光雷射元件之基底表面的方向發射雷射光束；一種表面發光雷射陣列，其中係配置了該等表面發光雷射元件；一種使用該表面發光雷射元件或該表面發光雷射陣列之光學掃瞄裝置；及使用該光學掃瞄裝置之影像形成設備，其中可獲得輸出雷射光束之極化方向的穩定性而無須造成高成本，且輸出雷射光束之橫斷面形狀為實質上圓形的。
本發明之特徵及優點被提出於如下描述中，且部分地將從該描述及後附圖形變得清楚明白，或者可由依據該描述中所提供之教導的本發明實施而被得知。本發明之特徵及優點將由以下所實現及獲得：一種表面發光雷射元件，其係以垂直於該表面發光雷射元件之基底表面的方向發射雷射光束；一種表面發光雷射陣列，其中係配置了該等表面發光雷射元件；一種使用該表面發光雷射元件或該表面發光雷射陣列之光學掃瞄裝置；及使用該光學掃瞄裝置之影像形成設備，其係以完成、清楚、簡潔、及明確用詞被特別地指出於說明書中，以致能本技術中具有通常技藝者來實現本發明。
為了達成這些之一或更多以及其他優點，依據本發明之一形態，提供一種表面發光雷射元件。該表面發光雷射元件包含一基底，該基底之主表面的垂直方向被傾斜至相對於[1 0 0]晶體定向之一方向的[1 1 1]晶體定向之一方向；一包括主動層之共振器結構體；第一及第二半導體分散式布拉格反射器，其係夾制該共振器結構體並包括一侷限結構，其中一電流通過區係由一氧化層所圍繞；複數堆疊於該基底上之半導體層；及一具有開口部分之金屬層，該開口部分變為該等複數半導體層上之光輸出區段。經由該氧化物侷限結構以將一具有狹長方向之橫斷面形狀的雷射光束輸入至該金屬層，以及在正交於該雷射光束之狹長方向的第一方向上之該光輸出區段的一開口寬度係小於在平行於該雷射光束之狹長方向的第二方向上之該光輸出區段的另一開口寬度。
[實施本發明之最佳模式]
參考後附圖形以描述實施本發明之最佳模式。
參考圖1至11，描述本發明之一實施例。
圖1係依據本發明之實施例的一種影像形成設備之截面側視圖。於圖1中，顯示一雷射印表機1000為影像形成設備。
如圖1中所示，雷射印表機1000包括一光學掃瞄裝置1010、一光導鼓1030、一充電器1031、一顯影滾輪1032、一轉移充電器1033、一放電單元1034、一清潔單元1035、一碳粉匣1036、一紙張饋送滾輪1037、一紙張饋送盤1038、一對對準滾輪1039、固定滾輪1041、紙張輸出滾輪1042、一紙張輸出盤1043、一通訊控制器1050、及一印表機控制器1060，用以整體地控制上述元件於一印表機櫃1044中之相應的預定位置。
通訊控制器1050係控制經由(例如，網路)以與一外部設備(例如，個人電腦)之互動通訊。
光導鼓1030(影像載具)係一種圓柱形狀的構件，且一光導層係形成於光導鼓1030之表面上。亦即，光導鼓1030之表面為一待掃瞄之表面。光導鼓1030被旋轉以圖1中所示之方向。
充電器1031、顯影滾輪1032、轉移充電器1033、放電單元1034、及清潔單元1035被配置接近於光導鼓1030之表面。充電器1031、顯影滾輪1032、轉移充電器1033、放電單元1034、及清潔單元1035係依此順序被依序地配置沿著光導鼓1030之旋轉方向。
充電器1031均勻地充電光導鼓1030之表面。
光學掃瞄裝置1010將根據傳輸自外部設備之影像資訊而調變的光通量(雷射光束)輻射至其由充電器1031所充電之光導鼓1030的表面上。如此，一根據影像資訊之靜電潛像被形成於光導鼓1030之表面上。所形成的靜電潛像係相應於光導鼓1030之旋轉而被移動至顯影滾輪1032。光學掃瞄裝置1010被詳細描述如下。
碳粉被儲存於碳粉匣1036中，且所儲存之碳粉被供應至顯影滾輪1032。
顯影滾輪1032將供應自碳粉匣1036之碳粉黏附至光導鼓1030之表面上所形成的靜電潛像上。如此，靜電潛像被顯影並致使影像資訊呈現。碳粉所黏附至其上之靜電潛像(碳粉影像)係相應於光導鼓1030之旋轉而被移動至轉移充電器1033。
記錄紙張1040被儲存於紙張饋送盤1038中。紙張饋送滾輪1037(其係配置接近於紙張饋送盤1038)一張接一張地從紙張饋送盤1038拾起記錄紙張1040，並將拾起的記錄紙張1040運送至該對對準滾輪1039。該對對準滾輪1039暫時地固持其由紙張饋送滾輪1037所拾起之記錄紙張1040，並相應於光導鼓1030之旋轉而將記錄紙張1040運送至一介於光導鼓1030與轉移充電器1033之間的位置(空隙)。
一電壓(其極性係與碳粉之極性相反)被施加於轉移充電器1033上以致光導鼓1030上之碳粉影像被電性吸引至記錄紙張1040上。光導鼓1030之表面上的碳粉影像係藉由該壓而被轉移至記錄紙張1040上。碳粉影像已被轉移至其上之記錄紙張1040被運送至固定滾輪1041。
藉由固定滾輪1041以將熱及壓力施加至記錄紙張1040。如此，記錄紙張1040上之碳粉影像被固定。已藉由固定滾輪1041而將碳粉影像固定於其上之記錄紙張1040係經由紙張輸出滾輪1042而被運送至紙張輸出盤1043，且記錄紙張1040被堆疊於紙張輸出盤1043上。
放電單元1034將光導鼓1030之表面放電。
清潔單元1035移除光導鼓1030之表面上所餘留之碳粉。已移除其上之餘留碳粉的光導鼓1030之表面回復至面對充電器1031之位置。
接下來，描述光學掃瞄裝置1010之結構。圖2係光學掃瞄裝置1010的截面側視圖。
如圖2中所示，作為一範例，光學掃瞄裝置1010包括一偏轉器側掃瞄透鏡11a、一影像面側掃瞄透鏡11b、一多角鏡13(偏轉單元)、一光源14、一耦合透鏡15、一光圈板16、一歪像透鏡17、一反射鏡18、及一掃瞄控制器(未顯示)，於外殼30之相應的預定位置上。
以下，相應於主要掃瞄方向之方向被稱為主要掃瞄相應方向，而相應於次要掃瞄方向之方向被稱為次要掃瞄相應方向。
耦合透鏡15致使輸出自光源14之光通量(雷射光束)成為大約平行的光。光源14及耦合透鏡15被固定至一由鋁所形成之支撐構件且被整合在一起。
光圈板16包括一光圈區段並控制傳送自耦合透鏡15之光通量的光束直徑。
歪像透鏡17經由次要掃瞄相應方向上之反射鏡18而從通過光圈板16之光圈區段的光通量將一影像形成在接近多角鏡13之偏轉反射表面處。
一配置在光源14與多角鏡13間之光學路徑上的光學系統被稱為偏轉器前光學系統。於本實施例中，偏轉器前光學系統係由耦合透鏡15、光圈板16、歪像透鏡17及反射鏡18所形成。
多角鏡13具有一六邊鏡，其內切圓半徑為(例如)18mm且各鏡均為一偏轉反射表面。多角鏡13以一恆定速度旋轉於一平行於次要掃瞄相應方向之軸周圍，並從反射鏡18偏轉光通量。
偏轉器側掃瞄透鏡11a係位於由多角鏡13所偏轉之光通量的光學路徑中。
影像面側掃瞄透鏡11b係位於從偏轉器側掃瞄透鏡11a開始之光學路徑中。來自影像面側掃瞄透鏡11b之光通量被輻射至光導鼓1030之表面上，且一光點被形成於光導鼓1030之表面上。該光點係相應於多角鏡13之旋轉而移動在光導鼓1030之狹長方向(寬度方向)。亦即，該光點係掃瞄光導鼓1030之表面。光點之移動方向為主要掃瞄方向，而光導鼓1030之旋轉方向為次要掃瞄方向。
一介於多角鏡13與光導鼓1030間之光學路徑上的光學系統被稱為掃瞄光學系統。於本實施例中，掃瞄光學系統係由偏轉器側掃瞄透鏡11a及影像面側掃瞄透鏡11b所形成。此外，至少一光學軸摺疊鏡可被配置在介於偏轉器側掃瞄透鏡11a與影像面側掃瞄透鏡11b之間的光學路徑、及介面影像面側掃瞄透鏡11b與光導鼓1030之間的光學路徑之至少一者上。
圖3A係依據本發明之實施例的一種表面發光雷射元件100之截面側視圖。圖3B係表面發光雷射元件100的頂視圖。作為一範例，光源14包括圖3A及3B中所示之表面發光雷射元件100。
於本發明之描述中，雷射光束(光通量)輻射方向為Z軸方向，而一垂直於Z軸之表面上彼此正交的兩個方向個別為X軸方向及Y軸方向。
表面發光雷射元件100之設計好的振盪波長係於780nm頻帶。表面發光雷射元件100包括一基底101、一緩衝層102、一下半導體DBR(分散式布拉格反射器)103、一下間隔層104、一主動層105、一上間隔層106、一上半導體DBR 107、一接觸層109，等等。
於圖3A及3B中，具有相應參考編號108、108a、108b、112、113、114、及115之元件被描述如下。
圖4A係一圖形，其顯示基底101的傾斜。圖4B係一圖形，其顯示基底101的位置。
基底101之表面為一鏡面拋光表面，而基底101為一n-GaAs單晶基底。如圖4A中所示，基底101之鏡面拋光表面(主表面)的垂直方向係相對於[1 0 0]晶體定向被傾斜15度(θ=15度)至[1 1 1]晶體定向。亦即，基底101為所謂的傾斜基底。如圖4B中所示，基底101被配置以致[0 1 -1]晶體定向為-X方向，而[0 -1 1]晶體定向為+X方向。
回到圖3A，緩衝層102被堆疊於基底101之+Z側表面上且係由n-GaAs所形成。
下半導體DBR 103被堆疊於緩衝層102之+Z側上，並包括40.5對之由n-AlAs所形成之低折射指數層及由n-Al0.3 Ga0.7 As所形成之高折射指數層。
此外，為了減少電阻值，20nm厚之組成梯度層被形成於折射指數層之間，其中該組成係從一組成被逐漸地改變成其他組成。當振盪波長為λ時，每一折射指數層係由於包括相鄰組成梯度層之1/2而被判斷為具有λ/4之光學厚度。
以下關係存在於光學厚度與實際厚度之間。當光學厚度為λ/4時，實際厚度“h”=λ/4N(N為該層之介質的折射指數)。
下間隔層104被堆疊於下半導體DBR 103之+Z側上，並且由無摻雜的(Al0.1 Ga0.9 )0.5 In0.5 P所形成。
主動層105被堆疊於下間隔層104之+Z側上，且具有一種三重量子井結構，其具有三層的量子井層及四層的障蔽層。每一量子井層係由GaInAsP所形成，其組成引發0.7%之壓縮應變，且具有約780nm之帶隙波長。每一障蔽層係由GaInP所形成，其組成引發0.6%之拉力應變。
上間隔層106被堆疊於主動層105之+Z側上，且係由無摻雜的(Al0.1 Ga0.9 )0.5 In0.5 P所形成。
由下間隔層104、主動層105及上間隔層106所形成之一部分被稱為共振器結構體，且共振器結構體之厚度被決定為一波長之光學厚度。為了獲得高的受激發射機率，主動層105係位於共振器結構體之中心，其中心係相應於一電場之駐波分佈的波腹(anti-node)位置。
上半導體DBR 107包括第一上半導體DBR(未顯示)及第二上半導體DBR(未顯示)。
第一上半導體DBR被堆疊於上間隔層106之+Z側上，且包括一對由p-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 IN0.5 P所形成之低折射指數層及由p-(Al0.1 Ga0.9 )0.5 IN0.5 P所形成之高折射指數層。
第二上半導體DBR被堆疊於第一上半導體DBR之+Z側上，且包括23對由p-Al0.9 Ga0.1 As所形成之低折射指數層及由p-Al0.3 Ga0.7 As所形成之高折射指數層。
為了減少電阻值，一組成梯度層被形成於上半導體DBR 107的折射指數層之間，其中該組成係從一組成被逐漸地改變成其他組成。當振盪波長為λ時，每一低和高折射指數層係由於包括相鄰組成梯度層之1/2而被判斷為具有λ/4之光學厚度。
30nm厚之一待被選擇性地氧化之層108被插入第二上半導體DBR的低折射指數層之一中。待被選擇性地氧化之層108的插入位置是在從上間隔層106算起的第3對低折射指數層中，且是在相應於一電場之駐波分佈的節點之位置上。
接觸層109被堆疊於第二上半導體DBR之+Z側上，且係由p-GaAs所形成。
以下，於某些情況下，一種其中有複數半導體層被堆疊在基底101上之結構被稱為層堆疊體。
接下來，簡單地描述表面發光雷射元件100之一種製造方法。
(1)：藉由使用一種MOCVD(金屬有機化學氣相沈積)法、或一種MBE(分子束外延)法以形成一層堆疊體。
以上，作為族群III原始材料，係使用TMA(三甲鋁)、TMG(三甲鎵)、或TMI(三甲銦)；以及作為族群V原始材料，係使用膦(PH3 )或胂(AsH3 )。此外，作為p型摻雜物之原始材料，係使用四溴化碳(CBr4)或二甲鋅(DMZn)，以及作為n型摻雜物之原始材料，係使用硒化氫(H2 Se)。
(2)：具有矩形形狀之一抗蝕劑圖案被形成於層堆疊體之表面上，該矩形於X軸方向上之長度“aX”為25.5μm以及於Y軸方向上之長度“aY”為25.0μm(參見圖5)。
圖5係一圖形，其顯示表面發光雷射元件100的台面(mesa)之外形狀。
(3)：藉由使用ECR(電子迴旋共振)蝕刻方法以形成一具有四角稜柱形狀之台面，其係利用Cl2 氣體而使用上述抗蝕劑圖案為光罩。蝕刻之底部表面被置於下間隔層104中。
(4)：光罩被移除。
(5)：以水蒸氣對層堆疊體施加熱處理。如此，待被選擇性地氧化之層108中的鋁(Al)被選擇性地氧化自台面之外部分，而由Al之氧化層108a所圍繞之非氧化區108b餘留在台面之中心部分上(參見圖3A)。亦即，形成一種所謂的氧化物侷限結構，其中表面發光雷射元件100之一發光部分的驅動電流路徑被侷限至台面之中心部分。非氧化區108b為電流通過區(電流注入區)。
(6)：藉由使用一種CVD(化學氣相沈積)法以形成SiN或SiO2 之一保護層111。
(7)：層堆疊體係由一聚醯亞胺層112來平坦化。
(8)：一用於p電極接觸之窗被開口於台面之上部分上。形成光阻之一遮罩，藉由暴露台面之上部分上的開口部分以移動光阻之一開口部分，及藉由使用BHF(緩衝氫氟酸)以蝕刻聚醯亞胺層112和保護層111來使該窗開口。
(9)：在一變為台面之上部分上的光輸出區段(金屬層之開口部分)之區上形成矩形形狀之抗蝕劑圖案(該矩形於X軸方向上之長度為10μm以及於Y軸方向上之長度為11.5μm)，並沈積p電極材料。作為p電極材料，係使用由Cr/AuZn/Au或Ti/Pt/Au所形成之多層膜。
(10)：藉由在光輸出區段上剝離電極材料以形成p電極113。由p電極113所圍繞之一部分為光輸出區段115。p電極113為金屬層。
(11)：基底101之底部表面被拋光以致基底101之厚度變為(例如)100μm，且一n電極114被形成於基底101之底部表面上。n電極114係由AuGe/Ni/Au之多層膜所形成。
(12)：藉由退火以獲得介於p電極113與n電極114之間的歐姆接觸。如此使台面變為發光區段。
(13)：表面發光雷射元件100係藉由切斷而被形成為晶片。
於藉由上述方法所製造之表面發光雷射元件100中，輸出雷射光束之極化方向為X軸(其為一理想的方向)，而極化壓縮比為20dB或更大且穩定。極化壓縮比為理想極化方向上之光強度相對於理想極化方向的垂直方向上之光強度的比例，且已知一種諸如影印設備之影像形成設備需具有約20dB。此外，於表面發光雷射元件100中，於X軸方向與Y軸方向上的輸出雷射光束的輻射角度之間的差異為0.1°或更小，而輸出雷射光束之橫斷面形狀為實質上圓形的。
圖6係沿著圖3A之線段A-A的表面發光雷射元件100之截面側視圖。亦即，表面發光雷射元件100之氧化物侷限結構係顯示於圖6中。於圖6中，界定了以下。亦即，從氧化層108a之+Y側端至電流通過區108b(非氧化層)之+Y側端的距離為“dy1”，從氧化層108a之-Y側端至電流通過區108b之-Y側端的距離為“dy2”，從氧化層108a之+X側端至電流通過區108b之+X側端的距離為“dx1”，以及從氧化層108a之-X側端至電流通過區108b之-X側端的距離為“dx2”。當藉由使用IR(紅外線)顯微鏡以測量距離時，測得的結果為dy2>dy1，及dx2≈dx1>dy1。此顯示-Y方向上之氧化率小於+Y、+X、及-X方向上之氧化率。
此外，於圖6中，界定如下。亦即，Y軸方向上之電流通過區108b的寬度為“bY”，而X軸方向上之電流通過區108b的寬度為“bX”。接著測量寬度且測得之結果為“bY”=4.0μm，“bX”=4.5μm，以及“bY/bX”(電流通過區108b之矩形比)=0.89。
圖7係沿著圖6之線段A-A的圖6中所示之氧化物侷限結構的截面側視圖。於圖7中，界定如下。亦即，在電流通過區108b之+Y側上的氧化層108a之厚度為“Sy1”，而在電流通過區108b之-Y側上的氧化層108a之厚度為“Sy2”。則當於Y軸方向之數個位置上測量厚度時，“Sy1”係大於“Sy2”約2nm，即使與氧化末端部分之距離為相同的(例如，圖7中“d”之距離)。
圖8係沿著圖6之線段B-B的圖6中所示之氧化物侷限結構的截面側視圖。於圖8中，界定如下。亦即，在電流通過區108b之-X側上的氧化層108a之厚度為“Sx1”，而在電流通過區108b之+X側上的氧化層108a之厚度為“Sx2”。則當於X軸方向之數個位置上測量厚度時，“Sx1”係實質上等於“Sx2”，當與氧化末端部分之距離為相同的(例如，圖8中“d”之距離)時。此外，即使與氧化末端部分之距離為相同的，“Sx1”及“Sx2”之厚度仍小於“Sy1”之厚度。
本發明之發明人已製造了其電流通過區108b之矩形比為彼此不同的複數表面發光雷射元件100，且已獲得了介於矩形比與極化壓縮比之間的關係。
圖9係一圖形，其顯示介於電流通過區108b的矩形比(bY/bX)與製造表面發光雷射元件100時的極化壓縮比之間的關係。於圖9中，表面發光雷射元件100之極化方向為X軸方向；亦即，相同方向。於圖9中，黑色圓圈顯示第一族群之複數表面發光雷射元件，而白色圓圈顯示第二族群之複數表面發光雷射元件，且第一族群與第二族群之結構為部分地彼此不同。如圖9中所示，於任何第一及第二族群中，當矩形比(bY/bX)小於1.0時；亦即，當電流通過區108b中X軸方向上之長度大於Y軸方向上之長度時，則極化壓縮比可以很大。
一般而言，於一表面發光雷射元件中，當側向上之光侷限(於下文中，在某些情況下，僅稱之為光侷限)很大時，輸出雷射光束之輻射角度傾向為大。當電流通過區之寬度小而氧化層之厚度大時，則光侷限之程度變大。亦即，當電流通過區之寬度小而氧化層之厚度大時，則輸出雷射光束之輻射角度傾向變大。
圖10係一圖形，其顯示介於電流通過區的矩形比與表面發光雷射元件之輸出雷射光束的輻射角度之間的關係，該表面發光雷射元件係使用類似於基底101的一傾斜基底，其中光輸出區段為方形。如圖10中所示，當電流通過區之矩形比(bY/bX)變大時，則X軸方向上之輻射角度變大，而Y軸方向上之輻射角度變小。此外，當電流通過區之矩形比(bY/bX)約為1.1時，則X及Y軸方向上之輻射角度變為相同。
亦即，當電流通過區之矩形比小於約1.1時，則輸出雷射光束之橫斷面形狀為橢圓，其中Y軸方向為狹長方向。此外，當電流通過區之矩形比大於約1.1時，則輸出雷射光束之橫斷面形狀為橢圓，其中X軸方向為狹長方向。當電流通過區之矩形比為1.0時，則電流通過區之形狀為方形，X及Y軸方向上之輻射角度係由於氧化層之關係“Sx1≈Sx2<Sy1”而為不同。
當電流通過區之矩形比小於約1.1時，若電流通過區之矩形比愈小，則介於X軸方向與Y軸方向上的輻射角度之間的差異(於下文中，在某些情況下，僅稱之為輻射角度差)愈大。
如上所述，為了增加極化壓縮比，有效的是使電流通過區之矩形比變小。特別地，當電流通過區之矩形比變為小於1.0時，則可獲得較習知情況更高的極化壓縮比。然而，當電流通過區之矩形比變為小於1.0時，則輻射角度差變得較習知情況更大。
例如，當電流通過區之矩形比為1.0時，則輻射角度差為約0.2度；而當電流通過區之矩形比為0.89時，則輻射角度差為約0.4度(參見圖10中之Δr1)。
圖11係一圖形，其顯示介於光輸出區段的開口寬度與表面發光雷射元件的X軸方向上之輸出雷射光束的輻射角度之間的關係，該表面發光雷射元件係使用類似於基底101的一傾斜基底，其中光輸出區段及電流通過區之形狀為方形。
如圖11中所示，輸出雷射光束之輻射角度係取決於光輸出區段之開口寬度。當開口寬度小時，則輸出雷射光束之輻射角度傾向變大。此傾向係相同於Y軸方向上之輻射角度。
根據上述，藉由使用介於X與Y軸方向上之光輸出區段的開口寬度之間的大小關係，則可決定輸出雷射光束之橫斷面形狀的狹長方向為X軸方向或為Y軸方向。此外，藉由介於X軸方向與Y軸方向上之光輸出區段的開口寬度之間的差異(絕對值)，可調整輻射角度差之大小。
因此，可由顯示部115之形狀來補償由於氧化物侷限結構中之電流通過區108b的形狀以及氧化層108a的不均勻性所致之輻射角度差的增加。
於本實施例中，於光輸出區段115中，X及Y軸方向上之開口寬度被決定以致X軸方向上之開口寬度小於Y軸方向上之開口寬度；「X方向上之之輻射角度>Y方向上之之輻射角度」；及輻射角度差之大小將成為近似於值Δr1之值(圖11中之Δr2)。明確地，X軸方向上之開口寬度被決定為10.0μm，而Y軸方向上之開口寬度被決定為11.5μm。
如此，即使電流通過區108b之形狀非方形且圍繞電流通過區108b之氧化層108a的厚度非均勻，則輸出雷射光束之橫斷面形狀可為實質上圓形的。
如上所述，依據本實施例中之表面發光雷射元件100，於其中主表面(鏡面拋光表面)之垂直方向被傾斜15度以相對於[1 0 0]晶體定向之[1 1 1]晶體定向的基底101上，包括主動層105之共振器結構體及包括夾制該共振器結構體之下半導體DBR 103和上半導體DBR 107的複數半導體層被堆疊。
此外，於上半導體DBR 107中之氧化物侷限結構中，電流通過區108b之矩形比為0.89；而於圍繞電流通過區108b之氧化層108a中，+Y方向上之氧化厚度大於+X及-X方向。
此外，電流通過區108b之形狀針對一通過電流通過區108b之中心且平行於X軸的軸(第一軸)是對稱的，以及針對另一通過電流通過區108b之中心且平行於Y軸的軸(第二軸)是對稱的。
此外，於光輸出區段115中，X軸方向上之開口寬度小於Y軸方向上之開口寬度。
因此，依據本實施例之表面發光雷射元件100，可增加極化方向上之輸出雷射光束的穩定性而不會造成高成本，且輸出雷射光束之橫斷面形狀可為實質上圓形的。
此外，依據本實施例之光學掃瞄裝置1010因為光源14包括表面發光雷射元件100，所以可執行高度準確的光學掃瞄而不會造成高成本。
此外，依據本實施例之雷射印表機1000，因為雷射印表機1000包括光學掃瞄裝置1010，所以可形成高品質的影像而不會造成高成本。
以上，係描述一種情況，其中電流通過區108b之矩形比為0.89而氧化層108a之厚度為不均勻。然而，本實施例之情況並不限定於上述者。例如，本實施例可應用於一種情況，其中電流通過區108b之矩形比為1.0而氧化層108a之厚度為不均勻；以及另一種情況，其中電流通過區108b之矩形比為1.0而氧化層108a之厚度為均勻。亦即，於一種情況，其中橫斷面形狀非方形而是具有狹長測之雷射光束係經由氧化物侷限結構被輸入至光輸出區段115，當適當地決定了光輸出區段115之形狀時，則可獲得上述效果。
以上，表面發光雷射元件100之振盪波長係於780nm頻帶。然而，表面發光雷射元件100之振盪波長可相應於光導體(光導鼓)之特性而被改變。
此外，表面發光雷射元件100可被使用於影像形成設備以外之設備。於此情況下，振盪波長可根據所欲用途而於650nm頻帶、850nm頻帶、980nm頻帶、1.3μm頻帶、1.5μm頻帶，等等。於此情況下，作為用以形成主動層105之半導體材料，可使用相應於該振盪波長之混合晶體半導體材料。
例如，當振盪波長於650nm頻帶時，可使用一種基於AlGaInP之混合晶體半導體材料；當振盪波長於980nm頻帶時，可使用一種基於InGaAs之混合晶體半導體材料；及當振盪波長於1.3μm或1.5μm頻帶時，可使用一種基於GaInNAs(Sb)之混合晶體半導體材料。
此外，當選擇相應於該振盪波長之各半導體DBR的材料及結構時，則可形成相應於任意振盪波長之表面發光雷射元件。作為半導體DBR之材料，可使用一種基於AlGaInP之混合晶體材料而非基於AlGaAs之混合晶體材料。理想的是低及高折射指數層針對該振盪波長均為可穿透的，且介於低與高折射指數層之間的折射指數差為盡可能的大。
此外，表面發光雷射元件100之光輸出區段115的形狀可以針對該通過光輸出區段115之中心且平行於Y軸方向的軸是對稱的，以及可以針對該通過光輸出區段115之中心且平行於X軸的軸是不對稱的。此時，於+Y側上之光輸出區段115的開口寬度可大於-Y側上之開口寬度。
如上所述，因為電流通過區108b之+Y側上的氧化層108a之厚度大於其他部分上之厚度，所以+Y側上之光侷限變大。因為光侷限之對稱具有二維分佈，所以雷射光束之形狀變為一種稍微變形的橢圓形狀。亦即，雷射光束之形狀於+Y側上稍微較小且於Y軸方向上具有對稱的變形(參見圖12A)。圖12A係一圖形，其顯示雷射光束及電流通過區之形狀。
雷射光束之形狀的變形產生一種光束強度分佈，其針對X軸方向是不對稱的；因此，當發射自一表面發光雷射元件之雷射光束通過一光圈板之開口部分時，其通過該開口部分之雷射光束的光量分佈變為針對X軸方向是不對稱的。然而，當調整使光輸出區段中+Y側上之開口寬度大於-Y側上時，則可校正雷射光束之形狀的變形。
藉由精細地調整光輸出區段之形狀，可執行詳細的變形校正。然而，實際上，即使執行粗略調整，仍可獲得足夠的效果。因此，如圖12B中所示，光輸出區段115之形狀最好是梯形，其可被輕易地設計及製造。圖12B係一圖形，其顯示雷射光束及光輸出區段115之形狀。於此情況下，於光輸出區段115上，雷射光束之形狀是在+Y側上稍大的、水平面上長的、及具有Y軸方向上之非對稱變形，具有氧化物侷限結構中之雷射光束的形狀變形之反射。為了解決上述問題，當決定光輸出區段115之形狀為梯形(其開口寬度在+Y側上較大)時，則雷射光束之形狀可為具有低變形之圓形。
於本實施例中，描述一種情況，其中在電流通過區108b之+Y側上的氧化層108a之厚度大於其他部分。亦即，於此情況下，dy2>dy1、及dx2≈dx1>dy1。然而，於發明人之另一實驗中，存在一種情況，其中dy2>dy1、及dy2>dx2≈dx1，根據待被選擇性地氧化之層108的厚度與氧化條件之結合而定。於此情況下，已瞭解到圖9中所示介於電流通過區108b的矩形比與極化壓縮比之間的關係具有相反的關係。然而，即使於此情況下，當電流通過區108b之矩形比被決定為增加極化壓縮比且光輸出區段115之開口寬度被決定為在待輸入光輸出區段115之雷射光束的狹長方向上為長時，則雷射光束之形狀可為實質上圓形。
圖13係一圖形，其顯示依據本發明之實施例的表面發光雷射陣列500。
圖2中所示之光學掃瞄裝置1010中的光源14可包括圖13中所示之表面發光雷射陣列500以取代包括表面發光雷射元件100。
於表面發光雷射陣列500中，複數發光區段被配置於一基底上。於圖13中，配置了32個發光區段。於圖13中，M方向為主要掃瞄相應方向而S方向為次要掃瞄相應方向。發光區段之數目不限定為32，且可小於32或大於32。
圖14係一圖形，其顯示圖13中所示之發光區段的二維陣列。如圖14中所示，表面發光雷射陣列500包括在從M方向朝S方向具有一傾斜角度之T方向上的四個發光區段陣列，其中八個發光區段配置有相同的間隔於發光區段之間。一陣列中之八個發光區段被配置以致介於八個發光區段的中心之間的S方向上之間隔為「c」，而四個發光區段陣列被配置以致介於四個發光區段陣列之間的S方向上之間隔為「e」(介於兩發光區段陣列的中心之間的距離)。亦即，32個發光區段被二維地排列。
於圖14中，間隔「c」為3μm，間隔「e」為24μm，以及介於M方向上的發光區段之間的間隔「m」為30μm。
圖15係沿著圖14之線段A-A的截面側視圖。如圖15中所示，發光區段與表面發光雷射元件100相同。亦即，表面發光雷射陣列500可由一種類似於表面發光雷射元件100之製造方法的方法來製造。
表面發光雷射陣列500係由表面發光雷射元件100所形成。因此，表面發光雷射陣列500可具有如表面發光雷射元件100般之相同效果。
於表面發光雷射陣列500中，當每一發光區段被垂直地投射在延伸於次要掃瞄相應方向上的虛擬線上時，介於發光區段之間的間隔「c」為恆定的；因此，當調整發光區段之發光時序時，可以說發光區段在次要掃瞄方向上被排列以光導鼓1030上之相同間隔。
此外，因為間隔「c」為3μm，所以當光學掃瞄裝置1010之光學系統的放大倍率被決定為約1.8倍時，可執行4800dpi(每英吋之點)之高密度寫入。當於主要掃瞄相應方向上增加發光區段之數目時，則執行一種陣列配置，其中係藉由縮小間隔「e」以進一步減少間隔「c」，或者係減少光學系統之放大倍率；則可執行更高品質的列印。此外，主要掃瞄方向上之寫入間隔可藉由調整發光區段之發光時序而被輕易地控制。
於此情況下，於雷射印表機1000中，即使增加了寫入點密度，仍可執行列印而不會減少列印速度。再者，當寫入點密度不改變時，可進一步增加列印速度。
此外，於此情況下，來自發光區段之雷射光束(光通量)的極化方向是穩定且相等的；因此，雷射印表機1000可穩定地形成高品質影像。
於表面發光雷射陣列500中，介於相鄰發光區段(表面發光雷射元件100)之間的距離(溝槽)最好是5μm或更大以致發光區段為電氣地且空間上地彼此分離。當距離太小時，則不易控制當製造表面發光雷射陣列500時之蝕刻。此外，台面之尺寸(一側之長度)最好是10μm或更大。當長度太短時，熱會停留在表面發光雷射陣列500內部且可能降低其特性。
此外，於表面發光雷射陣列中，具有類似於表面發光雷射元件100之結構的表面發光雷射元件可被配置成一維。
此外，於本實施例中，基底101之鏡面拋光表面(主表面)的垂直方向被傾斜15度為相對於[1 0 0]晶體定向之[1 1 1]晶體定向。然而，基底101之鏡面拋光表面(主表面)的垂直方向可被傾斜以除了相對於[1 0 0]晶體定向之15度[1 1 1]晶體定向之外的角度。
此外，於本實施例中，作為影像形成設備，係使用雷射印表機1000；然而，影像形成設備並不限定於雷射印表機1000，而可為包括光學掃瞄裝置1010之影像形成設備。
例如，於本實施例中，作為影像形成設備，可使用一種影像形成設備，其中指示相應色彩之雷射光束被直接地輻射至記錄媒體上。
此外，於本實施例中，作為影像形成設備可使用一種影像形成設備，其中銀鹽膜被使用為影像載具。於此情況下，一潛像係藉由光學掃瞄而被形成於銀鹽膜上，且該潛像可藉由一般銀鹽膜照相程序之顯影程序而被視覺化。再者，可藉由一種一般銀鹽膜照相程序之列印程序以將可視影像轉移至照相列印紙張上。影像形成設備可被使用為一種光學再生設備或一種光學影像形成設備，其顯示CT(電腦斷層)掃瞄影像等等。
此外，如圖16中所示，作為影像形成設備，可使用一種具有複數光導鼓之彩色印表機2000。圖16係彩色印表機2000之截面側視圖。
彩色印表機2000係一種串接型多色印表機，其係藉由疊置四色影像(黑、青、洋紅、及黃色影像)來形成全色影像。彩色印表機2000包括用於黑色影像之一光導鼓K1、一充電裝置K2、一顯影裝置K4、一清潔單元K5、及一轉移裝置K6；用於青色影像之一光導鼓C1、一充電裝置C2、一顯影裝置C4、一清潔單元C5、及一轉移裝置C6；用於洋紅色影像之一光導鼓M1、一充電裝置M2、一顯影裝置M4、一清潔單元M5、及一轉移裝置M6；用於黃色影像之一光導鼓Y1、一充電裝置Y2、一顯影裝置Y4、一清潔單元Y5、及一轉移裝置Y6；一光學掃瞄裝置2010、一轉移帶2080、一固定單元2030，等等。
以下，因為元件之操作在四個色彩影像中均相同，所以僅代表性地描述黑色影像之操作。
光導鼓K1被旋轉以圖16中所示之箭號方向。充電裝置K2、顯影裝置K4、轉移裝置K6、及清潔單元K5被依序地配置以沿著光導鼓K1之旋轉方向圍繞光導鼓K1。
充電裝置K2對光導鼓K1之表面均勻地充電。光學掃瞄裝置2010將雷射光束輻射至其由充電裝置K2所充電之光導鼓K1的表面上。如此，一靜電潛像被形成於光導鼓K1之表面上。顯影裝置K4將該靜電潛像顯影並將一碳粉影像形成於光導鼓K1之表面上。轉移裝置K6將該碳粉影像轉移至轉移帶2080上之記錄媒體(紙張)，且該轉移影像係由固定單元2030固定。當針對所有色彩影像執行上述操作時，便將一全彩影像列印於記錄媒體上。
光學掃瞄裝置2010包括一類似於光源14之光源於各色彩中。因此，光學掃瞄裝置2010可獲得如光學掃瞄裝置1010般之相同效果。此外，因為彩色印表機2000包括光學掃瞄裝置2010，所以彩色印表機2000可獲得如雷射印表機1000般之相同效果。
於彩色印表機2000中，可能產生由於各組件之製造誤差及該組件之定位誤差所致之色彩對準誤差。然而，於其中光學掃瞄裝置2010之每一光源均包括一類似於表面發光雷射陣列500之表面發光雷射陣列的情況下，當選擇一待照射之發光區段時，可減少色彩對準誤差。
如上所述，依據本發明之實施例，於表面發光雷射元件100及表面發光雷射陣列500中，極化方向上之輸出雷射光束的穩定性可以很高且輸出雷射光束之橫斷面形狀可為實質上圓形的，而不會造成高成本。此外，於光學掃瞄裝置1010(2010)中，可執行準確的光學掃瞄而不造成高成本。此外，影像形成設備1000(2000)可形成高品質的影像而不造成高成本。
再者，本發明並不限定於特定揭露的實施例，並可進行更改及修飾而不背離本發明之範圍。
本發明係基於在日本專利局提出之日本優先權專利申請案編號2008-153382(申請日2008年6月11日)、及日本優先權專利申請案編號2009-092551(申請日2009年4月7日)，其完整內容被倂入於此以供參考。
11a．．．偏轉器側掃瞄透鏡
11b．．．影像面側掃瞄透鏡
13．．．多角鏡
14．．．光源
15．．．耦合透鏡
16．．．光圈板
17．．．歪像透鏡
18．．．反射鏡
30．．．外殼
100．．．表面發光雷射元件
101．．．基底
102．．．緩衝層
103．．．下半導體DBR
104．．．下間隔層
105．．．主動層
106．．．上間隔層
107．．．上半導體DBR
108．．．待被選擇性地氧化之層
108a．．．氧化層
108b．．．電流通過區
109．．．接觸層
111．．．保護層
112．．．聚醯亞胺層
113．．．p電極
114．．．n電極
115．．．光輸出區段
500．．．表面發光雷射陣列
1000．．．雷射印表機
1010．．．光學掃瞄裝置
1030．．．光導鼓
1031．．．充電器
1032．．．顯影滾輪
1033．．．轉移充電器
1034．．．放電單元
1035．．．清潔單元
1036．．．碳粉匣
1037．．．紙張饋送滾輪
1038．．．紙張饋送盤
1039．．．對準滾輪
1041．．．固定滾輪
1042．．．紙張輸出滾輪
1043．．．紙張輸出盤
1044．．．印表機櫃
1050．．．通訊控制器
1060．．．印表機控制器
2000．．．彩色印表機
2010．．．光學掃瞄裝置
2030．．．固定單元
2080．．．轉移帶
K1．．．光導鼓
K2‧‧‧充電裝置
K4‧‧‧顯影裝置
K5‧‧‧清潔單元
K6‧‧‧轉移裝置
C1‧‧‧光導鼓
C2‧‧‧充電裝置
C4‧‧‧顯影裝置
C5‧‧‧清潔單元
C6‧‧‧轉移裝置
M1‧‧‧光導鼓
M2‧‧‧充電裝置
M4‧‧‧顯影裝置
M5‧‧‧清潔單元
M6‧‧‧轉移裝置
Y1‧‧‧光導鼓
Y2‧‧‧充電裝置
Y4‧‧‧顯影裝置
Y5‧‧‧清潔單元
Y6‧‧‧轉移裝置
本發明之特徵及優點將從以下詳細描述變得更清楚明白，當配合後附圖形而閱讀時，其中：
圖1係依據本發明之一實施例的一種影像形成設備之截面側視圖；
圖2係圖1中所示之一種光學掃瞄裝置的截面側視圖；
圖3A係依據本發明之實施例的一種表面發光雷射元件之截面側視圖；
圖3B係圖3A中所示之表面發光雷射元件的頂視圖；
圖4A係一圖形，其顯示圖3A中所示之基底的傾斜；
圖4B係一圖形，其顯示圖3A中所示之基底的位置；
圖5係一圖形，其顯示圖3A中所示之表面發光雷射元件的台面(mesa)之外形狀；
圖6係沿著圖3A之線段A-A的表面發光雷射元件之截面側視圖；
圖7係沿著圖6之線段A-A的圖6中所示之氧化物侷限結構的截面側視圖；
圖8係沿著圖6之線段B-B的圖6中所示之氧化物侷限結構的截面側視圖；
圖9係一圖形，其顯示介於電流通過區的矩形比與製造表面發光雷射元件時的極化壓縮比之間的關係；
圖10係一圖形，其顯示介於電流通過區的矩形比與表面發光雷射元件之輸出雷射光束的輻射角度之間的關係，該表面發光雷射元件係使用類似於圖3A中所示之基底的一傾斜基底；
圖11係一圖形，其顯示介於光輸出區段的開口寬度與表面發光雷射元件的X軸方向上之輸出雷射光束的輻射角度之間的關係，該表面發光雷射元件係使用類似於圖3A中所示之基底的一傾斜基底；
圖12A係一圖形，其顯示雷射光束及電流通過區之形狀；
圖12B係一圖形，其顯示雷射光束及光輸出區段之形狀；
圖13係一圖形，其顯示依據本發明之實施例的表面發光雷射陣列；
圖14係一圖形，其顯示圖13中所示之發光區段的二維陣列；
圖15係沿著圖14之線段A-A的截面側視圖；
圖16係一彩色印表機之截面側視圖；
圖17A係一圖形，其顯示台面之外形狀及電流通過區之形狀；及
圖17B係一圖形，其顯示台面之外形狀及一針對兩軸為對稱的電流通過區之形狀。
100．．．表面發光雷射元件
101．．．基底
102．．．緩衝層
103．．．下半導體DBR
104．．．下間隔層
105．．．主動層
106．．．上間隔層
107．．．上半導體DBR
108．．．待被選擇性地氧化之層
108a．．．氧化層
108b．．．電流通過區
109．．．接觸層
111．．．保護層
112．．．聚醯亞胺層
113．．．p電極
114．．．n電極
115．．．光輸出區段

Claims (15)

  1. 一種表面發光雷射元件，包含：一基底，該基底之主表面的垂直方向被傾斜至相對於[1 0 0]晶體定向之一方向的[1 1 1]晶體定向之一方向；一共振器結構體，包括一主動層，一下間隔層，以及一上間隔層，其中該主動層係位於該共振器結構體之中心，該共振器結構體之中心係相應於一電場之駐波分佈的一波腹(anti-node)位置，以及其中該下間隔層之一中心部形成一台面結構的一底部；第一及第二半導體分散式布拉格反射器，其係夾制該共振器結構體並包括一侷限結構，其中一電流通過區係由一氧化層所圍繞；複數堆疊於該基底上之半導體層；及一具有開口部分之金屬層，該開口部分變為該等複數半導體層上之光輸出區段，其中經由該氧化物侷限結構以將一具有狹長方向之橫斷面形狀的雷射光束輸入至該金屬層；以及在正交於該雷射光束之該狹長方向的第一方向上之該光輸出區段的一開口寬度係小於在平行於該雷射光束之該狹長方向的第二方向上之該光輸出區段的另一開口寬度。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面發光雷射元件，其中：該第一方向上之該電流通過區的長度係大於該第二方 向上之該電流通過區的長度。
  3. 如申請專利範圍第1項之表面發光雷射元件，其中：圍繞該電流通過區之該氧化層的厚度在平行於該第二方向的方向之一上係大於在平行於該第一方向之方向上。
  4. 如申請專利範圍第3項之表面發光雷射元件，其中：該金屬層之該光輸出區段的形狀針對一通過該光輸出區段之中心且平行於該第二方向的軸是對稱的，以及針對一通過該光輸出區段之該中心且平行於該第一方向的軸是不對稱的；及相應於其中圍繞該電流通過區之該氧化層的該厚度係大於其他部分之一部分的該光輸出區段之開口寬度大於該光輸出區段之其他開口寬度。
  5. 如申請專利範圍第1項之表面發光雷射元件，其中：該第一方向係平行於該基底之一表面，並正交於該[1 0 0]晶體定向之一方向及該[1 1 1]晶體定向之一方向；及該第二方向係正交於該基底之該主表面的該垂直方向及該第一方向。
  6. 如申請專利範圍第1項之表面發光雷射元件，其中：該電流通過區之形狀針對一通過該電流通過區之該中心且平行於該第一方向的第一軸是對稱的，以及針對一通過該電流通過區之該中心且平行於該第二方向的第二軸是對稱的。
  7. 如申請專利範圍第1項之表面發光雷射元件，其中：該第一方向係平行於一輸出雷射光束之極化方向。
  8. 如申請專利範圍第1項之表面發光雷射元件，其中：該基底之該主表面的該垂直方向被傾斜至相對於該[1 0 0]晶體定向之該[1 1 1]晶體定向；及平行於該第一方向之該方向為[0 -1 1]晶體定向及[0 1 -1]晶體定向。
  9. 一種表面發光雷射陣列，包含：複數如申請專利範圍第1項所界定之表面發光雷射元件。
  10. 一種光學掃瞄裝置，其係藉由雷射光束以掃瞄一待掃瞄表面，該光學掃瞄裝置包含：一光源，其包括如申請專利範圍第1項所界定之表面發光雷射元件；一偏轉單元，其係偏轉來自該光源之該雷射光束；及一掃瞄光學系統，其係將由該偏轉單元所偏轉之該雷射光束聚集至該待掃瞄表面上。
  11. 一種光學掃瞄裝置，其係藉由雷射光束以掃瞄一待掃瞄表面，該光學掃瞄裝置包含：一光源，其包括如申請專利範圍第9項所界定之表面發光雷射陣列；一偏轉單元，其係偏轉來自該光源之該雷射光束；及一掃瞄光學系統，其係將由該偏轉單元所偏轉之該雷射光束聚集至該待掃瞄表面上。
  12. 一種影像形成設備，包含：至少一影像載具；及 如申請專利範圍第10項所界定之光學掃瞄裝置，其係將包括影像資訊之雷射光束掃瞄至該影像載具上。
  13. 一種影像形成設備，包含：至少一影像載具；及如申請專利範圍第11項所界定之光學掃瞄裝置，其係將包括影像資訊之雷射光束掃瞄至該影像載具上。
  14. 如申請專利範圍第12項之影像形成設備，其中：該影像資訊為多色影像資訊。
  15. 如申請專利範圍第13項之影像形成設備，其中：該影像資訊為多色影像資訊。
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