JP5999303B2 - 面発光レーザアレイ及び画像形成装置 - Google Patents

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Description

本発明は、面発光レーザアレイ及び画像形成装置に係り、更に詳しくは、複数の発光部を有する面発光レーザアレイ、該面発光レーザアレイを有する画像形成装置に関する。
複数の発光部を有する面発光レーザアレイは、各発光部から射出される複数の光束の偏光方向が揃っていることが重要である。
面発光レーザアレイから射出された複数の光束の偏光方向が揃っていないと、光学系を通過した該複数の光束において光強度に差が生じる。例えば、このような面発光レーザアレイをレーザプリンタの書き込み用光源として用いると、出力画像における色ムラを発生させる。
面発光レーザにおいて、射出される光束の偏光方向を所望の方向とするための方法が種々考案された（例えば、特許文献１〜特許文献３参照）。
特許文献１には、活性層及びミラー層が半導体基板の基準となる結晶軸を含む面に対して所定角度傾斜した半導体基板の傾斜面上に形成され、活性層の上部に形成されたミラー層を介して活性層へ電流を注入するための電極と、電極へ電流を導くための配線とが傾斜面上に形成され、配線のうち電極に直接接続される配線が長尺状で、かつ該長手方向が傾斜面の傾斜方向に略一致するように形成されている面発光レーザ素子、及び該面発光レーザ素子を複数個、２次元状に配列し、各面発光レーザ素子にマトリクス配線を施した面発光レーザ素子アレイが開示されている。
また、特許文献２には、基板水平面内に対して垂直であり、かつ、メサ構造のおおよそ中心を原点とする２つの直交する直交面（Ｘ面、Ｙ面）が、メサ構造の側面と交わる交線をそれぞれＬｘ１線、Ｌｘ２線、Ｌｙ１線、Ｌｙ２線とし、Ｌｘ１線、Ｌｘ２線、Ｌｙ１線、Ｌｙ２線が基板水平面とのなす角度をそれぞれ、Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｙ１、Ａｙ２としたとき、少なくともＡｘ１、Ａｘ２、Ａｙ１、Ａｙ２のいずれか一つが異なる値である垂直共振器型の面発光半導体レーザ装置が開示されている。
また、特許文献３には、基板上に、第１多層膜反射鏡、１または複数の発光領域を有する活性層および第２多層膜反射鏡がこの順に積層された発光部を備え、第１多層膜反射鏡および第２多層膜反射鏡の少なくとも一方は、発光領域と対応する領域の周辺に、発光領域を中心にして回転する方向に不均一に分布する酸化部を有し、発光部は、酸化部を取り囲む溝部を有し、溝部は、酸化部の分布に対応して不均一な深さを有する面発光型半導体レーザが開示されている。
しかしながら、集積度を低下させることなく、射出される複数の光束の偏光方向のばらつきを小さくするのは困難であった。
発明者等は、複数の発光部を有する面発光レーザアレイにおいて、射出される光束の偏光方向が揃うように複数の発光部を形成したとしても、配線部材を形成するといくつかの発光部から射出される光束の偏光方向が変化することを見出した。
そして、発明者等は、種々の実験を行い、配線部材の形成の仕方によって、上記偏光方向の変化の程度（大きさ、方向）が異なることを見出した。
本発明は、上述した発明者等の得た新規知見に基づいてなされたものであり、以下の構成を有する。
本発明は、共通の基板上に、下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び上部反射鏡が積層されている複数の発光部と、前記複数の発光部に個別に対応して設けられた複数の電極と、前記複数の発光部と前記複数の電極とを個別に電気的に接続する複数の配線部材とを有する面発光レーザアレイにおいて、前記複数の発光部における偏光方向のばらつきが所定の範囲内となるように、少なくとも２つの発光部では、前記基板に直交する方向からみたとき、前記発光部の中心と、該発光部に接続されている前記配線部材の中心線を延長した線との距離が、互いに異なっていることを特徴とする面発光レーザアレイである。
本発明の面発光レーザアレイによれば、集積度を低下させることなく、射出される複数の光束の偏光方向のばらつきを小さくすることができる。
本発明の一実施形態に係るカラープリンタの概略構成を説明するための図である。 図１における光走査装置を説明するための図（その１）である。 図１における光走査装置を説明するための図（その２）である。 図１における光走査装置を説明するための図（その３）である。 図１における光走査装置を説明するための図（その４）である。 面発光レーザアレイにおける複数の発光部の配列を説明するための図である。 各発光部の構成を説明するための図である。 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザアレイの基板を説明するための図である。 面発光レーザアレイの設計データ取得処理を説明するためのフローチャート（その１）である。 面発光レーザアレイの設計データ取得処理を説明するためのフローチャート（その２）である。 射出領域の中心と、配線部材の中心線との距離Ｄ（ｉ）を説明するための図である。 面発光レーザアレイの設計データ取得処理を説明するための図（その１）である。 面発光レーザアレイの設計データ取得処理を説明するための図（その２）である。 面発光レーザアレイの設計データ取得処理を説明するための図（その３）である。 面発光レーザアレイの設計データ取得処理を説明するための図（その４）である。 面発光レーザアレイの設計データ取得処理を説明するための図（その５）である。 面発光レーザアレイの設計データ取得処理を説明するための図（その６）である。 面発光レーザアレイの設計データ取得処理を説明するための図（その７）である。 複数の発光部における偏光角と平均値との差を説明するための図である。 配線部材の接続位置の修正を説明するための図である。 面発光レーザアレイ１００における複数の発光部と配線部材を説明するための図である。 図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）は、それぞれ配線部材の接続形態１を説明するための図である。 図２３（Ａ）及び図２３（Ｂ）は、それぞれ配線部材の接続形態２を説明するための図である。 図２４（Ａ）及び図２４（Ｂ）は、それぞれ配線部材の接続形態３を説明するための図である。 図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）は、それぞれ発光部における領域Ｉ〜領域ＩＶを説明するための図である。 図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）は、それぞれ配線部材の接続位置と偏光方向との関係を説明するための図（その１）である。 図２７（Ａ）及び図２７（Ｂ）は、それぞれ配線部材の接続位置と偏光方向との関係を説明するための図（その２）である。 Ｄ（ｉ）の値と偏光方向の回転角の関係を説明するための図である。 図２９（Ａ）及び図２９（Ｂ）は、それぞれ金属部材の接続位置を説明するための図（その１）である。 図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）は、それぞれ金属部材の接続位置を説明するための図（その２）である。 発光部の周辺領域を説明するための図である。 図３２（Ａ）及び図３２（Ｂ）は、それぞれ周辺領域への金属部材の設置を説明するための図（その１）である。 図３３（Ａ）及び図３３（Ｂ）は、それぞれ周辺領域への金属部材の設置を説明するための図（その２）である。 図３４（Ａ）及び図３４（Ｂ）は、それぞれメサが円柱状の場合を説明するための図である。 図３５（Ａ）及び図３５（Ｂ）は、それぞれ射出領域の辺の中点と、配線部材の中心線との辺上での距離Ｔ（ｉ）を説明するための図である。
以下、本発明の一実施形態を図１〜図２４（Ｂ）に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係るカラープリンタ２０００の概略構成が示されている。
このカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、光走査装置２０１０、４つの感光体ドラム（２０３０ａ、２０３０ｂ、２０３０ｃ、２０３０ｄ）、４つのクリーニングユニット（２０３１ａ、２０３１ｂ、２０３１ｃ、２０３１ｄ）、４つの帯電装置（２０３２ａ、２０３２ｂ、２０３２ｃ、２０３２ｄ）、４つの現像ローラ（２０３３ａ、２０３３ｂ、２０３３ｃ、２０３３ｄ）、４つのトナーカートリッジ（２０３４ａ、２０３４ｂ、２０３４ｃ、２０３４ｄ）、転写ベルト２０４０、転写ローラ２０４２、定着装置２０５０、給紙コロ２０５４、レジストローラ対２０５６、排紙ローラ２０５８、給紙トレイ２０６０、排紙トレイ２０７０、通信制御装置２０８０、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置２０９０などを備えている。
なお、ここでは、ＸＹＺ３次元直交座標系において、各感光体ドラムの長手方向（回転軸方向）に沿った方向をＸ軸方向、４つの感光体ドラムの配列方向に沿った方向をＺ軸方向として説明する。
通信制御装置２０８０は、ネットワークなどを介した上位装置（例えばパソコン）との双方向の通信を制御する。
プリンタ制御装置２０９０は、ＣＰＵ、該ＣＰＵにて解読可能なコードで記述されたプログラム及び該プログラムを実行する際に用いられる各種データが格納されているＲＯＭ、作業用のメモリであるＲＡＭ、アナログデータをデジタルデータに変換するＡＤ変換回路などを有している。そして、プリンタ制御装置２０９０は、通信制御装置２０８０を介して受信した上位装置からの多色の画像情報（ブラック画像情報、シアン画像情報、マゼンタ画像情報、イエロー画像情報）を光走査装置２０１０に通知する。
感光体ドラム２０３０ａ、帯電装置２０３２ａ、現像ローラ２０３３ａ、トナーカートリッジ２０３４ａ、及びクリーニングユニット２０３１ａは、組として使用され、ブラックの画像を形成する画像形成ステーション（以下では、便宜上「Ｋステーション」ともいう）を構成する。
感光体ドラム２０３０ｂ、帯電装置２０３２ｂ、現像ローラ２０３３ｂ、トナーカートリッジ２０３４ｂ、及びクリーニングユニット２０３１ｂは、組として使用され、シアンの画像を形成する画像形成ステーション（以下では、便宜上「Ｃステーション」ともいう）を構成する。
感光体ドラム２０３０ｃ、帯電装置２０３２ｃ、現像ローラ２０３３ｃ、トナーカートリッジ２０３４ｃ、及びクリーニングユニット２０３１ｃは、組として使用され、マゼンタの画像を形成する画像形成ステーション（以下では、便宜上「Ｍステーション」ともいう）を構成する。
感光体ドラム２０３０ｄ、帯電装置２０３２ｄ、現像ローラ２０３３ｄ、トナーカートリッジ２０３４ｄ、及びクリーニングユニット２０３１ｄは、組として使用され、イエローの画像を形成する画像形成ステーション（以下では、便宜上「Ｙステーション」ともいう）を構成する。
各感光体ドラムはいずれも、その表面に感光層が形成されている。すなわち、各感光体ドラムの表面がそれぞれ被走査面である。なお、各感光体ドラムは、不図示の回転機構により、図１における面内で矢印方向に回転する。
各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面をそれぞれ均一に帯電させる。
光走査装置２０１０は、プリンタ制御装置２０９０からの多色の画像情報に基づいて色毎に変調された光束で、対応する帯電された感光体ドラムの表面を走査する。これにより、各感光体ドラムの表面では、光が照射された部分だけ電荷が消失し、画像情報に対応した潜像が各感光体ドラムの表面にそれぞれ形成される。ここで形成された潜像は、感光体ドラムの回転に伴って対応する現像装置の方向に移動する。なお、光走査装置の構成については後述する。
各現像ローラは、回転に伴って、対応するトナーカートリッジからのトナーが、その表面に薄く均一に塗布される。そして、各現像ローラの表面のトナーは、対応する感光体ドラムの表面に接すると、該表面における光が照射された部分にだけ移行し、そこに付着する。すなわち、各現像ローラは、対応する感光体ドラムの表面に形成された潜像にトナーを付着させて顕像化させる。ここでトナーが付着した像（トナー画像）は、感光体ドラムの回転に伴って転写ベルト２０４０の方向に移動する。
イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各トナー画像は、所定のタイミングで転写ベルト２０４０上に順次転写され、重ね合わされてカラー画像が形成される。
給紙トレイ２０６０には記録紙が格納されている。この給紙トレイ２０６０の近傍には給紙コロ２０５４が配置されており、該給紙コロ２０５４は、記録紙を給紙トレイ２０６０から１枚ずつ取り出し、レジストローラ対２０５６に搬送する。該レジストローラ対２０５６は、所定のタイミングで記録紙を転写ベルト２０４０と転写ローラ２０４２との間隙に向けて送り出す。これにより、転写ベルト２０４０上のカラー画像が記録紙に転写される。カラー画像が転写された記録紙は、定着装置２０５０に送られる。
定着装置２０５０では、熱と圧力とが記録紙に加えられ、これによってトナーが記録紙上に定着される。トナーが定着された記録紙は、排紙ローラ２０５８を介して排紙トレイ２０７０に送られ、排紙トレイ２０７０上に順次積み重ねられる。
各クリーニングユニットは、対応する感光体ドラムの表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラムの表面は、再度対応する帯電装置に対向する位置に戻る。
次に、前記光走査装置２０１０の構成について説明する。
光走査装置２０１０は、一例として図２〜図５に示されるように、４つの光源（２２００ａ、２２００ｂ、２２００ｃ、２２００ｄ）、４つのカップリングレンズ（２２０１ａ、２２０１ｂ、２２０１ｃ、２２０１ｄ）、４つの開口板（２２０２ａ、２２０２ｂ、２２０２ｃ、２２０２ｄ）、４つのシリンドリカルレンズ（２２０４ａ、２２０４ｂ、２２０４ｃ、２２０４ｄ）、光偏向器２１０４、４つの走査レンズ（２１０５ａ、２１０５ｂ、２１０５ｃ、２１０５ｄ）、６枚の折り返しミラー（２１０６ａ、２１０６ｂ、２１０６ｃ、２１０６ｄ、２１０８ｂ、２１０８ｃ）、及び不図示の走査制御装置などを備えている。
なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
光源２２００ａとカップリングレンズ２２０１ａと開口板２２０２ａとシリンドリカルレンズ２２０４ａと走査レンズ２１０５ａと折り返しミラー２１０６ａは、感光体ドラム２０３０ａに潜像を形成するための光学部材である。
光源２２００ｂとカップリングレンズ２２０１ｂと開口板２２０２ｂとシリンドリカルレンズ２２０４ｂと走査レンズ２１０５ｂと折り返しミラー２１０６ｂと折り返しミラー２１０８ｂは、感光体ドラム２０３０ｂに潜像を形成するための光学部材である。
光源２２００ｃとカップリングレンズ２２０１ｃと開口板２２０２ｃとシリンドリカルレンズ２２０４ｃと走査レンズ２１０５ｃと折り返しミラー２１０６ｃと折り返しミラー２１０８ｃは、感光体ドラム２０３０ｃに潜像を形成するための光学部材である。
光源２２００ｄとカップリングレンズ２２０１ｄと開口板２２０２ｄとシリンドリカルレンズ２２０４ｄと走査レンズ２１０５ｄと折り返しミラー２１０６ｄは、感光体ドラム２０３０ｄに潜像を形成するための光学部材である。
各カップリングレンズは、対応する光源から射出された光束の光路上に配置され、該光束を略平行光束とする。
各開口板は、開口部を有し、対応するカップリングレンズを介した光束を整形する。
各シリンドリカルレンズは、対応する開口板の開口部を通過した光束を、光偏向器２１０４の偏向反射面近傍にＹ軸方向に関して結像する。
光偏向器２１０４は、２段構造のポリゴンミラーを有している。各ポリゴンミラーは、４面の偏向反射面を有している。そして、１段目（下段）のポリゴンミラーではシリンドリカルレンズ２２０４ａからの光束及びシリンドリカルレンズ２２０４ｄからの光束がそれぞれ偏向され、２段目（上段）のポリゴンミラーではシリンドリカルレンズ２２０４ｂからの光束及びシリンドリカルレンズ２２０４ｃからの光束がそれぞれ偏向されるように配置されている。なお、１段目のポリゴンミラー及び２段目のポリゴンミラーは、互いに位相が略４５°ずれて回転し、書き込み走査は１段目と２段目とで交互に行われる。
光偏向器２１０４で偏向されたシリンドリカルレンズ２２０４ａからの光束は、走査レンズ２１０５ａ、及び折り返しミラー２１０６ａを介して、感光体ドラム２０３０ａに照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、光偏向器２１０４の回転に伴って感光体ドラム２０３０ａの長手方向に移動する。
また、光偏向器２１０４で偏向されたシリンドリカルレンズ２２０４ｂからの光束は、走査レンズ２１０５ｂ、及び２枚の折り返しミラー（２１０６ｂ、２１０８ｂ）を介して、感光体ドラム２０３０ｂに照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、光偏向器２１０４の回転に伴って感光体ドラム２０３０ｂの長手方向に移動する。
また、光偏向器２１０４で偏向されたシリンドリカルレンズ２２０４ｃからの光束は、走査レンズ２１０５ｃ、及び２枚の折り返しミラー（２１０６ｃ、２１０８ｃ）を介して、感光体ドラム２０３０ｃに照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、光偏向器２１０４の回転に伴って感光体ドラム２０３０ｃの長手方向に移動する。
また、光偏向器２１０４で偏向されたシリンドリカルレンズ２２０４ｄからの光束は、走査レンズ２１０５ｄ、及び折り返しミラー２１０６ｄを介して、感光体ドラム２０３０ｄに照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、光偏向器２１０４の回転に伴って感光体ドラム２０３０ｄの長手方向に移動する。
各感光体ドラムにおける光スポットの移動方向が、「主走査方向」であり、感光体ドラムの回転方向が、「副走査方向」である。
光偏向器２１０４と各感光体ドラムとの間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。
各光源は、一例として図６に示されるように、４０個の発光部（ｖ１〜ｖ４０）が２次元配列されている面発光レーザアレイ１００を有している。ここでは、レーザ発振方向をｚ軸方向とし、ｚ軸方向に直交する面内における互いに直交する２つの方向をｘ軸方向及びｙ軸方向とする。ｘ軸方向は主走査対応方向であり、ｙ軸方向は副走査対応方向である。なお、図６では、４０個の発光部に個別に対応して設けられた４０個の電極パッド、及び各発光部と対応する電極パッドとを個別に電気的に接続する配線部材については、図示を省略している。
４０個の発光部は、すべての発光部をｙ軸方向に伸びる仮想線上に正射影したときに発光部間隔が等間隔ｄ１となるように配置されている。本明細書では、「発光部間隔」とは２つの発光部の中心間距離をいう。ところで、発光部の数は４０個に限定されるものではない。
図７は、１つの発光部をｘｚ面に平行に切断したときの断面図である。
各発光部は、発振波長が７８０ｎｍ帯の面発光レーザであり、基板１０１、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、上部電極１１３、下部電極１１４、配線部材１１５、及び誘電体層１１６などを有している。
基板１０１は、表面が鏡面研磨面であり、図８（Ａ）に示されるように、鏡面研磨面（主面）の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］Ａ方向に向かって１５度（θ＝１５度）傾斜したｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。すなわち、基板１０１はいわゆる傾斜基板である。ここでは、図８（Ｂ）に示されるように、結晶方位［０ −１ １］方向が＋ｘ方向、結晶方位［０ １ −１］方向が−ｘ方向となるように配置されている。
図７に戻り、バッファ層１０２は、基板１０１の＋ｚ側の面上に積層され、ｎ−ＧａＡｓからなる層である。
下部半導体ＤＢＲ１０３は、バッファ層１０２の＋ｚ側に積層され、ｎ−ＡｌＡｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４０．５ペア有している。そして、各屈折率層はいずれも、発振波長をλとするとλ／４の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さは、λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
下部スペーサ層１０４は、下部半導体ＤＢＲ１０３の＋ｚ側に積層され、ノンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
活性層１０５は、下部スペーサ層１０４の＋ｚ側に積層され、ＧａＩｎＡｓＰ／ＧａＩｎＰの３重量子井戸構造の活性層である。各量子井戸層は０．７％の圧縮歪みを誘起する組成であるＧａＩｎＡｓＰからなり、各障壁層は０．６％の引張歪みを誘起する組成であるＧａＩｎＰからなる。
上部スペーサ層１０６は、活性層１０５の＋ｚ側に積層され、ノンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
下部スペーサ層１０４と活性層１０５と上部スペーサ層１０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
上部半導体ＤＢＲ１０７は、第１の上部半導体ＤＢＲ、及び第２の上部半導体ＤＢＲを有している。
第１の上部半導体ＤＢＲは、上部スペーサ層１０６の＋ｚ側に積層され、ｐ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる低屈折率層とｐ−（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる高屈折率層のペアを１ペア有している。
第２の上部半導体ＤＢＲは、第１の上部半導体ＤＢＲの＋ｚ側に積層され、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを２３ペア有している。
上部半導体ＤＢＲ１０７の各屈折率層はいずれも、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
第２の上部半導体ＤＢＲにおける低屈折率層の１つには、ｐ−ＡｌＡｓからなる被選択酸化層が厚さ３０ｎｍで挿入されている。
この被選択酸化層の挿入位置は、電界の定在波分布において、活性層１０５から３番目となる節に対応する位置である。
コンタクト層１０９は、第２の上部半導体ＤＢＲの＋ｚ側に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる。
次に、面発光レーザアレイ１００における配線部材の配線位置に関する設計データを取得する処理（「設計データ取得処理」と略述する）について図９及び図１０を用いて説明する。図９及び図１０のフローチャートは、面発光レーザアレイ１００の製造システムにおける制御装置によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。この制御装置は、マイクロコントローラ、メモリ（ＲＯＭ、ＲＡＭ）、入力装置、及び表示装置などを備えている。
なお、上記のように、基板１０１上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。また、一例として図１１に示されるように、発光部ｖｉ（ｉ＝１〜４０）において、射出領域の中心と、該発光部から延びている配線部材の中心線を延長した線との距離をＤ（ｉ）とする。
最初のステップＳ４０１では、Ｄ（１）〜Ｄ（４０）に初期値０をセットする。
次のステップＳ４０３では、上記積層体を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）あるいは分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）による結晶成長によって作成する（図１２参照）。
ここでは、ＭＯＣＶＤ法の場合には、ＩＩＩ族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族の原料には、フォスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）、ジメチルジンク（ＤＭＺｎ）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
次のステップＳ４０５では、積層体の表面における発光部となる複数の領域に、それぞれ四角形状のレジストパターンを形成する。ここでは、一例として、一辺の長さが２５μｍの正方形状とした。この正方形の一の辺は、基板１０１の傾斜軸に平行である。
続いて、Ｃｌ２ガスを用いるＥＣＲエッチング法で、上記レジストパターンをフォトマスクとして四角柱状のメサ構造体（以下では、便宜上「メサ」と略述する）を形成する。ここでは、エッチングの底面は下部スペーサ層１０４中に位置するようにした。
そして、該フォトマスクを除去する（図１３参照）。
次のステップＳ４０７では、積層体を水蒸気中で熱処理する。これにより、被選択酸化層中のｐ−ＡｌＡｓ層がメサの外周部から選択的に酸化され、ＡｌｘＡｓｙＯｚ層からなる絶縁領域１０８ａが形成される。そして、メサの中央部に、この絶縁領域１０８ａによって囲まれた酸化されていない領域１０８ｂが残留する（図１４参照）。すなわち、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域１０８ｂが電流通過領域である。ここでは、一例として、一辺の長さが４μｍ〜６μｍの正方形状の電流通過領域が形成された。この正方形の一の辺は、基板１０１の傾斜軸に平行である。
次のステップＳ４０９では、気相化学堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、全面にＳｉＮからなる保護層１１１を形成する（図１５参照）。ここでは、保護層１１１の光学的厚さをλ／４ｎに設定した。この場合は、λ＝７８０ｎｍ、ｎ＝１．８６であるため、保護層１１１の実際の膜厚は約１０５ｎｍである。
次のステップＳ４１１では、レジストパターニング、ＢＨＦ（バッファードふっ酸）エッチングによりレーザ光の射出面となるメサ上部に、上部電極１１３のコンタクト領域の保護層１１１、上部電極１１３の開口部となる領域内で高反射率領域となる部分の保護層１１１を除去し、窓開けを行う（図１６参照）。ここで、上部電極１１３の開口部となる領域内に残っている保護層１１１が、前記誘電体層１１６である。
次のステップＳ４１３では、レジストパターニング、電極蒸着、リフトオフにより上部電極１１３、電極パッド、配線部材１１５を形成する（図１７参照）。なお、レジストパターニングでは、発光部ｖ１〜ｖ４０において、Ｄ（１）〜Ｄ（４０）に応じて配線部材１１５の形成位置が決定される。
上部電極１１３、電極パッド、配線部材１１５の材料としては、Ｃｒ／ＡｕＺｎ／Ａｕからなる多層膜、もしくはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。
次のステップＳ４１５では、基板１０１の裏側を所定の厚さ（例えば１００μｍ程度）まで研磨した後、基板１０１の裏面全域に下部電極１１４を形成する（図１８参照）。ここでは、下部電極１１４は、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜である。
次のステップＳ４１７では、アニールによって、上部電極１１３と下部電極１１４のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。そして、チップ毎に切断する。
次のステップＳ４１９では、偏光角測定装置を介して、発光部ｖ１〜ｖ４０について、それぞれ偏光角ｐ（１）〜ｐ（４０）を測定する。
次のステップＳ４２１では、偏光角ｐ（１）〜ｐ（４０）の平均値Ｐを算出する。
次のステップＳ５０１では、変数ｉに初期値１をセットする。
次のステップＳ５０３では、ｐ（ｉ）とＰとの差の絶対値が予め設定されている値Ｍ以下であるか否かを判断する。ｐ（ｉ）とＰとの差の絶対値がＭ以下であれば、ここでの判断は肯定され、ステップＳ５０５に移行する。なお、Ｍの値は、作業者が入力装置を介して、設定、変更することができる。ここでは、一例として、Ｍ＝２とする。
このステップＳ５０５では、フラグｆ（ｉ）に「良」であることを示す０をセットする。
次のステップＳ５０９では、変数ｉの値が発光部の数である４０以上であるか否かを判断する。変数ｉの値が４０未満であれば、ここでの判断は否定され、ステップＳ５１１に移行する。
このステップＳ５１１では、変数ｉの値に１を加算し、上記ステップＳ５０３に戻る。
以降、ステップＳ５０９での判断が肯定されるまで、ステップＳ５０３〜ステップＳ５１１の処理を繰り返す。
なお、上記ステップＳ５０３において、ｐ（ｉ）とＰとの差の絶対値がＭを超えていれば、ステップＳ５０３での判断は否定され、ステップＳ５０７に移行する。
このステップＳ５０７では、フラグｆ（ｉ）に「不良」であることを示す１をセットする。そして、上記ステップＳ５０９に移行する。
変数ｉの値が４０以上になると、ステップＳ５０９での判断は肯定され、ステップＳ５２１に移行する。
このステップＳ５２１では、ｆ（１）〜ｆ（４０）の値が全て０であるか否かを判断する。ｆ（１）〜ｆ（４０）の少なくとも１つの値が１であれば、ここでの判断は否定され、ステップＳ５２３に移行する。
このステップＳ５２３では、ｆ（ｉ）が１である全てのｉについて、メモリに予め格納されている配線部材位置修正テーブルを参照し、ｐ（ｉ）とＰとの差に応じたＤ（ｉ）の修正量を求める。
次のステップＳ５２５では、Ｄ（ｉ）の値を上記修正量に変更する。そして、上記ステップＳ４０３に戻る。
一方、上記ステップＳ５２１において、ｆ（１）〜ｆ（４０）の値が全て０であれば、ステップＳ５２１での判断は肯定され、ステップＳ５２７に移行する。
このステップＳ５２７では、Ｄ（１）〜Ｄ（４０）の値をメモリに保存し、設計データ取得処理を終了する。
ところで、図１９には、発光部ｖ１〜ｖ４０について、ｐ（ｉ）とＰとの差の具体例が示されている。この場合は、発光部ｖ８で、ｐ（８）とＰとの差の絶対値が２を超えている。発光部ｖ８では、＋ｘ側及び−ｘ側に他の発光部に接続される配線部材が引き回されているため、対応する配線部材の接続位置をｘ軸方向に関して調整する。具体的には、発光部ｖ８について、Ｄ（８）を５μｍに修正して（図２０参照）再度、面発光レーザアレイを製造すると、ｐ（ｉ）とＰとの差は、約０．２°になった。
上記設計データ取得処理で取得されたＤ（１）〜Ｄ（４０）の値は、面発光レーザアレイ１００を量産する際に用いられる。
量産された複数の面発光レーザアレイ１００を検査したところ、いずれの面発光レーザアレイ１００においても、射出される複数の光束の偏光方向を−２°〜＋２°の範囲内とすることができた。
図２１には、量産された面発光レーザアレイ１００の４０個の発光部とそれらの配線部材が示されている。なお、図２１では、電極パッドの図示は省略されている。
また、種々の配線形状でのＤ（ｉ）が図２２（Ａ）〜図２４（Ｂ）に示されている。
以上説明したように、本実施形態に係る面発光レーザアレイ１００によると、各発光部は、基板１０１、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、上部電極１１３、下部電極１１４、配線部材１１５、及び誘電体層１１６などを有している。
面発光レーザアレイ１００を量産する前に設計データ取得処理を行い、複数の発光部について、射出される光束の偏光角が、該アレイでの偏光角の平均値との差の絶対値が予め設定されている値以下となるように、射出領域の中心と、配線部材の中心線を延長した線との距離Ｄ（ｉ）を調整し、適切なＤ（１）〜Ｄ（４０）の値を取得する。そして、面発光レーザアレイ１００を量産する際に、設計データ取得処理で得られたＤ（１）〜Ｄ（４０）の値を用いて配線部材を形成する。
発明者等は、種々の実験等を行い、発光部における配線部材の接続位置を変更すると、該発光部から射出される光の偏光方向も変化し、このとき、偏光方向が変化する方向は、配線部材の接続位置を変更した方向と関係があることを見出した。
ここで、図２５（Ａ）に示されるように、基板に平行な面内で、発光部の中心を通り、偏光方向に平行な直線ＳＬ１と該直線に直交する直線ＳＬ２によって該発光部を４つの領域（領域Ｉ、領域ＩＩ、領域ＩＩＩ、領域ＩＶ）に分割する。ここでは、偏光方向に平行な直線ＳＬ１はｘ軸方向に平行な直線であり、偏光方向に直交する直線ＳＬ２はｙ軸方向に平行な直線である。なお、各領域は、メサ上面だけでなく、メサ傾斜面を含む（図２５（Ｂ）参照）。
図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）には、配線部材の引き出し方向が偏光方向に平行であり、配線部材の接続位置を−ｘ方向に変更した場合が示されている。この場合は、領域ＩＩＩにおける配線部材の面積が増加しており、偏光方向は時計回りに回転している。
図２７（Ａ）及び図２７（Ｂ）には、配線部材の引き出し方向が偏光方向に直交し、配線部材の接続位置を＋ｙ方向に変更した場合が示されている。この場合は、領域ＩＩにおける配線部材の面積が増加しており、偏光方向は反時計回りに回転している。
これらのことから、配線部材を引き出す方向が、偏光方向に平行な方向であっても、偏光方向に直交する方向であっても、配線部材の面積が増加した領域の方向に偏光方向が回転する傾向があることがわかる。この傾向から、Ｄ（ｉ）の調整方向を決めることができる。
ここで、本実施形態と同じ構成の面発光レーザアレイにおいて、８つの発光部（ｖ４、ｖ７、ｖ１７、ｖ１８、ｖ２３、ｖ２４、ｖ３２、ｖ４０）について、Ｄ（ｉ）の値を実験的に変化させた。ここでは、偏光方向が時計回りに回転する方向をＤ（ｉ）の正の方向とし、Ｄ（ｉ）の値が−５（μｍ）、−３（μｍ）、０（μｍ）、３（μｍ）、５（μｍ）となるようにした。
図２８には、各発光部について、Ｄ（ｉ）と偏光方向の回転角との関係が示されている。なお、図２８の縦軸ΔＰｏｌは、Ｄ（ｉ）＝０のときの偏光方向を基準とし、Ｄ（ｉ）＝０のときの偏光方向に対する偏光方向の回転角を示している。
６つの発光部（ｖ７、ｖ１７、ｖ１８、ｖ２３、ｖ２４、ｖ４０）では、配線部材は偏光方向に平行な方向に引き出されており、２つの発光部（ｖ４、ｖ３２）では、配線部材は偏光方向に直交する方向に引き出されている。
図２８から、Ｄ（ｉ）の値と偏光方向の回転角との間に線形に近い相関があり、Ｄ（ｉ）を１μｍ変化させると、偏光方向が約０．３度（ｄｅｇ．）変化することがわかる。また、配線部材が偏光方向に平行な方向に引き出されていても、配線部材が偏光方向に直交する方向に引き出されていても、Ｄ（ｉ）の変化量に対する偏光方向の回転角はほぼ同じであることがわかる。
この相関関係に基づいて、Ｄ（ｉ）の調整量をある程度決めることができる。
ところで、ｐ（ｉ）とＰとの差が大きい発光部に関しては、Ｄ（ｉ）の値が最大となるように配線部材の接続位置を変更したとしても、ｐ（ｉ）とＰとの差を所望の値以下に抑えることができない場合がある。その場合は、Ｄ（ｉ）の値を調整した上で更に、図２９（Ａ）〜図３０（Ｂ）に示されるように、配線部材の面積が最も大きい領域、又は、配線部材の面積が最も大きい領域の対角位置にある領域に、金属部材１２０を接続すると良い。
図２９（Ａ）〜図３０（Ｂ）では、配線部材の面積が最も大きい領域は領域ＩＩＩであるため、金属部材１２０は領域ＩＩＩもしくは領域Ｉに接続される。このとき、図３０（Ａ）に示されるように、２つの領域に跨って金属部材１２０を接続しても良いが、金属部材１２０の面積が最も多く含まれる領域は、配線部材の面積が最も大きい領域、又は配線部材の面積が最も大きい領域の対角位置にある領域である必要がある。また、図３０（Ｂ）に示されるように、金属部材１２０は領域の２辺に接続されても良い。
これにより、配線部材の接続位置を調整しただけでは偏光方向のずれを低減できない場合であっても、所望の偏光方向とすることができる。
なお、金属部材１２０を接続することによって電極の容量が増加し、レーザの立上がり・立下りといった動的な応答が悪化する場合には、金属部材１２０を接続せずに、発光部の周辺領域に設けても良い。ここでの発光部の周辺領域とは、この発光部以外の発光部から引き出されている配線部材のうち、この発光部に最も近い位置に引かれている配線とこの発光部の中心との最小距離をＬとしたとき、この発光部の中心を中心とした一辺が２Ｌの正方形の内部領域を指す（図３１参照）。そして、発光部の中心を通り、偏光方向に平行な直線と該直線に直交する直線によって該周辺領域を４つの周辺領域（周辺領域Ｉ、周辺領域ＩＩ、周辺領域ＩＩＩ、周辺領域ＩＶ）に分割する。
金属部材１２０が周辺領域に設けられている例が、図３２（Ａ）〜図３３（Ｂ）に示されている。図３２（Ａ）〜図３３（Ｂ）では、配線部材の面積が最も大きい領域が領域ＩＩＩであるため、金属部材１２０は周辺領域ＩＩＩもしくは周辺領域Ｉに接続される。
このとき、図３３（Ａ）に示されるように、２つの周辺領域に跨って金属部材１２０が設けられても良いが、金属部材１２０の面積が最も多く含まれる周辺領域は、配線部材の面積が最も大きい領域の周辺領域、又は配線部材の面積が最も大きい領域の対角位置にある領域の周辺領域である必要がある。また、図３３（Ｂ）に示されるように、金属部材１２０の一部が周辺領域の外側にあっても良い。
このように、発光部に最も近い位置に引かれている配線部材よりも発光部の近くに金属部材１２０を設けることで、配線部材の引き回し方による応力よりも金属部材１２０による応力の影響を大きくすることができる。これにより、容量の増加を防ぎつつ応力を調整し、ｐ（ｉ）とＰの差を所望の値とすることができる。
ところで、特開２００５−２０９７１７号公報には、電気的に絶縁された状態の放熱部が形成された面発光レーザが開示されている。しかし、この面発光レーザでは、発光部を全方位から覆うように放熱部が形成されているため、偏光方向に対する影響はない。
ところで、配線部材に起因して発光部に作用する力を調整する方法として、発光部から配線部材を引き出す方向を変えることが考えられる。しかしながら、周囲を他の発光部や配線部材で囲まれている発光部では、配線部材を引き出す方向を変えることは困難である。特に、発光部数が多い面発光レーザアレイや，発光部間の距離が短く集積化された面発光レーザアレイでは，大部分の発光部において、配線部材を引き出す方向を変更するのは困難である。
本実施形態では、発光部と配線部材との接続部だけを変更するので、面発光レーザアレイ内の配線パターンや発光部の間隔などに対して制限を与えることがない。従って、実施形態では、発光部間隔が狭くて、高集積化された面発光レーザアレイにおいても、偏光角のばらつきを低減することができる。
この場合、量産された面発光レーザアレイ１００は、集積度を低下させることなく、射出される複数の光束の偏光方向を所定の範囲内とすることができる。
このとき、複数の発光部における少なくとも２つの発光部では、ｚ軸方向からみたとき、発光部の中心と、接続されている配線部材の中心線を延長した線との距離が、互いに異なっている。
そして、光走査装置２０１０は、面発光レーザアレイ１００を光源に含んでいるため、被走査面の光走査を精度良く行うことができる。
また、カラープリンタ２０００は、光走査装置２０１０を備えているため、結果として、高品質の画像を形成することができる。
ところで、面発光レーザアレイ１００では、各発光部を副走査対応方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔ｄ１であるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。
そして、例えば、上記間隔ｄ２を２．６５μｍ、光走査装置２０１０の光学系の倍率を２倍とすれば、４８００ｄｐｉ（ドット／インチ）の高密度書き込みができる。もちろん、主走査対応方向の発光部数を増加したり、副走査対応方向のピッチｄ２（図６参照）を狭くして間隔ｄ１を更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯のタイミングで容易に制御できる。
また、この場合には、カラープリンタ２０００では書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。
なお、上記実施形態では、Ｄ（１）〜Ｄ（４０）の初期値が０の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、類似した面発光レーザアレイを製造したときの値を初期値としても良い。
また、上記実施形態において、ｐ（ｉ）とＰとの差に応じて得られたＤ（ｉ）の修正量を、作業者が調整する工程を設けても良い。
また、上記実施形態では、メサの横断面の外形形状が略正方形の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、メサの横断面の外形形状が略円形であっても良い（図３４（Ａ）及び図３４（Ｂ）参照）。また、メサの横断面の外形形状が長方形であっても良い。この場合は、該長方形の一の辺が、基板１０１の傾斜軸に平行であることが好ましい。
また、上記実施形態では、ｚ軸方向からみたとき、電流通過領域の外形形状が略正方形の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、電流通過領域の外形形状が長方形であっても良い。この場合は、該長方形の一の辺が、基板１０１の傾斜軸に平行であることが好ましい。
また、上記実施形態では、基板の主面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］Ａ方向に向かって傾斜している場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、主面の法線方向が、結晶方位＜１ ０ ０＞の一の方向に対して、結晶方位＜１ １ １＞の一の方向に向かって傾斜している基板であれば良い。
また、上記実施形態において、発光部における射出領域の中心と、該発光部から延びている配線部材の中心線を延長した線との距離Ｄ（ｉ）を調整するのに代えて、一例として図３５（Ａ）及び図３５（Ｂ）に示されるように、発光部における射出領域の配線部材が接続されている辺の中点と、該配線部材の中心線を延長した線との辺上での距離Ｔ（ｉ）を調整しても良い。この場合でも、前述したようにして、前記金属部材１２０を接続あるいは設置しても良い。
また、上記実施形態では、発光部の発振波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。
また、上記面発光レーザアレイは、画像形成装置以外の用途にも用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、６５０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯、９８０ｎｍ帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯等の波長帯であっても良い。この場合に、活性層を構成する半導体材料は、発振波長に応じた混晶半導体材料を用いることができる。例えば、６５０ｎｍ帯ではＡｌＧａＩｎＰ系混晶半導体材料、９８０ｎｍ帯ではＩｎＧａＡｓ系混晶半導体材料、１．３μｍ帯及び１．５μｍ帯ではＧａＩｎＮＡｓ（Ｓｂ）系混晶半導体材料を用いることができる。
また、各反射鏡の材料及び構成を発振波長に応じて選択することにより、任意の発振波長に対応した発光部を形成することができる。例えば、ＡｌＧａＩｎＰ混晶などのＡｌＧａＡｓ混晶以外のものを用いることができる。なお、低屈折率層及び高屈折率層は、発振波長に対して透明で、かつ可能な限り互いの屈折率差が大きく取れる組み合わせが好ましい。
また、上記実施形態では、画像形成装置としてカラープリンタの場合について説明したが、これに限定されるものではなく、単色のプリンタであっても良い。
また、上記実施形態では、トナー画像を記録紙に転写する画像形成装置について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、レーザ光によって発色する媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
１００…面発光レーザアレイ、１０１…基板、１０３…下部半導体ＤＢＲ（下部反射鏡）、１０４…下部スペーサ層（共振器構造体の一部）、１０５…活性層、１０６…上部スペーサ層（共振器構造体の一部）、１０７…上部半導体ＤＢＲ（上部反射鏡）、１１３…上部電極、１１５…配線部材、１１６…誘電体層、１２０…金属部材、２０００…カラープリンタ（画像形成装置）、２０１０…光走査装置、２０３０ａ〜２０３０ｄ…感光体ドラム（像担持体）、２１０４…光偏向器、２１０５ａ〜２１０５ｄ…走査レンズ（走査光学系の一部）、２２００ａ〜２２００ｄ…光源。
特許第３７９１１９３号公報 特開２００６−０１３３６６号公報 特開２００８−０１６８２４号公報

Claims (9)

  1. 共通の基板上に、下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び上部反射鏡が積層されている複数の発光部と、前記複数の発光部に個別に対応して設けられた複数の電極と、前記複数の発光部と前記複数の電極とを個別に電気的に接続する複数の配線部材とを有する面発光レーザアレイにおいて、
    前記複数の発光部における偏光方向のばらつきが所定の範囲内となるように、少なくとも２つの発光部では、前記基板に直交する方向からみたとき、前記発光部の中心と、該発光部に接続されている前記配線部材の中心線を延長した線との距離が、互いに異なっていることを特徴とする面発光レーザアレイ。
  2. 前記複数の発光部の少なくとも１つは、該発光部の中心と該発光部に接続されている配線部材の中心線を延長した線との距離が０ではなく、
    前記基板に平行な面内で、該発光部の中心を通り、前記偏光方向に平行な直線と該直線に直交する直線によって該発光部を４つの領域に分割したとき、配線部材が接続されている面積が最も大きい領域、又は該領域と対角位置にある領域あるいはその周辺に、配線部材と同じ材料からなる金属部材が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザアレイ。
  3. 前記活性層は、内部歪みを有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザアレイ。
  4. 前記基板は、主面の法線方向が、結晶方位＜１ ０ ０＞の一の方向に対して、結晶方位＜１ １ １＞の一の方向に向かって傾斜している基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の面発光レーザアレイ。
  5. 前記複数の発光部は、前記基板に直交する方向を高さ方向とするメサ構造を有し、
    該メサ構造の前記基板に平行な断面の形状は四角形であり、
    該四角形は、前記基板の傾斜軸に平行な辺を有することを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザアレイ。
  6. 前記上部反射鏡は、アルミニウムを含む被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化物が電流通過領域を取り囲む狭窄構造体を有し、
    前記基板に直交する方向からみたとき、前記電流通過領域の形状は四角形であり、
    該四角形は、前記基板の傾斜軸方向に平行な辺を有することを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザアレイ。
  7. 前記四角形は、長方形であることを特徴とする請求項５又は６に記載の面発光レーザアレイ。
  8. 少なくとも１つの像担持体と、
    請求項１〜７のいずれか一項に記載の面発光レーザアレイを有する光源を含み、前記少なくとも１つの像担持体を、画像情報に応じて変調された光によって走査する光走査装置と、を備える画像形成装置。
  9. 前記画像情報は、多色の画像情報であることを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。

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