JP5316784B2 - 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
Claims (12)
- 主面の法線方向が、結晶方位<1 0 0>の一の方向に対して、結晶方位<1 1 1>の一の方向に向かって傾斜している基板と;
活性層を含む共振器構造体、及び該共振器構造体を挟んで設けられ、酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を有する半導体多層膜反射鏡を含み、前記基板上に積層されている複数の半導体層と;
前記複数の半導体層上に設けられ、光の通路となる開口部を有する金属層と;を備え、
断面形状が長手方向を有する光が前記狭窄構造体を介して前記金属層に入射し、
前記金属層の開口部における前記長手方向に直交する第1の方向に関する開口幅が、前記長手方向に平行な第2の方向に関する開口幅よりも小さく、
前記電流通過領域は、前記第1の方向に関する長さが前記第2の方向に関する長さよりも大きい面発光レーザ素子。 - 前記電流通過領域を取り囲んでいる酸化物は、酸化が前記第2の方向に平行な少なくとも一方向に進行した部分の厚さが、酸化が前記第1の方向に平行な方向に進行した部分の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。
- 前記金属層の開口部の形状は、該開口部の中心を通り前記第2の方向に平行な軸に対して対称であるとともに、前記開口部の中心を通り前記第1の方向に平行な軸に対して非対称であり、前記電流通過領域を取り囲んでいる酸化物の厚さが大きい部分に対応する開口幅が他の開口幅よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の面発光レーザ素子。
- 前記第1の方向は、前記基板の表面に平行で前記結晶方位<1 0 0>の一の方向及び前記結晶方位<1 1 1>の一の方向のいずれにも直交する方向であり、
前記第2の方向は、前記法線方向及び前記第1の方向のいずれにも直交する方向であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。 - 前記電流通過領域の形状は、該電流通過領域の中心を通り前記第1の方向に平行な第1の軸に対して対称であるとともに、前記電流通過領域の中心を通り前記第2の方向に平行な第2の軸に対しても対称であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 前記第1の方向は、出力光の偏光方向に平行であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。
- 前記基板は、主面の法線方向が、結晶方位[1 0 0]方向に対して、結晶方位[1 1 1]A方向に向かって傾斜し、
前記第1の方向に平行な方向は、結晶方位[0 −1 1]方向及び結晶方位[0 1 −1]方向であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイ。
- 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子を有する光源と;
前記光源からの光を偏向する偏向手段と;
前記偏向手段で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と;を備える光走査装置。 - 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項8に記載の面発光レーザアレイを有する光源と;
前記光源からの光を偏向する偏向手段と;
前記偏向手段で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と;を備える光走査装置。 - 少なくとも1つの像担持体と;
前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報が含まれる光を走査する少なくとも1つの請求項9又は10に記載の光走査装置と;を備える画像形成装置。 - 前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項11に記載の画像形成装置。
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WO2011059826A2 (en) * | 2009-10-29 | 2011-05-19 | California Institute Of Technology | Multiple-photon excitation light sheet illumination microscope |
JP2011124541A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-23 | Ricoh Co Ltd | 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置、並びに光デバイスの製造方法 |
JP5532321B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2014-06-25 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
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JP5522595B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2014-06-18 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2011151357A (ja) | 2009-12-21 | 2011-08-04 | Ricoh Co Ltd | 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2011159943A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-08-18 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
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CA2817190C (en) | 2010-11-26 | 2016-12-06 | Yoshihiro Ohba | Optical sensor and image forming apparatus |
JP5783493B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2015-09-24 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイとそれを用いた光走査装置と画像形成装置 |
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JP2013131509A (ja) | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Ricoh Co Ltd | 光学ユニットの製造方法、光学ユニット、光走査装置及び画像形成装置 |
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JP5999305B2 (ja) | 2012-02-20 | 2016-09-28 | 株式会社リコー | 光学センサ及び画像形成装置 |
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JP6176298B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-08-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザアレイ及び面発光型半導体レーザアレイの製造方法 |
DE102016120685A1 (de) | 2016-10-28 | 2018-05-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers und Halbleiterlaser |
JP7031856B2 (ja) * | 2018-02-14 | 2022-03-08 | 国立大学法人東京工業大学 | ビーム偏向デバイス |
CN108616033A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-10-02 | 中山大学 | 集成超表面于vcsel的轨道角动量发射器件及其制备方法 |
CN109449751A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-08 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 | 外腔面光源vcsel及其应用 |
CN109787086B (zh) * | 2019-01-23 | 2021-02-02 | 扬州乾照光电有限公司 | Vcsel阵列芯片及其制作方法 |
US10985531B2 (en) * | 2019-01-27 | 2021-04-20 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Intensity noise mitigation for vertical-cavity surface emitting lasers |
CN110649466B (zh) * | 2019-11-26 | 2021-07-13 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种vcsel阵列、制造方法、平顶远场生成方法及照明模组 |
CN111162451A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-05-15 | 浙江博升光电科技有限公司 | 底部发射垂直腔面发射激光器 |
CN116774190A (zh) * | 2023-08-17 | 2023-09-19 | 深圳市速腾聚创科技有限公司 | 发射模组、激光发射模块和激光雷达设备 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58197562A (ja) | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク装置 |
JP3232152B2 (ja) | 1992-05-14 | 2001-11-26 | 株式会社リコー | 発光ダイオードアレイ |
US5331654A (en) | 1993-03-05 | 1994-07-19 | Photonics Research Incorporated | Polarized surface-emitting laser |
US5412680A (en) | 1994-03-18 | 1995-05-02 | Photonics Research Incorporated | Linear polarization of semiconductor laser |
JP2891133B2 (ja) | 1994-10-24 | 1999-05-17 | 日本電気株式会社 | 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光情報処理装置 |
JPH08116130A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-07 | Nec Corp | 面発光レーザ |
US5727014A (en) * | 1995-10-31 | 1998-03-10 | Hewlett-Packard Company | Vertical-cavity surface-emitting laser generating light with a defined direction of polarization |
JP3551718B2 (ja) * | 1997-08-18 | 2004-08-11 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ |
JP3262765B2 (ja) | 1999-06-18 | 2002-03-04 | 東洋通信機株式会社 | 圧電発振器用シート基板の構造 |
JP4010095B2 (ja) | 1999-10-01 | 2007-11-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ及びレーザアレイ |
US6975663B2 (en) | 2001-02-26 | 2005-12-13 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode operable in the wavelength band of 1.1-7μm and optical telecommunication system using such a laser diode |
US7245647B2 (en) | 1999-10-28 | 2007-07-17 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode operable in the wavelength band of 1.1-1.7mum and optical telecommunication system using such a laser diode |
JP2008028424A (ja) * | 2000-11-13 | 2008-02-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ |
JP2002208755A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-07-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ |
US6650683B2 (en) | 2000-11-20 | 2003-11-18 | Fuji Xerox Co, Ltd. | Surface emitting semiconductor laser |
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