KR101082238B1 - 접합체, 이 접합체의 제조 방법, 및 이 접합체에 이용되는 이방성 도전막 - Google Patents

접합체, 이 접합체의 제조 방법, 및 이 접합체에 이용되는 이방성 도전막 Download PDF

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Abstract

미세 피치의 기판과 전자 부품 등을 접합한 경우에도, 충분한 입자 파쇄를 확보하여 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 있고, 단락의 발생을 방지할 수 있는 접합체, 이 접합체의 제조 방법, 및 이 접합체에 이용되는 이방성 도전막을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본원 발명의 접합체는, 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 구비하고, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판과 상기 전자 부품 중 어느 하나가 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 통해 전기적으로 접합되어 이루어지는 접합체에 있어서, 상기 제1 기판의 배선에 압착된 도전성 입자는 상기 배선에서 상기 배선의 양 폭 방향으로 돌출되며, 상기 배선의 간격은 상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경의 3.5배 이상이다.

Description

접합체, 이 접합체의 제조 방법, 및 이 접합체에 이용되는 이방성 도전막{CONNECTOR, MANUFACTURE METHOD FOR CONNECTOR AND ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM TO BE USED THEREIN}
본 발명은, IC 칩, 액정 디스플레이(LCD)에 있어서의 액정 패널(LCD 패널) 등의 전자 부품과 기판이 전기적으로 접속되거나, 기판들이 서로 전기적으로 접속된 접합체, 이 접합체의 제조 방법, 및 이 접합체에 이용되는 이방성 도전막에 관한 것이다.
종래부터, 전자 부품과 회로 기판 등을 접속하는 수단으로서, 이방 도전성 접착 필름(ACF; Anisotropic Conductive Film)이 이용되고 있다. 이 이방 도전성 접착 필름은, 예컨대 플렉시블 프린트 기판(FPC)이나 IC 칩의 단자와, LCD 패널의 유리 기판 상에 형성된 ITO(Indium Tin Oxide) 전극을 접속하는 경우를 비롯하여 여러 가지 단자들을 서로 접착하고, 전기적으로 접속하는 경우에 이용되고 있다.
상기 이방 도전성 접착 필름으로서는, 일반적으로, 에폭시 수지계의 절연성 접착제층 내에 도전성 입자를 분산시킨 것이 사용되고 있고, 예컨대 IC 칩의 단자와 유리 기판의 ITO 전극과의 사이에 도전성 입자가 들어가 파쇄(crushing)됨으로써, 상기 IC 칩의 단자와 상기 ITO 전극과의 전기적 접속이 실현되고 있다.
최근, 전자 기기의 소형화 및 고기능화에 따라, 접합 단자의 미세 피치화에 따른 접합 단자의 면적이 감소하고 있지만, 단자 면적이 좁아져도 높은 입자 포착성이나 도통 신뢰성의 확보가 요구되고 있다.
여기서, 이방 도전성 접착 필름에 포함되는 도전성 미립자의 입자 직경은 통상 범프 및 배선 등의 접합 단자의 폭보다도 작다(예컨대, 특허 문헌 1)(도 6). 따라서, 범프 및 배선 등의 접합 단자의 미세 피치화가 이루어진 경우에는, 도전성 미립자의 입자 직경을 보다 작게 함으로써, 접합 단자 상에 있어서 도전성 미립자가 평균적으로 분산되어 있는 상태에서(도 7) 높은 입자 포착성을 확보하여 우수한 도통 신뢰성을 얻고, 단락(short-circuiting)을 방지하는 검토가 이루어져 왔다.
그러나, 접합 단자의 미세 피치화에 따라 도전성 미립자의 입자 직경을 보다 작게 하면, 충분한 입자 파쇄를 확보하기 위해서 접합(압착) 시의 압력을 높일 필요가 있고, 전자 부품 또는 기판의 재료로서 유리 등의 강도가 낮은 재료가 이용되는 경우 등에서는, 접합(압착) 시에 전자 부품 또는 기판에 균열이 발생할 우려가 있다. 또한, 최근에는 전자 부품 또는 기판의 박형화가 진행되고 있기 때문에, 보다 저압으로 접합(압착)하는 것이 요구되고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 제2006-339323호 공보
본 발명은, 종래에 있어서의 상기 문제를 해결하고, 이하의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은 미세 피치의 기판과 전자 부품 등을 접합한 경우에도, 충분한 입자 파쇄를 확보하여 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 있고, 단락의 발생을 방지할 수 있는 접합체, 이 접합체의 제조 방법, 및 이 접합체에 이용되는 이방성 도전막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 수단은 이하와 같다. 즉,
<1> 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 구비하고, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판과 상기 전자 부품 중 어느 하나가 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 통해 전기적으로 접합되어 이루어지는 접합체에 있어서, 상기 제1 기판의 배선에 압착된 도전성 입자가 상기 배선에서 상기 배선의 양 폭 방향으로 돌출되고, 상기 배선의 간격이 상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경의 3.5배 이상인 것을 특징으로 하는 접합체이다.
이 접합체에 있어서는, 상기 제1 기판의 배선에 압착된 도전성 입자가 상기 배선에서 상기 배선의 양 폭 방향으로 돌출되도록 평균 입자 직경이 큰 도전성 입자를 이용하기 때문에, 미세 피치의 기판과 전자 부품 등을 접합한 경우에도, 충분한 입자 파쇄를 확보하여 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 있다. 또한, 상기 제1 기판의 배선 간격(스페이스 폭)이 상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경의 3.5배 이상이기 때문에, 배선 간격(스페이스 폭)을 충분히 큰 것으로 하고, 배선 간의 스페이스에 도전성 입자가 연속되어 동일 기판 내의 배선들끼리 단락하는 것을 방지할 수 있다.
<2> 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 구비하고, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판과 상기 전자 부품 중 어느 하나가 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 통해 전기적으로 접합되어 이루어지는 접합체에 있어서, 상기 제1 기판의 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경은 상기 배선의 폭보다 크고, 상기 배선의 간격은 상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경의 3.5배 이상인 것을 특징으로 하는 접합체이다.
이 접합체에 있어서는, 상기 제1 기판의 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 배선의 폭보다 크기 때문에, 미세 피치의 기판과 전자 부품 등을 접합한 경우에도, 충분한 입자 파쇄를 확보하여 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 있다. 또한, 상기 제1 기판의 배선의 간격(스페이스 폭)이 상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경의 3.5배 이상이기 때문에, 배선의 간격(스페이스 폭)을 충분히 크게 하고, 배선 간의 스페이스에 도전성 입자가 연속되어 동일 기판 내의 배선들끼리 단락하는 것을 방지할 수 있다.
<3> 이방성 도전막이 바인더 수지를 함유하여 이루어지고, 이 바인더 수지가 에폭시 수지 및 아크릴 수지로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 상기 <1> 내지 <2>에 기재한 접합체이다.
<4> 상기 <1>내지 <3> 중 어느 하나에 기재한 접합체를 제조하는 제조 방법으로서, 피처리면 상에 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 형성하는 이방성 도전막 형성 공정과, 상기 이방성 도전막을 통해 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 접합하는 접합 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접합체의 제조 방법이다.
<5> 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재한 접합체에 이용되는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막이다.
본 발명에 따르면, 종래에 있어서의 상기 모든 문제를 해결할 수 있고, 미세 피치의 기판과 전자 부품 등을 접합한 경우에도, 충분한 입자 파쇄를 확보하여, 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 있고, 단락의 발생을 방지할 수 있는 접합체, 이 접합체의 제조 방법, 및 이 접합체에 이용되는 이방성 도전막을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 접합체에 있어서 제1 기판의 배선 상에 압착된 도전성 입자(거의 구형)를 나타내는 개략 설명도이다.
도 2는 본 발명의 접합체에 있어서 제1 기판의 배선 상에 압착된 도전성 입자(부정형)를 나타내는 개략 설명도이다.
도 3은 본 발명의 접합체에 있어서 제1 기판의 배선 상에 압착된 도전성 입자[2차 입자(응집 입자)]를 나타내는 개략 설명도이다.
도 4는 제1 기판의 라인 폭(배선 폭) L 및 스페이스 폭(배선 간격) S를 나타내는 개략 설명도이다.
도 5는 제1 기판에 있어서 배선의 구조를 나타내는 개략 설명도이다.
도 6은 종래의 접합체를 나타내는 개략 설명도이다.
도 7은 종래의 접합체에 있어서 제1 기판의 배선 상에 압착된 도전성 입자를 나타내는 개략 설명도이다.
발명을 실시하기 위한 최적의 형태
(접합체)
본 발명의 접합체는, 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 구비하고, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판과 상기 전자 부품 중 어느 하나가 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 통해 전기적으로 접합되어 이루어진다. 즉, 상기 제1 기판의 단자(배선)와 상기 전자 부품의 단자와의 사이, 혹은 상기 제1 기판과 제2 기판 간의 단자들(배선) 사이에 상기 도전성 입자가 들어가 파쇄됨으로써, 상기 단자간의 도통이 도모된다.
상기 접합체에 있어서, 상기 제1 기판의 배선에 압착된 도전성 입자(상기 제1 기판의 단자와 상기 전자 부품의 단자와의 사이, 혹은 상기 제1 기판과 제2 기판 간의 단자들 사이에 들어가 파쇄된 도전성 입자)가 상기 배선에서 상기 배선의 양 폭 방향으로 돌출되고, 상기 배선의 간격은 상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자(상기 제1 기판의 단자와 상기 전자 부품의 단자와의 사이, 혹은 상기 제1 기판과 제2 기판 간의 단자들 사이에 들어가 파쇄되지 않은 도전성 입자)의 평균 입자 직경의 3.5배 이상, 바람직하게는 4배 이상이다.
여기서, 「상기 제1 기판의 배선에 압착된 도전성 입자」는 형상이 거의 구형(도 1)일 수도 있고, 부정형(도 2)일 수도 있다.
또한, 「상기 배선에서 상기 배선의 양 폭 방향으로 돌출된다」란, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 도전성 입자(1차 입자)가 배선에서 배선의 양 폭 방향으로 돌출된 경우뿐만 아니라, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 도전성 입자[2차 입자(응집 입자)]가 배선에서 배선의 양 폭 방향으로 돌출된 경우도 포함한다.
또한, 「상기 배선의 간격」이란, 도 4에 있어서의 스페이스 폭(배선 간격) S를 나타내고, 현미경으로 측정된 측정값 10점의 평균값을 나타낸다. 또한, 도 4에 있어서, L은 라인 폭(배선 폭)을 나타내고, 현미경으로 측정된 측정값 10점의 평균값을 나타낸다.
또한, 「상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경」이란, 배선에 압착되지 않은[접합(압착)에 의해 변형되지 않은] 도전성 입자를 현미경(STM-UM; 올림푸스 제조)으로 10개 관찰하고, 이 관찰된 도전성 입자의 입자 직경을 각각 측정하여, 그 측정값 10점의 평균값을 나타낸다.
여기서, 상기 접합체에 있어서는, 상기 제1 기판의 스페이스 폭(배선 간격) S가 상기 제1 기판의 라인 폭(배선 폭) L의 3.5배 이상, 바람직하게는 4배 이상인 것과, 또한, 제1 기판의 배선에 압착된 도전성 입자[1차 입자뿐만 아니라, 2차 입자(응집 입자)도 포함함]의 평균 입자 직경이 라인 폭(배선 폭) L보다 큰 것이 필수가 된다.
본 발명의 상기 접합체는, 제1 기판의 배선에 압착된 도전성 입자가 상기 배선에서 상기 배선의 양 폭 방향으로 돌출되고, 상기 배선의 간격(스페이스 폭 S)이 상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경의 3.5배 이상, 바람직하게는 4배 이상이기 때문에, 미세 피치의 기판과 전자 부품 등을 접합한 경우에도, 충분한 입자 파쇄를 확보하여 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 있고, 단락의 발생을 방지할 수 있다.
-기판-
기판의 종류로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 ITO 유리 기판, 플렉시블 기판, 리지드 기판, 플렉시블 프린트 기판 등을 들 수 있다.
-전자 부품-
전자 부품으로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 IC 칩, 예컨대 플랫 패널 디스플레이(FPD)에 있어서의 액정 화면 제어용 IC 칩, 액정 패널 등을 들 수 있다.
-이방성 도전막-
이방성 도전막은 도전성 입자를 적어도 함유하여 이루어지고, 바람직하게는, 바인더 수지를 더 함유하여 이루어지며, 필요에 따라 적절하게 선택한 기타 성분을 더 함유하여 이루어진다. 또한, 상기 이방성 도전막의 두께로서는 10∼50 ㎛가 바람직하다.
-도전성 입자-
도전성 입자로서는 특별히 제한은 없고, 종래의 이방성 도전 접착제에 있어서 이용되고 있는 것과 동일한 구성의 것을 사용할 수 있다. 예컨대, 땜납, 니켈 등의 금속 입자; 금속(니켈, 금, 알루미늄, 구리 등) 도금으로 피복된 수지 입자, 유리 입자 혹은 세라믹 입자; 추가로 이들을 절연 피복한 입자; 등을 들 수 있다. 이들 도전성 입자를 이용하면, 접합하는 단자 및 기판 배선의 평활성의 불균일을 흡수하고, 제조 시의 프로세스 마진을 확보할 수 있는 것 이외에 응력에 의해 접속점이 벗어난 경우에도, 도통을 확보할 수 있으며, 높은 신뢰성을 얻을 수 있다.
상기 도전성 입자 중에서도, 금속 피복 수지 입자, 예컨대 니켈 금 도금 피복 수지 입자가 바람직하고, 단자 사이에 상기 도전성 입자가 들어감으로써 발생하는 단락을 방지할 수 있는 점에서, 상기 금속 피복 수지 입자가 절연 수지에 의해 피복되어 이루어지는 절연 입자가 보다 바람직하다.
-바인더 수지-
바인더 수지는 에폭시 수지 및 아크릴 수지로부터 선택되는 1종 이상의 수지로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
상기 아크릴 수지로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌 글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
또한, 상기 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 한 것을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
-기타 성분-
기타 성분으로서는 본 발명의 효과를 해하지 않는 한 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 공지된 첨가제 중에서 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 충전제, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 실란 커플링제 등을 들 수 있다.
상기 기타 성분의 첨가량으로서는 특별히 제한은 없고, 상기 도전성 입자, 상기 바인더 수지 등의 첨가량과의 관계에 따라 적절하게 선택할 수 있다.
(접합체의 제조 방법)
본 발명의 접합체의 제조 방법은 이방성 도전막 형성 공정과, 접합 공정을 적어도 포함하고, 필요에 따라 적절하게 선택한 그 밖의 공정을 더 포함한다.
<이방성 도전막 형성 공정>
이방성 도전막 형성 공정은 피처리면 상에 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 형성하는 공정이다. 상기 이방성 도전막 형성 공정으로서는, 바인더 수지 내에 도전성 입자가 분산되어 이루어지는 수지 조성물을 포함하는 도포액을 피처리면 상에 도포하는 방법(도포법)이나, 하나의 분무 수단을 이용하여 분출되며, 정전 전위 부여 수단에 의해 정전 전위가 부여된 도전성 입자와, 다른 분무 수단을 이용하여 분출된 수지 입자를, 피처리면 상에 동시에 분무하는 방법(분무법) 등을 들 수 있다.
<접합 공정>
접합 공정은 이방성 도전막을 통해 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 접합하는 공정이다.
상기 접합 공정으로서는, 이방성 도전막을 통해 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 접합하는 것이면, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 이방성 도전막을 통해 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 100∼300 ℃, 0.1∼200 MPa, 1∼50초간의 조건으로 압착하는 것 등을 들 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 전혀 한정되지 않는다.
(실시예 1)
-이방성 도전막(ACF1)의 제작-
상기 바인더 수지로서의 비스페놀형 액상 에폭시 수지(「E828」; 재팬 에폭시레진 제조) 20 질량부, 페녹시 수지(「PKHH」; 인켐 가부시키가이샤 제조) 20 질량부, 아민계 잠재성 경화제(「HX3941」; 아사히카세이케미컬 제조) 20 질량부, 및 상기 도전성 입자로서의 Ni-Au 도금 수지 입자(니혼카가꾸고교 제조, 평균 입자 직경 10 ㎛, 이하, 「금 입자」라고 칭함)를 1,000 개/㎟가 되도록 조정하여 첨가하고, 상기 용제로서의 톨루엔을 첨가하여 바인더 수지 내에 도전성 입자가 분산된 수지 조성물을 포함하는 도포액을 조제하였다.
또한, 상기 금 입자의 평균 입자 직경은 현미경에 의한 측정에 의해 얻어진 측정값 10점의 평균값이다.
바인더 수지 내에 도전성 입자가 분산된 수지 조성물을 포함하는 도포액을 도포하는 대상(상기 피처리면)으로서 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)로 이루어진 필름(PET층)을 준비하였다.
계속해서, 상기 조제한 도포액을 하기 도포 조건으로 필름(PET층)에 바코터를 이용하여 도포하였다.
그 결과, PET층의 표면 상에, 에폭시 수지 내에 금 입자가 분산된 에폭시 수지 도포막(상기 이방성 도전막)이 형성되었다.
얻어진 에폭시 수지 도포막을 70 ℃, 5분간의 조건으로 오븐 속에서 가열하여 톨루엔을 증발시키고, 금 입자를 1,000 개/㎟를 포함하는 에폭시 수지막(두께 18 ㎛)을 얻었다.
-접합체의 제작-
상기 제작한 이방성 도전막(ACF1)을 이용하여, 이하에 나타내는 FPC(플렉시블 프린트 기판) A와, ITO 유리와의 접합체를 제작하였다.
[FPC(플렉시블 프린트 기판) A]
재질: 폴리이미드, 외부 치수: 46 ㎜×36 ㎜, 두께: 0.020 ㎜
배선 종류: 금 도금 구리 배선(도 5), 라인 폭(배선 폭) L(도 4): 8 ㎛(현미경에 의한 측정에 의해 얻어진 측정값 10점의 평균), 스페이스 폭(배선 간격) S(도 4): 42 ㎛(현미경에 의한 측정에 의해 얻어진 측정값 10점의 평균), 배선 높이: 12 ㎛
[ITO 유리]
두께: 0.7 ㎜
ITO(10Ω□)
FPC(플렉시블 프린트 기판) A의 배선과, ITO 유리의 도체 패턴이 대향하도록 이방성 도전막을 통해 FPC(플렉시블 프린트 기판) A와, ITO 유리를 중첩하여 180 ℃의 가열 조건으로 1 MPa 또는 3 MPa, 20초간, 압착 폭 2 ㎜의 조건으로 각각 가압함으로써 압착하여 접합체를 얻었다.
얻어진 실시예 1(압착 조건: 1 MPa) 및 비교예 1(압착 조건: 1 MPa)의 접합체에 대해서 하기 방법에 의해 단락 및 도통 저항을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<도통 단락 시험>
계속해서, 각 접합체에 대해서 4단자법에 의해 도통 저항값(Ω)을 측정하고, 2단자간의 단락(개)을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 압착 직후의 도통 저항값(Ω)이 5 Ω 이하이며, 단락의 발생이 없는 것이 바람직하다.
(비교예 1)
실시예 1의 이방성 도전막의 제작에 있어서, 도전성 입자로서, 평균 입자 직경 10 ㎛의 Ni-Au 도금 수지 입자 대신에 평균 입자 직경 5 ㎛의 Ni-Au 도금 수지 입자를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이방성 도전막을 제작하고, 접합체를 제작하였다. 또한, 비교예 1에서 제작된 이방성 도전막을 ACF2로 한다.
(비교예 2)
실시예 1의 접합체의 제작에 있어서, FPC(플렉시블 프린트 기판) A 대신에 하기 FPC(플렉시블 프린트 기판) B를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이방성 도전막을 제작하고, 접합체를 제작하였다.
[FPC(플렉시블 프린트 기판) B]
재질: 폴리이미드, 외부 치수: 43 ㎜×36 ㎜, 두께: 0.020 ㎜
배선 종류: 금 도금 구리 배선(도 5), 라인 폭(배선 폭) L(도 4): 23 ㎛(현미경에 의한 측정에 의해 얻어진 측정값 10점의 평균), 스페이스 폭(배선 간격) S(도 4): 27 ㎛(현미경에 의한 측정에 의해 얻어진 측정값 10점의 평균), 배선 높이: 12 ㎛
(비교예 3)
비교예 2의 이방성 도전막의 제작에 있어서, 도전성 입자로서, 평균 입자 직경 10 ㎛의 Ni-Au 도금 수지 입자 대신에 평균 입자 직경 5 ㎛의 Ni-Au 도금 수지 입자를 이용한 것 이외에는, 비교예 2와 동일하게 하여 이방성 도전막을 제작하고 접합체를 제작하였다. 또한, 비교예 3에서 제작된 이방성 도전막을 ACF2로 한다.
[표 1]
Figure 112009078165550-pct00001
표 1로부터, 실시예 1에서는, FPC 기판 A의 라인 폭(배선 폭) L(8 ㎛)보다도 도전성 입자의 평균 입자 직경(10 ㎛)이 크고, FPC 기판 A의 배선에 압착된 도전성 입자가 상기 배선에서 상기 배선의 양 폭 방향으로 돌출되어 있다고 생각되며, 또한, 스페이스 폭(배선 간격) S(42 ㎛)가 도전성 입자의 평균 입자 직경(10 ㎛)의 4.2배(3.5배 이상)이기 때문에, FPC 기판 A와 ITO 유리를 저압(1 MPa)으로 접합한 경우라도, 충분한 입자 파쇄를 확보하여 우수한 도통 신뢰성(도통 저항 2.0 Ω)을 얻을 수 있고, 회로 간의 단락의 발생을 억제(단락 0개)할 수 있는 것을 알 수 있었다.
이것에 대하여, 비교예 1에서는, FPC 기판 A의 라인 폭(배선 폭) L(8 ㎛)보다도 도전성 입자의 평균 입자 직경(5 ㎛)이 작기 때문에, FPC 기판 A와 ITO 유리를 저압(1 MPa)으로 접합한 경우, 충분한 입자 파쇄를 확보할 수 없어 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 없는(도통 저항 8.4 Ω) 것을 알 수 있었다.
또한, 비교예 2에서는, FPC 기판 B의 스페이스 폭(배선 간격) S(27 ㎛)가 도전성 입자의 평균 입자 직경(10 ㎛)의 2.7배(3.5배 미만)이기 때문에, 회로 간의 단락이 발생하는[단락 5개(1 MPa), 7개(3 MPa)] 것을 알 수 있었다.
또한, 비교예 3에서는, FPC 기판 B의 라인 폭(배선 폭) L(23 ㎛)보다도 도전성 입자의 평균 입자 직경(5 ㎛)이 작기 때문에, FPC 기판 B와 ITO 유리를 저압(1 MPa)으로 접합한 경우, 충분한 입자 파쇄를 확보할 수 없어 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 없는(도통 저항 8.6 Ω) 것을 알 수 있었다.
본 발명의 접합체는 미세 피치의 기판과 전자 부품 등을 접합한 경우에도, 충분한 입자 파쇄를 확보하여 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 있고, 단락의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 접합체의 제조 방법은 접합체를 효율적으로 제조할 수 있다.
본 발명의 이방성 도전막은 각종 전자 부품 등과 기판, 기판들끼리 등의 접합에 적합하게 사용될 수 있으며, 예컨대 IC 태그, IC 카드, 메모리 카드, 플랫 패널 디스플레이 등의 제조에 적합하게 사용될 수 있다.

Claims (6)

  1. 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 구비하고, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판과 상기 전자 부품 중 어느 하나가 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 통해 전기적으로 접합되어 이루어지는 접합체에 있어서,
    상기 제1 기판의 배선에 압착된 도전성 입자는 상기 배선에서 상기 배선의 양 폭 방향으로 돌출되며, 상기 배선의 간격은 상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경의 3.5배 이상인 것을 특징으로 하는 접합체.
  2. 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 구비하고, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판과 상기 전자 부품 중 어느 하나가 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 통해 전기적으로 접합되어 이루어지는 접합체에 있어서,
    상기 제1 기판의 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경은 상기 배선의 폭보다 크고, 상기 배선의 간격은 상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경의 3.5배 이상인 것을 특징으로 하는 접합체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이방성 도전막은 바인더 수지를 함유하여 이루어지고, 이 바인더 수지는 에폭시 수지 및 아크릴 수지로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 접합체.
  4. 제2항에 있어서, 상기 이방성 도전막은 바인더 수지를 함유하여 이루어지고, 이 바인더 수지는 에폭시 수지 및 아크릴 수지로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 접합체.
  5. 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 구비하고, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판과 상기 전자 부품 중 어느 하나가 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 통해 전기적으로 접합되어 이루어지고, 상기 제1 기판의 배선에 압착된 도전성 입자가 상기 배선에서 상기 배선의 양 폭 방향으로 돌출되며, 상기 배선의 간격이 상기 배선에 압착되지 않은 도전성 입자의 평균 입자 직경의 3.5배 이상인 접합체를 제조하는 제조 방법에 있어서,
    피처리면 상에 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 형성하는 이방성 도전막 형성 공정과,
    상기 이방성 도전막을 통해 제1 기판과, 제2 기판과 전자 부품 중 어느 하나를 접합하는 접합 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 접합체의 제조 방법.
  6. 삭제
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