WO2021187591A1 - 接続体、及び接続体の製造方法 - Google Patents

接続体、及び接続体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2021187591A1
WO2021187591A1 PCT/JP2021/011169 JP2021011169W WO2021187591A1 WO 2021187591 A1 WO2021187591 A1 WO 2021187591A1 JP 2021011169 W JP2021011169 W JP 2021011169W WO 2021187591 A1 WO2021187591 A1 WO 2021187591A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
connector
plug
configuration example
terminal row
receptacle
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/011169
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
良介 小高
伊藤　亮
博之 熊倉
智幸 阿部
佐藤　大祐
折原　勝久
和久 青木
Original Assignee
デクセリアルズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by デクセリアルズ株式会社 filed Critical デクセリアルズ株式会社
Priority to US17/910,987 priority Critical patent/US20230198186A1/en
Priority to CN202180019795.9A priority patent/CN115244786A/zh
Priority claimed from JP2021044505A external-priority patent/JP2021153049A/ja
Publication of WO2021187591A1 publication Critical patent/WO2021187591A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • H01R12/72—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures coupling with the edge of the rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/73—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures coupling with the edge of the rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/40—Securing contact members in or to a base or case; Insulating of contact members
    • H01R13/405—Securing in non-demountable manner, e.g. moulding, riveting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/06—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/04—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation using electrically conductive adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for soldered or welded connections
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin

Definitions

  • Anisotropic connection can be mentioned as a technique for connecting narrow-pitch terminal rows.
  • the connector is generally a resin molded product, when anisotropic connection is performed, the tool is pressed during the main crimping. This causes the connector to be deformed, and there is a concern that the cable cannot be inserted, for example.
  • FIG. 28 is a graph showing a reflection signal S11 when the plug of the third configuration example (Plug-3) and the receptacles of the first configuration example to the fourth configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected.
  • FIG. 29 is a graph showing a transmission signal S21 when the plug of the fourth configuration example (Plug-4) and the receptacles of the first configuration example to the fourth configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected.
  • FIG. 30 is a graph showing a reflection signal S11 when the plug of the fourth configuration example (Plug-4) and the receptacles of the first configuration example to the fourth configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected.
  • the connector according to the present embodiment is a thermosetting connection material that connects a substrate having a first terminal row, a connector having a second terminal row, and a first terminal row and a second terminal row.
  • the second terminal row is arranged on the bottom surface of the connector to form a step absorbing portion that absorbs the step on the bottom surface, and the thermosetting connecting material provides the solder particles and the flux component. It contains. As a result, the step on the bottom surface can be absorbed, so that the terminal row can be made a fine pitch and the connector can be miniaturized.
  • a short-circuit prevention process (wall, groove, etc.) by a solder resist is not formed between adjacent terminals (space portion) of the first terminal row 11.
  • the height of the terminal surface of the first terminal row 11 may be the same as the substrate surface (the state where the terminals do not protrude and the connection surface is flat), or as shown in FIG. 1, it may protrude from the substrate surface.
  • the first terminal row 11 and the second terminal rows 21A to 21E can be connected by solder particles, and the terminal row can be made into a fine pitch.
  • the connector 20 has a step absorbing portion composed of the second terminal rows 21A to 21E on the surface in contact with the thermosetting connecting material. Since the connector 20 is a resin molded product, the bottom surface of the connector 20 usually has a step (waviness) having a height in the range of about 20 ⁇ m formed by the resin mold at the time of production.
  • the upper limit of the ratio of the average particle size of the solder particles 31 to the minimum value of the distance between adjacent terminals in the first terminal row 11 and the second terminal row 21 is less than 0.15, more preferably 0.1. It is as follows. Further, the terminal height (distance) between the terminal surface of the first terminal row 11 and the substrate surface and the terminal height (distance) between the terminal surface of the second terminal row 21 and the bottom surface of the connector are defined. The minimum value of the total is preferably larger than the average particle size of the solder particles 31.
  • reinforcing metal fittings are formed on the bottom surfaces of the first reinforcing portion 144A and the second reinforcing portion 144B. There are times.
  • the bottom surface of the first reinforcing portion 154A and the second reinforcing portion 154B is similar to the plug 140. , Reinforcing metal fittings may be formed.
  • the receptacle 50 is from the first female type vertical fitting row 51A, the second female type vertical fitting row 51B, and the first female type vertical fitting row 51A.
  • a first terminal row 52A extending inward in the lateral direction extending to the bottom surface and a second terminal row 52B extending inward in the lateral direction extending inward from the second female vertical fitting row 51B to the bottom surface.
  • the first terminal row 52A and the second terminal row 52B project from the bottom surface to form a step absorbing portion having a small variation in the height of the terminal surface. ..
  • the mounting area can be reduced as compared with the so-called centipede type connector of the prior art.
  • the step on the bottom surface of the connector can be absorbed, the terminal row can be made a fine pitch, and the connector can be miniaturized.
  • the bottom surface of the connector is bonded with a thermosetting connecting material, the connector can be further miniaturized because it does not have a reinforcing portion on which a reinforcing metal fitting is formed.
  • thermosetting connection film not only can the amount of bonding material (for example, anisotropic conductive material) be made uniform depending on the film thickness, but also it can be laminated on the substrate all at once, and the tact can be shortened. It is especially preferable because it can be done. In addition, since it is easy to handle by forming it into a film in advance, it can be expected that the work efficiency will be improved.
  • bonding material for example, anisotropic conductive material
  • the minimum melt viscosity of the thermosetting connecting material may be less than 100 Pa ⁇ s, preferably 50 Pa ⁇ s or less, more preferably 30 Pa ⁇ s or less, and further preferably 10 Pa ⁇ s or less. If the minimum melt viscosity is too high, the resin will not melt under no load during reflow, which may hinder the sandwiching between the solder particles and the terminals.
  • the temperature at which the minimum melt viscosity of the thermosetting connection material is reached is preferably ⁇ 10 ° C. to ⁇ 60 ° C., which is the melting point of the solder particles, more preferably ⁇ 10 ° C. to ⁇ 50 ° C., which is the melting point of the solder particles, and more preferably solder.
  • thermosetting connection material preferably has a heat generation peak temperature higher than the melting point of the solder particles, and preferably has a melting temperature lower than the melting point of the solder particles.
  • the exothermic peak temperature can be measured under the conditions of a temperature range of 30 to 250 ° C. and a heating rate of 10 ° C./min by measuring 5 mg or more of the sample with an aluminum pan by differential scanning calorimetry (DSC).
  • the lower limit of the mass ratio range of the blended amount of solder particles is preferably 10 wt% or more, more preferably 20 wt% or more, still more preferably 30 wt% or more, and the upper limit of the mass ratio range of the blended amount of solder particles is 70 wt% or more. Below, it is more preferably 60 wt% or less, still more preferably 50 wt% or less.
  • a blocked carboxylic acid in which the carboxyl group is blocked with an alkyl vinyl ether may be used. Thereby, it is possible to control the temperature at which the flux effect and the curing agent function are exhibited. Further, since the solubility in the resin is improved, it is possible to improve the mixing / coating unevenness at the time of forming a film.
  • thermal anionic polymerization type resin composition containing a solid epoxy resin, a liquid epoxy resin, and an epoxy resin curing agent will be described as an example.
  • the blending amount of the liquid epoxy resin is preferably 160 parts by mass or less, more preferably 100 parts by mass or less, and further preferably 70 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the solid epoxy resin. When the amount of the liquid epoxy resin blended is large, it becomes difficult to maintain the film shape.
  • a second terminal row is arranged on the bottom surface of a substrate having a first terminal row via a thermosetting connecting material containing solder particles and a flux component.
  • a connector having a step absorbing portion for absorbing the step on the bottom surface is placed, and the thermosetting connection material is thermoset at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder particles without pressing the connector to heat the first terminal.
  • Connect the row to the second terminal row As a result, the step on the bottom surface can be absorbed, so that the terminals can be made into a fine pitch and the connector can be miniaturized.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing an example of a substrate
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a thermosetting connecting material is provided on a terminal of the substrate.
  • the thermosetting connection material 33 containing the solder particles 31 is provided on the first terminal row 11 of the substrate 10.
  • the step (A) is a laminating step
  • a thermosetting connection film is laminated on the substrate using a pressure type laminator.
  • the laminating step may be a vacuum pressurization type.
  • the width of the film is restricted by the tool width, but in the laminating process, the heating / pressing tool is not used. It can be expected that a relatively wide width can be mounted all at once.
  • the reflow furnace can be heat-bonded without a load without mechanical pressurization, damage to the substrate 10 and the connector 20 can be suppressed. Further, since there is no load, the amount of movement of the solder particles is small, and it is possible to correspond to a fine pitch terminal row.
  • FIG. 17 (A) is a cross-sectional view showing a first L configuration example (Plug-1 Loop) of the plug
  • FIG. 17 (B) is a cross-sectional view showing a second L configuration example (Plug-2 Loop) of the plug.
  • a connecting portion 85a extending linearly in the horizontal direction (X-axis direction) from the first end portion and being connected to the wiring
  • It is provided with a male vertical fitting portion 85b that extends inwardly of the connecting portion 85a due to the semicircular shape and is connected to the connecting portion 85a by the semicircular shape.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a fourth configuration example (Receptacle-3) of the receptacle.
  • the fourth configuration example is symmetrical with the third configuration example, and has a vertical portion 94a extending linearly from the first end portion in the vertical direction (Y-axis direction) and a vertical portion 94a extending linearly from the vertical portion 94a in the horizontal direction (X-axis direction).
  • a female vertical fitting portion 94c having a portion 94a and a connecting portion 94b as constituent elements is provided. Then, the fourth configuration example is mounted so that the vertical portion 94a is on the outside with respect to the direction of the end portion of the wiring of the second FPC 72.
  • FIG. 23 is a graph showing a transmission signal S21 when the plug of the first configuration example (Plug-1) and the receptacles of the first configuration example to the fourth configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected.
  • 24 is a graph showing the reflected signal S11 when the plug of the first configuration example (Plug-1) and the receptacles of the first configuration example to the fourth configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected.
  • FIG. 25 is a graph showing a transmission signal S21 when the plug of the second configuration example (Plug-2) and the receptacles of the first configuration example to the fourth configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected.
  • 26 is a graph showing the reflected signal S11 when the plug of the second configuration example (Plug-2) and the receptacles of the first configuration example to the fourth configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected.
  • FIG. 31 is a graph showing a transmission signal S21 when the plug of the first L configuration example (Plug-1 Loop) and the receptacles of the first configuration example to the fourth configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected.
  • FIG. 32 shows a reflection signal S11 when the plug of the first L configuration example (Plug-1 Loop) and the receptacles of the first configuration example to the fourth configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected. It is a graph.
  • FIG. 37 is a graph showing a transmission signal S21 when the plug of the 4L configuration example (Plug-4 Loop) and the receptacles of the 1st configuration example to the 4th configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected.
  • FIG. 38 shows a reflection signal S11 when the plug of the 4L configuration example (Plug-4 Loop) and the receptacles of the 1st configuration example to the 4th configuration example (Receptacle-0 to Receptacle-3) are connected. It is a graph.
  • the receptacle of the third configuration example (Receptacle-2) or the fourth configuration example (Receptacle-3) is preferable to the plug of the third L configuration example (Plug-3 Loop), and the receptacle of the fourth L configuration example (Plug-4 Loop) is preferable. It was found that the receptacle of the third configuration example (Receptacle-2) or the fourth configuration example (Receptacle-3) is preferable for the plug.
  • a conductive film (ACF-A) was produced.
  • the minimum melt viscosity of the anisotropic conductive film was 6.1 Pa ⁇ s, and the temperature at which the minimum melt viscosity was reached was 114 ° C.
  • the exothermic peak temperature of the anisotropic conductive film was 163 ° C.
  • a flux compound MEK methyl ethyl ketone dissolved product and an epoxy resin curing agent were mixed with a solid epoxy resin and a liquid epoxy resin dissolved in PMA (propylene glycol monomethyl ether acetate). After the solder particles are dispersed in this mixed solution, it is coated on a PET (polyethylene terephthalate) film so that the thickness after solvent drying with a gap coater is +5 ⁇ m of the average particle size of the solder particles, and is anisotropic. A conductive film (ACF-A) was produced. Drying was carried out under the condition of 70 ° C.-5 min.
  • ACF-C As shown in Table 1, it is anisotropic like ACF-A except that solder particles having an average particle diameter of 10 ⁇ m (MCP-137, 5N Plus inc, Sn-58Bi alloy, solid phase temperature of 138 ° C.) are used.
  • a conductive film (ACF-C) was produced.
  • the minimum melt viscosity of the anisotropic conductive film was 6.1 Pa ⁇ s, and the temperature at which the minimum melt viscosity was reached was 114 ° C.
  • the exothermic peak temperature of the anisotropic conductive film was 163 ° C.
  • Butadiene-acrylonitrile rubber, hydroxyl group-containing acrylic rubber, and microcapsule type amine-based curing agent were mixed with phenoxy resin and liquid epoxy resin dissolved in PMA (propylene glycol monomethyl ether acetate). After the solder particles are dispersed in this mixed solution, it is coated on a PET (polyethylene terephthalate) film so that the thickness after solvent drying with a gap coater is +5 ⁇ m of the average particle size of the solder particles, and is anisotropic. A conductive film (ACF-D) was produced. Drying was carried out under the condition of 70 ° C.-5 min.
  • a flexible printed circuit board (Dexerials Co., Ltd. evaluation FPC, Ni-Au plating) corresponding to the above plug and a rigid substrate (Dexerials evaluation glass epoxy board, 18 ⁇ m thick Cu pattern, Ni-Au plating) corresponding to the above receptacle. ) And prepared.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

ファインピッチ化及び小型化することができる接続体、及び接続体の製造方法を提供する。　接続体は、第１の端子列（１１）を有する基板（１０）と、第２の端子列（２１Ａ）～（２１Ｅ）を有するコネクタ（２０）と、第１の端子列（１１）と第２の端子列（２１）とを接続する熱硬化性接続材料が硬化した接着層（３０）とを備え、第２の端子列（２１Ａ）～（２１Ｅ）が、コネクタ（２０）の底面に配置され、底面の段差を吸収する段差吸収部を形成し、熱硬化性接続材料が、半田粒子とフラックス成分とを含有する。これにより、第１の端子列（１１）と第２の端子列（２１Ａ）～（２１Ｅ）とを接続することができるため、端子列をファインピッチ化することができ、接続体を小型化することができる。

Description

接続体、及び接続体の製造方法
　本技術は、コネクタを実装する接続体、及び接続体の製造方法体に関する。本出願は、日本国において２０２０年３月１９日に出願された日本特許出願番号特願２０２０－０５０２１８及び２０２１年３月１８日に出願された日本特許出願番号特願２０２１－０４４５０５を基礎として優先権を主張するものであり、この出願は参照されることにより、本出願に援用される。
　従来、コネクタの実装は、基板上に半田ペーストを設けるか、又はコネクタの導線部分に半田（ＢＧＡ）を設け、リフローにより半田実装が行われている（例えば特許文献１参照。）。近年、電子機器の小型化の要請から、コネクタのピッチが０．８ｍｍ以下、さらには０．３ｍｍ以下のものが望まれている。
　狭ピッチの端子列を接続する技術として、異方性接続が挙げられるが、コネクタは、一般的に樹脂成型品であるため、異方性接続を行った場合、本圧着時のツールの加圧によりコネクタが変形してしまい、例えばケーブルの差し込みができないことが懸念される。
　また、従来のコネクタの半田実装では、基板側の端子列にソルダーレジストを使用するため、コネクタの端子列のピッチを、さらに狭小化するのは困難である。また、従来のコネクタは、リード端子（ガルウィング端子）が外側に向かって伸びているため、実装面積が大きくなり、実装体の小型化を妨げていた。
特開平１０－２８４１９９号公報
　本技術は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、ファインピッチ化及び小型化することができる接続体、及び接続体の製造方法を提供する。
　本技術に係る接続体は、第１の端子列を有する基板と、第２の端子列を有するコネクタと、前記第１の端子列と前記第２の端子列とを接続する熱硬化性接続材料が硬化した接着層とを備え、前記第２の端子列が、前記コネクタの底面に配置され、該底面の段差を吸収する段差吸収部を形成し、前記熱硬化性接続材料が、半田粒子とフラックス成分とを含有する。
　本技術に係る接続体の製造方法は、第１の端子列を有する基板上に、半田粒子とフラックス成分とを含有する熱硬化性接続材料を介して、底面に第２の端子列が配置され、該底面の段差を吸収する段差吸収部が形成されたコネクタを載置し、前記コネクタを押圧せずに、前記半田粒子の融点以上の温度で前記熱硬化性接続材料を熱硬化させ、前記第１の端子列と前記第２の端子列とを接続する。
　本技術によれば、コネクタの底面に端子列を配置し、底面の段差を吸収することにより、端子列をファインピッチ化することができ、接続体を小型化することができる。
図１は、本実施の形態に係る接続体の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、従来技術に係るプラグの一例を示す上面図である。 図３は、従来技術に係るレセプタクルの一例を示す上面図である 図４は、図２に示すプラグ及び図３に示すレセプタクルのＡ－Ａ断面図である。 図５は、本実施の形態に係るプラグの一例を示す上面図である。 図６は、本実施の形態に係るレセプタクルの一例を示す上面図である。 図７は、図５に示すプラグ及び図６に示すレセプタクルのＡ－Ａ断面図である。 図８は、基板の一例を模式的に示す断面図である。 図９は、基板の端子上に、熱硬化性接続材料を設けた状態を模式的に示す断面図である。 図１０は、基板の端子列とコネクタの端子列との位置合わせを模式的に示す断面図である。 図１１は、基板にコネクタを載置した状態を模式的に示す断面図である 図１２は、基板及びコネクタをリフロー炉にて加熱した状態を模式的に示す断面図である。 図１３は、シミュレーションで用いたコネクタ構造を示す斜視図である。 図１４は、シミュレーションで用いたコネクタ構造の一例を示す断面図である。 図１５（Ａ）は、プラグの第１構成例（Ｐｌｕｇ-１）を示す断面図であり、図１５（Ｂ）は、プラグの第２構成例（Ｐｌｕｇ-２）を示す断面図である。 図１６（Ａ）は、プラグの第３構成例（Ｐｌｕｇ-３）を示す断面図であり、図１６（Ｂ）は、プラグの第４構成例（Ｐｌｕｇ-４）を示す断面図である。 図１７（Ａ）は、プラグの第１Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ-１　Ｌｏｏｐ）を示す断面図であり、図１７（Ｂ）は、プラグの第２Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ-２　Ｌｏｏｐ）を示す断面図である。 図１８（Ａ）は、プラグの第３Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ-３　Ｌｏｏｐ）を示す断面図であり、図１８（Ｂ）は、プラグの第４Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ-４　Ｌｏｏｐ）を示す断面図である。 図１９は、レセプタクルの第１構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０）を示す断面図である。 図２０は、レセプタクルの第２構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－１）を示す断面図である。 図２１は、レセプタクルの第３構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－２）を示す断面図である。 図２２は、レセプタクルの第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）を示す断面図である。 図２３は、第１構成例（Ｐｌｕｇ-１）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフである。 図２４は、第１構成例（Ｐｌｕｇ-１）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。 図２５は、第２構成例（Ｐｌｕｇ-２）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフである。 図２６は、第２構成例（Ｐｌｕｇ-２）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。 図２７は、第３構成例（Ｐｌｕｇ-３）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフである。 図２８は、第３構成例（Ｐｌｕｇ-３）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。 図２９は、第４構成例（Ｐｌｕｇ-４）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフである。 図３０は、第４構成例（Ｐｌｕｇ－４）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。 図３１は、第１Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－１　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフである。 図３２は、第１Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－１　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。 図３３は、第２Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－２　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフである。 図３４は、第２Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－２　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。 図３５は、第３Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－３　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフである。 図３６は、第３Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－３　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。 図３７は、第４Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－４　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフである。 図３８は、第４Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－４　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。
　以下、本技術の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．接続体
２．熱硬化性接続材料
３．接続体の製造方法
４．コネクタ
５．実施例
　＜１．接続体＞
　本実施の形態に係る接続体は、第１の端子列を有する基板と、第２の端子列を有するコネクタと、第１の端子列と第２の端子列とを接続する熱硬化性接続材料が硬化した接着層とを備え、第２の端子列が、コネクタの底面に配置され、底面の段差を吸収する段差吸収部を形成し、熱硬化性接続材料が、半田粒子とフラックス成分とを含有するものである。これにより、底面の段差を吸収することができるため、端子列をファインピッチ化することができ、接続体を小型化することができる。
　接続体を小型化することにより、電子機器の軽量化や小型化を実現することができる。また、スマートフォン、パソコン等の電子機器内部の実装基板の小型化が可能になる。また、バッテリーの大容量化を図ることができる。また、より大きな指紋センサーなどの各種電子部品の大型化による機能拡張を実現することができる。
　また、コネクタの底面が、所定範囲の高さの段差を有する場合、第２の端子列における端子面の高さの最大値と最小値との差が、所定範囲の高さよりも小さいことが好ましい。これにより、コネクタの底面の段差を吸収して第１の端子列と第２の端子列と接続することができる。
　また、第２の端子列における端子面の高さの最大値と最小値との差が、半田粒子の平均粒子径よりも小さいことが好ましい。これにより、端子列をさらにファインピッチ化することができ、接続体をさらに小型化することができる。
　ここで、コネクタとは、嵌合部を有する主に樹脂成型品である。コネクタとしては、例えば、プラグ、レセプタクルの基板対基板用コネクタ、基板対フレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）、フリップロック方式によりＦＰＣを嵌合するＦＰＣ用コネクタなどの表面実装用部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device)が挙げられる。なお、接続体とは、二つの材料または部材が電気的に接続されたものである。
　図１は、本実施の形態に係る接続体の一例を模式的に示す断面図である。図１に示すように、接続体は、接続体は、第１の端子列１１を有する基板１０と、第２の端子列２１Ａ～２１Ｅを有するコネクタ２０と、第１の端子列１１と第２の端子列２１とを接続する熱硬化性接続材料が硬化した接着層３０とを備える。
　基板１０は、コネクタ２０の第２の端子列２１Ａ～２１Ｅに対応する第１の端子列１１を有する。基板１０は、特に限定されるものではなく、所謂プリント配線板（ＰＷＢ）として広義に定義できるものが挙げられ、リジット基板であっても、フレキシブル基板であってもよい。基材種類による基板例としては、例えば、ガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板などが挙げられる。
　また、第１の端子列１１の隣接端子間（スペース部）には、ソルダーレジストによる短絡防止の加工（壁や溝など）が形成されていないことが好ましい。第１の端子列１１の端子面の高さは、基板面と同じ（端子の突出がなく、接続面がフラットな状態）か、図１に示すように、基板面より突出していてもよい。これにより、第１の端子列１１と第２の端子列２１Ａ～２１Ｅとを半田粒子により接続することができ、端子列をファインピッチ化することができる。
　コネクタ２０は、熱硬化性接続材料に接する面に第２の端子列２１Ａ～２１Ｅからなる段差吸収部を有する。コネクタ２０は、樹脂成型品であるため、通常、コネクタ２０の底面には、作製時に樹脂モールドにより形成された２０μｍ程度の範囲の高さの段差（うねり）を有する。
　段差吸収部は、第２の端子列２１Ａ～２１Ｅの端子面の高さを揃え、コネクタ２０の底面の段差を吸収する。第２の端子列２１Ａ～２１Ｅの端子面の高さの最大値と最小値との差は、コネクタ２０の底面の段差及び半田粒子の平均粒子径よりも小さいことが好ましく、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下である。
　ここで、平均粒子径は、金属顕微鏡、光学顕微鏡、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）等の電子顕微鏡などを用いた観察画像において、例えばＮ＝２０以上、好ましくはＮ＝５０以上、さらに好ましくはＮ＝２００以上で測定した粒子の長軸径の平均値であり、粒子が球形の場合は、粒子の直径の平均値である。また、観察画像を公知の画像解析ソフト（「ＷｉｎＲＯＯＦ」：三谷商事（株）、「Ａ像くん（登録商標）」：旭化成エンジニアリング株式会社など）を用いて計測された測定値、画像型粒度分布測定装置（例として、ＦＰＩＡ－３０００（マルバーン社））を用いて測定した測定値（Ｎ＝１０００以上）であってもよい。観察画像や画像型粒度分布測定装置から求めた平均粒子径は、粒子の最大長の平均値とすることができる。なお、熱硬化性接続材料を作製する際には、簡易的にレーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における頻度の累積が５０％になる粒径（Ｄ５０）、算術平均径（体積基準であることが好ましい）などのメーカー値を用いることができる。
　図１に示すように、段差吸収部は、例えば、第２の端子２１Ａ、２１Ｅのように樹脂モールド内部に端子が形成されてもよく、第２の端子２１Ｂ、２１Ｄのように樹脂モールド面に端子が形成されてもよく、第２の端子２１Ｃのように樹脂モールド面から離れて端子が形成されてもよい。段差吸収部は、例えば、コネクタの外側に向かって伸びているリード端子をコネクタの底面に折り曲げ、端子面の高さを揃えることにより形成することができる。また、段差吸収部は、例えば、予め底面に位置するように端子を形成し、樹脂成型することにより形成することができる。また、必要に応じて端子面を研磨し、端子面の高さを揃えてもよい。
　接着層３０は、後述するように、半田粒子３１とフラックス成分とを含有する熱硬化性接続材料が硬化して膜状となったものである。接着層３０は、基板１０の第１の端子列１１とコネクタ２０の第２の端子列２１とが半田接合３２するとともに、基板１０とコネクタとの間を熱硬化性接続材料の熱硬化性バインダーにより接着する。１つの端子面には、複数の半田接合３２の箇所と、熱硬化性バインダーによる接着箇所とが存在することとなる。
　本実施の形態に係る接続体において、第１の端子列１１及び第２の端子列２１における隣接端子間距離（スペース間距離）の最小値の上限は、８００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。また、第１の端子列１１及び第２の端子列２１における隣接端子間の距離の最小値の下限は、３０μｍ以上であり、より好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは７０μｍ以上である。
　また、第１の端子列１１及び第２の端子列２１における隣接端子間距離の最小値に対する半田粒子３１の平均粒子径の比の上限は、０．１５未満であり、より好ましくは０．１以下である。また、第１の端子列１１の端子面と基板面との間の端子高さ（距離）と、第２の端子列２１の端子面とコネクタ底面との間の端子高さ（距離）との合計の最小値は、半田粒子３１の平均粒子径よりも大きいことが好ましい
　また、第１の端子列１１及び第２の端子列２１の端子の表面が金メッキされていても良い。また、基板１０及びコネクタ２０は、リフローにおける耐熱性を備えていることが望ましい。
　本実施の形態に係る接続体によれば、コネクタ２０の底面に第２の端子列２１Ａ～２１Ｅからなる段差吸収部が、底面の段差を吸収することができ、半田粒子による接続ができるため、端子列のファインピッチ化に対応することができ、コネクタを小型化することができる。
　本実施の形態に係る接続体は、半田ペーストやＢＧＡ（Ball grid array）などで広く使われている半田粒子により接続されており、接続信頼性が高いため、センサー機器、ディスクリート部品、各種ＩＣチップ、モジュール、ｅＳｉｍ（Embedded Subscriber Identity Module）、ＳｏＣ（System on a chip）、車載用機器、ＩｏＴ（Internet of Things）機器など、多くの用途に適用することができる。
　図２～図４は、従来技術に係るプラグ、レセプタクルの基板対基板用コネクタの一例を示す図であり、図２は、従来技術に係るプラグの一例を示す上面図であり、図３は、従来技術に係るレセプタクルの一例を示す上面図であり、図４は、図２に示すプラグ及び図３に示すレセプタクルのＡ－Ａ断面図である。
　従来技術に係るプラグ１４０は、第１のオス型の垂直嵌合列１４１Ａと、第２のオス型の垂直嵌合列１４１Ｂと、第１のオス型の垂直嵌合列１４１Ａから底面に伸び、短手方向の外側に伸びた第１のリード端子列１４２Ａと、第２のオス型の垂直嵌合列１４２Ａから底面に伸び、短手方向の外側に伸びた第２のリード端子列１４２Ｂと、これらを固定する絶縁樹脂１４３とを備える。また、従来技術に係るプラグ１４０は、長手方向の一方の端部に設けられた第１の補強部１４４Ａと、長手方向の他方の端部に設けられた第２の補強部１４４Ｂとを備える。第１のリード端子列１４２Ａ及び第２のリード端子列１４２Ｂの半田接合のみでは接着強度が不足するため、第１の補強部１４４Ａ及び第２の補強部１４４Ｂの底面には、補強金具が形成されることがある。
　また、従来技術に係るレセプタクル１５０は、第１のメス型の垂直嵌合列１５１Ａと、第２のメス型の垂直嵌合列１５１Ｂと、第１のメス型の垂直嵌合列１５１Ａから底面に伸び、短手方向の外側に伸びた第１のリード端子列１５２Ａと、第２のメス型の垂直嵌合列１５２Ａから底面に伸び、短手方向の外側に伸びた第２のリード端子列１５２Ｂと、これらを固定する絶縁樹脂１５３とを備える。また、従来技術に係るレセプタクル１５０は、長手方向の一方の端部に設けられた第１の補強部１５４Ａと、長手方向の他方の端部に設けられた第２の補強部１５４Ｂとを備える。第１のリード端子列１５２Ａ及び第２のリード端子列１５２Ｂの半田接合のみでは接着強度が不足するため、プラグ１４０と同様に、第１の補強部１５４Ａ及び第２の補強部１５４Ｂの底面には、補強金具が形成されることがある。
　従来技術に係るプラグ１４０及びレセプタクル１５０は、リード端子列が外側に向かって伸びている所謂ムカデ型のコネクタであり、比較的大きな実装面積が必要であり、接着不足のための補強部がさらに小型化を妨げている。また、コネクタの底面に所定範囲の高さの段差がある場合、半田粒子により接続させるためには、半田粒子の平均粒子径を段差の所定範囲の高さよりも大きくしなければならず、端子列のファインピッチ化を妨げている。
　図５～図７は、本実施の形態に係るプラグ、レセプタクルの基板対基板用コネクタの一例を示す図であり、図５は、本実施の形態に係るプラグの一例を示す上面図であり、図６は、本実施の形態に係るレセプタクルの一例を示す上面図であり、図７は、図５に示すプラグ及び図６に示すレセプタクルのＡ－Ａ断面図である。
　本実施の形態に係るプラグ４０は、第１のオス型の垂直嵌合列４１Ａと、第２のオス型の垂直嵌合列４１Ｂと、第１のオス型の垂直嵌合列４１Ａから底面に伸び、短手方向の内側に伸びた第１の端子列４２Ａと、第２のオス型の垂直嵌合列４１Bから底面に伸び、短手方向の内側に伸びた第２の端子列４２Ｂと、これらを固定する絶縁樹脂４３とを備え、第１の端子列４２Ａ、及び第２の端子列４２Ｂは、底面から突出しており、端子面の高さを同じとする段差吸収部を形成する。
　また、本実施の形態に係るレセプタクル５０は、第１のメス型の垂直嵌合列５１Ａと、第２のメス型の垂直嵌合列５１Ｂと、第１のメス型の垂直嵌合列５１Ａから底面に伸び、短手方向の内側に伸びた第１の端子列５２Ａと、第２のメス型の垂直嵌合列５１Bから底面に伸び、短手方向の内側に伸びた第２の端子列５２Ｂと、これらを固定する絶縁樹脂５３とを備え、第１の端子列５２Ａ、及び第２の端子列５２Ｂは、底面から突出しており、端子面の高さのバラつきが小さい段差吸収部を形成する。
　プラグ４０の第１のオス型の垂直嵌合列４１Ａとレセプタクル５０の第１のメス型の垂直嵌合列５１Ａとは、垂直嵌合するように金属形状が成形され、プラグ４０の第２のオス型の垂直嵌合列４１Ｂとレセプタクル５０の第２のメス型の垂直嵌合列５１Ｂとは、垂直嵌合するように金属形状が成形されている。
　絶縁樹脂４３、５３は、例えばポリアミド、ＬＣＰなどからなり、例えば樹脂成形により、プラグ４０の第１の端子列４２Ａ及び第２の端子列４２Ｂ、並びにレセプタクル５０の第１の端子列５２Ａ及び第２の端子列５２Ｂを固定する。
　すなわち、本実施の形態に係るプラグ、レセプタクルは、端子列がコネクタの底面の外側から内側に延在してなるのに対し、従来技術に係るプラグ、レセプタクルは、端子列がコネクタの底面から外側に延在してなる点で異なる。また、本実施の形態に係るプラグ、レセプタクルは、補強部を有する必要はないのに対し、従来技術に係るプラグ、レセプタクルは、補強部を必ず有する点で異なる。
　本実施の形態に係るプラグ、レセプタクルによれば、端子列を底面に配置することにより、従来技術の所謂ムカデ型のコネクタに比して、実装面積を削減させることができる。また、コネクタの底面の段差を吸収することができるため、端子列をファインピッチ化することができ、コネクタを小型化することができる。また、コネクタの底面を熱硬化性接続材料により接着するため、補強金具が形成された補強部を有しない構成とすることができ、コネクタをさらに小型化することができる。
　＜２．熱硬化性接続材料＞
　本実施の形態に係る熱硬化性接続材料は、半田粒子とフラックス成分とを含有する。フラックス成分が、半田粒子及び端子表面の酸化膜を取り除いたり、溶融半田の表面張力を低下させたりするため、ツールにて熱圧着することなく、無荷重のリフローにて接続させることができる。ここで、無荷重とは、リフロー中に機械的な加圧がない状態をいう。
　熱硬化性接続材料は、フィルム状の熱硬化性接続フィルム、又はペースト状の熱硬化性接続ペーストのいずれであってもよい。また、熱硬化性接続ペーストを接続時にフィルム状にしても、部品を搭載することでフィルムに近い形態としてもよい。
　熱硬化性接続ペーストの場合、基板上に所定量を均一に塗布することができればよく、例えば、ディスペンス、スタンピング、スクリーン印刷等の塗布方法を用いることができ、必要に応じて乾燥させてもよい。この場合、従来用いられているソルダーペーストの設備を流用、改造し応用することで、設備投資を抑えることが期待できる。
　熱硬化性接続フィルムの場合、フィルム厚により接合材料（例えば、異方性導電材料）の量を均一化することができるだけでなく、基板上に一括ラミネートすることができ、タクトを短縮することができるため特に好ましい。また、予めフィルム状とすることで取り扱い易いので作業効率も高くすることが期待できる。
　また、熱硬化性接続フィルムの場合、基板上に一括ラミネートすることができるため、コネクタだけでなく、ディスクリート部品、各種ＩＣチップ、モジュール、ｅＳｉｍ、ＳｏＣ等の各種電子部品を一括して実装することも可能になり、タクトタイムの短縮化や各種電子部品のファインピッチ化を図ることができる。また、各種電子部品のファインピッチ化によって、隣接する実装部品との距離を小さくすることが可能になり、高密度の実装が可能になる。各種電子部品がファインピッチ化することにより、部品が小さくなり、例えば１枚のウェハから切り出される個数が多くなることに繋がり、コストダウンを図ることができる。また、ウェハに限らず、部品が小さくなることによる各種電子部品のコストダウンが可能になる。
　また、熱硬化性接続材料を用いた接続は、上記部品に限定されるものでは無く、ＳＭＴ部品に導電用の接続端子があり、接続端子の高さが底面に対して平坦や凸になっている形状全てに適用することができる。また、熱硬化性接続材料で固定した各種電子部品と、半田ペーストなどの接続材料で固定した各種電子部品とを同時にリフローに投入し、接続することもできる。
　熱硬化性接続材料の最低溶融粘度は、１００Ｐａ・ｓ未満でもよく、好ましくは５０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３０Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１０Ｐａ・ｓ以下である。最低溶融粘度が高すぎると、リフローにおいて無荷重では樹脂溶融が進行せず、半田粒子と端子間の挟持に支障を来す虞がある。また、熱硬化性接続材料の最低溶融粘度到達温度は、好ましくは半田粒子の融点の－１０℃～－６０℃、より好ましくは半田粒子の融点の－１０℃～－５０℃、さらに好ましくは半田粒子の溶点の－１０℃～－４０℃である。これにより、半田溶融前に最低溶融粘度に到達して樹脂を溶融させ、樹脂溶融後に半田粒子を溶融させ、その後、樹脂を硬化させることができるため、良好な半田接合を得ることができる。ここで、熱硬化性接続材料の最低溶融粘度到達温度は、例えば、回転式レオメーター（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製）を用い、測定圧力５ｇ、温度範囲３０～２００℃、昇温速度１０℃／分、測定周波数１０Ｈｚ、測定プレート直径８ｍｍ、測定プレートに対する荷重変動５ｇの条件で測定し、粘度が最低値（最低溶融粘度）となる温度をいう。
　また、熱硬化性接続材料は、発熱ピーク温度が、半田粒子の融点よりも高いことが好ましく、半田粒子の融点よりも低い溶融温度を有するものであることが好ましい。これにより、熱硬化性バインダーの溶融後、半田粒子が端子間に挟持された状態で半田が溶融するため、ファインピッチの端子列を接合させることができる。ここで、発熱ピーク温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）で試料５ｍｇ以上をアルミパンで計量し、温度範囲３０～２５０℃、昇温速度１０℃／分の条件で測定することができる。
　熱硬化性接続材料がフィルム状である場合、熱硬化性接続材料の厚みに対する半田粒子の平均粒子径の比の下限は、好ましくは０．５以上、より好ましくは０．６以上である。これにより、半田粒子の端子間への挟持が容易になり、ファインピッチの端子列に対応することができる。ここで、フィルム厚みは、１μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下を測定できる公知のマイクロメータやデジタルシックネスゲージ（例えば、株式会社ミツトヨ：ＭＤＥ－２５Ｍ、最小表示量０．０００１ｍｍ）を用いて測定することができる。フィルム厚みは、１０箇所以上を測定し、平均して求めればよい。但し、粒子径よりもフィルム厚みが薄い場合には、接触式の厚み測定器は適さないので、レーザー変位計（例えば、株式会社キーエンス、分光干渉変位タイプＳＩ－Ｔシリーズなど）を用いることが好ましい。また、フィルム厚みとは、樹脂層のみの厚みであり、粒子径は含まない。また、平均粒子径は、公知の金属顕微鏡や光学顕微鏡を用いて、フィルム平面視における１ｍｍ２以上の面積を任意に５箇所以上抜き取って、確認することができる。
　［半田粒子］
　半田粒子は、ＪＩＳ Ｚ ３２８２－１９９９に規定されているものであっても、そうでなくても良い、例えば、Ｓｎ－Ｐｂ系、Ｐｂ－Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｂｉ系、Ｂｉ－Ｓｎ系、Ｓｎ－Ｂｉ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇ系、Ｐｂ－Ａｇ系などから、端子材料や接続条件などに応じて適宜選択することができる。
　半田粒子の融点の下限は、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１３０℃以上。半田粒子の融点の上限は、２００℃以下でもよく、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１６０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下である。また、半田粒子は、表面を活性化させる目的でフラックス化合物が直接表面に結合されていても構わない。表面を活性化させることで端子との金属結合を促進することができる。
　半田粒子の平均粒子径は、好ましくは基板の第１の端子列及びコネクタの第２の端子列における端子間距離（スペース間距離）の最小値の０．２倍以下である。半田粒子の平均粒子径が基板の第１の端子列及びコネクタの第２の端子列における端子間距離の最小値の０．２倍より大きくなると、ショートが発生する可能性が高くなる。
　半田粒子の平均粒子径の下限は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。半田粒子の平均粒子径が０．５μｍより小さいと端子と良好な半田接合状態を得ることができず、信頼性が悪化する傾向にある。また、半田粒子の平均粒子径の上限は、５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。
　また、半田粒子の最大径は、平均粒子径の２００％以下、好ましくは平均粒子径の１５０％以下、より好ましくは平均粒子径の１２０％以下とすることができる。半田粒子の最大径が、上記範囲であることにより、半田粒子を端子間に挟持させ、半田粒子の溶融により端子列を接合させることができる。
　また、半田粒子は、複数個が凝集した凝集体であってもよい。複数の半田粒子が凝集した凝集体である場合、凝集体の大きさを前述の半田粒子の平均粒子径と同等にしてもよい。なお、凝集体の大きさは、電子顕微鏡や光学顕微鏡で観察して求めることができる。
　半田粒子の配合量の質量比範囲の下限は、好ましくは１０ｗｔ％以上、より好ましくは２０ｗｔ％以上、さらに好ましくは３０ｗｔ％以上であり、半田粒子の配合量の質量比範囲の上限は、７０ｗｔ％以下、より好ましくは６０ｗｔ％以下、さらに好ましくは５０ｗｔ％以下である。
　半田粒子の配合量が少なすぎると優れた導通性が得られなくなり、配合量が多すぎると端子間の絶縁が損なわれ易くなり、優れた導通信頼性が得られ難くなる。なお、半田粒子が熱硬化型バインダー中に存在する場合には、体積比を用いてもよく、熱硬化性接続材料を製造する場合（半田粒子がバインダーに存在する前）には、質量比を用いてもよい。質量比は、配合物の比重や配合比などから体積比に変換することができる。
　半田粒子は、熱硬化型バインダー中に分散されていることが好ましく、半田粒子はランダム配置であっても、一定の規則で配置されていてもよい。規則的配置の態様としては、正方格子、六方格子、斜方格子、長方格子等の格子配列を挙げることができる。また、半田粒子は、複数個が凝集した凝集体として配置されていてもよい。この場合、熱硬化性接続材料の平面視における凝集体の配置は、前述の半田粒子の配置と同様に、規則的配置でもランダム配置でもよい。
　［フラックス成分］
　フラックス成分としては、例えば、レブリン酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸等のカルボン酸を用いることが好ましい。これにより、良好なはんだ接続を得ることができるとともに、エポキシ樹脂を配合した場合、エポキシ樹脂の硬化剤として機能させることができる。
　また、フラックス化合物として、カルボキシル基がアルキルビニルエーテルでブロック化されたブロック化カルボン酸を用いてもよい。これにより、フラックス効果、及び硬化剤機能が発揮される温度をコントロールすることができる。また、樹脂に対する溶解性が向上するため、フィルム化する際の混合・塗布ムラを改善することができる。
　［熱硬化型バインダー］
　熱硬化型バインダー（絶縁性バインダー）としては、（メタ）アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合型樹脂組成物、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合型樹脂組成物、エポキシ化合物と熱アニオン重合開始剤とを含む熱アニオン重合型樹脂組成物などが挙げられる。また、公知の粘着剤組成物を用いてもよい。なお、（メタ）アクリルモノマーとは、アクリルモノマー、及びメタクリルモノマーのいずれも含む意味である。
　以下では、具体例として、固形エポキシ樹脂と、液状エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤とを含有する熱アニオン重合型樹脂組成物を例に挙げて説明する。
　固形エポキシ樹脂は、常温で固形であり、分子内に１つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等であってもよい。これにより、フィルム形状を維持することができる。ここで、常温とは、ＪＩＳ Ｚ ８７０３で規定する２０℃±１５℃（５℃～３５℃）の範囲である。
　液状エポキシ樹脂は、常温で液状であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等であってもよく、ウレタン変性のエポキシ樹脂であっても構わない。
　液状エポキシ樹脂の配合量は、固形エポキシ樹脂１００質量部に対し、好ましくは１６０質量部以下、より好ましくは１００質量部以下、さらに好ましくは７０質量部以下である。液状エポキシ樹脂の配合量が多くなると、フィルム形状を維持することが困難となる。
　エポキシ樹脂硬化剤は、熱で硬化が開始する熱硬化剤であれば、特に限定されるものではなく、例えば、アミン、イミダゾール等のアニオン系硬化剤、スルホニウム塩等のカチオン系硬化剤が挙げられる。また、硬化剤は、フィルム化させる際に使用される溶剤に対して耐性が得られるようにマイクロカプセル化されていてもよい。
　［他の添加剤］
　熱硬化性接続材料には、上述した絶縁性バインダー及び半田粒子に加えて、本発明の効果を損なわない範囲で、従来、加熱硬化型接着剤で使われている種々の添加剤を配合することができる。添加剤の粒子径は、半田粒子の平均粒子径よりも小さいことが望ましいが、端子間接合を阻害しない大きさであれば特に限定はない。例えば、バランス調整のためにスペーサーを配合してもよい。スペーサーとしては、例えば単分散シリカ（例えば宇部エクシモ株式会社の「ハイプレシカ」）を半田の粒径に合わせて適宜配合しても良い。
　上述の熱硬化性接続材料は、例えば、絶縁性バインダー及び半田粒子を溶剤中で混合し、この混合物を、バーコーターにより、剥離処理フィルム上に所定厚みとなるように塗布した後、乾燥させて溶媒を揮発させることにより得ることができる。また、混合物をバーコーターにより剥離処理フィルム上に塗布した後、加圧により所定厚みとしてもよい。また、半田粒子の分散性を高くするために、溶媒を含んだ状態で高シェアをかけることが好ましい。例えば、公知のバッチ式遊星攪拌装置を用いることができる。また、熱硬化性接続材料の残溶剤量は、好ましくは２％以下、より好ましくは１％以下である。
　＜３．接続体の製造方法＞
　本実施の形態における接続体の製造方法は、第１の端子列を有する基板上に、半田粒子とフラックス成分とを含有する熱硬化性接続材料を介して、底面に第２の端子列が配置され、底面の段差を吸収する段差吸収部が形成されたコネクタを載置し、コネクタを押圧せずに、半田粒子の融点以上の温度で熱硬化性接続材料を熱硬化させ、第１の端子列と第２の端子列とを接続する。これにより、底面の段差を吸収することができるため、端子をファインピッチ化することができ、接続体を小型化することができる。
　以下、図８～図１２を参照して、基板の第１の端子列上に、熱硬化性接続材料を設ける工程（Ａ）、熱硬化性接続材料上にコネクタを載置する工程（Ｂ）、及び、半田粒子の融点以上に設定されたリフロー炉を用いて、基板の第１の端子列とコネクタの第２の端子列とを接合させる工程（Ｃ）について説明する。なお、図１に示す接続体と同様の構成には、同一の符号を付し、ここでは説明を省略する。
　［工程（Ａ）］
　図８は、基板の一例を模式的に示す断面図であり、図９は、基板の端子上に、熱硬化性接続材料を設けた状態を模式的に示す断面図である。図８及び図９に示すように、工程（Ａ）では、基板１０の第１の端子列１１上に、半田粒子３１を含有する熱硬化性接続材料３３を設ける。
　工程（Ａ）は、熱硬化性接続ペーストを基板上にフィルム状にする工程であってもよく、従来の導電フィルムや異方性導電フィルムで用いられているように、熱硬化性接続フィルムを基板上に、低温で貼着する仮貼り工程であってもよく、熱硬化性接続フィルムを基板上にラミネートするラミネート工程であってもよい。
　工程（Ａ）が仮貼り工程の場合、公知の使用条件で基板上に熱硬化性接続フィルムを設けることができる。この場合、従前の装置からツールの設置や変更といった最低限の変更だけですむため、経済的なメリットが得られる。
　工程（Ａ）がラミネート工程の場合、例えば、加圧式ラミネータを用いて熱硬化性接続フィルムを基板上にラミネートする。ラミネート工程は、真空加圧式であってもよい。従来の導電フィルムや異方性導電フィルムの加熱加圧ツールを用いた仮貼りである場合、フィルムの幅がツール幅の制約を受けるが、ラミネート工程の場合、加熱加圧ツールを用いないため、比較的広い幅を一括で搭載できるようになることが期待できる。
　工程（Ａ）において、熱硬化性接続材料の厚みに対する半田粒子の平均粒子径の比の下限は、前述と同様、好ましくは０．６以上、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは０．９以上である。これにより、半田粒子の端子間への挟持が容易になり、ファインピッチの端子列に対応することができる。
　［工程（Ｂ）］
　図１０は、基板の端子列とコネクタの端子列との位置合わせを模式的に示す断面図である。図１０に示すように、工程（Ｂ）では、例えば、ツール６０を用いて、基板１０の端子列１１とコネクタ３０の端子列３１とを位置合わせし、熱硬化性接続材料２０上にコネクタ３０を載置する。ツール６０は、コネクタ２０を吸着する吸着機構を備えることが好ましい。本技術では、半田によるセルフアライメントが期待できないため、工程（Ｂ）では、コネクタ２０を正確にアライメントし、熱硬化性接続材料３３により固定することが望ましい。
　［工程（Ｃ）］
　図１１は、基板にコネクタを載置した状態を模式的に示す断面図であり、図１２は、基板及びコネクタをリフロー炉にて加熱した状態を模式的に示す断面図である。図１１及び図１２に示すように、工程（Ｃ）では、半田粒子３１の融点以上に設定されたリフロー炉を用いて、基板１０の第１の端子列１１とコネクタ２０の第２の端子２１とを接合させる。
　リフロー炉は、機械的な加圧をせずに無荷重で加熱接合させることができるため、基板１０及びコネクタ２０のダメージを抑制することができる。また、無荷重であるため、半田粒子の移動量が小さくなり、ファインピッチの端子列に対応することができる。
　リフロー炉としては、簡便さの点から大気圧リフローが好ましいが、大気圧リフロー、真空リフロー、大気圧オーブン、オートクレーブ（加圧オーブン）などを用いても良い。
　リフロー炉におけるピーク温度（最高到達温度）の下限は、半田粒子が溶融する温度以上であって、熱硬化性バインダーが硬化を始める温度以上であればよく、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１８０℃以上、さらに好ましくは２００℃以上である。また、リフロー炉におけるピーク温度の上限は、３００℃以下、より好ましくは２９０℃以下、さらに好ましくは２８０℃以下である。これにより、基板１０の第１の端子列１１とコネクタ２０の第２の端子列２１とが接合３２させることができる。
　本実施の形態に係る接続体の製造方法によれば、底面の段差を吸収することができるため、端子をファインピッチ化することができ、接続体を小型化することができる。また、熱硬化性接続材料が熱硬化性バインダーの場合、リフロー工程の昇温・維持・降温と、熱硬化性接続材料の熱硬化性の挙動を合わせることにより、リフロー工程における樹脂溶融、端子間での半田粒子の挟持、半田溶融・樹脂硬化を最適化することができる。なお、熱硬化性接続材料の熱硬化性の挙動は、ＤＳＣ測定やレオメーターによる粘度測定により知ることができる。
　＜４．コネクタ＞
　次に、本技術を適用したコネクタの端子構造について説明する。従来のコネクタは、半田による表面実装のため、端子列がコネクタ内部から外側に延在する構造である。このため、スタブと呼ばれる開放端をつくり、周波数特性に悪影響を及ぼす場合がある。例えば、開放端部分は、長さが１／4波長になる周波数で共振を起こして、その周波数の信号レベルが０になるという周波数特性を持つ。
　本技術を適用したコネクタは、端子列が底面から外側に延在する必要がないため、端子構造の自由度が増し、高周波特性に優れた端子構造の選択が可能である。以下、プラグ、レセプタクルの端子構造の組合せについてシミュレーションし、Ｓパラメータ（Scattering parameters）により評価した。
　図１３は、シミュレーションで用いたコネクタ構造を示す斜視図であり、図１４は、シミュレーションで用いたコネクタ構造の一例を示す断面図である。配線板モデルは、配線ピッチ０．３５ｍｍ、配線厚み１８μｍのカバーレイ付きＦＰＣ（Flexible printed circuits）とし、配線幅を最適化した。インピーダンスが１００Ωとなる配線幅は０．２５ｍｍである。
　図１３及び図１４に示すように、コプレーナ差動線路を用いたコネクタ接続において、第１のＦＰＣ７１にプラグ、及び第２のＦＰＣ７２にレセプタクルを実装した場合についてシミュレーションした。プラグは、図１５～図１８に示す形状から選択し、レセプタクルは、図１９～図２２に示す形状から選択し、プラグとレセプタクルとの組み合わせが伝送特性に与える影響について、伝送信号Ｓ２１及び反射信号Ｓ１１により評価した。伝送信号Ｓ２１は、第１のＦＰＣ７１の端子Ａから信号を入力したときに、第２のＦＰＣ７２の端子Ｂに通過する信号であり、絶対値のデシベル表示は、端子Ａから端子Ｂの挿入損失（インサーションロス）を示す。反射信号Ｓ１１は、第１のＦＰＣ７１の端子Ａから信号を入力したときに、端子Ａに反射する信号であり、絶対値のデシベル表示は、端子Ａの反射損失（リターンロス）を示す。
　図１５（Ａ）は、プラグの第１構成例（Ｐｌｕｇ-１）を示す断面図であり、図１５（Ｂ）は、プラグの第２構成例（Ｐｌｕｇ-２）を示す断面図である。第１構成例は、第１端部から水平方向（Ｘ軸方向）に直線状に延び、配線と接続される接続部８１ａと、接続部８１ａから垂直方向（Ｙ軸方向）に曲がり、直線状に延び、半円形状により接続部８１ａの内側に延び、第２の端部となるオス型垂直嵌合部８２ｂとを備える。第２構成例は、第１構成例と左右対称であり、第１端部から水平方向（Ｘ軸方向）に直線状に延び、配線と接続される接続部８２ａと、接続部８２ａから垂直方向（Ｙ軸方向）に曲がり、直線状に延び、半円形状により接続部８２ａの内側に延び、第２の端部となるオス型垂直嵌合部８２ｂとを備える。そして、第１構成例は、第１のＦＰＣ７１の配線の端部の向きと第１端部の向きとを揃えて実装され、第２構成例は、第１のＦＰＣ７１の配線の端部の向きと第１端部の反対向きとを揃えて実装される。
　図１６（Ａ）は、プラグの第３構成例（Ｐｌｕｇ-３）を示す断面図であり、図１６（Ｂ）は、プラグの第４構成例（Ｐｌｕｇ-４）を示す断面図である。第３構成例は、第１端部から水平方向（Ｘ軸方向）に直線状に延び、配線と接続される接続部８３ａと、接続部８３ａから垂直方向（Ｙ軸方向）に曲がり、直線状に延び、半円形状により接続部８３ａの外側に延び、第２の端部となるオス型垂直嵌合部８３ｂとを備える。第４構成例は、第３構成例と左右対称であり、第１端部から水平方向（Ｘ軸方向）に直線状に延び、配線と接続される接続部８４ａと、接続部８４ａから垂直方向（Ｙ軸方向）に曲がり、直線状に延び、半円形状により接続部８４ａの外側に延び、第２の端部となるオス型垂直嵌合部８４ｂとを備える。すなわち、第３構成例及び第４構成例は、それぞれ第１構成例及び第２構成例において、半円形状を接続部８３ａの外側に延ばしたものである。そして、第３構成例は、第１のＦＰＣ７１の配線の端部の向きと第１端部の反対向きとを揃えて実装され、第４構成例は、第１のＦＰＣ７１の配線の端部の向きと第１端部の向きとを揃えて実装される。
　図１７（Ａ）は、プラグの第１Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ-１　Ｌｏｏｐ）を示す断面図であり、図１７（Ｂ）は、プラグの第２Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ-２　Ｌｏｏｐ）を示す断面図である。第１Ｌ構成例は、第１端部から水平方向（Ｘ軸方向）に直線状に延び、配線と接続される接続部８５ａと、接続部８５ａから垂直方向（Ｙ軸方向）に曲がり、直線状に延び、半円形状により接続部８５ａの内側に延び、半円形状により接続部８５ａに繋がるオス型垂直嵌合部８５ｂとを備える。第２Ｌ構成例は、第１Ｌ構成例と左右対称であり、第１端部から水平方向（Ｘ軸方向）に直線状に延び、配線と接続される接続部８６ａと、接続部８６ａから垂直方向（Ｙ軸方向）に曲がり、直線状に延び、半円形状により接続部８６ａの内側に延び、半円形状により接続部８６ａに繋がるオス型垂直嵌合部８６ｂとを備える。すなわち、第１Ｌ構成例及び第２Ｌ構成例は、それぞれ第１構成例及び第２構成例において、第２の端部が半円形状により接続部に繋がったものである。そして、第１Ｌ構成例は、第１のＦＰＣ７１の配線の端部の向きと第１端部の向きとを揃えて実装され、第２Ｌ構成例は、第１のＦＰＣ７１の配線の端部の向きと第１端部の反対向きとを揃えて実装される。
　図１８（Ａ）は、プラグの第３Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ-３　Ｌｏｏｐ）を示す断面図であり、図１８（Ｂ）は、プラグの第４Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ-４　Ｌｏｏｐ）を示す断面図である。第３Ｌ構成例は、第１端部から水平方向（Ｘ軸方向）に直線状に延び、配線と接続される接続部８７ａと、接続部８７ａから垂直方向（Ｙ軸方向）に曲がり、直線状に延び、半円形状により接続部８６ａの外側に延び、半円形状により接続部８６ａに繋がるオス型垂直嵌合部８６ｂとを備える。第４Ｌ構成例は、第３Ｌ構成例と左右対称であり、第１端部から水平方向（Ｘ軸方向）に直線状に延び、配線と接続される接続部８８ａと、接続部８８ａから垂直方向（Ｙ軸方向）に曲がり、直線状に延び、半円形状により接続部８８ａの外側に延び、半円形状により接続部８８ａに繋がるオス型垂直嵌合部８８ｂとを備える。すなわち、第３Ｌ構成例及び第４Ｌ構成例は、それぞれ第３構成例及び第４構成例において、第２の端部が半円形状により接続部に繋がったものである。そして、第３Ｌ構成例は、第１のＦＰＣ７１の配線の端部の向きと第１端部の反対向きとを揃えて実装され、第４Ｌ構成例は、第１のＦＰＣ７１の配線の端部の向きと第１端部の向きとを揃えて実装される。
　図１９は、レセプタクルの第１構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０）を示す断面図である。第１構成例は、第１端部から水平方向（Ｘ軸方向）に直線状に延び、配線と接続される接続部９１ａと、接続部９１ａから垂直方向（Ｙ軸方向）に曲がり、直線状に延びる垂直部９１ｂと、垂直部９１ｂから半円形状により接続部９１ａの外側に垂直方向（Ｙ軸方向）に直線状に延び、水平方向（Ｘ軸方向）に外側に曲がり、直線状に延び、再び垂直方向（Ｙ軸方向）に内側に曲がり、更に内側に曲がり、半円形状により第２の端部となるメス型垂直嵌合部９１ｃとを備える。そして、第１構成例は、第２のＦＰＣ７２の配線の端部の向きと第１端部の反対向きとを揃えて実装される。
　図２０は、レセプタクルの第２構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－１）を示す断面図である。第２構成例は、第１端部から水平方向（Ｘ軸方向）に直線状に延び、配線と接続される接続部９２ａと、接続部９２ａから垂直方向（Ｙ軸方向）に曲がり、直線状に延びる垂直部９２ｂと、垂直部９２ｂから半円形状により接続部９２ａの内側に垂直方向（Ｙ軸方向）に直線状に延び、水平方向（Ｘ軸方向）に外側に曲がり、直線状に延び、再び垂直方向（Ｙ軸方向）に内側に曲がり、更に内側に曲がり、半円形状により第２の端部となるメス型垂直嵌合部９２ｃとを備える。すなわち、第２構成例は、第１構成例において、接続部がメス型垂直嵌合部側に曲がったものである。そして、第２構成例は、第２のＦＰＣ７２の配線の端部の向きと第１端部の向きとを揃えて実装される。
　図２１は、レセプタクルの第３構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－２）を示す断面図である。第３構成例は、第１端部から垂直方向（Ｙ軸方向）に直線状に延びる垂直部９３ａと、垂直部９３ａから水平方向（Ｘ軸方向）に曲がり、直線状に延び、配線と接続される接続部９３ｂと、接続部９３ｂから垂直方向（Ｙ軸方向）に内側に曲がり、更に内側に曲がり、半円形状により第２の端部となり、垂直部９３ａと接続部９３ｂとを構成要素とするメス型垂直嵌合部９３ｃとを備える。そして、第３構成例は、第２のＦＰＣ７２の配線の端部の向きに対して垂直部９３ａが内側になるように実装される。
　図２２は、レセプタクルの第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）を示す断面図である。第４構成例は、第３構成例と左右対称であり、第１端部から垂直方向（Ｙ軸方向）に直線状に延びる垂直部９４ａと、垂直部９４ａから水平方向（Ｘ軸方向）に曲がり、直線状に延び、配線と接続される接続部９４ｂと、接続部９４ｂから垂直方向（Ｙ軸方向）に内側に曲がり、更に内側に曲がり、半円形状により第２の端部となり、垂直部９４ａと接続部９４ｂとを構成要素とするメス型垂直嵌合部９４ｃとを備える。そして、第４構成例は、第２のＦＰＣ７２の配線の端部の向きに対して垂直部９４ａが外側になるように実装される。
　［第１構成例～第４構成例（Ｐｌｕｇ-１～Ｐｌｕｇ-４）の高周波特性］
　図２３は、第１構成例（Ｐｌｕｇ-１）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフであり、図２４は、第１構成例（Ｐｌｕｇ-１）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。
　図２５は、第２構成例（Ｐｌｕｇ-２）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフであり、図２６は、第２構成例（Ｐｌｕｇ-２）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。
　図２７は、第３構成例（Ｐｌｕｇ-３）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフであり、図２８は、第３構成例（Ｐｌｕｇ-３）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ-３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。
　図２９は、第４構成例（Ｐｌｕｇ-４）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフであり、図３０は、第４構成例（Ｐｌｕｇ－４）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。
　図２３～図３０に示すグラフより、プラグ、レセプタクルの端子構造の組合せは、例えば、第１構成例（Ｐｌｕｇ－１）のプラグに対して第１構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０）又は第２構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－１）のレセプタクルが好ましく、第２構成例（Ｐｌｕｇ－２）のプラグに対して第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルが好ましく、第３構成例（Ｐｌｕｇ－３）のプラグに対して第１構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０）又は第２構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－１）のレセプタクルが好ましく、第４構成例（Ｐｌｕｇ－４）のプラグに対して第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルが好ましいことが分かった。
　［第１Ｌ構成例～第４Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－１　Ｌｏｏｐ～Ｐｌｕｇ－４　Ｌｏｏｐ）の高周波特性］
　図３１は、第１Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－１　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフであり、図３２は、第１Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－１　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。
　図３３は、第２Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－２　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフであり、図３４は、第２Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－２　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。
　図３５は、第３Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－３　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフであり、図３６は、第３Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－３　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。
　図３７は、第４Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－４　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の伝送信号Ｓ２１を示すグラフであり、図３８は、第４Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－４　Ｌｏｏｐ）のプラグと第１構成例～第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０～Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルとを接続した場合の反射信号Ｓ１１を示すグラフである。
　図３１～図３８に示すグラフより、プラグ、レセプタクルの端子構造の組合せは、例えば、第１Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－１　Ｌｏｏｐ）のプラグに対して第３構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－２）又は第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルが好ましく、第２Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－２　Ｌｏｏｐ）のプラグに対して第３構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－２）又は第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルが好ましく、第３Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－３　Ｌｏｏｐ）のプラグに対して第３構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－２）又は第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルが好ましく、第４Ｌ構成例（Ｐｌｕｇ－４　Ｌｏｏｐ）のプラグに対して第３構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－２）又は第４構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－３）のレセプタクルが好ましいことが分かった。
　［シミュレーション評価］
　従来の半田実装では、端子がコネクタの底面から外側に延在する構造であり、第４構成例（Ｐｌｕｇ－４）のプラグと第１構成例（Ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ－０）のレセプタクルとの接続、及びその反転の組み合わせしかない。また、半田実装用のコネクタは、両端子の片側は必ず電気の流れの進行方向は片側が逆になるのでスタブが発生する。また、従来の半田実装は、半田のＺ方向の厚みが０．１～１ｍｍと高く、高周波特性に向かないものである。
　一方、本技術に係る熱硬化性接続材料を用いた接続では、端子がコネクタの底面から外側に延在する必要がなくなり、コネクタは両端子に対して端子の向きを選択することを可能にし、電流の流れの進行方向を選択することを可能にし、スタブの影響を少なくし高周波特性を向上させることができる。また、プラグをループ構造にすることにより、スタブの影響を更に少なくすることができる。また、熱硬化性接続材料の厚みは１～３０μｍと半田の厚みの１０分の１程度小さく、高周波特性を改善することができる。
　本技術によれば、これまでのＢ２Ｂコネクタでは、使用できなかった高周波対応の領域を使用可能とし、その領域を広げることができる。このため、スマホ等の通信向け電子機器に高周波特性の優れたコネクタを使用できるようになる。また、高周波対応コネクタを使用することにより、基板が壊れた時に基板の交換での対応を、同軸コネクタより安価に実現することができる。
　＜５．実施例＞
　本実施例では、熱硬化性接続材料として半田粒子を含有する異方性導電フィルムを作製した。そして、異方性導電フィルムを用いて、プラグ、レセプタクルの基板対基板用のコネクタをそれぞれ基板に実装し、実装体の初期の導通評価、及び挿抜試験後の導通評価を行った。なお、本実施例は、これらに限定されるものではない。
　［初期の導通評価］
　プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルについて、コネクタの端子とそれに対応する基板の端子との間に、電流１ｍＡを流したときの抵抗値を測定し、中央値を算出した。抵抗値の中央値が１．０Ω以下である実装体を「ＯＫ」と評価し、それ以外の実装体を「ＮＧ」と評価した。
　［挿抜試験後の導通評価］
　プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルを用いて、１０回挿抜試験を行った。挿抜試験後のプラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルについて、初期の導通評価と同様に評価を行った。
　［ＡＣＦ－Ａの作製］
　表１に示すように、固形エポキシ樹脂（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、三菱ケミカル（株）、ＪＥＲ４００７Ｐ、軟化点１０８℃）を８０質量部、液状エポキシ樹脂（ジシクロペンタジエン骨格エポキシ樹脂、ＡＤＥＫＡ（株）、ＥＰ４０８８Ｌ）を２０質量部、エポキシ樹脂硬化剤（イミダゾール系硬化剤、四国化成工業（株）、キュアゾール２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ）を５質量部、フラックス化合物（グルタル酸（１，３－プロパンジカルボン酸）、東京化成（株））を３質量部、及び平均粒子径３０μｍの半田粒子（ＭＣＰ－１３７、５Ｎ Ｐｌｕｓ ｉｎｃ、Ｓｎ－５８Ｂｉ合金、固相線温度１３８℃）を５０質量部配合し、異方性導電フィルム（ＡＣＦ－Ａ）を作製した。異方性導電フィルムの最低溶融粘度は６．１Ｐａ・ｓであり、最低溶融粘度到達温度は１１４℃であった。また、異方性導電フィルムの発熱ピーク温度は１６３℃であった。
　ＰＭＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）に溶解した固形エポキシ樹脂及び液状エポキシ樹脂に、フラックス化合物のＭＥＫ（メチルエチルケトン）溶解品、エポキシ樹脂硬化剤を混合した。この混合溶液に、半田粒子を分散させた後、ギャップコーターにて溶剤乾燥後の厚みが半田粒子の平均粒子径の＋５μｍになるようにＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）フィルム上に塗布し、異方性導電フィルム（ＡＣＦ－Ａ）を作製した。乾燥は７０℃－５ｍｉｎの条件で行った。
　［ＡＣＦ－Ｂの作製］
　表１に示すように、平均粒子径２０μｍの半田粒子（ＭＣＰ－１３７、５Ｎ Ｐｌｕｓ ｉｎｃ、Ｓｎ－５８Ｂｉ合金、固相線温度１３８℃）を用いた以外は、ＡＣＦ－Ａと同様に異方性導電フィルム（ＡＣＦ－Ｂ）を作製した。異方性導電フィルムの最低溶融粘度は６．１Ｐａ・ｓであり、最低溶融粘度到達温度は１１４℃であった。また、異方性導電フィルムの発熱ピーク温度は１６３℃であった。
　［ＡＣＦ－Ｃの作製］
　表１に示すように、平均粒子径１０μｍの半田粒子（ＭＣＰ－１３７、５Ｎ Ｐｌｕｓ ｉｎｃ、Ｓｎ－５８Ｂｉ合金、固相線温度１３８℃）を用いた以外は、ＡＣＦ－Ａと同様に異方性導電フィルム（ＡＣＦ－Ｃ）を作製した。異方性導電フィルムの最低溶融粘度は６．１Ｐａ・ｓであり、最低溶融粘度到達温度は１１４℃であった。また、異方性導電フィルムの発熱ピーク温度は１６３℃であった。
　［ＡＣＦ－Ｄの作製］
　表１に示すように、液状エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製：ＥＰ８２８）を１５質量部、フェノキシ樹脂（新日鐵化学株式会社製：ＹＰ５０）を２０質量部、ブタジエン－アクリロニトリルゴム（品名：ＸＥＲ－９１、ＪＳＲ社製）１８質量部、水酸基含有アクリルゴム（品名：ＳＧ－８０Ｈ、ナガセケムテックス社製）４質量部、マイクロカプセル型アミン系硬化剤（旭化成イーマテリアルズ株式会社製：ノバキュアＨＸ３９４１ＨＰ）を４０質量部、及び平均粒子径３０μｍの半田粒子（ＭＣＰ－１３７、５Ｎ Ｐｌｕｓ ｉｎｃ、Ｓｎ－５８Ｂｉ合金、固相線温度１３８）を５０質量部配合し、異方性導電フィルム（ＡＣＦ－Ｄ）を作製した。
　ＰＭＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）に溶解したフェノキシ樹脂及び液状エポキシ樹脂に、ブタジエン－アクリロニトリルゴム、水酸基含有アクリルゴム、及びマイクロカプセル型アミン系硬化剤を混合した。この混合溶液に、半田粒子を分散させた後、ギャップコーターにて溶剤乾燥後の厚みが半田粒子の平均粒子径の＋５μｍになるようにＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）フィルム上に塗布し、異方性導電フィルム（ＡＣＦ－Ｄ）を作製した。乾燥は７０℃－５ｍｉｎの条件で行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 
　＜実施例１＞
　プラグ、レセプタクルの基板対基板用のコネクタ（ヒロセ（株）、ＢＭ２３ＦＲ０．６－２０ＤＳ／ＤＰ）を準備した。コネクタの底面には、２０μｍ程度の段差（うねり）があった。そして、図２～図４に示すように、プラグ、レセプタクルの各コネクタについて、コネクタの外側に向かって伸びているリード端子をコネクタの底面に折り曲げ、端子面の高さを揃えた。端子面とコネクタ底面との間の最小の高さ（距離）は５０μｍであった。また、図２、３に示すように、プラグ、レセプタクルの各コネクタについて、補強部を削り取った。
　また、上記プラグに対応するフレキシブルプリント基板（デクセリアルズ（株）評価用ＦＰＣ、Ｎｉ－Ａｕメッキ）と、上記レセプタクルに対応するリジッド基板（デクセリアルズ評価用ガラスエポキシ基板、１８μｍ厚Ｃｕパターン、Ｎｉ－Ａｕメッキ)とを準備した。
　プラグをフレキシブル基板上に異方性導電フィルムを介してアライメントして無加重－常温にて固定した。また、レセプタクルをリジット基板上に異方性導電フィルムを介してアライメントして無加重－常温にて固定した。そして、リフローにより、プラグをフレキシブル基板上に実装し、レセプタクルをリジット基板上に実装し、プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実施例１の実装体サンプルを作製した。リフロー条件は、１５０℃～２６０℃－１００ｓｅｃ、ピークトップ２６０℃とした。表２に、プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルの初期の導通評価結果、及び挿抜試験後の導通評価結果を示す。
　＜実施例２＞
　異方性導電フィルムとして、ＡＣＦ－Ｂを用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２のプラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルを作製した。表２に、プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルの初期の導通評価結果、及び挿抜試験後の導通評価結果を示す。
　＜実施例３＞
　異方性導電フィルムとして、ＡＣＦ－Ｃを用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例３のプラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルを作製した。表２に、プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルの初期の導通評価結果、及び挿抜試験後の導通評価結果を示す。
　＜比較例１＞
　異方性導電フィルムとして、ＡＣＦ－Ｄを用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例１のプラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルを作製した。表２に、プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルの初期の導通評価結果、及び挿抜試験後の導通評価結果を示す。
　＜比較例２＞
　異方性導電フィルムとして、ＡＣＦ－Ｂを準備した。
　プラグ、レセプタクルの基板対基板用のコネクタ（ヒロセ（株）、ＢＭ２３ＦＲ０．６－２０ＤＳ／ＤＰ）を準備した。コネクタの底面には、２０μｍ程度の段差（うねり）があった。プラグ、レセプタクルの各コネクタの外側に向かって伸びているリード端子、及び補強部は、そのままにした。
　また、上記プラグに対応するフレキシブルプリント基板（デクセリアルズ（株）評価用ＦＰＣ、Ｎｉ－Ａｕメッキ、）と、上記レセプタクルに対応するリジッド基板（デクセリアルズ評価用ガラスエポキシ基板、Ｎｉ－Ａｕメッキ)とを準備した。
　プラグをフレキシブル基板上に異方性導電フィルムを介してアライメントして無加重－常温にて固定した。また、レセプタクルをリジット基板上に異方性導電フィルムを介してアライメントして無加重－常温にて固定した。そして、リフローにより、プラグをフレキシブル基板上に実装し、レセプタクルをリジット基板上に実装し、プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの比較例２の実装体サンプルを作製した。リフロー条件は、１５０℃～２６０℃－１００ｓｅｃ、ピークトップ２６０℃とした。表２に、プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルの初期の導通評価結果、及び挿抜試験後の導通評価結果を示す。
　＜比較例３＞
　異方性導電フィルムとして、ＡＣＦ－Ｃを用いた以外は、比較例２と同様にして、比較例３のプラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルを作製した。表２に、プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルの初期の導通評価結果、及び挿抜試験後の導通評価結果を示す。
　＜比較例４＞
　異方性導電フィルムとして、ＡＣＦ－Ｄを用いた以外は、比較例２と同様にして、比較例４のプラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルを作製した。表２に、プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルの初期の導通評価結果、及び挿抜試験後の導通評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　比較例１及び比較例４で使用されたＡＣＦ－Ｄは、熱圧着用であり、フラックス化合物が配合されていないため、プラグの実装体サンプル、及びレセプタクルの実装体サンプルの初期の導通が取れず、接続することができなかった。比較例２及び比較例３で使用されたプラグ、レセプタクルの基板対基板用のコネクタは、リード端子が外側に向かって伸びているため、大きな実装面が必要であった。また、比較例２及び比較例３で使用されたプラグ、レセプタクルの基板対基板用のコネクタは、コネクタ底面の段差により接続することができなかった。
　一方、実施例１～３で使用されたプラグ、レセプタクルの基板対基板用のコネクタは、コネクタ底面に端子列を有し、コネクタ底面の段差を吸収し、異方性導電フィルムが、半田粒子とフラックス化合物とを含有するため、接続することができた。このため、端子列をファインピッチ化することができ、コネクタを小型化することができる。
　実施例１～３で使用されたレセプタクルは、１２０μｍ×１７０μｍの接続面積で、Ｌ（Line）／Ｓ（Space）＝１２０μｍ／２３０μｍであるが、平均粒子径１０μｍの半田粒子を使用することで、原理上、Ｌ／Ｓを５０μｍ／５０μｍ、Ｌｉｎｅ長さを２００μｍとした接続面積１００００μｍ２（５０μｍ×２００μｍ）までファインピッチ化することが可能である。
　１０　基板、１１　第１の端子列、２０　コネクタ、２１　第２の端子列、３０　熱硬化性接続材料、３１　半田粒子、３２　半田接合、３３　熱硬化性接続材料、４０　プラグ、４１Ａ　第１のオス型の垂直嵌合列、４１Ｂ　第２のオス型の垂直嵌合列、４２Ａ　第１の端子列、４２Ｂ　第２の端子列、４３　絶縁樹脂、５０　レセプタクル、５１Ａ　第１のメス型の垂直嵌合列、５１Ｂ　第２のメス型の垂直嵌合列、５２Ａ　第１の端子列、５２Ｂ　第２の端子列、５３　絶縁樹脂、６０　ツール、７１　第１のＦＰＣ、７２　第２のＦＰＣ、８１ａ，８２ａ　接続部、８１ｂ，８２ｂ　オス型垂直嵌合部、８３ａ，８４ａ　接続部、８３ｂ，８４ｂ　オス型垂直嵌合部、８５ａ，８６ａ　接続部、８５ｂ，８６ｂ　オス型垂直嵌合部、８７ａ，８８ａ　接続部、８７ｂ，８８ｂ　オス型垂直嵌合部、９１ａ，９２ａ　接続部、９１ｂ，９２ｂ　垂直部、９１ｃ，９２ｃ　メス型垂直嵌合部、９３ａ，９４ａ　垂直部、９３ｂ，９４ｂ　接続部、９３ｃ，９４ｃ　メス型垂直嵌合部、１４０　プラグ、１４１Ａ　第１のオス型の垂直嵌合列、１４１Ｂ　第２のオス型の垂直嵌合列、１４２Ａ　第１のリード端子列、１４２Ｂ　第２のリード端子列、１４３　絶縁樹脂、１５０　レセプタクル、１５１Ａ　第１のメス型の垂直嵌合列、１５１Ｂ　第２のメス型の垂直嵌合列、１５２Ａ　第１のリード端子列、１５２Ｂ　第２のリード端子列、１５３　絶縁樹脂
 

Claims (15)

  1. 　第１の端子列を有する基板と、
    　第２の端子列を有するコネクタと、
    　前記第１の端子列と前記第２の端子列とを接続する熱硬化性接続材料が硬化した接着層とを備え、
    　前記第２の端子列が、前記コネクタの底面に配置され、該底面の段差を吸収する段差吸収部を形成し、
    　前記熱硬化性接続材料が、半田粒子とフラックス成分とを含有する、接続体。
  2. 　前記コネクタの底面が、所定範囲の高さの段差を有し、
    　前記第２の端子列における端子面の高さの最大値と最小値との差が、前記所定範囲の高さよりも小さい、請求項１記載の接続体。
  3. 　前記第２の端子列における端子面の高さの最大値と最小値との差が、前記半田粒子の平均粒子径よりも小さい、請求項１又は２記載の接続体。
  4. 　前記第２の端子列が、前記コネクタの底面の外側から内側に延在してなる、請求項１乃至３に記載の接続体。
  5. 　前記半田粒子の平均粒径が、３０μｍ以下である、請求項１乃至４に記載の接続体。
  6. 　前記第２の端子列における最小端子間距離が、０．８ｍｍ以下である、請求項１乃至５に記載の接続体。
  7. 　前記コネクタが、補強部を有しない、請求項１乃至６に記載の接続体。
  8. 　前記請求項１乃至７記載の接続体に用いる、コネクタ。
  9. 　前記請求項１乃至７記載の接続体に用いる、熱硬化性接続材料。
  10. 　第１の端子列を有する基板上に、半田粒子とフラックス成分とを含有する熱硬化性接続材料を介して、底面に第２の端子列が配置され、該底面の段差を吸収する段差吸収部が形成されたコネクタを載置し、
    　前記コネクタを押圧せずに、前記半田粒子の融点以上の温度で前記熱硬化性接続材料を熱硬化させ、前記第１の端子列と前記第２の端子列とを接続する、接続体の製造方法。
  11. 　前記熱硬化が、リフローにより行われる、請求項１０記載の接続体の製造方法。
  12. 　前記半田粒子の平均粒径が、３０μｍ以下である、請求項１０又は１１記載の接続体の製造方法。
  13. 　前記第２の端子列における最小端子間距離が、０．８ｍｍ以下である、請求項１０乃至１２記載の接続体の製造方法。
  14. 　所定高さの段差を有する底面に配置された端子列を備え、
    　前記端子列における端子面の高さの最大値と最小値との差が、前記段差の高さよりも小さい、コネクタ。
  15. 　前記端子列が、前記コネクタの底面の外側から内側に延在してなる、請求項１４記載のコネクタ。
     
PCT/JP2021/011169 2020-03-19 2021-03-18 接続体、及び接続体の製造方法 WO2021187591A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/910,987 US20230198186A1 (en) 2020-03-19 2021-03-18 Connection body and method for manufacturing connection body
CN202180019795.9A CN115244786A (zh) 2020-03-19 2021-03-18 连接体以及连接体的制造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-050218 2020-03-19
JP2020050218 2020-03-19
JP2021044505A JP2021153049A (ja) 2020-03-19 2021-03-18 接続体、及び接続体の製造方法
JP2021-044505 2021-03-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021187591A1 true WO2021187591A1 (ja) 2021-09-23

Family

ID=77770995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/011169 WO2021187591A1 (ja) 2020-03-19 2021-03-18 接続体、及び接続体の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230198186A1 (ja)
TW (1) TW202141721A (ja)
WO (1) WO2021187591A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0615269U (ja) * 1992-07-28 1994-02-25 太陽誘電株式会社 混成集積回路装置用リードアレイ
JPH08508610A (ja) * 1994-01-27 1996-09-10 ロックタイト（アイルランド）リミテッド ２つの導体セットの間に異方性電導性の通路及び結合体を提供する組成物と方法
WO2016114160A1 (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、その製造方法及び接続構造体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0615269U (ja) * 1992-07-28 1994-02-25 太陽誘電株式会社 混成集積回路装置用リードアレイ
JPH08508610A (ja) * 1994-01-27 1996-09-10 ロックタイト（アイルランド）リミテッド ２つの導体セットの間に異方性電導性の通路及び結合体を提供する組成物と方法
WO2016114160A1 (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、その製造方法及び接続構造体

Also Published As

Publication number Publication date
US20230198186A1 (en) 2023-06-22
TW202141721A (zh) 2021-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101082238B1 (ko) 접합체, 이 접합체의 제조 방법, 및 이 접합체에 이용되는 이방성 도전막
TWI476266B (zh) 異方性導電膏
KR101982034B1 (ko) 이방성 도전성 페이스트 및 그것을 사용한 전자부품의 접속방법
WO2015125778A1 (ja) 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法
KR101886909B1 (ko) 이방성 도전 접속 재료, 접속 구조체, 접속 구조체의 제조 방법 및 접속 방법
JP2011192651A (ja) 異方性導電フィルム、接続方法及び接続構造体
JP6949258B2 (ja) 接続体の製造方法及び接続体
WO2021157490A1 (ja) 接続体の製造方法及び接続体
WO2021187591A1 (ja) 接続体、及び接続体の製造方法
TWI663900B (zh) 連接構造體之製造方法
JP5609492B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2021153049A (ja) 接続体、及び接続体の製造方法
TWI717416B (zh) 焊劑接合材料、連接構造體及連接構造體之製造方法
WO2021079812A1 (ja) 接続体の製造方法、異方性導電接合材料、及び接続体
CN116438269A (zh) 导电性粘接剂、各向异性导电膜、连接结构体以及连接结构体的制造方法
JPWO2017130892A1 (ja) 導電材料及び接続構造体
JP2023079630A (ja) 接続構造体の製造方法及び接続構造体
KR20200125439A (ko) 마이크로 led 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 페이스트, 이를 포함하는 마이크로 led 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법
JP5438450B2 (ja) 導電性微粒子、異方性導電材料、及び、接続構造体
JP2023092710A (ja) 接続構造体及び接続構造体の製造方法
JP2023079632A (ja) 接続構造体、及び接続構造体の製造方法
TW202223031A (zh) 導電性接著劑、異向性導電膜、連接結構體、及連接結構體之製造方法
CN114250043B (zh) 自熔接型导电连接材料、包括其的键合模块及其制造方法
JP2017017318A (ja) 接続構造体の製造方法及び接続構造体
JP2017022112A (ja) 接続構造体

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21772254

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21772254

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1