KR100766624B1 - 회로 패턴 검사 장치 및 회로 패턴 검사 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 과제는 확실하면서 또한 용이하게 회로 기판의 불량을 검출할 수 있는 회로 검사 장치를 제공하는 것이다.

열 형상으로 배치된 도전성 패턴(20)과 용량 결합되어 있는 급전부(30)로부터 도전성 패턴(20) 중 하나에 검사 신호를 공급하고, 이 검사 신호를 열 형상 도전성 패턴(20)의 모든 타단부와 용량 결합된 오픈 센서(40)로 검출하여 출력이 크게 저하되어 있는 경우에 패턴 단선으로 하고, 열 형상 도전성 패턴(20)의 2열분의 패턴부와 용량 결합된 급전부(30)에 오프셋한 쇼트 센서(50)라도 검사 신호를 검출하여 검출 신호가 크게 상승 및 하강한 경우에 패턴 단락으로서 패턴의 좋고 나쁨을 검사한다.

열 형상 도전성 패턴, 급전부, 오픈 센서, 쇼트 센서, 검사 신호 생성부

Description

회로 패턴 검사 장치 및 회로 패턴 검사 방법 {Circuit Pattern Inspection Device and Circuit Pattern Inspection Method}

본 발명은 기판 상에 배치된 도전성 패턴, 예를 들어 유리 기판 상에 형성된 열 형상 도전성 패턴의 좋고 나쁨을 검사 가능한 회로 패턴 검사 장치 및 회로 패턴 검사 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.

기판 상에 형성된 회로간 패턴의 좋고 나쁨을 검사하기 위해, 종래에는 검사하고자 하는 도전성 패턴의 한 쪽 단부에 프로우브를 접촉시켜 검사 신호를 공급하고, 타단부에 접촉한 검사 프로우브로부터 검사 신호가 검출되면 도통 상태, 검출되지 않으면 단선(오픈)이라고 판단하였다.

또는, 검사하고자 하는 도전성 패턴의 한 쪽 단부로부터 검사 신호를 공급하여 타단부로부터 검사 신호가 검출되는 것을 확인하는 한편, 검사 프로우브로 검사하고자 하는 도전성 패턴에 인접하는 패턴의 타단부로부터도 검출 신호가 검출되는지를 판단하여 인접하는 패턴과의 단락(쇼트 상태)을 검출하였다.

그러나, 종래의 것은 패턴과 프로우브가 접촉함으로써, 패턴부와 프로우브와의 분자 교환이나 손상이 발생되고, 공작물 성능에 악영향이 발생되었다. 또한, 미세한 먼지에 의해 프로우브가 관통되지 않으면, 정상품이라도 단선이라 판정될 가능성이 있었다.

또한, 온도 변화에 의해 대상 공작물의 형상 변화가 발생되면, 프로우빙이 매우 곤란해져 측정 오류가 발생되는 등의 결점이 발생되었다.

또한, 단락 상태를 검출할 때에는, 특정한 도전성 패턴에만 검출 신호를 공급하지 않으면 인접하는 패턴의 단락 상태를 조사할 수 없어, 구성이 복잡하며 검출 제어도 복잡하였다.

본 발명은 상술한 과제를 해결하는 것을 목적으로 이루어진 것으로, 상술한 과제를 해결하여, 예를 들어 도전성 패턴에의 검출 신호의 공급에 제약이 적어 간단한 구성이고, 또한 간단한 검출 제어로 확실하게 열 형상 패턴의 좋고 나쁨을 검사할 수 있는 회로 패턴 검사 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

이러한 목적을 달성하는 하나의 수단으로서 예를 들어 이하의 구성을 구비한다.

즉, 기판 상에 배치된 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 검사하는 회로 패턴 검사 장치이며, 상기 열 형상 도전성 패턴 한 쪽 선단부에 검사 신호를 공급하는 검사 신호 공급 수단과, 상기 검사 신호 공급 수단에 의해 상기 검사 신호가 공급되는 도전성 패턴 중 하나의 도전성 패턴의 타단부로부터 상기 검사 신호를 검출하는 제1 검출 수단과, 상기 제1 검출 수단에 의해 상기 검사 신호가 검출되는 상기 열 형상 도전성 패턴과는 다른, 인접하는 2열의 패턴으로부터 상기 검사 신호를 검출하는 제2 검출 수단과, 상기 제1 검출 수단 및 상기 제2 검출 수단에 의해 검출되는 검사 신호 레벨의 변화로부터 상기 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 식별하는 식별 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

그리고 예를 들어, 상기 기판은 유리로 구성되어 있고, 상기 열 형상 도전성 패턴은 유리 상에 소정 폭 및 소정 간격으로 막대가 나열된 형상으로 형성된 도전성 패턴인 것을 특징으로 한다.

또 예를 들어, 상기 제2 검출 수단은 상기 제1 검출 수단이 검출 신호를 검출할 수 있는 상기 도전성 패턴에 인접하는 2열의 패턴 열로부터 상기 검사 신호를 검출할 수 있는 것을 특징으로 한다.

또한 예를 들어, 상기 검사 신호 공급 수단은 검사 대상인 열 형상 도전성 패턴의 한 쪽 단부의 모든 패턴의 선단부에 검사 신호를 공급하는 것을 특징으로 한다.

또한, 기판 상에 배치된 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 검사하는 회로 패턴 검사 장치이며, 상기 열 형상 도전성 패턴 중 하나의 패턴 한 쪽 선단부에 검사 신호를 공급하는 검사 신호 공급 수단과, 검사 대상이 되는 상기 열 형상 도전성 패턴의 타단부로부터 상기 검사 신호 공급 수단에 의해 공급되는 상기 검사 신호를 검출하는 제1 검출 수단과, 상기 검사 신호 공급 수단에 의한 상기 검사 신호 공급 패턴에 인접하는 2열의 도전성 패턴으로부터 상기 검사 신호를 검출하는 제2 검출 수단과, 상기 제1 검출 수단 및 상기 제2 검출 수단의 위치와 상기 검사 대상 패턴 위치를 상대 이동시켜 상기 제1 검출 수단 및 상기 제2 검출 수단이 상기 검사 대상 패턴을 차례로 주사하도록 위치 결정 이동시키는 이동 수단과, 상기 이동 수단의 이동 제어에 수반하는 상기 제1 검출 수단 및 상기 제2 검출 수단에 의해 검출되는 검사 신호 레벨의 변화로부터 상기 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 식별하는 식별 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

그리고 예를 들어, 상기 제1 검출 수단 및 상기 제2 검출 수단은 상기 열 형상 도전성 패턴과 일정 간격으로 대향하는 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트와 상기 열 형상 도전성 패턴은 비접촉 방식으로 용량 결합하여 상기 검사 신호를 검출 가능하게 하는 것을 특징으로 한다.

또 예를 들어, 상기 검사 신호는 소정의 교류 신호이며, 상기 검사 신호 공급 수단은 상기 열 형상 도전성 패턴과 일정 간격으로 대향하며 상기 열 형상 도전성 패턴 피치 폭 이하의 폭의 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트와 상기 열 형상 도전성 패턴은 비접촉 방식으로 용량 결합하여 상기 소정의 교류 신호를 상기 열 형상 도전성 패턴에 공급 가능하게 하는 것을 특징으로 한다.

또한 예를 들어, 상기 식별 수단은 상기 제1 검출 수단에 의한 검출 결과로부터 열 형상 도전성 패턴의 단선이 있는지를 식별하고, 상기 제2 검출 수단에 의한 검출 결과로부터 상기 열 형상 도전성 패턴의 단락이 있는지를 식별하는 것을 특징으로 한다.

또한, 열 형상 도전성 패턴이 배치된 기판의 상기 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 검사하는 회로 패턴 검사 장치에 있어서의 패턴 검사 방법이며, 상기 열 형상 도전성 패턴의 한 쪽 선단부에 검사 신호를 공급하고, 상기 검사 신호가 공급되는 도전성 패턴 중 하나의 도전성 패턴의 타단부로부터 제1 검사 신호를 검출하는 동시에, 상기 제1 검사 신호를 검출한 상기 열 형상 도전성 패턴과는 다른, 인접하는 2열의 도전성 패턴으로부터 제2 검사 신호를 검출하고, 상기 제1 및 상기 제2 검사 신호 레벨의 변화로부터 상기 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 식별하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 방법으로 한다.

또한, 기판 상에 배치된 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 검사하는 회로 패턴 검사 장치에 있어서의 패턴 검사 방법이며, 상기 열 형상 도전성 패턴 중 하나의 도전성 패턴의 한 쪽 선단부에 검사 신호를 공급하고, 검사 대상이 되는 상기 열 형상 도전성 패턴의 타단부로부터 공급되는 제1 상기 검사 신호를 검출하는 동시에, 상기 제1 검사 신호가 검출되는 도전성 패턴에 인접하는 2열의 도전성 패턴으로부터의 제2 검사 신호를 검출하고, 상기 제1 검사 신호 및 상기 제2 검사 신호의 검출 위치를 차례로 주사하여 주사 위치의 이동에 수반하는 검사 신호 레벨의 변화로부터 상기 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 식별하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 방법으로 한다.

도1은 본 발명에 관한 발명의 일실시 형태예의 패턴 검사 원리를 설명하기 위한 도면이다.

도2는 본 실시 형태예의 도전성 패턴의 검사 제어를 설명하기 위한 흐름도이다.

도3은 본 실시 형태예에 있어서의 도전성 패턴의 검출예를 나타내는 도면이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 관한 발명의 일실시 형태예를 상세하게 설명한다. 이하의 설명은, 열 형상 도전성 패턴이 배치된 기판의 상기 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 검사하는 회로 패턴 검사 장치를 예로서 행한다. 구체적으로는, 액정 표시 패널이나 터치 패널에 있어서의 접합시키기 전의 열 형상 도전성 패턴의 좋고 나쁨을 검사하는 회로 패턴 검사 장치를 예로서 행한다.

그러나, 본 발명은 이하에 설명하는 예에 한정되는 것이 아니라, 공통 배선을 갖지 않는 서로의 도전성 패턴이 각각 독립하여 배치되어 있는 패턴이면 하등 한정되지 아니하며, 후술하는 급전부(30)의 폭을 넘는 간격이면 서로의 패턴 간격이 달라도 그대로 대응 가능하다. 급전부(30)의 형상을 가장 적절한 것으로 하면 모든 패턴에 대응할 수 있다.

도1은 본 발명에 관한 발명의 일실시 형태예의 패턴 검사 원리를 설명하기 위한 도면이다.

도1에 있어서, 부호 10은 본 실시 형태예의 검사해야 할 열 형상 도전성 패턴(20)에 배치되어 있는 기판이며, 본 실시 형태예에서는 액정 표시 패널 등에 이용하는 유리를 기판으로 이용하고 있다.

유리제 기판(10)의 표면에는 본 실시 형태예의 회로 패턴 검사 장치로 검사하는 액정 표시 패널을 형성하기 위한 열 형상 도전성 패턴(20)이 배치되어 있다. 도1에 도시한 바와 같이 본 실시 형태예로 검사할 수 있는 도전성 패턴은 양단부가 서로 독립되고 서로 인접하는 도전성 패턴과는 분리된 패턴으로 한다.

그러나, 본 실시 형태예는 이상의 예에 한정되는 것은 아니며, 후술하는 오픈 센서(40)의 대향 위치에 패턴이 서로 접속된 공통 패턴(빗살형 상부 패턴)이라도 마찬가지로 패턴의 좋고 나쁨을 검출 가능하다. 본 실시 형태예는 공통 패턴이 아닌 경우라도 검출 가능하게 하는 데 특징을 갖고 있다.

부호 20은 열 형상으로 배치된 열 형상 도전성 패턴이며, 양단부가 서로 인접하는 패턴과 분리되어 있다. 도1에서는 서로의 패턴 양단부의 간격이 동일하지만, 상기한 바와 같이 한 쪽 단부가 서로에 접속되어도 좋고, 또한 패턴 간격이 일정하지 않아도, 예를 들어 패턴마다 간격, 패턴 폭이 고르지 않아도, 검사 신호의 검출 레벨의 변화 정도를 기초로 패턴의 좋고 나쁨을 검출할 수 있기 때문에 문제없이 패턴의 좋고 나쁨을 검사 가능하다.

부호 30은 열 형상 도전성 패턴(20)과 소정 거리 이격한 위치에 위치 결정되며 도전성 패턴 폭 이하의 폭을 갖는 평판 플레이트를 구비하고, 비접촉 방식으로 열 형상 도전성 패턴에 소정 주파수의 교류 신호를 공급하는 급전부이다.

급전부(30)에는 소정 주파수의 교류 신호를 생성 출력하는 검사 신호 생성부(110)가 접속되어 있고, 검사 신호 생성부(110)는 급전부(30)에 소정 주파수의 교류 신호를 생성하여 출력한다.

부호 40은 검사 대상 도전성 패턴이 단선 상태(패턴 오픈 상태)인지 여부를 검출하기 위한 제1 검출 수단인 오픈 센서이며, 검사 대상의 각 열 형상 도전성 패턴의 모든 배치 폭만큼의 길이를 갖고, 열 형상 도전성 패턴(20)과 소정 거리 이격된 위치에 위치 결정되는 가로 길이 평판 플레이트를 구비하고, 비접촉 방식으로 열 형상 도전성 패턴에 급전부(30)로부터 공급되는 검사 신호(소정 주파수의 교류 신호)를 용량 결합을 거쳐서 검출할 수 있는 오픈 센서이다.

부호 50은 열 형상 도전성 패턴의 2열분의 폭으로 급전부(30)로부터 오픈 센서(40)측으로 급전부(30)로부터 도전성 패턴(20)의 1열 배치 간격만큼 이반한 위치에 배치되는 도전성 패턴의 단락을 검출하는 제2 검출 수단인 쇼트 센서이다.

오픈 센서(40)에 의한 검사 신호 검출 결과 및 쇼트 센서(50)로부터의 검사 신호 검출 결과는 센서 출력 처리 회로(120)에 도출되고, 여기서 소정 레벨로 증폭되어 변화 정도가 해석되고, 검출 레벨의 변동 비율이 많은 부위의 도전성 패턴이 불량 부위인 것으로 검출 가능하게 구성되어 있다.

즉, 본 실시 형태예에 있어서는 오픈 센서(40)는 열 형상 도전성 패턴의 한 쪽 단부의 모든 패턴과 용량 결합된 상태로 제어되어 있고, 어느 하나의 도전성 패턴에 흐르는 검사 신호(교류 신호)의 검출 결과를 검출 신호 레벨의 강약으로서 검출할 수 있다.

이로 인해, 급전부(30)를 도1의 화살표 방향으로 이동시키면서 오픈 센서(40)의 검출 결과의 변화를 추출함으로써, 급전부(30)가 각 도전성 패턴 대향 위치에 주사되어 왔을 때의 급전부(30)의 플레이트와 도전성 패턴과의 대응 면적에 비례하는 검사 신호가 도전성 패턴에 공급 가능 상태가 되며, 검사 신호가 공급되는 도전성 패턴에 단선이 없으면 검사 신호는 오픈 센서(40)로부터 검출되고, 급전부(30)가 도전성 패턴(20) 사이에 왔을 때에는 도전성 패턴에 공급되는 검사 신호는 매우 작고 오픈 센서(40) 출력은 저하한다.

한편, 도전성 패턴에 단선 부위가 있으면 단선 부위로부터 먼저 검사 신호가 도달하지 않고, 오픈 센서(40)의 검출 신호 레벨은 저하한다. 이로 인해, 오픈 센서(40) 출력의 큰 저하가 검출되면 상기 부위가 패턴 단선 부위라고 판별할 수 있다.
한편, 도1의 (b)에 도시한 바와 같은 인접 패턴과의 단락 상태(쇼트 상태)에 있는 경우는 단락 상태에 있는 다른 패턴에도 검사 신호가 공급되지만, 오픈 센서(40)에도 검사 신호가 도달한다. 이로 인해, 검출 레벨이 낮아질 가능성은 있으나 정상 상태와 동일한 검출 결과를 얻을 수 있다. 이로 인해, 오픈 센서(40)만으로는 패턴의 단선 검출이 가능하지만, 패턴의 단락 검출은 신뢰성이 떨어진다.
그래서, 본 실시 형태예에서는 급전부(30)에 오프셋한 쇼트 센서(50)를 구비하는 구성으로 하고, 쇼트 센서(50)의 폭을 대략 도전성 패턴 2열분으로 하고 있다. 또, 이 쇼트 센서(50)의 폭은 대략 2열분에 한정되는 것은 아니며, 2열분 이상이라도 좋다.
그리고, 쇼트 센서(50)의 이동 방향 상류측 단부를 급전부(30)와 대략 도전성 패턴 1열 간격분 정도 떨어진 위치가 되도록 위치 결정하여, 예를 들어 센서 패널에 고정한다. 또한, 쇼트 센서(50)는 후술하는 바와 같이 오픈 센서(40)를 거친 검출 신호를 검출할 수 있으므로, 쇼트 센서(50)의 위치는 오픈 센서(40)로부터 가능한 한 멀어져 있는 쪽이 바람직하고, 예를 들어 급전부(30)의 위치에 위치 결정된다.
본 실시 형태 예의 쇼트 센서(50)는 도1의 구성을 구비함으로써, 통상은 급전부(30)로부터 도전성 패턴(20)의 한쪽 단부에 공급되는 검사 신호는 도전성 패턴(20)의 타단부에 공급되고, 오픈 센서(40) 위치까지 도달한다. 도전성 패턴과 오픈 센서(40)가 용량 결합되어 있는 상태로 인해, 일부의 검사 신호는 인접하는 도전성 패턴으로도 공급 가능한 상태가 된다.
따라서, 일부 검사 신호는 인접하는 도전성 패턴을 거쳐서 쇼트 센서(50) 위치에도 도달하고, 여기에서도 검출되어 센서 출력 처리 회로(120)로 이송된다. 이로 인해, 정상적인 패턴 상태에서 쇼트 센서(50)는 검사 신호를 급전부(30)로부터 직접 검사 신호가 공급된 도전성 패턴으로부터 검출하지 않고 간접적으로 검출한다.

쇼트 센서(50)에서는 도전성 패턴의 일부가 단선 상태라도, 다른 도전성 패턴을 거친 검사 신호의 공급을 받기 때문에 그다지 큰 검출 신호의 레벨 변동 등은 없다.

한편, 급전부(30)가 검사 신호를 공급하고 있는 도전성 패턴과, 이동 방향 하류측의 인접한 도전성 패턴이 혹시 단락되어 있었던 경우(도1의 B)에는, 급전부(30)로부터 공급된 검사 신호는 단락 부위를 거쳐서 인접한 도전성 패턴으로도 공급된다.

이 경우에는 오픈 센서(4O)를 거친 검사 신호 검출 레벨과 비교하여 전기적으로 접속된 상태이며, 보다 큰 레벨의 검사 신호가 검출된다. 이로 인해, 도1의 하단에 도시한 바와 같이 검출 레벨이 크게 상승한다. 그리고, 쇼트 센서(50)가 단락 부위를 넘어서 급전부(30)만이 단락 도전성 패턴부에 있는 경우에는, 이번은 급전부(30)로부터의 검사 신호가 공급 도전성 패턴부와 함께 단락 도전성 패턴부에도 공급되므로, 반대로 쇼트 센서(50)의 검출 레벨은 저하한다.

따라서, 오픈 센서(40)와 쇼트 센서(50)를 도1과 같이 배치함으로써, 열 형상의 도전성 패턴이라도 간단한 구성으로 정확하게 도전성 패턴의 단선이나 단락을 검출할 수 있다.

이 오픈 센서(40)의 검출 신호의 예를 도1의 하단에 도시한다. 오픈 센서(40) 출력은 급전부(30)와 도전성 패턴과의 대응 면적에 비례하는 검사 신호가 출력되지만, 혹시 도전성 패턴(20)이 단선 상태(오픈 상태)인 경우에는 급전부(30)로부터의 검사 신호의 검출이 불충분해져, 도전성 패턴의 단선 패턴부에서 출력 신호가 저하된다. 이 상태를 도1의 A에 도시한다.

한편, 도전성 패턴(20)이 도1의 B에 도시한 바와 같이 단락되어 있었던 경우에는, 오픈 센서(40)로의 도달 검사 신호 에너지에 변화는 적고, 도1에 도시한 바와 같이 변화는 그다지 검출되지 않는다.

그러나, 본 실시 형태예에서는 쇼트 센서(50)를 구비하고 있고, 쇼트 센서(50) 검출 결과는 도전성 패턴 단선의 경우에는 그다지 변화는 없지만, 도전성 패턴 단락의 경우에는 최초 출력이 상승되고, 그 후에 하강하는 검출 신호로서 검출할 수 있다.

이상으로 설명한 본 실시 형태예의 도전성 패턴의 검사 제어를 이하 도2의 흐름도를 참조하여 설명한다. 도2는 본 실시 형태예의 도전성 패턴의 검사 제어를 설명하기 위한 흐름도이다.

본 실시 형태예에서는 도전성 재료(예를 들어 금, 동, 알루미늄, IT0 등)로 형성된 열 형상 도전성 패턴이 배치되어 있는 기판은 유리 기판이며, 스텝 S1에 있어서 표면에 예를 들어 도1에 도시한 검사 대상 도전성 패턴이 형성된 유리 기판이 도시되지 않는 반송로 상을 본 실시 형태예의 회로 패턴 검사 장치 위치(공작물 위치)로 반송되어 온다.

본 실시 형태예의 회로 패턴 검사 장치 위치로 반송되어 온 검사 대상 기판은, 스텝 S2에 있어서 도시되지 않은 지그(기판 탑재 스테이지)에 의해 유지된다.

이 지그는, XYZθ 각도의 4축 제어에 의해 삼차원 위치 제어가 가능하게 구성되어 있고, 검사 대상 기판을 센서 위치로부터 일정 거리 이격시킨 측정 전의 기준이 되는 위치에 위치 결정된다. 예를 들어 급전부(30)가 도전성 패턴(20)의 도1에 도시한 가장 좌측의 도전성 패턴의 좌단부 위치에 위치 결정된다.

이것으로 검사 기판을 측정 위치에 위치 결정할 수 있었기 때문에 스텝 S3에 있어서 교류 신호 생성부(110)를 제어하여 급전부(30)에 소정 주파수의 교류 신호(검사 신호)가 공급되도록 제어한다.

그리고 스텝 S5에서 검사 기판을 급전부(30)가 좌단부의 도전성 패턴 대향 위치로부터 화살표 방향에 있는 다음 열 형상 도전성 패턴 위치로 이동시킨다. 동시에 스텝 S6에 있어서 센서 출력 처리 회로(120)는 각 오픈 센서(40) 및 쇼트 센서(50)로부터의 검출 신호를 앰프 회로에서 일정한 신호 레벨이 되도록 증폭하고, 멀티플렉서 회로 등을 거쳐서 각 오픈 센서(40) 및 쇼트 센서(50) 출력을 시분할 검출하고, 아날로그 디지털 변환 회로 등으로 대응하는 디지털 신호로 변환하여 도시되지 않은 내장 메모리에 저장한다.

다음에 스텝 S7에서 검사 기판의 이동 거리가 검사 대상이 되는 도전성 패턴 배치 간격만큼이 되었는지 여부를 조사한다. 검사 기판의 이동 거리가 검사 대상 도전성 패턴 배치 간격만큼이 되어 있지 않은 경우에는 스텝 S5로 복귀 검사를 속행한다.

한편, 스텝 S7에서 검사 기판의 이동 거리가 검사 대상 도전성 패턴 배치 간격만큼이 된 경우에는 스텝 S8로 진행하고, 각 오픈 센서(40) 및 쇼트 센서(50)에 의한 검출 결과를 해석하여 출력의 변동을 조사한다.

그리고 스텝 S9에서 해석을 행한 결과 모든 검출 신호의 도전성 패턴 위치에서의 센서 검출 신호의 신호 레벨이 소정 범위 내의 신호 레벨인지 여부를 조사한다. 예를 들어 검출 신호의 신호 레벨이 소정 범위 내의 신호 레벨인 경우에는 스텝 S10으로 진행하고, 기판의 모든 도전성 패턴이 정상이라 하여 상기 처리를 종료하고, 검사 기판을 반송 위치까지 하강시켜 반송로 상에 적재하여 다음 스테이지로 반송시킨다. 또, 연속한 검사를 행하는 경우에는 다음 검사 기판이 공작물 위치로 반송되어 온 시점에서 다시 스텝 S2 이하의 처리를 실행하게 된다.

한편, 스텝 S9에서 검출 신호의 신호 레벨이 소정 범위 내의 신호 레벨이 아닌 경우, 예를 들어 도1의 A 혹은 B에 도시한 바와 같은 큰 신호 레벨 변동이 있는 경우에는 스텝 S11로 진행하고, 검사 대상 기판의 배치 패턴이 불량이라 판단하여 처리를 종료하고, 검사 기판을 반송 위치까지 하강시켜 반송로 상에 적재하여 다음 스테이지로 반송되거나, 혹은 불량 기판을 반송로로부터 떼어내는 등의 처리를 행한다.

본 실시 형태예에 따르면, 양단부가 개방 상태로 서로의 도전성 패턴이 각각 분리 독립하고 있는 패턴이라도, 도전성 패턴의 단선(오픈)인 경우에는 오픈 센서(40)의 검출 레벨이 크게 저하되고, 도전성 패턴의 단락(쇼트)인 경우에는 쇼트 센서(50)의 출력 레벨이 일단 상승된 후 그 후 출력이 저하되므로, 용이하게 도전성 패턴의 좋고 나쁨을 인식할 수 있다.

본 실시 형태예에 있어서의 실제의 검사 장치에 있어서의 검사 결과의 예를 도3에 나타낸다. 도3은 본 실시 형태예에 있어서의 도전성 패턴의 검출예를 나타내는 도면이다.

도3에 있어서, 상단에 나타낸 검출 신호가 오픈 센서(40)로부터의 검출 결과, 하단에 나타낸 것이 쇼트 센서(50)로부터의 검출 결과를 나타내고 있다.

도3에 있어서, A에서 나타낸 부분이 도전성 패턴의 단선(오픈) 검출 결과를, B에서 나타낸 부위가 도전성 패턴의 단락(쇼트) 부위의 검출 결과이며, 양 도전성 패턴의 검출 결과도 다른 정상 부위의 검출 결과와 크게 달라, 용이하게 기판 패턴의 불량 부위를 특정 인식할 수 있다.

또, 센서에 노이즈가 혼입된 바와 같은 경우에는, 양 센서 출력 모두 크게 변화하는 경우가 대부분이며, 상기 검사 결과와 같이 한 쪽 센서 검출 결과만이 크게 다른 경우와 용이하게 절단할 수 있다.

또, 이상의 설명은 검사 대상 기판에 도1에 도시한 패턴만이 배치되어 있는 예를 설명하였지만, 검사 대상 기판이 도1에 도시한 검사 패턴이 복수조 배치되고, 후속 공정으로 분리하여 제품화해도 좋다. 이 경우에는, 패턴조마다 급전 패널과 센서 패널을 구비하는 것이 바람직하다. 센서 출력 처리 회로(120)는 각 센서로부터의 검출 신호를 시분할 처리함으로써 각 세트에 공통의 것으로 할 수 있다.

예를 들어 병렬로 복수조의 패턴을 형성한 경우, 하나의 기판 상에 종횡 모 두 복수조씩 많은 패턴을 배치한 것이라도 좋다. 또한, 패턴 형성예도 도1에 도시한 예에 한정되는 것은 아니며, 매트릭스의 수가 많은 대형 패널에도 그대로 적용할 수 있는 것은 물론이다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 확실하게 검사 대상 패턴의 불량을 검출할 수 있다.

또한, 패턴 불량 상황도 용이하게 인식하는 것이 가능해져, 가령 검사 결과에 노이즈 등이 혼입되어도 2개의 검출 신호를 비교함으로써 용이하게 제거할 수 있다.

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18. 기판 상에 배치된 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 검사하는 회로 패턴 검사 장치이며,

    상기 열 형상 도전성 패턴의 한 쪽 선단부에 검사 신호를 공급하는 검사 신호 공급 수단과,

    상기 검사 신호 공급 수단에 의해 상기 검사 신호가 공급되는 상기 열 형상 도전성 패턴 중 하나의 도전성 패턴의 타단부에서 상기 검사 신호를 검출하는 제1 검출 수단과,

    상기 제1 검출 수단에 의해 상기 검사 신호가 검출되는 상기 열 형상 도전성 패턴과는 다른, 인접하는 2열의 도전성 패턴으로부터 상기 검사 신호를 검출하는 제2 검출 수단과,

    상기 제1 검출 수단 및 상기 제2 검출 수단에 의해 검출되는 검사 신호 레벨의 변화에 의해 상기 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 식별하는 식별 수단을 구비하고,

    상기 기판은 유리로 구성되어 있고, 상기 열 형상 도전성 패턴은 유리 상에 소정 폭 및 소정 간격으로 막대가 나열된 형상으로 형성된 도전성 패턴이며,

    상기 검사 신호는 소정의 교류 신호이며, 상기 검사 신호 공급 수단은 상기 열 형상 도전성 패턴과 일정 간격으로 대향하며 상기 열 형상 도전성 패턴의 피치 폭 이하의 폭을 갖는 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트는 상기 열 형상 도전성 패턴과 비접촉 방식으로 용량 결합하여 상기 소정의 교류 신호를 상기 열 형상 도전성 패턴에 공급하고,

    상기 제1 검출 수단 및 상기 제2 검출 수단은 상기 열 형상 도전성 패턴과 일정 간격으로 대향하는 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트는 상기 열 형상 도전성 패턴과 비접촉 방식으로 용량 결합하여 상기 검사 신호를 검출할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 장치.
19. 기판 상에 배치된 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 검사하는 회로 패턴 검사 장치를 이용하는 회로 패턴 검사 방법이며,

    상기 열 형상 도전성 패턴의 한 쪽 선단부에 검사 신호를 공급하는 단계와,

    상기 검사 신호가 공급되는 도전성 패턴 중 하나의 도전성 패턴의 타단부로부터 제1 검사 신호를 검출하는 동시에, 상기 제1 검사 신호가 검출되는 상기 열 형상 도전성 패턴과는 다른, 인접하는 2열의 도전성 패턴으로부터 제2 검사 신호를 검출하는 단계와,

    상기 제1 및 상기 제2 검사 신호 레벨의 변화로부터 상기 열 형상 도전성 패턴의 단선 및 단락 여부를 식별하는 단계를 포함하며,

    상기 기판은 유리로 구성되어 있고, 상기 열 형상 도전성 패턴은 유리 상에 소정 폭 및 소정 간격으로 막대가 나열된 형상으로 형성된 도전성 패턴이며,

    상기 검사 신호는 소정의 교류 신호이며, 상기 열 형상 도전성 패턴과 일정 간격으로 대향하며 상기 열 형상 도전성 패턴의 피치 폭 이하의 폭을 갖는 플레이트가 상기 열 형상 도전성 패턴과 비접촉 방식으로 용량 결합하여, 상기 소정의 교류 신호가 상기 플레이트를 거쳐서 검사 대상인 열 형상 도전성 패턴에 공급되며,

    상기 제1 검사 신호 및 상기 제2 검사 신호는 상기 열 형상 도전성 패턴과 일정 간격으로 대향하는 플레이트가 상기 열 형상 도전성 패턴과 비접촉 방식으로 용량 결합하여 검출되는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 방법.

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