KR100704380B1 - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents

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이성재
양종헌
안창근
유한영
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Abstract

본 발명은 리소그래피 공정을 거친 포토레지스트의 특성을 변화시켜 더미 구조물을 형성하고 이를 게이트 전극 형성공정에 적용한 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로,
반도체 기판상의 최상부에 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층의 상부에 무기물 포토레지스트를 도포하고 리소그래피를 통해 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 형성된 패턴에 특정 가스를 사용한 열처리를 하는 단계와, 상기 열처리된 구조물의 상부에 균일한 두께의 절연막을 증착한 후에 상기 패턴이 노출되도록 상기 증착된 막을 식각하는 단계와, 상기 거친 구조물에 절연막을 증착하고, 상기 패턴이 노출되도록 상기 절연막을 식각하는 단계와, 상기 노출된 패턴을 제거하는 단계와, 상기 패턴이 제거된 자리에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 형성된 게이트 산화막의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 나노 소자를 제작하기 위한 구조 형성시 리소그래피를 통해 형성된 막의 특성이 후속 열처리를 통해 개선됨으로써 다양한 소자를 제작하는데 사용되는 구조를 쉽게 형성할 수 있다.
포토레지스트, 리소그래피, 더미 구조물, 열처리

Description

반도체 소자 제조 방법 {Method of manufacturing a semiconductor device}
도 1a 및 1b는 종래 기술의 반도체 소자 방법을 나타내는 공정 단면도,
도 2a 내지 2n은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 소자 제조 방법을 나타내는 공정 단면도,
도 3은 본원 발명을 응용하여 제작된 소자의 단면도로서, 게이트 전극(70)의 양 측면에 측면 게이트(50)를 형성한 구조를 도시한 단면도,
도 4는 본원 발명을 응용하여 제작된 소자의 단면도로서, 반도체 기판(10)으로 통상의 실리콘 기판을 사용한 상태를 도시한 단면도,
도 5는 본원 발명을 응용하여 제작된 단전자 소자의 단면도,
도 6은 본원 발명을 응용하여 제작된 소자의 기본 구조를 보여주는 SEM 사진,
도 7은 본원 발명을 사용한 포토레지스트 트리밍 공정의 결과를 보여주는 SEM 사진.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 반도체 기판 12 : 제1 단결정 실리콘층
14 : 매몰된 절연막층 16 : 제2 단결정 실리콘층
18 : 불순물이 도핑된 소스 및 드레인 영역(Source and Drain)
20 : 버퍼 층(buffer layer) 30 : 포토레지스트(photo resist)
32 : 리소그래피공정을 거친 포토레지스트
34 : 트리밍 공정을 거친 포토레지스트
36 : 열처리 공정을 거친 포토레지스트
40, 42 : 절연막 층(inter-layer dielectric)
44 : 측벽 스페이서 50 : 절연막
60 : 게이트 산화막 70 : 게이트 전극
72, 74 : 금속 배선(gate electrode and metal line)
본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히 리소그래피 공정을 거친 포토레지스트의 특성을 변화시켜 더미 구조물을 형성하고 이를 게이트 전극 형성 공정에 적용하는 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.
기존의 더미 구조물을 이용한 반도체 소자 제조 방법으로 미국등록특허(등록번호 6033963)를 살펴보기로 한다.
도 1a 및 1b는 상기 선행기술의 반도체 소자 방법 중 더미 구조물의 제거 전과 제거 후의 공정을 도시한 도면이다.
도 1a를 참조하면, 소자 분리막(2)이 형성된 실리콘 기판(1)을 준비하는 단 계와, 더미 게이트 옥사이드(3A)를 실리콘 기판(1)상에 형성하는 단계와, 더미 게이트 전극(3B)을 상기 더미 게이트 옥사이드(3A)상에 형성하는 단계와, 상기 더미 게이트의 측벽에 스페이서(4)를 형성하는 단계와, 상기 실리콘 기판(1)의 표면에 불순물을 주입하여 소스/드레인 영역(5)을 형성하는 단계와, 선택적 텅스텐층(6)을 형성하는 단계와, 절연막층(7)을 형성하는 단계를 통해 형성된 구조물이 도시되어 있다. 이때, 상기 더미 게이트 옥사이드(3A)와 더미 게이트 전극(3B)은 더미 구조물(3)의 역할을 하게 된다.
도 1b를 참조하면, 도 1a의 구조물에서 상기 더미 구조물(3)이 제거되고 남은 홀(8)이 도시되어 있으며, 상기 홀(8)에 금속 게이트 전극을 형성하는 단계를 거치게 된다.
상기와 같이 더미 구조물을 형성하는 방법은 그 형성을 위해 두 가지 물질을 증착하는 등 공정의 단계가 복잡할 뿐만 아니라, 상기 형성된 더미 구조물이 깨끗하게 제거되지 않는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 포토레지스트를 이용한 리소그래피를 통해 형성된 패턴에 특정 가스를 사용한 열처리를 하여 개선된 특성을 갖는 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 이용하여 더미 구조물을 형성하는 방법을 제시하고 있는바, 보다 용이하게 형성할 수 있고, 다양한 소자 제작에 응용할 수 있는 더미 구조물을 이용한 반도체 소자 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 반도체 소자 제조 방법은 반도체 기판상의 최상부에 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층의 상부에 무기물 포토레지스트를 도포하고 리소그래피를 통해 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 형성된 포토레지스트 패턴에 특정 가스를 사용한 열처리를 하는 단계와, 상기 열처리된 구조물의 상부에 균일한 두께의 절연막을 증착한 후에 상기 열처리된 포토레지스트 패턴이 노출되도록 상기 증착된 막을 상기 증착한 두께만큼 식각하는 단계와, 상기 식각 단계를 거친 구조물에 절연막을 증착하고, 상기 열처리된 포토레지스트 패턴이 노출되도록 상기 증착된 절연막을 식각하는 단계와, 상기 노출되어 있는 열처리된 포토레지스트 패턴을 식각을 통해 제거하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴이 제거된 자리에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 형성된 게이트 산화막의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 형성된 포토레지스트 패턴의 선폭을 줄이기 위해 상기 포토레지스트 패턴을 트리밍하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 트리밍 단계는 CF4 또는 CHF3 가스를 사용한 건식 식각 또는 불산(HF)을 이용한 습식 식각을 사용하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 특정 가스로는 O2 를 사용하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 열처리는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing) 또는 퍼니스(furnace)를 사용하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 2a 내지 2n 은 본 발명의 반도체 소자 제조 방법에 따른 각 공정단계를 나타내는 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명이 적용될 반도체 기판인 SOI(Silicon On Insulator) 기판(10)의 구성이 도시되어 있다.
상기 SOI 기판(10)은 제1 단결정 실리콘 층(12)상에 매몰된 절연막(14), 그리고 그 상부에 제2 단결정 실리콘 층(16)이 존재하는 기판으로, 상기 SOI 기판은 기판 표면과 기판 하부층 사이에 얇은 절연막 층이 매몰되어 있기 때문에 기생 용량(parasitic capacitance) 이 감소 되어 소자의 성능을 높일 수 있는 특징이 있다. 물론, 상기 반도체 기판으로 상기 SOI 기판(10) 외에 통상의 실리콘 기판이나 GaAs와 같은 화합물 기판을 사용할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 SOI 기판(10)의 최상부에 버퍼층(20)이 형성되어 있다.
상기 버퍼 층(20)은 후속 공정에 해당하는 포토레지스트의 트리밍 공정이나 이온 주입 공정으로부터 기판의 상태를 보호하기 위해서 사용되며 공정에 따라 제거될 수 있다.
도 2c를 참조하면, 상기 버퍼층(20)의 상부에 무기물 포토레지스트(30)를 도포한 상태가 도시되어 있다.
상기 무기물 포토레지스트(30)로는 음성 또는 양성의 포토레지스트를 사용할 수 있다. 상기 음성의 포토레지스트는 빛에 노출되면 현상시에 노출된 부분은 녹지 않고 노출되지 않는 부분은 녹아 없어지며, 상기 양성의 포토레지스트는 이와 반대로 빛에 노출된 부분이 씻겨 없어지게 된다.
한편, 상기 포토레지스트 물질로는 수소 실세스퀴옥산 (Hydrogen Silsesquioxane, HSQ) 과 같은 무기물 포토레지스트를 사용하는데, 이는 유기물 포토레지스트의 경우 고온공정에서 손실될 우려가 있기 때문이다.
도 2d를 참조하면, 상기 형성된 포토레지스트(30)에 리소그래피를 통해 포토레지스트 패턴(32)을 형성한다.
상기 리소그래피는 빛, 전자빔 또는 이온빔 등과 같은 패턴을 형성할 수 있는 장치를 사용한다. 한편, 현재 리소그래피 공정으로 형성할 수 있는 패턴의 최소 선폭은 약 60nm 정도라고 알려져 있다.
도 2e를 참조하면, 상기 형성된 포토레지스트 패턴(32)의 선폭을 줄이기 위한 트리밍(trimming) 공정을 거친 포토레지스트 패턴(34)이 도시되어 있다.
상기 트리밍 공정은 현재 기술로서 가능한 리소그래피 공정보다 더 미세한 선폭을 구현하기 위한 것으로, 본 발명의 필수 구성요소는 아니며, 단계에 따라 생 략될 수 있다.
상기 포토레지스트의 트리밍 공정은 일반적으로 희석된 불산(HF)을 이용한 습식 식각을 사용할 수 있으며,상기 습식 식각을 사용할 경우 버퍼 층(20)의 물질에 따라 버퍼 층(20)의 손실 없이 식각할 수 있다. 상기 도 2e에는 트리밍 공정에 따라 상기 버퍼 층(20)의 일부가 식각 되어 있다.
한편, 상기 포토레지스트 패턴(32)의 크기를 나노 크기로 줄이는 과정에서 상기 포토레지스트 패턴(32)의 쓰러짐을 방지하기 위하여 CF4또는 CHF3 가스를 사용한 건식 식각공정을 사용할 수 있으며, 상기 건식 식각을 사용할 경우 습식 식각보다 정확하게 선폭을 조절할 수 있다.
본 발명에 따르면, 포토레지스트 패턴에 대해 트리밍 공정을 적용하므로 선폭의 조절이 용이하여 기존의 더미 구조물에 비해 더 미세한 선폭을 구현할 수 있게 되며, 이러한 결과는 도 7을 참조하여 더 자세히 설명할 것이다.
도 2f를 참조하면, 상기 트리밍된 포토레지스트 패턴(34)에 대해 특정 가스를 사용한 열처리를 통해 물성이 변화된 포토레지스트 패턴(36)이 도시되어 있다.
상기 열처리로는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing, RTA) 또는 퍼니스(Furnace)를 사용할 수 있으며, 상기 특정가스로는 O2 또는 N2 를 사용할 수 있다. 상기 급속 열처리의 경우 O2가 아닌 다른 가스를 사용하면 포토레지스트 패턴의 단면 프로파일은 크게 변형되지 않으나, 포토레지스트 패턴의 선폭이 커지는 변형 이 일어나며, 상기 퍼니스의 경우 O2가 아닌 다른 가스를 사용하면 포토레지스트 패턴의 단면 프로파일이 크게 변화된다.
상기 열처리 공정을 거친 포토레지스트 패턴(36)은 거치기 전에 비해 그 특성이 경화되는 효과가 있으므로, 고온에서 진행되는 후속 공정들에서 상기 포토레지스트 패턴(36)이 변형되거나, 쓰러지는 것을 방지할 수 있다.
도 2g를 참조하면, 상기 열처리된 구조물의 상부에 균일한 두께의 절연막(40)을 증착한다.
상기 절연막(40)은 후속 공정에 의해 측벽 스페이서 역할을 하게 되며, 상기 절연막(40) 대신에 측면 전극을 형성하기 위해서 전도층을 증착할 수 있다. 전도층의 증착으로 형성된 구조물은 도 3에 도시되어 있다.
도 2h를 참조하면, 상기 열처리된 포토레지스트 패턴(36)이 노출되도록 상기 증착된 막을 상기 증착한 두께만큼 식각한다.
상기 식각 공정에 의해 상기 버퍼 층(20)도 노출될 수 있도록 한다.
도 2i를 참조하면, 도 2h의 상기 제2 단결정 실리콘 층(16)에 소스와 드레인 영역을 형성하기 위해 불순물 이온을 상기 버퍼층(20)을 통해 주입시킨다.
p형 도핑을 위해 B, Ga, In과 같은 억셉터 이온을 주입하거나, n형의 도핑을 위해 Sb, As, P, Bi와 같은 불순물을 주입한다. 상기 불순물 이온 주입에 의해 소스와 드레인 영역(18)이 형성되었다.
도 2j를 참조하면, 도 2i의 상기 형성된 구조물에 절연막(50)을 증착한다.
상기 절연막(50)으로는 SIN(Slicon Nitride), SOG(Spin On Glass), HSQ(Hydrogen Silsesquioxane) 등을 사용할 수 있다. 상기 무기물 포토레지스트(30)로 HSQ를 사용한 경우 상기 절연막으로 HSQ를 사용하면 후속 공정인 포토레지스트 패턴(36)의 제거공정시 함께 식각될 우려가 있으므로, 이를 고려하여 증착한다.
도 2k를 참조하면, 도 2j에서 형성된 상기 절연막(50)에 대해 상기 열처리된 포토레지스트 패턴(36)이 노출되도록 상기 절연막(50)을 식각한다.
식각 공정으로는 CMP(Chemical Mechanical Polishing)와 같은 공정을 사용할 수 있으며, 상기 식각 공정을 통해 측벽 스페이서(44)가 형성된다.
상기 측벽 스페이서(44)는 후술할 후속 공정에서 상기 열처리된 포토레지스트 패턴(36)이 제거되고 남은 자리에 형성될 게이트 전극층의 측벽에 대해 절연막 역할을 수행하며, 콘택홀을 형성하기 위한 식각 공정시 상기 게이트 전극층의 식각 방지막 역할을 수행한다.
도 2l을 참조하면, 도 2k에서 상기 노출되어 있는 열처리된 포토레지스트 패 턴(36)을 식각을 통해 제거한다.
상기 식각 공정으로는 습식 식각 또는 건식 식각을 사용할 수 있으며, 상기 열처리된 포토레지스트 패턴(36)의 하부에 있던 상기 버퍼층(20)도 같이 제거될 수 있도록 한다.
도 2m을 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(36)이 제거된 자리에 게이트 산화막(60)을 형성한다.
상기 게이트 산화막(60)은 후속 공정에서 형성될 게이트 전극을 상기 반도체 기판층(10)과 측벽 스페이서(44)와 분리시킬 정도로 형성하며, 상기 게이트 산화막은 상기 열처리된 포토레지스트 패턴(36)이 제거된 자리뿐만 아니라 상기 절연막(50)의 상부에도 형성된다. 상기 게이트 산화막(60)은 증착 또는 성장을 통해 형성할 수 있다.
도 2n을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자 제조 방법을 사용하여 제작된 최종 소자의 단면도로서, 상기 포토레지스트 패턴(36)이 제거되고 게이트 산화막(60)이 형성된 자리에 게이트 금속막(70)을 형성한다.
상기 금속막의 형성과 함께 도시된 바와 같이 소스 및 드레인 영역에 금속 배선을 형성하기 위해, 상기 소스 및 드레인 영역과 연결되도록 콘택홀을 형성하고, 상기 형성된 콘택홀에 대해서도 금속 배선(72, 74)이 연결되도록 한다.
상기의 공정들을 정리하면, 본원 발명의 반도체 소자 방법은 더미 구조물의 형성을 위한 통상의 방법과 달리, 포토레지스트 패턴만으로 더미 구조물을 형성하고 있다. 상기 포토레지스트 패턴은 통상의 더미 구조물에 비해 트리밍 공정을 통해 선폭의 조절이 용이하므로 미세한 선폭을 요하는 나노 소자 제작 공정에 이용할 경우, 트리밍 공정을 꼭 거치도록 한다. 한편, 상기 포토레지스트 패턴은 고온 공정에서 패턴에 변형이 될 수 있으므로, 특정가스를 이용한 열처리를 통해 그 특성을 변형시켜 이용한다.
도 3 내지 5는 본 발명의 반도체 소자 제조 방법을 응용하여 제작된 소자들의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 게이트 전극(70)의 양 측면에 측면 게이트(46)가 형성된 상태가 도시되어 있다.
전체적으로, 도 2a 내지 2n의 공정을 사용하되, 도 2g의 단계에서, 상기 측벽 스페이서를 형성하기 위한 절연층(40) 대신 전도층을 증착하여 측면 게이트(46)를 형성하였다.
도 4를 참조하면, 도 2a 내지 2n의 공정에서 사용된 SOI 기판과 달리 통상적인 실리콘 기판(10)을 사용한 공정을 도시하고 있다. 또한, 도 2a 내지 2n의 공정과 달리 실리콘 기판(10)에 게이트 산화막(60)을 먼저 형성한 후, 소스/드레인 영역(18)을 형성하고, 상기 게이트 산화막(60) 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하여 더미 구조물로 이용하였다. 더미 구조물의 형성 후 절연막(50)을 증착하고, 더미 구조물의 제거후 게이트 전극(70) 및 금속 배선(72, 74)을 형성한 것은 동일하다.
도 5를 참조하면, 단전자 소자(single electron device)의 제작공정에 본 발명의 반도체 소자 제조 방법을 응용한 것으로, 상기 포토레지스트 패턴(36)의 양 측면에 상기 측면 게이트(46)가 형성되고, 상기 측면 게이트(46)에 의한 필드에 따라 상기 포토레지스트 패턴(36) 아래의 기판에 양자점이 형성되며, 최상부 게이트 전극 (70)은 단전자 소자의 동작을 조절한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자 제조 방법을 응용하여 제작된 기본 구조를 보여주는 SEM(Scanning Electron Microscope)사진으로, 빛 또는 전자빔에 반응하는 고분해능 무기물 전자빔 포토레지스트인 수소 실세스퀴옥산(Hydrogen Silsesquioxane, HSQ)을 사용하여 20nm이하의 선폭을 가지는 포토레지스트 패턴(36)을 형성하고, O2 가스를 사용한 급속 열처리를 통해 막의 특성을 개선 한 후 650℃의 고온에서 다결정 실리콘을 증착시킨 후 건식 식각을 통해 패턴의 양 측면에 11nm급 선폭을 가지는 측면 게이트(46)를 형성한 단면을 보여준다.
이는 본원 발명의 특징인 포토레지스트를 이용한 더미 구조물을 통해 반도체 소자를 제조할 경우 20nm이하의 게이트 전극 및 11nm 급 측면 게이트를 제조할 수 있다는 실험결과를 보여준다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자 제조 방법에서 사용된 포토레지스트 패턴의 트리밍 공정의 결과를 보여주는 SEM 사진으로, CF4가스를 사용한 건식 식각을 통해 초기 21nm(a)의 선폭을 가지는 패턴을 5nm(e)의 선폭으로 재현성 있게 감소시킨 결과를 보여준다. 이때 트리밍 비율은 4nm/min로 최적화하였으며, 각각의 선폭은 (a) 21nm, (b) 17nm, (c) 13nm, (d) 9nm, (e) 5nm이다.
상기 실험 결과를 통해 포토레지스트 패턴에 트리밍 공정을 적용하여 5nm 정도의 미세 선폭을 갖는 더미 구조물을 형성할 수 있음을 보여주며, 따라서 본원 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법이 나노 소자 제작에 유용한 기술임을 알 수 있다. 이는 통상의 더미 구조물보다 포토레지스트 패턴이 트리밍하기 용이하기 때문에 비롯된 것으로서, 본원 발명의 특징적인 효과라고 볼 수 있다.
상기의 실시 예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러 가지 다른 형태로 변형되어 사용할 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시 예에 한정되는 것은 아니다. 상기의 설명에서 어떤 층이 다른 층의 위에 존재한다고 기술할 때, 이는 다른 층의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제 3의 층이 게재될 수도 있으며, 후속공정에 따라 제거될 수도 있다. 또한 각 층을 구성하는 물질 및 구조는 설명의 편의를 위해 선택되었으며, 다른 물질 및 다른 구조를 사용할 수 있다.
본 발명은 기존의 더미 구조물 형성 공정을 단순화할 수 있으며, 이를 이용하여 기존의 패터닝 공정보다 미세한 크기의 패턴 형성이 용이해진다. 따라서 상기 무기물 포토레지스트를 이용한 더미 구조물의 형성 방법을 사용함으로써, 나노 소자를 포함한 다양한 소자의 제작 및 공정의 단순화로 인한 제작비용의 감소가 가능하다.

Claims (9)

  1. 반도체 기판상의 최상부에 버퍼층을 형성하는 단계와,
    상기 버퍼층의 상부에 무기물 포토레지스트를 도포하고 리소그래피를 통해 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 형성된 포토레지스트 패턴에 특정 가스를 사용한 열처리를 하는 단계와,
    상기 열처리된 구조물의 상부에 균일한 두께의 절연막을 증착한 후에 상기 열처리된 포토레지스트 패턴이 노출되도록 상기 증착된 막을 상기 증착한 두께만큼 식각하는 단계와,
    상기 식각 단계를 거친 구조물에 절연막을 증착하고, 상기 열처리된 포토레지스트 패턴이 노출되도록 상기 증착된 절연막을 식각하는 단계와,
    상기 노출되어 있는 열처리된 포토레지스트 패턴을 식각을 통해 제거하는 단계와,
    상기 포토레지스트 패턴이 제거된 자리에 게이트 산화막을 형성하는 단계와,
    상기 형성된 게이트 산화막의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 SOI(Silicon On Insulator) 기판 또는 화합물 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 리소그래피를 통해 패턴을 형성하는 단계는 빛, 전자빔 또는 이온빔 등을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 형성된 포토레지스트 패턴의 선폭을 줄이기 위해 상기 포토레지스트 패턴을 트리밍하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 트리밍 하는 단계는 CF4 또는 CHF3 가스를 사용하는 건식 식각 또는 불산(HF)을 사용하는 습식 식각을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 특정 가스로 O2를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 열처리는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing) 또는 퍼니스(furnace)를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 열처리를 하는 단계에 의해 상기 포토레지스트 패턴이 경화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 노출되어 있는 열처리된 포토레지스트 패턴을 식각을 통해 제거하는 단계는 상기 식각을 통해 상기 열처리된 포토레지스트 패턴의 하부에 있는 버퍼층을 함께 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
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