KR100694561B1 - Ｉｃ소자 및 그 제조방법 및 ｉｃ소자를 탑재한 정보담체및 그 제조방법 - Google Patents

Ｉｃ소자 및 그 제조방법 및 ｉｃ소자를 탑재한 정보담체및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100694561B1
KR100694561B1 KR1020017010800A KR20017010800A KR100694561B1 KR 100694561 B1 KR100694561 B1 KR 100694561B1 KR 1020017010800 A KR1020017010800 A KR 1020017010800A KR 20017010800 A KR20017010800 A KR 20017010800A KR 100694561 B1 KR100694561 B1 KR 100694561B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coil
information carrier
layer
metal
strip
Prior art date
Application number
KR1020017010800A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020005596A (ko
Inventor
가와무라사토시
시미즈신
Original Assignee
히다치 막셀 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히다치 막셀 가부시키가이샤 filed Critical 히다치 막셀 가부시키가이샤
Publication of KR20020005596A publication Critical patent/KR20020005596A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100694561B1 publication Critical patent/KR100694561B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/07773—Antenna details
    • G06K19/07775—Antenna details the antenna being on-chip
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/07773—Antenna details
    • G06K19/07777—Antenna details the antenna being of the inductive type
    • G06K19/07779—Antenna details the antenna being of the inductive type the inductive antenna being a coil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Abstract

코일이 일체 형성된 IC 소자가 탑재된 통신거리가 더욱 큰 정보담체와 그 제조방법과, 이 종류의 정보담체에 적합한 IC 소자의 구성과 그 제조방법. IC 소자에 대해서는 코일(3)을 구성하는 도체를 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)과 금속도금층(7)을 가지는 다층구조로 하였다. IC 소자의 제조방법에 대해서는 금속도금층(7)의 형성수단으로서, 정밀전기주조법을 이용하였다. 정보담체에 대해서는 기체(21)의 평면방향의 중심부에 IC소자(1)를 배치한다는 구성으로 하였다. 정보담체의 제조방법에 대해서는 띠형상 소재(41 내지 45)의 어느 하나에 IC소자를 포함하는 소요의 탑재부품이 탑재된 것을 제작하고, 이어서 이 띠형상 소재로부터 소요의 정보담체(20a 내지 20h)를 펀칭형성한다는 구성으로 하였다.

Description

ＩＣ소자 및 그 제조방법 및 ＩＣ소자를 탑재한 정보담체 및 그 제조방법{IC DEVICE AND ITS PRODUCTION METHOD, AND INFORMATION CARRIER MOUNTED WITH IC DEVICE AND ITS PRODUCTION METHOD}
본 발명은 칩 위에 코일이 일체 형성된 IC 소자와 그 IC 소자의 제조방법과 그 IC 소자를 탑재한 정보담체와, 그 정보담체의 제조방법에 관한 것이다.
종래부터 소정형상의 기체 내에 IC 소자와 그 IC 소자의 단자부에 전기적으로 접속된 안테나코일을 구비하고, 리더/라이터로부터의 전력의 수급 및 리더/라이터 사이의 신호의 송수신을 전자파를 사용하여 비접촉으로 행하는 비접촉식 정보담체가 알려져 있다. 이와 같은 종류의 정보담체로서는 그 외형에 따라 카드형, 코인형 또는 버튼형 등이 있다.
종래, 이와 같은 종류의 정보담체로서는 안테나코일을 기체에 패턴형성한 것, 또는 권선으로 이루어지는 안테나코일을 기체에 담지한 것이 사용되고 있으나, 최근에 이르러 안테나코일과 IC 소자의 접속점의 보호처리나 방습대책이 불필요하여 저렴하게 작성할 수 있는 것, 및 기체에 구부러짐이나 비틀림 등의 스트레스가 작용한 경우에도 코일에 단선을 일으키는 일이 없어 내구성이 우수하기 때문에 IC 소자 자체에 안테나코일이 일체 형성된 IC 소자를 기체에 탑재한 것이 제안되고 있 다.
IC 소자에 안테나코일을 형성하는 방법으로서는 스퍼터(sputter)법이 사용되고 있고, IC 소자에 일체 형성된 안테나코일의 도체는 알루미늄의 스퍼터막으로 구성되어 있다.
그런데 안테나코일을 IC 소자에 일체형성하면, 안테나코일을 기체에 패턴형성하거나, 권선으로 이루어지는 안테나코일을 기체에 담지하는 경우에 비하여 코일의 감김지름이나 도체 폭이 작아져 감김수에 대해서도 스스로 한계가 있기 때문에 리더/라이터 사이의 통신거리를 크게 하는 것이 곤란하게 되는, 또는 통신거리를 확보할 수 없다.
본 발명은 이와 같은 종래기술의 불비를 해소하기 위하여 이루어진 것으로, 안테나코일이 일체 형성된 IC 소자를 탑재하여 이루어지는 정보담체로서, 통신거리가 더욱 큰 정보담체와 그 제조방법을 제공하는 것, 및 이 종류의 정보담체에 적합한 안테나코일이 일체 형성된 IC 소자의 구성과 그 제조방법을 제공하는 것을 기술적인 과제로 하는 것이다.
〈IC 소자〉
본 발명은 상기한 과제를 달성하기 위하여 IC 소자에 대해서는 코일이 일체 형성된 IC 소자에 있어서, 상기 코일을 구성하는 도체를 금속스퍼터층 또는 금속증착층과 금속도금층을 가지는 다층구조로 하였다.
금속도금층은, 금속스퍼터층이나 금속증착층에 비하여 전기저항치가 작으므로 코일의 도체를 금속스퍼터층 또는 금속증착층과 금속도금층을 가지는 다층구조로 하면 단지, 금속스퍼터층만 또는 금속증착층만으로 구성한 경우에 비하여 전자에너지의 손실을 작게 할 수 있어, 리더/라이터 사이의 통신거리를 크게 할 수 있다.
〈IC 소자의 제조방법〉
본 발명은 상기한 과제를 달성하기 위하여 IC 소자의 제조방법에 대해서는 제 1로, 소정의 공정을 거쳐 제작된 완성웨이퍼의 표면 보호막 위에 금속스퍼터층 또는 금속증착층을 균일하게 형성하는 공정과, 그 금속스퍼터층 또는 금속증착층 위에 포토레지스트층을 균일하게 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트층에 코일을 포함하는 소요의 패턴을 노광하고, 현상 후, 상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층을 상기 소정의 패턴으로 노출시키는 공정과, 상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층의 노출부분에 무전해 도금법 또는 전기도금법 또는 정밀전기주조법을 사용하여 금속도금층을 적층하는 공정과, 상기 완성웨이퍼에 부착한 포토레지스트층을 제거하는 공정과, 상기 금속도금층으로부터 노출한 상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층을 선택적으로 에칭하여 상기 소정의 패턴에 상당하는 소정의 도전패턴을 형성하는 공정과, 상기 완성웨이퍼를 스크라이빙하여 코일이 일체로 형성된 소요의 IC 소자를 얻는 공정을 포함하는 구성으로 하였다.
또 제 2로, 소정의 공정을 거쳐 제작된 완성웨이퍼의 표면 보호막 위에 포토레지스트층을 균일하게 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트층에 코일을 포함하는 소요의 패턴을 노광하고 현상 후, 상기 표면 보호막을 상기 소정의 패턴으로 노출시키는 공정과, 현상처리 후의 완성웨이퍼를 스퍼터장치 또는 진공증착장치에 장착하고 상기 표면 보호막의 노출부분에 금속스퍼터층 또는 금속증착층을 형성하는 공정과, 상기 완성웨이퍼에 부착된 포토레지스트층을 제거하는 공정과, 상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층에 무전해 도금법 또는 전기도금법을 사용하여 금속도금층을 적층하는 공정과, 상기 완성웨이퍼를 스크라이빙하여 코일이 일체 형성된 소요의 IC 소자를 얻는 공정을 포함하는 구성으로 하였다.
이와 같이 완성웨이퍼에 코일을 포함하는 소요의 도전패턴을 형성하고, 그 다음에 완성웨이퍼를 스크라이빙하여 소요의 IC 소자를 얻으면, 개개의 IC 소자에 코일을 형성하는 경우에 비하여 코일이 일체 형성된 IC 소자를 고능률로 제조할 수 있어, 그 제조비용을 저감할 수 있다. 또 웨이퍼에 형성된 모든 IC 소자에 대하여 균일한 두께의 코일을 고정밀도로 형성하는 것이 가능해져 통신특성의 불균일을 적게 하는 것이 가능해진다.
또 개개의 IC 소자에 대하여 스퍼터법 또는 진공증착법 및 도금법을 사용하여 코일을 형성하면 IC 소자의 바깥 둘레부에 불필요한 도체가 부착하여 IC 소자의 절연성이 문제가 되나, 완성웨이퍼에 코일을 포함하는 소요의 도전패턴을 형성한 경우에는 스퍼터시 등에 있어서 완성웨이퍼의 바깥 둘레부에 불필요한 도체가 부착하여도 해당 부는 불필요부분으로서 원래 처분되야 하는 부분이므로 개개의 IC 소자의 절연성이 문제가 되는 일도 없다.
〈정보담체〉
본 발명은 상기한 과제를 달성하기 위하여 정보담체에 대해서는 안테나코일 이 일체 형성된 IC 소자를 기체에 탑재하여 이루어지는 정보담체에 있어서, 상기 IC 소자를 상기 기체의 평면방향의 중심부에 배치한다는 구성으로 하였다.
이와 같이 1C 소자를 기체의 평면방향의 중심부에 배치하면, IC 소자에 일체 형성된 코일과 리더/라이터에 구비된 안테나코일의 중심을 합치시키기 쉬워지기 때문에, 양 코일 사이의 전자결합계수를 크게 할 수 있어 리더/라이터로부터 정보담체에의 전력의 공급 및 리더/라이터와 정보담체 사이의 신호의 송수신을 확실하게 행할 수 있다. 특히 정보담체를 구성하는 기체의 형상을, 원형이나 정방형 그것에 정다각형 등, 리더/라이터에 대한 방향성이 없거나, 리더/라이터에 대한 방향성이 적은 형상으로 한 경우에는 IC 소자에 일체 형성된 코일과 리더/라이터에 구비된 안테나코일의 중심을 더욱 합치시키기 쉬워지기 때문에 더욱 사용이 용이한 정보담체로 할 수 있다.
〈정보담체의 제조방법〉
본 발명은 상기한 과제를 달성하기 위하여 정보담체의 제조방법에 대해서는 제 1로, IC 소자를 삽입 가능한 다수의 관통구멍이 규칙적으로 설치된 제 1 띠형상 소재와 관통구멍을 가지지 않은 제 2 띠형상 소재를 접합하는 공정과, 코일이 일체 형성된 IC 소자를 상기 관통구멍 내(1)에 수납하여 고정하는 공정과, 상기 제 1 띠형상 소재와 관통구멍을 가지지 않은 제 3 띠형상 소재를 접합하는 공정과, 접합된 상기 제 1 내지 제 3 띠형상 소재를 일체로 펀칭하여 상기 IC 소자를 가지는 소요의 정보담체를 얻는 공정을 포함한다는 구성으로 하였다.
제 2로, IC 소자를 삽입 가능한 다수의 관통구멍이 규칙적으로 설치되고, 또한 그 각 관통구멍의 주위에 링형상의 오목부가 동심원형상으로 형성된 제 1 띠형상 소재의 상기 오목부 내에 상기 IC 소자와는 독립의 별체로 형성된 코일을 수납하여 고정하는 공정과, 상기 제 1 띠형상 소재의 한쪽 면에 관통구멍을 가지지 않은 제 2 띠형상 소재를 접합하는 공정과, 코일이 일체 형성된 IC 소자를 상기 관통구멍 내에 수납하여 고정하는 공정과, 상기 제 1 띠형상 소재와 관통구멍을 가지지 않은 제 3 띠형상 소재를 접합하는 공정과, 접합된 상기 제 1 내지 제 3 띠형상 소재를 일체로 펀칭하여 상기 IC 소자 및 그 IC 소자와는 독립된 별체로 형성된 코일을 가지는 소요의 정보담체를 얻는 공정을 포함한다는 구성으로 하였다.
이와 같이 띠형상 소재에 소요의 IC 소자(또는 IC 소자와 코일)가 탑재된 것을 제작하고, 그 다음에 이 띠형상 소재로부터 소요의 정보담체를 펀칭 형성하도록하면, 동일한 정보담체를 고능률로 제조할 수 있기 때문에 소요의 정보담체의 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한 상기 제 1 및 제 2 제조방법에 있어서는, 정보담체의 기체를 3부재(제 1 내지 제 3 띠형상 소재)로 형성하였으나, 제 1 띠형상 소재에 IC 소자를 수납하기 위한 관통구멍을 설치하는 구성 대신에 제 1 띠형상 소재에 IC 소자를 수납하기 위한 오목부를 형성함으로써 정보담체의 기체를 2부재로 형성할 수도 있다.
또 상기 제 1 및 제 2 제조방법에 있어서는, IC 소자(또는 IC 소자와 코일)를 띠형상 소재 내에 완전히 매설하였으나, 띠형상 소재에 설치된 관통구멍 또는 띠형상 소재에 형성된 오목부내에 IC 소자(또는 IC 소자와 코일)를 수납한 후, 상기 관통구멍 또는 오목부를 수지밀봉함으로써, IC 소자(또는 IC 소자와 코일)를 띠형상 소재의 한쪽 면에 노출시킬 수도 있다.
또한 IC 소자(또는 IC 소자와 코일)를 띠형상 소재의 한쪽 면에 노출시키는 경우에는 띠형상 소재에 IC 소자(또는 IC 소자와 코일)를 수납하기 위한 오목부를 형성함으로써 정보담체의 기체를 1 부재로 형성할 수도 있다.
도 1a, 도 1b, 도 1c는 실시형태예에 관한 IC 소자의 평면도,
도 2a, 도 2b는 실시형태예에 관한 IC 소자의 요부 단면도,
도 3은 완성웨이퍼의 평면도,
도 4a, 도 4b, 도 4c, 도 4d, 도 4e, 도 4f는 본 발명에 관한 IC 소자 제조방법의 제 1예를 나타내는 공정도,
도 5a, 도 5b, 도 5c, 도 5d, 도 5e는 본 발명에 관한 IC 소자 제조방법의 제 2예를 나타내는 공정도,
도 6은 안테나코일을 포함하는 소요의 도전패턴이 형성된 완성웨이퍼의 평면도,
도 7은 제 1 실시형태예에 관한 정보담체의 일부 절단한 평면도,
도 8은 제 1 실시형태예에 관한 정보담체의 분해사시도,
도 9는 제 1 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도,
도 10은 제 1 실시형태예에 관한 정보담체의 사용상태의 설명도,
도 11은 제 2 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도,
도 12는 제 3 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도,
도 13은 제 4 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도,
도 14는 제 5 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도,
도 15는 제 6 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도,
도 16은 제 7 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도,
도 17은 제 8 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도,
도 18은 띠형상 소재의 제 1 예를 나타내는 부분사시도,
도 19는 띠형상 소재의 제 2 예를 나타내는 부분사시도,
도 20은 띠형상 소재의 제 3 예를 나타내는 부분사시도,
도 21은 띠형상 소재의 제 4 예를 나타내는 부분사시도,
도 22는 띠형상 소재의 제 5 예를 나타내는 부분사시도이다.
〈IC 소자〉
이하, 본 발명에 관한 IC 소자의 실시형태예를 도 1a, 도 1b, 도 1c 및 도 2a, 도 2b에 의거하여 설명한다. 도 1a, 도 1b, 도 1c 는 실시형태예에 관한 IC 소자의 평면도, 도 2a, 도 2b는 실시형태예에 관한 IC 소자의 요부단면도이다.
본 실시형태예에 관한 IC 소자는 도 1a, 도 1b, 도 1c 및 도 2a, 도 2b에 나타내는 바와 같이 IC 소자(1)의 입출력단자(1a)의 형성면측에 산화실리콘막이나 수지막 등의 절연성 표면보호막(2)을 거쳐 직사각형 스파이럴형상의 안테나코일(3)을 일체로 형성하여 이루어진다.
도 1a의 IC 소자는 회로형성부(4)를 제외하는 바깥 둘레부에만 안테나코일 (3)을 형성한 것으로, IC 소자(1)에 형성된 회로와 안테나코일(3) 사이에 있어서의 부유용량의 발생을 방지할 수 있어 리더/라이터로부터의 전력의 수급효율 및 리더/라이터 사이의 신호의 송수신 효율을 높일 수 있다.
도 1b의 IC 소자(1)는 회로형성부(4)와 대향하는 부분까지 안테나코일(3)을 형성한 것으로, 코일의 감김수를 많게 할 수 있다는 것 때문에 리더/라이터로부터의 전력의 수급효율 및 리더/라이터 사이의 신호의 송수신 효율을 높일 수 있다.
또한 도 1b의 실시예에 있어서는 회로형성부(4)의 일부에 안테나코일이 겹쳐지는 것으로 하였으나, IC 소자를 소형·저비용으로 하기 위하여 회로형성부(4) 위에 모든 안테나코일을 형성하는 것도 가능하다.
도 1c의 IC 소자(1)는 직사각형 스파이럴형상으로 형성된 안테나코일(3)의 모서리 부분을 비스듬하게 모따기한 것으로, 모서리부에 있어서의 전류집중을 방지하여 안테나코일(3)의 저항치를 저감할 수 있어 리더/라이터로부터의 전력의 수급효율 및 리더/라이터 사이의 신호의 송수신 효율을 높일 수 있다. 모따기의 형상은 원호형상으로 하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또 모따기는 각 선의 안 둘레측 및 바깥 둘레측의 양쪽에 실시하는 것이 바람직하나, 바깥 둘레측에만 실시한 경우에도 효과가 있다.
어느쪽의 경우에도 실용상 충분한 전력의 공급을 받고, 또한 리더/라이터 사이의 통신특성을 확보하기 위해서는 상기 안테나코일(3)의 선폭을 7㎛이상, 선간 거리를 5㎛이하, 감김수를 20 턴이상으로 하는 것이 바람직하다.
IC 소자(1)의 입출력단자(1a)와 안테나코일(3)과의 접속은, 표면보호막(2)에 설치된 관통구멍(5)을 거쳐 행하여진다. 이 경우 안테나코일(3)의 형성위치가 약간 어긋난 경우에도 입출력단자(1a)와 안테나코일(3)의 접속이 확실하게 행하여지도록 도 2a, 도 2b에 나타내는 바와 같이 관통구멍(5)의 지름 또는 폭을 안테나코일(3)의 선폭보다도 작게 하는 것이 보다 바람직하다.
안테나코일(3)을 구성하는 도체는 도 2a, 도 2b에 나타내는 바와 같이 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)과 금속도금층(7)을 포함하는 다층구조로 되어 있다. 도 2a는 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)의 상면에만 금속도금층(7)을 형성한 예 이며, 도 2b는 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)의 주위면 전체에 금속도금층(7)을 형성한 예를 나타내고 있다. 상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6) 및 금속도금층(7)은 임의의 도전성금속을 가지고 형성할 수 있으나, 비교적 저렴하고 도전율이 높기 때문에 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)에 대해서는 알루미늄 또는 니켈 또는 구리 또는 크롬으로 형성하는 것이 바람직하고, 도 2a, 도 2b에 나타내는 바와 같이 단층 또는 복수의 조합으로 이루어지는 적층으로 할 수 있다. 상기 금속도금층(7)은 구리로 형성하는 것이 바람직하고, 무전해도금법 또는 전기도금법 또는 정밀전기주조법에 의해 형성할 수 있다.
〈IC 소자의 제조방법〉
다음으로 본 발명에 관한 IC 소자 제조방법의 실시형태예를 도 3 내지 도 6에 의거하여 설명한다. 또 3은 소정의 공정처리를 거쳐 완성된 소위 완성웨이퍼의 평면도, 도 4a, 도 4b, 도 4c, 도 4d, 도 4e, 도 4f는 본 발명에 관한 IC 소자 제조방법의 제 1예를 나타내는 공정도, 도 5a, 도 5b, 도 5c, 5d, 5e는 본 발명에 관 한 IC 소자 제조방법의 제 2예를 나타내는 공정도, 도 6은 안테나코일을 포함하는 소요의 도전패턴이 형성된 완성웨이퍼의 평면도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이 완성웨이퍼(11)에는 가장 바깥 둘레부를 제외하는 안 둘레부분에 다수개의 IC 소자용 회로(12)가 등간격으로 형성되어 있고, 그 회로형성면측에는 소요의 표면보호막(2)이 형성되어 있다(도 4 및 도 5참조).
도 4a, 도 4b, 도 4c, 도 4d, 도 4e, 도 4f에 나타내는 제 1 실시형태예에 관한 IC 소자 제조방법에서는, 먼저 도 4a에 나타내는 바와 같이 완성웨이퍼(11)의 회로형성면의 표면보호막(2)의 위에 알루미늄 또는 알루미늄합금 또는 구리 또는 구리합금을 사용하여 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)을 균일하게 형성한다. 이어서 도 4b에 나타내는 바와 같이 그 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6) 위에 포토레지스트층(12)을 균일하게 형성하고, 형성된 포토레지스트층(12)에 코일을 포함하는 소요의 패턴이 형성된 마스크(13)를 씌워 마스크(13)의 바깥쪽으로부터 소정파장의 빛(14)을 조사하여 포토레지스트층(12)을 노광한다. 그런 다음에 노광된 포토레지스트층(12)의 현상처리를 행하여 도 4c에 나타내는 바와 같이 포토레지스트층(12)의 노광부분을 제거하여 상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)의 상기 노광 패턴과 대응하는 부분을 노출시킨다.
금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)의 노출패턴에는 도 6에 나타내는 바와 같이 링형상의 전극부(15)와, 상기 각 회로(12)와 대향하는 부분에 형성된 안테나코일(3)과, 이들 전극부(15)와 각 안테나코일(3)을 연결하는 리드부(16)가 포함된다. 이어서 상기 전극부(15)를 한쪽의 전극으로 하여 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)의 노출부분에 전기도금 또는 정밀전기주조를 실시하여 도 4d에 나타내는 바와 같이 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)의 노출부분에 금속도금층(7)을 적층한다. 이어서 완성웨이퍼(11)의 표면에 부착된 포토레지스트층(12)을 애싱처리 등에 의해 제거하고, 도 4e에 나타내는 바와 같이 균일한 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6) 위에 전극부(15)와 안테나코일(3)과 리드부(16)를 가지는 금속도금층(7)이 형성된 완성웨이퍼(11)를 얻는다. 이어서 금속도금층(7)으로부터 노출한 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)을 선택적으로 에칭하고, 도 4f에 나타내는 바와 같이 금속도금층(7)으로부터 노출한 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)을 제거한다. 이에 의하여 금속스퍼터층 또는 금속증착증(6)과 금속도금층(7)이 모두 도 6에 나타내는 소요의 도전패턴에 형성된 완성웨이퍼(11)가 얻어진다. 가장 마지막에 상기 완성웨이퍼(11)를 스크라이빙하여 도 1에 나타내는 소요의 IC 소자(1)를 얻는다.
또한 상기 실시형태예에 있어서는 금속도금층(7)의 형성수단으로서 전기도금 법 또는 정밀전기주조법을 이용하였으나, 이와 같은 구성 대신에 무전해 도금법을 사용하여 상기 금속도금층(7)을 형성할 수도 있다. 이 경우에는 금속도금층(7)의 형성에 전극을 필요로 하지 않기 때문에 포토레지스트층(12)의 노광에 있어서 전극부(15)의 형성과 리드부(16)의 형성이 불필요하게 된다.
무전해 도금은 화학도금이라고도 불리우며, 바탕금속을 도금금속의 금속염용액 중에 침지하여 금속이온을 바탕 표면에 석출시키는 것으로, 비교적 간단한 설비로 밀착력이 강하고 균일하고 충분한 두께를 가지는 도금층를 얻을 수 있다는 특징이 있다. 상기 금속염은 도금하는 금속이온의 공급원이 되는 것으로, 구리를 도금하는 경우에는 황산구리, 염화제2구리, 질산구리 등의 용액이 도금액으로서 사용된다. 구리 등의 금속이온을 바탕이 되는 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6) 위에만 석출되고, 절연성 표면 보호층(2) 위에는 석출되지 않는다. 바탕재는 도금금속 이온에 대하여 이온화 경향이 작고, 또 도금금속이온의 석출에 대한 촉매작용을 가질 필요가 있다. 이 때문에 알루미늄으로 이루어지는 금속스퍼터층 또는 금속증착층위에 구리를 도금하는 경우에는 알루미늄층의 표면에 니켈을 수 ㎛ 이하의 두께로 형성하여 질산아연액에 수초간 침지하여 아연으로 치환하는 전처리를 실시하는 것이 바람직하다.
한편 전기도금법 및 정밀전기주조법은, 도금금속의 이온을 포함하는 도금욕 중에 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)이 형성된 완성웨이퍼(11)와 도금금속으로 이루어지는 전극을 침지하여 완성웨이퍼(11)에 형성된 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)을 음극, 도금욕 중에 침지된 전극을 양극으로서 전압을 인가하여 도금욕 중의 금속이온을 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)의 표면에 석출시키는 방법이다. 전기도금법 및 정밀전기주조법도 구리를 도금하는 경우에는 황산구리, 염화제2구리, 질산구리 등의 용액이 도금액으로서 사용된다.
본 예의 IC 소자 제조방법은, 완성웨이퍼(11)에 코일을 포함하는 소요의 도전패턴을 형성하고, 그런 다음에 완성웨이퍼(11)를 스크라이빙하여 소요의 IC 소자(1)를 얻는다는 구성으로 하였기 때문에 개개의 IC 소자에 코일을 형성하는 경우에 비하여 코일이 일체 형성된 IC 소자를 고능률로 제조할 수 있어 그 제조 비용을 저감할 수 있다. 또 웨이퍼에 형성된 모든 IC 소자에 대하여 균일한 두께의 코일을 고정밀도로 형성하는 것이 가능해져 통신특성의 불균일을 적게 할 수 있다.
또 개개의 IC 소자에 대하여 스퍼터법 또는 진공증착법 및 도금법을 사용하여 코일을 형성하면 IC 소자의 바깥 둘레부에 불필요한 도체가 부착하여 IC 소자의 절연성이 문제가 되나, 완성웨이퍼(11)에 코일을 포함하는 소요의 도전패턴을 형성한 경우에는 스퍼터시 등에 있어서 완성웨이퍼(11)의 바깥 둘레부에 불필요한 도체가 부착하여도 해당 부는 불필요한 부분으로서 원래 처분되어야 할 부분이므로 개개의 IC 소자의 절연성에 악영향을 주는 일도 없다.
또한 본 예의 IC 소자 제조방법은 포토레지스트층(12)이 있는 상태에서 금속도금층(7)의 형성을 행하고, 그런 다음에 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)의 금속도금층(7)이 적층되어 있지 않은 부분을 에칭에 의해 제거하도록 하였기 때문에 도 2a에 나타내는 바와 같이 금속도금층(7)이 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)의 상면에만 적층되어 폭방향으로 넓어지지 않으므로, 정밀한 안테나코일(3)을 형성할 수 있어 좁은 면적 내에 감김수가 많은 안테나코일(3)을 형성할 수 있다.
한편 도 5에 나타내는 제 2 실시형태예에 관한 IC 소자 제조방법에서는 도 5a에 나타내는 바와 같이 완성웨이퍼(11)에 형성된 표면보호막(2) 위에 포토레지스트층(12)을 균일하게 형성하고, 형성된 포토레지스트층(12)에 코일을 포함하는 소요의 패턴이 형성된 마스크(13)를 씌워 마스크(13)의 바깥쪽으로부터 소정파장의 빛(14)을 조사하여 포토레지스트층(12)을 노광한다. 그런 다음에 노광된 포토레지스트층(12)의 현상처리를 행하고, 도 5b에 나타내는 바와 같이 포토레지스트층(12)의 노광부분을 제거하여 표면보호막(2)의 상기 노광패턴과 대응하는 부분을 노출시킨다.
포토레지스트층(12)의 노광패턴은 도 6에 나타내는 바와 같이 전극부(15)와 안테나코일(3)과 리드부(16)를 포함하는 형상으로 할 수 있다. 이어서 현상처리 후의 완성웨이퍼(11)를 스퍼터장치 또는 진공증착장치에 장착하고, 도 5c에 나타내는 바와 같이 상기 표면보호막(2)의 노출부분에 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)을 형성한다. 이어서 도 5d에 나타내는 바와 같이 완성웨이퍼(11)에 부착한 포토레지스트층(12)을 애싱처리 등에 의해 제거한 후, 전극부(15)를 한쪽의 전극으로 여 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)에 전기도금을 실시하고, 도 5e에 나타내는 바와 같이 금속스퍼터층 또는 금속증착층(6)의 노출부분에 금속도금층(7)을 적층한다. 마지막으로 상기 완성웨이퍼(11)를 스크라이빙하여 도 1에 나타내는 소요의 IC 소자(1)를 얻는다.
또한 상기 실시형태예에 있어서는 금속도금층(7)의 형성수단으로서 전기도금 법을 사용하였으나, 이와 같은 구성 대신에 무전해 도금법을 사용하여 상기 금속도금층(7)을 형성할 수도 있다. 이 경우에는 금속도금층(7)의 형성에 전극을 필요로 하지 않기 때문에, 포토레지스트층(12)의 노광에 있어서 전극부(15)의 형성과 리드부(16)의 형성이 불필요하게 된다.
본 예의 IC 소자 제조방법은, 상기 제 1 실시형태예에 관한 IC 소자 제조방법과 동일한 효과를 가지는 외에, 완성웨이퍼(11)에 도전패턴을 형성하기 위한 공정수를 적게 할 수 있으므로, 안테나코일이 일체 형성된 IC 소자를 더욱 고능률로 제조할 수 있다.
〈정보담체〉
이하, 본 발명에 관한 정보담체의 실시형태예를 도 7 내지 도 17에 의거하여 설명한다. 도 7은 제 1 실시형태예에 관한 정보담체의 일부절단한 평면도, 도 8은 제 1 실시형태예에 관한 정보담체의 분해사시도, 도 9는 제 1 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도, 도 10은 제 1 실시형태예에 관한 정보담체의 사용상태의 설명도, 도 11은 제 2 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도, 도 12는 제 3 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도, 도 13은 제 4 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도, 도 14는 제 5 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도, 도 15는 제 6 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도, 도 16은 제 7 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도, 도 17은 제 8 실시형태예에 관한 정보담체의 단면도이다.
제 1 실시형태예에 관한 정보담체(20a)는 도 7 내지 도 9에 나타내는 바와 같이 평면형상이 원형으로 형성된 코인형의 기체(21)와, 그 기체(21)의 평면방향 및 두께방향의 중심부에 설정된 IC 소자(1)로 이루어진다. IC 소자(1)로서는 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이 안테나코일이 일체 형성된 것이 사용된다.
기체(21)는 도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이 상부재(22)와 중간부재(23)와 하부재(24)로 구성되어 있고, 각각 접착제층(25)을 거쳐 일체로 접합되어 있다. 기체(21)를 구성하는 각 부재(22, 23, 24)는 종이재 또는 플라스틱시트를 가지고 형성할 수 있으나, 폐액 후에 자연분해하고, 소각하여도 유해가스의 발생량이 적고 가격도 저렴하기 때문에 종이재로서 제작하는 것이 특히 바람직하다. 또 상기 각 부재(22, 23, 24)의 1개 또는 2개를 종이재로서 형성하고, 다른 1개 또는 2개를 플라스틱시트로 형성하는 것도 물론 가능하다.
상기 중간부재(23)의 중앙부에는 IC 소자(1)를 안쪽으로 삽입가능한 관통구멍(27)이 설치되어 있고, 상기 각 부재(22, 23, 24)를 접합함으로써 형성되는 공간내에 IC 소자(1)가 수납된다. 또한 IC 소자(1)는 취급시의 동요를 방지하기 위하여 하부재(24)에 접착하는 것이 바람직하다. 이 경우, 하부재(24)의 한쪽 면에 접착제층(25)를 균일하게 형성하여 두고, 이 접착제층(25)을 이용하여 중간부재(23)와 하부재(24)의 접착과, 하부재(24)와 IC 소자(1)의 접착을 행하도록 하는 것이 비용상 유리하다. 또 관통구멍(27)의 평면형상은 임의의 형상으로 할 수 있으나, 중간부재(23)와 하부재(24)를 접합함으로써 형성되는 오목부에 IC 소자(1)를 수납할 때 그 오목부와 IC 소자(1)의 회전방향의 방향을 엄밀하게 맞출 필요가 없기 때문에 도 7 및 도 8에 나타내는 바와 같이 원형의 투과구멍(27)을 형성하는 쪽이 제조상 유리하다.
본 예의 정보담체(20a)는 IC 소자(1)를 원형으로 형성된 기체(21)의 평면방향의 중심부에 배치하였기 때문에 도 10에 나타내는 바와 같이 대략 반원형의 슬롯(101)과 그 슬롯(101)에 있어서의 원호부의 중심에 구비된 비접촉통신용 안테나 코일(102)을 가지는 리더/라이터(100)의 상기 슬롯(101) 내에 정보담체(20)를 삽입함으로써 자동적으로 IC 소자(1)에 일체 형성된 안테나코일(3)과 리더/라이터(100)에 구비된 안테나코일(102)의 중심내기를 행할 수 있어 양 코일(3, 102) 사이의 전자결합계수를 크게 할 수 있으므로, 리더/라이터(100)로부터 정보담체(20)에의 전력의 공급 및 리더/라이터(100)와 정보담체(20) 사이의 신호의 송수신을 확실하게 행할 수 있다. 또 정보담체(20a)의 평면형상을 원형으로 형성하였기 때문에 대략 반원형으로 형성된 슬롯(101)에 대한 방향성이 없고, 사용의 용이성이 우수하다. 또한 IC 소자(1)를 기체(21)내에 완전히 수납하였기 때문에 IC 소자(1)의 보호효과가 높고, 내구성이 우수함과 동시에, 해당 부에서 IC 소자(1)가 보이지 않기 때문에 미관에도 우수하다.
제 2 실시형태예에 관한 정보담체(20b)는 도 11에 나타내는 바와 같이 상부재(22)와 중간부재(23)와 하부재(24)의 3부재를 가지고 기체(21)를 구성함과 동시에, IC 소자(1)의 주위에 부스터코일(28)을 동심원형상으로 배치한 것을 특징으로 한다. 도면 중의 부호 29는 부스터코일(28)을 수납하기 위한 오목부를 나타내고 있고, 이 오목부(29)는 중간부재(23)의 관통구멍(27)의 주위에 링형상으로 형성된다. 그 외의 구성에 대해서는 상기 제 1 실시예에 관한 정보담체(20a)와 동일하므로 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다. 본 예의 정보담체(20b)는 제 1 실시형태예에 관한 정보담체(20a)와 동일한 효과를 가지는 외에 IC 소자(1)의 주위에 부스터코일(28)을 동심원형상으로 배치하였으므로 IC 소자(1)에 일체 형성된 안테나코일(3)과 리더/라이터(100)에 구비된 안테나코일(102)의 전자결합을 부스터코일 (28)을 사이에 둠으로써 더욱 높은 것으로 할 수 있어, 더 한층의 전력공급의 안정화 및 신호송수신의 안정화 또는 통신거리의 증가를 도모할 수 있다.
제 3 실시형태예에 관한 정보담체(20c)는 도 12에 나타내는 바와 같이 상부재(22)와 하부재(24)의 2부재를 가지고 기체(21)를 구성하고, 하부재(24)에 IC 소자(1)를 수납하기 위한 오목부(30)를 형성한 것을 특징으로 한다. 그 외의 구성에 대해서는 상기 제 1 실시예에 관한 정보담체(20a)와 동일하므로 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다. 본 예의 정보담체(20c)는 제 1 실시형태예에 관한 정보담체(20a)와 동일한 효과를 가지는 외에, 부품점수가 적기 때문에 정보담체의 더 한층의 저비용화를 도모할 수 있다.
제 4 실시형태예에 관한 정보담체(20d)는 도 13에 나타내는 바와 같이 상부재(22)와 하부재(24)의 2부재를 가지고 기체(21)를 구성하고, 하부재(24)에 IC 소자(1)를 수납하기 위한 제 1 오목부(30)와 부스터코일(28)을 수납하기 위한 제 2 오목부(29)를 형성한 것을 특징으로 한다. 그 외의 구성에 대해서는 상기 제 3 실시예에 관한 정보담체(20c)와 동일하므로 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다. 본 예의 정보담체(20c)는 제 2 실시형태예에 관한 정보담체(20b)와 동일한 효과를 가지는 외에 부품점수가 적기 때문에 정보담체의 더 한층의 저비용화를 도모할 수 있다.
제 5 실시형태예에 관한 정보담체(20e)는 도 14에 나타내는 바와 같이, IC 소자 수납용 관통구멍(27)이 설치된 상부재(22)와 그 관통구멍(27)을 가지지 않은 하부재(24)의 2부재를 가지고 기체(21)를 구성하고, 상부재(22)와 하부재(24)를 접합함으로써 형성되는 오목부 내에 IC 소자(1)를 수납하고, 그 오목부 내를 포팅수지(31)로 밀봉한 것을 특징으로 한다. 그 외의 구성에 대해서는 상기 제 1 실시예에 관한 정보담체(20a)와 동일하므로 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다. 본 예의 정보담체(20e)는 IC 소자(1)가 기체를 가지고 피복되지 않은 점을 제외하고, 제 1 실시형태예에 관한 정보담체(20a)와 동일한 효과를 가진다.
제 6 실시형태예에 관한 정보담체(20f)는 도 15에 나타내는 바와 같이, IC 소자수납용 관통구멍(27)이 설치됨과 동시에 그 관통구멍(27)의 주위에 부스터코일 수납용 오목부(29)가 동심으로 형성된 상부재(22)와, 상기 관통구멍(27) 및 오목부(29)를 가지지 않은 하부재(24)의 2부재를 가지고 기체(21)를 구성하고, 상기 오목부(29)내에 부스터코일(28)을 수납하여 그 오목부(29) 내를 포팅수지(31)로 밀봉함과 동시에, 상부재(22)와 하부재(24)를 접합함으로써 형성되는 오목부내에 IC 소자(1)를 수납하여 그 오목부내를 포팅수지(31)로 밀봉한 것을 특징으로 한다. 그 외의 구성에 대해서는 상기 제 5 실시예에 관한 정보담체(20e)와 동일하므로 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다. 본 예의 정보담체(20f)는 IC 소자(1)가 기체를 가지고 피복되지 않은 점을 제외하고, 제 1 실시형태예에 관한 정보담체(20a)와 동일한 효과를 가진다.
제 7 실시형태예에 관한 정보담체(20g)는 도 16에 나타내는 바와 같이 한쪽 면에 IC 소자(1)를 수납하기 위한 오목부(30)가 형성된 1 부재를 가지고 기체(21)를 구성하고, 상기 오목부(30)내에 IC 소자(1)를 수납하여 그 오목부(30) 내를 포팅수지(31)로 밀봉한 것을 특징으로 한다. 그 외의 구성에 대해서는 상기 제 5 실시예에 관한 정보담체(20e)와 동일하므로 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다. 본 예의 정보담체(20g)는 제 5 실시형태예에 관한 정보담체(20e)와 동일한 효과를 가지는 외에 부품점수가 적기 때문에 정보담체의 더 한층의 저비용화를 도모할 수 있다.
제 8 실시형태예에 관한 정보담체(20h)는 도 17에 나타내는 바와 같이 한쪽면에 IC 소자(1)를 수납하기 위한 제 1 오목부(30)와 부스터코일(28)을 수납하기 위한 제 2 오목부(29)가 형성된 1 부재를 가지고 기체(21)를 구성하고, 상기 제 1 오목부(30)내에 IC 소자(1)를 수납하여 그 오목부(30) 내를 포팅수지(31)로 밀봉함과 동시에, 상기 제 2 오목부(29) 내에 부스터코일(28)을 수납하여 그 오목부(29) 내를 포팅수지(31)로 밀봉한 것을 특징으로 한다. 그 외의 구성에 대해서는 상기 제 7 실시예에 관한 정보담체(20g)와 동일하므로 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다. 본 예의 정보담체(20h)는 제 6 실시형태예에 관한 정보담체(20f)와 동일한 효과를 가지는 것 외에 부품점수가 적기 때문에 정보담체의 더 한층의 저 비용화를 도모할 수 있다.
또한 상기 각 실시형태예에 있어서는, 기체(21)의 평면형상을 원형으로 형성하였으나, 그 외에 정방형, 장방형, 삼각형 또는 다각형 등, 임의의 형상으로 형성할 수 있다.
또한 상기 제 2, 제 4, 제 6, 제 8 실시형태예에 관한 정보담체에 있어서는, 독립된 부스터코일(28)을 기체(21)의 관통구멍부 및 오목부에 설치하였으나, 기체 (21)를 구성하는 부재에 인쇄·도금·스퍼터 등에 의해 부스터코일(28)을 직접 형성하는 것도 가능하다.
또 부스터코일(28)을 IC 소자와 비접촉 통신을 행하는 제 1 코일과 외부 리더/라이터와 통신을 행하는 제 1 코일보다 큰 제 2 코일을 직렬로 접속한 구성으로 함으로써 통신거리를 늘리는 것도 가능하다.
〈정보담체의 제조방법〉
다음으로 본 발명에 관한 정보담체제조방법의 실시형태예를 도 18 내지 도 22에 의거하여 설명한다. 도 18은 본 발명에 관한 정보담체의 제조에 사용되는 띠형상 소재의 제 1 예를 나타내는 부분사시도, 도 19는 띠형상 소재의 제 2 예를 나타내는 부분사시도, 도 20은 띠형상 소재의 제 3 예를 나타내는 부분사시도, 도 21은 띠형상 소재의 제 4 예를 나타내는 부분사시도, 도 22는 띠형상 소재의 제 5 예를 나타내는 부분사시도이다.
본 발명의 정보담체제조방법은, 띠형상으로 형성된 1개의 기체구성용 소재(띠형상 소재)에 IC 소자(1)를 포함하는 소요의 탑재부품을 설정하고, 이어서 필요에 따라 그 띠형상 소재의 한쪽 면 또는 양면에 다른 띠형상 소재를 접합하거나 탑재부품의 포팅을 행하고, 그런 다음에 단체 또는 접합된 띠형상 소재로부터 소요의 정보담체를 펀칭 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 관한 정보담체제조방법의 실시에는 도 18에 나타내는 바와 같이 IC 소자(1)를 수납하기 위한 관통구멍(27)이 일정간격으로 설치된 띠형상 소재(41), 도 19에 나타내는 바와 같이 IC 소자(1)를 수납하기 위한 관통구멍(27)이 일정간격으로 설치됨과 동시에 각 관통구멍 (27)의 주위에 부스터코일(28)을 수납하기 위한 링형상의 오목부(29)가 동심으로 형성되고, 그 링형상의 오목부(29)의 바닥면에 접착제층(32)이 도포된 띠형상 소재(42), 도 20에 나타내는 바와 같이 IC 소자(1)를 수납하기 위한 오목부(30)가 일정간격으로 설치되고, 그 오목부(30)의 바닥면에 접착제층(32)이 도포된 띠형상 소재(43), 도 21에 나타내는 바와 같이 IC 소자(1)를 수납하기 위한 제 1 오목부(30)가 일정간격으로 설치됨과 동시에 각 제 1 오목부(30)의 주위에 부스터코일(28)을 수납하기 위한 링형상의 제 2 오목부(29)가 동심으로 형성되고, 이들 각 오목부(29, 30)의 바닥면에 접착제층(32)이 도포된 띠형상 소재(44), 도 22에 나타내는 바와 같이 관통구멍이나 오목부를 가지고 않고 한쪽 면에 접착제층(25)이 균일하게 도포되어 띠형상 소재(45)가 선택적으로 이용된다.
본 발명에 관한 정보담체제조방법의 제 1 예는, 제 1 실시형태예에 관한 정보담체(20a)를 제조하기 위한 것으로, 도 18에 나타낸 1매의 띠형상 소재(41)와 도 22에 나타낸 2매의 띠형상 소재(45)를 사용한다. 그리고 먼저 띠형상 소재(41)의 한쪽 면에 접착제층(25)을 거쳐 띠형상 소재(45)를 접합하고, IC 소자(1)를 수납 가능한 공간을 가지는 띠형상 부재(41, 45)의 접합체를 얻는다. 이어서 상기 공간 내에 IC 소자(1)를 위치 결정하여 수납하고, 접착제층(25)을 거쳐 띠형상 소재(45)에 접착한다. 이어서 띠형상 소재(41)의 다른쪽 면측에 또 1매의 띠형상 소재(45)를 접착제층(25)을 거쳐 접합하고, 내부 공간내에 IC 소자(1)가 수납된 띠형상 부재(41, 45)의 접합체를 얻는다. 마지막으로 이 접합체를 소정의 형상으로 절단하여 제 1 실시형태예에 관한 정보담체(20a)를 얻는다. 본 예의 정보담체제조방법은 띠형상 소재(41, 45)에 다수의 IC소자(1)를 케이싱하고, 그 후에 이 띠형상 소재(41, 45)로부터 소요의 정보담체를 펀칭 형성하기 때문에 동일한 정보담체를 고능률로 제조할 수 있어 정보담체의 제조비용을 저감할 수 있다.
본 발명에 관한 정보담체제조방법의 제 2 예는, 제 2 실시형태예에 관한 정보담체(20b)를 제조하기 위한 것으로, 도 19에 나타낸 1매의 띠형상 소재(42)와 도 22에 나타낸 2매의 띠형상 소재(45)를 사용한다. 그리고 먼저 띠형상 소재(42)에 형성된 링형상의 오목부(29) 내에 부스터코일(28)을 수납하고, 접착제층(32)을 거쳐 그 오목부(29)의 바닥면에 접착한다. 이어서 띠형상 소재(42)의 한쪽 면에 접착제층(25)을 거쳐 띠형상 소재(45)를 접합하고, IC 소자(1)를 수납 가능한 공간을 가지는 띠형상 부재(41, 45)의 접합체를 얻는다. 이어서 상기 공간내에 IC 소자(1)를 위치 결정하여 수납하고, 접착제층(25)을 거쳐 띠형상 소재(45)에 접착한다. 이어서 띠형상 소재(41)의 다른쪽 면측에 또 1매의 띠형상 소재(45)를 접착제층(25)을 거쳐 접합하고, 내부공간 내에 IC 소자(1)가 수납된 띠형상 부재(42, 45)의 접합체를 얻는다. 마지막으로 이 접합체를 소정의 형상으로 절단하여 제 2실시형태예에 관한 정보담체(20b)를 얻는다. 본 예의 정보담체제조방법도 제 1 실시형태예에 관한 정보담체제조방법과 동일한 효과를 가진다.
본 발명에 관한 정보담체제조방법의 제 3 예는, 제 3 실시형태예에 관한 정보담체(20c)를 제조하기 위한 것으로, 도 20에 나타낸 1매의 띠형상 소재(43)와 도 22에 나타낸 1매의 띠형상 소재(45)를 사용한다. 그리고 먼저 띠형상 소재(43)에 형성된 오목부(30)내에 IC 소자(1)를 위치 결정하여 수납하고, 접착제층(32)을 거쳐 그 오목부(30)의 바닥면에 접착한다. 이어서 띠형상 소재(43)의 오목부 형성면측에 띠형상 소재(45)를 접착제층(25)을 거쳐 접합하고, 내부공간내에 IC 소자(1)가 수납된 띠형상 부재(43, 45)의 접합체를 얻는다. 마지막으로 이 접합체를 소정의 형상으로 절단하여 제 3 실시형태예에 관한 정보담체(20c)를 얻는다. 본 예의 정보담체제조방법도 제 1 실시형태예에 관한 정보담체제조방법과 동일한 효과를 가진다.
본 발명에 관한 정보담체제조방법의 제 4 예는, 제 4 실시형태예에 관한 정보담체(20d)를 제조하기 위한 것으로, 도 21에 나타낸 1매의 띠형상 소재(44)와 도 22에 나타낸 1매의 띠형상 소재(45)를 사용한다. 그리고 먼저 띠형상 소재(44)에 형성된 제 1 오목부(30)내에 IC 소자(1)를 위치 결정하여 수납하고, 접착제층(32)을 거쳐 그 오목부(30)의 바닥면에 접착함과 동시에, 그 띠형상 소재(44)에 형성된 링형상의 제 2 오목부(29)내에 부스터코일(28)을 수납하고, 접착제층(32)을 거쳐 그 오목부(29)의 바닥면에 접착한다. 이어서 띠형상 소재(44)의 오목부 형성면측에 띠형상 소재(45)를 접착제층(25)을 거쳐 접합하고, 내부공간 내에 IC 소자(1)가 수납된 띠형상 부재(44, 45)의 접합체를 얻는다. 마지막으로 이 접합체를 소정의 형상으로 절단하여 제 3 실시형태예에 관한 정보담체(20c)를 얻는다. 본 예의 정보담체제조방법도 제 1 실시형태예에 관한 정보담체제조방법과 동일한 효과를 가진다.
본 발명에 관한 정보담체제조방법의 제 5 예는 제 5 실시형태예에 관한 정보담체(20e)를 제조하기 위한 것으로, 도 18에 나타낸 1매의 띠형상 소재(41)와 도 22에 나타낸 1매의 띠형상 소재(45)를 사용한다. 그리고 먼저 띠형상 소재(41)의 한쪽 면에 접착제층(25)을 거쳐 띠형상 소재(45)를 접합하고, IC 소자(1)를 수납 가능한 공간을 가지는 띠형상 부재(41, 45)의 접합체를 얻는다. 이어서 상기 공간내에 IC 소자(1)를 위치 결정하여 수납하고, 접착제층(25)을 거쳐 띠형상 소재(45)에 접착한다. 이어서 상기 IC 소자(1)가 수납된 공간내에 포팅수지(31)를 충전하여 IC 소자(1)가 설정된 띠형상부재(41, 45)의 접합체를 얻는다. 마지막으로 이 접합체를 소정의 형상으로 절단하여 제 5 실시형태예에 관한 정보담체(20e)를 얻는 다. 본 예의 정보담체제조방법도 제 1 실시형태예에 관한 정보담체제조방법과 동일한 효과를 가진다.
본 발명에 관한 정보담체제조방법의 제 6 예는, 제 6 실시형태예에 관한 정보담체(20f)를 제조하기 위한 것으로, 도 19에 나타낸 1매의 띠형상 소재(45)를 사용한다. 그리고 먼저 띠형상 소재(42)로 형성된 링형상의 오목부(29) 내에 부스터코일(28)을 수납하고, 접착제층(32)을 거쳐 그 오목부(29)의 바닥면에 접착한다. 이어서 띠형상 소재(42)의 한쪽 면에 띠형상 소재(45)를 접착제층(25)을 거쳐 접합하고, IC 소자(1)를 수납 가능한 공간을 가지는 띠형상 부재(42, 45)의 접합체를 얻는다. 이어서 상기 공간 내에 IC 소자(1)를 위치결정하여 수납하고 접착제층(25)을 거쳐 띠형상 소재(45)에 접착한다. 이이서 상기 부스터코일(28)이 수납된 오목부(29) 내와 상기 IC 소자(1)가 수납된 공간 내에 포팅수지(31)를 충전하여 IC 소자(1) 및 부스터코일(28)이 설정된 띠형상 부재(42, 45)의 접합체를 얻는다. 마지막으로 이 접합체를 소정의 형상으로 절단하여 제 6 실시형태예에 관한 정보담체(20f)를 얻는다. 본 예의 정보담체제조방법도 제 1 실시형태예에 관한 정보담체 제조방법과 동일한 효과를 가진다.
본 발명에 관한 정보담체제조방법의 제 7 예는, 제 7 실시형태예에 관한 정보담체(20g)를 제조하기 위한 것으로, 도 20에 나타낸 1매의 띠형상 소재(43)를 사용한다. 그리고 먼저 띠형상 소재(43)에 형성된 오목부(30)내에 IC 소자(1)를 위치 결정하여 수납하고, 접착제층(32)을 거쳐 그 오목부(30)의 바닥면에 접착한다. 이어서 상기 IC 소자(1)가 수납된 오목부(30)내에 포팅수지(31)를 충전하여 IC 소 자(1)가 설정된 띠형상 부재(43)를 얻는다. 마지막으로 이 띠형상 부재(43)를 소정의 형상으로 절단하여 제 7 실시형태예에 관한 정보담체(20g)를 얻는다. 본 예의 정보담체제조방법도 제 1 실시형태예에 관한 정보담체제조방법과 동일한 효과를 가진다.
본 발명에 관한 정보담체제조방법의 제 8 예는, 제 8 실시형태예에 관한 정보담체(20h)를 제조하기 위한 것으로, 도 21에 나타낸 1매의 띠형상 소재(44)를 사용한다. 그리고 먼저 띠형상 소재(44)에 형성된 제 1 오목부(30)내에 IC 소자(1)를 위치 결정하여 수납하고, 접착제층(32)을 거쳐 그 오목부(30)의 바닥면에 접착함과 동시에, 그 띠형상 소재(44)에 형성된 링형상의 제 2 오목부(29) 내에 부스터코일(28)을 수납하고 접착제층(32)을 거쳐 그 오목부(29)의 바닥면에 접착한다. 이어서 상기 IC 소자(1)가 수납된 제 1 오목부(30) 내 및 상기 부스터코일(28)이 수납된 제 2 오목부(29) 내에 포팅수지(31)를 충전하여 IC 소자(1) 및 부스터코일 (28)이 설정된 띠형상 부재(43)를 얻는다. 마지막으로 이 접합체를 소정의 형상으로 절단하여 제 8 실시형태예에 관한 정보담체(20h)를 얻는다. 본 예의 정보담체제조방법도 제 1 실시형태예에 관한 정보담체제조방법과 동일한 효과를 가진다.
또한 상기 제2, 제 4, 제 6, 제 8 실시형태예에 있어서는, 부스터코일(28)을 기체(21)와 독립된 별체로 형성하였으나, 기체(21)를 구성하는 어느 하나의 띠형상 부재에 인쇄형성할 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 IC 소자는 IC 소자와 일체로 형성되는 코일의 도체를 금속스퍼터층 또는 금속증착층과 금속도금층을 가지는 다층구조로 하였기 때문에 그 도체를 단지 금속스퍼터층만 또는 금속증착층만으로 구성한 경우에 비하여 전자에너지의 손실을 적게 할 수 있어 리더/라이터로부터의 수급전력의 안정화, 리더/라이터와 사이의 통신의 안정화 및 리더/라이터 사이의 통신거리의 확대를 도모할 수 있다.
본 발명의 IC 소자제조방법은, 개개의 IC 소자에 코일을 형성하는 것은 아니고, 완성웨이퍼에 개개의 IC 소자에 따른 다수의 코일을 동시에 형성하기 때문에 코일이 일체로 형성된 IC 소자를 고능률로 제조할 수 있고, 이와 같은 종류의 IC 소자의 저비용화를 도모할 수 있다.
본 발명의 정보담체는 코일이 일체 형성된 IC 소자를 기체의 평면방향의 중심부에 배치하였기 때문에 IC 소자에 일체 형성된 코일과 리더/라이터에 구비된 안테나코일의 중심을 용이하게 합치시킬 수 있어 양 코일 사이의 전자결합계수를 크게 할 수 있으므로, 리터/라이터로부터 정보담체에 대한 전력의 공급 및 리더/라이터와 정보담체 사이의 신호의 송수신을 안정화할 수 있다.
본 발명의 정보담체제조방법은, 띠형상 소재에 IC 소자를 포함하는 소요의 탑재부품이 탑재된 것을 제작하고, 그런 다음에 이 띠형상 소재로부터 소요의 정보담체를 펀칭형성하도록 하였기 때문에 동일한 정보담체를 고능률로 제조할 수 있어 IC 소자를 구비한 정보담체의 제조비용을 저감할 수 있다.

Claims (27)

  1. 외부와의 데이터통신을 비접촉으로 하기 위한 안테나 코일이 일체 형성된 IC 소자에 있어서,
    상기 안테나 코일을 구성하는 도체를, 알루미늄, 니켈, 구리 및 크롬 중에서 선택되는 금속 또는 이들 금속군에서 선택되는 2종류 이상의 금속의 합금으로 이루어지는 금속스패터층 또는 금속증착층과, 상기 금속스패터층 또는 금속증착층 위에 형성된 구리도금층으로 형성한 것을 특징으로 하는 IC 소자.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    절연성의 표면 보호막을 거쳐 상기 IC 소자의 입출력단자 형성면측에 상기 코일을 형성하고, 상기 IC 소자의 입출력단자와 상기 코일을 상기 표면 보호막에 설치된 상기 코일의 선폭보다도 작은 지름의 관통구멍을 거쳐 전기적으로 접속한 것을 특징으로 하는 IC 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 코일의 평면형상을 직사각형 스파이럴형상으로 하고, 모서리부의 전부 또는 일부에 모따기를 실시한 것을 특징으로 하는 IC 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 금속도금층을 무전해 도금법 또는 전기도금법 또는 정밀전기주조법에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 IC 소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 코일의 선폭을 7㎛ 이상, 선간 거리를 5 ㎛ 이하, 감김수를 20턴 이상으로 한 것을 특징으로 하는 IC 소자.
  7. 소정의 공정을 거쳐 제작된 완성웨이퍼의 표면 보호막 위에 금속스퍼터층 또는 금속증착층을 균일하게 형성하는 공정과;
    상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층 위에 포토레지스트층을 균일하게 형성하는 공정과;
    상기 포토레지스트층에 외부와의 데이터통신을 비접촉으로 행하기 위한 코일을 포함하는 소요의 패턴을 노광, 현상함으로써 상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층을 상기 소정의 패턴으로 노출시키는 공정과;
    상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층의 노출부분에 무전해 도금법 또는 전기도금법 또는 정밀전기주조법을 사용하여 금속도금층을 적층하는 공정과;
    상기 완성웨이퍼에 부착한 포토레지스트층을 제거하는 공정과;
    상기 금속도금층으로부터 노출한 상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층을 선택적으로 에칭하고, 상기 소정의 패턴에 상당하는 소정의 도전패턴을 형성하는 공정과;
    상기 완성웨이퍼를 스크라이빙하여 코일이 일체로 형성된 소요의 IC 소자를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 소자의 제조방법.
  8. 소정의 공정을 거쳐 제작된 완성웨이퍼의 표면 보호막 위에 포토레지스트층을 균일하게 형성하는 공정과;
    상기 포토레지스트층에 외부와의 데이터통신을 비접촉으로 행하기 위한 코일을 포함하는 소요의 패턴을 노광하여 현상함으로써 상기 표면 보호막을 상기 소정의 패턴으로 노출시키는 공정과;
    현상처리 후의 완성웨이퍼를 스퍼터장치 또는 진공증착장치에 장착하고, 상기 표면 보호막의 노출부분에 금속스퍼터층 또는 금속증착층을 형성하는 공정과;
    상기 완성웨이퍼에 부착한 포토레지스트층을 제거하는 공정과;
    상기 금속스퍼터층 또는 금속증착층에 무전해 도금법 또는 전기도금법을 사용하여 금속도금층을 적층하는 공정과;
    상기 완성웨이퍼를 스크라이빙하여 코일이 일체 형성된 소요의 IC 소자를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 소자의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. IC 소자를 삽입 가능한 다수의 관통구멍이 규칙적으로 설치된 제 1 띠형상 소재와 관통구멍을 가지지 않은 제 2 띠형상 소재를 접합하는 공정과;
    코일이 일체 형성된 IC 소자를 상기 관통구멍내(1)에 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 제 1 띠형상 소재와 관통구멍을 가지지 않은 제 3 띠형상 소재를 접합하는 공정과;
    접합된 상기 제 1 내지 제 3 띠형상 소재를 일체로 펀칭하여 상기 IC 소자를 가지는 소요의 정보담체를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보담체의 제조방법.
  21. IC 소자를 삽입 가능한 다수의 관통구멍이 규칙적으로 설치되고, 또한 그 각 관통구멍의 주위에 링형상의 오목부가 동심원형상으로 형성된 제 1 띠형상 소재의 상기 오목부 내에 상기 IC 소자와는 독립된 별체로 형성된 코일을 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 제 1 띠형상 소재의 한쪽 면에 관통구멍을 가지지 않은 제 2 띠형상 소재를 접합하는 공정과;
    코일이 일체 형성된 IC 소자를 상기 관통구멍 내에 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 제 1 띠형상 소재와 관통구멍을 가지지 않은 제 3 띠형상 소재를 접합하는 공정과;
    접합된 상기 제 1 내지 제 3 띠형상 소재를 일체로 펀칭하여 상기 IC 소자 및 그 IC 소자는 독립된 별체로 형성된 코일을 가지는 소요의 정보담체를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보담체의 제조방법.
  22. IC 소자를 삽입가능한 다수의 오목부가 규칙적으로 형성된 제 1 띠형상 소재의 상기 오목부내에 코일이 일체 형성된 IC 소자를 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 제 1 띠형상 소재의 오목부 형성면측에 관통구멍을 가지지 않은 제 2 띠형상 소재를 접합하는 공정과;
    접합된 상기 제 1 및 제 2 띠형상 소재를 일체로 펀칭하여 상기 IC 소자를 가지는 소요의 정보담체를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보담체의 제조방법.
  23. IC 소자를 삽입 가능한 다수의 제 1 오목부가 규칙적으로 형성되고, 또한 그 각 제 1 오목부의 주위에 링형상의 제 2 오목부가 동심원형상으로 형성된 제 1 띠형상 소재의 상기 제 1 오목부내에 코일이 일체 형성된 IC 소자를 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 제 1 띠형상 소재의 제 2 오목부 내에 상기 IC 소자와는 독립된 별체로 형성된 코일을 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 제 1 띠형상 소재의 오목부 형성면측에 관통구멍을 가지지 않은 제 2 띠형상 소재를 접합하는 공정과;
    접합된 상기 제 1 및 제 2 띠형상 소재를 일체로 펀칭하여 상기 IC 소자 및 그 IC 소자와는 독립된 별체로 형성된 코일을 가지는 소요의 정보담체를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보담체의 제조방법.
  24. IC 소자를 삽입 가능한 다수의 관통구멍이 규칙적으로 설치된 제 1 띠형상 소재와 관통구멍을 가지지 않은 제 2 띠형상 소재를 접합하는 공정과;
    코일이 일체 형성된 IC 소자를 상기 관통구멍내에 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 IC 소자가 수납된 상기 관통구멍을 수지밀봉하는 공정과;
    접합된 상기 제 1 및 제 2 띠형상 소재를 일체로 펀칭하여 상기 IC 소자를 가지는 소요의 정보담체를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보담체의 제조방법.
  25. IC 소자를 삽입 가능한 다수의 관통구멍이 규칙적으로 설치되고, 또한 그 각 관통구멍의 주위에 링형상의 오목부가 동심원형상으로 형성된 제 1 띠형상 소재의 상기 오목부 내에 상기 IC 소자와는 독립된 별체로 형성된 코일을 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 제 1 띠형상 소재와 관통구멍을 가지지 않은 제 2 띠형상 소재를 접합하는 공정과;
    상기 코일이 수납된 상기 관통구멍을 수지밀봉하는 공정과;
    접합된 상기 제 1 및 제 2 띠형상 소재를 일체로 펀칭하여 상기 IC 소자 및 그 IC 소자와는 독립된 별체로 형성된 코일을 가지는 소요의 정보담체를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보담체의 제조방법.
  26. IC 소자를 삽입 가능한 다수의 오목부가 규칙적으로 형성된 띠형상 소재의 상기 오목부내에 코일이 일체 형성된 IC 소자를 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 IC 소자가 수납된 상기 오목부를 수지밀봉하는 공정과;
    상기 띠형상 소재를 펀칭하여 상기 IC 소자를 가지는 소요의 정보담체를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보담체의 제조방법.
  27. IC 소자를 삽입 가능한 다수의 제 1 오목부가 규칙적으로 형성되고, 또한 그 각 제 1 오목부의 주위에 링형상의 제 2 오목부가 동심원형상으로 형성된 띠형상 소재의 상기 제 1 오목부내에 코일이 일체 형성된 IC 소자를 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 띠형상 부재의 제 2 오목부내에 상기 IC 소자와는 독립된 별체로 형성된 코일을 수납하여 고정하는 공정과;
    상기 제 1 및 제 2 오목부를 수지밀봉하는 공정과;
    상기 띠형상 소재를 펀칭하여 상기 IC 소자 및 그 IC 소자와는 독립된 별체 로 형성된 코일을 가지는 소요의 정보담체를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보담체의 제조방법.
KR1020017010800A 1999-02-24 2000-02-23 Ｉｃ소자 및 그 제조방법 및 ｉｃ소자를 탑재한 정보담체및 그 제조방법 KR100694561B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-1999-00046545 1999-02-24
JP4654599 1999-02-24
JP5975399 1999-03-08
JPJP-P-1999-00059753 1999-03-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020005596A KR20020005596A (ko) 2002-01-17
KR100694561B1 true KR100694561B1 (ko) 2007-03-13

Family

ID=26386635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017010800A KR100694561B1 (ko) 1999-02-24 2000-02-23 Ｉｃ소자 및 그 제조방법 및 ｉｃ소자를 탑재한 정보담체및 그 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7129145B2 (ko)
EP (2) EP1193759B1 (ko)
KR (1) KR100694561B1 (ko)
CN (2) CN102254865A (ko)
AU (1) AU2690400A (ko)
DE (2) DE60014377T2 (ko)
WO (1) WO2000051181A1 (ko)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7629667B2 (en) 2003-08-28 2009-12-08 Hitachi, Ltd. Semiconductor device including an on-chip coil antenna formed on a device layer which is formed on an oxide film layer
US7566640B2 (en) 2003-12-15 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit device, noncontact thin film integrated circuit device and method for manufacturing the same, and idtag and coin including the noncontact thin film integrated circuit device
US7271076B2 (en) 2003-12-19 2007-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device
CN1697187B (zh) 2003-12-19 2011-05-04 株式会社半导体能源研究所 半导体集成电路、半导体器件和半导体集成电路的制造方法
US7566010B2 (en) 2003-12-26 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Securities, chip mounting product, and manufacturing method thereof
CN100502018C (zh) 2004-02-06 2009-06-17 株式会社半导体能源研究所 薄膜集成电路的制造方法和元件基片
US7452786B2 (en) 2004-06-29 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate
US7422935B2 (en) 2004-09-24 2008-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device and electronic device
TWI372413B (en) 2004-09-24 2012-09-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same, and electric appliance
US7736964B2 (en) 2004-11-22 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing the same
US7482248B2 (en) 2004-12-03 2009-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2006167329A (ja) 2004-12-20 2006-06-29 Aruze Corp ゲーム用チップ
JP4601051B2 (ja) 2004-12-20 2010-12-22 株式会社ユニバーサルエンターテインメント ゲーム用チップ
US7566633B2 (en) 2005-02-25 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP1886377A4 (en) * 2005-05-31 2014-10-29 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
US7465674B2 (en) 2005-05-31 2008-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US7485511B2 (en) 2005-06-01 2009-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Integrated circuit device and method for manufacturing integrated circuit device
DE102005029489A1 (de) * 2005-06-24 2006-12-28 Man Roland Druckmaschinen Ag Direkte Integration von RFID-Elementen in Faltschachteln
JP4541237B2 (ja) * 2005-06-29 2010-09-08 リンテック株式会社 半導体ウエハ処理テープ巻装体およびそれを用いた半導体ウエハ処理テープ貼着装置ならびに半導体ウエハ加工処理装置
DE102005050484B4 (de) * 2005-10-21 2010-01-28 Atmel Automotive Gmbh Monolithisch integrierbare Schaltungsanordnung
CN1917285A (zh) * 2006-09-06 2007-02-21 上海集成电路研发中心有限公司 一种集成电路中的片上天线结构及其制造方法
US7750852B2 (en) 2007-04-13 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102007019811B4 (de) * 2007-04-26 2014-11-27 Infineon Technologies Ag Schaltung, auf einem Chip aufgebrachte Filterschaltung und System
JP5346497B2 (ja) * 2007-06-12 2013-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2011071457A (ja) * 2008-12-22 2011-04-07 Tdk Corp 電子部品及び電子部品の製造方法
GB2491447B (en) * 2010-03-24 2014-10-22 Murata Manufacturing Co RFID system
CN102586725A (zh) * 2011-01-11 2012-07-18 纽西兰商青岛长弓电子公司 应用溅镀制造天线的方法
CN102569032B (zh) * 2012-01-16 2014-05-28 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法
US10909440B2 (en) 2013-08-22 2021-02-02 Texas Instruments Incorporated RFID tag with integrated antenna
TWI560937B (en) * 2013-11-22 2016-12-01 Wistron Neweb Corp Near field communication antenna
KR101640909B1 (ko) * 2014-09-16 2016-07-20 주식회사 모다이노칩 회로 보호 소자 및 그 제조 방법
FR3030908B1 (fr) * 2014-12-18 2016-12-09 Stmicroelectronics Rousset Antenne pour dispositif electronique
US11024454B2 (en) * 2015-10-16 2021-06-01 Qualcomm Incorporated High performance inductors
JP6251770B2 (ja) 2016-04-15 2017-12-20 株式会社エスケーエレクトロニクス Ｒｆｉｄタグ
JP7218668B2 (ja) * 2019-05-28 2023-02-07 Tdk株式会社 アンテナ装置及びこれを備えるｉｃカード
CN113906676A (zh) * 2019-05-30 2022-01-07 株式会社村田制作所 布线电极
WO2024085511A1 (ko) * 2022-10-21 2024-04-25 엘지이노텍 주식회사 스마트 ic 기판, 스마트 ic 모듈 및 이를 포함하는 ic 카드

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161935A (ja) * 1993-12-07 1995-06-23 Mitsubishi Electric Corp インダクタ及びその製造方法
JPH1117443A (ja) * 1997-06-19 1999-01-22 Kyocera Corp カップ付きアンテナ

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4483067A (en) 1981-09-11 1984-11-20 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing an identification card and an identification manufactured, for example, by this method
JPS6116591A (ja) * 1984-07-02 1986-01-24 Rohm Co Ltd 半導体レ−ザのチツプ製造方法
JPS6194339A (ja) * 1984-10-15 1986-05-13 Rohm Co Ltd 半導体装置のケガキ傷形成法
FR2599893B1 (fr) 1986-05-23 1996-08-02 Ricoh Kk Procede de montage d'un module electronique sur un substrat et carte a circuit integre
DE3721822C1 (en) * 1987-07-02 1988-11-10 Philips Patentverwaltung Chip card
JPH01157896A (ja) * 1987-09-28 1989-06-21 Mitsubishi Electric Corp 非接触型ｉｃカード及び非接触型カードリーダライタ
DE4034225C2 (de) 1990-10-26 1994-01-27 Reinhard Jurisch Datenträger für Identifikationssysteme
FR2691563B1 (fr) 1992-05-19 1996-05-31 Francois Droz Carte comprenant au moins un element electronique et procede de fabrication d'une telle carte.
JP2713529B2 (ja) 1992-08-21 1998-02-16 三菱電機株式会社 信号受信用コイルおよびこれを使用した非接触ｉｃカード
JP3305843B2 (ja) 1993-12-20 2002-07-24 株式会社東芝 半導体装置
FR2716281B1 (fr) 1994-02-14 1996-05-03 Gemplus Card Int Procédé de fabrication d'une carte sans contact.
US20010044013A1 (en) 1994-03-04 2001-11-22 Mcdonough Neil Thin film transferrable electric components
US5837992A (en) 1994-07-15 1998-11-17 Shinko Nameplate Co., Ltd. Memory card and its manufacturing method
EP0786357A4 (en) 1994-09-22 2000-04-05 Rohm Co Ltd CONTACTLESS CHIP CARD AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
JPH08222695A (ja) * 1995-02-13 1996-08-30 Hitachi Ltd インダクタ素子及びその製造方法
JP4015717B2 (ja) * 1995-06-29 2007-11-28 日立マクセル株式会社 情報担体の製造方法
DE19527359A1 (de) 1995-07-26 1997-02-13 Giesecke & Devrient Gmbh Schaltungseinheit und Verfahren zur Herstellung einer Schaltungseinheit
JPH09270325A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Tokin Corp 電子部品
ATE210365T1 (de) 1996-07-18 2001-12-15 Nagraid Sa Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen sowie nach diesem verfahren hergestellte gedruckte schaltung
JPH10162112A (ja) * 1996-12-02 1998-06-19 Mitsui High Tec Inc Ｉｃカード
JPH10166770A (ja) 1996-12-17 1998-06-23 Rohm Co Ltd 非接触型ｉｃカード及びその製造方法
JPH10193849A (ja) * 1996-12-27 1998-07-28 Rohm Co Ltd 回路チップ搭載カードおよび回路チップモジュール
JPH10203061A (ja) * 1997-01-21 1998-08-04 Dainippon Printing Co Ltd 非接触ｉｃカード
DE19703029A1 (de) * 1997-01-28 1998-07-30 Amatech Gmbh & Co Kg Übertragungsmodul für eine Transpondervorrichtung sowie Transpondervorrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Transpondervorrichtung
JPH10302040A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Toshiba Corp 薄型電子機器の製法および薄型電子機器
JPH10320519A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Rohm Co Ltd Ｉｃカード通信システムにおける応答器
US6412701B1 (en) 1997-05-19 2002-07-02 Hitachi Maxell, Ltd. Flexible IC module and method of its manufacture, and method of manufacturing information carrier comprising flexible IC module
US6160526A (en) 1997-06-23 2000-12-12 Rohm Co., Ltd. IC module and IC card
TW424312B (en) 1998-03-17 2001-03-01 Sanyo Electric Co Module for IC cards, method for making a module for IC cards, hybrid integrated circuit module and method for making same
EP0977145A3 (en) * 1998-07-28 2002-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Radio IC card

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161935A (ja) * 1993-12-07 1995-06-23 Mitsubishi Electric Corp インダクタ及びその製造方法
JPH1117443A (ja) * 1997-06-19 1999-01-22 Kyocera Corp カップ付きアンテナ

Also Published As

Publication number Publication date
US20050051872A1 (en) 2005-03-10
WO2000051181A1 (en) 2000-08-31
EP1193759B1 (en) 2004-09-29
EP1193759A4 (en) 2003-04-23
AU2690400A (en) 2000-09-14
DE60036496D1 (de) 2007-10-31
DE60014377T2 (de) 2006-03-02
US7129145B2 (en) 2006-10-31
CN1520612A (zh) 2004-08-11
EP1455302A1 (en) 2004-09-08
CN102254865A (zh) 2011-11-23
EP1193759A1 (en) 2002-04-03
EP1455302B1 (en) 2007-09-19
KR20020005596A (ko) 2002-01-17
DE60014377D1 (de) 2004-11-04
DE60036496T2 (de) 2008-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100694561B1 (ko) Ｉｃ소자 및 그 제조방법 및 ｉｃ소자를 탑재한 정보담체및 그 제조방법
KR100741039B1 (ko) 반도체칩 및 이것을 사용한 반도체장치
JP2824275B2 (ja) 電子チップカードの作製方法
US6747450B2 (en) Weak-magnetic field sensor using printed circuit board manufacturing technique and method of manufacturing the same
JP3377786B2 (ja) 半導体チップ
JP2005217268A (ja) 電子部品
JPH06216628A (ja) アンテナおよびその製造方法
US11476041B2 (en) Coil component and manufacturing method therefor
JP3377787B1 (ja) 半導体チップ及びこれを用いた半導体装置
JP2022507119A (ja) チップカード用電子モジュール
JP4363735B2 (ja) 情報担体の製造方法
JP2002343877A (ja) Ｉｃ素子の製造方法
JP3347138B2 (ja) Ｉｃ素子及びその製造方法
JP2002319012A (ja) 情報担体
JP2004281838A (ja) コイルオンチップ及びコイルオンチップの製造方法
JP2003209181A (ja) 半導体チップの製造方法
CN109616279B (zh) 电感元件及滤波器
KR100883830B1 (ko) 알에프아이디 안테나의 제조방법
KR20080096930A (ko) 알에프아이디 안테나의 제조방법
JP4724923B2 (ja) 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法
JP3859287B2 (ja) Ｓｍｄ型コイル及びその製造方法
CN113923864A (zh) 电路板及其制作方法
JP2001325571A (ja) 非接触通信式情報担体
CN113973431A (zh) 电路板及其制作方法
JPH10241958A (ja) 電子素子および電子素子実装用台座シート

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120223

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee