JPS6194339A - 半導体装置のケガキ傷形成法 - Google Patents
半導体装置のケガキ傷形成法Info
- Publication number
- JPS6194339A JPS6194339A JP59217136A JP21713684A JPS6194339A JP S6194339 A JPS6194339 A JP S6194339A JP 59217136 A JP59217136 A JP 59217136A JP 21713684 A JP21713684 A JP 21713684A JP S6194339 A JPS6194339 A JP S6194339A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scriber
- wafer
- edge
- marking
- scratches
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体基板をへき開すべき部分にへき開用
起点としてのケガキ傷を形成せしめる半導体装置のケガ
キ傷形成法に関する。
起点としてのケガキ傷を形成せしめる半導体装置のケガ
キ傷形成法に関する。
（ロ）従来技術
一般に、半導体装置の素材であるウェハをへき関するに
は、へき関したい部分にダイアモンドスクライバ等でも
ってへき開用起点としてのケガキ傷を形成させた後、適
宜手段にて前記ウェハに押圧力を加えて前記ケガキ傷に
沿って分断させている。このへき開によるウェハの分断
は、前記ケガキ傷の形成によってへき関する起点が決定
されるので、このケガキ傷形成に細心の注意を払う必要
がある。
は、へき関したい部分にダイアモンドスクライバ等でも
ってへき開用起点としてのケガキ傷を形成させた後、適
宜手段にて前記ウェハに押圧力を加えて前記ケガキ傷に
沿って分断させている。このへき開によるウェハの分断
は、前記ケガキ傷の形成によってへき関する起点が決定
されるので、このケガキ傷形成に細心の注意を払う必要
がある。
しかして、従来から行われているケガキ傷形成法によれ
ば、ウェハの一方端縁部にその終端まで前記スクライバ
で掃引移動させて所定長さのケガキ傷を形成していた。
ば、ウェハの一方端縁部にその終端まで前記スクライバ
で掃引移動させて所定長さのケガキ傷を形成していた。
しかしながら、スクライバ等にてケガキ傷を形成すべき
端縁部の終端まで掃引移動させているから、第３図に示
すようにスフライへの針荷重Ａおよび引張力Ｂの合成力
Ｃがウェハに加わるために、ケガキ傷を形成したウェハ
の端縁部角部がスクライバの掃引時においてカケてしま
うことがある。この場合、後の分断工程において前記カ
ケたケガキ傷をへき開用起点として押圧力を加えたとき
にへき関したい部分以外からへき関してしまうことが多
く、素子形状にバラツキが生じるという問題を生じる。
端縁部の終端まで掃引移動させているから、第３図に示
すようにスフライへの針荷重Ａおよび引張力Ｂの合成力
Ｃがウェハに加わるために、ケガキ傷を形成したウェハ
の端縁部角部がスクライバの掃引時においてカケてしま
うことがある。この場合、後の分断工程において前記カ
ケたケガキ傷をへき開用起点として押圧力を加えたとき
にへき関したい部分以外からへき関してしまうことが多
く、素子形状にバラツキが生じるという問題を生じる。
このウェハが例えば半導体レーザ構造ををするとすれば
、共振器波長が変わってくることに基づいてレーザ発振
しきい値電流が変わってしまう。
、共振器波長が変わってくることに基づいてレーザ発振
しきい値電流が変わってしまう。
即ち、その特性管理が非常に困難−であり、歩留りの低
下を招くという問題を生じる。
下を招くという問題を生じる。
（ハ）目的
この発明は、へき開用起点であるケガキ傷を正確に形成
しうると共にその形成時における不具合を無くする半導
体装置のケガキ傷形成法を提供することを目的としてい
る。
しうると共にその形成時における不具合を無くする半導
体装置のケガキ傷形成法を提供することを目的としてい
る。
（ニ）構成
この発明に係る半導体装置のケガキ傷形成法の特徴とす
る処は、デバイスが形成されたウェハにケガキ傷を形成
すべき所定位置から適宜なスクライバでもってウェハの
一方端縁側に向かって掃引移動させ、該端縁側の終端に
到達する前に前記スクライバを停止させてケガキ傷をこ
の位置にて終端させることにある。
る処は、デバイスが形成されたウェハにケガキ傷を形成
すべき所定位置から適宜なスクライバでもってウェハの
一方端縁側に向かって掃引移動させ、該端縁側の終端に
到達する前に前記スクライバを停止させてケガキ傷をこ
の位置にて終端させることにある。
（ホ）実施例
第１図はこの発明に係る半導体装置のケガキ傷形成法に
用いる装置の一実施例を示した斜視図である。
用いる装置の一実施例を示した斜視図である。
同図において、１０は、所定のデバイスが形成されたウ
ェハであり、この実施例では略矩形状のものを例として
説明する。２０は、真空チャック２１を備えた可動テー
ブルであり、この上面所定位置にウェハ１０を吸着固定
する。この可動テーブル２０の下面各町部には、貫通孔
を備えた脚部２２がそれぞれ配設されており、可動テー
ブル２０の対向する端縁部と所定間隔をもって平行に配
設されたレール２３に前記脚部２２がしゅう動自在に嵌
装されている。
ェハであり、この実施例では略矩形状のものを例として
説明する。２０は、真空チャック２１を備えた可動テー
ブルであり、この上面所定位置にウェハ１０を吸着固定
する。この可動テーブル２０の下面各町部には、貫通孔
を備えた脚部２２がそれぞれ配設されており、可動テー
ブル２０の対向する端縁部と所定間隔をもって平行に配
設されたレール２３に前記脚部２２がしゅう動自在に嵌
装されている。
３０は、ケガキ傷形成用スクライバとしてのダイアモン
ドスクライバであり、先端にダイアモンド針３１が配備
されており、前記可動テーブル２０の上方所定位置に配
置されている。なお、前記スクライバはディスクスクラ
イバでも可能である。
ドスクライバであり、先端にダイアモンド針３１が配備
されており、前記可動テーブル２０の上方所定位置に配
置されている。なお、前記スクライバはディスクスクラ
イバでも可能である。
次に、この実施例に係る半導体装置のケガキ傷形成法に
ついて以下説明する。
ついて以下説明する。
■ 作業台である可動テーブル２０上の所定位置にウェ
ハ１０を真空チャック２１にて吸着固定させる。
ハ１０を真空チャック２１にて吸着固定させる。
■ ケガキ傷を形成すべき部分（端縁部１１近傍）が露
出するようにウェハ１０上に例えば１５μ程度のアルミ
箔４０を図示の如く添着させる。
出するようにウェハ１０上に例えば１５μ程度のアルミ
箔４０を図示の如く添着させる。
■ 図外の駆動手段にてダイアモンドスクライバ３０を
ウェハ１０が露出されていない側のアルミ箔４０上にゆ
っくり落下させる。
ウェハ１０が露出されていない側のアルミ箔４０上にゆ
っくり落下させる。
■ ここからウェハ１０の露出した部位側に向かってダ
イアモンドスクライバ３０を所定速度で掃引移動させる
。
イアモンドスクライバ３０を所定速度で掃引移動させる
。
■ ウェハ１０の端縁部１１の終端に到達する前に図外
の位置検知手段にて設定された位置を検知し、ダイアモ
ンドスクライバ３０を前記駆動手段にて上昇させる。
の位置検知手段にて設定された位置を検知し、ダイアモ
ンドスクライバ３０を前記駆動手段にて上昇させる。
■ 以下、可動テーブル２０を図外の駆動装置にて駆動
して、この可動テーブル２０をレール２３に沿って一定
ピソチづつ矢印ａ方向に移動させる一方、ダイアモンド
スクライバ３０も矢印すの如く同じ動作を繰り返すこと
により、ケガキ傷（図中１２部分）を順次形成させて工
程を終了する。
して、この可動テーブル２０をレール２３に沿って一定
ピソチづつ矢印ａ方向に移動させる一方、ダイアモンド
スクライバ３０も矢印すの如く同じ動作を繰り返すこと
により、ケガキ傷（図中１２部分）を順次形成させて工
程を終了する。
しかして、上記■工程にて、端縁部１１の終端に到達す
る前とは、例えば端縁部１１から０．２５〜０．５μ程
度の位置が望ましいが、この数値はスクライバの掃引速
度、針荷重およびウェハの剛性力等によって適宜に設定
することが好ましい。
る前とは、例えば端縁部１１から０．２５〜０．５μ程
度の位置が望ましいが、この数値はスクライバの掃引速
度、針荷重およびウェハの剛性力等によって適宜に設定
することが好ましい。
なお、この発明に係る半導体装置のケガキ傷形成法にお
いては上記説明した方法に限定されることはなく、ウェ
ハ１０の端縁部１１の終端に到達する前にケガキ傷を終
端させる方法であればよい。
いては上記説明した方法に限定されることはなく、ウェ
ハ１０の端縁部１１の終端に到達する前にケガキ傷を終
端させる方法であればよい。
（へ）効果
この発明に係る半導体装置のケガキ傷形成法によれば、
ウェハの終端までケガキ傷を形成させないから前記ウェ
ハの端縁角部のカケを防止し、後工程にて前記ケガキ傷
に沿って分断させる場合においてもへき関すべき起点か
ら正確にへき関することができる。そのため、素子形状
のバラツキを最小限に抑え得ることに基づいて、製品の
特性管理を容易にすると共に歩留りの向上を図ることが
できる。
ウェハの終端までケガキ傷を形成させないから前記ウェ
ハの端縁角部のカケを防止し、後工程にて前記ケガキ傷
に沿って分断させる場合においてもへき関すべき起点か
ら正確にへき関することができる。そのため、素子形状
のバラツキを最小限に抑え得ることに基づいて、製品の
特性管理を容易にすると共に歩留りの向上を図ることが
できる。
そして、特に半導体レーザ構造を有するウェハにケガキ
傷を形成する場合に有効な半導体装置のケガキ傷形成法
を提供することができる。
傷を形成する場合に有効な半導体装置のケガキ傷形成法
を提供することができる。
第１図はこの発明に係る半導体装置のケガキ傷形成法で
使用する装置の一実施例を示した斜視図、第２図は第１
図Ａ−Ａ断面図、第３図はウェハに加わるスクライバの
荷重を示す説明図である。 １０・・・ウェハ、１１・・・端縁部、１２・・・ケガ
キ傷、２０・・・可動テーブル、３０・・・ダイアモン
ドスクライバ。
使用する装置の一実施例を示した斜視図、第２図は第１
図Ａ−Ａ断面図、第３図はウェハに加わるスクライバの
荷重を示す説明図である。 １０・・・ウェハ、１１・・・端縁部、１２・・・ケガ
キ傷、２０・・・可動テーブル、３０・・・ダイアモン
ドスクライバ。
Claims (1)
- （１）デバイスが形成されたウェハを作業台上に固定さ
せて、適宜なスクライバでもって前記ウェハの一方端縁
部にへき開用起点としてのケガキ傷を形成する半導体装
置のケガキ傷形成法において、前記ウェハにケガキ傷を
形成すべき所定位置から一方端縁側に向かって前記スク
ライバを掃引移動させ、該端縁側の終端に到達する前に
前記スクライバを停止させてケガキ傷をこの位置にて終
端させることにより所定長さのケガキ傷を形成させるこ
とを特徴とする半導体装置のケガキ傷形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217136A JPS6194339A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体装置のケガキ傷形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217136A JPS6194339A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体装置のケガキ傷形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194339A true JPS6194339A (ja) | 1986-05-13 |
Family
ID=16699415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217136A Pending JPS6194339A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体装置のケガキ傷形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194339A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1455302A1 (en) * | 1999-02-24 | 2004-09-08 | Hitachi Maxell Limited | Method for manufacturing an IC element including a coil |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50110788A (ja) * | 1974-02-08 | 1975-09-01 |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP59217136A patent/JPS6194339A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50110788A (ja) * | 1974-02-08 | 1975-09-01 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1455302A1 (en) * | 1999-02-24 | 2004-09-08 | Hitachi Maxell Limited | Method for manufacturing an IC element including a coil |
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