JP2012004446A - ダイシング方法及びダイシング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】薄いダイシングブレードを用いてスクライブラインを狭くすることのできるダイシング方法を提供する。
【解決手段】ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、を有することを特徴とするダイシング方法により上記課題を解決する。
【選択図】 図１８

Description

本発明は、ダイシング方法及びダイシング装置に関するものである。

半導体ウエハ等をチップ状に分離する装置として、ダイシング装置等の切削装置が知られている。このダイシング装置では、切削砥石等により円盤状に形成されたダイヤモンドブレード等のダイシングブレードを回転させ半導体ウエハを切削することにより、半導体ウエハを格子状に切断することができる。

このようなダイシング装置を用いて半導体ウエハを格子状に切断する際には、製造される半導体装置のコスト低減等の観点より、ダイシングブレードにより切削される領域となるスクライブラインは、できるだけ狭い方が好ましい。

このため、ダイシングブレードの厚さをできるだけ薄くすることが求められているが、ダイシングブレードの厚さを薄くするには限界がある。

特開２００６−１４０２１０号公報

ところで、ダイシングブレードの厚さを薄くするための限界としては、ダイシングブレードとして機能するための限界と実用上の限界とがある。例えば、ダイシングブレードとして機能するための限界は、ダイシング装置において半導体ウエハ等を切断する際に、ダイシングブレードが破壊されることなくダイシングを行うことのできる限界である。しかしながら、ダイシングブレードが破壊されることなく半導体ウエハ等の切断を行うことができる場合であっても、ダイシングブレードを薄くしたため実用上、所定の機能を得ることができない場合がある。

具体的には、図１に示すように、半導体ウエハ１１０を厚いダイシングブレード１１１を用いて切断した場合、厚いダイシングブレード１１１により切削された領域１１２の幅は広くなるが、半導体ウエハ１１０を直線的に切削することが可能である。しかしながら、図２に示すように、半導体ウエハ１１０を薄いダイシングブレード１２１を用いて切断した場合では、薄いダイシングブレード１２１により切削された領域１２２の幅は狭くなるが、切削抵抗により薄いダイシングブレード１２１は曲げられる。

切削抵抗とは、ダイシングブレードの移動方向とは反対方向に加わる力であり、厚いダイシングブレード１１１の場合には、切削抵抗により曲げられることはないが、薄いダイシングブレード１２１の場合には、切削抵抗により曲げられやすくなる。このように、薄いダイシングブレード１２１において、曲がったままの状態で切断が行われると、スクライブラインをはみ出し、半導体素子が形成されている素子領域まで切断がされてしまう場合がある。このように素子領域まで切断が行われたチップは不良品となり、製造される半導体装置の歩留まりを低下させてしまう。尚、図１及び図２は、切断されている半導体ウエハ１１０を上面より見た図である。

また、半導体ウエハの表面等にＬｏｗ−ｋ膜等が形成されている場合、スクライブラインをはみ出すことなく切断が行われていても、Ｌｏｗ−ｋ膜に亀裂等が生じ、この亀裂等が素子領域内にまで至る場合がある。具体的には、図３に示すように、半導体ウエハ１１０の表面にＬｏｗ−ｋ膜１３０が形成されている場合、ダイシングブレードによる切断がスクライブライン１３２内において行われていても、素子領域１３１のＬｏｗ−ｋ膜１３０が破壊されてしまう場合がある。即ち、ダイシングブレードにより切断された領域１４１が、スクライブライン１３２内となるようにダイシングを行った場合においても、ダイシングブレードによる切断により、Ｌｏｗ−ｋ膜１３０が破壊され、この破壊された領域１３０ａが素子領域１３１内にも広がってしまう。このように素子領域１３１においてＬｏｗ−ｋ膜１３０が破壊されてしまうと、チップは不良品となり、製造される半導体装置の歩留まりを低下させてしまう。

これに対応するため半導体ウエハ１１０の表面にＬｏｗ−ｋ膜１３０が形成されているものについては、ダイシングによる切断の前にレーザ光を照射して、スクライブライン１３２におけるＬｏｗ−ｋ膜１３０の一部を除去するレーザグルービングが行われている。しかしながら、図４に示すように、一つのスクライブラインにおいてレーザ光の照射を往復して行った場合、スクライブライン１３１におけるレーザグルービングが行われた領域１５１では、Ｌｏｗ−ｋ膜１３０が山状の形状となる。このため薄いダイシングブレード１２１を用いた場合では、Ｌｏｗ−ｋ膜１３０の厚い山状の部分を避けるようにダイシングが行われるため、ダイシングブレードは、より一層曲がりやすくなる。

よって、コスト低減の観点より、できるだけ薄いダイシングブレードを用いることができ、ダイシングブレードが曲げられた状態で半導体ウエハが切断されることのないダイシング方法及びダイシング装置が求められている。

本実施の形態の一観点によれば、ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、を有することを特徴とする。

また、本実施の形態の他の一観点によれば、回転させて基板を切断するダイシングブレードと、前記ダイシングブレードを前記基板に対し相対的に降下または上昇させ、更に、前記ダイシングブレードを前記基板のスクライブラインに沿って移動させる駆動部と、前記駆動部を制御する制御部と、を有し、前記制御部において、前記ダイシングブレードにより前記基板を所定の距離だけ切削し、前記切削の後の前記基板に対し前記ダイシングブレードを上昇させ、降下させることを繰り返す制御を行うことにより、前記基板を切断することを特徴とする。

開示のダイシング方法及びダイシング装置によれば、薄いダイシングブレードを用いて半導体ウエハ等を切断する場合においても、ダイシングブレードが曲がることなく半導体ウエハ等を切断することができる。これにより、半導体素子の形成される素子領域にダイシングブレードが入り込むことなく半導体ウエハ等を切断することができる。

厚いダイシングブレードを用いた場合のダイシング方法の説明図 薄いダイシングブレードを用いた場合のダイシング方法の説明図 Ｌｏｗ−ｋ膜が形成されているものをダイシングした場合の説明図 レーザグルーブが形成されているものをダイシングした場合の説明図 ダイシングされる半導体ウエハの上面図 ダイシングされる半導体ウエハの要部拡大図 ダイシングされる半導体ウエハの断面図 ダイシング方法を説明する斜視図 ダイシングされた半導体ウエハの要部拡大図 第１の実施の形態におけるダイシング装置の構成図 第１の実施の形態におけるダイシング方法のフローチャート（１） 第１の実施の形態におけるダイシング方法の説明図（１） 第１の実施の形態におけるダイシング方法の説明図（２） 第１の実施の形態におけるダイシング方法の説明図（３） 第１の実施の形態におけるダイシング方法の説明図（４） 第１の実施の形態におけるダイシング方法の説明図（５） 第１の実施の形態におけるダイシング方法のフローチャート（２） 第１の実施の形態におけるダイシング方法の説明図（６） 第２の実施の形態におけるダイシング方法のフローチャート

発明を実施するための形態について、以下に説明する。

最初に、図５から図７に基づいてダイシング装置によりシリコンウエハ等の半導体ウエハを切断する場合について説明する。

図５は、半導体ウエハ１０の全体の上面図であり、図６は、図５において破線５Ａで囲まれた領域の拡大図であり、図７は、図６における破線６Ａ−６Ｂにおいて切断した断面図である。図に示されるように、半導体ウエハ１０の表面上には、Ｌｏｗ−ｋ膜１３が形成されており、半導体ウエハ１０の裏面にはダイシングテープ６０が貼り付けられている。また、半導体ウエハ１０上には、２次元状に素子領域１１が形成されており、この素子領域１１間には、素子領域１１を切断しチップに分離するためのスクライブライン１２となる領域が設けられている。このスクライブラインは、切断する際に用いられるダイシングブレードの厚さが厚い場合には広く設ける必要があるが、ダイシングブレードの厚さを薄くすることにより狭くすることができ、その分チップ数を増加させることができる。このため、上述したようにコスト低減の観点等からは、スクライブラインはできるだけ狭い方が好ましく、従って、ダイシングブレードの厚さも、できるだけ薄い方が好ましい。尚、この素子領域１１は、半導体素子が形成される領域であり、チップ有効領域ともいう。

ところで、このように薄いダイシングブレードを用いて半導体ウエハ等の切断を行った場合、ダイシングブレードが破壊されることのない厚さであっても、切削抵抗によりダイシングブレードが曲げられてしまい、スクライブラインをはみ出してしまう場合がある。

具体的には、図８に示すように半導体ウエハ１０をダイシングブレード２０により切断する場合、スクライブライン１２に沿って切断が行われる。この際、薄いダイシングブレード２０を用いると、薄いダイシングブレード２０は切削抵抗により曲げられ、図９に示すように、ダイシングブレード２０により切断された領域２１はスクライブライン１２をはみ出し、素子領域１１まで入り込んでしまう。即ち、半導体ウエハ１０を切断する際に、薄いダイシングブレード２０を用いて切断を行うと、素子領域１１まで切削してしまう。

また、このように薄いダイシングブレード２０を用いて半導体ウエハ１０を切断した場合には、切断された領域２１は、蛇行する傾向にあることが確認されている。これはダイシングブレード２０が切削抵抗により、一旦一方の方向に曲げられるが、ダイシングブレード２０が曲げられれば曲げられる程、ダイシングブレード２０には元の状態に戻そうとする力が強く働く。この力により、ダイシングブレード２０は、曲げられた一方の方向とは反対の方向にダイシングブレード２０が曲げられる。このことを繰り返すことにより、ダイシングブレード２０により切断された領域２１は、蛇行するものと考えられる。このためスクライブライン１２を広くした場合では、ダイシングブレード２０により切断された領域２１が素子領域１１に入り込むことはないが、これでは薄いダイシングブレード２０を用いた意義が没却されてしまう。

よって、薄いダイシングブレード２０を用いた場合において、ダイシングブレード２０が切削抵抗により曲げられることなく半導体ウエハ１０を切断することができれば、スクライブライン１２を狭くすることができ、半導体装置の製造コストの低減が可能となる。

また、図９に示すように、ダイシングブレード２０の直径が６０ｍｍであって、厚さが１０μｍ〜５０μｍである場合、ダイシングを開始した位置から、切断された領域２１が曲がり始める位置までの長さは、１ｍｍ〜３ｍｍであった。尚、ダイシングを開始した位置から、切断された領域２１が曲がり始める位置までの長さは、ダイシングブレード２０の厚さや直径等に依存するものの、同じ厚さで同じ直径のものの場合、略同一であるものと考えられる。

〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態について説明する。

（ダイシング装置）
図１０に、一例として本実施の形態におけるダイシング装置について説明する。本実施の形態におけるダイシング装置は、ダイシングブレード２０、ダイシングブレード２０を回転させるためのモータ３０、第１の駆動部３１、ダイシングステージ４０、第２の駆動部４１、制御部５０を有している。裏面にダイシングテープ６０が貼り付けられた半導体ウエハ１０はダイシングステージ４０上に設置されている。ダイシングブレード２０及びモータ３０は第１の駆動部３１により移動させることができ、ダイシングステージ４０は第２の駆動部４１により移動させることができる。このような第１の駆動部３１及び第２の駆動部４１により、半導体ウエハ１０に対しダイシングブレード２０を三次元方向（ＸＹＺ方向）に相対的に移動させることができる。具体的には、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向をスクライブラインの形成されている方向とし、Ｚ軸方向を半導体ウエハ１０面に対し垂直方向とした場合、ダイシングブレード２０を半導体ウエハ１０に対してＺ軸方向に相対的に移動させることができるものである。このようなダイシング装置は、例えば、第１の駆動部３１は、Ｚ軸方向に移動させることができ、第２の駆動部４１は、Ｘ軸方向またはＹ軸方向のうち、ダイシングブレード２０による切断方向に移動させることができるものである。尚、第１の駆動部３１及び第２の駆動部４１は制御部５０に接続されており、制御部５０において制御することにより第１の駆動部３１及び第２の駆動部４１を駆動することができる。

（ダイシング方法）
次に、図１１に基づき本実施の形態におけるダイシング方法について説明する。尚、本実施の形態におけるダイシング方法において切断される半導体ウエハ１０の表面には、Ｌｏｗ−ｋ膜１３が形成されているものとする。

最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、半導体ウエハ１０の裏面にダイシングテープ６０を貼り付ける。具体的には、図１２に示すように、半導体ウエハ１０において、Ｌｏｗ−ｋ膜１３が形成されている面とは反対側の面に、ダイシングテープ６０を貼り付ける。

次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）において、レーザグルービングを行う。具体的には、図１３に示すように、半導体ウエハ１０のＬｏｗ−ｋ膜１３が形成されている面において、スクライブライン１２に沿ってレーザ光のスポットを移動させながらレーザ光を照射する。即ち、図１４に示すように、スクライブライン１２において、Ｌｏｗ−ｋ膜１３の表面にレーザ光６１を照射する。これにより、図１５に示すように、レーザ光６１が照射されたＬｏｗ−ｋ膜１３の一部は加熱されて昇華し除去される。このようにして、スクライブライン１２においてレーザ光６１の照射された領域には、Ｌｏｗ−ｋ膜１３の一部が除去されたレーザグルーブ領域６２が形成される。レーザグルーブは一つのスクライブライン１２において往復して行うことにより、Ｌｏｗ−ｋ膜１３の一部が除去されたレーザグルーブ領域６２では、Ｌｏｗ−ｋ膜１３の形状は山状の形状として形成される。

次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）において、図１６に示すように、半導体ウエハ１０をダイシングにより切断する。このダイシングによる切断工程については、より詳細に、図１７及び図１８に基づいて説明する。図１７は、ダイシングによる切断方法を示すフローチャートであり、図１８は、この切断方法の説明図である。尚、図１８において破線で示す矢印ａ、ｂ、ｃは、ダイシングブレード２０の中心の軌跡の一部を示すものである。また、このダイシングによる切断行程において用いられるダイシングブレード２０の直径は６０ｍｍであり、厚さは１０μｍ〜５０μｍである。

このダイシングによる切断工程では、最初に、ステップ２０２（Ｓ２０２）において、ダイシングブレード２０を降下させ、半導体ウエハ１０の切削を行う。具体的には、図１８における破線矢印ａに示す方向にダイシングブレード２０を移動させ降下させる。ダイシングブレード２０は、ダイシングブレード２０の先端がダイシングテープ６０の内部６０ａに到達するまで降下させる。

次に、ステップ２０４（Ｓ２０４）において、ダイシングブレード２０により、半導体ウエハ１０を所定の距離だけ切断する。具体的には、図１８における破線矢印ｂに示す方向に、ダイシングブレード２０をスクライブライン１２に沿って所定の距離だけ移動させながら切削加工を行う。後述するように、この所定の距離は、ダイシングブレード２０により切断された領域２１が、素子領域１１に入る込むことなく切断することができるように定められている。よって、この所定の距離の切削加工による切断では、ダイシングブレード２０により素子領域１１が切削されることはない。

次に、ステップ２０６（Ｓ２０６）において、ダイシングブレード２０を上昇させる。具体的には、図１８における破線矢印ｃに示す方向にダイシングブレード２０を移動させ上昇させる。この際、ダイシングブレード２０は、半導体ウエハ１０から完全に離れる高さまで上昇させる。この状態におけるダイシングブレード２０を破線２０ａに示す。

次に、ステップ２０８（Ｓ２０８）において、半導体ウエハ１０における所定のスクライブラインにおける切断が終了したか否かが判断される。具体的には、図１６に示される半導体ウエハ１０において、スクライブラインの終点１２ｂにダイシングブレード２０が到達しているか否かが判断される。ダイシングによる切断は、スクライブラインの始点１２ａより開始されるが、スクライブラインの終点１２ｂにダイシングブレード２０が到達した場合には、このスクライブラインにおけるダイシングによる切断は終了する。一つのスクライブライン１２の切断が終了すると、ダイシングブレード２０は、次のスクライブライン１２の切断を行うため移動する。

ステップ２０８において、所定のスクライブライン１２における切断が終了したものと判断された場合には、上述したように、このスクライブライン１２における切断は終了し、次のスクライブラインの切断に移行する。一方、所定のスクライブライン１２における切断が終了してはいないものと判断された場合には、ステップ２０２に移行する。この際、ステップ２０２においては、ダイシングブレード２０は、ステップ２０６において上昇を開始した位置と同じ位置の半導体ウエハ１０上に降下させる。このように、上昇を開始した位置と同じ位置にダイシングブレード２０を降下させることにより、ダイシングブレード２０は切削抵抗により曲げられることなく半導体ウエハ１０を切削し切断することができる。このような工程を繰り返し行うことにより、ダイシングブレード２０により半導体ウエハ１０を直線的に切断することができる。

尚、ステップ２０２おける所定の距離は、１ｍｍ以上３ｍｍ以下であることが好ましい。これは上述したダイシングブレードの場合、ダイシング開始から曲がり始めるまでの距離が１ｍｍ〜３ｍｍであるため、この範囲の距離を切断する度にダイシングブレード２０を上昇及び降下させれば、ダイシングブレード２０が曲がることはないものと考えられる。このため、ダイシングブレード２０は曲がることなく半導体ウエハ１０を切断することができ、ダイシングブレード２０により切断された領域２１が素子領域１１に入り込むことはない。また、半導体ウエハ１０を切断する際に、素子領域１１におけるＬｏｗ−ｋ膜１３を破壊することもない。尚、この所定の距離は、ダイシングブレード２０の直径等に依存するものと考えられる。よって、上述したダイシングブレード２０の直径は、６０ｍｍであることから、所定の距離１ｍｍ〜３ｍｍは、上述したダイシングブレード２０の直径の１／６０から１／２０（ダイシングブレード２０の半径の１／３０から１／１０）に相当する。従って、所定の距離は、ダイシングブレード２０の半径の１／３０から１／１０であることが好ましい。

また、ステップ２０８における所定のスクライブライン１２における切断が終了したか否かの判断は、ステップ２０２から２０６のうちいずれか工程の後に行ってもよい。更に、ステップ２０２からステップ２０６における工程の制御は、本実施の形態におけるダイシング装置の制御部５０における制御により行われる。

このようにして半導体ウエハ１０におけるすべてのスクライブライン１２においてダイシングによる切断が終了すると、ステップ１０６の工程は終了する。

次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）において、紫外線（ＵＶ：ultraviolet）照射を行う。このＵＶ照射は、ダイシングシート６０の粘着力を低下させるために行うものである。

次に、ステップ１１０（Ｓ１１０）において、ダイシングにより切断されたチップに分離する。具体的には、ＵＶ照射により粘着力が低下したダイシングシート６０より、半導体ウエハ１０をダイシングブレード２０により切断することにより得られたチップを剥がし分離する。

以上により、本実施の形態におけるダイシング方法は終了する。本実施の形態におけるダイシング方法によれば、ダイシングブレードが曲がることがないため、狭いスクライブラインにおいてダイシングを行うことができ、更に、素子領域に形成されているＬｏｗ−ｋ膜が破壊されることなくダイシングを行うことができる。

〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態とは異なるダイシング方法であり、レーザグルーブを行わない場合のダイシング方法である。具体的には、半導体ウエハ基板上にＬｏｗ−ｋ膜が形成されていない場合におけるダイシング方法である。本実施の形態におけるダイシング方法では、第１の実施の形態におけるダイシング装置が用いられる。本実施の形態におけるダイシング方法について、図１９に基づき説明する。

最初に、ステップ３０２（Ｓ３０２）において、半導体ウエハ１０の裏面にダイシングテープ６０を貼り付ける。具体的には、半導体ウエハ１０の一方の面に、ダイシングテープ６０を貼り付ける。

次に、ステップ３０４（Ｓ３０４）において、半導体ウエハ１０の他方の面よりダイシングによる切断を行う。このダイシングによる切断工程については、第１の実施の形態におけるステップ１０６と同様である。

次に、ステップ３０６（Ｓ３０６）において、紫外線照射を行う。このＵＶ照射は、ダイシングシート６０の粘着力を低下させるために行うものである。

次に、ステップ３０８（Ｓ３０８）において、ダイシングにより切断されたチップに分離される。具体的には、ＵＶ照射により粘着力が低下したダイシングシート６０より、半導体ウエハ１０をダイシングブレードにより切断することにより得られたチップを剥がし分離する。

以上により、本実施の形態におけるダイシング方法は終了する。

本実施の形態におけるダイシング方法によれば、半導体基板の表面にＬｏｗ−ｋ膜を形成しない場合においても、ダイシングブレードが曲がることなく半導体ウエハ１０を切断することができるため、狭いスクライブラインにおいてダイシングを行うことができる。尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。

以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、
前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、
前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、
前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、
を有することを特徴とするダイシング方法。
（付記２）
前記ブレード降下工程、前記切削工程、前記ブレード上昇工程を繰り返し行うことにより、前記基板を切断することを特徴とする付記１に記載のダイシング方法。
（付記３）
前記所定の距離は、前記ダイシングブレードの半径の１／３０以上、１／１０以下であることを特徴とする付記１または２に記載のダイシング方法。
（付記４）
前記所定の距離は、１ｍｍ以上、３ｍｍ以下であることを特徴とする付記１または２に記載のダイシング方法。
（付記５）
前記基板の表面には、Ｌｏｗ−ｋ膜が形成されていることを特徴とする付記１から４のいずれかに記載のダイシング方法。
（付記６）
前記Ｌｏｗ−ｋ膜における前記スクライブラインとなる領域には、レーザ光の照射によりレーザグルーブが形成されていることを特徴とする付記５に記載のダイシング方法。
（付記７）
前記基板の裏面にはダイシングテープが貼り付けられており、前記ブレード降下工程は、前記ダイシングテープが貼られていない面より、前記ダイシングブレードが前記基板に降下するものであって、
前記ブレード降下工程では、前記ダイシングブレードが前記ダイシングブレードの先端が前記ダイシングテープに到達するまで降下させるものであることを特徴とする付記１から６のいずれかに記載のダイシング方法。
（付記８）
前記基板は半導体基板であることを特徴とする付記１から７のいずれかに記載のダイシング方法。
（付記９）
回転させて基板を切断するダイシングブレードと、
前記ダイシングブレードを前記基板に対し相対的に降下または上昇させ、更に、前記ダイシングブレードを前記基板のスクライブラインに沿って移動させる駆動部と、
前記駆動部を制御する制御部と、
を有し、前記制御部において、前記ダイシングブレードにより前記基板を所定の距離だけ切削し、前記切削の後の前記基板に対し前記ダイシングブレードを上昇させ、降下させることを繰り返す制御を行うことにより、前記基板を切断することを特徴とするダイシング装置。
（付記１０）
前記所定の距離は、前記ダイシングブレードの半径の１／３０以上、１／１０以下であることを特徴とする付記９に記載のダイシング装置。

１０ 半導体ウエハ
１１ 素子領域
１２ スクライブライン
１３ Ｌｏｗ−ｋ膜
２０ ダイシングブレード
２１ ダイシングブレードにより切断された領域
３０ モータ
３１ 第１の駆動部
４０ ダイシングステージ
４１ 第２の駆動部
５０ 制御部
６０ ダイシングテープ
６１ レーザ光
６２ レーザグルーブ領域

Claims (5)

1. ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、
   前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、
   前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、
   前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、
   を有することを特徴とするダイシング方法。
2. 前記ブレード降下工程、前記切削工程、前記ブレード上昇工程を繰り返し行うことにより、前記基板を切断することを特徴とする請求項１に記載のダイシング方法。
3. 前記所定の距離は、１ｍｍ以上、３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のダイシング方法。
4. 前記基板の表面には、Ｌｏｗ−ｋ膜が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のダイシング方法。
5. 回転させて基板を切断するダイシングブレードと、
   前記ダイシングブレードを前記基板に対し相対的に降下または上昇させ、更に、前記ダイシングブレードを前記基板のスクライブラインに沿って移動させる駆動部と、
   前記駆動部を制御する制御部と、
   を有し、前記制御部において、前記ダイシングブレードにより前記基板を所定の距離だけ切削し、前記切削の後の前記基板に対し前記ダイシングブレードを上昇させ、降下させることを繰り返す制御を行うことにより、前記基板を切断することを特徴とするダイシング装置。

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