JP2012004446A - ダイシング方法及びダイシング装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】薄いダイシングブレードを用いてスクライブラインを狭くすることのできるダイシング方法を提供する。
【解決手段】ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、を有することを特徴とするダイシング方法により上記課題を解決する。
【選択図】 図18
【解決手段】ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、を有することを特徴とするダイシング方法により上記課題を解決する。
【選択図】 図18
Description
本発明は、ダイシング方法及びダイシング装置に関するものである。
半導体ウエハ等をチップ状に分離する装置として、ダイシング装置等の切削装置が知られている。このダイシング装置では、切削砥石等により円盤状に形成されたダイヤモンドブレード等のダイシングブレードを回転させ半導体ウエハを切削することにより、半導体ウエハを格子状に切断することができる。
このようなダイシング装置を用いて半導体ウエハを格子状に切断する際には、製造される半導体装置のコスト低減等の観点より、ダイシングブレードにより切削される領域となるスクライブラインは、できるだけ狭い方が好ましい。
このため、ダイシングブレードの厚さをできるだけ薄くすることが求められているが、ダイシングブレードの厚さを薄くするには限界がある。
ところで、ダイシングブレードの厚さを薄くするための限界としては、ダイシングブレードとして機能するための限界と実用上の限界とがある。例えば、ダイシングブレードとして機能するための限界は、ダイシング装置において半導体ウエハ等を切断する際に、ダイシングブレードが破壊されることなくダイシングを行うことのできる限界である。しかしながら、ダイシングブレードが破壊されることなく半導体ウエハ等の切断を行うことができる場合であっても、ダイシングブレードを薄くしたため実用上、所定の機能を得ることができない場合がある。
具体的には、図1に示すように、半導体ウエハ110を厚いダイシングブレード111を用いて切断した場合、厚いダイシングブレード111により切削された領域112の幅は広くなるが、半導体ウエハ110を直線的に切削することが可能である。しかしながら、図2に示すように、半導体ウエハ110を薄いダイシングブレード121を用いて切断した場合では、薄いダイシングブレード121により切削された領域122の幅は狭くなるが、切削抵抗により薄いダイシングブレード121は曲げられる。
切削抵抗とは、ダイシングブレードの移動方向とは反対方向に加わる力であり、厚いダイシングブレード111の場合には、切削抵抗により曲げられることはないが、薄いダイシングブレード121の場合には、切削抵抗により曲げられやすくなる。このように、薄いダイシングブレード121において、曲がったままの状態で切断が行われると、スクライブラインをはみ出し、半導体素子が形成されている素子領域まで切断がされてしまう場合がある。このように素子領域まで切断が行われたチップは不良品となり、製造される半導体装置の歩留まりを低下させてしまう。尚、図1及び図2は、切断されている半導体ウエハ110を上面より見た図である。
また、半導体ウエハの表面等にLow−k膜等が形成されている場合、スクライブラインをはみ出すことなく切断が行われていても、Low−k膜に亀裂等が生じ、この亀裂等が素子領域内にまで至る場合がある。具体的には、図3に示すように、半導体ウエハ110の表面にLow−k膜130が形成されている場合、ダイシングブレードによる切断がスクライブライン132内において行われていても、素子領域131のLow−k膜130が破壊されてしまう場合がある。即ち、ダイシングブレードにより切断された領域141が、スクライブライン132内となるようにダイシングを行った場合においても、ダイシングブレードによる切断により、Low−k膜130が破壊され、この破壊された領域130aが素子領域131内にも広がってしまう。このように素子領域131においてLow−k膜130が破壊されてしまうと、チップは不良品となり、製造される半導体装置の歩留まりを低下させてしまう。
これに対応するため半導体ウエハ110の表面にLow−k膜130が形成されているものについては、ダイシングによる切断の前にレーザ光を照射して、スクライブライン132におけるLow−k膜130の一部を除去するレーザグルービングが行われている。しかしながら、図4に示すように、一つのスクライブラインにおいてレーザ光の照射を往復して行った場合、スクライブライン131におけるレーザグルービングが行われた領域151では、Low−k膜130が山状の形状となる。このため薄いダイシングブレード121を用いた場合では、Low−k膜130の厚い山状の部分を避けるようにダイシングが行われるため、ダイシングブレードは、より一層曲がりやすくなる。
よって、コスト低減の観点より、できるだけ薄いダイシングブレードを用いることができ、ダイシングブレードが曲げられた状態で半導体ウエハが切断されることのないダイシング方法及びダイシング装置が求められている。
本実施の形態の一観点によれば、ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、を有することを特徴とする。
また、本実施の形態の他の一観点によれば、回転させて基板を切断するダイシングブレードと、前記ダイシングブレードを前記基板に対し相対的に降下または上昇させ、更に、前記ダイシングブレードを前記基板のスクライブラインに沿って移動させる駆動部と、前記駆動部を制御する制御部と、を有し、前記制御部において、前記ダイシングブレードにより前記基板を所定の距離だけ切削し、前記切削の後の前記基板に対し前記ダイシングブレードを上昇させ、降下させることを繰り返す制御を行うことにより、前記基板を切断することを特徴とする。
開示のダイシング方法及びダイシング装置によれば、薄いダイシングブレードを用いて半導体ウエハ等を切断する場合においても、ダイシングブレードが曲がることなく半導体ウエハ等を切断することができる。これにより、半導体素子の形成される素子領域にダイシングブレードが入り込むことなく半導体ウエハ等を切断することができる。
発明を実施するための形態について、以下に説明する。
最初に、図5から図7に基づいてダイシング装置によりシリコンウエハ等の半導体ウエハを切断する場合について説明する。
図5は、半導体ウエハ10の全体の上面図であり、図6は、図5において破線5Aで囲まれた領域の拡大図であり、図7は、図6における破線6A−6Bにおいて切断した断面図である。図に示されるように、半導体ウエハ10の表面上には、Low−k膜13が形成されており、半導体ウエハ10の裏面にはダイシングテープ60が貼り付けられている。また、半導体ウエハ10上には、2次元状に素子領域11が形成されており、この素子領域11間には、素子領域11を切断しチップに分離するためのスクライブライン12となる領域が設けられている。このスクライブラインは、切断する際に用いられるダイシングブレードの厚さが厚い場合には広く設ける必要があるが、ダイシングブレードの厚さを薄くすることにより狭くすることができ、その分チップ数を増加させることができる。このため、上述したようにコスト低減の観点等からは、スクライブラインはできるだけ狭い方が好ましく、従って、ダイシングブレードの厚さも、できるだけ薄い方が好ましい。尚、この素子領域11は、半導体素子が形成される領域であり、チップ有効領域ともいう。
ところで、このように薄いダイシングブレードを用いて半導体ウエハ等の切断を行った場合、ダイシングブレードが破壊されることのない厚さであっても、切削抵抗によりダイシングブレードが曲げられてしまい、スクライブラインをはみ出してしまう場合がある。
具体的には、図8に示すように半導体ウエハ10をダイシングブレード20により切断する場合、スクライブライン12に沿って切断が行われる。この際、薄いダイシングブレード20を用いると、薄いダイシングブレード20は切削抵抗により曲げられ、図9に示すように、ダイシングブレード20により切断された領域21はスクライブライン12をはみ出し、素子領域11まで入り込んでしまう。即ち、半導体ウエハ10を切断する際に、薄いダイシングブレード20を用いて切断を行うと、素子領域11まで切削してしまう。
また、このように薄いダイシングブレード20を用いて半導体ウエハ10を切断した場合には、切断された領域21は、蛇行する傾向にあることが確認されている。これはダイシングブレード20が切削抵抗により、一旦一方の方向に曲げられるが、ダイシングブレード20が曲げられれば曲げられる程、ダイシングブレード20には元の状態に戻そうとする力が強く働く。この力により、ダイシングブレード20は、曲げられた一方の方向とは反対の方向にダイシングブレード20が曲げられる。このことを繰り返すことにより、ダイシングブレード20により切断された領域21は、蛇行するものと考えられる。このためスクライブライン12を広くした場合では、ダイシングブレード20により切断された領域21が素子領域11に入り込むことはないが、これでは薄いダイシングブレード20を用いた意義が没却されてしまう。
よって、薄いダイシングブレード20を用いた場合において、ダイシングブレード20が切削抵抗により曲げられることなく半導体ウエハ10を切断することができれば、スクライブライン12を狭くすることができ、半導体装置の製造コストの低減が可能となる。
また、図9に示すように、ダイシングブレード20の直径が60mmであって、厚さが10μm〜50μmである場合、ダイシングを開始した位置から、切断された領域21が曲がり始める位置までの長さは、1mm〜3mmであった。尚、ダイシングを開始した位置から、切断された領域21が曲がり始める位置までの長さは、ダイシングブレード20の厚さや直径等に依存するものの、同じ厚さで同じ直径のものの場合、略同一であるものと考えられる。
〔第1の実施の形態〕
第1の実施の形態について説明する。
第1の実施の形態について説明する。
(ダイシング装置)
図10に、一例として本実施の形態におけるダイシング装置について説明する。本実施の形態におけるダイシング装置は、ダイシングブレード20、ダイシングブレード20を回転させるためのモータ30、第1の駆動部31、ダイシングステージ40、第2の駆動部41、制御部50を有している。裏面にダイシングテープ60が貼り付けられた半導体ウエハ10はダイシングステージ40上に設置されている。ダイシングブレード20及びモータ30は第1の駆動部31により移動させることができ、ダイシングステージ40は第2の駆動部41により移動させることができる。このような第1の駆動部31及び第2の駆動部41により、半導体ウエハ10に対しダイシングブレード20を三次元方向(XYZ方向)に相対的に移動させることができる。具体的には、X軸方向、Y軸方向をスクライブラインの形成されている方向とし、Z軸方向を半導体ウエハ10面に対し垂直方向とした場合、ダイシングブレード20を半導体ウエハ10に対してZ軸方向に相対的に移動させることができるものである。このようなダイシング装置は、例えば、第1の駆動部31は、Z軸方向に移動させることができ、第2の駆動部41は、X軸方向またはY軸方向のうち、ダイシングブレード20による切断方向に移動させることができるものである。尚、第1の駆動部31及び第2の駆動部41は制御部50に接続されており、制御部50において制御することにより第1の駆動部31及び第2の駆動部41を駆動することができる。
図10に、一例として本実施の形態におけるダイシング装置について説明する。本実施の形態におけるダイシング装置は、ダイシングブレード20、ダイシングブレード20を回転させるためのモータ30、第1の駆動部31、ダイシングステージ40、第2の駆動部41、制御部50を有している。裏面にダイシングテープ60が貼り付けられた半導体ウエハ10はダイシングステージ40上に設置されている。ダイシングブレード20及びモータ30は第1の駆動部31により移動させることができ、ダイシングステージ40は第2の駆動部41により移動させることができる。このような第1の駆動部31及び第2の駆動部41により、半導体ウエハ10に対しダイシングブレード20を三次元方向(XYZ方向)に相対的に移動させることができる。具体的には、X軸方向、Y軸方向をスクライブラインの形成されている方向とし、Z軸方向を半導体ウエハ10面に対し垂直方向とした場合、ダイシングブレード20を半導体ウエハ10に対してZ軸方向に相対的に移動させることができるものである。このようなダイシング装置は、例えば、第1の駆動部31は、Z軸方向に移動させることができ、第2の駆動部41は、X軸方向またはY軸方向のうち、ダイシングブレード20による切断方向に移動させることができるものである。尚、第1の駆動部31及び第2の駆動部41は制御部50に接続されており、制御部50において制御することにより第1の駆動部31及び第2の駆動部41を駆動することができる。
(ダイシング方法)
次に、図11に基づき本実施の形態におけるダイシング方法について説明する。尚、本実施の形態におけるダイシング方法において切断される半導体ウエハ10の表面には、Low−k膜13が形成されているものとする。
次に、図11に基づき本実施の形態におけるダイシング方法について説明する。尚、本実施の形態におけるダイシング方法において切断される半導体ウエハ10の表面には、Low−k膜13が形成されているものとする。
最初に、ステップ102(S102)において、半導体ウエハ10の裏面にダイシングテープ60を貼り付ける。具体的には、図12に示すように、半導体ウエハ10において、Low−k膜13が形成されている面とは反対側の面に、ダイシングテープ60を貼り付ける。
次に、ステップ104(S104)において、レーザグルービングを行う。具体的には、図13に示すように、半導体ウエハ10のLow−k膜13が形成されている面において、スクライブライン12に沿ってレーザ光のスポットを移動させながらレーザ光を照射する。即ち、図14に示すように、スクライブライン12において、Low−k膜13の表面にレーザ光61を照射する。これにより、図15に示すように、レーザ光61が照射されたLow−k膜13の一部は加熱されて昇華し除去される。このようにして、スクライブライン12においてレーザ光61の照射された領域には、Low−k膜13の一部が除去されたレーザグルーブ領域62が形成される。レーザグルーブは一つのスクライブライン12において往復して行うことにより、Low−k膜13の一部が除去されたレーザグルーブ領域62では、Low−k膜13の形状は山状の形状として形成される。
次に、ステップ106(S106)において、図16に示すように、半導体ウエハ10をダイシングにより切断する。このダイシングによる切断工程については、より詳細に、図17及び図18に基づいて説明する。図17は、ダイシングによる切断方法を示すフローチャートであり、図18は、この切断方法の説明図である。尚、図18において破線で示す矢印a、b、cは、ダイシングブレード20の中心の軌跡の一部を示すものである。また、このダイシングによる切断行程において用いられるダイシングブレード20の直径は60mmであり、厚さは10μm〜50μmである。
このダイシングによる切断工程では、最初に、ステップ202(S202)において、ダイシングブレード20を降下させ、半導体ウエハ10の切削を行う。具体的には、図18における破線矢印aに示す方向にダイシングブレード20を移動させ降下させる。ダイシングブレード20は、ダイシングブレード20の先端がダイシングテープ60の内部60aに到達するまで降下させる。
次に、ステップ204(S204)において、ダイシングブレード20により、半導体ウエハ10を所定の距離だけ切断する。具体的には、図18における破線矢印bに示す方向に、ダイシングブレード20をスクライブライン12に沿って所定の距離だけ移動させながら切削加工を行う。後述するように、この所定の距離は、ダイシングブレード20により切断された領域21が、素子領域11に入る込むことなく切断することができるように定められている。よって、この所定の距離の切削加工による切断では、ダイシングブレード20により素子領域11が切削されることはない。
次に、ステップ206(S206)において、ダイシングブレード20を上昇させる。具体的には、図18における破線矢印cに示す方向にダイシングブレード20を移動させ上昇させる。この際、ダイシングブレード20は、半導体ウエハ10から完全に離れる高さまで上昇させる。この状態におけるダイシングブレード20を破線20aに示す。
次に、ステップ208(S208)において、半導体ウエハ10における所定のスクライブラインにおける切断が終了したか否かが判断される。具体的には、図16に示される半導体ウエハ10において、スクライブラインの終点12bにダイシングブレード20が到達しているか否かが判断される。ダイシングによる切断は、スクライブラインの始点12aより開始されるが、スクライブラインの終点12bにダイシングブレード20が到達した場合には、このスクライブラインにおけるダイシングによる切断は終了する。一つのスクライブライン12の切断が終了すると、ダイシングブレード20は、次のスクライブライン12の切断を行うため移動する。
ステップ208において、所定のスクライブライン12における切断が終了したものと判断された場合には、上述したように、このスクライブライン12における切断は終了し、次のスクライブラインの切断に移行する。一方、所定のスクライブライン12における切断が終了してはいないものと判断された場合には、ステップ202に移行する。この際、ステップ202においては、ダイシングブレード20は、ステップ206において上昇を開始した位置と同じ位置の半導体ウエハ10上に降下させる。このように、上昇を開始した位置と同じ位置にダイシングブレード20を降下させることにより、ダイシングブレード20は切削抵抗により曲げられることなく半導体ウエハ10を切削し切断することができる。このような工程を繰り返し行うことにより、ダイシングブレード20により半導体ウエハ10を直線的に切断することができる。
尚、ステップ202おける所定の距離は、1mm以上3mm以下であることが好ましい。これは上述したダイシングブレードの場合、ダイシング開始から曲がり始めるまでの距離が1mm〜3mmであるため、この範囲の距離を切断する度にダイシングブレード20を上昇及び降下させれば、ダイシングブレード20が曲がることはないものと考えられる。このため、ダイシングブレード20は曲がることなく半導体ウエハ10を切断することができ、ダイシングブレード20により切断された領域21が素子領域11に入り込むことはない。また、半導体ウエハ10を切断する際に、素子領域11におけるLow−k膜13を破壊することもない。尚、この所定の距離は、ダイシングブレード20の直径等に依存するものと考えられる。よって、上述したダイシングブレード20の直径は、60mmであることから、所定の距離1mm〜3mmは、上述したダイシングブレード20の直径の1/60から1/20(ダイシングブレード20の半径の1/30から1/10)に相当する。従って、所定の距離は、ダイシングブレード20の半径の1/30から1/10であることが好ましい。
また、ステップ208における所定のスクライブライン12における切断が終了したか否かの判断は、ステップ202から206のうちいずれか工程の後に行ってもよい。更に、ステップ202からステップ206における工程の制御は、本実施の形態におけるダイシング装置の制御部50における制御により行われる。
このようにして半導体ウエハ10におけるすべてのスクライブライン12においてダイシングによる切断が終了すると、ステップ106の工程は終了する。
次に、ステップ108(S108)において、紫外線(UV:ultraviolet)照射を行う。このUV照射は、ダイシングシート60の粘着力を低下させるために行うものである。
次に、ステップ110(S110)において、ダイシングにより切断されたチップに分離する。具体的には、UV照射により粘着力が低下したダイシングシート60より、半導体ウエハ10をダイシングブレード20により切断することにより得られたチップを剥がし分離する。
以上により、本実施の形態におけるダイシング方法は終了する。本実施の形態におけるダイシング方法によれば、ダイシングブレードが曲がることがないため、狭いスクライブラインにおいてダイシングを行うことができ、更に、素子領域に形成されているLow−k膜が破壊されることなくダイシングを行うことができる。
〔第2の実施の形態〕
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態とは異なるダイシング方法であり、レーザグルーブを行わない場合のダイシング方法である。具体的には、半導体ウエハ基板上にLow−k膜が形成されていない場合におけるダイシング方法である。本実施の形態におけるダイシング方法では、第1の実施の形態におけるダイシング装置が用いられる。本実施の形態におけるダイシング方法について、図19に基づき説明する。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態とは異なるダイシング方法であり、レーザグルーブを行わない場合のダイシング方法である。具体的には、半導体ウエハ基板上にLow−k膜が形成されていない場合におけるダイシング方法である。本実施の形態におけるダイシング方法では、第1の実施の形態におけるダイシング装置が用いられる。本実施の形態におけるダイシング方法について、図19に基づき説明する。
最初に、ステップ302(S302)において、半導体ウエハ10の裏面にダイシングテープ60を貼り付ける。具体的には、半導体ウエハ10の一方の面に、ダイシングテープ60を貼り付ける。
次に、ステップ304(S304)において、半導体ウエハ10の他方の面よりダイシングによる切断を行う。このダイシングによる切断工程については、第1の実施の形態におけるステップ106と同様である。
次に、ステップ306(S306)において、紫外線照射を行う。このUV照射は、ダイシングシート60の粘着力を低下させるために行うものである。
次に、ステップ308(S308)において、ダイシングにより切断されたチップに分離される。具体的には、UV照射により粘着力が低下したダイシングシート60より、半導体ウエハ10をダイシングブレードにより切断することにより得られたチップを剥がし分離する。
以上により、本実施の形態におけるダイシング方法は終了する。
本実施の形態におけるダイシング方法によれば、半導体基板の表面にLow−k膜を形成しない場合においても、ダイシングブレードが曲がることなく半導体ウエハ10を切断することができるため、狭いスクライブラインにおいてダイシングを行うことができる。尚、上記以外の内容については、第1の実施の形態と同様である。
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1)
ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、
前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、
前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、
前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、
を有することを特徴とするダイシング方法。
(付記2)
前記ブレード降下工程、前記切削工程、前記ブレード上昇工程を繰り返し行うことにより、前記基板を切断することを特徴とする付記1に記載のダイシング方法。
(付記3)
前記所定の距離は、前記ダイシングブレードの半径の1/30以上、1/10以下であることを特徴とする付記1または2に記載のダイシング方法。
(付記4)
前記所定の距離は、1mm以上、3mm以下であることを特徴とする付記1または2に記載のダイシング方法。
(付記5)
前記基板の表面には、Low−k膜が形成されていることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載のダイシング方法。
(付記6)
前記Low−k膜における前記スクライブラインとなる領域には、レーザ光の照射によりレーザグルーブが形成されていることを特徴とする付記5に記載のダイシング方法。
(付記7)
前記基板の裏面にはダイシングテープが貼り付けられており、前記ブレード降下工程は、前記ダイシングテープが貼られていない面より、前記ダイシングブレードが前記基板に降下するものであって、
前記ブレード降下工程では、前記ダイシングブレードが前記ダイシングブレードの先端が前記ダイシングテープに到達するまで降下させるものであることを特徴とする付記1から6のいずれかに記載のダイシング方法。
(付記8)
前記基板は半導体基板であることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載のダイシング方法。
(付記9)
回転させて基板を切断するダイシングブレードと、
前記ダイシングブレードを前記基板に対し相対的に降下または上昇させ、更に、前記ダイシングブレードを前記基板のスクライブラインに沿って移動させる駆動部と、
前記駆動部を制御する制御部と、
を有し、前記制御部において、前記ダイシングブレードにより前記基板を所定の距離だけ切削し、前記切削の後の前記基板に対し前記ダイシングブレードを上昇させ、降下させることを繰り返す制御を行うことにより、前記基板を切断することを特徴とするダイシング装置。
(付記10)
前記所定の距離は、前記ダイシングブレードの半径の1/30以上、1/10以下であることを特徴とする付記9に記載のダイシング装置。
(付記1)
ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、
前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、
前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、
前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、
を有することを特徴とするダイシング方法。
(付記2)
前記ブレード降下工程、前記切削工程、前記ブレード上昇工程を繰り返し行うことにより、前記基板を切断することを特徴とする付記1に記載のダイシング方法。
(付記3)
前記所定の距離は、前記ダイシングブレードの半径の1/30以上、1/10以下であることを特徴とする付記1または2に記載のダイシング方法。
(付記4)
前記所定の距離は、1mm以上、3mm以下であることを特徴とする付記1または2に記載のダイシング方法。
(付記5)
前記基板の表面には、Low−k膜が形成されていることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載のダイシング方法。
(付記6)
前記Low−k膜における前記スクライブラインとなる領域には、レーザ光の照射によりレーザグルーブが形成されていることを特徴とする付記5に記載のダイシング方法。
(付記7)
前記基板の裏面にはダイシングテープが貼り付けられており、前記ブレード降下工程は、前記ダイシングテープが貼られていない面より、前記ダイシングブレードが前記基板に降下するものであって、
前記ブレード降下工程では、前記ダイシングブレードが前記ダイシングブレードの先端が前記ダイシングテープに到達するまで降下させるものであることを特徴とする付記1から6のいずれかに記載のダイシング方法。
(付記8)
前記基板は半導体基板であることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載のダイシング方法。
(付記9)
回転させて基板を切断するダイシングブレードと、
前記ダイシングブレードを前記基板に対し相対的に降下または上昇させ、更に、前記ダイシングブレードを前記基板のスクライブラインに沿って移動させる駆動部と、
前記駆動部を制御する制御部と、
を有し、前記制御部において、前記ダイシングブレードにより前記基板を所定の距離だけ切削し、前記切削の後の前記基板に対し前記ダイシングブレードを上昇させ、降下させることを繰り返す制御を行うことにより、前記基板を切断することを特徴とするダイシング装置。
(付記10)
前記所定の距離は、前記ダイシングブレードの半径の1/30以上、1/10以下であることを特徴とする付記9に記載のダイシング装置。
10 半導体ウエハ
11 素子領域
12 スクライブライン
13 Low−k膜
20 ダイシングブレード
21 ダイシングブレードにより切断された領域
30 モータ
31 第1の駆動部
40 ダイシングステージ
41 第2の駆動部
50 制御部
60 ダイシングテープ
61 レーザ光
62 レーザグルーブ領域
11 素子領域
12 スクライブライン
13 Low−k膜
20 ダイシングブレード
21 ダイシングブレードにより切断された領域
30 モータ
31 第1の駆動部
40 ダイシングステージ
41 第2の駆動部
50 制御部
60 ダイシングテープ
61 レーザ光
62 レーザグルーブ領域
Claims (5)
- ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、
前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、
前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、
前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、
を有することを特徴とするダイシング方法。 - 前記ブレード降下工程、前記切削工程、前記ブレード上昇工程を繰り返し行うことにより、前記基板を切断することを特徴とする請求項1に記載のダイシング方法。
- 前記所定の距離は、1mm以上、3mm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のダイシング方法。
- 前記基板の表面には、Low−k膜が形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のダイシング方法。
- 回転させて基板を切断するダイシングブレードと、
前記ダイシングブレードを前記基板に対し相対的に降下または上昇させ、更に、前記ダイシングブレードを前記基板のスクライブラインに沿って移動させる駆動部と、
前記駆動部を制御する制御部と、
を有し、前記制御部において、前記ダイシングブレードにより前記基板を所定の距離だけ切削し、前記切削の後の前記基板に対し前記ダイシングブレードを上昇させ、降下させることを繰り返す制御を行うことにより、前記基板を切断することを特徴とするダイシング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010139725A JP2012004446A (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | ダイシング方法及びダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010139725A JP2012004446A (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | ダイシング方法及びダイシング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012004446A true JP2012004446A (ja) | 2012-01-05 |
Family
ID=45536072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010139725A Pending JP2012004446A (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | ダイシング方法及びダイシング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2012004446A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014120647A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイアウェーハの加工方法 |
JP2014192397A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Sharp Corp | ウエハ切断装置、およびウエハ切断方法 |
-
2010
- 2010-06-18 JP JP2010139725A patent/JP2012004446A/ja active Pending
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