JP4724923B2 - 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣカード，ＳＩＭ，ＩＣタグなどに使用される接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
接触・非接触兼用型ＩＣカードは、カードの外部端子と外部処理装置の端子とを接触させて、データの送受信を行う接触方式の機能と、電磁波でデータの送受信を行うアンテナコイルとデータ処理のためのＩＣ回路を内蔵し、外部処理装置との間の読み書きをいわゆる無線方式で行うと共に、ＩＣ回路の駆動電力が電磁誘導で供給され、バッテリを内蔵しない非接触方式の機能とを、１枚のカードに持たせたものである。
【０００３】
特開平７−２３９９２２号は、ＩＣカード用のＩＣモジュールとして、表面にアンテナの導体パターンと、端子電極の導体パターンとをそれぞれ設け、これらの導体パターンをスルーホールを介して、ＩＣモジュール内部のＩＣチップと電気的に接続する発明が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前述した従来のＩＣモジュールは、表面にアンテナの導体パターンがあるので、接触用の外部処理装置に挿入したときに、アンテナがショートしたり、傷付いたりする可能性があった。
また、特開平７−２３９９２２号には、ＩＣモジュールの製造方法について、特に詳しい説明はないが、簡単な工程の製造方法の開発が求められていた。
【０００５】
本発明の課題は、信頼性が高く、簡単な工程で製造できる接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、請求項１の発明は、基板と、前記基板の表側に形成された接触用端子と、前記基板の裏側に形成された非接触通信用アンテナと、前記基板の裏側に搭載された接触・非接触兼用型のＩＣチップとを備えた接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、前記基板に、前記接触用端子の接続端子部に連通する貫通部を形成する貫通部形成工程と、前記基板の表側と、前記基板の裏側と、前記貫通部の内側面とに設けられ、前記基板の表側及び前記基板の裏側を前記貫通部の内側面を介して電気的に接続する少なくとも１つの導電層を、めっきにより形成するめっき工程と、前記導電層を部分的に除去することにより、前記接触用端子及び前記非接触通信用アンテナを形成する導電層除去工程と、前記基板の裏側に前記ＩＣチップを搭載するＩＣチップ搭載工程とを備えること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項２の発明は、請求項１に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、前記基板は、表側及び裏側に予め第１導電層を有し、前記めっき工程は、前記第１導電層上に、このＩＣモジュールの表面を法線方向から見たときに前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子と同一形状であり、前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子を電気的に接続する第２導電層を前記めっきにより形成し、かつ、前記第２導電層を前記ＩＣチップの搭載エリアを避けて形成し、前記導電層除去工程は、前記第１導電層を部分的に除去することにより、前記接触用端子及び前記非接触通信用アンテナの接続端子部を形成し、かつ、前記ＩＣチップの搭載エリアの前記第１導電層を除去すること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項３の発明は、請求項１に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、前記導電層除去工程は、前記貫通部の開口部に蓋をし、かつ、このＩＣモジュールの表面を法線方向から見たときに前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子と同一形状のマスクパターンを設けて、前記導電層をエッチングにより除去すること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項４の発明は、請求項３に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、前記基板は、表側及び裏側に予め第１導電層を有し、前記めっき工程は、前記第１導電層及び前記貫通部の内側面に、前記めっきにより第２導電層を設け、前記導電層除去工程は、前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子の前記第１導電層及び第２導電層を残存させ、かつ、前記ＩＣチップの搭載エリアの前記第１導電層及び前記第２導電層を除去すること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項５の発明は、請求項２又は請求項４に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、前記基板は、両面に前記第１導電層である銅スパッタリング層が形成されたポリイミド基板であること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項６の発明は、請求項２又は請求項４に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、前記基板は、両面に前記第１導電層である銅箔層が形成されたガラスクロス入りエポキシ樹脂基板であること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面等を参照して、本発明の実施の形態について、さらに詳しくに説明する。
（第１実施形態）
図１〜図３は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図である。
【００１４】
第１実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０は、図３（ｉ）に示すように、ＳＩＭの大きさの基板１１１と、基板１１１の表側に形成された接触用端子１１４Ｂと、基板１１１に形成され、接触用端子１１４Ｂを基板１１１の裏側に電気的に接続する導電パターン１１４Ｃ付きの貫通部１１８と、基板１１１の裏側に形成された非接触通信用アンテナ１１４Ａと、基板１１１の裏側に搭載された接触・非接触兼用型のＩＣチップ１１５と、ＩＣチップ１１５の接続端子部と貫通部１１８の導電パターン１１４Ｃ及び非接触通信用アンテナ１１４Ａの接続端子部とを電気的に接続するボンディングワイヤ１１６と、基板１１１の裏面を封止する封止材１１７等とを備えている。
【００１５】
第１実施形態は、基材１１１として、両面に銅スパッタリング層１１２が形成されたポリイミド基板が用いられている。この銅スパッタリング層付きポリイミド基板は、量産されており、市場から安価に入手できるという利点がある。
【００１６】
第１実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法は、スパッタリング工程＃１１と、貫通部形成工程＃１２と、めっき工程＃１３と、ＩＣチップ搭載工程＃１４と、接続工程＃１５と、封止工程＃１６等とを備えている。
【００１７】
スパッタリング工程＃１１は、基板１１１の両面に銅スパッタリング層１１２を形成する工程である。例えば、図１（ａ）に示すような２５μｍのポリイミドフィルムからなる基板１１１の両面に、スパッタ装置により銅スパッタリング層１１２を０．２５μｍの厚みで形成する［図１（ｂ）］。なお、この工程は、前述した銅スパッタリング層付きポリイミド基板を用いる場合には、省略することができる。
【００１８】
貫通部形成工程＃１２は、基材１１１に、接触用端子１１４Ｂの接続端子部に連通する貫通部１１８を、例えば、レーザ孔あけ機により形成する工程である［図１（ｃ）］。
【００１９】
めっき工程＃１３は、基材１１１の両面に、めっきにより、非接触通信用アンテナ１１４Ａの導電パターン，接触用端子１１４Ｂの導電パターン及び貫通部１１８の導電パターン１１４Ｃを少なくとも１層積み上げる工程である。
まず、基板１１１の銅スパッタリング層１１２に、感光性ドライフィルムレジスト１１３を、両面にラミネートし、露光、現像して、めっきの開口パターン１１３ａを作製する［図１（ｄ）］。
開口パターン１１３ａに、銅めっき、ニッケルめっき、金めっき工程を、それぞれ水洗工程を間にはさみ、連続めっきして、めっき層１１４を形成する［図１（ｅ）］。
感光性ドライフィルムレジスト１１３を剥離し［図２（ｆ）］、銅スパッタリング層１１２をソフトエッチング処理により除去して、非接触通信用アンテナ１１４Ａ，接触用端子１１４Ｂ及び貫通部１１８の導電パターン１１４Ｃを形成する［図２（ｇ）］。
【００２０】
ＩＣチップ搭載工程＃１４は、基板１１１の裏側にＩＣチップ１１５を搭載する工程である。例えば、接触・非接触兼用型のＩＣチップ１１５を接着剤で接着する［図２（ｈ）］。
【００２１】
接続工程＃１５は、ＩＣチップ１１５の接続端子部と、非接触通信用アンテナ１１４Ａ及び貫通部１１８の導電パターン１１４Ｃの接続端子部とを、ボンディングワイヤ１１６によって、電気的に接続する工程である［図２（ｈ）］。
封止工程＃１６は、基板１１１の裏面のＩＣチップ１１５，ボンディングワイヤ１１６等を封止材１１７で封止する工程である［図２（ｉ）］。
【００２２】
第１実施形態によれば、非接触通信用アンテナ１１４Ａが基板１１１の裏面側に設けられているので、接触用の外部処理装置に挿入した場合に、接触して、アンテナがショートしたり、傷付いたりすることはなくなった。
【００２３】
また、めっきにより、非接触通信用アンテナ１１４Ａの導電パターン，接触用端子１１４Ｂの導電パターン及び貫通部１１８の導電パターン１１４Ｃを一度に形成しているので、工程が簡素化できる。
特に、非接触通信用アンテナ１１４Ａの導電パターンは、めっきにより、微細化できる利点がある。つまり、細い線幅とスペースが実現でき、ピッチを狭くできるので、非接触通信用アンテナ１１４Ａの導電パターンを高密度で形成することができる。例えば、線幅２０μｍ、スペース２０μｍ（４０μｍのピッチ）が可能である。めっきは、ホトレジストによって壁を立てて成長させるので、非常にパターン形状がよく形成できるからである。従って、ＳＩＭのような小型の媒体の場合には、コイルの巻数を増やせるので好適である。
なお、エッチングは、削っていくので、サイドエッジが回り込み、線幅４０μｍ、スペース４０μｍ（８０μｍのピッチ）がほぼ限界である。
【００２４】
（第２実施形態）
図４〜図６は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図である。
なお、以下に示す各実施形態では、前述した第１実施形態と同様な機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に共通した符号を付して、重複する図面や説明を適宜省略する。
【００２５】
第２実施形態は、基材１１１−２として、両面に銅箔層１１１−２が形成されたガラスクロス入りエポキシ樹脂基板が用いられている。ガラスクロス入りエポキシ樹脂基板は、強度や適度な柔軟性があり、可撓性もあるうえ、衝撃にも強い。このガラスクロス入りエポキシ樹脂基板も、量産されており、市場から安価に入手できるという利点がある。
また、第１実施形態のめっき工程＃１３の代わりに、エッチング工程＃１３−２が行なわれる点で相違する。
【００２６】
次に、第２実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０−２の構造を、その製造方法と共に説明する。
第２実施形態では、５０μｍのガラスエポキシ材からなる基材１１１−２の両面に、銅箔層１１２−２を１００μｍの厚みで形成する［図４（ｂ），銅箔層形成工程＃１１−２）。なお、この工程は、前述したガラスクロス入りエポキシ樹脂基板を用いる場合には、省略することができる。
そして、レーザ孔あけ機により、貫通部１１８を形成する［図４（ｃ），貫通部形成工程＃１２］。
【００２７】
ついで、基材１１１−２の両面を、非接触通信用アンテナの導電パターン，接触用端子の導電パターン及び貫通部１１８の導電パターンを、エッチングにより形成するエッチング工程＃１３−２が行なわれる。
まず、無電解めっきによって、全面（基板１１１−２の表裏面の銅箔層１１２−２及び貫通部１１８の内壁面）に、５μｍの無電解銅めっき層１１４−２を形成する［図４（ｄ）］。
感光性ドライフィルムレジスト１１３−２を両面にラミネート、露光、現像して、エッチングパターンを作製する［図４（ｅ）］。そして、このエッチングパターンをマスクとして、エッチングを行う［図５（ｆ）］。ついで、感光性ドライフィルムレジスト１１３−２を剥離して、非接触通信用アンテナ１１４−２Ａ，接触用端子１１４−２Ｂ及び貫通部１１８の導電パターン１１４−２Ｃを形成する［図５（ｇ）］。
【００２８】
さらに、基板１１１−２の裏側にＩＣチップ１１５を接着剤で接着し［図５（ｈ），ＩＣチップ搭載工程＃１４］、ＩＣチップ１１５の接続端子部と、非接触通信用アンテナ１１４−２Ａ及び貫通部１１８の導電パターン１１４−２Ｃの接続端子部とを、ボンディングワイヤ１１６によって、電気的に接続する［図５（ｈ），接続工程＃１５］。
最後に、基板１１１の裏面のＩＣチップ１１５，ボンディングワイヤ１１６等を封止材１１７で封止する［図５（ｈ），封止工程＃１６］。
【００２９】
第２実施形態によれば、第１実施形態の製造方法に比較して、さらに、簡単な工程で製造することができる利点がある。
【００３０】
（第３実施形態）
図７は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの第３実施形態を示す図である。
第３実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０−３は、ボンディングワイヤ１１６の代わりに、ＩＣチップ１１５にバンプ１１６−３を設け、ＩＣチップ搭載工程と、接続工程とを同時に行なうようにして製造してある。
従って、製造工程がさらに簡素化されると共に、結線の安定性や信頼性が極めて高い、という効果がある。
なお、第３実施形態の場合には、封止材による封止工程は、必ずしも必要ではなく、ＳＩＭ等の基材を成形する他のシートとラミネートするだけでも、封止効果をあげることができる。
【００３１】
（第４実施形態）
図８は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの第４実施形態を示す図である。
第４実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０−４では、非接触通信用アンテナ１１４−４Ａは、アンテナ内側領域Ｂに対して、接触用端子１１４−４Ｂを左側にずらして配置することにより、その接触用端子１１４−４Ｂと干渉しないアンテナ有効領域Ｃが確保されている。
具体的には、図８（ｂ）のように、接触用端子１１４−４Ｂは、外部接続端子部１１４−４Ｂ−１が２列に配置されており、非接触通信用アンテナ１１４−４Ａは、２列の外部接続端子部１１４−４Ｂ−１の間を通っていれば、より干渉の少ないアンテナ有効領域Ｃが確保できると共に、アンテナ１１４−４Ａの端部１１４−４Ａ−１をＩＣチップの接続端子部に接続しやすい。
【００３２】
非接触ＩＣモジュールにおいて、大きな通信距離を安定して確保するためには、非接触用アンテナ（以下、コイルアンテナ）１１４−４Ａの面積が大きければければ大きいほどよい。しかし、コイルアンテナ１１４−４Ａが大きければ、製造コストは、材料費も含め、面積に比例して大きくなることから、通信に必要な最低限の大きさであればよい。
コイル面積と通信特性について、検討した結果、ISO14443TypeＡ及びTypeＢ方式を前提として、最低限必要なコイルの大きさは、コイルの形状やピッチで異なるものの、面積として、概ね１０ｍｍ2 以上は最低必要であり、４００ｍｍ2 あれば十分であることが判明した。
【００３３】
さらに、カード又はモジュールの大きさ、形状は、規格により大きさが決められている場合に、特に、小型のモジュールで寸法が機器の制約で約２ｃｍ角以内と限られている場合など、自ずとコイルアンテナ１１４−４Ａの大きさをＩＣモジュール１１０に対して、全面に使うことが必要とされ、コイルアンテナ１１４−４Ａは、ＩＣモジュール１１０の外周一杯に形成することが要求される。
この制約から、コイルアンテナ１１４−４Ａのデザインルールとして、外周はなるべく大きく、そのピッチを狭めて配置した方がよい。ピッチとしては、１００μｍ以下、最も望ましくは、５０μｍ以下である。
また、ピッチが２０μｍ以下になると、安定して作製することが難しくなる。また、フエースダウン型のフリップチップ実装を行うと、ＩＣモジュール１１０の厚みを薄くでき、望ましい。
第３実施形態では、接触用端子１１４−４Ｂの外部接続端子部１１４−４Ｂ−１間をコイル配線が通るように設置する必要があり、この場合も、ピッチを１００μｍ以下、最も望ましくは、５０μｍ以下にすると、デザイン上設計の自由度が確保でき、コイルアンテナ１１４−４Ａの内側面積を大きくすることができる。
【００３４】
また、コイルアンテナ１１４−４Ａの膜厚としては、デザインルールが小さくなると抵抗が大きくなるため、望ましくは、５μｍ以上、最も望ましくは、１０μｍ以上である。
コイルアンテナ１１４−４Ａの膜厚を大きくすると、安定して作製することが難しくなるため、３０μｍ以下にすることが望ましい。これらのデザインルールを満足するためには、コイルアンテナ１１４−４Ａの作製方法は、エッチング法かめっきによるセミアディテイブ法による方法のどちらかであるが、ピッチ５０μｍ以下に作製する場合は、めっきによるセミアデティブ法に限られる。
【００３５】
また、接触・非接触兼用ＩＣモジュール１１０においては、接触用端子１１４−４Ｂと非接触用アンテナ１１４−４Ａを、同一モジュール内に形成する必要がある。一般に、非接触用アンテナ１１４−４Ａの内部に置かれた、金属部分は電磁波の遮蔽効果を持ち、通信の障害となる。よって、ＩＣカードのデザインでは、金属製の接触用端子１１４−４Ｂの電磁波の遮蔽効果を避けるために、その端子１１４−４Ｂからコイルアンテナ１１４−４Ａの中心をずらして配置することがが必要である。
この場合に、アンテナ有効面積Ｃは、モジュール面積Ａに対して、０．５Ａ〜０．９Ａが望ましいという新規事実を得た。
【００３６】
（変形形態）
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の均等の範囲内である。
（１） 本実施形態では、携帯電話などに使用するＳＩＭを例に説明したが、通常のＩＣカードや、基材形状が特定されないＩＣタグなどであってもよい。
（２） 小型のＩＣモジュール単体で必要な通信距離が確保できなければ、外部にブースターコイルを別途作製し、ＩＣモジュールと近接させて共振回路を形成し、信距離を確保することも可能である。このブースターコイルは、ＩＣモジュールを収納するケース、例えば、定期入れなどに設置して使用してもよい。この場合も、金属部分は電磁波の遮蔽効果をもち、少なからず通信の障害となるため、コイルは電磁波に対して露出するように、なるべく金属部品を避けて形成する必要がある。ブースターとして機能させる為にＩＣモジュールのコイルとブースターコイルは電磁気的に共振するように配置する事は言うまでもない。
【００３７】
（３） 本発明の方式では、接触用端子と非接触用アンテナを具備する構成であるが、場合によっては、接触用端子と非接触用アンテナの接続端子部のみをＩＣモジュールに設け、アンテナコイルを別途作製してもよい。
このアンテナコイルは、ＩＣモジュールを収納するケース、例えば、定期入れなどに設置して、ＩＣモジュールを挿入することによって機能するようにしてもよい。この場合も、金属部分は電磁波の遮蔽効果をもち、少なからず通信の障害となるため、コイルは電磁波に対して露出するように、なるべく金属部品を避けて形成する必要がある。コイルはなるべく大きく、有効面積として１〜２００ｃｍ2 が望ましい。ケースの内側に形成しても外側に形成しても良い。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、本発明によれば、非接触通信用アンテナが基板の裏面側に設けられているので、接触用の外部処理装置に挿入した場合に、接触して、アンテナがショートしたり、傷付いたりすることはなくなった。
また、めっき又はエッチングにより、非接触通信用アンテナの導電パターン，接触用端子の導電パターン及び貫通部の導電パターンを一度に形成しているので、工程が簡素化できる。
特に、めっきにより、非接触通信用アンテナの導電パターンを形成した場合には、微細化でき、導電パターンを高密度化することができる。また、エッチングの場合には、より簡単な工程で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図（その１）である。
【図２】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図（その２）である。
【図３】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図（その３）である。
【図４】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図（その１）である。
【図５】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図（その２）である。
【図６】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図（その３）である。
【図７】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの第３実施形態を示す図である。
【図８】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの第４実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１１０ 接触・非接触兼用型ＩＣモジュール
１１１ 基板
１１２ 銅スパッタリング層
１１２−２ 銅箔層
１１４Ｂ 接触用端子
１１４Ａ 非接触通信用アンテナ
１１４Ｃ 導電パターン
１１５ 接触・非接触兼用型のＩＣチップ
１１６ ボンディングワイヤ
１１７ 封止材
１１８ 貫通部
＃１１ スパッタリング工程
＃１２ 貫通部形成工程
＃１３ めっき工程
＃１３−２ エッチング工程
＃１４ ＩＣチップ搭載工程
＃１５ 接続工程
＃１６ 封止工程
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣカード，ＳＩＭ，ＩＣタグなどに使用される接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
接触・非接触兼用型ＩＣカードは、カードの外部端子と外部処理装置の端子とを接触させて、データの送受信を行う接触方式の機能と、電磁波でデータの送受信を行うアンテナコイルとデータ処理のためのＩＣ回路を内蔵し、外部処理装置との間の読み書きをいわゆる無線方式で行うと共に、ＩＣ回路の駆動電力が電磁誘導で供給され、バッテリを内蔵しない非接触方式の機能とを、１枚のカードに持たせたものである。
【０００３】
特開平７−２３９９２２号は、ＩＣカード用のＩＣモジュールとして、表面にアンテナの導体パターンと、端子電極の導体パターンとをそれぞれ設け、これらの導体パターンをスルーホールを介して、ＩＣモジュール内部のＩＣチップと電気的に接続する発明が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前述した従来のＩＣモジュールは、表面にアンテナの導体パターンがあるので、接触用の外部処理装置に挿入したときに、アンテナがショートしたり、傷付いたりする可能性があった。
また、特開平７−２３９９２２号には、ＩＣモジュールの製造方法について、特に詳しい説明はないが、簡単な工程の製造方法の開発が求められていた。
【０００５】
本発明の課題は、信頼性が高く、簡単な工程で製造できる接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、請求項１の発明は、基板と、前記基板の表側に形成された接触用端子と、前記基板の裏側に形成された非接触通信用アンテナと、前記基板の裏側に搭載された接触・非接触兼用型のＩＣチップとを備えた接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、前記基板に、前記接触用端子の接続端子部に連通する貫通部を形成する貫通部形成工程と、前記基板の表側と、前記基板の裏側と、前記貫通部の内側面とに設けられ、前記基板の表側及び前記基板の裏側を前記貫通部の内側面を介して電気的に接続する少なくとも１つの導電層を、めっきにより形成するめっき工程と、前記導電層を部分的に除去することにより、前記接触用端子及び前記非接触通信用アンテナを形成する導電層除去工程と、前記基板の裏側に前記ＩＣチップを搭載するＩＣチップ搭載工程とを備えること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項２の発明は、請求項１に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、前記基板は、表側及び裏側に予め第１導電層を有し、前記めっき工程は、前記第１導電層上に、このＩＣモジュールの表面を法線方向から見たときに前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子と同一形状であり、前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子を電気的に接続する第２導電層を前記めっきにより形成し、かつ、前記第２導電層を前記ＩＣチップの搭載エリアを避けて形成し、前記導電層除去工程は、前記第１導電層を部分的に除去することにより、前記接触用端子及び前記非接触通信用アンテナの接続端子部を形成し、かつ、前記ＩＣチップの搭載エリアの前記第１導電層を除去すること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項３の発明は、請求項１に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、前記導電層除去工程は、前記貫通部の開口部に蓋をし、かつ、このＩＣモジュールの表面を法線方向から見たときに前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子と同一形状のマスクパターンを設けて、前記導電層をエッチングにより除去すること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項４の発明は、請求項３に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、前記基板は、表側及び裏側に予め第１導電層を有し、前記めっき工程は、前記第１導電層及び前記貫通部の内側面に、前記めっきにより第２導電層を設け、前記導電層除去工程は、前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子の前記第１導電層及び第２導電層を残存させ、かつ、前記ＩＣチップの搭載エリアの前記第１導電層及び前記第２導電層を除去すること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項５の発明は、請求項２又は請求項４に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、前記基板は、両面に前記第１導電層である銅スパッタリング層が形成されたポリイミド基板であること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
請求項６の発明は、請求項２又は請求項４に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、前記基板は、両面に前記第１導電層である銅箔層が形成されたガラスクロス入りエポキシ樹脂基板であること、を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面等を参照して、本発明の実施の形態について、さらに詳しくに説明する。
（第１実施形態）
図１〜図３は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図である。
【００１４】
第１実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０は、図３（ｉ）に示すように、ＳＩＭの大きさの基板１１１と、基板１１１の表側に形成された接触用端子１１４Ｂと、基板１１１に形成され、接触用端子１１４Ｂを基板１１１の裏側に電気的に接続する導電パターン１１４Ｃ付きの貫通部１１８と、基板１１１の裏側に形成された非接触通信用アンテナ１１４Ａと、基板１１１の裏側に搭載された接触・非接触兼用型のＩＣチップ１１５と、ＩＣチップ１１５の接続端子部と貫通部１１８の導電パターン１１４Ｃ及び非接触通信用アンテナ１１４Ａの接続端子部とを電気的に接続するボンディングワイヤ１１６と、基板１１１の裏面を封止する封止材１１７等とを備えている。
【００１５】
第１実施形態は、基材１１１として、両面に銅スパッタリング層１１２が形成されたポリイミド基板が用いられている。この銅スパッタリング層付きポリイミド基板は、量産されており、市場から安価に入手できるという利点がある。
【００１６】
第１実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法は、スパッタリング工程＃１１と、貫通部形成工程＃１２と、めっき工程＃１３と、ＩＣチップ搭載工程＃１４と、接続工程＃１５と、封止工程＃１６等とを備えている。
【００１７】
スパッタリング工程＃１１は、基板１１１の両面に銅スパッタリング層１１２を形成する工程である。例えば、図１（ａ）に示すような２５μｍのポリイミドフィルムからなる基板１１１の両面に、スパッタ装置により銅スパッタリング層１１２を０．２５μｍの厚みで形成する［図１（ｂ）］。なお、この工程は、前述した銅スパッタリング層付きポリイミド基板を用いる場合には、省略することができる。
【００１８】
貫通部形成工程＃１２は、基材１１１に、接触用端子１１４Ｂの接続端子部に連通する貫通部１１８を、例えば、レーザ孔あけ機により形成する工程である［図１（ｃ）］。
【００１９】
めっき工程＃１３は、基材１１１の両面に、めっきにより、非接触通信用アンテナ１１４Ａの導電パターン，接触用端子１１４Ｂの導電パターン及び貫通部１１８の導電パターン１１４Ｃを少なくとも１層積み上げる工程である。
まず、基板１１１の銅スパッタリング層１１２に、感光性ドライフィルムレジスト１１３を、両面にラミネートし、露光、現像して、めっきの開口パターン１１３ａを作製する［図１（ｄ）］。
開口パターン１１３ａに、銅めっき、ニッケルめっき、金めっき工程を、それぞれ水洗工程を間にはさみ、連続めっきして、めっき層１１４を形成する［図１（ｅ）］。
感光性ドライフィルムレジスト１１３を剥離し［図２（ｆ）］、銅スパッタリング層１１２をソフトエッチング処理により除去して、非接触通信用アンテナ１１４Ａ，接触用端子１１４Ｂ及び貫通部１１８の導電パターン１１４Ｃを形成する［図２（ｇ）］。
【００２０】
ＩＣチップ搭載工程＃１４は、基板１１１の裏側にＩＣチップ１１５を搭載する工程である。例えば、接触・非接触兼用型のＩＣチップ１１５を接着剤で接着する［図２（ｈ）］。
【００２１】
接続工程＃１５は、ＩＣチップ１１５の接続端子部と、非接触通信用アンテナ１１４Ａ及び貫通部１１８の導電パターン１１４Ｃの接続端子部とを、ボンディングワイヤ１１６によって、電気的に接続する工程である［図２（ｈ）］。
封止工程＃１６は、基板１１１の裏面のＩＣチップ１１５，ボンディングワイヤ１１６等を封止材１１７で封止する工程である［図２（ｉ）］。
【００２２】
第１実施形態によれば、非接触通信用アンテナ１１４Ａが基板１１１の裏面側に設けられているので、接触用の外部処理装置に挿入した場合に、接触して、アンテナがショートしたり、傷付いたりすることはなくなった。
【００２３】
また、めっきにより、非接触通信用アンテナ１１４Ａの導電パターン，接触用端子１１４Ｂの導電パターン及び貫通部１１８の導電パターン１１４Ｃを一度に形成しているので、工程が簡素化できる。
特に、非接触通信用アンテナ１１４Ａの導電パターンは、めっきにより、微細化できる利点がある。つまり、細い線幅とスペースが実現でき、ピッチを狭くできるので、非接触通信用アンテナ１１４Ａの導電パターンを高密度で形成することができる。例えば、線幅２０μｍ、スペース２０μｍ（４０μｍのピッチ）が可能である。めっきは、ホトレジストによって壁を立てて成長させるので、非常にパターン形状がよく形成できるからである。従って、ＳＩＭのような小型の媒体の場合には、コイルの巻数を増やせるので好適である。
なお、エッチングは、削っていくので、サイドエッジが回り込み、線幅４０μｍ、スペース４０μｍ（８０μｍのピッチ）がほぼ限界である。
【００２４】
（第２実施形態）
図４〜図６は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図である。
なお、以下に示す各実施形態では、前述した第１実施形態と同様な機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に共通した符号を付して、重複する図面や説明を適宜省略する。
【００２５】
第２実施形態は、基材１１１−２として、両面に銅箔層１１１−２が形成されたガラスクロス入りエポキシ樹脂基板が用いられている。ガラスクロス入りエポキシ樹脂基板は、強度や適度な柔軟性があり、可撓性もあるうえ、衝撃にも強い。このガラスクロス入りエポキシ樹脂基板も、量産されており、市場から安価に入手できるという利点がある。
また、第１実施形態のめっき工程＃１３の代わりに、エッチング工程＃１３−２が行なわれる点で相違する。
【００２６】
次に、第２実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０−２の構造を、その製造方法と共に説明する。
第２実施形態では、５０μｍのガラスエポキシ材からなる基材１１１−２の両面に、銅箔層１１２−２を１００μｍの厚みで形成する［図４（ｂ），銅箔層形成工程＃１１−２）。なお、この工程は、前述したガラスクロス入りエポキシ樹脂基板を用いる場合には、省略することができる。
そして、レーザ孔あけ機により、貫通部１１８を形成する［図４（ｃ），貫通部形成工程＃１２］。
【００２７】
ついで、基材１１１−２の両面を、非接触通信用アンテナの導電パターン，接触用端子の導電パターン及び貫通部１１８の導電パターンを、エッチングにより形成するエッチング工程＃１３−２が行なわれる。
まず、無電解めっきによって、全面（基板１１１−２の表裏面の銅箔層１１２−２及び貫通部１１８の内壁面）に、５μｍの無電解銅めっき層１１４−２を形成する［図４（ｄ）］。
感光性ドライフィルムレジスト１１３−２を両面にラミネート、露光、現像して、エッチングパターンを作製する［図４（ｅ）］。そして、このエッチングパターンをマスクとして、エッチングを行う［図５（ｆ）］。ついで、感光性ドライフィルムレジスト１１３−２を剥離して、非接触通信用アンテナ１１４−２Ａ，接触用端子１１４−２Ｂ及び貫通部１１８の導電パターン１１４−２Ｃを形成する［図５（ｇ）］。
【００２８】
さらに、基板１１１−２の裏側にＩＣチップ１１５を接着剤で接着し［図５（ｈ），ＩＣチップ搭載工程＃１４］、ＩＣチップ１１５の接続端子部と、非接触通信用アンテナ１１４−２Ａ及び貫通部１１８の導電パターン１１４−２Ｃの接続端子部とを、ボンディングワイヤ１１６によって、電気的に接続する［図５（ｈ），接続工程＃１５］。
最後に、基板１１１の裏面のＩＣチップ１１５，ボンディングワイヤ１１６等を封止材１１７で封止する［図５（ｈ），封止工程＃１６］。
【００２９】
第２実施形態によれば、第１実施形態の製造方法に比較して、さらに、簡単な工程で製造することができる利点がある。
【００３０】
（第３実施形態）
図７は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの第３実施形態を示す図である。
第３実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０−３は、ボンディングワイヤ１１６の代わりに、ＩＣチップ１１５にバンプ１１６−３を設け、ＩＣチップ搭載工程と、接続工程とを同時に行なうようにして製造してある。
従って、製造工程がさらに簡素化されると共に、結線の安定性や信頼性が極めて高い、という効果がある。
なお、第３実施形態の場合には、封止材による封止工程は、必ずしも必要ではなく、ＳＩＭ等の基材を成形する他のシートとラミネートするだけでも、封止効果をあげることができる。
【００３１】
（第４実施形態）
図８は、本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの第４実施形態を示す図である。
第４実施形態の接触・非接触兼用型ＩＣモジュール１１０−４では、非接触通信用アンテナ１１４−４Ａは、アンテナ内側領域Ｂに対して、接触用端子１１４−４Ｂを左側にずらして配置することにより、その接触用端子１１４−４Ｂと干渉しないアンテナ有効領域Ｃが確保されている。
具体的には、図８（ｂ）のように、接触用端子１１４−４Ｂは、外部接続端子部１１４−４Ｂ−１が２列に配置されており、非接触通信用アンテナ１１４−４Ａは、２列の外部接続端子部１１４−４Ｂ−１の間を通っていれば、より干渉の少ないアンテナ有効領域Ｃが確保できると共に、アンテナ１１４−４Ａの端部１１４−４Ａ−１をＩＣチップの接続端子部に接続しやすい。
【００３２】
非接触ＩＣモジュールにおいて、大きな通信距離を安定して確保するためには、非接触用アンテナ（以下、コイルアンテナ）１１４−４Ａの面積が大きければければ大きいほどよい。しかし、コイルアンテナ１１４−４Ａが大きければ、製造コストは、材料費も含め、面積に比例して大きくなることから、通信に必要な最低限の大きさであればよい。
コイル面積と通信特性について、検討した結果、ISO14443TypeＡ及びTypeＢ方式を前提として、最低限必要なコイルの大きさは、コイルの形状やピッチで異なるものの、面積として、概ね１０ｍｍ2 以上は最低必要であり、４００ｍｍ2 あれば十分であることが判明した。
【００３３】
さらに、カード又はモジュールの大きさ、形状は、規格により大きさが決められている場合に、特に、小型のモジュールで寸法が機器の制約で約２ｃｍ角以内と限られている場合など、自ずとコイルアンテナ１１４−４Ａの大きさをＩＣモジュール１１０に対して、全面に使うことが必要とされ、コイルアンテナ１１４−４Ａは、ＩＣモジュール１１０の外周一杯に形成することが要求される。
この制約から、コイルアンテナ１１４−４Ａのデザインルールとして、外周はなるべく大きく、そのピッチを狭めて配置した方がよい。ピッチとしては、１００μｍ以下、最も望ましくは、５０μｍ以下である。
また、ピッチが２０μｍ以下になると、安定して作製することが難しくなる。また、フエースダウン型のフリップチップ実装を行うと、ＩＣモジュール１１０の厚みを薄くでき、望ましい。
第３実施形態では、接触用端子１１４−４Ｂの外部接続端子部１１４−４Ｂ−１間をコイル配線が通るように設置する必要があり、この場合も、ピッチを１００μｍ以下、最も望ましくは、５０μｍ以下にすると、デザイン上設計の自由度が確保でき、コイルアンテナ１１４−４Ａの内側面積を大きくすることができる。
【００３４】
また、コイルアンテナ１１４−４Ａの膜厚としては、デザインルールが小さくなると抵抗が大きくなるため、望ましくは、５μｍ以上、最も望ましくは、１０μｍ以上である。
コイルアンテナ１１４−４Ａの膜厚を大きくすると、安定して作製することが難しくなるため、３０μｍ以下にすることが望ましい。これらのデザインルールを満足するためには、コイルアンテナ１１４−４Ａの作製方法は、エッチング法かめっきによるセミアディテイブ法による方法のどちらかであるが、ピッチ５０μｍ以下に作製する場合は、めっきによるセミアデティブ法に限られる。
【００３５】
また、接触・非接触兼用ＩＣモジュール１１０においては、接触用端子１１４−４Ｂと非接触用アンテナ１１４−４Ａを、同一モジュール内に形成する必要がある。一般に、非接触用アンテナ１１４−４Ａの内部に置かれた、金属部分は電磁波の遮蔽効果を持ち、通信の障害となる。よって、ＩＣカードのデザインでは、金属製の接触用端子１１４−４Ｂの電磁波の遮蔽効果を避けるために、その端子１１４−４Ｂからコイルアンテナ１１４−４Ａの中心をずらして配置することがが必要である。
この場合に、アンテナ有効面積Ｃは、モジュール面積Ａに対して、０．５Ａ〜０．９Ａが望ましいという新規事実を得た。
【００３６】
（変形形態）
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の均等の範囲内である。
（１） 本実施形態では、携帯電話などに使用するＳＩＭを例に説明したが、通常のＩＣカードや、基材形状が特定されないＩＣタグなどであってもよい。
（２） 小型のＩＣモジュール単体で必要な通信距離が確保できなければ、外部にブースターコイルを別途作製し、ＩＣモジュールと近接させて共振回路を形成し、信距離を確保することも可能である。このブースターコイルは、ＩＣモジュールを収納するケース、例えば、定期入れなどに設置して使用してもよい。この場合も、金属部分は電磁波の遮蔽効果をもち、少なからず通信の障害となるため、コイルは電磁波に対して露出するように、なるべく金属部品を避けて形成する必要がある。ブースターとして機能させる為にＩＣモジュールのコイルとブースターコイルは電磁気的に共振するように配置する事は言うまでもない。
【００３７】
（３） 本発明の方式では、接触用端子と非接触用アンテナを具備する構成であるが、場合によっては、接触用端子と非接触用アンテナの接続端子部のみをＩＣモジュールに設け、アンテナコイルを別途作製してもよい。
このアンテナコイルは、ＩＣモジュールを収納するケース、例えば、定期入れなどに設置して、ＩＣモジュールを挿入することによって機能するようにしてもよい。この場合も、金属部分は電磁波の遮蔽効果をもち、少なからず通信の障害となるため、コイルは電磁波に対して露出するように、なるべく金属部品を避けて形成する必要がある。コイルはなるべく大きく、有効面積として１〜２００ｃｍ2 が望ましい。ケースの内側に形成しても外側に形成しても良い。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、本発明によれば、非接触通信用アンテナが基板の裏面側に設けられているので、接触用の外部処理装置に挿入した場合に、接触して、アンテナがショートしたり、傷付いたりすることはなくなった。
また、めっき又はエッチングにより、非接触通信用アンテナの導電パターン，接触用端子の導電パターン及び貫通部の導電パターンを一度に形成しているので、工程が簡素化できる。
特に、めっきにより、非接触通信用アンテナの導電パターンを形成した場合には、微細化でき、導電パターンを高密度化することができる。また、エッチングの場合には、より簡単な工程で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図（その１）である。
【図２】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図（その２）である。
【図３】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第１実施形態を示す図（その３）である。
【図４】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図（その１）である。
【図５】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図（その２）である。
【図６】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールとその製造方法の第２実施形態を示す図（その３）である。
【図７】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの第３実施形態を示す図である。
【図８】本発明による接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの第４実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１１０ 接触・非接触兼用型ＩＣモジュール
１１１ 基板
１１２ 銅スパッタリング層
１１２−２ 銅箔層
１１４Ｂ 接触用端子
１１４Ａ 非接触通信用アンテナ
１１４Ｃ 導電パターン
１１５ 接触・非接触兼用型のＩＣチップ
１１６ ボンディングワイヤ
１１７ 封止材
１１８ 貫通部
＃１１ スパッタリング工程
＃１２ 貫通部形成工程
＃１３ めっき工程
＃１３−２ エッチング工程
＃１４ ＩＣチップ搭載工程
＃１５ 接続工程
＃１６ 封止工程
Claims (6)
- 基板と、前記基板の表側に形成された接触用端子と、前記基板の裏側に形成された非接触通信用アンテナと、前記基板の裏側に搭載された接触・非接触兼用型のＩＣチップとを備えた接触・非接触兼用型ＩＣモジュールの製造方法において、
前記基板に、前記接触用端子の接続端子部に連通する貫通部を形成する貫通部形成工程と、
前記基板の表側と、前記基板の裏側と、前記貫通部の内側面とに設けられ、前記基板の表側及び前記基板の裏側を前記貫通部の内側面を介して電気的に接続する少なくとも１つの導電層を、めっきにより形成するめっき工程と、
前記導電層を部分的に除去することにより、前記接触用端子及び前記非接触通信用アンテナを形成する導電層除去工程と、
前記基板の裏側に前記ＩＣチップを搭載するＩＣチップ搭載工程とを備えること、
を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法。 - 請求項１に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、
前記基板は、表側及び裏側に予め第１導電層を有し、
前記めっき工程は、
前記第１導電層上に、このＩＣモジュールの表面を法線方向から見たときに前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子と同一形状であり、前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子を電気的に接続する第２導電層を前記めっきにより形成し、
かつ、前記第２導電層を前記ＩＣチップの搭載エリアを避けて形成し、
前記導電層除去工程は、
前記第１導電層を部分的に除去することにより、前記接触用端子及び前記非接触通信用アンテナの接続端子部を形成し、
かつ、前記ＩＣチップの搭載エリアの前記第１導電層を除去すること、
を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法。 - 請求項１に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、
前記導電層除去工程は、前記貫通部の開口部に蓋をし、かつ、このＩＣモジュールの表面を法線方向から見たときに前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子と同一形状のマスクパターンを設けて、前記導電層をエッチングにより除去すること、
を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法。 - 請求項３に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、
前記基板は、表側及び裏側に予め第１導電層を有し、
前記めっき工程は、前記第１導電層及び前記貫通部の内側面に、前記めっきにより第２導電層を設け、
前記導電層除去工程は、
前記非接触通信用アンテナ及び前記接触用端子の前記第１導電層及び第２導電層を残存させ、
かつ、前記ＩＣチップの搭載エリアの前記第１導電層及び前記第２導電層を除去すること、
を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法。 - 請求項２又は請求項４に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、
前記基板は、両面に前記第１導電層である銅スパッタリング層が形成されたポリイミド基板であること、
を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法。 - 請求項２又は請求項４に記載の接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法において、
前記基板は、両面に前記第１導電層である銅箔層が形成されたガラスクロス入りエポキシ樹脂基板であること、
を特徴とする接触・非接触兼用ＩＣモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001032445A JP4724923B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001032445A JP4724923B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002236900A JP2002236900A (ja) | 2002-08-23 |
| JP4724923B2 true JP4724923B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=18896375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001032445A Expired - Fee Related JP4724923B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 接触・非接触兼用型ｉｃモジュールとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4724923B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4525002B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2010-08-18 | 株式会社日立製作所 | 無線認識半導体装置および無線認識半導体装置製造方法 |
| EP2541471A1 (fr) * | 2011-07-01 | 2013-01-02 | Gemalto SA | Dispositif portatif à contacts électriques évidés |
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| JP2002236900A (ja) | 2002-08-23 |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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