CN113906676A - 布线电极 - Google Patents

布线电极 Download PDF

Info

Publication number
CN113906676A
CN113906676A CN202080039487.8A CN202080039487A CN113906676A CN 113906676 A CN113906676 A CN 113906676A CN 202080039487 A CN202080039487 A CN 202080039487A CN 113906676 A CN113906676 A CN 113906676A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
outer periphery
low
wiring electrode
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080039487.8A
Other languages
English (en)
Inventor
豊田祐二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN113906676A publication Critical patent/CN113906676A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/877Conductive materials
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538Formation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538Formation
    • H03H9/14541Multilayer finger or busbar electrode
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够抑制金属层间的合金化、并且能够提高可靠性的布线电极。本发明的布线电极1是设置于压电性基板12(基板)上、层叠多个层而成的布线电极,具备与压电性基板12接触的粘接层2,间接设置于粘接层2上的最表层5,设置于粘接层2与最表层5之间、具有位于粘接层2侧的第一主面3c和与第一主面3c对置的第二主面3d、且在多个层中电阻最低的低电阻层3,设置于低电阻层3与最表层5之间的阻挡层4。在平面视图中,低电阻层3的第二主面3d的外周边与阻挡层4的外周边4a相比位于内侧,并且粘接层2的外周边2a与低电阻层3的外周边3a相比位于外侧。

Description

布线电极
技术领域
本发明涉及布线电极。
背景技术
一直以来,各种电子零件中使用布线电极。下述的专利文献1中公开了弹性表面波元件使用的布线电极的一个例子。该布线电极设置于基板上。布线电极中依次层叠有AlCu层、Cu层、Ti层以及Au层。各金属层通过剥离法形成。通过使Cu层和Ti层插在AlCu层和Au层之间,从而能够抑制AlCu层中的Al和Au层中Au的金属扩散所致的合金化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-065092号公报
发明内容
专利文献1的布线电极中,由AlCu层和Au层的主面彼此间的相互金属扩散所致的合金化得到抑制。然而,通过剥离法形成各金属层时,有时构成Au层的Au环绕在已形成的AlCu层的侧面。因此,可能在AlCu层的侧面与环绕的Au之间发生合金化。因此,布线电极的电阻有可能变高,有时可靠性恶化。
本发明的目的在于提供能够抑制金属层间的合金化、并且能够提高可靠性的布线电极。
本发明涉及的布线电极是设置于基板上的层叠多个层而成的布线电极,具备:与上述基板接触的粘接层,间接设置于上述粘接层上的最表层,设置于上述粘接层与上述最表层之间、具有位于上述粘接层侧的第一主面和与上述第一主面对置的第二主面、且在上述多个层中电阻最低的低电阻层,以及设置于上述低电阻层与上述最表层之间的阻挡层;上述粘接层、上述低电阻层、上述阻挡层以及上述最表层分别具有外周边,在平面视图中,上述低电阻层的上述第二主面的外周边与上述阻挡层的上述外周边相比位于内侧,并且上述粘接层的上述外周边与上述低电阻层的上述外周边相比位于外侧。
根据本发明涉及的布线电极,能够抑制金属层间的合金化,能够提高可靠性。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的布线电极的横截面图。
图2是包含本发明的第一实施方式涉及的布线电极的弹性波装置沿IDT电极的电极指延伸的方向的截面图。
图3是表示本发明的第一实施方式涉及的布线电极上设置有凸块的状态的布线电极的横截面图。
图4是表示包含本发明的第一实施方式涉及的布线电极的弹性波装置的IDT电极的俯视图。
图5(a)~图5(e)是表示用于说明本发明的第一实施方式的弹性波装置的制造方法的一个例子的、相当于图2所示的截面的部分的截面图。
图6(a)和图6(b)是用于对形成本发明的第一实施方式涉及的布线电极的方法的一个例子中形成金属层的层叠体的工序进行说明的横截面图。
图7(a)和图7(b)是用于对形成本发明的第一实施方式涉及的布线电极的方法的一个例子的蚀刻工序进行说明的横截面图。
图8是表示在成为布线电极的低电阻层的金属层附着构成最表层的金属的状态的布线电极的横截面图。
图9是本发明的第一实施方式的第一变形例涉及的布线电极的横截面图。
图10是本发明的第一实施方式的第二变形例涉及的布线电极的横截面图。
图11是本发明的第一实施方式的第三变形例涉及的布线电极的横截面图。
图12是本发明的第二实施方式涉及的布线电极的横截面图。
图13是本发明的第三实施方式涉及的布线电极的横截面图。
图14是本发明的第四实施方式涉及的布线电极的横截面图。
图15是本发明的第四实施方式的第一变形例涉及的布线电极的横截面图。
图16是本发明的第四实施方式的第二变形例涉及的布线电极的横截面图。
图17是包含本发明的第五实施方式涉及的布线电极的弹性波装置沿IDT电极的电极指延伸的方向的截面图。
图18是本发明的第五实施方式涉及的布线电极的横截面图。
图19是用于说明本发明的第五实施方式的弹性波装置的制造方法的一个例子的、表示相当于图17所示的截面的部分的截面图。
图20(a)~图20(c)是用于说明第五实施方式的弹性波装置的制造方法的一个例子的放大截面图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明,使得本发明更清楚。
应予说明,本说明书记载的各实施方式是例示,应当指出,在不同的实施方式间可以进行构成的部分置换或者组合。
图1是本发明的第一实施方式涉及的布线电极的横截面图。图2是包含第一实施方式涉及的布线电极的弹性波装置沿IDT电极的电极指延伸的方向的截面图。图2中的单点划线A表示后述的IDT电极的第一汇流排与第一电极指的边界。图2以外的截面图的单点划线A也表示同样的边界。应予说明,图1中的横截面是沿后述的弹性波传播方向的截面。
如图1所示,布线电极1设置于压电性基板12上。布线电极1是层叠多个层而成的。如图2所示,本实施方式的布线电极1用于包含压电性基板12的弹性波装置10。压电性基板12是仅由压电体层构成的压电基板。压电体层例如可以使用钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝、石英或者PZT等。应予说明,压电性基板12可以由包含压电体层和其它层的层叠体构成。
但是,本发明涉及的布线电极也可以用于弹性波装置以外的电子部件。这种情况下,布线电极可以设置于压电性基板以外的基板上。或者,布线电极用于弹性波装置等的情况下,布线电极也可以设置于压电性基板以外的基板上。
如图1和图2所示,布线电极1具有与压电性基板12接触的粘接层2、设置于粘接层2上的低电阻层3、设置于低电阻层3上的阻挡层4、以及设置于阻挡层4上的最表层5。
粘接层2是粘接布线电极1和压电性基板12的层。低电阻层3是布线电极1的多个层中电阻最低的。最表层5间接设置于粘接层2上,位于布线电极1的多个层中最上面。应予说明,本说明书中,上面是指图1中上方的面。阻挡层4设置于低电阻层3与最表层5之间,是用于防止低电阻层3中的金属与最表层5中金属的相互扩散和合金化的层。
图3是表示第一实施方式涉及的布线电极上设置有凸块的状态的布线电极的横截面图。
布线电极1具有凸块垫部1a。在凸块垫部1a中的最表层5上设置有凸块6。图3所示的凸块6例如为Au凸块等。
这里,本实施方式的布线电极1的各层的材料和膜厚如下。
粘接层2:材料…Ti,膜厚…50nm
低电阻层3:材料…Al,膜厚…800nm
阻挡层4:材料…Ti,膜厚…100nm
最表层5:材料…Au,膜厚…400nm
但是,布线电极1的各层的材料和膜厚不限于上述。应予说明,粘接层2优选由选自Ti、Ni、Cr以及以这些金属为主体的合金中的至少1种的金属构成。由此,能够适当提高布线电极1与压电性基板12的接合力。低电阻层3优选由Al或者Al为主体的合金构成。由此,能够适当降低布线电极1的电阻。应予说明,低电阻层3例如可以由Cu等构成。最表层5优选由Au或者以Au为主体的合金构成。由此,能够将Au凸块等与布线电极1适当地接合。应予说明,最表层5例如可以由Pt等构成。
如图1所示,低电阻层3具有外周边3a。本说明书中,外周边是指在平面视图中的外周边,平面视图是指图1中从上方观察的方向。低电阻层3具有位于粘接层2侧的第一主面3c、与第一主面3c对置的第二主面3d以及与第一主面3c和第二主面3d连接的侧面3b。本实施方式中,低电阻层3的侧面3b在与压电性基板12的主面垂直的方向延伸。低电阻层3的外周边3a位于侧面3b。
应予说明,侧面3b可以相对于与压电性基板12的主面垂直的方向倾斜地延伸。或者,侧面3b可以具有曲面的形状。这些情况下,低电阻层3的外周边3a位于侧面3b的最外侧的部分。这里,将图1所示的布线电极1的横截面中的与布线电极1的厚度方向垂直的方向的长度作为宽度。例如,在倾斜地延伸从而使得低电阻层3的宽度越靠近压电性基板12侧越窄的情况下,第二主面3d的外周边与低电阻层3整体的外周边3a相当。另一方面,在倾斜地延伸从而使得低电阻层3的宽度越靠近压电性基板12侧越宽的情况下,在平面视图中,第二主面3d的外周边位于低电阻层3的外周边3a的内侧。但是,在本实施方式中低电阻层3的宽度是一定的,因此,第二主面3d的外周边相当于低电阻层3整体的外周边3a。
与低电阻层3同样,粘接层2、阻挡层4和最表层5也分别具有外周边2a、外周边4a和外周边5a。并且,粘接层2、阻挡层4和最表层5具有侧面2b、侧面4b和侧面5b。本实施方式中,粘接层2、阻挡层4以及最表层5的侧面2b、侧面4b和侧面5b与压电性基板12的主面垂直地延伸。应予说明,侧面2b、侧面4b和侧面5b也可以相对于与压电性基板12的主面垂直的方向倾斜地延伸。或者,侧面2b、侧面4b和侧面5b还可以具有曲面的形状。
如图1和图2所示,低电阻层3的外周边3a与阻挡层4的外周边4a相比位于内侧,并且粘接层2的外周边2a位于低电阻层3的外周边3a的外侧。应予说明,在平面视图中,低电阻层3的第二主面3d的外周边与阻挡层4的外周边4a相比位于内侧,并且粘接层2的外周边2a与低电阻层3的外周边3a相比位与外侧即可。
粘接层2的外周边2a、阻挡层4的外周边4a和最表层5的外周边5a在平面视图中重叠。将图1所示的布线电极1的横截面中与布线电极1的厚度方向垂直的方向的长度作为宽度时,低电阻层3的宽度比粘接层2、阻挡层4和最表层5的宽度更窄。
图4是表示包含第一实施方式涉及的布线电极的弹性波装置的IDT电极的俯视图。应予说明,图4中省略了布线电极。图2所示的IDT电极的截面是沿图4中的I-I线的截面。
如图2和图4所示,在压电性基板12上设置有IDT电极13。通过对IDT电极13施加交流电压而激发弹性波。如图4所示,压电性基板12上的IDT电极13的弹性波传播方向两侧设置有一对反射器14以及反射器15。
IDT电极13具有彼此对置的第一汇流排16和第二汇流排17。IDT电极13具有各自有一端与第一汇流排16连接的多个第一电极指18。并且,IDT电极13具有各自有一端与第二汇流排17连接的多个第二电极指19。多个第一电极指18与多个第二电极指19相互穿插。
如图2所示,在IDT电极13的第一汇流排16连接有布线电极1。布线电极1从第一汇流排16上延伸到压电性基板12上。在本实施方式中,在第一汇流排16的上表面的一部分设置有布线电极1,但也可以在第一汇流排16的上表面的整体设置有布线电极1。
应予说明,布线电极1可以不与IDT电极13直接连接。布线电极1可以经由连接于IDT电极13的其它引出布线等与IDT电极13电连接。这里,在引出布线等连接于布线电极1的低电阻层3的侧面3b的任一位置的情况下,引出布线不包含在侧面3b中。例如,布线电极1为通过引出布线与IDT电极13连接的外部连接用的电极的情况下,引出布线不包含在侧面3b中。即,低电阻层3的外周边3a是未连接引出布线连接的情况下的侧面3b的外周边。
本实施方式的弹性波装置10是弹性波谐振器。但是,弹性波装置不限于弹性波谐振器,也可以是具有多个弹性波谐振器的滤波器装置、包含该滤波器装置的多路复用器等。此时,本发明涉及的布线电极可以连接到各弹性波谐振器等。
本实施方式的特征在于,在平面视图中,低电阻层3的第二主面3d的外周边3a与阻挡层4的外周边4a相比位于内侧,并且粘接层2的外周边2a与低电阻层3的外周边3a相比位于外侧。由此,能够有效抑制合金化,并且能够提高可靠性。以下对该详细内容与本实施方式的弹性波装置10的制造方法一起进行说明。
图5(a)~图5(e)是表示用于说明第一实施方式的弹性波装置的制造方法的一个例子的、相当于图2所示的截面的部分的截面图。图6(a)和图6(b)是用于说明形成第一实施方式涉及的布线电极的方法的一个例子中形成金属层的层叠体的工序的横截面图。图7(a)和图7(b)是用于对形成第一实施方式涉及的布线电极的方法的一个例子的蚀刻工序进行说明的横截面图。
如图5(a)所示,准备压电性基板12。接下来,在压电性基板12上通过剥离法形成图4所示的IDT电极13。更具体而言,在压电性基板12上形成抗蚀剂图案7A。抗蚀剂图案7A中与IDT电极13的形状对应的部分以及与反射器14和反射器15对应的部分开口。接下来,如图5(b)所示,在压电性基板12上通过蒸镀法或者溅射法等形成金属膜13X,以便覆盖抗蚀剂图案7A。接下来,剥离抗蚀剂图案7A,如图5(c)所示,得到IDT电极13。与IDT电极13同时形成反射器14和反射器15。应予说明,IDT电极13、反射器14以及反射器15的形成的方法不限于上述。
接下来,如图5(d)所示,从IDT电极13的第一汇流排16延伸到压电性基板12上形成金属层的层叠体1X。层叠体1X例如可以通过剥离法等形成。更具体而言,如图6(a)所示,在压电性基板12上形成抗蚀剂图案7B。接下来,如图6(b)所示,形成成为粘接层2的金属层2X。接下来,在金属层2X上层叠成为低电阻层3的金属层3X。接下来,在金属层3X上层叠成为阻挡层4的金属层4X。接下来,在金属层4X上层叠成为最表层5的金属层5X。金属层2X、金属层3X、金属层4X以及金属层5X例如可以通过蒸镀法或者溅射法等形成。接下来,剥离抗蚀剂图案7B。由此,得到如图5(d)所示的粘接层2、成为低电阻层3的金属层3X、阻挡层4以及最表层5的层叠体1X。
接下来,如图7(a)所示,在压电性基板12上形成抗蚀剂图案7C,以便覆盖层叠体1X的各层的侧面。接下来,蚀刻成为低电阻层3的金属层3X的侧面。此时,蚀刻液使用作用于成为低电阻层3的金属层3X而不易作用于粘接层2、阻挡层4和最表层5的蚀刻液。更具体而言,布线电极1的形成中,使用乙酸、磷酸和硝酸的混合液作为蚀刻液。但是,蚀刻液的种类不限于上述。
通过蚀刻金属层3X的侧面,如图7(b)所示,得到外周边3a相比阻挡层4的外周边4a位于内侧的低电阻层3。接下来,剥离抗蚀剂图案7C。由此,如图5(e)所示,得到第一实施方式的布线电极1。然后,例如,有时进行在布线电极1接合凸块6的工序等伴随加热的工序。
在布线电极1的最表层5接合凸块6等情况下,加热最表层5容易膨胀。并且,接合凸块6时,对最表层5施加较大的载荷的情况很多,或者,也有施加超声波振动的情况。因此,特别是在最表层5接合凸块6时,膨胀的最表层5的一部分可能越过阻挡层4的外周边4a而朝压电性基板12侧垂下。像以往那样,在平面视图中,低电阻层的外周边与阻挡层的外周边重叠的情况下,最表层的一部分有时下垂到低电阻层的侧面。因此,构成低电阻层的金属与构成最表层的金属可能发生合金化,布线电极的电阻可能增加。
与此相对,本实施方式中,如图1所示,在平面视图中,低电阻层3的第二主面3d的外周边3a与阻挡层4的外周边4a相比位于内侧。由此,即便在加热最表层5而膨胀的情况下,构成最表层5的金属也很难到达低电阻层3的侧面3b。因此,能够有效抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层5的金属的合金化。因此,能够抑制布线电极1的电阻增加,能够提高可靠性。
优选低电阻层3的外周边3a与阻挡层4的外周边4a相比位于内侧。由此,构成最表层5的金属更难以到达低电阻层3的侧面3b。因此,能够进一步抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层5的金属的合金化。
然而,在形成成为布线电极1的层叠体1X的工序中,如图6(b)所示,形成成为低电阻层3的金属层3X和成为阻挡层4的金属层4X后,在金属层4X上层叠成为最表层5的金属层5X。此时,用于形成最表层5的金属有时环绕成为低电阻层3的金属层3X的侧面。此时,即便剥离抗蚀剂图案7B后,也可能成为构成最表层5的金属附着在金属层3X的侧面的状态。图8中示出构成最表层5的金属B附着于层叠体1X的金属层3X的侧面的状态。在金属B附着于金属层3X的侧面的状态下进行伴随加热的工序时,构成金属层3X的金属与金属B合金化,布线电极的电阻可能增加。
与此相对,形成本实施方式的布线电极1时,即便金属B附着于金属层3X的侧面,如图7(a)和图7(b)所示,仍可以进行金属层3X的侧面的蚀刻。由此,从金属层3X的侧面除去金属B。因此,难以在形成的低电阻层3的侧面3b残留金属B。因此,能够进一步抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层5的金属的合金化。
此外,如图1所示,粘接层2的外周边2a位于低电阻层3的外周边3a的外侧,因此能够增大粘接层2的面积。由此,能够提高布线电极1与压电性基板12的接合力。因此,能够进一步提高可靠性。
这里,如图3所示,布线电极1中,最表层5的外周边5a与低电阻层3的外周边3a相比位于外侧。由此,能够增大布线电极1与凸块6的接合面积。因此,能够提高布线电极1与外部的电极等的接合力。因此,能够更有效地提高可靠性。
并且,在平面视图中,最表层5的外周边5a与阻挡层4的外周边4a重叠。这样,最表层5的外周边5a位于阻挡层4的外周边4a的外侧,因此能够有效抑制构成最表层5的金属因由加热所致的膨胀以及加重和超声波振动等而到达低电阻层3的侧面3b。因此,能够有效抑制构成低电阻层3的金属和构成最表层5的金属的合金化。另一方面,最表层5的外周边5a位于阻挡层4的外周边4a的内侧,因此能够增大最表层5与凸块6的接合面积。因此,能够进一步提高与外部的电极等的接合力,能够更有效地提高可靠性。
如图1或图2等那样,在沿弹性波传播方向或者电极指延伸的方向的截面视图中,说明了本实施方式的结构,但是,在沿除此以外的方向的截面视图中,在成为图1的结构的情况下,也能够得到与上述同样的效果。更具体而言,能够抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层5的金属的合金化,并且能够提高可靠性。
本实施方式中,低电阻层3的侧面3b在与压电性基板12的主面垂直的方向延伸。但是,低电阻层3的侧面3b的形状不限于上述。以下,示出仅低电阻层的侧面的形状与第一实施方式不同的第一实施方式的第一~第三变形例。第一~第三变形例中,也与第一实施方式同样,能够抑制构成低电阻层的金属与构成最表层的金属的合金化,并且能够提高可靠性。
如图9所示,第一变形例中,低电阻层27的侧面27b具有曲面的形状。更具体而言,低电阻层27中,低电阻层27与粘接层2接触的部分或者低电阻层27与阻挡层4接触的部分的宽度最宽。图9所示的布线电极的横截面中,低电阻层27的外周边27a位于低电阻层27与粘接层2接触的部分或者低电阻层27与阻挡层4接触的部分。
如图10所示,第二变形例中,低电阻层28的侧面28b相对于与压电性基板12的主面垂直的方向倾斜地延伸。更具体而言,低电阻层28的侧面28b倾斜地延伸,使得低电阻层28的宽度越靠近压电性基板12侧越宽。图10所示的布线电极的横截面中,低电阻层28的外周边28a位于低电阻层28与粘接层2接触的部分。低电阻层28的第一主面的外周边相当于低电阻层28整体的外周边。应予说明,形成第二变形例的布线电极时,例如,可以在形成侧面28b相对于与压电性基板12的主面垂直的方向倾斜地延伸的低电阻层28后,形成阻挡层4和最表层5。
如图11所示,第三变形例中,低电阻层29的侧面29b相对于与压电性基板12的主面垂直的方向倾斜地延伸。更具体而言,低电阻层29的侧面29b倾斜地延伸,使得低电阻层29的宽度越靠近压电性基板12侧越窄。图11所示的布线电极的横截面中,低电阻层29的外周边29a位于低电阻层29与阻挡层4接触的部分。低电阻层29的第二主面的外周边相当于低电阻层29整体的外周边29a。应予说明,形成第三变形例的布线电极时,例如,可以在形成侧面29b相对于与压电性基板12的主面垂直的方向倾斜地延伸低电阻层29后,形成阻挡层4和最表层5。
图12是第二实施方式涉及的布线电极的横截面图。
在最表层5的外周边5a与阻挡层4的外周边4a相比位于内侧这点上,本实施方式与第一实施方式不同。除上述点以外,本实施方式的布线电极具有与第一实施方式的布线电极1同样的结构。应予说明,最表层5的外周边5a与低电阻层3的外周边3a相比位于外侧。
如上所述,最表层5的外周边5a与阻挡层4的外周边4a相比位于内侧。由此,通过凸块的形成等加热最表层5而发生膨胀的情况下,能够抑制膨胀了的最表层5的一部分越过阻挡层4的外周边4a而朝向压电性基板12侧垂下。因此,能够有效抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层5的金属的合金化。因此,能够有效抑制布线电极的电阻增高,能够有效提高可靠性。
此外,与第一实施方式同样,粘接层2的外周边2a位于低电阻层3的外周边3a的外侧,因此能够增大粘接层2的面积,由此,能够提高布线电极与压电性基板12的接合力,能够进一步提高可靠性。
图13是第三实施方式涉及的布线电极的横截面图。
在最表层5的外周边5a与低电阻层3的外周边3a相比位于内侧这点上,本实施方式与第二实施方式不同。除上述这点以外,本实施方式的布线电极具有与第二实施方式的布线电极同样的结构。
如图13所示,最表层5的外周边5a与阻挡层4的外周边4a相比位于内侧,并且与低电阻层3的外周边3a相比位于内侧。由此,通过凸块的形成等加热最表层5而发生膨胀的情况下,能够有效抑制膨胀的最表层5的一部分越过阻挡层4的外周边4a而朝向压电性基板12侧垂下。因此,能够进一步抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层5的金属的合金化。因此,能够进一步抑制布线电极的电阻增加,能够进一步提高可靠性。
此外,与第二实施方式同样,粘接层2的外周边2a位于低电阻层3的外周边3a的外侧,因此能够增大粘接层2的面积。由此,能够提高布线电极与压电性基板12的接合力,能够更有效地提高可靠性。
图14是第四实施方式涉及的布线电极的横截面图。
在最表层5的外周边5a和阻挡层4的外周边4a与粘接层2的外周边2a相比位于内侧这点上,本实施方式与第一实施方式不同。除上述这点,本实施方式的布线电极具有与第一实施方式的布线电极1同样的结构。应予说明,阻挡层4的外周边4a和最表层5的外周边5a在在平面视图中重叠。
如图14所示,阻挡层4的外周边4a与粘接层2的外周边2a相比位于内侧,因此阻挡层4不与低电阻层3接触的部分的宽度窄。由此,能够抑制阻挡层4和最表层5朝向压电性基板12侧垂下。因此,能够有效抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层5的金属的合金化。因此,能够有效抑制布线电极的电阻增加,能够有效提高可靠性。
此外,与第一实施方式同样,粘接层2的外周边2a位于低电阻层3的外周边3a的外侧,因此能够增大粘接层2的面积。由此,能够提高布线电极与压电性基板12的接合力,能够进一步提高可靠性。
在本实施方式中,粘接层2的侧面2b、阻挡层4的侧面4b和最表层5的侧面5b在与压电性基板12的主面垂直的方向延伸。应予说明,侧面2b、侧面4b和侧面5b例如可以相对于与压电性基板12的主面垂直的方向倾斜地延伸。
图15是第四实施方式的第一变形例涉及的布线电极的横截面图。
第四实施方式的第一变形例中,粘接层32的侧面32b、阻挡层34的侧面34b以及最表层35的侧面35b相对于与压电性基板12的主面垂直的的方向倾斜地延伸。更具体而言,粘接层32的侧面32b、阻挡层34的侧面34b以及最表层35的侧面35b倾斜地延伸,使得粘接层32、阻挡层34和最表层35各自的宽度越靠近压电性基板12侧越宽。图15所示的布线电极的横截面中,粘接层32的外周边32a位于粘接层32与压电性基板12接触的部分。阻挡层34的外周边34a与阻挡层34与低电阻层3接触的部分的宽度方向的延长线C上。最表层35的外周边35a位于最表层35与阻挡层34接触的部分。
图15所示的横截面中,粘接层32具有彼此对置的一对侧面32b。低电阻层3、阻挡层34和最表层35也同样。粘接层32的侧面32b中的一方、阻挡层34的侧面34b中的一方和最表层35的侧面35b中的一方位于图15所示的直线状的假想线D1上。粘接层32的侧面32b中的另一方、阻挡层34的侧面34b中的另一方和最表层35的侧面35b中的另一方位于图15所示的直线状的假想线D2上。低电阻层3的侧面3b位于假想线D1和假想线D2的内侧。本变形例中,也与第四实施方式同样,能够进一步抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层35的金属的合金化,并且能够提高可靠性。应予说明,粘接层32的侧面32b、阻挡层34的侧面34b和最表层35的侧面35b从与压电性基板12的主面垂直的方向倾斜地延伸的情况下,侧面32b、侧面34b和侧面35b不一定必须位于直线状的假想线上。
图16是第四实施方式的第二变形例涉及的布线电极的横截面图。图16中的单点划线E1表示低电阻层的外周边的位置,单点划线E2表示低电阻层的第一主面的外周边的位置。单点划线F表示阻挡层的外周边的位置。
第四实施方式的第二变形例中,低电阻层28的侧面28b倾斜地延伸,使得低电阻层28的宽度越靠近压电性基板12侧越宽。本变形例中,低电阻层28的外周边28a(图16中的以单点划线E1表示的位置)位于阻挡层4的外周边4a(图16中的以单点划线F表示的位置)的外侧。另一方面,与第四实施方式同样,在平面视图中,低电阻层28的第二主面28d的外周边(图16中的以单点划线E2表示的位置)位于阻挡层4的外周边4a的内侧,并且粘接层2的外周边2a与低电阻层28的外周边28a相比位于外侧。这种情况下,能够抑制构成低电阻层28的金属与构成最表层5的金属的合金化,并且能够提高可靠性。
图17是包含第五实施方式涉及的布线电极的弹性波装置沿IDT电极的电极指延伸的方向的截面图。图18是第五实施方式涉及的布线电极的横截面图。图17中的单点划线A1和单点划线A2表示IDT电极的第一汇流排与其它部分的边界。图17以外的截面图中的单点划线A1和单点划线A2也表示同样的边界。
如图17和图18所示,本实施方式的布线电极41的阻挡层44包含第一阻挡层44A和第二阻挡层44B。在第一阻挡层44A上层叠第二阻挡层44B,在第二阻挡层44B上层叠最表层5。例如,第一阻挡层44A的材料与第二阻挡层44B的材料可以为相同的材料。
如图18所示,本实施方式中,第一阻挡层44A的外周边与第二阻挡层44B的外周边相比位于外侧。阻挡层44的外周边44a为第一阻挡层44A的外周边。在平面视图中,第二阻挡层44B的外周边与最表层5的外周边5a重叠。因此,与第二实施方式同样,最表层5的外周边5a与阻挡层44的外周边44a相比位于内侧。低电阻层3的外周边3a与粘接层2的外周边2a、阻挡层44的外周边44a以及最表层5的外周边5a相比位于内侧。因此,本实施方式中也与第二实施方式同样,能够抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层5的金属的合金化,并且能够提高可靠性。应予说明,在平面视图中,第一阻挡层44A的外周边和第二阻挡层44B的外周边可以重叠。
图17所示的弹性波装置40中,布线电极41与IDT电极53一体地设置。更具体而言,IDT电极53的第一汇流排16与布线电极41的粘接层2、低电阻层3以及第一阻挡层44A一体地设置。但是,第一汇流排16也可以与布线电极41同样地具有第二阻挡层44B和最表层5。
这里,本实施方式的布线电极41和IDT电极53的各层的材料如下。但是,布线电极41以及IDT电极53的各层的材料不限于此。
粘接层2的材料:Ti
低电阻层3的材料:AlCu
第一阻挡层44A的材料:Ti
第二阻挡层44B的材料:Ti
最表层5的材料:Au
得到弹性波装置40时,可以同时进行形成布线电极41的工序和形成IDT电极53的工序。由此,能够提高生产率。以下,对弹性波装置40的制造方法的一个例子进行说明。
图19是表示用于说明第五实施方式的弹性波装置的制造方法的一个例子的、相当于图17所示的截面的部分的截面图。图20(a)~图20(c)是用于说明第五实施方式的弹性波装置的制造方法的一个例子的放大截面图。
如图19所示,在压电性基板12上干式蚀刻使用形成成为布线电极41的一部分的层叠体和IDT电极53。更具体而言,在压电性基板12上层叠成为粘接层2的金属层、成为低电阻层3的金属层3X以及成为第一阻挡层44A的金属层。上述各金属层例如可以通蒸镀法或者溅射法等形成。接下来,在成为第一阻挡层44A的金属层上形成抗蚀剂图案。接下来,进行干式蚀刻,然后,剥离抗蚀剂图案。由此,形成成为布线电极41的一部分的层叠体和IDT电极53。与IDT电极53同时,也形成各反射器。
接下来,如图20(a)所示,形成抗蚀剂图案57,以便使成为布线电极41的一部分的层叠体的侧面露出。接下来,将成为低电阻层3的金属层3X的侧面进行干式蚀刻。此时,使用作用于成为低电阻层3的金属层3X而难以作用于粘接层2和第一阻挡层44A的气体。更具体而言,布线电极41的形成中,干式蚀刻用的气体使用Cl系气体。但是,干式蚀刻用的气体的种类不限于上述。
接下来,剥离抗蚀剂图案57。由此,如图20(b)所示,得到与第一阻挡层44A的外周边相比外周边3a位于内侧的低电阻层3。接下来,如图20(c)所示,通过剥离法在第一阻挡层44A上形成第二阻挡层44B,在第二阻挡层44B上形成最表层5。由此,得到第五实施方式的布线电极41。
这里,形成最表层5时,低电阻层3的外周边3a与第一阻挡层44A的外周边相比位于内侧。因此,用于形成最表层5的金属环绕于低电阻层3的侧面3b。因此,能够有效抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层5的金属的合金化。此外,加热最表层5而发生膨胀的情况下,在构成最表层5的金属到达第一阻挡层44A前,该金属需要在第二阻挡层44B的侧面上移动。因此,最表层5的金属更难到达低电阻层3的侧面3b,能够进一步抑制构成低电阻层3的金属与构成最表层5的金属的合金化。
另一方面,在平面视图中,第二阻挡层44B的外周边与第一阻挡层44A的外周边重叠的情况下,也能够增大最表层5的面积。由此,能够增大布线电极41与凸块的接合面积。因此,能够提高布线电极41与外部的电极等的接合力。
应予说明,不一定必须设置第二阻挡层44B,阻挡层44可以仅由第一阻挡层44A构成。但是,第二阻挡层44B的形成和最表层5的形成可以在不插入抗蚀剂图案的剥离等工序的情况下进行。因此,能够更可靠地提高第二阻挡层44B与最表层5的接合力,能够更可靠地提高阻挡层44与最表层5的接合力。
符号说明
1…布线电极
1X…层叠体
1a…凸块垫部
2…粘接层
2X…金属层
2a…外周边
2b…侧面
3…低电阻层
3X…金属层
3a…外周边
3b…侧面
3c、3d…第一、第二主面
4…阻挡层
4X…金属层
4a…外周边
4b…侧面
5…最表层
5X…金属层
5a…外周边
5b…侧面
6…凸块
7A~7C…抗蚀剂图案
10…弹性波装置
12…压电性基板
13…IDT电极
13X…金属膜
14、15…反射器
16、17…第一、第二汇流排
18、19…第一、第二电极指
27…低电阻层
27a…外周边
27b…侧面
28…低电阻层
28a…外周边
28b…侧面
28d…第二主面
29…低电阻层
29a…外周边
29b…侧面
32…粘接层
32a…外周边
32b…侧面
34…阻挡层
34a…外周边
34b…侧面
35…最表层
35a…外周边
35b…侧面
40…弹性波装置
41…布线电极
44…阻挡层
44A、44B…第一、第二阻挡层
44a…外周边
53…IDT电极
57…抗蚀剂图案
B…金属

Claims (9)

1.一种布线电极,是设置于基板上、层叠多个层而成的布线电极,具备:
与所述基板接触的粘接层,
间接设置于所述粘接层上的最表层,
设置于所述粘接层与所述最表层之间、具有位于所述粘接层侧的第一主面和与所述第一主面对置的第二主面、且在所述多个层中电阻最低的低电阻层,
设置于所述低电阻层与所述最表层之间的阻挡层;
所述粘接层、所述低电阻层、所述阻挡层以及所述最表层分别具有外周边,
在平面视图中,所述低电阻层的所述第二主面的外周边与所述阻挡层的所述外周边相比位于内侧,并且所述粘接层的所述外周边与所述低电阻层的所述外周边相比位于外侧。
2.根据权利要求1所述的布线电极,其中,所述低电阻层的所述外周边与所述阻挡层的所述外周边相比位于内侧。
3.根据权利要求1或2所述的布线电极,其中,所述最表层的所述外周边与所述阻挡层的所述外周边相比位于内侧。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的布线电极,其中,所述最表层的所述外周边与所述低电阻层的所述外周边相比位于内侧。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的布线电极,其中,所述最表层的所述外周边与所述低电阻层的所述外周边相比位于外侧。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的布线电极,其中,所述最表层的所述外周边和所述阻挡层的所述外周边与所述粘接层的所述外周边相比位于内侧。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的布线电极,其中,所述低电阻层由Al或者以Al为主体的合金构成。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的布线电极,其中,所述最表层由Au或者以Au为主体的合金构成。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的布线电极,其中,所述粘接层由选自Ti、Ni、Cr以及以这些金属为主体的合金中的至少1种的金属构成。
CN202080039487.8A 2019-05-30 2020-05-29 布线电极 Pending CN113906676A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-100853 2019-05-30
JP2019100853 2019-05-30
PCT/JP2020/021307 WO2020241820A1 (ja) 2019-05-30 2020-05-29 配線電極

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113906676A true CN113906676A (zh) 2022-01-07

Family

ID=73553184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080039487.8A Pending CN113906676A (zh) 2019-05-30 2020-05-29 布线电极

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11985903B2 (zh)
JP (1) JP7268730B2 (zh)
KR (1) KR20220002537A (zh)
CN (1) CN113906676A (zh)
WO (1) WO2020241820A1 (zh)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0318031A (ja) 1989-06-14 1991-01-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH07307549A (ja) * 1994-05-11 1995-11-21 Toshiba Corp 薄膜配線パターンの形成方法および薄膜配線基板の製造方法
EP1455302B1 (en) * 1999-02-24 2007-09-19 Hitachi Maxell, Ltd. Method for manufacturing an IC element including a coil
AU2002361093A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module
JP5561057B2 (ja) 2010-09-15 2014-07-30 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
JPWO2012176392A1 (ja) 2011-06-24 2015-02-23 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP6011108B2 (ja) * 2011-09-27 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 半導体素子
WO2016080444A1 (ja) * 2014-11-18 2016-05-26 京セラ株式会社 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置
JP6884062B2 (ja) * 2017-07-25 2021-06-09 京セラ株式会社 配線基板
JP2019060819A (ja) * 2017-09-28 2019-04-18 日本特殊陶業株式会社 電子部品検査装置用配線基板

Also Published As

Publication number Publication date
US11985903B2 (en) 2024-05-14
JP7268730B2 (ja) 2023-05-08
KR20220002537A (ko) 2022-01-06
WO2020241820A1 (ja) 2020-12-03
US20220077377A1 (en) 2022-03-10
JPWO2020241820A1 (zh) 2020-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9748924B2 (en) Elastic wave element with interdigital transducer electrode
US11152914B2 (en) Elastic wave device and method for manufacturing the same
EP2175556B1 (en) Elastic wave device and method for manufacturing the same
WO2007034832A1 (ja) 弾性表面波素子及び弾性表面波装置
JP4128836B2 (ja) 薄膜圧電共振子、それを用いたフィルタ及びデュプレクサ
CN107251427B (zh) 弹性波装置及其制造方法
JP2002261560A (ja) 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
JP4060090B2 (ja) 弾性表面波素子
KR101907453B1 (ko) 탄성파 장치 및 그 제조 방법
JP6963445B2 (ja) 電子部品
JP2018050135A (ja) 弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法
JP3687601B2 (ja) 電子部品素子及びその製造方法並びに電子部品装置
JP5131117B2 (ja) 弾性波装置及びその製造方法
US11239820B2 (en) Acoustic wave device
CN113906676A (zh) 布线电极
JPH11234082A (ja) 表面弾性波装置
JPH06350377A (ja) 弾性表面波素子
JP2013065940A (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法
US20220038073A1 (en) Elastic wave device and method for manufacturing the same
JP6029829B2 (ja) 弾性波デバイス
US20210351758A1 (en) Acoustic wave device
US20160336918A1 (en) Electroacoustic filter and method of manufacturing an electroacoustic filter
US20220271728A1 (en) Piezoelectric element
KR102353680B1 (ko) 전자 부품
JP2003115742A (ja) 弾性表面波変換器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination