KR100635679B1 - 반도체 집적회로의 레이아웃 구조 - Google Patents

반도체 집적회로의 레이아웃 구조 Download PDF

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KR100635679B1
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무쯔오 니시카와
카쯔미치 우에야나기
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후지 덴키 홀딩스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 아날로그 회로나 디지털 회로와 함께 전자파 노이즈 대책용 RC 필터를 집적시킨 반도체 집적회로에 있어서 노이즈 내성 및 서지 내성을 향상시키기 위한 것으로, 그 구성은, 전자파 노이즈 대책용 RC 필터를 아날로그 회로나 디지털 회로와 함께 동일 기판상에 집적시켜 이루어지는 반도체 집적회로로서, RC 필터를 구성하는 커패시터(1)의 양전극(11)을, 아날로그 회로나 디지털 회로를 구성하는 소자나 배선(2)으로부터, 양전극(11)에 중첩된 노이즈로 인해 회로 소자의 오동작이 일어나지 않을 정도, 또는 양전극(11)에 인가된 서지에 의한 RC 필터의 커패시터(1)의 절연 파괴, 회로 소자의 래치업(latch-up)이나 절연 파괴가 일어나지 않을 정도로 떨어뜨려 레이아웃 한다. 구체적으로는, RC 필터의 양전극(11)과, 회로 소자나 배선(2) 사이의 간격을, 레이아웃 룰의 최소 간격 이상, 또는 그것에 안전 마진을 고려하여 레이아웃 룰의 최소 간격의 5배로 한다.

Description

반도체 집적회로의 레이아웃 구조{LAYOUT OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT}
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 반도체 집적회로의 레이아웃 구조의 주요부를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 레이아웃 구조를 이루는 반도체 집적회로의 등가 회로를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시의 형태 2에 따른 반도체 집적회로의 레이아웃 구조의 주요부를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시의 형태 2에 따른 반도체 집적회로에 있어서 1차측 필터 커패시터와 2차측 필터 커패시터의 배치에 관한 일례를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시의 형태 2에 따른 반도체 집적회로에 있어서 1차측 필터 커패시터와 2차측 필터 커패시터의 배치에 관한 다른 예를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 레이아웃 구조를 이루는 반도체 집적회로의 등가 회로를 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시의 형태 2에 따른 반도체 집적회로의 레이아웃 구조의 다른 예의 주요부를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 구성에 커패시터를 추가한 RC 필터 회로의 등가 회로를 도시하는 도면이다.
도 9는 도 2에 도시된 구성에 커패시터를 추가한 RC 필터 회로의 등가 회로를 도시하는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 설명 *
1 : 커패시터 2 : 주변 회로나 다른 배선
4, 51 : 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드 7 : 1차측 필터 커패시터
8 : 2차측 필터 커패시터 11 : 양전극(커패시터의 고전위측 전극)
71 : 1차측 필터 커패시터 전극(1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극)
본 발명은, 반도체 집적회로의 레이아웃 구조에 관한 것으로, 특히 RC 필터 회로와, 아날로그 회로 및 디지털 회로가 혼재하는 반도체 집적회로의 서지 대책 및 노이즈 대책으로서 유효한 레이아웃 구조에 관한 것이다.
근래 들어, 반도체 집적회로에 대한 전자파 노이즈 대책으로서, 외래의 전자파 노이즈를 차단하기 위한 필터 회로를 IC 칩 내에 탑재하는 경우가 있다. 예를 들어, 자동차 등에 사용되는 IC 칩에서는, 저항과 커패시터로 이루어진 RC 필터를 일단(一段)으로 구성하거나, 또는 2차 필터와 같이 다단(多段)으로 구성하여 집적회로의 전원 라인이나 입출력 신호 라인에 접속한 구성으로 되어 있다.
그러나, 상술한 바와 같이 RC 필터가 집적회로의 전원 라인이나 입출력 신호 라인에 접속되어 있기 때문에, 이들 라인에 접속된 패드를 통해서 RC 필터에 서지가 인가되기 쉽다. RC 필터를 구성하는 커패시터의 고전위측 전극에 서지가 인가되면, 그 전극과 그 주변의 회로 소자나 배선 사이에 전계 집중이 일어나고, 그 전계 집중으로 인해 커패시터가 절연 파괴되어 필터 회로가 파괴되어 버리는 수가 있다.
또한, RC 필터를 구성하는 커패시터의 전극은 IC 칩 내에 광범위하게 설치되기 때문에, 커패시터의 전극과 주변의 아날로그 회로나 디지털 회로가 접근한 레이아웃이 된다. 이러한 레이아웃에서는, 커패시터의 전극에 노이즈가 중첩되면, 그 노이즈가 주변의 회로로 유도되기 쉬워, 유도된 노이즈에 의해 회로가 오동작을 일으키는 경우가 있다. 다시 말해, 노이즈에 대한 충분한 내성을 얻지 못할 우려가 있다. 또한, 서지가 인가되었을 경우의 영향도 크고, 주변 회로에서 래치업이나 절연 파괴가 일어나기 쉬워진다는 문제점도 있다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 아날로그 회로나 디지털 회로와 함께 전자파 노이즈 대책용 RC 필터를 집적시킨 반도체 집적회로에 있어서 노이즈 내성 및 서지 내성을 향상시킬 수 있는 레이아웃 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 집적회로의 레이아웃 구조는, 전자파 노이즈 대책용 RC 필터를 아날로그 회로나 디지털 회로와 함께 동일 기판상에 집적시켜 이루어지는 반도체 집적회로로서, RC 필터를 구성하는 커패시터의 고전위측 전극을, 아날로그 회로나 디지털 회로를 구성하는 소자나 배선으로부터, 고전위측 전극에 중첩된 노이즈로 인한 회로 소자의 오동작이 일어나지 않을 정도, 또는 고전위측 전극에 인가된 서지로 인한 RC 필터의 커패시터의 절연 파괴, 회로 소자의 래치업이나 절연 파괴가 일어나지 않을 정도로 떨어뜨려 레이아웃 하는 것을 특징으로 한다. 구체적으로는, RC 필터의 고전위측 전극과, 아날로그 회로 등의 소자나 배선과의 간격을 레이아웃 룰의 최소 간격 이상, 또는 그것에 안전 마진을 고려하여 레이아웃 룰의 최소 간격의 예컨대 5배로 한다.
본 발명에 따르면, RC 필터를 구성하는 커패시터의 고전위측 전극이, 아날로그 회로나 디지털 회로를 구성하는 소자나 배선으로부터, 고전위측 전극에 중첩된 노이즈로 인한 회로 소자의 오동작이 일어나지 않을 정도, 또는 고전위측 전극에 인가된 서지로 인한 RC 필터의 커패시터의 절연 파괴, 회로 소자의 래치업이나 절연 파괴가 일어나지 않을 정도로 떨어져 있다.
또한, 상술한 레이아웃 구조에 있어서, 상기 RC 필터가 2차 이상의 필터를 구성하고 있을 경우에는, 필터를 구성하는 전체 커패시터 중에서 가장 외래 노이즈나 서지를 받기 쉬운 1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극을, 아날로그 회로나 디지털 회로를 구성하는 소자나 배선으로부터, 고전위측 전극에 중첩된 노이즈로 인한 회로 소자의 오동작이 일어나지 않을 정도, 또는 고전위측 전극에 인가된 서지로 인한 RC 필터의 커패시터의 절연 파괴, 회로 소자의 래치업이나 절연 파괴가 일어나지 않을 정도로 떨어뜨린다. 여기서, 1차측 필터 커패시터란, 예를 들어 라인 노이즈가 침입하는 칩 위의 패드와 가장 가까운 필터의 커패시터를 말한다.
본 발명에 따르면, RC 필터가 2차 이상의 필터로 구성되어 있는 경우, 1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극이, 아날로그 회로나 디지털 회로를 구성하는 소자나 배선으로부터, 고전위측 전극에 중첩된 노이즈로 인한 회로 소자의 오동작이 일어나지 않을 정도, 또는 고전위측 전극에 인가된 서지로 인한 RC 필터의 커패시터의 절연 파괴, 회로 소자의 래치업이나 절연 파괴가 일어나지 않을 정도로 떨어져 있다.
또한, RC 필터가 2차 이상의 필터를 구성하고 있을 경우에, 1차측 필터 커패시터를 IC 칩의 외주부에 배치하고, 그 내측에 2차측 필터 커패시터를 배치하며, 더욱이 그 내측에 3차측 필터 커패시터를 배치하는 식으로, 칩의 바깥쪽에서 안쪽을 향해 차수 순서대로 커패시터를 배치하고, 가장 안쪽에 RC 필터 이외의 회로 소자를 배치한다.
본 발명에 따르면, 1차측 필터 커패시터가 IC 칩의 외주부에 배치되고, 그 내측에 2차 이후의 커패시터가 차수 순서대로 배치되며, 가장 안쪽에 RC 필터 이외의 회로 소자가 배치된다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
실시의 형태 1
도 1은, 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 반도체 집적회로의 레이아웃 구조의 주요부를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 1에 있어서, 부호 1은 RC 필터를 구성하는 커패시터로서, 예컨대 폴리실리콘으로 만들어진 양전극(고전위측 전극)(11)과 불순물 확산층으로 만들어진 음전극(12)을 갖는다. 양전극(11)은, 접촉부(13)를 통해서 예를 들어 전원 라인용 또는 신호 라인용의 제 1 금속 배선(14)에 전기적으로 접속되어 있다. 음전극(12)은, 접촉부(15)를 통해 예를 들어 접지 라인용 제 2 금속 배선(16)에 전기적으로 접속되어 있다.
양전극(11)의 면적은, 노이즈 대책상 필요한 커패시터의 용량값에 따라 결정된다. 그렇기 때문에, 예를 들어 자동차용 IC와 같이, 일반적인 가정용 전자기기에 사용되는 IC에 비해 커다란 노이즈의 영향을 받기 쉬운 환경에서 사용되는 IC에서는 커패시터의 용량값이 커진다. 따라서, 이와 같은 용도로는 특히, 제 1 금속 배선(14)은 IC 칩 내에 광범위하게 설치되게 되므로, 제 1 금속 배선(14)은 아날로그 회로나 디지털 회로로 구성된 주변 회로 소자나 다른 배선(2)에 접근하기 쉬워진다. 제 1 금속 배선(14)과 다른 회로 소자나 배선(2)과의 간격(도 1에서 a로 표시함)이 너무 좁으면, 커패시터(1)의 양전극(11)에 노이즈가 중첩되었을 때, 그 노이즈가 이들 회로 소자나 배선(2)으로 유도되기 쉬워져 오동작이 일어나기 쉬워진다.
따라서, 본 실시의 형태에 따른 레이아웃 구조에서, 상기 제 1 금속 배선(14)은 그 근처에 있는 회로 소자나 배선(2)으로부터, 양전극(11)에 중첩된 노이즈로 인한 회로 소자의 오동작이 일어나지 않을 정도로 떨어진 위치에 설치된다. 또한, 제 1 금속 배선(14)은, 그 근처에 있는 회로 소자나 배선(2)으로부터, 양전극(11)에 인가된 서지로 인한 커패시터(1)의 절연 파괴나 회로 소자의 래치업이나 절연 파괴가 일어나지 않을 정도로 떨어진 위치에 설치된다.
구체적으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 제 1 금속 배선(14)과, 그 근처에 있는 회로 소자나 배선(2)과의 간격(a)은, 레이아웃 룰의 최소 간격 이상, 또는 여기에 안전 마진을 고려하여 레이아웃 룰의 최소 간격의 예를 들어 5배 정도가 된다. 다시 말해, 레이아웃 룰이 2㎛ 룰인 경우에는, 그 간격(a)은 가령 10㎛이다. 한편, 이 10㎛라는 값은 일례이고, 실제로는, 사용되는 프로세스에 따라, 예컨대 절연막의 파괴 내량 등을 참고로 하여 간격(a)을 결정하는 것이 바람직하다.
도 2는 도 1에 도시된 레이아웃 구조를 이루는 반도체 집적회로의 등가 회로를 도시하는 도면이다. 한편, 도 2에 있어서, 도 1의 각 부에 대응하는 구성에 대해서는 동일한 부호가 사용된다. 도 2에 있어서, 부호 3은 커패시터(1)와 함께 RC 필터를 구성하는 저항이고, 부호 4는 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드이며, 부호 21은 아날로그 회로나 디지털 회로로 구성된 내부 회로이다. 패드(4)에 접속된 RC 필터에 의해 외래의 전자파 노이즈가 차단(cut)된다.
상술한 실시의 형태 1에 따르면, RC 필터를 구성하는 커패시터(1)의 양전극(11)에 중첩된 노이즈가 주변의 아날로그 회로나 디지털 회로로 유도되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 회로의 오동작이나 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 커패시터(1)의 양전극(11)에 서지가 인가되어도, 그 양전극(11)과 그 근처의 회로 소자나 배선 사이에 발생되는 전계 집중을 완화시킬 수 있으므로, 커패시터(1)의 절연 파괴를 방지할 수 있다.
실시의 형태 2
도 3은 본 발명의 실시의 형태 2에 따른 반도체 집적회로의 레이아웃 구조의 주요부를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 3에 있어서, 부호 5는 2차 필터를 구성하는 RC 필터 회로를 내부 회로(61, 62)와 함께 집적시킨 IC 칩, 부호 7은 RC 필터의 1차측 필터를 구성하는 커패시터(이하, 1차측 필터 커패시터라고 함), 부호 71은 1차측 필터 커패시터(7)의 고전위측 전극인 양전극(이하, 1차측 필터 커패시터 전극이라 함), 부호 8은 RC 필터의 2차측 필터를 구성하는 커패시터(이하, 2차측 필터 커패시터라고 함), 부호 81은 2차측 필터 커패시터(8)의 고전위측 전극인 양전극(이하, 2차측 필터 커패시터 전극이라 함)이다.
1차측 필터 커패시터 전극(71)은, 금속 배선(72)을 통해서 1차측 필터 저항(73)에 전기적으로 접속되어 있다. 이 1차측 필터 저항(73)은 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드(51)에 접속되어 있다. 2차측 필터 커패시터 전극(81)은, 금속 배선(82)을 통해서 2차측 필터 저항(83)에 전기적으로 접속되어 있으며, 이 2차측 필터 저항(83)은 1차측 필터 저항(73)에 접속되어 있다. 도 3에 있어서, 부호 52는 접지 패드이고, 부호 53 및 부호 55는 접지 배선이다.
도 3에 도시하는 RC 필터 회로에 있어서, 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드(51)로부터 침입한 전자파 노이즈의 레벨, 혹은 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드(51)에 인가된 서지 및 과전압의 레벨은 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드(51)에 가까운 1차측 필터 커패시터 전극(71)이 2차측 필터 커패시터 전극(81)보다 높다. 따라서, 본 실시의 형태 2에서는, 1차측 필터 커패시터 전극(71)과 그 주변의 내부 회로(61)와의 간격(b)을, 실시의 형태 1과 마찬가지로, 1차측 필터 커패시터 전극(71)에 중첩된 노이즈로 인한 주변의 회로 소자의 오동작이 일어나지 않을 정도, 또는 1차측 필터 커패시터 전극(71)에 인가된 서지에 의한 1차측 필터 커패시터(7)의 절연 파괴나 주변의 회로 소자의 래치업이나 절연 파괴가 일어나지 않는 정도로 한다. 또한, 1차측 필터 커패시터 전극(71)과 그 주변의 배선(도 3에 도시하는 예에서는, 2차측 필터 커패시터 전극(81)에 접속된 금속 배선(82))과의 간격(c)도 동일하게 한다.
구체적으로는, 특별히 한정되지 않지만, 상기 간격(b) 또는 상기 간격(c)은, 레이아웃 룰의 최소 간격 이상, 예를 들어 레이아웃 룰의 최소 간격의 가령 5배 정도, 즉 레이아웃 룰이 2㎛ 룰일 경우에는 10㎛이다. 실제로는, 사용되는 프로세스에 따라, 예컨대 절연막의 파괴 내량(破壞耐量) 등을 참고로 하여 간격(b) 또는 간격(c)을 결정하는 것이 바람직하다.
여기에서, 도 3에 도시하는 바와 같이, 1차측 필터 커패시터(7)는 IC 칩(5)의 외주부에 배치된다. 그리고, 그 내측에 2차측 필터 커패시터(8)나 내부 회로(61, 62)가 배치된다. 이와 같은 레이아웃에 있어서, 도 4에 도시하는 바와 같이, 1차측 필터 커패시터 전극(71)의 근처에 2차측 필터 커패시터(8)의 접지측 전극 라인(84)을 배치할 경우에는, 이들 1차측 필터 커패시터 전극(71)과 접지측 전극 라인(84)과의 간격(d)을 상기 간격(b)이나 상기 간격(c)과 동일하게 한다. 또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 1차측 필터 커패시터 전극(71)의 근처에 2차측 필터 커패시터 전극(81)을 배치할 경우에는, 이들의 간격(e)을 상기 간격(b)이나 상기 간격(c)과 동일하게 한다. 이들 간격(d나 e)에 대해서도, 실제로 사용되는 프로세스에 따라, 예를 들어 절연막의 파괴 내량 등을 참고로 하여 결정하는 것이 바람직하다.
도 6은 도 3에 도시된 레이아웃 구조를 이루는 반도체 집적회로의 등가 회로를 도시하는 도면이다. 한편, 도 6에 있어서, 도 3의 각 부에 대응하는 구성에 대해서는 동일한 부호가 사용된다. 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드(51)에 접속된 1차측 필터 커패시터(7), 1차측 필터 저항(73), 2차측 필터 커패시터(8) 및 2차측 필터 저항(83)으로 이루어진 RC 필터 회로에 의해 외래의 전자파 노이즈가 차단된다.
상술한 실시의 형태 2에 따르면, 1차측 필터 커패시터 전극(71)에 중첩된 노이즈가 주변의 아날로그 회로나 디지털 회로로 유도되는 것을 억제할 수 있으므로, 회로의 오동작이나 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 1차측 필터 커패시터 전극(71)에 서지가 인가되어도, 1차측 필터 커패시터 전극(71)과 그 근처의 회로 소자나 배선의 사이에 발생되는 전계 집중을 완화시킬 수 있기 때문에, 1차측 필터 커패시터(7)의 절연 파괴 및 2차측 필터 커패시터(8)의 절연 파괴를 방지할 수 있다.
한편, 도 7 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 2차 필터를 구성하는 RC 필터 회로의 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드(51) 근처에, 내부 회로(61)에서 발생한 노이즈를 제거하거나 또는 줄이기 위한 커패시터(9)를 추가하여 구성할 수도 있다. 그렇게 하면, IC 칩(56) 내에서 발생한 노이즈가 외부로 출력되는 것을 방지 또는 억제할 수 있다. 이 경우, 추가된 커패시터(9)의 고전위측 전극(91)에는, 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드(51)에 중첩된 전자파 노이즈나 서지 또는 과전압이 직접 가해지기 때문에, 상기 커패시터(9)의 고전위측 전극(91)과 주변의 회로 소자나 배선과의 간격에 대해서는 상기 간격(b∼e)과 동일하게 한다.
또한, 칩 위의 레이아웃에서는, 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드(51)에 가장 가까운 커패시터, 즉 추가된 커패시터(9)의 고전위측 전극(91)을 IC 칩(56)의 가장 바깥쪽의 외주에 배치하고, 그 안쪽에 다른 필터 커패시터 전극(71, 81)을 차수의 순서대로 배치한다. 그 때, 커패시터 전극의 배치나 커패시터 전극 사이의 간격에 대해서는, 도 4 및 도 5와 관련하여 설명한 배치나 간격을 고려하는 것이 바람직하다. 도 9에 도시한 바와 같이, 커패시터(1) 및 저항(3)으로 이루어진 1차 필터만으로 구성된 RC 필터 회로에 있어서, 전원 패드 또는 신호의 입출력 패드(4)의 근처에 커패시터(9)를 추가하는 경우도 마찬가지이다.
이상에 있어서 본 발명은, RC 필터 회로를 3차 이상의 필터로 구성하는 경우에도 적용할 수 있다.
본 발명에 따르면, RC 필터를 구성하는 커패시터의 고전위측 전극이, 아날로그 회로나 디지털 회로를 구성하는 소자나 배선으로부터, 고전위측 전극에 중첩된 노이즈로 인한 회로 소자의 오동작이 일어나지 않을 정도, 또는 고전위측 전극에 인가된 서지에 의한 RC 필터의 커패시터의 절연 파괴, 회로 소자의 래치업이나 절연 파괴가 일어나지 않을 정도로 떨어져 있기 때문에, 커패시터의 고전위측 전극에 중첩된 노이즈가 아날로그 회로나 디지털 회로로 유도되는 것을 억제할 수 있으므로, 회로의 오동작이나 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 커패시터의 고전위측 전극에 서지가 인가되어도, 그 고전위측 전극과 그 근처의 회로 소자나 배선 사이에 발생되는 전계 집중을 완화시킬 수 있으므로, 커패시터의 절연 파괴를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, RC 필터가 2차 이상의 필터로 구성되어 있는 경우, 1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극이 아날로그 회로나 디지털 회로를 구성하는 소자나 배선으로부터, 고전위측 전극에 중첩된 노이즈로 인한 회로 소자의 오동작이 일어나지 않을 정도, 또는 고전위측 전극에 인가된 서지에 의한 RC 필터의 커패시터의 절연 파괴, 회로 소자의 래치업이나 절연 파괴가 일어나지 않을 정도로 떨어져 있기 때문에, 1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극에 중첩된 노이즈가 아날로그 회로나 디지털 회로로 유도되는 것을 억제할 수 있으므로, 회로의 오동작이나 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극에 서지가 인가되어도, 그 고전위측 전극과 그 근처의 회로 소자나 배선 사이에 발생되는 전계 집중을 완화시킬 수 있으므로, 1차측 필터 커패시터의 절연 파괴를 방지할 수 있다. 따라서, 2차 이후의 커패시터의 절연 파괴도 당연히 방지할 수 있다.
더욱이, 본 발명에 따르면, 1차측 필터 커패시터가 IC 칩의 외주부에 배치되고, 그 안쪽에 2차 이후의 커패시터가 차수 순서대로 배치되며, 가장 안쪽에 RC 필터 이외의 회로 소자가 배치되기 때문에, 1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극에 중첩된 노이즈가 아날로그 회로나 디지털 회로로 유도되는 것을 매우 효과적으로 억제할 수 있으므로, 회로의 오동작이나 파괴를 확실히 방지할 수 있다. 또한, 1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극에 서지가 인가되어도, 그 고전위측 전극과 그 근처의 회로 소자나 배선 사이에 발생되는 전계 집중을 한층 더 완화시킬 수 있으므로, 1차측 필터 커패시터의 절연 파괴 및 2차 이후의 커패시터의 절연 파괴를 확실히 방지할 수 있다.

Claims (9)

  1. 전원 라인, 입출력 패드 또는 입출력 신호 라인에 접속되는 RC 필터가 집적된 반도체 집적회로의 레이아웃 구조로서,
    상기 RC 필터를 구성하는 커패시터의 고전위측 전극과, 상기 RC 필터에 가장 가까이 배치된 회로 소자 또는 배선이, 상기 고전위측 전극에 중첩된 노이즈로 인한 상기 회로 소자의 오동작이 일어나지 않는 간격으로 떨어져 있으며,
    상기 RC 필터를 구성하는 커패시터의 고전위측 전극과, 상기 RC 필터의 가장 가까이 배치된 회로 소자 또는 배선과의 간격은, 레이아웃 룰의 최소 간격 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 레이아웃 구조.
  2. 전원 라인, 입출력 패드 또는 입출력 신호 라인에 접속되는 RC 필터가 집적된 반도체 집적회로의 레이아웃 구조로서,
    상기 RC 필터를 구성하는 커패시터의 고전위측 전극과, 상기 RC 필터에 가장 가까이 배치된 회로 소자 또는 배선이, 상기 고전위측 전극에 인가된 서지에 의한 상기 커패시터의 절연 파괴, 또는 상기 회로 소자의 래치업 또는 절연 파괴가 일어나지 않는 간격으로 떨어져 있으며,
    상기 RC 필터를 구성하는 커패시터의 고전위측 전극과, 상기 RC 필터의 가장 가까이 배치된 회로 소자 또는 배선과의 간격은, 레이아웃 룰의 최소 간격 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 레이아웃 구조.
  3. 삭제
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 RC 필터를 구성하는 커패시터의 고전위측 전극과, 상기 RC 필터의 가장 가까이에 배치된 회로 소자 또는 배선 사이의 간격은, 레이아웃 룰의 최소 간격의 5배인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 레이아웃 구조.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 RC 필터는, 복수개의 저항 및 복수개의 커패시터의 조합에 의해 2차 이상의 필터를 구성하고 있으며, 상기 필터를 구성하는 전체 커패시터 중에서 외래(外來) 노이즈나 서지를 가장 받기 쉬운 1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극과, 상기 RC 필터에 가장 가까이 배치된 회로 소자 또는 배선이, 상기 고전위측 전극에 중첩된 노이즈로 인한 상기 회로 소자의 오동작이 일어나지 않는 간격으로 떨어져 있으며,
    상기 1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극과, 상기 RC 필터에 가장 가까이 배치된 회로 소자 또는 배선과의 간격은, 레이아웃 룰의 최소 간격 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 레이아웃 구조.
  6. 삭제
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 1차측 필터 커패시터의 고전위측 전극과, 상기 RC 필터에 가장 가까이 배치된 회로 소자 또는 배선 사이의 간격은, 레이아웃 룰의 최소 간격의 5배인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 레이아웃 구조.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 RC 필터를 구성하는 복수의 커패시터는, 외래 노이즈를 받기 쉬운 순서대로 IC 칩의 외주부로부터 내측을 향해 배치되어 있고, 상기 RC 필터를 구성하는 전체 커패시터의 내측에 RC 필터 이외의 회로 소자가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 레이아웃 구조.
  9. 회로 소자, 상기 회로 소자에 접속된 회로 배선, 및 고전위측 전극을 가진 커패시터를 구비한 RC 필터를 포함하는 반도체 집적회로의 레이아웃 구조로서,
    상기 커패시터의 고전위측 전극과 상기 회로 소자 또는 상기 회로 배선간의 최소 간격이, 상기 회로 소자 또는 상기 회로 배선의 최소 인접 간격, 또는 상기 회로 소자와 상기 회로 배선간의 최소 인접 간격의 약 5배가 되도록, 상기 커패시터의 고전위측 전극이 상기 회로 소자 및 상기 회로 배선과 떨어져 배치되는 반도체 집적회로의 레이아웃 구조.
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