KR100620664B1 - 진공성막 장치 및 진공성막 방법 - Google Patents

진공성막 장치 및 진공성막 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100620664B1
KR100620664B1 KR1020047006171A KR20047006171A KR100620664B1 KR 100620664 B1 KR100620664 B1 KR 100620664B1 KR 1020047006171 A KR1020047006171 A KR 1020047006171A KR 20047006171 A KR20047006171 A KR 20047006171A KR 100620664 B1 KR100620664 B1 KR 100620664B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
copper foil
film
roller
evaporation
Prior art date
Application number
KR1020047006171A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040063916A (ko
Inventor
우츠기코지
야마모토히로노리
미야치마리코
미우라타마키
모리미츠히로
반나이유타카
야마자키이키코
Original Assignee
닛본 덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 닛본 덴끼 가부시끼가이샤
Publication of KR20040063916A publication Critical patent/KR20040063916A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100620664B1 publication Critical patent/KR100620664B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • H01M4/0402—Methods of deposition of the material
    • H01M4/0404—Methods of deposition of the material by coating on electrode collectors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • H01M4/0402—Methods of deposition of the material
    • H01M4/0409—Methods of deposition of the material by a doctor blade method, slip-casting or roller coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • H01M4/0402—Methods of deposition of the material
    • H01M4/0421—Methods of deposition of the material involving vapour deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

진공 제막 장치는 증발원(6a, 6b)으로부터의 증발물질을 플렉시블 기판(1)의 소망하는 위치에 성막할 때 사용된다. 플렉시블 기판(1)을 진공중에서 롤러(2a, 2b, 3a, 3c)를 사용하여 주행시키면서 셔터(8a, 8b)를 개폐시킴으로써 차폐부재(9a, 9b)의 개구부를 경유하는 증발물질의 이동을 제어한다. 소정 형상의 패턴을 갖는 박막을 제어성 높게 플렉시블 기판(1)상에 형성한다.
진공성막 장치, 플렉시블 기판, 롤러, 위치 검출기

Description

진공성막 장치 및 진공성막 방법{DEVICE AND METHOD FOR VACUUM FILM FORMATION}
본 발명은, 진공중에서 기판을 주행시키면서 상기 기판에 박막을 패터닝형성하기 위한 진공성막 장치 및 진공성막 방법에 관한 것이다.
휴대 전화나 노트북 퍼스널 컴퓨터 등의 모바일 단말의 보급에 의해, 그 전력원이 되는 2차 전지의 역할이 중요시되고 있다. 그리고, 대용량 고속 통신, 컬러 동화의 고속 통신 등의 요구에 수반하여 2차 전지에는, 보다 소형, 경량이며 고용량인 것이 요구되고 있다.
2차 전지의 고용량화를 실현하기 위해서는, 전극 특히 음극 활물질의 개발이 중요하다. 고 에너지 밀도의 실현을 목적으로 하며, 구리박 등의 도전성 기판상에 진공성막법에 의해 금속 리튬박을 음극 활물질로서 형성하고, 그 위에 보호막을 형성한 리튬 이온 2차 전지나, 탄소를 주성분으로 하는 층 위에 실리콘 등 이론 용량이 큰 활물질을 진공성막에 의해 형성한 복합 음극을 갖는 고용량의 2차 전지가 시작(試作)되어 있다. 이와 같은 고용량의 2차 전지의 전극을 얻기 위해, 고용량화가 가능한 활물질층을, 진공성막 기술을 이용하여 형성하는 방법이 시도되어 있다.
진공성막 기술을 이용하여 대량의 2차 전지용 전극을 형성하기 위해서는, 구 리박 등의 도전성 기판(지지체)을 연속 공급하여 연속 진공성막하는 기술이 이용된다. 또한, 도전성 기판과 탭과의 컨택트를 확보하기 위해서는, 도전성 기체의 탭이 형성되는 부분은 비증착부인 것이 바람직하고, 연속의 패터닝 성막 기술이 이용된다.
금속 대조(帶條)에 연속하여 박막 패턴을 형성하기 위해, 개구부가 긴변 방향으로 일정한 간격을 두고 형성된 대조 마스크와 금속 대조를 밀착시켜 주행시키는 기술이 알려져 있다(일본특개 소59-6372호 공보, 일본특개 소59-84516호 공보, 일본특개 2000-183500호 공보). 이 기술에서는 마스크의 개구부를 통하여 목적의 피착물을 금속 대조로 형성하고, 이 금속 대조와 상기 마스크를 각각 별개로 권취한다.
일본특개 소59-6372호 공보에 나타나는 방법에서는 중력이나 스프로킷에 의한 장력의 영향을 받아 마스크나 금속 대조가 느슨함이나 휘여짐이 생길 가능성이 크고 금속 대조의 목적 위치에 증발물질을 피착시키기 어렵다. 이것을 피하기 위해 스프로킷에 의한 인장을 강하게 하면, 마스크의 개구부가 변형하거나 성막중에 금속 대조가 끊어질 가능성이 높다. 특히, 피드 및 권취 이외의 금속 대조에 성막되는 과정(동 공보의 제 6페이지, 도 6 참조)에서는 금속 대조와 마스크를 적당히 누르는 기구(예를 들면 가이드 롤이나 캔 롤)가 없기 때문에 특히 상기의 영향을 받기가 쉽다.
일본특개 2000-183500호 공보에 나타나는 방법에서는 가이드 롤(증착 롤)에 따르도록 마스크와 기판을 주행시켜 패터닝 성막을 하고 있으나 성막을 반복하는 과정에서 마스크 위에 증발 물질이 퇴적하고, 이 퇴적한 증착 물질이 주행중에 벗겨져 오탁이나 오염의 원인이 되는 경우가 있다. 또한, 마스크가 주행중에 위치 어긋남이 생기기 쉽고, 휘여지기 쉬운 등 일본특개 소59-6372호 공보에 나타낸 기술과 같은 문제가 있다.
또한, 이들의 마스크를 통하여 패터닝하는 경우, 또한, 성막 후 마스크와 금속 대조가 떨어지는 단계에 있어서 박막의 일부가 박리한다는 문제가 있다. 이들의 어느 경우도 마스크를 권취하기 위한 기구를 진공조 내에 마련할 필요가 있기 때문에 장치 용적이 커지며, 장치의 구조가 복잡하게 되는 등의 문제가 있다. 또한, 대량으로 생산할 때에는 상기한 바와 같이 마스크 위에는 증발 물질이 퇴적하기 때문에, 마스크를 교환하거나 또는 마스크를 세정하여 재이용할 필요가 있어 작업성이 저하되는 문제가 있다.
이상과 같이, 종래의 진공성막 장치 및 성막 방법을 이용하여 구리박 등의 도전성 기판에 2차 전지용의 전극 활물질을 연속하여 패턴 형성하고, 2차 전지용의 전극을 대량으로 제조하기는 매우 곤란하다.
상술한 사정을 감안하여, 본 발명은 소망하는 패턴 형상을 갖는 박막을 제어성 좋게 안정적으로 형성하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 제 1 시점에 있어서, 기판상에 소망하는 패턴 형상을 갖는 박막을 형성하는 진공성막 장치로서 기판을 주행시키는 주행 수단과, 박막을 구성하는 증발 물질을 포함하는 증발원과, 상기 증발원으로부터 상기 기판에의 상기 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단하는 차단 수단을 구비하고, 상기 차단 수단은 상기 증 발원과 상기 기판과의 사이에 개재하고, 상기 기판과 이간하여 마련된 것을 특징으로 하는 진공성막 장치를 제공한다.
제 1 시점의 진공 제막 장치에서는 차단 수단이 증발원으로부터 기판에의 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단한다. 이 결과, 소망하는 패턴 형상을 갖는 박막이 제어성 좋게 안정적으로 형성된다. 제 1 시점의 진공 제막 장치에서는 종래 기술에서 이용된 마스크 대신에 기판과 이간하여 마련된 차단 수단을 이용한다. 이로써, 종래 기술에서 생긴 막의 위치 어긋남, 마스크에 부착한 증착 물질이 주행중에 벗겨짐에 의해 생기는 오염을 방지할 수 있다. 또한, 마스크의 교환이나 세정의 필요가 없어진다. 또한, 마스크를 권취하기 위한 기구를 마련할 필요가 없기 때문에, 장치의 구조를 간편한 것으로 할 수 있다.
또한, 차단 수단이 기판과 이간하여 마련되어 있음에 의해, 종래 기술에서 문제였던 박막의 박리를 유효하게 방지할 수 있다.
또한, 종래 기술에서는 마스크를 밀착시키기 위해 기판에 대해 큰 장력을 주는 것이 필요하였지만, 본 발명에서는 차단 수단이 기판과 이간하여 마련되어 있기 때문에 그러할 필요가 없다. 이 결과, 성막중 기판의 절단 등의 문제를 해소할 수 있다.
본 발명의 제 1 시점의 진공 제막 장치에 있어서, 증발원과 기판과의 사이에 증발 물질을 기판에 인도하는 증발 물질 공급부를 마련하여도 좋다. 이 경우, 차단 수단은 증발 물질 공급부의 일부에 배설되고, 증발원으로부터 기판에의 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단하는 구성으로 한다. 이와 같이 하면, 차단 수단이 기판 에서 확실하게 이간하여 배설되게 되어, 박막 일부의 박리나 성막중 기판의 절단을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
증발 물질 공급부는, 기판측에 소정 형상의 개구부를 가지며, 이 개구부의 형상에 따라 기판에의 증발 물질의 공급량 및 공급 범위가 규제되는 구성으로 할 수 있다. 개구부의 형상은 예를 들면 슬릿 형상으로 하는 것이 바람직하다. 기판에의 증발 물질의 공급을 보다 정밀하게 제어할 수 있고, 소망하는 패턴의 박막을 제어성 좋게 형성할 수 있기 때문이다.
제 1 시점의 진공성막 장치에 있어서, 차단 수단을 복수 구비한 구성으로 할 수 있다. 이와 같이 하면, 동종 또는 이종의 재료로 이루어지는 적층 구조를 높은 생산성으로 제조할 수 있다. 또한, 상기 진공성막 장치에 있어, 다른 증발 물질을 포함하는 복수 종류의 증발원을 구비한 구성으로 할 수 있다. 이와 같이 하면, 연속 공정에 의해 기판상에 복수의 재료를 증착시킬 수 있고, 다층 구조의 박막을 높은 생산성으로 제조할 수 있다.
본 발명은, 제 2 시점에 있어서 기판을 피드하기 위한 피드 롤러와, 상기 피드 롤러로부터 송출되는 상기 기판을 권취하기 위한 권취 롤러와, 상기 기판상에 진공성막을 시행하기 위한 증발 물질을 포함하는 증발원과, 상기 증발원과 상기 기판과의 사이에 마련된 슬릿 형상 개구부를 갖는 차폐부재와, 상기 차폐부재와 상기 증발원과의 사이에 마련되고, 상기 증발원으로부터 상기 기판상에의 상기 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단하는 셔터 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 진공성막 장치를 제공한다.
본 발명의 제 2 시점의 진공 제막 장치에서는, 증발원으로부터 발생한 증발 물질이 슬릿 형상 개구부를 경유하여 기판상에 도출되어 성막이 행해진다. 증발 물질의 공급이 슬릿 형상 개구부에 의해 규제되며, 또한, 셔터 기구가 증발원으로부터 기판에의 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단하도록 구성되어 있기 때문에, 소망하는 패턴 형상을 갖는 박막이 제어성 좋게 형성된다. 제 2 시점의 진공 제막 장치에서는, 종래 기술에서 이용되고 있는 마스크 대신에, 셔터 기구를 이용한다. 이 셔터 기구는 기판과 이간하여 마련되어 있기 때문에, 종래 기술에서 생긴 막의 위치 어긋남, 마스크에 부착한 증착 물질이 주행중에 벗겨짐에 의해 생기는 오염을 방지할 수 있다. 또한, 마스크의 교환이나 세정의 필요가 없어진다. 또한, 마스크를 권취하기 위한 기구를 마련할 필요가 없기 때문에, 장치의 구조를 간편한 것으로 할 수 있다. 또한, 박막의 박리나 성막중에 있어서의 기판의 절단 등의 문제를 유효하게 해소할 수 있다.
제 2 시점의 진공 제막 장치에서는, 차폐부재 또는 셔터 기구에 가열 수단을 마련하여도 좋다. 가열 수단으로서는 히터 기구 등을 이용할 수 있다. 이와 같이 함에 의해 차폐부재 또는 셔터 기구에 부착한 증발 물질을 가온하고, 액체로 할 수 있다. 그 결과, 상기 부착한 증발 물질을 회수하고, 재이용하는 것이 가능해진다.
제 2 시점의 진공성막 장치에 있어서, 상기 피드 롤러와 상기 권취 롤러와의 사이에, 목적의 위치에 정확하게 성막하는 것을 가능하게 하기 위한 가이드 롤러를 구비할 수 있다.
제 2 시점의 진공성막 장치에 있어서, 상기 피드 롤러와 상기 권취 롤러와의 사이에 댄서 롤러를 구비할 수 있다. 댄서 롤러를 구비함에 의해 동일 공정으로 최초로 성막한 면 또 한쪽 면의 목적 위치에 정확하게 성막이 가능해지고, 생산 효율이 상승한다.
제 2 시점의 진공성막 장치에 있어서, 상기 피드 롤러와 상기 권취 롤러와의 사이에, 상기 기판 위치를 결정하는 위치 검출기를 구비할 수 있다. 위치 검출기를 구비함에 의해 기판상 성막하여야 할 위치를 정확하게 검출하는 것이 가능하다. 그 결과, 고정밀도로 성막할 수 있다.
제 2 시점의 진공 제막 장치에 있어서, 차폐부재가 복수의 슬릿 형상 개구부를 가지며, 각 슬릿 형상 개구부에 대응하여 셔터 기구를 마련한 구성으로 할 수 있다. 이 구성에서는 슬릿 형상 개구부를 경유하는 증발 물질의 공급이, 각 슬릿 형상 개구부에 대응하여 마련된 셔터 기구에 의해 규제된다. 각 슬릿 형상 개구부로부터 공급된 증발 물질에 의해, 동종 또는 이종의 재료로 이루어지는 적층 구조를 높은 생산성으로 제조할 수 있다.
제 2 시점의 진공 제막 장치에 있어서, 다른 증발 물질을 포함하는 복수 종류의 증발원을 구비한 구성으로 할 수 있다. 이와 같이 하면, 연속 공정에 의해 기판상에 복수의 재료를 증착시킬 수 있고, 다층 구조의 박막을 높은 생산성으로 제조할 수 있다.
본 발명은, 제 3 시점에 있어서, 기판상에 소망하는 패턴 형상을 갖는 박막을 형성하는 진공성막 방법으로서 기판을 한방향으로 주행시키는 스텝과, 기판의 주행중에 증발원으로부터 증발 물질을 발생시켜 기판상으로 인도하는 스텝과, 상기 기판과 증발원과의 사이에 또한 기판과 이간하여 배설된 차단 수단을 기판의 주행중에 간헐적으로 작동시키는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 진공성막 방법을 제공한다.
본 발명의 제 3 시점의 진공 제막 방법에서는, 차단 수단이 증발원으로부터 기판에의 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단한다. 이 결과, 소망하는 패턴 형상을 갖는 박막이 제어성 좋게 안정적으로 형성된다. 본 발명에서는 종래 기술에서 이용되고 있는 마스크 대신에, 기판과 이간하여 마련된 차단 수단을 이용한다. 이로써, 종래 기술에서 생기는 막의 위치 어긋남, 마스크에 부착한 증착 물질이 주행중에 벗겨짐에 의해 생기는 오염, 성막중 기판의 절단 등의 문제를 해소할 수 있다. 또한, 마스크의 교환이나 세정의 필요가 없어진다. 또한, 마스크를 권취하기 위한 기구를 마련할 필요가 없기 때문에 장치의 구조를 간편한 것으로 할 수 있다.
제 3 시점의 진공성막 방법에 있어서, 차단 수단으로서는 예를 들면 셔터 기구를 이용할 수 있다. 또한, 차단 수단을 복수 마련하고, 하나의 차단 수단을 이용하여 성막한 후, 연속적으로 다른 차단 수단을 이용하여 거듭 성막함에 의해, 상기 박막을 형성하도록 할 수도 있다. 이와 같이 하면, 동종 또는 이종의 재료로 이루어지는 적층 구조를 높은 생산성으로 제조할 수 있다.
본 발명은, 제 4의 시점에 있어서, 도전성 기판상에 소망하는 패턴 형상을 갖는 활물질층을 형성하는 진공성막 방법으로서, 도전성 기판을 한방향으로 주행시키는 스텝과, 기판의 주행중에 증발원으로부터 활물질을 발생시켜 기판상으로 인도하는 스텝과, 상기 기판과 증발원과의 사이에 또한 기판과 이간하여 배설된 차단 수단을 기판의 주행중에 간헐적으로 작동시키는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 진공성막 방법을 제공한다.
제 4 시점의 전지용 전극의 제조 방법에서는 차단 수단이 증발원으로부터 기판에의 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단한다. 이 결과, 소망하는 패턴 형상을 갖는 활물질층이 제어성 좋게 안정적으로 형성된다. 본 발명에서는 종래 기술에서 이용된 마스크 대신에 기판과 이간하여 마련된 차단 수단을 이용한다. 이로써, 종래 기술에서 생기는 막의 위치 어긋남, 마스크에 부착한 증착 물질이 주행중에 벗겨짐에 의해 생기는 오염, 성막중 기판의 절단 등의 문제를 해소할 수 있다. 또한, 마스크의 교환이나 세정의 필요가 없어진다. 또한, 마스크를 권취하기 위한 기구를 마련할 필요가 없기 때문에 장치의 구조를 간편한 것으로 할 수 있다.
제 4 시점의 전지용 전극의 제조 방법에 있어서, 차단 수단으로서는 예를 들면 셔터 기구를 이용할 수 있다. 또한, 차단 수단을 복수 마련하고, 하나의 차단 수단을 이용하여 막 형성한 후 연속적으로 다른 차단 수단을 이용하여 거듭 막 형성함에 의해, 상기 활물질층을 형성하도록 할 수도 있다. 이와 같이 하면, 동종 또는 이종의 재료로 이루어지는 적층 구조를 높은 생산성으로 제조할 수 있다.
도 1은 제 1의 실시예에서 이용한 진공성막 장치의 내부 구성의 한 예를 도시한 개략도.
도 2는 본 발명의 박막 패터닝공정의 한 예를 설명하는 개념도.
도 3은 가이드 롤러의 곡면을 통하여 박막의 패터닝공정을 행하기 위한 진공 성막 장치의 내부 구성의 일부를 도시한 개략도.
도 4는 제 1 및 제 2의 실시예 및 제 1 및 제 2의 비교예에 이용한 도포에 의해 그래파이트가 패터닝된 구리박의 개략도.
도 5는 제 1 및 제 2의 실시예에서 얻어진 그래파이트상에 증착에 의해 SiLi가 패터닝된 음극의 개략도.
도 6은 제 1 및 제 2의 비교예에 이용한 구리박의 표면과 대응하는 패턴 마스크의 개략도.
도 7은 제 1 및 제 2의 비교예에 이용한 구리박의 이면과 대응하는 패턴 마스크의 개략도.
도 8은 제 1의 비교예에 이용한 진공성막 장치의 내부 구성의 일부를 도시한 개략도.
도 9는 제 2의 실시예에 이용한 진공성막 장치의 내부 구성의 일부를 도시한 개략도.
도 10은 제 2의 비교예에 이용한 진공성막 장치의 내부 구성의 일부를 도시한 개략도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 의거하여 본 발명을 설명한다.
도 1을 참조하면, 플렉시블 기판에 박막을 패터닝하기 위한 진공성막 장치의 구성이 도시된다. 증발원(6a, 6b)으로부터의 증발물질을 플렉시블 기판(1)의 목적 위치에 진공성막할 때 셔터(8a, 8b)를 개폐시켜 차폐부재(9a, 9b)의 개구부를 경유하는 증발물질의 이동을 차단한다. 이로써, 소정 형상의 패턴을 갖는 박막을 플렉시블 기판(1)상에 형성한다.
플렉시블 기판(1)의 피드로부터 권취까지의 수행을 위해, 플렉시블 기판(1)을 피드하기 위한 피드 롤러(2a), 플렉시블 기판(1)을 고정밀도로 이동시키고, 증발원(6a, 6b)으로부터의 증발물질을 플렉시블 기판(1)의 목적 위치에 성막하기 위해 마련된 2개의 가이드 롤러(3a), 가이드 롤러(3a)로부터 보내져 오는 박막이 패터닝된 플렉시블 기판(1)을 권취하기 위한 권취 롤러(2b)가 배설된다. 또한, 플렉시블 기판(1)의 소정 위치에 정확하게 성막하기 위해, 성막 전의 공정에 있어서 위치 검출기(7a)를 사용하여 플렉시블 기판(1)의 위치를 파악하여 두어야 한다.
도 2를 참조하면, 도 1의 가이드 롤러(3a)를 통하여 셔터(8a, 8b)를 개폐시키고 차폐부재(9a, 9b)를 통과시켜 행해지는 패터닝의 원리를 나타낸 설명도가 도시된다. 도면중 실선(예를 들면 선 a-b)은 플렉시블 기판(1)의 단면으로서 박막을 형성하는 부분을 나타낸다(박막이 형성되는 길이는 전부 같다). 또한, 실선이 도중에 끊어진 부분(예를 들면 b-c 사이)은 박막을 형성하지 않은 부분(스페이스)을 나타내는 것이다(스페이스의 길이는 모두 같다). a-c 사이의 길이를 피치라고 부르기로 한다.
본 실시 형태 예에서는, 한 예로서 2개의 증발원(6a, 6b)(2회의 증착)을 이용하여 목적으로 하는 막두께까지 성막하도록 설계되어 있다. 증발원(6a, 6b)의 상부에 있는 2개의 차폐부재(9a, 9b)의 피치는 플렉시블 기판(1)의 박막을 형성하는 길이(예를 들면 선 a-b)와 동등하다. 차폐부재(9a)의 상부는 개방 상태이고, 증발물질이 통과하는 영역이다. 고정밀도 패터닝을 달성하기 위해서는 차폐부재(9a)와 플렉시블 기판(1) 사이의 거리는 작은 편이 바람직하고, 예를 들면 수㎜ 이하로 하는 것이 효과적이다. 플렉시블 기판(1)이 ①의 상태, a점이 차폐부재 개구부의 좌단에 일치한 상태가 되면, 제 1 셔터(8a)가 개방 상태로 된다. 여기서, 위치 검출기(7a)에 의한 플렉시블 기판상의 a점의 검출과 플렉시블 기판(1)의 주행 속도의 관계를 알면 정확하게 셔터의 개폐가 가능하다.
플렉시블 기판(1)은 제어된 속도로 화살표 방향으로 이동하고 있기 때문에, ②의 상태로 도시한 바와 같이 증발물질이 차폐부재의 개구부를 통하여 기판의 a-b상에 순차적으로 성막된다. ③의 상태, b점이 차폐부재의 우단에 이동하였을 때 제 1 셔터(8a)를 폐쇄한다. 다음에, ④의 상태, c점이 차폐부재 개구부의 좌단으로 이동하였을 때 제 1 셔터(8a)를 개방한다. 이 때, 제 ２ 셔터(8b)도 개방하면, ⑤의 상태로 도시한 바와 같이, a-b 사이에 2회째의 성막이 동시에 c-d 사이에도 1회째의 성막이 실행된다. 또한, ⑥의 상태, b점과 d점이 각각의 차폐부재(9a, 9b)의 개구부의 우단으로 이동하였을 때, a-b상에는 목적의 막두께로 성막이 완료된다. 2개의 셔터(8a, 8b)를 폐쇄하고, c점과 e점이 각각 차폐부재 개구부의 좌단부에 이동하였을 때 2개의 셔터(8a, 8b)를 개방으로 함으로써 c-d상(2회째), e-f상(1회째)에의 성막이 실행된다.
상기 공정을 반복함으로써 플렉시블 기판(1)상에의 고정밀도 마스크레스 패터닝이 달성된다. 히터에 의해 차폐부재(9a, 9b), 챔버 내의 방착판(10), 셔터 등(8a, 8b)을 소망하는 온도로 설정하여 둠으로써 부착물을 녹여 회수 용기(11)에의 회수도 가능하다.
상기 실시 형태 예에서는, 플렉시블 기판(1)에 진공성막할 때, 2개의 가이드 롤러(3a)를 사용하여 플렉시블 기판(1)을 직선상(평면상)으로 당겨 성막을 행하였으나 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면 도 3에 도시한 바와 같이 가이드 롤러(3a)의 곡면을 따르도록 플렉시블 기판(1)을 가이드 롤러(3a)와 함께 이동시키고, 차폐판의 길이가 다른 차폐부재(9a, 9b)를 가이드 롤러(3a) 아래의 소정 위치에 배치함으로써 같은 패터닝을 달성할 수 있다.
상기 실시 형태에서는, 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단한 기구로서, 셔터 기구를 구비한 예를 나타냈지만, 셔터 기구에 한정되는 것이 아니라, 다른 기구라도 본 발명의 실시가 가능하다. 예를 들면, 증발원의 가열을 간헐적으로 정지시키는 기구를 채용함에 의해, 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단이 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 2개의 슬릿 개구부를 마련한 예로 설명하였지만, 하나의 개구부로도 같은 패터닝을 달성할 수 있다.
슬릿 개구부를 2개 이상 마련함에 의해, 목적으로 하는 막두께까지의 성막 시간이 짧아지고, 플렉시블 기판의 주행 속도를 낮추는 것이 가능해지고 플렉시블 기판이 파괴되기 어려워진다, 1개당의 증발원으로부터의 증발 속도를 작게 할 수 있기 때문에 증발원으로부터의 복사열을 줄일 수 있다. 이 결과, 기판이나 기판에 미리 형성된 박막에의 악영향을 억제할 수 있는 등의 효과를 얻을 수 있다.
2종 이상의 박막을 적층하는 경우에는 슬릿 개구부를 2개 이상 마련하고, 또 한, 각각의 슬릿 개구부에 대응하는 증발원으로부터의 증발 물질을 2종 이상으로 한다. 이로써, 박막의 적층이 1공정으로 가능해지고, 생산 효율의 상승 효과를 얻을 수 있다. 또한, 종래의 마스크를 이용하는 방법으로 2종 이상의 박막을 적층하는 경우에는 마스크상에 부착한 증발 물질이 다른 증발 물질의 적층중에 해당 다른 증발 물질의 증발원에 혼입되어 버릴 우려가 있다. 그러나, 본 발명에서는 마스크를 사용하지 않기 때문에 상기의 불합리함이 없다는 이점을 갖는다.
차폐부재의 형상은, 도 1과 같은 돌출하는 형상에 한하지 않고, 평면형상에 개구부를 마련한 형상 등 적절히 선택할 수 있다.
상기 실시 형태에서는, 기판으로서 플렉시블 기판의 예를 나타내고 설명하였지만, 본 발명에 있어서의 기판은 플렉시블 기판에 한하는 것이 아니고, 유리판, 금속판, 플라스틱판 등을 이용하여도 좋다. 또한, 본 발명의 실시 형태에 있어서는 기판 주행 수단으로서, 피드 기구 및 권취 기구를 구비한 예를 나타내어 설명하였지만, 피드 기구 또는 권취 기구는 반드시 필요하게 되는 것이 아니고, 다른 수단, 예를 들면 벨트 컨베이어 등에 의해서도 본 발명의 실시가 가능하다.
이상으로 설명한 진공성막 장치와 박막 제조 방법은, 전지, 2차 전지, 각종 포장 필름, 각종 밀봉용 필름, 코팅 유리, 자기 기록 매체, 유기 EL 디바이스, 무기 박막 EL 디바이스, 박막 콘덴서 등의 제조 장치나 제조 방법의 일부로서 활용할 수 있다.
(제 1의 실시예)
제 1의 실시예에서는, 비수(非水) 전해액 2차 전지용의 음극으로서 패터닝된 그래파이트(graphite)상에 실리콘-리튬 합금(SiLi)으로 이루어지는 박막층을 도 1의 진공성막 장치를 이용하여 음극 집전체(구리박)의 편면씩 패터닝하는 방법을 설명한다. 또한, 이하에 도시한 실시예 및 비교예에서는 실리콘-리튬 합금(SiLi)을 함유하는 증발원(6a 내지 6d)을 이용하였다.
도 4에 도시한 바와 같이 플렉시블 기판인 음극 집전체에는 길이 약 2000m, 두께 10㎛의 구리박(20)을 이용하고, 이 위에 그래파이트로 이루어지는 층(21a)을 퇴적시켰다. 이 그래파이트로 이루어지는 층(21a)은 흑연 분말로 결착재로서 N-메틸-2-피롤리돈에 용해한 폴리 불화 비닐리덴과 도전 부여재를 혼합하여 페이스트 모양으로 한 것을 구리박(20)의 양면에 도포하고, 건조시킨 것이다. 건조 후, 그래파이트가 도포된 구리박(20)을 압축하면서 권취하였다. 그래파이트층(21a)의 두께는 70㎛이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 구리박(20)의 표면측에는 좌단부 7m, 우단부 6.42m의 미도포부가 있다. 그래파이트층(21a)은 좌단부 7m의 위치부터 0.43m 피치(도포부 : 0.41m, 스페이스 : 0.02m)로 형성되어 있고, 4620개 존재한다. 한편, 이면측에는 좌단부 7m, 우단부 6.48m의 미도포부가 있다. 그래파이트 도포부는 좌단부 7m의 위치부터 0.43m 피치(도포부 : 0.35m, 스페이스 : 0.08m)로 형성되어 있고, 4620개 존재한다.
구리박(20)의 표면측을 패터닝하기 위해, 도 1의 차폐부재(9a, 9b)의 피치를 0.43m, 슬릿(개구부)은 구리박의 진행 방향으로 5cm 폭, 진행 방향에 대해 수직 방향으로 0.16m 폭이 되도록 구성하였다.
상기 패터닝된 그래파이트층(21a) 위에, 진공 증착법에 의해 SiLi층(두께 3 ㎛)(21b)을 패터닝 성막한다. 구리박(20)의 초기 설치 상태로서, 도 1에 도시한 진공성막 장치의 피드 롤러(2a)에 앞서 작성한 구리박(20)을 장착하고, 동시에 구리박(20)을 가이드 롤러(3a)에 따라 구리박(20)을 이동시키고, 구리박(20)의 선단을 권취 롤러(2b)에 장치하고, 전부 또는 일부의 롤러를 구동시켜 구리박(20)에 적당한 텐션을 주어, 구리박(20)을 느슨해짐이나 휘여짐이 생기는 일 없이 증발원(6a, 6b)상에 평면형상으로 설치하였다. 차폐부재(9a, 9b)와 구리박(20)의 간극은 0.5㎜로 하였다. 증발원(6a, 6b)과 구리박(20)과의 거리는 25cm로 하였다.
진공 배기 장치(18)를 작동시켜, 진공 챔버 내를 1×10-4Pa의 진공도까지 배기한 후 성막을 행하였다.
모든 롤러를 구동시킴으로서, 임의의 속도로 구리박(20)을 주행시켰다. 구리박(20) 표면측의 그래파이트층(21a)상에의 SiLi층(두께 3㎛)(21b)의 정확한 성막은 구리박(20)의 주행에 수반하여, 구리박(20) 표면상의 그래파이트층(21a)의 단부를 위치 검출기(7a)로 인식하여 주행 스피드를 제어하고, 앞서 설명한 셔터(8a, 8b)를 개폐하는 성막 방법으로 행하였다. 성막 후, 가스 도입 밸브(19)를 이용하여 Ar 가스를 챔버 내로 도입하여 챔버를 열고, 권취 롤러(2b)에 권취된 구리박(20)을 취출하였다.
다음에 상기 취출한 구리박(20)의 이면측에 패터닝을 행한다. 구리박(20)의 이면측을 패터닝하기 위해 차폐부재(9c와 9d)의 피치를 O.43m, 슬릿(개구부)은 구리박의 진행 방향으로 5cm 폭, 진행 방향에 대해 수직 방향으로 0.16m 폭이 되도록 구성하였다.
진공 배기 장치(18)를 작동시켜, 진공 챔버 내를 1×10-4Pa의 진공도까지 배기한 후 성막을 행하였다.
구리박(20) 이면측의 그래파이트층(21a)에의 SiLi층(두께 3㎛)(21b)의 정확한 성막은 구리박(20)의 주행에 수반하여, 구리박(20) 이면상의 그래파이트층(21a)의 단부를 위치 검출기(7b)로 인식하고 주행 스피드를 제어하여 앞서 설명한 셔터(8a, 8b)를 개폐하는 성막 방법으로 SiLi 합금층(두께 3㎛)(21b)을 그래파이트층(21a) 위에 패터닝 성막하고, 권취 롤러(2b)를 사용하여 구리박(20)을 권취하였다. 성막 후, 가스 도입 밸브(19)를 이용하여 Ar 가스를 챔버 내로 도입하고 챔버를 열고, 권취 롤러(2b)에 권취된 구리박(20)을 취출하였다.
상기한 바와 같이 제작한 구리박상의 음극 패턴의 상태를 도 5에 도시한다. 구리박(20)의 표면측에는 설계대로 좌단부 7m, 우단부 6.42m의 미증착부를 확인하였다. SiLi층(두께 3㎛)(21b)은 그래파이트층(21a)상에 정확하게 형성되고, 좌단부 7m의 위치부터 0.43m 피치(도포부 : 0.41m, 스페이스 : 0.02m)이고, 모든 음극의 패터닝(462O개)이 달성된 것을 확인하였다. 한편, 이면측에는 설계대로 좌단부 7m, 우단부 6.48m의 미증착부를 확인하였다. SiLi층(두께 3㎛)(21b)은 그래파이트층(21a)상에 정확하게 형성되어 좌단부 7m의 위치부터 O.43m 피치(도포부 : 0.35m, 스페이스 : 0.08m)로 형성되어 있고, 모든 음극의 패터닝(4620개)이 달성된 것을 확인하였다.
(제 1의 비교예)
제 1의 비교예에서는, 패턴 마스크와 구리박을 거듭 동기시키면서 주행시키고, 패턴 마스크의 개구부를 통과하여 구리박상에 전극의 패터닝을 시도하였다.
그래파이트가 형성된 구리박(20)은, 제 1의 실시예에 이용한 것을 적용하였다. 또한, 패턴 마스크와의 위치 맞춤을 행하기 위해 맞춤 마크(22)(구멍)가 적절히 마련되어 있다. 또한, 패턴 마스크는 두께 약 20미크론, 폭 0.24m, 길이 약 2000m의 구리박으로 개구부(22)를 작성하고, 표면에 니켈 도금한 Ni 도금 구리박(24)을 이용하였다. 도 6의 (a)에 구리박 표면측의 그래파이트층의 패턴 및 도 6의 (b)에 구리박의 표면측에 패터닝하기 위한 패턴 마스크의 개략을 도시한다. 패턴 마스크에도 구리박(20)과의 위치 맞춤용의 맞춤 마크(22)가 마련되어 있다. 도 7의 (a)에 구리박(20)의 이면측의 그래파이트층(21a)의 패턴 및 도 7의 (b)에 구리박(20)의 이면측에 패터닝하기 위한 패턴 마스크의 개략을 도시한다. 패턴 마스크에도 구리박(20)과의 위치 맞춤용의 맞춤 마크(22)가 마련되어 있다.
도 8을 참조하면, 제 1의 비교예에 이용한 진공성막 장치의 내부 구성이 도시된다. 기본적으로는 구리박(20)의 주행 기구와 상기 구리박과 동기시켜 주행시키는 마스크 이동 기구로 이루어진다. 구리박(20)의 피드로부터 권취까지는, 구리박(20)을 피드하기 위한 피드 롤러(2a), 구리박(20)의 캔 롤러(17a)에의 유도를 위해 마련된 가이드 롤러(14a), 구리박(20)과 패턴 마스크(12a 또는 12b)와의 밀착과 동기시키면서 행하는 성막 정밀도를 높이기 위한 캔 롤러(17a), 캔 롤러(17a)로부터 보내지는 구리박(20)을 권취 롤러에 정밀도 좋게 주행시키기 위한 가이드 롤러(14b), 가이드 롤러(14b)로부터 보내져 오는 구리박(20)을 권취하기 위한 권취 롤러(2b)로 구성되어 있다. 패턴 마스크(12a 또는 12b)의 피드로부터 권취까지는 상기 패턴 마스크를 피드하기 위한 피드 롤러(13a), 상기 패턴 마스크(12a 또는 12b)의 캔 롤러(17a)에의 유도를 위해 마련된 가이드 롤러(15a), 가이드 롤러(15a)로부터 보내져 오는 상기 패턴 마스크(12a 또는 12b)를 권취하기 위한 권취 롤러(13b)로 구성되어 있다. 또한, 증발원(6a)과 캔 롤러(17a)의 최하부와의 거리는 25cm로 하였다.
우선, 상기 구리박 표면측의 패터닝된 그래파이트층(21a) 위에, 진공 증착법에 의해 SiLi층(21b)(두께 3㎛)을 패터닝 성막한다. 구리박(20)의 초기 설치 상태로서, 도 8에 도시한 피드 롤러(2a)에 앞서 제작한 구리박(20)의 권심(券心)을, 패턴 마스크 피드 롤러(13a)에 앞서 제작한 패턴 마스크(12a)(표면측용 : 도 6의 (b))를 장착하였다. 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)를 맞춤 마크(22)를 맞추어 밀착시키면서 캔 롤러(17a)에 따라 이동시키고, 각각 가이드 롤러(14b, 15b)를 사용하여, 각각의 권취 롤러(2b, 13b)에 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)의 선단을 장착하였다. 전부 또는 일부의 롤러를 구동시켜 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)에 적당한 텐션을 주고, 구리박(20)과 패턴 마스크를 느슨해짐이나 휘여짐이 생기게 하는 일 없이 증발원(6a)상의 캔 롤러(17a)에 밀착시켰다.
모든 롤러를 구동시킴으로써, 임의의 속도로 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)를 동기시키면서 주행시키고, 셔터 기구를 이용하는 일 없이 증발원으로부터 연속적으로 SiLi를 증발시켰다. 약 12O0m 성막한 곳에서, 패턴 마스크(12a)가 끊어져 버렸다. 성막 후, 가스 도입 밸브(19)를 이용하여 Ar 가스를 챔버 내로 도입하고 챔버를 열고, 권취 롤러(2b)에 권취된 구리박(20)을 취출하였다. 성막된 부분의 구리박(20)상의 패턴을 관찰한 바, 그래파이트상의 일부분에 SiLi층이 없는 부분이 있고, 그래파이트상 이외의 영역에도 SiLi층이 형성된 것을 알 수 있다. 이것은, 주행중에 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)가 어긋남을 일으켰기 때문이다. 또한, 구리박(20)의 박막층 표면의 일부에 상처나 벗겨짐이 관찰되었다. 이것은, 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)를 밀착시켜 주행시키고 있기 때문에, 어긋남을 일으켰을 때 박막을 깎고 있기 때문이다.
다음에, 상기 구리박 이면측의 패터닝된 그래파이트층(21a) 위에, 진공 증착법에 의해 SiLi로 이루어지는 활물질을 패터닝 성막하였다. 구리박(20)의 초기 설치 상태로서, 도 8에 도시한 피드 롤러(2a)에 앞서 제작한 구리박(20)의 권심을, 패턴 마스크 피드 롤러(13a)에 앞서 제작한 패턴 마스크(12b)(이면측용 : 도 7의 (a))를 장착하였다. 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)를 맞춤 마크를 맞추어 밀착시키면서 캔 롤러(17a)에 따라 이동시키고, 각각 가이드 롤러(14b, 15b)를 사용하여, 각각의 권취 롤러(2b, 13b)에 구리박(20)과 패턴 마스크(12b)의 선단을 장착하였다. 전부 또는 일부의 롤러를 구동시켜 구리박(20)과 패턴 마스크(12b)에 적당한 텐션을 주고, 구리박(20)과 패턴 마스크를 느슨해짐이나 휘어짐이 생기는 일 없이 증발원(6a)상의 캔 롤러(17a)에 밀착시켰다.
진공 배기 장치(18)를 작동시키고, 진공 챔버 내를 1×10-4Pa의 진공도까지 배기한 후 성막을 행하였다.
모든 롤러를 구동시킴으로써, 임의의 속도로 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)를 동기시키면서 주행시키고, 셔터 기구를 이용하는 일 없이 증발원으로부터 연속적으로 SiLi를 증발시켰다. 약 500미터 성막한 곳에서, 패턴 마스크가 끊어져 버렸다. 성막 후, 가스 도입 밸브(19)를 이용하여 Ar 가스를 챔버 내로 도입하고 챔버를 열고, 권취 롤러(2b)에 권취된 구리박(20)을 취출하였다. 성막된 부분의 구리박(20)상의 패턴을 관찰한 바, 그래파이트상의 일부분에 SiLi층이 없는 부분이 있고, 그래파이트상 이외의 영역에도 SiLi층이 형성된 것을 알 수 있었다. 이것은, 주행중에 구리박(20)과 패턴 마스크(12b)가 어긋남을 일으켰기 때문이다. 또한, 구리박(20)의 박막층 막면의 일부에 상처나 벗겨짐이 관찰되었다. 이것은, 구리박(20)과 패턴 마스크(12b)를 밀착시켜 주행시키고 있기 때문에, 어긋남을 일으켰을 때 박막을 깎고 있기 때문이다.
이상과 같이, 종래의 패턴 마스크와 구리박을 동기(주행)시켜 행하는 성막 방법에서는 2차 전지용 전극의 패터닝은 달성할 수 없었다.
종래의 패턴 마스크와 구리박을 동기(주행)시켜 행하는 성막 방법에서는, 기판용의 주행 수단에 더하여, 패턴 마스크용의 주행 수단도 진공성막 장치에 구비할 필요가 있고, 장치의 구성이 번잡하였다. 한편, 제 1의 실시예에 관한 진공성막 장치에서는 패턴 마스크를 이용하지 않기 때문에 패턴 마스크용의 주행 수단을 구비할 필요가 없고, 장치의 구성을 보다 단순화시키는 것이 가능하다.
또한, 종래의 패턴 마스크와 구리박을 동기(주행)시켜 행하는 성막 방법에서 는, 기판 및 패턴 마스크 쌍방의 주행 제어가 필요하다. 또한, 주행하고 있는 기판에 대한 패턴 마스크의 위치를 확인할 필요도 있다. 그 때문에, 소망하는 위치에 정확하게 성막하는 것은 곤란하다. 한편, 제 1의 실시예에 관한 진공성막 장치에서는 차폐부재는 고정되어 있고, 주행하는 구성 요소는 기판뿐이다. 또한, 기판상 성막하여야 할 위치는 위치 검출기에 의해 정확하게 인식되고, 그 정보에 의거하여 셔터 기구는 제어된다. 그 결과, 기판에 정밀도 좋게 성막할 수 있다.
(제 2의 실시예)
본 제 2의 실시예에서는, 비수 전해액 2차 전지용의 음극으로서 패터닝된 그래파이트상에 실리콘-리튬 합금(SiLi)으로 이루어지는 박막층을 진공 일관으로 양면에 패터닝하기 위한 진공성막 장치와 그것을 사용한 패터닝방법을 설명한다.
그래파이트가 붙은 구리박은, 제 1의 실시예와 마찬가지의 것을 이용하였다. 도 9는, 도 4의 구리박(20) 양면의 소정 위치(그래파이트층(21a))에 SiLi층(21b)을 형성하기 위한 진공 증착 장치의 내부 구성을 도시한 개략도이다. 구리박(20)의 피드로부터 권취까지는 구리박(20)을 피드하기 위한 피드 롤러(2a), 구리박(20)을 고정밀도로 이동시키고, 증발원(6a, 6b)으로부터의 증발물질을 구리박(20) 표면측의 구리박(20)상에 정확하게 성막하기 위해 마련된 2개의 가이드 롤러(3a), 가이드 롤러(3a)로부터 보내져 온 구리박(20)을 고정밀도로 이동시키고, 구리박(20)의 이면측을 증발원(6c, 6d)을 향하게 하기 위해 마련한 2개의 가이드 롤러(4a), 가이드 롤러(4a)로부터 보내지는 구리박(20)의 스피드를 바꾸는 것이 가능하고, 이면측의 목적 위치에 성막하기 위해 마련된 댄서 롤러(5), 댄서 롤러(5)에의 구리박(20)의 이송을 담당하는 가이드 롤러(4b), 댄서 롤러(5)로부터 보내져 오는 구리박(20)을 가이드 롤러(3b)에 정확하게 보내는 것을 목적으로 하는 가이드 롤러(4c), 댄서 롤러(5)로부터 보내지는 구리박(20)의 이면측 목적의 위치에 성막하기 위해 마련된 2개의 가이드 롤러(3b), 가이드 롤러(3b)로부터 보내져 오는 양면에 실리콘 박막이 패터닝된 구리박(20)을 권취하기 위한 권취 롤러(2b)로 구성되어 있다.
또한, 구리박(20)상의 그래파이트층(21a)의 위치를 정확하게 파악하고, 그래파이트상에 정확하게 성막하기 위해, 구리박면과 그래파이트 도포면의 광 반사률을 이용한 위치 검출기(7a, 7b)를 성막 전의 공정에 설치하였다. 구리박(20)의 표면측을 패터닝하기 위한 차폐부재(9a와 9b)의 피치는 0.43m, 슬릿 폭(개구부)은 각각 진행 방향으로 5cm 폭, 진행 방향에 대해 수직 방향으로 0.16m 폭이 되도록 구성하였다. 한편, 구리박(20)의 이면측을 패터닝하기 위한 차폐부재(9c와 9d)의 피치는 0.43m, 슬릿 폭(개구부)은 각각 5cm 폭, 진행 방향에 대해 수직 방향으로 0.16m 폭이 되도록 설치하였다.
상기 패터닝된 그래파이트층(21a) 위에, 진공 증착법에 의해 SiLi층(두께 3㎛)(21b)을 패터닝 성막한다. 구리박(20)의 초기 설치 상태로서, 도 9에 도시한 진공성막 장치의 피드 롤러(2a)에 앞서 작성한 구리박(20)의 권심을 장착하고, 동시에 구리박(20)을 가이드 롤러(3a)→ 가이드 롤러(4a)→ 가이드 롤러(4b)→ 댄서 롤러(5)→ 가이드 롤러(4c)→ 가이드 롤러(3b)에 따라 구리박(20)을 이동시키고, 구리박(20)의 선단을 권취 롤러(2b)에 장착하고, 전부 또는 일부의 롤러를 구동시켜 구리박(20)에 적당한 텐션을 주고, 구리박(20)을 느슨해짐이나 휘어짐이 생기는 일 없이 증발원상에 평면형상으로 설치하였다. 차폐부재(9a, 9b, 9c, 9d)와 구리박(20)의 간극은 0.5㎜로 하였다. 또한, 증발원(6a, 6b, 6c, 6d)과 구리박(20) 사이의 거리는 25cm로 하였다.
진공 배기 장치(18)를 작동시키고, 진공 챔버 내를 1×10-4Pa의 진공도까지 배기한 후 성막을 행하였다.
모든 롤러를 구동시킴으로서, 임의의 속도로 구리박(20)을 주행시켰다. 구리박(20)의 표면측의 그래파이트층(21a)상에의 SiLi층(두께 3㎛)(21b)의 정확한 성막은 구리박(20)의 주행에 수반하여, 구리박(20)의 표면상 그래파이트층(21a)의 단부를 위치 검출기(7a)로 인식하여 주행 스피드를 제어하고, 앞서 설명한 셔터(8a, 8b)를 개폐하는 성막 방법으로 행하였다. 구리박(20)의 이면측의 그래파이트층(21a)에의 SiLi층(21b)의 정확한 성막은 구리박(20)의 주행에 수반하여, 구리박(20)의 이면상 그래파이트층(21a)의 단부를 위치 검출기(7b)로 인식하여 주행 스피드를 제어하고, 앞서 설명한 셔터(8c, 8d)를 개폐하는 성막 방법으로 SiLi층(21b)을 그래파이트층(21a) 위에 패터닝 성막하고, 권취 롤러(2b)를 사용하여 구리박(20)을 권취하였다. 성막 후, 가스 도입 밸브(19)를 이용하여 Ar 가스를 챔버 내로 도입하고 챔버를 열고, 권취 롤러(2b)에 권취된 구리박(20)을 취출하였다.
상기한 바와 같이 제작한 구리박상 음극 패턴의 상태를 도 6에 도시한다. 구리박의 표면측에는 설계한 바와 같이 좌단부 7m, 우단부 6.42m의 미증착부를 확인 하였다. SiLi층(3㎛)(21b)은 그래파이트층(21a)상에 정확하게 형성되고, 좌단부 7m의 위치부터 0.43m 피치(도포부 : 0.41m, 스페이스 : 0.02m)이고, 4620개의 SiLi층(21b)이 형성된 음극의 존재를 확인하였다. 한편, 이면측에는 설계한 바와 같이 좌단부 7m, 우단부 6.48m의 미증착부를 확인하였다. SiLi층(21b)은 그래파이트층(21a)상에 정확하게 형성되고 좌단부 7m의 위치부터 0.43m 피치(도포부 : 0.35m, 스페이스 : 0.08m)로 형성되어 있고, 4620개의 SiLi층(21b)이 형성된 음극의 존재를 확인하였다.
(제 2의 비교예)
제 2의 비교예에서는, 제 1의 비교예에 나타낸 패턴 마스크와 구리박을 동기시켜 주행하고, 진공 일관으로 구리박의 양면에 음극을 패터닝한 것을 시도하였다.
그래파이트가 형성된 구리박과 패턴 마스크는 제 1의 비교예에 이용한 것을 이용하였다.
도 10을 참조하면, 제 2의 비교예에 이용한 진공 일관으로 구리박의 양면에 음극을 형성하기 위한 진공성막 장치의 내부 구성이 도시된다. 구리박(20)의 피드로부터 권취까지는, 구리박(20)의 피드 롤러(2a), 구리박(20)과 패턴 마스크(12a 또는 12b)와의 밀착을 유지하면서 증발원(6a, 6b)으로부터의 증발물질을 성막하기 위한 캔 롤러(17a), 캔 롤러(17a)로부터 보내지는 구리박(20)을 고정밀도로 이동시키고, 구리박(20)의 이면측을 증발원(6c, 6d)을 향하게 하기 위해 마련한 2개의 가이드 롤러(4a), 가이드 롤러(4a)로부터 보내지는 구리박(20)의 스피드를 바꾸는 것이 가능하고, 이면측의 목적 위치에 성막하기 위해 마련된 댄서 롤러(5), 댄서 롤러(5)에의 구리박(20)의 이송을 담당하는 가이드 롤러(4b), 댄서 롤러(5)로부터 보내져 오는 구리박(20)을 캔 롤러(17b)에 정확하게 보내는 것을 목적으로 하는 가이드 롤러(4c), 댄서 롤러(5)로부터 보내지는 구리박(20)과 패턴 마스크(12b)와의 밀착을 유지하면서 증발원(6c, 6d)으로부터의 증발물질을 구리박(20)의 이면측에 성막하기 위한 캔 롤러(17b), 캔 롤러(17b)로부터 보내져 오는 양면에 SiLi 박막이 패터닝된 구리박(20)을 권취하기 위한 권취 롤러(2b)로 구성되어 있다.
구리박(20)의 표면측에 패터닝하기 위한 패턴 마스크(12a)의 피드로부터 권취까지는, 상기 패턴 마스크를 피드하기 위한 피드 롤러(13a), 상기 패턴 마스크의 캔 롤러(17a)에의 유도를 위해 마련된 가이드 롤러(15a), 가이드 롤러(15a)로부터 보내져 오는 상기 패턴 마스크(12a)를 권취 롤러(13b)로 유도하기 위한 가이드 롤러(15b), 가이드 롤러(15b)로부터 보내져 오는 패턴 마스크를 권취하기 위한 권취 롤러(13b)로 구성되어 있다. 구리박(20)의 이면측에 패터닝하기 위한 패턴 마스크(12b)의 피드로부터 권취까지는 상기 패턴 마스크를 피드하기 위한 피드 롤러(13c), 상기 패턴 마스크의 캔 롤러(17b)에의 유도를 위해 마련된 가이드 롤러(16a), 캔 롤러(17b)로부터 보내져 오는 상기 패턴 마스크를 권취 롤러(13d)로 유도하기 위한 가이드 롤러(16b), 가이드 롤러(16b)로부터 보내져 오는 상기 패턴 마스크를 권취하기 위한 권취 롤러(13d)로 구성되어 있다.
구리박의 양면에 패터닝된 그래파이트층(21a) 위에, 진공 증착법에 의해 SiLi로 이루어지는 활물질을 패터닝 성막하였다. 구리박(20)의 초기 설치 상태로서, 도 10에 도시한 피드 롤러(2a)에 앞서 제작한 구리박(20)의 권심을 장착하고, 동시에 구리박(20)을 캔 롤러(17a)→ 가이드 롤러(4a)→ 가이드 롤러(4b)→ 댄서 롤러(5)→ 캔 롤러(17b)에 따라 구리박(20)을 이동시키고, 구리박(20)의 선단을 권취 롤러(2b)에 부착하였다.
패턴 마스크(12a, 12b)의 초기 상태로서, 패턴 마스크(12a, 12b)를 가이드 롤러(15a, 16a)→ 캔 롤러(17a, 17b)→ 가이드 롤러(15b, 16b)에 따라 이동시키고, 권취 롤러(13b, 13d)에 장착한다. 그리고, 패턴 마스크(12a, 12b)의 맞춤 마크(22)를 구리박(20)의 맞춤 마크(22)에 맞추고 텐션을 가하여 초기 상태가 된다.
진공 배기 장치(18)를 작동시키고, 진공 챔버 내를 1×10-4Pa의 진공도까지 배기한 후 성막을 행하였다.
모든 롤러를 구동함으로써, 임의의 속도로 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)를 동기시키면서 주행시키고, 셔터 기구를 이용하는 일 없이 증발원으로부터 연속적으로 SiLi를 증발시켰다. 구리박(20)의 표면측 성막에서는 약 1200미터 성막한 곳에서, 이면측의 성막에서는 약 1100m 주행시킨 곳에서 패턴 마스크가 끊어져 버렸다. 성막 후, 가스 도입 밸브(19)를 이용하여 Ar 가스를 챔버 내로 도입하고 챔버를 열고, 권취 롤러(2b)에 권취된 구리박(20)을 취출하였다.
성막된 부분의 구리박(20)상의 패턴을 관찰한 바, 그래파이트상의 일부분에 SiLi층이 없는 부분이 있고, 그래파이트상 이외의 영역에도 SiLi층이 형성된 것을 알 수 있다. 이것은, 주행중에 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)가 어긋남을 일으켰기 때문이다. 또한, 구리박(20)의 박막층 막면의 일부에 상처나 벗겨짐이 관찰되었 다. 이것은, 구리박(20)과 패턴 마스크(12a)를 밀착시켜 주행시키고 있기 때문에, 어긋남을 일으켰을 때 박막을 깎고 있기 때문이다. 상기 500m가 성막되고 권취 롤러(2b)에 권취된 구리박(20)을 취출하였다.
이상과 같이, 종래의 패턴 마스크와 구리박을 동기(주행)시켜 행하는 성막 방법에서는 2차 전지용 전극의 패터닝은 달성할 수 없었다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면 증발원으로부터 기판에의 증발 물질의 이동을 셔터 기구 등의 차단 수단이 간헐적으로 차단함에 의해 성막이 행해진다. 이 결과, 소망하는 패턴 형상을 갖는 박막이 제어성 좋게 안정적으로 형성된다. 차단 수단은 기판과 이간하여 마련되기 때문에, 마스크를 이용하는 종래 기술에서 생긴 막의 위치 어긋남, 마스크에 부착한 증착 물질이 주행중에 벗겨짐에 의해 생기는 오염, 성막중에 있어서의 기판 절단 등의 문제를 유효하게 해소할 수 있다.
본 발명은, 전지용 전극, 2차 전지, 각종 포장 필름, 각종 밀봉용 필름, 코팅 유리, 자기 기록 매체, 유기 EL 디바이스, 무기 박막 EL 디바이스, 박막 콘덴서의 제조에 적용할 수 있다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 기판을 피드하기 위한 피드 롤러와,
    상기 피드 롤러로부터 송출되는 상기 기판을 권취하기 위한 권취 롤러와,
    상기 기판상에 진공성막을 시행하기 위한 증발 물질을 포함하는 복수의 증발원과,
    상기 증발원과 상기 기판과의 사이에 마련된, 복수의 슬릿 형상 개구부를 갖는 차폐부재와,
    상기 차폐부재와 상기 증발원과의 사이에 마련되고, 상기 증발원으로부터 상기 기판상에의 상기 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단하는 복수의 분리된 셔터 기구를 구비하고,
    상기 복수의 셔터 기구 각각은 상기 각각의 복수의 슬릿 중 다른 하나를 통해 상기 증발 물질의 이동을 간헐적으로 차단하는 것을 특징으로 하는 진공성막 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 차폐부재 또는 상기 셔터 기구에 가열 수단이 마련된 것을 특징으로 하는 진공성막 장치.
  6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 피드롤러와 상기 권취 롤러와의 사이에 가이드 롤러를 구비한 것을 특징으로 하는 진공성막 장치.
  7. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 피드 롤러와 상기 권취 롤러와의 사이에 댄서 롤러를 구비한 것을 특징으로 하는 진공성막 장치.
  8. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 피드 롤러와 상기 권취 롤러와의 사이에 상기 기판 위치를 결정하는 위치 검출기를 구비한 것을 특징으로 하는 진공성막 장치.
  9. 삭제
  10. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,
    다른 증발 물질을 포함하는 복수 종류의 증발원을 구비한 것을 특징으로 하는 진공성막 장치.
  11. 기판상에 소망하는 패턴 형상을 갖는 박막을 형성하는 진공성막 방법으로서, 기판을 한방향으로 주행시키는 스텝과, 기판의 주행중에 증발원으로부터 증발 물질을 발생시켜 기판상으로 인도하는 스텝과, 상기 기판과 증발원과의 사이에 또한 기판과 이간하여 배설된 복수의 차단 수단을 기판의 주행중에 간헐적으로 작동시키는 스텝에 의해 기판상의 소망하는 위치에 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 진공성막 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 복수의 차단 수단이 셔터 기구와 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 진공성막 방법.
  13. 제 11항 또는 제 12항에 있어서,
    복수의 차단수단 중의 하나의 차단 수단을 활성화시켜 성막한 후, 연속적으로 다른 차단 수단을 활성화시켜 거듭 성막함에 의해, 상기 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 진공성막 방법.
  14. 도전성 기판상에 소망하는 패턴 형상을 갖는 활물질층을 형성하는 전지용 전극의 제조 방법으로서, 도전성 기판을 한방향으로 주행시키는 스텝과, 기판의 주행중에 증발원으로부터 활물질을 발생시켜 기판상으로 인도하는 스텝과, 상기 기판과 증발원과의 사이에 또한 기판과 이간하여 배설된 복수의 차단 수단을 기판의 주행중에 간헐적으로 작동시키는 스텝과,
    상기 복수의 차단 수단 중의 하나를 활성화시켜 성막한 후 연속적으로 다른 차단 수단을 활성화시켜 거듭 성막하는 것을 특징으로 하는 전지용 전극의 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 복수의 차단 수단은 셔터 기구와 분리되어 작동되는 것을 특징으로 하는 전지용 전극의 제조 방법.
  16. 삭제
KR1020047006171A 2001-11-27 2002-11-21 진공성막 장치 및 진공성막 방법 KR100620664B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00361709 2001-11-27
JP2001361709A JP4336869B2 (ja) 2001-11-27 2001-11-27 真空成膜装置、真空成膜方法および電池用電極の製造方法
PCT/JP2002/012210 WO2003046246A1 (en) 2001-11-27 2002-11-21 Device and method for vacuum film formation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040063916A KR20040063916A (ko) 2004-07-14
KR100620664B1 true KR100620664B1 (ko) 2006-09-13

Family

ID=19172320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047006171A KR100620664B1 (ko) 2001-11-27 2002-11-21 진공성막 장치 및 진공성막 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7462244B2 (ko)
JP (1) JP4336869B2 (ko)
KR (1) KR100620664B1 (ko)
CN (1) CN1332060C (ko)
WO (1) WO2003046246A1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100992229B1 (ko) * 2008-08-29 2010-11-05 삼성전기주식회사 롤투롤타입의 박막형성장치
KR100992304B1 (ko) * 2008-08-29 2010-11-05 삼성전기주식회사 롤투롤타입의 박막패턴 형성장치
KR101089968B1 (ko) 2008-12-24 2011-12-05 삼성전기주식회사 박막 패턴 형성장치
KR101347259B1 (ko) * 2012-02-16 2014-01-06 성안기계 (주) 대기압 공정 및 연속 공정이 가능한 유기물 증착장치
KR101370214B1 (ko) * 2007-02-09 2014-03-05 김명희 벨트형 증발장치를 이용한 플렉시블 유기소자와 조명용유기소자 생산용 제작 장치

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7816032B2 (en) * 2003-11-28 2010-10-19 Panasonic Corporation Energy device and method for producing the same
JP4784043B2 (ja) * 2004-01-28 2011-09-28 株式会社Ｉｈｉ 電池電極板及び電池電極板の製造方法
DE102004024461A1 (de) * 2004-05-14 2005-12-01 Konarka Technologies, Inc., Lowell Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit zumindest einer aktiven organischen Schicht
KR100623730B1 (ko) * 2005-03-07 2006-09-14 삼성에스디아이 주식회사 증발원 어셈블리 및 이를 구비한 증착 장치
JP4432871B2 (ja) 2005-10-18 2010-03-17 ソニー株式会社 負極およびその製造方法、並びに電池
JP5076305B2 (ja) * 2005-11-01 2012-11-21 パナソニック株式会社 リチウム二次電池用負極の製造方法およびリチウム二次電池の製造方法
US20070137568A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Schreiber Brian E Reciprocating aperture mask system and method
US7763114B2 (en) * 2005-12-28 2010-07-27 3M Innovative Properties Company Rotatable aperture mask assembly and deposition system
KR100844276B1 (ko) 2006-11-24 2008-07-07 주식회사 디엠에스 롤 증착 장치
US20080171422A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Tokie Jeffrey H Apparatus and methods for fabrication of thin film electronic devices and circuits
WO2008156226A1 (en) * 2007-06-20 2008-12-24 Doosan Mecatec Co., Ltd. Apparatus for depositing organic thin film
GB2453766A (en) * 2007-10-18 2009-04-22 Novalia Ltd Method of fabricating an electronic device
KR101418121B1 (ko) * 2007-12-24 2014-07-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 제조장비
US20110014519A1 (en) * 2008-02-08 2011-01-20 Sadayuki Okazaki Method for forming deposited film
US20110111121A1 (en) * 2008-02-15 2011-05-12 Panasonic Corporation Thin film forming method and film forming apparatus
JP5266839B2 (ja) 2008-03-28 2013-08-21 ソニー株式会社 二次電池用負極、二次電池および電子機器
DE102008017492B4 (de) * 2008-04-04 2013-07-25 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren zum Transport eines bandförmigen Substrats und Vakuumbeschichtungsanlage
JP5467531B2 (ja) 2008-06-26 2014-04-09 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置
JP4562811B2 (ja) * 2008-12-10 2010-10-13 パナソニック株式会社 薄膜の形成方法
DE102009038519B4 (de) * 2009-08-25 2012-05-31 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Stöchiometriegradientenschichten
US20110065282A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 General Electric Company Apparatus and methods to form a patterned coating on an oled substrate
TW201121864A (en) * 2009-12-23 2011-07-01 Metal Ind Res & Dev Ct Continuous feeding device of vacuum process equipment.
KR101757479B1 (ko) * 2011-03-11 2017-07-13 삼성에스디아이 주식회사 전극 활물질 증착 시스템
US8900743B2 (en) * 2011-10-27 2014-12-02 Sakti3, Inc. Barrier for thin film lithium batteries made on flexible substrates and related methods
JP2012222046A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 有機デバイス用電極シート、有機デバイスモジュールおよびその製造方法
JP5740244B2 (ja) 2011-08-12 2015-06-24 日東電工株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置
KR20140098178A (ko) * 2011-11-30 2014-08-07 코닝 인코포레이티드 광학 코팅 및 ｅｔｃ 코팅을 가진 유리 물품 제조 방법
US9957609B2 (en) 2011-11-30 2018-05-01 Corning Incorporated Process for making of glass articles with optical and easy-to-clean coatings
US10077207B2 (en) 2011-11-30 2018-09-18 Corning Incorporated Optical coating method, apparatus and product
US20140166990A1 (en) * 2012-12-17 2014-06-19 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
EP2784176B1 (en) 2013-03-28 2018-10-03 Applied Materials, Inc. Deposition platform for flexible substrates
KR102075527B1 (ko) * 2013-05-16 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP6432990B2 (ja) * 2013-08-06 2018-12-05 Ｎｅｃエナジーデバイス株式会社 間欠塗布電池電極製造方法
DE102013109140B4 (de) * 2013-08-23 2017-04-27 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen von organischen Leuchtdioden und organische Leuchtdiode
DE102014103552B4 (de) * 2014-03-14 2019-05-09 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Prozessieranordnung und Verfahren zum Beschichten eines Bandsubstrats
CN107406969B (zh) * 2015-06-09 2020-06-19 株式会社爱发科 卷取式成膜装置、蒸发源单元和卷取式成膜方法
CN105002465B (zh) * 2015-08-14 2017-12-19 西安工业大学 一种热蒸发镀膜方法及其装置
US11171324B2 (en) 2016-03-15 2021-11-09 Honda Motor Co., Ltd. System and method of producing a composite product
US11383213B2 (en) 2016-03-15 2022-07-12 Honda Motor Co., Ltd. System and method of producing a composite product
DE112017003085T5 (de) * 2016-06-21 2019-03-14 Applied Materials, Inc. Grenzflächenschicht für verbesserte Lithiummetallzyklisierung
US11248292B2 (en) * 2017-03-14 2022-02-15 Eastman Kodak Company Deposition system with moveable-position web guides
KR102420592B1 (ko) * 2017-05-18 2022-07-13 주식회사 엘지에너지솔루션 리튬 이차전지용 음극의 제조방법
US11081684B2 (en) 2017-05-24 2021-08-03 Honda Motor Co., Ltd. Production of carbon nanotube modified battery electrode powders via single step dispersion
US10658651B2 (en) 2017-07-31 2020-05-19 Honda Motor Co., Ltd. Self standing electrodes and methods for making thereof
US20190036102A1 (en) 2017-07-31 2019-01-31 Honda Motor Co., Ltd. Continuous production of binder and collector-less self-standing electrodes for li-ion batteries by using carbon nanotubes as an additive
WO2019036137A1 (en) 2017-08-17 2019-02-21 Applied Materials, Inc. LI-ION BATTERY WITHOUT OLEFIN SEPARATOR
US11121358B2 (en) 2017-09-15 2021-09-14 Honda Motor Co., Ltd. Method for embedding a battery tab attachment in a self-standing electrode without current collector or binder
US11201318B2 (en) 2017-09-15 2021-12-14 Honda Motor Co., Ltd. Method for battery tab attachment to a self-standing electrode
CN111334773A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 财团法人工业技术研究院 蒸镀设备与蒸镀制作工艺
US11535517B2 (en) 2019-01-24 2022-12-27 Honda Motor Co., Ltd. Method of making self-standing electrodes supported by carbon nanostructured filaments
US11352258B2 (en) 2019-03-04 2022-06-07 Honda Motor Co., Ltd. Multifunctional conductive wire and method of making
US11325833B2 (en) 2019-03-04 2022-05-10 Honda Motor Co., Ltd. Composite yarn and method of making a carbon nanotube composite yarn
CN109778135A (zh) * 2019-03-28 2019-05-21 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 一种预嵌入金属锂制备电池负极材料的装置及方法
US11539042B2 (en) 2019-07-19 2022-12-27 Honda Motor Co., Ltd. Flexible packaging with embedded electrode and method of making
GB2586636A (en) * 2019-08-30 2021-03-03 Dyson Technology Ltd Deposition system
KR102114321B1 (ko) * 2020-02-03 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20230018517A (ko) * 2020-06-04 2023-02-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증발 소스를 위한 온도 제어 차폐부, 재료 증착 장치, 및 기판 상에 재료를 증착하기 위한 방법
US11905589B2 (en) * 2020-08-20 2024-02-20 Applied Materials, Inc. Material deposition apparatus having at least one heating assembly and method for pre- and/or post-heating a substrate
CN112126905A (zh) * 2020-09-25 2020-12-25 桂林电子科技大学 一种多源磁控溅射沉积系统
CN112226730A (zh) * 2020-09-30 2021-01-15 广州国显科技有限公司 柔性掩膜版和蒸镀装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971334A (en) * 1975-03-04 1976-07-27 Xerox Corporation Coating device
JPS6053745B2 (ja) * 1981-07-31 1985-11-27 アルバツク成膜株式会社 二元蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法
US4469719A (en) * 1981-12-21 1984-09-04 Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material
JPS5989764A (ja) 1982-11-12 1984-05-24 Hitachi Ltd 薄膜パタ−ン連続成膜装置
JPS59217234A (ja) * 1983-05-25 1984-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法
JPS59217233A (ja) * 1983-05-25 1984-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法
DE3400843A1 (de) * 1983-10-29 1985-07-18 VEGLA Vereinigte Glaswerke GmbH, 5100 Aachen Verfahren zum herstellen von autoglasscheiben mit streifenfoermigen blendschutzfiltern durch bedampfen oder sputtern, und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
JPS60114569A (ja) 1983-11-22 1985-06-21 Hitachi Condenser Co Ltd 真空蒸着装置
JPS60144569A (ja) * 1984-12-11 1985-07-30 松下電器産業株式会社 空気調和機の運転制御装置
JPS61250837A (ja) 1985-04-30 1986-11-07 Sony Corp 蒸着磁気テ−プの製造方法
US4776868A (en) * 1985-09-09 1988-10-11 Corning Glass Works Lenses and lens arrays
JPS62103360A (ja) 1985-10-30 1987-05-13 Fujitsu Ltd 蒸着装置
US5618388A (en) * 1988-02-08 1997-04-08 Optical Coating Laboratory, Inc. Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus
EP0470934B1 (en) * 1990-08-09 1995-11-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing a magnetic recording medium
JP3101330B2 (ja) * 1991-01-23 2000-10-23 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置
DE69219521T2 (de) * 1991-07-15 1997-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magnetisches Aufzeichnungsmedium, Gleitkörper und Methode zu ihrer Herstellung
JPH0578818A (ja) * 1991-09-19 1993-03-30 Hitachi Cable Ltd 部分被膜の形成方法
JPH05243182A (ja) * 1992-03-03 1993-09-21 Fujitsu Ltd スパッタ装置
KR940000259A (ko) * 1992-06-12 1994-01-03 게리 리 그리스월드 테이프 지지체상에서의 다층 필름 제조 시스템 및 방법
EP0580095A1 (en) * 1992-07-24 1994-01-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Production of magnetic recording medium
US5264256A (en) * 1992-09-08 1993-11-23 Xerox Corporation Apparatus and process for glow discharge comprising substrate temperature control by shutter adjustment
US5670224A (en) * 1992-11-13 1997-09-23 Energy Conversion Devices, Inc. Modified silicon oxide barrier coatings produced by microwave CVD deposition on polymeric substrates
US6096389A (en) * 1995-09-14 2000-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming a deposited film using a microwave CVD process
GB9606228D0 (en) * 1996-03-25 1996-05-29 Secr Defence Apparatus for matrix coating fibres with metal vapour
JP3555645B2 (ja) 1997-07-14 2004-08-18 信越化学工業株式会社 アクリロキシ基又はメタクリロキシ基含有クロロシランの製造方法
JPH11199107A (ja) * 1998-01-09 1999-07-27 Ricoh Co Ltd 合成樹脂フィルム基板の製造装置、および合成樹脂フィルム基板の製造方法
JPH11250900A (ja) 1998-02-26 1999-09-17 Sony Corp 非水電解液二次電池用電極の製造方法、製造装置、および電極ならびにこの電極を用いた非水電解液二次電池
TW495809B (en) * 2000-02-28 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film forming device, thin film forming method, and self-light emitting device
US6649208B2 (en) * 2001-04-17 2003-11-18 Wayne E. Rodgers Apparatus and method for thin film deposition onto substrates
JP3937770B2 (ja) * 2001-08-20 2007-06-27 ソニー株式会社 磁気記録媒体の製造方法
US7112351B2 (en) * 2002-02-26 2006-09-26 Sion Power Corporation Methods and apparatus for vacuum thin film deposition

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101370214B1 (ko) * 2007-02-09 2014-03-05 김명희 벨트형 증발장치를 이용한 플렉시블 유기소자와 조명용유기소자 생산용 제작 장치
KR100992229B1 (ko) * 2008-08-29 2010-11-05 삼성전기주식회사 롤투롤타입의 박막형성장치
KR100992304B1 (ko) * 2008-08-29 2010-11-05 삼성전기주식회사 롤투롤타입의 박막패턴 형성장치
US8305554B2 (en) 2008-08-29 2012-11-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Roll-to-roll type apparatus for forming thin film pattern
KR101089968B1 (ko) 2008-12-24 2011-12-05 삼성전기주식회사 박막 패턴 형성장치
KR101347259B1 (ko) * 2012-02-16 2014-01-06 성안기계 (주) 대기압 공정 및 연속 공정이 가능한 유기물 증착장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003046246A1 (en) 2003-06-05
US7462244B2 (en) 2008-12-09
KR20040063916A (ko) 2004-07-14
CN1332060C (zh) 2007-08-15
US20050008778A1 (en) 2005-01-13
JP4336869B2 (ja) 2009-09-30
JP2003162999A (ja) 2003-06-06
CN1578847A (zh) 2005-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100620664B1 (ko) 진공성막 장치 및 진공성막 방법
WO2005041324A2 (en) In-line deposition processes for thin film battery fabrication
WO2009101795A1 (ja) 薄膜形成方法および成膜装置
JP2019044272A (ja) 長尺フィルムの真空成膜方法及び真空成膜装置
US20150333289A1 (en) Method for producing transparent gas barrier film, apparatus for producing transparent gas barrier film, and organic electroluminescence device
JP2016191104A (ja) スパッタリング成膜方法およびそれを用いた金属化樹脂フィルムの製造方法ならびにスパッタリング成膜装置
TW202212627A (zh) 在r2r沉積系統中塗覆彈性基板的方法及氣相沉積系統
US20220399195A1 (en) Sputter deposition
JP2009179856A (ja) 真空蒸着装置
JP2023502641A (ja) スパッタ堆積装置及び方法
US20100050941A1 (en) Roll-to-roll type thin film pattern forming apparatus
JP7113964B2 (ja) 蒸着源、蒸着装置
KR101323812B1 (ko) 연성금속적층판을 이용하는 박막 전지, 그의 제조 장치 및 그의 제조 방법
US20210273266A1 (en) Energy storage device
CN108138302B (zh) 用于制造柔性层堆叠的方法和设备、用于制造锂电池的负极的方法以及用于锂电池的负极
KR20230116885A (ko) 탄산염 패시베이션을 사용한 리튬 금속 표면 개질
JP2018053340A (ja) 被成膜物の成膜方法および成膜装置ならびに該成膜方法を用いた金属化樹脂フィルムの製造方法
US20120107487A1 (en) Roll to roll patterned deposition process and system
TWI810911B (zh) 用於傳輸撓性基板的輥、真空處理設備及其方法
JP6997973B2 (ja) 蒸着マスク
JP2002339055A (ja) 薄膜形成装置
US10720633B2 (en) Multilayer electrochemical device
WO2024022578A1 (en) Processing apparatus for processing a flexible substrate and methods therefor
JP2000124061A (ja) フィルムコンデンサの製造方法及びその製造装置
JPH02239428A (ja) 金属薄膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120802

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130801

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140811

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150730

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160727

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170804

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180816

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190819

Year of fee payment: 14