JPS60114569A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPS60114569A JPS60114569A JP22025183A JP22025183A JPS60114569A JP S60114569 A JPS60114569 A JP S60114569A JP 22025183 A JP22025183 A JP 22025183A JP 22025183 A JP22025183 A JP 22025183A JP S60114569 A JPS60114569 A JP S60114569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- plate
- evaporation
- slit
- source
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着装置に関するものぐある。
高分子ノイルムやＭ１？７の帯状材に金属を真空蒸着す
る場合、一般に帯状材をキャンの周側面に沿−）（走ｔ
１さけ、１−トンの真下に配設された蒸発源から金属を
蒸発さけ′Ｃ蒸着しているか、特に、蒸着ｌ）向を規制
するために、キャンと蒸発源との間にスリットが設りら
れた遮蔽板を配Ｗすることがある。
る場合、一般に帯状材をキャンの周側面に沿−）（走ｔ
１さけ、１−トンの真下に配設された蒸発源から金属を
蒸発さけ′Ｃ蒸着しているか、特に、蒸着ｌ）向を規制
するために、キャンと蒸発源との間にスリットが設りら
れた遮蔽板を配Ｗすることがある。
このような装置は、蒸発した金属の一部が遮蔽板に付着
し、帯状材に蒸着されないために、コスＩ−が高くなる
欠点があり、また、遮蔽板にイ」着した金属が落下する
ことがあり、この場合に蒸発源の位置や大きさにより落
下した金属が蒸発源に入り、蒸発源に収納された金属の
組成が変わる欠点があった。
し、帯状材に蒸着されないために、コスＩ−が高くなる
欠点があり、また、遮蔽板にイ」着した金属が落下する
ことがあり、この場合に蒸発源の位置や大きさにより落
下した金属が蒸発源に入り、蒸発源に収納された金属の
組成が変わる欠点があった。
本発明は、以上の欠点を改良し、蒸着コスｉ〜を低減で
き、信頼性の高い真空蒸着装置の提供を［１的とづるも
のである。
き、信頼性の高い真空蒸着装置の提供を［１的とづるも
のである。
本発明は、上記の目的を達成でるために、蒸発源と被蒸
＠基材との間に、スリットを有づる遮蔽板が設（プられ
、前記蒸発源から蒸発した物Ｖ（を６ｉ＋記スリツトを
通して前記被蒸着基材に蒸着しうる真空蒸着装置におい
て、蒸発源と遮蔽板どの間に、スリン］−を有する可動
な防着板を設りること庖特徴とする真空蒸着装置を提供
するものである。
＠基材との間に、スリットを有づる遮蔽板が設（プられ
、前記蒸発源から蒸発した物Ｖ（を６ｉ＋記スリツトを
通して前記被蒸着基材に蒸着しうる真空蒸着装置におい
て、蒸発源と遮蔽板どの間に、スリン］−を有する可動
な防着板を設りること庖特徴とする真空蒸着装置を提供
するものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づい゛Ｃπ２明４る。
図において、１は円筒状の真空槽である。２は供給［１
−ラぐあり、帯状の被蒸着排材３が巻かれ（いる。４は
、円筒状のキャンであり、その周側面に治って被蒸着排
材３が走行される。５は、巻取１」−ラ（゛あり、蒸着
後の被蒸着排材３を巻取るものである。６は蒸発源であ
り、キャン４の真下に配設されている。７は蒸発源６に
収納され−Ｃいる金属である。８は、遮蔽板であり、蒸
発源６とキャン４との間に配設されており、キトン４の
下方に対応づる位置にスリン［・９が設りられている。
−ラぐあり、帯状の被蒸着排材３が巻かれ（いる。４は
、円筒状のキャンであり、その周側面に治って被蒸着排
材３が走行される。５は、巻取１」−ラ（゛あり、蒸着
後の被蒸着排材３を巻取るものである。６は蒸発源であ
り、キャン４の真下に配設されている。７は蒸発源６に
収納され−Ｃいる金属である。８は、遮蔽板であり、蒸
発源６とキャン４との間に配設されており、キトン４の
下方に対応づる位置にスリン［・９が設りられている。
１０は、Ｉ」動しうる防着板Ｃあり、蒸発源６と遮蔽板
８どの間に配設されＣＪ３す、特に、中央部にスリット
１１か設（〕られている。
８どの間に配設されＣＪ３す、特に、中央部にスリット
１１か設（〕られている。
ｒＪなわｌう、先ず、防着板１０をスリン１〜１１が遮
蔽板Ｅ３のスリット９ど重なる位置に配冒づ−る。
蔽板Ｅ３のスリット９ど重なる位置に配冒づ−る。
そしてこの状態で、蒸発源６を加熱して収納された金［
７を溶融し蒸ブｔ！する。蒸発した金属はスリン１−１
１及び９を通過してキャン４の周側面を走行中の被照Ｗ
基祠３に蒸着される。この際、蒸着した金属の〜部１２
は第２図に示す通り、防着板１０に付着する。
７を溶融し蒸ブｔ！する。蒸発した金属はスリン１−１
１及び９を通過してキャン４の周側面を走行中の被照Ｗ
基祠３に蒸着される。この際、蒸着した金属の〜部１２
は第２図に示す通り、防着板１０に付着する。
蒸着後、防着板１０をキトン４の中心軸方向にあるいは
中心軸と直角方向１３等に移動させる。
中心軸と直角方向１３等に移動させる。
防着板１０に付着した金属は（ｄ省力が弱く、移動時の
振動により、剥離して自重で落下する。従って、この剥
離した金属を蒸発源６に収納づれば、再び蒸発させて被
蒸着基材３に蒸着でさ、コストが低減できる。また、伯
の金属を蒸着中に防？′７仮１０から金属が剥離して蒸
発′ｔＡｅ内に落下して不純物となるような事故が防止
できる。。
振動により、剥離して自重で落下する。従って、この剥
離した金属を蒸発源６に収納づれば、再び蒸発させて被
蒸着基材３に蒸着でさ、コストが低減できる。また、伯
の金属を蒸着中に防？′７仮１０から金属が剥離して蒸
発′ｔＡｅ内に落下して不純物となるような事故が防止
できる。。
また、蒸発金属に他の金属か混入づる事故を防止でき、
信頼性の高い真空蒸着装置が得られる。
信頼性の高い真空蒸着装置が得られる。
第１図は大発明の実施例の正面断面図、第２図は第１図
の実施例の動作中の正面断面図の一部を示１゜ １・・・真空槽、 ３・・・被蒸着排材、 ６・・−蒸
発源、７・・・金属、 ８・・・遮蔽板、 ９．１１・・・スリット、 １０・・・防着板。
の実施例の動作中の正面断面図の一部を示１゜ １・・・真空槽、 ３・・・被蒸着排材、 ６・・−蒸
発源、７・・・金属、 ８・・・遮蔽板、 ９．１１・・・スリット、 １０・・・防着板。
Claims (1)
- （１）蒸発源ど被蒸盾基拐どの間に、スリットを右づる
遮蔽板が設（）られ、前記蒸発源から蒸発しＩ、：物″
１１をｎＩ′ｌ記スリットを通して前記被蒸着基材に蒸
着しうる真空蒸着装置において、蒸発源と遮蔽板との間
に、スリットを有づる司動な防着板を股（）ることを特
徴とする真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22025183A JPS60114569A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22025183A JPS60114569A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60114569A true JPS60114569A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16748255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22025183A Pending JPS60114569A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60114569A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7462244B2 (en) | 2001-11-27 | 2008-12-09 | Nec Corporation | Device and method for vacuum film formation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864382A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空蒸着装置 |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP22025183A patent/JPS60114569A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864382A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空蒸着装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7462244B2 (en) | 2001-11-27 | 2008-12-09 | Nec Corporation | Device and method for vacuum film formation |
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