JPS59217234A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS59217234A JPS59217234A JP9300983A JP9300983A JPS59217234A JP S59217234 A JPS59217234 A JP S59217234A JP 9300983 A JP9300983 A JP 9300983A JP 9300983 A JP9300983 A JP 9300983A JP S59217234 A JPS59217234 A JP S59217234A
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- JP
- Japan
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- substrate
- crystal
- vapor
- magnetic recording
- crystal oscillator
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はオーディオ用テープデツキ、ビデオテープレコ
ーダ、PCM録音機等の磁気記録装置、大型コンピュー
タ、パーソナルコンピュータ等の端末データ処理袋14
等に利用される磁気記録媒体の中でも、特に磁性層が強
磁性薄膜で構成された磁気記録媒体の製造方法に関する
。
ーダ、PCM録音機等の磁気記録装置、大型コンピュー
タ、パーソナルコンピュータ等の端末データ処理袋14
等に利用される磁気記録媒体の中でも、特に磁性層が強
磁性薄膜で構成された磁気記録媒体の製造方法に関する
。
従来例の構成とその問題点
非磁性基板上に磁性層が真空蒸着、ヌパツタリング、イ
オンプレーティング等の薄膜形成手段を駆使して強磁性
薄膜のみでイ7り成され、バインダー、添加剤が含まれ
ない非パインダーツτす磁気記録媒体は、短波長での電
磁変換特性が優れているlζめ、高密度用の磁気記録媒
体であると言われており、最近実用化をめざして種々の
問題に対する研究開発が行われている。
オンプレーティング等の薄膜形成手段を駆使して強磁性
薄膜のみでイ7り成され、バインダー、添加剤が含まれ
ない非パインダーツτす磁気記録媒体は、短波長での電
磁変換特性が優れているlζめ、高密度用の磁気記録媒
体であると言われており、最近実用化をめざして種々の
問題に対する研究開発が行われている。
それらのうちで最も重要な問題として、まず摩耗と走行
安定性の問題がある。磁気記録装置(は、磁気信号の記
録・再生の過程において磁気ヘッドとの高速相対運動の
もとにおかれるため、その際、走行が円滑にかつ安定な
状な−で行われなけれ1ばならない。また磁気ヘッドと
の接触に依る摩耗や破損が起ってはならない。しかしな
がら、強磁性金属層だけでは磁気記録・再生の過程での
苛酷な条件に耐え得るものはなく、そのため従来では表
面tmに瀕々の滑剤層を設けることが行われている。
安定性の問題がある。磁気記録装置(は、磁気信号の記
録・再生の過程において磁気ヘッドとの高速相対運動の
もとにおかれるため、その際、走行が円滑にかつ安定な
状な−で行われなけれ1ばならない。また磁気ヘッドと
の接触に依る摩耗や破損が起ってはならない。しかしな
がら、強磁性金属層だけでは磁気記録・再生の過程での
苛酷な条件に耐え得るものはなく、そのため従来では表
面tmに瀕々の滑剤層を設けることが行われている。
従来、Langmuir −B lodgett法に依
って飽和脂肪酸および金属塩の均一な吸着膜を形成する
方法が特公昭56−80609号に開示されているが、
製造面からみると、長尺でかつ広幅の磁気記録媒体の表
面上に極めて薄くしかも均一な吸着層を工業的規模で形
成することは非常に困難である。一方、有機物滑剤もし
くは高分子物質を真空蒸着法で形成する方法は、例えば
特公昭56−7288号、56−7286号、54−1
54806号、58−21901号等に開示されている
。これら真空蒸着法の大きな特徴の一つは、前記有機物
滑剤もしくは高分子物質材を指定すると、これらが充填
される蒸発源中の温度に依り、基本的には磁気記録媒体
の表面に積Rされる有機物もしくは高分子物質の積層量
が定まる点にある。しかし、蒸発源中における温度制御
が安定性に欠けていたシ、蒸発源内tて不純物が混入も
しくは不純物の占める割合の変化に依って所定の温度に
於ける有機物もしくは高分子物質の蒸気圧が変化するた
め、必ずしも蒸発源中の温度を制御するのみでは磁気記
録媒体の表面に積層される有機物もしくは高分子物質の
積R−rlを制御することができない。この問題を解決
するために、水晶振動子を前記記録媒体の近傍に配設し
て、この水晶振動子の表面に積層される前記有機物もし
くは高分子物質の1貞層に伴なう水晶振動子の有する固
有振動数の変化△f if ’11.気的な信号で読み
取り、水晶振動子上とriil記記禄1記録上に積層さ
れる有機物もしくは高分子物′筐の積層量とが所定の関
係にあるとして磁気記録媒体との前記積)fJ量をモニ
ターすることが効果的でちると提言されている。
って飽和脂肪酸および金属塩の均一な吸着膜を形成する
方法が特公昭56−80609号に開示されているが、
製造面からみると、長尺でかつ広幅の磁気記録媒体の表
面上に極めて薄くしかも均一な吸着層を工業的規模で形
成することは非常に困難である。一方、有機物滑剤もし
くは高分子物質を真空蒸着法で形成する方法は、例えば
特公昭56−7288号、56−7286号、54−1
54806号、58−21901号等に開示されている
。これら真空蒸着法の大きな特徴の一つは、前記有機物
滑剤もしくは高分子物質材を指定すると、これらが充填
される蒸発源中の温度に依り、基本的には磁気記録媒体
の表面に積Rされる有機物もしくは高分子物質の積層量
が定まる点にある。しかし、蒸発源中における温度制御
が安定性に欠けていたシ、蒸発源内tて不純物が混入も
しくは不純物の占める割合の変化に依って所定の温度に
於ける有機物もしくは高分子物質の蒸気圧が変化するた
め、必ずしも蒸発源中の温度を制御するのみでは磁気記
録媒体の表面に積層される有機物もしくは高分子物質の
積R−rlを制御することができない。この問題を解決
するために、水晶振動子を前記記録媒体の近傍に配設し
て、この水晶振動子の表面に積層される前記有機物もし
くは高分子物質の1貞層に伴なう水晶振動子の有する固
有振動数の変化△f if ’11.気的な信号で読み
取り、水晶振動子上とriil記記禄1記録上に積層さ
れる有機物もしくは高分子物′筐の積層量とが所定の関
係にあるとして磁気記録媒体との前記積)fJ量をモニ
ターすることが効果的でちると提言されている。
しかし、このようにして膜厚をモニターできる従来の膜
厚モニター装置〔例えば、日電アネルバ■製、EVM−
82B水晶式膜厚モニター〕を用いて長尺の磁気記録媒
体を工業的規模で製造しようとした場合には次のような
問題がある。
厚モニター装置〔例えば、日電アネルバ■製、EVM−
82B水晶式膜厚モニター〕を用いて長尺の磁気記録媒
体を工業的規模で製造しようとした場合には次のような
問題がある。
水晶振動子の表面に積層される債月量は固有]辰勤数の
変化Δモにほぼ線型的に比例し、当関係で使用可能な動
作域Δ1.tnaxは、800(幻化〕である。パーマ
ロイ、AA’ 、Fo 、 Co 、 Ti 、 Si
n、 F’6−0等の金属、合金及び無機酸化物を蒸着
する場合に於いては上記の動作域△fmaKまで膜厚モ
ニターとして十分動作しているが、有機物もしくは高分
子物質を真空蒸着する場合に於ては使用可能な固有振動
数の変化△fはおおむね10凧台である。密度がほぼ1
である有機物もしくは高分子物質を概ねlo(H22−
で水晶振動子の表面上に積層する場合に於ては、10■
厄〕÷10〔厄んE = 1000100O1〕戸15
(min:)位しか使用出来ない。この原因については
、金属、合金及び無機酸化物の蒸着では、水晶振す子表
面の電極用薄膜(たとえばAg 、 An 、 kl等
)中に該金属、合金及び無機酸化物薄膜の成分が拡散す
るため電極用薄膜と金属、合金及び無機酸化物とが強固
な結合力を有した界面部を構成し、しかも、この界面部
上に積層される金属、合金及び無機酸化物が緻密な膜で
あるのに反し、有機物もしくは高分子物質の蒸着では水
晶振動子表面の電極用薄膜と有機物もしくは高分子物質
とが先に記したような強固な結合力を有した界面部を構
成できず、しかも界面部上に積層される有様物もしくは
高分子物質の薄膜が先に記した金属、合金もしくは無機
酸化物の薄膜に比べて緻密でない事に関係していると考
えられる。上記の問題は工業的規模で長尺の磁気記録媒
体を製造のごとく、長時間にわたって前記積層量を検知
しようとした際、大きな支障をきたすものである。
変化Δモにほぼ線型的に比例し、当関係で使用可能な動
作域Δ1.tnaxは、800(幻化〕である。パーマ
ロイ、AA’ 、Fo 、 Co 、 Ti 、 Si
n、 F’6−0等の金属、合金及び無機酸化物を蒸着
する場合に於いては上記の動作域△fmaKまで膜厚モ
ニターとして十分動作しているが、有機物もしくは高分
子物質を真空蒸着する場合に於ては使用可能な固有振動
数の変化△fはおおむね10凧台である。密度がほぼ1
である有機物もしくは高分子物質を概ねlo(H22−
で水晶振動子の表面上に積層する場合に於ては、10■
厄〕÷10〔厄んE = 1000100O1〕戸15
(min:)位しか使用出来ない。この原因については
、金属、合金及び無機酸化物の蒸着では、水晶振す子表
面の電極用薄膜(たとえばAg 、 An 、 kl等
)中に該金属、合金及び無機酸化物薄膜の成分が拡散す
るため電極用薄膜と金属、合金及び無機酸化物とが強固
な結合力を有した界面部を構成し、しかも、この界面部
上に積層される金属、合金及び無機酸化物が緻密な膜で
あるのに反し、有機物もしくは高分子物質の蒸着では水
晶振動子表面の電極用薄膜と有機物もしくは高分子物質
とが先に記したような強固な結合力を有した界面部を構
成できず、しかも界面部上に積層される有様物もしくは
高分子物質の薄膜が先に記した金属、合金もしくは無機
酸化物の薄膜に比べて緻密でない事に関係していると考
えられる。上記の問題は工業的規模で長尺の磁気記録媒
体を製造のごとく、長時間にわたって前記積層量を検知
しようとした際、大きな支障をきたすものである。
発明の目的
本発明は水晶振動子の膜厚モニターによって基板への蒸
着材料が有機物もしくは高分子゛物質であル場合におい
ても長期間にわたって膜厚をモニターできる磁気記録媒
体の製造方法を提供することを目的とする。
着材料が有機物もしくは高分子゛物質であル場合におい
ても長期間にわたって膜厚をモニターできる磁気記録媒
体の製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、裁板に有機物もし
くは高分子物質の蒸気流を差し向けて裁板上に真空蒸着
するに際し、前記基板の幅方向または長手方向に沿って
前列された複数個の膜厚モニター用水晶振動子を前記蒸
気流に111α次抜jQrJ(させて形成された蒸着膜
の積層厚をモニターすることを特徴とする。
くは高分子物質の蒸気流を差し向けて裁板上に真空蒸着
するに際し、前記基板の幅方向または長手方向に沿って
前列された複数個の膜厚モニター用水晶振動子を前記蒸
気流に111α次抜jQrJ(させて形成された蒸着膜
の積層厚をモニターすることを特徴とする。
実施例の説明
以下、本発明の製造方法を具体的な一実施例に基づいて
説明する。
説明する。
第1図は真空蒸着装置の構成を示す。なお、図面におい
ては油拡散ポンプ、ロータリポンプ、エゼクタ−ポンプ
、メカニカルブースターポンプ、真空容器等を含む真空
排気系の部分は省略されている。
ては油拡散ポンプ、ロータリポンプ、エゼクタ−ポンプ
、メカニカルブースターポンプ、真空容器等を含む真空
排気系の部分は省略されている。
長尺でかつ広幅の非磁性基板の表面部の表面に強磁性薄
膜を配した基板fl+は送シ出し軸(2)からフリーロ
ーラ、エクスバンダーローラ、近接ローラ、ゴムローラ
等からなる搬送系(3)を経て巻取シ軸(4)に巻き取
られる。矢印Aは基板fx)の搬送方向を示す。有機物
もしくは高分子物質の蒸着材料が充填された蒸発源(5
)が電子ビーム、抵抗加熱、レーザー加熱等の加熱手段
を用いて熱せられると、蒸発源(5)から前記蒸着材料
が蒸発して、その蒸気流(6)の一部は搬送状態にある
基板fil上に積層される。
膜を配した基板fl+は送シ出し軸(2)からフリーロ
ーラ、エクスバンダーローラ、近接ローラ、ゴムローラ
等からなる搬送系(3)を経て巻取シ軸(4)に巻き取
られる。矢印Aは基板fx)の搬送方向を示す。有機物
もしくは高分子物質の蒸着材料が充填された蒸発源(5
)が電子ビーム、抵抗加熱、レーザー加熱等の加熱手段
を用いて熱せられると、蒸発源(5)から前記蒸着材料
が蒸発して、その蒸気流(6)の一部は搬送状態にある
基板fil上に積層される。
(7)は蒸発源(5)と搬送状態にある基板(1)間に
配設されたマスクで、前記蒸気流(6)は開口部(8)
で制限されて搬送状態にある爪板(1)上に飛来してく
る。マ、、 スフ(7)と搬送状態にある基板fi
+の間には、第2図にも示すように基板fl)の幅方向
〔y軸方向〕に沿って4個の水晶振動子(9a)〜(9
d)が配設されておシ、また各水晶振動子(91)〜(
9d)の直下のマスク(7)の一部にはそれぞれ開口部
(10a)〜(10d)が穿設されている。C11a)
〜(lid)はそれぞれ開口部(10a)〜(10d
)の真下に配設されたシャッタで、閉じることによって
前記蒸気流(6)のそれぞれの水晶振・幼子(9a)〜
(911)への到達が1且止される。なお、第2図では
シャッタ(l1m)のみが開放されだ状態を示しており
、水晶振動子(9b)〜(9d)へはそれぞれ蒸気流(
6)が到達しない状態にある。
配設されたマスクで、前記蒸気流(6)は開口部(8)
で制限されて搬送状態にある爪板(1)上に飛来してく
る。マ、、 スフ(7)と搬送状態にある基板fi
+の間には、第2図にも示すように基板fl)の幅方向
〔y軸方向〕に沿って4個の水晶振動子(9a)〜(9
d)が配設されておシ、また各水晶振動子(91)〜(
9d)の直下のマスク(7)の一部にはそれぞれ開口部
(10a)〜(10d)が穿設されている。C11a)
〜(lid)はそれぞれ開口部(10a)〜(10d
)の真下に配設されたシャッタで、閉じることによって
前記蒸気流(6)のそれぞれの水晶振・幼子(9a)〜
(911)への到達が1且止される。なお、第2図では
シャッタ(l1m)のみが開放されだ状態を示しており
、水晶振動子(9b)〜(9d)へはそれぞれ蒸気流(
6)が到達しない状態にある。
なお、シャッタ(l1m) 〜(lld)の1511閉
駆動装置は次のように構成されている。
駆動装置は次のように構成されている。
先ず、前述のようにシャッタ(111%)を開いてシャ
ッタ(llb)〜(lid)を閉じている状態で拭阪f
ilへの蒸着を実行して、水晶振動子(9n)の固有裁
動数の変化を電気的な信号で読み取る事に依り積層量を
検知し、水晶振動子(9a)が動作不良になると、即座
に他の水晶振動子の例えば(9b)が動作できるように
シャッタ(llb)を開く。この1助作を水晶振動子(
9e)、(9d)へと繰シ返すように;構成されている
。
ッタ(llb)〜(lid)を閉じている状態で拭阪f
ilへの蒸着を実行して、水晶振動子(9n)の固有裁
動数の変化を電気的な信号で読み取る事に依り積層量を
検知し、水晶振動子(9a)が動作不良になると、即座
に他の水晶振動子の例えば(9b)が動作できるように
シャッタ(llb)を開く。この1助作を水晶振動子(
9e)、(9d)へと繰シ返すように;構成されている
。
このように、水晶振動子(9a)〜(9d)へと順次蒸
気流(6)に接触させるようにシャッタ(lla)〜(
lid)を開くことによって、基板+11に積層される
積n量を検知出来る時間は、1個あたりの水晶振動子の
動作時間が15分であるとすると、従来が15分であっ
たものが、本発明によると15X4=60分近くの動作
時間になる。
気流(6)に接触させるようにシャッタ(lla)〜(
lid)を開くことによって、基板+11に積層される
積n量を検知出来る時間は、1個あたりの水晶振動子の
動作時間が15分であるとすると、従来が15分であっ
たものが、本発明によると15X4=60分近くの動作
時間になる。
上記実施例において複数個の水晶振動子(9a)〜(9
d)は基板+11の幅方向に沿って配列されたが、これ
は基板fi+の長手方向に沿って配列してもよく、ある
いは幅方向にN1個の水晶振動子を配列すると共に長手
方向にN2個の水晶振動子を配列〔但し、N1 e N
2は整数〕して順次蒸気流に接触するように構成しても
同様の効果が得られる。また上記実施例では特に記載を
していないがある特定の水晶振動子が動作している時に
、動作不良になった水晶振動子を末だ有機物もしくは高
分子物質が全熱積層されていない水晶振動子に交換する
よう構成することによって前述の動作時間は更に延びる
ものである。
d)は基板+11の幅方向に沿って配列されたが、これ
は基板fi+の長手方向に沿って配列してもよく、ある
いは幅方向にN1個の水晶振動子を配列すると共に長手
方向にN2個の水晶振動子を配列〔但し、N1 e N
2は整数〕して順次蒸気流に接触するように構成しても
同様の効果が得られる。また上記実施例では特に記載を
していないがある特定の水晶振動子が動作している時に
、動作不良になった水晶振動子を末だ有機物もしくは高
分子物質が全熱積層されていない水晶振動子に交換する
よう構成することによって前述の動作時間は更に延びる
ものである。
上記実施例において各水晶振動子(9a)〜(9d)は
マスク(7)の各開口部(10m) 〜(10d)の真
上に位1.′tするよう構成されたが、これは各開口部
(10B)〜(10d)の内に各水晶振動子(9a)
〜(9d)を1.It!設しても同様の効果が得られる
。
マスク(7)の各開口部(10m) 〜(10d)の真
上に位1.′tするよう構成されたが、これは各開口部
(10B)〜(10d)の内に各水晶振動子(9a)
〜(9d)を1.It!設しても同様の効果が得られる
。
上記実施例において開口部(8)と1310tTIi(
10”)〜(ioa)とが別々の開口としたが、開口部
(8)の一部を開口部(10B)〜(10d)として機
能させることもできる。
10”)〜(ioa)とが別々の開口としたが、開口部
(8)の一部を開口部(10B)〜(10d)として機
能させることもできる。
上記実施例における水晶振動子とは、狭義的には円形も
しくは正方形状で、厚みが約1=a、厚み方向に於ける
両表面には、kl 、 All 、 Ag ′Jの′市
面用簿1儂を積層させている水晶振動子そのものを、α
味し、広義的には該水晶振動子を挿入しているブロック
及び外部回路に接続するのに要する電気的端子を包含し
たものを意味している。
しくは正方形状で、厚みが約1=a、厚み方向に於ける
両表面には、kl 、 All 、 Ag ′Jの′市
面用簿1儂を積層させている水晶振動子そのものを、α
味し、広義的には該水晶振動子を挿入しているブロック
及び外部回路に接続するのに要する電気的端子を包含し
たものを意味している。
上記実施例における非磁性基板とは、ポリエチレンテレ
フタレートはその共重合体、混合体、ポリエチレンナフ
タレート又はその共重合体、混合体からなるポリエステ
ルフィルム、ポリエステルイミド、ポリイミド等のポリ
イミド系フィルム、芳香族ポリアミドフィルム等からな
るブラスチックフィ/L’4が代表的な例である。
フタレートはその共重合体、混合体、ポリエチレンナフ
タレート又はその共重合体、混合体からなるポリエステ
ルフィルム、ポリエステルイミド、ポリイミド等のポリ
イミド系フィルム、芳香族ポリアミドフィルム等からな
るブラスチックフィ/L’4が代表的な例である。
上記実施例における強磁性薄膜としては、例えば斜め蒸
Mろるい(d垂直蒸着法にて形成さ九るCo。
Mろるい(d垂直蒸着法にて形成さ九るCo。
N札Fe等を主体とする金属薄1嘆それらの合金を主体
とする金属薄膜(例えばCo−Cr垂直磁化111j
)が使用できるが、グラスチックフィルムとの付着強度
改善、あるいは強磁性金属薄膜自体の耐食性、耐摩耗性
改善の目的で蒸iiニア時の雰囲気を酸素ガスが支配的
となる雰聞くにとしたとき得られる11り素を含む強磁
性薄膜を使用することが望ましい。酸素の含有量として
は、Jg板フィルム表面近傍の強磁性金属、あるいは非
磁性金属に対する原子数比で少くとも8%以上、好まし
くは5形以上が適当である。
とする金属薄膜(例えばCo−Cr垂直磁化111j
)が使用できるが、グラスチックフィルムとの付着強度
改善、あるいは強磁性金属薄膜自体の耐食性、耐摩耗性
改善の目的で蒸iiニア時の雰囲気を酸素ガスが支配的
となる雰聞くにとしたとき得られる11り素を含む強磁
性薄膜を使用することが望ましい。酸素の含有量として
は、Jg板フィルム表面近傍の強磁性金属、あるいは非
磁性金属に対する原子数比で少くとも8%以上、好まし
くは5形以上が適当である。
又、必要に応じて強磁性金属薄膜の形成に先立ち、機械
的補強効果のおる薄膜たとえばTi、Cr、Ni等の酸
素含有金属薄膜、Al2O8,SiO2等の1俊化物薄
膜等を形成せしめることも可能である。
的補強効果のおる薄膜たとえばTi、Cr、Ni等の酸
素含有金属薄膜、Al2O8,SiO2等の1俊化物薄
膜等を形成せしめることも可能である。
上記実施例における有機物としては、脂肪酸、脂肪酸エ
ステル、脂肪酸アミド、金属石けん、脂肪族アルコール
、パラフィン、シリコーン専が使用できる。
ステル、脂肪酸アミド、金属石けん、脂肪族アルコール
、パラフィン、シリコーン専が使用できる。
基板fil上に積層される積層量は蒸発源内に充填され
る有機物もしくは高分子物質依存がちシ、しかも磁気記
録媒体として必要な緒特性のうち、どの特性を補うかに
依っても異なる。−例として強磁性薄膜の表面に後述の
脂肪酸アミドを積層させ高温高湿での耐摩耗及び走行性
の改碧面から該アミドの積層量を選択するならば、10
×10−8〔g/lII〕〜1100XIO−8(々〕
であることがのぞましい。また、蒸着材料の積層場所は
基板fl+の一方の面の強磁性薄膜上、あるいは強磁性
薄膜の形成されていない他方の面上に積層される。
る有機物もしくは高分子物質依存がちシ、しかも磁気記
録媒体として必要な緒特性のうち、どの特性を補うかに
依っても異なる。−例として強磁性薄膜の表面に後述の
脂肪酸アミドを積層させ高温高湿での耐摩耗及び走行性
の改碧面から該アミドの積層量を選択するならば、10
×10−8〔g/lII〕〜1100XIO−8(々〕
であることがのぞましい。また、蒸着材料の積層場所は
基板fl+の一方の面の強磁性薄膜上、あるいは強磁性
薄膜の形成されていない他方の面上に積層される。
脂肪酸としてはラウリル酸、ミリスチン酸、パルミチン
酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸
、リルン酸等の炭素数が12飼以上のものが使用できる
。
酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸
、リルン酸等の炭素数が12飼以上のものが使用できる
。
脂肪酸エステルとしてはステアリン酸エチル、ステアリ
ン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノグ
リセリド、パルミチン酸モノグリセリド、オレイン酸モ
ノグリセリド、ペンタエリスリトールテトラステアレー
ト等が使用できる。
ン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノグ
リセリド、パルミチン酸モノグリセリド、オレイン酸モ
ノグリセリド、ペンタエリスリトールテトラステアレー
ト等が使用できる。
脂肪酸アミドとしてはカプロン酸アミド、カプリン酸ア
ミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステア
リン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、リ
ノl−ル酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。
ミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステア
リン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、リ
ノl−ル酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。
金属石けんとしてはラウリン酸、ミリスチン酸、パルミ
チン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノー
ル酸、リルン酸等の亜鉛、鉛、ニッケル、コバルト、鉄
、アルミニウム、マグネシウム、ストロンチウム、銅等
との塩、ラウリル、ハルミチル、ミリスチル、ステアリ
ル、ベヘニル、オレイル、リノール、リルン等のスルホ
ン酸と上記各種金属との塩等が使用できる。
チン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノー
ル酸、リルン酸等の亜鉛、鉛、ニッケル、コバルト、鉄
、アルミニウム、マグネシウム、ストロンチウム、銅等
との塩、ラウリル、ハルミチル、ミリスチル、ステアリ
ル、ベヘニル、オレイル、リノール、リルン等のスルホ
ン酸と上記各種金属との塩等が使用できる。
脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。
リルアルコール等が使用できる。
パフフィンとしてはトオクタデヵン、n−ノナデカン、
n−トリデカン、n−トコサン、n−トドリアコンタン
等の飽和灰化水素が使用できる。
n−トリデカン、n−トコサン、n−トドリアコンタン
等の飽和灰化水素が使用できる。
シリコーンとしては、水素がアルキル基又はフェニール
基で部分置換されたポリシロキサン及びこれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、酸アミド等で変性したもの等が使
用できる。
基で部分置換されたポリシロキサン及びこれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、酸アミド等で変性したもの等が使
用できる。
上記実施例における高分子物質とVよポリプロピレン、
ポリカーボネート、ポリエチレン等のごとく真空装置内
で真空蒸着が可能な高分子物質を指すものである。
ポリカーボネート、ポリエチレン等のごとく真空装置内
で真空蒸着が可能な高分子物質を指すものである。
上記実施例における各水晶振動子(9a)〜(9d)、
基板(1)上の蒸着材料の積層量は、蒸発源(5)と水
晶振動子(9a)〜(9d)および基板+11との幾何
学的(’:L ii’を関係が異なるため、両者の積層
量もrrrt ’心には異なるので両者間の関係を前も
って較正する必要がある。またこれは各水晶振動子(9
a)〜(9d)の間に於いても、積層量が異なっている
場合には前も°りてこれらの間の関係を較正しておく必
りyがある。
基板(1)上の蒸着材料の積層量は、蒸発源(5)と水
晶振動子(9a)〜(9d)および基板+11との幾何
学的(’:L ii’を関係が異なるため、両者の積層
量もrrrt ’心には異なるので両者間の関係を前も
って較正する必要がある。またこれは各水晶振動子(9
a)〜(9d)の間に於いても、積層量が異なっている
場合には前も°りてこれらの間の関係を較正しておく必
りyがある。
発明の詳細
な説明のように本発明の磁気18録媒体のIJ)嬰造方
法によると、膜厚モニター用水晶振・切子を予め基板の
幅方向または長手方向に複数個並べておいて、基板への
蒸着時に前記複数個の水晶振動子を順次蒸着材料の蒸気
流に接触させるため、従来に比べて長期間にわたって蒸
着膜の4m層厚をモニターでき、従って、特に長尺の磁
気記録媒体を作る際に、水晶振動子の出力から得られる
積層厚の変化と長尺の磁気記録媒体の走行位+>? (
蒸着実行位置)とを対応して記憶させておいて、蒸着の
完了後にそのデータに基づいて長尺の磁気記録媒体の不
均一な積層厚の区間を選別し、この区間を廃除して
法によると、膜厚モニター用水晶振・切子を予め基板の
幅方向または長手方向に複数個並べておいて、基板への
蒸着時に前記複数個の水晶振動子を順次蒸着材料の蒸気
流に接触させるため、従来に比べて長期間にわたって蒸
着膜の4m層厚をモニターでき、従って、特に長尺の磁
気記録媒体を作る際に、水晶振動子の出力から得られる
積層厚の変化と長尺の磁気記録媒体の走行位+>? (
蒸着実行位置)とを対応して記憶させておいて、蒸着の
完了後にそのデータに基づいて長尺の磁気記録媒体の不
均一な積層厚の区間を選別し、この区間を廃除して
第1図は本発明の磁気記録媒体の製法を行うように必要
な真空蒸着装置内における走行系の概要の正面図、第2
図は第1図の要部断面図である。 (1)・・・基板、(2)・・・送シ出し軸、(3)・
・・搬送系、(4)・・・1 巻取シ軸、(5)・−
・蒸発源、(6)・・・蒸気流、(7)・・・マスク、
+81 ・−・開口部、(9m) 〜(9d) ・=水
晶振動子、(10th)〜(tOa)−・・開口部、(
l1m) 〜(lid) −、シャッタ。 第f図
な真空蒸着装置内における走行系の概要の正面図、第2
図は第1図の要部断面図である。 (1)・・・基板、(2)・・・送シ出し軸、(3)・
・・搬送系、(4)・・・1 巻取シ軸、(5)・−
・蒸発源、(6)・・・蒸気流、(7)・・・マスク、
+81 ・−・開口部、(9m) 〜(9d) ・=水
晶振動子、(10th)〜(tOa)−・・開口部、(
l1m) 〜(lid) −、シャッタ。 第f図
Claims (1)
- 1、基板に有機物もしくは高分子物質の蒸気流を差し向
けて基板上に真空蒸着するに際し、前記基板の幅方向ま
たは長手方向に沿って配列された複数個の膜厚モニター
用水晶振動子を前記蒸気流に順次接触させて形成された
蒸着映の積層厚をモニターする磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9300983A JPS59217234A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9300983A JPS59217234A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59217234A true JPS59217234A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14070402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9300983A Pending JPS59217234A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59217234A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003046246A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Nec Corporation | Device and method for vacuum film formation |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP9300983A patent/JPS59217234A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003046246A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Nec Corporation | Device and method for vacuum film formation |
US7462244B2 (en) | 2001-11-27 | 2008-12-09 | Nec Corporation | Device and method for vacuum film formation |
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