KR100492872B1 - 램프리플렉터 및 반사체 - Google Patents

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후쿠다신
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Abstract

본 발명의 목적은 고반사율을 표시하는 은을 반사층으로 사용하고 또한, 내광성, 습열내구성이 뛰어난 반사시트를 제공하고, 또한 동일반사시트를 사용한 휘선이 발생하지 않는 램프리플렉터를 제공하는데 있다. 고분자필름상에 밑바탕층, 은을 주체로 하는 금속층, 보호층의 적어도 3층을 차례로 구성한 반사시트를, 고분자필름쪽을 접착면으로 해서, 성형체와 접착제에 의해 접합함으로써 얻어지는 반사체를 사용하여, 램프리플렉터로 가공한다.

Description

램프리플렉터 및 반사체{LAMP REFLECTOR AND REFLECTOR}
본 발명은 은을 고분자 필름 상에 적층해서 구성하는 반사체 및 그것을 사용한 램프리플렉터에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 내광성 및 습열 내구성에 뛰어난 은을 주체로 하는 다층의 구성으로 이루어진 반사체 및 그것을 사용한 램프리플렉터에 관한 것이다.
종래, 형광등 또는 백열등용의 반사체로서 경면연마된 알루미늄판 또는 알루미늄 증착(蒸着) 시트 등 반사율이 높은 알루미늄소재가 사용되어왔다. 최근, 반사층으로서 가시광영역에서 특히 알루미늄보다도 반사율이 높은 은을 사용한 반사체가, 액정표시장치의 백라이트부의 램프리플렉터를 중심으로, 형광등의 반사갓(傘) 등에 사용되고 있다.
이들 반사체는 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)/은박막층/접착층/알루미판으로 이루어진 소위 은 반사판, 또는 PET/은 박막층/백백도장/접착층/알루미증착층/고분자 필름/백색도장으로 이루어진 소위 은반사시트를 접어 구부림 가공 등의 소정의 가공을 행하여 사용된다.
그러나 은은 알루미늄에 비해서 대기 속에서 황화 및 산화에 의한 변색, 및 이에 따른 반사율저하가 발생하는 문제가 있었다. 그래서 투명고분자 필름인 PET를 은의 보호층으로서 사용함으로써, 대기바램(曝露)에 의한 은의 황화 및 산화를 방지하고, 고반사율을 유지하는 방법이 개발되었다(일본국 특개평 5-177758호 공보, 동 특개평9-150482호 공보 등). 예를 들면, 상기 은반사판의 신뢰성을 예로 들면, 고온(80℃) 하에서도 황화 등에 의한 흑색화는 관찰되지 않고, 또, 반사율의 저하도 관찰되지 않는다. 그러나, 80℃의 고온하에서, 수 100에서 수 1000시간으로 은이 자색으로 변색하여, 반사율이 급격하게 저하한다. 또, 내습열성시험(60℃, 상대습도 90%)에서는, 점형상의 백색점이 다수 발생하여, 반사율이 저하 한다는 문제가 있다.
또, 상기의 은반사체를 액정표시장치용의 사이드라이트형 백라이트의 램프리플렉터에 사용하면 고휘도를 얻을 수 있으나, 휘도의 상승과 동시에 휘선(輝線)이 발생하여 디스플레이로서의 표시 품위가 저하하는 문제가 있었다.
본 발명의 과제는, 고반사율을 표시하는 은을 반사층으로 사용하고, 또한, 내광성, 습열내구성에 뛰어나고, 예를 들면 백라이트 장치에 사용한 경우에 휘선의 발생을 발생하지 않는 반사체 및 그것을 사용한 램프리플렉터를 제공하는데 있다. 본 발명자들은, 상기의 과제를 해결하기 위해서 예의 검토한 결과, 놀랍게도, 고분자 필름 상에 밑바탕 층, 은층, 투명산화물 층의 3층을 차례로 구성한 반사체를 고분자 필름 쪽을 접착면으로 해서, 성형체와 맞붙임으로서, 상기의 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다. 또, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은 적어도 기재(A)에 밑바탕 층(B)과 은을 주체로 하는 금속층(C)과 무기물로 이루어진 보호층(D)으로 이루어진 반사층을 가진 램프리플렉터로서, 온도 100℃에서 300시간, 조사강도 500㎽/㎠의 의사태양광을 반사층 쪽으로부터 조사후의 파장 550㎚에 있어서의 전체 반사율이 90%이상인 것을 특징으로 하는 램프리플렉터이다.
본 발명에 따르면, 고반사율이고 내구성이 높은 램프리플렉터를 얻을 수 있고, 이 램프리플렉터를 액정 표시장치 등의 백라이트에 구비하였을 경우, 높은 휘도이고 또한 휘선이 발생하지 않는 고 품위의 화상을 실현하는 것이 가능하다.
본 발명은 밑바탕 층(B)이, 금, 구리, 니켈, 철, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈, 크듐, 인듐, 망간, 티탄, 혹은 팔라듐으로부터 선택된 금속의 단체 및/또는 이들의 2종이상으로 이루어진 합금으로 이루어지고, 두께가 5㎚이상 50㎚ 이하의 금속층 및/또는 두께가 1㎚이상 20㎚이하의 금속염층 또는 금속 산화물 층인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 충분한 배리어효과를 얻을 수 있고, 은을 주체로 하는 금속층 형성시에 응집이 발생하지 않고, 또 기재와 반사층과의 밀착성에도 뛰어난다. 본 발명은, 은을 주체로 하는 금속층(C)이, 은 단체 혹은, 은을 주체로 한 합금으로 이루어지고 상기층의 두께가 70㎚이상 400㎚이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 충분한 두께의 금속층에 의해 소망하는 반사율을 실현할 수 있다.
본 발명은 무기물로 이루어진 보호층(D)이, 금, 구리, 니켈, 철, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈, 크롬, 인듐, 망간, 티탄 혹은 팔라듐으로부터 선택된 금속의 단체 및/또는 이들의 2종이상으로 이루어진 합금으로 이루어지고, 두께가 5㎚이상 50㎚이하의 금속층 및/또는 두께가 1㎚이상20㎚이하의 투명산화물층인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 충분한 배리어 효과를 얻을 수 있고, 은을 주체로 하는 금속층 형성시에 응집이 발생하지 않는다.
본 발명은 밑바탕층(B)과 보호층(D)의 두께의 합과 은을 주체로 하는 층(C)과의 두께의 비가 0.005∼0.3인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 낮은 코스트이고, 성형성, 내구성에 뛰어난 램프리플렉터를 얻을 수 있다.
본 발명은 기재(A)의 반사층과는 반대쪽 면에 요철형상을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 반사층을 지지체 등과 맞붙일 때에 조작성의 개선, 접착력의 향상을 실현할 수 있다.
본 발명은 금속 또는 고분자제의 판 또는 시트로 이루어진 지지체를 또 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 고강도, 고방열성, 고도전성 등의 특성을 램프리플렉터에 부여할 수 있다.
본 발명은, 반사층 쪽의 곡율반경이 5㎜이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 램프리플렉터의 성형성이 뛰어나고, 미세한 가공을 행하는 것이 가능하고, 백라이트를 소형화 할 수 있다.
본 발명은 적어도 기재(A)에 밑바탕 층(B), 은을 주체로 하는 금속층(C), 투명산화물을 주체로 하는 보호층(D2)으로 이루어진 반사층을 가지고 온도 100℃에서 300시간, 조사강도 500㎽/㎠의 유사태양광을 반사층쪽으로부터 조사후의 파장 550㎚에 있어서의 전체 반사율이 90%이상인 것을 특징으로 하는 반사체이다.
본 발명에 따르면, 고반사율이고 내구성이 높고, 높은 휘도이고 또한 휘선이 발생하지 않는 고 품위의 화상을 실현 할 수 있는 액정표시장치등의 백라이트를 얻을 수 있다.
본 발명은 밑바탕 층(B)과 보호층(D)의 두께의 합과 은을 주체로 하는 층(C)과의 두께의 비가 0.005 내지 0.3인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 낮은 코스트이고, 성형성, 내구성에 뛰어난 반사체를 얻을 수 있다.
본 발명은 보호층(D2)이, 산화알루미늄이 5중량%이하 도프된 산화아연, 갈륨이 10중량%이하 도프된 산화아연으로부터 선택되는 두께 1㎚이상 20㎚이하의 층인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 충분한 배리어효과를 얻을 수 있고, 은을 주체로 하는 금속층 형성시에 응집이 발생하지 않는다.
본 발명의 반사체를 사용함으로써 장시간의 가혹한 사용시에 있어서도 고휘도 알루미판보다도 반사율이 높고, 또한 반사율의 저하가 없는 리플렉터를 얻을 수 있다. 또, 이면에 매트처리된 필름을 사용함으로써, 접착력을 또 증가 할 수 있어 보다 안정된 리플렉터로 할 수 있다.
이하 도면을 참고로 해서 본 발명의 썩 알맞은 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시의 한 형태인 반사체(1)를 표시한 단면도이다. 또한 무기물로 이루어진 보호층은 금후 단순히 보호층이라고 하는 수가 있다.
본 발명의 반사체(1)는 반사층(100)과 기재(40)로 이루어진다. 반사층(100)은 보호층(10)과 은을 주체로 하는 금속층(20)과 밑바탕층(30)으로 이루어진다.
도 2는 본 발명의 실시의 다른 형태인 반사체(1a)를 표시하는 단면도이다. 본 발명의 반사체(1a)는 반사층(100)과 기재(40)와 매트처리층(50)으로 이루어진다. 반사층(100)은 보호층(10)과 은을 주체로 하는 금속층(20)과 밑바탕층(30)으로 이루어진다. 매트처리층(50)은, 반사층(100)과는 반대쪽의 기재면에 형성되어있다.
도 3은 본 발명의 실시의 한 형태인 램프리플렉터(2)를 표시하는 단면도이다.
본 발명의 램프리플렉터(2)는 예를 들면, 도 3에 표시한 반사체(1)의 기재(40)쪽과 지지체(70)가 접착층(60)을 개재해서 맞붙여져있다.
도 4는 본 발명의 실시의 다른 형태인 램프리플렉터(3)의 사시도이다.
본 발명의 램프리플렉터(3)는 도 3에 표시한 바와 같은 램프리플렉터(2)가 접어구부림 가공 등의 방법으로 성형되어있다.
도 5는 도 4에 표시되는 램프리플렉터(3)의 축직각 단면도이다.
본 발명의 램프리플렉터(3)는 보호층(10)과 은을 주체로 하는 금속층(20)과 밑바탕층(30)으로 이루어진 반사층(100)이 램프에 면하는 안쪽이 되도록 가공되어있다.
도 6은 본 발명실시의 다른 형태인 램프리플렉터(3)를 사용한 사이드라이트형 백라이트의 사시도이다.
본 발명의 램프리플렉터(3)는 램프(90)를 싸넣는 형태로 백라이트의 측면에 배치된다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 있어서의 기재(A)는 알루미늄, 놋쇠, 스테인레스, 구리 등의 금속, 세라믹, 고분자제의 판, 시트, 필름 외에 점착제시트, 접착제시트 등이 사용된다.
이들 중에서도 형상의 자유도가 높고, 예를 들면 금속층(20)을 작성할 때에 롤투롤프로세스를 적용할 수 있는 고분자필름이 바람직하다.
본 발명의 반사체(1)에 있어서, 사용하는데 바람직한 고분자필름은 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르류, 비스페놀 A계 폴리카보네이트 등의 폴리카보네이트류, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 고리형상올레핀공중합체, 에틸렌아세트산 비닐공중합체 등의 폴리올레핀류, 셀룰로스트리아세테이트 등의 셀룰로스유도체류, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐부티랄류 등의 비닐계수지, 폴리스티렌, 폴리이미드류, 나이론 등의 폴리아미드류, 폴리에테르술폰, 폴리술폰계수지, 폴리알릴레이트계수지, 불소계수지, 폴리에테르 에테르케톤류, 폴리우레탄류, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 에스테르류, 폴리메타크릴산, 폴리메타크릴산 에스테르류, 폴리아크릴로니트릴, 폴리메타크릴로니트릴 등의 니트릴류, 폴리에틸렌 옥시드 등의 폴리에테르류, 에폭시수지, 폴리비닐 알콜류, 포벌(Poval) 등의 폴리아세탈류 등 각종 플라스틱으로 이루어진 필름을 들 수 있다. 그러나 반드시 이들에 한정되는 것은 아니고, 결정화온도 및 유리 전이점이 실온보다 높고, 평활한 표면을 가진 것이라면 사용할 수 있다. 그 중에서도 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르류, 폴리카보네이트류, 폴리아미드류가 바람직하다.
사용되는 고분자 필름의 두께는 통상은 1∼250㎛이고, 바람직하기는 5∼200㎛, 특히 바람직하기는 10∼200㎛이고, 그 인장탄성율이나 구부림 탄성율이 100㎫이상, 바람직하기는 500㎫이상, 더욱 바람직하기는 800㎫이상, 특히 바람직하기는 1000㎫이상이다.
본 발명에서 기재로서 사용할 수 있는 점착제시트는 후술하는 밑바탕층, 은을 주체로 하는 층, 보호층 등을 형성할 때에 안정된 것이면 특별히 제한은 없으나, 구체적으로 예시하면, 고무계점착제, 아크릴계점착제, 실리콘계점착제, 비닐계점착제 등이다. 그 중에서도 이크릴계점착제는 염가이기 때문에 널리 사용된다.
본 발명에서 기재로서 사용할 수 있는 접착제시트는 후술하는 밑바탕층, 은을 주체로 하는 층, 보호층 등을 형성할 때에 안정된 것이면 특별히 제한은 없으나, 구체적으로는 실리콘계접착제, 폴리에스테르계접착제, 아크릴계접착제 등을 사용할 수 있다. 이들 접착제는 핫멜트형인 것이 바람직하다.
상기의 기재는 강도, 인성(靭性), 후술하는 반사층의 밀착성의 밸런스를 취하는 등의 목적으로 2종류이상 짜맞추어서 사용해도 된다. 후술하는 반사층을 형성하기전에 짜맞추어도 형성 후에 짜맞추어도 된다.
또 본 발명의 기재는 후술하는 밑바탕층(B)의 형성을 용이하게 하거나 표면평활성을 높이는 등의 목적으로 표면처리를 행해도 된다. 구체적으로는 코로나 방전처리 또는 글로방전처리, 혹은 수지도공 등을 들 수 있다. 도공수지로서는 구체적으로는 폴리메타크릴산 메틸 등의 아크릴수지, 폴리아크릴로니트릴수지, 폴리메타아크릴로니트릴수지, 에틸실리케이트로부터 얻어지는 중합체 등의 규소수지, 불소계수지, 폴리에스테르계수지, 폴리스티렌수지, 아세테이트계수지, 폴리에테르술폰계수지, 폴리카보네이트계수지, 폴리아미드계수지, 폴리이미드계수지, 폴리올레핀계수지, 폴리우레탄계수지, 요소수지, 멜라민수지, 에폭시수지, 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있요.
본 발명의 반사체에 있어서, 반사층(100)은 적어도 밑바탕 층(B)과, 은을 주체로 하는 금속층(C)과 보호층(D)의 3층으로 이루어진다. 이때, 기재쪽의 제1층이 밑바탕층(B)이고, 최외층이 보호층(D)이면 3층이상이어도 되고, 예를 들면(B)(C)(D)(C)(D), (B)(C)(D)(C)(B)(C)(D)와 같은 3층이상의 다층구조이어도 된다. 층수가 증가하면 생산효율이 저하하는 경향이 있으므로, 바람직하기는 3∼20층보다 바람직하기는 3∼15층이다.
밑바탕층(B)의 바람직한 예로서는 은과는 다른 금속층, 금속염층 또는 금속산화물층을 들 수 있다. 구체적으로는 금, 구리, 니켈, 철, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈, 크롬, 인듐, 망간, 티탄, 팔라듐, 지르코늄, 비스무트, 주석, 아연, 안티몬, 세륨, 네오디뮴, 란탄, 토륨, 마그네슘, 갈륨 등의 금속단체(單體), 혹은 2종이상으로 이루어진 합금, 인듐, 티탄, 지르코늄, 비스무트, 주석, 아연, 안티몬, 탄탈, 세륨, 네오디뮴, 란탄, 토륨, 마그네슘, 갈륨 등의 산화물, 이들 산화물의 혼합물, 황화아연, 또는 불화마그네슘 등의 금속화합물을 예시할 수 있다. 이들 중에서도 금, 구리, 니켈, 철, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈, 크롬, 인듐, 망간, 티탄, 팔라듐 단체, 또는 이들의 2종류이상으로 이루어진 합금, 산화아연, 산화인듐, 산화주석이 바람직하고, 보다 바람직하기는 산화알루미늄이 5중량%이하로 도프된 산화아연, 갈륨이 10중량%이하로 도프된 산화아연, 인듐과 주석과의 산화물(ITO),특히 바람직하기는 산화알루미늄이 5중량%이하로 도프된 산화아연, 또는 갈륨이 10중량%이하로 도프된 산화아연을 들 수 있다. 또, 이들의 2종류이상을 짜맞추거나, 다층화해서 사용할 수도 있다.
은을 주체로 하는 금속층(C)에는 은단체 혹은 불순물로서 금, 구리, 니켈, 철, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈, 크롬, 인듐, 네오디뮴, 망간, 티탄, 팔라듐 등을 소량함유하고 있는 금속 또는 은을 주체로 한 합금이 바람직하게 사용된다. 이들 불순물의 함유량은, 금속의 종류에 따라서 달라지나, 0.002∼8중량%이고, 바람직하기는 0.004∼5중량%, 특히 바람직하기는 0.005∼4중량%이다.
보호층(D)에는 밑바탕층(B)과 마찬가지의 금속, 또는 산화물외에 이들과 은을 주체로 한 합금으로부터 선택되는 2종류이상을 짜맞추거나, 다층화해서 사용할 수 있다.
이들 중에서도 금속산화물, 바람직하기는 인듐, 티탄, 지르코늄, 비스무트, 주석, 아연, 안티몬, 탄탈, 세륨, 네오디뮴, 란탄, 토륨, 마그네슘, 갈륨, 규소 등의 산화물, 보다 바람직하기는 투명산화물(D2)이고 인듐, 티탄, 지르코늄, 비스무트, 주석, 아연, 안티몬, 탄탈, 세륨, 네오디뮴, 란탄, 토륨, 마그네슘, 알루미늄, 규소, 갈륨 등의 산화물을 들 수 있다. 더욱 바람직하기는 아연, 인듐, 주석으로부터 선택되는 금속의 산화물이다. 이들 산화물은 본 발명의 목적을 손상하지 않는 범위이라면, 다른 성능을 부여할 목적으로 10중량%이하의 비율로 불순물을 첨가해도 된다. 또, 2종이상을 짜맞추어서 사용할 수도 있다. 특히 바람직한 예로서는 산화알루미늄이 5중량%이하로 도프된 산화아연, 갈륨이 10중량%이하로 도프된 산화아연, 또는 인듐과 주석의 산화물(ITO)을 들 수 있다.
상기의 밑바탕층(B), 은을 주체로 하는 금속층(C) 및 보호층(D)인 금속박막층의 형성방법으로서는 습식법과 건식법이 있다. 습식법이란 도금법의 총칭이며, 용액으로부터 금속을 석출시켜서 막을 형성하는 방법이다. 구체적인 예를 든다면, 은경(銀鏡)반응 등이 있다. 한편, 건식법이란, 진공성막법의 총칭이며, 구체적으로 예시한다고 하면, 저항가열식진공증착법, 전자빔가열식진공증착법, 이온플레이팅법, 이온빔어시스트진공증착법, 스퍼터법 등이 있다. 특히, 본 발명에는 연속적으로 성막하는 롤투롤방식이 가능한 진공성막법이 바람직하게 사용된다.
본 발명의 반사체의 반사층을 진공증착법으로 제조하는 경우, 통상, 스퍼터장치가 3기 연결된 장치가 바람직하게 사용되나, 밑바탕층과 보호층이 동일화합물로 형성되는 경우, 롤의 회전을 도중에서 반전시킴으로써 스퍼터장치가 2기 연결된 장치에 의해서도 소망하는 반사체를 얻을 수 있다.
진공증착법에서는 금속의 원재료를 전자빔, 저항가열, 또는 유도가열 등으로 용융시켜, 증기압을 상승시키고, 바람직하기는 13.3㎫(0.1mTorr)이하로 기재표면에 증발시킨다. 이때에, 아르곤 등의 가스를 13.3㎫이상으로 도입하고, 고주파 혹은 직류의 글로우방전을 일으켜도 된다. 이때, 초기의 기압은 낮은 쪽이 바람직하고, 구체적으로는 20㎫이하, 보다 바람직하기는 7㎫∼0.1㎫이다.
스퍼터법에는 Dc마그네트론스퍼터법, RF마그네트론스퍼터법 이온빔스퍼터법, ECR스퍼터법, 컨벤셔널RF스퍼터법, 또는 컨벤셔널DC스퍼터법 등을 사용한다.
스퍼터법에 있어서는 원재료로서 금속으로 이루어진 판 형상 타겟을 사용하면 되고, 스퍼터가스에는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤크세논 등을 사용하고, 바람직하기는 아르곤을 사용한다. 가스의 순도는 99%이상이 바람직하나, 보다 바람직하기는 99.5%이상이다. 또, 투명산화막의 형성에는 진공성막법이 바람직하게 사용된다. 주로, 스퍼터법이 사용되고, 스퍼터가스에는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논 등을 사용하고, 조건에 따라서는 산소가스를 사용해서 행하는 일도 있다.
기재상에 형성하는 박막의 두께는 반사체(1)를 구성했을 때에 광선투과율이 1%미만이 되도록 고려해서 결정된다.
밑바탕층(B)의 두께는 금속층을 사용하였을 경우, 5㎚이상 50㎚이하가 바람직하고 보다 바람직하기는 5㎚이상 30㎚이하이다. 상기 층의 두께가 5㎚보다도 얇은 경우는 소망의 배리어효과를 얻을 수 없고, 은을 주체로 하는 금속층(C)에 응집을 발생시키는 경우가 있다. 또, 50㎚보다도 두껍게해도 그 효과에 변화가 없다. 또, 금속염 또는 금속산화물을 사용하였을 경우, 금속염 또는 금속산화물층의 두께는 1㎚이상 20㎚이하가 바람직하고 더욱 바람직하기는 5㎚이상 10㎚이하이다. 금속염층, 또는 금속산화물층의 두께가 1㎚보다도 엷은 경우는 소망하는 배리어효과를 얻을 수 없고, 은을 주체로 하는 금속층(C)에 응집을 발생시킨다. 또, 20㎚보다도 두껍게해도 그 효과에 변화가 없다.
은을 주체로 하는 금속층(C)의 두께는, 70㎚이상 400㎚이하가 바람직하고, 보다 바람직하기는 100㎚이상 300㎚이하, 더욱 바람직하기는 130㎚이상 250㎚이하이다. 은을 주체로 하는 금속층(C)의 두께가 70㎚보다도 얇은 경우는 금속층의 형성이 불충분하므로 소망하는 반사율을 얻을 수 없는 경우가 있다. 또, 400㎚보다도 두껍게해도 그 효과에 변화는 없다.
보호층(D)의 두께는 금속층을 사용하였을 경우, 5㎚이상 50㎚이하가 바람직하고, 보다 바람직하기는 5㎚이상 30㎚이하이다. 상기 층의 두께가 5㎚보다도 얇은 경우는 소망의 배리어효과를 얻을 수 없고, 은을 주체로 하는 금속층(C)에 응집을 발생시키는 경우가 있다. 또, 50㎚보다도 두껍게 해도 그 효과에 변화가 없다. 또, 투명산화물을 사용하였을 경우, 그 층의 두께는 1㎚이상 20㎚이하가 바람직하고, 더욱 바람직하기는 5㎚이상 10㎚이하이다. 투명산화물층의 두께가 1㎚보다도 엷은 경우는 소망하는 배리어효과를 얻을 수 없고, 은을 주체로 하는 금속층(C)에 응집을 발생시킨다. 또, 20㎚보다도 두껍게 해도 그 효과에 변화가 없다.
본 발명의 램프리플렉터는 밑바탕층(B)과 보호층(D)의 두께의 합과 은을 주체로 하는 금속층(C)의 두께와의 비가 0.005∼0.3, 바람직하게는 0.01∼0.25, 더욱 바람직하게는 0.01∼0.2, 특히 바람직하게는 0.02∼0.2이다.
은을 주체로 하는 층에 비해서 밑바탕층, 보호층이 지나치게 두꺼우면 제조코스트가 높아질 뿐이고, 그 내부응력의 영향으로 반사층의 파손에 의한 내구성 저하나 박리, 반사색의 변화, 후술하는 구부림가공성이 저하 등의 문제가 발생하는 일이 있다.
상기 각층의 막두께의 측정방법으로서는 촉침조도계(觸針粗計), 반복반사간섭계, 마이크로밸런스, 또는 수정진동자법 등을 사용하는 방법이 있고, 특히 수정진동자법에서는 성막중에 막두께가 축정가능하기 때문에 소망하는 막두께를 얻는데 적합하다. 또, 미리 성막의 조건을 정해두고, 시료기재상에 성막을 행하여, 성막시간과 막두께의 관계를 조사한 다음에 성막시간에 의해 막두께를 제어하는 방법도 있다.
이와 같이 해서 제작된 반사체의 금속반사층쪽으로부터 측정되는 반사율은 전형적으로는 550㎚의 파장의 광에 대해서 90%이상이며, 보다 상세하게는 92%이상이고, 더욱 바람직하게는 94%이상이다.
본 발명의 반사체는 내구성이 높고, 예를 들면 온도 100℃에서 300시간, 조사강도 500㎽/㎠의 유사태양광을 반사층쪽으로부터 조사한 후에도, 파장 550㎚에 있어서의 전체 반사율이 90%이상의 높은 광열 열화(劣化)내성을 표시한다. 여기서 의사태양광이란, 옥외에서의 청천시의 태양광과 마찬가지의 스펙트럼을 가지는 광이다. 구체적으로는 크세논램프에 광학필터를 짜맞추어서 의사태양광스펙트럼을 얻는다. 온도는, 시료를 유지한 알루미판에 설치한 열전쌍(熱電對)과 판형상히터를 온도 콘트롤러에 접속한 장치에 의해 제어된다.
본 발명의 내구성을 평가하는 다른 방법으로서, 황화수소바램시험도 채용할 수 있다. 이 방법은 밀폐용기 속에 1변 5㎝의 정사각형으로 잘라낸 반사체를 넣고 동용기내에 30ppm이 되도록 황화수소를 첨가하여, 24시간, 실온에서 정치(靜置)하는 것으로서 행한다. 본 발명의 반사체는 본 황화수소바램시험후도 흑변(黑變) 등이 없고, 반사율도 90%이상을 표시하고, 황화수소 내성도 높다.
본 발명의 내구성시험법으로서 고온고습시험도 채용할 수 있다. 이 방법은 온도가 60℃, 습도가 90%의 항온항습조에 1변 5㎝의 정사각형으로 잘라낸 반사체를 넣고 500시간 정치하는 것으로서 행한다. 본 발명의 반사체는 고온고습시험후도 흑변 등이 없고, 반사율도 90%이상을 표시하고, 반사층의 바둑판눈 박리테스트에 의해서도 전혀 박리가 발생하지 않는다.
상기의 반사체에는, 필요에 따라서 벤조트리아졸이나 아크릴계 등의 투명수지, 또는 다른 유기물을 코트해도 된다. 이때에는 주로 습식법이 사용되고, 그 두께는 0.1∼100㎛, 바람직하기는 0.5∼50㎛이다.
본 발명의 반사체는 롤투롤프로세스 또는, 매엽(枚葉)프로세스 등의 방법으로 얻어지나 생산성이 높은 롤투롤프로세스로 생산하는 것이 바람직하다.
본 발명의 반사체는 롤형상, 또는 매엽형상 등의 형상으로 얻어지나, 상기의 프로세스 상의 이유로부터 롤 형상으로 얻어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 램프리플렉터는, 상기의 반사체를 성형가공해서 얻을수도 있으나 바람직하기는, 상기의 반사체와 지지체로 이루어진다.
본 발명의 지지체는 금속, 고분자제의 판 또는 시트가 사용된다. 사용되는 금속으로서 구체적으로는 알루미늄, 알루미늄합금, 스테인레스강철, 구리아연합금,또는 강철 등이다. 이들 금속에는 각각 장점이 있고, 다음과 같이 구분해서 사용할 수 있다. 알루미늄은 경량 또한 가공성에 뛰어나고, 또 열전도율이 높고, 그것에 걸리는 열을 효과적으로 대기속으로 놓칠 수 있으므로, 램프발광에 의해서 반사체가 가열되는 LCD용 백라이트에 썩알맞게 이용할 수 있다. 알루미합금은 경량 또한 기계적강도가 강하다. 스테인레스강철은 기계적강도가 적당한 정도이고, 또 내부식성에 뛰어나있다. 구리아연합금, 예를 들면 황동 즉 놋쇠는 기계적 강도가 강한 것에 추가하여, 납땜이 용이하므로 전기적단자를 장착하기 쉽다. 강철은 염가이기 때문에 코스트를 억제할 필요가 있을 때에 바람직하게 사용된다. 또 형상기억합금을 사용하면 가공성에 뛰어나는 등의 이점이 있다.
플라스틱판이나 시트를 사용할 수도 있다. 사용되는 재질로서는 2축연신 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 아크릴수지, 메타아크릴수지, 폴리에테르술폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리어레이리트, 폴리에테르이미드, 폴리이미드 등의 호모폴리머 또는 코폴리머를 들 수 있다. 특히 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이고, 상기 고분자필름이 최외층인 경우에는 외관상 백색의 것이 선호된다. 이들 재료는 일반적으로 금속판에 비해서 경량화를 도모할 수 있다는 특징이 있다. 지지체로서의 고분자필름, 또는 시트의 두께는 코스트 저감 및 구부리기가 용이한 관점에서는 얇은 쪽이 바람직하고, 반사체(1)와의 라미네이트할 때의 핸드링성, 및 형상유지성의 관점에서는 두꺼운 쪽이 선호된다. 바람직한 필름의 두께는 5㎛이상 500㎛이하, 보다 바람직하기는 10㎛이상 200㎛이하이고, 더욱 바람직하기는 15㎛이상 100㎛이하이다. 또, 상술한 반사체의 기재가 상기 지지체와 마찬가지의 재료인 경우는 지지체가 쓸데없게 되는 경우가 있다. 또, 후술하는 접어구부림가공이 곤란한 경우는 고리형상올레핀폴리머 등의 형상기억수지를 사용해서 해결할 수도 있다.
반사체는 바람직하기는 점착제 또는 접착제에 의해서 반사체의 기재쪽에서 판형상 성형체인 지지체에 고정된다. 특히 바람직하기는 접착제가 사용된다.
상기의 점착제는 구체적으로 예시하면 고무계점착제, 아크릴계점착제, 실리콘계점착제, 비닐계점착제이다. 그 중에서도 아크릴계점착제는 염가이기 때문에 널리 사용된다.
상기의 접착제는 열 또는 촉매의 도움에 의해서 접착되는 접착제이고, 구체적으로는 실리콘계접착제, 폴리에스테르계접착제, 에폭시계접착제, 시아노아크릴레이트계접착제, 아크릴계접착 등 일반적인 접착제를 사용할 수 있다. 에폭시계접착제는 강도와 내열성에 뛰어나 있으므로, 이것도 또 썩 알맞게 이용할 수 있다. 시아노아크릴레이트계 접착제는 즉효성과 강도에 뛰어나있으므로, 효율적인 반사체제작에 이용할 수 있다. 이들의 접착제는 접착방법에 따라서 열경화형, 호트멜트형, 2액혼합형으로 대별되나, 바람직하기는 연속생산이 가능한 열경화형 혹은 호트멜트형이 사용된다. 어느 접착체를 사용한 경우라도 그 두께는 0.5㎛∼50㎛가 바람직하다.
상기의 기재와 지지체는 라미네이터를 사용한 롤투롤 또는 롤투시트프로세스 등으로 맞붙이고, 롤형상 또는 매엽형상의 제품을 얻을 수 있다. 예를 들면 접착제를 사용하는 경우, 반사체의 기재쪽에서의 접착제의 코팅, 건조, 롤러에 의한 판형상 성형체와의 라미네이트의 순서에 의해 행해진다.
접착제의 코팅방법은 기재 및 접착제의 종류에 따라서 많은 방법이 있으나, 널리 사용되고 있는 것은, 그라비아 코터방식 및 리버어스코터방식이다. 그라비아 코터방식에서는 접착제에 일부 침해되고 있는 그라비아롤을 회전시키고, 백업롤에 의해서 전송되는 필름을 접착제가 부착한 그라비아롤에 접촉시킴으로서 코팅한다. 코팅량은 롤의 회전수, 접착제의 점도를 제어함으로써 조정할 수 있다. 리버어스코터방식도, 그라비아코터방식에 유사한 방법이나, 코팅롤에 부착하는 접착제의 양을 그것에 접해서 설치되고있는 메탈링롤에 의해서 조정한다.
맞붙일 때에 필요에 따라서 가온할 수도 있다. 또, 필요한 접착강도를 얻기위해서 열처리할 수도 있다. 상기 맞붙일 때의 온도는 0∼200℃, 바람직하기는 10∼150℃, 보다 바람직하기는 20∼120℃이고, 열처리의 온도는 30∼250℃, 바람직하기는 50∼200℃이다. 또, 롤 안기각(抱度)은, 바람직하기는 10∼180℃이다.
상기의 기재와 지지체와의 접착강도는 90°피일강도로 측정해서 100g/㎝이상인 것이 바람직하다. 이 접착강도에 도달하지 않은 경우에는 가공했을 때, 판형상 성형체로부터 반사체의 박리 등에 의해 변형 등을 야기할 가능성이 있기 때문에 바람직하지 않는 경우가 있다.
상기 점착제 또는 접착제는 제조할 때에 용매를 사용하는 일이 많다. 이 용매가 맞붙인 후도 잔존해 있으면 경시적으로 박리가 발생하기 쉬워지거나 반사층의 열악화를 야기 하거나(내구성의 저하), 백라이트에 짜넣어서 사용하는 경우, 다른부재의 열악화를 야기하거나 하는 수가 있다.
잔존용매량은 그 종류에 따라서 다르나 바람직하기는 0.5g/㎠이하, 보다 바람직하기는 0.1g/㎠이다.
또, 본 발명에 있어서는 반사체의 반사층이란, 반대쪽에 요철형상을 가지는 것이 바람직하다. 요철의 높이는0.1㎛이상, 바람직하기는 0.3㎛이상, 보다 바람직하기는 0.5∼30㎛이다. 이와 같은 요철형상을 형성함으로써 조작성의 개선 외에 접착력을 향상시킬 수 잇는 경우가 있다.
매트처리의 방법으로서는 고분자필름표면에 엠보싱가공을 실시하에 요철구조를 형성하는 방법, SiO2 등의 입자를 고분자필름표면에 고압공기와 함께 내뿜는 샌드블라스트법, 에칭 등의 화학적방법, 입자를 도포하는 방법 등이 있고, 필요한 형상에 따라서 그 방법은 선택된다.
본 발명의 반사체 및 램프리플렉터는 제품으로서 사용하기까지의 사이에, 필요에 따라서 보호필름을 맞붙여서 반사층표면을 상처입음이나 이물부착을 보호할 수 있다. 보호필름은 통상, 기재필름과 점착층으로 이루어진다. 기재필름으로서 구체적으로는 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄형상 저밀도폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-아세트산비닐공중합체 등의 올레핀계공중합체, PET 등의 폴리에스테르 등 범용(汎用)의 필름이 사용된다. 본 발명의 반사체, 램프리플렉터는 보호필름을 맞붙인 채로 후술하는 성형가공을 행하는 일이 많으므로, 필름에는 강도, 신장에 뛰어나있는 것이 바람직하고, 구체적으로는 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄형상 저밀도 폴리에틸렌이 바람직하게 사용된다.
점착제로서는 반사층의 열악화, 박리, 경시적인 보호필름박리를 야기하지 않고, 보호필름을 제거할 때에 박리하기 쉬운 것이면 특별히 제한은 없으나, 구체적으로는 고무계점착제, 아크릴계점착제, 실리콘계점착제, 비닐계점착제 등을 예시할 수 있다.
본 발명의 반사체의 구성 및 전기특성의 대표적인 평가방법을 이하에 설명한다. 은박막층, 접착층, 및 판형상성형체의 각부의 두께는, 그 단면을 투과형전자현미경(TEM)으로 관찰함으로써 직접 측정할 수 있다. 기재 및 지지체의 고분자 필름분석은 적외분광(IR)으로 은박막층, 기재, 지지체의 금속 등은 형광X선 분광(XRF), 오제전자분광(AES) 등에 의해 가능하다. 또, X선마이크로어널라이저(EPMA)에 의해서는 형광X선 분광보다 미세한 부분의 원소분석을 행할 수 있다. 도, 점착제 또는 접착제는 반사체와 지지체를 잡아떼어서 접착제를 노출시키고, 적당한 용매로 용해, 박리시킨후, 회수해서 그 적외분광(IR)측정함으로써 구조에 관한 정보를 얻을 수 있다.
또, 오제전자분광법(AES), 2차이온질량분석법(SIMS)에 의해서 조성분석, 및 깊이 프로파일을 취함으로써 두께도 알 수 있다.
본 발명의 램프리플렉터는 반사율, 내구성, 성형성에 뛰어나므로 액정표시장치에 사용되는 백라이트용 램프리플렉터에 썩알맞고, 고휘도로 아름다운 화상을 제공할 수 있다. 본 발명의 램프리플렉터는 상기의 반사체 및 필요에 따라서 맞붙여지는 지지체로 이루어지는 리플렉터를 소정의 형상으로 펀칭(打拔)가공하고, 예를 들면, 도 4에 표시한 바와 같은 형상으로 구부림가공해서 냉음극관을 덮는 형상으로 제작하는 것이 바람직하다. 또, 상기 펀칭가공을 행하는 경우 사전에 썩알맞는 사이즈에 매엽화(枚葉化)해도 된다. 매엽가공, 펀칭가공, 구부림가공을 상이한 설비로 행하는 등의 이유로 수송이 필요하게 되는 경우, 수 10매단위의 시트를 포갠 후, 진공팩 포장해서 수송하는 것이 바람직하다. 이때, 포장재는 평활성이 좋은 것이 바람직하고, 에어캡 등 요철이 있는 것을 사용하면 시트표면에 미소의 변형이 일어나 램츠리플렉터로서의 성능을 저하시키는 일이 있다.
가공할 때에는 도 5에 표시한 단면도와 같이 밑바탕층(B)과, 은을 주체로 하는 금속층(C)과, 보호층(D)으로 이루어진 반사층(100)이 가장 안쪽으로 되도록 배치한다. 또, 필요에 따라서 펀칭가공 등의 공정을 가해도 된다.
구부림가공후의 형상은 사용방법에 따라서 다르나 U자형, ㄷ자형 등이 바람직하다. 그 때의 구부림가공시의 곡률반경은 5㎜이하, 바람직하게는 4㎜이하이다.
구체적인 가공법으로서는 프레스를 사용한 V자구부림, U자구부림, 또는 탄젠트벤더를 사용한 접어구부림 등을 들 수 있다.
본 발명의 반사체는 성형성에 뛰어나고 있으며, 상기와 같은 가공을 행하여도 반사층에 구김살이나 들뜨는 일이 발생하지 않는다. 이 일로해서 본 발명의 반사체로부터 얻어지는 램프리플레터는 사이드라이트형 백라이트장치에 짜넣으면 고휘도로 휘선(輝線)이 발생하지 않는 아름다은 영상을 실현할 수 있다.
사용하는 광원으로서는 예를 들면, 백열전구, 발광다이오드(LED), 엘렉트로루미네선스(EL), 형광램프, 메탈하이드라이드램프 등을 들 수 잇고, 그 중에서도 형광램프가 바람직하게 사용된다. 형광램프에는 그 전극구조, 점등방식에 의해 열음극형과 냉음극형으로 대별되고, 전극, 인버터함께 열음극형쪽이 크게 되는 경향이 있다. 열음극형은 발광에 기여하지 않는 전극근방의 전식손실이 작아 효율이좋고, 냉음극형에 비해 수배 뛰어날 발광효율을 나타내고, 발광도 강하나, 수명은 냉음극형쪽이 뛰어나고 있으며, 저소비전력성, 내구성 등의 점에서 냉음극형이 보다 바람직하게 사용된다.
형광램프에 전류를 공급하는 도선으로서는 일반적인 피복도선이 사용되지만 피복재에 유황이 함유되어 있으면, 경시 열악화에 의해 황화수소등의 황화물을 발생시켜, 반사층이나 다른 부재를 열악화시킬 가능성이 있으므로, 유황프리의 피복재를 사용한 도선을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 램프리플렉터는 박막형상의 반사층이 광원쪽 가장 바깥층에 위치함으로 투명수지 등에 의해 보호된 리플렉터와 같은 수지중에 광이 가두어지는 일이 없다. 이 때문에 휘도를 높여도 휘선 등이 발생하지 않고, 고휘도로 아름다운 영상을 실현할 수 있다.
또, 반사율이 향상되기 때문에 내부온도도 낮아지고, 내구성이 향상되는 효과도 있다.
본 발명의 반사체는 반사율이 높고, 아름다운 영상을 얻을 수 있으므로 액정표시장치외에, LED 백라이트, 프로젝션 텔레비젼, 프런트 라이트 외에 PDA 또는, 휴대전화 등의 직하형표시장치의 램프 리플렉터에도 적용할 수 있다. 또, 반사율이 높으므로서, 태양전지의 집광체재료로서 이용할 수도 있다. 특히, 본 발명의 반사체의 반사층이 도전성을 가진 구성의 경우, 이것을 이용해서 미소 구형상 실리콘 단결정 태양전지 등의 전극으로서의 기능을 아울러 가지게 하는 것도 가능하다. 그외에는 경량, 내충격성을 구할 수 있는 스트로보, 신호표시, 자동차의 라이트, 형광등, 회중전등이나 고품위를 구할 수 있는 샹들이에조명용 리플렉터외에 커브미러 또는 백미러로서 사용할 수도 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명한다.
(실시예 1)
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)위에, DC마르네트론스퍼터법으로, 2%의 Al2O3가 도프된 산화아연(순도 99.9%)을 타깃으로하고, 순도 99.5%의 아르곤을 스퍼터가스로 해서, 산화알루미늄이 2%도프된 산화아연을 막두께5㎚로 되도록 형성하였다. 계속해서 이 시트를 스퍼터장치로부터 꺼내는 일 없이, 마찬가지로 DC마그네트론스퍼터법으로 순도 99.9%의 은을 타깃으로 하고, 순도 99.5%의 아르곤을 스퍼터가스로 해서 은을 막두께 200㎚로 되도록 성형하였다. 계속해서 이 시트를 스퍼터장치로 부터 꺼내는 일 없이, 2%의 Al2O3가 도프된 산화아연(순도99.9%)을 타깃으로하고, 순도99.5%의 아르곤을 스퍼터가스로해서, 산화알루미늄이 2%도프된 산화아연을 막두께 5㎚로 되도록 형성하였다. 만들어진 시트를 히다찌 자체 분광광도계(형식U-3400)에 150Ø의 적분구를 설치하고, 550㎚에 있어서의 반사층쪽의 전체반사율의 측정을 행했던바, 반사율 96.3%였다. 계속해서, 이 시트의 광열열악화시험을 행하였다. 광원에는 야마시다덴소(주)의 솔라시뮬레이터형식 YSS-505H를 사용하여, 조사강도 500㎽/㎠의 의사태양광하에서 행하였다. 또, 반사시트는 100℃로 가열하였다. 이 조건하에서 300시간 경과한 후, 반사율을 측정했던바, 95.5%였다. 또, 이 반사체로서의 반사시트를 핫멜트형 접착재(상품명 : SK다인5273)를 시용해서, 두께2㎜의 놋쇠판을, 100℃로 가열한 라미네이터로울을 통과시키므로서 접착하였다. 접착후, 180°피일강도로 측정했던바, 접착강도는 200g/㎝였다.
또한 이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치의 백라이트용램프리플렉터의 형상(ㄷ자형, 개구부폭 4㎜)으로 성형하여 상기 장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2350㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2320㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2300㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 정리하였다.
(실시예 2)
사용한 PET필름의 한쪽면에 샌드매트처리되어 있는 것 이외는, 실시예 1에 준해서 반사시트 및 램프리플렉터를 제작하고, 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.4%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 95.5%였다.
상기 시트를 실시예 1과 마찬가지의 접착재를 사용하여, 샌드매트면을 접착면으로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후, 180°피일강도로 측정했던바 250g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2360㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2340㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2330㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 3)
밑바탕층과 보호층이 산화알루미늄이 2%도프된 산화아연 대신에 갈륨이 5%도프된 산화아연을 사용하고, 밑바탕층과 보호층과의 두께가 7㎚, 은층의 두께가 140㎚로 한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터를 제작하고, 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.8%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.5%였다.
상기 시트를 실시예 1과 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후, 180°피일강도로 측정했던바 210g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2380㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2370㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2360㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 4)
밑바탕층과 보호층이 산화알루미늄이 2%도프된 산화아연 대신에 갈륨이 5%도프된 산화아연을 사용하고, 밑바탕층과 보호층과의 두께가 7㎚, 은충의 두께가 140㎚로 한 이외는 실시예 2와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터를 제작하고, 평가를 행하였다.
광열열악화 시험전의 반사시트의 반사율은 97.0%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.5%였다.
상기 시트를 실시예 2와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후, 180°피일강도로 측정했던바 250g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를, 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2380㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2370㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2360㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(비교예 1)
반사층을 은층만으로 한 것 이외는, 실시예 1에 준해서 반사시트를 제작하였다.
얻어진 시트의 반사율을 측정했던바, 97.0%였다. 계속해서, 실시예 1과 마찬가지의 광열열악화시험을 300시간행한 후, 재차, 반사율을 측정했던바, 40.2%로 저하하고 있으며, 반사체로서 충분한 반사율을 얻을 수 없게 되었다.
(비교예 2)
반사체의 반사층쪽과 놋쇠판을 접합한 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 해서 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
얻어진 시트의 반사율을 측정했던바, 94.6%였다. 계속해서, 실시예 1과 마찬가지의 광열열악화시험을 300시간 행한 후, 재차, 반사율을 측정했던바, 53.2%로 저하하고 있으며, 반사체로서 충분한 반사율을 얻을 수 없게 되었다. 또 시트의 보랏빛 변색이 관찰되었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 5)
밑바탕층으로서 티탄박막을 형성한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프피플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 97.2%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.8%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후, 180°피일강도로 측정했던바 250g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2400㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2390㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2380㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 6)
밑바탕층으로서 산화티탄박막을 형성한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.8%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.6%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 240g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2380㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2380㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2350㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 7)
밑바탕층으로서 텅스텐박막을 형성한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.9%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.6%엿다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 230g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2390㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2380㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2360㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없엇다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 8)
밑바탕층으로서 동박막을 형성한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.8%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.7%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 240g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를, 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2400㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2370㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2380㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 9)
밑바탕층으로서 불화마그네슘박막을 형성한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 97.0%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.7%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 250g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2390㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2390㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2370㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 10)
밑바탕층으로서 산화인듐ㆍ산화주석소결체(ITO,조성비 In2O3 : SnO2=90:10wt%)을 타깃으로 한 박막을 형성한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 97.0%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.6%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 230g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2390㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2390㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2370㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 11)
보호층을 산화티탄으로 한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.0%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 95.5%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 240g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2290㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2280㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2280㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 12)
보호층을 산화알루미늄으로 한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 95.6%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 95.2%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 240g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2310㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2300㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2270㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 13)
보호층을 산화규소로 한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 95.5%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 95.0%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 250g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2280㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2280㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2260㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 14)
보호층을 ITO박막으로 한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.7%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.1%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 250g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2350㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2340㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2330㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 15)
지지체로서 스테인레스판을 사용한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.8%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.4%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 260g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2390㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2380㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2350㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 16)
지지체로서 알루미늄판을 사용한 이외는 실시예 4와 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.9%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.4%였다.
상기 시트를 실시예 4와 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 240g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2390㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2360㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2340㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 17)
PET대신에 폴리카보네이트(비스페놀 A형)을 사용한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.1%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 95.5%였다.
상기 시트를 실시예 1과 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 250g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2380㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2360㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2330㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 18)
PET대신에 나이론을 사용한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.1%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 95.4%였다.
상기 시트를 실시예 1과 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 250g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2380㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2360㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2340㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
(실시예 19)
PET대신에 폴리비닐알콜을 사용한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.3%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 95.7%였다.
상기 시트를 실시예 1과 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 240g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2370㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2370㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2340㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 1에 표시한다.
반사율(%) 접착강도(g/㎝) 휘도(㏅/㎠) (휘선의 유무)
광열열악화시험 사용시간
전 후 0hr 2000hr 5000hr
실시예 1 96.3 95.5 200 2350(무) 2320(무) 2300(무)
실시예 2 96.4 95.5 250 2360(무) 2340(무) 2330(무)
실시예 3 96.8 96.5 210 2380(무) 2370(무) 2360(무)
실시예 4 97.0 96.5 250 2380(무) 2370(무) 2360(무)
비교예 1 97.0 40.2 - - - -
비교예 2 94.6 53.2보랏빛변색 - - - -
실시예 5 97.2 96.8 250 2400(무) 2390(무) 2380(무)
실시예 6 96.8 96.6 240 2380(무) 2380(무) 2350(무)
실시예 7 96.9 96.6 230 2390(무) 2380(무) 2360(무)
실시예 8 96.8 96.7 240 2400(무) 2370(무) 2380(무)
실시예 9 97.0 96.7 250 2390(무) 2390(무) 2370(무)
실시예 10 97.0 96.6 230 2390(무) 2390(무) 2370(무)
실시예 11 96.0 95.5 240 2290(무) 2280(무) 2280(무)
실시예 12 95.6 95.2 240 2310(무) 2300(무) 2270(무)
실시예 13 95.5 95.0 250 2280(무) 2280(무) 2260(무)
실시예 14 97.7 96.1 250 2350(무) 2340(무) 2330(무)
실시예 15 96.8 96.4 260 2390(무) 2380(무) 2350(무)
실시예 16 96.9 96.4 240 2390(무) 2360(무) 2340(무)
실시예 17 96.1 95.5 250 2380(무) 2360(무) 2330(무)
실시예 18 96.1 95.4 250 2380(무) 2360(무) 2340(무)
실시예 19 96.3 95.7 240 2370(무) 2370(무) 2340(무)
(실시예 20)
보호층의 두께를 55㎚로 한 이외는 실시예 3과 마찬가지로 해서 반사시트 및 램프리플렉터의 제작과 평가를 행하였다. 램프리플렉터에의 성형성에 약간 어려움이 있었으나, 성형은 가능하였다.
광열열악화시험전의 반사시트의 반사율은 96.3%이고, 광열열악화시험후의 반사시트의 반사율은 96.0%였다.
상기 시트를 실시예 3과 마찬가지로 해서 놋쇠판과 접착하였다. 접착후 180°피일강도로 측정했던바 260g/㎝였다.
이와 같이 형성된 판형상리플렉터를 액정디스플레이장치에 짜넣은 후, 장치를 기동시켰다. 디스플레이의 휘도는 2340㏅/㎡로 높은 위에, 화면상에 휘선의 발생은 없고, 선명한 화상이 얻어졌다. 사용시간이 2000hr인 때의 휘도는 2320㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 사용시간이 5000hr인 때의 휘도는 2290㏅/㎡이고, 휘선의 발생은 없었다. 따라서 경시적인 큰 변화도 볼 수 없었다. 결과를 표 2에 표시한다.
반사율(%) 접착강도(g/㎝) 휘도(cd/㎡)(휘선의 유무)
광열악화시험 사용시간
전 후 0hr 2000hr 5000hr
실시예20 96.3 96.0 260 2340(무) 2320(무) 2290(무)
본 발명은 그 정신 또는 주요한 특징으로부터 일탈하는 일 없이, 다른 여러 가지의 형태로 실시할 수 있다. 따라서, 상기의 실시형태는 모든 점에서 단순한 예시에 불과하고, 본 발명의 범위는 특허청구의 범위에 표시한 것으로써, 명세서 본문에는 하등 구속되지 않는다. 또한 특허청구의 범위에 속하는 변형이나 변경은 모두 본 발명의 범위내의 것이다.
본 발명의 목적, 특색, 및 이점은 하기의 상세한 설명과 도면으로부터 보다 명확하게 될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시의 한 형태인 반사체를 표시하는 단면도.
도 2는, 본 발명의 실시의 다른 형태인 반사체를 표시하는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시의 한 형태인 램프리플렉터를 표시한 단면도.
도 4는, 본 발명의 실시의 다른 형태인 램프리플렉터의 사시도.
도 5는 도 4에 표시되는 램프리플렉터의 축직각 단면도.
도 6은 본 발명의 실시의 다른 형태인 램프리플렉터를 사용한 사이드라이트형 백라이트의 사시도.

Claims (11)

  1. 적어도 기재(A)에 밑바탕층(B)과, 은을 주체로 하는 금속층(C)과, 무기물로 이루어진 보호층(D)으로 이루어진 반사층을 가진 램프리플렉터로써, 온도100℃에서 300시간, 조사강도500㎽/㎠의 의사태양광을 반사층쪽으로부터 조사후의 파장 550㎚에 있어서의 전체반사율이 90%이상인 것을 특징으로 하는 램프리플렉터.
  2. 제1항에 있어서,
    밑바탕층(B)이 금, 은, 동, 니켈,철, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈, 크롬, 인듐, 망간, 티탄 또는, 팔라듐으로부터 선택된 금속의 단체 및/또는 이들의 2종류이상으로 이루어진 합금으로 이루어지고, 두께가 5㎚이상 50㎚이하의 금속층 및/또는 두께가 1㎚이상 20㎚이하의 금속염층 또는 금속산화물층인 것을 특징으로 하는 램프리플렉터.
  3. 제1항에 있어서,
    은을 주체로 하는 금속층(C)이, 은 단체 또는 은을 주체로 한 합금으로 이루어지고 상기층의 두께가 70㎚이상 400㎚이하인 것을 특징으로 하는 램프리플렉터.
  4. 제1항에 있어서,
    무기물로 이루어진 보호층(D)이 금, 은, 동, 니켈,철, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈, 크롬, 인듐, 망간, 티탄 또는, 팔라듐으로부터 선택된 금속의 단체 및/또는 이들의 2종류이상으로 이루어진 합금으로 이루어지고, 두께가 5㎚이상 50㎚이하의 금속층 및/또는 두께가 1㎚이상 20㎚이하의 투명산화물층인 것을 특징으로 하는 램프리플렉터.
  5. 제1항에 있어서,
    밑바탕층(B)과 보호층(D)과의 두께의 합과 은을 주체로 하는 층(C)의 두께와의 비가 0.005∼0.3인 것을 특징으로 하는 램프리플렉터.
  6. 제1항에 있어서,
    기재의 (A)의 반사층과는 반대쪽의 면에 요철형상을 가진 것을 특징으로 하는 램프리플렉터.
  7. 제1항에 있어서,
    금속 또는 고분자제의 판 또는 시트로 이루어진 지지체를 또 포함한 것을 특징으로 하는 램프리플렉터.
  8. 제1항에 있어서,
    반사층쪽의 곡률반경이 5㎜이하인 것을 특징으로 하는 램프리플렉터.
  9. 적어도 기재(A)에 밑바탕층(B)과, 은을 주체로 하는 금속층(C)과, 투명산화물을 주체로 하는 보호층(D2)으로 이루어진 반사층을 가지고, 온도100℃에서 300시간, 조사강도500㎽/㎠의 의사태양광을 반사층쪽으로부터 조사후의 파장 550㎚에 있어서의 전체반사율이 90%이상인 것을 특징으로 하는 반사체.
  10. 제9항에 있어서,
    밑바탕층(B)과 보호층(D2)과의 두께의 합과 은을 주체로 하는 층(C)의 두께와의 비가 0.005∼0.3인 것을 특징으로 하는 반사체.
  11. 제9항에 있어서,
    보호층(D2)이 산화알루미늄이 5중량%이하 도프된 산화아연, 갈륨이 10중량%이하 도프된 산화아연으로부터선택되는 두께 1㎚이상 20㎚이하의 층인것을 특징으로 하는 반사체.
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Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040216406A1 (en) * 2001-10-31 2004-11-04 Ken Egashira Decorative structure
US7137718B2 (en) * 2001-10-31 2006-11-21 3M Innovative Properties Company Automotive lamp
US7175293B2 (en) * 2001-11-02 2007-02-13 3M Innovative Properties Company Decorative article and vehicular lamp
WO2004013664A1 (ja) * 2002-07-24 2004-02-12 Yupo Corporation 光反射体
SE523348C2 (sv) * 2002-08-15 2004-04-13 Totalfoersvarets Forskningsins Genomsynlig ruta med radarreflekterande egenskaper
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
JP4062171B2 (ja) 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
DE10325437A1 (de) * 2003-06-05 2004-12-23 Bayer Materialscience Ag Polycarbonat-Formkörper mit geringer Staubanziehung
US7164134B2 (en) * 2003-08-01 2007-01-16 General Electric Company High performance CT reflector for a scintillator array and method for making same
US7221329B2 (en) * 2003-12-24 2007-05-22 James Henly Cornwell Enhanced beam antenna
US20050168996A1 (en) * 2004-01-30 2005-08-04 Koegler John M.Iii Integral reflector and heat sink
AU2005225985A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-06 Avery Dennison Corporation Lighting system with a passive phosphorescent light source
DE602005008719D1 (en) * 2004-03-12 2008-09-18 Avery Dennison Corp Notinformationsschild
EP1723625B1 (en) * 2004-03-12 2010-09-22 Avery Dennison Corporation Emergency information lighting system
DE102004034369B4 (de) * 2004-07-16 2007-04-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halogenlampe
WO2006054228A2 (en) * 2004-11-18 2006-05-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illuminator and method for producing such illuminator
WO2006069469A1 (en) * 2004-12-27 2006-07-06 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Method of nano thin film thickness measurement by auger electron spectrscopy
CN100529876C (zh) * 2005-04-12 2009-08-19 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 背光模组
US20070030568A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-08 Tohoku University Future Vision Inc. High-reflectance visible-light reflector member, liquid-crystal display backlight unit employing the same, and manufacture of the high-reflectance visible-light reflector member
JP4655813B2 (ja) * 2005-08-09 2011-03-23 株式会社日立製作所 リフレクタ及びそれを用いた投射型画像表示装置
EP1831756B1 (en) 2005-08-31 2018-02-21 LG Chem, Ltd. Reflection plate for backlight unit and backlight unit of liquid crystal display having good thermal conductivity
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US20070147049A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Collins Byron R Leveling of reflector
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US8264138B2 (en) 2006-01-20 2012-09-11 Cree, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
US20070227633A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-04 Basol Bulent M Composition control for roll-to-roll processed photovoltaic films
US7736913B2 (en) * 2006-04-04 2010-06-15 Solopower, Inc. Composition control for photovoltaic thin film manufacturing
TWI350410B (en) * 2006-08-11 2011-10-11 Chimei Innolux Corp Backlight module and display device using the same
US20080116245A1 (en) * 2006-11-17 2008-05-22 General Electric Company Lamp-based swet welding apparatus
US8367200B2 (en) * 2007-01-11 2013-02-05 Kobe Steel, Ltd. Reflecting film excellent in cohesion resistance and sulfur resistance
JP5049417B2 (ja) * 2007-02-07 2012-10-17 スタンレー電気株式会社 車両用灯具のリフレクター
US20080198572A1 (en) * 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
WO2009001725A1 (ja) * 2007-06-28 2008-12-31 Sharp Kabushiki Kaisha バックライト装置、液晶表示装置、および照明装置
TWM330414U (en) * 2007-10-08 2008-04-11 hong-yi Cai Lamp shell with optical reflection illumination structure
US8322881B1 (en) 2007-12-21 2012-12-04 Appalachian Lighting Systems, Inc. Lighting fixture
US20090175043A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-09 Night Operations Systems Reflector for lighting system and method for making same
US20090167182A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Night Operations Systems High intensity lamp and lighting system
US20090168445A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Night Operations Systems Covert filter for high intensity lighting system
US20090226802A1 (en) * 2008-01-31 2009-09-10 Night Operations Systems Connector for battery pack of lighting system
US20100133094A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Transparent conductive film with high transmittance formed by a reactive sputter deposition
KR101485226B1 (ko) 2009-07-10 2015-01-22 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 광반도체 장치용 리드 프레임, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법 및 광반도체 장치
TWI396905B (zh) * 2009-09-15 2013-05-21 Young Lighting Technology Corp 背光模組
DE102009045170A1 (de) * 2009-09-30 2011-04-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element und Verfahren zum Betrieb einer EUV-Lithographievorrichtung
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
KR101753226B1 (ko) 2009-12-24 2017-07-04 에스엠알 페턴츠 에스.에이.알.엘. 플라스틱 자동차용 거울
JP5719179B2 (ja) * 2010-01-25 2015-05-13 株式会社神戸製鋼所 反射膜積層体
CN102213781A (zh) * 2010-04-07 2011-10-12 盛玉林 反射板
CN102213782A (zh) * 2010-04-08 2011-10-12 盛玉林 反射片
DE102010020211A1 (de) * 2010-05-10 2011-11-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Vorrichtung mit einem Träger und Verfahren zur Herstellung eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement
CN101866029B (zh) * 2010-06-09 2011-09-21 宁波激智新材料科技有限公司 抗变形光学反射薄膜、液晶显示装置及led照明设备
WO2011158677A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 コニカミノルタオプト株式会社 太陽光反射用フィルムミラー及び太陽熱発電用反射装置
TWI447441B (zh) * 2010-11-08 2014-08-01 Ind Tech Res Inst 紅外光阻隔多層膜結構
EP3591462B1 (en) * 2011-04-04 2022-06-01 Lg Innotek Co. Ltd Lighting apparatus
US8840278B2 (en) * 2011-09-20 2014-09-23 Cree, Inc. Specular reflector and LED lamps using same
US20130078908A1 (en) 2011-09-27 2013-03-28 Rivada Research, Llc Method and System for Providing Explosion Proof Emergency Communication Relay Module
TWI438375B (zh) 2011-11-25 2014-05-21 Lextar Electronics Corp 光源模組及其光源組件
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
WO2014130033A2 (en) * 2013-02-21 2014-08-28 Empire Technology Development Llc Shape memory alloy apparatus and methods of formation and operation thereof
CN104006350A (zh) * 2013-02-27 2014-08-27 广东金莱特电器股份有限公司 一种led灯反光罩结构
CN104676491A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 台达电子工业股份有限公司 波长转换装置
KR20170086465A (ko) * 2014-11-17 2017-07-26 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 반사 물품 및 제조 방법
JP6799282B2 (ja) * 2015-07-27 2020-12-16 コニカミノルタ株式会社 銀反射鏡並びにその製造方法及び検査方法
JP6587574B2 (ja) * 2015-08-04 2019-10-09 株式会社神戸製鋼所 積層膜及び熱線反射材
CN105161963B (zh) * 2015-09-30 2018-11-23 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种片状激光放大器
KR102642554B1 (ko) * 2016-02-02 2024-02-28 에스케이넥실리스 주식회사 금속 적층체 및 그 제조방법
US20180210137A1 (en) * 2017-01-26 2018-07-26 Hortek Crystal Co., Ltd. Backlight module of liquid crystal display and manufacturing method thereof
WO2018232303A1 (en) * 2017-06-16 2018-12-20 Mcpeak Kevin Michael Metal-semiconductor-metal plasmonic device and absorber and method for making the same
KR101958091B1 (ko) * 2017-06-29 2019-03-13 이상봉 백라이트 유닛용 반사시트 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
CN107588401A (zh) * 2017-10-23 2018-01-16 德清县大同金属制品有限公司 一种微型背光单元的反射面板及其制造方法
FR3083624B1 (fr) * 2018-07-06 2021-02-12 Aml Systems Element optique destine a modifier la repartition d'un faisceau lumineux, pour projecteur de vehicule automobile.
CN109738979B (zh) * 2019-03-07 2021-02-23 合肥京东方光电科技有限公司 反射片和背光模组
CN110398861A (zh) * 2019-09-03 2019-11-01 东莞市利锦电子有限公司 一种带有反射片功能的胶铁
CN110488403A (zh) * 2019-09-04 2019-11-22 东莞市利锦电子有限公司 一种不锈钢高反射率的反射片及其加工工艺

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08132555A (ja) * 1994-11-09 1996-05-28 Mitsui Toatsu Chem Inc 反射板及びそれを用いたストロボ用反射傘

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1953796A (en) 1932-03-29 1934-04-03 Gen Electric Metal mirror
JP2503160B2 (ja) 1991-05-30 1996-06-05 三井東圧化学株式会社 反射体
TW205099B (ko) * 1991-05-30 1993-05-01 Mitsui Toatsu Chemicals
JPH073435A (ja) * 1993-04-22 1995-01-06 Mitsubishi Materials Corp 高耐食性Ａｇ−Ｍｇ合金、および、その薄膜
BE1007300A3 (nl) 1993-07-19 1995-05-09 Innovative Sputtering Tech Reflector.
DE4343904C3 (de) 1993-12-22 1999-11-04 Mtu Muenchen Gmbh Bauteil aus faserverstärktem Verbundwerkstoff mit einer Schutzschicht gegen Erosion
JP3447175B2 (ja) 1995-05-31 2003-09-16 三井化学株式会社 反射体及びそれを用いた反射部材
TW314600B (ko) * 1995-05-31 1997-09-01 Mitsui Toatsu Chemicals
JP2001133613A (ja) * 1999-11-05 2001-05-18 Ichikoh Ind Ltd 反射基板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08132555A (ja) * 1994-11-09 1996-05-28 Mitsui Toatsu Chem Inc 反射板及びそれを用いたストロボ用反射傘

Also Published As

Publication number Publication date
CN1384393A (zh) 2002-12-11
TWI243095B (en) 2005-11-11
EP1253373A2 (en) 2002-10-30
KR20020083439A (ko) 2002-11-02
EP1253373A3 (en) 2005-03-16
US6906863B2 (en) 2005-06-14
US20020196628A1 (en) 2002-12-26
CN1237376C (zh) 2006-01-18

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