KR100491953B1 - 플라즈마처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 플라즈마처리방법에서는, 캐소드전극의 이면위에 캐소드전극 및 대향전극으로부터 직류전위적으로 절연된 적어도 하나의 도전체판이 설치되고, 도전체판의 이면위의 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극에 의해 형성된 결합용량에 대한, 캐소드전극과 대향전극에 의해 형성된, 전극간결합용량의 비율이 소정의 값이상이 되도록, 캐소드전극과 도전체판이 차폐벽에 의해 포위된다. 이에 의해, 고품질, 고속의 플라즈마처리를 실현할 수 있다.

Description

플라즈마처리방법 및 장치{PLASMA PROCESSING METHOD AND APPARATUS}
본 발명은 고주파방전을 이용하는 퇴적막형성방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 태양전지, 광기전력소자 및 디스플레이 등의 실리콘계의 비정질 또는 미세결정반도체의 제조에 이용되는 플라즈마CVD장치, 플라즈마에칭장치 등을 위한 플라즈마 처리방법 및 장치에 관한 것이다.
종래에, 플라즈마를 이용하여 기능성박막을 형성하는 퇴적막형성방법에 있어서, 일반적으로 13.56MHz로 부터 VHF대역 또는 마이크로파대역까지의 고주파플라즈마를 사용하여, 비결정박막 또는 결정계 박막을 이용한 반도체소자, 광기전력소자 등이 실현되었다.
예를 들면, 고주파플라즈마를 이용하는 플라즈마CVD방법에 있어서, 태양전지 등의 실리콘계 반도체소자의 비결정박막 또는 결정계 박막이 형성되었다.
고품질 비결정박막 또는 결정계 박막을 실현하기 위하여, 고품질 박막을 얻는데 필요한 라디칼만을 발생시켜서, 표면반응을 야기하는 것이 중요하다. 이것을 달성하기 위하여, 고주파전력의 공급량을 감소시켜, 고품질 박막을 형성하기 위해 불필요한 라디칼생성을 제어한다.
그러나, 이러한 방법은 생산성에 불충분하고, 공업화에 응용하는 것이 적합하지 않다. 따라서, 퇴적속도를 증가시키기 위한 노력이 있어 왔다. 그러나, 이것을 달성하기 위해서는, 대량의 원료가스를 분해하는 것이 필요하므로, 고주파전력의 공급량을 증가시키고, 또한 고주파전력의 주파수를 상승시켜서 플라즈마의 밀도를 증가시키는 것이 효과적이다.
그러나, 고주파전력의 증가에 의해, 양호한 품질의 박막을 형성하는 데 필요한 라디칼 뿐만 아니라 막의품질을 저하하는 라디칼 또는 이온의 형성을 초래한다. 또한, SiH2 등의 액티브라디칼은, 클러스터형상으로 성장하기 쉽고, SiH2 등의 액티브라디칼을 다량함유하는 플라즈마는, 반도체박막에 SiH2 또는 클러스터와 결합하여 결함이 있는 막을 형성하므로, 양호한 반도체박막을 얻을 수 없다.
예를 들면, 본 발명자는, 500mm×850mm평행평판형 캐소드를 가지는 플라즈마CVD장치를 사용하고 13.56MHz의 고주파전력을 공급함으로써 500mm×850mm기판(접지전극으로도 가능함)위에 막퇴적속도 15Å/sec로 비결정실리콘막을 형성하는 경우에, 박막의 SiH2함유량은 대략 10%이르고, 이에 의해 최상의 박막을 얻는데 실패한다. 이에 반하여, 원료가스흐름방향으로 방전공간의 단부에서 부생성물로서 분말물질(폴리실란분말 등)이 발생하는 문제가 생긴다.
지금까지 얻은 보고에 의하면, 펄스형상의 고주파전력을 인가하여 클러스터에 액티브라디칼의 성장을 억제하고, 이에 의해 분말물질등의 발생을 방지하는 방법 등이 시도되어 왔다.
예를 들면, 일본국 특개평 5-226681호 공보, 동 5-51753호 공보 및 동 8-20874호 공보 등에는, 고주파전력에 증폭변조를 인가함으로써 막형성더스트의 저감방법 및 플레이크의 저감방법이 기재되어 있다. 그러나, 형성된 막질의 특성데이터는 거의 기재되어 있지 않고, 퇴적속도는 분명하게 기재되어 있지 않다.
본 발명자는 종래의 평행평판형 전극에 저주파펄스변조로 고주파전력을 인가하고, 그 결과를 연구하였다. 그러나, 펄스변조주파수와 듀티(duty)를 변경시키는 경우에도, 형성된 반도체박막의 SiH2함유량은 거의 감소하지 않았고, 광/암도전율 등의 양호한 막특성을 가지는 박막을 얻을 수 있었다. 또한, 막의 퇴적속도는 대략 3Å/sec로 낮았다. 그 이유는 변조펄스의 상승에서 인가된 방전개시전압이 높아지고, 이에 의해 가스는 다양한 종류의 라디칼과 이온으로 분해되고, 고품질 박막을 형성하기 위해 필요한 이들 라디칼만을 선택적으로 대량으로 발생시킬 수 없다.
그러므로, 종래방법에 의하면, 퇴적막의 결함밀도는 가스중합화 또는, 이온충격에 의해 증가하여, 양호한 막질을 얻기가 어려우므로, 생산성에서 3Å/sec 이하의 막형성속도를 채택하는 것이 일반적으로 고려되고 있다.
그러나, 실리콘계 비결정박막 또는 결정박막 등의 반도체를 이용하는 디스플레이 또는 태양전지 등의 대면적 생산품의 생산성의 개선을 위하여, 종래보다 양호한 품질의 실리콘계 비결정박막 또는 결정박막등의 반도체의 막을 고속으로 대면적으로 형성하는 것이 필요하다. 스퍼터링장치 및 에칭장치와 유사한 문제점이 있다.
그러므로, 본 발명의 목적은, 상기한 문제점을 해결하여, 고품질, 고속의 플라즈마처리를 행할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 결함 또는 광열화가 없는 고품질퇴적막을 고속으로 대면적으로 형성할 수 있고, 또한 플라즈마CVD방법, 스퍼터링방법 등을 사용하여 퇴적막형성에서도 고품질퇴적막을 고속으로 대면적으로 형성할 수 있는 퇴적막형성방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 제 1측면에 의하면, 캐소드전극과 상기 캐소드전극에 대향하는 대향전극이 설치된 방전공간에 가스를 도입하고, 고주파전력에 의해 가스를 플라즈마로 변환하여 물품을 처리하는 플라즈마처리방법으로서,
방전공간에 대하여 캐소드전극의 이면에, 캐소드전극과 대향전극으로부터 직류전위적으로 절연된 적어도 하나의 도전체판을 설치하는 단계와;
방전공간에 대하여 도전체판이면위의 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극에 의해 형성된 결합용량에 대한, 캐소드전극과 대향전극에 의해 형성된, 전극간결합용량의 비율이 소정의 값이상이 되도록, 캐소드전극과 도전체판을 차폐벽에 의해 포위하여 방전공간을 형성하는 단계와;
캐소드전극에 펄스변조된 고주파전력을 공급하여 가스를 플라즈마로 변환하는 단계와를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법을 제공한다.
도전체판이면위의 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극에 의해 형성된 결합용량에 대한, 캐소드전극과 대향전극에 의해 형성된, 전극간결합용량의 비율은 1/3이상으로 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법인 것이 바람직하다.
펄스변조의 변조주파수를 50Hz 내지 100KHz로 설정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법인 것이 바람직하다.
펄스변조의 변조주파수의 주기에 대한 고주파투입시간의 비율(duty)은 15% 내지 60%의 범위내로 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법인 것이 바람직하다.
전원주파수가 30MHz 내지 150MHz의 고주파전력은 고주파전력으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법인 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2측면에 의하면, 캐소드전극과 상기 캐소드전극에 대향하는 대향전극이 설치된 방전공간을 가지고, 방전공간에 가스를 도입하고 고주파전력에 의해 가스를 플라즈마로 변환하여, 물품을 처리하는 플라즈마처리장치로서,
캐소드전극의 이면위에 설치되고, 캐소드전극과 대향전극으로부터 직류전위적으로 절연된 적어도 하나의 도전체판과;
캐소드전극과 도전체판을 포위하는 차폐벽과;
방전공간에 대하여 도전체판의 이면위의 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극에 의해 형성된 결합용량에 대한, 캐소드전극과 대향전극에 의해 형성된, 전극간결합용량의 비율이 소정의 값이상이 되도록 형성된 방전공간과;
펄스변조된 고주파전력을 방전공간에 공급하는 전원공급수단과;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치를 공급한다.
방전공간에 대하여 도전체판의 이면위의 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극에 의해 형성된 결합용량에 대한, 캐소드전극과 대향전극에 의해 형성된, 전극간결합용량의 비율이 1/3이상이 되도록 플라즈마처리장치가 구성된 플라즈마처리장치인 것이 바람직하다.
50Hz 내지 100KHz로 펄스변조의 변조주파수를 설정하는 펄스변조수단을 부가하여 포함하는 플라즈마처리장치인 것이 바람직하다.
펄스변조의 변조주파수의 주기에 대한 고주파투입시간의 비율(duty)을 15% 내지 60%범위내에서 설정하는 수단을 부가하여 포함하는 플라즈마처리장치인 것이 바람직하다.
주파수 30MHz 내지 150MHz의 고주파전력이 고주파전원으로부터 고주파전력으로서 공급되도록 플라즈마처리장치가 구성된 플라즈마처리장치인 것이 바람직하다.
대향전극은 접지전극인 것이 또한 바람직하다.
또한, 대향전극은 기판 등의 처리될 물품(이하 "물품"이라 칭함)으로서 또한 기능해도 된다.
본 발명의 실시예를 참조하면서, 상기한 구성을 가진 플라즈마CVD장치를 하기에 설명한다.
상기 장치에서는, 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극의 결합용량에 대한, 전극간결합용량의 비율을 종래의 장치보다 크게 하고, 또한 상기한 바와 같이 도전체판을 형성함으로써, 방전공간으로의 전력방사를 개선하여 퇴적막의 퇴적속도를 한층 더 증가시킬 수 있다.
또한, 전극간결합용량이 크므로, 변조펄스의 상승시에의 방전개시전압이 낮아지도록 제어할 수 있고, 이에 의해 높은 박막형성속도를 유지하면서 이온에 의한 박막에 대한 손상 또는 각 변조펄스주기에서 방전개시시에 생성된 액티브라디칼의 박막에 결합을 방지하는 것이 가능하게 된다. 또한, 막형성시에 부생성물로서 분말물질의 발생은 억제될 수 있다.
또한, 퇴적막형성방법을 이용하여, 대면적의 반응공간에서 10Å/sec이상의 높은 막형성속도를 유지하면서, 종래보다 댕글링본드가 거의 없는 뛰어난 비정질 및 미세결정실리콘막을 형성할 수 있다. 또한, 광열화가 거의없는 반도체박막을 형성할 수 있다.
본 발명은 플라즈마CVD장치뿐만 아니라 스퍼터링장치 및 에칭장치에 응용될 수 있고, 또한 대면적의 고속플라즈마처리장치를 실현할 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
이상은, 다양한 조건에서 행한 발명자의 연구결과로서 다음의 발견에 의거하여 얻을 수 있다.
즉, 본 발명자는, 용량결합형 평행평판전극구조에서, 캐소드전극의 이면에, 대향전극 으로서 접지전극과 캐소드전극으로부터 직류전위에 대해서 절연 되도록한 상태에서 도전체판이 설치되고, 도전체판의 이면위의 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극에 의해 형성된 결합용량이 대략 360pF이고, 전극간결합용량이 120pF이상이고, 적절한 펄스변조주파수 및 듀티는 선택될 수 있고, 또한 VHF대역의 고주파전력이 변조되고 이에 의해 방전공간에 공급되어, 박막의 SiH2함유량을 극도로 감소시키면서, 고속으로 막을 형성할 수 있는것을 발견하였다. 또한, 부생성물인 폴리실란이라 불리는 분말물질의 발생이 현저히 억제되는 것을 발견하였다.
그 때문에, 각 펄스상승시에 방전개시전압을 감소할 수 있고, 이에 의해 높은 방전개시전압에서 생성된 액티브라디칼의 생성을 억제할 수 있고 클러스터의 발생을 억제할 수 있고, 또한 고주파전력의 효율적인 공급을 개선하여, 고속으로 막을 형성하면서 방전개시전압에 기인한 이온에 의한 박막의 손상을 억제할 수 있는 것이 명백해졌다.
본 발명의 실시예에서, 상기 구성을 채택함으로써, 또한 캐소드전극과 접지전극 사이의 방전공간에 고주파 전력을 변조주파수 50Hz 내지 100Hz 범위내에서 펄스변조를 행하면서 공급함으로써, 막에 SiH2 등의 액티브라디칼의 결합을 2%이하로 할 수 있고, 또한 부생성물인 분말물질의 생성을 보다 효율적으로 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에서는, 상기 구성을 채택함으로써, 또한 15% 내지 60% 범위내의 듀티를 가진 펄스변조를 행하면서 캐소드전극과 접지전극 사이의 방전공간에 고주파전력을 공급함으로써, 막에 SiH2 등의 액티브라디칼의 결합을 2%이하로 할 수 있고, 또한 부생성물인 분말물질의 발생을 보다 효율적으로 억제할 수 있다.
본 발명의 실시예는, 고주파플라즈마가 펄스변조되고 이용된 퇴적막형성방법에 효과적으로 응용될 수 있다. 특히, 효과는 30MHz 내지 150MHz범위내에서 현저하다.
본 발명의 실시예는, 첨부한 도면을 참조하면서 보다 상세하게 이하 설명한다.
도 1 및 도 2는, 본 발명의 실시예에 의한 퇴적막처리장치의 실시예를 각각 도시한다.
도 1 및 도 2에서, (1)은 플라즈마CVD챔버를 형성하는 진공용기를 나타낸다. (2)는 플라즈마CVD챔버의 일부로부터 원료가스를 공급하고, 또한 플라즈마CVD챔버의 반응공간(12)에서 고주파글로우방전에 의해 퇴적막형성처리를 행하는 가스공급수단을 나타낸다. (3)은 플라즈마CVD챔버히터를 나타내고, (4)는 기판히터를 나타내고, (5)는 가스흐름방향을 나타낸다. (6)은 고주파전원을 나타낸다.
(7)은 캐소드전극(8)에 대향하는 접지전극(기판홀더)을 나타내고, (9)는 절연체(석영)를 나타내고, (10)은 캐소드전극(8)의 이면에 설치되고 캐소드전극(8)과 접지전극(7)으로부터 직류전위를 통하여 절연체(9)에 의해 직류전위적으로 절연된 도전체판을 나타낸다. 도1에는 3매의 도전체판이 형성되어 있고, 도2에는 1매의 도전체판이 형성되어 있다.
(11)은 차폐벽(차폐케이스)을 나타내고, (12)는 반응공간(방전공간)을 나타내고, (13)은 배기수단을 나타내고, (14)는 전극사이의 거리를 나타내고, (15)는 펄스변조회로를 나타내고, (16)은 차폐벽의 바닥면을 나타낸다.
방전공간은, 캐소드전극(8)과 도전체판(10)이 차폐벽(11)에 의해 거의 포위되도록 형성되고, 도전체판(10)의 이면위의 차폐벽의 바닥과 캐소드전극(8)에 의해 형성된 결합용량에 대한, 캐소드전극(8)과 접지전극(7)에 의해 형성된, 전극간결합용량의 비율이 대략 1/3이상이 되도록 형성된다.
다음에, 펄스변조를 행하면서 캐소드전극(8)에 고주파전력을 공급함으로써, 또한 주파수, 반응공간압력, 전극간결합용량 및 원료가스의 종류를 적절하게 조정함으로써, 대면적으로 고속막형성을 실현하면서 고품질 퇴적막을 형성하는 것이 가능하다.
그러므로, 퇴적막을 형성하는 경우에 부생성물인 폴리실란 분말의 발생을 효과적으로 억제할 수 있고, 현저하게 높은 생산성을 가진 퇴적막형성방법 및 장치를 제공할 수 있다.
이상은 본 발명의 실시예이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
（실시예 1）
실시예 1에서는, 도 1에 도시한 구성을 가진 본 발명에 의한 플라즈마CVD를 이용하는 퇴적막형성방법 및 장치를 사용하여 비결정실리콘막의 SiH2함유량의 변화를 관찰하기 위한 실험을 행한다.
반응공간은 510mm×510mm이고, 캐소드전극크기는 504mm×504mm이고, 또한 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극의 결합용량(210pF)에 대한 전극간결합용량(40pF)의 비율(이하 "전극결합용량비"라 칭함)은 대략 1/5이다.
막형성처리는 다음의 수순에 의해 행해진다. 우선, 진공용기(1)를 배기수단에 의해 1Pa이하로 배기한다. 다음에, 흐름속도 100sccm로 아르곤가스를 도입하고, 또한 반응챔버내의 압력을 13Pa로 유지한다.
다음에, 전력을 기판히터에 공급하고, 이 상태를 2시간동안 유지한다. 플라즈마CVD챔버에서 기판의 온도를 안정하게 한 후에, 아르곤가스를 중지하고, 가스공급수단(2)으로부터 500sccm로 원료가스SiH2가 공급되고, 1000sccm로 희석용 수소가스가 공급된다.
다음에, 플라즈마반응공간내의 압력은 133Pa로 제어되고, 또한 고주파전력 VHF 30MHz, 300W를 변조주파수 10KHz, 듀티 50%로 변조하고, 캐소드전극에 인가하고 8분동안 막형성을 행한다. 따라서, VHF대역의 고주파전력은 실리콘웨이퍼기판위에 비결정실리콘막을 퇴적하기 위해 공급된다.
다음에, 고주파전력의 공급을 중지하고, 원료가스, 희석가스 및 히터전력의 공급을 중지한다. 다음에, 진공용기의 내부와 배기수단을 정화하고, 또한 N2가스를 사용하여 장치를 대기압으로 하였다.
그 후, 실리콘웨이퍼기판위에 퇴적된 비결정실리콘막에서 수소원자의 함유량은 FT-IR(파킨엘머사 제품, 상품명:1720X)을 사용하여 투과법에 의해 적외흡수스펙트럼의 2007cm-1(SiH) 및 2085cm-1(SiH2)의 흡수량으로 측정되고 평가되었다.
그 결과, 비결정실리콘막에서 SiH2함유량은 27%로 높다. 또한, 방전공간에 폴리실란이 부착되어 양호한 박막을 얻을 수 없었다.
다음에, 전극사이의 거리는 전극결합용량비를 1/3로 변화시키기 위해 변화하고, 막형성은 상기한 수순에 따라 행한다.
전극결합용량비가 1/3이므로, 폴리실란이 발생하지 않고, 방전이 안정하게 된다.
다음에, 샘플기판에 형성된 박막의 SiH2함유량은 상기한 방법에 의해 측정되고, 1.9%의 양호한 결과를 얻었다.
또한, 전극사이의 거리는 전극결합용량비를 1/1로 증가시키기 위해 감소되는 경우에, 막형성은 상기한 수순에 따라 행해지고, 샘플기판에 형성된 박막의 SiH2함유량은 상기한 방법에 의해 측정되고, 0.2%의 양호한 결과를 얻었다.
(실시예 2)
실시예 2에서는, 도 1에 도시한 구성을 가진 본 발명에 의한 플라즈마CVD를 이용하는 퇴적막형성방법 및 장치를 사용하여 변조주파수에서 변화에 의존하여 비결정실리콘막의 광/암도전율 및 SiH2함유량의 변화를 관찰하기 위해 실험을 행하였다.
반응공간은 860mm×510mm이고, 캐소드전극크기는 854mm×504mm이고, 전극결합용량비는 1/1이다.
막형성처리는 다음의 수순에 의해 행한다. 우선, 진공용기(1)는 배기수단에 의해 1Pa이하로 배기한다. 다음에, 흐름속도 100sccm으로 아르곤가스를 도입하고, 반응챔버내의 압력을 13Pa로 유지한다.
다음에, 기판히터에 전력을 공급하고, 이 상태를 2시간동안 유지한다. 플라즈마CVD챔버에서 기판의 온도를 안정하게 한 후에, 아르곤가스를 중지하고, 또한 가스공급수단(2)으로부터 500sccm으로 원료가스 SiH2가 공급되고, 1000sccm으로 희석용 수소가스가 공급된다.
다음에, 플라즈마반응공간내의 압력은 133Pa로 제어하고, 고주파전력 VFH 60MHz, 800W를 변조주파수 50KHz, 듀티 50%로 변조하고, 캐소드전극에 공급하여 막형성을 8분동안 행한다. 따라서, 크기 854mm×504mm를 각각 가진 유리기판 및 실리콘웨이퍼기판위에 비결정실리콘막을 퇴적하기 위하여 고주파전력을 공급한다.
다음에, 고주파전력의 공급을 중지하고, 원료가스, 희석가스 및 히터전력의 공급을 중지한다. 다음에, 진공용기의 내부 및 배기수단을 정화하고, N2가스를 사용하여 장치를 대기압으로 하였다.
다음에, 비결정실리콘막샘플을 생성하기 위해 변조주파수를 200KHz로 변화시켜, 상기한 수순에서 막형성처리를 반복한다.
다음에, 실리콘웨이퍼기판에 퇴적된 각각의 비결정실리콘막의 수소함유량은 상기한 실시예 1에서의 측정방법을 이용하여 측정되고 평가되었다.
또한, 유리기판위에 퇴적된 비결정실리콘박막의 각각에 갭250㎛, 전체길이 5cm의 빗살형상 전극을 증착하고, 조사광 633nm, 4E15photons/cm2·sec의 레이저, 전원 및 미소전류계(HP사 제품, 상품명: 4140B)를 사용하여 만든 광감도측정기에 의해, 광도전율σp(S/cm)과 암도전율σd(S/cm)을 측정하고, 다음에 암도전율비에 대한 광도전율(σp/σd; 이하 "광/암 도전율비"라 칭함)을 산출한다.
그 결과, 도 5에 도시한 바와 같이, 변조주파수 50Hz 내지 10KHz에서 비결정실리콘막의 SiH2함유량이 1 원자%이하의 양호한 결과를 얻을 수 있고, 또한 광/암도전율비(σp/σd)는 5자리이상의 값을 나타내어 양호한 결과를 얻었다. 또한, 변조주파수 100KHz에서, 1.8% 원자%의 양호한 결과를 얻었다.
도 3은 상기한 펄스변조주파수 10KHz에서 측정한 바와 같은, 기판표면위의 지역(위치)에 좌우하는 막형성속도(퇴적속도)분포를 도시하는 그래프이고, 도 4는 상기한 펄스변조주파수 10KHz에서 얻은 광도전율, 암도전율 및 광/암도전율비의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 3 및 도 4에서, 횡좌표위의 위치는 도 1에서 기판의 상류단으로부터 가스흐름방향(5)으로의 거리를 나타낸다.
(실시예 3)
실시예 3에서는, 각각의 비결정실리콘막의 SiH2함유량은, 도 1에서 도시한 구성을 가진 본 발명에 의한 플라즈마CVD방법의 퇴적막형성장치를 이용하는 실시예 2에 기재한 수순에 의해 변조주파수 10KHz, 듀티 10% 내지 80%로 변화시켜서 결정된다.
플라즈마반응공간은 860mm×510mm이고, 캐소드전극크기는 854mm×504mm이고, 또한 전극결합용량비는 1/1이다. 희석수소가스 1000sccm, SiH4가스 500sccm를 플라즈마반응공간으로 흐르게 한다. 반응공간압력은 133Pa로 유지한다. 고주파전력 VHF 60MHz는 상기한 조건하에 펄스변조되고, 캐소드전극으로 인가되고, 또한 막형성을 10분간 행하여, 실리콘웨이퍼기판 및 유리기판위에 각각 비결정실리콘막을 퇴적하였다.
다음에, 실시예 1 및 실시예 2에 기재된 측정방법을 이용하여, 퇴적된 비결정실리콘막의 적외흡수스펙트럼 및 광/암도전율을 측정하고 평가하였다.
그 결과, 듀티 15% 내지 60%에 의해, 박막의 SiH2함유량은 도 6에 도시한 바와 같이 1 원자%이하이고, 또한 광/암도전율비(σp/σd)는 5자리이상의 값을 나타내어 양호한 결과를 얻었다. 그러나, 듀티 10%에 의해, 방전이 불안정하게 된다.
(실시예 4)
실시예 4에서는, 반응공간은 510mm×510mm이고, 캐소드전극크기는 504mm×504mm이고, 또한 전극결합용량비는 2/1로 설정된다.
막형성처리는 실시예 2에 기재된 수순에 따라 행해진다. 막형성을 위해, 플라즈마반응공간으로 SiH2원료가스 500sccm 및 희석수소가스 1000sccm를 흐르게 한다.
다음에, 플라즈마반응공간내의 압력을 133Pa로 제어하고, 고주파전력 VHF 150MHz, 800W를 변조주파수 10KHz, 듀티 50%로 펄스변조하고, 캐소드전극에 공급하고, 또한 막형성을 10분동안 행한다. 따라서, VHF대역의 고주파전력이 공급되고, 유리기판 및 실리콘웨이퍼기판위에 비결정실리콘막을 각각 퇴적한다.
다음에, VHF대역의 고주파전력을 중지하고, 원료가스, 희석가스 및 히터전력의 공급을 중지한다. 다음에, 진공용기의 내부 및 배기수단을 정화하고, H2가스를 사용하여 장치를 대기압으로 하였다.
다음에, 실시예 1 및 실시예 2에 기재된 측정방법을 이용하여, 유리기판 및 실리콘웨이퍼기판위의 비결정실리콘막에 대해 적외흡수스펙트럼 및 광/암도전율을 측정하고 평가하였다.
그 결과, 비결정실리콘막의 SiH2함유량은 0.2 원자%이고, 이는 양호한 비결정실리콘막으로 평가되었다.
(비교예)
비교예에서, 반응공간은 860mm×510mm이고, 캐소드전극크기는 854mm×504mm이고, 전극결합용량비는 1/1로 설정된다. SiH4유량 500sccm, H2유량 1000sccm, 막형성압력 133Pa 및 고주파전력 60MHz, 400W의 조건하에, 펄스변조의 인가없이 방전공간에 고주파전력을 공급한다. 막형성은 실시예 2의 수순에 따라 행한다.
다음에, 적외흡수스펙트럼은 실시예 1에 기재된 측정방법을 사용하여 측정하였다.
그 결과, 박막에서 SiH2함유량은 2.2 원자%이고, 이는 펄스변조에 의해 형성된 막의 품질에 대해 열등한 막품질을 나타낸다.
(실시예 5)
실시예 5에서는, 도 1에 도시한 구성을 가진 본 발명에 의한 플라즈마CVD를 이용하는 퇴적막형성장치를 사용하였고, 변조주파수 10KHz, 듀티 50%를 채택하여 유리기판위에 미세결정실리콘막을 퇴적하였다.
플라즈마반응공간은 510mm×510mm이고, 캐소드전극크기는 504mm×504mm이고, 또한 전극결합용량비는 1/2로 설정되었다. 플라즈마반응공간으로 희석수소가스 2000sccm 및 SiH4가스 50sccm을 흐르게 하고, 또한 유리기판을 가열하여 300℃로 유지하였다. 반응공간내의 압력은 266Pa로 유지하였다.
고주파전력 VHF 60MHz, 1200W을, 상기한 조건하에 펄스변조하고, 캐소드전극에 공급하고, 또한 막형성을 60분간 행하여, 유리기판위에 미세결정실리콘막을 퇴적하였다. 다음에, 퇴적된 미세결정실리콘막을 라만분광기(일본분광제품, 상품명: NRS200C)를 이용하여 측정하는 경우에, 결정성을 확인하기 위해 520cm-1의 근처에서 가파른 신호상승이 관찰되었다.
전극결합용량비가 종래의 비율 1/5보다 큰 1/2로 설정되고, 고주파전력이 펄스변조하에 공급되는 경우에, 종래에 얻은 막과 비교하여 결정성이 개선되는 것이 확인되었다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 상기한 실시예에 의하면, 특히 실리콘계 비결정박막 또는 미세결정박막 등의 반도체를 이용하는 생산품의 생산성을 개선할 수 있고, 또한 종래의 생산품보다 양호한 품질의 실리콘계 비결정박막 또는 미세결정박막 등의 반도체를 고속으로 대면적으로 형성할 수 있다. 또한, 피처리체에 결함이 발생하지 않고, 양호한 품질의 기능박막은 광열화가 없고 또한 고품질 박막을 형성할 수 있다.
또한, 플라즈마CVD방법, 스퍼터링방법 등을 사용하는 퇴적막형성에서, 대면적 플라즈마를 실현할 수 있고, 결함의 발생이 없이 퇴적막처리를 행할 수 있고, 이는 종래기술에서는 실현할 수 없다. 또한, 본 발명은 양호한 결과를 가지는 플라즈마에칭에 응용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 퇴적막처리장치의 일예를 도시하는 개략도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 퇴적막처리장치의 일예를 도시하는 개략도.
도 3은 실시예 2의 펄스변조주파수 10KHz에서 막형성속도(퇴적속도)분포를 도시하는 그래프.
도 4는 실시예 2의 펄스변조주파수 10KHz에서 광도전율분포를 도시하는 그래프.
도 5는 실시예 2에서 박막의 SiH2함유량의 펄스변조주파수에 대한 의존성을 도시하는 그래프.
도 6은 실시예 3에서 박막의 SiH2함유량의 펄스변조듀티(Duty)에 대한 의존성을 도시하는 그래프.
〈도면부호에 대한 간단한 설명〉
1 : 진공용기 2 : 가스공급수단
3 : 플라즈마CVD챔버히터 4 : 기판히터
5 : 가스흐름방향 6 : 고주파전원
7 : 접지전극(기판홀더) 8 : 캐소드전극
9 : 절연체(석영) 10 : 도전체판
11 : 차폐벽 12 : 반응공간
13 : 배기수단 14 : 전극간격
15 : 펄스변조회로 16 : 차폐벽의 바닥면

Claims (10)

  1. 캐소드전극과 상기 캐소드전극에 대향하는 대향전극이 설치된 방전공간에 가스를 도입하고, 고주파전력에 의해 가스를 플라즈마로 변환하여 물품을 처리하는 플라즈마처리방법으로서,
    방전공간에 대해서 캐소드전극의 이면에, 캐소드전극 및 대향전극으로부터 직류전위적으로 절연된 적어도 하나의 도전체판을 설치하는 단계와;
    방전공간에 대해서 도전체판의 이면위의 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극에 의해 형성된 결합용량에 대한, 캐소드전극과 대향전극에 의해 형성된 전극간결합용량의 비율이 소정의 값이상이 되도록, 캐소드전극과 도전체판을 차폐벽에 의해 포위하여 방전공간을 형성하는 단계와;
    펄스변조된 고주파전력을 캐소드전극에 공급하여 가스를 플라즈마로 변환하는 단계와;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 도전체판의 이면위의 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극에 의해 형성된 결합용량에 대한 캐소드전극과 대향전극에 의해 형성된 전극간결합용량의 비율은 1/3이상으로 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 펄스변조의 변조주파수는 50Hz 내지 100KHz로 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 펄스변조의 듀티는 15% 내지 60%범위내에서 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 고주파전력으로서 전원주파수가 30MHz 내지 150MHz의 고주파전력을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리방법.
  6. 캐소드전극과 상기 캐소드전극에 대향하는 대향전극이 설치된 방전공간을 가지고, 방전공간에 가스를 도입하고 고주파전력에 의해 가스를 플라즈마로 변환하여 물품을 처리하는 플라즈마처리장치로서,
    방전공간에 대하여 캐소드전극의 이면에 설치되고, 캐소드전극과 대향전극으로부터 직류전위적으로 절연된 적어도 하나의 도전체판과;
    캐소드전극과 도전체판을 포위하는 차폐벽과;
    방전공간에 대하여 도전체판의 이면위의 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극에 의해 형성된 결합용량에 대한, 캐소드전극과 대향전극에 의해 형성된, 전극간결합용량의 비율이 소정의 값이상이 되도록 형성된 방전공간과;
    펄스변조된 고주파전력을 방전공간에 공급하는 전력공급수단과;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 도전체판의 이면위의 차폐벽의 바닥면과 캐소드전극에 의해 형성된 결합용량에 대한, 캐소드전극과 대향전극에 의해 형성된 전극간결합용량의 비율이 1/3이상이 되도록 플라즈마처리장치가 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  8. 제 6항에 있어서, 50Hz 내지 100KHz로 펄스변조의 변조주파수를 설정하는 펄스변조수단을 부가하여 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  9. 제 6항에 있어서, 펄스변조의 변조주파수의 기간에 대한 고주파투입시간의 비율(duty)을 15% 내지 60%범위내에서 설정하는 수단을 부가하여 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  10. 제 6항에 있어서, 주파수 30MHz 내지 150MHz의 고주파전력이 고주파전원으로부터 고주파전력으로서 공급되도록 플라즈마처리장치가 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010080421A3 (en) * 2008-12-19 2010-08-26 Lam Research Corporation Controlling ion energy distribution in plasma processing systems

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10309711A1 (de) * 2001-09-14 2004-09-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Einätzen von Strukturen in einem Ätzkörper mit einem Plasma
JP2004095953A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Canon Inc 窒化シリコンの堆積膜形成方法
US7582185B2 (en) * 2002-12-26 2009-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Plasma-processing apparatus
JP2005050905A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Sharp Corp シリコン薄膜太陽電池の製造方法
US20050224343A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Richard Newcomb Power coupling for high-power sputtering
US20080008640A1 (en) * 2004-08-24 2008-01-10 Yukio Watanabe Cluster-Free Amorphous Silicon Film, and Method and Apparatus for Producing the Same
US20060065524A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Richard Newcomb Non-bonded rotatable targets for sputtering
US20060096855A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Richard Newcomb Cathode arrangement for atomizing a rotatable target pipe
JP2006323721A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Fuji Xerox Co Ltd データ管理システム及びデータサーバ及びデータ管理方法
US20060278524A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for modulating power signals to control sputtering
US7842355B2 (en) * 2005-11-01 2010-11-30 Applied Materials, Inc. System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties
US20070095281A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-03 Stowell Michael W System and method for power function ramping of microwave liner discharge sources
JP4966083B2 (ja) * 2007-04-25 2012-07-04 株式会社アルバック 成膜装置
US20130189446A1 (en) * 2008-09-03 2013-07-25 Dow Corning Corporation Low pressure high frequency pulsed plasma reactor for producing nanoparticles
US20100116334A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 United Solar Ovonic Llc Vhf energized plasma deposition process for the preparation of thin film materials
US8697197B2 (en) 2009-07-08 2014-04-15 Plasmasi, Inc. Methods for plasma processing
US8765232B2 (en) 2011-01-10 2014-07-01 Plasmasi, Inc. Apparatus and method for dielectric deposition
US9299956B2 (en) 2012-06-13 2016-03-29 Aixtron, Inc. Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices
US10526708B2 (en) 2012-06-19 2020-01-07 Aixtron Se Methods for forming thin protective and optical layers on substrates
JP6488150B2 (ja) * 2015-02-27 2019-03-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN105070627B (zh) * 2015-07-15 2017-06-27 大连理工大学 一种减少基片材料受高能离子轰击损伤的方法
US20200058469A1 (en) * 2018-08-14 2020-02-20 Tokyo Electron Limited Systems and methods of control for plasma processing

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0551753A (ja) * 1991-08-22 1993-03-02 Nissin Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ法及び装置
JPH0820874A (ja) * 1994-07-07 1996-01-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマｃｖｄ法による成膜方法
JPH08167594A (ja) * 1994-12-15 1996-06-25 Nissin Electric Co Ltd プラズマ処理装置
KR19990006837A (ko) * 1997-06-11 1999-01-25 스세이 슈조 전자 비임 여기 플라즈마 발생 장치
JPH11297496A (ja) * 1998-04-08 1999-10-29 Anelva Corp プラズマ処理装置
JP2000058297A (ja) * 1989-08-14 2000-02-25 Lam Res Corp プラズマ処理システム
JP2000133641A (ja) * 1996-03-29 2000-05-12 Hitachi Ltd プラズマ処理装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4461239A (en) * 1982-07-30 1984-07-24 Energy Conversion Devices, Inc. Reduced capacitance electrode assembly
JPS639117A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜形成装置
CH668145A5 (fr) * 1986-09-26 1988-11-30 Inst Microtechnique De L Unive Procede et installation de depot de silicium amorphe hydrogene sur un substrat dans une enceinte a plasma.
US4802968A (en) * 1988-01-29 1989-02-07 International Business Machines Corporation RF plasma processing apparatus
JPH029115A (ja) * 1988-06-28 1990-01-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH0469465U (ko) * 1990-10-22 1992-06-19
JPH05226681A (ja) 1992-02-13 1993-09-03 Sanyo Electric Co Ltd 樹葉状太陽電池
US6171674B1 (en) * 1993-07-20 2001-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Hard carbon coating for magnetic recording medium
JPH07230899A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ処理装置
JP2956494B2 (ja) * 1994-10-26 1999-10-04 住友金属工業株式会社 プラズマ処理装置
EP0801809A2 (en) * 1995-06-19 1997-10-22 The University Of Tennessee Research Corporation Discharge methods and electrodes for generating plasmas at one atmosphere of pressure, and materials treated therewith
KR100226366B1 (ko) * 1995-08-23 1999-10-15 아끼구사 나오유끼 플라즈마장치 및 플라즈마 처리방법
JP3119172B2 (ja) * 1995-09-13 2000-12-18 日新電機株式会社 プラズマｃｖｄ法及び装置
JP3238082B2 (ja) * 1996-05-16 2001-12-10 シャープ株式会社 電子デバイス製造装置
JP3122618B2 (ja) * 1996-08-23 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JPH1088358A (ja) * 1996-09-12 1998-04-07 Canon Inc プラズマｃｖｄ法によるアモルファスシリコン系堆積膜の形成方法
US6152071A (en) * 1996-12-11 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha High-frequency introducing means, plasma treatment apparatus, and plasma treatment method
JP3496423B2 (ja) * 1997-01-14 2004-02-09 日新電機株式会社 プラズマｃｖｄ法及び装置
JP3630982B2 (ja) 1997-05-22 2005-03-23 キヤノン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US6041734A (en) * 1997-12-01 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing
US20020056415A1 (en) * 1999-01-29 2002-05-16 Sharp Kabushiki Kaisha Apparatus and method for production of solar cells
JP4351755B2 (ja) * 1999-03-12 2009-10-28 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜作成方法および薄膜作成装置
US6478924B1 (en) * 2000-03-07 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Plasma chamber support having dual electrodes
US6857387B1 (en) * 2000-05-03 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multiple frequency plasma chamber with grounding capacitor at cathode
US6428859B1 (en) * 2000-12-06 2002-08-06 Angstron Systems, Inc. Sequential method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058297A (ja) * 1989-08-14 2000-02-25 Lam Res Corp プラズマ処理システム
JPH0551753A (ja) * 1991-08-22 1993-03-02 Nissin Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ法及び装置
JPH0820874A (ja) * 1994-07-07 1996-01-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマｃｖｄ法による成膜方法
JPH08167594A (ja) * 1994-12-15 1996-06-25 Nissin Electric Co Ltd プラズマ処理装置
JP2000133641A (ja) * 1996-03-29 2000-05-12 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
KR19990006837A (ko) * 1997-06-11 1999-01-25 스세이 슈조 전자 비임 여기 플라즈마 발생 장치
JPH11297496A (ja) * 1998-04-08 1999-10-29 Anelva Corp プラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010080421A3 (en) * 2008-12-19 2010-08-26 Lam Research Corporation Controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US9887069B2 (en) 2008-12-19 2018-02-06 Lam Research Corporation Controlling ion energy distribution in plasma processing systems

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