JP2001284262A - 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 - Google Patents
堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】大面積でかつ高速に成膜することができ、被処
理体に欠陥が発生することなく、機能膜及び高品質の薄
膜を形成することができ、また、プラズマＣＶＤ法やス
パッタリング法、エッチング法などを用いた堆積膜形成
装置においても大面積プラズマを実現し、欠陥のない、
より良好な堆積膜処理が可能な堆積膜形成装置及び堆積
膜形成方法を提供する。 【解決手段】カソード電極に高周波電力を印加して原料
ガスをプラズマ化し、反応空間内の基板上にプラズマＣ
ＶＤ法により堆積膜を形成する堆積膜形成装置または方
法において、前記カソード電極の下部及びその周辺での
放電、並びに該カソード電極の下部への原料ガスとプラ
ズマの回り込みを抑えるように構成する。
理体に欠陥が発生することなく、機能膜及び高品質の薄
膜を形成することができ、また、プラズマＣＶＤ法やス
パッタリング法、エッチング法などを用いた堆積膜形成
装置においても大面積プラズマを実現し、欠陥のない、
より良好な堆積膜処理が可能な堆積膜形成装置及び堆積
膜形成方法を提供する。 【解決手段】カソード電極に高周波電力を印加して原料
ガスをプラズマ化し、反応空間内の基板上にプラズマＣ
ＶＤ法により堆積膜を形成する堆積膜形成装置または方
法において、前記カソード電極の下部及びその周辺での
放電、並びに該カソード電極の下部への原料ガスとプラ
ズマの回り込みを抑えるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波放電を利用
した堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法であって、主に
シリコン系の非晶質、及び微結晶半導体の製造に用いら
れるプラズマＣＶＤ装置及び方法や、プラズマエッチン
グ法等による堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法に関す
る。
した堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法であって、主に
シリコン系の非晶質、及び微結晶半導体の製造に用いら
れるプラズマＣＶＤ装置及び方法や、プラズマエッチン
グ法等による堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマを用いた堆積膜形成装置
において、一般的に１３．５６ＭＨｚの高周波プラズマ
が用いられ、５０００ｃｍ2以上の大面積の反応空間が
実現されている。たとえば、高周波プラズマを用いた体
積膜形成装置によって、シリコン系の非結晶薄膜、結晶
系薄膜の大面積高速成膜が試みられているが、プラズマ
周波数に１３．５６ＭＨｚを用い、反応空間面積では４
０００ ｃｍ2以上が実現されるに至っている。しかし、
反応空間面積が２０００ｃｍ2を越える様な大面積の成
膜速度については、その全域において良質な堆積膜を得
るには１０Å／ｓｅｃ程度以下である。以前の我々の実
験では、成膜速度が２０Å／ｓｅｃ以上の結果も得てい
るが、成膜速度を１０Å／ｓｅｃ上げると、良好な膜質
を得られなかったり、また副生成物である粉が多量に発
生してしまうという問題が生じていた。
において、一般的に１３．５６ＭＨｚの高周波プラズマ
が用いられ、５０００ｃｍ2以上の大面積の反応空間が
実現されている。たとえば、高周波プラズマを用いた体
積膜形成装置によって、シリコン系の非結晶薄膜、結晶
系薄膜の大面積高速成膜が試みられているが、プラズマ
周波数に１３．５６ＭＨｚを用い、反応空間面積では４
０００ ｃｍ2以上が実現されるに至っている。しかし、
反応空間面積が２０００ｃｍ2を越える様な大面積の成
膜速度については、その全域において良質な堆積膜を得
るには１０Å／ｓｅｃ程度以下である。以前の我々の実
験では、成膜速度が２０Å／ｓｅｃ以上の結果も得てい
るが、成膜速度を１０Å／ｓｅｃ上げると、良好な膜質
を得られなかったり、また副生成物である粉が多量に発
生してしまうという問題が生じていた。
【０００３】高い成膜速度を得るためには、主として、
プラズマの濃度を高めること、または反応空間のＲＦ電
力密度を高め、材料ガスの膜化する効率を上げることで
ある。これら要因の値を増大するには、従来方法では、
ガスの重合化や、イオン衝撃により堆積膜における欠陥
密度が高くなり、良好な膜質を得ることが難しく、生産
性を考えると１０Å／ｓｅｃ以下の成膜速度が、一般的
である。
プラズマの濃度を高めること、または反応空間のＲＦ電
力密度を高め、材料ガスの膜化する効率を上げることで
ある。これら要因の値を増大するには、従来方法では、
ガスの重合化や、イオン衝撃により堆積膜における欠陥
密度が高くなり、良好な膜質を得ることが難しく、生産
性を考えると１０Å／ｓｅｃ以下の成膜速度が、一般的
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ン系の非結晶薄膜、結晶系薄膜等の半導体を用いたディ
スプレイや太陽電池と言った大面積製品の生産性を改善
するためには、これまで以上の良好なシリコン系の非結
晶薄膜、結晶系薄膜等の半導体を大面積で高速に成膜す
る事が必要であり、堆積速度の増大化を図るためマイク
ロ波やＶＨＦ帯を用いた高速成膜化の研究が試みられて
いる。ところが、マイクロ波やＶＨＦ帯の高周波プラズ
マを用いた堆積膜形成装置では、高い成膜速度を得た報
告がなされているが、これらのものにおいては反応空間
空間が１０００ｃｍ2程度またはそれ以下であったり、
またそのサイズ等については、何も記載されていない。
ン系の非結晶薄膜、結晶系薄膜等の半導体を用いたディ
スプレイや太陽電池と言った大面積製品の生産性を改善
するためには、これまで以上の良好なシリコン系の非結
晶薄膜、結晶系薄膜等の半導体を大面積で高速に成膜す
る事が必要であり、堆積速度の増大化を図るためマイク
ロ波やＶＨＦ帯を用いた高速成膜化の研究が試みられて
いる。ところが、マイクロ波やＶＨＦ帯の高周波プラズ
マを用いた堆積膜形成装置では、高い成膜速度を得た報
告がなされているが、これらのものにおいては反応空間
空間が１０００ｃｍ2程度またはそれ以下であったり、
またそのサイズ等については、何も記載されていない。
【０００５】例えば、特公平７−１０５３５４号公報に
記載のものにおいては、膜の堆積速度が２０Å／ｓｅｃ
程度であるが、反応空間の面積については、何も記載さ
れていない。また、特開平１０−３２１７１号公報には
カソード電極上にカソード電極と直列に容量結合させた
素子を挿入する方法が記載されている。これによると、
１ｍ角前後の大面積プラズマが生成可能とある。しか
し、実施例では、５００ｍｍ角の基板に堆積膜を形成
し、その成膜速度は、１５Å／ｓｅｃとなっている。ま
た、導電率に関するデータの記載もない。また、この方
法は、カソード及びアノードのインピーダンスを制御す
る手段であり、カソード電極の浮遊容量低減、及び共振
回路を制御し使用する高周波で整合するための手段でし
かない。
記載のものにおいては、膜の堆積速度が２０Å／ｓｅｃ
程度であるが、反応空間の面積については、何も記載さ
れていない。また、特開平１０−３２１７１号公報には
カソード電極上にカソード電極と直列に容量結合させた
素子を挿入する方法が記載されている。これによると、
１ｍ角前後の大面積プラズマが生成可能とある。しか
し、実施例では、５００ｍｍ角の基板に堆積膜を形成
し、その成膜速度は、１５Å／ｓｅｃとなっている。ま
た、導電率に関するデータの記載もない。また、この方
法は、カソード及びアノードのインピーダンスを制御す
る手段であり、カソード電極の浮遊容量低減、及び共振
回路を制御し使用する高周波で整合するための手段でし
かない。
【０００６】そこで、本発明は、上記従来のものにおけ
る課題を解決し、大面積でかつ高速に成膜することがで
き、被処理体に欠陥が発生することなく、機能膜及び高
品質の薄膜を形成することのできる堆積膜形成装置及び
堆積膜形成方法、特に、良好なシリコン系の非結晶薄
膜、微結晶薄膜等の半導体を形成することのできる堆積
膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供することを目的と
するものである。また、本発明は、プラズマＣＶＤ法や
スパッタリング法、エッチング法などを用いた堆積膜形
成装置においても大面積プラズマを実現し、欠陥のな
い、より良好な堆積膜処理が可能な堆積膜形成装置及び
堆積膜形成方法を提供することを目的とするものであ
る。
る課題を解決し、大面積でかつ高速に成膜することがで
き、被処理体に欠陥が発生することなく、機能膜及び高
品質の薄膜を形成することのできる堆積膜形成装置及び
堆積膜形成方法、特に、良好なシリコン系の非結晶薄
膜、微結晶薄膜等の半導体を形成することのできる堆積
膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供することを目的と
するものである。また、本発明は、プラズマＣＶＤ法や
スパッタリング法、エッチング法などを用いた堆積膜形
成装置においても大面積プラズマを実現し、欠陥のな
い、より良好な堆積膜処理が可能な堆積膜形成装置及び
堆積膜形成方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、つぎの（１）〜（１２）のように構成し
た堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供するもので
ある。 （１）反応空間を有する真空容器と、該反応空間内に原
料ガスを供給するガス供給手段と、該反応空間内のガス
を排気するガス排気手段と、該反応空間内に高周波電源
からの高周波電力を印加するためのカソード電極と、該
カソード電極に対向する接地電極とを有し、該反応空間
内の基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置におい
て、前記カソード電極の下部及びその周辺での放電、並
びに該カソード電極の下部への原料ガスやプラズマ等の
回り込みを抑える構造を有することを特徴とする堆積膜
形成装置。 （２）前記構造が、前記カソード電極の裏面に、カソー
ド電位及び接地電位に対して直流電位的に絶縁された導
電体プレートを１枚乃至複数枚有し、前記カソード電極
の直下の該導電体プレー卜と前記カソード電極の間のほ
ぼ全面、及びまたは前記各導電体プレート間のほぼ全
面、及びまたは前記カソード電極、及びまたは前記導電
体プレートとその周辺の接地壁面との間に、絶縁体を配
設した構成を有することを特徴とする上記（１）に記載
の堆積膜形成装置。 （３）前記カソード電極と前記接地電極との電極間距離
が、３ｍｍから３０ｍｍとされていることを特徴とする
上記（１）または上記（２）に記載の堆積膜形成装置。 （４）前記絶縁体は、石英、またはＳｉＯ2の材料を含
むことを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記
載の堆積膜形成装置。 （５）前記ガス供給手段は、少なくともシリコン系半導
体を形成するための原料ガス等を供給するガス供給手段
であることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか
に記載の堆積膜形成装置。 （６）前記高周波電源は、周波数が３０ＭＨｚから１５
０ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源であること
を特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載の堆
積膜形成装置。 （７）排気手段を備えた真空容器の反応空間内に高周波
電力を印加するためのカソード電極と、該カソード電極
に対向する接地電極とを有し、該反応空間内に原料ガス
を供給し、前記カソード電極に高周波電力を印加して前
記原料ガスを分解し、前記反応空間内の基板上に堆積膜
を形成する堆積膜形成方法において、前記カソード電極
の下部及びその周辺での放電、並びに該カソード電極の
下部への原料ガスやプラズマ等の回り込みを抑えるよう
に構成して堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形
成方法。 （８）前記カソード電極の下部及びその周辺での放電、
並びに該カソード電極の下部への原料ガスとプラズマの
回り込みを抑えるため、前記カソード電極の裏面に、カ
ソード電位及び接地電位に対して直流電位的に絶縁され
た導電体プレートを１枚乃至複数枚有し、前記カソード
電極の直下の該導電体プレー卜と前記カソード電極の間
のほぼ全面、及びまたは前記各導電体プレート間のほぼ
全面、及びまたは前記カソード電極、及びまたは前記導
電体プレートとその周辺の接地壁面との間に、絶縁体を
配設し、堆積膜を形成することを特徴とする上記（７）
に記載の堆積膜形成方法。 （９）前記カソード電極と前記接地電極との電極間距離
が、３ｍｍから３０ｍｍであることを特徴とする上記
（７）または上記（８）に記載の堆積膜形成方法。 （１０）前記絶縁体は、石英、またはＳｉＯ2の材料を
含むことを特徴とする上記（７）〜（９）のいずれかに
記載の堆積膜形成方法。 （１１）前記原料ガスは、少なくともシリコン系半導体
を形成するための原料ガス等であることを特徴とする上
記（７）〜（１０）のいずれかに記載の堆積膜形成方
法。 （１２）前記高周波電力が、３０ＭＨｚから１５０ＭＨ
ｚの周波数の高周波電力であることを特徴とする上記
（７）〜（１１）のいずれかに記載の堆積膜形成方法。
成するために、つぎの（１）〜（１２）のように構成し
た堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供するもので
ある。 （１）反応空間を有する真空容器と、該反応空間内に原
料ガスを供給するガス供給手段と、該反応空間内のガス
を排気するガス排気手段と、該反応空間内に高周波電源
からの高周波電力を印加するためのカソード電極と、該
カソード電極に対向する接地電極とを有し、該反応空間
内の基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置におい
て、前記カソード電極の下部及びその周辺での放電、並
びに該カソード電極の下部への原料ガスやプラズマ等の
回り込みを抑える構造を有することを特徴とする堆積膜
形成装置。 （２）前記構造が、前記カソード電極の裏面に、カソー
ド電位及び接地電位に対して直流電位的に絶縁された導
電体プレートを１枚乃至複数枚有し、前記カソード電極
の直下の該導電体プレー卜と前記カソード電極の間のほ
ぼ全面、及びまたは前記各導電体プレート間のほぼ全
面、及びまたは前記カソード電極、及びまたは前記導電
体プレートとその周辺の接地壁面との間に、絶縁体を配
設した構成を有することを特徴とする上記（１）に記載
の堆積膜形成装置。 （３）前記カソード電極と前記接地電極との電極間距離
が、３ｍｍから３０ｍｍとされていることを特徴とする
上記（１）または上記（２）に記載の堆積膜形成装置。 （４）前記絶縁体は、石英、またはＳｉＯ2の材料を含
むことを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記
載の堆積膜形成装置。 （５）前記ガス供給手段は、少なくともシリコン系半導
体を形成するための原料ガス等を供給するガス供給手段
であることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか
に記載の堆積膜形成装置。 （６）前記高周波電源は、周波数が３０ＭＨｚから１５
０ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源であること
を特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載の堆
積膜形成装置。 （７）排気手段を備えた真空容器の反応空間内に高周波
電力を印加するためのカソード電極と、該カソード電極
に対向する接地電極とを有し、該反応空間内に原料ガス
を供給し、前記カソード電極に高周波電力を印加して前
記原料ガスを分解し、前記反応空間内の基板上に堆積膜
を形成する堆積膜形成方法において、前記カソード電極
の下部及びその周辺での放電、並びに該カソード電極の
下部への原料ガスやプラズマ等の回り込みを抑えるよう
に構成して堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形
成方法。 （８）前記カソード電極の下部及びその周辺での放電、
並びに該カソード電極の下部への原料ガスとプラズマの
回り込みを抑えるため、前記カソード電極の裏面に、カ
ソード電位及び接地電位に対して直流電位的に絶縁され
た導電体プレートを１枚乃至複数枚有し、前記カソード
電極の直下の該導電体プレー卜と前記カソード電極の間
のほぼ全面、及びまたは前記各導電体プレート間のほぼ
全面、及びまたは前記カソード電極、及びまたは前記導
電体プレートとその周辺の接地壁面との間に、絶縁体を
配設し、堆積膜を形成することを特徴とする上記（７）
に記載の堆積膜形成方法。 （９）前記カソード電極と前記接地電極との電極間距離
が、３ｍｍから３０ｍｍであることを特徴とする上記
（７）または上記（８）に記載の堆積膜形成方法。 （１０）前記絶縁体は、石英、またはＳｉＯ2の材料を
含むことを特徴とする上記（７）〜（９）のいずれかに
記載の堆積膜形成方法。 （１１）前記原料ガスは、少なくともシリコン系半導体
を形成するための原料ガス等であることを特徴とする上
記（７）〜（１０）のいずれかに記載の堆積膜形成方
法。 （１２）前記高周波電力が、３０ＭＨｚから１５０ＭＨ
ｚの周波数の高周波電力であることを特徴とする上記
（７）〜（１１）のいずれかに記載の堆積膜形成方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態においては、
上記したカソード電極の下部及びその周辺での放電、並
びに該カソード電極の下部への原料ガスやプラズマ等の
回り込みを抑えるようにした構成を適用することで、カ
ソード電極下部での放電とガス及びプラズマの流れ込
み、成膜時の副生成物の発生を抑え、さらにカソード電
極の浮遊容量を低減することが可能となる。また、カソ
ード電極とそれと対向する接地電極との間隔を狭め、例
えばそれを３０ｍｍ以下に狭めプラズマインピーダンス
を制御するように構成することで、プラズマ励起周波数
を特に３０ＭＨｚから１５０ＭＨｚにおいて０．１Ｔｏ
ｒｒから１０Ｔｏｒｒの圧力範囲についても安定したプ
ラズマを得ることが可能となる。
上記したカソード電極の下部及びその周辺での放電、並
びに該カソード電極の下部への原料ガスやプラズマ等の
回り込みを抑えるようにした構成を適用することで、カ
ソード電極下部での放電とガス及びプラズマの流れ込
み、成膜時の副生成物の発生を抑え、さらにカソード電
極の浮遊容量を低減することが可能となる。また、カソ
ード電極とそれと対向する接地電極との間隔を狭め、例
えばそれを３０ｍｍ以下に狭めプラズマインピーダンス
を制御するように構成することで、プラズマ励起周波数
を特に３０ＭＨｚから１５０ＭＨｚにおいて０．１Ｔｏ
ｒｒから１０Ｔｏｒｒの圧力範囲についても安定したプ
ラズマを得ることが可能となる。
【０００９】ところで、上記のような解決手段は、本発
明者らの、つぎのような知見に基づくものである。本発
明者らは、特公平５−１０８１８号公報に記載の電極組
立て体を用いて、浮遊容量を低減して、プラズマの生
起、及び広がり具合について検証を行なったところ、プ
ラズマの濃度を高めて、高い成膜速度を得るため、高周
波電力の周波数を１３．５６ＭＨｚから１５０ＭＨｚに
おいて成膜圧力を０．１Ｔｏｒｒから１Ｔｏｒｒ、１０
Ｔｏｒｒと高圧にすると、プラズマ分布が悪く、プラズ
マの局在化やプラズマの生じない部分の発生、プラズマ
のフラッシング等の現象を生じたり、カソード電極周辺
での異常放電が生じる等の問題点があるという事実を見
出した。さらに、材料ガス及びプラズマが、カソード電
極裏面に回り込み、成膜効率を低下させたり、成膜の副
生成物であるポリシラン粉が発生するなどの問題を生じ
ることが明らかとなった。
明者らの、つぎのような知見に基づくものである。本発
明者らは、特公平５−１０８１８号公報に記載の電極組
立て体を用いて、浮遊容量を低減して、プラズマの生
起、及び広がり具合について検証を行なったところ、プ
ラズマの濃度を高めて、高い成膜速度を得るため、高周
波電力の周波数を１３．５６ＭＨｚから１５０ＭＨｚに
おいて成膜圧力を０．１Ｔｏｒｒから１Ｔｏｒｒ、１０
Ｔｏｒｒと高圧にすると、プラズマ分布が悪く、プラズ
マの局在化やプラズマの生じない部分の発生、プラズマ
のフラッシング等の現象を生じたり、カソード電極周辺
での異常放電が生じる等の問題点があるという事実を見
出した。さらに、材料ガス及びプラズマが、カソード電
極裏面に回り込み、成膜効率を低下させたり、成膜の副
生成物であるポリシラン粉が発生するなどの問題を生じ
ることが明らかとなった。
【００１０】このようなことから、本発明者らは、カソ
ード電極とその裏面の導電体プレートとの間全面に絶縁
体を挿入し、材料ガス、及びプラズマがカソード下部へ
回り込んだり、反応空間以外で放電を生じないようにす
ると、良好なプラズマが生起するようになるという知見
を得た。さらに、カソードの浮遊容量が増加する方向で
あるところの、カソード電極とそれと対向する接地電極
の間隔を狭めていくと、プラズマは全域に広がり、より
安定したプラズマを得ることができるという知見を得
た。すなわち、単にカソード電極の浮遊容量を低減した
り、カソード電極のインピーダンスを制御するのみでは
不十分であるという事実を見出した。本発明は、以上の
経緯に基づくものであるが、その実施形態の詳細につい
て図面を用いて、以下に説明する。
ード電極とその裏面の導電体プレートとの間全面に絶縁
体を挿入し、材料ガス、及びプラズマがカソード下部へ
回り込んだり、反応空間以外で放電を生じないようにす
ると、良好なプラズマが生起するようになるという知見
を得た。さらに、カソードの浮遊容量が増加する方向で
あるところの、カソード電極とそれと対向する接地電極
の間隔を狭めていくと、プラズマは全域に広がり、より
安定したプラズマを得ることができるという知見を得
た。すなわち、単にカソード電極の浮遊容量を低減した
り、カソード電極のインピーダンスを制御するのみでは
不十分であるという事実を見出した。本発明は、以上の
経緯に基づくものであるが、その実施形態の詳細につい
て図面を用いて、以下に説明する。
【００１１】図１〜図３は本発明の実施形態に係る堆積
膜処理装置の概念図である。図１において、１は真空容
器であり、２はガス供給手段であり、プラズマＣＶＤ室
の一方から反応空間１２に材料ガスを供給する。５は、
そのガスの流れ方向を示すものである。また、６は高周
波電源、７は接地電極（基板ホルダー）、８はカソード
電極であり、これらによりプラズマＣＶＤ室で高周波グ
ロー放電によって反応空間１２に供給された材料ガスを
分解し、堆積膜形成処理を行う。また、３はプラズマＣ
ＶＤ室加熱ヒーター、４は基板加熱ヒーター、１３は排
気手段である。
膜処理装置の概念図である。図１において、１は真空容
器であり、２はガス供給手段であり、プラズマＣＶＤ室
の一方から反応空間１２に材料ガスを供給する。５は、
そのガスの流れ方向を示すものである。また、６は高周
波電源、７は接地電極（基板ホルダー）、８はカソード
電極であり、これらによりプラズマＣＶＤ室で高周波グ
ロー放電によって反応空間１２に供給された材料ガスを
分解し、堆積膜形成処理を行う。また、３はプラズマＣ
ＶＤ室加熱ヒーター、４は基板加熱ヒーター、１３は排
気手段である。
【００１２】１０は導電体プレートであり、ここではプ
ラズマＣＶＤ室のカソード電極８の裏面に、直流電気的
に絶縁された３枚の積層構造の導電体プレートが設けら
れている。また、９は絶縁体（石英）であり、カソード
電極８とその直下の導電体プレート１０の間に配されて
おり、これにより材料ガスのカソード下部への流れを抑
制する。１１は接地壁面（シールドケース）であり、こ
れらの電極組立体は、これによりシールドされている。
さらに、カソード電極と放電箱壁面、及び放電箱底壁の
隙間は、３ｍｍ程度に狭め、若しくは絶縁体を図２に示
すように前記導電体プレートとその周辺の接地壁面との
間、または図３に示すように前記各導電体プレート間の
ほぼ全面等に配設して、ダークシールドを構成してい
る。また、カソード電極上面には、接地電極との間隔を
３０ｍｍ以下とした反応空間を構成する。これにより、
プラズマインピーダンスを制御し、プラズマは全域に広
がり、より安定したプラズマを得ることが可能となる。
ラズマＣＶＤ室のカソード電極８の裏面に、直流電気的
に絶縁された３枚の積層構造の導電体プレートが設けら
れている。また、９は絶縁体（石英）であり、カソード
電極８とその直下の導電体プレート１０の間に配されて
おり、これにより材料ガスのカソード下部への流れを抑
制する。１１は接地壁面（シールドケース）であり、こ
れらの電極組立体は、これによりシールドされている。
さらに、カソード電極と放電箱壁面、及び放電箱底壁の
隙間は、３ｍｍ程度に狭め、若しくは絶縁体を図２に示
すように前記導電体プレートとその周辺の接地壁面との
間、または図３に示すように前記各導電体プレート間の
ほぼ全面等に配設して、ダークシールドを構成してい
る。また、カソード電極上面には、接地電極との間隔を
３０ｍｍ以下とした反応空間を構成する。これにより、
プラズマインピーダンスを制御し、プラズマは全域に広
がり、より安定したプラズマを得ることが可能となる。
【００１３】以上の構成に基づいて、カソード電極に供
給する高周波電力の周波数、反応空間圧力、電極間隔、
材料ガスを適切に調整することにより、大面積の高速成
膜を可能となり、高品質の堆積膜を形成する事ができ、
堆積膜を形成する際に生じる副生成物であるポリシラン
粉の発生も抑制され、極めて、生産性の高い堆積膜形成
装置及び方法を提供することが可能となる。
給する高周波電力の周波数、反応空間圧力、電極間隔、
材料ガスを適切に調整することにより、大面積の高速成
膜を可能となり、高品質の堆積膜を形成する事ができ、
堆積膜を形成する際に生じる副生成物であるポリシラン
粉の発生も抑制され、極めて、生産性の高い堆積膜形成
装置及び方法を提供することが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 ［実施例１］実施例１においては、図１に示した構成の
プラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成装置を用いて、プ
ラズマの生起、及び広がりについて確認した。プラズマ
反応空間は、５１０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サ
イズは、５０４ｍｍ×５０４ｍｍとした。プラズマ反応
空間には、Ｈ2ガス１０００ｓｃｃｍをフローした。
プラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成装置を用いて、プ
ラズマの生起、及び広がりについて確認した。プラズマ
反応空間は、５１０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サ
イズは、５０４ｍｍ×５０４ｍｍとした。プラズマ反応
空間には、Ｈ2ガス１０００ｓｃｃｍをフローした。
【００１５】さらに、電極間隔を３、１５、３０、５０
ｍｍ、反応空間圧力を０．１、０．８、５、１０Ｔｏｒ
ｒ、ＶＨＦ３０、６０、１００、１５０ＭＨｚの高周波
電力をカソード電極に印加し、放電生起と放電の広がり
を確認した。その結果を表１に示す。表中の○、△、×
の意味を次に示す。 ○…反応空間全域でほぼ均一放電となった。 △…反応空間の全域に放電は広がったが、多少放電に斑
が生じた。 ×…放電が生起しない。若しくは、一部に集中した。 プラズマ放電は、ほぼ全域で生起したが、反応空間の圧
力が３Ｔｏｒｒを越えると放電にムラが生じるようにな
った。電極間隔を５０ｍｍから３０ｍｍに狭めると放電
ムラは、解消された。
ｍｍ、反応空間圧力を０．１、０．８、５、１０Ｔｏｒ
ｒ、ＶＨＦ３０、６０、１００、１５０ＭＨｚの高周波
電力をカソード電極に印加し、放電生起と放電の広がり
を確認した。その結果を表１に示す。表中の○、△、×
の意味を次に示す。 ○…反応空間全域でほぼ均一放電となった。 △…反応空間の全域に放電は広がったが、多少放電に斑
が生じた。 ×…放電が生起しない。若しくは、一部に集中した。 プラズマ放電は、ほぼ全域で生起したが、反応空間の圧
力が３Ｔｏｒｒを越えると放電にムラが生じるようにな
った。電極間隔を５０ｍｍから３０ｍｍに狭めると放電
ムラは、解消された。
【００１６】
【表１】 ［実施例２］実施例２においては、反応空間を、５１０
ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズは５０４ｍｍ×
５０４ｍｍ、電極間隔を３０ｍｍとした。成膜処理は、
次の手順で進めた。まず、真空容器１を排気手段により
１０ｍＴｏｒｒ以下に真空排気した。引き続きアルゴン
ガスを１００ｓｃｃｍ導入し反応室の内圧を１００ｍＴ
ｏｒｒに維持した。
ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズは５０４ｍｍ×
５０４ｍｍ、電極間隔を３０ｍｍとした。成膜処理は、
次の手順で進めた。まず、真空容器１を排気手段により
１０ｍＴｏｒｒ以下に真空排気した。引き続きアルゴン
ガスを１００ｓｃｃｍ導入し反応室の内圧を１００ｍＴ
ｏｒｒに維持した。
【００１７】次に、基板ヒータに電力を供給し、この状
態で２時間放置しプラズマＣＶＤ室の温度が安定した
後、アルゴンガスを止め、ガス供給手段２よりＳｉＨ4
の原料ガス２００ｓｃｃｍと希釈水素ガス１０００ｓｃ
ｃｍを流した。次に、プラズマ反応空間の圧力を０．５
Ｔｏｒｒに制御し、ＶＨＦ８０ＭＨｚ ４００Ｗの高周
波電力をカソード電極に印加し５分間成膜した。ＶＨＦ
帯の高周波電力を投入して、非結晶シリコン膜をガラス
基板上に堆積させた。
態で２時間放置しプラズマＣＶＤ室の温度が安定した
後、アルゴンガスを止め、ガス供給手段２よりＳｉＨ4
の原料ガス２００ｓｃｃｍと希釈水素ガス１０００ｓｃ
ｃｍを流した。次に、プラズマ反応空間の圧力を０．５
Ｔｏｒｒに制御し、ＶＨＦ８０ＭＨｚ ４００Ｗの高周
波電力をカソード電極に印加し５分間成膜した。ＶＨＦ
帯の高周波電力を投入して、非結晶シリコン膜をガラス
基板上に堆積させた。
【００１８】その後、ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を停
止し、次に原料及び希釈ガス、ヒータ電力の供給を停止
した。次に真空容器内、排気手段をパージし装置をＮ2
ガスで大気圧にした。その結果、ガスの流れ方向とは垂
直の方向の成膜速度分布は、±２．９％、最大成膜速度
は、２９．９Å／ｓｅｃという良好な結果を得た。ま
た、ガラス基板上に堆積した非晶質シリコン膜にギャッ
プ２５０μｍ、全長５ｃｍの櫛形電極を蒸着し、照射光
６３３ｎｍ、４Ｅ１５ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ2 ｓｅｃ
のレーザーと電源及び微小電流（ＨＰ社製４１４０Ｂ）
を用いて、光導電率σp（ｓ／ｃｍ）と暗導電率σd（ｓ
／ｃｍ）を測定し、光暗導電率比を算出したところ、
４．５桁以上の良好な結果を得た。
止し、次に原料及び希釈ガス、ヒータ電力の供給を停止
した。次に真空容器内、排気手段をパージし装置をＮ2
ガスで大気圧にした。その結果、ガスの流れ方向とは垂
直の方向の成膜速度分布は、±２．９％、最大成膜速度
は、２９．９Å／ｓｅｃという良好な結果を得た。ま
た、ガラス基板上に堆積した非晶質シリコン膜にギャッ
プ２５０μｍ、全長５ｃｍの櫛形電極を蒸着し、照射光
６３３ｎｍ、４Ｅ１５ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ2 ｓｅｃ
のレーザーと電源及び微小電流（ＨＰ社製４１４０Ｂ）
を用いて、光導電率σp（ｓ／ｃｍ）と暗導電率σd（ｓ
／ｃｍ）を測定し、光暗導電率比を算出したところ、
４．５桁以上の良好な結果を得た。
【００１９】［実施例３］実施例３においては、実施例
１と同様に図１に示した構成のプラズマＣＶＤ法による
堆積膜の形成装置を用いて、プラズマの生起、及び広が
りについて確認した。但し、本実施例においては、プラ
ズマ反応空間は、８６０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電
極サイズは、８５４ｍｍ×５０４ｍｍとした。プラズマ
反応空間には、Ｈ2ガス１０００ｓｃｃｍをフローし
た。また、電極間隔を３、１５、３０、５０ｍｍ、反応
空間圧力を０．１、０．８、５、１０Ｔｏｒｒにて確認
した。
１と同様に図１に示した構成のプラズマＣＶＤ法による
堆積膜の形成装置を用いて、プラズマの生起、及び広が
りについて確認した。但し、本実施例においては、プラ
ズマ反応空間は、８６０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電
極サイズは、８５４ｍｍ×５０４ｍｍとした。プラズマ
反応空間には、Ｈ2ガス１０００ｓｃｃｍをフローし
た。また、電極間隔を３、１５、３０、５０ｍｍ、反応
空間圧力を０．１、０．８、５、１０Ｔｏｒｒにて確認
した。
【００２０】ここでＶＨＦ３０、６０、１００、１５０
ＭＨｚの高周波電力をカソード電極に印加した。その結
果を表２に示す。表中の〇、△、×の意味を以下に示
す。 ○…反応空間全域でほぼ均一放電となった。 △…反応空間の全域に放電は広がったが、多少放電に斑
が生じた。 ×…放電が生起しない。若しくは、一部に集中した。
ＭＨｚの高周波電力をカソード電極に印加した。その結
果を表２に示す。表中の〇、△、×の意味を以下に示
す。 ○…反応空間全域でほぼ均一放電となった。 △…反応空間の全域に放電は広がったが、多少放電に斑
が生じた。 ×…放電が生起しない。若しくは、一部に集中した。
【００２１】プラズマ放電は、１００、１５０ＭＨｚの
高周波になると、反応空間の圧力が１Ｔｏｒｒ以上、電
極間隔３０ｍｍ以上では、放電が生起しなかったり、放
電ムラが生じるようになった。電極間隔を３０ｍｍ以下
にすることと、反応空間の圧力を１Ｔｏｒｒ以下に下げ
ることで、放電ムラをかなり抑えられた。さらに電極間
隔を１５ｍｍ、３ｍｍと狭めると放電は、均一に広がっ
た。
高周波になると、反応空間の圧力が１Ｔｏｒｒ以上、電
極間隔３０ｍｍ以上では、放電が生起しなかったり、放
電ムラが生じるようになった。電極間隔を３０ｍｍ以下
にすることと、反応空間の圧力を１Ｔｏｒｒ以下に下げ
ることで、放電ムラをかなり抑えられた。さらに電極間
隔を１５ｍｍ、３ｍｍと狭めると放電は、均一に広がっ
た。
【００２２】
【表２】 ［実施例４］実施例４においては、反応空間を、８６０
ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズは８５４ｍｍ×
５０４ｍｍ、電極間隔を１０ｍｍとした。成膜処理は、
次の手順で進めた。まず、真空容器１を排気手段により
１０ｍＴｏｒｒ以下に真空排気した。引き続きアルゴン
ガスを１００ｓｃｃｍ導入し反応空間の内圧を１００ｍ
Ｔｏｒｒに維持した。
ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズは８５４ｍｍ×
５０４ｍｍ、電極間隔を１０ｍｍとした。成膜処理は、
次の手順で進めた。まず、真空容器１を排気手段により
１０ｍＴｏｒｒ以下に真空排気した。引き続きアルゴン
ガスを１００ｓｃｃｍ導入し反応空間の内圧を１００ｍ
Ｔｏｒｒに維持した。
【００２３】次に、基板ヒータに電力を供給し、この状
態で２時間放置し反応室の温度が安定した後、アルゴン
ガスを止め、ガス供給手段２よりＳｉＨ4の原料ガス５
００ｓｃｃｍと希釈水素ガス１０００ｓｃｃｍを流し
た。次に、プラズマ反応空間の圧力を１．０Ｔｏｒｒに
制御し、ＶＨＦ６０ＭＨｚ８００Ｗの高周波電力をカソ
ード電極に印加し５分間成膜した。ＶＨＦ帯の高周波電
力を投入して、非結晶シリコン膜をガラス基板上に堆積
させた。
態で２時間放置し反応室の温度が安定した後、アルゴン
ガスを止め、ガス供給手段２よりＳｉＨ4の原料ガス５
００ｓｃｃｍと希釈水素ガス１０００ｓｃｃｍを流し
た。次に、プラズマ反応空間の圧力を１．０Ｔｏｒｒに
制御し、ＶＨＦ６０ＭＨｚ８００Ｗの高周波電力をカソ
ード電極に印加し５分間成膜した。ＶＨＦ帯の高周波電
力を投入して、非結晶シリコン膜をガラス基板上に堆積
させた。
【００２４】その後、ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を停
止し、次に原料及び希釈ガス、ヒータ電力の供給を停止
した。次に真空容器内、排気手段をパージし装置をＮ2
ガスで大気圧にした。その結果、ガスの流れ方向とは垂
直の方向の成膜速度分布は、±０．９５％、最大成膜速
度は、４４．５Å／ｓｅｃという良好な結果を得た。さ
らに、実施例２と同様な方法で光暗導電率比を算出した
ところ、５桁以上の良好な結果を得た。
止し、次に原料及び希釈ガス、ヒータ電力の供給を停止
した。次に真空容器内、排気手段をパージし装置をＮ2
ガスで大気圧にした。その結果、ガスの流れ方向とは垂
直の方向の成膜速度分布は、±０．９５％、最大成膜速
度は、４４．５Å／ｓｅｃという良好な結果を得た。さ
らに、実施例２と同様な方法で光暗導電率比を算出した
ところ、５桁以上の良好な結果を得た。
【００２５】［実施例５］実施例５においては、反応空
間を、８６０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズを
８５４ｍｍ×５０４ｍｍ、電極間隔を１０ｍｍとしたま
ま、ＳｉＨ4流量５００ｓｃｃｍ、Ｈ2流量２０００ｓｃ
ｃｍ、成膜圧力を２Ｔｏｒｒ、高周波電力を４０ＭＨｚ
８００Ｗに変更して、実施例４と同様の手順で成膜処
理を行なった。その結果、ガスの流れ方向とは垂直の方
向の成膜速度分布は、±６．７３％、最大成膜速度は、
３０．６Å／ｓｅｃという良好な結果を得た。また、実
施例２と同様な方法で光暗導電率比を求めてところ、ほ
ぼ５桁の良好な結果を得た。
間を、８６０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズを
８５４ｍｍ×５０４ｍｍ、電極間隔を１０ｍｍとしたま
ま、ＳｉＨ4流量５００ｓｃｃｍ、Ｈ2流量２０００ｓｃ
ｃｍ、成膜圧力を２Ｔｏｒｒ、高周波電力を４０ＭＨｚ
８００Ｗに変更して、実施例４と同様の手順で成膜処
理を行なった。その結果、ガスの流れ方向とは垂直の方
向の成膜速度分布は、±６．７３％、最大成膜速度は、
３０．６Å／ｓｅｃという良好な結果を得た。また、実
施例２と同様な方法で光暗導電率比を求めてところ、ほ
ぼ５桁の良好な結果を得た。
【００２６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、カソード電極の下部及びその周辺での放電、並びに
該カソード電極の下部への原料ガスやプラズマ等の回り
込みを抑えるように構成し、また、カソード電極とそれ
と対向する接地電極との間隔を狭め、例えばそれを３０
ｍｍ以下に狭めプラズマインピーダンスを制御するよう
に構成することで、大面積でかつ高速に成膜することが
でき、被処理体に欠陥が発生することなく、機能膜及び
高品質の薄膜を形成することのできる堆積膜形成装置及
び堆積膜形成方法、特に、良好なシリコン系の非結晶薄
膜、微結晶薄膜等の半導体を形成することのできる堆積
膜形成装置及び堆積膜形成方法を実現することができ
る。また、本発明によれば、プラズマＣＶＤ法やスパッ
タリング法、エッチング法などを用いた堆積膜形成装置
においても大面積プラズマを実現し欠陥のない、より良
好な堆積膜処理が可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成
方法を実現することができる。
ば、カソード電極の下部及びその周辺での放電、並びに
該カソード電極の下部への原料ガスやプラズマ等の回り
込みを抑えるように構成し、また、カソード電極とそれ
と対向する接地電極との間隔を狭め、例えばそれを３０
ｍｍ以下に狭めプラズマインピーダンスを制御するよう
に構成することで、大面積でかつ高速に成膜することが
でき、被処理体に欠陥が発生することなく、機能膜及び
高品質の薄膜を形成することのできる堆積膜形成装置及
び堆積膜形成方法、特に、良好なシリコン系の非結晶薄
膜、微結晶薄膜等の半導体を形成することのできる堆積
膜形成装置及び堆積膜形成方法を実現することができ
る。また、本発明によれば、プラズマＣＶＤ法やスパッ
タリング法、エッチング法などを用いた堆積膜形成装置
においても大面積プラズマを実現し欠陥のない、より良
好な堆積膜処理が可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成
方法を実現することができる。
【図１】本発明の堆積膜処理方法の一実施形態の模式的
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の堆積膜処理方法の一実施形態の模式的
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の堆積膜処理方法の一実施形態の模式的
断面図である。
断面図である。
【図４】実施例４における成膜速度分布のグラフであ
る。
る。
１：真空容器 ２：ガス供給手段 ３：プラズマＣＶＤ室加熱ヒーター ４：基板加熱ヒーター ５：ガスの流れ方向 ６：高周波電源 ７：接地電極（基板ホルダー） ８：カソード電極 ９：絶縁体（石英） １０：導電体プレート １１：接地壁面（シールドケース） １２：反応空間 １３：排気手段 １４：電極間隔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金井 正博 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA17 BA29 BB05 CA06 EA06 FA03 JA03 JA18 KA08 LA16 4K057 DA01 DA20 DG20 DM03 DM06 DM40 DN01 5F004 AA01 AA16 BA06 BB11 BB17 BB18 BB26 BC08 5F045 AA08 AB03 AC01 AE19 AE21 AE23 BB02 BB15 DP05 DQ10 EH04 5F051 AA04 AA05 BA12 BA14 CA16 CA23 GA03
Claims (12)
- 【請求項１】反応空間を有する真空容器と、該反応空間
内に原料ガスを供給するガス供給手段と、該反応空間内
のガスを排気するガス排気手段と、該反応空間内に高周
波電源からの高周波電力を印加するためのカソード電極
と、該カソード電極に対向する接地電極とを有し、該反
応空間内の基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置に
おいて、 前記カソード電極の下部及びその周辺での放電、並びに
該カソード電極の下部への原料ガスやプラズマ等の回り
込みを抑える構造を有することを特徴とする堆積膜形成
装置。 - 【請求項２】前記構造が、前記カソード電極の裏面に、
カソード電位及び接地電位に対して直流電位的に絶縁さ
れた導電体プレートを１枚乃至複数枚有し、前記カソー
ド電極の直下の該導電体プレー卜と前記カソード電極の
間のほぼ全面、及びまたは前記各導電体プレート間のほ
ぼ全面、及びまたは前記カソード電極、及びまたは前記
導電体プレートとその周辺の接地壁面との間に、絶縁体
を配設した構成を有することを特徴とする請求項１に記
載の堆積膜形成装置。 - 【請求項３】前記カソード電極と前記接地電極との電極
間距離が、３ｍｍから３０ｍｍとされていることを特徴
とする請求項１または請求項２に記載の堆積膜形成装
置。 - 【請求項４】前記絶縁体は、石英、またはＳｉＯ2の材
料を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項
に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項５】前記ガス供給手段は、少なくともシリコン
系半導体を形成するための原料ガス等を供給するガス供
給手段であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか
１項に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項６】前記高周波電源は、周波数が３０ＭＨｚか
ら１５０ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源であ
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載
の堆積膜形成装置。 - 【請求項７】排気手段を備えた真空容器の反応空間内に
高周波電力を印加するためのカソード電極と、該カソー
ド電極に対向する接地電極とを有し、該反応空間内に原
料ガスを供給し、前記カソード電極に高周波電力を印加
して前記原料ガスを分解し、前記反応空間内の基板上に
堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、 前記カソード電極の下部及びその周辺での放電、並びに
該カソード電極の下部への原料ガスやプラズマ等の回り
込みを抑えるように構成して堆積膜を形成することを特
徴とする堆積膜形成方法。 - 【請求項８】前記カソード電極の下部及びその周辺での
放電、並びに該カソード電極の下部への原料ガスやプラ
ズマ等の回り込みを抑えるため、前記カソード電極の裏
面に、カソード電位及び接地電位に対して直流電位的に
絶縁された導電体プレートを１枚乃至複数枚有し、前記
カソード電極の直下の該導電体プレー卜と前記カソード
電極の間のほぼ全面、及びまたは前記各導電体プレート
間のほぼ全面、及びまたは前記カソード電極、及びまた
は前記導電体プレートとその周辺の接地壁面との間に、
絶縁体を配設し、堆積膜を形成することを特徴とする請
求項７に記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項９】前記カソード電極と前記接地電極との電極
間距離が、３ｍｍから３０ｍｍであることを特徴とする
請求項７または請求項８に記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項１０】前記絶縁体は、石英、またはＳｉＯ2の
材料を含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１
項に記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項１１】前記原料ガスは、少なくともシリコン系
半導体を形成するための原料ガス等であることを特徴と
する請求項７〜１０のいずれか１項に記載の堆積膜形成
方法。 - 【請求項１２】前記高周波電力が、３０ＭＨｚから１５
０ＭＨｚの周波数の高周波電力であることを特徴とする
請求項７〜１１のいずれか１項に記載の堆積膜形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000094418A JP2001284262A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000094418A JP2001284262A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284262A true JP2001284262A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18609473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000094418A Pending JP2001284262A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001284262A (ja) |
-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000094418A patent/JP2001284262A/ja active Pending
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|---|---|---|---|
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