JPH06179968A

JPH06179968A - 高周波スパッタリング装置

Info

Publication number: JPH06179968A
Application number: JP35245792A
Authority: JP
Inventors: Kazuaki Omi; 和明近江; Takeshi Ichikawa; 武史市川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-12-11
Filing date: 1992-12-11
Publication date: 1994-06-28

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明の目的は、高周波スパッタリング装置
において、その成膜時の制御性を向上させ、膜質を高品
質化することにある。【構成】基板５とターゲット８との間に高周波１２を
印加し、さらに前記ターゲットと基板の少なくとも一方
に直流バイアス１４を印加してスパッタリングを行なう
高周波スパッタリング装置において、前記基板５とター
ゲット８との間に、前記基板５に入射する荷電粒子に対
する制御電極１８を設け、高周波１２として周波数１０
０ＭＨｚ以上の高周波を用い、前記制御電極１８に負バ
イアスを印加する手段１４Ａと、前記基板バイアスを制
御して該基板５への入射イオンエネルギーを調節する手
段１４Ｃとを具備したことを特徴とする高周波スパッタ
リング装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造に用い
る成膜装置に関し、特に高周波スパッタリング装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造において、成膜
方法は重要であり、金属配線の形成や半導体層の形成に
幅広く使われている。このような成膜方法としては、化
学的成膜法として熱ＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、プラズマＣＶ
Ｄ、光ＣＶＤ及びこれらの様々な変形が提案され、実用
に供されて来た。ＥＣＲプラズマＣＶＤや、特開昭６２
−９０９２４号公報に見られる様な混成励起ＣＶＤもそ
れらの一部である。また、その他に様々な形の物理的成
膜法も提案されている。これらの例としては電子ビーム
蒸着法などの真空蒸着法、マグネトロンスパッタリング
などのスパッタリング法、ＭＢＥ（Moleculer Beam Epi
taxy）法、ＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy）法、さらに
は化学的な方法と物理的方法との組合せであるＭＯ−Ｍ
ＢＥ法なども提案されて来た。

【０００３】これらの種々の成膜法は、それぞれに特徴
を持っているが幾つかの問題点も持っている。例えば化
学的成膜法（ＣＶＤ）では成膜する材料ごとに特殊な原
料ガスが必要となる。普及していない原料ガスを用意す
るには手間と時間と許容できる範囲を越えたコストがか
かることが多い。またせっかく原料ガスを用意しても安
定性が低く、長期保存できなかったり、純度が低いため
に堆積膜中に多量の不純物が入るという問題がある。

【０００４】また原料ガスを成膜時に分解するため、膜
堆積に必要な元素以外の元素が原料ガスの分解生成物の
一部として膜中に混入して膜の純度を下げるという問題
もある。また、成膜の際には使用する原料ガスの化学的
性質が材料によってかなり違うので、材料ごとに個別に
成膜条件を最適化する必要がある。このため、成膜装置
側まで改造が必要になることさえある。

【０００５】さらに、原料ガスは概して化学的な反応性
が高く、また人体に有害なものが多いので完璧な排ガス
処理や警報その他のガス安全対策が必要となる。これは
装置コストの上昇の原因になる。

【０００６】これに対し物理的成膜法（ＰＶＤ）は、比
較的取り扱いが単純で、種々の材料を安易に成膜でき、
普通は排ガス処理なども不要であるという利点がある。
しかし、それでも、方法により、熱幅射、Ｘ線発生、イ
オン入射などによる基板損傷が起き易いという問題や、
成膜室内の残留ガスが不純物として膜中に混入し易いな
どの問題がある。

【０００７】概して成膜速度が低い、膜成長表面での材
料原子のマイグレーションが少なく、膜に構造欠陥が残
り易い、成膜過程を制御するためのパラメータが少ない
ため制御が難しい、なども問題となる。

【０００８】そこで物理的成膜法の長所を生かしなが
ら、成膜過程の制御性を向上させたり、成膜速度を大き
くするための改良が種々提案されている。

【０００９】この様な種々の試みの中でも特開昭６２−
２８７０７号や特開昭６３−５００２５号に見られる様
な高周波バイアス・スパッタリング法は成膜過程の制御
性が高く、しかも成膜速度を高められる点で優れてい
る。この方法ではＡｒガスなどの高周波プラズマを用
い、ターゲットと半導体基板又はそれを保持するサセプ
ターの少なくとも一方に直流バイアスを印加しながら成
膜を行なう。

【００１０】通常よく使われる１３．５６ＭＨｚではな
く、もっと高い周波数（１００ＭＨｚ以上）を用いる
と、低圧でもプラズマの高密度化が可能となり、ターゲ
ットバイアスを自由に選択できるとともに、成膜速度の
向上が可能となる。

【００１１】また周波数を高くすることにより、プラズ
マ中のイオンエネルギーの分布が少なくなるため、ター
ゲットや基板のバイアスによりイオンエネルギーを正確
に制御できるようになる。このため成膜過程の制御性が
向上する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高周波スパッタリング法においては、絶縁物の成膜や絶
縁基板への成膜は可能であるものの、基板表面が電気的
に絶縁されているため、基板表面電位の基板バイアスに
よる精密な制御は不可能であった。プラズマに接してい
る絶縁基板表面は電子拡散による自己バイアスの為に負
に帯電してしまう。一方、プラズマ電位は正になるので
プラズマ電位より大きな電圧がシース（プラズマと基板
表面の間）にかかることになる。従ってプラズマ中のＡ
ｒ⁺ イオンはプラズマ電位より大きな電圧で加速され、
基板に入射する。このエネルギーは、数１０Ｖ又はそれ
以上になり、基板や成膜中の膜にダメージを与える。

【００１３】電極が負に帯電するのを防ぐため、基板側
にも高周波を印加する方法が提案されているが（特開昭
６３−５００２５）、この方法による改善効果は成膜す
る材料によっては必ずしも充分ではなく、自己バイアス
を正にまで振ることはできない。また基板バイアスを制
御しても、基板又は膜が絶縁性である場合には、基板表
面電位の自由な制御はできず、膜のイオンダメージを完
全に抑えることはできない。この様なイオンダメージの
ため膜質は劣化する。例えば結晶Ｓｉでは格子欠陥が増
加し、電気抵抗の増加やキャリア易動度の低下を引き起
こし、デバイスとして使えなくなる。イオンダメージが
著しい場合には、Ｓｉなどでは結晶が得られず、アモル
ファス膜になる。金属でも膜の内部応力が大きくなった
り、膜中の不純物量が増加したりして電気抵抗の増加や
表面の凹凸の原因になる。

【００１４】このため、絶縁基板上の成膜では、前記高
周波バイアス・スパッタ法の利点が生かせず、バイアス
制御の利点が失なわれてしまうという問題があった。

【００１５】また、上記の様なバイアス・スパッター法
においては、通常かなり高い周波数を用いる必要があ
る。Ａｒガスを用いた場合、１３．５６ＭＨｚではイオ
ン・エネルギーの分布は充分狭くならず、バイアスによ
る成膜過程の制御は実際上不可能である。４０ＭＨｚ程
度でもイオンエネルギーの分布はまだ広すぎる。１００
ＭＨｚ以上の周波数において、イオン・エネルギーの分
布は充分小さくなり、成膜過程の制御性が向上するとい
う効果がはっきり表われる。

【００１６】しかし、１００ＭＨｚ以上の周波数を用い
ることは、現状ではあまり普及していない。これは放電
電極を含む高周波回路のマッチングを取ることの難しさ
や、高周波発振器の価格が高価なことや、高周波のもれ
の問題などが障害になっているためである。

【００１７】［発明の目的］本発明の目的は、高周波ス
パッタリング装置による成膜時にその制御性を向上さ
せ、高品質な成膜を行なうことにある。

【００１８】これは特に、１００ＭＨｚ以上の高周波を
用いた成膜時にその制御性を向上させることにあり、ま
た、１００ＭＨｚ以下の高周波として、例えば１３．５
６ＭＨｚ程度のよく普及している周波数帯において、バ
イアススパッター法の成膜の制御性を高めることにあ
る。

【００１９】

【課題を解決するための手段及び作用】前述した本発明
の目的は、ターゲット側又は基板側の少なくとも一方に
バイアスを印加する高周波スパッタリング装置におい
て、基板とターゲットとの間に基板への入射粒子制御用
の電極を設けたことを特徴とする高周波スパッタリング
装置により達成される。以下、実施態様例を用いて更に
説明する。

【００２０】［実施態様例］図１は、本発明の特徴を示
す一実施態様例の高周波スパッタリング装置の概略構成
を示す模式図である。

【００２１】図において、ターゲット８とアースとの間
に５０ＭＨｚ以上、望ましくは１００ＭＨｚ以上の高周
波を印加する。また基板５を支持するサセプター６とタ
ーゲット８の少なくとも一方には直流バイアスを印加す
る。サセプター６側に更に高周波バイアスを重ねても良
い。

【００２２】直流バイアス電源１４とターゲット８、サ
セプター６との間にはロー・パス・フィルター１３を挿
入する。サセプター６には基板５をその表面に固定する
装置を設けて、絶縁基板であってもサセプター表面に固
定できるようにすると便利である。

【００２３】また、１８は、本発明にとって最も重要な
ものであり、サセプター６表面近傍に設けた入射粒子制
御用のグリッド電極である。

【００２４】このグリッド電極１８は、基板５表面から
少なくとも高周波放電を起こす圧力におけるガスの平均
自由行程よりも著しく大きな距離だけ離すと、基板バイ
アスの制御による膜質の制御が難しくなる。

【００２５】また、電極の形状は、基板に入射する荷電
粒子、特に電子の入射量を制御できるものであれば、ど
んな形でも良いが、一般的には細かな穴が沢山開いたメ
ッシュ状や隙間が開いたグリッド状などが使用できる。
これは本発明の制御電極をすり抜けてイオンやスパッタ
ー原子がターゲット又はプラズマ中から基板表面に到達
できるようにする為である。ただし、制御電極１８に印
加するグリッドバイアスによる電位の不均一さが、基板
表面で残っていると、基板表面における膜質の均一性が
得られないので、グリッドの隙間は、この様な不均一性
が出ない程度に狭くなければならない。

【００２６】グリッド電極１８の一番大きな役割は、プ
ラズマ中から絶縁基板５へ向って拡散して来る電子をプ
ラズマ側へ追いやり、基板が負の自己バイアスを持つの
を防ぐことである。従ってグリッドバイアスは通常負に
し、その大きさは放電圧力、放電パワー、電子温度、そ
の他に応じて最適化することができる。

【００２７】また、電子の基板への流入を完全に抑える
必要はなく、イオンの入射量とのバランスを取ってやる
だけで充分効果がある。

【００２８】グリッド電極１８の材料としては、Ａｌ、
ステンレス、Ｗ、その他の金属や結晶Ｓｉなどの導電性
材料を用いることができる。

【００２９】また、グリッド電極をターゲットと同一の
材料でコーティングすることにより、グリッド電極材料
がスパッタされて基板上に堆積する膜中に混入するのを
防ぐことができる。

【００３０】グリッド電極１８への印加電圧の大きさ
は、放電周波数、放電圧力、放電パワーなどに応じて最
適化する必要があるが、目安としては設定した放電条件
におけるフローティング電位と同程度の場合に良好な結
果が得られる。例えば、Ａｒ、数ｍＴｏｒｒ、周波数１
００ＭＨｚ、放電パワー１００Ｗ程度では数１０Ｖ程度
である。

【００３１】グリッド電極に一定の負バイアスを印加し
ながら、基板バイアスを制御して基板表面への入射イオ
ンエネルギーを調節する。グリッドバイアスと基板バイ
アスを制御して放電状態を最適化し、基板に堆積する膜
の膜質を制御する。必要ならば成膜中にグリッドバイア
スと基板バイアスを連続的に変化させても良い。また更
に、成膜プロセスの状態をモニターしながら、上記両バ
イアスをフィードバック制御することも可能である。

【００３２】また、前述した本発明の目的は、ターゲッ
トと基板又は基板を保持するサセプターの少なくとも一
方に直流バイアスを印加して成膜を行なう周波数スパッ
タリング装置において、スパッタリング・ガスとして、
Ａｒよりも大きな原子量の不活性ガスを用いることを特
徴とする高周波スパッタリング装置により達成される。

【００３３】基板とターゲット間に高周波を印加し、さ
らにターゲットと基板の少なくとも一方に直流バイアス
を印加してスパッタリングを行なう場合、周波数を１０
０ＭＨｚ又はそれ以上に高めることにより、プラズマ中
のＡｒ⁺ イオンのエネルギー分布が狭くなる。また平均
エネルギーも低くなるため、ターゲットバイアス、又は
基板バイアスにより、入射イオンのエネルギーを正確に
制御できる。

【００３４】このため、例えば基板バイアスを数Ｖ変化
させるだけで膜質が変化する。もし、イオンエネルギー
分布が数１０から数１００Ｖあると、プラズマ中にはこ
れだけのエネルギー幅のイオンが飛んでいて基板に入射
して来るため、数Ｖ程度の基板バイアス変化でそのエネ
ルギーを精密に制御することはできない。また仮に基板
バイアスを大きく変化させて、大部分のイオンが基板に
入射しないようにして、実質的に基板に入射するイオン
のエネルギー分布を絞ったとすると、イオンの照射量が
著しく低下するため、やはり膜質の制御が困難になる。

【００３５】１００ＭＨｚ以上の高周波を用いてイオン
のエネルギー分布を小さくし、その平均エネルギーを下
げ、この様なイオンに対してターゲットバイアス及び／
または基板バイアスを制御することにより、Ｃｕ、Ａ
ｌ、Ｓｉなどの成膜において著しい膜質改善効果があ
る。

【００３６】この方法をさらに普及させるためには、よ
り一般的に使用されている１３．５６ＭＨｚ程度の１０
０ＭＨｚ以下の周波数を用いて、上記の様な効果を得る
ことが必要である。Ａｒより重い元素であるＸｅ又はＫ
ｒを用いると、１３．５６ＭＨｚにおいてもＡｒを用い
た場合に較べてはるかにイオンエネルギーの分布が小さ
くなり、平均エネルギーも下るためバイアスによる入射
イオンエネルギーを精密に制御することが可能になる。

【００３７】Ａｒの場合、１３．５６ＭＨｚでは、イオ
ンエネルギーの分布の幅は、数１０ｅＶ又はそれ以上あ
るため、基板や堆積した膜への高エネルギーイオンによ
る損傷を防ぐことはバイアス制御によっては不可能であ
る。しかしながら、ＸｅやＫｒを用いると、図２に示す
ようにイオンエネルギーの分布は半値幅であり、大体１
０ｅＶ以下に抑えることができ、平均エネルギーもアー
スに対して２０−３０ｅＶ、又はそれ以下に下げること
ができるので、バイアスによる入射イオンエネルギーの
精密制御が１３．５６ＭＨｚにおいても可能となる。

【００３８】なお、直流スパッター法で成膜速度を上げ
るためにＡｒより重い元素を用いる例はあるが、上記の
様なイオン損傷に対する効果はない。本発明は高周波ス
パッター法でイオンエネルギーのバイアス制御をする場
合に特に重要になる方法である。

【００３９】

【実施例】

〔実施例１〕図１の高周波スパッター装置を用いて、５
０００ÅのＳｉ₃ Ｎ₄ 膜を持つＳｉウェハー上にＳｉ膜
の堆積を行なう実施例について以下に説明する。

【００４０】基板５のＳｉウェハーはＰ型で電気抵抗は
５Ω・ｃｍである。またＳｉ₃ Ｎ₄膜は熱ＣＶＤ法によ
り上記Ｓｉウェハー上にあらかじめ堆積させる。

【００４１】ターゲット８は基板５と同ように５Ω・ｃ
ｍのＰ型Ｓｉウェハーであり、表面はＳｉのままであ
る。

【００４２】成膜条件としては、放電周波数１００ＭＨ
ｚ、ターゲットバイアス−３００Ｖ、放電パワー１００
Ｗ、放電圧力１０ｍＴｏｒｒ、グリッド・バイアス−３
０Ｖ、基板バイアス＋４０Ｖとし、放電ガスには精製装
置１５を通したＡｒガスを用いる。

【００４３】表面を完全に洗浄した上記基板５を真空チ
ャンバー１の中のサセプター６の上に設置し、真空チャ
ンバー１内を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下まで減圧する。

【００４４】基板ヒーター７により基板を４５０℃まで
加熱し、Ａｒガスを流してチャンバー内圧力を１０ｍＴ
ｏｒｒに設定する。ターゲット８とサセプター６間に１
００ＭＨｚの高周波を印加し、成膜を２０分間行なう
と、基板５上にＳｉ膜が堆積する。

【００４５】成膜後、Ｓｉウェハー５を取り出して分析
したところ、Ｓｉウェハー表面のＳｉ₃ Ｎ₄ 膜上に約３
０００ÅのＳｉ膜が堆積していることがわかった。電子
線回折装置により膜の構造を調べたところ、この膜はＰ
型の多結晶Ｓｉであり、その体積抵抗率は８５Ω・ｃｍ
であり、良好な特性であった。

【００４６】比較の為グリッド電極１８を取り外し、基
板バイアス＋１０Ｖにて同様のＳｉ膜堆積をＳｉウェハ
ー表面のＳｉ₃ Ｎ₄ 膜上に行なったところ、Ｐ型の多結
晶Ｓｉ膜が形成されたが、グリッドバイアス印加の場合
と較べて結晶粒径が小さく、その体積抵抗率は１０⁴ Ω
・ｃｍ程度あり、極めて特性が悪かった。

【００４７】〔実施例２〕図１とほぼ同様の構造で、コ
ンデンサー１０のかわりに５０ＭＨｚの高周波電源をマ
ッチングボックスを介して設置した高周波スパッター装
置を用い、表面に窒化Ｓｉ膜が５００Åついたガラス基
板５上にＰ型Ｓｉの成膜を行なった。

【００４８】ターゲット８側の高周波周波数は１００Ｍ
Ｈｚで、グリッド電極１８には−４０Ｖの負バイアスを
印加した。サセプター６には上記５０ＭＨｚの高周波の
他に直流バイアス電源１４により＋５５Ｖの直流バイア
スを加えた。

【００４９】実施例１とほぼ同様の手順で基板５上にＰ
型Ｓｉの膜を５０００Å堆積した。

【００５０】これを取り出して電子線回折により膜の構
造を調べたところ、この膜はきれいなリング状の回折パ
ターンを示すＰ型の多結晶Ｓｉであり、その体積抵抗率
は約１５０Ω・ｃｍであった。

【００５１】比較のために、グリッド電極１８を取り外
し、基板バイアス＋１５Ｖにて同様のＳｉ膜堆積を行な
った。

【００５２】これを電子線回折により分析したところ、
リング状の回折パターンが得られたが、完全ではなく、
アモルファス相と結晶相の混在する膜であることがわか
った。体積抵抗率も１０⁵ Ω・ｃｍ以上あり、使いもの
にならないものであった。

【００５３】〔実施例３〕図３に示す、容量結合型の高
周波バイアス・スパッター装置によりＳｉのエピタキシ
ャル成長を行なう。

【００５４】ターゲット８に印加する周波数は１３．５
６ＭＨｚで、スパッタリングガスとしてはＸｅを用い
る。基板温度は６００℃、膜堆積中の放電圧力は１０ｍ
Ｔｏｒｒである。

【００５５】成膜室内の基板ホルダーに面方位（１０
０）の直径１インチのＳｉウェハー５を表面の酸化膜を
除去してから設置し、ターゲット８としてＣｕのベース
・プレートに貼り付けた体積抵抗率５Ω・ｃｍのＰ型多
結晶Ｓｉを取り付ける。ターゲット８裏面のベースプレ
ートは大気側から水冷し、さらにターゲット８表面から
１０ｍｍの高さでの最大磁場が５００ガウスになるよう
に、サマリウム・コバルトの永久磁石を、やはりベース
プレートの大気側に設置する。

【００５６】成膜室（真空チャンバー）１をターボ分子
ポンプ３とロータリーポンプ４で１×１０^-7Ｔｏｒｒ以
下に引く。基板５のＳｉウェハー表面の酸化膜をエッチ
ングで除去してから成膜室１に設置して真空引きを開始
するまでの時間は３０分以内である。

【００５７】原料ガス精製装置１５を通して、Ｈ₂ Ｏそ
の他の不純物を除去したＸｅガスを原料ガスボンベ１６
から成膜室１に流し、圧力を１０ｍＴｏｒｒに合わせ
る。ターゲットバイアスを−２００Ｖ、基板バイアスを
＋１０Ｖにして高周波放電を起こし、１００Ｗにて成膜
を行なう。０．５時間の成膜を行なうとＳｉウェハー５
上に膜が堆積する。

【００５８】成膜後Ｓｉウェハー５を取り出し、膜のＢ
濃度分布をＳＩＭＳにより調べると、Ｓｉウェハー上に
約５０００ÅのＰ型Ｓｉが堆積していることがわかっ
た。また、電子線回折装置により膜の構造を調べたとこ
ろ、基板と同一の（１００）の方位の欠陥の少ない単結
晶Ｓｉがエピタキシャル成長していることが確認でき
た。エピ膜の体積抵抗率は約７Ω・ｃｍで、ターゲット
のそれに近く、欠陥の少ない膜であった。

【００５９】同様のＳｉ膜堆積をＸｅではなくＡｒガス
で行なったところ、できた膜は結晶の電子線回折パター
ンが現われず、ハローパターンであった。従って、この
膜は結晶ではなく、アモルファス膜であり、エピタキシ
ャル成長はできなかった。

【００６０】〔実施例４〕実施例３と同様の方法におい
て、スパッタリングガスをＫｒに変えてＳｉのエピタキ
シャル成長を行なった。

【００６１】放電圧力、基板温度、放電電力はそれぞれ
２０ｍＴｏｒｒ、６５０℃、７０Ｗであり、基板のＳｉ
ウェハーの面方位は（１００）を用いた。また、ターゲ
ットは同一のものを用いた。

【００６２】この条件で基板上にＰ型Ｓｉを４０００Å
エピタキシャル成長した。

【００６３】できあがった基板を、電子線回折により確
認したところ、菊地ラインも確認でき、欠陥の少ないエ
ピタキシャル膜であった。膜の体積抵抗率は約２０Ω・
ｃｍで、実施例３に較べるとやや高めであった。

【００６４】Ａｒガスを用いて同一条件での成膜を行な
ったところ、エピタキシャル成長はできず、アモルファ
スのＳｉ膜が堆積した。

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように、グリッド電極をタ
ーゲットと基板の間に、基板に入射する荷電粒子の制御
電極として設置することにより、１００ＭＨｚ以上の高
周波を用いて絶縁性基板上の膜堆積過程を制御できるよ
うになり、従来は困難だった膜質の基板バイアスによる
制御が可能になるという効果が得られた。これにより、
成膜した膜質を著しく向上させる効果を得ることができ
る。

【００６６】また、以上説明したように高周波バイアス
スパッター装置において、Ａｒより大きな原子量の不活
性ガスを用いることにより、バイアスによる膜質制御が
１００ＭＨｚ以下の周波数で可能になるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の高周波スパッター装置の一例
を示す図である。

【図２】本発明の前提となる特性を表わす図で、種々の
ガスを用いた場合の基板に入射するイオンのエネルギー
分布を示す。

【図３】本発明に用いる高周波バイアス・スパッター装
置の一例を示す図。

【符号の説明】

１真空チャンバー２排気ダクト３ターボ分子ポンプ４ロータリーポンプ５基板６サセプター７基板ヒーター８ターゲット９マグネット１０コンデンサー１１マッチングボックス１２高周波電源１３低周波透過フィルター（ローパスフィルター）１４直流バイアス電源１５原料ガス精製装置１６原料ガスボンベ１７主バルブ１８グリッド電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板とターゲットとの間に高周波を印加
し、さらに前記ターゲットと基板の少なくとも一方に直
流バイアスを印加してスパッタリングを行なう高周波ス
パッタリング装置において、前記基板とターゲットとの間に、前記基板に入射する荷
電粒子に対する制御電極を設けたことを特徴とする高周
波スパッタリング装置。
【請求項２】前記高周波として周波数１００ＭＨｚ以
上の高周波を用いることを特徴とする請求項１に記載の
高周波スパッタリング装置。
【請求項３】前記制御電極に負バイアスを印加する手
段と、前記基板バイアスを制御して該基板への入射イオ
ンエネルギーを調節する手段とを具備したことを特徴と
する請求項１に記載の高周波スパッタリング装置。
【請求項４】基板とターゲットとの間に高周波を印加
し、さらに前記ターゲットと基板の少なくとも一方に直
流バイアスを印加してスパッタリングを行なう高周波ス
パッタリング装置において、スパッタリング・ガスとしてＡｒよりも大きな原子量の
不活性ガスを用いることを特徴とする高周波スパッタリ
ング装置。
【請求項５】前記高周波として、周波数が１００ＭＨ
ｚ以下の高周波を用いることを特徴とする請求項４に記
載の高周波スパッタリング装置。
【請求項６】前記不活性ガスがＸｅであることを特徴
とする請求項４に記載の高周波スパッタリング装置。
【請求項７】前記不活性ガスがＫｒであることを特徴
とする請求項４に記載の高周波スパッタリング装置。
【請求項８】前記基板を保持するサセプターに前記直
流バイアスを印加することを特徴とする請求項４に記載
の高周波スパッタリング装置。