JP2009097037A - プラズマcvd成膜装置およびそれを用いた成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成膜を行うための成膜室2を備え、成膜室2内にカソード電極3と、カソード電極3に対向して配置されたアノード電極4とを設けているプラズマCVD成膜装置1において、カソード電極3とアノード電極4との間に配置されたメッシュ状電極7を備え、メッシュ状電極7にパルス状電圧を印加し、パルス状電圧の波形Pがアノード電極4の電圧に対して負の電位となる負電圧と、0Vまたは正電圧とを交互に印加するように形成されていることを特徴とするプラズマCVD成膜装置1およびそれを用いた成膜方法。
【選択図】図1
Description
メッシュ状電極7に電圧−200Vの直流電圧を印加する以外は、実施例1と同様にして基板Bに成膜を行った。
メッシュ状電極7を設けていない以外は、実施例1と同様にして基板Bに成膜を行った。
本発明の変形例として、カソード電極3、アノード電極4およびメッシュ状電極7を円板形状以外の形状に形成してもよく、さらに容量結合型以外の方式のプラズマCVD成膜装置に用いてもよい。様々な方式のプラズマCVD成膜装置で高品質の薄膜を形成することができる。
本発明の変形例として、Si系薄膜以外の他の種類の薄膜を作成してもよく、様々な種類の高品質の薄膜を形成することができる。
本発明の変形例として、基板自体が導電性を有するような構造となっていてもよく、基板Bの外表面に導電性を持たせるための加工を施さなくとも、基板Bが、アースされ、または電源に接続されるようにホルダーに電気的に接続されることとなる。そのため、成膜室2内で発生するプラズマとアノード電極4との間が絶縁されないことにより、成膜する部分の高周波に対する容量が小さくならず、基板Bに対しても安定して成膜を行うことができる。
本発明の変形例として、メッシュ状に電極の代わりに金属製のワイヤーをラダー形状(はしご形状)に編んで形成されたラダー状電極(図示せず)を用いてもよく、このような形状の電極を用いたても、メッシュ状電極を用いた場合と同様の効果を得ることができる。
本発明の変形例として、不純物元素を含むポスフィンおよびジボランガスなどを原料ガスに添加して、n型半導体またはp型半導体を作製してもよく、高品質のn型半導体およびp型半導体を提供することができる。
本発明の変形例として、太陽電池に限らず多様な製品に用いてもよく、多様な製品で高品質な薄膜を形成することが可能となる。
2 成膜室
3 カソード電極
4 アノード電極
5 コンデンサ
6 高周波電源
7 メッシュ状電極
8 直流パルス電源
9 アース
B 基板
P パルス状電圧の波形
V,v1,v2 電圧
T,t1,t2 時間
t0 周期
Ia 波数480cm-1のアモルファスSi散乱強度
Ic 波数520cm-1の結晶Si散乱強度
Claims (8)
- 成膜を行うための成膜室を備え、該成膜室内にカソード電極と、該カソード電極に対向して配置されたアノード電極とを設けているプラズマCVD成膜装置において、
前記カソード電極と前記アノード電極との間に配置されたメッシュ状電極を備え、該メッシュ状電極にパルス状電圧を印加し、該パルス状電圧の波形が前記アノード電極の電圧に対して負の電位となる負電圧と、0Vまたは正電圧とを交互に印加するように形成されていることを特徴とするプラズマCVD成膜装置。 - 前記パルス状電圧の最大負電圧が−800V〜−200Vであり、前記パルス状電圧の周波数が1kHz〜250kHzであり、前記パルス状電圧の一周期の時間に対する前記パルス状電圧の0Vまたは正電圧を印加する時間の比が2%〜20%になっていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマCVD成膜装置。
- 前記カソード電極または前記アノード電極のいずれか一方が成膜対象物を取付けるための導電性のホルダーとして構成され、容量結合型放電が行われる構成となっていることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマCVD成膜装置。
- Si系薄膜を形成するために、原料ガスにSi系化合物ガスが用いられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマCVD成膜装置。
- n型半導体またはp型半導体を作製するために、原料ガスに不純物ガスが添加されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマCVD成膜装置。
- 前記対象物が基板であり、該基板自体が導電性であるか、または前記基板の表面が導電性になっており、前記基板は、アースされ、または電源に接続されるように前記ホルダーに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマCVD成膜装置。
- 成膜を行うための成膜室を備え、該成膜室内にカソード電極と、該カソード電極と対向してかつ略平行に配置されたアノード電極とを設けているプラズマCVD成膜装置において、
前記カソード電極と前記アノード電極との間で、かつ前記カソード電極および前記アノード電極に対してワイヤーを略平行に並べて配置することによって形成されたラダー状電極を備え、該ラダー状電極にパルス状電圧を印加し、該パルス状電圧の波形が前記アノード電極の電圧に対して負の電位となる負電圧と、0Vまたは正電圧とを交互に印加するように形成されていることを特徴とするプラズマCVD成膜装置。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載のプラズマCVD成膜装置を用いるステップを含む成膜方法。
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2007
- 2007-10-16 JP JP2007269420A patent/JP2009097037A/ja not_active Withdrawn
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