KR101535582B1 - 박막 형성 장치 - Google Patents
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Abstract
기판 상에 패시베이션 막을 형성하는 박막 형성 장치로서, 패시베이션 막의 원료 가스를 포함하는 반응 가스가 도입되는 챔버와, 챔버 내에 배치되어, 기판을 적재하는 기판 플레이트와, 챔버 내에 배치되어, 기판 플레이트 상의 기판과 대향하는 면에 홈이 형성된 전극과, 50 kHz 이상이며 450 kHz 이하인 주파수의 교류 전력을, 그 교류 전력의 공급을 일정한 주기로 정지시키면서, 기판 플레이트와 전극 사이에 공급하여 기판의 상면에서 상기 원료 가스를 포함하는 플라즈마를 여기하는 교류 전원을 구비한다.
Description
본 발명은 플라즈마를 여기하여 성막 처리를 행하는 박막 형성 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 고정밀도의 프로세스 제어가 용이하다는 이점으로부터, 성막 공정, 에칭 공정, 애싱 공정 등에서 플라즈마 처리 장치가 이용되고 있다. 예를 들어, 플라즈마 처리 장치로서 플라즈마 화학 기상 성장(CVD) 장치가 알려져 있다.
플라즈마 CVD 장치에서는, 고주파 전력 등에 의해 원료 가스가 플라즈마화 되고, 화학 반응에 의해 기판 상에 박막이 형성된다. 또한, 성막 효율을 향상시키기 위하여, 할로우 캐소드(hallow cathode) 방전을 이용한 플라즈마 CVD 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
결정 실리콘계 태양 전지의 반사 방지막 등의 패시베이션 막에는, 일반적으로 굴절률 1.92 ~ 2.4, 막 두께 70 ~ 100 nm 정도의 질화실리콘 막 등이 사용되고 있다. 이러한 박막을 형성하는 경우에, 플라즈마 CVD 장치의 교류 전원의 주파수로서 1 MHz 이하의 낮은 주파수를 사용하면, 결정 실리콘 막의 표면 및 결정 실리콘 막이 형성되는 기판의 내부의 패시베이션 효과가 높아지고, 태양 전지의 변환 효율이 향상된다. 그러나, 1 MHz 이하의 낮은 주파수를 사용하면, 성막 프로세스 시의 플라즈마 밀도가 저하하고, 성막 효율이 저하한다.
한편, 할로우 캐소드 방전을 이용하는 플라즈마 CVD 장치에서는, 1 MHz 이상의 주파수의 교류 전원이 사용된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터(TFT)용의 박막 실리콘 막을 형성하는 경우에는, 1 MHz 이상의 주파수를 이용하여도 특히 문제는 없다. 그러나, 결정 실리콘계 태양 전지의 반사 방지막을 성막하는 경우 등에 있어서는, 1 MHz 이상의 주파수의 교류 전원을 이용하면, 결정 실리콘 막의 표면 및 기판 내부의 패시베이션 효과가 낮아져서, 태양 전지의 변환 효율이 저하한다고 하는 문제가 있었다.
상기 문제점을 감안하여, 본 발명은 패시베이션 효과의 저하가 억제된 박막을 형성하고, 성막 효율이 높은 박막 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 특징에 의하면, 기판 상에 패시베이션 막을 형성하는 박막 형성 장치로서, (a) 패시베이션 막의 원료 가스를 포함하는 반응 가스가 도입되는 챔버와, (b) 챔버 내에 배치되고, 기판을 적재하는 기판 플레이트와, (c) 챔버 내에 배치되고, 기판 플레이트 상의 기판과 대향하는 면에 홈이 형성된 전극과 (d) 50 kHz 이상이며 450 kHz 이하인 주파수의 교류 전력을, 그 교류 전력의 공급을 일정한 주기로 정지시키면서, 기판 플레이트와 전극 사이에 공급하여 기판의 상면에서 원료 가스를 포함하는 플라즈마를 여기하는 교류 전원을 구비하는 박막 형성 장치가 제공된다.
본 발명에 의하면, 패시베이션 효과의 저하가 억제된 박막을 형성하고, 성막 효율이 높은 박막 형성 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 형성 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 형성 장치의 전극의 표면에 형성되는 홈의 예를 나타내는 개략도이다.
도 3은 공급되는 전력의 주파수와 기판 표면에 충돌하는 이온 수와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 기판 온도와 변환 효율과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 형성 장치에 의한 박막 형성과, 비교예에 의한 박막 형성이라는 비교를 나타내는 표이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 박막 형성 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 박막 형성 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 형성 장치의 전극의 표면에 형성되는 홈의 예를 나타내는 개략도이다.
도 3은 공급되는 전력의 주파수와 기판 표면에 충돌하는 이온 수와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 기판 온도와 변환 효율과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 형성 장치에 의한 박막 형성과, 비교예에 의한 박막 형성이라는 비교를 나타내는 표이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 박막 형성 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 박막 형성 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 이하의 도면의 기재에 있어서, 동일 또는 유사한 부분에는 동일 또는 유사한 부호를 붙이고 있다. 다만, 도면은 개략적인 것임에 유의해야 한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태는 이 발명의 기술적 사상을 구체화하기 위한 장치나 방법을 예시하는 것으로서, 이 발명의 실시 형태는 구성 부품의 구조, 배치 등을 아래의 것으로 특정하는 것이 아니다. 이 발명의 실시 형태는 청구의 범위에 있어서, 여러 가지의 변경을 더할 수가 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 박막 형성 장치(10)는 기판(100) 상에 패시베이션 막(110)을 형성하는 박막 형성 장치이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 박막 형성 장치(10)는 패시베이션 막(110)의 원료 가스를 포함하는 반응 가스(120)가 도입되는 챔버(11)와, 챔버(11) 내에 배치되고, 기판(100)을 적재하는 기판 플레이트(12)와, 챔버(11) 내에 배치되고, 기판 플레이트(12) 상의 기판(100)과 대향하는 면에, 반응 가스(120)가 통과하는 복수의 분출 구멍(131)의 개구부 및 그 개구부의 주위에 형성된 홈(132)이 배치된 전극(13)과, 50 kHz 이상이며 450 kHz 이하의 주파수인 교류 전력을, 그 교류 전력의 공급을 일정한 주기로 정지시키면서, 기판 플레이트(12)와 전극(13) 사이에 공급하여 기판(100)의 상면에서 원료 가스를 포함하는 플라즈마를 여기하는 교류 전원(14)을 구비한다.
반응 가스(120)는 가스 공급 기구(15)에 의해 챔버(11) 내에 도입된다. 또한, 가스 배기 기구(16)에 의해 챔버(11) 내부가 감압된다. 챔버(11) 내의 반응 가스의 압력이 소정의 가스압으로 조정된 후, 매칭 박스(141)를 통해 교류 전원(14)에 의해 소정의 교류 전력이 설치된 기판 플레이트(12)와 전극(13) 사이에 공급된다. 이것에 의해, 챔버(11) 내의 원료 가스를 포함하는 반응 가스(120)가 플라즈마화 된다. 형성된 플라즈마에 기판(100)을 쪼임으로써, 기판(100)의 노출한 표면에 소망하는 박막이 형성된다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 전극(13)의 기판(100)에 대향하는 표면에는 분출 구멍(131)의 개구부와 홈(132)이 배치되고 있고, 전극(13)은 할로우 캐소드 방전을 발생하게 하는 할로우 캐소드 전극으로서 기능한다. 즉, 전극(13)의 표면에 형성된 홈(132)에서 할로우 캐소드 효과에 의한 전자의 감금이 일어나고, 홈(132)으로부터 공급되는 형태로 고밀도 플라즈마가 안정적으로 생성된다. 그 결과, 원료 가스가 효율적으로 분해되고, 고속으로 대면적으로 균일하게 패시베이션 막(110)이 기판(100) 상에 형성된다.
도 2에, 전극(13)의 기판(100)과 대향하는 면(130)에, 일렬 분의 분출 구멍(131)의 배열 방향에 따라 분출 구멍(131)의 주위에 연속적으로 홈(132)을 형성한 예를 나타낸다. 분출 구멍(131)의 개구부의 주위에 배치되어 있으면, 홈(132)의 레이아웃에 여러 가지의 구성을 채용할 수 있다. 예를 들어, 격자의 교점에 분출 구멍(131)의 개구부가 배치되도록 하여, 격자 모양으로 홈(132)을 형성하여도 좋다.
통상, 할로우 캐소드 방전을 이용하여 플라즈마를 여기하는 경우, 전극 사이에 공급되는 교류 전력의 주파수는 1 MHz 이상이다. 이 때문에, 50 kHz ~ 450 kHz의 주파수의 교류 전력을 사용하는 박막 형성 장치(10)에서는, 챔버(11) 내에서 플라즈마를 안정적으로 형성하기 위하여, 일정한 주기로 교류 전력의 공급이 정지된다.
즉, 교류 전원(14)은 기판 플레이트(12)와 전극(13) 사이로의 교류 전력의 공급을 펄스 제어하여, 교류 전력의 공급을 주기적으로 온ㆍ오프시킨다. 예를 들어, 교류 전력을 공급하는 온 시간을 600 μ초, 교류 전력의 공급을 정지하는 오프 시간을 50 μ초로 하여, 온 시간과 오프 시간을 교대로 반복하도록 기판 플레이트(12)와 전극(13) 사이에 교류 전력이 공급된다. 또한, 온 시간은 300 μ초 ~ 1500 μ초 정도, 오프 시간은 25 μ초 ~ 50 μ초 정도로 설정된다. 오프 시간을 너무 길게 설정하면 파워 효율이 저하하기 때문에, 가장 길어도 오프 시간은 50 μ초 정도로 설정하는 것이 바람직하다. 통상, 교류 전력의 주파수가 1 MHz 이상인 것과 같은 경우에는, 교류 전력의 공급을 오프할 필요는 없다.
박막 형성 장치(10)에서 기판 플레이트(12)와 전극(13) 사이에 공급되는 교류 전력의 주파수를 50 kHz ~ 450 kHz로 한 것은 챔버(11) 내에서 플라즈마가 형성된 상태에서 기판(100)에 충돌하는 이온의 수를 많게 하기 때문이다. 이것에 의해, 이하에 설명하는 바와 같이 기판(100)의 표면 및 내부의 패시베이션 효과를 크게 하고, 결정 실리콘계 태양 전지의 변환 효율을 향상시키는 것 등을 할 수 있다.
예를 들어, 폴리실리콘 기판이 결정 실리콘계 태양 전지의 기판에 사용된다. 폴리실리콘 기판에서는, 폴리실리콘의 입계가 결함이 된다. 이 결함에 캐리어가 보충되어 변환 효율이 저하한다. 그러나, 수소(H) 이온 등을 기판(100)에 충돌시킴으로써, 폴리실리콘 내의 결정의 미결합분을 H이온에 의해 종단시킬 수가 있다. 이것에 의해, 결함에 의한 캐리어의 보충이 감소하고, 패시베이션 효과가 커진다. 그 결과, 결정 실리콘계 태양 전지의 변환 효율이 향상한다.
도 3에 나타낸 그래프는 전극 사이에 공급되는 전력의 주파수와 기판 표면에 충돌하는 이온 수와의 관계를 나타낸다(Akihisa Matsuda 외, 「Influence of Power-Source Frequency on the Properties of GD a-Si:H」, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 23, NO.8, August, 1984, L568-L569). 도 3에 나타낸 바와 같이, 주파수가 10 kHz ~ 500 kHz인 경우에 기판에 충돌하는 이온 수가 많고, 주파수가 1 MHz 이상인 경우에 기판에 충돌하는 이온 수가 적다.
따라서, 기판 플레이트(12)와 전극(13) 사이에 공급되는 교류 전력의 주파수를 10 kHz ~ 500 kHz로 함으로써, 주파수가 1 MHz 이상인 경우에 비해 다수의 이온을 기판(100)에 충돌시킬 수가 있다. 이미 설명한 바와 같이, H 이온 등을 기판(100)에 충돌시킴으로써, 기판(100)의 표면 및 내부의 패시베이션 효과를 크게 할 수가 있다. 또한, 더욱 확실하게는, 교류 전력의 주파수를 50 kHz ~ 450 kHz로 하는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이, 박막 형성 장치(10)에 의하면, 교류 전원(14)이 공급하는 교류 전력의 주파수를 50 kHz ~ 450 kHz로 함으로써, 기판(100)의 표면 및 내부의 패시베이션 효과가 커진다. 즉, 박막 형성 장치(10)에 의하면, 패시베이션 효과가 높은 박막을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 예를 들어, 태양 전지의 변환 효율을 향상시킬 수가 있다.
이하에, 도 1에 나타낸 박막 형성 장치(10)에 의해, 결정 실리콘계 태양 전지의 반사 방지막을 형성하는 경우를 고려한다. 즉, 기판(100)이 결정 실리콘계 태양 전지 기판이며, 패시베이션 막(110)이 반사 방지막이다. 이때, 기판(100)에는, p형 실리콘 기판 상에 표면 확산 농도가 1×1018 ~ 1×1022인 n형 반도체층을 형성한 기판, 혹은, n형 실리콘 기판 상에 표면 확산 농도가 1×1018 ~ 1×1022인 p형 반도체층을 형성한 기판 등이 채용 가능하다. 또한, 패시베이션 막(110)은 굴절률이 1.3 ~ 3.0, 막 두께가 50 ~ 150 nm 정도인 질화실리콘(SiN) 막 등이다.
기판(100) 상에, 예를 들어, SiN 막으로 이루어진 패시베이션 막(110)을 형성하기 위해서는, 원료 가스에는 모노실란, 암모니아 등이 채용되고, 캐리어 가스로서 질소(N), 수소(H), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 등이 채용된다.
홈(132)의 폭은 5 mm ~ 10 mm로 설정된다. 통상의 할로우 캐소드 방전을 이용하는 경우에 고주파 전극의 표면에 형성되는 홈의 폭은 1 ~ 4 mm 정도이다. 박막 형성 장치(10)에서는, 홈(132)의 폭을 넓게 함으로써, 플라즈마를 안정적으로 형성할 수가 있다. 다만, 폭이 너무 넓으면 플라즈마의 상태가 불안정하게 되기 쉬워지기 때문에, 홈(132)의 폭은 10 mm를 넘지 않는 것이 바람직하다. 또한, 분출 구멍(131)의 개구부의 지름은 전극(13)에 형성되는 분출 구멍(131)의 수에도 의존하지만, 일반적으로 1 mm 이하이다.
통상, 할로우 캐소드 방전을 이용하는 경우에는, 반응 가스의 압력은 500 Pa 이상이다. 그러나, 박막 형성 장치(10)에서는, 챔버(11) 내에서 플라즈마를 안정적으로 형성하기 위하여, 원료 가스와 캐리어 가스를 포함하는 반응 가스(120)의 압력을 50 Pa ~ 100 Pa 정도로 낮게 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 챔버(11) 내에서 플라즈마가 여기된 상태에서, 기판(100)을 250 ℃ ~ 550 ℃로 설정하는 것이, 높은 태양 전지 변환 효율(이하에서, 간단하게 「변환 효율」이라고 한다)을 실현하는 점에서 바람직하다. 도 4에 기판 온도와 변환 효율과의 관계를 나타낸 바와 같이, 기판 온도가 300 ℃ ~ 450 ℃에서, 15.6 % ~ 16 % 이상의 높은 변환 효율이 얻어진다.
도 1에 나타낸 박막 형성 장치(10)에서는, 기판 플레이트(12)에 내장된 히터(17)에 의해, 기판(100)의 온도를 임의로 설정할 수가 있다. 상기한 바와 같이, 기판(100)의 온도를 300 ℃ ~ 450 ℃로 설정함으로써, 높은 변환 효율이 얻어진다. 또한, 기판(100)의 온도를 400 ℃ ~ 450 ℃로 하는 것이 더욱 바람직하다.
이하에, 도 1에 나타낸 박막 형성 장치(10)와 비교예의 박막 형성 장치를 각각 이용하여, 결정 실리콘계 태양 전지의 반사 방지막으로서 패시베이션 막(110)을 형성한 예를 도 5에 나타낸다. 여기서, 박막 형성 장치(10)의 교류 전력의 주파수는 250 kHz이다. 비교예 1에서는, 교류 전력의 주파수가 250 kHz이며, 할로우 캐소드 전극을 사용하지 않고 병행 평판 전극을 사용하였다. 비교예 2에서는, 할로우 캐소드 전극을 사용하고, 교류 전력의 주파수는 13.56 MHz이다. 또한, 작성한 결정 실리콘계 태양 전지는 폴리실리콘 기판 상에 막 두께 80 nm의 SiN 막을 형성한 구조이다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 박막 형성 장치(10)와, 교류 전력의 주파수가 250 kHz인 비교예 1에서는, 태양 전지 변환 효율은 동등하다. 그러나, 비교예 1의 성막 레이트가 28 nm/분인 것에 대하여, 할로우 캐소드 전극을 사용한 박막 형성 장치(10)의 성막 레이트는 180 nm/분이며, 박막 형성 장치(10)의 성막 효율은 매우 높다.
또한, 박막 형성 장치(10)와, 할로우 캐소드 전극을 사용한 비교예 2에서는, 성막 레이트는 동등하다. 그러나, 교류 전력의 주파수가 13.56 MHz인 비교예 2의 태양 전지 변환 효율이 16.3 %인 것에 대하여, 박막 형성 장치(10)의 태양 전지 변환 효율은 16.5 %이며, 비교예 2보다도 크다. 즉, 교류 전력의 주파수가 높은 비교예 2에서는 패시베이션 효과의 저하가 크고, 변환 효율이 저하한다. 한편, 박막 형성 장치(10)에서는, 비교예 2와 비교하여 패시베이션 효과의 저하가 억제되어, 높은 변환 효율이 얻어진다.
따라서, 박막 형성 장치(10)에서는, 낮은 주파수의 교류 전극을 공급하는 것에 의해 높은 태양 전지 변환 효율을 얻으면서, 할로우 캐소드 전극을 사용하는 것에 의한 높은 성막 효율을 실현할 수 있다.
이상으로 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 따른 박막 형성 장치(10)에서는, 주파수가 50 kHz ~ 450 kHz인 교류 전력을 이용하여, 할로우 캐소드 방전을 이용한 성막을 실현할 수 있다. 그 결과, 패시베이션 효과의 저하가 억제된 박막을 형성하고, 성막 효율이 높은 박막 형성 장치(10)를 제공할 수가 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 실시 형태에 의해 기재하였지만, 이 개시의 일부를 이루는 논술 및 도면은 이 발명을 한정하는 것이라고 이해하지 않아야 한다. 이 개시로부터 당업자에게는 여러 가지 대체 실시 형태, 실시예 및 운용 기술이 분명해질 것이다.
도 1에서는, 전극(13)의 내부를 반응 가스(120)가 통과하고, 전극(13)의 표면에 형성된 분출 구멍(131)의 개구부로부터 반응 가스(120)가 챔버(11) 내에 분출하는 예를 나타내었다. 그러나, 전극(13)이 상기한 바와 같은 샤워 플레이트형 전극이 아닌 경우에도, 본 발명은 적용 가능하다.
예를 들어, 도 6에 도시한 바와 같이, 반응 가스(120)를 전극(13)의 내부를 통과시키지 않고, 가스 공급 기구(15)로부터 직접 챔버(11) 내에 반응 가스(120)를 도입하여도 좋다. 도 6에 나타낸 박막 형성 장치(10)에서도, 표면에 홈(132)이 형성된 전극(13)은 할로우 캐소드 전극으로서 기능한다. 즉, 전극(13)의 표면에 형성된 홈(132)에서 할로우 캐소드 효과에 의한 전자의 감금이 일어나서, 고밀도 플라즈마가 안정적으로 생성된다. 그 결과, 원료 가스가 효율적으로 분해되어, 고속으로 대면적으로 균일하게 패시베이션 막(110)이 기판(100) 상에 형성된다. 또한, 도 1에 나타낸 박막 형성 장치(10)와 마찬가지로, 도 6에 나타낸 박막 형성 장치(10)에서도, 홈(132)의 레이아웃에 여러 가지의 구성을 채용할 수 있다. 즉, 홈(132)을 격자 모양으로 형성하여도 좋고, 스트라이프 모양으로 형성하여도 좋다.
또한, 도 7에 나타낸 바와 같이, 기판(100)이 배치되는 위치가 복수인 박막 형성 장치(10)에 대해서도, 본 발명은 적용 가능하다. 도 7에 나타낸 예에서는, 기판 플레이트(12) 및 전극(13)은 서로 지면을 향해 상하 방향으로 각각 연신하는 복수의 이빨 부분을 가지는 빗형 형상을 이루어, 기판 플레이트(12)와 전극(13)의 빗의 이빨 부분이 교차 지시 모양으로 배치된다. 기판(100)은 기판 플레이트(12)의 전극(13)에 대향하는 복수의 이빨 부분에 각각 탑재된다.
그리고, 복수의 기판(100)이 수직으로 배치된 도 7의 챔버(11) 내에, 가스 공급 기구(15)로부터 반응 가스(120)가 도입된다. 전극(13)의 이빨 부분의 표면에 홈(132)이 형성되어 있고, 전극(13)은 할로우 캐소드 전극으로서 기능한다. 도 7에 나타낸 예에서는, 홈(132)이 전극(13)의 이빨 부분을 관통하여 형성되어 있다. 도 7에 나타낸 박막 형성 장치(10)에 의하면, 복수의 기판(100)에 동시에 패시베이션 막을 형성하는 것이 가능하다.
이와 같이, 본 발명은 여기에서는 기재하고 있지 않은 여러 가지 실시 형태 등을 포함하는 것은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 상기한 설명으로부터 타당한 청구의 범위에 따른 발명 특정 사항에 의해서만 정해지는 것이다.
산업상의 이용 가능성
본 발명의 박막 형성 장치는 패시베이션 효과의 저하가 억제된 박막을 형성하는 용도에 이용 가능하다.
Claims (9)
- 기판 상에 패시베이션 막을 형성하는 박막 형성 장치로서,
상기 패시베이션 막의 원료 가스를 포함하는 반응 가스가 도입되는 챔버와,
상기 챔버 내에 배치되어, 상기 기판을 적재하는 기판 플레이트와,
상기 챔버 내에 배치되어, 상기 기판 플레이트 상의 상기 기판과 대향하는 면에 홈이 형성된 전극과,
50 kHz 이상이며 450 kHz 이하인 주파수의 교류 전력을, 이 교류 전력의 공급을 일정한 주기로 정지시키면서, 상기 기판 플레이트와 상기 전극 사이에 공급하여 상기 기판의 상면에서 상기 원료 가스를 포함하는 플라즈마를 여기하는 교류 전원을 구비하고, 상기 전극의 상기 홈에서 할로우 캐소드 방전을 발생시키면서, 상기 교류 전력의 공급을 상기 일정한 주기로 정지시킴으로써 상기 챔버 내에서 상기 플라즈마를 안정시키는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 전극에 형성된 상기 홈의 저부에, 상기 반응 가스가 통과하는 복수의 분출 구멍의 개구부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 교류 전력의 공급이 정지되는 시간이 25 μ초 이상이며 50 μ초 이하인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 홈의 폭이 5 mm 이상이며 10 mm 이하인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마가 여기된 상태에서 상기 기판을 300 ℃ 이상이며 450 ℃ 이하로 설정하는 가열 장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 챔버 내의 상기 반응 가스의 압력이 50 Pa 이상이며 100 Pa 이하로 설정되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 기판이 결정 실리콘계 태양 전지 기판인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치. - 청구항 7에 있어서,
상기 기판 상에 형성되는 상기 패시베이션 막이 결정 실리콘계 태양 전지의 반사 방지막인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 기판 상에 형성되는 상기 패시베이션 막의 성막 속도가 180 nm/분 이상인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |