KR20030096041A - 방전플라즈마처리시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 진공챔버에서 플라즈마를 이용하여 대상물을 처리하는 방전플라즈마 처리시스템에 있어서, 상기 시스템이 진공챔버내에 연속하여 존재하는 연속제로자계위치에 의하여 형성되고 처리대상물의 형상과 크기에 일치하는 자기중립선을 발생하기 위한 자계발생수단과 상기 자계발생수단에 의하여 진공챔버에서 발생된 자기중립선에 직각일 수도 있는 경사진 각도에서 고주파전계를 인가함으로서 자기중립선을 포함하는 공간에서 방전플라즈마를 발생하기 위한 전계발생수단으로 구성됨을 특징으로 하는 방전플라즈마처리시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 자계발생수단과 상기 전계발생수단이 원형, 다각형 또는 타원형으로 축대칭으로 배치됨을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 자계발생수단이 직류를 이용할 수 있게 되어 있음을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 자계발생수단이 상용주파수를 포함하는 교류를 이용할 수 있게 되어 있음을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 자계발생수단이 직류와 상용주파수를 포함하는 교류를이용하여 형성되는 복합전류를 이용할 수 있음을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 고주파전계발생수단이 발생되는 자기중립선의 양측에 배치되는 한 쌍의 전극으로 구성됨을 특징으로 하는 시스템.
- 제6항에 있어서, 상기 쌍을 이루는 전극이 디스크형의 형태임을 특징으로 하는 시스템.
- 제6항에 있어서, 상기 쌍을 이루는 전극이 중앙공을 갖는 디스크형의 형태임을 특징으로 하는 시스템.
- 제6항에 있어서, 상기 쌍을 이루는 전극이 환상의 형태임을 특징으로 하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 자계발생수단이 일정한 간격을 두고 동축상으로 배치된 상부코일, 중간코일 및 하부코일을 포함하는 3개의 자계발생코일로 구성되고 전류는 각 자계발생코일에 흐르게 되어 있어 두 인접배치된 코일에 의하여 발생된 중심축상의 자계가 반대방향으로 향함으로서 그 직경을 포함하는 자기중립선의 크기가 상부및 하부코일에 의하여 형성되는 원형의 폐곡선의 수직위치와 중간코일을 통하여 흐르는 전류를 제어하여 조절됨을 특징으로 하는 시스템.
- 진공챔버에서 플라즈마를 이용하여 대상물을 처리하는 방전플라즈마 처리시스템에 있어서, 상기 시스템이 진공챔버내에 연속하여 존재하는 연속제로자계위치에 의하여 형성되는 자기중립선을 발생하기 위한 자계발생수단과 진공챔버에서 발생된 자기중립선에 고주파전계를 인가함으로서 자기중립선을 포함하는 공간에서 방전플라즈마를 발생하기 위한 전계발생수단으로 구성되고, 상기 자계발생수단이 N극으로 작용하는 제1단부와 S극으로 작용하는 제2단부를 갖는 원통형 자석을 포함하며, 상기 제1단부와 상기 제2단부가 시스템의 축선을 따라서 배치되고, 정전류코일이 상기 원통형 자석의 외측에서 이에 동축상으로 배치되며, 상기 원통형 자석과 상기 정전류코일에 의하여 형성되는 환상 자기중립선의 직경이 정전류코일에 흐르는 전류를 선택하여 변화되고 한정될 수 있게 되어 있음을 특징으로 하는 방전플라즈마처리시스템.
- 제11항에 있어서, 상기 자계발생수단과 상기 전계발생수단이 원형, 다각형 또는 타원형으로 축대칭으로 배치됨을 특징으로 하는 시스템.
- 제11항에 있어서, 상기 자계발생수단이 직류를 이용할 수 있게 되어 있음을 특징으로 하는 시스템.
- 제11항에 있어서, 상기 자계발생수단이 상용주파수의 교류를 이용할 수 있게되어 있음을 특징으로 하는 시스템.
- 제11항에 있어서, 상기 자계발생수단이 직류와 상용주파수의 교류를 이용하여 형성되는 복합전류를 이용할 수 있게 되어 있음을 특징으로 하는 시스템.
- 제11항에 있어서, 상기 전계발생수단이 진공챔버에 배치되어 이 전계발생수단이 직각일 수도 있는 경사각도에서 자계발생수단에 의하여 진공챔버에서 발생된 자기중립선에 고주파전계를 인가함을 특징으로 하는 시스템.
- 제16항에 있어서, 상기 전계발생수단이 처리대상물의 표면형태와 동일한 원형, 다각형 또는 타원형으로 축대칭으로 배치됨을 특징으로 하는 시스템.
- 제16항에 있어서, 상기 고주파전계발생수단이 발생되는 자기중립선의 양측에 배치되는 한 쌍의 전극으로 구성됨을 특징으로 하는 시스템.
- 제18항에 있어서, 상기 쌍을 이루는 전극이 디스크형의 형태임을 특징으로 하는 시스템.
- 제18항에 있어서, 상기 쌍을 이루는 전극이 중앙공을 갖는 디스크형의 형태임을 특징으로 하는 시스템.
- 제18항에 있어서, 상기 쌍을 이루는 전극이 환상의 디스크형의 형태임을 특징으로 하는 시스템.
- 제11항에 있어서, 상기 전계발생수단이 처리대상물의 표면형태와 동일한 원형, 다각형 또는 타원형으로 축대칭으로 배치됨으로서 고주파전계가 자기중립선에 평행하게 인가될 수 있게 되어 있음을 특징으로 하는 시스템.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101035242B1 (ko) * | 2009-07-03 | 2011-05-19 | 김미정 | 폐비닐 이송장치 |
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Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101141391B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2012-05-03 | 가부시키가이샤 아루박 | 용량 결합형 자기 중성선 플라즈마 스퍼터장치 |
WO2009110567A1 (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | 株式会社アルバック | プラズマ処理方法 |
CN101494151B (zh) * | 2009-03-05 | 2013-11-13 | 苏州晶能科技有限公司 | 高效率的一维线性等离子体清洗磁控阴极装置 |
US8154209B2 (en) * | 2009-04-06 | 2012-04-10 | Lam Research Corporation | Modulated multi-frequency processing method |
US20120186746A1 (en) * | 2009-09-29 | 2012-07-26 | Ulvac, Inc. | Plasma etching apparatus |
JP5766495B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2015-08-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 熱処理装置 |
CN104437300A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-03-25 | 华文蔚 | 一种超声雾化辅助电离放电生成氢氧自由基的方法 |
WO2019004188A1 (ja) | 2017-06-27 | 2019-01-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2019003312A1 (ja) | 2017-06-27 | 2019-01-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN114373669A (zh) | 2017-06-27 | 2022-04-19 | 佳能安内华股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
CN114666965A (zh) | 2017-06-27 | 2022-06-24 | 佳能安内华股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
CN112534259A (zh) | 2017-12-14 | 2021-03-19 | Essenlix公司 | 监测毛发的装置,系统和方法 |
SG11202009122YA (en) * | 2018-06-26 | 2020-10-29 | Canon Anelva Corp | Plasma processing apparatus, plasma processing method, program, and memory medium |
CN113301706A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-08-24 | 东华理工大学 | 一种回旋加速器用外置简易型射频放电强流质子源装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2705897B2 (ja) | 1993-07-26 | 1998-01-28 | 日本真空技術株式会社 | 放電プラズマ処理装置 |
US6475333B1 (en) * | 1993-07-26 | 2002-11-05 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Discharge plasma processing device |
JPH07263189A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Ulvac Japan Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JPH07263192A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置 |
JPH08288096A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
JP3177573B2 (ja) | 1995-02-20 | 2001-06-18 | 日本真空技術株式会社 | 磁気中性線放電プラズマ処理装置 |
JPH0963792A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Ulvac Japan Ltd | 磁気中性線放電プラズマ源 |
JP3655966B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2005-06-02 | 株式会社アルバック | プラズマ発生装置 |
JP3598717B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2004-12-08 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
JP3968157B2 (ja) * | 1997-10-17 | 2007-08-29 | 株式会社アルバック | 磁気中性線放電型プラズマ利用装置 |
JP2001052895A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処理装置 |
JP2001110597A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Ulvac Japan Ltd | 磁気中性線放電プラズマ発生装置 |
DE10060002B4 (de) * | 1999-12-07 | 2016-01-28 | Komatsu Ltd. | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung |
JP2001338797A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Ulvac Japan Ltd | 磁気中性線放電プラズマ発生装置 |
US20020170678A1 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Toshio Hayashi | Plasma processing apparatus |
-
2003
- 2003-06-06 DE DE10326135.4A patent/DE10326135B4/de not_active Expired - Lifetime
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101035242B1 (ko) * | 2009-07-03 | 2011-05-19 | 김미정 | 폐비닐 이송장치 |
KR101535582B1 (ko) * | 2011-05-20 | 2015-07-09 | 시마쯔 코포레이션 | 박막 형성 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200400556A (en) | 2004-01-01 |
DE10326135B4 (de) | 2014-12-24 |
US20030230985A1 (en) | 2003-12-18 |
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DE10326135A1 (de) | 2004-02-26 |
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