TWI270939B - Discharge plasma processing system - Google Patents

Description

1270939 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種放電電漿處理系統，用以利用所放 出的電漿在基底或標靶上執行例如蝕刻、濺射、塗敷及化 學蒸鍍等操作。 【先前技術】 在日本專利案第2705897號及第3177573號案中已經 揭示磁性中和線放電或迴路放電電漿系統。這些系統的效 率已經獲得證實且其工業上的優點也早已獲得承認，磁性 中和線放電或迴路放電（亦簡稱爲NLD )具有兩項主要 的特點，是其他電獎系統所沒有的。 其中一項特點就是其相對於欲產生的電漿之大小與位 置’其時間/空間的可控制性很高。換句話說，所需電漿 的大小與位置可以根據時間與空間而改變，這一點是因爲 在真空室內的磁性中和線可以藉由外界控制而輕易形成， 且電漿可以沿著此磁性中和線的輪廓產生。這種的自由度 在其他系統中是找不到的。 另一項特點是NLD系統並不包含較高溫度的成分， 因此不需要接受表面處理。而且相較於其他電漿產生方 法，此種方法可以在較低的氣壓供應下產生出密度較高的 電漿。 這些特色是源自於所謂的電子混亂現象（chaotic p h e η 〇 m e η ο η )，就是當施加射頻電場到磁性中和線時，由 -4- 1270939 (2) 於與中和線相交的漫游運動，導致會在磁性中和線附近產 生電子混亂現象。 在中和線附近所產生的電子受到妥善的加熱而混亂地 產生熱能，致使在施加普通射頻電場的情形之下’電子本 身的密度會超過溫度的增加量。 低壓的較高密度電子可使電子能量較容易傳送至中和 子與離子上，致使在較低壓的氣體供應之條件下’也可以 產生較低溫度且較高密度的電漿。這樣的電漿是無害的’ 且可以使表面操作的產量提高。事實上，NLD系統：磁 性中和線放電電漿處理系統特別是在超微處理上具有顯著 的功效，所謂的超微處理是格外需要高精密度’諸如微透 鏡及光學波導的玻璃加工，以及低介電材質的蝕刻等處 理。 圖1是一槪略圖，顯示出一磁性中和線放電電漿處理 系統，用以處理碟狀基底的表面。這樣的系統如今早已被 製造出來了。參考圖1，所顯示的系統包含一圓柱形真空 室 A及三個線圈，這三個線圈爲上線圈B、中間線圈 C 及下線圏D，且在真空室A外面同軸配置。藉由調整電流 至此三個線圈B 5 C，D上，可以在圓柱形真空室A內產生 一圓形磁性中和線E。藉由導引至一方位角的感應電場’ 產生出如甜甜圈形式的電漿，具有圓形磁性中和線E作爲 核心，該方位角是藉由流向射頻線圈G的激發電流所產 生的，而該射頻線圈是捲繞在陶瓷製成的一絕緣圓柱形真 空壁F外側。因此，即使在處理期間，也依然可以藉由組 -5- 1270939 (3) 合流至線圈B，C，D的電流而自由地控制甜甜圈形狀的電 漿之直徑與垂直位置。 如上所述’可以使用低壓氣體在磁性中和線放電電漿 處理系統中產生高密度與低溫的電漿，而且當需要利用不 同的處理操作時，此項特點格外有利。因此，對於具有其 他系統所沒有的特色來說，增進磁性中和線放電電漿處理 系統的功效確實有很強烈的必要性。 雖然上述的磁性中和線放電電漿處理系統性能相當不 錯，但是就操作的簡易度以及減少維修與調整的週期來 看，仍然有進步的空間。此外，當使用昂貴的陶瓷來達到 堅硬與對抗真空等特性要求時，則整個系統本身將會變得 很昂貴。因此，早已渴望能發展出較爲便宜的新穎材質。 在目前所有的磁性中和線放電電漿處理系統中，理論 上必須使用一圓柱形陶瓷容器來作爲真空室的側壁，且必 須圍繞著此容器的外圍纏繞一圈射頻用的線圈，以便沿著 圓形的磁性中和線而施加電場。然而，具有幾十公分的厚 壁圓柱形陶瓷容器是相當昂貴的，而且假如位於真空側的 內壁表面相當平滑的話，則必須採取一些措施，以便消除 或防止吸收現象，此吸收是歸因於對特殊種類氣體的親合 力。如上所述，使用昂貴的陶瓷作爲壁材，以求達到堅硬 與對抗真空的特性，特別是當系統很大時’會導致系統本 身的費用變得很高。這個問題同樣存在於使用1 c p形式處 理系統來執行操作的時候。 因此，本發明是爲了解決上述問題。 -6 - 1270939 (4) 此外，圖1所示的習知三磁場線圈型的處理系統必須 要減輕重量且節省能源，同時，從配置其他電漿處理所需 的零件之角度來看，習知的電漿處理系統又要藉由盡可能 減少線圈數目以便有較少的零件數目。 【發明內容】 有鑒於上述情形，因此本發明的第一目的是要提供一 種磁性中和線放電電漿處理系統，藉由使用完全新穎的磁 性中和線放電電漿處理系統，其中藉由以一傾斜於磁性中 和線的角度施加射頻電場至磁性中和線上，而在包含磁性 中和線內側的一外圍空間中產生出磁性中和線放電電漿， 且該角度也可以是直角。 本發明的第二目的是要提供一種磁性中和線放電電漿 處理系統，係重量輕且具有最小的零件數目，這一點是藉 由增進磁場產生機構的結構以及減少系統的縱向尺寸，特 別是用以產生電漿的真空室之縱向尺寸而達成的。 本發明的第三目的是要提供一種磁性中和線放電電漿 處理系統，其不需要使用到如陶瓷等昂貴材質，所以可減 少成本，而同時重量減輕且具有最小的零件數目。 根據本發明，上述第一目的是藉由利用在真空室內的 電漿以一放電電漿處理系統來處理一物體而達成的，.該系 統包含一磁場產生機構，用以產生一磁性中和線，該磁性 中和線是藉由在真空室內一連串連續存在的零磁場位置所 形成的，且能夠對應出欲處理物體的形狀與尺寸；且包含 1270939 (5) 一電場產生機構，用以藉由以一傾斜角度施加射頻電場至 該磁場產生機構於真空室內所產生的磁性中和線，以便在 磁性中和線內所包含的空間中產生出放電電漿，該角度也 可以是直角。 最好，磁場產生機構及電場產生機構以圓形、多邊形 或橢圓形等軸向對稱的方式配置。 最好’ fe場產生機構能使用直流電流。另一^方面^ fe 場產生機構也可以採用交流電流，其具有一般商業上可獲 得的頻率。當然，磁場產生機構也可以採用直流與交流電 流的複合電流.，其具有一般商業上可獲得的頻率。 最好，射頻電場產生機構包含一對電極，係設置在所 產生的磁性中和線之相反側上。此對電極可以爲具有（或 不具有）一中央開口的碟形外觀或環狀外觀。' 最好，磁場產生機構包含三個磁場產生線圈，包括有 上線圈、中間線圈及下線圈，這些線圈係以間隔同軸配 置，且電流會流向個別的磁場產生線圈中，使得磁場在任 何兩個相鄰線圈所產生的軸線上是反向的，如此一來可藉 由控制圓形的上下線圈所形成之封閉彎曲磁性中和線之位 置，以及控制流過中間線圈的電流，而調整磁性中和線的 尺寸，亦包含其直徑在內。 根據本發明，上述第二目的是藉由利用在真空室內的 電漿以一放電電漿處理系統來處理一物體而達成的，該系 統包含一磁場產生機構，用以產生一磁性中和線，該磁性 中和線是藉由在真空室內一連串連續存在的零磁場位置所 -8- 1270939 (6) 形成的；且包含一電場產生機構 至該磁場產生機構於真空室內所 在磁性中和線內所包含的空間中 產生機構包括一圓柱形磁鐵，其 與作爲S極的第二端，第一端與 配置，且包含一固定電流線圈， 於其外部同軸配置，藉由選擇f: 量，可以改變圓柱形磁鐵與固定 性中和線之直徑。 根據日本專利第2705 8 97所 圈的系統來精確控制封閉彎曲的 位置。然而，藉由控制系統至欲 以控制此垂直距離。換句話說， 適當水平高度就可以控制垂直距 線圈與一圓柱形磁鐵系統之組合 統，以便控制封閉彎曲的磁性中 系統重量輕且含有較少的零件數 在用以達成本發明第二目的 構可以是感應式或電容式，用以 場產生機構於真空室內所產生的 中和線內所包含的空間中產生出 最好，磁場產生機構及電場 或橢圓形等軸向對稱的方式配置 最好，磁場產生機構能使用 ，用以藉由施加射頻電場 產生的磁性中和線，以便 產生出放電電漿，該磁場 具有作爲N極的第一端 第二端是沿著系統的軸線 係相對於該圓柱形磁鐵而 竞向固定線流線圈的電流 電流線圈所形成的環狀磁 述，需要一種具有三個線 磁性中和線之尺寸與垂直 處理物體表面的距離就可 選擇出欲處理物體表面的 離。藉此，可以單一磁場 就能取代習知的三線圈系 和線之尺寸，進而使整個 @。 的一系統中，電場產生機 藉由施加射頻電場至該磁 磁性中和線，以便在磁性 放電電漿。 產生機構以圓形、多邊形 〇 直流電流。另一方面，磁 -9- 1270939 (7) 場產生機構也可以採用交流電流，其具有一般商業上可獲 得的頻率。當然，磁場產生機構也可以採用直流與交流電 流的複合電流，其具有一般商業上可獲得的頻率。 本發明的第三目的是藉由提供一種放電電漿處理系統 而達成的，其中在一真空室內配置一電場產生機構，以便 藉由一磁場產生機構以一傾斜角度施加射頻電場至真空室 內所產生的磁性中和線，該傾斜角度可以是直角。 最好，電場產生機構以圓形、多邊形或橢圓形等軸向 對稱的方式配置，且等於欲處理物體的表面輪廓。 最好，射頻電場產生機構包含一對電極，係設置在所 產生的磁性中和線之相反側上。此對電極可以爲具有（或 不具有）一中央開口的碟形外觀或環狀外觀。 在用以達成本發明第三目的的系統中，係藉由以一傾 斜角度施加射頻電場至磁性中和線上，以便在含有磁性中 和線的一周圍空間內產生出磁性中和線放電電漿，該傾斜 角度可以是直角。因此，藉由此系統，施加射頻電場的方 向並非平行於所產生的磁性中和線，而是夾住磁性中和線 的方向。因此，在封閉彎曲的中和線之情形中，不再需要 沿著該封閉彎曲的中和線外側纒繞一射頻線圈。如此意味 著本系統不像感應電場式的系統，本系統在封閉彎曲的中 和線外部不需要一空間來配置一射頻線圈。換句話說，在 封閉彎曲的中和線上下左右的空間均可以作爲其他用途， 所以本發明不需要如陶瓷等絕緣材質所製成的真空壁，當 從真空容器的外界施加感應電場時，無可避免需要上述的 -10- (8) 1270939 絕緣材質真空壁。在其中射頻產生機構在磁性中和線上下 處配置有一對電極之實施例中，射頻電場是施加在電極之 間。這種形式的電廠施加在此說明書中是被稱爲、、電容電 場式〃。 另一方面’電場產生機構以圓形、多邊形或橢圓形等 軸向對稱的方式配置，且等於欲處理物體的表面輪廓，如 此一來可平行於磁性中和線來施加射頻電場。 【實施方式】 以下，將參考附圖說明本發明的較佳實施例。 圖2是一槪略剖面圖’顯示本發明的磁性中和線放電 電獎處理系統之一較佳實施例。此系統包含一真空室1， 具有圓形橫剖面；三個磁場產生線圈2 5 3，4，係用以產生 磁性中和線5 ’藉由在真空室1內連續存在的一連串零磁 場位置而形成該磁性中和線；及一對碟形（如圖3所示） 或環狀（如圖4所不）電極6，7，係配置在相對於上述三 條磁場產生線圈2, 3，4於真空室1內所產生的圓形磁性 中和線5之上下個別位置中，且以直角相對於圓形磁性中 和線5施加一射頻電場。要知道的是文中所提到的、、環 形〃 一詞係表示包括圓形、多角形與橢圓形的槪念。 分別產生電流至三個磁場產生線圈2，3 5 4上，且在 任何兩個相鄰線圈所產生的軸線上之磁場是反向的，如此 一來可藉由控制圓形的上下線圈2 , 4所形成之封閉彎曲 磁性中和線之位置，以及控制流過中間線圈3的電流，而 -11 - 1270939 (9) 調整磁性中和線5的尺寸，亦包含其直徑在內。雖然在本 實施例中，此三個磁場產生線圈2 5 3，4是用以產生圓形 磁性中和線5，他們也可以產生出對應於欲處理物體的外 形與尺寸之磁性中和線。 配置在真空室1內的此對碟形或環形電極6，7係連 接至個別的射頻電源8，9上，致使能在電極之間施加射 頻電場。這種施加電場的方式在本說明書中被稱爲、電容 電場式〃。另一方面，上述的習知方式是、、感應電場 式〃，在電容電場式的情形中，當射頻放電包含有直流分 量時，則會在上下電極6，7之間發生直接破壞而使系統 受損。因此，根據本發明，電極6, 7均個別塗上絕緣體 1 〇，以便避免這樣的問題發生。電極6，7的輪廓可以根 據處理所應用的特殊技術來修改，例如，化學蒸鍍法可使 用碟形電極，而可選擇環形電極，將其應用在需要一濺射 標靶的第三表面，以便從欲處理的基底形成濺射路徑。 關於上述說明，雖然電極6，7是分別配置在含有圓 形磁性中和線5之平面上下，此圓形磁性中和線係藉由三 個磁場產生線圈2，3，4在真空室1內所產生的，但是也 可以有另外的配置方式，就是可根據系統的應用，相對於 真空室1內所產生的磁性中和線，以一傾斜角度施加射頻 電場。 雖然在本實施例中，使用三個磁場產生線圈作爲磁場 產生機構，但也可以根據放電電漿處理系統的結構而使用 任何數目的線圈。圖4所示的環形電極或如圖5所示具有 -12- 1270939 (10) 中央開口的碟形電極均可以作爲電場產生機構，以取代碟 形電極。 圖6是一槪略剖面圖，顯示本發明的磁性中和線放電 電漿處理系統之另一實施例。參考圖6，此系統包含一真 空室1，該真空室包括一電漿產生部12及一基底處理部 1 3。如圖6所示，沿著真空室的軸線配置一圓柱形磁鐵， 致使其第一端作爲N極而第二端作爲S極，一固定電流 線圏1 5係同軸配置在此圓柱形磁鐵1 4的外面。固定電流 線圈1 5是經由一電'流設定電路1 6而連接至一固定電流源 1 7上。圓柱形磁鐵1 4及固定電流線圈1 5是用以產生一 磁性中和線1 8，藉由在真空室1 1內的電漿產生部1 2中 連續存在的一連串零磁場位置而形成該磁性中和線。藉由 電流設定電路1 6修改流至固定電流線圈1 5的電流，可以 故意選定出環形磁性中和線1 8的直徑，’此磁性中和線是 藉由圓柱形磁鐵1 4與固定電流線圈1 5所形成的。 雖然於圖6中並未顯示，當然設有另一電場產生機 構，用以藉由施加射頻電場至真空室1 1的電漿產生部1 2 內所產生的磁性中和線1 8，以便在磁性中和線1 8內所包 含的空間中產生出放電電漿。此電場產生機構可以是圖1 所示的感應式。假如是感應式的話，則可以將圓柱形磁鐵 配置在內部作爲射頻天線線圈。 圖7是一槪略剖面圖，顯示本發明的磁性中和線放電 電漿處理系統之另一實施例。在此實施例中，用以藉由施 加射頻電場至磁性中和線上，以便在磁性中和線內所包含 -13- 1270939 (11) 的空間中產生出放電電漿之電場產生機構是電容式。 圖6所示的實施例中，真空室π具有一電漿產生部 1 2及一基底處理部1 3。如圖7所示，沿著真空室的軸線 配置一圓柱形磁鐵1 4 ’致使其第一端作爲N極而第二端 作爲S極，一固定電流線圈1 5係同軸配置在此圓柱形磁 鐵1 4的外面。固定電流線圈1 5是經由一電流設定電路 1 6而連接至一固定電流源1 7上。圓柱形磁鐵1 4及固定 電流線圈1 5是用以產生一磁性中和線1 8，藉由在真空室 11內的電漿產生部1 2中連續存在的一連串零磁場位置而 形成該磁性中和線。藉由電流設定電路1 6修改流至固定 電流線圈1 5的電流，可以故意選定出環形磁性中和線1 8 的直徑，此磁性中和線是藉由圓柱形磁鐵1 4與固定電流 線圈1 5所形成的。 成對的電極1 9，2 0是配置在真空室1 1的電漿產生部 1 2中之磁性中和線1 8上下，且以直角相對於磁性中和線 1 8施加一射頻電場。電極1 9，2 0可以根據系統的應用而 具有圖3所示的碟形輪廓、圖4所示的環形輪廓，或是圖 5所示具有中央開口的碟形輪廓。雖然電極19，20在本實 施例中具有圓形的外觀，但是也可以根據系統的應用而具 有多角形或橢圓形的外觀。 配置在真空室1 1的電漿產生部1 2內的此對電極1 9， 20是被連接至個別的射頻電源21，22上，致使能在此電 極之間施加一射頻電場。在''電容電場式〃的情形中，當 射頻放電包含有直流分量時，則會在上下電極1 9，2 0之 -14- 1270939 (12) 間發生直接破壞而 1 9，2 0均個別塗_L 樣的問題發生。電 的特殊技術來修改 而可選擇環形電極 面，以便從欲處理 關於上述說明 圓形磁性中和線1 真空室1 1的電漿Z 有另外的配置方式 中和線，以一傾斜 如上所述，根 理物體之放電電漿 用以產生一磁性中 一連串連續存在的 處理物體的形狀與 由以一傾斜角度施 內所產生的磁性中 間中產生出放電電 本發明，習知的感 致使不再需要在真 不鏽鋼等金屬，則 漿之尺寸與位置 性。因此，系統的 使系統受損。因此，根據本發明，電極 .絕緣體2 3，如圖7所示，以便避免這 極1 9，2 0的輪廓可以根據處理所應用 ’例如’化學蒸鍍法可使用碟形電極， ’將其應用在需要一濺射標靶的第三表 的基底形成濺射路徑。 ，雖然電極19，20是分別配置在含有 8之平面上下，此圓形磁性中和線係在 I生部1 2內所產生的，但是電極也可以 ，就是可根據系統的應用，相對於磁性 角度施加射頻電場。 據本發明，在利用真空室內的電漿來處 處理系統中，設置有一磁場產生機構， 和線，該磁性中和線是藉由在真空室內 零磁場位置所形成的，且能夠對應出欲 尺寸。設置有一電場產生機構，用以藉 加射頻電場至該磁場產生機構於真空室 和線，以便在磁性中和線內所包含的空 漿，該角度也可以是直角。因此，根據 應電場形式可以改變成電容電場形式’ 空室內使用一絕緣體壁，且也可以改用 相對於欲產生之低壓、低溫及局密度電 仍然可以維持住時間/空間之可控制 成本會顯著降低。因此，可以增進並擴 -15- 1270939 (13) 大放電電漿系統的應用範圍。 根據本發明，在利用真空室內的電漿來處理物體之放 電電漿處理系統中，此系統包含一磁場產生機構，用以產 生一磁性中和線，該磁性中和線·是藉由在真空室內一連串 連續存在的零磁場位置所形成的。且包含有一電場產生機 構，用以藉由施加射頻電場至該磁場產生機構於真空室內 所產生的磁性中和線，以便在磁性中和線內所包含的空間 中產生出放電電漿。該磁場產生機構包括一圓柱形磁鐵’ 其具有作爲N極的第一端與作爲S極的第二端，第一端 與第二端是沿著系統的軸線配置，且包含一固定電流線 圈，係相對於該圓柱形磁鐵而於其外部同軸配置。藉由此 配置方式，系統的重量輕且具有最小的零件數目，如此一 來可以輕易組裝與維護。 此外，當在真空室內配置一電場產生機構，用以藉由 施加射頻電場至磁性中和線，以便在磁性中和線內所包含 的空間中產生出放電電漿，致使施加射頻電場的方式是以 一傾斜角度施加至真空室內藉由磁場產生機構所產生的磁 性中和線上，所以不再需要沿著該封閉彎曲的中和線外側 纏繞一射頻線圏。如此意味著在真空室內不再需要使用絕 緣體壁，而可以改用不鏽鋼等金屬。因此，系統的成本會 顯著降低。因此，可以增進並擴大放電電漿系統的應用範 圍。 [圖式簡單說明】 -16- 1270939 (14) 圖1是一槪略剖面圖，顯示習知的感應電場式圓形磁 性中和線放電電漿處理系統； 圖2是一槪略剖面圖，顯示本發明的磁性中和線放電 電漿處理系統之一實施例； 圖3是一槪略立體圖，顯示一碟形電極，可用於本發 明的磁性中和線放電電漿處理系統之電場產生機構中；

圖4是一槪略立體圖，顯示一環形電極，可用於本發 明的磁性中和線放電電漿處理系統之電場產生機構中； I 圖5是一槪略立體圖，顯示一具有中央開口的碟形電 極，可用於本發明的磁性中和線放電電漿處理系統之電場 產生機構中； 圖6是一槪略剖面圖，顯示本發明的磁性中和線放電 電漿處理系統之另一實施例； 圖7是一槪略剖面圖，顯示本發明的磁性中和線放電 電漿處理系統之另一實施例。 【符號說明】 1,11 真空室 2 , 3，4 磁場產生線圈 6，7，1 9，2 0 電極 5, 18 磁性中和線 8，9，2 1，2 2射頻電源 1 〇，2 3 絕緣體 12 電漿產生部 -17- 1270939 (15) 13 基底處理部 14 圓柱形磁鐵 15 固定電流線圈 17 固定電流源

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Claims (1)

1270939 ------ 赛年孑月γ日修(粪)疋替換頁 拾、申請專利範圍 第92 1 1 5 746號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 5年8月21曰修正 1 · 一種放電電漿處理系統，藉由利用在真空室內的電 獎以來處理一物體，其中該系統包含： 一磁場產生機構，用以產生一磁性中和線，該磁性中 和線是藉由在真空室內一連串連續存在的零磁場位置所形 成的’且能夠對應出欲處理物體的形狀與尺寸；及 一電場產生機構，用以藉由以一傾斜角度施加射頻電 場至該磁場產生機構於真空室內所產生的磁性中和線，以 便在磁性中和線內所包含的空間中產生出放電電漿，該角 度也可以是直角。 2 ·如申請專利範圔第1項之系統，其中該磁場產生 機構及該電場產生機構是以圓形、多邊形或橢圓形等軸向 對稱的方式配置。 3 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中該磁場產生 機構能使用直流電流。 4 ·如申請專利範圍第I項之系統，其中該磁場產生 機構也可以採用交流電流，其具有一般商業上可獲得的頻 率 ° 5 ·如申請專利範圍第1項之系統，其中該磁場產生 機構也可以採用直流與交流電流的複合電流，其具有一般 商業上可獲得的頻率。 1270939

6·如申請專利範圍第1項之系統，其中該射頻電場 產生機構包含一對電極，係設置在所產生的磁性中和線之 相反側上。 7 ·如申請專利範圍第6項之系統，其中該對電極可 以具有碟形外觀。 8 ·如申請專利範圍第6項之系統，其中該對電極可 以是具有一中央開口的碟形外觀。

9.如申請專利範圍第6項之系統，其中該對電極可 以具有環形外觀。

1 0 ·如申請專利範圍第】項之系統，其中該磁場產生 機構包含三個磁場產生線圈，包括有上線圈、中間線圈及 下線圈，這些線圈係以間隔同軸配置，且電流會流向個別 的磁場產生線圈中，使得磁場在任何兩個相鄰線圈所產生 的軸線上是反向的，如此一來可藉由控制圓形的上下線圈 所形成之封閉彎曲磁性中和線之位置，以及控制流過中間 線圈的電流，而調整磁性中和線的尺寸，亦包含其直徑在 內。 1 1. 一種放電電漿處理系統，藉由利用在真空室內的 電漿以來處理一物體，其中該系統包含： 一磁場產生機構，用以產生一磁性中和線，該磁性中 和線是藉由在真空室內一連串連續存在的零磁場位置所形 成的；及 一電場產生機構，用以藉由施加射頻電場至該磁場產 生機構於真空室內所產生的磁性中和線，以便在磁性中和 -2- 1270939 線內所包含的空間中產生出放電電漿’其中該磁場產生機 構包括一圓柱形磁鐵，其具有作爲N極的第一端與作爲S 極的第二端，該第一端與第二端是沿著該系統的軸線配 置，且包含一固定電流線圈，係相對於該圓柱形磁鐵而於 其外部同軸配置，藉由選擇流向固定電流線圈的電流量， 可以改變圓柱形磁鐵與固定電流線圈所形成的環狀磁性中 和線之直徑。 12. 如申請專利範圍第1]項之系統，其中該磁場產 生機構及該電場產生機構是以圓形、多邊形或橢圓形等軸 向對稱的方式配置。 13. 如申請專利範圍第1]項之系統，其中該磁場產 生機構能使用直流電流。 14·如申請專利範圍第1 1項之系統，其中該磁場產 生機構也可以採用交流電流，其具有一般商業上可獲得的 頻率。 1 5.如申請專利範圍第1 1項之系統，其中該磁場產 生機構也可以採用直流與交流電流的複合電流，其具有一 般商業上可獲得的頻率。 16·如申請專利範圍第1 1項之系統，其中在真空室 內配置該電場產生機構，以便藉由該磁場產生機構以一傾 斜角度施加射頻電場至真空室內所產生的磁性中和線，該 傾斜角度可以是直角。 1 7 ·如申請專利範圍第]6項之系統，其中該電場產 生機構以圓形、多邊形或橢圓形等軸向對稱的方式配置， -3- 1270939 且等於欲處理物體的袠面輪廓。 ]8·如申請專利範圍第項

之相反側上。 ]6項之系統，其中該射頻電 係設置在所產生的磁性中和線

可以具有碟形外觀。 項之系統，其中該對電極

2 1 ·如申請專利範圍第】8 2 0 ·如申請專利範團第 項之系統，其中該對電極 項之系統，其中該對電極 可以具有環形外觀。 22·如申請專利範圍第]I項之系統，其中該電場產生 機構以圓形、多邊形或橢圓形等軸向對稱的方式配置，且 等於欲處理物體的表面輪廓，如此一來可平行於磁性中和 線來施加射頻電場。