JP2001110597A - 磁気中性線放電プラズマ発生装置 - Google Patents
磁気中性線放電プラズマ発生装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】コンパクトでメンテナンス性の良い磁気中性線
放電プラズマ発生装置を提供する。 【解決す手段】本磁気中性線放電プラズマ発生装置は、
磁気中性線から成る環状ループを形成する磁場発生手段
が一つの環状電磁石と一つの環状永久磁石で構成される
ことを特徴としている。
放電プラズマ発生装置を提供する。 【解決す手段】本磁気中性線放電プラズマ発生装置は、
磁気中性線から成る環状ループを形成する磁場発生手段
が一つの環状電磁石と一つの環状永久磁石で構成される
ことを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や電子部品
等の製造過程に用いられるイオン注入装置、プラズマエ
ッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等のプラズマ源とし
て使用される磁気中性線放電プラズマ発生装置に関する
ものである。
等の製造過程に用いられるイオン注入装置、プラズマエ
ッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等のプラズマ源とし
て使用される磁気中性線放電プラズマ発生装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ源の応用範囲は広く、プラズマ
エッチング、プラズマＣＶＤ、イオン注入装置用イオン
源等で使用されているが、ここでは最も多く用いられて
いるエッチング装置への応用の観点から説明する。従来
技術において最も多く用いられてきたエッチング装置は
平行平板型のものである。
エッチング、プラズマＣＶＤ、イオン注入装置用イオン
源等で使用されているが、ここでは最も多く用いられて
いるエッチング装置への応用の観点から説明する。従来
技術において最も多く用いられてきたエッチング装置は
平行平板型のものである。
【０００３】酸化膜エッチングには上下の電極に周波数
の異なった高周波電力を印加する三電極結合方式の装置
も用いられている。
の異なった高周波電力を印加する三電極結合方式の装置
も用いられている。
【０００４】添付図面の図３には磁気中性線放電を用い
たエッチング装置を示し、このエッチング装置において
は、図示したように真空チャバーＡの誘電体円筒壁Ｂの
外側に載置された三つのコイルＣによって真空チャバー
Ａの内部に磁気中性線が形成され、この磁気中性線に沿
って、中間のコイルと真空チャバーＡの誘電体円筒壁Ｂ
との間に配置されかつプラズマ発生用高周波電源Ｄに接
続されたアンテナＥに高周波電場を印加することによ
り、リング状のプラズマが形成される（特開平７−２６
３１９２号参照）。
たエッチング装置を示し、このエッチング装置において
は、図示したように真空チャバーＡの誘電体円筒壁Ｂの
外側に載置された三つのコイルＣによって真空チャバー
Ａの内部に磁気中性線が形成され、この磁気中性線に沿
って、中間のコイルと真空チャバーＡの誘電体円筒壁Ｂ
との間に配置されかつプラズマ発生用高周波電源Ｄに接
続されたアンテナＥに高周波電場を印加することによ
り、リング状のプラズマが形成される（特開平７−２６
３１９２号参照）。
【０００５】このような従来のエッチング装置のうちま
ず代表例として、平行行平板型エッチングについて動作
説明する。エッチングガスは上部フランジ付近から導入
され、基板電極に高周波電力が印加されてプラズマが形
成され、導入ガスが分解される。この時、プラズマ及び
導入ガスの分布は基板上で均一であることが要求される
ので、一般には、上部フランジに多数の穴のあいたシャ
ワープレートが設けられ、そのシャワープレートを通し
てガスが真空チャンバー内に導入される。ガスの流れが
均一で、プラズマ密度及び電位が均一であれば、プラズ
マ中で発生したエッチャント（ラジカル及びイオン）の
密度分布は均一となり、基板は均一にエッチングされ
る。ところで、平行平板型エッチング装置におけるプラ
ズマ密度及び電位の均一性はチャンバー構造と圧力に大
きく影響を受ける。チャンバー構造が決まってしまうと
均一性の得られる圧カ条件がほぼ一義的に決まり、条件
の選択範囲が極めて狭い。
ず代表例として、平行行平板型エッチングについて動作
説明する。エッチングガスは上部フランジ付近から導入
され、基板電極に高周波電力が印加されてプラズマが形
成され、導入ガスが分解される。この時、プラズマ及び
導入ガスの分布は基板上で均一であることが要求される
ので、一般には、上部フランジに多数の穴のあいたシャ
ワープレートが設けられ、そのシャワープレートを通し
てガスが真空チャンバー内に導入される。ガスの流れが
均一で、プラズマ密度及び電位が均一であれば、プラズ
マ中で発生したエッチャント（ラジカル及びイオン）の
密度分布は均一となり、基板は均一にエッチングされ
る。ところで、平行平板型エッチング装置におけるプラ
ズマ密度及び電位の均一性はチャンバー構造と圧力に大
きく影響を受ける。チャンバー構造が決まってしまうと
均一性の得られる圧カ条件がほぼ一義的に決まり、条件
の選択範囲が極めて狭い。
【０００６】一方、図３に示される磁気中性線放電（Ｎ
ＬＤ）エッチング装置では、磁気中性線の位置が自由に
変えられる上に低ガス圧領域でプラズマ密度及び電位を
制御することができるので、エッチング均一性の良い条
件を容易に設定することができる。図３に示される磁気
中性線放電エッチング装置の磁場計算例を図４の
（ａ）、（ｂ）に示す。図４の（ａ）は等磁束密度線
図、図４の（ｂ）は等磁位線図である。
ＬＤ）エッチング装置では、磁気中性線の位置が自由に
変えられる上に低ガス圧領域でプラズマ密度及び電位を
制御することができるので、エッチング均一性の良い条
件を容易に設定することができる。図３に示される磁気
中性線放電エッチング装置の磁場計算例を図４の
（ａ）、（ｂ）に示す。図４の（ａ）は等磁束密度線
図、図４の（ｂ）は等磁位線図である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】デバイスが高密度化し
てきて加工幅が微細になり、従来用いられてきた平行平
板型エッチング装置及び三電極型エッチング装置では、
動作圧力が高いことや装置構造によって均−性の得られ
る条件が非常に狭いため、大口径で微細な加工の要求さ
れるエッチング工程に用いるのは大変難しくなってきて
いる。そのため、低圧で高密度のプラズマが得られ、均
一性の制御も可能な磁気中性線放電エッチング装置が提
案された（例えば、特開平７−２６３１９２号公報参
照）。
てきて加工幅が微細になり、従来用いられてきた平行平
板型エッチング装置及び三電極型エッチング装置では、
動作圧力が高いことや装置構造によって均−性の得られ
る条件が非常に狭いため、大口径で微細な加工の要求さ
れるエッチング工程に用いるのは大変難しくなってきて
いる。そのため、低圧で高密度のプラズマが得られ、均
一性の制御も可能な磁気中性線放電エッチング装置が提
案された（例えば、特開平７−２６３１９２号公報参
照）。
【０００８】エッチングでは反応性の高いラジカル及び
イオンを基板に照射して基板物質との反応により基板物
質をガス化して蝕刻するが、単に削ればよいわけではな
く、形状制御も必要である。このためにはエッチャント
の他に加工孔壁面に付着してイオンの当たらない側壁を
保護する働きをする物質もプラズマ中で生成されなけれ
ばならない。０．３μｍ幅以下の微細加工では、このエ
ッチャントと保護物質との相対濃度が重要になる。保護
物質がエッチャントに対して多くなり過ぎると、０．３
μｍ幅以下の微細孔は、保護物質により埋まつてしま
い、いわゆるエッチストップが起きて、削れないことに
なる。逆に、保護物質が少なすぎると、エッチャントに
よって側壁が削られて、Bowingが発生し、望ましい形状
が得られない。
イオンを基板に照射して基板物質との反応により基板物
質をガス化して蝕刻するが、単に削ればよいわけではな
く、形状制御も必要である。このためにはエッチャント
の他に加工孔壁面に付着してイオンの当たらない側壁を
保護する働きをする物質もプラズマ中で生成されなけれ
ばならない。０．３μｍ幅以下の微細加工では、このエ
ッチャントと保護物質との相対濃度が重要になる。保護
物質がエッチャントに対して多くなり過ぎると、０．３
μｍ幅以下の微細孔は、保護物質により埋まつてしま
い、いわゆるエッチストップが起きて、削れないことに
なる。逆に、保護物質が少なすぎると、エッチャントに
よって側壁が削られて、Bowingが発生し、望ましい形状
が得られない。
【０００９】図３に示す磁気中性線放電方式では、低圧
で高密度のプラズマが発生するため、非常に優れたエッ
チング特性を示す。しかし、三つの磁場発生用コイルを
使用するため、装置のメンテナンスが難しくまた高価に
なる等の問題がある。
で高密度のプラズマが発生するため、非常に優れたエッ
チング特性を示す。しかし、三つの磁場発生用コイルを
使用するため、装置のメンテナンスが難しくまた高価に
なる等の問題がある。
【００１０】そこで、本発明は、このような従来技術の
問題点を解決してコンパクトでメンテナンス性の良い磁
気中性線放電プラズマ発生装置を提供することを目的と
している。
問題点を解決してコンパクトでメンテナンス性の良い磁
気中性線放電プラズマ発生装置を提供することを目的と
している。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、真空チャバー内に磁場零の磁気
中性線から成る環状ループを形成する磁場発生手段と、
その環状ループの近傍にループに沿って設けられ、誘導
結合により放電プラズマを形成させる高周波アンテナと
を有する装置において、磁気中性線から成る環状ループ
を形成する磁場発生手段が一つの環状電磁石と一つの環
状永久磁石で構成されることを特徴としている。
めに、本発明によれば、真空チャバー内に磁場零の磁気
中性線から成る環状ループを形成する磁場発生手段と、
その環状ループの近傍にループに沿って設けられ、誘導
結合により放電プラズマを形成させる高周波アンテナと
を有する装置において、磁気中性線から成る環状ループ
を形成する磁場発生手段が一つの環状電磁石と一つの環
状永久磁石で構成されることを特徴としている。
【００１２】好ましくは、一つの環状電磁石と一つの環
状永久磁石とは磁気中性線を形成すべき位置と同一の平
面上に同軸状に真空チャンバーの外側に位置決めされ得
る。
状永久磁石とは磁気中性線を形成すべき位置と同一の平
面上に同軸状に真空チャンバーの外側に位置決めされ得
る。
【００１３】また、高周波アンテナは、同軸状に配置し
た環状電磁石及び環状永久磁石と真空チャンバーの外側
との間に位置決めされ得る。
た環状電磁石及び環状永久磁石と真空チャンバーの外側
との間に位置決めされ得る。
【００１４】さらに、環状永久磁石は真空チャンバー内
に軸状磁場を発生し、環状電磁石は環状永久磁石で発生
された軸状磁場と反対の磁場を発生するように構成され
得る。環状永久磁石と環状電磁石との位置関係は、どち
らが内側でどちらが外側でもよい。
に軸状磁場を発生し、環状電磁石は環状永久磁石で発生
された軸状磁場と反対の磁場を発生するように構成され
得る。環状永久磁石と環状電磁石との位置関係は、どち
らが内側でどちらが外側でもよい。
【００１５】本発明による磁気中性線放電プラズマ発生
装置においては、磁気中性線から成る環状ループを形成
する磁場発生手段が一つの環状電磁石と一つの環状永久
磁石で構成されているので、磁気中性線を形成する位置
はコイルと同一面内に限られ磁気中性線を上下方向に移
動することはできないが、コンパクトにプラズマ源を構
成することができるため、メンテナンス性の良いプラズ
マ源を構成することができるという特徴をもつ。また、
形成される磁気中性線の径を大きくしたり小さくするこ
とによってプラズマの均一性を制御することは可能であ
る。
装置においては、磁気中性線から成る環状ループを形成
する磁場発生手段が一つの環状電磁石と一つの環状永久
磁石で構成されているので、磁気中性線を形成する位置
はコイルと同一面内に限られ磁気中性線を上下方向に移
動することはできないが、コンパクトにプラズマ源を構
成することができるため、メンテナンス性の良いプラズ
マ源を構成することができるという特徴をもつ。また、
形成される磁気中性線の径を大きくしたり小さくするこ
とによってプラズマの均一性を制御することは可能であ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面の図１及び図２を
参照して本発明の実施の形態について説明する。図１に
は、本発明の一実施の形態による誘導結合放電型の磁気
中性線放電プラズマ発生装置を用いたエッチング装置を
示す。図示装置において、１は排気口１ａを備えたプロ
セス室を形成している真空チャンバーであり、排気口１
ａはターボ分子ポンプ２に接続されている。真空チャン
バー１の内部には絶縁体部材３を介して基板電極４が設
けられており、この基板電極４はＲＦバイアスを印加す
る高周波電源５に接続されている。６は対向電極で、真
空チャンバ−１の上部フランジｌｂに直接接合されてい
る。対向電極６の内側には基板電極４に対向してエッチ
ングガスを導入するシャワープレート７が設けられてい
る。
参照して本発明の実施の形態について説明する。図１に
は、本発明の一実施の形態による誘導結合放電型の磁気
中性線放電プラズマ発生装置を用いたエッチング装置を
示す。図示装置において、１は排気口１ａを備えたプロ
セス室を形成している真空チャンバーであり、排気口１
ａはターボ分子ポンプ２に接続されている。真空チャン
バー１の内部には絶縁体部材３を介して基板電極４が設
けられており、この基板電極４はＲＦバイアスを印加す
る高周波電源５に接続されている。６は対向電極で、真
空チャンバ−１の上部フランジｌｂに直接接合されてい
る。対向電極６の内側には基板電極４に対向してエッチ
ングガスを導入するシャワープレート７が設けられてい
る。
【００１７】また真空チャンバ−１の外周部の誘電体か
ら成る円筒状側壁１ｃの外側には図示したように、真空
チャンパ−１内に磁気中性線を形成するための磁場発生
手段を構成している一つの円筒状コイル８及び一つの環
状永久磁石９が同軸状に配置されている。環状永久磁石
９は軸状磁場を発生し、円筒状コイル８は環状永久磁石
９による軸状磁場に対して反対の磁場を形成し真空チャ
ンバ−１内に磁気中性線を形成するようにされている。
真空チャンバ−１のガスは排気口１ａを介してターポ分
子ポンプ２によって排気される。円筒状コイル８と真空
チャンバ−１の円筒状側壁１ｃとの間には環状の高周波
アンテナ１０が設けられ、この高周波アンテナ１０はプ
ラズマ発生用高周波電源１１に接続され、誘電体の円筒
状側壁１ｃを介して真空チャンバ−１内に高周波電場を
導入する。
ら成る円筒状側壁１ｃの外側には図示したように、真空
チャンパ−１内に磁気中性線を形成するための磁場発生
手段を構成している一つの円筒状コイル８及び一つの環
状永久磁石９が同軸状に配置されている。環状永久磁石
９は軸状磁場を発生し、円筒状コイル８は環状永久磁石
９による軸状磁場に対して反対の磁場を形成し真空チャ
ンバ−１内に磁気中性線を形成するようにされている。
真空チャンバ−１のガスは排気口１ａを介してターポ分
子ポンプ２によって排気される。円筒状コイル８と真空
チャンバ−１の円筒状側壁１ｃとの間には環状の高周波
アンテナ１０が設けられ、この高周波アンテナ１０はプ
ラズマ発生用高周波電源１１に接続され、誘電体の円筒
状側壁１ｃを介して真空チャンバ−１内に高周波電場を
導入する。
【００１８】このように構成した図１に示す装置を用
い、ブラズマ発生用高周波電源１１の電力を１．５ＫＷ
（１３．５６ＭＨｚ）、基板バイアス高周波電源５の電
力を５００Ｗ（８００ｋＨｚ）、圧力を５ｍＴｏｒｒ、
補助ガスとしてアルゴンを８５ｓｃｃｍ、エッチング主
ガスとしてＣ4 Ｆ8 を１５ｓｃｃｍとしたとき、シリコ
ン酸化膜のエッチング速度が５５０ｎｍ／ｍｉｎであっ
た。比較例として図３で示される従来方式の三つの磁場
コイルを用いた磁気中性線放電エッチング装置を用いた
とき、同条件で得られたシリコン酸化膜のエッチング速
度も５５０ｎｍ／ｍｉｎであり、エッチング性能には替
わりはなかった。従って、環状永久磁石と単一磁場コイ
ルで磁気中性線を形成しても、同じ磁気中性線放電プラ
ズマが形成でき効率の良いエッチング達成されることが
分かる。また、磁場コイルの電流を変えることにより磁
気中性線の径を変えたところ、±３％の均一エッチング
が可能であることがわかった。図２にこの構成における
磁場計算例を示す。図２の（ａ）は等磁束密度線図、図
２の（ｂ）は等磁位線図である。
い、ブラズマ発生用高周波電源１１の電力を１．５ＫＷ
（１３．５６ＭＨｚ）、基板バイアス高周波電源５の電
力を５００Ｗ（８００ｋＨｚ）、圧力を５ｍＴｏｒｒ、
補助ガスとしてアルゴンを８５ｓｃｃｍ、エッチング主
ガスとしてＣ4 Ｆ8 を１５ｓｃｃｍとしたとき、シリコ
ン酸化膜のエッチング速度が５５０ｎｍ／ｍｉｎであっ
た。比較例として図３で示される従来方式の三つの磁場
コイルを用いた磁気中性線放電エッチング装置を用いた
とき、同条件で得られたシリコン酸化膜のエッチング速
度も５５０ｎｍ／ｍｉｎであり、エッチング性能には替
わりはなかった。従って、環状永久磁石と単一磁場コイ
ルで磁気中性線を形成しても、同じ磁気中性線放電プラ
ズマが形成でき効率の良いエッチング達成されることが
分かる。また、磁場コイルの電流を変えることにより磁
気中性線の径を変えたところ、±３％の均一エッチング
が可能であることがわかった。図２にこの構成における
磁場計算例を示す。図２の（ａ）は等磁束密度線図、図
２の（ｂ）は等磁位線図である。
【００１９】ところで図示実施の形態ではエッチング装
置に適用した例を述べたが、同様な効果はプラズマＣＶ
Ｄ装置のプラズマ源として、また、イオン注入装置のプ
ラズマ源として用いたときも均一プラズマを形成できる
ことが期待できる。
置に適用した例を述べたが、同様な効果はプラズマＣＶ
Ｄ装置のプラズマ源として、また、イオン注入装置のプ
ラズマ源として用いたときも均一プラズマを形成できる
ことが期待できる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、磁気中性線から成る環状ループを形成する磁場発生
手段を一つの環状電磁石と一つの環状永久磁石で構成
し、一つの環状永久磁石と一つの環状電磁石の組み合わ
せで、高密度プラズマを発生させることができ、環状電
磁石に流す電流を制御することによってプラズマの均一
性制御ができるプラズマ源を構成することができるよう
になり、メンテナンス性を高めることが可能となった。
従って、半導体や電子部品加工に用いられている反応性
イオンエッチング装置やプラズマＣＶＤ装置、イオン注
入装置のプラズマ源に用いることができ、それらの装置
のメンテナンス性の大幅な向上に貢献をするものであ
る。
ば、磁気中性線から成る環状ループを形成する磁場発生
手段を一つの環状電磁石と一つの環状永久磁石で構成
し、一つの環状永久磁石と一つの環状電磁石の組み合わ
せで、高密度プラズマを発生させることができ、環状電
磁石に流す電流を制御することによってプラズマの均一
性制御ができるプラズマ源を構成することができるよう
になり、メンテナンス性を高めることが可能となった。
従って、半導体や電子部品加工に用いられている反応性
イオンエッチング装置やプラズマＣＶＤ装置、イオン注
入装置のプラズマ源に用いることができ、それらの装置
のメンテナンス性の大幅な向上に貢献をするものであ
る。
【図１】 本発明の一実施の形態による磁気中性線放電
プラズマ発生装置を用いたエッチング装置を示す概略線
図。
プラズマ発生装置を用いたエッチング装置を示す概略線
図。
【図２】 図１に示す磁気中性線放電プラズマ発生装置
において発生される磁気中性線の計算例を示すグラフ。
において発生される磁気中性線の計算例を示すグラフ。
【図３】 従来の三電極型磁気中性線放電型エッチング
装置を示す概略線図。
装置を示す概略線図。
【図４】 図３の装置において発生される磁気中性線の
計算例を示すグラフ。
計算例を示すグラフ。
１：真空チャンバー ２：ターボ分子ポンプ ３：絶縁体部材 ４：基板電極 ５：バイアス用高周波電源 ６：対向電極 ７：シャワープレート ８：円筒状コイル ９：環状永久磁石 １０：高周波アンテナ １１：プラズマ発生用高周波電源 １ａ：排気口 １ｂ：上部フランジ １ｃ：誘電体から成る円筒状側壁
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/265 Ｈ０１Ｌ 21/265 ６０３Ａ
Claims (4)
- 【請求項１】真空チャバー内に磁場零の磁気中性線から
成る環状ループを形成する磁場発生手段と、その環状ル
ープの近傍にループに沿って設けられ、誘導結合により
放電プラズマを形成させる高周波アンテナとを有する装
置において、磁気中性線から成る環状ループを形成する
磁場発生手段を一つの環状電磁石と一つの環状永久磁石
で構成したことを特徴とする磁気中性線放電プラズマ発
生装置。 - 【請求項２】一つの環状電磁石と一つの環状永久磁石と
が磁気中性線を形成すべき位置と同一の平面上に同軸状
に真空チャンバーの外側に位置決めされることを特徴と
する請求項１に記載の磁気中性線放電プラズマ発生装
置。 - 【請求項３】高周波アンテナが、同軸状に配置した環状
電磁石及び環状永久磁石と真空チャンバーの外側との間
に位置決めされることを特徴とする請求項１に記載の磁
気中性線放電プラズマ発生装置。 - 【請求項４】環状永久磁石が真空チャンバー内に軸状磁
場を発生し、環状電磁石が環状永久磁石で発生された軸
状磁場と反対の磁場を発生するように構成したことを特
徴とする請求項１に記載の磁気中性線放電プラズマ発生
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28994299A JP2001110597A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 磁気中性線放電プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28994299A JP2001110597A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 磁気中性線放電プラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110597A true JP2001110597A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17749743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28994299A Pending JP2001110597A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 磁気中性線放電プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110597A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008500457A (ja) * | 2004-05-26 | 2008-01-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | スパッタ反応装置内で金属バリアを形成するために特にマルチステッププロセスで使用される可変四重電磁石アレー |
| DE10326135B4 (de) * | 2002-06-12 | 2014-12-24 | Ulvac, Inc. | Entladungsplasma-Bearbeitungsanlage |
-
1999
- 1999-10-12 JP JP28994299A patent/JP2001110597A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10326135B4 (de) * | 2002-06-12 | 2014-12-24 | Ulvac, Inc. | Entladungsplasma-Bearbeitungsanlage |
| JP2008500457A (ja) * | 2004-05-26 | 2008-01-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | スパッタ反応装置内で金属バリアを形成するために特にマルチステッププロセスで使用される可変四重電磁石アレー |
| US8871064B2 (en) | 2004-05-26 | 2014-10-28 | Applied Materials, Inc. | Electromagnet array in a sputter reactor |
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