KR101051975B1 - 자기중립선방전플라즈마 처리장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 대형의 직사각형 기재의 전 표면영역을 균일하게 처리하기 위하여 동시에 다수의 선형 자기중립선방전플라즈마를 인가할 수 있는 자기중립선방전플라즈마 처리장치를 제공한다. 자기중립선방전플라즈마 처리장치의 자계발생수단이 진공챔버내에서 처리되는 대상물의 처리될 표면과 평행하게 진공챔버의 외부에 배열된 적어도 두개의 선형 전류봉을 가짐으로서 인접배치된 선형 전류봉사이에서 진공챔버내에 적어도 하나의 선형 자기중립선을 형성토록 한다.

자기중립선, 방전플라즈마, 자계발생수단, 전계발생수단, 진공챔버, 전류봉.

Description

자기중립선방전플라즈마 처리장치 {MAGNETIC NEUTRAL LINE DISCHARGE PLASMA PROCESSING DEVICE}

도 1은 통상의 유도전계형인 원형 자기중립선방전플라즈마 처리장치의 개략단면도.

도 2는 본 발명에 따른 자기중립선방전플라즈마 처리장치의 한 실시형태를 보인 단면도.

도 3은 도 2에서 보인 자기중립선방전플라즈마 처리장치에 사용되는 한 쌍의 선형 전류봉에 의하여 구성되는 자계발생수단의 사시도.

도 4는 도 2의 자계발생수단의 선형 전류봉 쌍을 보인 것으로, 인접한 중립선이 선형 전류봉 쌍의 단부에서 서로 선을 이루는 것을 설명하는 사시도.

도 5는 자계발생수단의 다수 쌍의 선형 전류봉과 이들에 의하여 발생된 자기중립선을 단면의 형태로 도시하여 보인 자력선의 설명도.

도 6은 본 발명에 따른 자기중립선방전플라즈마 처리장치의 다른 실시형태를 보인 단면도.

도면의 주요부분에 대한 부호설명

1... 진공챔버 4, 5, 14, 15... 전류봉

8... 선형 자기중립선

본 발명은 플라즈마를 이용하여 기재 또는 타킷과 같은 대상물에서 에칭, 스퍼터링, 코팅 및 CVD와 같은 처리과정을 수행하기 위한 방전플라즈마 처리장치에 관한 것이다.

자기중립선방전플라즈마 처리장치가 일본특허 제2705897호 및 제3177573호에서 제안된 바 있다. 이러한 장치의 효과가 입증되었으며 이들의 산업상 잇점이 알려져 있다. 자기중립선방전(이는 약자로 NLD라 함)플라즈마는 다른 플라즈마가 갖지 않는 두 가지 중요한 특징을 갖는다.

그 특징중의 하나는 이 장치가 발생될 플라즈마의 크기와 위치에 대하여 시간/공간 제어가능성을 제공하는 것이다. 환언컨데, 요구된 플라즈마의 크기와 위치는 시간과 공간 모두에서 변경될 수 있는 것이다. 그 이유는 자기중립선방전플라즈마가 외부에서 제어함으로서 어려움없이 진공챔버에서 발생될 수 있고 플라즈마가 자기중립선의 형태를 따라서 발생될 수 있기 때문이다. 이러한 형태의 자유도는 다른 장치에서 찾아볼 수 없다.

다른 특징은 다른 플라즈마발생방법에 비하여 NLD 플라즈마가 표면처리에는 필요치 않은 고온성분에 의하여 영향을 받지 않으며 고밀도 플라즈마가 낮은 가스압력원하에서 발생될 수 있다는 점이다.

이들 특징은 RF 전계가 중립선에 인가될 때 중립선을 중심으로 하여 교차하 는 사행운동(蛇行運動)에 의하여 자기중립선의 주위에서 발생되고 분포되는 전자의 소위 혼돈형상으로부터 나타난다.

중립선의 주위에서 발생될 전자는 혼돈하에 효과적으로 가열되고 열중성자화되어 통상적인 RF 전계인가에 의한 온도증가 보다 전자밀도가 상승하는 결과를 가져온다.

저온의 고밀도전자는 전자에너지를 용이하게 중립자와 이온으로 전환시켜 낮은 가스압력원하에 저온 고밀도의 플라즈마를 발생할 수 있도록 한다. 이는 손상이 없고 높은 처리량으로 표면처리공정이 이루어질 수 있도록 하는데 유용하도록 한다. 두 가지의 특성에 의하여, 자기중립선방전플라즈마 처리장치는 마이크로-렌즈나 광도파기의 처리와 낮은 유전체물질의 에칭을 위하여 유리와 같은 물질의 높은 처리정밀도를 요구하는 극미세처리공정분야에서 매우 효과적으로 이용될 수 있다.

첨부도면의 도 1은 디스크형 기재의 표면을 처리하기 위하여 제작된 유도전계형 자기중립선방전플라즈마 처리장치를 개념적으로 설명한 것이다. 이러한 장치는 최근까지 제작되어 왔다.

도 1에서, 도시된 장치는 원통형 진공챔버(A)와, 이 진공챔버(A)의 둘레에 동축상으로 배열된 상부코일(B), 중간코일(C) 및 하부코일(D)을 포함하는 3개의 코일로 구성된다. 원통형 진공챔버(A)내에는 3개의 코일(B, C, D)에 흐르는 전류를 조절함으로서 원형의 자기중립선이 발생된다. 플라즈마는 RF 코일(G)로 여기되는 방위로 향하는 유도전계를 인가함으로서 원형의 자기중립선(E)의 코어를 갖는 도우넛 형태로 발생된다. RF 코일(G)는 전형적으로 세라믹으로 된 원통형 절연진공벽(F)의 외부에 권취되어 있다. 이를 위하여, 도우넛형 플라즈마의 직경과 수직위치는 처리과정중이라 하여도 코일(B, C, D)를 흐르는 전류를 조합하여 자유롭게 제어될 수 있다.

상기 언급된 바와 같이. 고밀도 저온 플라즈마는 자기중립선방전플라즈마 처리장치에서 저압가스를 이용하여 발생될 수 있으며 이러한 특성은 여러 처리공정을 위하여 활용될 때 매우 유리하다. 이와 같이, 다른 형태의 장치에서는 찾아 볼 수 없었던 특징을 갖는 개선된 자기중립선방전플라즈마 처리장치의 요구는 크다.

한편, 약 1 미터 정도의 길이와 폭을 갖는 대형 기재의 모든 표면을 균일하게 처리할 수 있다는 고려하에 이러한 형태의 장치에 대한 요구 또한 크다. 아울러, 처리될 기재의 크기는 점점 증가되는 추세이다. 전형적으로 정사각형 또는 직사각형 기재인 처리대상물의 표면적과 동일한 크기의 형태를 갖는 폐곡선형 자기중립선이 도 1에서 보인 바와 같은 통상적인 자기중립선방전플라즈마 처리장치를 이용하여 3개의 코일구성에 의해 형성되고 자기중립선의 영역이 중간코일을 흐르는 전류를 제어함으로서 대형 기재의 전 표면을 통하여 감소 또는 증가될 때, 자기중립선을 둘러싸고 있는 4개 측부의 방향에 따른 자기기울기는 NLD 장치의 특성을 해치지 아니하고 현저히 변화될 수 있으며, 동시에, 기재의 주변을 따라서 전계를 유도하기 위하여 기재주연에 전계를 인가하는데 필요한 전압에 전체 주연의 길이를 승산한 것과 같이 높은 전압이 전원측에서 제공되는 것이 필요하다. 따라서, 이와 같이 고려된 형태의 장치를 준비하는 것은 이러한 문제점을 방지하는 것이 요구된다.

아울러, 도 1의 통상적인 자기중립선방전플라즈마 처리장치의 구성에 있어서, 진공챔버내에서 발생된 자기중립선을 따라 인가될 전계를 발생하기 위한 코일과 일부 관련 구성요소는 진공챔버의 외부에 배치되고 이에 따라서 진공챔버의 벽의 해당부분은 진공조건을 충분히 견딜 수 있는 세라믹과 같은 절연물질로 구성되는 것이 요구된다. 그러나, 진공측에 배치되는 내벽면이 매우 평활하다면, 특정 형태의 가스에 대한 친화력에 의한 흡착을 제거 또는 방지하기 위한 일부수단이 필요하나 이러한 절연물질로 된 이러한 벽은 고가이어서 장치 자체의 전체 코스트가 상승되도록 한다. 장치가 대형일 수록 이러한 문제점은 더 커진다.

더욱이, 고려된 형태의 자기중립선방전플라즈마 처리장치에 있어서는 자기중립선을 발생하기 위한 자계발생수단은 전형적으로 세라믹으로 된 진공챔버(F)의 외부에 권취되어 존재하는 연속제로자계위치에 의하여 형성된다. 따라서, 장치가 대형의 정사각형 또는 직사각형 기재를 처리하는데 사용되어야 하는 경우, 자계발생수단의 배치를 위한 공간은 필연적으로 커지고 기재에 대하여 용이하게 접근할 수 있는 위치에 배치되고 장치의 조립과 정비의 관점에서 구조가 간단한 것이 바람직하다.

따라서, 이와 같은 점을 감안하여, 본 발명의 목적은 직사각형의 대형 기재의 전 표면을 균일하게 처리하기 위하여 동시에 다수의 선형 자기중립선방전플라즈마를 인가할 수 있는 자기중립선방전플라즈마 처리장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 직사각형의 대형 기재의 전 표면을 균일하게 처리하기 위하여 동시에 다수의 선형 자기중립선방전 플라즈마를 인가할 수 있고, 동시에 용이하게 접근할 수 있는 위치에 배치되며 장치의 조립과 정비의 관점에서 간단한 구조를 갖는 자계발생수단으로 구성되는 자기중립선방전플라즈마 처리장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 직사각형의 대형 기재의 전 표면을 균일하게 처리하기 위하여 동시에 다수의 선형 자기중립선방전플라즈마를 인가할 수 있고, 동시에 진공챔버의 벽을 구성하기 위하여 세라믹과 같은 고가의 절연물질의 이용을 필요로 하지 않아 장치의 제조코스트가 낮아지도록 하는 전계발생수단으로 구성되는 자기중립선방전플라즈마 처리장치를 제공하는데 있다.

상기 목적들은 본 발명에 따라서 달성될 수 있는 바, 본 발명의 자기중립선방전플라즈마 처리장치는 진공챔버내에 연속적으로 존재하는 연속제로자계위치에 의하여 형성되는 자기중립선을 발생하기 위한 자계발생수단과 플라즈마를 이용하여 진공챔버내의 대상물을 처리하기 위하여 진공챔버내에서 발생된 자기중립선에 고주파전계를 인가함으로서 자기중립선을 포함하는 공간에서 방전플라즈마를 발생하기 위한 전계발생수단으로 구성되고, 상기 자계발생수단이 진공챔버내에서 처리되는 대상물의 처리될 표면과 평행하게 진공챔버의 외부에 배열된 적어도 두개의 선형 전류봉을 가짐으로서 인접배치된 선형 전류봉사이에서 진공챔버내에 적어도 하나의 선형 자기중립선을 형성토록 함을 특징으로 한다.

자계발생수단의 선형 전류봉은 한 쌍으로 배치되어 이들 사이에 처리대상물이 개재되도록 하는 것이 좋다. 쌍을 이루는 선형 전류봉은 정전류가 이들을 통하여 흐를 수 있도록 진공챔버내에서 이들 사이의 위치에서 이들에 평행한 선형 자기중립선이 형성될 수 있도록 서로 병렬로 평행하게 배치되는 것이 좋으며, 상기 정전류는 동일위상을 갖는 직류(DC) 또는 교류(AC)일 수 있다. 또한, 다수 쌍의 선형 전류봉이 직사각형 평면의 일측면과 평행하게 배열되고 직사각형 평면이 이들 사이에 개재되어 직사각형 평면의 상기 일측면과 평행하게 연장되고 진공챔버내에 형성된 직사각형 평면상에 배치되는 다수의 선형 자기중립선을 형성토록 하며, 동일방향으로 흐르는 전류는 각 쌍의 선형 전류봉을 통하여 흐르게 된다. 한 쌍의 전류봉을 통하여 흐르는 전류는 진공챔버내에 형성된 직사각형 평면상에 직사각형 평면의 일측면과 평행하게 배열되어 직사각형 평면이 이들 전류봉 사이에 개재되는 인접배치된 쌍의 전류봉을 통하여 전류가 흐르는 방향과 반대인 방향으로 흐르도록 한다.

자계발생수단의 선형 전류봉은 처리대상물의 처리될 표면이 평행하게 배열되는 것이 좋다. 선형 전류봉은 서로 평행하게 배열될 수 있으며 진공챔버내에 근접배치된 선형 전류봉과 평행한 이들 사이의 위치에서 형성되는 선형 자기중립선이 반대방향의 전류가 근접배치된 선형 전류봉을 통하여 흐르도록 함으로서 제어될 수 있다. 또한, 다수의 선형 전류봉이 직사각형 평면의 일측면과 평행하게 배열되어 일측면과 평행하게 진공챔버내에서 형성된 직사각형 평면상에 다수의 선형 자기중립선이 형성될 수 있도록 하고 다수의 선형 자기중립선에 의하여 형성되는 평면의 위치는 동일한 전류값을 갖는 전류가 근접배치된 선형 전류봉을 통하여 반대방향으 로 흐르도록 함으로서 제어될 수 있다.

자계발생수단의 선형 전류봉은 다수의 평행한 선형 자기중립선을 평행하게 이동시킴으로서 평면상의 자기중립선방전플라즈마를 형성토록 진공챔버를 따라 이동될 수 있도록 하는 것이 좋다.

전계발생수단은 진공챔버내에 배열되어 중간에 선형 자기중립선이 개재되고 고주파가변전위를 인가할 수 있게 된 적어도 한 쌍의 전극을 포함한다. 각 쌍의 전극은 다수의 스트립형 전극 또는 평판형 전극으로 구성될 수 있다.

상기 언급된 구성에 있어서, 전계발생수단은 진공챔버내에 배열되어 중간에 선형 자기중립선이 개재되고 고주파가변전위가 인가되는 적어도 한 쌍의 전극을 포함하도록 구성된다. 인가된 고주파전계의 방향은 형성된 자기중립선에 평행하지 않고 자기중립선에 대하여 횡방향으로 향하며 고주파전계가 전극 사이에 인가된다. 이와 같이 전계를 인가하는 방법을 본 발명에서는 "용량형"이라 하였다.

본 발명을 첨부도면에 의거하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명은 본 발명의 우선 실시형태를 예시한 첨부도면 도 2-도 6에 의하여 상세히 설명될 것이다.

도 2는 본 발명에 따른 자기중립선방전플라즈마 처리장치의 한 실시형태를 보인 단면도이다. 도 2에서, 도시된 장치는 금속으로 만들어지고 대형 직사각형 기재를 충분히 수용할 수 있는 크기를 갖는 평면상, 실질적으로는 상자형인 진공챔버(1)로 구성된다. 진공챔버(1)는 진공원(도시하지 않았음)에 연결된다. 진공챔버(1)는 장치의 다른 구성요소상에 착설된다.

판상의 가동지지판(2)(3)이 진공챔버(1)의 상하에서 진공챔버의 외측에 배열되고 각각 전류봉(4)(5)을 구비하고 있다. 전류봉(4)(5)은 도 3에서 개념적으로 도시한 바와 같이 일정한 간격을 두고 진공챔버(1)의 일측면에 평행하게 연장되도록 만곡되어 있다. 도 2의 경우에 있어서, 전류봉(4)(5)이 연장된 방향에 평행한 쪽은 진공챔버(1)의 짧은 쪽 면의 하나이다. 도 3은 한 쌍의 근접배치된 만곡부(4a)(5a)와 각 만곡부(4a)(5a)로부터 연장된 두 쌍의 직선부(4b)(5b)를 보이고 있다. 전류봉(4)(5)은 각 정전류원(6)(7)에 연결된다. 이러한 구성으로, 장치가 최대한으로 공간을 활용하여 전체 장치를 매우 간단히 구성할 수 있도록 하는 자계발생수단을 위하여 상부전류원과 하부전류원을 포함하는 단 두개의 정전류원이 제공된다.

전류는 정전류원(6)(7)으로부터 동일방향으로 각 전류봉(4)(5)에 흐르도록 되어 있다. 환언컨데, 전류는 쌍을 이루는 전류봉의 각 직선부(4b)(5b)로 흐르게 된다. 따라서, 선형 자기중립선(8)이 진공챔버(1)에서 전류봉의 각 쌍의 직선부(4b)(5b) 사이에 형성된다. 이와 같이, 전류봉(4)(5)의 직선부(4b)(5b)의 수만큼 많은 선형 자기중립선(8)이 진공챔버(1)내에서 형성된다. 전류봉의 상하부분이 그 대향단부에서 인접한 직선부에 대하여 연결되므로 또한 해당 자기중립선(8)이 인접한 자기중립선에 연결된다. 따라서, 두 인접배치된 자기중립선(8)의 영역에서 발생된 방전플라즈마가 그 단부와 이들의 부근에 배치된 영역에서 평균되고 통합된다.

전류가 각 쌍의 전류봉에 동일방향으로 흐르는 동안에, 이들 사이에 형성된 자기중립선의 위치는 상하측 전류봉(4)(5)에 흐르게 되어 있는 전류의 강도를 변화시킴으로서 상하로 이동될 수 있다. 아울러, 다수의 자기중립선의 위치는 상하측 전류봉(4)(5)에 흐르게 되어 있는 전류의 강도의 비율을 변화시킴으로서 동시에 동일한 정도로 수직으로 제어될 수 있다.

도 5는 자기중립선을 발생하는 자계발생수단의 전류봉(4)(5)의 다수 쌍의 직선부(4b)(5b)에 대하여 임의의 단면을 취한 수직단면으로 보인 3개의 근접배치된 자기중립선에서 관찰될 수 있는 자력선을 설명하고 있다. 도 5에서, 각 점(P)은 4개의 자력선이 만나는 위치(세파트릭스라 함)이다. 아울러, 상하로 교대로 향하고 두 인접한 자기중립점(P) 사이에 위치하는 자력선의 선속이 도시되어 있다. 이들 자력선의 선속은 전류봉의 인접한 쌍의 부분에 흐르는 전류가 반대방향으로 흐를 때 발생된다. 이러한 구성으로, 자기중립선의 상대위치는 이들의 자기압력에 의하여 안정되고 고정된다.

다시 도 2에서, 한 쌍의 직사각형 판상 전극(9)(10)이 이들 사이에 다수의 자기중립선이 배치될 수 있도록 진공챔버(1)내에 배열된다. 이들 자기중립선은 전류봉(4)(5)의 쌍을 이루는 부분(4b)(5b)에 의하여 진공챔버(1)의 짧은 직사각형 면에 평행하게 형성된다. 직사각형 판상 전극(9)(10)은 각각의 고주파전원(11)(12)에 연결된다. 고주파전원이 각 고주파전원(11)(12)으로부터 쌍을 이루는 직사각형 판상 전극(9)(10)에 인가될 때, 직사각형 판상 전극(9)(10)은 각 자기중립선에 대하여 고주파전계를 인가함으로서 용량형 자기중립선방전플라즈마가 자기중립선을 따라서 이에 평행하게 발생된다.

한편, 직사각형의 대형 기재를 처리하기 위하여 다수의 선형 자기중립선방전플라즈마가 동시에 발생될 때, 처리효과는 두 인접한 자기중립선 사이에 놓이는 위치와 자기중립선 바로 아래에 놓이는 위치 사이에서 차등화될 수 있다. 이러한 문제점을 감안하여, 예시된 실시형태의 경우에, 중간에 자기중립선이 개재되는 쌍을 이룬 전극(9)(10)은 판상을 이룸으로서 기재와 자기중립선의 상대위치가 단계적으로 또는 연속하여 다음 자기중립선으로 이동하여 평균화 및 통합화 효과를 증진시킨다.

도 2-도 5에서 보인 실시형태의 경우에 쌍을 이루는 직선부(4b)(5b)를 형성토록 연속한 전류봉(4)(5)이 만곡되는 반면에, 쌍을 이루는 전류봉의 직선부(4b)(5b)가 교대로 제공되어 두 근접배치된 직선부(4b)(5b)가 그 단부에서 연결될 수 있다. 또한, 전류봉(4)(5)의 직선부(4b)(5b)가 예시된 실시형태에서는 진공챔버(1)의 짧은 면 쪽에 평행하게 배열된 반면에, 이들은 장치의 적용여하에 따라서 그리고 관련된 처리기술에 따라서 진공챔버(1)의 긴 측면에 평행하게 배열될 수도 있다.

더욱이, 고주파전계를 인가하기 위하여 진공챔버(1)에 배치된 전극이 예시된 실시형태에서는 판상의 형태이나, 이들 각각은 장치의 적용여하에 따라서 그리고 관련된 처리기술에 따라서 자기중립선과 평행하게 배열되는 다수의 스트립형 전극으로 대체될 수 있다.

도 6은 본 발명에 따른 자기중립선방전플라즈마 처리장치의 다른 실시형태를 단면으로 보인 것이다. 이 실시형태에서, 자기중립선발생수단은 진공챔버(1)의 상부에만 배치된다. 특히, 전류봉(14)(15)은 진공챔버(1)의 외측상부면상에 배치된 가동판상지지부재(13)상에 배치된다. 아울러, 전류봉(14)(15)의 직선부는 두 인접배치된 직선부가 서로 평행하도록 진공챔버(1)의 외측상부면상에서 진공챔버의 짤은 쪽 면에 평행하게 일정한 간격을 두고 배치된다. 전류봉(14)(15)은 각각 정전류원(16)(17)에 연결된다. 그밖에, 이 실시형태의 구성은 도 2에서 보인 실시형태와 실질적으로 동일하며 제1실시형태를 참조하여 상기 언급된 바와 같은 방법으로 수정 또는 변경될 수 있다.

자계발생수단의 전류봉의 직선부는 서로 평행하게 배열된다. 각각 진공챔버(1)내에서 전류봉의 두 인접배치된 직선부와 평행하고 이들 사이에 형성되는 선형 자기중립선의 위치는 전류봉의 두 인접배치된 직선부를 통하여 각각 역방향으로 전류를 흐르게 함으로서 제어될 수 있다. 아울러, 다수의 선형 자기중립선에 의하여 형성된 평면의 위치는 전류봉의 두 인접배치된 직선부를 통하여 동일한 강도의 전류를 역방향으로 흐르게 함으로서 제어될 수 있다.

이와 같이, 본 발명은 진공챔버내에 연속적으로 존재하는 연속제로자계위치에 의하여 형성되는 자기중립선을 발생하기 위한 자계발생수단과 플라즈마를 이용하여 진공챔버내의 대상물을 처리하기 위하여 진공챔버내에서 발생된 자기중립선에 고주파전계를 인가함으로서 자기중립선을 포함하는 공간에서 방전플라즈마를 발생하기 위한 전계발생수단으로 구성되고, 상기 자계발생수단이 진공챔버내에서 처리되는 대상물의 처리될 표면과 평행하게 진공챔버의 외부에 배열된 적어도 두개의 선형 전류봉을 가짐으로서 인접배치된 선형 전류봉사이에서 진공챔버내에 적어도 하나의 선형 자기중립선을 형성토록 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치를 제공한다. 이러한 구성으로, 처리될 기재는 이러한 처리될 기재의 크기와 형상에 관계없이 균일하게 처리될 수 있다.

자계발생수단의 쌍을 이루는 선형 전류봉이 처리대상물의 처리될 표면에 평행하게 별렬로 배치될 때, 대형 기재의 전체 영역이 균일하게 처리될 수 있으며 장치가 용이하게 조립되고 정비될 수 있다. 이러한 장치는 간단하고 용이하게 설계할 수 있다.

전계발생수단이 중간에 선형 자기중립선이 개재되도록 진공챔버내에 배열되고 고주파가변전위가 인가될 수 있게 된 적어도 한쌍의 전극을 포함할 때, 진공챔버의 벽을 구성하기 위하여 세라믹과 같은 고가의 절연물질을 더 이상 사용할 필요가 없어 비교적 적은 비용을 들이고 대면적의 기재를 처리할 수 있는 자기중립선방전플라즈마 처리장치를 제공할 수 있는 것이다.

Claims (12)

1. 플라즈마를 이용하여 진공챔버에서 대상물을 처리하기 위한 자기중립선방전플라즈마 처리장치에 있어서, 이 장치가 진공챔버내에 연속적으로 존재하는 연속제로자계위치에 의하여 형성되는 자기중립선을 발생하기 위한 자계발생수단과, 플라즈마를 이용하여 진공챔버내의 대상물을 처리하기 위하여 진공챔버내에서 발생된 자기중립선에 고주파전계를 인가함으로서 자기중립선을 포함하는 공간에서 방전플라즈마를 발생하기 위한 전계발생수단으로 구성되고, 인접배치된 선형 전류봉사이에서 진공챔버내에 적어도 하나의 선형 자기중립선을 형성하기 위하여 상기 자계발생수단이 진공챔버내에서 처리되는 대상물의 처리될 표면과 평행하게 진공챔버의 외부에 배열된 적어도 두개의 선형 전류봉을 가지며, 전계발생수단이 중간에 선형 자기중립선이 개재되도록 진공챔버내에 배열되고 선형 자기중립선에 평행하게 배열되는 적어도 한쌍의 전극을 포함함으로서 진공챔버내에서 발생된 자기중립선에 고주파전계를 인가하여 자기중립선을 따라 방전플라즈마를 발생함을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.
2. 제1항에 있어서, 자계발생수단의 선형 전류봉이 한 쌍으로 배치되어 이들 선형 전류봉 사이에 처리대상물이 개재됨을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.
3. 제2항에 있어서, 쌍을 이루는 선형 전류봉이 정전류가 이들 선형 전류봉을 통하여 흐를 수 있도록 진공챔버내에서 이들 선형 전류봉 사이의 위치에서 이들 선형 전류봉에 평행한 선형 자기중립선이 형성될 수 있도록 서로 병렬로 평행하게 배치되고, 상기 정전류가 동일위상을 갖는 직류(DC) 또는 교류(AC)임을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.
4. 제2항에 있어서, 다수 쌍의 선형 전류봉이 직사각형 평면의 일측면과 평행하게 배열되고 직사각형 평면이 이들 선형 전류봉 사이에 개재되어 직사각형 평면의 상기 일측면과 평행하게 연장되고 진공챔버내에 형성된 직사각형 평면상에 배치되는 다수의 선형 자기중립선을 형성토록 하며, 동일방향으로 흐르는 전류가 각 쌍의 선형 전류봉을 통하여 흐르게 됨을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.
5. 제4항에 있어서, 한 쌍의 전류봉을 통하여 흐르는 전류가 진공챔버내에 형성된 직사각형 평면상에 직사각형 평면의 일측면과 평행하게 배열되어 직사각형 평면이 이들 전류봉 사이에 개재되는 인접배치된 쌍의 전류봉을 통하여 전류가 흐르는 방향과 반대인 방향으로 흐르게 됨을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.
6. 제1항에 있어서, 자계발생수단의 선형 전류봉이 처리대상물의 처리될 표면이 평행하게 배열됨을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.
7. 제6항에 있어서, 전계발생수단의 선형 전류봉이 서로 평행하게 배열되며 진공챔버내에 근접배치된 선형 전류봉과 평행한 이들 선형 전류봉 사이의 위치에서 형성되는 선형 자기중립선이 반대방향의 전류가 근접배치된 선형 전류봉을 통하여 흐르도록 함으로서 제어됨을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.
8. 제6항에 있어서, 다수의 선형 전류봉이 직사각형 평면의 일측면과 평행하게 배열되어 일측면과 평행하게 진공챔버내에서 형성된 직사각형 평면상에 다수의 선형 자기중립선이 형성될 수 있도록 하고 다수의 선형 자기중립선에 의하여 형성되는 평면의 위치는 동일한 전류값을 갖는 전류가 근접배치된 선형 전류봉을 통하여 반대방향으로 흐르도록 함으로서 제어됨을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.
9. 제1항에 있어서, 자계발생수단의 선형 전류봉이 다수의 평행한 선형 자기중립선을 평행하게 이동시킴으로서 평면상의 자기중립선방전플라즈마를 형성토록 진공챔버를 따라 이동될 수 있게 되어 있음을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.
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11. 제1항에 있어서, 각 전극이 다수의 스트립형 전극으로 구성됨을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.
12. 제1항에 있어서, 각 전극이 평판형 전극으로 구성됨을 특징으로 하는 자기중립선방전플라즈마 처리장치.

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