KR101870668B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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세메스 주식회사
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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 공정 챔버 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 공정 챔버 내부에 마이크로파를 인가하여 상기 공정 챔버 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시키는 안테나; 상기 안테나의 하부에 위치하고, 유전체로 제공되며, 그 상면에 전극 홈이 형성된 유전체 블럭; 및 상기 전극 홈에 삽입되며, 상기 유전체 블럭과 상이한 재질로 제공되는 전극판을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
안테나는 공정 가스에 고주파 전력을 인가하여 공정 가스를 플라스마 상태로 여기시킨다. 안테나는 그 형상이 고정되며, 주로 좌우 대칭 형상을 가진다. 이러한 형상을 갖는 안테나는 이론적으로 플라스마 밀도 분포가 균일하게 발생하여야 하나, 실제 공정에서는 그러하지 못하다.
선행기술 1. 일본공개특허공보 특개 2010-177420호
본 발명의 실시예들은 기판 처리를 균일하게 할 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 공정 챔버 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 공정 챔버 내부에 마이크로파를 인가하여 상기 공정 챔버 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시키는 안테나; 상기 안테나의 하부에 위치하고, 유전체로 제공되며, 그 상면에 전극 홈이 형성된 유전체 블럭; 및 상기 전극 홈에 삽입되며, 상기 유전체 블럭과 상이한 재질로 제공되는 전극판을 포함한다.
또한, 상기 전극판은 상기 유전체 블럭에 비하여 전도성이 높은 재질로 제공될 수 있다.
또한, 상기 안테나는 슬롯 홀이 형성되며 서로 이격하여 배치되는 제1영역들과, 인접한 상기 제1영역들 사이에 위치하며 상기 슬롯 홀이 형성되지 않은 제2영역을 가지는 슬롯 판을 포함하며, 상기 전극판은 상기 제2영역 하부에 위치할 수 있다.
또한, 상기 전극판의 상면은 상기 슬롯 판의 저면과 접촉될 수 있다.
또한, 상기 전극 홈은 상기 전극판보다 큰 사이즈를 가지며, 상기 전극판은 상기 전극 홈 내에서 이동가능할 수 있다.
또한, 상기 전극 홈은 동일한 중심을 가지며 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 홈들을 포함하며, 상기 전극판은 상기 링 형상의 홈들 각각에 제공되며 상기 링 형상의 홈을 따라 이동가능할 수 있다.
또한, 상기 전극판은 호 형상을 가질 수 있다.
또한, 상기 전극 홈은 상기 유전체 블럭의 중심영역에서부터 가장자리영역으로 제공되는 나선 형상의 홈을 포함하며, 상기 전극판은 상기 나선 형상의 홈을 따라 이격하여 복수개 제공될 수 있다.
또한, 상기 전극판들은 서로 상이한 길이를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 밀도 분포가 균일하게 플라스마가 발생하므로 기판 처리가 균일하게 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 플라스마의 발생 밀도 분포를 조절할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 슬롯판의 저면을 나타내는 도면이다.
도 3은 유전체 블럭을 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3의 전극 판들의 이동한 모습을 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유전체 블럭 및 전극 판을 나타내는 평면도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리장치를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 기판(W)에 대하여 플라스마 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치는 공정 챔버(100), 기판 지지부(200), 가스 공급부(320), 그리고 마이크로파 인가 유닛(400)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 공간(101)이 형성되며, 내부 공간(101)은 기판(W)처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 공정 챔버(100)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 개구는 도어(미도시)에 의해 개폐된다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(121)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(121)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
공정 챔버(100) 내부에는 기판 지지부(200)가 위치한다. 기판 지지부(200)는 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함한다.
정전 척(200)은 유전판(210), 하부 전극(220), 히터(230), 지지판(240), 절연판(270), 그리고 포커스 링(280)을 포함한다.
유전판(210)은 정전 척(200)의 상단부에 위치한다. 유전판(210)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(210)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리영역은 유전판(210)의 외측에 위치한다. 유전판(210)에는 제1공급 유로(211)가 형성된다. 제1공급 유로(211)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1공급 유로(211)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.
유전판(210)의 내부에는 하부 전극(220)과 히터(230)가 매설된다. 하부 전극(220)은 히터(230)의 상부에 위치한다. 하부 전극(220)은 제1하부 전원(221)과 전기적으로 연결된다. 제1하부 전원(221)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(220)과 제1하부 전원(221) 사이에는 스위치(222)가 설치된다. 하부 전극(220)은 스위치(222)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1하부 전원(221)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(222)가 온(ON) 되면, 하부 전극(220)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(220)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(220)과 기판(W) 사이에는 전기력이 작용하며, 전기력에 의해 기판(W)은 유전판(210)에 흡착된다.
히터(230)는 외부 전원(미도시)과 전기적으로 연결된다. 히터(230)는 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(210)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(230)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(230)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 히터(230)는 균일한 간격으로 유전판(210)에 매설될 수 있다.
유전판(210)의 하부에는 지지판(240)이 위치한다. 유전판(210)의 저면과 지지판(240)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(240)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(240)의 상면은 중심 영역이 가장자리영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(240)의 상면 중심 영역은 유전판(210)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(210)의 저면과 접착된다. 지지판(240)에는 제1순환 유로(241), 제2순환 유로(242), 그리고 제2공급 유로(243)가 형성된다.
제1순환 유로(241)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1순환 유로(241)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1순환 유로(241)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1순환 유로(241)들은 서로 연통될 수 있다. 제1순환 유로(241)들은 동일한 높이에 형성된다.
제2순환 유로(242)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2순환 유로(242)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2순환 유로(242)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2순환 유로(242)들은 서로 연통될 수 있다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2순환 유로(242)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)의 하부에 위치될 수 있다.
제2공급 유로(243)는 제1순환 유로(241)부터 상부로 연장되며, 지지판(240)의 상면으로 제공된다. 제2공급 유로(243)는 제1공급 유로(211)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1순환 유로(241)와 제1공급 유로(211)를 연결한다.
제1순환 유로(241)는 열전달 매체 공급라인(251)을 통해 열전달 매체 저장부(252)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(252)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(251)을 통해 제1순환 유로(241)에 공급되며, 제2공급 유로(243)와 제1공급 유로(211)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라스마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(200)으로 전달되는 매개체 역할을 한다. 플라스마에 함유된 이온 입자들은 정전 척(200)에 형성된 전기력에 끌려 정전 척(200)으로 이동하며, 이동하는 과정에서 기판(W)과 충돌하여 식각 공정을 수행한다. 이온 입자들이 기판(W)에 충돌하는 과정에서 기판(W)에는 열이 발생한다. 기판(W)에서 발생된 열은 기판(W) 저면과 유전판(210)의 상면 사이 공간에 공급된 헬륨 가스를 통해 정전 척(200)으로 전달된다. 이에 의해, 기판(W)은 설정온도로 유지될 수 있다.
제2순환 유로(242)는 냉각 유체 공급라인(261)을 통해 냉각 유체 저장부(262)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(262)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(262) 내에는 냉각기(263)가 제공될 수 있다. 냉각기(263)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(263)는 냉각 유체 공급 라인(261) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(261)을 통해 제2순환 유로(242)에 공급된 냉각 유체는 제2순환 유로(242)를 따라 순환하며 지지판(240)을 냉각한다. 지지판(240)의 냉각은 유전판(210)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.
지지판(240)의 하부에는 절연판(270)이 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)에 상응하는 크기로 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)과 챔버(100)의 바닥면 사이에 위치한다. 절연판(270)은 절연 재질로 제공되며, 지지판(240)과 챔버(100)를 전기적으로 절연시킨다.
포커스 링(280)은 정전 척(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(200)은 링 형상을 가지며, 유전판(210)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(280)의 상면은 외측부(280a)가 내측부(280b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리영역을 지지한다. 포커스 링(280)의 외측부(280a)는 기판(W) 가장자리영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(280)은 플라스마가 형성되는 영역의 중심에 기판(W)이 위치하도록 전기장 형성 영역을 확장시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라스마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.
가스 공급부(320)는 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급부(320)는 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 가스 공급홀(105)을 통해 공정 챔버 (100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다.
마이크로파 인가 유닛(400)은 공정 챔버(100) 내부에 마이크로파를 인가하여 공정 가스를 여기시킨다. 마이크로파 인가 유닛(400)은 마이크로파 전원(410), 도파관(420), 동축 변환기(430), 마이크로파 안테나(440), 유전체 블럭(450), 전극판(460), 유전체 판(470), 그리고 냉각 판(480)을 포함한다.
마이크로파 전원(410)은 마이크로파를 발생시킨다. 도파관(420)은 마이크로파 전원(410)에 연결되며, 마이크로파 전원(410)에서 발생된 마이크로파가 전달되는 통로를 제공한다.
도파관(420)의 선단 내부에는 동축 변환기(430)가 위치된다. 동축 변환기(430)은 콘 형상으로 제공될 수 있다. 제1몸체(421)의 내부공간을 통해 전달된 마이크로파는 동축 변환기(430)에서 모드가 변환되어 아래 방향으로 전파된다. 마이크로파는 TE 모드에서 TEM 모드로 변환될 수 있다.
마이크로파 안테나(440)는 동축 변환기(430)에서 모드 변환된 마이크로파를 수직 방향으로 전달한다. 마이크로파 안테나(440)는 외부 도체(441), 내부 도체(442), 그리고 슬롯판(443)을 포함한다. 외부 도체(441)는 도파관(420)의 하부에 위치한다. 외부 도체(441)의 내부에는 도파관(420)의 내부공간과 연결되는 공간(441a)이 수직방향으로 형성된다.
외부 도체(441)의 내부에는 내부 도체(442)가 위치한다. 내부 도체(442)는 원기둥 형상의 로드(rod)로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 내부 도체(442)의 상단은 동축 변환기(430)의 하단부에 삽입 고정된다. 내부 도체(442)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치한다. 내부 도체(442)의 하단은 슬롯판(443)의 중심에 고정 결합된다. 내부 도체(442)는 슬롯판(443)의 상면에 수직하게 배치된다.
슬롯판(443)은 두께가 얇은 원판으로 제공되며, 복수의 슬롯 홀(444)들이 서로 이격하여 형성된다.
도 2는 도 1의 슬롯판의 저면을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 슬롯 홀(444)들은 '×'자 형상으로 제공될 수 있다. 슬롯 홀(444)들은 복수개가 서로 조합되어 복수개의 링 형상으로 배치된다. 이하, 슬롯 홀(444)들이 형성된 슬롯 판(443) 영역을 제1영역(A1, A2, A3)이라 하고, 슬롯 홀(444)들이 형성되지 않은 슬롯 판(443) 영역을 제2영역(B1, B2, B3)이라 한다. 제1영역(A1, A2, A3)과 제2영역(B1, B2, B3)은 각각 링 형상을 가진다. 제1영역(A1, A2, A3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제1영역(A1, A2, A3)들은 동일한 중심을 가지며, 슬롯 판(443)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제2영역(B1, B2, B3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제2영역(B1, B2, B3)들은 동일한 중심을 가지며, 슬롯 판(443)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1영역(A1, A2, A3)은 인접한 제2영역(B1, B2, B3)들 사이에 각각 위치한다. 슬롯 홀(444)들은 상술한 형상과 달리, 'ㅡ'자 또는 '+'자 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
유전체 판(470)은 슬롯판(443)의 상부에 위치한다. 유전체 판(470)은 알루미나, 석영등의 유전체로 제공된다. 마이크로파 안테나(440)에서 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 유전체 판(470)의 반경 방향으로 전파된다. 유전체 판(470)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며, 공진된다. 공진된 마이크로파는 슬롯 판(443)의 슬롯 홀(444)들에 투과된다.
유전체 판(470)의 상부에는 냉각 판(480)이 제공된다. 냉각 판(480)은 유전체 판(470)을 냉각한다. 냉각 판(480)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 냉각 판(480)은 내부에 형성된 냉각 유로(미도시)에 냉각 유체를 흘려 유전체 판(470)을 냉각할 수 있다. 냉각 방식은 수냉식 및 공랭식을 포함한다.
슬롯판(443)의 하부에는 유전체 블럭(450)이 제공된다. 유전체 블럭(450)은 알루미나, 석영등의 유전체로 제공된다. 슬롯 판(443)의 슬롯 홀(444)들을 투과한 마이크로파는 유전체 블럭(450)을 거쳐 공정 챔버(100) 내부로 방사된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의하여 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라스마 상태로 여기된다. 유전체 블럭(450)의 상면은 슬롯판(443)의 저면과 소정 간격으로 이격될 수 있다. 이와 달리, 유전체 블럭(450)의 상면은 슬롯판(443)의 저면과 접촉될 수 있다.
도 3은 유전체 블럭을 나타내는 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 유전체 블럭(450)의 상면에는 전극 홈(451)이 형성된다. 전극 홈(451)은 링 형상의 홈(451a 내지 451d)들을 포함한다. 홈(451a 내지 451d)들은 서로 상이한 반경을 가지며, 동일한 중심에 위치한다. 홈(451a 내지 451d)들은 유전체 블럭(450)의 반경방향을 따라 서로 이격하여 위치한다.
전극 홈(451a 내지 451d)에는 전극 판(461 내지 464)이 위치한다. 전극 판(461 내지 464)은 복수개 제공되며, 전극 홈(451a 내지 451d)들 내에 각각 위치한다. 하나의 전극 홈(451a 내지 451d) 내에는 두 개 이상의 전극 판(461 내지 464)이 삽입될 수 있다. 전극 판(461 내지 464)은 유전체 블럭(450)과 상이한 재질로 제공될 수 있다. 전극 판(461 내지 464)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 전극 판(461 내지 464)은 슬롯 판(443)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 전극 판(461 내지 464)들은 전극 홈(451a 내지 451d)들보다 사이즈가 작게 제공될 수 있다. 전극 판(461 내지 464)들은 전극 홈(451a 내지 451d)들에 상응하는 곡률을 갖는 호 형상으로 제공될 수 있다. 전극 판(461 내지 464)들은 그 길이가 서로 상이하게 제공될 수 있다. 전극 판(461 내지 464)들은 슬롯판(443)의 영역들 중 슬롯 홀(444)이 형성되지 않은 제2영역(B1, B2, B3) 하부에 위치한다. 전극 판(461 내지 464)은 제1영역(A1, A2, A3)들 사이 영역에 위치하므로 슬롯 홀(444)들과 간섭되지 않는다. 전극 판(461 내지 464)들은 슬롯 판(443)과 접촉된다. 전극 판(461 내지 464)들의 상면은 슬롯 판(443)의 제2영역(B1, B2, B3) 저면과 접촉된다. 전극 판(461 내지 464)들과 슬롯 판(443)의 접촉으로, 전극 판(461 내지 464)들이 제공되는 슬롯 판(443) 영역은 전극 판(461 내지 464)들이 제공되지 않은 슬롯 판(443) 영역에 비하여 공정가스가 여기되는 여기 공간과의 거리가 가까워진다. 이로 인하여, 공정 챔버(100)의 내부 영역 중 전극 판(461 내지 464)들의 하부에 위치하는 영역에는 다른 영역에 비하여 인가되는 전기장의 세기가 증가되어 높은 밀도의 플라스마가 발생될 수 있다. 이러한 플라스마 밀도 분포는 기판(W) 영역에 따라 처리량을 달리할 수 있다.
전극 판(461 내지 464)들은 도 4와 같이, 전극 홈(451a 내지 451d)들을 따라 이동될 수 있다. 전극 판(461 내지 464)들은 개별적으로 전극 홈(451a 내지 451d)들을 따라 이동될 수 있다. 전극 판(461 내지 464)들의 이동으로 공정 챔버(100) 내에서 발생되는 플라스마 밀도 분포가 달라질 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 플라스마 밀도를 조절하고자 하는 영역에 전극 판(461 내지 464)을 위치시킴으로써 플라스마 밀도 분포를 조절할 수 있다. 그리고, 전극 판(461 내지 464)들의 길이조절을 통하여 플라스마 밀도 분포를 조절할 수 있다. 또한, 전극 판(461 내지 464)들의 이동으로 플라스마 밀도를 조절하고자 하는 영역을 용이하게 변경시킬 수 있다. 플라스마 밀도 분포 조절이 요구되는 영역은 공정 처리된 기판의 처리 맵(map)을 통해 알 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유전체 블럭 및 전극 판을 나타내는 평면도이다.
도 5를 참조하면, 유전체 블럭(450)의 상면에는 나선 형상의 전극 홈(451)이 형성된다. 전극 홈(451)은 유전체 블럭(450)의 중심영역으로부터 가장자리영역으로 제공된다. 전극 홈(451) 내에는 전극 판(460)이 삽입된다. 전극 판(460)들은 복수개 제공되며, 전극 홈(451)을 따라 서로 이격하여 배치된다. 전극 판(460)들은 삽입되는 전극 홈(451) 영역에 상응하는 형상을 가진다. 전극 판(460)들은 그 길이가 상이하게 제공될 수 있다. 전극 판(460)들은 전극 홈(451)을 따라 이동될 수 있다. 전극 홈(451)에 삽입되는 전극 판(460)의 개수, 전극 판(460)들의 위치, 그리고 전극 판(460)들이 길이 조절 등을 통하여 공정 챔버 내에서 발생되는 플라스마 밀도 분포를 조절할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 기판 지지부(200)가 정전 척인 것으로 설명하였으나, 이와 달리 기판 지지부는 다양한 방법으로 기판을 지지할 수 있다. 예컨대, 기판 지지부(200)는 기판을 진공으로 흡착 유지하는 진공 척으로 제공될 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 플라스마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 것으로 설명하였으나, 기판 처리 공정은 이에 한정되지 않으며, 플라스마를 이용하는 다양한 기판 처리 공정, 예컨대 증착 공정, 애싱 공정, 그리고 세정 공정등에도 적용될수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 공정 챔버 200: 기판 지지부
400: 마이크로파 유닛 440: 마이크로파 안테나
443: 슬롯 판 450: 유전체 블럭
460: 전극 판

Claims (9)

  1. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부;
    상기 공정 챔버 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 공정 챔버 내부에 마이크로파를 인가하여 상기 공정 챔버 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시키는 안테나;
    상기 안테나의 하부에 위치하고, 유전체로 제공되며, 그 상면에 전극 홈이 형성된 유전체 블럭; 및
    상기 전극 홈에 삽입되며, 상기 유전체 블럭과 상이한 재질로 제공되는 전극판을 포함하고,
    상기 전극 홈은 상기 유전체 블럭의 중심을 기준으로 연장된 나선 형상이거나, 상이한 직경을 갖는 다수개의 링 형상으로 제공되고,
    상기 전극판은 상기 전극 홈을 따라 이동 가능한 곡선 형상으로 마련되는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극판은 상기 유전체 블럭에 비하여 전도성이 높은 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 안테나는
    슬롯 홀이 형성되며 서로 이격하여 배치되는 제1영역들과, 인접한 상기 제1영역들 사이에 위치하며 상기 슬롯 홀이 형성되지 않은 제2영역을 가지는 슬롯 판을 포함하며,
    상기 전극판은
    상기 제2영역 하부에 위치하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 전극판의 상면은 상기 슬롯 판의 저면과 접촉되는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극 홈은 상기 전극판보다 큰 사이즈를 가지는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극판은 상기 링 형상의 홈들 각각에 제공되며 상기 링 형상의 홈을 따라 이동가능한 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 전극판은 호 형상을 가지는 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극판은 상기 나선 형상의 홈을 따라 이격하여 복수개 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극판은 서로 상이한 길이를 가지는 복수의 전극판들인 기판 처리 장치.
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