KR101885108B1

KR101885108B1 - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR101885108B1
Application number: KR1020110090375A
Authority: KR
Inventors: 김형준
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2011-09-06
Filing date: 2011-09-06
Publication date: 2018-08-07
Also published as: KR20130026917A

Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부의 상부에 위치된 여기 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 및 상기 여기 공간으로 고주파 전력을 인가하여 공정 가스를 여기시키는 안테나를 포함하되, 상기 가스 공급부는 상기 여기 공간의 중심영역 상부에 위치하며, 상기 여기공간의 중심영역으로 공정가스를 공급하는 제1노즐; 및 상기 여기 공간을 에워싸는 링 형상으로 제공되며, 상기 여기 공간의 가장자리영역으로 공정가스를 공급하는 공급 유로가 내측면에 형성된 제2노즐을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATIMG SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.

플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.

식각 공정은 공정 챔버 내부에서 수행된다. 공정 챔버 내부로 공정 가스가 공급되고, 안테나가 공정 챔버 내부에 고주파 전력을 인가하여 공정가스를 플라스마 상태로 여기시킨다. 공정 가스는 공정 챔버의 상단 중심영역에 설치된 노즐을 통해 공급되며, 공정 챔버 내부에서 확산되며 기판의 각 영역으로 공급된다. 공정 가스의 확산은 기판의 각 영역으로 공정 가스를 공급하나, 노즐의 고정된 위치에 의해 기판의 가장자리영역에 비하여 중심영역으로 높은 밀도의 공정 가스가 공급된다. 이러한 공정 가스의 분포는 기판 처리를 불균일하게 한다.

본 발명의 실시예들은 기판 처리를 균일하게 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부의 상부에 위치된 여기 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스공급부; 및 상기 여기 공간으로 고주파 전력을 인가하여 공정 가스를 여기시키는 안테나를 포함하되, 상기 가스 공급부는 상기 여기 공간의 중심영역 상부에 위치하며, 상기 여기공간의 중심영역으로 공정가스를 공급하는 제1노즐; 및 상기 여기 공간을 에워싸는 링 형상으로 제공되며, 상기 여기 공간의 가장자리영역으로 공정가스를 공급하는 공급 유로가 내측면에 형성된 제2노즐을 포함한다.

또한, 상기 공급 유로는 상기 제2노즐의 내측면을 따라 연속적으로 제공될 수 있다.

또한, 상기 제2노즐은 공정가스가 순환하는 가스순환 홈이 그 둘레를 따라 상면에 형성된 가스 링; 및 상기 가스 링의 상면에 놓이는 커버 링을 포함하되, 상기 가스 링의 상면에는 상기 가스 순환 홈과 상기 공급 유로를 연결하는 가스공급 홈이 상기 가스 링의 둘레를 따라 이격하여 복수개 형성될 수 있다.

또한, 상기 가스 공급 홈은 너비가 깊이보다 큰 슬릿 홈일 수 있다.

또한, 상기 여기 공간에 인접한 상기 가스 링의 내측부 상면은 상기 여기 공간에 인접될수록 그 높이가 점점 낮아지도록 하향 경사진 경사면으로 제공되며, 상기 커버링의 내측부 상면은 상기 가스 링의 경사면과 소정 간격 이격되어 나란하게 경사진 경사면으로 제공되며, 상기 공급 유로는 상기 가스 링의 경사면과 상기 커버 링의 경사면이 조합되어 형성될 수 있다.

또한, 상기 커버링의 내측부 하단은 그 높이가 상기 가스 공급 홈의 높이보다 낮게 위치될 수 있다.

본 발명의 실시예들에 의하면, 플라스마의 밀도 분포가 균일하게 발생되므로 기판 처리가 균일하게 이루어질 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 가스 공급부를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2의 가스 공급부를 나타내는 분해 사시도이다.
도 4는 도 3의 가스 링의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 5는 가스 공급부를 통해 여기 공간으로 가스가 공급되는 모습을 나타내는 단면도이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지부(200), 가스 공급부(300), 그리고 플라스마 생성부(400)를 포함한다.

공정 챔버(100)는 기판(W) 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(100)는 몸체(110), 밀폐 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다.

몸체(110)에는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 몸체(110)의 내부 공간은 기판(W) 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 몸체(110)는 금속 재질로 제공된다. 몸체(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 몸체의 내부 공간에 머무르는 가스가 몸체(110) 외부로 배기되는 통로를 제공한다.

밀폐 커버(120)는 몸체(110)의 개방된 상면을 덮는다. 밀폐 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 몸체(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 밀폐 커버(120)는 몸체(110)와 상이한 재질로 제공될 수 있다. 밀폐 커버(120)는 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다.

라이너(130)는 몸체(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 몸체(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 몸체(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 몸체(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 몸체(110)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 몸체(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 공정 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 몸체(110)의 내측면을 보호하여 몸체(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 몸체(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)이 손상될 경우, 새로운 라이너로 교체할 수 있다.

몸체(110)의 내부에는 기판 지지부(200)가 위치한다. 기판 지지부(200)는 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함한다.

정전 척(200)은 유전판(210), 하부 전극(220), 히터(230), 지지판(240), 그리고 절연판(270)을 포함한다.

유전판(210)은 정전 척(200)의 상단부에 위치한다. 유전판(210)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(210)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리영역은 유전판(210)의 외측에 위치한다. 유전판(210)에는 제1공급 유로(211)가 형성된다. 제1공급 유로(211)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1공급 유로(211)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.

유전판(210)의 내부에는 하부 전극(220)과 히터(230)가 매설된다. 하부 전극(220)은 히터(230)의 상부에 위치한다. 하부 전극(220)은 외부 전원(미도시)과 전기적으로 연결된다. 외부 전원은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(220)에 인가된 직류 전류에 의해 하부 전극(220)과 기판(W) 사이에는 전기력이 작용하며, 전기력에 의해 기판(W)은 유전판(210)에 흡착된다.

히터(230)는 외부 전원(미도시)과 전기적으로 연결되며, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(210)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(230)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(230)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 히터(230)는 균일한 간격으로 유전판(210)에 매설될 수 있다.

유전판(210)의 하부에는 지지판(240)이 위치한다. 유전판(210)의 저면과 지지판(240)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(240)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(240)의 상면은 중심 영역이 가장자리영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(240)의 상면 중심 영역은 유전판(210)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(210)의 저면과 접착된다. 지지판(240)에는 제1순환 유로(241), 제2순환 유로(242), 그리고 제2공급 유로(243)가 형성된다.

제1순환 유로(241)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1순환 유로(241)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1순환 유로(241)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1순환 유로(241)들은 서로 연통될 수 있다. 제1순환 유로(241)들은 동일한 높이에 형성된다.

제2공급 유로(243)는 제1순환 유로(241)부터 상부로 연장되며, 지지판(240)의 상면으로 제공된다. 제2공급 유로(243)는 제1공급 유로(211)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1순환 유로(241)와 제1공급 유로(211)를 연결한다. 제1순환 유로(241)를 순환하는 열전달 매체는 제2공급 유로(243)와 제1공급 유로(211)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 열전달 매체는 플라스마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(200)으로 전달되는 매개체 역할을 한다. 플라스마에 함유된 이온 입자들은 정전 척(200)에 형성된 전기력에 끌려 정전 척(200)으로 이동하며, 이동하는 과정에서 기판(W)과 충돌하여 식각 공정을 수행한다. 이온 입자들이 기판(W)에 충돌하는 과정에서 기판(W)에는 열이 발생한다. 기판(W)에서 발생된 열은 기판(W) 저면과 유전판(210)의 상면 사이 공간에 공급된 열전달 가스를 통해 정전 척(200)으로 전달된다. 이에 의해, 기판(W)은 설정온도로 유지될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다.

제2순환 유로(242)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유체는 제2순환 유로(242)를 따라 순환하며 지지판(240)을 냉각한다. 지지판(240)의 냉각은 유전판(210)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. 제2순환 유로(242)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2순환 유로(242)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2순환 유로(242)들은 서로 연통될 수 있다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2순환 유로(242)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)의 하부에 위치될 수 있다.

지지판(240)의 하부에는 절연판(270)이 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)에 상응하는 크기로 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)과 챔버(100)의 바닥면 사이에 위치한다. 절연판(270)은 절연 재질로 제공되며, 지지판(240)과 챔버(100)를 전기적으로 절연시킨다.

포커스 링(280)은 정전 척(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(200)은 링 형상을 가지며, 유전판(210)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(280)의 상면은 유전판(210)과 인접한 내측부가 외측부보다 낮도록 단차질 수 있다. 포커스 링(280)의 상면 내측부는 유전판(210)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(280)의 상면 내측부는 유전판(210)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리영역을 지지한다. 포커스 링(280)의 외측부는 기판(W) 가장자리영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(280)은 플라스마가 형성되는 영역의 중심에 기판(W)이 위치하도록 전기장 형성 영역을 확장시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라스마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.

가스 공급부(300)는 공정 챔버(100) 내부의 여기 공간(Ignition Space, IS)으로 공정 가스를 공급한다. 여기 공간(IS)은 공정 챔버(100) 내부로 공급된 공정 가스가 고주파 전력에 의해 플라스마 상태로 여기되는 공간이다. 여기 공간(IS)은 기판 지지부(200)의 상부에 위치한다.

도 2는 도 1의 가스 공급부를 나타내는 단면도이고, 도 3은 도 2의 가스 공급부를 나타내는 분해 사시도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 가스 공급부(300)는 제1노즐(310), 제2노즐(320), 가스 공급 라인(360), 그리고 가스 저장부(370)를 포함한다. 제1노즐(100)은 밀폐 커버(120)의 중앙부에 위치한다. 제1노즐(310)에는 분사홀(311)이 형성된다. 분사홀(311)은 여기 공간(IS)의 중심영역으로 공정 가스를 공급한다. 제1노즐(310)은 노즐 지지 로드(312)에 의해 지지되어 밀폐 커버(120)에 위치될 수 있다.

제2노즐(320)은 여기 공간(IS)을 에워싸는 링 형상으로 제공된다. 제2노즐(320)의 내측면에는 공급 유로(321)가 형성된다. 공급 유로(321)는 제2노즐(320)의 내측면을 따라 연속적으로 제공될 수 있다. 공급 유로(321)는 여기 공간(IS)의 가장자리영역으로 공정 가스를 공급한다. 제2노즐(320)은 가스 링(330), 상부 커버 링(340), 그리고 하부 커버 링(350)을 포함한다.

가스 링(330)은 링 형상으로 제공되며, 여기 공간(IS)의 둘레를 따라 제공된다. 가스 링(330)의 상면에는 가스 순환 홈(331), 가스 공급 홈(332)이 형성된다. 가스 순환 홈(331)은 링 형상의 홈으로, 가스 링(310)의 둘레를 따라 제공된다. 가스 순환 홈(331)은 공정 가스가 순환하는 통로를 제공한다. 가스 순환 홈(331)을 따라 순환하는 공정 가스는 가스 공급 홈(332)들 각각으로 공급된다. 가스 공급 홈(332)들은 가스 순환 홈(331)과 공급 유로(321)를 연결하며, 가스 순환 홈(331)을 따라 순환하는 공정 가스가 공급 유로(321)로 제공되는 통로를 제공한다. 가스 공급 홈(332)들은 여기 공간(IS)과 인접한 가스 링(330)의 내측부와 가스 순환 홈(331)의 사이 영역에 형성된다. 가스 공급 홈(332)들은 가스 링(330)의 둘레를 따라 서로 이격하여 복수개 형성된다. 가스 공급 홈(332)은 도 4와 같이, 깊이(H)에 비하여 너비(W)가 크게 제공되는 슬릿 홈으로 제공된다. 가스 공급 홈(332)은 직사각의 얇은 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 가스 공급 홈(332)의 깊이(H)는 되도록 얕게 제공하는 것이 바람직하다. 가스 공급 홈(332)의 깊이(H)가 깊어질 경우, 공정 가스가 가스 공급 홈(332)을 통과하는 과정에서 플라스마 상태로 여기될 수 있다. 또한, 공정 가스가 여기되는 과정에서 아크 방전이 발생되어 가스 링(330) 및 상부 커버 링(340)이 손상될 수 있다. 가스 공급 홈(332)의 깊이(H)가 얕아질 경우, 상술한 문제 발생이 최소화될 수 있다. 가스 공급 홈(332)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량은 가스 공급 홈(332)의 너비(W)를 크게 함으로써 조절가능하다. 가스 링(330)의 내측부 상면은 경사면(335)으로 제공된다. 경사면(335)은 여기 공간(IS)에 인접할수록 그 높이가 점점 낮아지도록 하향 경사진다. 경사면(335)의 하단은 그 높이가 가스 공급 홈(332)의 바닥면 높이보다 낮게 위치한다.

상부 커버 링(340)은 가스 링(330)에 상응하는 반경을 가지는 링 형상으로 제공되며, 가스 링(330)의 상면에 놓인다. 상부 커버 링(340)의 저면은 가스 순환 홈(331)의 개방된 상면과 가스 공급 홈(332)의 개방된 상면을 밀폐시킨다. 가스 순환 홈(331)과 상부 커버 링(340)의 저면은 조합되어 공정 가스가 순환하는 통로를 형성하며, 가스 공급 홈(332)과 상부 커버 링(340)의 저면은 조합되어 공정 가스가 가스 순환 홈(331)으로부터 공급 유로(321)로 공급되는 통로를 제공한다. 여기 공간(IS)에 인접한 상부 커버 링(340)의 내측부는 그 저면이 경사면(341)으로 제공된다. 상부 커버 링의(340) 경사면(341)은 여기 공간(IS)에 인접할수록 그 높이가 점점 낮아지도록 하향 경사진다. 상부 커버 링(340)의 경사면(341)은 가스 링(330)의 경사면(335)과 동일한 각도로 경사진다. 상부 커버 링(340)의 경사면(341)은 가스 링(330)의 경사면(335)과 소정 간격으로 이격되며, 서로 나란하게 배치된다. 상부 커버 링(340)의 경사면(341) 하단은 그 높이가 가스 공급 홈(332)들의 바닥면 높이보다 낮게 위치한다. 이에 의해, 가스 공급 홈(332)들은 상부 커버링(340)에 가려 여기 공간(IS) 내에 노출되지 않는다. 가스 공급 홈(332)들이 여기 공간(IS)에 노출될 경우, 여기 공간(IS)에서 발생하는 플라스마는 가스 공급 홈(332)들을 식각한다. 가스 공급 홈(332)들의 식각은 가스 공급 홈(332)들의 크기를 변경하여 홈(332)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 변화시킨다. 또한, 식각 과정에서 발생된 부산물은 기판(W)으로 공급되어 기판 오염원으로 작용한다. 상부 커버링(340)의 경사면(341)은 가스 공급 홈(332)들이 여기 공간(IS) 내에 직접 노출되는 것을 차단하여 상술한 가스 공급 홈(332)들의 식각을 예방한다. 상부 커버 링(340)의 경사면(341)과 가스 링(330)의 경사면(335)은 서로 조합되어 공급 유로(321)를 형성한다. 가스 공급 홈(332)들을 통해 공급된 공정 가스는 공급 유로(321)를 따라 하향 경사지게 여기 공간(IS)의 가장자리영역으로 공급된다.

하부 커버 링(350)은 가스 링(330)의 하부에 위치한다. 하부 커버 링(350)은 가스 링(330)에 상응하는 반경을 가지는 링 형상으로 제공될 수 있다. 하부 커버 링(350)은 절연 재질로 제공될 수 있다.

가스 공급 라인(360)은 분기되어 제1노즐(310)과 제2노즐(320)에 각각 연결된다. 가스 공급 라인(360)은 가스 저장부(370)에 저장된 공정 가스를 제1노즐(310)의 분사홀(311)과 제2노즐(320)의 가스 순환 홈(321)으로 각각 공급한다.

플라스마 생성부(400)는 공정 챔버(100) 내부에 고주파 전력을 인가하여 공정 챔버(100) 내부에 공급된 공정 가스를 여기시킨다. 플라스마 생성부(400)는 하우징(410), 상부 전원(420), 그리고 안테나(430)를 포함한다.

하우징(410)은 저면이 개방되며, 내부에 공간이 형성된다. 하우징(410)은 밀폐 커버(120)의 상부에 위치하며, 밀폐 커버(120)의 상면에 놓인다. 하우징(410)의 내부는 안테나(430)가 위치하는 공간으로 제공된다. 상부 전원(420)은 고주파 전류를 발생시킨다. 발생된 고주파 전류는 안테나(430)에 인가된다. 안테나(430)는 공정 챔버(100) 내부에 고주파 전력을 인가한다. 안테나(430)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 코일들이 동일한 중심에 위치되도록 배치될 수 있다.

도 5와 같이, 제1노즐(310)과 제2노즐(320)은 여기 공간(IS)의 상이한 영역으로 공정 가스(G)를 공급하므로, 여기 공간(IS) 내에는 공정 가스(G)가 균일하게 제공될 수 있다. 이는 여기 공간(IS) 내의 플라스마 밀도 분포를 균일하게 하여 기판 전체면이 균일하게 처리될 수 있다. 또한, 가스 공급 홈(332)들이 슬릿 홈으로 형성되고, 상부 커버 링(340)의 경사면(341)에 의해 가스 공급 홈(332)들이 여기 공간에 직접 노출되지 않으므로, 가스 링(330) 및 상부 커버 링(340)의 손상이 최소화될 수 있다. 또한, 장시간 사용으로 가스 링(330)과 상부 커버 링(340)에 손상이 발생하더라도, 가스 링(330)과 상부 커버 링(340)을 분리하여 그 표면을 재코팅할 수 있으므로 유지 보수가 용이하다.

상기 실시예에서는 기판 지지부(200)가 정전 척인 것으로 설명하였으나, 이와 달리 기판 지지부는 다양한 방법으로 기판을 지지할 수 있다. 예컨대, 기판 지지부(200)는 기판을 진공으로 흡착 유지하는 진공 척으로 제공될 수 있다.

또한, 상기 실시예에서는 플라스마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 것으로 설명하였으나, 기판 처리 공정은 이에 한정되지 않으며, 플라스마를 이용하는 다양한 기판 처리 공정, 예컨대 증착 공정, 애싱 공정, 그리고 세정 공정등에도 적용될수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100: 공정 챔버 200: 기판 지지부
300: 가스 공급부 310: 제1노즐
320: 제2노즐 330: 가스 링
340: 상부 커버 링 350: 하부 커버 링

Claims

내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부;
상기 기판 지지부의 상부에 위치된 여기 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스공급부; 및
상기 여기 공간으로 고주파 전력을 인가하여 공정 가스를 여기시키는 안테나를 포함하되,
상기 가스 공급부는
상기 여기 공간의 중심영역 상부에 위치하며, 상기 여기공간의 중심영역으로 공정가스를 공급하는 제1노즐; 및
상기 여기 공간을 에워싸는 링 형상으로 제공되며, 상기 여기 공간의 가장자리영역으로 공정가스를 공급하는 공급 유로가 내측면에 형성된 제2노즐을 포함하며,
상기 제2노즐은,
상기 공정 챔버를 둘러싸는 가스 링과,
상기 가스 링의 상면에 놓이는 커버 링을 포함하되,
상기 가스 링과 상기 커버 링의 사이에는 공정가스가 순환하는 가스순환 홈이 상기 가스 링의 둘레를 따라 형성되고, 상기 가스순환 홈과 상기 공급 유로를 연결하는 가스공급 홈이 상기 가스 링의 둘레를 따라 이격하여 복수 개 형성되고,
상기 공급 유로는 상기 가스 링의 상면과 상기 커버 링의 하면 사이에 원주 방향으로 형성되는 슬릿 형상으로 마련되는 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 공급 유로는 상기 제2노즐의 내측면을 따라 연속적으로 제공되는 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 가스순환 홈과 상기 가스공급 홈은 상기 가스 링의 상면에 형성되는 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,
상기 가스 공급 홈은 너비가 깊이보다 큰 슬릿 홈인 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 여기 공간에 인접한 상기 가스 링의 내측부 상면은 상기 여기 공간에 인접될수록 그 높이가 점점 낮아지도록 하향 경사진 경사면으로 제공되며,
상기 커버링의 내측부 상면은 상기 가스 링의 경사면과 소정 간격 이격되어 나란하게 경사진 경사면으로 제공되며,
상기 공급 유로는 상기 가스 링의 경사면과 상기 커버 링의 경사면이 조합되어 형성되는 기판 처리 장치.
제 5 항에 있어서,
상기 커버링의 내측부 하단은 그 높이가 상기 가스 공급 홈의 높이보다 낮게 위치되는 기판 처리 장치.