JP5959025B2 - プラズマ発生装置、および、プラズマ発生方法 - Google Patents

プラズマ発生装置、および、プラズマ発生方法 Download PDF

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Description

本発明は、プラズマ発生装置、および、プラズマ発生方法に関する。
高周波誘導熱プラズマＩＣＴＰ（Inductively Coupled Thermal Plasma）（以降、単に熱プラズマ）は、ガス温度が数千から数万Ｋ（ケルビン）となり、エンタルピーが極めて高く反応性が高い。さらに無電極でクリーンな熱プラズマ空間を形成できるので、熱プラズマに混入する不純物を極めて少なくすることができる。これらの利点を生かして、表面改質処理または薄膜生成処理を含む表面処理などへの応用が期待されている。
図１９は、従来のプラズマ発生装置１００１の説明図である。図１９に示されるように、従来のプラズマ発生装置は、二重に配置される円筒形状の石英管と、当該石英管に巻回されたコイルとを備える。図２０は、図１９のＡＡ’断面の断面図である。図２０に示されるように、従来のプラズマ発生装置は、二重の石英管１１０１ａ及び１１０１ｂと、コイル１１０２とを備える。また、石英管１１０１ａと石英管１１０１ｂとの間の空間には冷却水１１０１ｗが流され、石英管１１０１ａをほぼ３００Ｋに保つ。
従来のプラズマ発生装置１００１において、石英管内部にプラズマガスを導入した後で、コイル１１０２に高周波電流１１０７を印加することによりコイル内部に磁界が発生し、その磁界を取り巻くような形状の電界が発生し、その電界により電子が加速されることにより石英管内部に熱プラズマ１１０８が発生する。つまり、石英管内部にコイルの中心軸を取り巻くような形状の熱プラズマが発生する。このとき、高温の熱プラズマが石英管に接触すると石英管を破損するおそれがある。
一方、熱プラズマによるエッチング処理を想定して、扁平な円筒形状の石英管の内部に熱プラズマを発生させるプラズマ発生装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。図２１は、特許文献１に開示されるプラズマ発生装置における、図２０に対応する断面図である。特許文献１に開示される技術によれば、熱プラズマにより大面積の基板を一度にエッチング処理することができる。
米国特許第６２１８６４０号明細書
従来の円筒形状の石英管による真空チャンバで発生させた熱プラズマを、安定的に維持するのは難しいという問題がある。なぜなら、高温の熱プラズマが石英管に接触すると石英管を破損するからである。
上記と異なる形状の石英管を用いるプラズマ発生装置として、廉価な石英板を張り合わせて形成される石英管と、当該石英管に巻回されたコイルとを備えるプラズマ発生装置が考えられる。このようなプラズマ発生装置の一例として、特許文献１に開示されるプラズマ発生装置がある。図２１に示されるように、特許文献１に開示されるプラズマ発生装置によって熱プラズマ１２０８を発生させると、熱プラズマ１２０８はコイルの中心軸を取り巻くような形状になる。このとき、石英管１２０１ａの平面部分に高温の熱プラズマが接触すると、石英管が破損するおそれがある。よって、特許文献１に開示されるプラズマ発生装置においても、従来のプラズマ発生装置と同様に、その内部に発生させる熱プラズマを安定的に維持することが難しい。つまり、特許文献１に開示されるプラズマ発生装置によって、上記問題を解決することはできない。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、熱プラズマを安定的に発生させることができるプラズマ発生装置等を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明の一様態に係るプラズマ発生装置は、扁平形状のチャンバであって、当該チャンバの内部に所定方向にプラズマガスが流通するチャンバと、前記チャンバに対して前記所定方向に直交する方向に交播磁界を印加することにより、前記チャンバの内部に熱プラズマを発生させる磁界印加部とを備える。
これによれば、円筒形状でない石英板から形成される石英管のような扁平形状のチャンバを用い、当該チャンバの内部に熱プラズマを発生させることができる。また、本プラズマ発生装置によれば、扁平形状のチャンバにおける厚さ方向に直交する方向（扁平方向）に広がる熱プラズマを発生させることができる。そのため、扁平方向に十分な大きさのチャンバとすることで、石英管の平面部分に熱プラズマが接触することを防ぐことができる。よって、当該プラズマ発生装置は、熱プラズマを安定的に発生させることができる。
また、前記磁界印加部は、前記チャンバに対して前記所定方向に直交する方向に交播磁界を印加するコイルを有するとしてもよい。
これによれば、コイルによりチャンバに磁界を発生させることで、当該チャンバの内部に熱プラズマを発生させることができる。
また、前記磁界印加部は、さらに、端部が前記チャンバの近傍に配置される磁性体コアを有し、前記コイルは、前記磁性体コアの一部に巻回されるとしてもよい。
これによれば、チャンバがコイルから離れた位置に配置される場合において、コイルの内部に発生する磁界を磁性体コア（フェライトコア）によってチャンバの近傍へ伝えることができる。そして、フェライトコアによりチャンバの近傍に伝えられた磁界により、真空チャンバ内に熱プラズマを発生させることができる。よって、チャンバがコイルから離れた位置に配置される場合においても、当該プラズマ発生装置は、熱プラズマを安定的に発生させることができる。
また、前記磁性体コアは、Ｕ字形状を有し、前記磁性体コアの両端部のそれぞれが、前記チャンバを厚さ方向から挟むように配置されるとしてもよい。
これによれば、フェライトコアによりコイルの内部に発生する磁界をチャンバの近傍に伝えることで、チャンバの厚さ方向に一様な磁界を集中して発生させることができる。その結果、チャンバの厚さ方向の広い範囲に熱プラズマを安定的に発生させることができる。
また、前記磁性体コアは、前記コイルが巻回された部分の断面積より、前記チャンバの近傍に配置される部分の断面積が小さい形状を有するとしてもよい。
これによれば、コイルの内部に発生する磁界をフェライトコアによりチャンバの近傍に伝え、さらに、フェライトコアの近傍において磁界を集中させることができる。つまり、電流の出力が小さい場合であってもチャンバ内に局所的に強い磁界を発生させることができる。よって、当該プラズマ発生装置は、比較的小さい電力によって熱プラズマを安定的に発生させることができる。
また、前記磁界印加部は、前記チャンバを挟むように配置され、前記チャンバに対して前記所定方向に直交する方向に交播磁界を印加する複数のコイルを有するとしてもよい。
これによれば、２つのコイルにより、チャンバの厚さ方向に一様な磁界を集中して発生させることができる。その結果、チャンバの厚さ方向の広い範囲に熱プラズマを安定的に発生させることができる。
また、前記磁界印加部は、第一印加部及び第二印加部を有し、第一期間に前記第一印加部が前記チャンバに交播磁界を印加し、前記第一期間と異なる第二期間に前記第二印加部が前記チャンバに交播磁界を印加するとしてもよい。
これによれば、複数のコイルを用いて、チャンバの扁平方向の複数の箇所に、局所的に磁界を印加することができる。ここで、複数のコイルのそれぞれには、期間を分けて、順次、高周波電流を印加するようにすることで、従来と同等の出力容量の電流源によって実現することができる。つまり、プラズマ発生装置は、高価な大出力容量の電流源を用いることなく、熱プラズマを発生させることができる。よって、当該プラズマ発生装置は、大面積の熱プラズマを安定的に発生させることができる。
また、前記磁界印加部は、前記交播磁界の周波数をｆとし、磁束密度をＢとするとき、ｆ×Ｂが３０００Ｔ／ｓ以上、６５００Ｔ／ｓ以下の範囲内である前記交播磁界を印加するとしてもよい。
これによれば、プラズマ発生装置は、蒸気の磁束密度及び周波数の交播磁界により熱プラズマを発生させることができる。
また、本発明の一様態に係るプラズマ発生方法は、扁平形状のチャンバであって、当該チャンバの内部に所定方向にプラズマガスが流通するチャンバを設置する設置ステップと、前記チャンバに対して前記所定方向に直交する方向に交播磁界を印加することにより、前記チャンバの内部に熱プラズマを発生させる磁界印加ステップとを含む。
これにより、上記プラズマ発生装置と同様の効果を奏する。
本発明により、熱プラズマを安定的に発生させることができるプラズマ発生装置等を提供することができる。
図１は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の斜視図である。 図２は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の側面図である。 図３は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の正面図である。 図４は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の上部フランジの平面図である。 図５は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の下部フランジの平面図である。 図６は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の模式図である。 図７は、実施の形態２に係るプラズマ発生装置の模式図である。 図８Ａは、実施の形態２におけるプラズマ発生条件及びプラズマ発生中の物理量の一例である。 図８Ｂは、実施の形態２におけるプラズマ発生条件及びプラズマ発生中の物理量の他の一例である。 図９は、実施の形態３に係るプラズマ発生装置の模式図である。 図１０は、実施の形態４に係るプラズマ発生装置におけるプラズマ発生方法の一例である。 図１１は、実施の形態５に係るプラズマ発生装置の斜視図である。 図１２は、実施の形態５に係るプラズマ発生装置の側面図である。 図１３は、実施の形態５に係るプラズマ発生装置の正面図である。 図１４は、実施の形態５に係るプラズマ発生装置の模式図である。 図１５は、実施の形態５に係るプラズマ発生装置のフェライトの仕様の一例である。 図１６は、実施の形態５におけるプラズマ発生条件及びプラズマ発生中の物理量の一例である。 図１７は、実施の形態６に係るプラズマ発生装置の模式図である。 図１８は、実施の形態７に係るプラズマ発生装置の模式図である。 図１９は、従来のプラズマ発生装置の説明図である。 図２０は、従来のプラズマ発生装置の断面図の一例である。 図２１は、従来のプラズマ発生装置の断面図の他の一例である。
なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
なお、同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
（実施の形態１）
実施の形態１において、従来と異なる真空チャンバの形状と、当該真空チャンバ及びコイルの位置関係とにより、従来より安定的に熱プラズマを発生させることができるプラズマ発生装置の例を示す。
図１は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の斜視図である。
図１に示されるように、実施の形態１に係るプラズマ発生装置は、真空チャンバ１１と、コイル１２とを備える。なお、真空チャンバは、単に「チャンバ」ともよぶ。
真空チャンバ１１は、扁平形状の石英管１０（以降、単に石英管ともいう）と、上部フランジ１３と、下部フランジ１４とを備える。真空チャンバ１１は真空ポンプ（不図示）などと接続され、内部を真空にすることができる。真空チャンバ１１の内部にはプラズマガスが導入され、所定の物理条件が整うと熱プラズマが発生する。真空チャンバ１１を水冷容器（不図示）内に配置することにより、真空チャンバ１１をほぼ３００Ｋ（ケルビン）に保つ。石英管１０の寸法は、例えば、幅（ｙ方向）１２０ｍｍ、奥行き（ｘ方向）２０ｍｍ、高さ（ｚ方向）１００ｍｍである。この場合、扁平形状の厚さ方向とは、ｘ方向のことである。石英管１０の厚さは、例えば、５ｍｍである。ここでプラズマガスとは、熱プラズマのガス成分のことであり、例えば、Ａｒ（主成分）、ＣＨ４及びＨ２の混合ガスである。
コイル１２は、真空チャンバの厚さ方向に隣接する位置に配置される。コイル１２は、電流源として動作するインバータ回路（不図示）に接続され、一定振幅の数百ｋＨｚの高周波電流を印加される。コイル１２は、コイル１２に流れる高周波電流により真空チャンバ１１の内部に交播磁界（以降、単に磁界ともよぶ）を発生させることで、真空チャンバ１１の内部に熱プラズマを発生させる。熱プラズマは、このような高周波の電界の変化に追随できず、あたかも導電性金属柱のような振る舞いをする。つまり、電磁誘導作用によりプラズマに円周方向に渦電流が流れ、この電流によって生ずるジュール熱によって熱プラズマが発生する。コイル１２は、交播磁界の周波数をｆとし、磁束密度をＢとするとき、ｆ×Ｂが３０００Ｔ／ｓ以上、６５００Ｔ／ｓ以下の範囲内である交播磁界を印加する。このような交播磁界は、例えば、周波数ｆを５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚとし、磁束密度Ｂを１３ｍＴ〜１３０ｍＴとすることにより実現される。なお、図１におけるコイル１２は、５ターン程度の巻き数で円筒形状となっているが、巻き数及び形状はこれに限られない。巻き数は、１ターン以上の任意のターン数であってよい。また、形状は、パンケーキ形状（渦巻き形状）、のこぎり形状、星形状、多角形形状、楕円形状、ミアンダ形状、または、それらの形状の特徴を有する形状などの任意の形状であってよい。なお、コイル１２は、磁界印加部に相当する。
図２は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の側面図である。図２に示される構成要素は、図１に示される構成要素と同じであるため、同一の符号を付し、説明を省略する。
図３は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の正面図である。図３に示される構成要素は、図１に示される構成要素と同じであるため、同一の符号を付し、説明を省略する。
図４は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の上部フランジ１３の平面図である。
図４に示されるように、上部フランジ１３には、プラズマガスをシース状に石英管１０の内壁面へ流せるように直径１ｍｍ程度のガス穴１３ｂを短辺に４個、長辺に３２個の計３６個有する。また、ガス穴１３ｂへプラズマガスを供給するためのガス経路１３ａを有する。石英管１０が、破線１３ｃで示される位置に配置される。
図５は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の下部フランジ１４の平面図である。
図５に示されるように、下部フランジ１４は、真空ポンプ（不図示）などと接続され、真空チャンバ１１内部を真空にするための開口部１４ｈを有する。石英管１０が、１４ｃで示される位置に配置される。
図６は、実施の形態１に係るプラズマ発生装置１の模式図である。
図６に示される真空チャンバ１１と、コイル１２とは、図１に示されるものと同一である。詳細な構成は省略する。
図６に示されるように、電流源がコイル１２に高周波電流１７を流すことで、真空チャンバ１１内部にｘ方向に高周波の磁界が印加される。この磁界により、この磁界を取り巻くような形状の熱プラズマ１８が発生する。その際、熱プラズマ１８は、真空チャンバ１１内において、コイル１２により印加された磁界がより強い位置であるコイル１２に近い位置に発生する。
このような構成をとることで、真空チャンバ１１の内部に安定的に熱プラズマを発生することができる。その理由は以下のように説明される。第一に、熱プラズマと真空チャンバとの形状及び位置関係により、熱プラズマと真空チャンバ１１の内壁面との間に十分な空間があるからである。つまり、熱プラズマが、コイルにより印加される磁界を取り巻くような形状になるように（ｙ方向またはｚ方向に）膨らんだとしても、真空チャンバ１１の壁面までの間に十分な空間があるからである。第二に、真空チャンバの内壁面に沿うように（シース状に）流れるプラズマガスがあることで、熱プラズマが真空チャンバの内壁面に接触しにくいからである。なお、本実施の形態に係るプラズマ発生装置の構成に類似する、低圧のプラズマを発生させるプラズマ発生装置は知られているが、本実施の形態に係るプラズマ発生装置は高温及び高圧の熱プラズマを発生させるプラズマ発生装置として新規である。
以上のように、本発明の一態様に係るプラズマ発生装置によれば、円筒形状でない石英板から形成される石英管のような扁平形状の真空チャンバを用い、当該真空チャンバの内部に熱プラズマを発生させることができる。また、本プラズマ発生装置によれば、扁平形状の真空チャンバにおける厚さ方向に直交する方向（扁平方向）に広がる熱プラズマを発生させることができる。そのため、扁平方向に十分な大きさの真空チャンバとすることで、石英管の平面部分に熱プラズマが接触することを防ぐことができる。よって、当該プラズマ発生装置は、熱プラズマを安定的に発生させることができる。
これによれば、コイルによりチャンバに磁界を発生させることで、当該チャンバの内部に熱プラズマを発生させることができる。
（実施の形態２）
実施の形態２において、真空チャンバを挟むようにコイルを配置することで、実施の形態１より安定的に熱プラズマを発生させることができるプラズマ発生装置の例を示す。
図７は、実施の形態２に係るプラズマ発生装置２ａ及び２ｂの模式図である。
図７の（ａ）に示されるように、実施の形態２に係るプラズマ発生装置２ａは、真空チャンバ２１と、コイル２２ａと、コイル２２ｂとを備える。
真空チャンバ２１は、真空チャンバ１１と同じものであってよい。コイル２２ａには高周波電流２７ａが印加される。また、コイル２２ｂには高周波電流２７ａが印加される。高周波電流２７ａと高周波電流２７とは、周期及び位相が等しくなるように制御される。
なお、図７の（ｂ）に示されるように、コイル２２ａ及びコイル２２ｂが直列に接続され、単一の電流源から高周波電流２７を供給されるプラズマ発生装置２ｂとしてもよい。この場合、上記の高周波電流２７ａと高周波電流２７とが、周期及び位相だけでなく、振幅も等しくなるように制御された場合に相当する。以下では、コイル２２ａ及びコイル２２ｂが直列に接続され、単一の電流源から高周波電流２７を供給される場合について説明する。
図７の（ｂ）に示されるように、コイル２２ａ及びコイル２２ｂに高周波電流２７が印加されると、真空チャンバ２１内に熱プラズマ２８が発生する。高周波電流２７などの所定の物理条件については後述する。
このような構成をとることにより、真空チャンバ２１内にｘ方向の比較的強い磁界が発生するため、熱プラズマ２８は、実施の形態１における熱プラズマ１８よりｘ方向において広い範囲に発生する。よって、真空チャンバ２１の内部により安定的に熱プラズマを発生させることができる。
図８Ａは、実施の形態２におけるプラズマ発生条件及びプラズマ発生中の物理量の一例である。
図８Ａの（ａ）は、インバータ回路（電流源）に入力する直流電圧ＶＤＣ及び直流電流ＩＤＣの条件、インバータ回路（電流源）が出力する交流電流の周波数ｆ、有効電力Ｐ、並びに、真空チャンバ２１内の圧力及びガス流量を示す。図８Ａの（ｂ）〜（ｅ）は、熱プラズマが発生しているときの電源応答及び温度の時間変化の一例である。具体的には、（ｂ）コイル２２ａ及びコイル２２ｂに印加される電圧Ｖｉｎｖ及び電流Ｉｉｎｖ、（ｃ）コイル２２ａ及びコイル２２ｂに印加される電圧の実効値Ｖｒｍｓ及び電流の実効値Ｉｒｍｓ、（ｄ）有効電力Ｐ、及び、（ｅ）温度［Ｋ］である。図８Ａに示されるように、本実施の形態に係るプラズマ発生装置は、６．８ｋＷの出力で６６００Ｋの熱プラズマを発生及び維持できることが確認される。
なお、コイルに印加する高周波電流の振幅を２通り設定し、所定の条件でこれらの振幅を繰り返すことにより、被処理物に与えるダメージを抑制しながら高速に熱プラズマによる表面処理を行うことも可能である。より詳細には、コイルに第一の振幅を有する交流電流を流すことによって第一の磁界を熱プラズマに印加する第一印加ステップと、コイルに第一の振幅とは異なる第二の振幅を有する交流電流を流すことによって第二の磁界を熱プラズマに印加する第二印加ステップとを含み、熱プラズマ中に配置された被処理物の表面温度を所定範囲内に維持し、かつ、熱プラズマの発光スペクトルに含まれる第一の波長成分の強さが、当該第一印加ステップと、当該第二印加ステップとでは、所定値以上異なるように、当該第一印加ステップと当該第二印加ステップとが繰り返されるようにしてもよい。このようにすることで、被処理物の表面温度を、被処理物が熱的ダメージを受けない温度に維持される。また、熱プラズマ中の活性化学種（ラジカル）を増加させ、熱プラズマに印加される磁場の変化に同期して、効率よく表面処理を行うための２つの工程を交互に行うことができる。よって、被処理物に与える熱的ダメージを抑制するとともに、より高速に熱プラズマによる表面処理を行うことができる。このように発生させる熱プラズマの発生条件等について図８Ｂに示す。
図８Ｂは、実施の形態２におけるプラズマ発生条件及びプラズマ発生中の物理量の他の一例である。図８Ｂの（ａ）は、インバータ回路（電流源）に入力する直流電圧ＶＤＣ及び直流電流ＩＤＣの条件、インバータ回路（電流源）が出力する交流電流の周波数ｆ、有効電力Ｐ、真空チャンバ２１内のガス流量、高周波電流の変調信号、並びに、変調信号周波数を示す。ここで、変調信号におけるＳＣＬ（Shimmer Current Level）とは、２通り設定された高周波電流の振幅の一方に対する他方の比率である。また、変調信号におけるＤＦ（Duty factor）とは、変調周期に対する振幅が大きい電流を印加する時間の割合である。図８Ｂの（ｂ）〜（ｆ）は、熱プラズマが発生しているときの電源応答及び温度の時間変化の一例である。具体的には、（ｂ）変調信号電圧、（ｃ）コイル２２ａ及びコイル２２ｂに印加される電圧Ｖｉｎｖ及び電流Ｉｉｎｖ、（ｄ）コイル２２ａ及びコイル２２ｂに印加される電圧の実効値Ｖｒｍｓ及び電流の実効値Ｉｒｍｓ、（ｅ）有効電力Ｐ、及び、（ｆ）真空チャンバ内の３箇所（（１）、（２）及び（３））の温度［Ｋ］である。図８Ｂに示されるように、本実施の形態に係るプラズマ発生装置は、２通りの振幅の高周波電流を切り替えながらコイルに印加することにより、８．９ｋＷの出力でおよそ９０００Ｋの熱プラズマを発生及び維持できることが確認される。
以上のように、本発明の一態様に係るプラズマ発生装置によれば、２つのコイルにより、真空チャンバの厚さ方向に一様な磁界を集中して発生させることができる。その結果、真空チャンバの厚さ方向の広い範囲に熱プラズマを安定的に発生させることができる。
（実施の形態３）
実施の形態３において、真空チャンバに隣接する複数の箇所にコイルを配置することで、実施の形態１より広い空間に熱プラズマを発生させることができるプラズマ発生装置の例を示す。
図９は、実施の形態２に係るプラズマ発生装置３の模式図である。
図９に示されるように、実施の形態２に係るプラズマ発生装置３は、真空チャンバ３１と、コイル３２ａと、コイル３２ｂと、コイル３２ｃとを備える。真空チャンバ３１は、真空チャンバ１１よりｚ方向に幅広な形状である。なお、真空チャンバ３１は、真空チャンバ１１よりｙ方向に幅広な形状であってもよい。
コイル３２ａには高周波電流３７ａが印加される。また、コイル３２ｂには高周波電流３７ａが印加される。また、コイル３２ｃには高周波電流３７ｃが印加される。高周波電流３７ａと高周波電流３７ｂと高周波電流３７ｃとは、周期及び位相が等しくなるように制御される。
なお、コイル３２ａ、コイル３２ｂ及びコイル３２ｃが、直列に接続され、単一の電流源から高周波電流３７を供給されるようにしてもよい。この場合、上記の高周波電流３７ａと高周波電流３７ｂと高周波電流３７ｃとが、周期及び位相だけでなく、振幅も等しくなるように制御された場合に相当する。以下では、コイル３２ａ、コイル３２ｂ及びコイル３２ｃが直列に接続され、単一の電流源から高周波電流３７を供給される場合について説明する。
図９に示されるように、コイル３２ａ、コイル３２ｂ及びコイル３２ｃに高周波電流３７が印加されると、真空チャンバ３１内に熱プラズマ３８が発生する。
ここで、従来のプラズマ発生装置との比較しながら、本実施の形態のプラズマ発生装置の特徴を説明する。従来のプラズマ発生装置において、大型の真空チャンバ及びコイルを用いたとしても、本実施の形態のように広い面積に熱プラズマを発生させることは難しい。なぜなら、大型のコイルが発生させる磁界、および、磁界が発生させる電界が大型石英管内の広い空間に存在するため、磁界および電界の密度が低下し、熱プラズマを発生することができないためである。これに対し、本実施の形態のプラズマ発生装置では、真空チャンバ内の広い空間のうちの局所的な領域に電界および磁界を印加することで局所的に熱プラズマを発生させる。複数の箇所に、この局所的な熱プラズマを発生させることで、広範囲な熱プラズマを発生させることができる。このように、本実施の形態に係るプラズマ発生装置は、従来のプラズマ発生装置では実現できなかった処理面積の大面積化を実現し得る。
このような構成をとることにより、真空チャンバ３１内において、ｚ方向（または、ｙ方向）の広い範囲において熱プラズマ３８を発生させることができる。このような広い範囲に渡る熱プラズマを利用すれば、広い表面積を有する試料に対して、熱プラズマを利用した表面処理を施すことが可能である。
なお、図９においてコイルの数を３として説明したが、コイルの数は２以上の任意の数であってよい。その場合、各コイルに対して同様の制御を行うことが可能である。その結果、真空チャンバ内のより広い空間に熱プラズマを発生させることができ、より広い表面積を有する試料に対する表面処理を施すことが可能となる。
なお、本実施の形態において、真空チャンバ３１の長尺方向の寸法が比較的長い場合には、真空チャンバ３１の内部に、強度を維持するための支え棒又は仕切り板を挿入してもよい。これにより、真空チャンバ３１内外の温度差、圧力差、または、外力などにより真空チャンバ３１が破損することを未然に防ぐことができる。
なお、本実施の形態において、真空チャンバ１１より幅広な真空チャンバ３１を用いたが、真空チャンバ１１を複数並べて配置することで幅広な真空チャンバ（不図示）を形成することも可能である。幅広な真空チャンバでは、同等のサイズの真空チャンバ３１と比較して石英管の厚さを抑えることができる。具体的には、例えば、１０００ｍｍ×１００ｍｍ×２０ｍｍの石英管の真空チャンバ３１には、１０ｍｍ厚の石英管を用いる必要がある。それに対して、１００ｍｍ×１００ｍｍ×２０ｍｍの真空チャンバ１１を１０個並べて形成される１０００ｍｍ×１００ｍｍ×２０ｍｍの石英管を用いた幅広な真空チャンバに用いられる石英管は約３ｍｍ厚でよい。また、幅広な真空チャンバでは、同等のサイズの真空チャンバ３１と比較して、水冷が容易である。さらに、幅広な真空チャンバによれば、長尺方向の長さが数メートルを超える熱プラズマを発生させることも可能となる。
このような幅広な真空チャンバを有するプラズマ発生装置によっても、従来のプラズマ発生装置では実現できなかった処理面積の大面積化を実現し得る。
以上のように、本発明の一態様に係るプラズマ発生装置によれば、複数のコイルを用いて、真空チャンバの扁平方向の複数の箇所に、局所的に磁界を印加することができる。ここで、複数のコイルのそれぞれには、期間を分けて、順次、高周波電流を印加するようにすることで、従来と同等の出力容量の電流源によって実現することができる。つまり、本プラズマ発生装置では、高価な大出力容量の電流源を用いることなく、熱プラズマを発生させることができる。よって、当該プラズマ発生装置は、大面積の熱プラズマを安定的に発生させることができる。
（実施の形態４）
実施の形態４において、真空チャンバに隣接する複数の箇所にコイルを配置し、その複数のコイルに対して順次電流を印加することで、従来と同等の出力容量のインバータ回路（電流源）を用いて実施の形態１のプラズマ発生装置１より広い面積に熱プラズマを発生させることができるプラズマ発生装置の例を示す。
図１０は、実施の形態３に係るプラズマ発生装置３におけるプラズマ発生方法の模式図である。
図１０に示されるプラズマ発生装置３は、実施の形態２で説明したものと同一である。コイル３２ａ、コイル３２ｂ及びコイル３２ｃに、それぞれ、高周波電流３７ａ、高周波電流３７ｂ及び高周波電流３７ｃが印加される。
実施の形態３に係るプラズマ発生方法では、まず、図１０の（ａ）に示されるように、コイル３２ａに高周波電流３７ａが印加される。これにより、真空チャンバ３１内のコイル３２ａに近い位置に熱プラズマ３８ａが発生する。
次に、図１０の（ｂ）に示されるように、コイル３２ｂに高周波電流３７ｂが印加される。これにより、真空チャンバ３１内のコイル３２ｂに近い位置に熱プラズマ３８ｂが発生する。
次に、図１０の（ｃ）に示されるように、コイル３２ｃに高周波電流３７ｃが印加される。これにより、真空チャンバ３１内のコイル３２ｃに近い位置に熱プラズマ３８ｃが発生する。
次に、図１０の（ａ）に戻り、上記と同様の方法を実行する。
以上により、真空チャンバ３１の中の複数の部分に順次、熱プラズマを発生させることができる。
なお、実施の形態３と同様、コイルの数は２以上の任意の数であってよい。
このようにすることで、実施の形態１のプラズマ発生装置１と同等の出力容量のインバータ回路（電流源）を用いて、真空チャンバ内の広い空間に熱プラズマを発生させることができ、より広い表面積を有する試料に対する表面処理を施すことが可能となる。
（実施の形態５）
実施の形態５において、コイルと真空チャンバとを離れた位置に配置する場合に、コイルが発生させる磁界を真空チャンバ内に伝え、真空チャンバ内に熱プラズマを発生させることができるプラズマ発生装置の例を示す。
図１１は、実施の形態４に係るプラズマ発生装置４の模式図である。
図１１に示されるプラズマ発生装置４は、真空チャンバ４１と、コイル４２と、フェライトコア４５を備える。真空チャンバ４１とコイル４２とは、それぞれ、実施の形態１における真空チャンバ１１とコイル１２と同等のものである。
フェライトコア４５は、Ｕ字形状であり、その両端部が真空チャンバ４１の近傍に配置される。また、フェライトコア４５の一部にコイル４２が巻回される。このように構成することで、コイル４２が発生させる磁界を真空チャンバ４１の近傍へ伝えることができる。なお、Ｕ字形状のフェライトコアの両端部のそれぞれが真空チャンバ４１の両側面のそれぞれの近傍に配置されている構成の他、フェライトコアの一方の端部だけが、真空チャンバ４１の近傍に配置される構成も本発明の技術的範囲に含まれる。また、フェライトコア４５は、Ｕ字形状でなくてもよく、直線形状、曲線形状、又は、それらを組み合わせた任意の形状であってもよい。フェライトコア４５は、磁性体コアの一例である。なお、フェライトコア４５は、一例として、強磁性酸化物のソフトフェライトで実現される。ソフトフェライトの仕様の一例を図１５に示す。
図１２は、実施の形態５に係るプラズマ発生装置の側面図である。図１２に示される構成要素は、図１１に示される構成要素と同じであるため、同一の符号を付し、説明を省略する。
図１３は、実施の形態５に係るプラズマ発生装置の正面図である。図１３に示される構成要素は、図１１に示される構成要素と同じであるため、同一の符号を付し、説明を省略する。
図１４は、実施の形態５に係るプラズマ発生装置４の模式図である。
図１４に示される真空チャンバ４１と、コイル４２と、フェライトコア４５とは、図１１に示されるものと同一である。詳細な構成は省略する。
図１５及び図１６は、実施の形態５におけるプラズマ発生条件及びプラズマ発生中の物理量の一例である。
図１６の（ａ）は、インバータ回路（電流源）に入力する直流電圧ＶＤＣ及び直流電流ＩＤＣの条件、インバータ回路（電流源）が出力する交流電流の周波数ｆ、有効電力Ｐ、真空チャンバ４１内の圧力及びガス流量を示す。図１６の（ｂ）〜（ｅ）は、熱プラズマが発生しているときの電源応答及び温度の時間変化の一例である。具体的には、（ｂ）コイル４２に印加された電圧Ｖｉｎｖ及び電流Ｉｉｎｖ、（ｃ）コイル４２に印加された電圧の実効値Ｖｒｍｓ及び電流の実効値Ｉｒｍｓ、（ｄ）有効電力Ｐ、及び、（ｅ）温度［Ｋ］である。図１６に示されるように、本実施の形態に係るプラズマ発生装置は、１．９ｋＷの出力で５０００Ｋの熱プラズマを発生及び維持できることが確認される。
このように構成することにより、コイルと真空チャンバとが離れた位置に配置される場合にも、コイルが発生させる磁界をフェライトコアにより真空チャンバ内に伝えることができ、真空チャンバ内に熱プラズマを発生させることができる。よって、コイルを真空チャンバと離れた位置に配置する場合にも、真空チャンバ内に安定的に熱プラズマを発生させることができる。また、フェライトコアは廉価に入手することができ、また、容易に加工することができるので、本実施の形態に係るプラズマ発生装置の製造コストは、実施の形態１に係るプラズマ発生装置の製造コストと同等となる。すなわち、本実施の形態に係るプラズマ発生装置によれば、製造コストを大幅に増加させることなく、コイルを真空チャンバと離れた位置に配置することができる。
以上のように、本発明の一態様に係るプラズマ発生装置によれば、真空チャンバがコイルから離れた位置に配置される場合において、コイルの内部に発生する磁界をフェライトコアによって真空チャンバの近傍へ伝えることができる。そして、フェライトコアにより真空チャンバの近傍に伝えられた磁界により、真空チャンバ内に熱プラズマを発生させることができる。よって、真空チャンバがコイルから離れた位置に配置される場合においても、当該プラズマ発生装置は、熱プラズマを安定的に発生させることができる。
また、フェライトコアによりコイルの内部に発生する磁界を真空チャンバの近傍に伝えることで、真空チャンバの厚さ方向に一様な磁界を集中して発生させることができる。その結果、真空チャンバの厚さ方向の広い範囲に熱プラズマを安定的に発生させることができる。
（実施の形態６）
実施の形態６において、コイルが発生させる磁界を集中させて真空チャンバ内に伝え、真空チャンバ内に熱プラズマを発生させることができるプラズマ発生装置の例を示す。
図１７は、実施の形態６に係るプラズマ発生装置５の模式図である。
図１７に示されるプラズマ発生装置５は、真空チャンバ５１と、コイル５２と、フェライトコア５５を備える。真空チャンバ５１とコイル５２とは、それぞれ、実施の形態１における真空チャンバ１１とコイル１２と同等のものである。
フェライトコア５５は、実施の形態５のフェライトコア４５と同様に端部が真空チャンバ５１の近傍に配置され、一部にコイル５２が巻回される。フェライトコア５５が、フェライトコア４５と異なる点は、真空チャンバ５１の近傍に配置される端部の断面積が、コイル５２が巻回される位置における断面積より小さい点である。つまり、フェライトコア５５は、コイルが巻回される位置よりも真空チャンバ５１の近傍の位置において細くなっている。
このように構成することで、真空チャンバ５１の一部の領域に対して、実施の形態５のフェライトコア４５の場合よりも磁界を集中させて印加することができる。これにより、コイル５２に印加する高周波電流５７として、高周波電流４７と等しい高周波電流を印加した場合に、より強い磁界を真空チャンバに印加することができる。また、コイル５２により振幅の小さい高周波電流５７を印加することで熱プラズマを発生させることもできる。
以上のように、本発明の一態様に係るプラズマ発生装置によれば、コイルの内部に発生する磁界をフェライトコアにより真空チャンバの近傍に伝え、さらに、フェライトコアの近傍において磁界を集中させることができる。つまり、電流の出力が小さい場合であっても真空チャンバ内に局所的に強い磁界を発生させることができる。よって、当該プラズマ発生装置は、比較的小さい電力によって熱プラズマを安定的に発生させることができる。
（実施の形態７）
実施の形態７において、コイルが発生させる磁界を分散させて真空チャンバの複数の箇所に磁界を発生させ、真空チャンバ内の広い空間に熱プラズマを発生させることができるプラズマ発生装置の例を示す。
実施の形態７に係るプラズマ発生装置の模式図である。
図１８に示されるプラズマ発生装置６は、真空チャンバ６１と、コイル６２と、フェライトコア６５とを備える。真空チャンバ６１は、真空チャンバ１１よりｚ方向に幅広な形状である。なお、真空チャンバ６１は、真空チャンバ１１よりｙ方向に幅広な形状であってもよい。フェライトコア６５は、真空チャンバを挟むように互いに対向するように配置される３組（６個）の突起部（６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄ、６５ｅ及び６５ｆ）を有する。
このように構成することで、コイル６２が生じさせる磁界を、真空チャンバ６１の複数の箇所に集中させて印加することができる。その結果、真空チャンバ６１内において、ｚ方向の広い範囲において熱プラズマ６８を発生させることができる。
なお、本実施の形態において、真空チャンバとして石英管を用いる例を示したが、真空チャンバの材料は石英管に限られない。石英管の他に、例えば、強度及び耐熱衝撃性のあるセラミック（例えば、Ｓｉ３Ｏ４）、アルミナを用いることも可能である。
以上、本発明のプラズマ発生装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。
本発明の一態様に係るプラズマ発生装置及びプラズマ発生方法は、表面改質処理または薄膜生成処理を含む表面処理などへ適用することが可能である。
１、２ａ、２ｂ、３、４、５、６、１００１ プラズマ発生装置
１０、４０、１１０１ａ、１１０１ｂ、１２０１ａ、１２０１ｂ 石英管
１１、２１、３１、４１、５１、６１ 真空チャンバ
１２、２２ａ、２２ｂ、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、４２、５２、６２、１１０２、１２０２ コイル
１３、４３ 上部フランジ
１４、４４ 下部フランジ
１７、２７、２７ａ、３７、３７ａ、３７ｂ、３７ｃ、４７、５７、６７、１１０７ 高周波電流
１８、２８、３８、３８ａ、３８ｂ、３８ｃ、４８、５８、６８、１１０８、１２０８ 熱プラズマ
４５、５５、６５ フェライトコア
６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄ、６５ｅ、６５ｆ 突起部

Claims (4)

  1. 扁平形状のチャンバであって、当該チャンバの内部に所定方向にプラズマガスが流通するチャンバと、
    前記チャンバに対して前記所定方向に直交する方向に交播磁界を印加することにより、前記チャンバの内部に熱プラズマを発生させる磁界印加部とを備え、
    前記磁界印加部は、
    前記チャンバを挟むように配置されるＵ字形状の磁性体コアであって、前記チャンバに近づく向きに突出する一対の突起部が複数設けられた磁性体コアと、
    前記磁性体コアの一部に巻回されたコイルとを有する
    プラズマ発生装置。
  2. 前記磁性体コアは、
    前記コイルが巻回された部分の断面積より、前記チャンバの近傍に配置される部分の断面積が小さい
    請求項１に記載のプラズマ発生装置。
  3. 前記磁界印加部は、
    前記交播磁界の周波数をｆとし、磁束密度をＢとするとき、ｆ×Ｂが３０００Ｔ／ｓ以上、６５００Ｔ／ｓ以下の範囲内である前記交播磁界を印加する
    請求項１又は２に記載のプラズマ発生装置。
  4. 扁平形状のチャンバであって、当該チャンバの内部に所定方向にプラズマガスが流通するチャンバを設置する設置ステップと、
    前記チャンバに対して前記所定方向に直交する方向に交播磁界を磁界印加部により印加することにより、前記チャンバの内部に熱プラズマを発生させる磁界印加ステップとを含み、
    前記磁界印加部は、
    前記チャンバを挟むように配置されるＵ字形状の磁性体コアであって、前記チャンバに近づく向きに突出する一対の突起部が複数設けられた磁性体コアと、
    前記磁性体コアの一部に巻回されたコイルとを有する
    プラズマ発生方法。
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JPH09306695A (ja) * 1996-05-17 1997-11-28 Komatsu Ltd プラズマ発生装置およびこれを用いた表面処理装置
US6239553B1 (en) * 1999-04-22 2001-05-29 Applied Materials, Inc. RF plasma source for material processing
JP2001042099A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Toshiba Corp 高周波負イオン源
JP2005285520A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Hiroshi Takigawa プラズマ発生用電極、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
JP2006024442A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Sharp Corp 大気圧プラズマ処理装置及び処理方法
JP2006032303A (ja) * 2004-07-22 2006-02-02 Sharp Corp 高周波プラズマ処理装置および処理方法
JP2006294483A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Ebara Corp プラズマ処理装置
JP4609440B2 (ja) * 2007-02-21 2011-01-12 パナソニック株式会社 大気圧プラズマ発生装置及び点火方法

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