KR100435529B1 - 프로브 카드의 접촉 부위를 세정하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
집적 회로용 테스트 프로브 장치의 프로브 카드의 전기적 접촉 부위에 흡착되어 있는 파티클을 세정하기 위한 장치 및 방법은 융기된 표면을 갖는 실리콘 웨이퍼를 포함하고, 압력이 가해진 상태로 상기 프로브 카드를 접촉시킨다. 상기 융기된 표면은 격자 구조를 제공함으로서, 압력이 가해진 상태에서 전기적 접촉 부위와 접촉이 이루어질 경우, 파티클을 으깰 수 있다. 그리고, 상기 으깨짐에 의해 작게 부서진 파티클은 상기 프로브 카드로부터 제거된다. 프로브 카드에 가해지는 압력 및 프로브 카드의 운행은 다양한 측정 센서들에 의해 조절될 수 있다.
Description
본 발명은 집적 회로용 테스트 장치를 세정하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 집적 회로의 전기적 상태를 테스트하는 장치의 프로브 니들을 세정하기 위한 장치 및 그 장치를 사용하는 방법에 관한 것이다.
종래의 집적 회로의 통상적인 제조 방법으로서는 테스트 프로브 장치에 설치된 프로브 카드를 사용하여 웨이퍼의 전기적 상태를 검사한 다음 칩들로 절단하는방법이 있다. 상기 프로브 카드가 테스트할 웨이퍼의 인접 부위로 이동한 다음, 상기 프로브 카드와 연결되어 있는 다수개의 프로브 니들 각각을 상기 웨이퍼의 칩들 상에 형성된 유니크 패드(전극)에 전기적으로 접촉시키는 것이다.
상기 프로브 카드로부터 프로브 니들에 가해지는 압력에 의해 집적 회로 패드 각각의 알루미늄 부위에 전기적으로 접촉하기 때문에, 알루미늄 옥사이드 파티클(찌꺼기 및 레지듀를 포함한다)이 상기 웨이퍼의 표면 상에 생성된다. 상기 파티클은 칩 및 프로브 니들 모두에 부착되고, 계속적으로 전기적 테스트를 수행함으로서 상기 프로브 니들에는 많은 양의 파티클이 축적될 수 있다. 상기 축적된 파티클은 낮은 전도성을 나타내고, 상기 프로브 니들과 테스트할 상기 집적 회로 패드 사이에서 양호한 전기적 접촉을 방해한다. 따라서, 양호한 테스트를 수행하기 위하여 상기 프로브 니들을 주기적으로 세정하여 상기 프로브 니들로부터 상기 파티클을 제거한다.
상기 프로브 니들을 세정하기 위한 종래의 장치는 탄력성 있는 연마 패드를 사용하여 상기 프로브 니들을 세정한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 테스트 프로브(20)가 상기 패드(40) 내에 삽입됨으로서, 그 결과 상기 프로브 니들의 팁(22)에 흡착되어 있는 파티클(101, 102)이 상기 패드(40)의 내부에 위치하는 탄성 기재 물질(41)의 연마 파티클(42)에 의해 제거된다. 그리고, 상기 프로브(20)가 패드로(40)부터 이격될 때 상기 프로브 니들의 팁(22)들에 대하여 정지 상태의 흡착력을 갖는 작은 파티클이 더스트 커버(43) 표면으로 수집된다. 그리고, 상기 패드(40)에 상기 파티클(101, 102)이 계속적으로 적하되고, 포화 상태가 되기 때문에상기 패드(40)를 빈번하게 교체해야한 하는데, 상기 패드(40)가 고가인 결함이 있다.
본 발명의 제1목적은, 저가의 프로브 니들을 세정하기 위한 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2목적은, 저가의 프로브 니들을 세정하는 장치를 적절하게 운용하기 위한 방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 프로브 니들을 세정하기 위한 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 니들을 세정하기 위한 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 장치의 연마 표면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 니들을 세정하기 위한 방법을 나타내는 플로우 챠트이다.
상기 제1목적을 달성하기 위한 본 발명은, 융기된 표면을 갖고, 전체적으로는 평탄하고 단단한 브레이커와, 설정된 압력으로 상기 브레이커와 접촉하도록 프로브 니들을 운행하기 위한 운행 조절 수단 및 상기 브레이커와의 접촉에 의해 상기 프로브 니들로부터 떨어지는 파티클을 제거하기 위한 제거 수단을 포함한다.
상기 제2목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1방법은, 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대에 융기된 표면을 갖는 브레이커를 위치시키는 단계와, 운행 조절 수단을 이용하여 상기 브레이커에 접촉하도록 프로브 니들을 운행시키는 단계와, 설정된 압력으로 상기 브레이커의 최상 부위를 지나도록 상기 프로브 니들을 운행시킴으로서 상기 브레이커에 부딪치는 상기 프로브 니들의 으깸 동작에 의하여 상기 프로브 니들의 단부에 흡착되어 있는 파티클을 작게 부서버리는 단계 및 상기 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대로부터 상기 브레이커를 이전시키는 단계를 포함한다.
상기 제2목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2방법은, 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대에 융기된 표면을 갖는 브레이커를 위치시키는 단계와, 운행 조절 수단을 이용하여 프로브 니들에 접촉하도록 상기 브레이커를 운행시키는 단계와, 설정된 압력으로 상기 브레이커를 이동시켜 상기 브레이커의 최상 부위 표면이 상기 프로브 니들을 지나도록 함으로서 상기 프로브 니들에 부딪치는 상기 브레이커의 으깸 동작에 의하여 상기 프로브 니들의 단부에 흡착되어 있는 파티클을 보다 작게 부서버리는 단계 및 상기 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대로부터 상기 브레이커를 이전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 프로브 니들의 세정 장치는 브레이커(breaker) 또는 모루(anvil)로서 저가의 실리콘 웨이퍼를 포함하는데, 상기 실리콘 웨이퍼는 그루브 즉, 융기(ridge)된 표면을 갖는다. 상기 브레이커가 테스트할 웨이퍼와 유사한 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대에 놓여질 때, 운행 조절 수단에 의한 프로브 니들의 운행 및 상기 프로브 니들에 가해지는 압력은 다수의 프로브 니들에 흡착되는 파티클(찌꺼기와 레지듀를 포함한다)을 초래하고, 상기 프로브 니들과 브레이커 사이에서 상기 파티클을 으깰(분쇄) 수 있다. 그리고, 상기 으깨짐에 의해 작게 부서진 파티클은 상기 프로브 니들로부터 떨어지는데, 바람직하게는 중력에 의해 상기 융기된 표면으로 떨어진다. 여기서, 상기 파티클이 임피던스 문제를 발생시키지는 않지만, 상기 프로브 니들에 잔류하는 파티클은 압력을 갖는 가스를 사용하여 상기 프로브 니들로부터 제거하거나 날려버릴 수도 있다. 상기 웨이퍼는 패턴이 형성되어 있지 않기 때문에 저가이다. 또한,상기 브레이커로 사용되는 웨이퍼는 테스트할 웨이퍼와 동일한 디멘젼(dimension)을 갖고, 세정을 실시하기 위한 특별한 측정을 요구하지 않는다. 따라서, 상기 브레이커는 상기 웨이퍼를 선택하는 것이 바람직하다. 더욱이, 상기 웨이퍼를 사용함으로서 간단한 그라인딩 공정을 통하여 상기 웨이퍼의 표면에 그루브 또는 돌출면 즉, 융기된 부위를 형성할 수 있다. 상기 융기된 표면은 톱니 형상으로서, 그 표면이 단단하고, 각(angle)을 가짐으로서 상기 프로브 니들에 흡착된 파티클을 으깰 수 있다. 그러나, 상기 표면이 그렇지 않을 경우 상기 프로브 니들을 손상시킬 수도 있다.
상기 웨이퍼의 각진 표면 즉, 융기된 표면에서, 최상 부위(융기된 부분의 봉우리)로부터 최저 부위(융기된 부분의 골)까지의 거리는 0.5 내지 5 미크론 범위인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 융기된 표면에서, 제1최상부와 상기 제1최상부와 인접하는 제2최상부 사이의 거리는 0.1 내지 1.0 미크론인 것이 바람직하다. 또한, 상기 브레이커에 접촉하도록 상기 프로브 니들이 운행되는 변위는 500 미크론 정도인 것이 바람직하다. 상기 운행 조절 수단은 변위 수단 및 광학 센서, 압력 센서 및 변위 센서로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 부재를 포함하고, 상기 변위 수단은 모터, 기어, 벨트 및 레버로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 장치를 사용한 세정 방법은, 1) 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대에 융기된 표면을 갖는 브레이커를 위치시키고, 2) 상기 브레이커와 접촉하도록 프로브 니들을 운행시키고, 3) 설정된 압력으로 상기 브레이커의 최상 부위를 지나도록 상기 프로브 니들을 운행시킴으로서 상기 브레이커에 부딪치는 상기 프로브 니들의 으깸 동작에 의하여 상기 프로브 니들의 단부에 흡착되어 있는 파티클을 작게 부서버리고, 4) 상기 프로브 니들로부터 상기 작게 부서버린 파티클을 제거하고, 5) 상기 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대로부터 상기 브레이커를 이전시키는 것을 포함한다. 상기 프로브 니들을 운행시키는 수단은 상기 브레이커의 최상 부위 표면에 대하여 상기 프로브 니들이 직각 또는 90 내지 135°로 운행하도록 조절하는데, 103°로 운행하도록 조절하는 것이 보다 바람직하다.
상기 장치를 사용한 다른 세정 방법으로서는, 상기 브레이커를 운행시켜 상기 브레이커의 최상 부위가 상기 프로브 니들을 지나도록 함으로서 상기 프로브 니들에 부딪치는 상기 브레이커의 으깸 동작에 의하여 상기 프로브 니들의 단부에 흡착되어 있는 파티클을 보다 작게 부서버리는 방법이 있다. 상기 방법 또한 상기 브레이커를 운행시키는 수단은 상기 브레이커의 최상 부위 표면에 대하여 상기 프로브 니들이 직각 또는 90 내지 135°로 운행하도록 조절하는데, 103°로 운행하도록 조절하는 것이 보다 바람직하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.
바람직한 실시예로서는, 프로브 니들을 세정하기 위한 장치는 통상의 실리콘 웨이퍼를 포함한다. 상기 웨이퍼는 그 상부 표면에 그라인딩에 의해 형성된 톱니의그루브 즉, 융기된 부위를 갖는다. 테스트 프로브의 프로브 카드가 상기 웨이퍼의 융기된 표면에 접촉하여 압력을 가할 경우, 전기적 테스트를 수행하기 위한 다수의 상기 테스트 프로브(예를 들면, 테스트 프로브 니들)에 흡착되어 있는 파티클(찌꺼기 및 레지듀를 포함한다)이 보다 작은 파티클로 으깨짐(분쇄)지고, 그 결과, 상기 테스트 프로브 니들로부터 떨어진다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 세정 장치(48)를 나타낸다. 상기 프로브 세정 장치(48)를 형성하기 위해서, 통상의 웨이퍼(50) 표면에 도 2에 도시된 바와 같이 톱니 형상이 형성되도록 그루브(52)를 새긴다. 통상의 웨이퍼(50)를 선택하는 것은 테스트할 웨이퍼와 동일한 두께 및 직경을 갖는 저가의 세정 장치(50)를 만들 수 있기 때문이고, 그 결과 압력 또는 테스트를 위한 부대 부재의 특별한 측정을 배제할 수 있다. 상기 그루브(52)는 도 2에 도시된 바와 같이 간단한 그라인딩을 수행함으로서 톱니의 브레이커 표면을 형성할 수 있다. 상기 톱니의 그루브(52)의 전형적인 디멘젼은 톱니의 최상부들 사이의 거리가 측면 거리로 0.1 내지 1.0 미크론이고, 바람직하게는 0.3 내지 0.5 미크론이다. 상기 톱니의 그루브의 하나의 깊이는 0.5 내지 5.0 미크론이고, 바람직하게는 1.0 내지 4.0 미크론이다. 더욱이, 프로브 팁(프로브 니들)이 10 내지 30 미크론의 전형적인 직경을 갖기 때문에, 그루브와 접촉하는 상기 프로브 팁의 변위(움직이는 직선 거리)는 500 미크론인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 프로브 팁이 운행되는 각도는 상기 톱니의 웨이퍼 상부 표면에 대하여 90 내지 130°이고, 바람직하게는 103°이다.
상기 프로브 팁(56)의 마모를 최소화하기 위해서, 상기 프로브 팁(56)이 마모될 수 있는 힘보다 상기 프로브 팁이 브레이커에 가해지는 힘이 작은 것이 바람직하다. 게다가, 프로브 팁(56)에 흡착되는 웨이퍼 물질을 으깨고, 제거하는 것을 확보하기 위해서, 상기 프로브 팁(프로브 니들)은 텅스텐 합금과 같은 단단한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 웨이퍼(50) 또한 파티클(통상의 웨이퍼 물질에 기인한 찌꺼기 또는 레지듀를 포함한다)을 잘 으깰 수 있는 정도로 단단한 것이 바람직하다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 프로브 세정 장치(48)의 작동에 있어, 톱니 형상의 실리콘 웨이퍼(50)에 압력이 가해진 상태로 프롭트 팁(56)을 접촉시킨다. 이에 따라, 프로브 팁(56)에 흡착되어 있는 파티클(54)이 테스트 프로브 장치(60)의 프로브 카드(58)의 프로브 팁(56)과 세정 웨이퍼(50)의 톱니 형상을 갖는 브레이커 표면 사이에서 으깨지고, 뭉게진다.
이때, 톱니 형상의 실리콘 웨이퍼(50)는 전기적 테스트를 실시하기 위한 웨이퍼와 마찬가지로 테스트 프로브 장치의 지지대에 위치하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 테스트 프로브 장치(60)는 파티클이 흡착되어 있는 프로브 팁(56)이 설치된 프로브 카드(58)를 적절히 운행시켜 톱니의 실리콘 웨이퍼(50) 표면에서 상기 파티클을 으깸으로서 상기 프로브 팁(56)을 세정하는 것이 바람직하다. 상기 파티클을 으깨고, 뭉개기 위하여 가해지는 압력은 압력 센서, 광학 센서 부재, 횡적 운행(lateral movement) 센서를 포함하는 다양한 센서 부재에 의해 조절될 수 있다. 프로브 카드(58)의 운행은 일반적인 모터, 기어, 벨트 및 레버의 적절한 결합 장치와 같이, 통상의 다양한 기계적, 전기적 운행 부재에 의해 이루어진다. 선택적인방법으로서, 브레이커가 고정된 프로브 팁에 접촉하도록 운행될 수도 있다. 또 다른 방법으로서, 상기 프로브 팁을 브레이커 표면에 반복적으로(예를 들면, 10회 정도) 접촉시키는 방법이 있지만, 상기 방법은 사용되는 웨이퍼 물질 특성에 의존적이고, 파티클이 생성될 수 있다.
또한, 브레이킹 및 세정 효율을 저하시키지는 않지만, 상기 프로트 팁을 거칠게 함으로서 전기적 접촉을 향상시킬 수 있다. 그리고, 상기 프로브 카드가 수직적으로 운행되도록 도면이 도시되고, 설명이 개시되고 있지만, 캔틸레버식 프로브 및 니들식 프로브와 같은 다양한 통상의 프로브가 본 발명에 적용될 수 있다.
본 발명은 단순한 그루브를 갖는 통상의 웨이퍼를 사용할 수 있는 것이 장점이고, 통상의 테스트 프로브 장치를 개조없이 사용할 수 있는 것이 장점이다. 이에 따라, 프로브 팁, 즉 프로브 니들에 축적된 파티클을 세정할 수 있는 저가의 장치를 제공할 수 있다. 게다가, 상기 세정 장치(48)가 소모되어도, 새로운 세정 장치를 용이하게 교체할 수 있다.
도 3은 도 2의 프로브 세정 장치의 연마 표면을 나타낸다. 통상적인 그라인딩 기술을 적용함으로서, 각진 톱니 형상을 만들 수 있다, 상기 그라인딩에 의한 톱니 형상의 제조는 식각과 같이 화학적 공정을 통하여 톱니 형상을 제조하는 것 보다 톱니의 단부를 더 예리하게 형성할 수 있는 장점이 있다. 그리고, 에칭에 의해 상기 톱니를 만들 경우에는 브레이킹 표면을 예리하게 형성하는 것이 용이하지 않다.
도 4는 본 발명의 세정 장치(48)를 사용한 방법을 나타낸다. 집적 회로 웨이퍼의 전기적 테스트의 계속적인 수행에서, 프로브 니들의 세정 공정(S60)을 상기 테스트 공정 사이에 주기적으로 수행할 수 있다. 전기적으로 테스트를 실시하기 위한 웨이퍼를 로딩하여 상기 전기적 테스트를 수행하고, 이어서, 언로딩한다.(S62 내지 S66) 그리고, 도 2의 톱니의 웨이퍼(50)로 구성된 세정 장치(48)를 테스트 프로브 장치 내에 로딩한다.(S68 단계) 계속해서, 톱니 웨이퍼에 압력이 가해진 상태로 프로브 팁(프로브 니들)을 접촉시켜 상기 프로브 팁에 흡착되어 있는 파티클을 으깨고, 제거한다.(S70 단계) 이어서, 상기 세정 장치(48)를 테스트 프로브 장치에서 언로딩시킨다.(S72 단계) 그리고, 전기적 테스트를 실시하기 위한 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하여 계속적으로 전기적 테스트를 수행한다.(S74 및 S76)
따라서, 본 발명에 의하면, 프로브 세정 장치를 저가로 마련할 수 있고, 용이하게 교체할 수 있다. 또한, 상기 세정 장치를 용이하게 사용할 수 있다. 따라서, 반도체 장치의 제조에 따른 원가를 절감할 수 있는 효과 및 생산성이 향상되는 효과를 기대할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (24)
- 융기(ridge)된 표면을 갖고, 전체적으로는 평탄하고 단단한 브레이커;설정된 압력으로 상기 브레이커와 접촉하도록 프로브 니들을 운행하기 위한 운행 조절 수단; 및상기 브레이커와의 접촉에 의해 상기 프로브 니들로부터 떨어지는 파티클을 제거하기 위한 제거 수단을 포함하는 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 브레이커는 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 융기된 표면은 톱니 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 톱니 형상은 상기 실리콘 웨이퍼의 표면을 그라인딩시킴으로서 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 융기된 표면은 최상 부위로부터 최저 부위까지의 거리가 0.5 내지 5 미크론인 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 융기된 표면의 제1최상 부위와 상기 제1최상 부위와 인접하는 제2최상 부위 사이의 거리는 0.1 내지 1.0 미크론인 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 브레이커에 접촉하도록 상기 프로브 니들이 운행되는 변위는 500 미크론 정도인 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 운행 조절 수단은 변위 수단 및 광학 센서, 압력 센서 및 변위 센서로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 부재를 포함하는 것을 특징하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 변위 수단은 모터, 기어, 벨트 및 레버로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제거 수단은 중력인 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제거 수단은 기체를 불어서 파티클을 날려버리기 위한기체 송풍 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 운행 조절 수단은 설정된 압력으로 브레이커에 접촉하는 다수개의 프로브 니들을 운행하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 장치.
- a) 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대에 융기된 표면을 갖는 브레이커를 위치시키는 단계;b) 운행 조절 수단을 이용하여 상기 브레이커에 접촉하도록 프로브 니들을 운행시키는 단계;c) 설정된 압력으로 상기 브레이커의 최상 부위를 지나도록 상기 프로브 니들을 운행시킴으로서 상기 브레이커에 부딪치는 상기 프로브 니들의 으깸 동작에 의하여 상기 프로브 니들의 단부에 흡착되어 있는 파티클을 작게 부서버리는 단계; 및d) 상기 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대로부터 상기 브레이커를 이전시키는 단계를 포함하는 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 c) 단계를 수행한 다음 작게 부서진 파티클을 상기프로브 니들로부터 제거하는 c1) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 운행 조절 수단은 상기 브레이커의 최상 부위 표면에 대하여 상기 프로브 니들이 직각 방향으로 운행되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 운행 조절 수단은 상기 브레이커의 최상 부위 표면에 대하여 상기 프로브 니들이 90 내지 135°로 운행되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 운행 조절 수단은 상기 브레이커의 최상 부위 표면에 대하여 103°로 운행되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 다수개의 프로브 니들을 세정하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- a) 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대에 융기된 표면을 갖는 브레이커를 위치시키는 단계;b) 운행 조절 수단을 이용하여 프로브 니들에 접촉하도록 상기 브레이커를 운행시키는 단계;c) 설정된 압력으로 상기 브레이커를 이동시켜 상기 브레이커의 최상 부위 표면이 상기 프로브 니들을 지나도록 함으로서 상기 프로브 니들에 부딪치는 상기 브레이커의 으깸 동작에 의하여 상기 프로브 니들의 단부에 흡착되어 있는 파티클을 보다 작게 부서버리는 단계; 및d) 상기 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 웨이퍼 지지대로부터 상기 브레이커를 이전시키는 단계를 포함하는 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 c) 단계를 수행한 다음 작게 부서진 파티클을 상기 프로브 니들로부터 제거하는 c1) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 운행 조절 수단은 상기 브레이커의 최상 부위 표면에 대하여 상기 프로브 니들이 직각 방향으로 운행되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 운행 조절 수단은 상기 브레이커의 최상 부위 표면에 대하여 상기 프로브 니들이 90 내지 135°로 운행되도록 조절하는 것을 특징으로하는 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 운행 조절 수단은 상기 브레이커의 최상 부위 표면에 대하여 상기 프로브 니들이 103°로 운행되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 집적 회로용 테스트 프로브 장치의 다수개의 프로브 니들을 세정하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들을 세정하기 위한 방법.
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---|---|---|---|---|
US7107600B2 (en) * | 2003-03-17 | 2006-09-12 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | System and method for cleaning electrical delivery systems |
US9833818B2 (en) | 2004-09-28 | 2017-12-05 | International Test Solutions, Inc. | Working surface cleaning system and method |
KR100706814B1 (ko) * | 2006-02-28 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 프로브카드의 팁 세정기구를 구비한 반도체 검사설비 및프로브카드 팁의 세정방법 |
US8534302B2 (en) * | 2008-12-09 | 2013-09-17 | Microchip Technology Incorporated | Prober cleaning block assembly |
KR101033776B1 (ko) * | 2009-08-03 | 2011-05-13 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 클리너를 구비한 어레이 테스트 장치 |
US8371316B2 (en) * | 2009-12-03 | 2013-02-12 | International Test Solutions, Inc. | Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware |
FR2986175A1 (fr) * | 2012-01-31 | 2013-08-02 | St Microelectronics Tours Sas | Procede et dispositif de decoupe d'une plaquette |
CN103480591B (zh) * | 2013-09-10 | 2015-04-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 针头清洁装置及带该装置的框胶涂布机 |
WO2016107535A1 (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 史拓莱姆有限公司 | 减震装置 |
CN104492760B (zh) * | 2015-01-16 | 2016-08-17 | 长春理工大学 | 一种磁力显微镜探针磁性污染的清洗方法 |
CN107436373B (zh) * | 2016-05-26 | 2020-09-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种用于测试探针氧化的磨针清针系统及方法 |
US10357794B2 (en) * | 2017-03-29 | 2019-07-23 | The Boeing Company | Methods for removing residue from a nozzle |
US9825000B1 (en) | 2017-04-24 | 2017-11-21 | International Test Solutions, Inc. | Semiconductor wire bonding machine cleaning device and method |
JP2021514827A (ja) | 2018-02-23 | 2021-06-17 | インターナショナル テスト ソリューションズ, インコーポレイテッド | フレキシブル電子回路ウェブロールを自動的に清浄化するための新規材料及びハードウエア |
AT521098B1 (de) * | 2018-04-09 | 2022-07-15 | Gaggl Dr Rainer | Verfahren zum Reinigen der Nadelspitzen der Nadeln von Nadelkarten |
US11756811B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-09-12 | International Test Solutions, Llc | Pick and place machine cleaning system and method |
US10792713B1 (en) | 2019-07-02 | 2020-10-06 | International Test Solutions, Inc. | Pick and place machine cleaning system and method |
US11318550B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-05-03 | International Test Solutions, Llc | System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures |
US11211242B2 (en) | 2019-11-14 | 2021-12-28 | International Test Solutions, Llc | System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures |
US11035898B1 (en) | 2020-05-11 | 2021-06-15 | International Test Solutions, Inc. | Device and method for thermal stabilization of probe elements using a heat conducting wafer |
CN114472252B (zh) * | 2020-11-28 | 2023-03-24 | 法特迪精密科技(苏州)有限公司 | 测试探针清洁方法的探针固定方法 |
CN113030534B (zh) * | 2021-05-27 | 2021-08-03 | 琉明光电(常州)有限公司 | 一种led芯片电性检测用针头降钝清洁设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07244074A (ja) * | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プローブ先端クリーニング部材 |
KR970030555A (ko) * | 1995-11-14 | 1997-06-26 | 문정환 | 니들 청소장치 |
JPH1187438A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | プローブ先端のクリーニング部材ならびにクリーニング方法、および半導体ウェーハのテスト方法 |
JP2000332069A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Micronics Japan Co Ltd | 接触子先端のクリーニング部材 |
KR100353312B1 (ko) * | 1997-04-08 | 2002-11-18 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 검사용 돌기를 위한 클리너 및 집적 회로의 검사 장치 및 검사 방법 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE19957E (en) * | 1933-12-27 | 1936-05-05 | Transformer | |
US4314855A (en) * | 1979-12-17 | 1982-02-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of cleaning test probes |
JPH04364746A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブ装置 |
US5371654A (en) * | 1992-10-19 | 1994-12-06 | International Business Machines Corporation | Three dimensional high performance interconnection package |
DE4411963C1 (de) * | 1994-04-07 | 1995-10-12 | Dornier Gmbh Lindauer | Einrichtung zur Verminderung von Faserflugniederschlag in Webmaschinen |
JPH10185953A (ja) | 1996-12-27 | 1998-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | プローブカード探針の洗浄方法およびこの洗浄方法を実施するための装置 |
US6118289A (en) * | 1997-03-10 | 2000-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Cleaning method and cleaning device and cleaning tool for board electrical-test probes, and board electrical-test device and method |
US6573702B2 (en) * | 1997-09-12 | 2003-06-03 | New Wave Research | Method and apparatus for cleaning electronic test contacts |
JP3429995B2 (ja) | 1997-11-10 | 2003-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法 |
US6019663A (en) * | 1998-02-20 | 2000-02-01 | Micron Technology Inc | System for cleaning semiconductor device probe |
JP2000019226A (ja) | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Mitsubishi Materials Corp | プローブ装置のコンタクトピンクリーニング方法およびクリーニング装置 |
JP3552600B2 (ja) * | 1998-07-13 | 2004-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2000174080A (ja) | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバの触針のクリーニング機構 |
US6353221B1 (en) * | 1999-01-29 | 2002-03-05 | Veeco Instruments Inc. | Method and apparatus for cleaning a tip of a probe of a probe-based measuring instrument |
US6271676B1 (en) * | 1999-03-02 | 2001-08-07 | Tsk America, Inc. | Spiral chuck |
US6777966B1 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-17 | International Test Solutions, Inc. | Cleaning system, device and method |
JP2001313317A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Ando Electric Co Ltd | プローブの清掃方法及び清掃装置 |
JP2002176079A (ja) | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Seiko Epson Corp | プローブカード検査・クリーニング機構付きウエハプローバ及びプローブカード検査方法 |
US6908364B2 (en) * | 2001-08-02 | 2005-06-21 | Kulicke & Soffa Industries, Inc. | Method and apparatus for probe tip cleaning and shaping pad |
US6817052B2 (en) * | 2001-11-09 | 2004-11-16 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for cleaning test probes |
US6840374B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-01-11 | Igor Y. Khandros | Apparatus and method for cleaning test probes |
-
2002
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2004
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07244074A (ja) * | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プローブ先端クリーニング部材 |
KR970030555A (ko) * | 1995-11-14 | 1997-06-26 | 문정환 | 니들 청소장치 |
KR100353312B1 (ko) * | 1997-04-08 | 2002-11-18 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 검사용 돌기를 위한 클리너 및 집적 회로의 검사 장치 및 검사 방법 |
JPH1187438A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | プローブ先端のクリーニング部材ならびにクリーニング方法、および半導体ウェーハのテスト方法 |
JP2000332069A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Micronics Japan Co Ltd | 接触子先端のクリーニング部材 |
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