KR100353312B1 - 검사용 돌기를 위한 클리너 및 집적 회로의 검사 장치 및 검사 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 클리너(1)는 프로브침(17A)이 꽂히는 것에 의해, 침 끝부분에 부착된 산화 알루미늄 등의 부착물 O을 제거하는 검사용 돌기를 위한 클리너이다. 클리너는 탄성 재료층(2)과, 이 탄성 재료층(2)중에 분산된, 검사용 돌기의 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 재료의 충전제(3)로 이루어지는 클리너층(4)과, 기판(5)을 갖는다. 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 충전제(3)로서는, 모래, 유리, 알루미나, 카본랜덤(상품명) 등의 세라믹스 중의 적어도 하나를 포함하는 분말 입자체(粉粒體) 또는 무기계(無機系) 섬유, 유기계(有機系) 섬유로 이루어지는 섬유층이 채용될 수 있다.
Description
본 발명은 검사(inspecting)용 돌기를 위한 클리너 및, 상기 클리너를 구비한 집적 회로의 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.
특히, 본 발명의 클리너는, 반도체 웨이퍼상에 형성된 집적 회로나 각종 실장 전자 부품의 전기적 특성을 검사하기 위해 사용되는 검사용 돌기(예를 들면, 프로브침 등의 선조(線條) 도체 또는 범프 단자 등의 돌기 도체)를 위한 클리너에 관한 것이다. 본 발명의 집적 회로의 검사 장치 및 검사 방법은, 반도체 웨이퍼상에 형성된 집적 회로의 전기적 특성을 검사하기 위한, 상기 클리너를 구비한 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.
실장 전자 부품, 예를 들면, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 칭함)상에 형성된 집적 회로의 전기적 특성을 검사하는 검사 장치로서 프로브 장치가 이용된다. 상기 프로브 장치는, 예를 들면, 웨이퍼상에 형성된 IC칩을 1개씩 또는 복수개씩 검사할 때에 이용된다. 상기 프로브 장치의 예가 도 3에 도시되어 있다. 이 프로브 장치(10)는, 카세트 C내에 수납된 웨이퍼 W를 반송하는 로더부(11)와, 이 로더부(11)내에 배치된 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 반송된 웨이퍼 W를 검사하는 프로버부(prober部 )(12)와, 이 프로버부(12) 및 로더부(11)를 제어하는 콘트롤러(13)와, 이 콘트롤러(13)를 조작하기 위한 조작 패널을 겸하는 표시 장치(14)를 구비하고 있다.
상기 로더부(11)에는 서브척(sub chuck)(도시하지 않음)이 배치되어 마련된다. 이 서브척에 의해, 오리엔테이션 플랫(orientation plat)을 기준으로 하여 웨이퍼 W가 사전 정렬된다. 상기 웨이퍼 W는 반송 기구에 의해 프로버부(12)로 반송된다.
프로버부(12)에는, 웨이퍼 W를 마련하기 위한 메인 척(15)이 배치된다. 상기 메인 척(15)은 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동이 가능하다. 프로버부(12)에는, 또한 이 메인 척(main chuck)(15)상에 마련된 웨이퍼 W를 검사 위치에 정확하게 정렬하기 위한 정렬용 브릿지(bridge)(16A) 등을 갖는 정렬 기구(16)와, 웨이퍼 W의 전기적 검사를 행하기 위한 검사용 돌기(프로브침)(17A)를 갖는 프로브 카드(17)가 배치되어 있다. 프로브 카드(17)는 헤드 플레이트(18) 중앙의 개구부에 삽입링(18A)을 거쳐 고정되어 있다. 헤드 플레이트(18)는 프로버부(12)의 상부면에 대해 개폐가 가능하다. 프로버부(12)에는 테스트 헤드(19)가 선회 가능하도록 배치되어 마련된다. 테스트 헤드(19)가 프로버부(12)상에 선회된 상태에서, 테스트 헤드(19)를 거쳐 프로브 카드(17)와 테스터(도시하지 않음) 사이가 전기적으로 접속된다. 테스터로부터의 소정의 신호는 프로브 카드(17)를 거쳐 메인 척(15)상의 웨이퍼 W에 제공되어, 웨이퍼 W상에 형성된 복수의 IC칩에 대한 전기적 검사가 행해진다.
웨이퍼 W가 검사될 때에는, 메인 척(15)상의 웨이퍼 W와 프로브침(17A)이 정렬되도록, 구동 기구가 메인 척(15)을 이동시킨다. 메인 척(15)은 윗쪽으로 오버드라이브(over drive)되고, 프로브침(17A)이 웨이퍼 W상의 IC칩의 전극 패드에 전기적으로 접촉된 상태에서 IC칩의 검사가 행해진다. IC칩의 전극 패드는, 예를 들면, 알루미늄에 의해 형성되어 있다. IC칩의 전극 패드의 표면에는 자연 산화막이 형성되지만, 상기 프로브침(17A)과 전극 패드 사이에서 양호한 전기적인 접촉을 확보하기 위해서는, 이 자연 산화막은 바람직하지 못하다. 이 때문에, 프로브침(17A)을 전극 패드면상으로 이동시켜 상기 자연 산화막을 제거함으로써, 프로브침(17A)과 전극 패드와의 전기적인 접촉을 확보하고 있다. IC칩의 검사가 계속되면, 도 4에 도시하는 바와 같이, 프로브침(17A)에는 상기 자연 산화막(산화 알루미늄 등)으로부터의 부착물 O가 부착된다. 상기 부착물 O는 이후의 검사에 있어서 장해물로 된다.
그래서, 메인 척(15)에는 프로브 돌기(17A)의 선단 부분을 클리닝하기 위한 수단이 마련된다. 상기 수단의 예가 도 5를 사용하여 설명된다. 메인 척(15)의 옆쪽에 장착대(15A)가 마련된다. 상기 장착대(15A)에는 연마판(20)이 부착된다. 메인 척(15)의 상하 움직임에 의해, 프로브침(17A)의 돌기끝은 연마판(20)과 접촉되어 연마되고 돌기끝의 부착물 O가 제거된다.
종래의 클리닝 방법에 있어서는, 프로브침(17A)은 연마판(20)에 눌러 접하여 연마되는 것에 의해, 그 선단의 부착물 O가 제거되지만, 선단 전체가 연마될 수 있다고는 할 수 없다. 부착물 O가 박리되기 쉬운 상태로 선단에 남아, 검사시에 해당 잔류물이 선단으로부터 박리되어 칩이 오염되는 일이 있었다. 또한,연마판(20)상에 남겨진 파편, 또는 연마판(20)의 부스러기가 연마판(20)으로부터 비산하여, 칩이 오염될 수가 있었다. 이 후, 칩이 점점 초미세화하면, 상술한 오염에 의한 영향이 점점 커지게 된다.
프로브침(17A)을 제작할 때에, 프로브침(17A)의 침끝에 버(burr)가 남는다. 종래, 이 버는, 예를 들면, 습식 에칭 처리 등에 의해 제거되고 있다. 이 버 제거 작업은 번잡했었다.
프로브 카드에는 멤브레인(membrane)의 프로브 카드가 있다. 이 유형의 프로브 카드의, 멤브레인에 형성된 다수의 범프 단자는 전극 패드에 접촉된 상태에서, 칩의 전기적 특성이 검사된다. 이 경우에도, 검사를 반복하는 동안에 범프 단자상에는 산화 알루미늄 등이 부착된다. 멤브레인 프로브 카드에 있어서, 범프 단자를 효율적으로 연마하는 수단이 없어 그 부착물을 제거하는 것이 어려웠다.
플립 칩 소자는 전극부에 땜납 범프를 갖고 있다. 이 땜납 범프를 가열 용융하는 것에 의해, 플립 칩 소자는 기판상에 페이스다운 본딩(face down bonding)된다. 땜납 범프에 불순물이 부착되어 있으면, 전기적인 접속 불량이 발생한다. 종래에는, 블라스트(blast) 처리 등에 의해 땜납 범프에 부착된 부착물이 제거되었다. 그러나, 블라스트 처리시에 블라스트재가 비산하는 것에 대한 대책이 필요하였다.
본 발명은 상기 과제 중 하나 또는 여러 개를 해결하기 위해서 이루어진 것이다.
본 발명의 목적은 검사용 돌기를 위한 클리너 및, 상기 클리너를 구비한 집적 회로의 검사 장치 및 검사 방법을 제공하는 데 있다.
도 1a는 부착물을 갖는 프로브침을 클리너에 꽂기 직전의 상태를 도시하는 단면도,
도 1b는 프로브침이 클리너에 꽂혀진 상태를 도시하는 단면도,
도 2는 멤브레인 카드(membrane card)의 범프(bump) 단자가 클리닝되는 형태를 설명하기 위한 설명도,
도 3은 종래의 프로브 장치의 주요부를 도시하는 정면도,
도 4는 프로브침의 침끝에 산화 알루미늄 등이 부착된 상태를 확대하여 도시하는 단면도,
도 5는 종래의 프로브 장치의 메인 척을 확대하여 도시하는 사시도,
도 6a는 부착물을 갖는 범프 단자를 메쉬 클리너에 꽂기 직전의 상태를 도시하는 단면도,
도 6b는 장섬유(長纖維)가 평직(平織)된 메쉬 형상 섬유의 표면을 확대하여 도시하는 평면도,
도 6c는 섬유층이 탄성 재료 중에 일체화된 구조의 메쉬 클리너를 도시하는 단면도,
도 6d는 분말 입자체의 충전제가 분산된 탄성 재료층의 상부에, 섬유층이 일체화된 구조의 메쉬 클리너를 도시하는 단면도,
도 7은 메쉬 클리너를 이용하여 범프 단자를 클리닝하는 형태를 설명하기 위한 설명도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 클리너18 : 헤드 플레이트
2 : 탄성 재료층19 : 테스트 헤드
3 : 충전제20 : 연마판
4 : 클리너층21, 27 : 멤브레인 프로브 카드
5 : 기판15A : 장착대
2A : 스킨 피막16A : 정렬용 브릿지
3A : 유리 섬유17A : 프로브침
10 : 프로브 장치18A : 삽입링
11 : 로더부 21A, 27A : 범프 단자
12 : 프로버부W : 웨이퍼
13 : 콘트롤러16 : 정렬 기구
14 : 표시 장치17 : 프로브 카드
15 : 메인 척
본 발명의 제 1 관점에 따르면, 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 구비하고, 상기 클리너층은 탄성 재료층(elastic material)과, 상기 탄성 재료층에 일체화된, 검사용 돌기의 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 재료를 갖는, 검사용 돌기를 위한 클리너로서, 상기 돌기를 상기 클리너층에 꽂았다가 빼는 조작에 의해, 상기 돌기의 표면 상태가 개선되는 것을 특징으로 하는, 상기 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 2 관점에 따르면, 상기 제 1 관점의 클리너에 있어서, 상기 클리너층에 있어서의 상기 탄성 재료에 대한 검사용 돌기의 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 재료의 충전제와의 중량 배합비(탄성 재료:충전제)는 4:6∼3:7인 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 3 관점에 따르면, 상기 제 1 관점의 클리너에 있어서, 상기 클리너층의 표면에는 표면 상태를 개선하는 기능을 갖거나 상기 재료가 포함되지 않은 피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 4 관점에 따르면, 상기 제 1 관점의 클리너에 있어서, 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 재료는 분말 입자체(粉粒體)인 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 5 관점에 따르면, 상기 제 1 관점의 클리너에 있어서, 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 재료는 섬유인 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 6 관점에 따르면, 상기 제 1 관점의 클리너에 있어서, 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 재료는 무기 섬유인 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 7 관점에 따르면, 상기 제 1 관점의 클리너에 있어서, 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 재료는 무기 섬유와 분말 입자체인 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 8 관점에 따르면, 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 구비하고, 상기 클리너층은 탄성 재료층과, 상기 탄성 재료층 중에 분산된 충전제를 갖는, 검사용 돌기를 위한 클리너로서, 상기 검사용 돌기가 상기 클리너층에 꽂혀져 상기 돌기 선단의 부착물이 제거되는 것을 특징으로 하는, 상기 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 9 관점에 따르면, 상기 제 8 관점의 클리너에 있어서, 상기 클리너층에 있어서의 상기 탄성 재료에 대한 상기 충전제의 중량 배합비(탄성 재료:충전제)는 4:6∼3:7인 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 10 관점에 따르면, 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 구비하고, 상기 클리너층은 탄성 재료층과, 상기 탄성 재료층과 일체적으로 적층된 메쉬 형상 무기 섬유층을 갖는, 검사용 돌기를 위한 클리너로서, 상기 검사용 돌기가 상기 클리너층에 꽂혀져 상기 돌기 선단의 부착물이 제거되는 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 11 관점에 따르면, 반도체 웨이퍼상에 형성된 적어도 하나의 집적 회로의 전극에 접촉하기 위한 검사용 돌기를 구비한, 상기 집적 회로의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 장치에 있어서, 상기 검사 장치는 상기 돌기를 클리닝하기 위한 클리너 수단을 구비하고 있고, 상기 클리너 수단은 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 구비하고, 상기 클리너층은 탄성 재료층과, 상기 탄성 재료층과 일체화된 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 재료를 갖는, 검사용 돌기를 위한 클리너 수단으로서, 검사용 돌기가 상기 클리너층에 꽂혀져 상기 검사용 돌기의 표면 상태가 개선되는 것을 특징으로 하는 검사 장치가 제공된다.
본 발명의 제 12 관점에 따르면, 상기 제 11 관점의 클리너에 있어서, 상기 클리너층에 있어서의 상기 탄성 재료에 대한, 표면 상태의 기능을 개선하는 상기 재료의 충전제와의 중량 배합비(탄성 재료:충전제)는 4:6∼3:7인 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너가 제공된다.
본 발명의 제 13 관점에 따르면, 상기 제 11 관점의 클리너에 있어서, 상기 클리너 수단에 있어서의 상기 클리너층의 표면에는 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 재료가 포함되지 않은 피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 검사장치가 제공된다.
본 발명의 제 14 관점에 따르면, 상기 제 11 관점의 클리너에 있어서, 상기 클리너 수단에 있어서의 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 재료는 분말 입자체인 것을 특징으로 하는 검사 장치가 제공된다.
본 발명의 제 15 관점에 따르면, 상기 제 11 관점의 클리너에 있어서, 상기 클리너 수단에 있어서의 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 재료는 섬유 재료인 것을 특징으로 하는 검사 장치가 제공된다.
본 발명의 제 16 관점에 따르면, 상기 제 11 관점의 클리너에 있어서, 상기 클리너 수단에 있어서의 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 재료는 무기 섬유인 것을 특징으로 하는 검사 장치가 제공된다.
본 발명의 제 17 관점에 따르면, 상기 제 11 관점의 클리너에 있어서, 상기 클리너 수단에 있어서의 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 상기 재료는 무기 섬유와 분말 입자체인 것을 특징으로 하는 검사 장치가 제공된다.
본 발명의 제 18 관점에 따르면, 반도체 웨이퍼상에 형성된 적어도 하나의 집적 회로의 전극에 접촉하기 위한 검사용 돌기를 구비한, 상기 집적 회로의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 장치에 있어서, 상기 검사 장치는 상기 검사용 돌기를 클리닝하기 위한 클리너 수단을 구비하고 있고, 상기 클리너 수단은 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 구비하며, 상기 클리너층은 탄성 재료층과 상기 탄성 재료층 중에 분산된 검사용 돌기의 표면 상태를 개선하는 재료인 충전제를 갖는 상기 검사용 돌기용 클리너 수단으로서, 상기 검사용 돌기가 상기 클리너층에 꽂혀져 상기 검사용 돌기 선단의 부착물이 제거되는 것을 특징으로 하는 검사 장치가 제공된다.
본 발명의 제 19 관점에 따르면, 반도체 웨이퍼상에 형성된 복수의 집적 회로의 전극에 접촉하기 위한 검사용 돌기를 구비한, 상기 집적 회로의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 장치에 있어서, 상기 검사 장치는 상기 검사용 돌기를 클리닝하기 위한 클리너 수단을 구비하고 있고, 상기 클리너 수단은 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 구비하며, 상기 클리너층은 탄성 재료층과, 상기 탄성 재료층과 일체적으로 적층된 메쉬 형상 무기 섬유층을 갖는, 검사용 돌기를 위한 클리너 수단으로서, 상기 돌기가 상기 클리너층에 꽂혀져 상기 돌기 선단의 부착물이 제거되는 것을 특징으로 하는 검사 장치가 제공된다.
본 발명의 제 20 관점에 따르면, 반도체 웨이퍼상에 형성된 집적 회로의 전극에 검사용 돌기를 접촉시키는 공정과, 상기 집적 회로의 전기적 특성을 측정하는 공정을 구비한 상기 집적 회로의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 방법에 있어서, 검사용 돌기를 클리너 수단에 의해 클리닝하는 공정을 더 구비하고, 상기 클리너 수단은 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 구비하며, 상기 클리너층은 탄성 재료층과, 상기 탄성 재료층과 일체화된 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 재료를 갖는, 상기 검사용 돌기를 위한 클리너 수단으로서, 상기 돌기를 상기 클리너층에 꽂았다가 빼는 조작에 의해 상기 돌기의 표면 상태가 개선되는 것을 특징으로 하는 검사 방법이 제공된다.
본 발명에 있어서, "기판"은 클리너층을 지지할 수 있는 구조이면, 어떠한구조라도 좋다. 예를 들면, 상기 구조는 메인 척과 일체적인 구조나 메인 척의 소정 개소에 분리되어 자유롭게 마련되는 구조를 채용할 수 있다. 특히, 후자의 구조가 바람직하다.
본 발명에 있어서, "탄성 재료"는 소정의 탄력성을 갖는 재료이면, 어떠한 재료라도 좋다. 예를 들면, 상기 재료는 실리콘 고무와 같은 무기계 고무나 유기계 고무가 채용될 수 있다. 특히, 실리콘 고무와 같은 무기계 고무가 바람직하다.
본 발명에 있어서, "상기 탄성 재료층과 일체화됨"이란, 상기 탄성 재료층과의 일체화 구조이면, 어떠한 구조라도 좋다. 예를 들면, 상기 구조는 탄성 재료층중의 전체에 걸쳐 분산된 상태 또는 탄성 재료층중의 일부에 분산된 상태, 탄성 재료층의 표면에 고정된 상태 또는 탄성 재료층의 중간부에 샌드위치 형상으로 끼워진 상태 등에 의해 실현될 수 있다.
본 발명에 있어서, "표면 상태 개선 기능"은 검사용 돌기의 표면 상태를 소정의 상태로 개선하는 기능을 의미한다. 예를 들면, 부착물을 깎아내는 것에 의한 제거(연마), 부착물을 폴리싱(polishing)하는 것에 의한 제거, 버(burr) 제거, 표면 조면화(粗面化) 등의 기능 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 특히, 적어도 연마 기능이 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, "표면 상태 개선 기능을 갖는 재료"는 상기 표면 상태 개선 기능을 갖는 재료이면, 어떠한 재료라도 채용할 수 있다. 예를 들면, 상기 재료는 모래, 유리, 알루미나, 카본랜덤(상품명) 등의 세라믹스 등의 적어도 하나로 이루어지는 분말 입자체, 유리 섬유 등의 무기계 섬유, 유기계 섬유 및 카본 섬유등중의 적어도 하나를 채용할 수 있다. 특히, 상기 섬유가 채용되는 경우, 상기 섬유는 장섬유(長纖維)가 평직(平織)된 구조가 바람직하다.
본 발명에 있어서, "검사용 돌기"는 피(被)측정 대칭물에 전기적으로 접촉하는 수단이면, 어떠한 수단이라도 좋다. 특히, 프로브침 등의 선조(線條) 도체, 포고핀(pogo pin) 및 범프 단자 등의 돌기 도체가 대상으로 될 수 있다.
본 발명에 있어서, "표면 상태 개선 기능을 갖는 재료가 포함되지 않은 피막"은 상기 재료가 포함되어 있지 않은 피막이면, 어떠한 피막이어도 좋다. 특히, 탄성 재료로 이루어지는, 소위 스킨(skin) 피막이나, 탄성 재료층의 표면에 더 형성한 탄성 재료 피막이 바람직하다.
본 발명에 있어서, "탄성 재료층과 일체적으로 적층됨"이란, 탄성 재료층의 표면상에서의 적층, 탄성 재료층의 내부에서의 적층 중 어떠한 적층 상태이어도 좋다. 또한, 상기 적층은 단층 적층외에, 다층 적층이어도 좋다.
첨부한 도면은 명세서의 일부와 연휴하고 또한 일부를 구성하며, 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸다. 그리고, 해당 도면은 상술한 일반적인 기술과 이하에 기술하는 바람직한 실시예에 관한 상세한 설명에 의해, 본 발명의 설명에 이바지하는 것이다.
(실시예)
도 1a, 도 1b 및 도 2를 사용하여 본 발명의 하나의 실시예를 설명한다. 이 실시예에 관한 클리너(1)는 탄성 재료(고무)로 이루어지는 탄성 재료층(2)과, 이탄성 재료층(2)중에 분산된 표면 상태 개선용 충전제(분말 입자체 재료)(3)로 이루어지는 클리너층(4)과, 이 클리너층(4)이 마련된 기판(5)을 갖는다. 이하, 상기 클리너(1)가 사용되는 용도의 하나로서, 상기 클리너(1)가 반도체 웨이퍼상에 형성된 IC칩을 검사하기 위한 프로브 장치의 프로브침(17A)을 클리닝하기 위해 사용되는 경우에 대하여 설명한다.
상기 탄성 재료층(2)의 탄성 재료로서는 무기계 고무, 유기계 고무 중 어느 것도 사용될 수 있다. 특히, 실리콘 고무와 같은 무기계 고무가 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 충전제(3)에는 프로브침의 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 재료가 선택된다. 이 프로브침의 표면 상태를 개선하는 기능으로서는, 부착물을 깎아내는 것에 의한 제거(연마), 부착물을 폴리싱하는 것에 의한 제거, 버 제거, 표면 조면화 등의 기능이 있다. 본 실시예에서는 프로브침의 침끝의 부착물(IC칩의 전극 재료의 산화물 등)을 깎아내는 연마 기능을 갖는 분말 입자체 재료가 채용된다. 이 분말 입자체 재료의 예로서는, 모래, 유리, 알루미나, 카본랜덤(상품명) 등의 세라믹스 중 하나, 또는 이들의 혼합물이 채용될 수 있다. 충전제(3)의 입자 지름은, 예를 들면 3∼15㎛가 바람직하고, 특히 5∼10㎛가 보다 바람직하다. 3㎛미만의 입자 지름의 경우, 충전제(3)의 깎아내는 기능(연마용 입자로서의 기능)이 약해지고, 15㎛를 넘는 입자 지름인 경우, 탄성 재료(2)와 충전제(3)의 혼합 상태가 불량하게 되고, 또한 프로브침의 침끝이 손상될 우려가 있다. 기판(5)은 탄성 재료층이 기판으로부터 박리되기 어려운 재료로 만들어지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 탄성 재료가 실리콘 고무인 경우, 실리콘 기판이 바람직하다.
클리너층(4)의 탄성 재료(2)와 상기 충전제(3)의 중량 배합비(탄성 재료:충전제)는, 예를 들면, 5:5∼3:7가 바람직하고, 특히 4:6∼3:7이 보다 바람직하다. 중량 배합비가 5:5 미만인 경우, 충전제를 분산시키는 의의가 없어지고, 3:7을 초과하는 경우, 탄성 재료(2)와 충전제(3)의 혼합 상태가 불량하게 되고, 또한 프로브침의 침끝이 손상될 우려가 있다.
탄성 재료와 충전제의 바람직한 중량 배합비는 프로브침(17A)의 재질에 따라서도 변한다. 프로브침(17A)의 재질로서는, 텅스텐 이외에, 예를 들면, 팔라듐, 베릴륨동 등의 합금이 이용된다. 프로브침(17A)의 재질에 적합한 배합비가 적절히 선택될 필요가 있다. 프로브침(17A)의 재료가 텅스텐인 경우, 상기 배합비는 4:6으로 될 수 있다. 기판(5)상에 마련된 클리너층(4)의 두께 t는 프로브침(17A)이 꽂히는 것에 의해, 그 침끝의 부착물이 제거되는 두께이면 좋고, 특별한 제한은 없다. 일반적으로는, 예를 들면 500∼1000㎛가 바람직하다.
본 발명의 클리너는 여러 가지 방법(공정)에 의해 제조될 수 있는데, 이하에, 바람직한 제조 공정의 예를 설명한다. 생탄성(生彈性) 재료층(2)과 충전제(3)가 종래의 공지된 방법으로 혼합되어 클리너층(4)을 위한 재료가 조제된다. 예를 들면, 실리콘 탄성 재료에 충전제(3)가 소정의 중량 배합비로 되도록 서서히 첨가된다. 촉매로서 소정량(예를 들면, 탄성 재료에 대해 1.5∼4%)의 중합 개시제(예를 들면, 과산화벤조일)가 첨가된다. 충전제(3)가 충분히 분산된다. 충전제(3)가 충분히 혼합되기까지의 숙성 기간에 걸쳐 혼합된다. 그 혼합물이 실리콘 기판(5)상에 도포된다. 소정의 온도(예를 들면, 120℃ 정도)하에서, 실리콘 기판(5)상의혼합물에 10수분 정도의 가압 성형(예를 들면, 70kg/cm2)이 실시된다. 이 가압 성형 후, 온도가 낮아지고, 가압 조작이 멈춰진다. 이 일련의 조작에 의해, 생탄성 재료는 중합, 경화하여 실리콘 고무로 된다. 탄성 재료층(2)인 실리콘 고무중에 충전제(3)가 분산된 클리너층(4)이 실리콘 기판(5)의 표면에 마련되어 일체화된다. 실리콘 고무(2)의 표면에는 극히 평활한 표면을 갖는 스킨 피막(2A)이 형성된다. 이 스킨 피막(2A)은 다소 점착성이 있어, 상기 부착물을 포착하는 기능을 갖는다. 이러한 스킨 피막(2A)과 같은, 표면 상태 개선 기능을 갖는 재료가 포함되지 않은 피막이, 상기 스킨 피막(2A)의 위에 또는 탄성 재료층(2)의 위에 직접 형성될 수 있다.
상기 클리너(1)를 이용하여 프로브침을 클리닝하는 방법에 대하여 설명한다. 상기 클리너(1)는 프로브침을 클리닝할 수 있는 위치 중 어느 하나의 위치에 설치될 수 있다. 도 5에 도시하는 실시예에 있어서, 클리너(1)는, 예를 들면 메인 척(15)의 장착대(15A)상에 부착된다. 프로브침(17A)은 검사를 위해 알루미늄의 전극 패드에 반복하여 접촉된다. 이 접촉 회수가 거듭됨에 따라, 프로브침(17A)의 침끝에는 산화 알루미늄 등의 부착물 O가 부착된다(도 1a). 이 부착물 O는 프로브침이 전극 패드에 양호하게 전기적 접촉되는 것을 방해한다. 이와 같이, 부착물 O가 부착된 프로브침은 클리닝되는 것에 의해 다시 사용 가능하게 된다.
도 5에 있어서, 장착대(15A)가 프로브침(17A)의 바로 아래에 정렬되도록 메인 척(15)이 이동된다. 그 후, 메인 척(15)은 상승되어 장착대상의 클리너(1)의클리너층(4)에 프로브침(17A)이 접촉된다(도 1a). 메인 척(15)이, 또한 100㎛ 정도 오버드라이브되면, 프로브침(17A)은 클리너층(4)에 100㎛ 정도 꽂힌다(도 1b). 프로브침(17A)이 클리너층(4)내에 꽂힐 때에, 그 침끝에 가볍게 부착된 오염물 등은 클리너층(4)을 구성하는 실리콘 고무(2)에 의해 벗겨지고, 스킨 피막(2A)과 실리콘 고무(2)의 내부에 부착되어 유지된다. 침끝에 강하게 부착된 산화 알루미늄 등의 부착물 O는, 침끝에 부착된 상태로 클리너층(4)내로 들어간다. 프로브침의 침끝은 실리콘 고무(2)중의 충전제(3)와도 접촉하면서 클리너층(4)내에 꽂혀진다. 상기 침끝의 부착물 O는 실리콘 고무(2) 및 충전제(3)에 의해 제거된다. 메인 척(15)이 하강하여 프로브침의 침끝이 클리너층(4)으로부터 빠져 나올 때에도, 부착물 O는 실리콘 고무(2) 및 충전제(3)에 의해 제거된다. 실리콘 고무(2) 및 피막(2A)은 제거된 부착물 O를 그 탄성력에 의해 사이에 끼워 넣고, 상기 침끝의 부착물 O는 실리콘 고무(2)중에 남겨진다. 프로브침의 침끝으로부터 제거된 부착물 O는 스킨 피막(2A)과 클리너층(4)의 내부에 취입되어, 바깥 표면에는 거의 나오지 않는다. 이 결과, 프로브침(17A)으로부터 부착물 O는 제거되어, 프로브침(17A)의 침끝이 클리닝된다.
이상 설명한 바와 같이, 이 실시예에 있어서는, 프로브침(17A) 침끝의 부착물은 확실히 벗겨져 제거된다. 또한, 이 부착물은 클리너층의 내부에 유지되기 때문에 상기 부착물이 이물질로서 비산되지 않는다.
도 2에는 다른 실시예가 도시되어 있다. 이 실시예는 멤브레인 프로브 카드(27)의 범프 단자(27A)를 클리닝한다. 멤브레인 프로브 카드(27)가 웨이퍼의전기적 특성 검사를 위해 반복 사용되면, 프로브침의 경우와 마찬가지로, 범프 단자(27A)에 산화 알루미늄이 부착된다. 멤브레인 프로브 카드(27)가 클리너(1)에 눌러 접해지는 것에 의해, 범프 단자(27A)는 소프트 클리너(1)의 클리너층(4)내에 꽂혀진다. 범프 단자(27A) 표면의 부착물은 클리너층(4)에 의해 확실히 제거된다.
도 6a, 도 6b에는 본 발명의 다른 실시예가 도시되어 있다. 이 실시예는 표면 상태 개선 기능을 갖는 재료로서 메쉬(mesh)가 사용된다. 탄성 재료층(2)상에 메쉬 형상 섬유층(메쉬 형상 무기 섬유층)(3)이 적층되어 일체화된다. 메쉬 형상 무기 섬유층(3)은 탄성 재료층(2)의 내부에 있어서 샌드위치 형상으로 일체화될 수도 있다(도 6c). 도 6a, 도 6b에는 탄성 재료층(2)의 상부에 적층되는 구조가 도시되어 있다. 탄성 재료층(2)과 메쉬 형상 섬유층(3)으로 이루어지는 클리너층(4)은 기판(5)에 마련된다. 이하 이 클리너를 메쉬 클리너라고 부른다. 이 메쉬 클리너(1)를 이용하여 멤브레인 프로브 카드인 범프 단자가 클리닝되는 경우에 대하여 설명한다.
탄성 재료로서는 무기계 고무, 유기계 고무 모두가 이용될 수 있다. 그 중에서도 실리콘 고무와 같은 무기계 고무가 바람직하다. 이 탄성 재료층과 일체화되는 메쉬 형상 섬유층(3)으로서는 무기계 섬유, 유기계 섬유 및 카본 섬유 등의 섬유가 이용될 수 있다. 이들 섬유는 장섬유, 단섬유의 어떤 것도 이용할 수 있다. 그 중에서도 유리 섬유와 같은 무기계의 장섬유를 평직으로 한 것이 바람직하다. 도 6b와 같이, 유리 섬유(3A)가 규칙적으로 짜여진 것이 아니어도 좋다. 범프 단자나 프로브침이 섬유 사이에 꽂혀, 침 표면이 상기 섬유와 접촉하면서 벗겨져 나가도록 구성된 것이면 좋다.
도 6b에는 유리 장섬유(3A)가 평직된 구조가 도시되어 있다. 메쉬 형상 섬유층(3)은 메쉬 형상의 섬유를 여러장 중첩하는 것이 바람직하다. 메쉬 형상 섬유층(3)은 탄성 재료층(2)과 일체화되어, 탄성 재료층(2)으로부터 박리되지 않는 구조로 되는 것이 바람직하다.
기판(5)은 탄성 재료층(2)과의 친화성이 우수하여, 탄성 재료층(2)이 기판(5)으로부터 박리되기 어려운 것이 바람직하다. 예를 들면, 탄성 재료층(2)이 실리콘 고무인 경우, 실리콘 기판이 바람직하다. 기판(5)의 표면은 조면화되어 탄성 재료와의 밀착성이 높여진 것이 사용될 수 있다. 상기 탄성 재료층(2)에는 전술한 분말 입자 상태의 표면 상태 개선 기능을 갖는 충전제가 분산된 것이어도 좋다(도 6d). 충전제로서 이용되는 분말 입자체의 입자 지름은, 예를 들면, 3∼15㎛가 바람직하고, 특히 5∼10㎛인 입자 지름이 보다 바람직하다.
상기 탄성 재료층(2)의 탄성 재료에 충전제를 분산하는 경우에는, 탄성 재료와 충전제의 중량 배합비(탄성 재료:충전제)는, 예를 들면, 5:5∼3:7이 바람직하고, 4:6∼3:7이 보다 바람직하다.
클리너층(4)의 두께는 프로브침(17A)이 꽂혀져, 침끝의 부착물이 제거되는 두께이면 특별히 제한되지 않는다. 일반적으로는, 예를 들면, 500∼1000㎛가 바람직하다. 멤브레인 프로브 카드의 범프 단자는, 예를 들면, 다이아몬드, 사파이어 등의 광석에 금, 금합금 등이 코팅되는 것에 의해 제조된다. 도 4에 도시되는 프로브침(17A)의 경우에는, 그 재질로서는 텅스텐 이외에, 예를 들면, 팔라듐, 베릴륨동이 이용될 수 있다.
상기 메쉬 클리너(1)를 제작하는 공정을 설명한다. 탄성 재료층(2)으로 되는 생탄성 재료에 중합 개시제(예를 들면, 과산화벤조일)를 촉매로서 소정량(예를 들면, 생탄성 재료에 대해 1.5∼4%) 첨가한다. 또한, 탄성 재료층(2)에 충전제를 분산시키는 경우에는, 중합 개시제의 첨가에 앞서서, 생탄성 재료에 충전제를 소정의 배합비가 될 때까지 서서히 첨가하여, 종래의 공지 방법으로 혼합해 놓는다. 중합 개시제를 첨가한 후, 충전제가 충분히 혼합되기까지의 소정 기간 숙성시켜 혼합물을 만든다. 그 후, 이 혼합물을 실리콘 기판(5)상에 도포한 후, 메쉬 형상 유리 섬유(3A)를 2장 포갠 메쉬 형상 무기 섬유층(3)을 마련한다. 이 상태에서 소정의 온도(예를 들면, 120℃ 정도)하에서, 실리콘 기판(5)상의 혼합물에 소정의 압력(예를 들면, 70kg/cm2)을 10수분 정도 가하여 가압 성형한다. 그 후, 온도를 낮추어 가압 조작을 정지시킨다. 이 일련의 조작에 의해 혼합물의 생탄성 재료는 중합, 경화하여 실리콘 고무로 된다. 탄성 재료층(2)과 메쉬 형상 섬유층(3)이 일체화된 클리너층(4)이 실리콘 기판(5)의 표면에 형성된다. 탄성 재료층(2)과 메쉬 형상 섬유층(3)을 일체화시키는 공정으로서, 상기 공정에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지의 공정이 채용될 수 있다.
상기 메쉬 클리너(1)를 이용하여 멤브레인 프로브 카드의 범프 단자가 클리닝되는 공정이 설명된다. 메쉬 클리너(1)가 도 5에 도시된 바와 같은 메인 척(15)의 장착대(15A) 상에 부착된다. 상기에서 설명한 프로브침의 케이스와 마찬가지로, 멤브레인 프로브 카드(21)의 범프 단자(21A)는 IC칩의 검사를 위해, 웨이퍼상에 형성된 IC칩의 전극 패드에 반복하여 접촉하고 있으면, 그 침끝에 산화 알루미늄 등의 부착물 O가 부착된다. 상기 부착물 O는 범프 단자와 전극 패드의 전기적 접촉을 악화시킨다. 본 실시예의 메쉬 클리너를 사용한 클리닝 방법에 의해, 상기 범프 단자(21A)의 선단이 클리닝되어 상기 범프 단자는 다시 사용할 수 있다.
범프 단자(21A)의 바로 아래에 장착대(15A)가 정렬되도록, 메인 척(15)(도 5)은 이동된다. 이 위치에서 메인 척(15)이 상승하여, 장착대(15A)상의 메쉬 클리너(1)의 클리너층(4)에 범프 단자(21A)가 접촉된다. 또한, 메인 척(15)이 오버드라이브되면, 범프 단자(21A)는 도 7에 도시하는 바와 같이 메쉬 형상 섬유층(3(3A))에 닿아, 상기 섬유(3A)를 눌러 확대하면서, 탄성 재료층(2)에 꽂힌다. 범프 단자(21A)가 메쉬 형상 섬유층(3)을 통과할 때, 범프 단자(21A)에 가볍게 부착된 오염물 등은 탄성 재료층(3)의 실리콘 고무에 의해 벗겨진다.
산화 알루미늄 등의 부착물 O는 범프 단자(21A)에 강하게 달라붙어 있다. 범프 단자(21A)가 메쉬 형상 섬유층(3)을 통과할 때, 상기 부착물 O는 유리 섬유(3A)에 의해 깎여진다. 그 후, 메인 척(15)이 하강하여, 범프 단자(21A)가 메쉬 형상 섬유층(3)으로부터 빠지면, 깎여진 부착물 O는 탄성 재료층 및 메쉬 형상 섬유층(3)중에 남는다. 그 결과, 범프 단자(21A)는 효율적으로 클리닝 제거된다.
본 실시예에 의하면, 범프 단자(21A)에 가볍게 부착된 오염물 등의 부착물은 탄성 재료층(2)에 의해 벗겨지고, 범프 단자(21A)에 강하게 부착된 산화 알루미늄 등의 부착물 O는 메쉬 형상 섬유층(3)에 의해 확실히 깎여진다. 범프 단자(21A)가클리너층(4)으로부터 빠질 때, 범프 단자(21A)로부터 깎여진 부착물 O는 탄성 재료층(2) 및 메쉬 형상 섬유층(3)에 포획되어, 외부로 비산하는 일이 없다. 이 때문에, IC칩이 오염되는 일도 없다.
상기 실시예에서는, 멤브레인 프로브 카드의 범프 단자(21A)를 클리닝하는 경우에 대하여 설명하였다. 도 3에 도시하는 프로브 카드(17)의 프로브침(17A)의 부착물 O를 제거하기 위해서도, 메쉬 클리너(1)는 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 클리너는 프로브침의 제조 공정에서도 사용될 수 있다.
예를 들면 프로브 카드가 제조되는 공정에서, 선재(線材)로부터 프로브침을 제조할 때 발생하는 프로브침 선단의 버 제거에도, 본 발명의 클리너는 이용될 수 있다. 현재에는, 습식 에칭 처리에 의해, 프로브침(17A) 침끝의 버 제거을 실행하고 있지만, 본 발명의 클리너를 사용하면, 지극히 간단히 버 제거를 실행할 수 있다.
본 발명에 따른 클리너는, 플립 칩 소자에 형성된 땜납 범프를 클리닝하기 위해서도 사용될 수 있다. 땜납 범프가 클리닝된 후, 페이스 다운 본딩이 실행되는 것에 의해, 플립 칩 소자의 전기 특성이 손상되는 일 없이, 플립 칩 소자는 기판상에 확실히 접합될 수 있다.
본 발명은 상기 각 실시예에 하등 제한되는 것이 아니라, 실장 전자 부품의 검사를 행하는 측정용 침에 대해서도 적용할 수 있다.
그 밖의 특징 및 변경은 상기 기술분야의 당업자에게는 착상될 수 있는 바이다. 그러므로, 본 발명은 보다 넓은 관점에서 성립되는 것이며, 특정한 상세 및여기에 개시된 대표적인 실시예에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부된 청구항에 정의된 넓은 발명 개념 및 그 균등물의 해석과 범위에 있어서, 거기에서 벗어나는 일 없이, 여러 가지의 변경을 할 수 있다.
본 발명은 검사용 돌기를 위한 클리너 및, 상기 클리너를 구비한 집적 회로의 검사 장치 및 검사 방법을 제공한다.
Claims (9)
- 장치 본체와 일체 또는 별체(別體)로 된 기판과, 상기 기판상에 고정된 클리너층을 포함하되, 상기 클리너층은 탄성 재료(elastic material)층과 상기 탄성 재료층과 일체화된, 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 재료를 갖는, 검사용 돌기를 위한 클리너에 있어서,상기 돌기를 상기 클리너층에 꽂았다가 빼는 조작에 의해 상기 돌기의 표면 상태가 개선되는 것을 특징으로 하는검사용 돌기를 위한 클리너.
- 제 1 항에 있어서,상기 클리너층의 표면에는 상기 표면 상태 개선 기능을 갖는 재료가 포함되지 않은 피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너.
- 제 1 항에 있어서,상기 표면 상태 개선 기능을 갖는 재료는 섬유인 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너.
- 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 포함하되, 상기 클리너층은 탄성 재료층과 상기 탄성 재료층중에 분산된 충전제를 갖는, 검사용 돌기를 위한 클리너에 있어서,상기 검사용 돌기가 상기 클리너층에 꽂혀져 상기 돌기 선단의 부착물이 제거되는 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너.
- 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 포함하되, 상기 클리너층은 탄성 재료층과, 상기 탄성 재료층과 일체적으로 적층된 메쉬 형상 무기 섬유층을 갖는, 검사용 돌기를 위한 클리너에 있어서,상기 검사용 돌기는 상기 클리너층에 꽂혀져 상기 돌기 선단의 부착물이 제거되는 것을 특징으로 하는, 검사용 돌기를 위한 클리너.
- 반도체 웨이퍼상에 형성된 적어도 하나의 집적 회로의 전극에 접촉하기 위한 검사용 돌기를 포함한, 상기 집적 회로의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 장치에 있어서,상기 검사 장치는 상기 돌기를 클리닝하기 위한 클리너 수단을 포함하고 있고,상기 클리너 수단은, 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 포함하되, 상기 클리너층은 탄성 재료층과, 상기 탄성 재료층과 일체화된 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 재료를 갖는, 검사용 돌기를 위한 클리너 수단으로서,상기 검사용 돌기가 상기 클리너층에 꽂혀져 상기 검사용 돌기의 표면 상태가 개선되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
- 반도체 웨이퍼상에 형성된 적어도 하나의 집적 회로의 전극에 접촉하기 위한 검사용 돌기를 포함한, 상기 집적 회로의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 장치에 있어서,상기 검사 장치는 상기 검사용 돌기를 클리닝하기 위한 클리너 수단을 포함하고 있고,상기 클리너 수단은, 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 포함하되, 상기 클리너층은 탄성 재료층과 상기 탄성 재료층중에 분산된 검사용 돌기 표면 상태를 개선하는 재료의 충전제를 갖는, 상기 검사용 돌기용 클리너 수단으로서,상기 검사용 돌기가 상기 클리너층에 꽂혀져 상기 검사용 돌기 선단의 부착물이 제거되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
- 반도체 웨이퍼상에 형성된 적어도 하나의 집적 회로의 전극에 접촉하기 위한검사용 돌기를 포함한, 상기 집적 회로의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 장치에 있어서,상기 검사 장치는 상기 검사용 돌기를 클리닝하기 위한 클리너 수단을 포함하며,상기 클리너 수단은, 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 포함하되, 상기 클리너층은 탄성 재료층과 상기 탄성 재료층과 일체적으로 적층된 메쉬 형상 무기 섬유층을 갖는, 검사용 돌기를 위한 클리너 수단으로서,상기 돌기가 상기 클리너층에 꽂혀져 상기 검사용 돌기 선단의 부착물이 제거되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
- 반도체 웨이퍼상에 형성된 집적 회로의 전극에 검사용 돌기를 접촉시키는 공정과, 상기 집적 회로의 전기적 특성을 측정하는 공정을 포함한 상기 집적 회로의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 방법에 있어서,상기 검사용 돌기를 클리너 수단에 의해 클리닝하는 공정을 더 포함하고,상기 클리너 수단은 기판과 상기 기판상에 고정된 클리너층을 포함하되, 상기 클리너층은 탄성 재료층과, 상기 탄성 재료층과 일체화된 상기 검사용 돌기의 표면 상태를 개선하는 기능을 갖는 재료를 갖는, 상기 검사용 돌기를 위한 클리너 수단으로서,상기 검사용 돌기를 상기 클리너층에 꽂았다가 빼는 조작에 의해 상기 검사용 돌기의 표면 상태가 개선되는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR100435529B1 (ko) * | 2002-06-06 | 2004-06-11 | 삼성전자주식회사 | 프로브 카드의 접촉 부위를 세정하기 위한 장치 및 방법 |
| KR100939965B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2010-02-04 | 참앤씨(주) | 프로브 카드 클리닝 시트 및 이를 이용한 클리닝 방법 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69832010T2 (de) * | 1997-07-24 | 2006-07-13 | Mitsubishi Denki K.K. | Prüfspitze für Halbleiterschaltungen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JP2000180469A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用コンタクタ及び半導体装置用コンタクタを用いた試験装置及び半導体装置用コンタクタを用いた試験方法及び半導体装置用コンタクタのクリーニング方法 |
| JP3745184B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2006-02-15 | 株式会社東京カソード研究所 | プローブカード用探針及びその製造方法 |
| US7202683B2 (en) * | 1999-07-30 | 2007-04-10 | International Test Solutions | Cleaning system, device and method |
| US6777966B1 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-17 | International Test Solutions, Inc. | Cleaning system, device and method |
| US6352871B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-03-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Probe grid for integrated circuit excitation |
| JP2002326169A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-12 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 接触子クリーニングシート及び方法 |
| JP3888197B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2007-02-28 | 三菱電機株式会社 | プローブ先端付着異物の除去部材、プローブ先端付着異物のクリーニング方法およびプロービング装置 |
| US6908364B2 (en) * | 2001-08-02 | 2005-06-21 | Kulicke & Soffa Industries, Inc. | Method and apparatus for probe tip cleaning and shaping pad |
| US7182672B2 (en) * | 2001-08-02 | 2007-02-27 | Sv Probe Pte. Ltd. | Method of probe tip shaping and cleaning |
| US6840374B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-01-11 | Igor Y. Khandros | Apparatus and method for cleaning test probes |
| US7112974B1 (en) * | 2002-05-23 | 2006-09-26 | Cypress Semiconductor Corporation | Proble for testing integrated circuits |
| US7319341B1 (en) * | 2003-08-28 | 2008-01-15 | Altera Corporation | Method of maintaining signal integrity across a capacitive coupled solder bump |
| JP2005249409A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | プローブ針用クリーニングシート |
| US7332921B2 (en) * | 2004-03-26 | 2008-02-19 | Cypress Semiconductor Corporation | Probe card and method for constructing same |
| US7402994B2 (en) * | 2004-08-09 | 2008-07-22 | Electro Scientific Industries, Inc. | Self-cleaning lower contact |
| US20060065290A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-03-30 | Jerry Broz | Working surface cleaning system and method |
| US9833818B2 (en) | 2004-09-28 | 2017-12-05 | International Test Solutions, Inc. | Working surface cleaning system and method |
| US7330038B2 (en) * | 2004-12-14 | 2008-02-12 | Silicon Light Machines Corporation | Interleaved MEMS-based probes for testing integrated circuits |
| JP4745814B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2011-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブの研磨部材 |
| US7772830B2 (en) * | 2006-03-03 | 2010-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Test handler automatic contactor cleaner methods and surrogate cleaning device |
| US20080081527A1 (en) * | 2006-10-02 | 2008-04-03 | Wen-Yu Lu | Cleaner for a test-card probe |
| US10618080B2 (en) | 2007-09-17 | 2020-04-14 | Bruker Nano, Inc. | Debris removal from high aspect structures |
| US10330581B2 (en) | 2007-09-17 | 2019-06-25 | Rave Llc | Debris removal from high aspect structures |
| US8287653B2 (en) * | 2007-09-17 | 2012-10-16 | Rave, Llc | Debris removal in high aspect structures |
| US10384238B2 (en) | 2007-09-17 | 2019-08-20 | Rave Llc | Debris removal in high aspect structures |
| US8371316B2 (en) | 2009-12-03 | 2013-02-12 | International Test Solutions, Inc. | Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware |
| US9823273B2 (en) * | 2013-06-29 | 2017-11-21 | Intel Corporation | Probe tip formation for die sort and test |
| US9318362B2 (en) * | 2013-12-27 | 2016-04-19 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Die bonder and a method of cleaning a bond collet |
| US9825000B1 (en) | 2017-04-24 | 2017-11-21 | International Test Solutions, Inc. | Semiconductor wire bonding machine cleaning device and method |
| US11434095B2 (en) | 2018-02-23 | 2022-09-06 | International Test Solutions, Llc | Material and hardware to automatically clean flexible electronic web rolls |
| KR102031146B1 (ko) * | 2018-06-18 | 2019-10-14 | 주식회사 아이에스시 | 검사용 커넥터, 검사용 커넥터의 제조방법 및 검사용 커넥터를 사용하는 피검사 디바이스의 검사방법 |
| US11756811B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-09-12 | International Test Solutions, Llc | Pick and place machine cleaning system and method |
| US10792713B1 (en) | 2019-07-02 | 2020-10-06 | International Test Solutions, Inc. | Pick and place machine cleaning system and method |
| US11318550B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-05-03 | International Test Solutions, Llc | System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures |
| US11211242B2 (en) | 2019-11-14 | 2021-12-28 | International Test Solutions, Llc | System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures |
| US11035898B1 (en) | 2020-05-11 | 2021-06-15 | International Test Solutions, Inc. | Device and method for thermal stabilization of probe elements using a heat conducting wafer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5174765A (en) * | 1986-05-14 | 1992-12-29 | Barvid Technology Inc. | Electrical connector having electrically conductive elastomer covered by insulating elastomer |
| JPH04364746A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プローブ装置 |
| JP3188935B2 (ja) * | 1995-01-19 | 2001-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
| JPH1187438A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | プローブ先端のクリーニング部材ならびにクリーニング方法、および半導体ウェーハのテスト方法 |
| JP3429995B2 (ja) * | 1997-11-10 | 2003-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法 |
-
1998
- 1998-04-02 TW TW087104987A patent/TW377482B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-06 US US09/055,291 patent/US6130104A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-08 KR KR1019980012413A patent/KR100353312B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100435529B1 (ko) * | 2002-06-06 | 2004-06-11 | 삼성전자주식회사 | 프로브 카드의 접촉 부위를 세정하기 위한 장치 및 방법 |
| KR100939965B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2010-02-04 | 참앤씨(주) | 프로브 카드 클리닝 시트 및 이를 이용한 클리닝 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6130104A (en) | 2000-10-10 |
| TW377482B (en) | 1999-12-21 |
| KR19980081193A (ko) | 1998-11-25 |
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