JPH11233220A - 半導体評価試験装置用オープンタイプ・ソケットのコンタクト不良を修復する方法およびコンタクト不良修復用研磨シート - Google Patents
半導体評価試験装置用オープンタイプ・ソケットのコンタクト不良を修復する方法およびコンタクト不良修復用研磨シートInfo
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- JPH11233220A JPH11233220A JP10065986A JP6598698A JPH11233220A JP H11233220 A JPH11233220 A JP H11233220A JP 10065986 A JP10065986 A JP 10065986A JP 6598698 A JP6598698 A JP 6598698A JP H11233220 A JPH11233220 A JP H11233220A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体評価試験装置におけるオープンタイプ
・ソケットのコンタクト不良を修復する方法および手段
を提供すること。 【解決手段】 研磨材層を具備しかつＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体装置と実質的に同一の平面外形寸法を有するコン
タクト不良修復用研磨シートを作成し、このコンタクト
不良修復用研磨シートを、半導体評価試験装置用オープ
ンタイプ・ソケットに装着し、前記ソケットの開閉操作
により前コンタクト不良修復用研磨シートの前記研磨材
層に前記ソケットのコンタクトピンを接触摺動させるこ
とにより、前記ソケットの前記コンタクトピンに付着し
た異物を除去する。
・ソケットのコンタクト不良を修復する方法および手段
を提供すること。 【解決手段】 研磨材層を具備しかつＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体装置と実質的に同一の平面外形寸法を有するコン
タクト不良修復用研磨シートを作成し、このコンタクト
不良修復用研磨シートを、半導体評価試験装置用オープ
ンタイプ・ソケットに装着し、前記ソケットの開閉操作
により前コンタクト不良修復用研磨シートの前記研磨材
層に前記ソケットのコンタクトピンを接触摺動させるこ
とにより、前記ソケットの前記コンタクトピンに付着し
た異物を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置評価試験装
置におけるオープンタイプのＩＣソケットを用いてＩ
Ｃ、ＬＳＩ等の半導体装置（以下デバイスと呼ぶ）のエ
ージングや電気的特性等を測定して検査するテスト工程
において発生する前記ソケットとデバイスの間のコンタ
クト不良を修復させるためのコンタクト不良修復用研磨
シートおよび方法に関する。
置におけるオープンタイプのＩＣソケットを用いてＩ
Ｃ、ＬＳＩ等の半導体装置（以下デバイスと呼ぶ）のエ
ージングや電気的特性等を測定して検査するテスト工程
において発生する前記ソケットとデバイスの間のコンタ
クト不良を修復させるためのコンタクト不良修復用研磨
シートおよび方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】オープンタイプのＩＣソケットを用いて
デバイスのエージングや電気的特性等を検査するテスト
工程においては、ＩＣソケットは測定するデバイスに合
わせて設計制作されたプリント基板上に搭載されてお
り、上記テスト工程では、測定のたびにデバイスをソケ
ットに装着し測定が終わるとデバイスをソケットを取り
外すという具合にソケットに対するデバイスの着脱が繰
り返し行われる。その結果、デバイスの端子ピンに接触
するソケットのコンタクトピンの接触部にデバイスの端
子ピンの半田層、下地のニッケル、その他の浮遊物等が
付着してデバイスとの接触部の導電性が劣化し、デバイ
スの正常な特性評価ができなくなるとともに、高価なソ
ケットを交換しなければならなくなるという問題があっ
た。
デバイスのエージングや電気的特性等を検査するテスト
工程においては、ＩＣソケットは測定するデバイスに合
わせて設計制作されたプリント基板上に搭載されてお
り、上記テスト工程では、測定のたびにデバイスをソケ
ットに装着し測定が終わるとデバイスをソケットを取り
外すという具合にソケットに対するデバイスの着脱が繰
り返し行われる。その結果、デバイスの端子ピンに接触
するソケットのコンタクトピンの接触部にデバイスの端
子ピンの半田層、下地のニッケル、その他の浮遊物等が
付着してデバイスとの接触部の導電性が劣化し、デバイ
スの正常な特性評価ができなくなるとともに、高価なソ
ケットを交換しなければならなくなるという問題があっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の問題に対処する
ために、従来は、エアブロー、超音波清浄、ブラシ等に
よってソケットの付着物を適度な間隔で除去してやるこ
とが行われていたが、例えば超音波洗浄では、ソケット
に洗浄液が付着するので、その付着液の除去や乾燥を行
わなければならないという難点があるとともに、十分な
成果が得られず、高価なソケットを頻繁に交換してやら
なければならいという問題があった。
ために、従来は、エアブロー、超音波清浄、ブラシ等に
よってソケットの付着物を適度な間隔で除去してやるこ
とが行われていたが、例えば超音波洗浄では、ソケット
に洗浄液が付着するので、その付着液の除去や乾燥を行
わなければならないという難点があるとともに、十分な
成果が得られず、高価なソケットを頻繁に交換してやら
なければならいという問題があった。
【０００４】したがって、本発明は、上述したソケット
のコンタクト不良を修復するとともに、コンタクト不良
を未然に回避して、ソケット交換の頻度を大幅に軽減さ
せ、それに伴い、デバイスの特性評価における歩留まり
を向上させ得る方法および手段を提供することを目的と
するものである。
のコンタクト不良を修復するとともに、コンタクト不良
を未然に回避して、ソケット交換の頻度を大幅に軽減さ
せ、それに伴い、デバイスの特性評価における歩留まり
を向上させ得る方法および手段を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】例えば約０．０５〜０．
５ｍｍ程度の厚さの例えばポリエステル、ＰＣＶ、紙等
の弾性シート材の少なくとも一方の主表面上に、例えば
アルミナ、酸化鉄、窒化珪素、ダイヤモンド、クロム等
の研磨材を例えば数ミクロン〜数十ミクロンの厚さで例
えば塗布等の任意適当な方法で付着させ、前記シート材
をデバイスの平面外形寸法に合わせて裁断して作成した
研磨シートを用意し、この研磨シートを前記デバイスと
同様の態様で前記オープンタイプ・ソケットに装着し、
そのソケットの開閉蓋を操作することよって行われる研
磨シートの研磨材面上でのソケットのコンタクトピンの
接触摺動（ワイピング作用）により、ソケットのコンタ
クトピンに付着した異物を剥離除去する。
５ｍｍ程度の厚さの例えばポリエステル、ＰＣＶ、紙等
の弾性シート材の少なくとも一方の主表面上に、例えば
アルミナ、酸化鉄、窒化珪素、ダイヤモンド、クロム等
の研磨材を例えば数ミクロン〜数十ミクロンの厚さで例
えば塗布等の任意適当な方法で付着させ、前記シート材
をデバイスの平面外形寸法に合わせて裁断して作成した
研磨シートを用意し、この研磨シートを前記デバイスと
同様の態様で前記オープンタイプ・ソケットに装着し、
そのソケットの開閉蓋を操作することよって行われる研
磨シートの研磨材面上でのソケットのコンタクトピンの
接触摺動（ワイピング作用）により、ソケットのコンタ
クトピンに付着した異物を剥離除去する。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例について説明するのに先だっ
て、本発明についての理解を容易にするために、図１、
２および３を参照して説明する。
て、本発明についての理解を容易にするために、図１、
２および３を参照して説明する。
【０００７】まず図１を参照すると、冒頭で述べた半導
体装置評価試験装置におけるオープンタイプのＩＣソケ
ットに装着して特性評価等のための検査を受けるＩＣ、
ＬＳＩ等の半導体装置（デバイス）が示されており、同
図（Ａ）はＴＳＯＰＩＩタイプのＩＣ、ＬＳＩ（デバイ
ス）の一例、同図（Ｂ）はＱＦＤタイプのＩＣ、ＬＳＩ
（デバイス）の一例であり、同図（Ｃ）は同図（Ａ）に
示されたものの端面図である。このデバイス１はデバイ
ス本体１ａと、そのデバイス本体１ａから外部に延長し
たリード１ｂよりなる。
体装置評価試験装置におけるオープンタイプのＩＣソケ
ットに装着して特性評価等のための検査を受けるＩＣ、
ＬＳＩ等の半導体装置（デバイス）が示されており、同
図（Ａ）はＴＳＯＰＩＩタイプのＩＣ、ＬＳＩ（デバイ
ス）の一例、同図（Ｂ）はＱＦＤタイプのＩＣ、ＬＳＩ
（デバイス）の一例であり、同図（Ｃ）は同図（Ａ）に
示されたものの端面図である。このデバイス１はデバイ
ス本体１ａと、そのデバイス本体１ａから外部に延長し
たリード１ｂよりなる。
【０００８】つぎに図２を参照すると、半導体装置評価
試験装置におけるオープンタイプのＩＣソケット２に図
１（Ａ）、（Ｃ）に示されたＴＳＯＰＩＩタイプのデバ
イス１を装着した状態が示されている。ソケット２は、
開閉蓋２ａと、それに連動する開閉機構２ｂと、その開
閉機構２ｂの操作によってデバイス１のリード１ｂに接
触摺動されるコンタクトピン２ｃを具備しており、上記
半導体装置評価試験装置では、このようなソケット２の
複数個がベース３上に配設されている。なお、このソケ
ット２は公知のものであるから、開閉機構２ｂ等につい
ての詳細な説明は省略する。図２において、（Ａ）はソ
ケット２の開閉蓋２ａを押し下げて、すなわちソケット
２を開いてそれにデバイスを装着したばかりの状態であ
り、（Ｂ）は開閉蓋２ａを押し下げた状態から解放して
デバイス１をソケット１内に完全に収納させた状態であ
り、この状態で上述した特性評価のための検査が行われ
る。
試験装置におけるオープンタイプのＩＣソケット２に図
１（Ａ）、（Ｃ）に示されたＴＳＯＰＩＩタイプのデバ
イス１を装着した状態が示されている。ソケット２は、
開閉蓋２ａと、それに連動する開閉機構２ｂと、その開
閉機構２ｂの操作によってデバイス１のリード１ｂに接
触摺動されるコンタクトピン２ｃを具備しており、上記
半導体装置評価試験装置では、このようなソケット２の
複数個がベース３上に配設されている。なお、このソケ
ット２は公知のものであるから、開閉機構２ｂ等につい
ての詳細な説明は省略する。図２において、（Ａ）はソ
ケット２の開閉蓋２ａを押し下げて、すなわちソケット
２を開いてそれにデバイスを装着したばかりの状態であ
り、（Ｂ）は開閉蓋２ａを押し下げた状態から解放して
デバイス１をソケット１内に完全に収納させた状態であ
り、この状態で上述した特性評価のための検査が行われ
る。
【０００９】さらに図３を参照すると、図２においてソ
ケット２の開閉蓋２ａを押し下げた（Ａ）の状態から、
その開閉蓋２ａを押し下げた状態から解放した（Ｂ）の
状態への移行過程におけるソケット２のコンタクトピン
２ｃと、デバイス１のリード１ｂとの位置関係が示され
ている。図３（Ａ）は、図２（Ａ）に示されたソケット
２の開閉蓋２ａが押し下げされた状態における上記位置
関係であり、この状態では、ソケット２のコンタクトピ
ン２ｃは、デバイス１のリード１ｂの端部面の外側に位
置づけられている。図３（Ｂ）は、図２（Ａ）の状態か
ら開閉蓋２ｂを少しだけ解放した状態における上記位置
関係であり、この状態では、ソケット２のコンタクトピ
ン２ｃが、デバイス１のリード１ｂの端部面上に位置づ
けされている。さらに、図３（Ｃ）は、図２（Ａ）の状
態から開閉蓋２ｂをさらに解放した状態における上記位
置関係であり、ソケット２のコンタクトピン２ｃが、デ
バイス１のリード１ｂ上を接触摺動してそのリード１ｂ
の上記端部面からデバイス本体１ａ側に移動した位置と
されている。最後に、図３（Ｄ）は、図２（Ｄ）に示さ
れたソケット２の開閉蓋２ａが押し下げされた状態から
完全に解放された状態における上記位置関係であり、こ
の状態では、ソケット２のコンタクトピン２ｂが、デバ
イス１のリード１ｂの上面に接触摺動して図３（Ｃ）の
位置からデバイス本体１ａに最も接近した位置となされ
ている。
ケット２の開閉蓋２ａを押し下げた（Ａ）の状態から、
その開閉蓋２ａを押し下げた状態から解放した（Ｂ）の
状態への移行過程におけるソケット２のコンタクトピン
２ｃと、デバイス１のリード１ｂとの位置関係が示され
ている。図３（Ａ）は、図２（Ａ）に示されたソケット
２の開閉蓋２ａが押し下げされた状態における上記位置
関係であり、この状態では、ソケット２のコンタクトピ
ン２ｃは、デバイス１のリード１ｂの端部面の外側に位
置づけられている。図３（Ｂ）は、図２（Ａ）の状態か
ら開閉蓋２ｂを少しだけ解放した状態における上記位置
関係であり、この状態では、ソケット２のコンタクトピ
ン２ｃが、デバイス１のリード１ｂの端部面上に位置づ
けされている。さらに、図３（Ｃ）は、図２（Ａ）の状
態から開閉蓋２ｂをさらに解放した状態における上記位
置関係であり、ソケット２のコンタクトピン２ｃが、デ
バイス１のリード１ｂ上を接触摺動してそのリード１ｂ
の上記端部面からデバイス本体１ａ側に移動した位置と
されている。最後に、図３（Ｄ）は、図２（Ｄ）に示さ
れたソケット２の開閉蓋２ａが押し下げされた状態から
完全に解放された状態における上記位置関係であり、こ
の状態では、ソケット２のコンタクトピン２ｂが、デバ
イス１のリード１ｂの上面に接触摺動して図３（Ｃ）の
位置からデバイス本体１ａに最も接近した位置となされ
ている。
【００１０】上記の説明から分かるように、ソケット２
にデバイス１を着脱すると、その過程でソケット２のコ
ンタクトピン２ｃがデバイス１のリード１ｂ上を接触摺
動するため、そのリード１ｂの半田層、下地ニッケル、
あるいは浮遊物等がソケット２のコンタクトピン２ｂに
付着してコンタクト不良を生じ、上述したような種々の
問題を惹起することになる。
にデバイス１を着脱すると、その過程でソケット２のコ
ンタクトピン２ｃがデバイス１のリード１ｂ上を接触摺
動するため、そのリード１ｂの半田層、下地ニッケル、
あるいは浮遊物等がソケット２のコンタクトピン２ｂに
付着してコンタクト不良を生じ、上述したような種々の
問題を惹起することになる。
【００１１】図４は本発明の１つの実施例によるコンタ
クト不良修復用研磨シート４を示す拡大斜視図である。
このコンタクト不良修復用研磨シート４は、例えば約
０．０５〜０．５ｍｍ程度の厚さの例えばポリエステ
ル、ＰＣＶ、紙等の弾性シート材の少なくとも一方の主
表面上に、例えばアルミナ、酸化鉄、窒化珪素、ダイヤ
モンド、クロム等の研磨材を例えば数ミクロン〜数十ミ
クロンの厚さで例えば塗布等の任意適当な方法で付着さ
せ、前記シート材をデバイス１の平面外形寸法に合わせ
て裁断して作成される。このようにして、研磨シート４
は、弾性ベース材４ａと、その主表面に上述のようにし
て付着された研磨材層４ｂで構成され、かつその四隅に
は、後述するようにソケット２に装着される際に位置決
め機能を発揮するための位置決め用切欠４ｃが形成され
ている。
クト不良修復用研磨シート４を示す拡大斜視図である。
このコンタクト不良修復用研磨シート４は、例えば約
０．０５〜０．５ｍｍ程度の厚さの例えばポリエステ
ル、ＰＣＶ、紙等の弾性シート材の少なくとも一方の主
表面上に、例えばアルミナ、酸化鉄、窒化珪素、ダイヤ
モンド、クロム等の研磨材を例えば数ミクロン〜数十ミ
クロンの厚さで例えば塗布等の任意適当な方法で付着さ
せ、前記シート材をデバイス１の平面外形寸法に合わせ
て裁断して作成される。このようにして、研磨シート４
は、弾性ベース材４ａと、その主表面に上述のようにし
て付着された研磨材層４ｂで構成され、かつその四隅に
は、後述するようにソケット２に装着される際に位置決
め機能を発揮するための位置決め用切欠４ｃが形成され
ている。
【００１２】上述のように、本発明によるコンタクト不
良修復用研磨シート４はデバイス１の平面外形寸法に合
わせて作成されているものであり、上述した原因によっ
てソケット２のコンタクトピン２ｃに異物が付着した場
合に、この研磨シート４を、図２を参照して説明したデ
バイス１のソケット２への装着と全く同様の態様で、す
なわち図５に示されている態様でソケット２に装着す
る。図５の（Ａ）および（Ｂ）は図２の（Ａ）および
（Ｂ）にそれぞれ対応している。
良修復用研磨シート４はデバイス１の平面外形寸法に合
わせて作成されているものであり、上述した原因によっ
てソケット２のコンタクトピン２ｃに異物が付着した場
合に、この研磨シート４を、図２を参照して説明したデ
バイス１のソケット２への装着と全く同様の態様で、す
なわち図５に示されている態様でソケット２に装着す
る。図５の（Ａ）および（Ｂ）は図２の（Ａ）および
（Ｂ）にそれぞれ対応している。
【００１３】図６はデバイス１を装着した場合の図３に
対応する図であり、図５においてソケット２の開閉蓋２
ａを押し下げた（Ａ）の状態から、その開閉蓋２ａを押
し下げた状態から解放した（Ｂ）の状態への移行過程に
おけるソケット２のコンタクトピン２ｃと、研磨シート
４の研磨材層４ｂとの位置関係が示されている。図６
（Ａ）は、図５（Ａ）に示されたソケット２の開閉蓋２
ａが押し下げされた状態における上記位置関係であり、
この状態では、ソケット２のコンタクトピン２ｃは、研
磨材層４ｂの外側に位置づけられている。図６（Ｂ）
は、図５（Ａ）の状態から開閉蓋２ｂを少しだけ解放し
た状態における上記位置関係であり、この状態では、ソ
ケット２のコンタクトピン２ｃが、研磨材層４ｂの端部
面上に位置づけられている。さらに、図６（Ｃ）は、図
５（Ａ）の状態から開閉蓋２ｂをさらに解放した状態に
おける上記位置関係であり、ソケット２のコンタクトピ
ン２ｃが、研磨材層４ｂ上を接触摺動してそれの端部面
からデバイス本体１ａ側に移動した位置とされている。
最後に、図６（Ｄ）は、図５（Ｄ）に示されたソケット
２の開閉蓋２ａが押し下げされた状態から完全に解放さ
れた状態における上記位置関係であり、この状態では、
ソケット２のコンタクトピン２ｃが、研磨材層４ｂ上を
さらに接触摺動した位置となされている。
対応する図であり、図５においてソケット２の開閉蓋２
ａを押し下げた（Ａ）の状態から、その開閉蓋２ａを押
し下げた状態から解放した（Ｂ）の状態への移行過程に
おけるソケット２のコンタクトピン２ｃと、研磨シート
４の研磨材層４ｂとの位置関係が示されている。図６
（Ａ）は、図５（Ａ）に示されたソケット２の開閉蓋２
ａが押し下げされた状態における上記位置関係であり、
この状態では、ソケット２のコンタクトピン２ｃは、研
磨材層４ｂの外側に位置づけられている。図６（Ｂ）
は、図５（Ａ）の状態から開閉蓋２ｂを少しだけ解放し
た状態における上記位置関係であり、この状態では、ソ
ケット２のコンタクトピン２ｃが、研磨材層４ｂの端部
面上に位置づけられている。さらに、図６（Ｃ）は、図
５（Ａ）の状態から開閉蓋２ｂをさらに解放した状態に
おける上記位置関係であり、ソケット２のコンタクトピ
ン２ｃが、研磨材層４ｂ上を接触摺動してそれの端部面
からデバイス本体１ａ側に移動した位置とされている。
最後に、図６（Ｄ）は、図５（Ｄ）に示されたソケット
２の開閉蓋２ａが押し下げされた状態から完全に解放さ
れた状態における上記位置関係であり、この状態では、
ソケット２のコンタクトピン２ｃが、研磨材層４ｂ上を
さらに接触摺動した位置となされている。
【００１４】このように、研磨シート４をソケット２に
装着するためにそのソケット２の開閉蓋２ａを押し下げ
そして解放することによって、ソケット２のコンタクト
ピン２ｃの先端部が研磨シート４の研磨材層４ｂを擦り
ながら移動するので、その開閉蓋２ａの押し下げ解放を
反復して行うことにより、いわゆるワイピング作用によ
り、ソケット２のコンタクトピン２ｃに付着した異物が
研磨材層４ｂによって簡単かつ確実に除去されるのであ
る。
装着するためにそのソケット２の開閉蓋２ａを押し下げ
そして解放することによって、ソケット２のコンタクト
ピン２ｃの先端部が研磨シート４の研磨材層４ｂを擦り
ながら移動するので、その開閉蓋２ａの押し下げ解放を
反復して行うことにより、いわゆるワイピング作用によ
り、ソケット２のコンタクトピン２ｃに付着した異物が
研磨材層４ｂによって簡単かつ確実に除去されるのであ
る。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から理解されるように、本発
明によれば、本発明に従って作成されたコンタクト不良
修復用研磨シートを既存の装置に被検査デバイスと全く
同様の態様で装着するだけで、すなわち既存の装置に対
する修正、変更、付加等を一切必要とすることなしに、
上記ソケットのコンタクト不良を極めて効率的にかつ確
実に修復できるという優れた作用効果を奏することがで
きるものである。
明によれば、本発明に従って作成されたコンタクト不良
修復用研磨シートを既存の装置に被検査デバイスと全く
同様の態様で装着するだけで、すなわち既存の装置に対
する修正、変更、付加等を一切必要とすることなしに、
上記ソケットのコンタクト不良を極めて効率的にかつ確
実に修復できるという優れた作用効果を奏することがで
きるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置評価試験装置においてオープンタイ
プのＩＣソケットに装着して特性評価のための検査を受
けるＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置（デバイス）を示す概
略図であり、（Ａ）はＴＳＯＰＩＩタイプのＩＣ、ＬＳ
Ｉ（デバイス）の一例、（Ｂ）はＱＦＤタイプのＩＣ、
ＬＳＩ（デバイス）の一例、（Ｃ）は（Ａ）の端面図で
ある。
プのＩＣソケットに装着して特性評価のための検査を受
けるＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置（デバイス）を示す概
略図であり、（Ａ）はＴＳＯＰＩＩタイプのＩＣ、ＬＳ
Ｉ（デバイス）の一例、（Ｂ）はＱＦＤタイプのＩＣ、
ＬＳＩ（デバイス）の一例、（Ｃ）は（Ａ）の端面図で
ある。
【図２】図１のデバイスを半導体装置評価試験装置にお
けるオープンタイプのＩＣソケットに装着した状態を示
す概略図であり、（Ａ）はそのソケットの開閉蓋を押し
下げてデバイスをソケットに装着したばかりの状態を示
しており、（Ｂ）はソケットの開閉蓋を（Ａ）の押し下
げた状態から解放してデバイスをソケット内に完全に収
納させて、上述した特性評価のための検査を行うことが
できる状態を示している。
けるオープンタイプのＩＣソケットに装着した状態を示
す概略図であり、（Ａ）はそのソケットの開閉蓋を押し
下げてデバイスをソケットに装着したばかりの状態を示
しており、（Ｂ）はソケットの開閉蓋を（Ａ）の押し下
げた状態から解放してデバイスをソケット内に完全に収
納させて、上述した特性評価のための検査を行うことが
できる状態を示している。
【図３】図２における（Ａ）の状態から（Ｂ）の状態に
移行する過程におけるソケットのコンタクトピンとデバ
イスのリードとの位置関係を示す図である。
移行する過程におけるソケットのコンタクトピンとデバ
イスのリードとの位置関係を示す図である。
【図４】本発明の１つの実施例によるＩＣコンタクト不
良修復用研磨シートを示す拡大斜視図である。
良修復用研磨シートを示す拡大斜視図である。
【図５】図４に示された本発明のＩＣコンタクト不良修
復用研磨シートを半導体装置評価試験装置におけるオー
プンタイプのＩＣソケットに装着した状態を示す概略図
であり、（Ａ）はそのソケットの開閉蓋を押し下げた状
態、（Ｂ）はソケットの開閉蓋を（Ａ）の押し下げた状
態から解放した状態である。
復用研磨シートを半導体装置評価試験装置におけるオー
プンタイプのＩＣソケットに装着した状態を示す概略図
であり、（Ａ）はそのソケットの開閉蓋を押し下げた状
態、（Ｂ）はソケットの開閉蓋を（Ａ）の押し下げた状
態から解放した状態である。
【図６】図５における（Ａ）の状態から（Ｂ）の状態に
移行する過程におけるソケットのコンタクトとＩＣコン
タクト不良修復用研磨シートの研磨面との位置関係を示
す図である。 １ 半導体装置 ２ ソケット ２ｃ ソケットのコンタクトピン ４ 研磨シート ４ｂ 研磨材層
移行する過程におけるソケットのコンタクトとＩＣコン
タクト不良修復用研磨シートの研磨面との位置関係を示
す図である。 １ 半導体装置 ２ ソケット ２ｃ ソケットのコンタクトピン ４ 研磨シート ４ｂ 研磨材層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｒ 43/00 Ｈ０１Ｒ 43/00 Ｚ
Claims (2)
- 【請求項１】 板状弾性部材と、この板状弾性部材の少
なくとの１つの主表面上に付着された研磨材層よりな
り、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置と実質的に同一の平面
外形寸法を有し、半導体評価試験装置用オープンタイプ
・ソケットに装着して前記ソケットのコンタクト不良を
修復するようになされたコンタクト不良修復用研磨シー
ト。 - 【請求項２】 板状弾性部材と、この板状弾性部材の少
なくとの１つの主表面上に付着された研磨材層よりなる
コンタクト不良修復用研磨シートを、半導体評価試験装
置用オープンタイプ・ソケットに装着し、前記ソケット
の開閉操作により前コンタクト不良修復用研磨シートの
前記研磨材層に前記ソケットのコンタクトピンを接触摺
動させることにより、前記ソケットの前記コンタクトピ
ンに付着した異物を除去することよりなる、半導体評価
試験装置用オープンタイプ・ソケットのコンタクト不良
を修復する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10065986A JPH11233220A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 半導体評価試験装置用オープンタイプ・ソケットのコンタクト不良を修復する方法およびコンタクト不良修復用研磨シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10065986A JPH11233220A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 半導体評価試験装置用オープンタイプ・ソケットのコンタクト不良を修復する方法およびコンタクト不良修復用研磨シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233220A true JPH11233220A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=13302856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10065986A Pending JPH11233220A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 半導体評価試験装置用オープンタイプ・ソケットのコンタクト不良を修復する方法およびコンタクト不良修復用研磨シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233220A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000005595A1 (fr) * | 1998-07-24 | 2000-02-03 | Makoto Matsumura | Plaquette de meulage |
| WO2002041015A1 (fr) * | 2000-11-20 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Trousse et procede servant a nettoyer une borne de connexion de prise et appareil de verification de pieces electroniques |
| US7025600B2 (en) | 2003-02-25 | 2006-04-11 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device having external contact terminals and method for using the same |
| JP2010127943A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Jtron Technology Corp | 搭載盤上のピン素子、または電気インタフェース・レセプタクル（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｉｎｔｅｒｆａｃｅｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ）のＴＣＣ清掃装置（ｔｅｓｔｃｅｌｌｃｏｎｄｉｔｉｏｎｅｒ（ＴＣＣ）ｓｕｒｒｏｇａｔｅｃｌｅａｎｉｎｇｄｅｖｉｃｅ）と清掃方法 |
| JP2011027519A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | コンタクタ、半導体集積回路の試験方法及び試験装置 |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP10065986A patent/JPH11233220A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000005595A1 (fr) * | 1998-07-24 | 2000-02-03 | Makoto Matsumura | Plaquette de meulage |
| US6322433B1 (en) | 1998-07-24 | 2001-11-27 | Makoto Matsumura | Grinding chip |
| WO2002041015A1 (fr) * | 2000-11-20 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Trousse et procede servant a nettoyer une borne de connexion de prise et appareil de verification de pieces electroniques |
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| JP2010127943A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Jtron Technology Corp | 搭載盤上のピン素子、または電気インタフェース・レセプタクル（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｉｎｔｅｒｆａｃｅｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ）のＴＣＣ清掃装置（ｔｅｓｔｃｅｌｌｃｏｎｄｉｔｉｏｎｅｒ（ＴＣＣ）ｓｕｒｒｏｇａｔｅｃｌｅａｎｉｎｇｄｅｖｉｃｅ）と清掃方法 |
| JP2011027519A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | コンタクタ、半導体集積回路の試験方法及び試験装置 |
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