KR100395461B1 - 반도체 기억 장치 - Google Patents

반도체 기억 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100395461B1
KR100395461B1 KR10-2000-0033404A KR20000033404A KR100395461B1 KR 100395461 B1 KR100395461 B1 KR 100395461B1 KR 20000033404 A KR20000033404 A KR 20000033404A KR 100395461 B1 KR100395461 B1 KR 100395461B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
bonding
terminal
bonding pads
wiring
Prior art date
Application number
KR10-2000-0033404A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010049567A (ko
Inventor
나까야마사다오
Original Assignee
엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 filed Critical 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션
Publication of KR20010049567A publication Critical patent/KR20010049567A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100395461B1 publication Critical patent/KR100395461B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06506Wire or wire-like electrical connections between devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06527Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06572Auxiliary carrier between devices, the carrier having an electrical connection structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71

Abstract

본 발명의 반도체 기억 장치는 다양한 복수의 메모리들을 동일한 패키지 상에 탑재할 수 있고, 각각의 칩의 사이즈 및/또는 본딩 패드의 위치가 다른 경우에도, 칩들이 중첩되는 스택 MCP를 제공할 수 있다. 상부 칩과 하부 칩 사이에 배선 시트를 삽입할 수 있게 한다. 본딩 패드(12), 본딩 패드(13), 및 배선 시트 내의 이들 본딩 패드들을 접속하기 위한 배선 패턴이 제공된다. 상부 칩의 본딩 패드(4)는 제1 본딩 와이어에 의해 본딩 패드(12)에 접속되는 한편, 본딩 패드(13)는 제2 본딩 와이어에 의해 패키지 기판의 본딩 패드(5)에 접속된다. 이러한 구성에 따르면, 상부 칩으로부터의 신호는 배선 시트에 의해 중계되어 패키지 기판으로 전송된다.

Description

반도체 기억 장치{SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE}
본 발명은 반도체 기억 장치에 관한 것으로, 특히 복수의 칩을 중첩하는 스택형 MCP(Multi Chip Package)에 따른 반도체 기억 장치의 배선 구조에 관한 것이다.
종래, 패키지될 스택 MCP는 복수의 칩이 중첩되도록 형성된다. 즉, 스택 MCP는 복수의 칩을 중첩시키는 패키지로 구성한다. 스택 MCP에서는, 일반적으로 각각의 칩의 본딩 패드가 동일 배열로 근접한 위치에 배열된다. 또한, 각각의 칩 사이즈는 최적의 사이즈일 필요가 있다. 최근에는, 각종 용량을 갖는 메모리의 결합이 요구되고 있다.
이러한 요구에 부응하기 위해, 예를 들면, 일본 특개평5-121643호에는 본딩 방법이 개시되어 있다. 이러한 본딩 방법은 칩측의 본딩 패드 위치가 크게 시프트되는 위치에서 본딩을 행하는 것이다.
도 1은 종래의 스택 MCP를 나타낸 도면이다.
도 1에서, 패키지 기판(1), 하부 칩(2) 및 상부 칩(3)이 최하위층으로부터 시프트되면서 중첩 배치된다. 상부 칩(3)의 본딩 패드(4)는 본딩 와이어(6)에 의해 패키지 기판(1)의 본딩 패드(5)에 접속된다. 하부 칩(2)의 본딩 패드(7)는 본딩 와이어(8)에 의해 패키지 기판(1)의 본딩 패드(5)에 접속된다.
상술한 바와 같이, 종래의 스택 MCP에서는, 상부 칩(3)으로부터의 본딩 와이어(6)가 하부 칩(2)을 넘어 패키지 기판(1)에 직접 접속되므로, 매우 긴 본딩 와이어(6)가 필요하다. 이 때문에, 수지로 본딩 와이어를 밀봉할 경우에 본딩 와이어(6)가 규정된 위치에서 이탈되어, 와이어의 단선이나 그 사이의 다른 와이어와의 접촉 위험성이 존재하는 문제가 있다.
또한, 긴 거리의 와이어 본딩을 위해 높이 방향으로 본딩 와이어가 증가되기 때문에 패키지 두께가 증가하게 된다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 다양한 복수의 메모리를 동일 패키지 상에 탑재할 수 있고, 또한 각각의 칩의 크기 및/또는 본딩 패드의 위치가 다른 경우에도, 칩이 중첩되는 스택 MCP를 제공할 수 있는 반도체 기억 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 제1 형태에 따르면, 하부 칩과 상부 칩이 기판 상에 중첩되도록 구성된 반도체 기억 장치에 있어서, 하부 칩과 상부 칩 사이에 제공되어 상부 칩과 기판 사이의 전기 접속을 중계하는 배선 기판을 포함한다.
본 발명의 제2 형태에 따르면, 제1 형태에 있어서, 상부 칩의 표면 상의 단자에 접속된 제1 단자, 기판의 표면 상의 단자에 접속된 제2 단자, 및 배선 기판의 표면 상의 상기 제1 및 제2 단자를 접속하기 위한 배선 패턴을 포함한다.
본 발명의 제3 형태에 따르면, 제2 형태에 있어서, 상부 칩의 표면의 단자와제1 단자를 접속하기 위한 제1 본딩 와이어, 및 기판의 표면의 단자와 제2 단자를 접속하기 위한 제2 본딩 와이어를 더 포함한다.
본 발명의 제4 형태에 따르면, 제1 형태에 있어서, 일단이 상부 칩의 후면 상의 한 단자에 접속되고 타단이 하부 칩 표면의 한 단자에 접속되는 배선 패턴이 제공된다.
본 발명의 제5 형태에 따르면, 제2 또는 제4 형태에 있어서, 하부 칩의 표면 단자는 제3 본딩 와이어에 의해 기판의 표면의 단자에 접속된다.
본 발명의 제6 형태에 따르면, 제1 형태에 있어서, 배선 기판은 시트 형상(sheet shape)의 배선 패턴이다.
본 발명의 제7 형태에 따르면, 제1 형태에 있어서, 배선 기판이 보드 형상(board shape)의 배선 기판이다.
본 발명의 상기 및 또 다른 목적들 및 새로운 특징들은 첨부된 도면과 함께 다음의 상세한 설명으로부터 보다 완전히 이해될 것이다. 그러나, 도면들은 예시만을 위한 것일 뿐, 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
도 1은 종래의 스택 MCP를 나타낸 구성도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예를 나타낸 구성도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예를 나타낸 구성도.
도 4는 도 3의 부분 확대도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 패키지 기판
2 : 하부 칩
3 : 상부 칩
4 : 상부 칩의 본딩 패드
5 : 패키지 기판의 본딩 패드
7 : 하부 칩의 본딩 패드
9 : 배선 시트
10 : 제1 본딩 와이어
11 : 제2 본딩 와이어
12 : 배선 시트의 제1 본딩 패드
13 : 배선 시트의 제2 본딩 패드
14 : 배선 패턴
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스택 MCP의 구성을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 본 실시예는 스택형 MCP에서 상부 칩(3)과 하부 칩(2) 사이에 배선 시트(9)를 삽입하여, 상기 배선 시트(9)를 중계하여 상부 칩(3)에서 패키지 기판(1)으로 본딩 와이어(10, 11)가 접속되는 것을 특징으로 한다.
즉, 도 2에서는 상부 칩(3)과 하부 칩(2) 사이에 배선 시트(9)가 제공된다. 배선 시트(9)에는 제1 본딩 패드(12)와 제2 본딩 패드(13)가 제공된다. 또한, 이들 본딩 패드(12, 13)를 접속하기 위한 배선 패턴(14)이 제공된다. 또한, 상부 칩(3)의 본딩 패드(4)는 제1 본딩 와이어(10)에 의해 상술한 본딩 패드(12)에 접속된다. 또한, 제2 본딩 패드(13)는 본딩 와이어(11)에 의해 패키지 기판(1)의 본 딩 패드(5)에 접속된다.
상기 구성에 따르면, 상부 칩(3)으로부터의 신호는 배선 시트(9)를 중계하여 패키지 기판(1)에 전송된다. 즉, 상부 칩(3)으로부터의 신호는 본딩 패드(4), 본딩 와이어(10), 본딩 패드(12), 배선 패턴(14), 본딩 패드(13), 본딩 와이어(11), 및 본딩 패드(5)로 전송된다. 반대로, 패키지 기판(1)으로부터 상부 칩으로의 신호의 전송은 상술한 순서와 반대 순서로 행해진다.
따라서, 본 실시예에 따르면, 상부 칩(3)과 하부 칩(2) 간의 칩 사이즈가 크게 다른 경우, 배선 길이가 길게 되지 않아 상술한 배선 이탈과 같은 패키지 결합에 관한 문제를 회피할 수 있다. 또한, 대다수의 경우, 스택 MCP는 상부 칩(3)과 하부 칩(2)의 양 신호를 공유하며, 배선 기판을 이용함으로써 본딩 패드들의 배치가 떨어져 있는 칩들 간의 결합이 용이해진다. 즉, 배선 시트(9) 상의 배선 패턴(14)으로 인해, 공통 신호가 흐르는 하부 칩(2)의 본딩 패드(7) 주변에 상부 칩(3)의 와이어를 접속시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 제2 실시예를 설명하기로 한다. 상술한 제1 실시예에서는, 상부 칩(3)의 후면이 배선 시트(9)의 표면 상에 배치되는 구성이지만, 본 실시예에서는, 상부 칩(3)은 배선 시트(9) 상에 배치하기 전에 내면 및 외면을 반전시켜 칩 표면을 하부 방향으로 향하도록 배선 시트(9) 상에 배치된다. 또한, 배선 시트(9)의 배선 패턴(14)의 일단이 상부 칩(3)의 본딩 패드(4)에 직접 접속되는 한편, 배선 패턴(14)의 타단은 하부 칩(2)의 본딩 패드(7)에 접속된다.
상술한 구성에 따르면, 본딩 패드(4)가 배선 시트(9) 상의 배선 패턴(14)에 직접 접속되므로, 상부 칩(3)으로부터 배선 시트(9)에 대한 본딩이 불필요하다.
또한, 배선 시트(9) 상의 배선 패턴을 하부 칩(2)의 본딩 패드(7)의 상부까지 연장하여, 하부 칩(2)의 본딩 패드(7)가 노출되도록 패드를 형성한다. 이에 따라, 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 칩(2)의 본딩 패드(7)와 배선 시트(9) 상의 배선 패턴(14)을 한번의 와이어 본딩으로 패키지 기판(3)의 본딩 패드(5)에 본딩할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 상부 칩(3)으로부터 배선 시트(9)에 대한 와이어 본딩이 제거되고, 패키지를 더욱 얇게 할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상부 칩(3)의 본딩 패드(4)의 배열이 배선 시트(9), 하부 칩(2), 및 패키지 기판(1)의 각각의 본딩 패드의 배열에 대하여 수평 방향으로 수직인 경우, 수평 방향에 대한 와이어 본딩이 제거되므로, 패키지의 수평 방향의 사이즈가 감소되는 효과가 얻어진다.
또한, 상술한 제1 및 제2 실시예에서는, 배선 기판으로서 배선 시트에 대하여 설명했지만, 배선 기판은 보드형 기판일 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 상부 칩과 하부 칩 사이에 배선 시트 등과 같은 배선 기판을 제공하고, 상술한 배선 기판을 통해 상부 칩으로부터 패키지 기판으로의 전기 접속을 행함으로써, 상부 칩과 하부 칩의 칩 사이즈의 격차가 큰 경우에도, 이상적인 본딩 위치로 본딩 패드를 이동할 수 있게 된다.
이 때문에, 칩 사이즈의 격차가 크기 때문에 지금까지 조립하기 불가능했던 칩-결합된 스택 MCP를 용이하게 개발할 수 있다.
따라서, 다양한 복수의 메모리를 동일한 패키지 상에 탑재할 수 있고, 따라서 각각의 칩 크기 및 본딩 패드의 위치가 다른 경우에도, 칩들이 중첩되는 스택 MCP를 제공할 수 있다.
또한, 상부 칩과 하부 칩이 패키지 기판 상의 동일한 본딩 패드에 본딩된 경우에, 각각의 칩 레이아웃이 다르고 칩 상의 본딩 패드들이 먼 거리의 위치에 존재하더라도, 배선 시트 상의 배선을 이상적인 본딩 위치로 변경함으로써 본딩 패드를 배열할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 특정 용어들을 사용하여 설명했지만, 이러한 설명은 예시에 불과하며, 다음의 특허청구범위의 사상 또는 범주를 이탈하지 않고서 변경 및 변형이 이루어질 수 있다.

Claims (8)

  1. 하부 칩과 상부 칩이 기판 상에 중첩되도록 구성된 반도체 기억 장치에 있어서,
    상기 하부 칩과 상기 상부 칩 사이에 제공되어 상기 상부 칩과 상기 기판 사이의 전기 접속을 중계하는 배선 기판을 포함하고,
    상기 상부 칩의 표면 상의 단자에 접속되는 제1 단자, 상기 기판의 표면 상의 단자에 접속되는 제2 단자, 및 상기 배선 기판의 표면 상의 상기 제1 및 제2 단자들을 접속하기 위한 배선 패턴이 제공되는 반도체 기억 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단자와 상기 상부 칩의 표면의 상기 단자를 접속하는 제1 본딩 와이어, 및
    상기 제2 단자와 상기 기판의 표면의 상기 단자를 접속하는 제2 본딩 와이어
    를 더 포함하는 반도체 기억 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    일단은 상기 상부 칩의 후면 상의 단자에 접속되고, 타단은 상기 하부 칩의 표면 상의 단자에 접속되는 배선 패턴이 제공되는 반도체 기억 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하부 칩의 표면의 상기 단자는 제3 본딩 와이어에 의해 상기 기판의 표면의 상기 단자에 접속되는 반도체 기억 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 하부 칩의 표면의 상기 단자는 제3 본딩 와이어에 의해 상기 기판의 표면의 상기 단자에 접속되는 반도체 기억 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 배선 기판은 시트 형상(sheet shape)의 배선 기판인 반도체 기억 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 배선 기판은 보드 형상(board shape)의 배선 기판인 반도체 기억 장치.
KR10-2000-0033404A 1999-06-18 2000-06-17 반도체 기억 장치 KR100395461B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17238799A JP3304921B2 (ja) 1999-06-18 1999-06-18 半導体記憶装置
JP1999-172387 1999-06-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010049567A KR20010049567A (ko) 2001-06-15
KR100395461B1 true KR100395461B1 (ko) 2003-08-25

Family

ID=15940992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2000-0033404A KR100395461B1 (ko) 1999-06-18 2000-06-17 반도체 기억 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6958532B1 (ko)
EP (1) EP1061579A3 (ko)
JP (1) JP3304921B2 (ko)
KR (1) KR100395461B1 (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390466B1 (ko) * 1999-12-30 2003-07-04 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 멀티칩 모듈 반도체패키지
JP4570809B2 (ja) * 2000-09-04 2010-10-27 富士通セミコンダクター株式会社 積層型半導体装置及びその製造方法
JP2002217357A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Kyocera Corp 半導体装置
JP4780844B2 (ja) * 2001-03-05 2011-09-28 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置
JP2002353398A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Nec Kyushu Ltd 半導体装置
JP2002373969A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US6680219B2 (en) * 2001-08-17 2004-01-20 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for die stacking
SG117398A1 (en) * 2001-10-31 2005-12-29 United Test & Assembly Ct Ltd Multi-chip module
US8089142B2 (en) 2002-02-13 2012-01-03 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for a stacked-die interposer
KR20040004798A (ko) * 2002-07-05 2004-01-16 삼성전자주식회사 멀티 칩 패키지
CN100394598C (zh) * 2002-07-31 2008-06-11 旺宏电子股份有限公司 超薄堆叠构装元件
KR100498488B1 (ko) * 2003-02-20 2005-07-01 삼성전자주식회사 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP3880572B2 (ja) 2003-10-31 2007-02-14 沖電気工業株式会社 半導体チップ及び半導体装置
JP4103796B2 (ja) 2003-12-25 2008-06-18 沖電気工業株式会社 半導体チップパッケージ及びマルチチップパッケージ
KR100688514B1 (ko) * 2005-01-05 2007-03-02 삼성전자주식회사 다른 종류의 mcp를 탑재한 메모리 모듈
JP2006210802A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Nec Electronics Corp 半導体装置
TWI249831B (en) * 2005-02-21 2006-02-21 Touch Micro System Tech Chip type micro connector and method of packaging the sane
JP4703300B2 (ja) 2005-07-20 2011-06-15 富士通セミコンダクター株式会社 中継基板及び当該中継基板を備えた半導体装置
KR101119066B1 (ko) 2005-08-12 2012-03-15 삼성전자주식회사 멀티칩 패키지
JP4268607B2 (ja) * 2005-09-30 2009-05-27 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置に配設される中継部材及び半導体装置
KR100729502B1 (ko) 2005-11-01 2007-06-15 매그나칩 반도체 유한회사 멀티 칩 패키지용 캐리어, 멀티 칩 캐리어 및 그 제작방법
KR100648040B1 (ko) 2005-11-25 2006-11-23 삼성전자주식회사 다수의 금속 랜드를 가지는 인터포저 기판, 및 이로부터제작되는 인터포저를 포함하는 적층 칩 패키지
JP4707548B2 (ja) 2005-12-08 2011-06-22 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
US7732930B2 (en) * 2006-09-06 2010-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, relay chip, and method for producing relay chip
JP4913640B2 (ja) 2007-03-19 2012-04-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7972902B2 (en) * 2007-07-23 2011-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a wafer including providing electrical conductors isolated from circuitry
KR101185886B1 (ko) 2007-07-23 2012-09-25 삼성전자주식회사 유니버설 배선 라인들을 포함하는 반도체 칩, 반도체패키지, 카드 및 시스템
US8399973B2 (en) * 2007-12-20 2013-03-19 Mosaid Technologies Incorporated Data storage and stackable configurations
JP2010021449A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Toshiba Corp 半導体装置
JP5022322B2 (ja) * 2008-08-25 2012-09-12 パナソニック株式会社 チップ間端子接続方法及びそれを用いて作製した回路基板とそれを具備する火災感知器
KR101604605B1 (ko) * 2009-09-24 2016-03-21 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
KR102053349B1 (ko) 2013-05-16 2019-12-06 삼성전자주식회사 반도체 패키지
JP2015002308A (ja) * 2013-06-18 2015-01-05 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. 半導体装置及びその製造方法
KR102299673B1 (ko) 2014-08-11 2021-09-10 삼성전자주식회사 반도체 패키지

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH047867A (ja) * 1990-04-26 1992-01-13 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS609238A (ja) 1983-06-27 1985-01-18 Omron Tateisi Electronics Co スペクトラム拡散信号受信機
US5012323A (en) * 1989-11-20 1991-04-30 Micron Technology, Inc. Double-die semiconductor package having a back-bonded die and a face-bonded die interconnected on a single leadframe
US5148265A (en) * 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
FR2670322B1 (fr) 1990-12-05 1997-07-04 Matra Espace Modules de memoire a l'etat solide et dispositifs de memoire comportant de tels modules
JPH05198735A (ja) * 1992-01-20 1993-08-06 Oki Electric Ind Co Ltd マルチチップモジュール
FR2688629A1 (fr) * 1992-03-10 1993-09-17 Thomson Csf Procede et dispositif d'encapsulation en trois dimensions de pastilles semi-conductrices.
US5422435A (en) * 1992-05-22 1995-06-06 National Semiconductor Corporation Stacked multi-chip modules and method of manufacturing
US5347428A (en) * 1992-12-03 1994-09-13 Irvine Sensors Corporation Module comprising IC memory stack dedicated to and structurally combined with an IC microprocessor chip
US5340771A (en) * 1993-03-18 1994-08-23 Lsi Logic Corporation Techniques for providing high I/O count connections to semiconductor dies
WO1997037374A2 (en) * 1996-03-26 1997-10-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method of packaging multiple integrated circuit chips in a standard semiconductor device package
DE19648492A1 (de) * 1996-11-22 1997-11-13 Siemens Ag Multi-Chip-Modul
US5864177A (en) * 1996-12-12 1999-01-26 Honeywell Inc. Bypass capacitors for chip and wire circuit assembly
US6133637A (en) * 1997-01-24 2000-10-17 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device having a plurality of semiconductor chips
US5905639A (en) * 1997-09-29 1999-05-18 Raytheon Company Three-dimensional component stacking using high density multichip interconnect decals and three-bond daisy-chained wedge bonds
JP3644662B2 (ja) * 1997-10-29 2005-05-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体モジュール
US6008533A (en) * 1997-12-08 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Controlling impedances of an integrated circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH047867A (ja) * 1990-04-26 1992-01-13 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6958532B1 (en) 2005-10-25
JP3304921B2 (ja) 2002-07-22
EP1061579A3 (en) 2005-11-16
KR20010049567A (ko) 2001-06-15
JP2001007278A (ja) 2001-01-12
EP1061579A2 (en) 2000-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100395461B1 (ko) 반도체 기억 장치
US6084294A (en) Semiconductor device comprising stacked semiconductor elements
KR101009121B1 (ko) 삽입 기판에 접속하기 위한 중간 접촉자를 갖는마이크로일렉트로닉 장치, 및 중간 접촉자를 갖는마이크로일렉트로닉 장치를 패키징하는 방법
US7586184B2 (en) Electronic package
US8022523B2 (en) Multi-chip stack package
KR101247389B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20040011348A (ko) 반도체장치
US20020096785A1 (en) Semiconductor device having stacked multi chip module structure
US6798071B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
CN101459170A (zh) 半导体器件
CN100492638C (zh) 半导体器件的堆叠封装
US7256480B2 (en) Lead frame package structure with high density of lead pins arrangement
US7332803B2 (en) Circuit device
KR20010049663A (ko) 반도체장치
KR100813623B1 (ko) 가요성 필름, 이를 이용한 반도체 패키지 및 제조방법
CN101572260B (zh) 多芯片堆叠封装体
JP4199724B2 (ja) 積層型半導体パッケージ
US6288851B1 (en) Optical semiconductor device with convergent lens
US7485953B2 (en) Chip package structure
KR20010068513A (ko) 윈도우가 구비된 회로기판을 포함하는 적층 칩 패키지
JP2007207906A (ja) 半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法
CN102779801A (zh) 半导体装置
US20100059874A1 (en) Semiconductor chip capable of increased number of pads in limited region and semiconductor package using the same
KR20050117715A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
US20040217452A1 (en) Semiconductor chip arrangement and a method for its production

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
N231 Notification of change of applicant
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120724

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130719

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160721

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee