KR100380389B1 - 접착물질의다이싱링프레임에의전이방지방법,그방법에사용되는압감접착시트및압감접착시트를가진웨이퍼가공시트 - Google Patents

접착물질의다이싱링프레임에의전이방지방법,그방법에사용되는압감접착시트및압감접착시트를가진웨이퍼가공시트 Download PDF

Info

Publication number
KR100380389B1
KR100380389B1 KR1019950044745A KR19950044745A KR100380389B1 KR 100380389 B1 KR100380389 B1 KR 100380389B1 KR 1019950044745 A KR1019950044745 A KR 1019950044745A KR 19950044745 A KR19950044745 A KR 19950044745A KR 100380389 B1 KR100380389 B1 KR 100380389B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sheet
pressure
sensitive adhesive
dicing
ring frame
Prior art date
Application number
KR1019950044745A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960019666A (ko
Inventor
스기노다카시
센노오히데오
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR960019666A publication Critical patent/KR960019666A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100380389B1 publication Critical patent/KR100380389B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1978—Delaminating bending means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
    • Y10T428/218—Aperture containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2839—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer with release or antistick coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848—Three or more layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

본 발명은, 다이싱 링 프레임의 다이싱 테이프 부착 예정면에 용이 박리성 층을 배설하여, 반도체 웨이퍼 가공에 사용되는 링 프레임에 접착물질이 이전하는 것을 방지하고, 그리하여 링 프레임의 세정회수를 필요 최소로 감소시키고 링 프레임의 수명을 연장시킬 수 있는 것에 관한 것이다.

Description

접착물질의 다이싱 링 프레임에의 전이 방지 방법, 그 방법에 사용되는 압감접착시트 및 압감접착시트를 가진 웨이퍼 가공 시트
본 발명은 웨이퍼 다이싱 공정에 사용되는 링 프레임에 접착물질이 전이하는 것을 방지하는 방법, 상기 방법에 사용되는 압감접착시트 및 상기 압감시트를 가진 웨이퍼 가공 시트에 관한 것이 다.
반도체 장치를 제조하는 공정에는 다싱 단계가 포함되는데 이 단계에서는 필요한 전처리를 통해 형성된 회로를 가진 반도체 웨이퍼가 다수의 칩으로 절단되고 분리된 다. 이 단계에서는, 웨이퍼를 고정시키기 위한 다이싱 시트를 링 프레임으로 알려져 있는 원형 또는 정방형의 프레임에 부착시키고, 이 다이싱 시트위에 반도체 웨이퍼를 부착시켜서 각회로에 대해 다이싱을 행하고 그렇게 하여 반도체 칩을 얻는다.
다이싱 단계 다음에는 본딩기계 팽창 및 칩 장착 단계가 후속하고 디시 와이어 본딩 및 성형단계가 후속하여 반도체 장치의 제조가 완결된다. 다이싱 시트는 웨이퍼의 부착시부터 칩픽업(칩제거)단계까지 웨이퍼(칩)의 배면에 고정되어 있지만, 픽업단계후에는 링 프레임으로부터 다이싱 시트를 인력으로 박리하며 링 프레임을 필요에 따라 세정하여 재사용에 복귀시킨다.
종래의 다이싱 시트에서는, 픽업을 용이하게히기 위해 접착력(접착강도)이 낮을 압감 접착제를 사용했다. 따라서, 링 프레임으로부터 다이싱 시트를 박리시키는 것이 용이했다.
그러나, 최근에 있어 반도체 소자 집적도의 증가와 칩확대의 경향에 따라 높은 다이싱 성능을 가진 테이프에 대한 요구가 대두되었음에도 불구하고, 낮은 접착력의 압감접착제를 가진 종래의 다이싱 시트는 단일형 시트를 사용할때에는 소망하는 성능을 나타내지 못했다. 그래서, 다이싱 단계 중에는 높은 접착력으로 웨이퍼(칩)를 지지할 수 있지만 픽업 단계에서는 예컨대 자외선 조사에 의해 접착력이 감소되어 칩이 용이하게 제거될 수 있게하는 다이싱 시트가 개발되었다(예컨대 일본 특허공개공보 제60(1985)-196956호 및 제61(1986)-28572호를 보라).
또한, 칩을 다이 본딩 했을때는, 예컨대 에폭시 수지로 구성된 다이 본딩 접착제를 칩의 배면에 도포했다. 이 작업은 극히 시간이 걸린다. 결과적으로, 최근에는, 웨이퍼 고정 압감접착제로도 또한 다이 본딩 접착제로도 동시에 작용할 수 있는 접착층을 가전 다이싱 시트가 개발되었다(예컨대 일본 특허공개공보 제60(1985)-35531호 및 제2(1990)-32181호를 보라).
전자의 자외선-경화성 다이싱 시트에서는, 접착력의 저하는 자외선이 조사되는 부분에서 현저한데도 불구하고 다이싱 시트가 링 프레임(중첩폭 부분)에 접착되는 부분에서는 접착제에 자외선이 덜 조사된다. 그래서, 다이싱 시트를 링 프레임으로부터 박리시키기가 어려운데 그 이유는 중첩 폭부분에서는 접착제가 높은 접착력을 유지하고 또한 응집력도 작기 때문이다. 박리가 되더라도 링 프레임에 접착제가 잔류한다(접착제 전이).
후자의 다이싱 시트에서는, 베이스 시트와 접착층 사이의 계면부에서의 접착력은, 칩 장착시에 접착층이 칩으로 전이되지 않도록 가끔 낮게 설정된다. 그래서, 다이싱 시트의 링 프레임으로부터의 박리는, 흔히 베이스 시트와 다이싱 시트의 접착층 사이의 경계부를 박리시켜 접착제를 링 프레임에 남긴채 단지 베이스 시트만을 제거되게함으로써 행해져왔다.
이로인해 불리하게도 링 프레임으로부터 접착제를 제거하기 위한 세정(청소)의 회수가 증가 되었고 또한 링 프레임의 수명도 단축되었다.
본 발명은 상기 선행기술을 감안하여 이루어졌으며, 본 발명의 목적은, 접착물질이 링 프레임에 이전하는것(옮겨지는것)을 방지하며 그리하여 링 프레임 세정의 회수(반도)를 필요최소로 감소시키고 링 프레임의 수명을 연장시키는데 있다.
본 발명에 따라 다이싱 링 프레임에 접착물질이 전이하는 것을 방지하는 방법은, 용이 박리성층을, 다이싱 링 프레임을 다이싱 시트에 부착시키려는 면위에 배치시키는 것이다.
상기 용이 박리성 층은, 예컨대, 다이싱 링 프레임을 다이싱 시트에 부착시키려는 면에 박리제를 도포함으로써, 배치된다.
또한, 본 발명은, 각각 상기한 용이 박리성층을 설치하는데 사용되는, 제 1 및 제 2 압감접착시트를 제공한다.
본 발명의 제 1 압감접착시트는 환상 베이스 막 및 그 표면위에 형성된 압감 접착층으로 되어 있으며,
압감접착시트는 이 시트가 다이싱 링 프레임에 확실히 고정될 수 있게 하는 크기를 갖고 있으며, 거기에 있어 압감 접착층과 다이싱 링 프레임 사이의 접착력은 베이스 막과 다이싱 시트 사이의 접착력보다 작다.
본 발명의 제 2 압감 접착시트는 환상 베이스 막 및 그 표면위에 형성된 압감 접착층으로 되어 있으며,
압감접착시트는 이 시트가 다이싱 링 프레임에 확실히 고정될 수 있게 하는 크기를 갖고 있으며, 거기에 있어 베이스 막의 배면은 박리처리를 받는다.
상기 제 1 및 제 2 압감접착시트는 각각 그 내주부에 노치와 같은 응력완화부가 설치되어 있으면 좋을 것이다.
더욱이, 본 발명은 접착물질이 다이싱 링 프레임에 전이하는 것을 방지하기 위해 상기한 압감접착시트를 가진 웨이퍼 가공 시트를 제공한다.
본 발명의 웨이퍼 가공 시트는 접착물질이 다이싱 링 프레임에 전이하는 것을 방지하기 위한 상기 압감접착시트 및 다이싱 시트로 되어 있으며, 거기에 있어 압감접착시트는 그 베이스 막을 통하여 다이싱 시트의 접착층에 적층되어 있다.
위에서 사용된 다이싱 시트는 다이싱 및 다이 본딩 가공재의 두가지 역할을 할 수 있는 것이 바람직하다.
이제 본 발명을 첨부 도면을 참고하여 상세히 설명하겠다.
제 1 도는 본 발명 에 사용되기 에 적합한 전형적 형태의 링 프레임(1)을 보여준다. 링 프레임(1)은 일반적으로 금속 또는 플라스틱의 성형 물체이다. 링 프레임(1)은 내부개구(2)를 갖고 있으며, 그 내경은 다이싱 할 웨이퍼의 직경보다 약간 더 크도록 치수 정해진다. 링 프레임(1)의 외주일부에는 가이드(3)를 위한 편평 절단부가 있다. 본 발명에 사용되기에 적합한 링 프레임(1)의 형상은 제 1 도에 표시된 것에 한정되게 않으며 여러 형상을 가진 어떤 통상적 링 프레임이나 사용될 수 있다.
링 프레임(1)은, 다이싱 시트를 그 하부에 부착시켜 사용된다. 이하, 다이싱시트가 부착되는 링 프레임(1)의 쪽을, "다이심 시트부착 예정 면(4)"이라 칭할 것이다.
링 프레임(1)은 제 2 도에 표시된 것과 같은 단면구조를 갖고 있고, 다이싱 시트(5)는 다이싱 시트 부착예정면(4)에 부착되어 있다. 반도체 웨이퍼(6)는 내부개구(2)내에서 다이싱 시이트(5)에 의해 지지되어 있다. 이 상태에서 다이싱을 행하여 반도체 칩을 얻는다.
본 발명에서 사용될 다이싱 시트(5)는 특별히 한정되지 않으며 각종의 통상에 압감접착시트를 이용할 수 있다. 그 예는, 이를테면 일본 특허공개공보 제50(1985)-196956호, 제61(1986)-28572호, 제60(1985)-35531호 및 제2(1990)-32181호에 기재되어 있는 것이 있다. 이 다이싱 시트(5)는 일반적으로 베이스(5b) 및 그 위에 형성된 접착층(5a)으로 구성되어 있다.
본 발명에 따라 접착물질이 다이싱 링 프레임에 전이되는 것을 방지하는 방법은, 링 프레임(1)의 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 박리제를 도포하는 것에 그 특징이 있다. 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 박리처리를 행하면 필요공정을 완료한 뒤 다이싱 시트(5)를 링 프레임(1)으로부터 용이하게 박리할 수 있고 그리하여 접착물질이 단 프레임(1)에 전달되는 것을 방지할 수 있으며, 따라서 링 프레임(1)의 세정 회수를 최소화 할 수 있는 동시에 링 프레임(1)의 수명을 연장할 수 있다.
용이 박리성 층은, 예컨대 다음중 한 방법에 의해, 다이성 시트 부착 예정면(4)위에 형성될 수 있다:
(1) 박리제를 다이성 시트 부착 예정면(4)에 도포하는 방법;
(2) 본 발명의 제 1 압감접착시트를 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 부착하는 방법; 및
(3) 본 발명의 제 2 압감접착시트를 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 부착하는 방법.
상기 방법(1)에 있어서는, 링 프레임(1)의 재질에 따라 예컨대 불소수지, 실리콘 수지 및 올레핀 수지중에서 박리제가 선택된다. 예컨대, 링 프레임(1)이 금속으로 되어 있을때는, 바람직한 박리제는 불소수지이다. 링 프레임(1)이 플라스틱으로 만들어져 있을때에는, 바람직한 박리제는 실리콘 수지이다.
상기 박리제를, 브러싱, 침지, 인쇄등에 의해 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 도포하여, 박리 처리를 받은 표면을 얻는다.
이 박리처리에 의해 다이싱하는 동안 다이싱 시트(5)를 안정되게 지지할 수 있을뿐아니라 필요한 공정단계 후 접착제 전이를 수반하지 않고 다이싱 시트(5)를 용이하게 박리 시킬 수가 있다.
상기 방법(2)에 사용된, 본 발명의 제 1 압감접착시트(7)의 투시도가 제 3 도에 도시되어 있고 그 X-X선 단면도는 제 4 도에 도시되어 있다. 제 3 도 및 제 4도에서 명백한 것처럼, 제 1 압감접착시트(7)는 환상 베이스 막(8) 및 그 표면위에 형성된 압감 접착층(9)으로 구성되어 있다.
압감접착시트(7)의 크기는, 압감접착시트(7)를 링 프레임(1)의 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 고정시킬 수 있을만한 크기이면 만족하다. 상세하게는, 압감접착시트(7)의 외경이 링 프레임(1)의 내부 개구의 직경보다 더 큰 한 충분하다.
사용된 적절한 베이스 막(8)의 예에는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 염화 폴리비닐, 태레프탈산 폴리에틸렌, 에틸렌/아세트산 비닐 공중합체 및 이오노머 단량체로 만들어진 것이 있다. 이들 각 막의 두께는 약 15 내지 100㎛의 범위인 것이 바람직하다.
압감층(9)의 접착 강도에 대해 설명하면, 일본공업규격 (JIS) Z0237에 따라 측정했을때, 접착력은 300g/25mm이상이고 유지력은 적어도 70,000초인 것이 바람직하다. 이 접착력 요건이 만족되면, 박리에 의한 접착제 전이는 야기되지 않는다. 압감 접착층(9)을 구성하는 압감 접착제는 예컨대 아크릴, 고무 및 실리콘 계의 접착제 중에서 선택된다. 압감 접착층(9)의 두께는 약 5 내지 50㎛의 범위 인것이 바람직하다.
본 발명의 상기 제 1 압감접착시트(7)는 제 5 도에 도시된 바와 같이 링 프레임(1)의 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 부착된다.
압감 접착층(9)과 링 프레임(1) 사이의 경계부에서의 접착력(A)은, 베이스 막(8)과 다이싱 시트(5)의 압감 접착층(5a)사이의 경계부에서의 접착력(B)보다 더 낮은 값에 설정된다. 압감 접착층(9)과 링 프레임(1)사이의 경계부에서의 접착력(A)은 약 10 내지 300g/25mm의 범위에 드는 것이, 또한 접착력비(A/B) 1/1.5 또는 그 이하, 특히 1/2 또는 그이하가 되도록 하는 것이 바람직하다. 다이싱 시트(5)의 성능에 따라 상기 접착력비를 얻을 수 없을때에는, 압감접착시트(7)의 베이스 막(8)의 표면 (다이싱 시트 부착면)을 코로나 처리등을 행하여 상기 접착력비가 소망치 범위내에 들게 할 수 있다.
상기 압감접착시트(7)를 링 프레임(1)의 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 부착시키면, 다이싱하는 동안 다이싱 시트(5)는 안정되게 유지되어 있을 수 있고, 필요한 공정 단계후, 압감접착시트(7)의 박리와 동시에 다이싱 시트(5)의 박리를 행할 수 있다. 압감접착시트(7)의 압감 접착제는 낮은 접착력을 갖고 있기 때문에 압감접착시트는 접착제의 전이없이 박리될 수 있다.
링 프레임(1)을 사용하기 전에, 상기 압감접착시트(7)를 링 프레임(1)의 다이싱 시트 부착예정면(4)에 부착시킬 수도 있다.
제 6 도와 관련하여, 압감 시트(7)의 내주부에 응력완화부(10)를 형성시키는 것이 바람직하다. 이 응력완화부(10)는, 압감접착시트(7)의 내주부에 작은 노치(절결)를 형성시킴으로써, 얻어진다. 응력완화부(10)로서의 노치는, 압감접착시트(7)의 내주부에 균일한 위치 관계로 방사방향으로 형성되게 하는 것이 바람직하다. 노치의 수는 특별히 한정되지 않지만, 적어도 4개, 특히 적어도 6개가 바람직하다. 이 응력완화부(10)의 형성으로, 다이싱 시트(5)가 팽창할때, 압감접착시트(7)에 가해지는 응력이 완화되어 응력의 국부 집중화가 방지되며 따라서 팽창에 원활하게 일어날 수 있다.
상기 방법(3)에서 채용된, 본 발명의 제 2 압감접착시트(11)의 투시도가 제 7 도에 도시되어 있고, 그의 Y-Y선 단면도가 제 8 도에 도시되어 있다. 제 7 및 제 8 도로부터 명백한 것처럼, 제 2 압감접착시트(11)는 환상의 베이스 막(12) 및 그 표면위에 형성된 압감접착층(13)으로 구성되어 있다.
압감접착시트(11)의 크기는, 압감접착시트(11)를 링 프레임(1)의 다이싱 시트 부착예정면(4)위에 고정시킬 수 있을만큼 큰 한 만족하다. 상세히는, 압감접착시트(11)의 외경이 링 프레임(1)의 내부개구의 직경보다 큰 한 만족하다.
베이스 막(12)은 상기 제 1 압감접착 시트(7)의 베이스 막(8)에서 사용된 것과 같은 재질로 구성될 수 있다. 그 두께는 약 15 내지 100㎛의 범위에 드는것이 바람직하다. 베이스 막(12)의 배면은 박리 처리를 받게하여 박리처리면(14)를 형성시킨다. 박리처리는, 예컨대 불소수지, 실리콘 수지, 올레핀 수지 등의 박리제를 베이스막(12)의 배면에 도포함으로써, 수행될 수 있다. 이 박리처리로 베이스 막(12)과 다이싱 시트(5) 사이의 접착력이 감소되어 접착제 전이 없이 다이싱 시트(5)가 박리될 수 있다.
압감 접착층(13)의 접착력에 관해서는, 일본 공업규격 Z0237에 따라 측정했을때 접착력은 200g/25mm이상이고 유지력은 적어도 70,000초인 것이 바람직하다. 압감 접착층(13)을 구성하는 압감 접착제는 예컨대 아크릴, 고무 및 실리콘계의 접착제 중에서 선택된다. 압감 접착층(13)의 두께는 약 5 내지 50㎛의 범위내에 드는 것이 바람직하다.
본 발명의 상기한 제 2 압감접착시트(11)는 제 9 도에 도시된 것처럼 링 프레임(1)의 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 부착된다.
압감 접착층(13)과 링 프레임(1)사이의 경계부에서의 접착력(C)은, 베이스 막(12)의 배면에 형성된 박리 처리면(14)으로 인해, 베이스 막(12)과 다이싱 시트(5)의 압감 접착층(5a)사이 경계부에서의 접착력(D)보다 더 크다. 압감 접착층(13)과 링 프레임(1)사이의 경계부에서의 접착 력(C)은 약 200 내지1000g/25mm의 범위내에 들고 접착력비(C/D)는 1.5/1이상, 특히 2/1이상인 것이 바람직하다.
상기한 압감접착시트(11)가 링 프레임(1)의 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 부착되면, 다이싱 시트(5)는 다이싱 하는 동안 안정되게 유지되어 있을 수 있으며, 필요한 공정단계후, 압감접착시트(11)와 다이싱 시트(5)사이 경계부에서의 용이한 박리에 의해 다이싱 시트(5)는 박리될 수 있다. 압감접착시트(11)는 링 프레임(11)에 잔류한다. 다이싱 링 프레임(1)에 잔류하는 압감접착시트(11)의 베이스 막(12)의 배면으로 접착제가 전이하지는 않는다. 따라서, 다이싱 링 프레임(1)은 압감접착시트(11)가 부착된 채로 순환재사용될 수 있다.
압감접착시트(11)가 부착된채 다이싱 링 프레임(1)을 반복해 사용하면 마찰등에 의해 오염될 수 있다. 그러나, 사용가능 한계 시점에서도, 본 발명의 압감접착시트(11)의 접착성이 상기한 바와 같으면 박리는 용이하여 압감접착시트(11)를 신품으로 교체할 수 있고 그리하여 링 프레임(1)을 재순환 시킬 수 있다.
링 프레임(1)을 사용하기 전에, 링 프레임(1)의 다이싱 시트 부착예정(4)면에 상기한 압감접착시트(11)를 부착시킬 수도 있다.
더욱이, 상기한 제 1 압감접착시트(7)에 있어서처럼 압감접착시트(11)의 내주부에 응력완화부(10)를 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 웨이퍼 가공 시트를 이하 설명한다.
본 발명의 웨이퍼 가공 시트는 상기한 압감접착시트(7 또는 11) 가 미리 다이싱 시트(5)위에 적층되어 이루어진다. 압감접착시트(7)는 베이스 막(8)을 통하여다이싱 시트(5)의 접착층(5a)에 부착하도록 직층되게한다(제 5 도를 보라). 베이스 막(12)의 박리 처리면(14)쪽이 다이싱 시트(5)의 접착층(5a)에 부착하도록 압감접착시트(11)를 적층시킨다(제 9 도를 보라).
다이싱 작업 전용 목적의 다이싱 시트뿐 아니라 다이싱 및 다이 본딩 가공재의 두가지 역할이 가능한 다이싱 시트도 또한 본 발명의 웨이퍼 가공시트의 부재인 다이싱 시트(5)로 이용할 수 있다.
다이싱 작업 전용 목적의 다이싱 시트는 베이스(5b) 및 거기에 비박리적으로 적층된 압감 접착층(5a)으로 구성된다.
다이싱 작업 전용목적의 다이싱 시트의 접착층(5a)의 압감 접착제는 계속적으로 낮은 접착력을 나타내는 저접착력형 접착제나 또는 픽업 단계전에 행해지는 자외선 조사에 의해 접착력이 저하된 자외선 경화형 접착제중의 어느 하나일 수 있다.
저 접착력형의 압감 접착제는 낮은 접착력을 갖도록 조정된 압감 접착제로서 압감 접착성을 나타낼 수 있는 아크릴 중합체, 고무, 실리콘등으로 구성되어 있다. 본 발명에서는, 범용성, 접착성 용이 조절등의 견지에서 아크릴 압감 접착제의 이용이 권장된다.
자외선 경화형 압감 접착제는 압감 접착성분 및 자외선 경화 성분으로 구성되어 있다. 압감성을 나타낼 수 있는 상기 중합체가 압감 접착 성분으로 사용된다. 탄소-탄소 이중 결합을 가진 화합물 또는 옥시란 환을 가진 화합물이 자외선 경화성 성분으로 사용되는데 거기에는 광중합 개시제가 적당량 첨가된다. 상세하게는,일본 특허공개 공개 제60-(1985)-196956흐 및 제61(1986)-28572호에 기재되어 있는 물질을 적당히 이용할 수 있을 것이다.
상기한 저 접착력형의 압감 접착층 및 자외선 경화성 압감 접착층은 각각 대체로 약 1 내지 100㎛, 바람직하게는 약 5 내지 30㎛범위내에 드는 두께를 갖는다.
폴리올레핀등의 범용 단층 또는 다층 막이 베이스(5b)로 사용될 수 있므며, 접착층(5a)에 가까운 베이스(5b)의 일면은 코로나 처리 또는 프라이머 처리를 받게 하여 접착층(5a)과의 결합력을 증가시킨다. 베이스(5b)의 두께는 대체로 약 10 내지 300㎛의 범위, 바람직하게는 약 50 내지 200㎛의 범위에 들도록 한다.
다이싱 및 다이본딩 가공재의 양역할이 가능한 다이싱 시트에 대해 이하 설명하겠다.
다이싱 및 다이 본딩 가공재 양역할 가능한 다이싱 시트는, 베이스(5b) 및 거기에 박리적으로 적층된 고정을 접착층으로 구성되어 있다.
다이 고장용 접착층은 압감적이며 다이성 작업전 상온 또는 고온에서 접착성을 나타낸다. 이 접착층은 반도체 웨이퍼에 부착하여 다이싱 작업을 가능케 할 수 있고 다이와 리드 프레임을 결합시킬 수 있는데, 이들은 열처리에 의해 강고하게 결합, 고정된다.
다이 고정용 접착제로서는, 중합체 성분과 함께, B-단계(반경화) 열경화성 접착성분으로 구성된 것 및 저분자량 열경화성 접착성분으로 子성된 것을 들 수 있다.
자외선 경화성 성분을 다이 고정용 접착층에 추가적으로 첨가할 수 있다. 그렇게하여 얻어진 접착층은 자외선 조사에 의해 베이스로부터 보다 용이하게 박리될 수 있으며 그리하여 픽업 작업이 용이해질 수 있다. 예컨대 일본 특허공개공보 제2(1990)-32181호에 기재된 것을 상기한 다이 고정은 접착층으로 사용할 수 있을 것이다.
상기한 다이 고정용 접착층의 두께는 대체로 약 5 내지 200㎛의 범위, 바람직하게는 약 10 내지 100㎛의 범위 내에 든다:
다이싱 및 다이본딩 가공재 양 역할 가능한 다이싱 시트용 베이스(5b)는 본질적으로 다이싱 작업 전용 목적의 다이싱 시트의 베이스와 동일하다.
베이스 시트(5b)는 40dyn/cm이하, 특히 35dyn/cm이하의 표면장력을 갖는 것이 바람직하다. 이런 표면을 가진 베이스를 사용하면 접착층으로 부터의 박리성이 개선되어 픽업 적합성이 향상된다. 이런 낮은 표면 장력을 가진 베이스는, 재료를 적절히 선택하거나 또는 베이스의 표면이 실리콘 수지 도포등의 박리처리를 받게 함으로써 얻어질 수 있다.
상기 웨이퍼 가공 시트를 사용하는 절차는 다음과 같다. 그러나 이 가공순서는 적절히 변경될 수 있다.
웨이퍼 가공시트의 접착층(5a)을, 제 5 도 또는 제 9 도에 도시한 것처럼, 압력하에서 상온 또는 승온에서 다이싱 할 웨이퍼에 부착시킨다. 이어서, 상온에서, 링 프레임(1)의 다이싱 시트 부착 예정면(4)에 압감접착시트(7 또는 11)를 부착하고, 웨이퍼 가공시트를 링 프레임(1)에 고정한다. 이 상태에서, 웨이퍼가 다이싱, 세정 및 건조 단계들을 밟게 한다.
접착층(5a)이 일본 특허공개공보 제61(1986)-28572호 및 제2(1990)-32181호에 기재되어 있는 것과 같은 자외선 경화성 성분을 함유할때에는, 픽업 단계전에 자외조사를 시행하여 박리성 향상을 달성한다.
필요에 따라, 웨이퍼 가공 시트는 팽창 단계를 밟게 한다. 이 단계에 있어, 감압 접착시트(7 또는 11)에 응력 완화부가 존재함으로써 소망하는 칩 간격 및 정합을 달성할 수 있다.
웨이퍼 가공시트에 다이성 작업 전용 목적의 다이싱 시트를 사용할 때에는, 픽업 단계에서는 다이만을 픽업하고(집어올리고) 그런뒤 통상적 반도체 제조를 시행한다.
다이싱 및 다이본딩 가공재의 양역할이 가능한 다이시트가 웨이퍼 가공시트에 사용되었을때에는, 다이고정 접착층이 그대로 적층되어 있는 상태에서 다이를 픽업하여 리드프레임에 장착한다. 이어서 열처리를 하여 다이와 리드 프레임을 강하게 결합하여 그것들을 고정한다.
어떤 경우에 있어서나, 상기한 특수 압감접착시트(7 또는 11)가 링 프레임(1)과 다이싱 시트(5)사이에 삽입되어 있어, 접착물질등을 링 프레임(1)에 남기지 않고 다이싱 시트(5)는 링 프레임(1)으로부터 용이하게 박리될 수 있다. 따라서 링 프레임(1)을 세정할 필요가 없고 그대로 재순환사용할 수 있다.
본 발명의 효과에 관해 설명하겠다.
본 발명에 의해 접착 물질이 링 프레임에 전이되는 것이 방지될 수 있고 링 프레임의 세정 빈도는 필요한 최소로 감소될 수 있으며 링 프레임의 수명은 연장될수 있다.
실시예
본 발명을 다음의 실시예를 참고로 추가로 설명하겠지만 이 실시예들이 본 발명의 범위를 한정하는 것은 결코 아니다.
실시예 1
불소수지 박리제(E.I.Du Pont De NEMOURS AND COMPANY 제의 Teflon(상품명) FEP Green)를 브러싱에 의해 링 프레임(DISCO Corp. 제의 MODTF(상품명)2-6-1)에 도포하여 피막두께 10㎛의 건조막을 얻어 건조시켰다.
베이스(80㎛두께의 폴리올레핀), 압감 접착제(열경화성 에폭시 수지를 함유하는 50㎛두께의 아크릴 접착제) 및 박리막(박리처리된 일면을 가진 38㎛두께의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 막)으로 구성된, 다이싱 및 다이본딩 가공재 양역할 가능한 다이싱 시트를 사용했다.
다이싱 및 다이본딩 가공재 양 역할가능한 이 시트를 링 프레임의 박리재 피복면에 부착시켰다. 다이싱 및 다이본딩 가공재 양역할 가능한 시트의 접착측을 풀 커트 조건하에 다이싱하고 다이싱 및 다이본딩 가공재 양 역할 가능한 시트를 인력으로 박리했다. 이것을 50회 반복했지만 링 프레임에 접착제가 이동하는 1 은 없었다. 더욱이, 다이싱 및 다이본딩 가공재 양 역할 가능한 시트를 링 프레임의 박리제 도포면에 부착된 상태에서 40℃에서 3일동안 방치시켰다. 그런뒤, 다이싱 및 다이 본딩 가공에 양 역할 가능한 시트를 인력으로 박리시켰으나 접착제가 링 프레임에 이동하는 일은 전혀 발생하지 않았다.
실시예 2
폴리에틸렌 태레프탈레이트의 베이스(25㎛)와 압감 아크릴 접착제(Lintec Corporation 제의 M0003(상품명), 피복량 : 20g/㎡)로 구성된 압감접착시트를, 링 프레임의 중복폭의 형상에 일치시켜 박리막을 유지시킨 상태에서, 펀칭한 다음 주변부 및 내부중심제의 불필요부를 제거했다.
이어서, 실시예 1 에서 사용된 것과 같은, 다이싱 및 다이본딩 가공재 양 역할 가능한 시트를, 그 박리막을 벗기면서 위에서 펀칭된 압감접착시트에 적층 시키고, 링 프레임의 중복 폭을 따라 절단했다.
일본 공업 규격 Z-0237에 따라 측정했을때, 압감접착시트와 링 프레임 사이의 접착력은 70g/25mm였으며, 압감접착시트의 압감 접착층의 유지력은 70,000초 이상이었다. 또한 다이싱 및 다이 본딩 가공재 양 역할 가능한 시트의 접착층과 압감접착시트의 베이스 사이의 경계부에 있어 접착력은 150g/25mm였다.
적층 시트를 링 프레임(DISCO Corp. 제의 MODTF(상품명)2-6-1)에 부착시켰다. 풀 커트 조건하에서 다이싱 및 다이 본딩 가공재 양 역할 가능한 시트의 접착면을 링 프레임으로부터 인력으로 박리시켰다. 이것을 50회 반복했으나 접착제 전이는 일어나지 않았다. 또한, 다이싱 및 다이본딩 가공재 양 역할 가능한 시트를 링 프레임에 부착된 상태로 40℃에서 3일동안 방치시켰다. 그런뒤 다이싱 및 다이 본딩 가공재 양역할 가능한 시트를 인력으로 박리했다. 다이싱 및 다이 본딩 가공재 양 역할 가능한 시트는 압감접착시트가 적층유지된채 정확하게 박리되었으며 그와 동시에 링 프레임은 접착제 전이로 성가시게 되는 일도 없었다.
실시예 3
실리콘 박리제를 0.1g/㎡의 양으로 폴리에틸렌 테레프탈레이트 베이스(두께: 25㎛)에 바르고 압감 아크릴 접착제(Lintec Corp. 제의 MF(상품명), 피복량 : 20g/㎡)를 베이스의 반대면에 발라서 압감접착시트를 얻었다. 압감접착시트를, 그 외주가 링 프레임의 중복폭과 일치하고 그 내주는 링 프레임의 통공의 직경과 일치하도록 펀칭했다.
압감접착시트와 링 프레임사이의 접착력은 일본 공업규격 Z-0237에 따라 측정했을때 200g/25mm이었고, 압감접착시트의 압감 접착층의 유지력은 70,000초 이상이었다. 또한, 실시예 1에서 사용된 다이싱 및 다이 본딩 가공재 양 역할 가능한 시트의 접착층과 압감접착시트의 베이스 사이의 경계부에서의 접착력은 15g/25mm였다.
압감접착시트를 링 프레임(DISCO Corp. 제의 MODTF(상품명))에 부착시키고 그런다음 거기에 다이싱 및 다이본딩 가공재 양역할 가능한 시트를 부착시켰다. 다이싱 시트의 접착제측을 풀커트 조건하에서 다이싱하고 다이싱 및 다이본딩 가공재 양 역할 가능한 시트를 인력으로 박리시켰다. 이것을 50회 반복했으나 링 프레임의 접착제 전이는 없었다. 그위에, 다이싱 및 다이 본딩 가공재 양 역할 가능한 시트를 링 프레임에 접착된 상태하에서 40℃에서 3일동안 조용히 방치시켰다. 그런뒤, 다이싱 및 다이본딩 양 역할 가능한 시트 및 접착시트를 인력으로 박리시켰으나 링 프레임에의 접착제 전이는 일어나지 않았다.
실시예 4
연질 염화 폴리비닐의 베이스(70㎛) 및 박리성 아크릴 압감 접착제의 압감 접착층(피복량 : 10g/㎡)으로 구성된 압감접착시트를 제조했다. 압감접착시트를, 절단날을 사용하여, 박리막을 유지시킨 상태에서 펀칭하여, 응력 완화부의 형성과 내부중심 불필요부의 제거를 동시에 행했다.
이어서, 실시예 1에서 사용된 것과 같은, 다이싱 및 다이 본딩 양 역할 가능한 시트를, 그 박리막을 벗기면서 상기한 펀칭된 압감 접착시트에 적층하여, 웨이퍼 가공시트를 얻었다.
웨이퍼 가공시트는, 외경 206mm, 압감접착시트의 내경 170mm, 그리고 8개 위치에서 내주연으로부터 압감접착시트의 주변 쪽 방향으로 방사상으로 배치된 10mm 크기의 응력 완화부를 갖도록, 형성시켰다. 일본 공업규격 Z-0237에 따라 측정했을때 압감접착시트와 링 프레임 사이의 접착력은 190g/25mm였고 압감접착시트의 압감 접착층의 유지력은 70,000초 이상이 있다. 또한, 다이싱 및 다이본딩 양 역할 가능한 시트의 접착층과 압감접착시트의 베이스 사이의 경계부에서의 접착력은 350g/25mm였다.
적층시트를 링 프레임 (DISCO Corp. 제의 MODTD(상품명))에 부착시켰다. 풀커트 조건하에서 다이싱 및 다이본딩 가공재 양역할 가능한 시트를 인력으로 링 프레임으로부터 박리시켰다. 이것은 50회 반복했으나 링 프레임으로 접착제가 이동하지 않았다. 또한, 다이싱 및 다이본딩 가공재 양 역할 가능한 시트를 링 프레임에 부착된 상태에서, 40℃에서 3일 동안 방치시켰다. 그런뒤, 다이싱 및 다이 본딩 가공재 양 역할 가능한 시트를 인력으로 박리했다. 다이싱 및 다이 본딩 가공재 양역할 가능한 시트는 압감접착시트를 적층 유지한채 정확하게 박리되었고, 동시에 링 프레임에는 아무 접착제도 부착하지 않았다.
웨이퍼 가공시트를 직경 6인치의 실리콘 웨이퍼에 부착시키고, 다이싱 장치를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 5mm × 5mm칩으로 다이싱했다. 그런뒤, 실리콘 웨이퍼측을 위로하여 웨이퍼 가공시트를 외경 190mm의 실린더 위에 놓고 링 프레임 에 부하를 인가하여 15mm풀다운 시켰다. 그리하여 팽창을 시행했다. 그랬던바 웨이퍼 가공시트에 국부 부하가 가해지지도 않았고 칩 간격도 만족스러웠다.
제 1 도는 링 프레임의 투시도이고,
제 2 도는 웨이퍼의 지지 상태를 보여주는 단면도이고,
제 3 도는 본 발명의 제 1 압감접착시트의 투시도이고,
제 4 도는 제 3 도의 X-X선 단면도이고,
제 5 도는 본 발명의 제 1 압감접착시트의 사용상태도이고,
제 6 도는 본 발명의 제 1 압감접착시트의 변형예의 투시도이고,
제 7 도는 본 발명의 제 2 압감접착시트의 투시도이고,
제 8 도는 제 7 도의 Y-Y선 단면도이고,
제 9 도는 본 발명의 제 2 압감접착시트의 사용 상태도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 링 프레임 5 : 다이싱 시트
5 : 웨이퍼 7 : (제 1 )압감접착시트
10 : 응력 완화부 11 : 제 2 압감접착시트

Claims (9)

  1. 다이싱 링 프레임의 다이싱 시트 부착 예정면에 용이 박리성 층을 배설하는 것으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 접착물질의 다이싱 링 프레임에의 전이 방지 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 다이싱 링 프레임의 다이싱 세트 부착 예정면에 박리제를 도포함으로써 용이 박리성 층을 배설하는 것을 특징으로 하는 접착물질의 다이싱 링 프레임에의 전이 방지 방법.
  3. 제 1 항의 방법에 있어서의 용이 박리성 층을 배설하는데 사용되는, 접착물질의 다이싱 링 프레임에의 전이 방지용 압착시트로서, 이 압감접착시트는 환상 베이스막 및 그 표면위에 형성된 압감 접착층으로 구성되어 있으며,
    또한 다이싱 링 프레임에 확실하게 고정될 수 있는 크기를 갖고 있고, 압감접착층과 다이싱 링 프레임사이의 접착력은 베이스막과 다이싱 시트 사이의 접착력보다 작은 것을 특징으로 하는 압감접착시트.
  4. 제 1 항의 방법에 있어서의 용이 박리성층을 배설하는데 사용되는 접착물질의 다이싱 링 프레임에의 전이 방지용 압감접착시트로서, 이 압감접착시트는 환상 베이스막 및 그 표면위에 형성된 압감접착층으로 구성되어 있으며,
    또한 다이싱 링 프레임에 확실하게 고정될 수 있는 크기를 갖고 있고, 베이스 막은 그 배면이 박리처리를 받은 것을 특징으로 하는 압감접착시트.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 응력 완화부가 형성된 내주부를 갖고 있는 특징으로 하는 압감접착시트.
  6. 제 5 항에 있어서, 응력 완화부는, 압감접착시트의 내주부에 배치된 노치인 것을 특징으로 하는 압감접착시트.
  7. 제 3 항 또는 제 4 항 또는 제 6 항에 기재된, 접착물질의 다이싱 링 프레임에의 전이 방지용 압감접착시트 및 다이싱 시트로 구성되어 있으며, 압감접착시트가 베이스 막을 거쳐 다이싱 시트의 접착층에 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공시트.
  8. 제 7 항에 있어서, 다이싱 시트는 다이싱 가공제 및 다이본딩 가공제의 양 역할을 할 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공시트.
  9. 제 5 항에 기재된, 접착물질의 다이싱 링 프레임에의 전이 방지용 압감접착시트 및 다이싱 시트로 구성되어 있으며, 압감접착시트가 베이스 막을 거쳐 다이싱 시트의 접착층에 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공시트.
KR1019950044745A 1994-11-29 1995-11-29 접착물질의다이싱링프레임에의전이방지방법,그방법에사용되는압감접착시트및압감접착시트를가진웨이퍼가공시트 KR100380389B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29479094 1994-11-29
JP94-294790 1994-11-29
JP27407795A JP3521099B2 (ja) 1994-11-29 1995-10-23 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート
JP95-274077 1995-10-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960019666A KR960019666A (ko) 1996-06-17
KR100380389B1 true KR100380389B1 (ko) 2003-07-18

Family

ID=26550889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950044745A KR100380389B1 (ko) 1994-11-29 1995-11-29 접착물질의다이싱링프레임에의전이방지방법,그방법에사용되는압감접착시트및압감접착시트를가진웨이퍼가공시트

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5705016A (ko)
EP (1) EP0715341B1 (ko)
JP (1) JP3521099B2 (ko)
KR (1) KR100380389B1 (ko)

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3521099B2 (ja) * 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート
EP0848415A1 (en) * 1995-08-31 1998-06-17 Nitto Denko Corporation Method and apparatus for peeling protective adhesive tape from semiconductor wafer
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
US6007920A (en) * 1996-01-22 1999-12-28 Texas Instruments Japan, Ltd. Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JPH10242084A (ja) * 1997-02-24 1998-09-11 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよび電子部品の製造方法
US5899730A (en) * 1997-11-14 1999-05-04 Lucent Technologies Inc. Method of handling semiconductor wafers, bars and chips
US6541872B1 (en) 1999-01-11 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Multi-layered adhesive for attaching a semiconductor die to a substrate
JP4803855B2 (ja) * 1999-02-09 2011-10-26 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US7144616B1 (en) * 1999-06-28 2006-12-05 California Institute Of Technology Microfabricated elastomeric valve and pump systems
JP3340979B2 (ja) * 1999-09-06 2002-11-05 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート
JP4392732B2 (ja) * 2000-02-07 2010-01-06 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
KR100389513B1 (ko) * 2000-12-07 2003-06-27 삼성전자주식회사 웨이퍼 링 테이프 제거 장치
KR100401020B1 (ko) * 2001-03-09 2003-10-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체칩의 스택킹 구조 및 이를 이용한 반도체패키지
US7141300B2 (en) * 2001-06-27 2006-11-28 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for dicing
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
KR101170845B1 (ko) 2003-02-05 2012-08-02 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 다이싱 다이본딩 테이프
JP4283596B2 (ja) 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
US20050064683A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Farnworth Warren M. Method and apparatus for supporting wafers for die singulation and subsequent handling
US7713841B2 (en) * 2003-09-19 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Methods for thinning semiconductor substrates that employ support structures formed on the substrates
US20050064679A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Farnworth Warren M. Consolidatable composite materials, articles of manufacture formed therefrom, and fabrication methods
US7468969B2 (en) * 2003-11-07 2008-12-23 Interdigital Technology Corporation Apparatus and methods for central control of mesh networks
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
US7186629B2 (en) * 2003-11-19 2007-03-06 Advanced Materials Sciences, Inc. Protecting thin semiconductor wafers during back-grinding in high-volume production
JP2005203749A (ja) * 2003-12-15 2005-07-28 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工用テープおよびその製造方法
KR100885099B1 (ko) * 2003-12-15 2009-02-20 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프 및 그 제조방법
JP4275522B2 (ja) 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
US7244665B2 (en) * 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
JP4677758B2 (ja) * 2004-10-14 2011-04-27 日立化成工業株式会社 ダイボンドダイシングシート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
US7547978B2 (en) * 2004-06-14 2009-06-16 Micron Technology, Inc. Underfill and encapsulation of semiconductor assemblies with materials having differing properties
KR100618543B1 (ko) * 2004-06-15 2006-08-31 삼성전자주식회사 웨이퍼 레벨 적층 패키지용 칩 스케일 패키지 제조 방법
US7235431B2 (en) 2004-09-02 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Methods for packaging a plurality of semiconductor dice using a flowable dielectric material
JP2006203000A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Sekisui Chem Co Ltd ダイシング用粘着テープおよび半導体チップの製造方法
DE602006014653D1 (de) * 2005-03-14 2010-07-15 Piac Co Ltd Hren dafür
JP4693545B2 (ja) * 2005-08-16 2011-06-01 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハのダイシング用フレーム
JP4791843B2 (ja) * 2006-02-14 2011-10-12 株式会社ディスコ 接着フィルム付きデバイスの製造方法
US7675180B1 (en) 2006-02-17 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having film-on-wire spacer
US20080237824A1 (en) * 2006-02-17 2008-10-02 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having single-sided film spacer
WO2007122438A1 (en) * 2006-04-21 2007-11-01 Infineon Technologies Ag A method for producing a thin semiconductor chip
JP2007294748A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ搬送方法
US7633144B1 (en) 2006-05-24 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package
US7846776B2 (en) * 2006-08-17 2010-12-07 Micron Technology, Inc. Methods for releasably attaching sacrificial support members to microfeature workpieces and microfeature devices formed using such methods
JP2008066336A (ja) * 2006-09-04 2008-03-21 Lintec Corp ウエハ加工用シート
JP2014003300A (ja) * 2006-09-05 2014-01-09 Hitachi Chemical Co Ltd 接着シート
JP2008088411A (ja) * 2006-09-05 2008-04-17 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
US20100019365A1 (en) * 2006-09-12 2010-01-28 Nitto Denko Corporation Dicing/die bonding film
KR100874953B1 (ko) * 2006-09-20 2008-12-19 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 고정 장치
US20100112272A1 (en) * 2006-10-06 2010-05-06 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Film for use in manufacturing semiconductor devices, method for producing the film and semiconductor device
JP4618738B2 (ja) * 2007-08-24 2011-01-26 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体チップの固定方法
US7923298B2 (en) * 2007-09-07 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Imager die package and methods of packaging an imager die on a temporary carrier
EP2257608A1 (en) * 2008-03-07 2010-12-08 3M Innovative Properties Company Dicing tape and die attach adhesive with patterned backing
JP2008293508A (ja) * 2008-06-13 2008-12-04 Lintec Corp 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材
JP5683794B2 (ja) * 2008-06-30 2015-03-11 リンテック株式会社 ウェハ加工用テープ
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
JP5155079B2 (ja) * 2008-09-19 2013-02-27 リンテック株式会社 シート貼付装置
JP2009065186A (ja) * 2008-10-20 2009-03-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 粘接着テープの基材フィルムの粘着力を制御する方法および粘接着テープ用基材フィルム
CN101850538B (zh) * 2009-04-01 2012-10-10 日月光半导体制造股份有限公司 晶圆的支撑治具与研磨、输送及切割晶圆的方法
JP4988815B2 (ja) * 2009-12-25 2012-08-01 日東電工株式会社 チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法
US8975161B2 (en) 2010-07-13 2015-03-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. Dicing/die bonding integral film, dicing/die bonding integral film manufacturing method, and semiconductor chip manufacturing method
JP2012079936A (ja) 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5916295B2 (ja) * 2011-04-22 2016-05-11 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープおよびウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する方法
JP5998730B2 (ja) 2011-09-16 2016-09-28 日立化成株式会社 粘着フィルム及び粘着フィルムの製造方法
US9786541B2 (en) * 2011-09-30 2017-10-10 Lintec Corporation Dicing sheet with protective film forming layer and chip fabrication method
JP6051520B2 (ja) * 2011-12-20 2016-12-27 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープ、及び半導体装置の製造方法
TWI630674B (zh) * 2013-01-10 2018-07-21 晶元光電股份有限公司 半導體元件翻轉裝置
TWI571949B (zh) * 2013-01-10 2017-02-21 晶元光電股份有限公司 半導體元件翻轉裝置
JP2014192463A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Lintec Corp 樹脂膜形成用シート
JP6129705B2 (ja) * 2013-09-27 2017-05-17 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
CN113921447A (zh) 2014-12-29 2022-01-11 株式会社迪思科 保护片、保护片布置、半导体尺寸晶片的处理系统和方法
US11004720B2 (en) * 2018-05-23 2021-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for ring frame cleaning and inspection
CN109994416A (zh) * 2019-04-12 2019-07-09 德淮半导体有限公司 蓝膜、蓝膜带及制作方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4138304A (en) * 1977-11-03 1979-02-06 General Electric Company Wafer sawing technique
JPS59139645A (ja) * 1983-01-31 1984-08-10 Hitachi Ltd ウエ−ハ支持装置
JPS6035531A (ja) 1983-08-06 1985-02-23 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体チップの製作方法
US4609964A (en) * 1983-10-11 1986-09-02 Coronet Paper Corporation Reinforcement for magnetic recording disk
JPH0616524B2 (ja) * 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS6128572A (ja) 1984-07-19 1986-02-08 F S K Kk 半導体ウエハー用粘着シートの使用法
GB2221469B (en) * 1985-12-27 1990-09-05 Fsk Kk Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
JP2510416B2 (ja) * 1986-08-08 1996-06-26 バンドー化学株式会社 半導体ウエハ−のダイシング方法
US4890763A (en) * 1987-01-27 1990-01-02 Tsl, Incorporated Tamper resistant package and method of making same
JPH0623347B2 (ja) * 1988-05-24 1994-03-30 株式会社東芝 紫外線照射型ダイシングテープ
JPH0715087B2 (ja) 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
JPH04247640A (ja) * 1991-02-04 1992-09-03 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
JP3521099B2 (ja) * 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08213349A (ja) 1996-08-20
US5888606A (en) 1999-03-30
JP3521099B2 (ja) 2004-04-19
US5705016A (en) 1998-01-06
EP0715341A1 (en) 1996-06-05
KR960019666A (ko) 1996-06-17
EP0715341B1 (en) 2011-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100380389B1 (ko) 접착물질의다이싱링프레임에의전이방지방법,그방법에사용되는압감접착시트및압감접착시트를가진웨이퍼가공시트
JP4447280B2 (ja) 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP4879702B2 (ja) ダイソート用シートおよび接着剤層を有するチップの移送方法
KR101521727B1 (ko) 다이싱·다이 본딩 일체형 필름, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법
JP2004356412A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
KR102535477B1 (ko) 다이본드 다이싱 시트
JP2005162818A (ja) ダイシングダイボンドシート
JP2009239124A (ja) ウェハ表面保護テープ
JP2008066336A (ja) ウエハ加工用シート
US20070166500A1 (en) Dicing/die bonding film and method of manufacturing the same
JP2008311513A (ja) 表面保護用シートの支持構造および半導体ウエハの研削方法
JP5323331B2 (ja) ウェハ加工用シート
JP5666659B2 (ja) ウェハ加工用シート
JP2013021109A (ja) 粘着シート及び粘着シートを用いた円板状被加工物の加工方法
JP2009130333A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5090241B2 (ja) ダイソート用シート
JP5318251B2 (ja) ダイソート用シート
KR101428287B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프 및 그의 제조 방법
JP2003324080A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003324112A (ja) 半導体装置の製造方法
KR101808922B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
JP4411498B2 (ja) ダイシング用粘着フィルム
JP2012169337A (ja) ダイシング・ダイボンディング一体型シート、およびその製造方法
JP2001329236A (ja) テープ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130321

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140319

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term