KR100369427B1 - 성막방법및반도체장치의제조방법 - Google Patents
성막방법및반도체장치의제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100369427B1 KR100369427B1 KR1019970016419A KR19970016419A KR100369427B1 KR 100369427 B1 KR100369427 B1 KR 100369427B1 KR 1019970016419 A KR1019970016419 A KR 1019970016419A KR 19970016419 A KR19970016419 A KR 19970016419A KR 100369427 B1 KR100369427 B1 KR 100369427B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- phosphorus
- oxygen
- reaction gas
- heated
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 37
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 25
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- -1 phosphorus oxy compound Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 claims description 3
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 claims description 3
- DNAJDTIOMGISDS-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylsilane Chemical compound [SiH3]CC=C DNAJDTIOMGISDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims 4
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- BPINCLGRDRUOLD-UHFFFAOYSA-N dimethoxy trimethylsilyl phosphite Chemical compound COOP(OOC)O[Si](C)(C)C BPINCLGRDRUOLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- HWMXPTIFAGBDIK-UHFFFAOYSA-N dimethyl trimethylsilyl phosphite Chemical compound COP(OC)O[Si](C)(C)C HWMXPTIFAGBDIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical group OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphite Chemical compound COP(OC)OC CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- GRVDJDISBSALJP-UHFFFAOYSA-N methyloxidanyl Chemical compound [O]C GRVDJDISBSALJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
- H01L21/02145—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing aluminium, e.g. AlSiOx
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31625—Deposition of boron or phosphorus doped silicon oxide, e.g. BSG, PSG, BPSG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Abstract
반도체 집적회로 장치의 상호접속 층, 등등을 피복하는 평면화 층간 절연 필름을 형성하는 방법이다. Ⅲ 원자가 인을 가지고 또 산소가 결합되는 적어도 하나의 결합의 인을 가지는 인함유 화합물을 포함하는 반응가스를 공급하는 한편,
P2O3를 포함하는 실리콘 함유 절연 막을 증착 기판에 형성하여, 평면화를 위한 유동화 온도를 극단으로 감소시키는 것이다.
단계들로 이루어지는 성막방법.
Description
발명의 분야
본 발명은 성막방법 및 반도체장치의 제조방법에 관한 것이며, 더 상세하게는, 반도체 집적회로 장치의 상호접속 층 등을 피복하는 평면화 층간 절연 막을 형성하는 데 이용하는 성막방법 및 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
선행기술
근래, 반도체 집적회로 장치의 분야에는 다층의 상호접속 층들이 수개의 층에 걸쳐 연장하거나 고 집적 밀도의 증대로 형성되는 경우가 빈번하다. 그런 경우에는, 상호접속 층으로 특히 알루미늄 재료가 자주 사용되고 있기 때문에 평면화 층간 절연 막이 500℃ 이하의 온도에서 형성될 수 있는 성막방법을 개발하는 것이 시급히 요구된다.
선행기술에는, 절연 막을 평면화하는 방법으로 둘의 전형적 방법이 있다. 하나는, 도 1A와 도 1B에 보인 바와 같이, 열 CVD 법, 플라즈마 강화 CVD 법, 및 그 종류의 같은 것에 의하여 우선 성막한 다음 가열과 유동에 의하여 막을 평면화하는 것이고, 다른 것은 도 2A 내지 도 2C에 보인 에칭 백 법이나 또는 도 3A와 도 3B에 보인 바와 같은 CMP(chemical mechanical polishing) 법과 같이, 절연 막의 표면의 불균형을 에칭이나 폴리싱으로 제거하며 따라서 평면화하게 되는 것이다. 전자의 경우에는, 도 1A에 보인 바와 같이, 하기의 반응가스를 선택적으로 사용하는 열 CVD 법에 의하여 BPSG(borophosphosilicate glass) 막 (4)를 형성한다,
(1) SiH4+PH3+B2H6+O2 (PH3: 인화수소), 및
(2) TEOS+TMOP+TMB 또는 TEB+O2 또는 O3
(TEOS: tetraethylorthosilicate (Si(OC2H5)4),
TMOP: trimethylphosphate (PO(OCH3)3)).
딴 방법으로는, 도 1A에 보인 바와 같이, 하기의 반응가스를 사용하는 플라즈마 강화 CVD 법에 의하여 BPSG 막 (4)를 형성한다,
(1) SiH4+PH3+B2H6+O2 (PH3: 인화수소), 및
(2) TEOS+TMOP+TMB 또는 TEB+O2.
문헌들, 예를 들어, Williams, D.S. and Dein, E.A.: J. Electrochem. Soc.,134,3, 657, 1987; Levin, R.M. and Evans-Lutterodt, K.: J. Vac. Sci. Technol., B1, 1: 54, 1983; 및 Sato, J. and Maeda, K.: Extended Abstract of Electrochem. Soc. Spring Meetig: 31, 1971을 참조하기 바란다.
그 다음, 이렇게 형성된 BPSG 막 (4)를 도 1B에 보인 바와 같이, 약 850℃에서 가열하여 유동화시킴으로써, 표면의 평면화를 달성하고 있다. PSG 막의 경우에 있어서는, 열 CVD 법, 플라즈마 강화 CVD 법 등등에 의해, 붕소 함유 가스(B2H6, TMB, 또는 TEB)가 상기 설명의 반응가스로부터 추출되는 반응가스를 사용하는 사이에 먼저 PSG 막을 형성하며, 이렇게 형성된 PSG 막을 다음에는 1000℃ 이하의 온도에서 가열하여 유동화시키게 되어, PSG 막의 표면이 평면화된다.
후자의 경우에 있어서는, 도 2A와 도 2B에 보인 바와 같이, 하기의 반응가스들을 선택적으로 사용하여 열 CVD 법, 플라즈마 강화 CVD 법, 또 그 종류의 같은 것에 의하여 NSG 막 (5)를 먼저 형성한다,
(1) SiH4+O2 (열 CVD 법 또는 플라즈마 강화 CVD 법),
(2) TEOS+O2 또는 O3 (열 CVD 법), 및
(3) TEOS+O2 (플라즈마 향상 CVD 법).
에칭 백 법에 의하면, 도 2B에 보인 바와 같이, 레지스트 막 (6)이 전체 표면이 평면화되도록 NSG 막 (5)에 피복되며, 다음, 도 2C에 보인 바와 같이, 평면화 NSG 막 (5a)가 에칭 과정을 거쳐 형성된다. 한편, CMP 법에 의하면, 도 3B에 보인 바와 같이, 상기 NSG 막 (5)가 형성되며 다음 NSG 막 (5)의 표면은 폴리싱 과정에의해 평면화된다.
도 1 내지 도 3에 있어서, 참조부호 (1)은 반도체 기판을: (2)는 접지 절연 막을; 그리고 (3a), (3b)는 접지 절연 막 (2) 상에 형성된 상호접속 층들을 나타낸다.
상기에 설명한 에칭 백 법과 CMP 법에 의한 평면화 방법은 가열에 의한 유동화를 이용하는 평면화 방법과는 달리, 가열과정을 요하지 않기 때문에 저온 처리가 필요해지는 그런 경우에 효과적이다. 그러나, 도 2A, 2B 및 도 3A, 3B에 보인 바와 같이, 절연 막 (5)가 형성되는 직후, 상호접속 층들 3a, 3b, 등등의 사이의 요(凹)부에 공극들이 형성되면, 그러한 공극들은 평면화후에서 조차도 여전히 남아 있다. 오늘날, 고밀도 플라즈마 CVD (HDP-CVD) 법, 플라즈마 강화 CVD 법, 대기압 열 CVD 법, SOG(spin-on-glass) 코팅 법 등등이 이런 요부를 충진하는 양호한 적합성을 가진 절연 막을 형성하는 방법으로 고려되고 있다. 그러나, 상기의 평면화 방법들은, 열 유동 단계를 사용하지 않기 때문에, 만약 상호접속 층들 간의 거리가 고 집적 밀도로 인해 대단히 좁아진다면 그 요부를 절연 막 재료로 완전히 덮기는 어렵다.
반대로, 가열에 의한 유동화를 이용하는 평면화 방법에 있어서는, 도 1A와 도 1B에 보인 바와 같이, 열 유동을 이용하기 때문에 완전한 충전 적응성을 기대할 수 있다. 현재, 이 응용에 있어서는 특히 BPSG 막 (4)가 흔히 사용된다. 그러나, BPSG 막 (4)는 유동화시키는 데 적어도 850℃ 까지 가열시켜야 하기 때문에, 그 것은 양 막이 저 온도에서 형성되어야 하는, 상호접속 층들 (3a, 3b) 밑에 있는 접지막 (2)와 층간 절연 막 (4)에는 적용할 수 없다. 특히, 알루미늄 상호접속 층들을 피복하는 절연 막으로서는 BPSG 막을 사용할 수 없다. 만약 인 또는 붕소 농도가 증대된다면, 유동화 온도를 어떤 범위까지 줄일 수 있다. 이러한 경우에는, 그러한 감소가 불충분한 데다 다른 문제가 발생하여 절연 막들 (2, 4)의 안정화와 내습성을 감퇴시킨다. PSG 막에 대하여서도, BPSG 막과 사실상 같은 정도의 유동화 온도를 또한 필요로 하며 따라서 상기의 문제들이 마찬가지로 발생한다.
BPSG 막에 GeO2를 첨가함에 의하여 형성할 수 있는 GeBPSG 막은 저 유동화 온도의 절연 막으로서 개발되었으나, 그 온도는 고작해야 단지 약 750℃ 까지 감소시킬 수 있다. 그러므로, 저온에서 처리되게 돼 있는 접지 막과 층간 절연 막에 GeBPSG 막을 적용하기는 어렵다.
본 발명의 목적은 평면화에 대한 유동화 온도를 극단으로 감퇴시킬 수 있는 절연 막 형성방법과 번도체장치 제조방법을 마련하는 데 있다.
본 발명의 발명자 등은 하기의 사실을 중시하였다.
(1) 선행기술의 BPSG 막 또는 PSG 막이 SiO2+P2O5+B2O3로 이루어진 혼합물이나 또는 SiO2+P2O5로 이루어진 혼합물로 형성되고(비록 선행기술의 반응가스
SiH4+P2H3+B2H6가 Ⅲ 원자가의 인이긴 하지만, 외면에 공급되는 산소와 결합되며 따라서 P2O3 대신 P2O5를 발생시킨다. 이는, P2H3가 외면에 공급되는 산소와 결합되는 경우, PH3는 본질적으로 산소를 포함하지 않기 때문에 안정한 P2O5가 용이하게 발생될 수 있다),
(2) P2O5-SiO2 계통의 BPSG 막은 도 11에 보인 바와 같이, P2O5의 조성물의 20 내지 80% 이상을 열적으로 넘는 850℃의 가장 잘 녹는 점을 가지고 있으므로, 그의 유동화 온도는 주로 P2O5 자신의 융해점에 따라서 결정되며, 또
(3) P2O3는 하기에 보인 바와 같이, P2O3 보다 대단히 낮은 융해점을 가지고 있다.
표 Ⅰ
상기의 사실을 토대로, 본 발명의 발명자 등은 BPSG 막 또는 PSG 막을 P2O5 대신에 주로 P2O3를 포함하도록 형성한다면, 유동화 온도를 저하시킬 수 있다는 것을 생각하였다.
때문에, 고 P2O3 농도의 BPSG 막 또는 PSG 막을 성취하기 위하여, 본 발명의 발명자 등은 산소부족 상태의 인함유 화합물을 산화하는 방법을 생각해 내었다. 구체적인 방법으로서, (1) P가 Ⅲ 원자가의 형태로 포함되는 화합물을 함유하는 인을 반응가스로 사용하고, (2) 추가의 산소나 오존 없이 산소를 포함하는 실리콘 함유 화합물 또는 인 함유 화합물을 이용하여 BPSG막 또는 PSG 막을 형성하며, 또 타의 것들을 고려할 수 있다.
방법 (1)에 적용될 수 있는 Ⅲ 원자가의 P를 포함하는 인 함유 화합물로서는, 예를 들어, 하기
의 구조식을 가진 TMP(트리메틸포스파이트(P(OcH3)3)와 하기
의 구조식을 가진 Si-O-P 구조의 인산 디메톡시 트리메틸실릴에스테르가 사용된다.
TMP는 방법 (2)에도 또한 적용되어도 좋다는 사실에 특히 유의할 일이다.
그러므로, 발명자 등은 상기 인 함유 화합물을 포함하는 반응가스이 사용으로 열 CVD 법이나 또는 플라즈마 강화 CVD 법에 의해 PSG 막을 형성한 후, PSG 막의 화합물들을 X레이 형광 분석(XRF)이나 또는 푸리에 변환 적외선 분광사진법에 의해 분석하였다. 그 결과, 고 농도의 P2O3가 막의 형태로 포함돼 있다는 사실을 본 발명의 발명자 등은 확인하였다. 게다가, 240 내지 430 ℃ 범위에 걸친 유동화 온도를 본 발명의 발명자 등은 성취할 수 있었다.
나아가, 본 발명의 발명자 등은 P2O3 농도를 조정하여 유동화 온도를 제어할 수 있으며 또 그러한 P2O3 농도는 성막 온도, 산화 가스(오존) 농도, 또는 인 함유 화합물의 가스 유량의 조정으로 용이하게 조정할 수 있다는 사실을 알았다.
상기의 사실들은 BPSG 막에 관해서도 마찬가지라는 사실에 유의할 일이다.
본 발명의 이상의 목적들과 특징들은, 첨부의 도면과 관련하여 설명되게 되는 예증적 실시양태의 이해로 명료해거나 첨부된 청구의 범위에 지적될 것이며 여기에 언급하지 않은 여러가지 장점들은 실제 본 발명의 사용에 있어 기술에 숙련한 이에게 떠오를 것이다.
도 1A와 도 1B는 선행기술의 가열 및 유동화에 의하여 평면화 단계를 포함하는 층간 절연 막 성막방법을 보이는 단면도이다.
도 2A 내지 도 2C는 선행기술의 가열 및 유동화에 의하여 평면화 단계를 포함하는 또 다른 층간 절연 막 성막방법을 보이는 단면도이다.
도 3A와 도 3B는 선행기술의 CMP에 의하여 평면화 단계를 포함하는 또 다른 층간 절연 막 성막방법을 보이는 단면도이다.
도 4A와 도 4B는 본 발명의 제 1의 실시양태에 따른 P2O3를 포함하는 PSG 막을 형성하는 성막방법을 보이는 단면도이다.
도 5A 내지 도 5C는 본 발명의 제 1의 실시양태에 따른 P2O3를 포함하는 PSG 막을 형성하는 또 다른 성막방법을 보이는 단면도이다.
도 6A는 본 발명의 제 1의 실시양태에 따른 성막방법에 의해 형성된 P2O3를 포함하는 PSG 막의 기판 온도와 인의 농도 간의 관계를 보이는 특성도이다.
도 6B는 본 발명의 제 1의 실시양태에 따른 성막방법에 의해 형성된 P2O3를 포함하는 PSG 막의 오존 농도와 인의 농도 간의 관계를 보이는 특성도이다.
도 6C는 본 발명의 제 1의 실시양태에 따른 성막방법에 의해 형성된 P2O3를 포함하는 PSG 막의 인 함유 화합물의 가스 유량과 인의 농도 간의 관계를 보이는특성도이다.
도 7A와 도 7B는 본 발명의 제 2의 실시양태에 따른 P2O3를 포함하는 PSG 막을 형성하는 성막방법을 보이는 단면도이다.
도 8A와 도 8B는 본 발명의 제 3의 실시양태에 따른 P2O3를 포함하는 PSG 막을 형성하는 성막방법을 보이는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 4의 실시양태에 따른 P2O3를 포함하는 PSG 막을 안정화하는 방법을 보이는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제 4의 실시양태에 따른 안정화 전 및 후의 푸리에 전환 적외선 분광사진법(FTIR)에 의하여 PSG 막의 인 화합물 형식들의 분석결과를 보이는 그림이다.
도 11은 P2O5-SiO2 계 유리의 상태도이다.
실시양태들의 상세한 설명
본 발명의 여러가지 실시양태를 첨부의 도면을 참조하여 설명한다. 같거나 유사한 참조 번호들은 같거나 유사한 부품들과 구성요소들에 적용되는 것은 말할 것도 없으며 그 같거나 유사한 부품들과 구성요소들의 설명은 생략하거나 간단히 할 것이다.
(1) 제 1의 실시양태
열 CVD 법에 의해 PSG 막을 형성하는 방법을 본 발명의 제 1의 실시양태에따라 설명한다.
인 함유 화합물로 이루어지는 가스 혼합물과, 실리콘 함유 화합물, 및 산화가스를 반응가스로 사용한다.
인 함유 화합물로서는, 하기
의 구조식을 가진 TMP(trimethylphosphite (P(OcH3)3)와 하기
CH3 CH3
┃ ┃
CH3 - Si - O - P (SOP-11(a) )
┃ ┃
CH3 CH3
의 구조식을 가진 Si-O-P의 인산 디메틸 트리메틸실릴에스테르(이하 "SOP-11(a)"라 부른다)와 하기
의 구조식을 가진 Si-O-P 구조의 인산 디메톡시 트리메틸실릴에스테르(이하
"SOP-11(b)"라 부른다)를 선택적으로 사용한다. 이에 더하여, Ⅲ 원자가 인을 가지며 또 산소가 그에 결합된 적어도 하나의 결합의 인을 가지는 인 함유 화합물을 인 함유 화합물로서 사용한다. 이 실시양태에 있어서는 설명의 목적으로SOP-11
(b)를 이용한다.
다음, 실리콘 함유 화합물로서는, 알킬실란 또는 알릴실란 (일반식: RnSiH4-n (n=1∼4)), 알콕시실란 (일반식: (RO)nSiH4-n (n=1∼4)), 연쇄 실록산(일반식 :
RnH3-nSiO(RkH2-kSiO)mSiH3-nRn (n=1∼3; k=0∼2; m≥0)), 연쇄 실록산의 유도체 (일반식: (RO)nSiH3-nSiOSiH3-n(RO)n (n=1∼3)), 및 환 실록산(일반식: (RkH2-kSiO)m (k=1, 2; m≥2)), 등등을 선택적으로 사용한다. 한 예를 들면, 이 실시양태에 있어서는 알콕시실란의 TMS(trimethoxysilane (CH3O)3SiH)를 사용한다.
게다가, 산화 가스로서는 오존(O3), 산소(O2), N2O, NO2, CO, CO2, H2O, 등등을 선택적으로 사용한다. 이 실시양태에서는 설명을 위해 오존을 사용한다.
반응가스로서는 실리콘 함유 화합물, 즉, TEOS(tetraethylorthosilicate)와, 인 함유 화합물(SOP-11(b)), 및 산화 가스(오존(O3)로 이루어지는 가스혼합물을 사용한다. 비교 데이터를 수집하기 위하여, 각종 성막 변수들의 성막조건들을 하기에 보인 바와 같이 변경한다.
표 Ⅱ
이 경우에는, 성막조건들을 변경하는 상기 성막변수들과는 달리 성막변수들에 관해서는, 성막 조건들을 각 성막조건들의 표준치에 설정한다. 성막변수들의 성막조건의 그러한 표준치들은 하기와 같다.
표 Ⅲ
이렇게 되면, SOP-11(b)는 표준온도의 액체이기 때문에, 캐리어 가스 (N2)의거품 읾에 의하여 그 것이 캐리어 가스 (N2)에 내포된다. SOP-11(b) 함량은 캐리어 가스의 유량 조정에 의하여 제어될 수 있다. 일단의 산소를 오존으로 바꿈에 의하여 오존으로 변환시킬 수 있다. 오존 농도는 산소에 함유된 오존의 양을 의미한다.
우선, 도 4A에 보인 증착 기판 (101)를 열 CVD 장치의 방에 싣는다. 다음, 증착 기판을 가열하여 소정의 기판온도에 유지한다. 증착 기판 (101)을, 산화실리콘 따위의 접지 절연 막 (12)가, 예를 들어, 실리콘 기판(반도체 기판) (11)에 형성되고 다음 알루미늄 막 따위의 상호접속 층들 (13a, 13b)가, 예를 들어, 접지 절연 막 (12)에 형성되도록 형성한다.
다음, 도 4B에 보인 바와 같이, 반응가스를 방에 도입한다. 증착 기판 (101)을 소정의 시간 동안 이 상태로 유지한다. 그 결과, 고 농도 P2O3를 포함하는 PSG 막 (14)가 형성되어 소정의 두께를 가지게 된다. 어떤 경우에는, PSG 막(14)의 유동화는, 막을 형성하는 동안 P2O3 농도나 P2O3/P2O5의 비율에 따라 기판 온도 부근에서 야기된다. 이 경우에는, 성막은 물론 평면화를 달성할 수 있다. 평면화를 달성할 수 없으면, 도 5A 내지 도 5B에 보인 바와 같이, PSG 막 (15)를 증착 기판 (101) 상에 형성한 후, PSG 막 (15a)를 따로 어닐링에 의하여 유동화시키어 PSG 막 (15a)의 표면을 평면화한다.
상기의 단계에서 형성되는 PSG 막 (14)의 인 (P) 농도는 X레이 형광 분석 (XRF) 및 푸리에 변환 적외선 분광사진법(FTIR)에 의하여 알아낸다. PSG 막 (14)의 P2O3+P2O5의 총농도는 X레이 형광분석(XRF)에 의해 알아낼 수 있으며, 단지 PSG막 (14)의 P2O5 농도는 푸리에 변환 적외선 분광사진법(FTIR)에 의하여 알아낼 수 있다.
분석 결과를 도 6A 내지 도 6C에 보인다. 도 6A는 기판 온도에 대한 PSG 막의 인 함량의 의존도를 보이는 것으로, 세로좌표는 등분눈금의 인 농도(중량%)이고 가로좌표는 등분눈금의 기판 온도(℃)이다. 도 6B는 오존 농도에 대한 PSG 막의 인 농도의 의존도를 보이는 것으로, 세로좌표는 등분눈금의 인 농도(중량%)이고 가로좌표는 등분눈금의 오존 농도(%)이다. 도 6C는 인 함유 화합물의 가스 유량에 대한 PSG 막의 인 농도의 의존도를 보이는 것으로, 세로좌표는 등분눈금의 인 농도(중량%)이고 가로좌표는 등분눈금의 SOP-11 (SLM)의 가스 유량이다.
도 6A 내지 도 6B에 있어서, 백색원의 표시는 XRF에 의한 분석결과인, PSG 막의 P2O3/P2O5의 총농도를 의미한다. 흑색원의 표시는 FTIR에 의한 분석결과인, PSG 막의 P2O5의 농도를 의미한다.
상기의 결과로, 이와 같이 형성하는 PSG 막의 P2O3 농도 또는 P2O3/P2O5의 비율은 기판 온도, 오존 농도, 및 SOP-11의 가스 유량을 조정함에 의하여 제어될 수 있음을 알았다.
게다가, PSG 막 (14)의 융해온도 또는 유동화온도는 PSG 막의 P2O3 농도 또는 P2O3/P2O5의 비율이 높아지는 때 낮아진다. 500℃ 이하의 융해온도 또는 유동화온도를 실험에서 획득하였다.
(2) 제 2의 실시양태
P2O3를 포함하는 PSG 막을 플라즈마 강화 CVD 법으로 형성하는 방법을 본 발명의 제 2의 실시양태에 따라 도 7A와 도 7B를 참조하여 설명한다.
반응가스로서는, TEOS+TMP의 가스 혼합물을 사용한다. 산소 불충분 조건을 충분히 만족시키기 위하여, 반응가스에는 산소(O2)를 첨가하지 않는다. TMP(tri-
methylphosphite (P(OCH3)3))의 구조식을 아래에 나타낸다.
성막 조건을 아래와 같이 부여한다. 성막 방법으로서는 ECR 법에 기초한 플라즈마 강화 CVD 법을 사용한다.
표 Ⅳ
성막에 있어서, 유동 가능성이 마련되는 PSG 막은 약 200 ℃의 기판 온도에서 상호접속 층들 (13a, 13b) 사이의 리세스안으로 흐를 수 있다. 도 7A는 PSG 막이 그에 형성되기 전의 증착 기판의 단면 형상이다. 도 7B는 성막이 완성된 후의, 증착 기판 (101) 상에 형성된 PSG 막 (16)의 단면 형상이다.
상기의 실험의 결과, PSG 막에는 Ⅲ 원자가 P2O3 형태의 인이 포함된다는 것을 추론할 수 있다. 산소를 외부로부터 공급하지 않기 때문에, 그 반응체계는 산소 불충분 상태이며, 따라서 PSG 막 (16) 중의 Si-O 및 P-O가 각각 분자들의 산소 원자에 결합되는 것으로 여겨진다.
이 제 2의 실시양태에 있어서는, 산소를 추가하지 않는다. 그러나, 말할 것도 없이, 제 1의 실시양태와 같이, PSG 막 (16)의 융해온도 또는 유동화온도를 PSG 막 (16)의 P2O3 농도 또는 P2O3/P2O5의 비율의 조정에 의하여 또한 제어할 수 있다. 더구나, PSG 막 (16)의 융해온도 또는 유동화온도도, 제 1의 실시양태와 같이, 비록 기판 온도나 TMP 유량 따위의 타의 성막변수를 제어할지라도, P2O3 농도 또는 P2O3/P2O5의 비율의 조정을 통하여 또한 제어할 수 있다.
(3) 제 3의 실시양태
P2O3를 포함하는 BPSG 막을 열 CVD 법 또는 플라즈마 강화 CVD 법에 의하여 형성하는 방법을 본 발명의 제 3의 실시양태에 따라 도 8A와 도 8B를 참조하여 설명한다.
반응 가스로서는, TEOS+11(b)+TMP 또는 TEB+O2 또는 O3의 가스 혼합물을 사용한다.
성막 조건은 아래와 같이 부여한다.
표 Ⅴ
표 Ⅵ
도 8A는 BPSG 막 (17)이 그에 형성되기 전의 증착 기판 (101)의 단면 형상이다. 상기의 조건 하에서는, 도 8B에 보인 바와 같이, SiO2+P2O3+B2O3의 혼합물로 이루어지는 BPSG 막 (17)이 증착 기판 (101)에 형성된다.
제 1의 실시양태와 같은 식으로, P2O3 농도나 P2O3/P2O5의 비율을 산소 농도나 오존 농도, 기판 온도, 인 함유 화합물 또는 붕소 함유 화합물을 제어함에 의하여 조정할 수 있어, BPSG 막 (17)의 융해점을 200℃ 내지 500℃의 범위에 제어되게 할 수 있었다.
(4) 제 4의 실시양태
한편, P2O3는 본질적으로 습기에 반응을 나타내기 때문에, 상기의 설명과 같이 형성되는 PSG 막들 (14, 15a, 16) 및 BPSG 막 (17)은, 그 들을 성막이 완성된 후 방으로부터 대기 중에 부리는 경우, 습기를 흡수하게 된다. 그러므로, 그들을 반도체 장치의 층간 절연 막, 등등으로 사용하기 위하여 P2O3를 포함하는 PSG 막들 (14, 15a, 16) 및 BPSG 막 (17)을 안정화시켜 그러한 습기 흡수를 방지하게 된다.
계속하여, P2O3를 포함하는 PSG 막들 (14, 15a, 16)을 안정화시키는 방법을 본 발명의 제 4의 실시양태에 따라 도 9를 참조하여 설명한다.
제 1의 실시양태에 따라 PSG 막들 (14, 15a, 16)을 성막방법에 의하여 형성한 다음, 방 안에 N2+O2를 도입한다, 즉 용기를 밀폐한 다음 PSG 막들 (14, 15a, 16)을 상기 기압에서 약 500℃의 온도에 어닐링한다.
도 10은 어닐링 전 후의 PSG 막들 (14, 15a, 16)의 인 화합물의 형식들의 FTIR 분석, 즉, 본 발명의 제 4의 실시양태에 따른 안정화의 결과이다. 도 10에 보인 바와 같이, PSG 막들 (14, 15a, 16)의 P2O3는 어닐링에 의하여 P2O5로 변경할 수 있다.
앞서의 기재와 같이, PSG 막들 (14, 15a, 16) 등등은 성막 후 산소 분위기에서의 어닐링에 의하여 P2O3의 P2O5로의 변경에 의하여 안정시킬 수 있다. 또, P2O5의 최종 구성은 PSG 막들 (14, 15a, 16) 등등에 패시베이션(passivation) 효과를 제공할 수 있어 경계 특성의 안정화를 기여하게 된다. PSG 막에 포함된 남아있는 탄소는 상기의 어닐링에 의하여 동시에 산화될 수 있다.
상기의 처리로, PSG 막들 (14, 15a, 16) 등등을 장치에 적용하게 된다. 습기 흡수를 예방하기 위하여, 상기 어닐링의 대신에 또는 상기 어닐링과 함께, 커버절연 막을 PSG 막들 (14, 15a, 16) 등등에 형성할 수도 있다.
열 CVD 장비나 플라즈마 강화 CVD 장비를 CVD 장비로 사용하며 다음 막질을 향상시키기 위하여 어닐링 노를 사용한다. 성막 후 PSG 막을 대기에 노출시키지 않고 직접 막질의 향상을 가능하게 하는 데는, 전체 성막 장비로서 CVD 장비와 어닐링 노가 로드 로크 체임버에 의하여 접속되는 그러한 장비를 사용하는 것이 바람직하다.
위의 제 1 내지 제 4의 실시양태에 있어서는, 인 성분으로서 고도의 P2O3 농도의 절연 막이 형성되기 때문에, 유동화 온도를 500℃이하에 극단으로 낮출 수 있다. 그러므로, PSG 막과 BPSG 막을 알루미늄 상호접속을 덮는 층간 절연 막으로서 사용할 수 있다. 비록, 보다 얕은 확산층이 고 집적 밀도의 처리로 형성되는 반도체 장치에 있어서, PSG 막과 BPSG 막을 상호접속 층에 대한 접지 절연 막으로 사용한다고 할지라도, 확산층에 있어서의 불순물의 재배포를 예방할 수 있다.
아울러, 성막 후 CMP 법 따위의 평면화 방법에 의하지 않고 열 유동화에 의하여 층간 절연 막을 평면화할 수 있기 때문에, 상호접속 층 등등 간의 요부를 공간을 남기지 않게, 즉, 공극이 생기지 않게, 층간 절연 막에 묻을 수 있다.
Claims (21)
- Ⅲ 원자가 인을 가지고 또 적어도 인결합수의 한개에 산소가 결합된 Si-O-P 구조를 가지는 인함유 화합물인 인산 디메틸 트리메틸실릴에스테르(phosphorous acid dimethyl trimethylsilylester):또는, 인산 디메톡시 트리메틸실릴에스테르(phosphorous acid dimethoxy trimethylsilylester):중 어느하나를 포함하는 반응가스를 이용하여 산소부족의 상태에서 상기 반응가스를 반응시키므로써, P2O3을 포함하는 실리콘함유절연막을 피퇴적기판상에 형성하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반응가스을 가열에 의해 또는 플라즈마화에 의해 여기되는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 성막중의 피퇴적기판을 온도 400℃ 이하로 가열하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 P2O3를 포함하는 실리콘 함유 절연 막은 인실리케이트 글라스 막(PSG 막) 또는 보론포스포실리케이트 글라스 막(BPSG막)인 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 1 항에 있어서,P2O3를 포함하는 실리콘 함유 절연 막을 성형한 후, 한층, 상기 성형막을 가열하여 유동화시켜 평탄화를 하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 형성막을 가열하는 온도는 500℃ 이하인 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 P2O3를 포함하는 실리콘 함유 절연 막을 형성한 후, 한층 산소를 포함하는 분위기 중에서 상기 성형막을 가열하고, 상기 성형막중의 P2O3을 P2O5로 변환하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 형성막을 가열하여 유동화시켜서 평탄화한 후, 한층 산소를 포함하는 분위기 중에서 상기 형성막을 가열하여 상기 성형막중의 P2O3를 P2O5로 변환하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 절연막상에 배선층을 형성하는 공정과,III가의 인을 가지고, 또한 적어도 결함수의 한개에 산소가 결합된 Si-O-P구조을 가지는 인함유화합물인 인산 디메틸 트리메틸실릴에스테르(phosphorous aciddimethyl trimethylsilylester):또는, 인산 디메톡시 트리메틸실릴에스테르(phosphorous acid dimethoxy trimethylsilylester):중 어느하나를 포함하는 반응가스를 이용하여 산소부족의 상태에서 상기 반응가스를 반응시키므로써, P2O3을 포함하는 실리콘함유절연막을 피퇴적기판상에 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기성형막중의 피퇴적기판을 온도 400℃ 이하로 가열하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,P2O3를 포함하는 상기 실리콘 함유 절연 막은 인실리케이트 글라스 막(PSG 막) 또는 보론포스포실리케이트 글라스 막(BPSG 막)인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 배선층의 재료는 알류미늄 또는 알류미늄합금인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기P2O3를 포함하는 실리콘 함유 절연 막을 형성한 후, 한층 상기형성막을 가열하고 유동화시켜서 평탄화하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 형성막을 가열하는 온도는 500℃ 이하인 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 9 항에 있어서,P2O3을 포함하는 실리콘함유절연막을 형성한후, 한층 산소를 포함하는 분위기 중에서 상기 형성막을 가열하고, 상기 형성막 중의 P2O3을 P2O5로 변환하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 형성막을 가열하고 유동화시켜서 평탄화한후, 한층 산소를 포함하는 분위기 중에서 상기 형성막을 가열하고 상기 형성막중의 P2O3를 P2O5로 변환하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 1항에 있어서,상기 반응가스는 상기 인함유화합물외에 알킬실란 또는 알릴실란(일반식 RnSiH4-n(n=1~4)), 알콕시실란(일반식 (Ro)nSiH4-n(n=1~4)), 연쇄 실록산(일반식(RnH3-nSiO(RkH2-kSiO)mSiH3-nRn(n=1~3;k=0~2;m≥0)), 연쇄 실록산의 유도체(일반식((RO)nH3-nSiOSiH3-n(OR)n(n=1~3))또는 환상 실록산(일반식(RkH2-kSiO)m(k=1, 2;m ≥2)) (R은 알킬기, 알릴기 또는 그의 유도체이다)로되는 실리콘함유화합물의 그룹 중 적어도 어느 하나을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 1항에 있어서,상기 반응가스는 상기 인함유화합물 및 상기 실리콘함유화합물외에, 또한, 오존(O3), 산소(O2), N2O, NO2, CO, CO2또는 H2O중 적어도 어느하나로된 산화성가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 11항에 있어서,상기 반응가스는 상기 인함유화합물외에 알킬실란 또는 알리실란(일반식 RnSiH4-n(n=1~4)), 알콕시실란(일반식 (Ro)nSiH4-n(n=1~4)), 연쇄실록산(일반식(RnH3-nSiO(RkH2-kSiO)mSiH3-nRn(n=1~3;k=0~2;m≥0)), 연쇄 실록산의 유도체(일반식((RO)nH3-nSiOSiH3-n(OR)n(n=1~3))또는 환상 실록산(일반식(RkH2-kSiO)m(k=1, 2;m≥2)) (R은 알킬기, 알릴기 또는 그의 유도체이다)로되는 실리콘함유화합물의 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 9항에 있어서,상기 반응가스는 상기 인함유화합물 및 상기 실리콘함유화합물외에, 또한, 오존(O3), 산소(O3), N2O, NO2, CO, CO2또는 H2O중 적어도 어느하나로된 산화성가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막방법.
- 제 9항에 있어서,상기 반응가스를 가열함으로써 또는 플라즈마에 의해 여기되는 것을 특징으로 하는 성막방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8288787A JP2983476B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
JP8-288787 | 1996-10-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980032093A KR19980032093A (ko) | 1998-07-25 |
KR100369427B1 true KR100369427B1 (ko) | 2003-03-26 |
Family
ID=17734723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970016419A KR100369427B1 (ko) | 1996-10-30 | 1997-04-30 | 성막방법및반도체장치의제조방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5915200A (ko) |
EP (1) | EP0840366B1 (ko) |
JP (1) | JP2983476B2 (ko) |
KR (1) | KR100369427B1 (ko) |
DE (1) | DE69705915T2 (ko) |
TW (1) | TW345686B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190013939A (ko) * | 2016-06-03 | 2019-02-11 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 하프니아 및 지르코니아의 기상 에칭 |
Families Citing this family (203)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3229276B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2001-11-19 | キヤノン販売株式会社 | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
US6150285A (en) | 1998-06-17 | 2000-11-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for simultaneous deposition and sputtering of TEOS |
US6136703A (en) * | 1998-09-03 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming phosphorus- and/or boron-containing silica layers on substrates |
JP3069336B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2000-07-24 | キヤノン販売株式会社 | 成膜装置 |
JP3251554B2 (ja) | 1998-12-04 | 2002-01-28 | キヤノン販売株式会社 | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2001007102A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体形成方法および半導体製造装置 |
JP2001284347A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2005338746A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置、並びにこれを備えた電子機器 |
KR100675895B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2007-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속배선구조 및 그 제조방법 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0141496A1 (en) * | 1983-08-31 | 1985-05-15 | Morton Thiokol, Inc. | Process for deposition silicon dioxide containing dopant onto a substrate |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4708884A (en) * | 1984-07-11 | 1987-11-24 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Low temperature deposition of silicon oxides for device fabrication |
EP0339385B1 (de) * | 1988-04-26 | 1994-09-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen borhaltiger und/oder phosphorhaltiger Silikatglasschichten für höchstintegrierte Halbleiterschaltungen |
DE69311184T2 (de) * | 1992-03-27 | 1997-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleitervorrichtung samt Herstellungsverfahren |
US5409743A (en) * | 1993-05-14 | 1995-04-25 | International Business Machines Corporation | PECVD process for forming BPSG with low flow temperature |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP8288787A patent/JP2983476B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-23 TW TW086105271A patent/TW345686B/zh active
- 1997-04-24 US US08/842,425 patent/US5915200A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-30 KR KR1019970016419A patent/KR100369427B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-06-02 DE DE69705915T patent/DE69705915T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-02 EP EP97108763A patent/EP0840366B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0141496A1 (en) * | 1983-08-31 | 1985-05-15 | Morton Thiokol, Inc. | Process for deposition silicon dioxide containing dopant onto a substrate |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190013939A (ko) * | 2016-06-03 | 2019-02-11 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 하프니아 및 지르코니아의 기상 에칭 |
KR102179230B1 (ko) * | 2016-06-03 | 2020-11-16 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 하프니아 및 지르코니아의 기상 에칭 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69705915T2 (de) | 2001-11-29 |
EP0840366B1 (en) | 2001-08-01 |
JPH10135203A (ja) | 1998-05-22 |
KR19980032093A (ko) | 1998-07-25 |
JP2983476B2 (ja) | 1999-11-29 |
DE69705915D1 (de) | 2001-09-06 |
EP0840366A3 (en) | 1999-01-27 |
TW345686B (en) | 1998-11-21 |
EP0840366A2 (en) | 1998-05-06 |
US5915200A (en) | 1999-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100369427B1 (ko) | 성막방법및반도체장치의제조방법 | |
US5840631A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US6727190B2 (en) | Method of forming fluorine doped boron-phosphorous silicate glass (F-BPSG) insulating materials | |
US5554570A (en) | Method of forming insulating film | |
US5334552A (en) | Method for fabricating a semiconductor device having a multi-layered interconnection structure | |
US7084079B2 (en) | Method for low temperature chemical vapor deposition of low-k films using selected cyclosiloxane and ozone gases for semiconductor applications | |
US5576247A (en) | Thin layer forming method wherein hydrophobic molecular layers preventing a BPSG layer from absorbing moisture | |
US4885262A (en) | Chemical modification of spin-on glass for improved performance in IC fabrication | |
US20070281495A1 (en) | Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for sti: usage of different siloxane-based precursors for harp ii - remote plasma enhanced deposition processes | |
JP4032044B2 (ja) | 成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
Vassiliev et al. | Growth Kinetics and Deposition‐Related Properties of Subatmospheric Pressure Chemical Vapor Deposited Borophosphosilicate Glass Film | |
KR100339820B1 (ko) | 성막방법 및 반도체장치의 제조방법 | |
JP2004200626A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3256708B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6432839B2 (en) | Film forming method and manufacturing method of semiconductor device | |
JPH09293716A (ja) | フッ素含有絶縁膜の形成方法 | |
JPH06283519A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3401322B2 (ja) | 絶縁膜を有する半導体装置の製造方法 | |
JPH0729901A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH07193129A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3070894B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP4426808B2 (ja) | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2856307B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JPH0697163A (ja) | 薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP3612859B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |