KR100329001B1 - 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판 - Google Patents
정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100329001B1 KR100329001B1 KR1019990005956A KR19990005956A KR100329001B1 KR 100329001 B1 KR100329001 B1 KR 100329001B1 KR 1019990005956 A KR1019990005956 A KR 1019990005956A KR 19990005956 A KR19990005956 A KR 19990005956A KR 100329001 B1 KR100329001 B1 KR 100329001B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- glass
- ceramic substrate
- magnetic storage
- storage medium
- solid solution
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910000500 β-quartz Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052634 enstatite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- BBCCCLINBSELLX-UHFFFAOYSA-N magnesium;dihydroxy(oxo)silane Chemical compound [Mg+2].O[Si](O)=O BBCCCLINBSELLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 38
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 35
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 26
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 14
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 12
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 12
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 9
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 9
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 2
- WVMPCBWWBLZKPD-UHFFFAOYSA-N dilithium oxido-[oxido(oxo)silyl]oxy-oxosilane Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si](=O)O[Si]([O-])=O WVMPCBWWBLZKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- SKIIKRJAQOSWFT-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[1-(2,2-difluoroethyl)piperidin-4-yl]oxy-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound FC(CN1CCC(CC1)OC1=NN(C=C1C=1C=NC(=NC=1)NC1CC2=CC=CC=C2C1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)F SKIIKRJAQOSWFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017682 MgTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 foreign matters Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N oxobarium;oxo(oxoferriooxy)iron Chemical compound [Ba]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 229910052642 spodumene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021493 α-cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021494 β-cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/842—Coating a support with a liquid magnetic dispersion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0054—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing PbO, SnO2, B2O3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0081—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition having a magnetic crystal phase
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Abstract
정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스 세라믹 기판은 37 ∼63 범위의 영 율(Young's modulus)/비중 비를 가지고, 10% ∼ 20% 미만 범위내의 Al2O3를 포함한다. 이 글래스 세라믹의 주결정상은 β-석영, β-석영 고용체, 엔스타타이트, 엔스타타이트 고용체, 포스테라이트, 포스테라이트 고용체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 그 이상의 결정으로 이루어진다.
Description
이 발명은 정보 기억 장치에 사용되는 정보 자기 기억 매체용 기판 특히, 글래스-세라믹(glass-ceramic) 기판에 관한 것으로, 더욱 상세하게 말하자면 주로 램프 로딩 시스템(ramp loading system)에 사용되는 니어 컨택 레코딩(near contact recording)이나 컨택 레코딩의 사용에 적합한 매우 평활한 기판 표면을 가지고, 기억 매체의 고속 회전에 대응할 수 있는 높은 영 율(Young's modulus)과, 낮은 비중(specific gravity)을 가지는 자기 디스크 기판과 같은 정보 자기 기억 매체용 글래스 세라믹 기판에 관한 것이다.
이 발명은 또한 정보 자기 기억 매체용 글래스 세라믹 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한 이 발명은 이러한 정보 자기 기억 매체용 글래스-세라믹 기판 상에 막(film)을 형성하여 만들어지는 자기 정보 기억 매체에 관한 것이다. 본 명세서에 있어서, '자기 정보 기억 매체'는 개인 컴퓨터용 소위 하드 디스크 등으로 각각 사용되는 고정형 하드 디스크, 이동가능형 하드 디스크, 카드형 하드 디스크와, 데이터 저장용으로 사용될 수 있고, 또한 디지탈 비디오 카메라와 디지탈 카메라에 사용될 수 있는 디스크 형태인 다른 정보 자기 기억 매체를 의미한다.
최근에 종래의 고정형 자기 정보 기억 매체에 대하여, 이동가능형 또는 카드형 정보 자기 기억 장치가 검토되어 실용 단계에 있으며, 디지탈 비디오 카메라와 디지탈 카메라로의 용도전개(用途展開)가 시작되고 있다. 이러한 경향에 의해 개인 컴퓨터의 멀티 미디어(multi media)화, 디지탈 비디오 카메라와 디지탈 카메라의 보급이 급속도로 진행되고 있고, 동영상이나 음성 등의 큰 사이즈의 데이터를 취급하기 위하여, 보다 큰 기억 용량을 가지는 정보 자기 기억 장치에 대한 요구가 증가되고 있다.
이러한 요구에 대응하기 위하여, 정보 자기 기억 매체에서 자체의 비트와 트랙 밀도를 증가시키고, 비트 셀의 크기를 감소시켜 표면 기록 밀도를 증가시키는 것이 요구된다. 한편, 자기 헤드에 대해서는, 자기 헤드가 비트 셀의 감소에 따라디스크 표면에 보다 근접하여 작용하는 니어 컨택 레코딩 시스템과 또한 컨택 레코딩 시스템을 채용하는 경향이 증가되고 있다.
알루미늄 합금은 종래에 자기 정보 기억 매체 기판의 재료로 사용되었다. 그러나 알륨미늄 합금 기판은 재료 고유의 결점에 의하여 연마 공정 동안 돌기(projection) 또는 스포트(spot) 형상의 요철을 생성하는 경향이 있다. 그 결과, 알루미늄 합금 기판은 위에 기술된 높은 기록 밀도를 가지는 자기 정보 기억 매체 기판으로서는 평탄성(平坦性, flatness), 평활성(平滑性, smoothness)이 떨어진다. 또한, 알륨미늄 기판은 부드러운 재료이기 때문에, 자체의 영 율과 기판 경도(hardness)가 낮으므로 고속으로 디스크 드라이브를 회전시키는 동안에 진동이심하게 발생하여 디스크의 변형을 야기시키며, 따라서, 디스크를 보다 얇게 만드는 요구에 대응하는 것이 어렵다. 더욱이, 디스크는 자기 헤드와의 접촉에 의하여 변형되는 경향이 있으므로 디스크의 내용을 손상시킨다. 따라서, 알루미늄 합금은 높은 기록 밀도로 기록하기 위한 요구에 충분하게 대응할 수가 없다.
이러한 알루미늄 합금 기판의 문제점을 해결하기 위한 재료로서, 일본 특허 출원 공개 번호 평 8-48537호와 동 출원 공개 번호 평 5-32431호에 개시된 알루미노 실리케이트(alumino silicate) 글래스 (SiO2, -Al2O3, -Na2O) 등의 화학적으로 강화된 글래스가 알려져 있다.
그러나 이 재료는 다음과 같은 문제점이 있다.
(1) 화학적 강화(强化) 처리 후에 연마가 이루어지기 때문에, 화학적으로 강화된 층이 디스크를 보다 얇게 만드는데 매우 불안정하다. 또한, 화학적으로 강화된 층이 장시간 사용 후에 변화되어 디스크의 자기 특성을 악화시킨다.
(2) 화학적으로 강화된 글래스가 자체의 필수 성분으로서 Na2O와 K2O를 함유하기 때문에 글래스의 막 형성 특성에 불리하게 영향을 주고, Na2O와 K2O 성분의 용리(elution)를 방지하기 위하여 글래스의 전체 표면상에 배리어 코팅(barrier coating)을 하는 것이 필요하게 되고, 이것은 제품의 저코스트 안정 생산성을 어렵게 하는 결점이 있다.
(3) 화학적 강화는 글래스의 기계적 강도(strength)를 향상시키기 위하여 이루어지지만 이것은 기본적으로 글래스의 표면층과 내부층 내의 강화 응력을 이용함으로써, 영 율은 일반적인 아몰퍼스(amorphous) 글래스와 동등한 83 GPa 이거나 그 이하이다. 그러므로, 높은 회전 속도를 가지는 디스크에 글래스를 이용하는 것은 한계가 있으며, 이에 따라 고밀도 자기 기억 매체용 기판으로서의 특성은 불충분하다.
알루미늄 합금 기판과 화학적으로 강화된 글래스 기판을 제외하고, 해당 기술 분야에 알려진 것으로 몇 개의 글래스-세라믹 기판이 있다. 예를 들면, 일본 특허 출원 공개 번호 평9-35234호와 EP0781731A1은 Li2O-SiO2계 조성(comporition)으로 이루어진 자기 디스크용 글래스-세라믹 기판을 개시하며, 이규산 리튬(lithium disilicate)과 β-리티아 휘석(spodumene)의 결정상(crystal phases)과, 또는 이규산 리튬과, β-크리스토발리트(cristobalite)의 결정상을 가진다. 그러나 이러한 공보에서, 고속 회전에 대하여 영 율과 비중의 관계가 전혀 검토되고 있지 않고, 어떤 시사도 고려되고 있지 않다. 이러한 글래스-세라믹의 영 율의 상한값은 단지 100 GPa이다.
이러한 낮은 영 율을 개선시키기 위하여, 일본 특허 출원 공개 번호 평9-77531호는 주결정상(predominant crystal phase)으로서 다량의 스피넬 결정(spinel crystal)과, 부결정상으로서 MgTi2O5와 그외의 다른 결정을 함유하는 SiO2-Al2O3-MgO-ZnO-TiO2계의 글래스-세라믹을 개시하고 있으며, 93.4Gpa 내지 160.11GPa의 영 율과, 이 글래스-세라믹으로 이루어진 고강성의 자기 디스크용 기판을 가진다.
글래스-세라믹은 주결정상으로서 (Mg/Zn)Al2O3및/또는 (Mn/Zn)2TiO4로 표현되고 다량의 Al2O3를 포함하는 스피넬 결정을 가지며, 부결정상으로서 다수의 다른 부가적인 결정을 가진다. 이 글래스-세라믹은 뒤에 기술되는 비교적 소량의 Al2O3를 포함하고 높은 영 율과 낮은 비중을 가지는 본 발명의 글래스-세라믹과는 현저히 다르다. 이러한 다량의 Al2O3의 첨가는 원(原, base) 글래스의 용융성(melting property)의 악화, 내실투성(耐失透性)의 악화 등의 문제점이 발생하여, 생산성도 바람직하지 않다.
또한, 이 공보에는 고속 회전시에 필요한 영 율(GPa)/비중의 관계와 그 자체의 비중값이 전혀 검토되고 있지 않으며, 이것에 대한 시사도 전혀 고려되고 있지 않다. 특히, 이 공보에서 비중은 2.87 또는 그 이상의 높은 값을 가진다. 그러므로, 이 공보는 단지 단단한 재료로 이루어진 글래스-세라믹 기판을 제안하고 있다. 더욱이, 이 계의 글래스-세라믹은 너무 단단하기 때문에 가공성이 떨어짐으로써, 큰 규모의 생산에는 적합하지 않은 치명적인 문제점을 가지고 있으며, 이에 따라 고밀도 정보 자기 기억 매체용 기판으로서 이 글래스-세라믹을 개선시키는 것은 아직도 충분하지 않다.
그러므로, 발명의 목적은 상기한 종래 재료의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 상기와 같은 높은 기록 밀도로 기록하는 경향에 대응할 수 있는 즉, 뛰어난 용융성, 내실투성과 가공성, 고기억밀도의 컨택 레코딩(contact reconding)에 대응하여 기판 표면이 뛰어난 평활성을 가지고, 동시에 디스크의 고속 회전 드라이브에 적합한 높은 값의 영 율과, 낮은 값의 비중 특성을 가지는 정보 자기 기억 매체용 글래스-세라믹 기판을 제공하기 위한 것이다.
이 발명의 다른 목적은 이 글래스-세라믹 기판을 제조하는 방법을 제공하기 위한 것이다.
이 발명의 다른 목적은 이 글래스-세라믹 기판상에 자기 매체의 피막을 형성하여 이루어지는 자기 정보 기억 매체를 제공하기 위한 것이다.
본 발명자는 이러한 이 발명의 목적을 달성하기 위하여 전심으로 시험 연구를 반복한 결과, 디스크의 고속 회전 구동에 대응하기 위해서는 정보 자기 기억 매체 기판은 고속 회전시에 휨(deflection)에 의하여 발생되는 디스크의 진동을 방지할 정도로, 반드시 높은 강성과, 낮은 비중을 가져야 하며, 이를 위한 최적의 기판의 영 율과 비중의 비는 영 율(GPa)/비중 = 37∼63 인 것을 발견하고, 본 발명을 고안하였다.
이 발명의 발명자는 정보 자기 기억 매체용 글래스-세라믹 기판이, β-석영(quartz), β-석영 고용체(固溶體, solid solution), 엔스타타이트(enstatite), 엔스타타이트 고용체, 포스테라이트(fosterite), 포스테라이트 고용체로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 또는 그 이상으로 한정된 주결정상을 가지고, 미세한 구형상의 입자인 석출(析出) 결정 입자를 가지고, 뛰어난 용융성, 내실투성, 연마 가공성을 가지고, 연마후 표면의 평탄성과 평활성이 보다우세하고, 디스크의 고속 회전 구동에 대응할 수 있는 높은 값의 영 율과 낮은 값의 비중을 가지도록 제조될 수 있음을 알았다.
이 발명의 목적을 달성하기 위하여, 영 율(GPa)/비중 = 37 ∼ 63의 범위내이고, 10% ∼ 20% 미만 범위내의 Al2O3을 함유하고, β-석영, β-석영 고용체, 엔스타타이트, 엔스타타이트 고용체, 포스테라이트, 포스테라이트 고용체 로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 또는 그 이상으로 한정된 주결정상을 가지는, 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판을 제공한다.
이 발명의 특징에서, 고강성 글래스-세라믹 기판은 실질적으로 Na2O, K2O 와 PbO를 함유하지 않는다.본원에서 '실질적으로 함유하지 않는'이라 함은 불순물로서 미량 혼입된 것은 함유하나 의식적으로 첨가된 것은 함유하지 않음을 의미하는 것이다.
이 발명의 다른 특징에서, 이 기판은 다음의 중량 퍼센트로 이루어진 산화물을 기준으로 표현되는 조성물을 가지는 원 글래스를 열처리하여 얻어진다.
| SiO2 | 40 - 60 % |
| MgO | 10 - 20% |
| Al2O3 | 10 - 20% 미만 |
| P2O5 | 0.5 - 2.5% |
| B2O3 | 1 - 4% |
| Li2O | 0.5 - 4% |
| CaO | 0.5 - 4% |
| ZrO2 | 0.5 - 5% |
| TiO2 | 2.5 - 8% |
| Sb2O3 | 0.01 - 0.5% |
| As2O3 | 0 - 0.5% |
| SnO2 | 0 - 5% |
| MoO3 | 0 - 3% |
| CeO | 0 - 5% |
| Fe2O3 | 0 - 5% |
이 발명의 다른 특징에서, 대표적인 주결정상의 입자경은 0.05㎛ ∼ 0.30㎛까지의 범위내이다.
이 발명의 다른 특징에서, -50℃∼70℃까지의 범위내의 열 팽창 계수는 30×10-7/℃ 부터 50 ×10-7/℃ 까지의 범위내이다.
이 발명의 다른 특징에서, 연마후의 기판 표면은 3Å ∼ 9Å의 표면 조도(組度)(Ra)와 100Å 또는 그 이하의 최대 표면 조도(Rmax)를 가진다.
이 발명의 다른 특징에서, 원 글래스를 용융시키는 단계와, 용융된 글래스를 소정 형태로 성형(molding)하는 단계와, 형성된 글래스를 냉각(annealing)시키는 단계와, 다음에 650℃ ∼ 750℃의 범위내의 핵형성(nucleation) 온도와, 750℃ ∼1050℃의 범위내의 결정화(結晶化, crystallization) 온도에서 글래스를 열처리하는 단계로 이루어지는 고강성 글래스-세라믹 기판을 제조하는 방법을 제공한다.
이 발명의 다른 특징에서, 이 고강성 글래스-세라믹 기판 상에 형성되는 자기 매체의 피막을 가지는 자기 정보 기억 디스크를 제공한다.
이 명세서에서, 고용체는 일부분이 다른 성분으로 치환되거나 다른 성분이 혼합되어 있는 위에 기술된 각 결정을 의미한다. β 석영 고용체는 일부분이 Si 이외의 요소로 치환되거나, Si 이외의 요소가 혼합되는 β 석영 결정을 의미한다. β 석영 고용체는 Si 대신에 일대일의 비율로 Li와 Al이 부분적으로 사용된 β 뉴크립타이트(eucryptite) (β-Li2O·Al2O3·2SiO2)와, 일부분이 다른 요소로 치환되거나 다른 요소가 혼합된 β 뉴크립타이트 결정인 β 뉴크립타이트 고용체와, 이들의 혼합물을 포함한다.
이 발명의 글래스-세라믹의 물리적 특성, 주결정상, 결정 입자경, 표면 특성 및 조성을 제한하는 이유는 다음에 설명된다. 글래스-세라믹의 조성은 원 글래스에서와 같이 산화물 기준으로 표시된다.
영 율과 비중에 대하여 먼저 기술한다. 이전에 기술한 바와 같이, 기록 밀도와 데이터 전송율을 향상시키기 위하여 고속 회전으로 자기 정보 기억 매체를 구동시키는 경향이 증가하고 있다. 이러한 경향을 충분히 따르기 위하여, 이 발명의 발명자는 디스크가 10.000 rev/min 또는 그 이상으로 고속 회전하는 동안에 발생하는 디스크의 휨에 의하여 야기되는 진동을 방지하기 위하여, 정보 자기 기억 매체용 재료가 반드시 고강성과 저비중을 가져야만 한다는 것을 알았다.
높은 강성을 가지나 낮은 비중을 가지는 디스크는 고속 회전동안 디스크의 휨을 야기시켜서 진동을 발생시킨다. 재료의 물리적 특성의 명백하게 상반된 발란스 즉, 고강성과 저비중이 적용되어야 하고, 그 범위는 영 율(GPa)/비중 = 37 ∼ 63의 범위인 것을 알았다.
영 율(GPa)/ 비중의 바람직한 범위는 40 ∼ 63이며, 보다 바람직한 범위는 47 ∼ 63이며, 가장 바람직한 범위는 50 ∼ 63이다. 강성의 바람직한 범위 즉, 진동을 방지하는 관점에서, 비록 재료가 저비중이더라도 바람직하게는 적어도 120 Gpa의 강성을 가져야 하지만, 가공성과 비중의 증가를 고려하여 강성의 상한값은 바람직하게 150 GPa이어야 한다.
비중에도 동일하게 적용된다. 즉, 진동을 방지하는 관점에서, 재료 자체의 무게로 인하여 고속 회전 동안에 다른 진동이 발생하는 경향이 있기 때문에, 재료는 비록 고강성을 가져도 바람직하게는 3.50 또는 미만의 비중을 가져야 하지만, 요구되는 강성을 가지는 기판을 얻기가 어렵기 때문에 재료는 바람직하게 2.3 또는 그 이상의 비중을 가져야 한다. 이러한 관점으로부터 비중의 보다 바람직한 범위는 2.5 ∼ 3.3이다.
기판용 재료가 Na2O, K2O를 함유한다면, 기판의 온도가 높은 온도로 상승되는 경우(이 현상은 바륨 페라이트(baruim ferrite) 수직 자화막에 특히 현저하게 나타난다.), 막 형성 공정 동안 이러한 성분의 Na 이온, K 이온이 자성막속으로 확산하여 자성막 입자의 조대화나, 자성막의 배향성(配向性)의 악화가 야기된다. 그러므로 기판의 재료는 실질적으로 이러한 성분을 함유하지 않는 것이 중요하다. 기판의 재료는 또한 환경 문제로 인하여 바람직하지 않은 PbO를 실질적으로 함유하지 않아야 한다.
다음에 이 발명의 기판의 주결정상에 대하여 설명한다.
기판의 주결정상은 β-석영, β-석영 고용체, 엔스타타이트, 엔스타타이트 고용체, 포스테라이트, 포스테라이트 고용체로 이루어진 그룹중에서 하나 또는 그 이상으로 이루어진다. 이러한 결정상은 가공성이 뛰어나고, 강성을 증가시키는데 기여하고, 비교적 저비중으로 할 수 있고, 매우 작은 입자경을 가지는 석출 결정을 가질 수 있는 이점을 가지기 때문이다. 각 결정상에 있어서, β 석영, 엔스타타이트, 포스테라이트의 석출 및 함유비(content ratio)는 MgO와 SiO2의 함유비에 의하여 결정된다. 이러한 3개의 결정상의 석출 및 함유비와 이 3개의 결정상의 고용체는 MgO, SiO2와 그외 다른 성분의 함유비에 의하여 결정된다.
석출 결정의 결정 입자경과 표면 조도에 대하여 설명한다. 이전에 기술한 바와 같이, 기록 밀도의 향상을 위한 니어 컨택 레코딩 시스템과 컨택 레코딩 시스템에 대응하기 위하여, 자기 정보 기억 매체의 기판의 평활성은 반드시 종래의 자기 매체에 비하여 향상되어야 한다. 종래 수준의 평활성을 가지는 자기 매체상에 정보를 높은 밀도로 입력하거나 출력하고자 하면, 자기 헤드와 자기 매체의 표면 상의 거리가 너무 멀기 때문에 자기 신호의 입력과 출력이 수행될 수 없다. 이 거리를 감소시키고자 한다면, 자기 헤드는 자기 매체의 돌기와 충돌하게 되어 자기 헤드 또는 자기 매체가 손상되게 된다.
니어 컨택 레코딩 시스템과 컨택 레코딩 시스템에 대응하기 위하여, 기판은 3Å ∼ 9Å의 표면 조도(Ra)와, 100Å 또는 그 이하의 최대 표면 조도(Rmax)의 형태로 표현되는 평활성을 가져야 한다. 바람직하게, 표면 조도(Ra)는 3Å ∼ 7Å이어야 하고, 최대 표면 조도(Rmax)는 95Å 또는 그 이하이어야 한다. 보다 바람직하게, 표면 조도(Ra)는 3Å ∼ 6Å이어햐 하고, 최대 표면 조도(Rmax)는 90Å 또는 그 이하이어야 한다.
이 발명에서와 같이, 고강성과 고평활성(데이타 영역에서 3Å∼9Å)을 가지는 글래스-세라믹 기판을 얻기 위하여, 결정 입자경과 결정 입자 형상은 중요한 인자(因子)임을 알았다. 청구항에 규정된 직경의 범위보다 크거나 작은 입자경을 가지는 기판은 요구되는 강도와 표면 조도를 얻을 수 없다.
비트수와 트랙 밀도를 증가시키고, 비트셀의 크기를 감소시키는데 있어서, 자성막과 기판사이의 열 팽창 계수의 차이는 이러한 목적을 달성하는데 크게 영향을 끼친다. 이러한 이유 때문에, -50℃ ∼ +70℃의 온도 범위 내의 열 팽창 계수는 30×10-7/℃ ∼ 50×10-7/℃의 범위 이내가 바람직하다.
이 발명에 따른 글래스-세라믹 기판에서, 다음에 기술되는 이유 때문에 위에 기술된 대표적인 성분의 함유 범위가 선택된다.
SiO2성분은 원 글래스를 열처리하여, 주결정상으로서 β-석영, β-석영 고용체, 엔스타타이트, 엔스타타이트 고용체, 포스테라이트, 포스테라이트 고용체 결정을 형성하는 매우 중요한 성분이다. 이 성분의 양이 40% 미만이면, 얻어지는 글래스-세라믹의 석출 결정상은 불안정하고, 그 조직이 너무 조대화(粗大化) 되기 쉬우며, 이에 반하여, 이 성분의 양이 60%를 초과하면 원 글래스를 용융시키고 성형하는데 어려움이 발생한다. 결정상을 석출하는데에는 열 처리 조건도 중요한 인자이다. 열 처리 조건을 확장시킬 수 있는 이 성분의 바람직한 범위는 48.5% ∼58.5%이다.
MgO 성분은 원 글래스를 열처리하여, 주결정상으로서 β-석영, β-석영 고용체, 엔스타타이트, 엔스타타이트 고용체, 포스테라이트, 포스테라이트 고용체 결정을 형성하는 중요한 성분이다. 이 성분의 양이 10% 미만이면, 획득된 글래스-세라믹의 석출 결정이 불안정하고, 그 조직이 너무 조대화되고, 용융 특성이 악화된다. 이 성분의 양이 20%를 초과하면, 원 글래스의 용융 특성과 내실투성이 감소된다.SiO2성분과 동일한 이유에 따라, 이 성분의 바람직한 범위는 12% ∼18%이다.
Al2O3성분은 원 글래스를 열처리하여 주결정상으로서 β-석영, β-석영 고용체를 형성하는 매우 중요한 성분이다. 이 성분의 양이 10% 미만이면 획득된 글래스 -세라믹의 석출 결정이 불안정하고, 그 조직이 너무 조대화되며, 이에 반하여 이 성분의 양이 20%를 초과하면 용융 특성과 내실투성이 악화된다. 위에 기술한 동일한 이유에 따라, 이 성분의 바람직한 범위는 12% ∼ 18%이다.
글래스의 핵형성제로서 작용하는 P2O5성분은 주조시에 원 글래스의 용융 특성과 내실투성을 향상시키는데 효과적이다. 이 성분의 양이 0.5 % 미만이면 이러한 효과를 얻을 수 없으며, 이에 반하여 이 성분의 양이 2.5%를 초과하면 내실투성이 감소된다. 이 성분의 바람직한 범위는 1% ∼ 2%이다.
B2O3성분은 원 글래스의 용융 및 성형시에 점도를 조절하는데 효과적이다. 이 성분의 양이 1% 미만이면 이러한 효과를 얻을 수 없으며, 이에 반하여 이 성분의 양이 4%를 초과하면 원 글래스의 용융 특성이 악화되고, 글래스-세라믹의 석출 결정이 불안정하고, 조직이 너무 조대화된다. 이 성분의 바람직한 범위는 1% ∼ 3%이다.
Li2O성분은 원 글래스를 열처리하여, 주결정상으로서 β-석영 고용체를 형성하고 원글래스의 용융 특성을 향상시키는데 매우 중요한 성분이다. 이 성분의 양이 0.5% 미만이면 이러한 효과를 얻을 수 없으며, 이에 반하여 이 성분의 양이 4%를초과하면 글래스-세라믹의 석출 결정이 불안정하고, 그 조직이 너무 조대화된다. 이 성분의 바람직한 범위는 1% ∼ 3%이다.
CaO 성분은 원 글래스의 용융 특성을 향상시킴과 동시에 석출 결정이 너무 조대화되는 것을 방지한다. 이 성분의 양이 0.5% 미만이면 이러한 효과를 얻을 수 없으며, 이에 반하여 이 성분의 양이 4%를 초과하면 요구되는 결정을 얻을 수 없으며 글래스-세라믹의 석출 결정이 너무 조대화되고, 화학적 내구성이 보다 악화된다. 이 성분의 바람직한 범위는 1% ∼ 3%이다.
ZrO2와 TiO2성분은 글래스의 핵형성제로 작용하는 매우 중요한 성분이고, 보다 미세한 석출 결정 입자를 형성하고, 재료의 기계적 강도와 화학적 내구성을 향상시키는데 효과적이다. 이 ZrO2성분의 양이 0.5% 미만이고, TiO2성분의 양이 2.5%이면, 이러한 효과를 얻을 수 없다. ZrO2성분의 양이 5%를 초과하고, TiO2성분의 양이 8%를 초과하면 원 글래스를 용융시키는데 어려움이 발생하고, ZrSiO4와 같은 불순물이 생성되어 용융되지 않은체 남겨지고, 또한 원 글래스의 내실투성이 감소된다. 그 결과, 결정화 공정시에 결정경의 비정상적인 입자 성장을 야기시킨다. ZrO2성분의 바람직한 범위는 1% ∼ 4% 이고, TiO2성분의 적절한 범위는 3% ∼7.5%이다. ZrO2와 TiO2성분의 합계량은 바람직하게는 9%를 초과하지 않아야 한다. ZrO2와 TiO2성분의 합계량의 보다 바람직한 범위는 3% ∼ 8%이다.
Sb2O3및/또는 Ar2O3성분은 글래스의 용융시에 청징제(淸澄濟, refiningagent)로서 첨가될 수 있다. 이러한 성분 중 1종 또는 2종의 합계량은 2%까지 첨가되는 것이 충분하다.
SnO2, MoO3, CeO 와 Fe2O3성분은 글래스의 착색제로서 또는 기판을 착색하여 기판의 표면상의 결함을 검출하는 감도를 향상시키고, LD 여기 고체 레이저의 레이저 흡수 특성을 향상시키기 위하여, 각 성분의 합계량이 5%까지 첨가될 수 있다. MoO3에 대하여, 이 성분은 3%까지 첨가되면 충분하다. SnO2와 MoO3성분은 열처리전의 글래스 상태에서 빛 투과성을 가지고, 결정화 처리 후에는 착색 특성을 가지는 중요한 성분이다.
이 발명에 따른 정보 자기 기억 매체용 글래스-세라믹 기판을 제조하기 위하여, 위에 기술된 조성을 가지는 원 글래스를 용융하고, 열간성형 또는/그리고 냉간 가공하고, 1시간 ∼ 12시간 동안 650℃ ∼ 750℃의 범위내의 온도하에서 열처리하여 결정핵을 생성하고, 1시간 ∼ 12시간 동안 750℃ ∼ 1050℃의 범위내의 온도하에서 열처리하여 결정화한다.
실시예
다음에, 이 발명의 최적의 실시예에 대하여 설명한다.
표1 내지 표6은 이 발명에 따라 형성되는 정보 자기 기억 매체용 글래스-세라믹 기판의 조성예(No.1 내지 No.14)와, 3개의 비교예 즉, 종래의 화학적 강화된 알루미노 실리게이트(alumino-silicate) 글래스(일본 특허 출원 공개 번호 평8-48537)인 비교예 No.1, Li2O - SiO2글래스-세라믹(일본 특허 출원 공개 번호 평9-35234)인 비교예 No.2, SiO2-Al2O3-MgO-ZnO-TiO2글래스-세라믹(일본 특허 출원 공개 번호 평9-77531)인 비교계 No.3를, 핵형성 온도, 결정화 온도, 결정상, 결정 입자경, 영 율, 비중, 영 율(GPa)/비중, 연마 후의 표면 조도(Ra), 연마 후의 최대 표면 조도(Rmax), -50℃ ∼ +70℃의 범위에서의 열 팽창 계수와 함께 나타낸다. β-석영 고용체는 'β-석영 SS'로 표현된다. 대표적인 성분의 양은 중량 퍼센트로 표현된다.
| 실시예 | |||
| 1 | 2 | 3 | |
| SiO2 | 52.2 | 52.2 | 52.2 |
| MgO | 12.0 | 12.0 | 12.0 |
| Al2O3 | 17.0 | 16.0 | 16.0 |
| P2O5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
| B2O3 | 3.0 | 3.5 | 4.0 |
| Li2O | 2.0 | 2.5 | 2.0 |
| CaO | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
| ZrO2 | 2.0 | 1.5 | 1.5 |
| TiO2 | 5.0 | 5.5 | 5.5 |
| Sb2O3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 |
| As2O3 | - | - | - |
| SnO2 | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
| MoO3 | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
| CeO | - | - | - |
| Fe2O3 | - | - | - |
| 핵형성 온도 (℃) | 650 | 600 | 650 |
| 결정화 온도(℃) | 1000 | 800 | 900 |
| 주결정상과 입자경 | β-석영 SS0.1㎛ | β-석영 SS0.1 ㎛ | β-석영 SS0.1㎛ |
| 엔스타타이트0.05㎛ | 엔스타타이트0.05㎛ | 엔스타타이트0.05㎛ | |
| 영 율(Young's modulus)(GPa) | 120 | 128 | 135 |
| 비중 (g/cc) | 2.65 | 2.65 | 2.67 |
| 영 율(GPa)/비중 | 45.3 | 48.3 | 50.6 |
| 표면 조도 Ra (Å) | 7 | 5 | 8 |
| 최대 표면 조도 Rmax (Å) | 76 | 61 | 84 |
| 열팽창 계수(×10-7/℃) (-50℃∼ +70℃) | 43 | 48 | 45 |
| 실시예 | |||
| 4 | 5 | 6 | |
| SiO2 | 52.2 | 56.0 | 41.0 |
| MgO | 12.0 | 13.0 | 16.0 |
| Al2O3 | 16.0 | 15.0 | 20.0 |
| P2O5 | 1.5 | 1.5 | 2.0 |
| B2O3 | 3.5 | 3.5 | 4.0 |
| Li2O | 2.0 | 2.5 | 2.0 |
| CaO | 2.5 | 3.5 | 3.9 |
| ZrO2 | 1.5 | 1.0 | 2.5 |
| TiO2 | 5.5 | 3.5 | 3.5 |
| Sb2O3 | 0.3 | 0.5 | 0.2 |
| As2O3 | - | - | - |
| SnO2 | 1.5 | - | 4.9 |
| MoO3 | 1.5 | - | - |
| CeO | - | - | - |
| Fe2O3 | - | - | - |
| 핵형성 온도 (℃) | 700 | 650 | 670 |
| 결정화 온도(℃) | 1000 | 750 | 800 |
| 주결정상과 입자경 | β-석영 SS0.1㎛ | β-석영 SS0.1 ㎛ | β-석영 SS0.1㎛ |
| 엔스타타이트0.05㎛ | 엔스타타이트0.05㎛ | 엔스타타이트0.05㎛ | |
| 영 율(Young's modulus)(GPa) | 157 | 120 | 122 |
| 비중 (g/cc) | 2.71 | 2.50 | 2.53 |
| 영 율(GPa)/비중 | 57.9 | 48.0 | 48.2 |
| 표면 조도 Ra (Å) | 7 | 4 | 6 |
| 최대 표면 조도 Rmax (Å) | 68 | 48 | 59 |
| 열팽창 계수(×10-7/℃) (-50℃∼+70℃) | 41 | 50 | 48 |
| 실시예 | |||
| 7 | 8 | 9 | |
| SiO2 | 51.4 | 46.1 | 49.0 |
| MgO | 11.0 | 18.0 | 19.0 |
| Al2O3 | 18.0 | 15.0 | 11.0 |
| P2O5 | 2.0 | 0.5 | 2.5 |
| B2O3 | 1.4 | 1.5 | 3.5 |
| Li2O | 0.5 | 3.5 | 3.9 |
| CaO | 2.5 | 3.5 | 0.5 |
| ZrO2 | 0.5 | 1.0 | 4.7 |
| TiO2 | 7.7 | 7.5 | 2.5 |
| Sb2O3 | 0.01 | 0.01 | 0.1 |
| As2O3 | 0.09 | 0.39 | 0.3 |
| SnO2 | - | 1.5 | 1.5 |
| MoO3 | - | 1.5 | 1.5 |
| CeO | 4.9 | - | - |
| Fe2O3 | - | - | - |
| 핵형성 온도 (℃) | 690 | 710 | 730 |
| 결정화 온도(℃) | 850 | 900 | 1000 |
| 주결정상과 입자경 | β-석영 SS0.1㎛ | β-석영 SS0.1 ㎛ | β-석영 SS0.1㎛ |
| 엔스타타이트0.05㎛ | 엔스타타이트0.05㎛ | 엔스타타이트0.20㎛ | |
| 영 율(Young's modulus)(GPa) | 128 | 130 | 140 |
| 비중 (g/cc) | 2.62 | 2.70 | 2.80 |
| 영 율(GPa)/비중 | 48.9 | 48.1 | 50.0 |
| 표면 조도 Ra (Å) | 7 | 7 | 9 |
| 최대 표면 조도 Rmax (Å) | 73 | 68 | 92 |
| 열팽창 계수(×10-7/℃) (-50℃∼ +70℃) | 47 | 45 | 37 |
| 실시예 | |||
| 10 | 11 | 12 | |
| SiO2 | 59.7 | 56.8 | 60.0 |
| MgO | 13.0 | 14.0 | 10.5 |
| Al2O3 | 12.0 | 14.0 | 16.0 |
| P2O5 | 1.0 | 1.0 | 1.0 |
| B2O3 | 2.5 | 2.0 | 1.0 |
| Li2O | 1.0 | 1.0 | 0.7 |
| CaO | 0.5 | 1.0 | 1.0 |
| ZrO2 | 3.0 | 0.5 | 3.5 |
| TiO2 | 4.0 | 4.5 | 6.0 |
| Sb2O3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 |
| As2O3 | - | - | - |
| SnO2 | - | - | - |
| MoO3 | 3.0 | - | - |
| CeO | - | - | - |
| Fe2O3 | - | 4.9 | - |
| 핵형성 온도 (℃) | 750 | 650 | 680 |
| 결정화 온도(℃) | 950 | 980 | 1050 |
| 주결정상과 입자경 | β-석영 SS0.1㎛ | β-석영 SS0.1 ㎛ | β-석영 SS0.1㎛ |
| 엔스타타이트0.05㎛ | 엔스타타이트0.05㎛ | 엔스타타이트0.10㎛ | |
| 영 율(Young's modulus)(GPa) | 141 | 135 | 148 |
| 비중 (g/cc) | 2.81 | 2.78 | 2.90 |
| 영 율(GPa)/비중 | 50.2 | 48.6 | 48.6 |
| 표면 조도 Ra (Å) | 7 | 8 | 9 |
| 최대 표면 조도 Rmax (Å) | 68 | 84 | 98 |
| 열팽창 계수(×10-7/℃) (-50℃∼+70℃) | 41 | 39 | 38 |
| 실 | 시 예 | |
| 13 | 14 | |
| SiO2 | 49.2 | 41.0 |
| MgO | 12.0 | 16.0 |
| Al2O3 | 17.0 | 20.0 |
| P2O5 | 1.5 | 2.0 |
| B2O3 | 3.0 | 4.0 |
| Li2O | 2.0 | 2.0 |
| CaO | 2.0 | 3.9 |
| ZrO2 | 2.0 | 2.5 |
| TiO2 | 5.0 | 3.5 |
| Sb2O3 | 0.3 | 0.2 |
| As2O3 | - | - |
| SnO2 | 1.5 | 4.9 |
| MoO3 | 1.5 | - |
| CeO | 3.0 | - |
| Fe2O3 | - | - |
| 핵형성 온도 (℃) | 650 | 670 |
| 결정화 온도(℃) | 900 | 850 |
| 주결정상과 입자경 | β-석영 SS0.1㎛ | β-석영 SS0.1 ㎛ |
| 엔스타타이트0.05㎛ | 엔스타타이트0.05㎛ | |
| 영 율(Young's modulus)(GPa) | 128 | 125 |
| 비중 (g/cc) | 2.75 | 2.58 |
| 영 율(GPa)/비중 | 46.5 | 48.4 |
| 표면 조도 Ra (Å) | 5 | 6 |
| 최대 표면 조도 Rmax (Å) | 61 | 59 |
| 열팽창 계수(×10-7/℃) (-50℃∼ +70℃) | 40 | 48 |
| 비교예 | |||
| 1 | 2 | 3 | |
| SiO2 | 62.0 | 78.5 | 43.0 |
| MgO | - | - | - |
| Al2O3 | 16.0 | 4.4 | 26.8 |
| P2O5 | - | 2.0 | - |
| ZnO | - | - | 23.0 |
| Li2O | 7.0 | 12.5 | - |
| 다른 알칼리 성분 | Na2O 9.0 | K2O 2.8 | K2O 2.4 |
| ZrO2 | 4.0 | - | - |
| TiO2 | - | - | - |
| Sb2O3 | 0.5 | 0.2 | - |
| As2O3 | - | - | - |
| SnO2 | - | - | - |
| MoO3 | - | - | - |
| CeO | - | - | - |
| 그 외 성분 | - | - | Ga2O34.8 |
| 핵형성 온도 (℃) | - | 450 | 800 |
| 결정화 온도(℃) | - | 850 | 950 |
| 주결정상과 입자경 | -- | 이규산 리튬0.10 ㎛ | 스피넬 결정0.10㎛ |
| -- | α-크리스토발리트0.30㎛ | ||
| 영 율(Young's modulus)(GPa) | 82 | 92 | 110.5 |
| 비중 (g/cc) | 2.54 | 2.51 | 3.24 |
| 영 율(GPa)/비중 | 32.3 | 36.0 | 34.1 |
| 표면 조도 Ra (Å) | 8 | 11 | 65 |
| 최대 표면 조도 Rmax (Å) | 86 | 140 | 679 |
| 열팽창 계수(×10-7/℃) (-50℃∼+70℃) | 70 | 61 | 53 |
위에 기술된 실시예의 글래스-세라믹 기판을 제조하기 위하여, 산화물, 탄산염(carbonate)과 질산염(nitrate)을 포함하는 원료들을 혼합하고, 이것을 통상의 용해 장치를 사용하여 약 1350℃ ∼ 1450℃의 범위내의 온도에서 용융시킨다. 용융된 글래스를 균질화하고, 그 다음에 디스크 형상으로 성형하고, 냉각하여 성형된 글래스를 얻는다. 다음에, 이 성형된 글래스를 1시간 ∼ 12시간 동안 650℃ ∼ 750℃의 범위내의 온도하에서 열처리하여 결정핵을 생성하고, 다음에 1시간 ∼ 12시간동안 750℃ ∼ 1050℃의 범위내의 온도하에서 결정화를 위해 열처리하여 요구되는 글래스-세라믹을 생성한다. 다음에, 이 글래스-세라믹은 약 10 분 ∼ 60분 동안 5㎛ ∼ 30㎛ 의 평균 입자경 범위를 가지는 지립(砥粒,lapping)으로 랩핑하고, 다음에, 최종적으로 0.5㎛ ∼ 2㎛ 범위의 평균 입자경을 가지는 산화세륨으로 약 30분 ∼ 60분 동안 연마한다.
표 1 ∼ 표 6에 나타난 바와 같이, 이 발명의 글래스-세라믹은 종래의 알루미노-실리게이트 화학강화글래스, LiO2-SiO2글래스-세라믹, SiO2-Al2O3-MgO-ZnO-TiO2글래스-세라믹의 비교예와 주결정상이 서로 다르다. 영 율과 비중에 대해서는, 이 발명의 글래스-세라믹이 알루미노-실리게이트 화학 강화 글래스와 Li2O-SiO2글래스-세라믹보다 높은 강성과 낮은 비중을 가진다. 비교적 높은 강성과 낮은 비중을 가지는 비교예 No.3의 SiO2-Al2O3-MgO-ZnO-TiO2글래스-세라믹은 너무 단단해서 요구되는 표면 조도를 얻을 수가 없다. 이에 반하여, 이 발명의 글래스-세라믹은 뛰어난 가공성과 요구되는 평활성을 가진다. 또한 이 발명의 글래스-세라믹은 이방성(anisotropic)의 결정들, 이물질(foreign matters), 불순물 등의 결함이 없으며, 미세하고 균질한 조직과, 화학약품이나 물에 세척이나 에칭에 대하여 충분한 화학적 내구성을 가진다.
위에 기술한 바와 같이, 이 발명에 따라, 종래 재료의 문제점이 제거되고, 뛰어난 용융성과, 내실투성과 가공성을 가지고, 높은 기록 밀도를 가지는 컨택 레코딩에 대응하기에 충분한 기판의 평활성을 가지고, 고속 회전 속도로 디스크를 구동시킬 수 있는 높은 영 율과 낮은 비중 특성을 가지는 정보 자기 기억 매체용 글래스-세라믹 기판을 제공할 수 있다.
이 발명에 따라, 이 글래스-세라믹을 제조하는 방법과 이 글래스 기판상에 형성된 자기 매체 피막을 가지는 정보 자기 기억 디스크를 제공할 수 있다.
Claims (8)
- 영 율(Young's modulus)/비중 = 37∼63의 범위 및 Al2O3= 10%∼20% 미만의 범위에 있고, 그 주결정상은 β-석영, β-석영 고용체(固溶體), 엔스타타이트, 엔스타타이트 고용체, 포스테라이트, 포스테라이트 고용체의 중에서 선택되는 최소한 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판.
- 제1항에 있어서, Na2O, K2O, PbO를 실질상 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 글래스-세라믹 기판에 있어서, 각 주결정상의 결정 입자경이 0.05㎛∼0.30㎛인 것을 특징으로 하는 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 글래스-세라믹 기판에 있어서, -50℃∼+70℃의 범위에서의 열 팽창 계수가 30×10-7/℃ ∼ 50×10-7/℃의 범위인 것을 특징으로 하는 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 글래스-세라믹 기판에 있어서, 연마 후의 표면의 표면조도(Ra)(산술 평균 조도)가 3Å∼9Å, 표면 최대 조도(Rmax)가 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 정보 자기 기억 매체용 글래스-세라믹 기판.
- 제1항에 있어서, 다음과 같은 중량 퍼센트로 이루어진 산화물의 조성을 기준으로 표현되는 조성물을 가지는 원(原) 글래스를 열처리하여 얻어지는 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판.
SiO2 40 - 60 % MgO 10 - 20 % Al2O3 10 - 20 % 미만 P2O5 0.5 - 2.5 % B2O3 1 - 4 % Li2O 0.5 - 4 % CaO 0.5 - 4 % ZrO2 0.5 - 5 % TiO2 2.5 - 8 % Sb2O3 0.01 - 0.5 % As2O3 0 - 0.5 % SnO2 0 - 5 % MoO3 0 - 3 % CeO 0 - 5 % Fe2O3 0 - 5 % - 글래스 원료를 용융시키는 공정과;상기 용융된 글래스를 설정된 형상으로 성형하는 공정과;상기 성형된 글래스를 냉각시키는 공정과;상기 글래스를 650℃∼750℃의 범위내의 핵형성 온도에서 열처리하고, 결정화 온도가 750℃∼1050℃에서 열처리하는 공정으로 이루어지는 제6항에 기재된 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판의 제조 방법.
- 제1항에 기재된 상기 고강성 글래스-세라믹 기판상에 자기 매체 피막을 형성하여 이루어지는 정보 자기 기억 매체 디스크.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP98-62192 | 1998-02-26 | ||
| JP6219298 | 1998-02-26 | ||
| JP98-271085 | 1998-09-25 | ||
| JP27108598 | 1998-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990072858A KR19990072858A (ko) | 1999-09-27 |
| KR100329001B1 true KR100329001B1 (ko) | 2002-03-20 |
Family
ID=26403251
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990005956A KR100329001B1 (ko) | 1998-02-26 | 1999-02-23 | 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판 |
| KR1019990005955A KR100329000B1 (ko) | 1998-02-26 | 1999-02-23 | 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990005955A KR100329000B1 (ko) | 1998-02-26 | 1999-02-23 | 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6245411B1 (ko) |
| EP (2) | EP0939396B1 (ko) |
| KR (2) | KR100329001B1 (ko) |
| CN (2) | CN1138716C (ko) |
| DE (2) | DE69815491T2 (ko) |
| MY (1) | MY120241A (ko) |
| SG (1) | SG72899A1 (ko) |
| TW (2) | TW498059B (ko) |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6245411B1 (en) * | 1959-09-25 | 2001-06-12 | Kabushiki Kaisha Ohara | High rigidity glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium |
| US7264894B2 (en) * | 1998-03-13 | 2007-09-04 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| US6294490B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-09-25 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| JP2000203880A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-07-25 | Ohara Inc | 情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板及びその製造方法、並びに情報記憶媒体ディスク |
| JP4680347B2 (ja) * | 1999-06-01 | 2011-05-11 | 株式会社オハラ | 高剛性ガラスセラミックス基板 |
| SG97155A1 (en) * | 1999-07-07 | 2003-07-18 | Hoya Corp | Substrate for information recording medium and magnetic recording medium composed of crystallized glass |
| JP2001026458A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP2001026445A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP2001026446A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP2001026451A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP4207316B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2009-01-14 | コニカミノルタオプト株式会社 | 結晶化ガラス組成物 |
| JP4265035B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2009-05-20 | コニカミノルタオプト株式会社 | 結晶化ガラス組成物 |
| JP2001026452A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP2001026456A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP4284763B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2009-06-24 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス組成 |
| JP2001026440A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP4265036B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2009-05-20 | コニカミノルタオプト株式会社 | 結晶化ガラス組成物 |
| JP2001026454A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| US6627565B1 (en) * | 1999-07-27 | 2003-09-30 | Hoya Corporation | Crystallized glass substrate for information recording medium |
| CN1391537A (zh) | 1999-09-21 | 2003-01-15 | 株式会社小原 | 信息存储磁盘用保持构件及信息存储磁盘驱动器 |
| US6426311B1 (en) * | 2000-02-01 | 2002-07-30 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramics |
| JP4273624B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2009-06-03 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス組成物 |
| JP4224925B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2009-02-18 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス組成物 |
| JP2001287967A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-16 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP2001287931A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-16 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP4300676B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2009-07-22 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス組成物 |
| JP2001287934A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-16 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP4273625B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2009-06-03 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス組成物 |
| JP4273623B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2009-06-03 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス組成物 |
| US7071132B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-07-04 | Kabushiki Kaisha Ohara | Low expansion transparent glass ceramics |
| US6860795B2 (en) * | 2001-09-17 | 2005-03-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Edge finishing process for glass or ceramic disks used in disk drive data storage devices |
| US20040039395A1 (en) * | 2002-05-24 | 2004-02-26 | Coon Thomas M. | Instruments for knee surgery and method of use |
| DE10346197B4 (de) | 2003-09-30 | 2006-02-16 | Schott Ag | Glaskeramik, Verfahren zur Herstellung einer solchen und Verwendung |
| WO2005071172A1 (en) | 2004-01-09 | 2005-08-04 | Falcon Waterfree Technologies | Diverter, liquid-level indicator and chemical pre-treatment and post-treatment implementations useful in waterless urinals |
| US7387838B2 (en) * | 2004-05-27 | 2008-06-17 | Delaware Capital Formation, Inc. | Low loss glass-ceramic materials, method of making same and electronic packages including same |
| US7186461B2 (en) * | 2004-05-27 | 2007-03-06 | Delaware Capital Formation, Inc. | Glass-ceramic materials and electronic packages including same |
| DE102007020246B4 (de) * | 2007-04-24 | 2012-12-27 | Schott Ag | Metallkolloidgefärbte oder farblose Glaskeramik und in eine metallkolloidgefärbte oder farblose Glaskeramik umwandelbares farbloses Glas |
| JP4755135B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2011-08-24 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラス |
| US8119267B2 (en) * | 2007-09-28 | 2012-02-21 | Hoya Corporation | Glass substrate for magnetic disk and manufacturing method of the same |
| JP5053948B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2012-10-24 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラス |
| SG178243A1 (en) * | 2010-04-27 | 2012-03-29 | Asahi Glass Co Ltd | Method for producing magnetic disk and method for producing glass substrate for information recording medium |
| JP2015528783A (ja) * | 2012-06-29 | 2015-10-01 | コーニング インコーポレイテッド | 半導体プロセスのためのガラス―セラミック基板 |
| JP6026926B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2016-11-16 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラスおよび情報記録媒体用結晶化ガラス基板 |
| CN104496186B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-12-15 | 海南大学 | 一种堇青石基纳米微晶玻璃及其制备方法 |
| SG10202102247RA (en) * | 2016-11-14 | 2021-04-29 | Hoya Corp | Glass for magnetic recording medium substrate, magnetic recording medium substrate, magnetic recording medium and glass spacer for magnetic recording and reproducing apparatus |
| CN110809565B (zh) * | 2017-06-29 | 2023-03-31 | 日本板硝子株式会社 | 玻璃组合物和使用了该玻璃组合物的玻璃制品 |
| US11192818B2 (en) | 2017-11-30 | 2021-12-07 | Corning Incorporated | Ion exchangeable, transparent gahnite-spinel glass ceramics with high hardness and modulus |
| CN112119047B (zh) * | 2018-05-16 | 2023-06-30 | Hoya株式会社 | 磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板、磁记录介质、磁记录再生装置用玻璃间隔物和磁记录再生装置 |
| CN109250920A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-01-22 | 深圳市晶特智造科技有限公司 | 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| KR20210099607A (ko) | 2018-11-30 | 2021-08-12 | 코닝 인코포레이티드 | 높은 경도와 모듈러스를 갖는 이온 교환 가능한, 불투명한 가나이트-스피넬 유리 세라믹 |
| CN114907014B (zh) * | 2020-06-29 | 2023-09-29 | 成都光明光电股份有限公司 | 微晶玻璃、微晶玻璃制品及其制造方法 |
| CN112372523B (zh) * | 2020-11-13 | 2022-06-07 | 湖南兴大新材料有限公司 | 一种陶瓷结合剂、高抗弯强度cbn砂轮及其制备工艺 |
| CN112939471A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-06-11 | 武汉理工大学 | 一种高导热低膨胀低介电的微晶玻璃及其制备方法 |
| CN115784616A (zh) * | 2022-11-15 | 2023-03-14 | 常熟佳合显示科技有限公司 | 一种mas微晶玻璃及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163542A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-04-01 | Hoya Corp | 熱膨脹係数の大きな結晶化ガラスとその製法 |
| EP0626353A1 (en) * | 1993-05-19 | 1994-11-30 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic for a magnetic disk substrate and method for manufacturing the same |
| EP0781731A1 (en) * | 1995-12-28 | 1997-07-02 | Yamamura Glass Co. Ltd. | Glass composition for magnetic disk substrates and magnetic disk substrate |
| JPH10139479A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-26 | Ohara Inc | 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板 |
| EP0939396A1 (en) * | 1998-02-26 | 1999-09-01 | Kabushiki Kaisha Ohara | High rigidity glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium II |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3490888A (en) | 1966-07-22 | 1970-01-20 | Corning Glass Works | Method of increasing dielectric constant of cordierite glass - ceramic articles |
| JPS58100658A (ja) | 1981-12-08 | 1983-06-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミツクと金属との複合材料とその製造方法 |
| JPS6452632A (en) | 1987-05-07 | 1989-02-28 | Asahi Glass Co Ltd | Production of crystallized glass |
| US5001086A (en) * | 1989-10-26 | 1991-03-19 | Corning Incorporated | Sintered glass-ceramic body and method |
| US5173453A (en) * | 1991-10-09 | 1992-12-22 | Corning Incorporated | Variably translucent glass-ceramic article and method for making |
| EP0729924B1 (en) * | 1993-05-19 | 2000-01-26 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic for a magnetic disk substrate |
| JP3083681B2 (ja) | 1993-06-25 | 2000-09-04 | 財団法人ファインセラミックスセンター | ＭｇＯ−ＳｉＯ２系磁器及びその製造方法 |
| JP2959363B2 (ja) * | 1993-12-09 | 1999-10-06 | 株式会社オハラ | 磁気ディスク用着色結晶化ガラス |
| JP2799544B2 (ja) | 1994-04-28 | 1998-09-17 | 株式会社オハラ | 情報記録ディスク用結晶化ガラス |
| JP3121990B2 (ja) * | 1994-07-25 | 2001-01-09 | 京セラ株式会社 | ガラス−セラミック基板 |
| US5532194A (en) * | 1994-11-18 | 1996-07-02 | Kabushiki Kaisya Ohara | Cordierite glass-ceramic and method for manufacturing the same |
| US5491116A (en) | 1995-04-03 | 1996-02-13 | Corning Incorporated | Fine-grained glass-ceramics |
| US5726108A (en) * | 1995-07-24 | 1998-03-10 | Yamamura Glass Co., Ltd. | Glass-ceramic magnetic disk substrate |
| JP2701202B2 (ja) | 1995-09-13 | 1998-01-21 | 技術研究組合医療福祉機器研究所 | 磁気共鳴診断装置 |
| JP3078230B2 (ja) | 1996-06-11 | 2000-08-21 | ホーヤ株式会社 | 記録媒体用ガラス基板、該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 |
| KR20000057173A (ko) | 1996-11-21 | 2000-09-15 | 알프레드 엘. 미첼슨 | β-석영을 기초로 한 유리-세라믹 |
-
1998
- 1998-11-30 US US09/203,187 patent/US6245411B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-30 US US09/201,333 patent/US6344423B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-03 EP EP98123101A patent/EP0939396B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-03 EP EP98123000A patent/EP0939395B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-03 DE DE69815491T patent/DE69815491T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-03 DE DE69815492T patent/DE69815492T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-04 SG SG1998005170A patent/SG72899A1/en unknown
- 1998-12-08 TW TW087120325A patent/TW498059B/zh active
- 1998-12-08 TW TW087120323A patent/TW579370B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-01-15 MY MYPI99000170A patent/MY120241A/en unknown
- 1999-01-26 CN CNB991012909A patent/CN1138716C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-26 CN CN99101289A patent/CN1228395A/zh active Pending
- 1999-02-23 KR KR1019990005956A patent/KR100329001B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-02-23 KR KR1019990005955A patent/KR100329000B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163542A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-04-01 | Hoya Corp | 熱膨脹係数の大きな結晶化ガラスとその製法 |
| EP0626353A1 (en) * | 1993-05-19 | 1994-11-30 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic for a magnetic disk substrate and method for manufacturing the same |
| EP0781731A1 (en) * | 1995-12-28 | 1997-07-02 | Yamamura Glass Co. Ltd. | Glass composition for magnetic disk substrates and magnetic disk substrate |
| JPH10139479A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-26 | Ohara Inc | 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板 |
| EP0939396A1 (en) * | 1998-02-26 | 1999-09-01 | Kabushiki Kaisha Ohara | High rigidity glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium II |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0939395A1 (en) | 1999-09-01 |
| CN1138716C (zh) | 2004-02-18 |
| US6344423B2 (en) | 2002-02-05 |
| CN1228395A (zh) | 1999-09-15 |
| CN1228396A (zh) | 1999-09-15 |
| MY120241A (en) | 2005-09-30 |
| TW498059B (en) | 2002-08-11 |
| KR19990072857A (ko) | 1999-09-27 |
| US20010016552A1 (en) | 2001-08-23 |
| EP0939395B1 (en) | 2003-06-11 |
| US6245411B1 (en) | 2001-06-12 |
| KR100329000B1 (ko) | 2002-04-10 |
| KR19990072858A (ko) | 1999-09-27 |
| TW579370B (en) | 2004-03-11 |
| DE69815492T2 (de) | 2004-05-19 |
| SG72899A1 (en) | 2000-05-23 |
| EP0939396B1 (en) | 2003-06-11 |
| DE69815491T2 (de) | 2004-05-06 |
| EP0939396A1 (en) | 1999-09-01 |
| DE69815492D1 (de) | 2003-07-17 |
| DE69815491D1 (de) | 2003-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100329001B1 (ko) | 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판 | |
| KR100329003B1 (ko) | 정보기억매체용 글라스세라믹 기판 | |
| US6503857B2 (en) | High rigidity glass-ceramic substrate | |
| KR100374902B1 (ko) | 글라스 세라믹스 | |
| US6387509B1 (en) | Glass-ceramic substrate for a magnetic information recording medium | |
| KR100188901B1 (ko) | 자기디스크용 결정화 유리기판 | |
| JP3131138B2 (ja) | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 | |
| JPH1116143A (ja) | 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板 | |
| KR20070038908A (ko) | 무기 조성물 | |
| US6495480B1 (en) | Glass-ceramic substrate for an information storage medium | |
| JPH1116142A (ja) | 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板 | |
| US6034011A (en) | Glass-ceramic substrate for a magnetic head and a method for manufacturing the same | |
| US6395368B1 (en) | Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium | |
| US20020009600A1 (en) | Glass-ceramic for substrate of magnetic disk having higher strength and process for the production of the same | |
| JP4730995B2 (ja) | ガラスセラミックス | |
| EP1074523B1 (en) | Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium | |
| JP3022524B1 (ja) | 情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板 | |
| JP3011703B1 (ja) | 情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板 | |
| JP4266095B2 (ja) | ガラスセラミックス | |
| US6201663B1 (en) | Magnetic head having a slider made of a glass-ceramic | |
| JPH1116151A (ja) | 情報記憶媒体用ガラスセラミック基板 | |
| JP4795522B2 (ja) | 高剛性ガラスセラミックス基板及び情報磁気記憶媒体ディスク | |
| EP1079373A2 (en) | Glass-ceramic substrate for an information storage medium and a method for manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130111 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140113 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |