JPH10139479A - 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板 - Google Patents

磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板

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JPH10139479A
JPH10139479A JP8318838A JP31883896A JPH10139479A JP H10139479 A JPH10139479 A JP H10139479A JP 8318838 A JP8318838 A JP 8318838A JP 31883896 A JP31883896 A JP 31883896A JP H10139479 A JPH10139479 A JP H10139479A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気情報記憶媒体装置のランプローディング
方式において、磁気ヘッドの疑似コンタクトレコーディ
ングを可能とし、またランディングゾーン方式における
磁気ヘッドの安定浮上を可能とすると共に高記憶密度化
に対応したデータ領域での低浮上化を可能とする表面特
性とを兼ね備えた磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
ス基板および磁気情報記憶媒体を提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系ガラ
スセラミックスからなり、該ガラスセラミックスの主結
晶相はβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ２固溶体）またはβ
−石英固溶体（β−ＳｉＯ２固溶体）及びβ−スポジュ
メン（β−Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２）の少な
くとも１種であることを特徴とする磁気情報記憶媒体用
ガラスセラミックス基板を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報記憶装置に用
いられる磁気情報記憶媒体用基板、特に、コンタクトレ
コーディング方式に対応した基板表面の改善された超平
滑性とコンタクト・スタート・ストップ方式に対応した
磁気情報記憶媒体と磁気ヘッドの吸着を防止、改善した
表面特性を有するガラスセラミックスからなる磁気情報
記憶媒体用基板およびこの磁気情報記憶媒体用基板に成
膜プロセスを施して形成させる磁気情報記憶媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】パーソナルコンピュータのマルチメディ
ア化やデジタルビデオカメラ等の様に、動画や音声等の
データが扱われるようになり、大容量の磁気情報記憶媒
体装置が必要となっている。その結果、磁気情報記憶媒
体は、面記録密度を大きくするために、ビットおよびト
ラック密度を増加させ、ビットセルのサイズを縮少化す
る必要がある。それに対応し磁気ヘッドは、ビットセル
の縮少化に合わせ磁気情報記憶媒体表面に、より近接し
て作動するようになる。このように磁気ヘッドが磁気情
報記憶媒体基板に対し低浮上状態または接触状態（コン
タクト）にて作動する場合磁気ヘッドの起動・停止時に
磁気情報記憶媒体と磁気ヘッドの吸着、それに伴う磁気
ヘッドのクラッシュおよび磁性膜の損傷を発生してしま
う。これらの問題に対しては、磁気ヘッドの起動・停止
技術として、磁気ヘッドを起動・停止時に完全に磁気情
報記憶媒体基板表面から外す技術ランプローディング方
式、または磁気情報記憶媒体の特定部分（ディスク内径
側の未記録・書き込み部）に吸着防止を行い、磁気ヘッ
ドの起動・停止を行うランディングゾーン方式等の技術
開発が重要となってくる。現在の磁気情報記憶媒体装置
において、磁気ヘッドは、装置始動時前は磁気情報記憶
媒体に接触しており、装置始動時には磁気情報記憶媒体
より浮上するといった動作を繰り返すＣＳＳ（コンタク
ト・スタート・ストップ）方式を行っている。この時両
者の接触面が必要以上に鏡面であると吸着が発生し摩擦
抵抗の増大に伴う回転始動の不円滑、磁気情報記憶媒体
表面の損傷等の問題が発生する。この様に磁気情報記憶
媒体は、記録容量の増大に伴う磁気ヘッドの低浮上化と
磁気ヘッドと磁気情報記憶媒体の吸着防止化と相反する
要求が要望される。これらの相反する要望に対しては、
磁気ヘッドを完全に磁気情報記憶媒体上から外すランプ
ローディング技術や磁気情報記憶媒体の特定の領域に磁
気ヘッドの始動・停止部を制作するランディングゾーン
技術の開発が進められている。更に、現在の固定型情報
記憶装置に対して、リムーバブル記憶装置として、カー
ド・ハード・ディスクドライブの様な情報記憶装置が検
討され、実用段階にあり、デジタルビデオカメラ等への
用途展開も始まりつつある。この新しい技術に対しての
磁気情報記憶媒体用基板材には、次のような特性が要望
される。すなわち、
【０００３】（１）磁気情報記憶媒体装置のランプロー
ディング方式において、磁気ヘッドは記録容量の増大に
伴い磁気情報記憶媒体表面に接触（疑似コンタクト・レ
コーディング、完全コンタクト・レコーディング）し稼
働するため、磁気情報記憶媒体用の基板材は、磁気ヘッ
ドの稼働を妨げることのない表面粗度が１Å〜５Å以内
の超平滑な表面状態であることと同時に超平滑表面の研
磨加工が十分にできること。
【０００４】（２）磁気情報記憶媒体装置のランディン
グゾーン方式において、ランディング領域（磁気ヘッド
の始動・停止部）は、磁気ヘッドの吸着を十分に防止で
きる表面状態であること。この際磁気情報記憶媒体基板
は、ＬＤ励起固体レーザーまたはＣＯ2レーザーによる
凹凸または突起の形成が容易に出来ること。
【０００５】（３）磁気情報記憶媒体装置のランディン
グゾーン方式において、ランディングゾーンにおけるＣ
ＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）特性におい
て、ランディング領域の表面状態は、その凹凸または突
起が５０Å以下の滑らかな表面では、高速回転で起こる
接触抵抗の増大に伴うヘッドと磁気情報記憶媒体表面と
の吸着が発生する一方、表面状態の凹凸または突起が３
００Å以上の粗い表面では、ヘッドクラッシュ等を発生
するためランディング領域の表面状態は凹凸または突起
が５０Å〜３００Åの高さである必要があり、その凹凸
または突起の間隔が１０μm〜２００μmに制御されると
ともに表面粗度（Ｒａ）が１０Å〜５０Åに制御された
表面状態であること。
【０００６】（４）磁気情報記憶媒体の面記録密度向上
に伴い、ヘッドの浮上量が０．０２５μm以下と低減の
方向にあり、磁気情報記憶媒体表面のデータ領域は、こ
のヘッド浮上量を可能にする表面祖度（Ｒａ）が１Å〜
５Åであること。
【０００７】（５）磁気情報記憶媒体基板材は、面記録
密度の向上に伴い材料に結晶異方性、異物、欠陥がなく
組織が緻密で均質、微細であること。
【０００８】（６）高速回転やヘッドの接触およびリム
ーバブル記憶装置の様な、携帯型使用に十分耐え得る機
械的強度、硬度を有すること。
【０００９】（７）磁気情報記憶媒体の面記録密度向上
に伴い、磁性膜の高精度・微細化（垂直磁性膜）が必要
となるため、基板材料中にＮａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3、
Ｆ、ＯＨ基等を含有すると、これらのイオンが成膜工程
中に拡散し、磁性膜の特性が悪化するためこれらの成分
を含有しないこと。
【００１０】（８）種々の薬品による洗浄やエッチング
に耐え得る化学的耐久性を有すること。
【００１１】（９）磁性膜の形成に対して、磁気情報記
憶媒体用基板材は成膜におけるスパッタリングや熱処理
による、膜特性の悪化を回避するため、低膨張性（−１
０〜＋２０×１０-7／℃）の範囲であること。
【００１２】従来磁気情報記憶媒体基板材には、アルミ
ニウム合金が使用されているが、アルミニウム合金基板
では、種々の材料欠陥の影響により、研磨工程における
基板表面の突起またはスポット状の凹凸を生じ平坦性、
平滑性の点で十分でなく、またアルミニウム合金は軟ら
かい材料であるため、変形が生じやすく薄型化に対応す
ることがむずかしく、さらにはヘッドの接触による変形
傷を生じメディアを損傷させてしまう等、今日の面記録
密度化に十分対応出来ない。
【００１３】また、アルミニウム合金基板の問題を解消
する材料として化学強化ガラスのソーダライムガラス
（ＳｉＯ2−ＣａＯ−Ｎａ2Ｏ）とアルミノシリケート
（ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ）が知られているが、こ
の場合 （１）研磨は化学強化後に行われ、磁気情報記憶媒体の
薄板化における強化層の不安定要素が高い。
【００１４】（２）基板には（ＣＳＳ）特性向上のため
の基板表面に凹凸を作るテクスチャーを行うが、機械的
または熱的（レーザー加工）等の処理は、化学強化層の
歪みによりクラック等を発生してしまうため、ケミカル
エッチング法やスパッタリング法を行う必要があり、製
品の低コスト安定生産性が難しい欠点がある。
【００１５】（３）ガラス中にＮａ2０、Ｋ2Ｏ成分を必
須成分として含有するため、磁性膜特性が悪化し、今後
の面記録の高密度化に十分対応出来ない。
【００１６】さらに、アルミニウム合金基板や化学強化
ガラスに対していくつかの結晶化ガラスが知られてい
る。例えば、特開平６−３２９４４０号公報記載のＳｉ
Ｏ2−Ｌｉ2Ｏ−ＭｇＯ−Ｐ2Ｏ5系結晶化ガラスは、主結
晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）およ
びα−クオーツ（α−ＳｉＯ2）を有し、α−クオーツ
の球状粒子サイズをコントロールする事で、従来のメカ
ニカルテクスチャー、ケミカルテクスチャーを不用と
し、研磨して成る表面粗度（Ｒａ）を１５〜５０Åの範
囲で制御を可能とした基板表面全面テクスチャー材とし
て優れた材料であるが、目標とする表面粗度（Ｒａ）が
１〜５Åと、急速に進む面記録密度向上に合せた低浮上
化に十分対応することが出来ない。また、ランディング
領域の形成に対する議論がまったくなされていない。
【００１７】また、特開平７−１６９０４８号公報に
は、磁気情報記憶媒体用基板表面に記録領域とランディ
ング区域を形成したことを特徴とした、ＳｉＯ2−Ｌｉ2
Ｏ系ガラスに感光性金属のＡｕ，Ａｇを含有する感光性
結晶化ガラスが開示されているが、この結晶化ガラスの
主結晶相は、珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・ＳｉＯ2）および
／または二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）から成
り、特に珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・ＳｉＯ2）は一般的に
化学的耐久性が悪く実用上の問題が大きい。さらにラン
ディング区域の形成に当たっては、基体の一部分（ラン
ディング区域）を結晶化しＨＦ６％溶液によるケミカル
エッチングを行っているが、磁気情報記憶媒体基体に対
し未結晶化部と結晶化部を与えることは、熱的、・機械
的にも不安定要素が高い。また、ＨＦによるケミカルエ
ッチングに関してもＨＦ溶液の揮発等の問題により濃度
コントロールが難しいく量産性が悪い。
【００１８】また、磁気情報記憶媒体基板表面へのラン
ディング領域およびデータ領域の形成に関して、いくつ
かの技術が知られている。例えば特開平６−２９０４５
２号公報記載のカーボン基板に対して５２３ｎｍ波長の
パルスレーザーによるランディング領域形成方法が開示
されているがこの場合 （１）カーボン基板は、高圧プレスおよび高温焼成２６
００℃により成形体を得るため低コスト量産性を妨げて
いる。
【００１９】（２）カーボン基板は、機械的特性（ヤン
グ率、破壊強度）が低く、今後の薄型化やドライブの高
速回転使用に十分対応することが困難である。
【００２０】（３）ランディング領域の形成方法は、パ
ルスレーザーによるカーボンの酸化および気化を利用す
るものであるが、熱酸化反応が激しい材料であるためか
レーザー加工形状が不安定で再現性に問題がある。
【００２１】さらに、特開平７−６５３５９号公報、米
国特許５０６２０２１号公報のパルスレーザーによりア
ルミニウム合金基板のランディング領域形成方法が開示
されているが、いずれも前記記載のアルミニウム合金基
板の問題は、もちろんの事、アルミニウム合金基板のレ
ーザーによる加工に関してレーザー照射後の加工面は、
金属特有の溶融部の酸化および飛沫が残り欠陥となって
しまうため、実用上問題である。
【００２２】また、特開昭６３−４６６２２号公報記載
の複数の低膨張材料を用いた記憶媒体用ハードディスク
が開示されているが、特に熱変形に対する議論にすぎな
く、使用可能な材料は９６％シリカガラスおよび石英ガ
ラスが示され、この材料は機械的強度が非常に小さく実
用性がなく、さらに使用可能な材料として示される結晶
化ガラスはいずれもＮａ2Ｏ成分を含有する一般的に知
られるものであり、本発明で議論される高記憶密度化に
必要不可欠な磁性膜に与える問題に対しても、何ら議論
されるものではない。また、基板表面の表面粗度やラン
プローディング技術、ランディングゾーン技術に関して
も、何ら議論されるものではない。
【００２３】また、特開平６−９２６８１号公報および
特開平８−１３３７８３号公報に記載のＳｉＯ2−Ａｌ2
Ｏ3−ＳｉＯ2系低膨張透明結晶化ガラスが開示されてい
るが、いずれのガラスセラミックス材料も情報記憶媒体
用の基板材としての有用性に気ずいておらず、特に基板
表面の超平滑性についてはなんら議論がなされていな
い。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、今後の高記憶
密度化に対応した２種類の技術、特に磁気ヘッドのラン
プローデイング方式に好適な基板全面超平滑表面特性を
備えた磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板と磁
気ヘッドの起動・停止（コンタクト・スタート・ストッ
プ）部が存在するランディング領域において磁気ヘッド
の安定浮上を可能とするとともに高記憶密度化に対応し
たデータ領域での低浮上化を可能とする２つの表面特性
を兼ね備えた磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基
板およびこのガラスセラミックス基板上に磁気媒体の被
膜を形成してなる磁気情報記憶媒体を提供することにあ
る。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するために鋭意試験研究を重ねた結果、ＳｉＯ2−
Ａｌ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ系またはこの系に着色成分としてＶ2
Ｏ5、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｕＯ、の少なくと
も１種を含有させたガラスにおいて厳密に限られた熱処
理温度範囲で得られたガラスセラミックスは、その結晶
相がβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体）またはβ−
石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体）およびβ−スポジュ
ウメン固溶体（β−Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2）の混
晶のいずれか限定され、かつ結晶粒子は、いずれも微細
な球状粒子形体から成り、研磨して成る表面粗度がより
平滑性に優れている点でランプローディング方式に一段
と有利な磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックスが得ら
れること見いだし、かつレーザー（ＬＤ励起固体レーザ
ー、ＣＯ2レーザー）加工による加工特性に優れている
点でランディングゾーン方式に一段と有利な磁気情報記
憶媒体用ガラスセラミックスが得られることを見いだ
し、本発明に至った。
【００２６】上記本発明の目的を達成する磁気情報記憶
媒体用ガラスセラミックス基板は、磁気ヘッドの起動・
停止を完全に磁気情報記憶媒体表面から外して行うラン
プローディングの技術に対応した、研磨して成る表面粗
度（Ｒａ）が１Å〜５Åの範囲を有する事を特徴とす
る。さらにランディングゾーンの技術に対応したデータ
領域とランディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用
ガラスセラミックス基板において、該ランディング領域
はレーザー照射により形成された無数の凹凸または突起
を有することを特徴とする。
【００２７】ランディングゾーン方式による場合、レー
ザーの種類としては特にＬＤ励起固体レーザーまたはＣ
Ｏ2レーザーが好適である。
【００２８】本発明の一側面において、前記ＬＤ励起固
体レーザーはＮｄ：ＹＡＧまたはＮｄ：ＹＶＯ4、Ｎ
ｄ：ＹＬＦであることを特徴とする。前記ＬＤ励起固体
レーザーの波長が０．２μm〜０．６μmまたは１．０５
μm〜１．４０μmの範囲であることが好ましい。
【００２９】本発明の一側面において、前記ガラスセラ
ミックスにおいて、ＬＤ励起固体レーザ波長（０．２μ
m〜０．６μm）または（１．０５μm〜１．４０μm）に
おける光線透過率が厚さ０．６３５ｍｍにおいて０％〜
１０％であることが好ましい。
【００３０】本発明の一側面においては、前記ガラスセ
ラミックス基板において、研磨加工した後の表面粗度
（Ｒａ）が１Å〜５Åであり、ランディング領域にレー
ザー照射による無数の凹凸または突起を形成し、その凹
凸または突起の高さが５０Å〜３００Åで表面粗度（Ｒ
ａ）が１０Å〜５０Åであることを特徴とする。
【００３１】また、本発明の一側面においては、前記ガ
ラスセラミックス基板において、ランディング領域にレ
ーザー照射による高さ５０Å〜５００Åの凹凸または突
起を無数形成する際その凹凸または突起の間隔が１０μ
m〜２００μmであることを特徴とする。
【００３２】本発明の一側面において、ガラスセラミッ
クス基板のガラスセラミックスはＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−
Ｌｉ2Ｏ系、またはＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ系にＶ2
Ｏ5、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｕＯの少なくとも
１種を含有させたものである。
【００３３】本発明の一側面において、ガラスセラミッ
クス基板のガラスセラミックスは、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3
−Ｌｉ2Ｏ系ガラスセラミックスにおいて、該ガラスセ
ラミックスの主結晶相はβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ2
固溶体またはβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体）及
びβ−スポジュメン（β−Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４Ｓｉ
Ｏ2）の混晶であることを特徴とするる。
【００３４】本発明の一側面において、ガラスセラミッ
クス基板のガラスセラミックスは、その主結晶相はβ−
石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体）またはβ−石英固溶
体（β−ＳｉＯ2固溶体）及びβ−スポジュメン（β−
Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2）の混晶であり、β−石
英固溶体及びβ−スポジュメンの結晶粒子の大きさは、
２００Å〜５０００Åの範囲内の径を有していることを
特徴とする。
【００３５】本発明の一側面において、ガラスセラミッ
クス基板のガラスセラミックスは、研磨加工した後の表
面粗度（Ｒａ）が１Å〜５Åであることを特徴とする。
【００３６】本発明の一側面において、前記ガラスセラ
ミックス基板のガラスセラミックは重量百分率で、 ＳｉＯ2 ５０ 〜 ６０％ Ｐ2Ｏ5 ６ 〜 １０％ ＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5 ５６ 〜 ６５％ ただし、重量比で、Ｐ2Ｏ5／ＳｉＯ2 ０．１０ 〜 ０．１７ Ａｌ2Ｏ3 ２２ 〜 ２６％ Ｌｉ2Ｏ ３ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．６〜 ２％ ＺｎＯ ０．５〜 ２％ Ｌｉ2Ｏ＋ＭｇＯ＋ＺｎＯ ４．０〜 ６．５％ ＣａＯ ０ 〜 ４％ ＢａＯ ０．５〜 ３％ ＣａＯ＋ＢａＯ ０．５〜 ５％ ＴｉＯ2 １ 〜 ４％ ＺｒＯ2 １ 〜 ４％ Ａｓ2Ｏ3 ０ 〜 ２％ Ｓｂ2Ｏ3 ０ 〜 ２％ からなるガラスを熱処理する事により得られ、主結晶相
としてβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体）またはβ
−石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体）およびβ−スポジ
ュメン（β−Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2）の混晶の
少なくとも１種であることを特徴とする。
【００３７】本発明の一側面において、前記ガラスセラ
ミックス基板のガラスセラミックは重量百分率で、 ＳｉＯ2 ５０ 〜 ６０％ Ｐ2Ｏ5 ６ 〜 １０％ ＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5 ５６ 〜 ６５％ ただし、重量比で、Ｐ2Ｏ5／ＳｉＯ2 ０．１０ 〜 ０．１７ Ａｌ2Ｏ3 ２２ 〜 ２６％ Ｌｉ2Ｏ ３ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．６〜 ２％ ＺｎＯ ０．５〜 ２％ Ｌｉ2Ｏ＋ＭｇＯ＋ＺｎＯ ４．０〜 ６．５％ ＣａＯ ０ 〜 ４％ ＢａＯ ０．５〜 ３％ ＣａＯ＋ＢａＯ ０．５〜 ５％ ＴｉＯ2 １ 〜 ４％ ＺｒＯ2 １ 〜 ４％ Ａｓ2Ｏ3 ０ 〜 ２％ Ｓｂ2Ｏ3 ０ 〜 ２％ Ｖ2Ｏ5 ０ 〜 ３％ ＣｏＯ ０ 〜 ３％ ＮｉＯ ０ 〜 ３％ Ｃｒ2Ｏ3 ０ 〜 ３％ ＣｕＯ ０ 〜 ３％ Ｖ2Ｏ5＋ＣｏＯ＋ＮｉＯ＋Ｃｒ2Ｏ3＋ＣｕＯ １ 〜 ４％ からなるガラスを熱処理する事により得られ、主結晶相
としてβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体またはβ−
石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体）およびβ−スポジュ
メン（β−Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2）の混晶の少
なくとも１種であることを特徴とする。
【００３８】本発明の一側面において、前記ガラスセラ
ミックスは、ガラス原料を溶融、成形および徐冷後、熱
処理条件として核形成温度が６５０〜７５０℃、結晶化
温度が７５０〜９５０℃で熱処理することにより得ら
れ、−６０℃〜＋６００℃の温度範囲で−１０〜＋２０
×１０-7／℃の熱膨張係数であることを特徴とする。
【００３９】さらに、本発明によれば、上記各実施態様
の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板上に磁気
媒体の被膜を形成してなる磁気情報記憶媒体が提供され
る。
【００４０】本発明のガラスセラミックスの好ましい一
実施態様の組成は、原ガラスと同様酸化物基準で表示し
得るが、原ガラスの組成範囲を上記の様に限定した理由
について述べる。すなわち ＳｉＯ2成分は、原ガラス
の熱処理により、主結晶相として析出するβ−石英固溶
体（β−ＳｉＯ2固溶体）、β−スポジュメン（β−Ｌ
ｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2）結晶を生成するきわめて重
要な成分であるが、その量が５０％未満では、得られた
ガラスセラミックスの析出結晶が不安定で組織が粗大化
しやすく、結果的に機械的強度が低下し研磨して得られ
る表面粗度が大きくなる。また、６０％を超えると原ガ
ラスの溶融・成形性が困難になる。
【００４１】Ｐ2０5成分は、ＳｉＯ2成分と共存させる
ことにより、原ガラスの溶融・清澄性を向上させる効果
を有するが、その量が６％未満では上記効果が得られ
ず、また１０％を超えると原ガラスの失透性が悪化する
のと同時に、ガラスセラミックスの組織が粗大化してし
まう。さらに上記効果を著しく向上させるには、ＳｉＯ
2＋Ｐ2Ｏ5を５６〜６５％、ただし、重量比で、Ｐ2Ｏ5
／ＳｉＯ2を０．１０〜０．１７の範囲にするのが好ま
しい。
【００４２】Ａｌ2Ｏ3成分は、その量が２２％未満では
原ガラスの溶融が困難となり、ガラスセラミックスの化
学的耐久性が悪化する。また、２６％を超えるとやはり
原ガラスの溶融性が悪化するのと同時に失透性が悪化す
る。
【００４３】Ｌｉ2Ｏ、ＭｇＯ、ＺｎＯの３成分は、β
−石英固溶体結晶の構成要素である重要な成分である
が、これらの３成分は、上記ＳｉＯ2成分とＰ2Ｏ5成分
の限定された効果と共存のもとガラスセラミックスの低
膨張特性を向上させ、原ガラスの溶融性、清澄性を著し
く向上させる重要な成分であるが、Ｌｉ2Ｏ成分は、そ
の量が３％未満では上記効果が得られず、さらに目的と
する結晶相が析出し難くなる。また５％を超えると上記
低膨張特性が得られず、原ガラスの失透性が著しく悪化
する。ＭｇＯ成分は、その量が０．６％未満では上記効
果が得られず、また２％を超えると上記低膨張特性が得
られない。ＺｎＯ成分は、その量が０．５％未満では、
上記効果が得られず、また２％を超えると上記低膨張特
性が得られず、原ガラスの失透性が著しく悪化する。さ
らに上記効果を著しく向上させるには、Ｌｉ2Ｏ＋Ｍｇ
Ｏ＋ＺｎＯの３成分の合計量が４．０〜６．５％の範囲
にするのが好ましい。
【００４４】ＣａＯ、ＢａＯの２成分は、基本的にガラ
ス中に析出した結晶以外のガラスマトリックスとして残
存するものであるが、上記効果に対して、結晶相とガラ
スマトリックス相の微調整成分として重要であるが、Ｃ
ａＯ成分は、４％を超えると目標とする結晶相が得られ
ず、原ガラスの失透性が悪化する。ＢａＯ成分は、その
量が０．５％未満では、上記効果が得られず、３％を超
えると原ガラスの溶融性が悪化し失透性が悪化する。さ
らに上記効果を著しく向上させるには、ＣａＯ＋ＢａＯ
の２成分の合計量が０．５％〜５％の範囲にするのが好
ましい。
【００４５】ＴｉＯ2およびＺｒＯ2成分は、いずれも結
晶核形成剤として不可欠であるが、これらの量がそれぞ
れ１％未満では、所望の結晶を析出することができず。
またそれぞれ４％を超えると原ガラスの溶融性が悪化し
不溶物が発生してしまう。
【００４６】Ａｓ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3成分は、均質な製品を
得るためガラス溶融の際の清澄剤として添加し得るが、
その量は２％以下で十分である。
【００４７】本発明において、ランディング領域におけ
る凹凸または突起をＬＤ励起固体レーザーにより行う場
合、レーザー吸収効果を挙げるために着色成分の添加が
不可欠である。また、ＣＯ2レーザーによる凹凸または
突起の形成の場合は着色成分の添加は不要であるが、着
色成分を添加した系にＣＯ2レーザーを照射することも
可能である。
【００４８】本発明においては、着色成分として、Ｖ2
Ｏ5、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｕＯ成分の少なく
とも１種を使用し、各成分それぞれ、３％を超えると析
出結晶相の粒子径が大きくなり、原ガラスの失透性が悪
化する。さらに各成分の合計量が１％未満では、目的と
する光線透過率が得られず、レーザー加工が困難とな
る。また、その合計量が４％を超えると原ガラスの失透
性が悪化してしまい量産性が著しく低下する。
【００４９】ＬＤ励起固体レーザー加工に対して使用す
るレーザー波長（０．２μm〜０．６μm）または（１．
０５μm〜１．４０μm）において、レーザー出力を過度
に高めることなく充分なレーザーによる加熱を行うため
に必要な光線透過率は板厚０．６３５ｍｍで０％〜１０
％であることが判った。光線透過率をこの範囲に定める
ことにより、レーザー照射時間を最小限度にとどめるこ
とができ、基板表面に過剰な応力を生じるおそれがな
く、量産性を確保しつつ凹凸または突起の形成を安定的
に行うことが可能となる。
【００５０】つぎに本発明にかかる磁気情報記憶媒体用
ガラスセラミックス基板を製造するには、上記の組成を
有するガラスを溶解し、熱間成形および／または冷間加
工を行った後６５０℃〜７５０℃の範囲の温度で熱処理
結晶核を形成し、続いて７５０℃〜９５０℃の範囲の温
度で熱処理結晶化を行う。
【００５１】こうして熱処理により結晶化されたガラス
セラミックスの結晶相はβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ2
固溶体）またはβ−石英固溶体およびβ−スポジュメン
（β−Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2）の混晶である。
これらの結晶粒子は球状粒子構造を有しており、その大
きさは、着色成分を含有しない系または着色成分を含有
する系共に２００Å〜５０００Åの範囲内の径を有して
いる。また、これらのガラスセラミックスは−６０℃〜
＋６００℃の温度範囲で−１０〜＋２０×１０-7／℃の
熱膨張係数を有している。
【００５２】次にこの熱処理結晶化したガラスを常法に
よりラッピングした後ポリシングする事により、表面粗
度（Ｒａ）１Å〜５Åの範囲の磁気情報記憶媒体基板が
得られる。
【００５３】ランディングゾーン方式の場合は、さら
に、これらの基板は、ランディング領域に凹凸または突
起形成のためにＬＤ励起固体レーザー、またはＣＯ2 レ
ーザーによりランディング領域への凹凸または突起の形
成加工を行う。
【００５４】この際のＬＤ励起固体レーザーの波長は
０．２μm〜０．６μmまたは１．０５μm〜１．４０μm
の範囲に限定される。レーザー照射後のランディング領
域には、５０Å〜３００Åの凹凸または突起が１０μm
〜２００μmの間隔で表面粗度（Ｒａ）が１０Å〜５０
Åの範囲で形成される。こうして５０Å〜３００Åの凹
凸または突起が形成されたランディング領域と平滑性の
優れたデータ領域を兼ね備えた図１に示すような磁気情
報記憶媒体用ガラスセラミックス基板が得られる。図１
において、ガラスセラミックス基板１は中心にある円形
穴５を囲むランディング領域３とその外側のデータ領域
２を有する。なお、４はリングと呼ばれる未記録領域で
ある。図２において、ランディング領域に形成された凹
凸の形状を示す。図３において、ランディング領域に形
成された突起を示す。図４において、ランディング領域
に形成される凹凸または突起の間隔を示す。図５におい
て、ランディング領域に形成される凹凸または突起の高
さを示す。
【００５５】一般に知られる材料の表面改質（切断、溶
接、微細加工）に用いられるレーザーは、Ａｒレーザ
ー、ＣＯ2レーザー、エキシマレーザー、ＬＤ励起固体
レーザーに大きく分類する事ができるが、特に本発明に
おけるガラスセラミックスのレーザー加工に対し、Ａｒ
レーザー、エキシマレーザーは、加工表面の形状および
飛沫による表面欠陥を発生させてしまうため、ＬＤ励起
固体レーザーおよびＣＯ2レーザーに限定されることが
判った。
【００５６】ＬＤ励起固体レーザーまたはＣＯ2レーザ
ーによりランディング領域を形成するには、研磨された
ガラスセラミックス基板をスピンドルにクランプした状
態で回転させながらパルスレーザーを基板表面に垂直に
一定間隔で照射しランディング領域の凹凸または突起を
形成する。
【００５７】このパルスレーザーの照射については、Ｌ
Ｄ励起固体レーザー、スポット径２μm〜５０μm、ＣＯ
2レーザー、スポット径１５μm〜５０μmにてそれぞれ
ガラスセラミックス組成に合わせレーザー出力、レーザ
ーパルス幅等の諸条件を制御して行う。
【００５８】レーザー照射による基板表面の凹凸または
突起形成に関して凹凸または突起の形成に影響する諸条
件は、レーザー出力、レーザーパルス長、レーザ
ースポット径すなわち基板表面の照射面積、等が主なも
のである。ＬＤ励起固体レーザーによる凹凸または突起
を形成する際の基板材質においては、特にレーザーの使
用波長（０．２μm〜０．６μm）またはあ（１．０５μ
m〜１．４０μm）における吸収特性すなわち使用波長で
光線透過率が低く適した材料であることがもっとも重要
である。例えば結晶を析出していない一般的なガラス基
板においては、ＬＤ励起固体レーザーの使用波長を選択
的に吸収しておらず基板表面をヒートアップ、凹凸また
は突起の形成が出来ない。
【００５９】レーザー加工によりランディング領域に凹
凸または突起を形成したガラスセラミックス基板は、磁
気情報記憶媒体としての成膜プロセスを経て、高記憶密
度用磁気情報記憶媒体となる。すなわち、このガラスセ
ラミックス基板を、真空状態で加熱し、その後スパッタ
リングによりＣｒの中間層、Ｃｏ合金の磁性層、Ｃの保
護層を成膜し、その上に潤滑層の塗布を行うことによっ
て磁気ディスク等の磁気情報記憶媒体が得られる。
【００６０】
【発明の実施の形態】次に本発明の好適な実施例につい
て説明する。表１〜表４は本発明をランディングゾーン
方式の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板に適
用した実施組成例（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．９）および比較組
成例としてＬｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラスセラミックス２種
（特開昭６２−７２５４７号公報記載のもの−比較１お
よび特開昭６３−２１００３９号公報記載のもの−比較
２）をこれらのガラスセラミックスの核形成温度、結晶
化温度、外観色、結晶相・粒子径、結晶粒子形態、板厚
０．６３５ｍｍによる波長０．２μm〜０．６μmおよび
１．０５μm〜１．４０μmの平均光線透過率、ランディ
ング領域の形成に使用したレーザーの種類およびレーザ
ーの波長、レーザー照射後の凹凸または突起の高さ、ラ
ンディング領域の表面粗度（Ｒａ）、データ領域の研磨
して成る表面粗度（Ｒａ）、ガラスセラミックスの熱膨
張係数を示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】
【表２】
【００６３】
【表３】
【００６４】
【表４】
【００６５】本発明の上記実施例のガラスは、いずれも
酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常
の溶解装置を用いて約１４５０℃〜１５００℃の温度で
溶解し撹拌均質化した後ディスク状に成形して、冷却し
ガラス成形体を得た。その後これを７００〜７５０℃で
熱処理して結晶核形成後、８００〜９２０℃で熱処理し
て結晶化し所望のガラスセラミックスを得た。ついで上
記ガラスセラミックスを平均粒径５．０〜３０．００μ
mの砥粒にてラッピングし、その後平均粒径０．２〜
２．０μmの酸化セリュ−ムにて研磨仕上げた。さらに
研磨されたガラスセラミックスは、ＬＤ励起固体レーザ
ーまたはＣＯ2レーザーの照射系を固定し、ガラスセラ
ミックス基板を回転させつつパルスレーザーを照射しラ
ンディング領域への凹凸または突起を形成した。
【００６６】このパルスレーザーの照射は、レーザー波
長、レーザー出力、レーザービーム径、焦点距離、レー
ザーパルス幅等の諸条件をガラスセラミックスの組成に
合わせ制御し行った。
【００６７】さらにランディング領域を形成したガラス
セラミックスは、実施例Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７については
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用い、ランディング領域お
よびデータ領域の表面粗度（Ｒａ）、ランディング領域
の凹凸または突起の高さを求めた。
【００６８】本発明の実施例および比較例の結晶形態を
図６、図７に示し、また本発明の実施例および公知のア
ルミノシリケイト系化学強化ガラスのレーザー照射後の
表面状態を図８、９、図１０に示す。図６は本発明（実
施例２）のガラスセラミックスのＨＦエッチング後の粒
子構造を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真、図７は
従来のガラスセラミックス（比較例２）のＨＦエッチン
グ後の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写
真、図８は本発明（実施例２）のガラスセラミックスの
Ｎｄ：ＹＡＧ、ＬＤ励起固体レーザー（波長１．０６４
μm）照射後の走査電子顕微鏡写真、図９は本発明（実
施例１）のガラスセラミックスのＣＯ2レーザー（波長
１０．５０μm）照射後の走査型電子顕微鏡写真、図１
０は公知のアルミノシリケイト系化学強化ガラスのＮ
ｄ：ＹＡＧレーザー（波長０．２６６μm）照射後の走
査型電子顕微鏡写真である。図１１は、本発明（実施例
１）のガラスセラミックスのデータ領域の原子間力顕微
鏡（ＡＦＭ）による表面状態と表面粗度（Ｒａ）を示し
た写真である。
【００６９】表１〜４および図６，図７に示されるとお
り、本発明の実施例と従来のＬｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラス
セラミックスの比較例とでは、結晶相および結晶形態が
全くことなり、本発明のガラスセラミックスは、β−石
英固溶体およびβ−スポジュメンが球状粒子形態で非常
に微細粒子であるのに対し、比較例１，２のガラスセラ
ミックスはＬｉ2Ｓｉ2Ｏ5結晶が針状形態でかつ結晶粒
子径が１．０μm以上と粗大な粒子である。これは、よ
り研磨して成る基板表面の平滑性を求められる状況にお
いて、研磨時の結晶粒子の脱落から発生する欠陥に影響
するものであり、比較例１，２のガラスセラミックスは
１２Å以下のより平滑性に優れた表面特性を得ることが
困難であることを示すものである。
【００７０】また図８，９、１０に示すレーザー照射に
よる表面状態については、前記従来技術で記載した様
に、従来のアルミニウム合金基板や化学強化ガラスで生
じる欠点に対し、本発明のガラスセラミックスは、図
８，９に示す通り均質で形状の優れたレーザー加工が可
能である。図１０に示す公知のアルミノシリケイトガラ
ス（ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏイオン交換）
は、レーザーによる加工が不安定で汚く照射部のクラッ
クの発生等の表面状態であるのが明白である。図１０に
示すアルミノシリケイト化学強化ガラスは、ＬＤ励起固
体レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧ）において、レーザー波長が
０．２６６μm以外のレーザー波長１．０６４μmおよび
０．５３２μmでは、レーザーによる加熱が十分出来な
いものであり、レーザー波長０．２６６μmによる加工
を行ったものであるが、レーザーによる加工が不安定で
汚い表面状態になるっている。
【００７１】この現象に関しては、本発明のガラスセラ
ミックスはアモルファス状態のガラスに比べ耐熱性に優
れ、かつ化学強化ガラス特有の表面強化層と内部未強化
層との間の応力変化がなく、さらに本発明のガラスセラ
ミックスの内部に析出している結晶相は、種々の外的作
用によつて生じるマイクロクラックの成長を防止する効
果があり、これらの総合的効果によりレーザー照射に対
する耐久性を向上させているものと考えられる。
【００７２】図１２は本発明の磁気情報記憶媒体の１例
としてのランディングゾーン方式の磁気情報記憶媒体
（例：磁気ディスク）を使用した情報記憶装置（例：パ
ーソナルコンピュータのハードディスク装置）を示す。
【００７３】図１２において、磁気情報記憶媒体１はデ
ータ領域２、ランディング領域３を備えている。磁気情
報記憶媒体１は情報記憶装置６上に回転可能に装着され
ており、情報記憶装置６上には磁気ヘッド７が枢着され
ている。磁気ヘッド７はランディングゾーン３上におい
て起動し、データ領域２において低浮上または接触状態
でデータの記録または再生を行った後ランディングゾー
ン３に戻って停止する。
【００７４】上記本発明のランディングゾーン方式にか
かる磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の上記各
実施例は、レーザー加工によるランディング加工を行う
ことなく、ランプローディング方式の磁気情報記憶媒体
用ガラスセラミック基板としてそのまま使用することが
できる。
【００７５】図１３はランプローディング方式の磁気情
報記憶媒体（例：磁気ディスク）を使用した情報記憶装
置（例：パーソナルコンピュータのハードディスク装
置）を示す。
【００７６】図１３において図１２と同一構成要素は図
１２と同一符号で示しその説明を省略する。この方式に
おいては、磁気ヘッド７の起動・停止は図示の磁気情報
記憶媒体１から外側に外れた位置において行う。すなわ
ち、磁気ヘッド７は図示の記憶媒体１から外れた位置に
おいて起動し、データ領域２において低浮上または接触
状態でデータの記録または再生を行った後図示の位置に
戻って停止する。
【００７７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、上
記従来技術に見られる諸欠点を解消しっっ、磁気ヘッド
の起動・停止を完全に磁気情報記憶媒体表面から外すラ
ンプローディング方式に対応した基板表面の超平滑性を
備え、さらに磁気情報記憶媒体の特定部分に吸着防止を
行い、磁気ヘッドの起動・停止を行うランディングゾー
ン方式のランディング領域のレーザー加工特性を兼ね備
えた磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板および
このガラスセラミックス基板上に磁気媒体の被膜を形成
してなる磁気情報記憶媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るランディングゾーン方式の磁気情
報記憶媒体用ガラスセラミックス基板の中心にある円形
穴を囲むランディング領域とデータ領域とを示す上面図
である。
【図２】上記ランディング領域に形成される凹凸の形状
を示す断面図である。
【図３】上記ランディング領域に形成される突起の形状
を示す断面図である。
【図４】上記ランディング領域に形成される凹凸または
突起の間隔を示す断面図である。
【図５】上記ランディング領域に形成される凹凸または
突起の高さを示す断面図である。
【図６】本発明のガラスセラミックス（実施例２）のＨ
Ｆエッチング後の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真
である。
【図７】従来のガラスセラミックス（比較例２）のＨＦ
エッチング後の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真で
ある。
【図８】本発明のガラスセラミックス（実施例２）のＬ
Ｄ励起固体レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー波長１．０
６４μm）照射後の凹凸を示す走査型電子顕微鏡写真で
ある。
【図９】本発明のガラスセラミックス（実施例１）のＣ
Ｏ2レーザー（波長１０．５μm）照射後の突起を示す走
査型電子顕微鏡写真である。
【図１０】従来のアルミノシリケイト系化学強化ガラス
のＬＤ励起固体レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー波長
０．２６６μm）照射後の走査型電子顕微鏡写真であ
る。
【図１１】本発明のガラスセラミックス（実施例１）の
データ領域の原子間力顕微鏡写真と表面粗度（Ｒａ）を
示したものである。
【図１２】磁気ヘッドの起動・停止をランディング領域
で行うランディングゾーン方式の情報記憶装置を示した
ものである。
【図１３】磁気ヘッドの起動・停止を情報記憶媒体基板
により外し行うランプローディング方式の情報記憶装置
を示したものである。
【符号の説明】
１ ガラスセラミックス基板 ２ データ領域 ３ ランディング領域 ４ リング ５ 円形穴 ６ 情報記憶装置 ７ 磁気ヘッド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年２月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】本発明の一側面において、ガラスセラミッ
クス基板のガラスセラミックスは、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ
３−Ｌｉ２Ｏ系ガラスセラミックスにおいて、該ガラス
セラミックスの主結晶相はβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ
２固溶体）またはβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ２固溶
体）及びβ−スポジュメン（β−Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３
・４ＳｉＯ２）の混晶であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】本発明の一側面において、前記ガラスセラ
ミックス基板のガラスセラミックは重量百分率で、 ＳｉＯ２ ５０ 〜 ６０％ Ｐ２Ｏ５ ６ 〜 １０％ ＳｉＯ２＋Ｐ２Ｏ５ ５６ 〜 ６５％ ただし、重量比で、Ｐ２Ｏ５／ＳｉＯ２ ０．１０ 〜 ０．１７ Ａｌ２Ｏ３ ２２ 〜 ２６％ Ｌｉ２Ｏ ３ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．６〜 ２％ ＺｎＯ ０．５〜 ２％ Ｌｉ２Ｏ＋ＭｇＯ＋ＺｎＯ ４．０〜 ６．５％ ＣａＯ ０ 〜 ４％ ＢａＯ ０．５〜 ３％ ＣａＯ＋ＢａＯ ０．５〜 ５％ ＴｉＯ２ １ 〜 ４％ ＺｒＯ２ １ 〜 ４％ Ａｓ２Ｏ３ ０ 〜 ２％ Ｓｂ２Ｏ３ ０ 〜 ２％ Ｖ２Ｏ５ ０ 〜 ３％ ＣｏＯ ０ 〜 ３％ ＮｉＯ ０ 〜 ３％ Ｃｒ２Ｏ３ ０ 〜 ３％ ＣｕＯ ０ 〜 ３％ Ｖ２Ｏ５＋ＣｏＯ＋ＮｉＯ＋Ｃｒ２Ｏ３＋ＣｕＯ １ 〜 ４％ からなるガラスを熱処理する事により得られ、主結晶相
としてβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ２固溶体）またはβ
−石英固溶体（β−ＳｉＯ２固溶体）およびβ−スポジ
ュメン（β−Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２）の混
晶の少なくとも１種であることを特徴とする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 5/82 Ｇ１１Ｂ 5/82 5/84 5/84 Ｚ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ系ガラスセ
    ラミックスからなり、該ガラスセラミックスの主結晶相
    はβー石英固溶体（βーＳｉＯ2固溶体またはβー石英
    固溶体（βーＳｉＯ2固溶体）及びβースポジュメン
    （βーＬｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2）の混晶の少なく
    とも１種であることを特徴とする磁気情報記憶媒体用ガ
    ラスセラミックス基板。
  2. 【請求項２】 前記ガラスセラミックス基板において、
    βー石英固溶体及びβースポジュメンの結晶粒子の大き
    さは、２００Å〜５０００Åの範囲内の径を有している
    ことを特徴とする請求項１に記載の磁気情報記憶媒体用
    ガラスセラミックス基板。
  3. 【請求項３】 前記ガラスセラミックス基板において、
    研磨加工した後の表面粗度（Ｒａ）が１Å〜５Åである
    ことを特徴とする請求項２に記載の磁気情報記憶媒体用
    ガラスセラミックス基板。
  4. 【請求項４】 前記ガラスセラミックス基板はデータ領
    域とランディング領域とを有し、該ランディング領域は
    レーザ照射により形成された無数の凹凸または突起を有
    することを特徴とする請求項１に記載の磁気情報記憶媒
    体用ガラスセラミックス基板。
  5. 【請求項５】 前記レーザの種類がＬＤ励起固体レーザ
    であることを特徴とする請求項４に記載の磁気情報記憶
    媒体用ガラスセラミックス基板。
  6. 【請求項６】 前記レーザの種類がＣＯ2レーザーであ
    ることを特徴とする請求項４に記載の磁気情報記憶媒体
    用ガラスセラミックス基板。
  7. 【請求項７】 前記ＬＤ励起固体レーザの波長が０．２
    μm〜０．６μmまたは１．０５μm〜１．４０μmの範囲
    であることを特徴とする請求項５に記載の磁気情報記憶
    媒体用ガラスセラミックス基板。
  8. 【請求項８】 前記ガラスセラミックス基板において、
    ＬＤ励起固体レーザ波長（０．２μm〜０．６μm）また
    は（１．０５μm〜１．４０μm）における光線透過率が
    厚さ０．６３５ｍｍにおいて０％〜１０％であることを
    特徴とする請求項７に記載の磁気情報記憶媒体用ガラス
    セラミックス基板。
  9. 【請求項９】 前記ガラスセラミックス基板において、
    研磨加工した後の表面粗度（Ｒａ）が１Å〜５Åのデー
    タ領域を有し、さらにランディング領域にレーザを照射
    することで無数の凹凸または突起を形成し、その凹凸ま
    たは突起の高さが５０Å〜３００Åで表面粗度（Ｒａ）
    が１０Å〜５０Åであり、その凹凸または突起の間隔が
    １０μm〜２００μmであることを特徴とする請求項４〜
    ６のいずれかに記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミ
    ックス基板。
  10. 【請求項１０】 前記ガラスセラミックス基板のガラス
    セラミックは重量百分率で、 ＳｉＯ2 ５０ 〜 ６０％ Ｐ2Ｏ5 ６ 〜 １０％ ＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5 ５６ 〜 ６５％ ただし、重量比で、Ｐ2Ｏ5／ＳｉＯ2 ０．１０ 〜 ０．１７ Ａｌ2Ｏ3 ２２ 〜 ２６％ Ｌｉ2Ｏ ３ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．６〜 ２％ ＺｎＯ ０．５〜 ２％ Ｌｉ2Ｏ＋ＭｇＯ＋ＺｎＯ ４．０〜 ６．５％ ＣａＯ ０ 〜 ４％ ＢａＯ ０．５〜 ３％ ＣａＯ＋ＢａＯ ０．５〜 ５％ ＴｉＯ2 １ 〜 ４％ ＺｒＯ2 １ 〜 ４％ Ａｓ2Ｏ3 ０ 〜 ２％ Ｓｂ2Ｏ3 ０ 〜 ２％ からなるガラスを熱処理する事により得られ、主結晶相
    がβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体）または、β−
    石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体）およびβ−スポジュ
    メン（β−Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2）の混晶の少
    なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜３のい
    ずれかに記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス
    基板。
  11. 【請求項１１】 前記ガラスセラミックス基板のガラス
    セラミックは重量百分率で、 ＳｉＯ2 ５０ 〜 ６０％ Ｐ2Ｏ5 ６ 〜 １０％ ＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5 ５６ 〜 ６５％ ただし、重量比で、Ｐ2Ｏ5／ＳｉＯ2 ０．１０ 〜 ０．１７ Ａｌ2Ｏ3 ２２ 〜 ２６％ Ｌｉ2Ｏ ３ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．６〜 ２％ ＺｎＯ ０．５〜 ２％ Ｌｉ2Ｏ＋ＭｇＯ＋ＺｎＯ ４．０〜 ６．５％ ＣａＯ ０ 〜 ４％ ＢａＯ ０．５〜 ３％ ＣａＯ＋ＢａＯ ０．５〜 ５％ ＴｉＯ2 １ 〜 ４％ ＺｒＯ2 １ 〜 ４％ Ａｓ2Ｏ3 ０ 〜 ２％ Ｓｂ2Ｏ3 ０ 〜 ２％ Ｖ2Ｏ5 ０ 〜 ３％ ＣｏＯ ０ 〜 ３％ ＮｉＯ ０ 〜 ３％ Ｃｒ2Ｏ3 ０ 〜 ３％ ＣｕＯ ０ 〜 ３％ Ｖ2Ｏ5＋ＣｏＯ＋ＮｉＯ＋Ｃｒ2Ｏ3＋ＣｕＯ １ 〜 ４％ からなるガラスを熱処理する事により得られ、主結晶相
    としてβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体またはβ−
    石英固溶体（β−ＳｉＯ2固溶体）およびβ−スポジュ
    メン（β−Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2）の混晶の少
    なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜９のい
    ずれかに記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス
    基板。
  12. 【請求項１２】 前記ガラスセラミックスは、ガラス原
    料を溶融、成形および徐冷後、熱処理条件として核形成
    温度が６５０〜７５０℃、結晶化温度が７５０〜９５０
    ℃で熱処理することにより得られ、−６０℃〜＋６００
    ℃の温度範囲で−１０〜＋２０×１０-7／℃の熱膨張係
    数であることを特徴とする請求項１〜１１に記載の磁気
    情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板。
  13. 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかに記載の磁
    気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板上に磁気媒体
    の被膜を形成してなる磁気情報記憶媒体。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100329001B1 (ko) * 1998-02-26 2002-03-20 가지카와 히로시 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판
JP2005231994A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Schott Ag 低熱膨張性ガラスセラミック
JP2006232661A (ja) * 2005-01-31 2006-09-07 Ohara Inc 結晶化ガラスおよびその製造方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6287663B1 (en) * 1995-10-31 2001-09-11 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium
US6191058B1 (en) * 1996-02-02 2001-02-20 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic substrate for a magnetic disk
US6120922A (en) * 1997-04-28 2000-09-19 Goto; Naoyuki Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium
JP3311308B2 (ja) * 1998-03-03 2002-08-05 株式会社オハラ 垂直磁気記録媒体用ガラスセラミックス基板
JP2000203880A (ja) * 1998-09-11 2000-07-25 Ohara Inc 情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板及びその製造方法、並びに情報記憶媒体ディスク
US6440531B1 (en) * 1999-05-13 2002-08-27 Nippon Sheet Glass Co., Ltd Hydrofluoric acid etched substrate for information recording medium
CN1243106A (zh) * 1999-05-21 2000-02-02 彭波 记录装置基板用结晶化玻璃及制造方法
DK1114803T3 (da) * 1999-05-28 2006-02-06 Nippon Electric Glass Co Transparent, krystalliseret og krystallinsk glas af typen L12-A12O3-SIO2
JP3107304B1 (ja) * 1999-08-10 2000-11-06 株式会社オハラ 光フィルター用ガラスセラミックス及び光フィルター
US6677259B2 (en) * 1999-08-10 2004-01-13 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramics for a light filter
US6664503B1 (en) 1999-09-07 2003-12-16 Asahi Glass Company, Ltd. Method for manufacturing a magnetic disk
CN1391537A (zh) * 1999-09-21 2003-01-15 株式会社小原 信息存储磁盘用保持构件及信息存储磁盘驱动器
JP4704585B2 (ja) * 2000-07-07 2011-06-15 株式会社オハラ 低膨張透明結晶化ガラス、結晶化ガラス基板及び光導波路素子
US7071132B2 (en) * 2000-07-07 2006-07-04 Kabushiki Kaisha Ohara Low expansion transparent glass ceramics
JP4428835B2 (ja) * 2000-08-09 2010-03-10 昭和電工株式会社 磁気記録媒体及びその製造方法
US6860795B2 (en) * 2001-09-17 2005-03-01 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Edge finishing process for glass or ceramic disks used in disk drive data storage devices
US7226881B2 (en) * 2003-09-19 2007-06-05 Kabushiki Kaisha Ohara Ultra low thermal expansion transparent glass ceramics
US9138913B2 (en) * 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
JP4755135B2 (ja) * 2007-04-27 2011-08-24 株式会社オハラ 結晶化ガラス
DE102007033338B4 (de) * 2007-07-16 2010-06-02 Schott Ag Hartstoffbeschichteter Glas- oder Glaskeramik-Artikel und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung des Glas- oder Glaskeramik-Artikels
JP5070006B2 (ja) * 2007-11-02 2012-11-07 株式会社オハラ 結晶化ガラス
KR100988603B1 (ko) * 2008-05-21 2010-10-18 삼성전기주식회사 낮은 열팽창계수를 가지는 유리조성물, 유리섬유,인쇄회로기판의 절연층 및 인쇄회로기판
JP2011129232A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Asahi Glass Co Ltd ガラス基板の製造方法
WO2012001971A1 (ja) * 2010-06-30 2012-01-05 Ｊｆｅスチール株式会社 方向性電磁鋼板の製造方法
KR102306087B1 (ko) 2011-11-16 2021-09-29 코닝 인코포레이티드 높은 균열 개시 임계값을 갖는 이온 교환가능한 유리
US8664130B2 (en) 2012-04-13 2014-03-04 Corning Incorporated White, opaque β-spodumene/rutile glass-ceramic articles and methods for making the same
US9701574B2 (en) 2013-10-09 2017-07-11 Corning Incorporated Crack-resistant glass-ceramic articles and methods for making the same
JP2015110508A (ja) * 2013-10-31 2015-06-18 株式会社オハラ 結晶化ガラス
US9751798B2 (en) * 2014-06-30 2017-09-05 Corning Incorporated White, opaque,β-spodumene glass-ceramic articles with inherent damage resistance and methods for making the same
US10703671B2 (en) * 2016-01-26 2020-07-07 Corning Incorporated Photosensitive glasses and glass ceramics and composite glass materials made therefrom
WO2018071360A1 (en) 2016-10-12 2018-04-19 Corning Incorporated Glass ceramics
CN110963669B (zh) * 2019-12-31 2021-05-28 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种玻璃原料前处理造粒工艺
CN111847887A (zh) * 2020-07-16 2020-10-30 浙江皓翔矿业有限公司 利用叶蜡石矿渣研制的英固溶体和k-石英固溶体低膨胀微晶玻璃及其制备方法
CN112939469B (zh) * 2021-03-23 2022-03-08 成都光明光电股份有限公司 微晶玻璃和微晶玻璃制品

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60229234A (ja) * 1984-04-27 1985-11-14 Sumitomo Special Metals Co Ltd 磁気ディスク用基板の製造方法
JPH0692681A (ja) * 1992-09-14 1994-04-05 Ohara Inc 低膨張透明結晶化ガラス
JPH06329440A (ja) * 1993-05-19 1994-11-29 Ohara Inc 磁気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法
JPH07157331A (ja) * 1993-12-09 1995-06-20 Ohara Inc 磁気ディスク用着色結晶化ガラス
JPH07172862A (ja) * 1993-06-26 1995-07-11 Carl Zeiss:Fa 波長２７００〜３３００ｎｍにおいて高伝導性を有する透明または半透明な無機材料
JPH07182655A (ja) * 1993-11-10 1995-07-21 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 脆性表面のテクスチャ加工方法及びこの方法により加工された磁気データ記憶ディスク
JPH07247138A (ja) * 1994-03-15 1995-09-26 Ohara Inc 結晶化ガラス及びその製造方法
JPH08111024A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Ohara Inc 磁気ディスク基板およびその製造方法
JPH08133783A (ja) * 1994-09-13 1996-05-28 Ohara Inc 低膨張透明ガラスセラミックス
JPH08147688A (ja) * 1994-11-16 1996-06-07 Ohara Inc 磁気ディスク基板の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4814297A (en) * 1987-04-01 1989-03-21 Corning Glass Works Strengthened glass article and method
JPH0692263B2 (ja) * 1989-02-16 1994-11-16 伊藤忠商事株式会社 記録ディスク基板及びその製造方法
US4971932B1 (en) * 1989-02-24 1995-01-03 Corning Glass Works Magnetic memory storage devices
EP0729924B1 (en) * 1993-05-19 2000-01-26 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic for a magnetic disk substrate
US5626935A (en) * 1993-05-19 1997-05-06 Kabushiki Kaisya Ohara Magnetic disk substrate and method for manufacturing the same
US5391522A (en) * 1993-05-19 1995-02-21 Kabushiki Kaisya Ohara Glass-ceramic for magnetic disks and method for manufacturing the same
US5744208A (en) * 1994-06-24 1998-04-28 Corning Incorporated Glass-ceramics containing lithium disilicate and tridymite
US5550696A (en) * 1995-01-27 1996-08-27 International Business Machines Corporation Magnetic recording disk having textured test band for controlling texture in the slider landing zone
US5691256A (en) * 1995-12-28 1997-11-25 Yamamura Glass Co., Ltd. Glass composition for magnetic disk substrates and magnetic disk substrate
JPH10158034A (ja) * 1996-10-04 1998-06-16 S Ii C Kk 情報記録ディスク基板用結晶化ガラス

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60229234A (ja) * 1984-04-27 1985-11-14 Sumitomo Special Metals Co Ltd 磁気ディスク用基板の製造方法
JPH0692681A (ja) * 1992-09-14 1994-04-05 Ohara Inc 低膨張透明結晶化ガラス
JPH06329440A (ja) * 1993-05-19 1994-11-29 Ohara Inc 磁気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法
JPH07172862A (ja) * 1993-06-26 1995-07-11 Carl Zeiss:Fa 波長２７００〜３３００ｎｍにおいて高伝導性を有する透明または半透明な無機材料
JPH07182655A (ja) * 1993-11-10 1995-07-21 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 脆性表面のテクスチャ加工方法及びこの方法により加工された磁気データ記憶ディスク
JPH07157331A (ja) * 1993-12-09 1995-06-20 Ohara Inc 磁気ディスク用着色結晶化ガラス
JPH07247138A (ja) * 1994-03-15 1995-09-26 Ohara Inc 結晶化ガラス及びその製造方法
JPH08133783A (ja) * 1994-09-13 1996-05-28 Ohara Inc 低膨張透明ガラスセラミックス
JPH08111024A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Ohara Inc 磁気ディスク基板およびその製造方法
JPH08147688A (ja) * 1994-11-16 1996-06-07 Ohara Inc 磁気ディスク基板の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100329001B1 (ko) * 1998-02-26 2002-03-20 가지카와 히로시 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판
KR100329000B1 (ko) * 1998-02-26 2002-04-10 가지카와 히로시 정보 자기 기억 매체용 고강성 글래스-세라믹 기판
JP2005231994A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Schott Ag 低熱膨張性ガラスセラミック
JP4504835B2 (ja) * 2004-02-20 2010-07-14 ショット アクチエンゲゼルシャフト 低熱膨張性ガラスセラミック
JP2006232661A (ja) * 2005-01-31 2006-09-07 Ohara Inc 結晶化ガラスおよびその製造方法

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Publication number Publication date
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SG50892A1 (en) 1998-07-20

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