JP3219701B2 - 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板およびその製造方法 - Google Patents
磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報記憶装置に用
いられる磁気情報記憶媒体用基板、特に、コンタクトレ
コーディング法式に対応した、基板表面の改善された超
平滑性と、コンタクト・スタート・ストップ方式に対応
した磁気ディスクと磁気ヘッドの吸着を防止し、改善さ
れた表面特性を有するガラスセラミックからなる磁気デ
ィスク用基板等の磁気情報記憶媒体用基板およびこの磁
気情報記憶媒体用基板に成膜プロセスを施して形成され
る磁気情報記憶媒体ならびに磁気情報記憶媒体基板の製
造方法に関する。本明細書において「磁気情報記憶媒
体」とは、パーソナルコンピュータのハードディスクと
して使用される磁気ディスクやデジタルビデオカメラに
おいて使用可能な磁気情報記憶媒体等のディスク状磁気
情報記憶媒体を意味する。
いられる磁気情報記憶媒体用基板、特に、コンタクトレ
コーディング法式に対応した、基板表面の改善された超
平滑性と、コンタクト・スタート・ストップ方式に対応
した磁気ディスクと磁気ヘッドの吸着を防止し、改善さ
れた表面特性を有するガラスセラミックからなる磁気デ
ィスク用基板等の磁気情報記憶媒体用基板およびこの磁
気情報記憶媒体用基板に成膜プロセスを施して形成され
る磁気情報記憶媒体ならびに磁気情報記憶媒体基板の製
造方法に関する。本明細書において「磁気情報記憶媒
体」とは、パーソナルコンピュータのハードディスクと
して使用される磁気ディスクやデジタルビデオカメラに
おいて使用可能な磁気情報記憶媒体等のディスク状磁気
情報記憶媒体を意味する。
【０００２】
【従来の技術】パーソナルコンピュータのマルチメディ
ア化やデジタルビデオカメラ等のように動画や音声等の
データが扱われるようになり、大容量の情報記憶装置が
必要となっている。その結果磁気情報記憶媒体は、面記
録密度を大きくするために、ビットおよびトラック密度
を増加させ、ビットセルのサイズを縮少化する必要があ
る。それに対応し磁気ヘッドは、ビットセルの縮少化に
合せ磁気情報記憶媒体基板表面により近接して作動する
ようになる。このように磁気ヘッドが磁気情報記憶媒体
基板に対し低浮上状態または接触状態（コンタクト）に
て作動する場合磁気ヘッドの起動・停止時に磁気情報記
憶媒体基板と磁気ヘッドの吸着、それに伴なうヘッドク
ラッシュおよび磁性膜の損傷を発生してしまう。これら
の問題に対しては、磁気ヘッドの起動・停止技術として
磁気情報記憶媒体基板の特定部分（ディスク内径側の未
記録・書き込み部）に吸着防止を行い、磁気ヘッドの起
動・停止を行うランディングゾーン方式等の技術開発が
重要となってくる。現在の情報記憶装置において、磁気
ヘッドは、装置始動前は磁気情報記憶媒体基板に接触し
ており、装置始動時には磁気情報記憶媒体基板より浮上
するといった動作をくり返すＣＳＳ（コンタクト・スタ
ート・ストップ）方式を行っている。この時両者の接触
面が必要以上に鏡面であると吸着が発生し摩擦係数の増
大に伴なう回転始動の不円滑、磁気情報記憶媒体表面の
損傷等の問題が発生する。この様に磁気情報記憶媒体基
板は、記録容量の増大に伴う磁気ヘッドの低浮上化と磁
気ヘッドと磁気情報記憶媒体基板の吸着防止化と相反す
る要求が要望される。これらの相反する要望に対して
は、磁気情報記憶媒体基板の特定の領域に磁気ヘッドの
始動・停止部を制作するランディングゾーン技術の開発
が進めれれている。さらに現在の固定型情報記憶装置に
対して、リムーバブル記憶装置としてカード・ハード・
ディスク・ドライブのような情報記憶装置が検討・実用
化段階にありデジタルビデオカメラ等の用途展開も始ま
りつつある。この新しい技術に対して磁気情報記憶媒体
用基材には、次のような特性が要望される。すなわち、 （１）磁気情報記憶媒体のランディングゾーン方式にお
いて、ランディングゾーンにおけるＣＳＳ（コンタクト
・スタート・ストップ）特性においてランディング領域
（磁気ヘッドの始動・停止部、ランディングゾーン）の
表面状態は、その凹凸または突起が５０Å以下の滑らか
な表面では、高速回転で起る接触抵抗の増大に伴うヘッ
ドとディスクの吸着が発生する一方、表面状態の凹凸ま
たは突起が３００Å以上の粗い表面では、ヘッドクラッ
シュ等を発生するため、ランディング領域の表面状態の
凹凸または突起が５０Å〜３００Åの高さである必要が
あり、その凹凸または突起の間隔が１０μｍ〜２００μ
ｍに制御されるとともに表面粗度（Ｒａ）が１０Å〜５
０Åに制御された表面状態であること。
ア化やデジタルビデオカメラ等のように動画や音声等の
データが扱われるようになり、大容量の情報記憶装置が
必要となっている。その結果磁気情報記憶媒体は、面記
録密度を大きくするために、ビットおよびトラック密度
を増加させ、ビットセルのサイズを縮少化する必要があ
る。それに対応し磁気ヘッドは、ビットセルの縮少化に
合せ磁気情報記憶媒体基板表面により近接して作動する
ようになる。このように磁気ヘッドが磁気情報記憶媒体
基板に対し低浮上状態または接触状態（コンタクト）に
て作動する場合磁気ヘッドの起動・停止時に磁気情報記
憶媒体基板と磁気ヘッドの吸着、それに伴なうヘッドク
ラッシュおよび磁性膜の損傷を発生してしまう。これら
の問題に対しては、磁気ヘッドの起動・停止技術として
磁気情報記憶媒体基板の特定部分（ディスク内径側の未
記録・書き込み部）に吸着防止を行い、磁気ヘッドの起
動・停止を行うランディングゾーン方式等の技術開発が
重要となってくる。現在の情報記憶装置において、磁気
ヘッドは、装置始動前は磁気情報記憶媒体基板に接触し
ており、装置始動時には磁気情報記憶媒体基板より浮上
するといった動作をくり返すＣＳＳ（コンタクト・スタ
ート・ストップ）方式を行っている。この時両者の接触
面が必要以上に鏡面であると吸着が発生し摩擦係数の増
大に伴なう回転始動の不円滑、磁気情報記憶媒体表面の
損傷等の問題が発生する。この様に磁気情報記憶媒体基
板は、記録容量の増大に伴う磁気ヘッドの低浮上化と磁
気ヘッドと磁気情報記憶媒体基板の吸着防止化と相反す
る要求が要望される。これらの相反する要望に対して
は、磁気情報記憶媒体基板の特定の領域に磁気ヘッドの
始動・停止部を制作するランディングゾーン技術の開発
が進めれれている。さらに現在の固定型情報記憶装置に
対して、リムーバブル記憶装置としてカード・ハード・
ディスク・ドライブのような情報記憶装置が検討・実用
化段階にありデジタルビデオカメラ等の用途展開も始ま
りつつある。この新しい技術に対して磁気情報記憶媒体
用基材には、次のような特性が要望される。すなわち、 （１）磁気情報記憶媒体のランディングゾーン方式にお
いて、ランディングゾーンにおけるＣＳＳ（コンタクト
・スタート・ストップ）特性においてランディング領域
（磁気ヘッドの始動・停止部、ランディングゾーン）の
表面状態は、その凹凸または突起が５０Å以下の滑らか
な表面では、高速回転で起る接触抵抗の増大に伴うヘッ
ドとディスクの吸着が発生する一方、表面状態の凹凸ま
たは突起が３００Å以上の粗い表面では、ヘッドクラッ
シュ等を発生するため、ランディング領域の表面状態の
凹凸または突起が５０Å〜３００Åの高さである必要が
あり、その凹凸または突起の間隔が１０μｍ〜２００μ
ｍに制御されるとともに表面粗度（Ｒａ）が１０Å〜５
０Åに制御された表面状態であること。
【０００３】（２）磁気情報記憶媒体の面記録密度向上
に伴い、ヘッドの浮上量が０．０２５μｍ以下と低減の
方向にあり、ディスク表面のデータ領域は、このヘッド
浮上量を可能にする表面粗度（Ｒａ）が３Å〜９Åであ
ること。
に伴い、ヘッドの浮上量が０．０２５μｍ以下と低減の
方向にあり、ディスク表面のデータ領域は、このヘッド
浮上量を可能にする表面粗度（Ｒａ）が３Å〜９Åであ
ること。
【０００４】（３）磁気情報記憶媒体基板材は、面記録
密度の向上に伴ない、材料に結晶異方性、異物、欠陥が
なく組織が緻密で均質、微細であること。
密度の向上に伴ない、材料に結晶異方性、異物、欠陥が
なく組織が緻密で均質、微細であること。
【０００５】（４）高速回転やヘッドの接触およびリム
ーバブル記憶装置のような携帯型使用に十分耐える機械
的強度、硬度を有すること。
ーバブル記憶装置のような携帯型使用に十分耐える機械
的強度、硬度を有すること。
【０００６】（５）情報記憶媒体の面記録密度向上に伴
ない、磁性膜の高精度・微細化（垂直磁性膜）が必要と
なるため、基板材料中にＮａ2 Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 、ＯＨ、Ｆ
成分を含有すると、これらのイオンが成膜工程中に拡散
し、磁性膜粒子の粗大化や配向性が悪化するためこれら
の成分を基本的に含有しないこと。
ない、磁性膜の高精度・微細化（垂直磁性膜）が必要と
なるため、基板材料中にＮａ2 Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 、ＯＨ、Ｆ
成分を含有すると、これらのイオンが成膜工程中に拡散
し、磁性膜粒子の粗大化や配向性が悪化するためこれら
の成分を基本的に含有しないこと。
【０００７】（６）種々の薬品による洗浄やエッチング
に耐え得る化学的耐久性を有すること。
に耐え得る化学的耐久性を有すること。
【０００８】従来磁気ディスク基板材には、アルミニウ
ム合金が使用されているが、アルミニウム合金基板で
は、種々の材料欠陥の影響により、研磨工程における基
板表面の突起またはスポット状の凹凸を生じ平坦性、平
滑性の点で十分でなく、またアルミニウム合金は軟かい
材料であるため、変形が生じやすく薄形化に対応するこ
とがむずかしく、さらにはヘッドの接触による変形傷を
生じメディアを損傷させてしまう等、今日の高密度記録
化に十分対応できない。
ム合金が使用されているが、アルミニウム合金基板で
は、種々の材料欠陥の影響により、研磨工程における基
板表面の突起またはスポット状の凹凸を生じ平坦性、平
滑性の点で十分でなく、またアルミニウム合金は軟かい
材料であるため、変形が生じやすく薄形化に対応するこ
とがむずかしく、さらにはヘッドの接触による変形傷を
生じメディアを損傷させてしまう等、今日の高密度記録
化に十分対応できない。
【０００９】また、アルミニウム合金基板の問題点を解
消する材料として化学強化ガラスのソーダライムガラス
（ＳｉＯ2 −ＣａＯ−Ｎａ2 Ｏ）とアルミノシリケート
ガラス（ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｎａ2 Ｏ）が知られて
いるが、この場合 （１）研磨は化学強化後に行なわれ、ディスクの薄板化
における強化層の不安定要素が高い。
消する材料として化学強化ガラスのソーダライムガラス
（ＳｉＯ2 −ＣａＯ−Ｎａ2 Ｏ）とアルミノシリケート
ガラス（ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｎａ2 Ｏ）が知られて
いるが、この場合 （１）研磨は化学強化後に行なわれ、ディスクの薄板化
における強化層の不安定要素が高い。
【００１０】（２）基板には始動／停止（ＣＳＳ）特性
向上のための基板表面に凹凸を作るテクスチャーを行う
が、機械的または熱的（レーザ加工）等の処理は、化学
強化層の歪によりクラック等を発生してしまうため、ケ
ミカルエッチング法や成膜粒界成長法を行う必要があ
り、製品の低コスト安定生産性が難しい欠点がある。
向上のための基板表面に凹凸を作るテクスチャーを行う
が、機械的または熱的（レーザ加工）等の処理は、化学
強化層の歪によりクラック等を発生してしまうため、ケ
ミカルエッチング法や成膜粒界成長法を行う必要があ
り、製品の低コスト安定生産性が難しい欠点がある。
【００１１】（３）ガラス中にＮａ2 Ｏ成分を必須成分
として含有するため、磁性膜特性が悪化し、今後の面記
録の高密度化に十分対応できない。
として含有するため、磁性膜特性が悪化し、今後の面記
録の高密度化に十分対応できない。
【００１２】さらに、アルミニウム合金基板や化学強化
ガラス基板に対していくつかの結晶化ガラスが知られて
いる。例えば、特開平６−３２９４４０号公報記載のＳ
ｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−ＭｇＯ−Ｐ2 Ｏ5 系結晶化ガラス
は、主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）およびα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）を有し、α
−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の球状粒子サイズをコント
ロールする事で、従来のメカニカルテクスチャー、ケミ
カルテクスチャーを不用とし、研磨して成る表面粗度
（Ｒａ）を１５〜３０Åの範囲で制御を可能とした基板
表面全面テクスチャー材として非常に優れた材料である
が、目標とする表面粗度（Ｒａ）が３Å〜９Åと、急速
に進む記録容量向上に合せた低浮上化に十分対応するこ
とができない。また、後述のランディング領域に対する
議論がまったくなされていない。
ガラス基板に対していくつかの結晶化ガラスが知られて
いる。例えば、特開平６−３２９４４０号公報記載のＳ
ｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−ＭｇＯ−Ｐ2 Ｏ5 系結晶化ガラス
は、主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）およびα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）を有し、α
−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の球状粒子サイズをコント
ロールする事で、従来のメカニカルテクスチャー、ケミ
カルテクスチャーを不用とし、研磨して成る表面粗度
（Ｒａ）を１５〜３０Åの範囲で制御を可能とした基板
表面全面テクスチャー材として非常に優れた材料である
が、目標とする表面粗度（Ｒａ）が３Å〜９Åと、急速
に進む記録容量向上に合せた低浮上化に十分対応するこ
とができない。また、後述のランディング領域に対する
議論がまったくなされていない。
【００１３】また、特開平７−１６９０４８号公報に
は、磁気ディスク用基体表面に記録領域とランディング
区域を形成したことを特徴とした、ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ
系ガラスに感光性金属のＡｕ、Ａｇを含有する感光性結
晶化ガラスが開示されているが、この結晶化ガラスの主
結晶相は、珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・ＳｉＯ2 ）および
／または二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）から
成り、特に珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・ＳｉＯ2 ）は一般
的に化学的耐久性が悪く実用上の問題が大きい。さらに
ランディング区域の形成に当たっては、基体の一部分
（ランディング区域）を結晶化しＨＦ６％溶液によるケ
ミカルエッチングを行っているが、ディスク基体に対し
未結晶化部と結晶化部を与える事は、熱的、機械的にも
不安定要素が高い。また、ＨＦによるケミカルエッチン
グに関してもＨＦ溶液の揮発等の問題により濃度コント
ロールが難かしく量産性が悪い。
は、磁気ディスク用基体表面に記録領域とランディング
区域を形成したことを特徴とした、ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ
系ガラスに感光性金属のＡｕ、Ａｇを含有する感光性結
晶化ガラスが開示されているが、この結晶化ガラスの主
結晶相は、珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・ＳｉＯ2 ）および
／または二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）から
成り、特に珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・ＳｉＯ2 ）は一般
的に化学的耐久性が悪く実用上の問題が大きい。さらに
ランディング区域の形成に当たっては、基体の一部分
（ランディング区域）を結晶化しＨＦ６％溶液によるケ
ミカルエッチングを行っているが、ディスク基体に対し
未結晶化部と結晶化部を与える事は、熱的、機械的にも
不安定要素が高い。また、ＨＦによるケミカルエッチン
グに関してもＨＦ溶液の揮発等の問題により濃度コント
ロールが難かしく量産性が悪い。
【００１４】また、磁気ディスク基板表面へのランディ
ング領域およびデータ領域の形成に関して、いくつかの
技術が知られている。例えば特開平６−２９０４５２号
公報記載のカーボン基板に対し５２３ｎｍ波長のパルス
レーザによるランディング領域形成方法が開示されてい
るがこの場合 （１）カーボン基板は、高圧プレス及び高温焼成２６０
０℃により成形体を得るため低コスト量産性を妨げてい
る。
ング領域およびデータ領域の形成に関して、いくつかの
技術が知られている。例えば特開平６−２９０４５２号
公報記載のカーボン基板に対し５２３ｎｍ波長のパルス
レーザによるランディング領域形成方法が開示されてい
るがこの場合 （１）カーボン基板は、高圧プレス及び高温焼成２６０
０℃により成形体を得るため低コスト量産性を妨げてい
る。
【００１５】（２）カーボン基板は、表面硬度が高く端
面加工や表面精密研磨が困難であり低コスト量産性を妨
げている。
面加工や表面精密研磨が困難であり低コスト量産性を妨
げている。
【００１６】（３）ランディング領域の形成方法は、パ
ルスレーザによるカーボンの酸化および気化を利用する
ものであるが、熱酸化反応が激しい材料であるため加工
形状が不安定で再現性に問題がある。
ルスレーザによるカーボンの酸化および気化を利用する
ものであるが、熱酸化反応が激しい材料であるため加工
形状が不安定で再現性に問題がある。
【００１７】さらに、特開平７−６５３５９公報、ＵＳ
Ｐ５０６２０２１公報記載のパルスレーザによりアルミ
ニウム合金基板のランディング領域形成方法が開示され
ているが、いずれも前記記載のアルミニウム合金基板の
問題点は、もちろんの事、アルミニウム合金基板のレー
ザによる加工に関してレーザ照射後の加工面は、金属特
有の溶融部の酸化および飛沫が残り欠陥となってしまう
ため、実用上問題である。
Ｐ５０６２０２１公報記載のパルスレーザによりアルミ
ニウム合金基板のランディング領域形成方法が開示され
ているが、いずれも前記記載のアルミニウム合金基板の
問題点は、もちろんの事、アルミニウム合金基板のレー
ザによる加工に関してレーザ照射後の加工面は、金属特
有の溶融部の酸化および飛沫が残り欠陥となってしまう
ため、実用上問題である。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、磁気ヘッドの
起動・停止（コンタクト・スタート・ストップ）部が存
在するランディング領域において磁気ヘッドの安定浮上
を可能とするとともに高記録密度化に対応したデータ領
域での低浮上化を可能とする２つの表面特性を兼ね備え
た磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板およびその
製造方法ならびにこのガラスセラミック基板上に磁気媒
体の被膜を形成してなる磁気情報記憶媒体を提供するこ
とにある。
従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、磁気ヘッドの
起動・停止（コンタクト・スタート・ストップ）部が存
在するランディング領域において磁気ヘッドの安定浮上
を可能とするとともに高記録密度化に対応したデータ領
域での低浮上化を可能とする２つの表面特性を兼ね備え
た磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板およびその
製造方法ならびにこのガラスセラミック基板上に磁気媒
体の被膜を形成してなる磁気情報記憶媒体を提供するこ
とにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するために鋭意試験研究を重ねた結果、ＳｉＯ2−
Ｌｉ2 Ｏ−Ｋ2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｐ2 Ｏ5 −Ａｌ2
Ｏ3 系またはＳｉＯ2−Ｌｉ2 Ｏ−Ｋ2 Ｏ−ＭｇＯ−Ｚ
ｎＯ−Ｐ2 Ｏ5 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 系、またはこれ
らの系に着色成分としてＮｉＯ，ＣｏＯ、ＭｎＯ2 、Ｖ
2 Ｏ5 、ＣｕＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 の少くとも２種を含有させ
たガラスにおいて厳密に限られた熱処理温度範囲で得ら
れた結晶化ガラスは、その結晶相が二珪酸リチウム（Ｌ
ｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）、二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２
ＳｉＯ2 ）およびα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の混
晶、二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）およびα
−クリストバライト（α−ＳｉＯ2 ）の混晶、の３種の
いずれかに限定され、かつ結晶粒子は、いずれも微細な
球状粒子形体から成り、研磨して成る表面特性がより平
滑性に優れ、かつレーザ（ＣＯ2 、ＬＤ励起固体）加工
による加工特性に優れている点で磁気情報記憶媒体基板
表面のランディング領域およびデータゾーンの形成に一
段と有利な磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックが得ら
れることを見い出し、本発明に至った。
達成するために鋭意試験研究を重ねた結果、ＳｉＯ2−
Ｌｉ2 Ｏ−Ｋ2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｐ2 Ｏ5 −Ａｌ2
Ｏ3 系またはＳｉＯ2−Ｌｉ2 Ｏ−Ｋ2 Ｏ−ＭｇＯ−Ｚ
ｎＯ−Ｐ2 Ｏ5 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 系、またはこれ
らの系に着色成分としてＮｉＯ，ＣｏＯ、ＭｎＯ2 、Ｖ
2 Ｏ5 、ＣｕＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 の少くとも２種を含有させ
たガラスにおいて厳密に限られた熱処理温度範囲で得ら
れた結晶化ガラスは、その結晶相が二珪酸リチウム（Ｌ
ｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）、二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２
ＳｉＯ2 ）およびα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の混
晶、二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）およびα
−クリストバライト（α−ＳｉＯ2 ）の混晶、の３種の
いずれかに限定され、かつ結晶粒子は、いずれも微細な
球状粒子形体から成り、研磨して成る表面特性がより平
滑性に優れ、かつレーザ（ＣＯ2 、ＬＤ励起固体）加工
による加工特性に優れている点で磁気情報記憶媒体基板
表面のランディング領域およびデータゾーンの形成に一
段と有利な磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックが得ら
れることを見い出し、本発明に至った。
【００２０】上記本発明の目的を達成する請求項１記載
の発明は、データ領域とランディング領域とを有する磁
気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板において、該デ
ータ領域の表面は研磨加工され、表面粗度（Ｒａ）は３
Å〜９Åであり、該ランディング領域はレーザ照射によ
り一定間隔に形成された、高さ５０Å〜３００Åの無数
の凹凸または突起を有し、該ランディング領域の表面粗
度（Ｒａ）は１０Å〜５０Åであり、前記ガラスセラミ
ック基板のガラスセラミックは、ＳｉＯ 2 −Ｌｉ 2 Ｏ−Ｋ
2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｐ 2 Ｏ 5 −Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＺｒＯ 2 系で
あって、重量百分率で、ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％、及び
ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％を含有することを特徴とする磁
気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板である。
の発明は、データ領域とランディング領域とを有する磁
気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板において、該デ
ータ領域の表面は研磨加工され、表面粗度（Ｒａ）は３
Å〜９Åであり、該ランディング領域はレーザ照射によ
り一定間隔に形成された、高さ５０Å〜３００Åの無数
の凹凸または突起を有し、該ランディング領域の表面粗
度（Ｒａ）は１０Å〜５０Åであり、前記ガラスセラミ
ック基板のガラスセラミックは、ＳｉＯ 2 −Ｌｉ 2 Ｏ−Ｋ
2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｐ 2 Ｏ 5 −Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＺｒＯ 2 系で
あって、重量百分率で、ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％、及び
ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％を含有することを特徴とする磁
気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板である。
【００２１】請求項２記載の発明は、前記ガラスセラミ
ック基板は、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５〜 ５％ ＺｎＯ ０．２〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る請求項１記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
基板である。 請求項３記載の発明は、前記レーザの種類
がＣＯ 2 レーザであることを特徴とする請求項１又は２
記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板であ
る。
ック基板は、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５〜 ５％ ＺｎＯ ０．２〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る請求項１記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
基板である。 請求項３記載の発明は、前記レーザの種類
がＣＯ 2 レーザであることを特徴とする請求項１又は２
記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板であ
る。
【００２２】請求項４記載の発明は、データ領域とラン
ディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用ガラスセラ
ミック基板において、該データ領域の表面は研磨加工さ
れ、表面粗度（Ｒａ）は３Å〜９Åであり、該ランディ
ング領域はレーザ照射により形成された、高さ５０Å〜
３００Åの無数の凹凸または突起を有し、該ランディン
グ領域の表面粗度（Ｒａ）は１０Å〜５０Åであり、前
記ガラスセラミック基板のガラスセラミックは、ＳｉＯ
2 −Ｌｉ 2 Ｏ−Ｋ 2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｐ 2 Ｏ 5 −Ａｌ 2 Ｏ
3 系、又はＳｉＯ 2 −Ｌｉ 2 Ｏ−Ｋ 2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−
Ｐ 2 Ｏ 5 −Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＺｒＯ 2 系であって、着色成分とし
てＮｉＯ、ＣｏＯ、ＭｎＯ 2 、Ｖ 2 Ｏ 5 、ＣｕＯ、Ｃｒ 2
Ｏ 3 の少くとも２種を含有することを特徴とする磁気情
報記憶媒体用ガラスセラミック基板である。
ディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用ガラスセラ
ミック基板において、該データ領域の表面は研磨加工さ
れ、表面粗度（Ｒａ）は３Å〜９Åであり、該ランディ
ング領域はレーザ照射により形成された、高さ５０Å〜
３００Åの無数の凹凸または突起を有し、該ランディン
グ領域の表面粗度（Ｒａ）は１０Å〜５０Åであり、前
記ガラスセラミック基板のガラスセラミックは、ＳｉＯ
2 −Ｌｉ 2 Ｏ−Ｋ 2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｐ 2 Ｏ 5 −Ａｌ 2 Ｏ
3 系、又はＳｉＯ 2 −Ｌｉ 2 Ｏ−Ｋ 2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−
Ｐ 2 Ｏ 5 −Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＺｒＯ 2 系であって、着色成分とし
てＮｉＯ、ＣｏＯ、ＭｎＯ 2 、Ｖ 2 Ｏ 5 、ＣｕＯ、Ｃｒ 2
Ｏ 3 の少くとも２種を含有することを特徴とする磁気情
報記憶媒体用ガラスセラミック基板である。
【００２３】請求項５記載の発明は、前記ガラスセラミ
ック基板は、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る請求項４記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
基板である。
ック基板は、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る請求項４記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
基板である。
【００２４】請求項６記載の発明は、前記ガラスセラミ
ック基板は、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る請求項４記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
基板である。
ック基板は、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る請求項４記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
基板である。
【００２５】請求項７記載の発明は、前記ガラスセラミ
ックの結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ 2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ 2 ）、二珪酸リチウム及びα−クオーツ（α−Ｓｉ
Ｏ 2 ）の混晶であって、二珪酸リチウムの結晶粒子は球
状粒子構造を有しており、その大きさは０．１μｍ〜
０．５μｍの範囲内の径を有し、また、α−クオーツの
結晶粒子は複数の粒子が凝集した球状粒子構造を有して
おり、その大きさは０．３μｍ〜１．０μｍの範囲内の
径を有していることを特徴とする請求項１から６のうち
いずれか一項記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミッ
ク基板である。
ックの結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ 2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ 2 ）、二珪酸リチウム及びα−クオーツ（α−Ｓｉ
Ｏ 2 ）の混晶であって、二珪酸リチウムの結晶粒子は球
状粒子構造を有しており、その大きさは０．１μｍ〜
０．５μｍの範囲内の径を有し、また、α−クオーツの
結晶粒子は複数の粒子が凝集した球状粒子構造を有して
おり、その大きさは０．３μｍ〜１．０μｍの範囲内の
径を有していることを特徴とする請求項１から６のうち
いずれか一項記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミッ
ク基板である。
【００２６】請求項８記載の発明は、前記ガラスセラミ
ックの結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ 2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ 2 ）、二珪酸リチウム及びα−クリストバライト（α
−ＳｉＯ 2 ）の混晶であって、二珪酸リチウムの結晶粒
子は球状粒子構造を有しており、その大きさは０．１μ
ｍ〜０．５μｍの範囲内の径を有し、また、α−クリス
トバライトの結晶粒子の大きさは０．２μｍ〜１．０μ
ｍの範囲内の径を有していることを特徴とする請求項１
から６のうちいずれか一項記載の磁気情報記憶媒体用ガ
ラスセラミック基板である。
ックの結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ 2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ 2 ）、二珪酸リチウム及びα−クリストバライト（α
−ＳｉＯ 2 ）の混晶であって、二珪酸リチウムの結晶粒
子は球状粒子構造を有しており、その大きさは０．１μ
ｍ〜０．５μｍの範囲内の径を有し、また、α−クリス
トバライトの結晶粒子の大きさは０．２μｍ〜１．０μ
ｍの範囲内の径を有していることを特徴とする請求項１
から６のうちいずれか一項記載の磁気情報記憶媒体用ガ
ラスセラミック基板である。
【００２７】請求項９記載の発明は、前記ガラスセラミ
ック基板は、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ ＮｉＯ ０．５ 〜 ３％ ＣｏＯ ０．５ 〜 ３％ ＭｎＯ 2 ０ 〜 ０．５％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０ 〜 ０．５％ ＣｕＯ ０ 〜 １％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る、請求項４記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミッ
ク基板である。
ック基板は、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ ＮｉＯ ０．５ 〜 ３％ ＣｏＯ ０．５ 〜 ３％ ＭｎＯ 2 ０ 〜 ０．５％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０ 〜 ０．５％ ＣｕＯ ０ 〜 １％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る、請求項４記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミッ
ク基板である。
【００２８】請求項１０記載の発明は、前記ガラスセラ
ミックの結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ 2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ 2 ）、二珪酸リチウムおよびα−クオーツ（α−Ｓｉ
Ｏ 2 ）の混晶、二珪酸リチウムおよびα−クリストバラ
イト（α−ＳｉＯ 2 ）の混晶であって、二珪酸リチウム
の結晶粒子は球状粒子形体を有しており、その粒子径は
０．０５μｍ〜０．３０μｍの範囲内であり、また、α
−クリストバライトの結晶粒子は球状粒子形体を有して
おり、その粒子径は０．１０μｍ〜０．５０μｍの範囲
内であり、また、α−クオーツの結晶粒子は複数の粒子
が凝集した球状粒子形体を有しており、その粒子径は
０．１０μｍ〜１．００μｍの範囲内であることを特徴
とする請求項９項記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラ
ミック基板である。
ミックの結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ 2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ 2 ）、二珪酸リチウムおよびα−クオーツ（α−Ｓｉ
Ｏ 2 ）の混晶、二珪酸リチウムおよびα−クリストバラ
イト（α−ＳｉＯ 2 ）の混晶であって、二珪酸リチウム
の結晶粒子は球状粒子形体を有しており、その粒子径は
０．０５μｍ〜０．３０μｍの範囲内であり、また、α
−クリストバライトの結晶粒子は球状粒子形体を有して
おり、その粒子径は０．１０μｍ〜０．５０μｍの範囲
内であり、また、α−クオーツの結晶粒子は複数の粒子
が凝集した球状粒子形体を有しており、その粒子径は
０．１０μｍ〜１．００μｍの範囲内であることを特徴
とする請求項９項記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラ
ミック基板である。
【００２９】請求項１１記載の発明は、前記レーザの種
類がＬＤ励起固体レーザであることを特徴とする請求項
４から１０のうちいずれか一項記載の磁気情報記憶媒体
用ガラスセラミック基板である。
類がＬＤ励起固体レーザであることを特徴とする請求項
４から１０のうちいずれか一項記載の磁気情報記憶媒体
用ガラスセラミック基板である。
【００３０】請求項１２記載の発明は、前記ＬＤ励起固
体レーザはＮｄ：ＹＡＧまたはＮｄ：ＹＶＯ4 またはＮ
ｄ：ＹＬＦであることを特徴とする請求項１１記載の磁
気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板である。
体レーザはＮｄ：ＹＡＧまたはＮｄ：ＹＶＯ4 またはＮ
ｄ：ＹＬＦであることを特徴とする請求項１１記載の磁
気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板である。
【００３１】請求項１３の発明は、前記ＬＤ励起固体レ
ーザの波長が０．２μｍ〜０．６μｍまたは１．０５μ
ｍ〜１．４０μｍの範囲であることを特徴とする請求項
１１又は１２記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミッ
ク基板である。
ーザの波長が０．２μｍ〜０．６μｍまたは１．０５μ
ｍ〜１．４０μｍの範囲であることを特徴とする請求項
１１又は１２記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミッ
ク基板である。
【００３２】請求項１４記載の発明は、前記ガラスセラ
ミック基板において、前記レーザの種類がＬＤ励起固体
レーザであり、前記ガラスセラミックは、ＬＤ励起固体
レーザ波長における透過率が厚さ０．６３５ｍｍで８０
％〜４０％であることを特徴とする請求項５または６記
載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板である。
ミック基板において、前記レーザの種類がＬＤ励起固体
レーザであり、前記ガラスセラミックは、ＬＤ励起固体
レーザ波長における透過率が厚さ０．６３５ｍｍで８０
％〜４０％であることを特徴とする請求項５または６記
載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板である。
【００３３】請求項１５記載の発明は、前記ガラスセラ
ミック基板において、前記レーザの種類がＬＤ励起固体
レーザであり、前記ガラスセラミックは、ＬＤ励起固体
レーザ波長（０．２μｍ〜０．６μｍまたは１．０５μ
ｍ〜１．４０μｍ）における透過率が厚さ０．６３５ｍ
ｍにおいて０％〜４０％であることを特徴とする請求項
９記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板であ
る。
ミック基板において、前記レーザの種類がＬＤ励起固体
レーザであり、前記ガラスセラミックは、ＬＤ励起固体
レーザ波長（０．２μｍ〜０．６μｍまたは１．０５μ
ｍ〜１．４０μｍ）における透過率が厚さ０．６３５ｍ
ｍにおいて０％〜４０％であることを特徴とする請求項
９記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板であ
る。
【００３４】請求項１６記載の発明は、該ランディング
領域の凹凸または突起は、一定間隔にあって、その間隔
は１０μｍ〜２００μｍであることを特徴とする、請求
項１から１５のうちいずれか一項記載の磁気情報記憶媒
体用ガラスセラミック基板である。
領域の凹凸または突起は、一定間隔にあって、その間隔
は１０μｍ〜２００μｍであることを特徴とする、請求
項１から１５のうちいずれか一項記載の磁気情報記憶媒
体用ガラスセラミック基板である。
【００３５】請求項１７記載の発明は、強化ガラス特有
の表面強化層と内部未強化層との間の応力変化がないこ
とを特徴とする、請求項１から１６のうちいずれか一項
記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板であ
る。
の表面強化層と内部未強化層との間の応力変化がないこ
とを特徴とする、請求項１から１６のうちいずれか一項
記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板であ
る。
【００３６】請求項１８記載の発明は、データ領域とラ
ンディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用ガラスセ
ラミック基板の製造方法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５〜 ５％ ＺｎＯ ０．２〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７８０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、さらにラ
ンディング領域にＣＯ 2 レーザ照射により無数の凹凸ま
たは突起を形成することにより該ランディング領域の凹
凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗度（Ｒ
ａ）を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、請求項
２記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の製
造方法である。
ンディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用ガラスセ
ラミック基板の製造方法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５〜 ５％ ＺｎＯ ０．２〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７８０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、さらにラ
ンディング領域にＣＯ 2 レーザ照射により無数の凹凸ま
たは突起を形成することにより該ランディング領域の凹
凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗度（Ｒ
ａ）を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、請求項
２記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の製
造方法である。
【００３７】請求項１９記載の発明は、データ領域とラ
ンディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用ガラスセ
ラミック基板の製造方法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７５０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、さらにラ
ンディング領域にＬＤ励起固体レーザ照射により無数の
凹凸または突起を形成することにより該ランディング領
域の凹凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗
度（Ｒａ）を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、
請求項５記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基
板の 製造方法である。
ンディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用ガラスセ
ラミック基板の製造方法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７５０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、さらにラ
ンディング領域にＬＤ励起固体レーザ照射により無数の
凹凸または突起を形成することにより該ランディング領
域の凹凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗
度（Ｒａ）を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、
請求項５記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基
板の 製造方法である。
【００３８】請求項２０記載の発明は、データ領域とラ
ンディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用ガラスセ
ラミック基板の製造方法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７８０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、さらにラ
ンディング領域にＬＤ励起固体レーザ照射により無数の
凹凸または突起を形成することにより該ランディング領
域の凹凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗
度（Ｒａ）を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、
請求項６記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基
板の 製造方法である。
ンディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用ガラスセ
ラミック基板の製造方法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７８０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、さらにラ
ンディング領域にＬＤ励起固体レーザ照射により無数の
凹凸または突起を形成することにより該ランディング領
域の凹凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗
度（Ｒａ）を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、
請求項６記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基
板の 製造方法である。
【００３９】請求項２１記載の発明は、データ領域とラ
ンディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用ガラスセ
ラミック基板の製造方法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ ＮｉＯ ０．５ 〜 ３％ ＣｏＯ ０．５ 〜 ３％ ＭｎＯ 2 ０ 〜 ０．５％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０ 〜 ０．５％ ＣｕＯ ０ 〜 １％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７５０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、更に、ラ
ンディング領域にＬＤ励起固体レーザ照射により無数の
凹凸または突起を形成することにより該ランディング領
域の凹凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗
度を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、請求項９
記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の製造
方法である。
ンディング領域とを有する磁気情報記憶媒体用ガラスセ
ラミック基板の製造方法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ ＮｉＯ ０．５ 〜 ３％ ＣｏＯ ０．５ 〜 ３％ ＭｎＯ 2 ０ 〜 ０．５％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０ 〜 ０．５％ ＣｕＯ ０ 〜 １％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７５０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、更に、ラ
ンディング領域にＬＤ励起固体レーザ照射により無数の
凹凸または突起を形成することにより該ランディング領
域の凹凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗
度を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、請求項９
記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の製造
方法である。
【００４０】請求項２２記載の発明は、請求項１〜１７
のうちいずれか一項記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセ
ラミック基板上に磁気媒体の被膜を形成してなる磁気情
報記憶媒体である。
のうちいずれか一項記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセ
ラミック基板上に磁気媒体の被膜を形成してなる磁気情
報記憶媒体である。
【００４１】本発明のガラスセラミックの組成は、原ガ
ラスと同様酸化物基準で表示し得るが、原ガラスの組成
範囲を上記のように限定した理由について以下に述べ
る。
ラスと同様酸化物基準で表示し得るが、原ガラスの組成
範囲を上記のように限定した理由について以下に述べ
る。
【００４２】すなわち、ＳｉＯ2 成分は、原ガラスの熱
処理により、主結晶相として析出する二珪酸リチウム
（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）、α−クオーツ（α−ＳｉＯ
2 ）、α−クリストバライト（α−ＳｉＯ2 ）結晶を生
成するきわめて重要な成分であるが、その量が７０％未
満では、得られたガラスセラミックの析出結晶が不安定
で組織が粗大化しやすく、また、８０％を超えると原ガ
ラスの溶融・成形性が困難になる。 Ｌｉ2 Ｏ成分は、
原ガラスの熱処理により、主結晶相として析出する二珪
酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）結晶を生成するき
わめて重要な成分であるが、その量が９％未満では、上
記結晶の析出が困難となると同時に、原ガラスの溶融が
困難となり、また、１２％を超えると得られる結晶が不
安定で組織が粗大化しやすいうえ化学的耐久性および硬
度が悪化する。
処理により、主結晶相として析出する二珪酸リチウム
（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）、α−クオーツ（α−ＳｉＯ
2 ）、α−クリストバライト（α−ＳｉＯ2 ）結晶を生
成するきわめて重要な成分であるが、その量が７０％未
満では、得られたガラスセラミックの析出結晶が不安定
で組織が粗大化しやすく、また、８０％を超えると原ガ
ラスの溶融・成形性が困難になる。 Ｌｉ2 Ｏ成分は、
原ガラスの熱処理により、主結晶相として析出する二珪
酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）結晶を生成するき
わめて重要な成分であるが、その量が９％未満では、上
記結晶の析出が困難となると同時に、原ガラスの溶融が
困難となり、また、１２％を超えると得られる結晶が不
安定で組織が粗大化しやすいうえ化学的耐久性および硬
度が悪化する。
【００４３】Ｋ2 Ｏ成分は、ガラスの溶融性を向上させ
ると同時に析出結晶の粗大化を防止する成分であるが、
その量が２％未満では上記効果が得られず、また、５％
を超えると析出結晶の粗大化、相変化および化学的耐久
性が悪化する。
ると同時に析出結晶の粗大化を防止する成分であるが、
その量が２％未満では上記効果が得られず、また、５％
を超えると析出結晶の粗大化、相変化および化学的耐久
性が悪化する。
【００４４】ＭｇＯ、ＺｒＯ成分は、本発明の主結晶相
としての二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）、α
−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）、α−クリストバライト
（α−ＳｉＯ2 ）の結晶粒子を球状粒子形体に析出させ
ることを見い出した重要な成分であるが、それぞれＭｇ
Ｏ成分は、その量が０．５％未満、ＺｎＯ成分は、その
量が０．２％未満、合計量が１．２％未満では上記効果
が得られず、また、ＭｇＯ成分、ＺｒＯ成分がそれぞれ
５％、３％を超え合計量が５％を超えると所望の結晶が
析出し難くなる。
としての二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）、α
−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）、α−クリストバライト
（α−ＳｉＯ2 ）の結晶粒子を球状粒子形体に析出させ
ることを見い出した重要な成分であるが、それぞれＭｇ
Ｏ成分は、その量が０．５％未満、ＺｎＯ成分は、その
量が０．２％未満、合計量が１．２％未満では上記効果
が得られず、また、ＭｇＯ成分、ＺｒＯ成分がそれぞれ
５％、３％を超え合計量が５％を超えると所望の結晶が
析出し難くなる。
【００４５】Ｐ2 Ｏ5 成分は本発明において、ガラスの
結晶核形成剤として不可欠であるが、その量が１．５％
未満では結晶核形成が不十分で析出結晶相を粗大化させ
てしまい、また３％を超えると原ガラスの乳白失透によ
り量産性が悪化する。
結晶核形成剤として不可欠であるが、その量が１．５％
未満では結晶核形成が不十分で析出結晶相を粗大化させ
てしまい、また３％を超えると原ガラスの乳白失透によ
り量産性が悪化する。
【００４６】Ａｌ2 Ｏ3 成分は、ガラスセラミックの化
学的耐久性および硬度を向上させる成分であるが、その
量が２％未満では上記効果が得られず、また５％を超え
ると溶融性、失透性が悪化し、析出結晶がβ−スポジュ
メン（Ｌｉ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3・４ＳｉＯ2 ）に相変化し
てしまう。
学的耐久性および硬度を向上させる成分であるが、その
量が２％未満では上記効果が得られず、また５％を超え
ると溶融性、失透性が悪化し、析出結晶がβ−スポジュ
メン（Ｌｉ2 Ｏ・Ａｌ2 Ｏ3・４ＳｉＯ2 ）に相変化し
てしまう。
【００４７】本発明のガラスセラミック基板のガラスセ
ラミックをＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−Ｋ2 Ｏ−ＭｇＯ−Ｚｎ
Ｏ−Ｐ2 Ｏ5 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 系で構成する場合
は、ＺｒＯ2 成分はＰ2 Ｏ5 成分と同様にガラスの結晶
核形成剤として機能する上に、析出結晶の微細化と材料
の機械的強度の向上および化学的耐久性の向上に顕著な
効果を有することが見出された極めて重要な成分である
が、その量が０．５％未満では上記効果が得られず、ま
た５％を超えると原ガラスの溶融が困難となると同様に
ＺｒＳｉＯ4 等の溶け残りが発生してしまう。
ラミックをＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−Ｋ2 Ｏ−ＭｇＯ−Ｚｎ
Ｏ−Ｐ2 Ｏ5 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 系で構成する場合
は、ＺｒＯ2 成分はＰ2 Ｏ5 成分と同様にガラスの結晶
核形成剤として機能する上に、析出結晶の微細化と材料
の機械的強度の向上および化学的耐久性の向上に顕著な
効果を有することが見出された極めて重要な成分である
が、その量が０．５％未満では上記効果が得られず、ま
た５％を超えると原ガラスの溶融が困難となると同様に
ＺｒＳｉＯ4 等の溶け残りが発生してしまう。
【００４８】Ａｓ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 成分はガラス溶融
の際の清澄剤として添加しうるが、その量はそれぞれ１
％以下で充分である。
の際の清澄剤として添加しうるが、その量はそれぞれ１
％以下で充分である。
【００４９】本発明において、ランディング領域におけ
る凹凸または突起をＬＤ励起固体レーザにより行う場
合、レーザ吸収効果を挙げるために着色成分の添加が不
可欠であることが判った。またＣＯ2 レーザーによる凹
凸形式の場合は着色成分の添加は不要であるが、着色成
分を添加した系にＣＯ2 レーザ照射を適用することも可
能である。
る凹凸または突起をＬＤ励起固体レーザにより行う場
合、レーザ吸収効果を挙げるために着色成分の添加が不
可欠であることが判った。またＣＯ2 レーザーによる凹
凸形式の場合は着色成分の添加は不要であるが、着色成
分を添加した系にＣＯ2 レーザ照射を適用することも可
能である。
【００５０】本発明においては、着色成分として、Ｎｉ
Ｏ、ＣｏＯ，ＭｎＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、Ｃｒ2 Ｏ3
の中少くとも２種を使用し、必須成分として使用する着
色成分によりＶ2 Ｏ5 −ＣｕＯ−ＭｎＯ2 系とＮｉＯ−
ＣｏＯ系に分かれる。
Ｏ、ＣｏＯ，ＭｎＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、Ｃｒ2 Ｏ3
の中少くとも２種を使用し、必須成分として使用する着
色成分によりＶ2 Ｏ5 −ＣｕＯ−ＭｎＯ2 系とＮｉＯ−
ＣｏＯ系に分かれる。
【００５１】Ｖ2 Ｏ5 −ＣｕＯ−ＭｎＯ2 系の着色成分
系において、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、ＭｎＯ2 成分は、ラン
ディングゾーン凸凹形成の際のＬＤ励起固体レーザ加工
に対し原ガラスの結晶微細構造を悪化させることなくレ
ーザ吸収効果を向上させるための着色成分として必須の
ものであるが、各成分それぞれ０．０２％未満では上記
効果が得られず、また各成分がそれぞれ０．８％を超え
ると析出結晶を粗大化してしまう。さらにＶ2 Ｏ5 ＋Ｃ
ｕＯ＋ＭｎＯ2 の合計量は、０．０８％〜２．５％が好
ましい。ＬＤ励起固体レーザ加工に対してＶ2 Ｏ5 −Ｃ
ｕＯ−ＭｎＯ2系の着色ガラスセラミックのレーザ波長
（１．０６μｍ）において得られる光線透過率は板厚
０．６３５ｍｍで８０％〜４０％である。また、Ｃｒ2
Ｏ3 、ＣｏＯ、ＮｉＯ成分もＶ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、ＭｎＯ
2 と同様の効果があるので添加し得るが、その量が０．
８％を超えると析出結晶が粗大化してしまう。
系において、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、ＭｎＯ2 成分は、ラン
ディングゾーン凸凹形成の際のＬＤ励起固体レーザ加工
に対し原ガラスの結晶微細構造を悪化させることなくレ
ーザ吸収効果を向上させるための着色成分として必須の
ものであるが、各成分それぞれ０．０２％未満では上記
効果が得られず、また各成分がそれぞれ０．８％を超え
ると析出結晶を粗大化してしまう。さらにＶ2 Ｏ5 ＋Ｃ
ｕＯ＋ＭｎＯ2 の合計量は、０．０８％〜２．５％が好
ましい。ＬＤ励起固体レーザ加工に対してＶ2 Ｏ5 −Ｃ
ｕＯ−ＭｎＯ2系の着色ガラスセラミックのレーザ波長
（１．０６μｍ）において得られる光線透過率は板厚
０．６３５ｍｍで８０％〜４０％である。また、Ｃｒ2
Ｏ3 、ＣｏＯ、ＮｉＯ成分もＶ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、ＭｎＯ
2 と同様の効果があるので添加し得るが、その量が０．
８％を超えると析出結晶が粗大化してしまう。
【００５２】ＬＤ励起固体レーザ加工に対して使用する
レーザ波長（０．２μｍ〜０．６μｍまたは１．０５μ
ｍ〜１．４０μｍ）において、レーザ出力を過度に高め
ることなく充分なレーザによる加熱を行うために特に好
ましい光線透過率は板厚０．６３５ｍｍで０％〜４０％
であることが判った。光線透過率をこの範囲内に定める
ことにより、レーザ照射時間を最小限度にとどめること
ができ、基板表面に過剰な応力を生じるおそれがなく、
量産性を確保しつつ凹凸または突起の形成を安定的に行
うことが可能となる。
レーザ波長（０．２μｍ〜０．６μｍまたは１．０５μ
ｍ〜１．４０μｍ）において、レーザ出力を過度に高め
ることなく充分なレーザによる加熱を行うために特に好
ましい光線透過率は板厚０．６３５ｍｍで０％〜４０％
であることが判った。光線透過率をこの範囲内に定める
ことにより、レーザ照射時間を最小限度にとどめること
ができ、基板表面に過剰な応力を生じるおそれがなく、
量産性を確保しつつ凹凸または突起の形成を安定的に行
うことが可能となる。
【００５３】上記好ましい光線透過率である０％〜４０
％の光線透過率は、着色成分としてＮｉＯ−ＣｏＯ系着
色成分を使用することによって達成することができる。
％の光線透過率は、着色成分としてＮｉＯ−ＣｏＯ系着
色成分を使用することによって達成することができる。
【００５４】ＮｉＯ−ＣｏＯ系においても、ＮｉＯ、Ｃ
ｏＯ、ＭｎＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 成分が
ランディング領域の凹凸または突起の形成の際のＬＤ励
起固体レーザ加工に対して原ガラスの結晶微細構造を悪
化させることなくレーザの吸収効果を向上させるための
着色成分として使用される。ＮｉＯ、ＣｏＯの各成分
は、それぞれＬＤ励起固体レーザ波長において、特にＣ
ｏＯ成分は、０．２μｍ〜０．６μｍおよび１．０５μ
ｍ〜１．４０μｍ域で吸収し、光線透過率を低下させる
重要な成分であるが、ＣｏＯ成分単独での吸収ではいず
れの波長域においても吸収には限界があり光線透過率を
十分に低下させることができない。しかし、ＣｏＯ成分
にＮｉＯ成分を添加し共存させるといずれの波長域にお
いても光線透過率を著しく低下させ０％〜４０％の光線
透過率が得られることが判明した。したがって、このＮ
ｉＯ、ＣｏＯの両成分はともに０％〜４０％の光線透過
率を得るために必須の成分である。両成分ともそれぞれ
０．５％未満では上記効果が得られず、また両成分とも
それぞれ３％を超えると析出結晶を粗大化してしまう。
ｏＯ、ＭｎＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 成分が
ランディング領域の凹凸または突起の形成の際のＬＤ励
起固体レーザ加工に対して原ガラスの結晶微細構造を悪
化させることなくレーザの吸収効果を向上させるための
着色成分として使用される。ＮｉＯ、ＣｏＯの各成分
は、それぞれＬＤ励起固体レーザ波長において、特にＣ
ｏＯ成分は、０．２μｍ〜０．６μｍおよび１．０５μ
ｍ〜１．４０μｍ域で吸収し、光線透過率を低下させる
重要な成分であるが、ＣｏＯ成分単独での吸収ではいず
れの波長域においても吸収には限界があり光線透過率を
十分に低下させることができない。しかし、ＣｏＯ成分
にＮｉＯ成分を添加し共存させるといずれの波長域にお
いても光線透過率を著しく低下させ０％〜４０％の光線
透過率が得られることが判明した。したがって、このＮ
ｉＯ、ＣｏＯの両成分はともに０％〜４０％の光線透過
率を得るために必須の成分である。両成分ともそれぞれ
０．５％未満では上記効果が得られず、また両成分とも
それぞれ３％を超えると析出結晶を粗大化してしまう。
【００５５】また、ＭｎＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、Ｃｒ
2 Ｏ3 成分もＮｉＯ、ＣｏＯ成分の光線透過率の補正成
分として効果があるので添加することができるが、Ｍｎ
Ｏ2成分が０．５％、ＣｕＯ成分が１％、Ｃｒ2 Ｏ3 成
分が１．５％、をそれぞれ超えると析出結果が粗大化し
てしまうのと同様に光線透過率に悪影響を与えてしま
う。とくにＶ2 Ｏ5 成分は１．５％を超えると析出結晶
相が粗大化してしまうのと同時に、結晶化熱処理の際に
Ｖ2 Ｏ5 成分特有の還元効果による着色への色彩変化を
与えてしまう。
2 Ｏ3 成分もＮｉＯ、ＣｏＯ成分の光線透過率の補正成
分として効果があるので添加することができるが、Ｍｎ
Ｏ2成分が０．５％、ＣｕＯ成分が１％、Ｃｒ2 Ｏ3 成
分が１．５％、をそれぞれ超えると析出結果が粗大化し
てしまうのと同様に光線透過率に悪影響を与えてしま
う。とくにＶ2 Ｏ5 成分は１．５％を超えると析出結晶
相が粗大化してしまうのと同時に、結晶化熱処理の際に
Ｖ2 Ｏ5 成分特有の還元効果による着色への色彩変化を
与えてしまう。
【００５６】つぎに本発明にかかる磁気情報記憶媒体用
ガラスセラミック基板を製造するには、上記の組成を有
するガラスを溶解し、熱間成形および／または冷間加工
を行った後４５０℃〜５５０℃の範囲の温度で約１〜１
２時間熱処理して結晶核を形成し、続いて６８０℃〜７
８０℃の範囲の温度で約１〜１２時間熱処理して結晶化
を行う。
ガラスセラミック基板を製造するには、上記の組成を有
するガラスを溶解し、熱間成形および／または冷間加工
を行った後４５０℃〜５５０℃の範囲の温度で約１〜１
２時間熱処理して結晶核を形成し、続いて６８０℃〜７
８０℃の範囲の温度で約１〜１２時間熱処理して結晶化
を行う。
【００５７】こうして熱処理により結晶化されたガラス
セラミックの結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ．２Ｓ
ｉＯ2 ）、二珪酸リチウム及びα−クオーツ（α−Ｓｉ
Ｏ2）の混晶または二珪酸リチウム及びα−クリストバ
ライト（α−ＳｉＯ2 ）の混晶である。二珪酸リチウム
の結晶粒子は球状粒子構造を有しており、その大きさは
着色成分を含有しない系または必須成分としてＶ2 Ｏ5
−ＣｕＯ−ＭｎＯ2 系の着色成分を含有する系において
は０．１μｍ〜０．５μｍ、必須の着色成分ととしてＮ
ｉＯ−ＣｏＯ系の着色成分を含有する系においては０．
０５μｍ〜０．３０μｍの範囲内の径を有し、また、α
−クオーツの結晶粒子は複数の粒子が凝集した球状粒子
構造を有しており、その大きさは０．３μｍ〜１．０μ
ｍの範囲内の径を有している。また、α−クリストバラ
イトの結晶粒子の大きさは着色成分を含有しない必須成
分としてＶ2 Ｏ5 −ＣｕＯ−ＭｎＯ2 系の着色成分を含
有する系においては０．２μｍ〜１．０μｍ、必須の着
色成分としてＮｉＯ−ＣｏＯ系の着色成分を含有する系
においては０．１０μｍ〜０．５０μｍの範囲内の径を
有している。本発明のガラスセラミック基板は上記特定
の組成と上記特定の結晶相、粒子径を有することによ
り、溶融点が９５０℃〜１１５０℃であり、後述のとお
りレーザ照射による凹凸形成を安定して行うために最適
の条件を備えている。
セラミックの結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ．２Ｓ
ｉＯ2 ）、二珪酸リチウム及びα−クオーツ（α−Ｓｉ
Ｏ2）の混晶または二珪酸リチウム及びα−クリストバ
ライト（α−ＳｉＯ2 ）の混晶である。二珪酸リチウム
の結晶粒子は球状粒子構造を有しており、その大きさは
着色成分を含有しない系または必須成分としてＶ2 Ｏ5
−ＣｕＯ−ＭｎＯ2 系の着色成分を含有する系において
は０．１μｍ〜０．５μｍ、必須の着色成分ととしてＮ
ｉＯ−ＣｏＯ系の着色成分を含有する系においては０．
０５μｍ〜０．３０μｍの範囲内の径を有し、また、α
−クオーツの結晶粒子は複数の粒子が凝集した球状粒子
構造を有しており、その大きさは０．３μｍ〜１．０μ
ｍの範囲内の径を有している。また、α−クリストバラ
イトの結晶粒子の大きさは着色成分を含有しない必須成
分としてＶ2 Ｏ5 −ＣｕＯ−ＭｎＯ2 系の着色成分を含
有する系においては０．２μｍ〜１．０μｍ、必須の着
色成分としてＮｉＯ−ＣｏＯ系の着色成分を含有する系
においては０．１０μｍ〜０．５０μｍの範囲内の径を
有している。本発明のガラスセラミック基板は上記特定
の組成と上記特定の結晶相、粒子径を有することによ
り、溶融点が９５０℃〜１１５０℃であり、後述のとお
りレーザ照射による凹凸形成を安定して行うために最適
の条件を備えている。
【００５８】次にこの熱処理結晶化したガラスを常法に
よりラッピングした後ポリシングすることにより、表面
粗度（Ｒａ）が３〜９Åの範囲の磁気情報記憶媒体基板
が得られる。
よりラッピングした後ポリシングすることにより、表面
粗度（Ｒａ）が３〜９Åの範囲の磁気情報記憶媒体基板
が得られる。
【００５９】さらに、これらの基板は、ランディング領
域凹凸または突起形成のためＬＤ励起固体レーザ、また
はＣＯ2 レーザによりランディング領域への凹凸形成加
工を行う。
域凹凸または突起形成のためＬＤ励起固体レーザ、また
はＣＯ2 レーザによりランディング領域への凹凸形成加
工を行う。
【００６０】この際ＬＤ励起固体レーザの波長は０．３
μｍ〜０．６μｍまたは１．０５μｍ〜１．４０μｍの
範囲に限定される。レーザ照射後のライディング領域に
は、５０Å〜３００Åの凹凸または突起が１０μｍ〜２
００μｍの間隔で表面粗度（Ｒａ）が１０Å〜５０Åの
範囲で形成される。こうして５０Å〜３００Åの凹凸ま
たは突起が形成されたランディング領域と平滑性の優れ
たデータ領域を兼ね備えた図１に示すような磁気情報記
憶媒体用ガラスセラミック基板が得られる。図１におい
て、ガラスセラミック基板１は中心にある円形穴５を囲
むランディング領域３とその外側のデータ領域２を有す
る。符号４はランディング領域３の内側のリングと呼ば
れる部分を示す。図２において、ランディング領域に形
成された凹凸の形状を示す。図３において、ランディン
グ領域に形成された突起の形状を示す。図４において、
ランディング領域に形成される凹凸または突起の間隔を
示す。図５において、ランディング領域に形成される凹
凸または突起の高さを示す。
μｍ〜０．６μｍまたは１．０５μｍ〜１．４０μｍの
範囲に限定される。レーザ照射後のライディング領域に
は、５０Å〜３００Åの凹凸または突起が１０μｍ〜２
００μｍの間隔で表面粗度（Ｒａ）が１０Å〜５０Åの
範囲で形成される。こうして５０Å〜３００Åの凹凸ま
たは突起が形成されたランディング領域と平滑性の優れ
たデータ領域を兼ね備えた図１に示すような磁気情報記
憶媒体用ガラスセラミック基板が得られる。図１におい
て、ガラスセラミック基板１は中心にある円形穴５を囲
むランディング領域３とその外側のデータ領域２を有す
る。符号４はランディング領域３の内側のリングと呼ば
れる部分を示す。図２において、ランディング領域に形
成された凹凸の形状を示す。図３において、ランディン
グ領域に形成された突起の形状を示す。図４において、
ランディング領域に形成される凹凸または突起の間隔を
示す。図５において、ランディング領域に形成される凹
凸または突起の高さを示す。
【００６１】一般に知られる材料の表面改質（切断、溶
接、微細加工）に用いられるレーザは、Ａｒレーザ、Ｃ
Ｏ2 レーザ、エキシマレーザ、ＬＤ励起固体レーザに大
きく分類する事ができるが、特に本発明におけるガラス
セラミックのレーザ加工に対し、Ａｒレーザ、エキシマ
レーザは、加工表面の形状および飛沫による表面欠陥を
発生させてしまうため、ＬＤ励起固体レーザおよびＣＯ
2 レーザに限定されることが判った。
接、微細加工）に用いられるレーザは、Ａｒレーザ、Ｃ
Ｏ2 レーザ、エキシマレーザ、ＬＤ励起固体レーザに大
きく分類する事ができるが、特に本発明におけるガラス
セラミックのレーザ加工に対し、Ａｒレーザ、エキシマ
レーザは、加工表面の形状および飛沫による表面欠陥を
発生させてしまうため、ＬＤ励起固体レーザおよびＣＯ
2 レーザに限定されることが判った。
【００６２】ＬＤ励起固体レーザまたはＣＯ2 レーザに
よりランディングゾーンを形成するには、研磨されたガ
ラスセラミック基板をスピンドルによりクランプした状
態で回転させながらパルスレーザーを基板表面に垂直に
一定間隔で照射しランディングゾーンの凹凸または突起
を形成する。
よりランディングゾーンを形成するには、研磨されたガ
ラスセラミック基板をスピンドルによりクランプした状
態で回転させながらパルスレーザーを基板表面に垂直に
一定間隔で照射しランディングゾーンの凹凸または突起
を形成する。
【００６３】このパルスレーザの照射については、ＬＤ
励起固体レーザ、スポット径約２μｍ〜５０μｍ、ＣＯ
2 レーザ、スポット径１５μｍ〜５０μｍにてそれぞれ
ガラスセラミック組成に合せレーザー出力、レーザパル
ス幅等の諸条件を制御して行う。
励起固体レーザ、スポット径約２μｍ〜５０μｍ、ＣＯ
2 レーザ、スポット径１５μｍ〜５０μｍにてそれぞれ
ガラスセラミック組成に合せレーザー出力、レーザパル
ス幅等の諸条件を制御して行う。
【００６４】レーザー照射による基板表面の凹凸形成に
関して凹凸形成に影響する諸条件は、レーザー出力、
レーザーパルス長、レーザースポット径すなわち基
板表面の照射面積、等が主なものであるが、レーザー照
射を受ける側の基板材質においては、特にガラスの溶融
点 (Melting point)や、析出結晶の溶融点が影響する。
またＬＤ励起固体レーザの基板材質においては、特にレ
ーザの使用波長（０．２μｍ〜０．６μｍまたは１．０
５μｍ〜１．４０μｍ）における吸収特性すなわち使用
波長で透過率が低く適した材質であることがもっとも重
要であり、次にレーザ照射（ヒートアップ）によるガラ
スの溶融点(Melting Point) や、析出結晶の溶融点が影
響するものである。例えば結晶を析出していない一般的
なガラス基板においては、ＬＤ励起固体レーザの使用波
長を選択的に吸収しておらず基板表面をヒートアップす
ることができないため凹凸または突起の形成が不可能で
あるが、仮にＬＤ励起固体レーザの使用波長を吸収する
材質に改善した場合下表１に示すようにガラスセラミッ
クに比べその溶融点が低く、レーザ照射を受けた場合溶
融部が非常に不安定で、凹凸または突起形状をコントロ
ールすることが難しい。また、レーザ照射部と未照射部
で熱的に発生する歪みの影響によるマイクロクラックが
基板の強度を著しく低下させてしまう。また、ガラスセ
ラミック基板においては析出結晶の種類による溶融点へ
の影響が非常に大きい。本発明のガラスセラミックはガ
ラス基板に比べ溶融点が高温であり、レーザ照射後の凹
凸または突起形状が安定するものである。これに対し
て、一般に知られるＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系、
ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系、Ｌｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ
3−ＳｉＯ2 系等のガラスセラミックは、ガラス基板と
同様にＬＤ励起固体レーザの使用波長を選択的に吸収し
ておらず基板表面をヒートアップすることができないた
め凹凸または突起の形成が不可能であるが、仮にＬＤ励
起固体レーザの使用波長を吸収する材料に改善した場
合、表１に示すように本発明のガラスセラミックに比べ
溶融点が高温であるために、レーザ出力を高出力で加工
する必要があり、歪みによるマイクロクラックが発生す
ると同時に、目標とする凹凸または突起の形状が困難と
なる。
関して凹凸形成に影響する諸条件は、レーザー出力、
レーザーパルス長、レーザースポット径すなわち基
板表面の照射面積、等が主なものであるが、レーザー照
射を受ける側の基板材質においては、特にガラスの溶融
点 (Melting point)や、析出結晶の溶融点が影響する。
またＬＤ励起固体レーザの基板材質においては、特にレ
ーザの使用波長（０．２μｍ〜０．６μｍまたは１．０
５μｍ〜１．４０μｍ）における吸収特性すなわち使用
波長で透過率が低く適した材質であることがもっとも重
要であり、次にレーザ照射（ヒートアップ）によるガラ
スの溶融点(Melting Point) や、析出結晶の溶融点が影
響するものである。例えば結晶を析出していない一般的
なガラス基板においては、ＬＤ励起固体レーザの使用波
長を選択的に吸収しておらず基板表面をヒートアップす
ることができないため凹凸または突起の形成が不可能で
あるが、仮にＬＤ励起固体レーザの使用波長を吸収する
材質に改善した場合下表１に示すようにガラスセラミッ
クに比べその溶融点が低く、レーザ照射を受けた場合溶
融部が非常に不安定で、凹凸または突起形状をコントロ
ールすることが難しい。また、レーザ照射部と未照射部
で熱的に発生する歪みの影響によるマイクロクラックが
基板の強度を著しく低下させてしまう。また、ガラスセ
ラミック基板においては析出結晶の種類による溶融点へ
の影響が非常に大きい。本発明のガラスセラミックはガ
ラス基板に比べ溶融点が高温であり、レーザ照射後の凹
凸または突起形状が安定するものである。これに対し
て、一般に知られるＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系、
ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系、Ｌｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ
3−ＳｉＯ2 系等のガラスセラミックは、ガラス基板と
同様にＬＤ励起固体レーザの使用波長を選択的に吸収し
ておらず基板表面をヒートアップすることができないた
め凹凸または突起の形成が不可能であるが、仮にＬＤ励
起固体レーザの使用波長を吸収する材料に改善した場
合、表１に示すように本発明のガラスセラミックに比べ
溶融点が高温であるために、レーザ出力を高出力で加工
する必要があり、歪みによるマイクロクラックが発生す
ると同時に、目標とする凹凸または突起の形状が困難と
なる。
【００６５】
【表１】
【００６６】レーザ加工によりランディングゾーンに凹
凸を形成したガラスセラミック基板は、磁気情報記憶媒
体としての成膜プロセスを経て、高記録密度用磁気情報
記憶媒体となる。すなわち、このガラスセラミック基板
を、真空状態で加熱し、その後、スパッタリングにより
Ｃｒの中間層、Ｃｏ合金の磁性層、Ｃの保護層を成膜
し、その上に潤滑材層の塗布を行うことによって磁気情
報記憶媒体が得られる。
凸を形成したガラスセラミック基板は、磁気情報記憶媒
体としての成膜プロセスを経て、高記録密度用磁気情報
記憶媒体となる。すなわち、このガラスセラミック基板
を、真空状態で加熱し、その後、スパッタリングにより
Ｃｒの中間層、Ｃｏ合金の磁性層、Ｃの保護層を成膜
し、その上に潤滑材層の塗布を行うことによって磁気情
報記憶媒体が得られる。
【００６７】
【発明の実施の形態】次に本発明の好適な実施例につい
て説明する。表２〜表４は本発明の磁気情報記憶媒体用
ガラスセラミック基板の実施組成例の中着色成分を含有
しない系および必須着色成分としてＶ2 Ｏ5 −ＣｕＯ−
ＭｎＯ2 系の着色成分を含有する系にかかる実施組成例
(No.１〜 No.７) をこれらのガラスセラミックの核形成
温度、結晶化温度、結晶相、結晶粒子径、結晶粒子形
体、ガラスセラミック外観色、板厚０．６３５ｍ／ｍの
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ波長１．０６μｍの光線透過率およ
びＣＯ2 レーザ波長１０．５μｍの光線透過率、レーザ
種類、表面粗度、ランディング領域のレーザ加工後の
（Ｒａ）、研磨して成るデータ領域の（Ｒａ）、凹凸ま
たは突起の高さとともに示す。
て説明する。表２〜表４は本発明の磁気情報記憶媒体用
ガラスセラミック基板の実施組成例の中着色成分を含有
しない系および必須着色成分としてＶ2 Ｏ5 −ＣｕＯ−
ＭｎＯ2 系の着色成分を含有する系にかかる実施組成例
(No.１〜 No.７) をこれらのガラスセラミックの核形成
温度、結晶化温度、結晶相、結晶粒子径、結晶粒子形
体、ガラスセラミック外観色、板厚０．６３５ｍ／ｍの
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ波長１．０６μｍの光線透過率およ
びＣＯ2 レーザ波長１０．５μｍの光線透過率、レーザ
種類、表面粗度、ランディング領域のレーザ加工後の
（Ｒａ）、研磨して成るデータ領域の（Ｒａ）、凹凸ま
たは突起の高さとともに示す。
【００６８】
【表２】
【００６９】
【表３】
【００７０】
【表４】
【００７１】また表５〜表８は本発明の磁気情報記憶媒
体用ガラスセラミック基板の実施組成例中必須着色成分
としてＮｉＯ−ＣｏＯ系の着色成分を含有する系にかか
る実施組成例（Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１７）および比較組成
例として従来のＬｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系ガラスセラミック
２種（特開昭６２−７２５４７号公報記載のもの−比較
１および特開昭６３−２１００３９号公報記載のもの−
比較２）をこれらのガラスセラミックの核形成温度、結
晶化温度、結晶相、結晶粒子径、結晶粒子形体、ガラス
セラミックの外観色、板厚０．６３５ｍｍのＬＤ励起固
体レーザ波長０．２μｍ〜０．６μｍおよび１．０５μ
ｍ〜１．４０μｍの範囲の平均光線透過率、データ領域
の研磨して成る表面粗度（Ｒａ）、ランディング領域の
ＬＤ励起固体レーザの種類と使用波長およびレーザ照射
により得られた凹凸または突起の高さと表面粗度Ｒａの
値を共に示す。
体用ガラスセラミック基板の実施組成例中必須着色成分
としてＮｉＯ−ＣｏＯ系の着色成分を含有する系にかか
る実施組成例（Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１７）および比較組成
例として従来のＬｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系ガラスセラミック
２種（特開昭６２−７２５４７号公報記載のもの−比較
１および特開昭６３−２１００３９号公報記載のもの−
比較２）をこれらのガラスセラミックの核形成温度、結
晶化温度、結晶相、結晶粒子径、結晶粒子形体、ガラス
セラミックの外観色、板厚０．６３５ｍｍのＬＤ励起固
体レーザ波長０．２μｍ〜０．６μｍおよび１．０５μ
ｍ〜１．４０μｍの範囲の平均光線透過率、データ領域
の研磨して成る表面粗度（Ｒａ）、ランディング領域の
ＬＤ励起固体レーザの種類と使用波長およびレーザ照射
により得られた凹凸または突起の高さと表面粗度Ｒａの
値を共に示す。
【００７２】
【表５】
【００７３】
【表６】
【００７４】
【表７】
【００７５】
【表８】
【００７６】本発明の上記実施例のガラスは、いずれも
酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常
の溶融装置を用いて約１３５０〜１４５０℃の温度で溶
融し攪拌均質化した後ディスク状に成形して、冷却しガ
ラス成形体を得た。その後これを４５０〜５５０℃で約
１〜１２時間熱処理して結晶核形成後、６８０〜７８０
℃で約１〜１２時間熱処理結晶化して、所望のガラスセ
ラミックを得た。ついで上記ガラスセラミックを平均粒
径５〜３０μｍの砥粒にて約１０分〜６０分ラッピング
し、その後平均粒径０．５〜２μｍの酸化セリュームに
て約３０分〜６０分間研磨し仕上げた。さらに研磨され
たガラスセラミックは、ＬＤ励起固体またはＣＯ2 のレ
ーザ照射系を固定し、ガラスセラミックディスク基板を
回転させつつパルスレーザを照射しランディング領域へ
の凹凸または突起を形成した。
酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常
の溶融装置を用いて約１３５０〜１４５０℃の温度で溶
融し攪拌均質化した後ディスク状に成形して、冷却しガ
ラス成形体を得た。その後これを４５０〜５５０℃で約
１〜１２時間熱処理して結晶核形成後、６８０〜７８０
℃で約１〜１２時間熱処理結晶化して、所望のガラスセ
ラミックを得た。ついで上記ガラスセラミックを平均粒
径５〜３０μｍの砥粒にて約１０分〜６０分ラッピング
し、その後平均粒径０．５〜２μｍの酸化セリュームに
て約３０分〜６０分間研磨し仕上げた。さらに研磨され
たガラスセラミックは、ＬＤ励起固体またはＣＯ2 のレ
ーザ照射系を固定し、ガラスセラミックディスク基板を
回転させつつパルスレーザを照射しランディング領域へ
の凹凸または突起を形成した。
【００７７】このパルスレーザの照射は、レーザ波長、
レーザ出力、レーザービーム径、集点距離、レーザパル
ス幅等の諸条件をガラスセラミックの組成に合せて適宜
制御することによって行った。
レーザ出力、レーザービーム径、集点距離、レーザパル
ス幅等の諸条件をガラスセラミックの組成に合せて適宜
制御することによって行った。
【００７８】さらにランディング領域を形成したガラス
セラミックディスクは、実施例Ｎｏ．１〜７については
表面粗さ計Tencor Ｐ２を用い、ランディング領域およ
びデータ領域の表面粗度（Ｒａ）を求めた。
セラミックディスクは、実施例Ｎｏ．１〜７については
表面粗さ計Tencor Ｐ２を用い、ランディング領域およ
びデータ領域の表面粗度（Ｒａ）を求めた。
【００７９】また実施例Ｎｏ．８〜１７については、光
学表面粗さ解析装置Ｚｙｇｏを用い、データ領域の表面
粗度（Ｒａ）、ランディング領域の凹凸または突起の高
さと表面粗度Ｒａを求めた。
学表面粗さ解析装置Ｚｙｇｏを用い、データ領域の表面
粗度（Ｒａ）、ランディング領域の凹凸または突起の高
さと表面粗度Ｒａを求めた。
【００８０】本発明の実施例および比較例の結晶形態を
図６、図７に示し、また本発明の実施例および公知のア
ルミノシリケイト系強化ガラスのレーザ照射後の表面状
態を図８〜図１１に示す。図６は本発明（実施例８）の
ガラスセラミックのＨＦエッチング後の粒子構造を示す
走査型電子顕微鏡写真、図７は従来のガラスセラミック
（比較例２）のＨＦエッチング後の粒子構造を示す走査
型電子顕微鏡写真、図８は本発明の実施例(No.１０) の
ガラスセラミックのＮｄ：ＬＤ励起固体レーザ（波長
１．０６４μｍ）照射後の走査型電子顕微鏡写真、図９
は本発明の実施例(No.３）のガラスセラミックのＣＯ2
レーザ照射後の走査型電子顕微鏡写真、図１０はアルミ
ノシリケイト系強化ガラスのＣＯ2 レーザ照射後の走査
型電子顕微鏡写真で、また、図１１はアルミノシリケイ
ト系強化ガラスのＮｄ：ＹＡＧレーザ（波長０．２６６
μｍ）を照射後の走査型電子顕微鏡写真である。
図６、図７に示し、また本発明の実施例および公知のア
ルミノシリケイト系強化ガラスのレーザ照射後の表面状
態を図８〜図１１に示す。図６は本発明（実施例８）の
ガラスセラミックのＨＦエッチング後の粒子構造を示す
走査型電子顕微鏡写真、図７は従来のガラスセラミック
（比較例２）のＨＦエッチング後の粒子構造を示す走査
型電子顕微鏡写真、図８は本発明の実施例(No.１０) の
ガラスセラミックのＮｄ：ＬＤ励起固体レーザ（波長
１．０６４μｍ）照射後の走査型電子顕微鏡写真、図９
は本発明の実施例(No.３）のガラスセラミックのＣＯ2
レーザ照射後の走査型電子顕微鏡写真、図１０はアルミ
ノシリケイト系強化ガラスのＣＯ2 レーザ照射後の走査
型電子顕微鏡写真で、また、図１１はアルミノシリケイ
ト系強化ガラスのＮｄ：ＹＡＧレーザ（波長０．２６６
μｍ）を照射後の走査型電子顕微鏡写真である。
【００８１】表２〜８および図６、図７に示されるとお
り、本発明の実施例と従来のＬｉ2Ｏ−ＳｉＯ2 系結晶
化ガラスの比較例とでは、結晶相の二珪酸リチウム（Ｌ
ｉ2Ｓｉ2 Ｏ5 ）の結晶粒子径および結晶形体がまった
くことなり、本発明のガラスセラミックは、二珪酸リチ
ウム（Ｌｉ2 Ｓｉ2 Ｏ5 ）およびα−クオーツ、α−ク
リストバライトが球状形体でかつ結晶粒子径が微細であ
るのに対し、比較例１、２のガラスセラミックは二珪酸
リチウム（Ｌｉ2 Ｓｉ2 Ｏ5 ）が針状形体でかつ結晶粒
子径が１．０μｍ以上で大きなものである。これは、よ
り平滑性を求められる状況において、研磨して成る表面
粗度や結晶粒子の脱落から発生する欠陥に影響するもの
であり、比較例１、２のガラスセラミックは１２Å以下
のより平滑性に優れた表面特性を得ることが困難である
ことを示すものである。
り、本発明の実施例と従来のＬｉ2Ｏ−ＳｉＯ2 系結晶
化ガラスの比較例とでは、結晶相の二珪酸リチウム（Ｌ
ｉ2Ｓｉ2 Ｏ5 ）の結晶粒子径および結晶形体がまった
くことなり、本発明のガラスセラミックは、二珪酸リチ
ウム（Ｌｉ2 Ｓｉ2 Ｏ5 ）およびα−クオーツ、α−ク
リストバライトが球状形体でかつ結晶粒子径が微細であ
るのに対し、比較例１、２のガラスセラミックは二珪酸
リチウム（Ｌｉ2 Ｓｉ2 Ｏ5 ）が針状形体でかつ結晶粒
子径が１．０μｍ以上で大きなものである。これは、よ
り平滑性を求められる状況において、研磨して成る表面
粗度や結晶粒子の脱落から発生する欠陥に影響するもの
であり、比較例１、２のガラスセラミックは１２Å以下
のより平滑性に優れた表面特性を得ることが困難である
ことを示すものである。
【００８２】また図８〜１１に示すレーザ加工による表
面状態については、前記従来技術で記載した様に、従来
のアルミニウム基板や化学強化ガラスで生じる欠点に対
し、本発明のガラスセラミックは、図８、９に示す通り
均質で形状の優れたレーザ加工が可能である。図１０、
１１に示す化学強化ガラス（ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｎ
ａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏイオン交換）は、レーザによる加工が不
安定で汚ない表面状態であるのが明白である。図１１に
示す化学強化ガラスは、ＬＤ励起固体レーザ（Ｎｄ：Ｙ
ＡＧ）において、レーザ波長が０．２６６μｍ以外のレ
ーザ波長１．０６４μｍおよび０．５３２μｍでは、レ
ーザによる加熱が十分出来ないものであり、レーザ波長
０．２６６μｍによる加工を行ったものであるが、レー
ザによる加工が不安定で汚い表面状態になることを免れ
ない。
面状態については、前記従来技術で記載した様に、従来
のアルミニウム基板や化学強化ガラスで生じる欠点に対
し、本発明のガラスセラミックは、図８、９に示す通り
均質で形状の優れたレーザ加工が可能である。図１０、
１１に示す化学強化ガラス（ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｎ
ａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏイオン交換）は、レーザによる加工が不
安定で汚ない表面状態であるのが明白である。図１１に
示す化学強化ガラスは、ＬＤ励起固体レーザ（Ｎｄ：Ｙ
ＡＧ）において、レーザ波長が０．２６６μｍ以外のレ
ーザ波長１．０６４μｍおよび０．５３２μｍでは、レ
ーザによる加熱が十分出来ないものであり、レーザ波長
０．２６６μｍによる加工を行ったものであるが、レー
ザによる加工が不安定で汚い表面状態になることを免れ
ない。
【００８３】この現象に関しては、本発明のガラスセラ
ミックはアモルファス状態のガラスに比べ耐熱性に優
れ、かつ強化ガラス特有の表面強化層と内部未強化層と
の間の応力変化がなく、さらに本発明のガラスセラミッ
クの内部に析出している結晶相は、種々の外的作用によ
って生じるマイクロクラックの成長を防止する効果があ
り、これらの総合的効果によりレーザ照射に対する耐久
性を向上させているものと考えられる。
ミックはアモルファス状態のガラスに比べ耐熱性に優
れ、かつ強化ガラス特有の表面強化層と内部未強化層と
の間の応力変化がなく、さらに本発明のガラスセラミッ
クの内部に析出している結晶相は、種々の外的作用によ
って生じるマイクロクラックの成長を防止する効果があ
り、これらの総合的効果によりレーザ照射に対する耐久
性を向上させているものと考えられる。
【００８４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、上
記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、ランディン
グ領域において磁気ヘッドの安定浮上を可能とするとと
もに高記録密度化に対応したデータ領域での低浮上化を
可能とする２つの表面特性を兼ね備えた磁気情報記憶媒
体用ガラスセラミック基板およびその製造方法ならびに
このガラスセラミック基板上に磁気媒体の被膜を形成し
てなる磁気情報記憶媒体を提供することができる。
記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、ランディン
グ領域において磁気ヘッドの安定浮上を可能とするとと
もに高記録密度化に対応したデータ領域での低浮上化を
可能とする２つの表面特性を兼ね備えた磁気情報記憶媒
体用ガラスセラミック基板およびその製造方法ならびに
このガラスセラミック基板上に磁気媒体の被膜を形成し
てなる磁気情報記憶媒体を提供することができる。
【図１】本発明に係る磁気情報記憶媒体用ガラスセラミ
ック基板の中心にある円形穴を囲むランディング領域と
データ領域とを示す上面図である。
ック基板の中心にある円形穴を囲むランディング領域と
データ領域とを示す上面図である。
【図２】本発明のランディング領域に形成される凹凸の
形状を示す断面図である。
形状を示す断面図である。
【図３】本発明のランディング領域に形成される突起の
形状を示す断面図である。
形状を示す断面図である。
【図４】本発明のランディング領域に形成される凹凸ま
たは突起の間隔を示す断面図である。
たは突起の間隔を示す断面図である。
【図５】本発明のランディング領域に形成される凹凸ま
たは突起の高さを示す断面図である。
たは突起の高さを示す断面図である。
【図６】本発明のガラスセラミック（実施例８）のＨＦ
エッチング後の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真で
ある。
エッチング後の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真で
ある。
【図７】従来のガラスセラミック（比較例２）のＨＦエ
ッチング後の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。
ッチング後の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。
【図８】本発明のガラスセラミック（実施例１０）のＬ
Ｄ励起固体レーザ（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ波長１．０６４
μm ）照射後の凹凸を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。
Ｄ励起固体レーザ（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ波長１．０６４
μm ）照射後の凹凸を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。
【図９】本発明の実施例(No.３) のＣＯ2 レーザ照射後
の走査型電子顕微鏡写真である。
の走査型電子顕微鏡写真である。
【図１０】従来のアルミノシリケイト系強化ガラスのＣ
Ｏ2 レーザ照射後の走査型電子顕微鏡写真である。
Ｏ2 レーザ照射後の走査型電子顕微鏡写真である。
【図１１】従来のアルミノシリケイト系強化ガラスのＬ
Ｄ励起固体レーザ（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ波長０．２６６
μm ）照射後の凹凸を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。
Ｄ励起固体レーザ（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ波長０．２６６
μm ）照射後の凹凸を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。
１ ガラスセラミック基板 ２ データ領域 ３ ランディング領域 ４ リング ５ 円形
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03C 10/04 B23K 26/00 C03B 32/00 C03C 3/097 G11B 5/73
Claims (22)
- 【請求項１】 データ領域とランディング領域とを有す
る磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板において、該データ領域の表面は研磨加工され、表面粗度（Ｒａ）
は３Å〜９Åであり、該ランディング領域はレーザ照射
により一定間隔に形成された、高さ５０Å〜３００Åの
無数の凹凸または突起を有し、該ランディング領域の表
面粗度（Ｒａ）は１０Å〜５０Åであり、 前記ガラスセラミック基板のガラスセラミックは、Ｓｉ
Ｏ 2 −Ｌｉ 2 Ｏ−Ｋ 2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｐ 2 Ｏ 5 −Ａｌ 2
Ｏ 3 −ＺｒＯ 2 系であって、重量百分率で、ＳｉＯ 2 ７０
〜８０％、及びＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％を含有する こ
とを特徴とする磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基
板。 - 【請求項２】 前記ガラスセラミック基板は、重量百分
率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５〜 ５％ ＺｎＯ ０．２〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る請求項１ 記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
基板。 - 【請求項３】 前記レーザの種類がＣＯ 2 レーザである
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気情報記憶媒
体用ガラスセラミック基板。 - 【請求項４】 データ領域とランディング領域とを有す
る磁気情報記憶媒体用ガ ラスセラミック基板において、 該データ領域の表面は研磨加工され、表面粗度（Ｒａ）
は３Å〜９Åであり、 該ランディング領域はレーザ照射により形成された、高
さ５０Å〜３００Åの無数の凹凸または突起を有し、該
ランディング領域の表面粗度（Ｒａ）は１０Å〜５０Å
であり、 前記ガラスセラミック基板のガラスセラミックは、Ｓｉ
Ｏ 2 −Ｌｉ 2 Ｏ−Ｋ 2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｐ 2 Ｏ 5 −Ａｌ 2
Ｏ 3 系、又はＳｉＯ 2 −Ｌｉ 2 Ｏ−Ｋ 2 Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ
−Ｐ 2 Ｏ 5 −Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＺｒＯ 2 系であって、着色成分と
してＮｉＯ、ＣｏＯ、ＭｎＯ 2 、Ｖ 2 Ｏ 5 、ＣｕＯ、Ｃ
ｒ 2 Ｏ 3 の少くとも２種を含有することを特徴とする 磁
気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板。 - 【請求項５】 前記ガラスセラミック基板は、重量百分
率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなる ことを特徴とす
る請求項４記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
基板。 - 【請求項６】 前記ガラスセラミック基板は、重量百分
率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る請求項４記載の 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
基板。 - 【請求項７】 前記ガラスセラミックの結晶相は二珪酸
リチウム（Ｌｉ 2 Ｏ・２ＳｉＯ 2 ）、二珪酸リチウム及び
α−クオーツ（α−ＳｉＯ 2 ）の混晶であって、二珪酸
リチウムの結晶粒子は球状粒子構造を有しており、その
大きさは０．１μ ｍ〜０．５μｍの範囲内の径を有し、
また、α−クオーツの結晶粒子は複数の粒子が凝集した
球状粒子構造を有しており、その大きさは０．３μｍ〜
１．０μｍの範囲内の径を有していることを特徴とする
請求項１から６のうちいずれか一項記載の磁気情報記憶
媒体用ガラスセラミック基板。 - 【請求項８】 前記ガラスセラミックの結晶相は二珪酸
リチウム（Ｌｉ 2 Ｏ・２ＳｉＯ 2 ）、二珪酸リチウム及び
α−クリストバライト（α−ＳｉＯ 2 ）の混晶であっ
て、二珪酸リチウムの結晶粒子は球状粒子構造を有して
おり、その大きさは０．１μｍ〜０．５μｍの範囲内の
径を有し、また、α−クリストバライトの結晶粒子の大
きさは０．２μｍ〜１．０μｍの範囲内の径を有してい
ることを特徴とする請求項１から６のうちいずれか一項
記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板。 - 【請求項９】 前記ガラスセラミック基板は、重量百分
率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ ＮｉＯ ０．５ 〜 ３％ ＣｏＯ ０．５ 〜 ３％ ＭｎＯ 2 ０ 〜 ０．５％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０ 〜 ０．５％ ＣｕＯ ０ 〜 １％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することに
より得られるガラスセラミックからなることを特徴とす
る、請求項４記載の 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミッ
ク基板。 - 【請求項１０】 前記ガラスセラミックの結晶相は二珪
酸リチウム（Ｌｉ 2 Ｏ・２ＳｉＯ 2 ）、二珪酸リチウムお
よびα−クオーツ（α−ＳｉＯ 2 ）の混晶、二珪酸リチ
ウムおよびα−クリストバライト（α−ＳｉＯ 2 ）の混
晶であって、二珪酸リチウムの結晶粒子は球状粒子形体
を有しており、その粒子径は０．０５μｍ〜０．３０μ
ｍの範囲内であり、また、α−クリストバライトの結晶
粒子は球状粒子形体を有しており、その粒子径は０．１
０μｍ〜０．５０μｍの範囲内であり、また、α−クオ
ーツの結晶粒子は複数の粒子が凝集した球状粒子形体を
有しており、その粒子径は０．１０μｍ〜１．００μｍ
の範囲内であることを特徴とする請求項９項記載の磁気
情報記憶媒体用ガラスセラミック基板。 - 【請求項１１】 前記レーザの種類がＬＤ励起固体レー
ザであることを特徴とする請求項４から１０のうちいず
れか一項記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基
板。 - 【請求項１２】 前記ＬＤ励起固体レーザはＮｄ：ＹＡ
ＧまたはＮｄ：ＹＶＯ4またはＮｄ：ＹＬＦであること
を特徴とする請求項１１記載の磁気情報記憶媒体用ガラ
スセラミック基板。 - 【請求項１３】 前記ＬＤ励起固体レーザの波長が０．
２μｍ〜０．６μｍまたは１．０５μｍ〜１．４０μｍ
の範囲であることを特徴とする請求項１１又は１２記載
の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板。 - 【請求項１４】 前記ガラスセラミック基板において、
前記レーザの種類がＬＤ励起固体レーザであり、前記ガ
ラスセラミックは、ＬＤ励起固体レーザ波長における透
過率が厚さ０．６３５ｍｍで８０％〜４０％であること
を特徴とする請求項５または６記載の磁気情報記憶媒体
用ガラスセラミック基板。 - 【請求項１５】 前記ガラスセラミック基板において、
前記レーザの種類がＬＤ励起固体レーザであり、前記ガ
ラスセラミックは、ＬＤ励起固体レーザ波長（０．２μ
ｍ〜０．６μｍまたは１．０５μｍ〜１．４０μｍ）に
おける透過率が厚さ０．６３５ｍｍにおいて０％〜４０
％であることを特徴とする請求項９記載の磁気情報記憶
媒体用ガラスセラミック基板。 - 【請求項１６】 該ランディング領域の凹凸または突起
は、一定間隔にあって、その間隔は１０μｍ〜２００μ
ｍであることを特徴とする、請求項１から１５のうちい
ずれか一項記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック
基板。 - 【請求項１７】 強化ガラス特有の表面強化層と内部未
強化層との間の応力変化がないことを特徴とする、請求
項１から１６のうちいずれか一項記載の磁気情報記憶媒
体用ガラスセラミック基板。 - 【請求項１８】 データ領域とランディング領域とを有
する磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の製造方
法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５〜 ５％ ＺｎＯ ０．２〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７８０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、さらにラ
ンディング領域にＣＯ 2 レーザ照射により無数の凹凸ま
たは突起を形成することにより該ランディング領域の凹
凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗度（Ｒ
ａ）を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、請求項
２記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の製
造方法。 - 【請求項１９】 データ領域とランディング領域とを有
する磁気情報記憶媒体用 ガラスセラミック基板の製造方
法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７５０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、さらにラ
ンディング領域にＬＤ励起固体レーザ照射により無数の
凹凸または突起を形成することにより該ランディング領
域の凹凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗
度（Ｒａ）を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、
請求項５記載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基
板の製造方法。 - 【請求項２０】 データ領域とランディング領域とを有
する磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の製造方
法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０．０２〜０．８％ ＣｕＯ ０．０２〜０．８％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜０．８％ ＭｎＯ 2 ０．０２〜０．８％ ＣｏＯ ０ 〜０．８％ ＮｉＯ ０ 〜０．８％ 但し、Ｖ 2 Ｏ 5 ＋ＣｕＯ＋Ｃｒ 2 Ｏ 3 ＋ＭｎＯ 2 ＋ＣｏＯ
＋ＮｉＯ ０．０８〜２．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７８０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、さらにラ
ンディング領域にＬＤ励起固体レーザ照射により無数の
凹凸または突起を形成することにより該ランディング領
域の凹凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗
度（Ｒａ）を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、
請求項６記載の 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基
板の製造方法。 - 【請求項２１】 データ領域とランディング領域とを有
する磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の製造方
法において、重量百分率で、 ＳｉＯ 2 ７０ 〜８０％ Ｌｉ 2 Ｏ ９ 〜１２％ Ｋ 2 Ｏ ２ 〜 ５％ ＭｇＯ ０．５ 〜 ５％ ＺｎＯ ０．２ 〜 ３％ 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．２ 〜 ５％ Ｐ 2 Ｏ 5 １．５ 〜 ３％ ＺｒＯ 2 ０．５ 〜 ５％ Ａｌ 2 Ｏ 3 ２ 〜 ５％ Ｓｂ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ Ａｓ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １％ ＮｉＯ ０．５ 〜 ３％ ＣｏＯ ０．５ 〜 ３％ ＭｎＯ 2 ０ 〜 ０．５％ Ｖ 2 Ｏ 5 ０ 〜 ０．５％ ＣｕＯ ０ 〜 １％ Ｃｒ 2 Ｏ 3 ０ 〜 １．５％ の範囲の各成分を含有する原ガラスを核形成のために４
５０℃〜５５０℃の核形成温度で１〜１２時間の範囲で
熱処理し、更に、結晶成長のために６８０℃〜７５０℃
の結晶化温度で１〜１２時間の範囲で熱処理した後、表
面を３Å〜９Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨し、更に、ラ
ンディング領域にＬＤ励起固体レーザ照射により無数の
凹凸または突起を形成することにより該ランディング領
域の凹凸または突起の高さを５０Å〜３００Å、表面粗
度を１０Å〜５０Åとしたことを特徴とする、請求項９
記載の 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板の製造
方法。 - 【請求項２２】 請求項１〜１７のうちいずれか一項記
載の磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板上に磁気
媒体の被膜を形成してなる磁気情報記憶媒体。
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