JP2516553B2 - 磁気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法Info
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- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク用基板材
に適した結晶構造と研磨による改善された表面特性を有
する磁気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法に
関する。
に適した結晶構造と研磨による改善された表面特性を有
する磁気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクは大型コンピューター、パ
ーソナルコンピューター等の外部記憶媒体として近年需
要が増大しているため、その開発が急速に進んできてい
る。一般的にこの磁気ディスク用基板材には、次のよう
な特性が要望される。すなわち、 （１）磁気ディスクの始動／停止（ＣＳＳ）特性におい
て、ヘッドとディスク間の吸着およびヘッドの損傷やメ
ディアの破壊を防止するためディスク表面は滑らかな表
面でなく表面粗度（Ｒａ）１５〜５０Åの範囲に制御さ
れた表面特性を有すること。 （２）磁気ディスクの記録密度向上のため、ヘッド浮上
量が０．１μｍ〜０．０５μｍと低減の方向にあり、デ
ィスク表面は、平坦かつ平滑であること。 （３）磁気ディスク用基板材は、材料に結晶異方性、欠
陥がなく組織が緻密で均質、微細であること。 （４）高速回転やヘッドの接触に十分耐える機械的強
度、硬度を有すること。 （５）材料中にＮａ2Ｏ成分を含有するとＮａイオンが
成膜工程中に拡散し、膜の特性が悪化するため、基本的
にＮａ2Ｏ成分を含有しないこと。 （６）種々の薬品による洗浄やエッチングに耐え得る化
学的耐久性を有すること。
ーソナルコンピューター等の外部記憶媒体として近年需
要が増大しているため、その開発が急速に進んできてい
る。一般的にこの磁気ディスク用基板材には、次のよう
な特性が要望される。すなわち、 （１）磁気ディスクの始動／停止（ＣＳＳ）特性におい
て、ヘッドとディスク間の吸着およびヘッドの損傷やメ
ディアの破壊を防止するためディスク表面は滑らかな表
面でなく表面粗度（Ｒａ）１５〜５０Åの範囲に制御さ
れた表面特性を有すること。 （２）磁気ディスクの記録密度向上のため、ヘッド浮上
量が０．１μｍ〜０．０５μｍと低減の方向にあり、デ
ィスク表面は、平坦かつ平滑であること。 （３）磁気ディスク用基板材は、材料に結晶異方性、欠
陥がなく組織が緻密で均質、微細であること。 （４）高速回転やヘッドの接触に十分耐える機械的強
度、硬度を有すること。 （５）材料中にＮａ2Ｏ成分を含有するとＮａイオンが
成膜工程中に拡散し、膜の特性が悪化するため、基本的
にＮａ2Ｏ成分を含有しないこと。 （６）種々の薬品による洗浄やエッチングに耐え得る化
学的耐久性を有すること。
【０００３】従来磁気ディスク基板材には、アルミニウ
ム合金が使用されているがアルミニウム合金基板では、
種々の材料欠陥の影響により、研磨工程における基板表
面の突起または、スポット状の凹凸を生じ、平坦性、表
面粗度の点で十分でなく、今日の情報量のより一層の増
大にともなう高密度記録化に対応できない。
ム合金が使用されているがアルミニウム合金基板では、
種々の材料欠陥の影響により、研磨工程における基板表
面の突起または、スポット状の凹凸を生じ、平坦性、表
面粗度の点で十分でなく、今日の情報量のより一層の増
大にともなう高密度記録化に対応できない。
【０００４】さらにアルミニウム合金板の問題点を解消
する材料として化学強化ガラス等の磁気ディスク用ガラ
ス基板が各種知られているが、この場合、 （１）研磨は化学強化後に行われ、ディスクの薄板化に
おける強化層の不安定要素が高い。 （２）基板には始動／停止（ＣＳＳ）特性向上のための
機械的、メカニカルテクスチャーまたは、化学的ケミカ
ルテクスチャーを行う必要があり、製品の低コスト安定
量産性が難しい欠点がある。 （３）ガラス中にＮａ2Ｏ成分が必須成分として含有す
るため、成膜特性が悪化し、表面コート処理等が必要と
なる。また化学強化ガラスや結晶化ガラスにおいて始動
／停止（ＣＳＳ）特性向上のテクスチャー処理の問題点
を解消する手段として研磨工程での表面を荒らす技術が
近年行われているが、やはりこの技術もテクスチャー処
理と同様に安定量産性に対しては不十分である。
する材料として化学強化ガラス等の磁気ディスク用ガラ
ス基板が各種知られているが、この場合、 （１）研磨は化学強化後に行われ、ディスクの薄板化に
おける強化層の不安定要素が高い。 （２）基板には始動／停止（ＣＳＳ）特性向上のための
機械的、メカニカルテクスチャーまたは、化学的ケミカ
ルテクスチャーを行う必要があり、製品の低コスト安定
量産性が難しい欠点がある。 （３）ガラス中にＮａ2Ｏ成分が必須成分として含有す
るため、成膜特性が悪化し、表面コート処理等が必要と
なる。また化学強化ガラスや結晶化ガラスにおいて始動
／停止（ＣＳＳ）特性向上のテクスチャー処理の問題点
を解消する手段として研磨工程での表面を荒らす技術が
近年行われているが、やはりこの技術もテクスチャー処
理と同様に安定量産性に対しては不十分である。
【０００５】そこで、アルミニウム合金基板や化学強化
ガラス基板に対して前記のような要求のいくつかを満た
す結晶化ガラスが多数知られている。例えば、特開昭６
０−２２９２３４号公報記載のＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｌ
ｉ2Ｏ系結晶化ガラスは、β−石英固溶体またはβ−ス
ポジュメン固溶体を析出させ結晶粒径が約０．１〜１．
０μｍの粒状のものであり、また、特開昭６２−７２５
４７号公報記載のＳｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ系結晶化ガラスは、
主結晶として二珪酸リチウムおよびメタ珪酸リチウムを
析出させ、それぞれ結晶粒径が二珪酸リチウムは約０．
３〜１．５μｍの板状およびメタ珪酸リチウムは０．３
〜０．５μｍの粒状のものであるが、いずれも磁気ディ
スク基板材として不可欠な始動／停止（ＣＳＳ）特性向
上のため研磨加工後表面を荒らすテクスチャー処理工程
が必要である。
ガラス基板に対して前記のような要求のいくつかを満た
す結晶化ガラスが多数知られている。例えば、特開昭６
０−２２９２３４号公報記載のＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｌ
ｉ2Ｏ系結晶化ガラスは、β−石英固溶体またはβ−ス
ポジュメン固溶体を析出させ結晶粒径が約０．１〜１．
０μｍの粒状のものであり、また、特開昭６２−７２５
４７号公報記載のＳｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ系結晶化ガラスは、
主結晶として二珪酸リチウムおよびメタ珪酸リチウムを
析出させ、それぞれ結晶粒径が二珪酸リチウムは約０．
３〜１．５μｍの板状およびメタ珪酸リチウムは０．３
〜０．５μｍの粒状のものであるが、いずれも磁気ディ
スク基板材として不可欠な始動／停止（ＣＳＳ）特性向
上のため研磨加工後表面を荒らすテクスチャー処理工程
が必要である。
【０００６】また特開平２−２４７８２１号公報には、
これらの問題を解消する手段としてシート状珪酸塩また
は鎖状珪酸塩のミクロ構造を有する結晶相を析出させた
結晶化ガラスが提案されているが、結晶粒子構造が針状
または棒状のため、結晶の異方性が極端なホールやビッ
トを発生させてしまうため十分な表面粗度が得られな
い。またこれらの結晶は、Ｎａ2Ｏ成分を含有するた
め、成膜工程におけるＮａイオンの拡散が発生し膜の特
性に悪影響を与える。
これらの問題を解消する手段としてシート状珪酸塩また
は鎖状珪酸塩のミクロ構造を有する結晶相を析出させた
結晶化ガラスが提案されているが、結晶粒子構造が針状
または棒状のため、結晶の異方性が極端なホールやビッ
トを発生させてしまうため十分な表面粗度が得られな
い。またこれらの結晶は、Ｎａ2Ｏ成分を含有するた
め、成膜工程におけるＮａイオンの拡散が発生し膜の特
性に悪影響を与える。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の各要望事項を満たしつつ、前記従来技術にみられる諸
欠点を解消し、析出結晶の結晶構造および結晶粒子を制
御することにより研磨による表面特性に一段と優れた磁
気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法を提供す
ることにある。
の各要望事項を満たしつつ、前記従来技術にみられる諸
欠点を解消し、析出結晶の結晶構造および結晶粒子を制
御することにより研磨による表面特性に一段と優れた磁
気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を達
成するために鋭意試験研究を重ねた結果、ＳｉＯ2−Ｌ
ｉ2Ｏ−Ｐ2Ｏ5系においてＭｇＯ成分を必須成分として
含有させた原ガラスを熱処理することにより得られる結
晶化ガラスは、結晶相α−クオーツ（ＳｉＯ2）の成長
結晶粒子（二次粒子）が球状粒子構造をとり、かつ結晶
粒子サイズを制御することにより研磨して成る表面特性
の優れた磁気ディスク用結晶化ガラスが得られることを
見い出し本発明に至った。
成するために鋭意試験研究を重ねた結果、ＳｉＯ2−Ｌ
ｉ2Ｏ−Ｐ2Ｏ5系においてＭｇＯ成分を必須成分として
含有させた原ガラスを熱処理することにより得られる結
晶化ガラスは、結晶相α−クオーツ（ＳｉＯ2）の成長
結晶粒子（二次粒子）が球状粒子構造をとり、かつ結晶
粒子サイズを制御することにより研磨して成る表面特性
の優れた磁気ディスク用結晶化ガラスが得られることを
見い出し本発明に至った。
【０００９】本発明の結晶化ガラスの特徴は、重量百分
率で、ＳｉＯ2 ６５〜８３％、Ｌｉ2Ｏ ８〜１３
％、Ｋ2Ｏ ０〜７％、ＭｇＯ ０．５〜５．５％、Ｚ
ｎＯ ０〜５％、ＰｂＯ ０〜５％、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋
ＰｂＯ ０．５〜５．５％、Ｐ2Ｏ5 １〜４％、Ａｌ2
Ｏ3 ０〜７％、Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3 ０〜２％からな
る原ガラスを熱処理することにより得られ、主結晶相と
して二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）およびα−
クオーツ（ＳｉＯ2）を有するところにある。
率で、ＳｉＯ2 ６５〜８３％、Ｌｉ2Ｏ ８〜１３
％、Ｋ2Ｏ ０〜７％、ＭｇＯ ０．５〜５．５％、Ｚ
ｎＯ ０〜５％、ＰｂＯ ０〜５％、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋
ＰｂＯ ０．５〜５．５％、Ｐ2Ｏ5 １〜４％、Ａｌ2
Ｏ3 ０〜７％、Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2Ｏ3 ０〜２％からな
る原ガラスを熱処理することにより得られ、主結晶相と
して二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）およびα−
クオーツ（ＳｉＯ2）を有するところにある。
【００１０】本発明の結晶化ガラスの組成は、原ガラス
と同様酸化物基準で表示し得るが、原ガラスの組成範囲
を上記のように限定した理由について以下に述べる。す
なわちＳｉＯ2成分は、原ガラスの熱処理により、主結
晶として二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）および
α−クオーツ（ＳｉＯ2）等の結晶を生成するきわめて
重要な成分であるが、その量が６５％未満では、得られ
る結晶化ガラスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しや
すく、また、８３％を超えると原ガラスの溶融が困難に
なる。
と同様酸化物基準で表示し得るが、原ガラスの組成範囲
を上記のように限定した理由について以下に述べる。す
なわちＳｉＯ2成分は、原ガラスの熱処理により、主結
晶として二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）および
α−クオーツ（ＳｉＯ2）等の結晶を生成するきわめて
重要な成分であるが、その量が６５％未満では、得られ
る結晶化ガラスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しや
すく、また、８３％を超えると原ガラスの溶融が困難に
なる。
【００１１】Ｌｉ2Ｏ成分は、ガラスの加熱処理により
主結晶として二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）結
晶を生成するきわめて重要な成分であるが、その量が８
％未満では、上記結晶の析出が困難となると同時に、原
ガラスの溶融が困難となり、また、１３％を超えると得
られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定で組織が粗大化
しやすいうえ、化学的耐久性および硬度が悪化する。Ｋ
2Ｏ成分はガラスの溶融性を向上させる成分であり、７
％まで含有させることができる。
主結晶として二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）結
晶を生成するきわめて重要な成分であるが、その量が８
％未満では、上記結晶の析出が困難となると同時に、原
ガラスの溶融が困難となり、また、１３％を超えると得
られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定で組織が粗大化
しやすいうえ、化学的耐久性および硬度が悪化する。Ｋ
2Ｏ成分はガラスの溶融性を向上させる成分であり、７
％まで含有させることができる。
【００１２】ＭｇＯ成分は、本発明において主結晶とし
てのα−クオーツ（ＳｉＯ2）の結晶粒子を二次粒子構
造全体へランダムに析出させることが見い出された重要
な成分であるが、その量が０．５％未満では上記効果が
得られず、また５．５％を超えると所望の結晶が析出し
難くなる。またＺｎＯおよびＰｂＯ成分もＭｇＯと同等
の効果があるので添加し得るが、その量が各々５％を超
えると所望の結晶が析出し難くなる。ただし上記Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯおよびＰｂＯ成分の合計量は、同様の理由で
０．５〜５．５％とすべきである。
てのα−クオーツ（ＳｉＯ2）の結晶粒子を二次粒子構
造全体へランダムに析出させることが見い出された重要
な成分であるが、その量が０．５％未満では上記効果が
得られず、また５．５％を超えると所望の結晶が析出し
難くなる。またＺｎＯおよびＰｂＯ成分もＭｇＯと同等
の効果があるので添加し得るが、その量が各々５％を超
えると所望の結晶が析出し難くなる。ただし上記Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯおよびＰｂＯ成分の合計量は、同様の理由で
０．５〜５．５％とすべきである。
【００１３】Ｐ2Ｏ5成分は本発明において、ガラスの結
晶核形成剤として不可欠であるが、その量が１％未満で
は、所望の結晶を生成させることができず、また４％を
超えると得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定で粗
大化しやすいうえ、原ガラスの失透性が悪化する。
晶核形成剤として不可欠であるが、その量が１％未満で
は、所望の結晶を生成させることができず、また４％を
超えると得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定で粗
大化しやすいうえ、原ガラスの失透性が悪化する。
【００１４】Ａｌ2Ｏ3成分は、結晶化ガラスの化学的耐
久性を向上させる有効な成分であるがその含有量が７％
を超えると溶融性が悪化し、主結晶としてのα−クオー
ツ（ＳｉＯ2）の結晶析出量が低下する。Ａｓ2Ｏ3およ
び／またはＳｂ2Ｏ3 成分は、ガラス溶融の際の清澄剤
として添加し得るが、これらの１種または２種の合計量
は２％以下で十分である。
久性を向上させる有効な成分であるがその含有量が７％
を超えると溶融性が悪化し、主結晶としてのα−クオー
ツ（ＳｉＯ2）の結晶析出量が低下する。Ａｓ2Ｏ3およ
び／またはＳｂ2Ｏ3 成分は、ガラス溶融の際の清澄剤
として添加し得るが、これらの１種または２種の合計量
は２％以下で十分である。
【００１５】なお、本発明においては、使用するガラス
に上記成分の他に所望の特性を損なわない範囲で少量の
Ｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2お
よびＺｒＯ2の成分を含有させることができる。なお、
上記主結晶以外に副結晶として、メタ珪酸リチウム（Ｌ
ｉ2Ｏ・ＳｉＯ2）およびα−クリストバライト（ＳｉＯ
2）を析出させることができる。つぎに本発明にかかる
磁気ディスク用結晶化ガラスの製造方法の特徴は、上記
の組成を有するガラスを溶融し、熱間成形および／また
は冷間成形を行った後、９００℃以下の温度で結晶化熱
処理を行うことにある。さらに熱処理結晶化したガラス
を通常一般に広く知られている方法でラッピングのあと
ポリシングした表面粗度（Ｒａ）が１５〜５０Åの範囲
であることにある。
に上記成分の他に所望の特性を損なわない範囲で少量の
Ｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2お
よびＺｒＯ2の成分を含有させることができる。なお、
上記主結晶以外に副結晶として、メタ珪酸リチウム（Ｌ
ｉ2Ｏ・ＳｉＯ2）およびα−クリストバライト（ＳｉＯ
2）を析出させることができる。つぎに本発明にかかる
磁気ディスク用結晶化ガラスの製造方法の特徴は、上記
の組成を有するガラスを溶融し、熱間成形および／また
は冷間成形を行った後、９００℃以下の温度で結晶化熱
処理を行うことにある。さらに熱処理結晶化したガラス
を通常一般に広く知られている方法でラッピングのあと
ポリシングした表面粗度（Ｒａ）が１５〜５０Åの範囲
であることにある。
【００１６】
【実施例】つぎに本発明にかかる好適な実施例につき説
明する。表１は本発明の磁気ディスク用結晶化ガラスの
実施組成例（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１０）と従来のＳｉＯ2
−Ｌｉ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−Ｐ2Ｏ5系結晶化ガラスの比較組
成例をこれらの結晶化ガラスの熱処理温度、熱処理時
間、α−クオーツの成長結晶粒子の結晶粒径、主結晶お
よび研磨後の表面粗度（Ｒａ）の測定結果とともに示し
たものである。ただしα−Ｑはα−クオーツ（Ｓｉ
Ｏ2）、α−Ｃｒｙはα−クリストバライト（ＳｉＯ2）
を示す。
明する。表１は本発明の磁気ディスク用結晶化ガラスの
実施組成例（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１０）と従来のＳｉＯ2
−Ｌｉ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−Ｐ2Ｏ5系結晶化ガラスの比較組
成例をこれらの結晶化ガラスの熱処理温度、熱処理時
間、α−クオーツの成長結晶粒子の結晶粒径、主結晶お
よび研磨後の表面粗度（Ｒａ）の測定結果とともに示し
たものである。ただしα−Ｑはα−クオーツ（Ｓｉ
Ｏ2）、α−Ｃｒｙはα−クリストバライト（ＳｉＯ2）
を示す。
【００１７】
【表１】
【表１】
【表１】
【表１】
【００１８】図１（ａ）は上記実施例Ｎｏ．４の結晶化
ガラスの研磨後の表面粗度（Ｒａ）を、また図１（ｂ）
は上記比較例の結晶化ガラスの研磨後の表面粗度（Ｒ
ａ）を対比して示したものである。さらに図２（ａ）は
上記実施例Ｎｏ．４の、図２（ｂ）は上記比較例の各々
の結晶化ガラスの結晶形状の走査型電顕写真を対比して
示したものである。
ガラスの研磨後の表面粗度（Ｒａ）を、また図１（ｂ）
は上記比較例の結晶化ガラスの研磨後の表面粗度（Ｒ
ａ）を対比して示したものである。さらに図２（ａ）は
上記実施例Ｎｏ．４の、図２（ｂ）は上記比較例の各々
の結晶化ガラスの結晶形状の走査型電顕写真を対比して
示したものである。
【００１９】本発明の上記実施例のガラスは、いずれも
酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常
の溶融装置を用いて約１３５０〜１５００℃の温度で溶
融し、攪拌均質化した後所望の形状に成形して、冷却
し、ガラス成形体を得た。その後これを熱処理して結晶
核形成後、表記の各結晶化温度で約１〜５時間保持し
て、所望の結晶化ガラスを得た。なお表面粗度（Ｒａ）
測定試料製作にあたっては、上記結晶化ガラスを平均粒
径９〜１２μｍの砥粒にて約１０分〜２０分間ラッピン
グし、その後平均粒径１〜２μの酸化セリュームにて約
３０分〜４０分間ポリシングして仕上げた。
酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常
の溶融装置を用いて約１３５０〜１５００℃の温度で溶
融し、攪拌均質化した後所望の形状に成形して、冷却
し、ガラス成形体を得た。その後これを熱処理して結晶
核形成後、表記の各結晶化温度で約１〜５時間保持し
て、所望の結晶化ガラスを得た。なお表面粗度（Ｒａ）
測定試料製作にあたっては、上記結晶化ガラスを平均粒
径９〜１２μｍの砥粒にて約１０分〜２０分間ラッピン
グし、その後平均粒径１〜２μの酸化セリュームにて約
３０分〜４０分間ポリシングして仕上げた。
【００２０】表１にみられるとおり、実施例の結晶化ガ
ラスは、いずれも表面粗度（Ｒａ）の値が１５〜５０Å
の範囲を有し、表面特性に優れており、目的の改善の効
果は顕著である。図１から明かなように本発明の実施例
Ｎｏ．４は、所望の表面粗度を有しているが、比較例は
所望の表面粗度を有していない。また図２から明かなよ
うに、本発明の実施例Ｎｏ．４の結晶粒子が球状２次粒
子構造を示し、均一に分布しているのに対し、比較例の
結晶粒子構造は針状または棒状を示すため所望の表面粗
度が得られない。また本発明の結晶粒径についても、
０．３〜３μと熱処理による結晶粒子サイズの制御が可
能である。
ラスは、いずれも表面粗度（Ｒａ）の値が１５〜５０Å
の範囲を有し、表面特性に優れており、目的の改善の効
果は顕著である。図１から明かなように本発明の実施例
Ｎｏ．４は、所望の表面粗度を有しているが、比較例は
所望の表面粗度を有していない。また図２から明かなよ
うに、本発明の実施例Ｎｏ．４の結晶粒子が球状２次粒
子構造を示し、均一に分布しているのに対し、比較例の
結晶粒子構造は針状または棒状を示すため所望の表面粗
度が得られない。また本発明の結晶粒径についても、
０．３〜３μと熱処理による結晶粒子サイズの制御が可
能である。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたとおり、本発明の磁気ディス
ク用結晶化ガラスは特定組成のＳｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ−Ｐ2
Ｏ5−ＭｇＯ系ガラスを熱処理して得られるものである
から、主結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2）およびα−クオーツ（ＳｉＯ2）であって、α−ク
オーツ（ＳｉＯ2）の成長結晶粒子（二次粒子）が球状
粒子構造を有し、熱処理による結晶粒子サイズの制御が
でき、研磨して成る表面粗度が所望範囲の値を有するも
のであるから、磁気ディスク用基板材として利用し得
る。
ク用結晶化ガラスは特定組成のＳｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ−Ｐ2
Ｏ5−ＭｇＯ系ガラスを熱処理して得られるものである
から、主結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2）およびα−クオーツ（ＳｉＯ2）であって、α−ク
オーツ（ＳｉＯ2）の成長結晶粒子（二次粒子）が球状
粒子構造を有し、熱処理による結晶粒子サイズの制御が
でき、研磨して成る表面粗度が所望範囲の値を有するも
のであるから、磁気ディスク用基板材として利用し得
る。
【００２２】また、本発明の磁気ディスク用結晶化ガラ
スの製造方法は、上記系のガラスを溶融し、成形した
後、加熱昇温し、ついで結晶化処理を行うものであるか
ら、上記諸特性に一段と優れた製品を一層歩留まり良く
得ることができる。
スの製造方法は、上記系のガラスを溶融し、成形した
後、加熱昇温し、ついで結晶化処理を行うものであるか
ら、上記諸特性に一段と優れた製品を一層歩留まり良く
得ることができる。
【図１】本発明の実施例の結晶化ガラスの表面粗度
（ａ）と従来の結晶化ガラスの表面粗度（ｂ）との比較
図。
（ａ）と従来の結晶化ガラスの表面粗度（ｂ）との比較
図。
【図２】本発明の実施例の結晶化ガラスの結晶粒子の走
査型電顕写真（ａ）と従来の結晶化ガラスの結晶粒子の
走査型電顕写真（ｂ）。（写真（ａ）および（ｂ）の白
線スケールは１μｍを示す。）
査型電顕写真（ａ）と従来の結晶化ガラスの結晶粒子の
走査型電顕写真（ｂ）。（写真（ａ）および（ｂ）の白
線スケールは１μｍを示す。）
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 5/84 7303−5Ｄ Ｇ１１Ｂ 5/84 Ａ
Claims (4)
- 【請求項１】 重量百分率で、ＳｉＯ2 ６５〜８３
％、Ｌｉ2Ｏ ８〜１３％、Ｋ2Ｏ ０〜７％、ＭｇＯ
０．５〜５．５％、ＺｎＯ ０〜５％、ＰｂＯ０〜５
％、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ ０．５〜５．５％、Ｐ2
Ｏ5 １〜４％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜７％、Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2
Ｏ3 ０〜２％からなるガラスを熱処理することにより
得られ、主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２
ＳｉＯ2）およびα−クオーツ（ＳｉＯ2）を有すること
を特徴とする磁気ディスク用結晶化ガラス。 - 【請求項２】 重量百分率で、ＳｉＯ2 ６５〜８３
％、Ｌｉ2Ｏ ８〜１３％、Ｋ2Ｏ ０〜７％、ＭｇＯ
０．５〜５．５％、ＺｎＯ ０〜５％、ＰｂＯ０〜５
％、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ ０．５〜５．５％、Ｐ2
Ｏ5 １〜４％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜７％、Ａｓ2Ｏ3＋Ｓｂ2
Ｏ3 ０〜２％からなるガラスを溶融し、成形した後加
熱昇温し、ついで９００℃以下の温度で結晶化熱処理を
行うことを特徴とする磁気ディスク用結晶化ガラスの製
造方法。 - 【請求項３】 前記結晶化ガラスの結晶相が二珪酸リチ
ウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）およびα−クオーツ（Ｓｉ
Ｏ2）であって、α−クオーツ（ＳｉＯ2）の成長結晶粒
子（二次粒子）が球状粒子構造を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク用結晶化ガ
ラス。 - 【請求項４】 前記結晶化ガラスの結晶相が二珪酸リチ
ウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）およびα−クオーツ（Ｓｉ
Ｏ2）であって、α−クオーツ（ＳｉＯ2）の成長結晶粒
子（二次粒子）が球状粒子構造を有しており、熱処理に
より結晶粒子のサイズが０．３〜３μｍの範囲に制御で
き、研磨して成る表面粗度（Ｒａ）が１５〜５０Åの範
囲であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
磁気ディスク用結晶化ガラス。
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| US08/248,757 US5391522A (en) | 1993-05-19 | 1994-05-25 | Glass-ceramic for magnetic disks and method for manufacturing the same |
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| US08/442,381 US5567217A (en) | 1993-05-19 | 1995-05-16 | Method for manufacturing a crystalized glass magnetic disk substrate |
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- 1994-05-17 DE DE69409424T patent/DE69409424T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-11 CN CN94108224A patent/CN1042827C/zh not_active Expired - Fee Related
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