JPH0692680A

JPH0692680A - 磁気ヘッド又は磁気ディスクの基板用結晶化ガラス及びその製法

Info

Publication number: JPH0692680A
Application number: JP24765792A
Authority: JP
Inventors: Moriya Suzuki; 守也鈴木; Junji Hayakawa; 惇二早川; Joichi Tamada; 穣一玉田
Original assignee: Agency of Industrial Science and Technology; Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST; Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1992-03-30
Filing date: 1992-09-17
Publication date: 1994-04-05

Abstract

(57)【要約】【目的】線熱膨脹係数を磁性薄膜にマッチングさせ且
つ加工容易な積層コア型磁気ヘッド又はハードディスク
の基板用結晶化ガラス。【構成】リチウム−シリケート系結晶化ガラスにおい
て、酸化リチウムとシリカのモル比を１対１ないし１対
２とし、アルミナを０.００１ないし０.１モル比、無水
燐酸（Ｐ₂Ｏ₅）を０.０１〜０.１５モル比、酸化カリウ
ム（Ｋ₂Ｏ）を０.０１〜０.１７モル比添加し、結晶化
熱処理した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＶＴＲ、コンピュータ
等の信号記録再生用磁気ヘッド、又は磁気信号記録用ハ
ードディスクの非磁性基板に用いる結晶化ガラスと、そ
の製法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気ヘッドには、フェライト単結
晶が素材に使用されてきたが、磁気記録媒体の飽和磁束
の高密度化、保磁力の高度化に伴ない、近時はセラミッ
ク焼結体から成る非磁性基板上にセンダスト、パーマロ
イ或いはアモルファス金属を積層した磁気ヘッドが使用
されている。しかしセラミック焼結体には、空孔や結晶
障壁があるため、これを磁気ヘッド基板に加工する際、
割れ、欠け、チッピングが生じ易い欠点がある。

【０００３】セラミック焼結体基板の上記欠点に対処す
るため、最近はガラス中に微細な結晶を析出させた結晶
化ガラスが積層型磁気ヘッドの非磁性基板として使用さ
れている（例えば、ＳＡＮＹＯＴＥＣＨＮＩＣＡＬ
ＲＥＶＩＥＷ第２２巻第２号６４頁１９９０
年）。図１は結晶化ガラスによる非磁性基板(１)を使用
した公知のセンダスト積層コア型磁気ヘッドであって、
コア半体の一方の基板(１)上にセンダスト合金の積層膜
(２)を蒸着或いはスパッタリングによって形成し、他方
の基板（1a）を接合ガラスの溶融によって接合し、且つ
２つのコア半体を接合ガラス(３)によって接合し、一体
化したものである。

【０００４】上記の構成から判るとおり、磁気ヘッド基
板(１)に用いるべき結晶化ガラスの特性は次の条件を満
すことが必要とされている。 1) センダスト薄膜の線熱膨脹係数１５０×１０^-7／
℃，パーマロイの場合１２０×１０^-7／℃，アモルファ
スの場合１１０×１０^-7／℃に近付ける様に、結晶化ガ
ラスの線熱膨脹係数の値も９０〜１５０×１０^-7／℃程
度であること。 2) 結晶粒径を２μｍ以下とし、面粗度を１２０オング
ストローム以下に小さくし、センダスト薄膜と非磁性基
板との接合精度を高くし、磁気ヘッドのトラック幅の接
合誤差が規定内に収まる様にすること。 3) コア半体を接合用ガラスの溶着によって結合する際
の処理温度は約７００℃であるから、結晶化ガラスの屈
伏点は８００℃以上の耐熱性であること。 4) 従来のフェライト単結晶磁気ヘッドの耐摩耗性及び
硬度と同程度となる様に、ビッカース硬度はＨＶ６００
以上であること。 5) 電気的絶縁性がよく、基板加工時に割れ、欠けの発
生が少ない様な機械的強度を有していること。

【０００５】磁気記録媒体のハードディスクについて
は、その非磁性基板として従来はアルミニウム系合金や
樹脂材料が使用されていた。しかし最近では、ディスク
の小型化、磁気記録の高密度化に伴なって、磁気ヘッド
の低浮上技術、ディスクの高速回転化が進み、そのため
ディスク表面の表面精度が一層厳しく要求される様にな
った。従来のアルミニウム系合金や樹脂材料では要求値
を満たさなくなり、これに代わって結晶化ガラスをハー
ドディスク基板として用いる試みがなされている（ＮＩ
ＫＫＥＩＮＥＷＭＡＴＥＲＩＡＬＳ１９８９年１
１月２０日号１２５頁）。磁気記録用ハードディスク
は図２に示す如く、非磁性結晶化ガラス基板(４)上に、
Ｎｉ−Ｐメッキ層(５)を厚さ１０〜２０μｍ程度、無電
解メッキによって被覆し、このメッキ層を研磨加工し、
基板(４)の硬さを補っている。更にメッキ層(５)上にス
パッター装置によって、中間層(６)、磁性層(７)、保護
膜(８)、潤滑剤層（19）を成膜したものである。各層の
材料としては、中間層(６)にはＣｒ、磁性層(７)にはＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ又はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ、保護層(８)には
カーボン又はジルコニアが使用される。各層の厚さは、
中間層(６)は２０００〜３０００オングストローム、磁
性層(７)は５００〜８００オングストローム、保護層
(８)は２００〜３００オングストロームである。基板
(４)は、表面の面粗度及び硬度が重要な要素として厳し
い条件が要求されており、更に磁気ヘッドの非磁性基板
と同じく、中間層(６)と磁性層(７)の薄膜を付着させた
ときに、基板の反りが発生しない様に線熱膨脹係数のマ
ッチングが必要となる。従って磁気記録用ハードディス
ク基板の結晶化ガラスには、積層型磁気ヘッドの非磁性
基板用の結晶化ガラスと同様な条件が求められている。

【０００６】以下の説明では、磁気ヘッド基板用及びハ
ードディスク基板用の結晶化ガラスを一括している。リ
チウム−シリケート系結晶化ガラスにおける線熱膨脹係
数の値は、結晶化ガラス内に析出する結晶によって大き
く左右される。安定したガラス領域で製造したガラスを
結晶化熱処理したときの析出結晶の種類は、珪酸リチウ
ム、二珪酸リチウム、石英、トリジマイト、クリストバ
ライト等である。これ等析出結晶の線熱膨脹係数は、珪
酸リチウムが２００×１０^-7／℃、二珪酸リチウムが１
１０×１０^-7／℃である。これ等の結晶の析出は、酸化
リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）とシリカ（ＳｉＯ₂）の組成比及び
冷却速度によって決定される。従ってガラスの組成比を
適当に決め、核形成材であるＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂等を添加
して結晶化を促進することによって、これらの結晶及
び、これらの結晶の混晶を効果的に析出させ、結晶化ガ
ラスが必要とする線熱膨脹係数を得ている。しかし、こ
れ等の結晶の中で、トリジマイト及びクリストバライト
は３００℃付近で異常膨脹する特性があり、また析出の
ための添加物を含有するため好ましくない。

【０００７】結晶化ガラスの線熱膨脹係数を調節する別
の方法としては、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類酸
化物を添加することにより、結晶化ガラス内の約５０％
を占めるガラスマトリックスの線熱膨脹係数を高め、こ
れにより結晶化ガラス全体の線熱膨脹係数を大きくして
いる。

【０００８】

【解決するべき課題】結晶化ガラスの線熱膨脹係数を高
めるために、アルカリ金属酸化物を添加すると、結晶化
ガラスの屈伏点を低くし、基板としての使用温度を限定
してしまう。また、アルカリ金属酸化物の添加が過度に
なされると、ガラスは安定なガラス状態から外れて、失
透状態となる。即ちガラス原料を混合し、溶融したガラ
スを鋳型に注入し成形する際の冷却過程で、ガラス状態
とならずに結晶化が進み、成形する鋳込みの途中、若し
くは鋳込みの後に、析出結晶ができて結晶化ガラスとな
ってしまう。析出結晶は気泡を含み、透明度が消えてい
る。失透領域での析出結晶の主成分は珪酸リチウムであ
るため、線熱膨脹係数が２００×１０^-7／℃といった非
常に大きな値となる。そのため析出結晶の成長が大き
く、劈開性の強い結晶化ガラスとなるため、脆く、ヒビ
割れが発生し易くなって、本発明の目的には不適であ
る。更に核形成化材を大量に添加すると、熱処理条件の
僅かの違いによって結晶の析出状態や線熱膨脹係数の値
が変化するため、結晶化熱処理の条件に厳しい規制を加
えねばならない問題がある。

【０００９】リチウム−シリケート結晶化ガラスにおい
て、シリカを増量して、酸化リチウム対シリカのモル比
が１対２以下（即ちシリカのモル比が酸化リチウムの２
倍以上）のとき、リチウムイオンの量が増加するにした
がって、その結晶化ガラスの結晶粒子は細かくなり、し
かも線熱膨脹係数は大きくなる傾向を示すから、リチウ
ムの組成比を増すことが、基板の線熱膨脹係数を積層膜
の線熱膨脹係数に近づけることが出来て、望ましい。し
かしながら、酸化リチウムの組成比が増えて、酸化リチ
ウムとシリカのモル比が１対２以上（即ちシリカのモル
比が酸化リチウムの２倍以下）になると、ガラスは失透
状態となりやすい。そのため従来の非磁性基板用結晶化
ガラスにおいて、酸化リチウム対シリカのモル比が１対
２よりも大きい、酸化リチウム多量の組成領域は、基板
用には使えなかった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、リチウム
−シリケート系結晶化ガラスの組成比が、従来はガラス
失透領域であると言われていた範囲内において、安定な
結晶化ガラスを製造することに成功した。発明者等は、
ガラス失透状態が起こる原因を究明し、失透現象は、ガ
ラス溶融時にはリチウムイオンの移動性（モビリティ）
が大きくなること、及びガラス溶融時の湯の粘性が低い
ために生じると考えた。なぜならばガラス中の酸化リチ
ウムとシリカとの組成比において、酸化リチウムの量が
増加すると相対的にシリカの量は低下するため、ガラス
の湯の粘性は低くなる。それと同時にガラス中のリチウ
ムイオンのモビリティは大きくなり、結晶化が生じ易い
状態となるからである。

【００１１】本発明では、酸化リチウムとシリカの組成
比が１対１ないし１対２のモル比で従来ガラス失透領域
とされていたリチウム−シリケート系結晶化ガラスにお
いて、ガラス溶融時の湯の粘性をアルミナを添加するこ
とにより高め、リチウムイオンのモビリテイを制御し
て、ガラスの失透を防止することにより、安定したガラ
スを作成し、これを結晶化熱処理する。これにより、磁
気記録ヘッド又はハードディスクの非磁性基板の結晶化
ガラスとしての新たな特性を得ることができ、微結晶で
線熱膨脹係数が９０〜１５０×１０^-7／℃の結晶化ガラ
スの作製に成功した。

【００１２】また本発明においては、前記ガラス失透領
域で、酸化リチウムとシリカとの組成に酸化リチウム１
モルに対してアルミナを０.０３〜０.０５モルの割合で
添加して、ガラス溶融時の湯の粘度を高め、リチウムイ
オンのモビリテイを低下させ、更に若干の核形成化材を
添加することにより、結晶化熱処理の際に極めて細かい
微結晶を得るものである。

【００１３】更に本発明は、前記ガラス失透領域で、ア
ルミナに代えて、高温でガラスの粘性を高めることの出
来る他の物質例えばＺｎＯ₂、ＣａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃の１種
以上を酸化リチウムとシリカの結晶化ガラスの組成へ添
加することによって、安定な結晶化ガラスを得るもので
ある。

【００１４】本発明はまた、前記ガラス失透領域で、酸
化リチウムとシリカの組成に加える核形成化材として、
ＺｒＯ₂或いはＴｉＯ₂の１種類以上を０.５〜５重量
％、若しくはＰｔ、Ａｇ、Ａｕの各元素の１種類以上を
０.０００１〜０.０１重量％、又はこれ等を混合して添
加することによって、結晶粒径を２μｍ以下にするもの
である。

【００１５】本発明の結晶化ガラスはまた、酸化リチウ
ムとシリカの組成比が１対１ないし１対２モル比であっ
て、酸化リチウム１モル比に対してアルミナを０.００
１ないし０.１モル比、無水燐酸を０.０１〜０.１５モ
ル比、酸化カリウムを０.０１〜０.１７モル比添加し、
結晶化熱処理したものである。

【００１６】

【作用】本発明の基礎となる結晶化ガラスは、酸化リチ
ウムとシリカの組成比が１対１ないし１対２モル比であ
って、酸化リチウム含有量が多いため線熱膨脹係数は大
きくできるが、いわゆる失透領域にある。しかし、アル
ミナ又はＺｎＯ，ＣａＯ，Ｆｅ₂Ｏ₃の添加により、リチ
ウムのモビリティを下げ、ガラスの湯の粘性を高めたか
ら、溶融冷却過程における結晶の成長が抑制され、その
後の熱処理によって微細な結晶が析出し、安定な結晶化
ガラスが得られる。

【００１７】また、無水燐酸及び酸化カリウムを同時に
添加した相乗効果により、結晶化ガラスの欠点であった
加工性を改善し、一層安定した結晶化ガラスの製造が可
能となった。

【００１８】

【実施例】本発明のリチウム−シリケート系結晶化ガラ
スは、酸化リチウムとシリカを１対１ないし１対２のモ
ル比で含有している。好ましくは前記酸化リチウムとシ
リカとの組成比が１対１.７５であり、それにアルミナ
を酸化リチウム１モルに対し０.０３ないし０.０５モル
添加し、結晶化熱処理することにより、珪酸リチウム、
二珪酸リチウム、β−スポジュウメンを主成分とした析
出結晶を生成するものである。

【００１９】酸化リチウムを増量してシリカとの組成比
を１対１より大きくし、モル比で酸化リチウムがシリカ
を越えると、溶融後固化したガラスに失透が生じたり、
ガラスに分相が生じて正常なガラスにならず、鋳込みの
際にヒビ割れや、発泡が生じて、到底基板としては利用
できない。従って酸化リチウムとシリカのモル比の上限
は１対１とした。

【００２０】又、シリカを増量して、酸化リチウム対シ
リカのモル比が１対２以下（シリカのモル比がリチウム
の２倍以上）の場合、ガラスを作製する際の溶融温度が
１６００℃を越え、ガラスの作製が困難となる。通常は
融点を下げる作用があるアルカリ類、アルカリ土類の物
質を混入して溶融温度を下げて対処している。しかし乍
ら本発明は出来上がった結晶化ガラスの屈伏点の低下を
防ぐため、リチウム−シリカ−アルミナの基本構成で課
題の解決を画っているから、融点を下げるための第三の
物質の混入が必要となる範囲は除外している。酸化リチ
ウムとシリカとアルミナの組成比を、モル比で１対２.
５対０.０１から１対２.５対０.０５の間でガラスの融
点実験を行ない、１５９０℃まで昇温したが、ガラスの
溶融は困難であった。従って酸化リチウムとシリカのモ
ル比の下限は１対２とした。

【００２１】更に、前記組成領域におけるリチウム−シ
リケート系結晶化ガラスにおいて、アルミナ又はＺｎ
Ｏ，ＣａＯ，Ｆｅ₂Ｏ₃の如く、ガラス溶融時の湯の粘性
を高くする物質を添加する他に、結晶化ガラスの結晶の
微細化を目的として、核形成剤としてＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂
のいずれか１種以上を０.５〜５重量％、若しくはＰ
ｔ，Ａｇ，Ａｕの各元素の１種以上を０.０００１〜０.
０１重量％、又はこれ等を混合して添加し、結晶粒径を
２μｍ以下にせしめる。

【００２２】結晶化熱処理の工程は、先ず結晶化処理す
るべき固体ガラスを炉の均熱部にセットした後、加熱を
開始し、加熱昇温速度を６０〜８０℃／時の速度で炉の
温度を核形成温度（５００〜８００℃）まで上昇させ
る。この状態でガラスの核形成温度を約２時間温度保持
して、ガラス内に結晶の元となる結晶核を生成させて核
形成を行なう。次いで加熱昇温速度を６０〜８０℃／時
の速度で炉の温度を結晶化温度（８５０〜１２００℃）
まで上昇させ、この状態でガラスの結晶化温度を約２〜
１０時間、温度保持してガラスの結晶化を行なう。その
後、１５０〜３００℃／時の速度で炉の温度を降温す
る。そして結晶化されたガラスインゴットを所定寸法に
スライシング、研磨等を行ない、結晶化ガラス基板を作
製するのである。このようにして作製された結晶化ガラ
スは気孔も少なく、硬度も硬く、耐熱性が良いのが特徴
である。

【００２３】本発明者等は、酸化リチウムのモル数を基
準として、シリカとの組成比を１対１.７５モル比及び
１対２.００モル比に維持し、アルミナの添加量を変え
た７例の結晶化ガラスを製造した。これ等７例の組成比
を基にガラスを溶融し鋳込んで自然空冷した時の状態、
結晶化熱処理後の特性等を実験した。その結果は表１に
記載する通りである。

【００２４】

【表１】

【００２５】表１において、上の２例が比較例であっ
て、溶融ガラスを鋳込む時点で結晶化した。下の５例が
本発明の実施例の一部であり、アルミナ添加による効果
が出ていることが分かる。

【００２６】（他の実施例）積層コア型磁気ヘッドの非
磁性基板として結晶化ガラスを使用する場合は、従来の
セラミックの持っている欠点は改善され、耐熱温度、硬
度、面粗度は、ガラス成分の組成比を調節することによ
って制御し易いという利点がある。しかし、その反面、
素材が硬すぎるため、切断加工に使用するダイヤモンド
ブレードカッターが極度に摩耗し、長時間の切断加工時
間を強いられる加工性の悪さの問題があった。更に前記
実施例のリチウム−アルミ−シリケート系結晶化ガラス
においては、線熱膨脹係数を１３０×１０^-7／℃以上の
値にすることは難しい。

【００２７】本発明は、リチウム−アルミ−シリケート
系結晶化ガラス組成に、酸化リチウム１モル比に対して
無水燐酸（Ｐ₂Ｏ₅）を０.００１〜０.１５モル比および
酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）を０.０１〜０.１７モル比添加
することにより、加工性を良くし、線熱膨脹係数を１３
０×１０^-7／℃以上の値にすることができた。リチウム
−アルミ−シリケート系結晶化ガラスの失透近傍のガラ
ス領域（失透はせず安定したガラス領域）において、
酸化リチウムに対するモル比で０.０１以上の酸化カリ
ウム（Ｋ₂Ｏ）を単独で加えた場合、それを溶融、鋳込
んでいくと、鋳込みの際にはガラスは安定した状態とな
らずに結晶化による失透が生ずる。この原因としては、
酸化カリウムを添加することにより、ガラス溶融時の湯
の粘性が低下し、溶融ガラス内のＬｉイオンのモビリ
ティが大きくなったため、鋳込み時に安定したガラスと
成り得ず、失透現象が生じたものと考えられる。したが
って、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）単独の添加はガラスの失
透現象を招き、線熱膨脹係数や加工性の改善には寄与す
ることができなかった。

【００２８】また一方、リチウム−アルミ−シリケート
系結晶化ガラスの失透近傍ガラス領域で、無水燐酸（Ｐ
₂Ｏ₅）を単独でモル比０.０１以上添加していくと、安
定したガラスの状態は増加するが、線熱膨脹係数の値は
添加しない状態に比べて低くなり、結晶化熱処理による
ガラス内の結晶化度も低下することがわかった。これは
無水燐酸（Ｐ₂Ｏ₅）を添加することによって、結晶化ガ
ラスを形成する組成の一部が無水燐酸（Ｐ₂Ｏ₅）と化学
反応を起し、燐酸塩ガラスとしてガラスマトリクスの一
部に取り込まれるため、結晶化度が低下するものと思わ
れる。この実験を通じて無水燐酸（Ｐ₂Ｏ₅）の添加は、
線熱膨脹係数の低下をもたらす問題はあるが、失透近傍
のガラス組成領域で、より安定したガラスの作製を可能
とし、また、結晶化度の低下により結晶化ガラスの硬度
が低下するため、加工性が良くなることが判明した。

【００２９】次に、同一組成で酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）
と無水燐酸（Ｐ₂Ｏ₅）とを同時に添加し、各々の添加量
を増加していくと、結晶化熱処理の結晶ガラスの線熱膨
脹係数は増加傾向を示し、そのビッカース硬度は減少傾
向を示した。図３はリチウム−アルミ−シリカ結晶化ガ
ラス組成（Ｌｉ₂Ｏ：ＳｉＯ₂：Ａ₂Ｏ₃＝１：１.７５：
０.０５）に無水燐酸（Ｐ₂Ｏ₅）をモル比で０.０３添加
し、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）をモル比で０から０.２０ま
で添加量を変化させて、結晶化ガラスを作製し、その特
性を測定したものである。この図からもわかるように、
結晶化熱処理を施した結晶化ガラスでは、酸化カリウム
を増加するにつれて線熱膨脹係数は急激に増加し、また
逆に、結晶化ガラスの硬度は低下していく。

【００３０】この原因を考えると、結晶化熱処理を施し
た結晶化ガラス内の結晶としては、珪酸リチウムおよび
二珪酸リチウムの結晶が混在しているが、酸化カリウム
の添加量が増加するにつれて、比較的結晶成長しにくい
二珪酸リチウム結晶が減少し、これにより線熱膨脹係数
の大きい珪酸リチウム結晶の比が増すために、線熱膨脹
係数が増加していくものと思われる。上記状態を調べる
ため、酸化リチウム、シリカ、アルミナの組成比が１対
１.７５対０.０５のリチウム−アルミ−シリケート系結
晶化ガラスに無水燐酸（Ｐ₂Ｏ₅）をモル比で０.０５添
加し、それと同時に酸化カリウムの添加量モル比Ｘを酸
化リチウム１モルに対して０から０.０８モルまで増加
させて、各々の結晶化ガラスを作製し、その結晶構造を
Ｘ線回折によって調べた。その結果を図４に示してい
る。図４において、珪酸リチウムの結晶に対応するピー
クに“１”を付し、二珪酸リチウムに対応するピークに
“２”を付している。

【００３１】この図からもわかるように、酸化カリウム
（Ｋ₂Ｏ）の添加量Ｘ＝０のときは、珪酸リチウムの結
晶と二珪酸リチウムの結晶が混在しているが、酸化カリ
ウム（Ｋ₂Ｏ）の添加量Ｘ＝０.０３以上に増加していく
と、珪酸リチウムの結晶“１”に比べて、結晶化しにく
い二珪酸リチウム結晶“２”が減少して行くのがわか
る。また、硬度の減少に関しては、図３に示すように、
酸化カリウムの添加量の増加に伴い、この酸化リチウム
が、同時に添加した無水燐酸（Ｐ₂Ｏ₅）とリチウム−ア
ルミ−シリケート系ガラス組成中の酸化リチウムおよび
シリカ（ＳｉＯ₂）と反応して、リチウム−カリ−燐酸
塩ガラスマトリックスを形成するため、結晶化ガラスの
結晶化度が低下して、硬度も減少するものと思われる。

【００３２】これらの結果、非磁性基板の線熱膨脹係数
の値が１２０×１０^-7／℃以上のものが作製可能となっ
たため、線熱膨脹係数の大きいセンダストを使用した磁
性薄膜と組み合わせて、積層コア型磁気ヘッドの製作が
容易となった。また、結晶化ガラスの結晶化度が低下
し、その結果、素材の硬度も適度に減少して、加工性が
良くなることがわかった。

【００３３】

【発明の効果】本発明は、リチウム−シリケート系ガラ
スの酸化リチウム及びシリカの組成比において、酸化リ
チウムの量を増して従来結晶化ガラスの失透領域と思わ
れていた１対１ないし１対２の範囲で用い、これにアル
ミナを添加することによってガラスは安定状態で結晶
し、しかもアルカリ金属酸化物、アルカリ土類酸化物を
多量に用いることなく、線熱膨脹係数を磁気ヘッドのセ
ンダスト或いはハードディスクの中間層にマッチングす
る様に高めることが出来た。

【００３４】又、リチウム−アルミ−シリケート系結晶
化ガラスに無水燐酸および酸化カリウムを同時に添加す
るにより、結晶化ガラスの線熱膨脹係数は増加し、硬度
は適度に減少して加工性は改善された。

【００３５】上記実施例の説明及び図面は、本発明を説
明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発
明を限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではな
い。又、本発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許
請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能で
あることは勿論である。

【図面の簡単な説明】

【図１】積層コア型磁気ヘッドの斜面図である。

【図２】ハードディスクの拡大断面図である。

【図３】リチウム−アルミ−シリケート結晶化ガラス組
成に、無水燐酸（Ｐ₂Ｏ₅）をモル比で０.０３添加し、
酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）をモル比で０から０.２０添加し
て結晶化ガラスを作製、その線熱膨脹係数とビッカース
硬度を測定した特性図である。

【図４】リチウム−アルミ−シリケート結晶化ガラスに
おいて、Ｐ₂Ｏ₅とＫ₂Ｏを添加したときの、珪酸リチウ
ムの結晶及び二珪酸リチウムの結晶のＸ線回折図であ
る。

【符号の説明】

(１) 磁気ヘッドの基板 (４) ハードディスクの基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者早川惇二大阪府高槻市西冠１丁目21番18号 (72)発明者玉田穣一大阪府守口市京阪本通２丁目18番地三洋電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】リチウム−シリケート系結晶化ガラスに
於て、酸化リチウムとシリカ（ＳｉＯ₂）の組成比が１
対１ないし１対２モル比であって、アルミナ，ＺｎＯ，
ＣａＯ，Ｆｅ₂Ｏ₃の１種又は２種以上を含有し、結晶化
熱処理されている磁気ヘッド又は磁気ディスクの基板用
結晶化ガラス。
【請求項２】酸化リチウムとシリカの組成比が１対
１.７５モル比であり、アルミナの含有量は酸化リチウ
ム１モルに対し０.０３ないし０.０５モルであり、生成
した析出結晶は、二珪酸リチウム、珪酸リチウム、β−
スポジュウメンを主成分としている請求項１の結晶化ガ
ラス。
【請求項３】核形成剤として、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂の１
種以上を０.５〜５重量％、及び／又はＰｔ、Ａｇ、Ａ
ｕの１種以上を０.０００１〜０.０１重量％を含有し、
結晶粒径は２μｍ以下である請求項１又は請求項２の結
晶化ガラス。
【請求項４】リチウム−シリケート系結晶化ガラスに
於て、酸化リチウムとシリカ（ＳｉＯ₂）の組成比が１
対１ないし１対２モル比であって、酸化リチウム１モル
に対しアルミナを０.００１ないし０.１モル比、無水燐
酸を０.０１〜０.１５モル比、酸化カリウムを０.０１
〜０.１７モル比含有し、結晶化熱処理されている磁気
ヘッド又は磁気記録用ディスクの基板用結晶化ガラス。
【請求項５】酸化リチウムとシリカ１対１ないし１対
２モル比に、アルミナ，ＺｎＯ，ＣａＯ，Ｆｅ₂Ｏ₃の１
種又は２種以上を添加して溶融後固化したガラス原料を
結晶化熱処理し、結晶を析出させることを特徴とする磁
気ヘッド又は磁気ディスクの基板用結晶化ガラスの製
法。