JP3152905B2 - 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 - Google Patents
磁気ディスク用結晶化ガラス基板Info
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- JP3152905B2 JP3152905B2 JP29613398A JP29613398A JP3152905B2 JP 3152905 B2 JP3152905 B2 JP 3152905B2 JP 29613398 A JP29613398 A JP 29613398A JP 29613398 A JP29613398 A JP 29613398A JP 3152905 B2 JP3152905 B2 JP 3152905B2
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- Japan
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- crystallized glass
- glass
- magnetic disk
- substrate
- cristobalite
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク用基
板に関し、特にコンタクト・レコーディングに適した磁
気ディスク用ガラスセラミック基板に関する。
板に関し、特にコンタクト・レコーディングに適した磁
気ディスク用ガラスセラミック基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】パーソナルコンピュータのマルチメディ
ア化に伴い大容量の磁気ディスク装置が必要となってい
る。その結果、磁気ディスクは、面記録密度を大きくす
るために、ビットおよびトラック密度を増加させ、ビッ
トセルのサイズを縮少化する必要がある。ビットセルの
縮少化に対応して磁気ヘッドはディスク表面により接近
して作動する必要が生じ、磁気ヘッドのディスク表面か
らの浮上量を０．０２５μｍ以下として磁気ヘッドとデ
ィスクがほとんど接触した状態で記録が行われるコンタ
クト・レコーディング方式が求められている。
ア化に伴い大容量の磁気ディスク装置が必要となってい
る。その結果、磁気ディスクは、面記録密度を大きくす
るために、ビットおよびトラック密度を増加させ、ビッ
トセルのサイズを縮少化する必要がある。ビットセルの
縮少化に対応して磁気ヘッドはディスク表面により接近
して作動する必要が生じ、磁気ヘッドのディスク表面か
らの浮上量を０．０２５μｍ以下として磁気ヘッドとデ
ィスクがほとんど接触した状態で記録が行われるコンタ
クト・レコーディング方式が求められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなコンタクト
・レコーディング方式においては、磁気ディスクは、
０．０２５μｍ以下の磁気ヘッドの浮上量を可能にする
ため、表面粗度（Ｒａ）が１０Å以下であることが要求
される。
・レコーディング方式においては、磁気ディスクは、
０．０２５μｍ以下の磁気ヘッドの浮上量を可能にする
ため、表面粗度（Ｒａ）が１０Å以下であることが要求
される。
【０００４】従来磁気ディスク基板材には、アルミニウ
ム合金が使用されているが、アルミニウム合金基板で
は、種々の材料欠陥の影響により、研磨工程における基
板表面の突起またはスポット状の凹凸を生じ平坦性、平
滑性の点で十分でなく、またアルミニウム合金は軟かい
材料であるため、変形が生じやすく薄形化に対応するこ
とがむずかしく、さらにはヘッドの接触による変形傷を
生じメディアを損傷させてしまう等今日の高密度記録化
に十分対応できない。
ム合金が使用されているが、アルミニウム合金基板で
は、種々の材料欠陥の影響により、研磨工程における基
板表面の突起またはスポット状の凹凸を生じ平坦性、平
滑性の点で十分でなく、またアルミニウム合金は軟かい
材料であるため、変形が生じやすく薄形化に対応するこ
とがむずかしく、さらにはヘッドの接触による変形傷を
生じメディアを損傷させてしまう等今日の高密度記録化
に十分対応できない。
【０００５】また、アルミニウム合金基板の問題点を解
消する材料として化学強化ガラスのソーダライムガラス
（ＳｉＯ2 −ＣａＯ−Ｎａ2 Ｏ）とアルミノシリケート
ガラス（ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ−Ｎａ2 Ｏ）が知られてい
るが、この場合（イ）研磨は化学強化後に行なわれ、デ
ィスクの薄板化における強化層の不安定要素が高い。
（ロ）ガラス中にＮａ2 Ｏ成分を必須成分として含有す
るため、成膜特性が悪化し、Ｎａ2 Ｏ溶出防止のための
全面バリアコート処理が必要となり、製品の低コスト安
定生産性が難しいという欠点がある。
消する材料として化学強化ガラスのソーダライムガラス
（ＳｉＯ2 −ＣａＯ−Ｎａ2 Ｏ）とアルミノシリケート
ガラス（ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ−Ｎａ2 Ｏ）が知られてい
るが、この場合（イ）研磨は化学強化後に行なわれ、デ
ィスクの薄板化における強化層の不安定要素が高い。
（ロ）ガラス中にＮａ2 Ｏ成分を必須成分として含有す
るため、成膜特性が悪化し、Ｎａ2 Ｏ溶出防止のための
全面バリアコート処理が必要となり、製品の低コスト安
定生産性が難しいという欠点がある。
【０００６】さらに、アルミニウム合金基板や化学強化
ガラス基板に対していくつかの結晶化ガラスが知られて
いる。例えば、特開平６−３２９４４０号公報記載のＳ
ｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−ＭｇＯ−Ｐ2 Ｏ5 系結晶化ガラス
は、主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）およびα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）を有し、α
−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の球状粒子サイズをコント
ロールすることができるが、研磨して成る表面粗度（Ｒ
ａ）が１５〜５０Åの範囲であって、目標とする表面粗
度（Ｒａ）が１０Å以下の急速に進む記録容量向上に合
せた低浮上化に十分対応することができない。
ガラス基板に対していくつかの結晶化ガラスが知られて
いる。例えば、特開平６−３２９４４０号公報記載のＳ
ｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−ＭｇＯ−Ｐ2 Ｏ5 系結晶化ガラス
は、主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）およびα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）を有し、α
−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の球状粒子サイズをコント
ロールすることができるが、研磨して成る表面粗度（Ｒ
ａ）が１５〜５０Åの範囲であって、目標とする表面粗
度（Ｒａ）が１０Å以下の急速に進む記録容量向上に合
せた低浮上化に十分対応することができない。
【０００７】本発明の目的は、ハードディスクの高密度
化によるコンタクト・レコーディング方式に対応するた
め、前記従来技術の欠点を解消し、１０Å以下の表面粗
度を有する磁気ディスク用結晶化ガラス基板を提供する
ことにある。
化によるコンタクト・レコーディング方式に対応するた
め、前記従来技術の欠点を解消し、１０Å以下の表面粗
度を有する磁気ディスク用結晶化ガラス基板を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するため研究と実験を重ねた結果、主結晶相がα−
クリストバライト（α−ＳｉＯ2 ）および二珪酸リチウ
ム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）からなる結晶化ガラスにお
いて、二珪酸リチウムに対するα−クリストバライトの
構成比率を０．２５〜０．３５という狹い範囲に限定す
ることにより、磁気ディスク基板の研磨してなる表面粗
度（Ｒａ）が３〜９Åであるコンタクト・レコーディン
グに理想的な磁気ディスク基板が得られることを見出
し、本発明に到達した。
達成するため研究と実験を重ねた結果、主結晶相がα−
クリストバライト（α−ＳｉＯ2 ）および二珪酸リチウ
ム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）からなる結晶化ガラスにお
いて、二珪酸リチウムに対するα−クリストバライトの
構成比率を０．２５〜０．３５という狹い範囲に限定す
ることにより、磁気ディスク基板の研磨してなる表面粗
度（Ｒａ）が３〜９Åであるコンタクト・レコーディン
グに理想的な磁気ディスク基板が得られることを見出
し、本発明に到達した。
【０００９】上記本発明の目的を達成する請求項１記載
の磁気ディスク用結晶化ガラス基板は、結晶化ガラスの
主結晶相がα−クリストバライト（α−ＳｉＯ2 ）およ
び二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ．２ＳｉＯ2 ）であって、
該結晶相の構成比率はα−クリストバライト／二珪酸リ
チウムが０．２５〜０．３５であり、磁気ディスク基板
の研磨してなる表面粗度（Ｒａ）が３〜９Åであること
を特徴とするものである。
の磁気ディスク用結晶化ガラス基板は、結晶化ガラスの
主結晶相がα−クリストバライト（α−ＳｉＯ2 ）およ
び二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ．２ＳｉＯ2 ）であって、
該結晶相の構成比率はα−クリストバライト／二珪酸リ
チウムが０．２５〜０．３５であり、磁気ディスク基板
の研磨してなる表面粗度（Ｒａ）が３〜９Åであること
を特徴とするものである。
【００１０】請求項２記載の磁気ディスク用結晶化ガラ
ス基板は、請求項１の構成に加えて、前記結晶化ガラス
は重量百分率で、ＳｉＯ2 ７５〜８３％、Ｌｉ2 Ｏ
７〜１３％、Ａｌ2 Ｏ3 １〜５％、Ｐ2 Ｏ5 １〜３
％、ＭｇＯ０．５〜３％、ＺｎＯ ０．５〜３％、Ｋ2
Ｏ ０〜５％、Ａｓ2 Ｏ3 及び／又はＳｂ2 Ｏ3 ０〜２
％からなる原ガラスを熱処理することによって得られる
ことを特徴とする。
ス基板は、請求項１の構成に加えて、前記結晶化ガラス
は重量百分率で、ＳｉＯ2 ７５〜８３％、Ｌｉ2 Ｏ
７〜１３％、Ａｌ2 Ｏ3 １〜５％、Ｐ2 Ｏ5 １〜３
％、ＭｇＯ０．５〜３％、ＺｎＯ ０．５〜３％、Ｋ2
Ｏ ０〜５％、Ａｓ2 Ｏ3 及び／又はＳｂ2 Ｏ3 ０〜２
％からなる原ガラスを熱処理することによって得られる
ことを特徴とする。
【００１１】本発明の結晶化ガラスの組成は、原ガラス
と同様酸化物基準で表示し得るが、原ガラスの組成範囲
を上記のように限定した理由について以下に述べる。
と同様酸化物基準で表示し得るが、原ガラスの組成範囲
を上記のように限定した理由について以下に述べる。
【００１２】ＳｉＯ2 成分は、原ガラスの熱処理によ
り、主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）およびα−クリストバライトを生成する極めて重
要な成分であるが、その量が７５．０％未満では、得ら
れるガラスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しやす
く、また８３．０％を超えると原ガラスの溶融が困難と
なる。
り、主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）およびα−クリストバライトを生成する極めて重
要な成分であるが、その量が７５．０％未満では、得ら
れるガラスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しやす
く、また８３．０％を超えると原ガラスの溶融が困難と
なる。
【００１３】Ｌｉ2 Ｏ成分は、ガラスの加熱処理により
主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）結晶を生成するきわめて重要な成分であるが、そ
の量が７％未満では上記結晶の析出が困難となると同時
に、原ガラスの溶融が困難となり、また、１３％を超え
ると得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定となり、
組織が粗大化しやすいうえ、化学的耐久性および硬度が
悪化する。Ｋ2 Ｏ成分はガラスの溶融性を向上させる成
分であり、５％まで含有できる。
主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）結晶を生成するきわめて重要な成分であるが、そ
の量が７％未満では上記結晶の析出が困難となると同時
に、原ガラスの溶融が困難となり、また、１３％を超え
ると得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定となり、
組織が粗大化しやすいうえ、化学的耐久性および硬度が
悪化する。Ｋ2 Ｏ成分はガラスの溶融性を向上させる成
分であり、５％まで含有できる。
【００１４】ＭｇＯは析出結晶を規定する重要な成分で
あり、その量が０．５％未満であるとα−クリストバラ
イトの析出が増大し、耐摩耗性が悪化する。また、３％
を超えるとα−クオーツの析出が増大し、かつ粒子が粗
大化するため表面粗度が悪化する。またＺｎＯも同等の
効果があるので添加し得るが３％までとすべきである。
あり、その量が０．５％未満であるとα−クリストバラ
イトの析出が増大し、耐摩耗性が悪化する。また、３％
を超えるとα−クオーツの析出が増大し、かつ粒子が粗
大化するため表面粗度が悪化する。またＺｎＯも同等の
効果があるので添加し得るが３％までとすべきである。
【００１５】Ｐ2 Ｏ5 成分がガラスの結晶核形成剤とし
て不可欠であるが、その量が１％未満であるとＬｉ2 Ｏ
・２ＳｉＯ2 ，α−ＳｉＯ2 結晶の粒子が粗大化し所望
の表面粗度が得られない。また３％を超えるとガラス成
形時に失透しやすく、この失透による粒子の粗大化が起
こる。
て不可欠であるが、その量が１％未満であるとＬｉ2 Ｏ
・２ＳｉＯ2 ，α−ＳｉＯ2 結晶の粒子が粗大化し所望
の表面粗度が得られない。また３％を超えるとガラス成
形時に失透しやすく、この失透による粒子の粗大化が起
こる。
【００１６】Ａｌ2 Ｏ3 成分は、結晶化ガラスの化学的
耐久性を向上させる有効な成分であるが含有量が１％未
満ではその目的を達成することができず、またその含有
量が５％を超えると溶融性が悪化する。Ａｓ2 Ｏ3 およ
び、またはＳｂ2 Ｏ3 成分は、ガラス溶融の際の清澄剤
として添加し得るが、これらの１種または、２種の合計
量は２％以下で充分である。
耐久性を向上させる有効な成分であるが含有量が１％未
満ではその目的を達成することができず、またその含有
量が５％を超えると溶融性が悪化する。Ａｓ2 Ｏ3 およ
び、またはＳｂ2 Ｏ3 成分は、ガラス溶融の際の清澄剤
として添加し得るが、これらの１種または、２種の合計
量は２％以下で充分である。
【００１７】なお本発明においては、使用するガラスに
上記成分の他に所望の特性を損なわない程度で少量のＢ
2 Ｏ3 ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＴｉＯ2 ，ＳｎＯ，
およびＺｒＯ2 の成分を含有させることができる。
上記成分の他に所望の特性を損なわない程度で少量のＢ
2 Ｏ3 ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＴｉＯ2 ，ＳｎＯ，
およびＺｒＯ2 の成分を含有させることができる。
【００１８】また本発明の結晶化ガラス基板は、結晶化
した際の構成結晶相の比についてα−クリストバライト
／二珪酸リチウム＝０．２５〜０．３５に規定した。こ
れはＸＲＤのピーク高さにより各結晶相の割合を見、α
−クリストバライト（１０１），二珪酸リチウム（１３
０）のピーク面をそれぞれ使用し比を決定した。この比
を０．２５〜０．３５に限定した理由は、この構成比が
０．２５〜０．３５の範囲において研磨後の基板の表面
粗度が３〜９Åという理想的な表面粗度が得られること
が多くの実験の結果判明したからである。
した際の構成結晶相の比についてα−クリストバライト
／二珪酸リチウム＝０．２５〜０．３５に規定した。こ
れはＸＲＤのピーク高さにより各結晶相の割合を見、α
−クリストバライト（１０１），二珪酸リチウム（１３
０）のピーク面をそれぞれ使用し比を決定した。この比
を０．２５〜０．３５に限定した理由は、この構成比が
０．２５〜０．３５の範囲において研磨後の基板の表面
粗度が３〜９Åという理想的な表面粗度が得られること
が多くの実験の結果判明したからである。
【００１９】つぎに本発明にかかる磁気ディスク用結晶
化ガラスを製造するには、上記の組成を有するガラスを
溶解し熱間または／および冷間成形を行った後、核形成
４００℃〜５５０℃、結晶化７２０℃〜８２０℃の温度
で結晶化熱処理を行い、さらに熱処理結晶化したガラス
を通常一般に広く知られている方法でラッピングのあと
ポリッシングし表面粗度（Ｒａ）を３〜９Åの範囲とす
る。
化ガラスを製造するには、上記の組成を有するガラスを
溶解し熱間または／および冷間成形を行った後、核形成
４００℃〜５５０℃、結晶化７２０℃〜８２０℃の温度
で結晶化熱処理を行い、さらに熱処理結晶化したガラス
を通常一般に広く知られている方法でラッピングのあと
ポリッシングし表面粗度（Ｒａ）を３〜９Åの範囲とす
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】つぎに本発明にかかる好適な実施
例につき説明する。表１〜表４は本発明の磁気ディスク
用結晶化ガラス基板の実施組成例（Ｎｏ．１〜１０）
を、これらの結晶化ガラスの核形成温度、結晶化温度、
析出結晶相、結晶粒径、研磨後の表面粗度（Ｒａ）とと
もに示す。なお組成は重量百分率で示す。
例につき説明する。表１〜表４は本発明の磁気ディスク
用結晶化ガラス基板の実施組成例（Ｎｏ．１〜１０）
を、これらの結晶化ガラスの核形成温度、結晶化温度、
析出結晶相、結晶粒径、研磨後の表面粗度（Ｒａ）とと
もに示す。なお組成は重量百分率で示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
【００２４】
【表４】
【００２５】また本発明の実施例３の粒子状態を示す電
子顕微鏡写真を図１に示す。
子顕微鏡写真を図１に示す。
【００２６】上記実施例のガラスは、いずれも酸化物、
炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常の溶解装
置を用いて約１３５０℃〜１５００℃の温度で溶融し、
攪拌均質化した後、所望の形状に成形して冷却し、ガラ
ス成形体を得た。その後これを熱処理して核形成後（４
００℃〜５５０℃）、結晶化温度（７２０℃〜８２０
℃）の間で約１〜５時間保持して、所望の結晶化ガラス
を得た。なお表面粗度測定試料製作にあたっては、上記
結晶化ガラスを平均粒径９〜１２μｍの砥粒にて約１０
分〜２０分間ポリッシングして仕上げた。
炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常の溶解装
置を用いて約１３５０℃〜１５００℃の温度で溶融し、
攪拌均質化した後、所望の形状に成形して冷却し、ガラ
ス成形体を得た。その後これを熱処理して核形成後（４
００℃〜５５０℃）、結晶化温度（７２０℃〜８２０
℃）の間で約１〜５時間保持して、所望の結晶化ガラス
を得た。なお表面粗度測定試料製作にあたっては、上記
結晶化ガラスを平均粒径９〜１２μｍの砥粒にて約１０
分〜２０分間ポリッシングして仕上げた。
【００２７】表１にみられるとおり、実施例の結晶化ガ
ラスは、いずれも表面粗度（Ｒａ）の値が９Å未満で、
表面特性に優れており、目的の改善の効果は顕著であ
る。
ラスは、いずれも表面粗度（Ｒａ）の値が９Å未満で、
表面特性に優れており、目的の改善の効果は顕著であ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、結
晶化ガラスの主結晶相がα−クリストバライト（α−Ｓ
ｉＯ2 ）および二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ．２Ｓｉ
Ｏ2 ）であって、該結晶相の構成比率はα−クリストバ
ライト／二珪酸リチウムが０．２５〜０．３５であり、
結晶粒子の粒径が０．１〜１．０μｍの範囲の値を有
し、磁気ディスク基板の研磨してなる表面粗度（Ｒａ）
が３〜９Åであることにより、コンタクト・レコーディ
ング用として好適な磁気ディスク用結晶化ガラス基板が
得られる。
晶化ガラスの主結晶相がα−クリストバライト（α−Ｓ
ｉＯ2 ）および二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ．２Ｓｉ
Ｏ2 ）であって、該結晶相の構成比率はα−クリストバ
ライト／二珪酸リチウムが０．２５〜０．３５であり、
結晶粒子の粒径が０．１〜１．０μｍの範囲の値を有
し、磁気ディスク基板の研磨してなる表面粗度（Ｒａ）
が３〜９Åであることにより、コンタクト・レコーディ
ング用として好適な磁気ディスク用結晶化ガラス基板が
得られる。
【図１】本発明の実施例の粒子状態を示す電子顕微鏡写
真である。
真である。
Claims (2)
- 【請求項１】 結晶化ガラスの主結晶相がα−クリスト
バライト（α−ＳｉＯ2 ）および二珪酸リチウム（Ｌｉ
2 Ｏ．２ＳｉＯ2 ）であって、該結晶相の構成比率はα
−クリストバライト／二珪酸リチウムが０．２５〜０．
３５であり、磁気ディスク基板の研磨してなる表面粗度
（Ｒａ）が３〜９Åであることを特徴とする磁気ディス
ク用結晶化ガラス基板。 - 【請求項２】 前記結晶化ガラスは重量百分率で、Ｓｉ
Ｏ2 ７５〜８３％、Ｌｉ2 Ｏ ７〜１３％、Ａｌ2 Ｏ
3 １〜５％、Ｐ2 Ｏ5 １〜３％、ＭｇＯ０．５〜３
％、ＺｎＯ ０．５〜３％、Ｋ2 Ｏ ０〜５％、Ａｓ2
Ｏ3 及び／又はＳｂ2 Ｏ3 ０〜２％からなる原ガラス
を熱処理することによって得られることを特徴とする請
求項１に記載の磁気ディスク用結晶化ガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29613398A JP3152905B2 (ja) | 1996-02-05 | 1998-10-02 | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29613398A JP3152905B2 (ja) | 1996-02-05 | 1998-10-02 | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08042144A Division JP3131138B2 (ja) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11199274A JPH11199274A (ja) | 1999-07-27 |
| JP3152905B2 true JP3152905B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=17829585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29613398A Expired - Fee Related JP3152905B2 (ja) | 1996-02-05 | 1998-10-02 | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3152905B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200724506A (en) | 2005-10-07 | 2007-07-01 | Ohara Kk | Inorganic composition |
| KR20210036138A (ko) * | 2019-09-25 | 2021-04-02 | 주식회사 하스 | 플라즈마 내식성을 갖는 결정화 유리 및 이를 포함하는 건식식각 공정 부품 |
-
1998
- 1998-10-02 JP JP29613398A patent/JP3152905B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11199274A (ja) | 1999-07-27 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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