JPH08147688A - 磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents
磁気ディスク基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH08147688A JPH08147688A JP30684094A JP30684094A JPH08147688A JP H08147688 A JPH08147688 A JP H08147688A JP 30684094 A JP30684094 A JP 30684094A JP 30684094 A JP30684094 A JP 30684094A JP H08147688 A JPH08147688 A JP H08147688A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- polishing
- abrasive
- crystals
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0009—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing silica as main constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 グライド高さ低減の要請に対処することがで
きる結晶化ガラス磁気ディスク基板の製造方法を提供す
る。 【構成】 粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒径の研磨
材で研磨する。好ましくは、粒状結晶の粒子径よりも大
きな砥粒径の研磨材で研磨した後、粒状結晶の粒子径よ
りも小さな砥粒径の研磨材で研磨する。
きる結晶化ガラス磁気ディスク基板の製造方法を提供す
る。 【構成】 粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒径の研磨
材で研磨する。好ましくは、粒状結晶の粒子径よりも大
きな砥粒径の研磨材で研磨した後、粒状結晶の粒子径よ
りも小さな砥粒径の研磨材で研磨する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、研磨後の表面特性が改
善された結晶化ガラスからなる磁気ディスク基板の製造
方法に関する。
善された結晶化ガラスからなる磁気ディスク基板の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクは大型コンピューター、パ
ーソナルコンピューター等の外部記憶媒体として近年需
要が増大しているため、その開発が急速に進んできてい
る。一般的にこの磁気ディスク用基板材には、次のよう
な特性が要望される。すなわち （１）磁気ディスクの始動／停止（ＣＳＳ）特性におい
て、ディスクの表面粗度（Ｒａ）が１５Å以下の滑らか
な表面では、高速回転で起る接触抵抗の増大にともなう
ヘッドとディスクの吸着が発生するため、表面粗度（Ｒ
ａ）は１５Å以上であること、さらに表面粗度（Ｒａ）
が５０Å以上の粗い表面では、ヘッドの損傷やメディア
の破壊を発生する為、表面粗度（Ｒａ）は５０Å以下で
ある制御された表面特性を有すること。
ーソナルコンピューター等の外部記憶媒体として近年需
要が増大しているため、その開発が急速に進んできてい
る。一般的にこの磁気ディスク用基板材には、次のよう
な特性が要望される。すなわち （１）磁気ディスクの始動／停止（ＣＳＳ）特性におい
て、ディスクの表面粗度（Ｒａ）が１５Å以下の滑らか
な表面では、高速回転で起る接触抵抗の増大にともなう
ヘッドとディスクの吸着が発生するため、表面粗度（Ｒ
ａ）は１５Å以上であること、さらに表面粗度（Ｒａ）
が５０Å以上の粗い表面では、ヘッドの損傷やメディア
の破壊を発生する為、表面粗度（Ｒａ）は５０Å以下で
ある制御された表面特性を有すること。
【０００３】（２）磁気ディスクの記録密度向上のた
め、グライド高さ（磁気ディスク表面との間隔）が低減
の方向にあり、ディスク表面は、所望のグライド高さを
可能にする程度に平坦かつ平滑であること。
め、グライド高さ（磁気ディスク表面との間隔）が低減
の方向にあり、ディスク表面は、所望のグライド高さを
可能にする程度に平坦かつ平滑であること。
【０００４】（３）磁気ディスク用基板材は、材料に結
晶異方性、欠陥がなく組織が緻密で均質、微細であるこ
と。
晶異方性、欠陥がなく組織が緻密で均質、微細であるこ
と。
【０００５】（４）高速回転やヘッドの接触に十分耐え
る機械的強度、硬度を有すること。
る機械的強度、硬度を有すること。
【０００６】（５）材料中にＮａ2 Ｏ成分を含有すると
Ｎａイオンが成膜工程中に拡散し、膜の特性が悪化する
ため、基本的にＮａ2 Ｏ成分を含有しないこと。
Ｎａイオンが成膜工程中に拡散し、膜の特性が悪化する
ため、基本的にＮａ2 Ｏ成分を含有しないこと。
【０００７】（６）種々の薬品による洗浄やエッチング
に耐え得る化学的耐久性を有すること。
に耐え得る化学的耐久性を有すること。
【０００８】従来磁気ディスク基板材には、アルミニウ
ム合金が使用されているが、アルミニウム合金基板で
は、種々の材料欠陥の影響により、研磨工程における基
板表面の突起またはスボット状の凹凸を生じ、平坦性、
表面粗度の点で十分でなく、今日の情報量のより一層の
増大にともなう高密度記録化に対応できない。
ム合金が使用されているが、アルミニウム合金基板で
は、種々の材料欠陥の影響により、研磨工程における基
板表面の突起またはスボット状の凹凸を生じ、平坦性、
表面粗度の点で十分でなく、今日の情報量のより一層の
増大にともなう高密度記録化に対応できない。
【０００９】さらにアルミニウム合金板の問題点を解消
する材料として化学強化ガラス等の磁気ディスク用ガラ
ス基板が各種知られているが、この場合、 （１）研磨は化学強化後に行われ、ディスクの薄板化に
おける強化層の不安定要素が高い。
する材料として化学強化ガラス等の磁気ディスク用ガラ
ス基板が各種知られているが、この場合、 （１）研磨は化学強化後に行われ、ディスクの薄板化に
おける強化層の不安定要素が高い。
【００１０】（２）基板には始動／停止（ＣＳＳ）特性
向上のためのメカニカルテクスチャーまたは、ケミカル
テクスチャーを行う必要があり、製品の低コスト安定量
産性が難しい欠点がある。
向上のためのメカニカルテクスチャーまたは、ケミカル
テクスチャーを行う必要があり、製品の低コスト安定量
産性が難しい欠点がある。
【００１１】（３）ガラス中にＮａ2 Ｏ成分を必須成分
として含有するため、成膜特性が悪化し、表面コート処
理等が必要となる。また化学強化ガラスや結晶化ガラス
において始動／停止（ＣＳＳ）特性向上のテクスチャー
処理の問題点を解消する手段として研磨工程での表面を
荒らす技術が近年行われているが、やはりこの技術もテ
クスチャー処理と同様に安定量産性に対しては不十分で
ある。
として含有するため、成膜特性が悪化し、表面コート処
理等が必要となる。また化学強化ガラスや結晶化ガラス
において始動／停止（ＣＳＳ）特性向上のテクスチャー
処理の問題点を解消する手段として研磨工程での表面を
荒らす技術が近年行われているが、やはりこの技術もテ
クスチャー処理と同様に安定量産性に対しては不十分で
ある。
【００１２】そこで、アルミニウム合金基板や化学強化
ガラス基板に対して前記のような要求のいくつかを満た
す結晶化ガラスが多数知られている。例えば、特開昭６
０−２２９２３４号公報記載のＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −
Ｌｉ2 Ｏ系結晶化ガラスは、β−石英固溶体またはβ−
スポジュメン固溶体を析出させ結晶粒径が約０．１〜
１．０μｍの粒状のものであり、また、特開昭６２−７
２５４７号公報記載のＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ系結晶化ガラ
スは、主結晶として二珪酸リチウムおよびメタ珪酸リチ
ウムを析出させ、それぞれ結晶粒径が二珪酸リチウムは
約０．３〜１．５μｍの板状およびメタ珪酸リチウムは
０．３〜０．５μｍの粒状のものである。また、米国特
許第３，２３１，４５６号公報には、ＳｉＯ2 −Ｌｉ2
Ｏ−Ｐ2 Ｏ5 −ＭｇＯ系ガラスにＣｕＯ、ＳｎＯ成分を
含有させ、主結晶相として二珪酸リチウム、副結晶とし
てα−クオーツが析出し得る結晶化ガラスが開示されて
いる。
ガラス基板に対して前記のような要求のいくつかを満た
す結晶化ガラスが多数知られている。例えば、特開昭６
０−２２９２３４号公報記載のＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −
Ｌｉ2 Ｏ系結晶化ガラスは、β−石英固溶体またはβ−
スポジュメン固溶体を析出させ結晶粒径が約０．１〜
１．０μｍの粒状のものであり、また、特開昭６２−７
２５４７号公報記載のＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ系結晶化ガラ
スは、主結晶として二珪酸リチウムおよびメタ珪酸リチ
ウムを析出させ、それぞれ結晶粒径が二珪酸リチウムは
約０．３〜１．５μｍの板状およびメタ珪酸リチウムは
０．３〜０．５μｍの粒状のものである。また、米国特
許第３，２３１，４５６号公報には、ＳｉＯ2 −Ｌｉ2
Ｏ−Ｐ2 Ｏ5 −ＭｇＯ系ガラスにＣｕＯ、ＳｎＯ成分を
含有させ、主結晶相として二珪酸リチウム、副結晶とし
てα−クオーツが析出し得る結晶化ガラスが開示されて
いる。
【００１３】また、米国特許第３，９７７，８５７号公
報には、金属接着用結晶化ガラスとして金属部材に直接
接着するために適当なＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−ＭｇＯ−Ｐ
2 Ｏ5 −（Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ）系結晶化ガラスが開示さ
れている。この米国特許公報には得られる結晶化ガラス
の主結晶相はＬｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 であることが記載さ
れている。
報には、金属接着用結晶化ガラスとして金属部材に直接
接着するために適当なＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−ＭｇＯ−Ｐ
2 Ｏ5 −（Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ）系結晶化ガラスが開示さ
れている。この米国特許公報には得られる結晶化ガラス
の主結晶相はＬｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 であることが記載さ
れている。
【００１４】特開昭６３−２１００３９号公報には磁気
ヘッド用基板として好適なＳｉＯ2−Ｌｉ2 Ｏ−ＭｇＯ
−Ｐ2 Ｏ5 系結晶化ガラスが開示されている。この公報
には、得られる結晶化ガラスの主結晶相はＬｉ2 Ｏ・２
ＳｉＯ2 とα−クリストバライトであることが記載され
ている。
ヘッド用基板として好適なＳｉＯ2−Ｌｉ2 Ｏ−ＭｇＯ
−Ｐ2 Ｏ5 系結晶化ガラスが開示されている。この公報
には、得られる結晶化ガラスの主結晶相はＬｉ2 Ｏ・２
ＳｉＯ2 とα−クリストバライトであることが記載され
ている。
【００１５】上記従来のＬｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系結晶化ガ
ラス（特開昭６２−７２５４７号公報、米国特許第３，
２３１，４５６号公報、米国特許第３，９７７，８５７
号公報および特開昭６３−２１００３９号公報）におい
ては、析出する結晶相は主結晶相としてのＬｉ2 Ｏ・２
ＳｉＯ2 と副結晶相としての小量のＳｉＯ2 （α−クリ
ストバライトまたはα−クオーツ）である。これら従来
の結晶化ガラスにおいて主たる機能を発揮するのは主結
晶相であるＬｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 結晶相でありα−クオ
ーツまたはα−クリストバライト結晶相ではない。これ
ら従来の結晶化ガラスは、研磨後の結晶化ガラス自身に
内在する表面特性として、磁気ディスクの始動／停止
（ＣＳＳ）特性にとって必要な１５Å〜５０Åの表面粗
度を提供することができない。このため、磁気ディスク
基板材として必要な始動／停止（ＣＳＳ）特性を向上さ
せるために研磨加工後に結晶化ガラスの表面を粗くする
ためのなんらかのテクスチュア処理工程を施すことが必
要不可欠であり、このため上記必要な諸特性を備えた磁
気ディスクを低コストで量産することを妨げている。
ラス（特開昭６２−７２５４７号公報、米国特許第３，
２３１，４５６号公報、米国特許第３，９７７，８５７
号公報および特開昭６３−２１００３９号公報）におい
ては、析出する結晶相は主結晶相としてのＬｉ2 Ｏ・２
ＳｉＯ2 と副結晶相としての小量のＳｉＯ2 （α−クリ
ストバライトまたはα−クオーツ）である。これら従来
の結晶化ガラスにおいて主たる機能を発揮するのは主結
晶相であるＬｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 結晶相でありα−クオ
ーツまたはα−クリストバライト結晶相ではない。これ
ら従来の結晶化ガラスは、研磨後の結晶化ガラス自身に
内在する表面特性として、磁気ディスクの始動／停止
（ＣＳＳ）特性にとって必要な１５Å〜５０Åの表面粗
度を提供することができない。このため、磁気ディスク
基板材として必要な始動／停止（ＣＳＳ）特性を向上さ
せるために研磨加工後に結晶化ガラスの表面を粗くする
ためのなんらかのテクスチュア処理工程を施すことが必
要不可欠であり、このため上記必要な諸特性を備えた磁
気ディスクを低コストで量産することを妨げている。
【００１６】そこで、本出願人は、前記従来技術にみら
れる欠点を解消し、析出結晶の結晶構造および結晶粒子
を制御することにより研磨による表面特性に一段と優れ
た結晶化ガラスからなる磁気ディスク基板およびその製
造方法を提供することを目的として研究を重ねた結果、
ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−Ｐ2 Ｏ5 系においてＭｇＯ成分を
必須成分とし厳密に限られた熱処理温度範囲で得られた
結晶化ガラスは、その結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2
Ｓｉ2 Ｏ5 ）の均一に析出した相にα−クオーツ（α−
ＳｉＯ2 ）の凝集球状粒子がランダムに析出した微細構
造を取り、この微細構造は、機械的、化学的に不安定な
二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｓｉ2 Ｏ5 ）相と、機械的、化
学的に安定なα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の凝集球状
粒子の構成から成り、研磨加工で生じる機械的、化学的
作用に対応し表面の凹凸を生成することを見い出し、か
つα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の凝集球状粒子サイズ
を制御することにより研磨して成る表面特性の優れた磁
気ディスク基板が得られることを見い出した。
れる欠点を解消し、析出結晶の結晶構造および結晶粒子
を制御することにより研磨による表面特性に一段と優れ
た結晶化ガラスからなる磁気ディスク基板およびその製
造方法を提供することを目的として研究を重ねた結果、
ＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−Ｐ2 Ｏ5 系においてＭｇＯ成分を
必須成分とし厳密に限られた熱処理温度範囲で得られた
結晶化ガラスは、その結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2
Ｓｉ2 Ｏ5 ）の均一に析出した相にα−クオーツ（α−
ＳｉＯ2 ）の凝集球状粒子がランダムに析出した微細構
造を取り、この微細構造は、機械的、化学的に不安定な
二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｓｉ2 Ｏ5 ）相と、機械的、化
学的に安定なα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の凝集球状
粒子の構成から成り、研磨加工で生じる機械的、化学的
作用に対応し表面の凹凸を生成することを見い出し、か
つα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の凝集球状粒子サイズ
を制御することにより研磨して成る表面特性の優れた磁
気ディスク基板が得られることを見い出した。
【００１７】すなわち、上記本出願人の開発した磁気デ
ィスク基板は、平成６年１０月７日出願の特願平６年第
２７０６４７号にかかるものであって、結晶化ガラスの
結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）およ
びα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）であって、該α−クオ
ーツの成長結晶粒子がそれぞれ凝集した複数の粒子から
なる球状粒子構造を有しており、該球状粒子は０．３μ
ｍ〜３．０μｍの範囲内の径を有する結晶化ガラスから
なり、磁気ディスク基板の研磨してなる表面の粗度（Ｒ
ａ）が１５Å〜５０Åの範囲内にあることを特徴とする
ものである。上記磁気ディスク基板は、重量百分率で、
ＳｉＯ2 ６５〜８３％、Ｌｉ2 Ｏ ８〜１３％、Ｋ2 Ｏ
０〜７％、ＭｇＯ ０．５〜５．５％、ＺｎＯ ０〜
５％、ＰｂＯ ０〜５％ただし、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋Ｐｂ
Ｏ０．５〜５．５％、Ｐ2 Ｏ5 １〜４％、Ａｌ2 Ｏ3
０〜７％、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜２％を含有す
るガラスを熱処理することにより得られる。
ィスク基板は、平成６年１０月７日出願の特願平６年第
２７０６４７号にかかるものであって、結晶化ガラスの
結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）およ
びα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）であって、該α−クオ
ーツの成長結晶粒子がそれぞれ凝集した複数の粒子から
なる球状粒子構造を有しており、該球状粒子は０．３μ
ｍ〜３．０μｍの範囲内の径を有する結晶化ガラスから
なり、磁気ディスク基板の研磨してなる表面の粗度（Ｒ
ａ）が１５Å〜５０Åの範囲内にあることを特徴とする
ものである。上記磁気ディスク基板は、重量百分率で、
ＳｉＯ2 ６５〜８３％、Ｌｉ2 Ｏ ８〜１３％、Ｋ2 Ｏ
０〜７％、ＭｇＯ ０．５〜５．５％、ＺｎＯ ０〜
５％、ＰｂＯ ０〜５％ただし、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋Ｐｂ
Ｏ０．５〜５．５％、Ｐ2 Ｏ5 １〜４％、Ａｌ2 Ｏ3
０〜７％、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜２％を含有す
るガラスを熱処理することにより得られる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】磁気ディスクの始動／
停止（ＣＳＳ）特性においてディスクの表面粗度（Ｒ
ａ）が１５Å〜５０Åの範囲内にあることが必要であ
り、本出願人の開発した上記結晶化ガラスはなんらの機
械的または化学的テクスチャーを行うことなく上記１５
Å〜５０Åの範囲内の表面粗度を研磨のみによって得ら
れるものであるが、磁気ディスクの記録密度向上のため
のグライド高さの低減は、研磨により上記１５Å〜５０
Åの表面粗度を達成すれば自動的に同時に達成されるも
のではない。
停止（ＣＳＳ）特性においてディスクの表面粗度（Ｒ
ａ）が１５Å〜５０Åの範囲内にあることが必要であ
り、本出願人の開発した上記結晶化ガラスはなんらの機
械的または化学的テクスチャーを行うことなく上記１５
Å〜５０Åの範囲内の表面粗度を研磨のみによって得ら
れるものであるが、磁気ディスクの記録密度向上のため
のグライド高さの低減は、研磨により上記１５Å〜５０
Åの表面粗度を達成すれば自動的に同時に達成されるも
のではない。
【００１９】グライド高さは磁気ディスク基板の表面粗
度および表面うねり（Ｗａ）に関連して決定され、それ
ぞれの特性を示す値が小さい方がグライド高さが低くな
る。現在グライド高さの限界値を示す指標としてＧＡＢ
Ｐ(glide avalanche break point、単位はμ″（マイク
ロインチ）が用いられており、現在磁気ディスク基板に
求められているＧＡＢＰは１．０μ″〜１．５μ″程度
であるが、高密度記録に対する要求が今後一そう高まる
につれ、より小さいグライド高さが要求される傾向が大
である。
度および表面うねり（Ｗａ）に関連して決定され、それ
ぞれの特性を示す値が小さい方がグライド高さが低くな
る。現在グライド高さの限界値を示す指標としてＧＡＢ
Ｐ(glide avalanche break point、単位はμ″（マイク
ロインチ）が用いられており、現在磁気ディスク基板に
求められているＧＡＢＰは１．０μ″〜１．５μ″程度
であるが、高密度記録に対する要求が今後一そう高まる
につれ、より小さいグライド高さが要求される傾向が大
である。
【００２０】しかるに、従来結晶化ガラスの研磨は一般
的に光学ガラスの研磨に用いられる粒子径１〜２μｍ程
度の酸化セリウム研磨材等の研磨材を使用して行われて
いるが、本出願人の開発にかかる上記結晶化ガラスの場
合、この研磨方法によれば、１５Å〜５０Åの範囲内の
表面粗度を達成することはできるが、グライド高さとし
てはＧＡＢＰ ０．８μ″以上のグライド高さしかうる
ことができず、０．８μ″以下のグライド高さを達成す
ることは困難であり、将来のグライド高さ低減に対する
要請に対処することが困難であることが判った。
的に光学ガラスの研磨に用いられる粒子径１〜２μｍ程
度の酸化セリウム研磨材等の研磨材を使用して行われて
いるが、本出願人の開発にかかる上記結晶化ガラスの場
合、この研磨方法によれば、１５Å〜５０Åの範囲内の
表面粗度を達成することはできるが、グライド高さとし
てはＧＡＢＰ ０．８μ″以上のグライド高さしかうる
ことができず、０．８μ″以下のグライド高さを達成す
ることは困難であり、将来のグライド高さ低減に対する
要請に対処することが困難であることが判った。
【００２１】本発明は、結晶化ガラスを研磨することに
よって高密度記録のために要求される非常に小さいグラ
イド高さを達成する上で生じる上記問題点にかんがみな
されたものであって、将来の一層のグライド高さ低減に
対する要請に対処することができる結晶化ガラスからな
る磁気ディスク基板の製造方法を提供しようとするもの
である。
よって高密度記録のために要求される非常に小さいグラ
イド高さを達成する上で生じる上記問題点にかんがみな
されたものであって、将来の一層のグライド高さ低減に
対する要請に対処することができる結晶化ガラスからな
る磁気ディスク基板の製造方法を提供しようとするもの
である。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために鋭意試験と研究を重ねた結果、平均粒
子径が３μｍ以下の粒状結晶が分散してなる結晶相を有
する結晶化ガラスを該粒状結晶の粒子径よりも小さな砥
粒径の研磨材で研磨すると、表面に均一な高さの粒状結
晶の突起を有し、表面うねりが著るしく小さい結晶化ガ
ラスからなる磁気ディスク基板が得られ、この結果従来
の一般的研磨方法により得られる磁気ディスク基板に比
べてグライド高さが小さい磁気ディスク基板が得られる
ことを発見し、本発明に到達した。
を達成するために鋭意試験と研究を重ねた結果、平均粒
子径が３μｍ以下の粒状結晶が分散してなる結晶相を有
する結晶化ガラスを該粒状結晶の粒子径よりも小さな砥
粒径の研磨材で研磨すると、表面に均一な高さの粒状結
晶の突起を有し、表面うねりが著るしく小さい結晶化ガ
ラスからなる磁気ディスク基板が得られ、この結果従来
の一般的研磨方法により得られる磁気ディスク基板に比
べてグライド高さが小さい磁気ディスク基板が得られる
ことを発見し、本発明に到達した。
【００２３】すなわち、上記本発明の目的を達成する磁
気ディスクの基板の製造方法は、平均粒子径が３μｍ以
下の粒状結晶が分散してなる結晶相を有する結晶化ガラ
スを該粒状結晶の粒子径よりも小さい砥粒径の研磨材で
研磨することを特徴とするものである。
気ディスクの基板の製造方法は、平均粒子径が３μｍ以
下の粒状結晶が分散してなる結晶相を有する結晶化ガラ
スを該粒状結晶の粒子径よりも小さい砥粒径の研磨材で
研磨することを特徴とするものである。
【００２４】一般的に結晶化ガラスの研磨後の表面に
は、含まれる結晶相同志やガラス相との磨耗性の差異に
より微細な凹凸を生じる。また含まれる結晶の大きさや
形状により表面の構造が異なる。
は、含まれる結晶相同志やガラス相との磨耗性の差異に
より微細な凹凸を生じる。また含まれる結晶の大きさや
形状により表面の構造が異なる。
【００２５】本出願人の開発にかかる上記結晶化ガラス
は、物理的、化学的に二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓ
ｉＯ2 ）よりも本質的に強いα−クオーツの凝集した複
数の小粒子からなる球状結晶化粒子が物理的、化学的に
弱い二珪酸リチウムの結晶粒子中にランダムに析出して
なる特定の結晶構造を有しており、この結晶構造のため
に、研磨工程において二珪酸リチウムの結晶粒子はα−
クオーツの結晶粒子よりも迅速に研削され、その結果研
磨工程が進行するにつれて、α−クオーツの結晶粒子が
二珪酸リチウムの結晶粒子の表面に比較的に顕著に突出
することにより、１５Å〜５０Åという理想的な範囲の
表面粗度（Ｒａ）が得られる。この表面粗度は酸化セリ
ウム研磨材等一般に使用される研磨材によって研磨を行
うことによって充分に得ることができる。
は、物理的、化学的に二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓ
ｉＯ2 ）よりも本質的に強いα−クオーツの凝集した複
数の小粒子からなる球状結晶化粒子が物理的、化学的に
弱い二珪酸リチウムの結晶粒子中にランダムに析出して
なる特定の結晶構造を有しており、この結晶構造のため
に、研磨工程において二珪酸リチウムの結晶粒子はα−
クオーツの結晶粒子よりも迅速に研削され、その結果研
磨工程が進行するにつれて、α−クオーツの結晶粒子が
二珪酸リチウムの結晶粒子の表面に比較的に顕著に突出
することにより、１５Å〜５０Åという理想的な範囲の
表面粗度（Ｒａ）が得られる。この表面粗度は酸化セリ
ウム研磨材等一般に使用される研磨材によって研磨を行
うことによって充分に得ることができる。
【００２６】しかしながら、上記結晶化ガラスにおい
て、α−クオーツの球状粒子の径がたとえば０．５μｍ
の場合たとえば平均砥粒径１．２μｍの通常の酸化セリ
ウム研磨材を用いて研磨すると、砥粒径が結晶粒子径よ
りも大きい状態で研磨されることになる。この場合基板
表面を砥粒が粗く削るため、α−クオーツの突起の高さ
が不均一となり、基板表面のうねりは比較的大きい状態
で残ることが判った。
て、α−クオーツの球状粒子の径がたとえば０．５μｍ
の場合たとえば平均砥粒径１．２μｍの通常の酸化セリ
ウム研磨材を用いて研磨すると、砥粒径が結晶粒子径よ
りも大きい状態で研磨されることになる。この場合基板
表面を砥粒が粗く削るため、α−クオーツの突起の高さ
が不均一となり、基板表面のうねりは比較的大きい状態
で残ることが判った。
【００２７】本発明によれば、粒状結晶の粒子径よりも
小さな砥粒径（たとえば上記の設例の場合０．５μｍ以
下）の研磨材を用いて研磨することにより、粒状結晶が
表面にほぼ均一の高さで突出し、かつ各粒状結晶の間の
部分が平坦に研磨される結果表面うねりが小さくなり、
したがってより小さいグライド高さが得られる。
小さな砥粒径（たとえば上記の設例の場合０．５μｍ以
下）の研磨材を用いて研磨することにより、粒状結晶が
表面にほぼ均一の高さで突出し、かつ各粒状結晶の間の
部分が平坦に研磨される結果表面うねりが小さくなり、
したがってより小さいグライド高さが得られる。
【００２８】使用される研磨材は、砥粒の粒子径が粒状
結晶の結晶粒子径よりも小さければ良く、特に限定はな
い。使用可能な研磨材としては、酸化セリウム、コロイ
ダルシリカ、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸
化クロム、炭化珪素等を挙げることができるが、特にコ
ロイダルシリカは砥粒径が他の研磨材に比べ著るしく小
さいので好適である。
結晶の結晶粒子径よりも小さければ良く、特に限定はな
い。使用可能な研磨材としては、酸化セリウム、コロイ
ダルシリカ、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸
化クロム、炭化珪素等を挙げることができるが、特にコ
ロイダルシリカは砥粒径が他の研磨材に比べ著るしく小
さいので好適である。
【００２９】本発明の方法においては、砥粒径が結晶粒
子径よりも小さい研磨材のみを用いて結晶化ガラスを研
磨してもよいが、研磨に多大の時間を要し、またコロイ
ダルシリカ等の研磨材は高価でありコスト的にも不利で
あるので、最初に粒状結晶の粒子径とほぼ等しいかまた
はこれよりも大きな砥粒径の研磨材（上記の設例の場合
砥粒径１．２μｍの酸化セリウム研磨材）を用いて第一
次研磨を行い、次に粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒
径の研磨材（たとえば砥粒径０．０８μｍのコロイダル
シリカ）を用いて第二次研磨を行うことが好ましい。
子径よりも小さい研磨材のみを用いて結晶化ガラスを研
磨してもよいが、研磨に多大の時間を要し、またコロイ
ダルシリカ等の研磨材は高価でありコスト的にも不利で
あるので、最初に粒状結晶の粒子径とほぼ等しいかまた
はこれよりも大きな砥粒径の研磨材（上記の設例の場合
砥粒径１．２μｍの酸化セリウム研磨材）を用いて第一
次研磨を行い、次に粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒
径の研磨材（たとえば砥粒径０．０８μｍのコロイダル
シリカ）を用いて第二次研磨を行うことが好ましい。
【００３０】本発明が適用されるもっとも好適な結晶化
ガラスは、本出願人の開発にかかる上記結晶化ガラスで
ある。すなわち、本発明の一側面において、結晶化ガラ
スは、結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）およびα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）であって、
該α−クオーツの成長結晶粒子がそれぞれ凝集した複数
の粒子からなる球状粒子構造を有しており、該球状粒子
は０．３μｍ〜３．０μｍの範囲内の径を有するもので
ある。
ガラスは、本出願人の開発にかかる上記結晶化ガラスで
ある。すなわち、本発明の一側面において、結晶化ガラ
スは、結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）およびα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）であって、
該α−クオーツの成長結晶粒子がそれぞれ凝集した複数
の粒子からなる球状粒子構造を有しており、該球状粒子
は０．３μｍ〜３．０μｍの範囲内の径を有するもので
ある。
【００３１】この結晶化ガラスは、好ましい一態様にお
いて、重量百分率で、ＳｉＯ2 ６５〜８３％、Ｌｉ2 Ｏ
８〜１３％、Ｋ2 Ｏ ０〜７％、ＭｇＯ ０．５〜
５．５％、ＺｎＯ ０〜５％、ＰｂＯ ０〜５％ただ
し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ ０．５〜５．５％、Ｐ2
Ｏ5 １〜４％、Ａｌ2 Ｏ3 ０〜７％、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ
2Ｏ3 ０〜２％を含有するガラス熱処理することにより
得られることを特徴とするものである。
いて、重量百分率で、ＳｉＯ2 ６５〜８３％、Ｌｉ2 Ｏ
８〜１３％、Ｋ2 Ｏ ０〜７％、ＭｇＯ ０．５〜
５．５％、ＺｎＯ ０〜５％、ＰｂＯ ０〜５％ただ
し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ ０．５〜５．５％、Ｐ2
Ｏ5 １〜４％、Ａｌ2 Ｏ3 ０〜７％、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ
2Ｏ3 ０〜２％を含有するガラス熱処理することにより
得られることを特徴とするものである。
【００３２】実験を重ねた結果、本出願人の開発にかか
る上記結晶化ガラスの場合、表面うねり（Ｗａ）と表面
粗度（Ｒａ）の比Ｗａ／Ｒａが０．５以下であるとき、
ＧＡＢＰが０．８μ″以下の好ましいグライド高さが得
られることが実験的に判明した。したがって本発明の好
ましい実施態様においてはＷａ／Ｒａは０．５以下であ
る。
る上記結晶化ガラスの場合、表面うねり（Ｗａ）と表面
粗度（Ｒａ）の比Ｗａ／Ｒａが０．５以下であるとき、
ＧＡＢＰが０．８μ″以下の好ましいグライド高さが得
られることが実験的に判明した。したがって本発明の好
ましい実施態様においてはＷａ／Ｒａは０．５以下であ
る。
【００３３】本発明にかかる方法は、本出願人の開発に
かかる上記結晶化ガラスの他、ＳｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｓｉ2
Ｏ5 、β−スポジュメン、ゲーレナイト、ガーナイト、
カナサイト等の結晶相を有する他の結晶化ガラスの製造
にも適用することができる。
かかる上記結晶化ガラスの他、ＳｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｓｉ2
Ｏ5 、β−スポジュメン、ゲーレナイト、ガーナイト、
カナサイト等の結晶相を有する他の結晶化ガラスの製造
にも適用することができる。
【００３４】本出願人の開発にかかる上記結晶化ガラス
を製造するための原ガラスとして種々の組成のものが使
用可能であるが、以下にその好ましい一例について説明
する。
を製造するための原ガラスとして種々の組成のものが使
用可能であるが、以下にその好ましい一例について説明
する。
【００３５】磁気ディスク基板を構成する結晶化ガラス
の組成は、原ガラスと同様酸化物基準で表示し得る。上
記好ましい一実施態様において原ガラスの組成を上記特
定の範囲に限定した理由について以下に述べる。
の組成は、原ガラスと同様酸化物基準で表示し得る。上
記好ましい一実施態様において原ガラスの組成を上記特
定の範囲に限定した理由について以下に述べる。
【００３６】ＳｉＯ2 成分は、原ガラスの熱処理によ
り、結晶相としてα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）および
二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）を生成するき
わめて重要な成分であるが、その量が６５％未満では、
得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定で組織が粗大
化しやすく、また、８３％を超えると原ガラスの溶融が
困難になる。実験の結果、特に好ましい範囲は７０〜８
２％であることが判った。
り、結晶相としてα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）および
二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）を生成するき
わめて重要な成分であるが、その量が６５％未満では、
得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定で組織が粗大
化しやすく、また、８３％を超えると原ガラスの溶融が
困難になる。実験の結果、特に好ましい範囲は７０〜８
２％であることが判った。
【００３７】Ｌｉ2 Ｏ成分は、ガラスの加熱処理により
結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）
を生成する重要な成分であるが、その量が８％未満で
は、上記結晶の析出が困難となると同時に、原ガラスの
溶融が困難となり、また、１３％を超えると得られる結
晶化ガラスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しやすい
うえ、化学的耐久性および硬度が悪化する。特に好まし
い範囲は８〜１１％である。
結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）
を生成する重要な成分であるが、その量が８％未満で
は、上記結晶の析出が困難となると同時に、原ガラスの
溶融が困難となり、また、１３％を超えると得られる結
晶化ガラスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しやすい
うえ、化学的耐久性および硬度が悪化する。特に好まし
い範囲は８〜１１％である。
【００３８】Ｋ2 Ｏ成分はガラスの溶融性を向上させる
成分であり、７％まで含有させることができる。特に好
ましい範囲は１〜６％である。
成分であり、７％まで含有させることができる。特に好
ましい範囲は１〜６％である。
【００３９】ＭｇＯ成分は、本発明において主結晶相と
してのα−クオーツ（α−ＳｉＯ2）の結晶を凝集した
粒子の球状結晶としてガラス中に全体にランダムに析出
させることが見い出された重要な成分であるが、その量
が０．５％未満では上記効果が得られず、また５．５％
を超えると所望の結晶が析出し難くなる。特に好ましい
範囲は１〜５％である。
してのα−クオーツ（α−ＳｉＯ2）の結晶を凝集した
粒子の球状結晶としてガラス中に全体にランダムに析出
させることが見い出された重要な成分であるが、その量
が０．５％未満では上記効果が得られず、また５．５％
を超えると所望の結晶が析出し難くなる。特に好ましい
範囲は１〜５％である。
【００４０】またＺｎＯおよびＰｂＯ成分もＭｇＯと同
等の効果があるので添加し得るが、その量が各々５％を
超えると所望の結晶が析出し難くなる。ＺｎＯの特に好
ましい範囲は０．２〜５％である。
等の効果があるので添加し得るが、その量が各々５％を
超えると所望の結晶が析出し難くなる。ＺｎＯの特に好
ましい範囲は０．２〜５％である。
【００４１】ただし上記ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＰｂＯ成
分の合計量は、同様の理由で０．５〜５．５％とすべき
である。
分の合計量は、同様の理由で０．５〜５．５％とすべき
である。
【００４２】Ｐ2 Ｏ5 成分は本発明において、ガラスの
結晶核形成剤として不可欠であるが、その量が１％未満
では、所望の結晶を生成させることができず、また４％
を超えると得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定で
粗大化しやすいうえ、原ガラスの失透性が悪化する。特
に好ましい範囲は１〜３％である。
結晶核形成剤として不可欠であるが、その量が１％未満
では、所望の結晶を生成させることができず、また４％
を超えると得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定で
粗大化しやすいうえ、原ガラスの失透性が悪化する。特
に好ましい範囲は１〜３％である。
【００４３】Ａｌ2 Ｏ3 成分は、結晶化ガラスの化学的
耐久性を向上させる有効な成分であるがその含有量が７
％を超えると溶融性が悪化し、主結晶としてのα−クオ
ーツ（α−ＳｉＯ2 ）の結晶析出量が低下する。特に好
ましい範囲は１〜６％である。
耐久性を向上させる有効な成分であるがその含有量が７
％を超えると溶融性が悪化し、主結晶としてのα−クオ
ーツ（α−ＳｉＯ2 ）の結晶析出量が低下する。特に好
ましい範囲は１〜６％である。
【００４４】Ａｓ2 Ｏ3 および／またはＳｂ2 Ｏ3 成分
は、ガラス溶融の際の清澄剤として添加し得るが、これ
らの１種または２種の合計量は２％以下で十分である。
は、ガラス溶融の際の清澄剤として添加し得るが、これ
らの１種または２種の合計量は２％以下で十分である。
【００４５】なお、本発明においては、使用するガラス
に上記成分の他に所望の特性を損なわない範囲で少量の
Ｂ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ
2 およびＺｒＯ2 の各成分を含有させることができる。
に上記成分の他に所望の特性を損なわない範囲で少量の
Ｂ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ
2 およびＺｒＯ2 の各成分を含有させることができる。
【００４６】上記組成範囲の原ガラスから磁気ディスク
基板を製造するには、上記の組成を有するガラスを溶解
し、熱間成形および／または冷間成形を行った後４５０
〜５４０℃の範囲の温度で約１〜５時間熱処理して結晶
核を形成し、続いて７００〜８４０℃の範囲の温度で約
１〜５時間熱処理して結晶化を行う。
基板を製造するには、上記の組成を有するガラスを溶解
し、熱間成形および／または冷間成形を行った後４５０
〜５４０℃の範囲の温度で約１〜５時間熱処理して結晶
核を形成し、続いて７００〜８４０℃の範囲の温度で約
１〜５時間熱処理して結晶化を行う。
【００４７】核形成温度が４５０℃未満ではＰ2 Ｏ5 に
よる分相によってひき起される核形成が不充分であり、
一方核形成温度が５４０℃を超えると、結晶核として析
出するＬｉ2 Ｏ・ＳｉＯ2 の微結晶が均一に析出しない
のと同時に粗大な結晶核となるため、その後析出するα
−クオーツの凝集粒子を分散させα−クオーツを単一粒
子としてしまう。
よる分相によってひき起される核形成が不充分であり、
一方核形成温度が５４０℃を超えると、結晶核として析
出するＬｉ2 Ｏ・ＳｉＯ2 の微結晶が均一に析出しない
のと同時に粗大な結晶核となるため、その後析出するα
−クオーツの凝集粒子を分散させα−クオーツを単一粒
子としてしまう。
【００４８】また、結晶化温度はＭｇＯ成分の効果と相
いまってα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の結晶を凝集し
た粒子の球状構造の制御に重要な温度であるが、その温
度が７００℃未満では、α−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）
結晶が充分に析出し難く、また、８４０℃を超えるとα
−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の凝集した粒子の球状構造
を保つことができなくなり、上記効果が得られなくな
る。
いまってα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の結晶を凝集し
た粒子の球状構造の制御に重要な温度であるが、その温
度が７００℃未満では、α−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）
結晶が充分に析出し難く、また、８４０℃を超えるとα
−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）の凝集した粒子の球状構造
を保つことができなくなり、上記効果が得られなくな
る。
【００４９】次にこの結晶化ガラスを常法によりラッピ
ングした後粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒径の研磨
材で結晶化ガラスの表面を研磨することにより、表面粗
度が１５Å〜５０Åでかつ表面うねり（Ｗａ）と表面粗
度（Ｒａ）の比Ｗａ／Ｒａが０．５以下、ＧＡＢＰが
０．８μ″以下の表面特性を有する磁気ディスク基板が
得られる。
ングした後粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒径の研磨
材で結晶化ガラスの表面を研磨することにより、表面粗
度が１５Å〜５０Åでかつ表面うねり（Ｗａ）と表面粗
度（Ｒａ）の比Ｗａ／Ｒａが０．５以下、ＧＡＢＰが
０．８μ″以下の表面特性を有する磁気ディスク基板が
得られる。
【００５０】本発明の好ましい実施態様においては、ま
ず粒状結晶の粒子径よりも大きな砥粒径の研磨材で第一
次研磨を行った後粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒径
の研磨材で第二次研磨を行う。
ず粒状結晶の粒子径よりも大きな砥粒径の研磨材で第一
次研磨を行った後粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒径
の研磨材で第二次研磨を行う。
【００５１】研磨は公知のポリッシャーを用いて一般に
使用する片面もしくは両面研磨用の装置等により常法に
より行うことができる。
使用する片面もしくは両面研磨用の装置等により常法に
より行うことができる。
【００５２】
【実施例】次に本発明の好適な実施例について説明す
る。なおガラスの組成は重量％で示す。
る。なおガラスの組成は重量％で示す。
【００５３】実施例１ ＳｉＯ2 ７６．７％、Ｌｉ2 Ｏ １０．５％、Ａｌ2 Ｏ
3 ３．８％、ＭｇＯ２．５％、ＺｎＯ ０．５％、Ｋ2
Ｏ ４．０％、Ｐ2 Ｏ5 ２．０％、Ａｓ2 Ｏ3 ０．５％
の組成からなる原料を混合し、これを通常の溶融装置を
用いて約１３５０〜１５００℃の温度で溶融し、攪拌均
質化した後所望の形状に成形して冷却し、ガラス成形体
を得た。その後これを５４０℃で約５時間熱処理して結
晶核形成後、７８０℃の結晶化温度で約２時間保持する
ことにより、結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓ
ｉＯ2 ）およびα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）であっ
て、該α−クオーツの成長結晶粒子がそれぞれ凝集した
複数の粒子からなる球状粒子構造を有する結晶化ガラス
を得た。α−クオーツの球状粒子の平均粒子径は電子顕
微鏡観察によると１．２μｍであった。この成形体を平
均粒径１１．５μｍのＧＣ砥粒で約６０分間ラッピング
した。
3 ３．８％、ＭｇＯ２．５％、ＺｎＯ ０．５％、Ｋ2
Ｏ ４．０％、Ｐ2 Ｏ5 ２．０％、Ａｓ2 Ｏ3 ０．５％
の組成からなる原料を混合し、これを通常の溶融装置を
用いて約１３５０〜１５００℃の温度で溶融し、攪拌均
質化した後所望の形状に成形して冷却し、ガラス成形体
を得た。その後これを５４０℃で約５時間熱処理して結
晶核形成後、７８０℃の結晶化温度で約２時間保持する
ことにより、結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓ
ｉＯ2 ）およびα−クオーツ（α−ＳｉＯ2 ）であっ
て、該α−クオーツの成長結晶粒子がそれぞれ凝集した
複数の粒子からなる球状粒子構造を有する結晶化ガラス
を得た。α−クオーツの球状粒子の平均粒子径は電子顕
微鏡観察によると１．２μｍであった。この成形体を平
均粒径１１．５μｍのＧＣ砥粒で約６０分間ラッピング
した。
【００５４】両面研磨用装置の回転定盤上に不織布製硬
質研磨布を装着した後上記ラッピングした結晶化ガラス
成形体を取付け、回転定盤を回転させて、平均砥粒径
１．２μｍの酸化セリウム砥粒を水で２０重量％の濃度
で懸濁させたスラリー（ｐＨ７．４）を試料１枚当り３
リットル／分で供給しながら１２０ｇ／ｃｍ2 の研磨荷
重で７０分間研磨した。
質研磨布を装着した後上記ラッピングした結晶化ガラス
成形体を取付け、回転定盤を回転させて、平均砥粒径
１．２μｍの酸化セリウム砥粒を水で２０重量％の濃度
で懸濁させたスラリー（ｐＨ７．４）を試料１枚当り３
リットル／分で供給しながら１２０ｇ／ｃｍ2 の研磨荷
重で７０分間研磨した。
【００５５】次に平均砥粒径０．０８μｍのシリカを４
０重量％含有するコロイダルシリカ（ｐＨ９．５）を試
料１枚当り０．２リットル／分で供給しながら６０ｇ／
ｃｍ2 の研磨荷重で５分間研磨して磁気ディスク基板と
した。
０重量％含有するコロイダルシリカ（ｐＨ９．５）を試
料１枚当り０．２リットル／分で供給しながら６０ｇ／
ｃｍ2 の研磨荷重で５分間研磨して磁気ディスク基板と
した。
【００５６】この磁気ディスク基板の平均表面粗度（Ｒ
ａ）、最大表面粗度（Ｒｐ）、および平均表面うねり
（Ｗａ）を触針式のTencor−Ｐ２表面粗さ計を使用して
測定したところ、Ｒａ １８Å、Ｒｐ １２７Å、Ｗａ
９Åであった。、このときの表面プロファイルを図１
に示す。図１（ａ）は表面粗度を、図１（ｂ）は表面う
ねりを示すものである。
ａ）、最大表面粗度（Ｒｐ）、および平均表面うねり
（Ｗａ）を触針式のTencor−Ｐ２表面粗さ計を使用して
測定したところ、Ｒａ １８Å、Ｒｐ １２７Å、Ｗａ
９Åであった。、このときの表面プロファイルを図１
に示す。図１（ａ）は表面粗度を、図１（ｂ）は表面う
ねりを示すものである。
【００５７】この磁気ディスク基板を真空状態で加熱し
た後スパッタリングによりクロームの中間層、コバルト
合金の磁性層、炭素の保護層を成膜し、その上に潤滑材
層の塗布を行うことにより磁気ディスクを製造した。こ
の磁気ディスクのＧＡＢＰを日立電子エンジニアリング
社製ＲＸ−２０００型グライドテスターを使用して測定
したことろ０．６１μ″であった。
た後スパッタリングによりクロームの中間層、コバルト
合金の磁性層、炭素の保護層を成膜し、その上に潤滑材
層の塗布を行うことにより磁気ディスクを製造した。こ
の磁気ディスクのＧＡＢＰを日立電子エンジニアリング
社製ＲＸ−２０００型グライドテスターを使用して測定
したことろ０．６１μ″であった。
【００５８】実施例２ ＳｉＯ2 ７５．７％、Ｌｉ2 Ｏ １１．０％、Ａｌ2 Ｏ
3 ３．３％、ＭｇＯ３．０％、ＺｎＯ ０．５％、Ｋ2
Ｏ ４．０％、Ｐ2 Ｏ5 ２．０％の組成からなる原料を
混合し、これを通常の溶融装置を用いて約１３５０〜１
５００℃の温度で溶融し、攪拌均質化した後所望の形状
に成形して冷却し、ガラス成形体を得た。その後これを
５４０℃で約５時間熱処理して結晶核形成後、７４０℃
の結晶化温度で約６時間保持することにより、結晶相が
二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）およびα−ク
オーツ（α−ＳｉＯ2 ）であって、該α−クオーツの成
長結晶粒子がそれぞれ凝集した複数の粒子からなる球状
粒子構造を有する結晶化ガラスを得た。α−クオーツの
球状粒子の平均粒子径は電子顕微鏡観察によると０．６
μｍであった。この成形体に対し実施例１と同一方法に
よりラッピングおよび研磨処理を行い、磁気ディスク基
板を製造した。この磁気ディスク基板はＲａ ３０Å、
Ｒｐ １７１Å、Ｗａ １３Åであった。このときの表
面プロファイルを図２に示す。図２（ａ）は表面粗度
を、図２（ｂ）は表面うねりを示すものである。
3 ３．３％、ＭｇＯ３．０％、ＺｎＯ ０．５％、Ｋ2
Ｏ ４．０％、Ｐ2 Ｏ5 ２．０％の組成からなる原料を
混合し、これを通常の溶融装置を用いて約１３５０〜１
５００℃の温度で溶融し、攪拌均質化した後所望の形状
に成形して冷却し、ガラス成形体を得た。その後これを
５４０℃で約５時間熱処理して結晶核形成後、７４０℃
の結晶化温度で約６時間保持することにより、結晶相が
二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）およびα−ク
オーツ（α−ＳｉＯ2 ）であって、該α−クオーツの成
長結晶粒子がそれぞれ凝集した複数の粒子からなる球状
粒子構造を有する結晶化ガラスを得た。α−クオーツの
球状粒子の平均粒子径は電子顕微鏡観察によると０．６
μｍであった。この成形体に対し実施例１と同一方法に
よりラッピングおよび研磨処理を行い、磁気ディスク基
板を製造した。この磁気ディスク基板はＲａ ３０Å、
Ｒｐ １７１Å、Ｗａ １３Åであった。このときの表
面プロファイルを図２に示す。図２（ａ）は表面粗度
を、図２（ｂ）は表面うねりを示すものである。
【００５９】この磁気ディスク基板に対し実施例１と同
様の成膜処理を行い磁気ディスクを製造してＧＡＢＰを
測定したところ、０．８０μ″インチであった。
様の成膜処理を行い磁気ディスクを製造してＧＡＢＰを
測定したところ、０．８０μ″インチであった。
【００６０】比較例１ 研磨工程において実施例１と同一の平均砥粒径１．２μ
ｍの酸化セリウム研磨材のみを使用して実施例１と同一
研磨で研磨を行った以外は実施例１と同一方法により磁
気ディスク基板を製造した。この磁気ディスク基板はＲ
ａ １９Å、Ｒｐ １１６Å、Ｗａ １２Åであった。
このときの表面プロファイルを図３に示す。図３（ａ）
は表面粗度を、図３（ｂ）は表面うねりを示すものであ
る。
ｍの酸化セリウム研磨材のみを使用して実施例１と同一
研磨で研磨を行った以外は実施例１と同一方法により磁
気ディスク基板を製造した。この磁気ディスク基板はＲ
ａ １９Å、Ｒｐ １１６Å、Ｗａ １２Åであった。
このときの表面プロファイルを図３に示す。図３（ａ）
は表面粗度を、図３（ｂ）は表面うねりを示すものであ
る。
【００６１】この磁気ディスク基板に対し実施例１と同
様の成膜処理を行い磁気ディスクを製造してＧＡＢＰを
測定したところ０．８５μ″であった。
様の成膜処理を行い磁気ディスクを製造してＧＡＢＰを
測定したところ０．８５μ″であった。
【００６２】比較例２ 研磨工程において実施例２と同一の平均砥粒径１．２μ
ｍの酸化セリウム研磨材のみを使用して実施例２と同一
研磨で研磨を行った以外は実施例２と同一方法により磁
気ディスク基板を製造した。この磁気ディスク基板はＲ
ａ ３２Å、Ｒｐ １６２Å、Ｗａ １９Åであった。
このときの表面プロファイルを図４に示す。図４（ａ）
は表面粗度を、図４（ｂ）は表面うねりを示すものであ
る。
ｍの酸化セリウム研磨材のみを使用して実施例２と同一
研磨で研磨を行った以外は実施例２と同一方法により磁
気ディスク基板を製造した。この磁気ディスク基板はＲ
ａ ３２Å、Ｒｐ １６２Å、Ｗａ １９Åであった。
このときの表面プロファイルを図４に示す。図４（ａ）
は表面粗度を、図４（ｂ）は表面うねりを示すものであ
る。
【００６３】この磁気ディスク基板に対し実施例２と同
様の成膜処理を行い磁気ディスクを製造してＧＡＢＰを
測定したところ０．９９μ″であった。
様の成膜処理を行い磁気ディスクを製造してＧＡＢＰを
測定したところ０．９９μ″であった。
【００６４】各実施例と各比較例の比較 上記実施例１，２と比較例１，２のＲａ、Ｒｐ、Ｗａ、
ＧＡＢＰおよびＷａ／Ｒａをまとめて表１に示す。
ＧＡＢＰおよびＷａ／Ｒａをまとめて表１に示す。
【００６５】
【表１】
【００６６】表１から、Ｗａ／Ｒａは実施例１，２にお
いてはいずれも０．５以下であるのに対し、比較例１，
２においては０．５を越えており、このときの実施例
１，２のＧＡＢＰは０．８μ″以下であるのに対し比較
例１，２のＧＡＢＰは０．８μ″を越えていることが判
る。
いてはいずれも０．５以下であるのに対し、比較例１，
２においては０．５を越えており、このときの実施例
１，２のＧＡＢＰは０．８μ″以下であるのに対し比較
例１，２のＧＡＢＰは０．８μ″を越えていることが判
る。
【００６７】また実施例１および比較例１の研磨後の表
面のＡＦＭ(Atomic Force Microscope) による三次元立
体像を示す写真を図５および図６として示す。これらの
写真から明らかなように、実施例１においてはα−クオ
ーツの各粒状結晶は二珪酸リチウム結晶相の表面にほぼ
均一の高さで突出し、しかも各α−クオーツ粒状結晶の
間の谷間となる二珪酸リチウム結晶相の表面はおおむね
平坦に研磨されているのに対し、比較例１においては、
α−クオーツ粒状結晶の突起の高さは不均一であり、ま
た二珪酸リチウム結晶相の表面は微小なうねりが形成さ
れていることが判る。
面のＡＦＭ(Atomic Force Microscope) による三次元立
体像を示す写真を図５および図６として示す。これらの
写真から明らかなように、実施例１においてはα−クオ
ーツの各粒状結晶は二珪酸リチウム結晶相の表面にほぼ
均一の高さで突出し、しかも各α−クオーツ粒状結晶の
間の谷間となる二珪酸リチウム結晶相の表面はおおむね
平坦に研磨されているのに対し、比較例１においては、
α−クオーツ粒状結晶の突起の高さは不均一であり、ま
た二珪酸リチウム結晶相の表面は微小なうねりが形成さ
れていることが判る。
【００６８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、結
晶化ガラスの粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒径の研
磨材を用いて研磨することにより、粒状結晶が表面にほ
ぼ均一の高さで突出し、かつ各粒状結晶の間の部分が平
坦に研磨される結果、表面うねりが小さくなり、ＧＡＢ
Ｐ ０．８μ″以下のきわめて小さいグライド高さを得
ることができる。
晶化ガラスの粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒径の研
磨材を用いて研磨することにより、粒状結晶が表面にほ
ぼ均一の高さで突出し、かつ各粒状結晶の間の部分が平
坦に研磨される結果、表面うねりが小さくなり、ＧＡＢ
Ｐ ０．８μ″以下のきわめて小さいグライド高さを得
ることができる。
【図１】本発明の１実施例の結晶化ガラス磁気ディスク
の基板の研磨後のプロファイルを示すグラフである。
の基板の研磨後のプロファイルを示すグラフである。
【図２】本発明の他の実施例の結晶化ガラス磁気ディス
ク基板の研磨後のプロファイルを示すグラフである。
ク基板の研磨後のプロファイルを示すグラフである。
【図３】１比較例の結晶化ガラス磁気ディスク基板の研
磨後のプロファイルを示すグラフである。
磨後のプロファイルを示すグラフである。
【図４】他の比較例の結晶化ガラス磁気ディスク基板の
研磨後のプロファイルを示すグラフである。
研磨後のプロファイルを示すグラフである。
【図５】本発明の上記１実施例の研磨後のＡＦＭによる
三次元立体像を示す写真である。
三次元立体像を示す写真である。
【図６】上記１比較例の研磨後のＡＦＭによる三次元立
体像を示す写真である。
体像を示す写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 唐沢 祥夫 神奈川県相模原市小山１丁目15番38号 株 式会社オーピーシー内
Claims (5)
- 【請求項１】 平均粒子径が３μｍ以下の粒状結晶が分
散してなる結晶相を有する結晶化ガラスを該粒状結晶の
粒子径よりも小さな砥粒径の研磨材で研磨することを特
徴とする磁気ディスク基板の製造方法。 - 【請求項２】 平均粒子径が３μｍ以下の粒状結晶が分
散してなる結晶相を有する結晶化ガラスを該粒状結晶の
粒子径とほぼ等しいかまたはこれよりも大きな砥粒径の
研磨材で研磨した後該粒状結晶の粒子径よりも小さな砥
粒径の研磨材で研磨することを特徴とする磁気ディスク
基板の製造方法。 - 【請求項３】 該結晶化ガラスは、結晶相が二珪酸リチ
ウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）およびα−クオーツ（α
−ＳｉＯ2 ）であって、該α−クオーツの成長結晶粒子
がそれぞれ凝集した複数の粒子からなる球状粒子構造を
有しており、該球状粒子は０．３μｍ〜３．０μｍの範
囲内の径を有することを特徴とする請求項１または２記
載の磁気ディスク基板の製造方法。 - 【請求項４】 該結晶化ガラスは、重量百分率で、Ｓｉ
Ｏ2 ６５〜８３％、Ｌｉ2 Ｏ ８〜１３％、Ｋ2 Ｏ ０
〜７％、ＭｇＯ ０．５〜５．５％、ＺｎＯ０〜５％、
ＰｂＯ ０〜５％ただし、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ
０．５〜５．５％、Ｐ2 Ｏ5 １〜４％、Ａｌ2 Ｏ3 ０〜
７％、Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜２％を含有するガラ
スを熱処理することにより得られることを特徴とする請
求項３記載の磁気ディスク基板の製造方法。 - 【請求項５】 該粒状結晶の粒子径よりも小さな砥粒径
の研磨材はコロイダルシリカであることを特徴とする請
求項３または４記載の磁気ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30684094A JP2736869B2 (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| US08/551,126 US5868953A (en) | 1994-11-16 | 1995-10-31 | Method for manufacturing a magnetic disk substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30684094A JP2736869B2 (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08147688A true JPH08147688A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2736869B2 JP2736869B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17961894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30684094A Expired - Fee Related JP2736869B2 (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5868953A (ja) |
| JP (1) | JP2736869B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10139479A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-26 | Ohara Inc | 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板 |
| JP2000011352A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| SG80645A1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-05-22 | Ohara Kk | Glass-ceramic substrate for an information storage medium and a method for manufacturing the same |
| JP2002150548A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Hoya Corp | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法 |
| WO2002076675A1 (fr) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrat pour support d'enregistrement d'informations et procede de production dudit substrat, support d'enregistrement d'informations et feuille de verre ebauche |
| JP2004063062A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-02-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法で製造された情報記録媒体用ガラス基板 |
| WO2004058450A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Hoya Corporation | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法と研磨装置及び情報記録媒体用ガラス基板 |
| KR100773381B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2007-11-05 | 호야 가부시키가이샤 | 정보 기록 매체용 기판 및 그 제조 방법, 정보 기록 매체,및 소재 유리판 |
| JP2008112572A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-05-15 | Hoya Corp | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法 |
| JP2009123327A (ja) * | 2008-12-24 | 2009-06-04 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| JP2009176415A (ja) * | 2009-04-30 | 2009-08-06 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクおよび磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| JP2011040145A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-24 | Ohara Inc | 情報記録媒体用基板の製造方法 |
| US8603350B2 (en) | 2009-07-17 | 2013-12-10 | Ohara Inc. | Method of manufacturing substrate for information storage media |
| JP2014160701A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP2015157751A (ja) * | 2012-04-17 | 2015-09-03 | ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板の製造方法およびガラス基板 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3416033B2 (ja) * | 1996-09-05 | 2003-06-16 | 株式会社オハラ | 磁気ヘッド用結晶化ガラス基板およびその製造方法 |
| US6120922A (en) * | 1997-04-28 | 2000-09-19 | Goto; Naoyuki | Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium |
| US7233056B1 (en) | 1998-02-23 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | Chip scale package with heat spreader |
| DE69940130D1 (de) * | 1998-03-13 | 2009-01-29 | Hoya Corp | Kristallisiertes Glas für Informationsaufzeichnungsmedium, kristallisiertes Glas-Substrat, und Informationsaufzeichnungsmedium unter Verwendung des kristallisierten Glas-Substrats |
| US7264894B2 (en) * | 1998-03-13 | 2007-09-04 | Hoya Corporation | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| BR0008208A (pt) | 1999-02-12 | 2002-02-19 | Gen Electric | Meios de armazenamento de dados |
| US6458018B1 (en) | 1999-04-23 | 2002-10-01 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article suitable for abrading glass and glass ceramic workpieces |
| JP3107304B1 (ja) * | 1999-08-10 | 2000-11-06 | 株式会社オハラ | 光フィルター用ガラスセラミックス及び光フィルター |
| JP2001097740A (ja) | 1999-09-29 | 2001-04-10 | Ngk Insulators Ltd | 結晶化ガラス、磁気ディスク用基板および磁気ディスク |
| DE10194790T1 (de) * | 2000-01-05 | 2003-12-04 | Schott Glass Tech Inc | Erdalkalifreies Boralkalisilikatglas |
| US6426311B1 (en) * | 2000-02-01 | 2002-07-30 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramics |
| WO2002085537A2 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | General Electric Company | Spin coating process |
| JP2003059034A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-02-28 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体 |
| DE10154050A1 (de) * | 2001-11-02 | 2003-05-15 | Schott Glas | Bearbeitung von inhomogenen Materialien |
| US7384870B2 (en) * | 2002-05-31 | 2008-06-10 | Hoya Corporation | Method for manufacturing glass substrate |
| KR101004525B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2010-12-31 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 글래스 기판 제조 방법, 마스크 블랭크제조방법, 전사 마스크 제조 방법, 반도체 디바이스제조방법, 마스크 블랭크용 글래스 기판, 마스크 블랭크,및 전사 마스크 |
| US6777688B2 (en) * | 2002-09-16 | 2004-08-17 | National University Of Singapore | Rotational stage for high speed, large area scanning in focused beam systems |
| TW200724506A (en) * | 2005-10-07 | 2007-07-01 | Ohara Kk | Inorganic composition |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02187922A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-24 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 |
| JPH07244947A (ja) * | 1994-03-08 | 1995-09-19 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク装置、磁気ディスクおよび磁気ディスクの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148123A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 記録デイスク用基板の製造方法 |
| US5228886A (en) * | 1990-10-09 | 1993-07-20 | Buehler, Ltd. | Mechanochemical polishing abrasive |
| US5391522A (en) * | 1993-05-19 | 1995-02-21 | Kabushiki Kaisya Ohara | Glass-ceramic for magnetic disks and method for manufacturing the same |
| JP2959363B2 (ja) * | 1993-12-09 | 1999-10-06 | 株式会社オハラ | 磁気ディスク用着色結晶化ガラス |
| US5571373A (en) * | 1994-05-18 | 1996-11-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of rough polishing semiconductor wafers to reduce surface roughness |
-
1994
- 1994-11-16 JP JP30684094A patent/JP2736869B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-10-31 US US08/551,126 patent/US5868953A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02187922A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-24 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 |
| JPH07244947A (ja) * | 1994-03-08 | 1995-09-19 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク装置、磁気ディスクおよび磁気ディスクの製造方法 |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10139479A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-26 | Ohara Inc | 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板 |
| JP2000011352A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| SG80645A1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-05-22 | Ohara Kk | Glass-ceramic substrate for an information storage medium and a method for manufacturing the same |
| JP2002150548A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Hoya Corp | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法 |
| US7604882B2 (en) | 2001-03-27 | 2009-10-20 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate for information recording media and manufacturing method thereof, information recording medium, and starting material glass plate |
| WO2002076675A1 (fr) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrat pour support d'enregistrement d'informations et procede de production dudit substrat, support d'enregistrement d'informations et feuille de verre ebauche |
| US7065984B2 (en) | 2001-03-27 | 2006-06-27 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate for information recording media and manufacturing method thereof, information recording medium, and starting material glass plate |
| US7736770B2 (en) | 2001-03-27 | 2010-06-15 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate for information recording media and manufacturing method thereof, information recording medium, and starting material glass plate |
| JP2004063062A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-02-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法で製造された情報記録媒体用ガラス基板 |
| KR100773381B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2007-11-05 | 호야 가부시키가이샤 | 정보 기록 매체용 기판 및 그 제조 방법, 정보 기록 매체,및 소재 유리판 |
| WO2004058450A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Hoya Corporation | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法と研磨装置及び情報記録媒体用ガラス基板 |
| JP2008112572A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-05-15 | Hoya Corp | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法 |
| JP2009123327A (ja) * | 2008-12-24 | 2009-06-04 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| JP4484160B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2010-06-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| JP2009176415A (ja) * | 2009-04-30 | 2009-08-06 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクおよび磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| JP4484162B2 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-06-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスクおよび磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| JP2011040145A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-24 | Ohara Inc | 情報記録媒体用基板の製造方法 |
| US8603350B2 (en) | 2009-07-17 | 2013-12-10 | Ohara Inc. | Method of manufacturing substrate for information storage media |
| JP2015157751A (ja) * | 2012-04-17 | 2015-09-03 | ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板の製造方法およびガラス基板 |
| JP2014160701A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5868953A (en) | 1999-02-09 |
| JP2736869B2 (ja) | 1998-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2736869B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JP2516553B2 (ja) | 磁気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法 | |
| EP0729924B1 (en) | Glass-ceramic for a magnetic disk substrate | |
| KR100188901B1 (ko) | 자기디스크용 결정화 유리기판 | |
| US5626935A (en) | Magnetic disk substrate and method for manufacturing the same | |
| EP0941973B1 (en) | Crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate | |
| JP3131138B2 (ja) | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 | |
| US7589038B2 (en) | Inorganic composition | |
| JP3416033B2 (ja) | 磁気ヘッド用結晶化ガラス基板およびその製造方法 | |
| JPH11322362A (ja) | 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体 | |
| US7264894B2 (en) | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate | |
| JP3420192B2 (ja) | ガラスセラミックス | |
| JP2007223884A (ja) | 無機組成物 | |
| JPH11343143A (ja) | 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体 | |
| JP2001184624A (ja) | 情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板 | |
| JP2000086289A (ja) | 結晶化ガラスの核形成剤、結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク | |
| JPH0935234A (ja) | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 | |
| JP2002150548A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法 | |
| US6911261B2 (en) | pH adjustment of a melt for use in microetching glass substrates | |
| JP2000119042A (ja) | 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板 | |
| JPH11322363A (ja) | 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体 | |
| JP4323597B2 (ja) | 情報記録ディスク用結晶化ガラス及びその製造方法 | |
| JPH10241134A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた磁気記録媒体 | |
| JP2628460B2 (ja) | 磁気ディスク基板およびその製造方法 | |
| JP3011703B1 (ja) | 情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |