TW434195B

TW434195B - A glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium

Info

Publication number: TW434195B
Application number: TW086116271A
Authority: TW
Inventors: Naoyuki Goto
Original assignee: Ohara Kk
Priority date: 1996-11-14
Filing date: 1997-11-03
Publication date: 2001-05-16
Also published as: DE69705693D1; EP0843304A1; MY119020A; SG50892A1; EP0843304B1; US5972816A; KR100261794B1; CN1153743C; DE69705693T2; CN1198415A; KR19980042443A; JPH10139479A; JP3219705B2

Description

Μ Μ fia. 五、發明説明（‘ 發明背景本發明有關一種供資訊記憶裝置使用之磁性資訊記憶媒體所用（基板’尤其有關—種供磁性資訊記憶媒體使用之基板，該媒體諸如由玻璃陶瓷製造之磁碟，其具有改良之表面特性，包括適於接觸性記錄系統之優越平面性，可防止磁頭黏附於在c S S (接觸性啓動及終止）型磁性資訊記憶媒时中I磁性資说疋憶媒體，及一種藉著使該磁性資訊記憶媒體基板進行薄膜形成方法而形成之磁性資訊記憶媒 ΆΑ ▲ 使用多媒體個人電腦及操作移動影音資訊之數位式攝影機之趨勢漸增，而此趨勢之必要料係具有較大記憶容量 •^訊記憶媒ft。是故，磁性資訊記憶媒體之位元數及軌道密度需增加’位元單元尺寸需降低以增加縱向記綠密度°就磁頭而t ’根據位元單元尺寸之縮減，需於較接近磁性資己憶媒體表面處操作。若磁係於相對於磁性資訊記憶媒體爲低飛高度或爲半接觸狀態下操作，則磁頭啓動及停止時’磁頭黏附於磁性資訊記憶媒赠表面，造成頭部破碎及磁性薄膜受損。符了克服該等問題，増加了發展啓動及停止磁頭之新穎技術的必要性’包括接線式載入系統(ramp l〇ading 二stem)、’其中磁頭啓動及停止時完全位於磁性資訊記憶媒姐表面之外’及著陸區域系統，其係於磁性資訊記憶媒體基板之特定部位（即不記綠或寫入數據之内緣部分）進行防止磁頭黏附之處理，而於該特定部位啓動並停止磁頭。於

i— n t n 11 It i^衣 I —i I 訂 ~~J n 線 - 『 -(請先閲讀背面之注意事項再鲈匕本頁) - V 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -4- 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 4 3 41 9 5 A7 ____________B7 五、發明説明（2 ) 月Ά css型資訊記憶裝置中’磁頭重複一操作—磁頭於裝置開始操作之前與磁碟接觸，而於裝置開始操作時抬高而離開料。若磁頭與磁碟之接觸表面係錢面，則因磁碟因摩擦增加以致未能平順地啓動，料磁頭黏附於磁菜而k成磁碟表面受損。因此，磁碟需滿足兩個互相矛盾之必要條件，—方面是增加記憶容量所边使之磁頭降低，另一万面是防止磁頭黏附。爲了滿足此兩項相互矛盾之必要條件，發展-種接線式載人系統技術，其中磁頭完全位於磁性資訊記憶媒ft之外H著㈣域系統，其於磁性資訊記憶媒體之特定區域中提供磁頭啓動及停止之區域。此外，不僅是目前固定型資訊記憶裝置，亦已使用移動式資訊記憶裝置，例如數位式攝影機。就該等新穎技術之觀點而言，磁性資訊記憶媒體之基板所需之特性如下： (1)於供磁性資訊記憶裝置所用之接線式載入系統中，因爲忑合量增加之故，磁頭相對於磁性資訊記憶媒體表面而言係處於丰接觸狀態或完全接觸狀態，是故，該磁性資訊記憶媒體基板需具有表面糙度爲1埃至5埃之超平表面，而該基板需可磨出該超平表面。 (2 )於供磁性資訊記憶裝置使用之著陸區域系統中，著陸區域（即，磁頭啓動及停止之區域）需具有可充分防止磁頭黏附之表面狀態。如此，需藉雷射二極體泵激固態雷射或 C 02雷射而於磁性資訊記憶媒體表面形成隆突及沉陷。 (J )於著陸區域型磁性資訊記憶媒體之C S S特性中，若磁性 _____________- 5 - 本紙張尺度適用中國园家榡準（CNS ) Λ4規格（2丨OX 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填艿本I) 裝· 線 43 4 Α7 Β7 經濟部中央榡率局貝工消f合作杜印製五、發明説明（3 資訊圮憶媒體之媒體著陸區域具有表面糙度（Ra)低於50埃炙平滑表面，磁頭與磁性資訊記憶媒體之間因爲磁頭資訊 §己憶媒體高速旋轉使接觸阻力增加而易產生黏附。另一方面，若磁性資訊記憶媒體具有著陸區域表面糙度（Ra)高於 3 00埃之粗糙表面，則存有磁頭破損之危險。因此，需將著陸區域表面之隆突及沉陷高度控制在5 〇埃至3〇〇埃，而咸著陸區域中隆突或沉陷之間隔控制在〖〇微米至2〇〇微米’且著陸區域中表面糙度（Ra)爲埃至5〇埃。 (4 )因爲磁頭抬鬲量於磁性資訊記憶媒體記綠密度改善之故而降低至0 _ 0 2 5微米或更低，而磁性資訊記憶媒體之表面上的數據區域應具有使磁頭可保持該抬高量之表面糙度 (Ra) ί埃至5埃。 (5) 因爲增加縱向記錄密度，磁性資訊記憶媒體基質應不具有結晶各向異性、外來物或其他缺陷，應具有致密細密而均勻之結構。 f (6) 磁性資訊記憶媒體之材料應具有足以承受高度旋轉、與磁頭接觸及充作諸如移動式資訊記憶裝置之移動式裝置之機械強度及硬度。 ΓΠ因爲磁性資訊記憶媒體之縱向記綠密度増加，需要極細而精確之磁性薄膜，諸如垂直磁性記錄薄膜。爲了滿足此等·必要條件，磁性資訊記憶媒體基材之材料主要需不含 NaA、“Ο、B2〇3、F或〇Η基因成分，尤其因爲此等成份造成薄膜形成過程中該成份之離子之分散，而致降低該磁性薄膜特性。一__-6- 本紙張尺度適用中_家標孪（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） „ I¢------11------.^ f · (請先閲讀背面之注意事項再填爲本頁) - . ^341 § ^341 § 經濟部中央標準局員工消f合作社印繁 A7 B7 五、發明説明（4 ) (8) 該磁性記憶媒體之材料需對各種化學品之淋洗及蝕刻具有化學耐用性。 (9) 就磁性薄膜之形成而言，該磁性資訊記憶媒體基材應具有低熱膨脹特性，介於-1 0 X i 0-7/至2 〇 X丨〇-7範圍内’以避免於薄膜形成過程中因濺射及熱處理造成損壞》傳統上使用銘合金充作磁性資訊記憶媒體基材。然而，紹合金基質易於磨光過程中因材料所固有之缺陷而產生具有隆；< 或點狀隆突及Ά陷之基材表面。結果，銘合金基材之平面度不足。此外’因爲鋁合金係爲軟質材料，故易產生變形’而無法滿足使諸如磁碟之磁性資訊記憶媒體較薄之必要條件，及高密度記錄之必要條件，因爲該磁性資訊 3己憶媒體易因與磁頭接觸而變形，造成記錄内容之損壞。就克服此種鋁合金基材之問題之材料而言，技藝界已知有用於磁性資訊記憶媒體之玻璃基材，其由化學回火玻璃製造’諸如鈉石灰玻璃（Si〇2-CaO-N a20)及矽酸銘玻璃 (S i 0 2 - A 12 0 3 - N a 2 0 )。然而，此等玻璃基質具有以下缺點： (1)於化學回火後進行磨光，使回火層在磁性資訊記憶媒體薄化中易造成不穩定。 (2 )爲了改善C S S特性，該基材需進行結構化，以於基材表面上產生隆突及沉陷。因爲機械處理或諸如使用雷射光束之熱處理因爲化學回火層之扭變導致裂紋或其他缺陷，故需藉化學餘刻或賤射進行组織化，但此妨礙了於競爭成本本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210X297公釐） ---------^-------^------0------- % * f請先閱讀背面之注意事項再本育) 1 五、發明説明（5 ) 下之大量生產。 (3)因爲玻璃中包含Na20及K20必要成份，故玻璃之磁性薄膜特性因爲該基材無法滿足増加表面記錄密度之必要條件而被破壞。除鋁合金基材及化學回火玻璃基材外，技藝界已知某些由坡璃陶瓷製造之基材。例如，曰本專利公開申請案6_ 329440揭示一種Si〇2-Li2〇-MgO-P2〇5系統之玻璃陶瓷，其包括二矽酸鋰（Li2〇 · 2Si02)及α -石英（a - Si02)主晶相。此種玻璃陶瓷因爲藉著控制α -石英之球形晶粒的粒徑’而不需要習用機械組織化或化學組織化，且磨光表面之表面糙度（Ra)可控制在15埃至50埃範圍内，故爲優越材料。此種玻璃陶瓷亦無法充分因應上述目標之表面粗糙度（Ra)l埃至5埃’且無法因應前述因記綠容量迅速增加導致磁頭飛行高度需降低之傾向。此外，於此種玻璃陶瓷中，完全未討論下文將討論之著陸區域。經濟部中央標準局員工消费合作社印^ 9本專利公開申請案第ί69048號揭示一種Si02-Li20 系統之感光性玻璃陶瓷，其包括A u及A g感光性金屬，其特徵爲於磁碟基材表面形成數據區域及著陸區域。此玻璃陶資;之主要結晶相係爲矽酸鋰（L i 2〇 · Si〇2)及/或二矽酸链i L12〇 · 2 Si〇2)。若使用矽酸鋰，則該玻璃陶瓷具有較差·之化學耐受性，故具有嚴重之實際問題/此外，形成著陸區域時，部分基材（即，著陸區域）結晶化，並使用 6°/〇H F溶液進行化學蝕刻。然而，形成具有未結晶部分及結晶化部分之基材時，該基材機械上及化學上皆不穩定。本紙張尺纽财ii^TcNS) A規格（2iQx2f7^ 經濟部中失橾準局員工消f合作社印製 ^341 95 - at _ B7 五、發明説明（6 ) 就H F溶液之化學蝕刻而言，難以控制H F溶液濃度，因爲有蒸發及其他因素，故此種方法不適於大量生產。已知有數種在磁性資訊記憶媒體之表面上形成著陸區域及數據區域之方法。例如，日本專利公開申請案第6-290452號揭示一種使用波長523毫微米之脈衝雷射於碳基質上形成著陸區域之方法。然而，此情況下，存在下列問題： (1 )於高壓下壓縮並於約2600 °C高溫下燃燒以形成碳基材，故難以在低成本下大量生產。 (2 )碳基材之機械性質（楊氏模量及破碎強度）低，故難以平衡變薄之傾向及驅動器之高速旋轉。 (3 )著陸區域之形成採用脈衝雷射使碳氧化及蒸發。因爲碳係爲造成極強之熱氧化反應的材料，故形成之著陸區域變成不安定，而於再現性中產生嚴重之問题。日本專利公開申請案第7-65359號及美國專利第506202 1 號揭示一種於鋁合金上使用脈衝雷射形成著陸區域之方法。銘合金具有前述問題，此外，照射雷射光束以後之基材表面易因熔化部分氧化及表面殘留熔化金屬噴濺物而具有缺陷。因此難以實際應用此種方法。曰本專利公開申請案第63 -46622號揭示一種供磁性資訊記憶使用而使用多種低熱膨脹材料之硬碟。此參考資料僅討論熱扭變。9 6 %二氧化矽玻璃及石英玻璃係爲可使用之材料’但此等材料之機械強度低而無法充份應用。此外，眾所周知之可使用玻璃陶瓷係含有Na2〇成分者。此參考資 --------- Q -_ 本紙張尺度適用中S國家標準（CNS ) A4規格（210X 297/^¾ ) I I "^衣 . 訂 ~"線 - r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 4341 b 5 A7 B7 經濟部中央標準局負工消费合作社印掣五、發明説明（料中未提及該磁性薄膜無法平衡高記錄密度之傾向的問題。亦未討論基材表面之表面糙度或接線式載入及著陸區域之技術。曰本專利公開申請案第6-9268 1號及曰本專利公開申請案第8-133783號揭示—種低膨脹性透明玻璃陶瓷。此等參考資料未提及該破璃陶瓷作爲磁性資訊記憶媒體基板之用途’且未討論孩基板之超平坦表面。因此，本發明之目的係提供消除先前技藝技術之缺點的万法，並提供一種磁性資訊記憶媒體基板，其適於兩種平衡高記錄密度之傾向而於基材整體表面上具有超平坦表面特性之技術，特別適合接線式載入系統，亦具有兩個表面特性，可使磁頭於磁頭啓動及停止（接觸啓動及停止）之著陸區域中穩定地舉高，而使磁頭對應於高記綠密度地於數據區域中保持低飛彳亍高度c· 本發明另一個目的係提供一種磁性資訊記憶媒體，其係使該磁性資訊記憶媒體基板進行薄膜形成程序。發明簡述本發明之發明者針對達成前述本發明目的所進行之研究及實驗導致以下發現，產生本發明，於特定溫度範圍内進行熱處理所得之玻璃陶瓷’ Si〇2_A丨2〇3_U2〇系統之基質玻璃或相同系統之基質玻璃而另外含有至少—種v 〇、 CoO、Ni〇、Cr20：i及CuO充作著色劑，具有点-石英固體溶液（/? - Si〇2固體溶液）之結晶相或/?-石英固體溶液（万 Si〇2固體溶液）與/5 -鋰輝石.固體溶液（冷_Li2〇 · · -10- 本紙掁尺度適用中國因家標卒（CNS ) A4规格（210X297公釐〉批衣-- * r (I請先閱讀背面之注意事項再本頁〕

11T Α7 Β7 4341 9g 五、發明説明（8 )

Sl〇2固體溶液）而含有細球狀晶粒之混合結晶，於磨光後具優越超平坦平面，極有利於接線式載入系統，且具有優越之雷射加工性（即雷射二極體泵動固態雷射或C02雷射），極有利於著陸區域系統。爲了達到衣發明目的，提供一種供磁性資訊記憶媒體使用之玻璃陶瓷基板，其磨光表面之表面糙度（Ra)與接線式載入系統相符地介於1埃至5埃範固内，磁頭啓動及停止係於完全位於磁性資訊記憶媒體表面之外的區域内。本發明之一目的係一種玻璃陶瓷基板，具有對應於著陸區域系統之著陸區及數據區，著陸區中藉雷射光束照射而具有隆突或沉陷。若爲著陸區域系統，則以雷射二極體泵動固態雷射或 C 0 2雷射特性。 ΐ尤雷射二極體泵動固態雷射而言，可使用N d : γ Α β、 Nd · YV04或Nd : YLF雷射。本發明另一層面中，該雷射二極體泵動固態雷射之波長係介於0.2微米-0.6微米範圍内或在丨〇5微米_卜4〇微米範圍内。本發明另一層面中，波長介於〇 2微米_〇 6微米範圍内或介於1.05微米-I .40微米範園内之雷射二極體泵動之固態雷射_方；0.6 3 5觉米下之透射百分比係爲〇 %至〗〇 %。本發明另一層面中，數據區磨光表面之表面糙度（Ra)係介於1埃至5埃範園内，藉著於著陸區中照射雷射光束以形成多數隆突或沉陷，隆突或沉陷之高度介於5 〇埃至3埃木紙掁尺度適用中國1家樣-a f CMS 1 Ad«坆ί (請先閱讀背面之注^|^^項再硝离本頁) 裝經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 經濟部中夬椋準局貝工消費合作社印製 5 6-6 5% 5 0 - 6 0 % 6 - 1 0 % 2 2 - 2 6 % 五、發明説明（9 範位内，著陸區域之表面糙度（Ra)介於1〇埃至5〇埃範圍内。本發明另一層面中，著陸區中藉雷射光束照射形成而高度爲5 0埃至500埃之隆哭或沉陷的間隔介於ι〇微米至2〇〇微米範圍内。本發明另一層面中，磁性資訊記憶媒體基板之玻璃陶瓷包含3丨〇2-入12〇3-1^2〇系統破璃陶瓷，具有々_石英固體溶液（y? - S i 02固體；谷液）或/5 _石英固體溶液（卢_ s丨〇 2固體溶液）與π-鋰輝石固體溶液（点-Ll2〇 · Al2〇3· 4si〇2固體溶液）之混合物爲主晶相。本發明另一層面中，該磁性資訊記憶媒體基板之玻璃陶资包含51〇2-八12〇.：(-1^2〇系統玻璃陶瓷，具有万_石英固體溶液（/? -SiCh固體溶液）或召-石英固體溶液（冷_Si〇2固體溶液）與/?-經輝石固體溶液（/?_Li:〇 . a1：?〇3· 4Si〇，固體溶液）之混合物之主晶相，該点_石英固體溶液及0 _鋰輝石固體溶液之晶粒直徑介於200埃至5000埃範圍内。本發明另一個層面中，磁性資訊記憶媒體基板之破璃陶瓷之表面糖度（Ra)介於1埃至5埃範園内。本發明另一個層面中’該玻璃陶瓷係藉著使由具有以下重量百分比之成份之基質玻璃進行熱處理而得到： -Si〇2+ P 2〇 5 其中Si〇2 P2〇5 Al2〇3 -12- 本紙張尺度適用中國國家標绛（CNS ) Λ4規格（2!〇X297公t ) 裝------IT------ii **- .< -(請先閲讀背面之注項再填艿本頁) , 434195 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 Α7 Β7 、發明説明（10 ) Li2〇 + Mg〇 + ZnO 4.0-6.5% 其中Li 20 3 - 5 % Mg 0 0.6 - 2 % ZnO 0.5-2% CaO+BaO 0,5-5% 其中CaO 0 - 4 % BaO 0.5-3% Ti02 1 - 4 % Zr02 1 - 4 % A s 2 〇 3 0 - 2 % Sb20., 0 - 2 % 其中P2〇5相對於Si02 之重量比介於〇· l〇及0.17之間，該玻璃闽瓷或含有/?-石英固體溶液（冷固體溶液）或P _石英固體溶液（/? - s i 0 2 固體溶液）與y?-鋰輝石固體溶液（万— Li2〇 · Al2〇3 · 4SiO 2固體溶液）之混合物之主晶相。本發明另一個層面中，該玻璃陶瓷係藉著使由具有以下重里百刀比之成份組成之基質玻璃進行熱處理而製得： Si〇2+ P 2〇 5 5 6 - 6 5 % 其中Si02 5 0 - 6 0 % P2O5 6 - 1 0 % -Al2〇3 2 2 - 2 6 % Li20 + Mg0 + Zn0 » 4.0-6.5% 其中Li20 3 - 5 % MgO 0.6-2% 'I - - m (1 - - I^衣 I I 广 f ί請先聞讀背面之注意事項再續巧本K ) 訂線 ___ - 13- 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Λ4規格（2ΙΟ·〆297公漦） B7 五、發明説明（11 ) ΖηΟ 0.5 - 2 % C a 0 + B a 0 0.5-5% 中CaO 0 - 4 % BaO 0.5-3% Ti02 1 - 4 % Z r02 1 - 4 % A S 2 0 3 0 - 2 % S b 2 0 3 0 - 2 % V20 5+CoO + NiO + Cr203 + CuO 1 - 4 % V 2〇 5 0 - 3 % C o 〇 0 - 3 % NiO 〇 - 3 % C r 2 0 3 0 · 3 % C u 〇 0 - 3 % 其中P2〇5相對於Si〇2之重量比介於0.10及0.17之間，該破璃陶瓷含有/5 -石英固體溶液（/5 - Si〇2固體溶液）或点-石英固體溶液（/5 - S i 0 2固體溶液）與/5 -裡輝石固體溶液（点__ L i 2 0 · A12 〇 3 · 4 S i 0 2固體溶液）之混合物之主晶相。 -濟部中央椟隼局員工消費合作社印製本發明另一層面中，該玻璃陶瓷係藉著使玻璃材料这化、成型並退火，成型之基質玻璃於65 0 °C至75 0 °C溫度範固内進行熱處理以製造晶核，於750 °C至950 °C溫度範圍内進行熱處理以使之結晶而製得，在- 6〇°C至+ 60(TC溫度範团内之熱膨脹係數係介於-1 0 X 1 〇-7/ °c及+ 2 ο X 1 0 -7/ °C 範園内。 ______ - 14j_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X29?公釐） 434)§§ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（12 ) 本發明另一層面中’提供一種磁性資訊記憶媒體，其係於具有前述特色之玻璃陶瓷基板上形成磁性媒體薄膜。發明詳述本發明玻璃陶瓷基板之组成係根據基質玻璃中之氧化物組成表示。前述各成份含量範園係根據以下原因而選擇。

Si〇2成分係爲重要成分，當基質玻璃進行熱處理時，產生0 -石英固體溶液（/? _Si〇2溶液）及0 _鋰輝石固體溶液 (y? -Li20 · A1 20 3 · 48丨〇2固體溶液）主晶相。若此成份含量低於5 0 %，則玻璃陶瓷中產生之結晶不穩定，其結構易 *史成太粗’使機械強度降低’而磨光後表面糖度高。若此成份含量超過6 0 % ’則難以熔化以形成基質玻璃。 P2〇 5成份在與Si〇2成份共存時可改善熔化性質及基質玻璃之澄清度。若此成份之含量低於6 %，則無法達到此種效果，若此成份含量超過1 〇%，則基質玻璃中產生反玻璃化現象，而玻璃陶瓷之组織變粗。爲了達到最高效果，Si〇2 成份及P 2〇 5之總含量應介於5 6 - 6 5 %範圍内，而p 2〇 5相對於Si 02之重量比應介於〇. 1 〇及〇丨7之間。 A丨2〇 3改善玻璃陶瓷之熔化性質及化學耐受性。若此成份含量低於2 2 %，則基質玻璃變成難以熔化，而無法達到充分之化學耐受性。若此成分含量超過2 6 %，則破壞熔化性質，而造成反玻璃化。 L^O、MgO及ZnO三成份爲構成卢-石英固體溶液結晶之重要成份》此等成份與Si〇2及P 2〇 5成份之有限效果並存時改善玻璃陶瓷之低熱膨脹特性，並改善基質玻璃之熔化 __ - 15- 本紙張尺度適用中國园家標準（CNS ) A4規格（210^7公楚) ~~~ .I ί ^ 裝 *1τ------線 f請先聞讀背面之注意事項再填艿本·頁) - 3 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 4195，五、發明説明（13 ) 性質及澄清度。若L ia〇成份含量低於3 %，則無法達成此等效果，此外，可述主要晶相之析出產生困難。若此成份含量超過5%，則無法達到低熱膨脹係數，而破壞基質玻璃之反玻璃化。若Mg〇成份含量低於〇 6%，則無法達到前述效果，若此成份含量超過2%，則無法達到低熱膨脹特性。右Ζ η Ο成份含量低於0.5 % ,則無法達成前述效果，若此成份含量超過2 %，則無法達到低熱膨脹特性，而破壞該基質玻璃之反玻璃化。爲了達到最高效果，Li2〇、Mg〇及 Ζ η 0成份之總量應介於4 · 〇 _ 6.5 %範園内。

CaO及BaO成份在玻璃陶瓷中結晶析出後以玻璃基質形式保留。此等成份對晶相與玻璃基質間之細部調整極爲重要。若CaO成份超過4%，則無法產生主晶相，此外，基質玻璃中產生反玻璃化現象。若B a 0成份含量低於0 5 %，則無法達到此種效果，苦此成份含量超過3%，則破壞基質玻璃之熔化性質而造成反玻璃化。爲了達到最高效果，c a 〇及B a 0之總量應介於〇. 5 - 5 %範園内。 ΤΊ〇2及Zr〇2成份爲必要之核化劑s若各成份之含量低於 1 % ’則無法析出所期望之晶相，若各成份含量超過4 % , 則破壞基質玻璃之熔化性質，而造成未熔化部分。可於玻璃溶化時添加A s2 03及S b 2 0 3充作精製劑，以得到均勻產品。添加高達2 %之各成份即已足夠。於本發明中，若於著陸區中形成隆突或低陷係藉雷射二極體泵動固態雷射達成’則需添加著色劑以吸收雷射光束。若該隆突或沉陷係藉C 0 2雷射形成，則不必添加著色 ___-16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（2IOX 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印^ 4341 9g 五、發明説明（14 ) 劑，但C〇2雷射可照射於含有著色劑之系統上。於本發明中，使用V2〇5、c〇〇、Ni〇、cr2〇3及CuO中至少一種成份充作著色劑。若各成份含量超過3 %，則結晶成長易具有大直徑，而基負玻璃中產生反玻璃化。若各成份之總含量低於丨％，則無法達到本發明所需之透光百分比，故雷射加工有困難。若各成份之總含量超過4 %，則破壞基質破璃中之反玻璃化，而難以大量生產3 已發現在不使用過高雷射能量充分加熱時，使用波長介於0.2微米-〇,6微米範圍内或介於1〇5微米_1〇4微米範圍内之雷射二極體泵動固態雷射時，於〇 635毫米厚度下產生 0 %至1 0 %之適當透光百分比。使用在此範圍内之透光百分比，雷射光束照射時間可保持最小値，結果，不會於基板表面部分產生過高之應力，以穩定地形成隆突或沉陷，而可大量製造該基板。製造供磁性資訊圮憶媒體使用之玻璃陶瓷基板時，具有 fli述組成之基質玻璃進行熱處理及/或冷成型，於65〇。〇至75 0°C溫度範圍内熱處理以產生晶核，而於75(Γ(：至95〇 C溫度範園内熱處裡以結晶化。藉熱處理所得之玻璃陶瓷的主晶相係爲0 _石英固體溶液 (Θ - S 102固體溶液）或々-石英固體溶液（冷-s丨〇 2固體溶液）與/?-鋰輝石固體溶液（；5礼丨2〇 · Ah〇3· 4Si〇2固體溶液） <混合物=此等晶粒具有球形晶粒結構，含有著色劑之系統及不含著色劑之系統的粒徑介於200埃至5000埃範圍 -___ - 17- 本紙張尺度適则規格（2lGX297公t)-—-- --------------1T1 -------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局貝工消费合作社印製門战现堝间竞在-6(TC至+60(rc广

勑八菸1〇小广《〜 , m度乾園内之熱膨脹A 數介心-10 C及2〇x α-7/丨範園内。由前述熱處理所得之玻璃陶瓷進表面糙度（Ra)介於丨埃及5埃範石先處理，產4 使用之玻璃陶瓷基板。郷κ ju己憶媒沿若爲著陸區域系統，則該破璃陶完二極體泵動固態雷射或ip 埤干精田普田射進行形成隆突或驟。 ^ 此情況下雷射二極體菜動固態雷射波長限制毅2微米至〇‘6微米或K05微米至“ο微米。照射此波長之雷射，在& 士介相微米至200微米範圍内之間隔上之著陸區内形成高度介於50埃至3GG埃範圍内而表㈣度…）介於1〇埃至 50埃範圍内之隆突及沉陷。因此，產生供磁性資訊記憶媒體使用之玻墒陶瓷基板，如阉丨所示，具有著陸區域，其具有问度介於50埃至300埃範圍内之隆突或沉陷，及具有優越光滑表面之數據區。於圖1中，玻璃陶乾基板丨具有著陸區域j ,其位於中心開口 5之外，及數據區域2 ,其位於著陸區域3之外。參考字母4表示在著陸區3外部形成而稱爲••環” < 邵分。圖2顯示在著陸區域中所形成之隆突或沉陷的形狀。圖3顯示在著陸區域中所形成之隆突的形狀。圖4顯不著陸區域中所形成之隆突或沉陷之間隔。圖5顯示著陸區域中所形成之隆突或沉陷的高度。一般用於材料之諸如裁切、焊接及微處理之表面變化的雷射可分爲Ar雷射、C〇2雷射、激勵雷射及雷射二極體泵 -18- 本紙诙尺度適用中囷國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公楚) n I I j 1 I 1 — 1 I I - · (請先閱讀背面之注意事^再从寫本頁) 3 A7 B7 16 克、發明说明（動固態雷射。已發現於本發明玻璃陶瓷之雷射處理中，適當雷射限於雷射二極體泵動固態雷射及c 〇 2雷射，因爲A r 雷射及激勵雷射因爲像化材料之噴錢而產生不適當之形狀缺陷。藉雷射二極體泵動固態雷射或C 〇 2雷射於著陸區域中形成隆突或沉陷時，磨光之玻璃陶瓷基板係於被主軸失住之情沉下旋轉，脈衝雷射光束垂直照射於位於預定間隔處之著陸區表面上。照射脈衝雷射時’若爲雷射二極體泵動固態雷射，則使用介於2微米至50微米範圍内之點直徑，而c〇2雷射使用介於1 5微米及5 0微米範圍内之點直徑。雷射照射條件，諸如雷射輸出及脈衝寬度，係根據加工下之玻璃陶瓷组成控制。影響基板表面上由照射雷射先東形成隆突或沉陷之主要條件有··（ 1)雷射輸出、（2 )雷射脈衝長度及（3 )雷射點直徑’即基板表面上之照射面積。就使用雷射二極體泵動固態雷射之基板材料而言，於所用雷射波長（0.2微米-〇. 6微米或】.05微米-1.40微米）之吸光特性、於所用雷射波長下之低透光百分比係爲最重因素。例如，由未長出結晶之一般玻璃所製造之基板無法選擇性地吸收雷射二極體泵動固起雷射之波長’故基板表面未被加熱，而無法形成隆突或沉陷。於著陸區中藉雷射處理產生隆突或沉陷之玻璃陶瓷基板隨後進行已知之薄膜形成法，以形成高記綠密度磁性資訊 -19 表紙诀尺度適用中國國家標準（CNS ) 格（210X 297公釐）參1τ------'^ *· (請先閱讀背面之注意事項再好寫本頁) . 玆濟部肀矣捸準局員工消资合作社印裂經濟部中央標嗥局—工消费合作社印製 A7 ---- 五、發明説明（17 ) 1己憶媒體。詳言之，玻璃陶瓷基板於眞空中加熱，隨之藉濺射法塗覆鉻中間層 '鈷合金磁性層及碳保護層，隨後再於保護層表面上塗覆潤滑物質層，以產生磁性資訊記憶媒體。茲參照附圖描述本發明實例於下文。附圖簡述於附圖中，圖1係爲在本發明磁性資訊記憶媒體使用之玻璃陶瓷基板之中心開口外侧面所形成之著陸區及數據區之狀態的上視平面圖：圖2係爲顯示位於著陸區域中之隆突及沉陷之形狀的剖面圖：圖3係爲顯示著陸區中隆突之形狀的剖面圖：圖4係爲顯示著陸區中之隆突與沉陷之間隔的剖面圖：圖5係爲顯示著陸區中隆突與沉陷之高度的剖面圖；圖6顯示本發明實施例2玻璃陶瓷於η F蝕刻後之結晶結構的SEM(掃描式電子顯微鏡）影像：圖7顯示先前技藝玻璃陶瓷於H F蝕刻後之對照例2結晶結構之S Ε Μ影像：圖8係爲使用雷射二極體泵動固態雷射（雷射波長1.064微米之Nd-YAG雷射）照射雷射光束後之實施例2之隆突及沉陷之SEM影像：圖9係爲實施例1使用C 0 2雷射照射雷射光束後之隆突的 SEM影像： -20- 本紙张尺度適用中國囤家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公t ) ---------择------1τ------0 * (請先閱讀背面之注意事項再本頁) · 43 4· Α7 Β7 五、發明説明（18 圖10爲先前技藝經铭梦酸鹽化學性回火之玻璃使用雷射 ~極體細態雷射(雷射波長0.266微米之Nd_YAG雷射) 照射雷射光束後之s E Μ影像：圖u係爲實施例m據區之AFM(原子力顯微鏡）影像及表-面糙度（R a): 圖丨2爲顯示著陸區域系統之資訊記憶裝置的略圖，其中磁頭之啓動及停止皆於著陸區中退行；且圖1 3爲顯示接線式載入系統之資訊記憶裝置之略圖，其中磁頭之啓減終止係於位於磁性資訊記憶媒體外侧之區域中進行。貫施例表1至4顯示本發明著陸區域系統之磁性資訊記憶媒體基板之组成實例（編號1至9)，先前技藝Li2〇_Si〇2系統玻璃陶瓷兩對照例（對照例丨爲日本專利公開申請案第sh〇 62_ 72547唬，對照例2爲日本專利公開申請案第sh〇 63_ 2^0039號），同時列出核化溫度、結晶溫度、玻璃陶竞顏色外觀、主晶相、晶粒直扠、晶粒形狀、雷射波長〇 2微米 -0.6微米及1.05微米-1.40微米於0.63 5毫米之板厚下之平均透光度百分比、用以形成著陸區域之雷射類型、所用波長、藉照射雷射所形成之隆突或沉陷之高度 '著陸區域之表面糙度（Ra)、數據區於磨光後之表面糙度（Ra)、及玻璃基板之熱膨脹係數。 ___-21 - 本紙掁尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4^格（210X 297公釐） ^, —irI -------坡" * (請先閱讀背面之注意事項再本頁) ‘ * 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4^41 95 A7 B7五、發明説明（19 ) 表1 實施例經濟部中央標準局負工消費合作社印t 1 2 3 Si〇2 55.0 54.0 53.0 P2〇5 8.0 8.0 7.0 AI2O3 24.0 24.0 23.0 Li20 4.0 4.0 4.0 MgO 1.0 1.0 0.7 ZnO 0.5 0.5 0.8 CaO 1.0 1.0 1.0 BaO 1.0 1.0 1.0 Ti02 2.5 2.5 2.3 Zr02 2.0 2.0 1.8 As2〇3 1.0 1.0 Sb203 1.0 V205 1.0 0.4 CoO 1.5 NiO 1.5 Cr203 1.0 CuO 核化溫度(°C) 750 730 700 結晶溫度（c) 800 900 850 顏色外觀透明黑色黑色 -22- 本纸張尺度通用中國囷家標準·（ CMS ) A4規格（210X 297公釐） (諳先閲讀背面之注意事項再續寫本頁) 4341 §§ ^ A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 表1 (續）實施例經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1 晶相及粒徑 /?-石英固體溶液 25〇A /5-石英固體溶液 32〇Α /5-石英固體溶液 1500A /3 -链輝石 looo A 晶粒形狀球型球型球型 (於0.635毫米厚度下之平均透光百分比） 0.2 μ mji.0.6 μ m 80% 0% 0% 1.05// m至 1,4/j m 90% 0% 0% 雷射類型 C02 Nd:YAG Nd:YV04 波長 10.5 μ m 1.064/i m 1.064 μ m 隆突或沉陷高度 15〇Α 200人 120 A 著路區表面糙度 14Α 16A 13A (Ra) 數據區表面糙度 2Α 3 A lA (Ra) 熱膨脹係數(χ10_7 °C ) (-60°C - +600°C) 2 10 15 ---------參------1T-------^ r (請先閲讀背面之注意事項再本頁) - -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS .) A4規格（210X297公釐） 4341 at B7 五、發明説明（21 ) 表2 實施例經濟部中央標準局負工消費合作枉印製 4 5 6 Si02 55.0 53.0 58.0 P2〇5 7.0 7.0 6.5 Ai2〇3 24.0 23.0 22.5 Li20 4.0 3.8 4.2 MgO 1.0 0.6 0.7 ZnO 1.0 0.6 0.5 CaO 1.5 1.0 0.5 BaO 1.0 0.8 0.7 Ti〇2 2.5 2.3 2.0 Zr02 2.0 1.8 1.5 ASlO-! 1.0 Sb203 1.0 0.8 V2〇5 1.0 1.0 CoO 2.0 NiO 1.5 0.5 Cr2〇3 0.5 0,4 CuO 0,3 \ 核化溫度(°C) 740 730 750 結晶溫度（c) 830 920 880 顏色外觀透明黑色黑色 (請先閱讀背面之注意事項再頊寫本寅) -裝

-1T 線 _- 74 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) /V)規格（2丨Ο X 297公益） 4341 A7 B? 五、發明説明（22 ) 表2 (續）實施例經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 4 5 6 晶相及粒伐召-石英固體溶液 300A 点-石英固體溶液 500A 石英固體溶液 600A 卢-鋰輝石 /?-鋰輝石 3000A 4000A 晶粒形狀球型球型球型於0.635毫米厚度下之平均透光百分比 0‘2// m至0.6/i m 81% 0% 0% 1.05 μ m至 1.4# m 93% 0% 8% 雷射類型 C〇2 Nd:YAG Nd:YV04 波長 10.5 μ m 1.064 μ m 0.532 μ m 隆突或沉陷高度 200A 3 00A 500A 著路區表面糙度 18A 25λ 4〇A (Ra) 數據區表面糙度 5人 4A 3λ ㈣熱膨脹係數(xl〇_7°C ) (-60°C -+600°C) 8 15 18 -25- 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ---------种衣------π------線 Τ (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} . 4341 A7 B7 經濟部中央標準扃貝工消费合作社印51 五、發明説明（23 ) 表3 1 1 1 I 7 實施例 8 9 請 Aj 閱讀背 1 1 1 Si02 54.0 56.5 55.0 ,I P2O5 7.5 7.5 7.0 冬 1 1 A120, 24.0 23.5 23.0 意事項再 Η 1 i 1 Li20 4.0 4.0 4.0 1 ! MgO 1.0 1.5 1.5 寫本頁裝 | ZnO 0.5 0.5 0.5 1 1 CaO 1.0 1 1 BaO 1.0 1.0 1.0 1 I Ti02 2.5 2.5 2.5 1 訂 Ζ1Ό2 2.0 2.0 2.0 1 I AS2〇^ 1.0 1.0 1.0 ! J Sb2〇3 1 1 V205 1.0 2.0 1 線 CoO 0.5 1 NiO 0.5 1 I Ct2〇3 Ί I CuO [ <1 核化溫度fC) 730 750 740 1 [ 結晶溫度（c) 900 825 860 1 I 顏色外觀黑色透明黑色 f 1 1 1 -26- 1 I 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（) 表3 (續）實施例經濟部中央標準局員工消贽合作社印製 7 8 9 晶相及粒fe 点-石英固體溶液 320A 卢-石英固體溶液 240人点-石英固體溶液 400A 鋰輝石 cv -方石英 1〇〇〇 A 晶粒形狀球型球型球型於0.635毫米厚度下之平均透光百分比 0‘2/乂111至0.0"111 0% 81% 0% 1.05" m至 1.4" m 0% 92% 0% 雷射類型 Nd:YAG C02 Nd:YV04 波長 0.266 μ m 10,5 μ m 1.064// m 隆突或沉陷高度 200入 15〇A 25〇A 著路區之表面経度 17A 15A 22k (Ra) 數據區之表面糙度 2A 3A 4A (Ra) 熱膨脹係數(xl0_7t：) (-60°C - +600UC) 10 5 10 (請先閲讀背面之注意事項再4窍本頁) -27 - 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐} 經濟部中央標準局負工消资合作社印11 A7 B7 五、發明説明（25 ) 表4 對照例 1 2 Si〇2 71.0 82.0 P2〇5 1.9 2.5 ai2〇j 9.6 3.1 Li20 12.0 8.5 MgO 1.5 ZnO CaO 0.4 BaO Ti02 Zr02 As^O, 0.3 Sb203

Na20 3.8 Na20 1.6 SrO 0.4 K20 3.6 PbO 0.9 核化溫度(°C) 550 540 結晶溫度(°c) 780 800 顏色外觀白色白色 -28- (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 4341 a7 B7 五、發明説明（26 ) 表4(續）對照例經濟部中央標準局員工消費合作社印製晶相及粒徑 Li2Si205 Li2Si205 \.2μ Μ 1.5y Μ 方石英 α -方石英 0.5 u m 0.3 μ m 晶粒形狀 Ll2Si2〇5 Li2Si2〇5 針狀針狀 π -方石英 π-方石英針狀針狀於0.635毫米厚度下之平均透光百分比 0.2y m至0.6/j m 45% 48% 1.05 /i m 至 1.4,« m 87% 86% 雷射類型波長隆突或沉陷高度著路區表面糙度(Ra) 數據區表面糙度(Ra) 14Α > 12Α 熱膨脹係數(xI0_7°C) (-60°C -+600°C) 110 115 -29- (請先閱讀背面之注意事項再坺寫本頁} 本紙ί長尺度適用中國國家標準（CMS ) A4現格（210X297公釐） A7 B7 27 五、發明説明（製造前述實施例之玻璃陶瓷基板時，混合包括氧化物、碳酸鹽及硝酸鹽之材料，並於約145Ο T：至約1 500 DC溫度範圍内於習用熔化裝置中熔化。熔化之玻璃授拌均勻，之後形成碟狀’退火產生成型玻璃。之後，該成型玻璃於7〇〇 °C至750°C溫度範圍内進行熱處理以產生晶核，隨後於8〇〇 eC至920 °C之溫度範圍内進行熱處理以結晶而產生所需之玻璃陶瓷。之後，此玻璃陶瓷使用平均粒徑介於5 〇微米至 3 0微米範圍内之磨光晶粒磨光’最後以平均粒徑介於〇 2 Μ米至2微米範圍内之乳化錦磨光。之後，於著陸區中形成隆突或沉陷時，經磨光之玻璃陶瓷使用雷射二極體泵動固態雷射或固定於定位之C〇2雷射及於旋轉玻璃陶瓷基板下照射之脈衝雷射進行雷射處理。脈衝雷射之照射係根據玻璃陶瓷基板之特定組成使用適當控制之諸如雷射波長、雷射輸出' 雷射光點直徑、焦點及雷射脈寬寬度等條件進行c 實施例卜9中，著陸區及數據區之表面糙度（Ra)及著陸區之隆突或沉陷之高度係以A F M (原予力顯微鏡）測定。如表1至4及圖6及7所示，本發明實施例及先前技藝 Li2〇-Si〇2系統之對照例之晶相及晶粒形狀彼此完全相異。於本發明破璃陶瓷中，0 _石英固體溶液及p _鋰輝石固體溶液具有晶粒直徑小之球形晶粒結構。相對地，於對照例1及2 (玻璃陶瓷中，二矽酸鋰結晶具有1 〇微米或更大之大粒徑之針狀晶粒結構。於需要較光滑表面之情況下，此種晶粒結構及對照例之粒徑於磨光後對表面糙度有 ____________ - 30- 本紙狀度適用中國國家標^-·一~- ---------奸衣------、玎------0 - .- (請先閱讀背面之ii意事項再.¾寫本頁) - 經濟部中央標準局員工消t合作社印製經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 4341 A7 B7 五、發明説明（28 ) 負面之影響，因爲晶粒脱離基板而產生缺陷。因此，對明例1及2之玻璃陶瓷中難以得到1 2埃或較低之表面糙度。就圖8至10所示之表面糙度而言，用以形成具有如圖8及 9所示之均勻所需形狀之隆突或沉陷之雷射加工可於本發明玻璃陶瓷基板中進行，與先前技藝鋁基板及經化學回火之玻璃基板所製造之缺陷相反。如圖顯示先前技藝銘沙 8¾鹽玻璃（Si〇2-Al2〇3-Na2〇 · K20離子交換）所示，該叙碎酸鹽玻璃於雷射加工後具有不穩定不均勻表面狀態β於圖10所示之經鋁矽酸鹽化學回火之玻璃中，使用雷射波長 1-064微米及0.523微米之雷射二極體泵動固態雷射 (N d : Y A G )照射未能充分加熱，於〇 266微米波長下進行雷射加工。結果爲圖i 〇所示之不穩定不均勻表面狀態。本發明玻璃陶瓷之耐熱性優於非晶狀態之化學回火破璃’其回火表層與未回火中問層之間無應變改變，此係經化學回火之玻璃所特有，而具有可防止微裂紋增長之晶相’該裂紋係由各種外力所造成，综合此等優點之結果’ 具有藉雷射光束照射以形成隆突或沉陷之改良性質。圖12顯示著陸區域系統之資訊記憶裝置（例如個人電腦之硬碟裝置），爲採用本發明磁性資訊記憶媒體之實例。於圖12中，磁性資訊記憶媒體丨具有數據區域2及著陸區域3。磁性資訊記憶媒體丨旋轉放置於資訊記憶裝置6上。磁顽7迴轉馱置於磁性資訊記憶裝置6上。磁頭7於著陸區3 中啓動，於低飛高度狀態下或於接觸狀態下，於數據區2 中記綠或複製數據，之後回到著陸區3並停止。 __ _-31 - 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS ) Λ4現格（210X297公沒1 " —-----— I n I I 訂 I . 線 ,(請先閲讀背面之注意事項再垆寫本頁) · A7 B7 五、發明説明（29 可使用著陸系統之磁性資訊記憶媒體基板之實例，而不使用雷射進行處理以形成著陸區域，以作爲接線式载入系統之磁性資訊記憶媒體。圖1 3顯示使用接線式載入系統之磁性資訊記憶媒體之資訊記憶裝置（例如個人電腦之硬碟裝置）。於圖13中，與圖12相同之零件以相同參考編號表示，而省略其描述。於此系統中，磁頭7之啓動及終止係於所說明之磁性資訊記憶媒體1之外侧區中進行。詳士之，磁頭7 於所説明磁性資訊記憶媒體1之外侧區域中啓動，於低飛高度狀態下或於接觸狀態下於數據區2中記錄或複製該數據，之後回到該磁性資訊記憶媒體1之外側區域中並停止。 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 裝

'1T 線經濟部中央標準局負工消费合作社印製 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4^格（210X 297公釐）

Claims

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第86116271號專利申請案 AS 中文申請專利範圍修正本（89年11月申請專利範圍種供磁性資訊1己憶媒體使用之玻璃陶瓷基板，其包含 I _ I In - - - - ^^1 ^^1 I X衣 — I - - - - - - 1—1 <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) Si〇2-Al2〇3-Li2〇系統破璃陶瓷，且主要结晶相為（1) 沒-石英固體溶液（召- Si〇2固體溶液）；或（2)召_石英固體洛液（召_Si〇2固體溶液）與冷_鋰輝石固體溶液 Li2〇 · Al2〇3 · 4Si〇2®體溶液）之混合物，其中該沒_ 石英固體溶液及万-鋰輝石固體溶液之晶粒的直徑介於 200埃至5000埃範圍内’藉由將前述晶粒之直徑限制於前述範園内，可大幅降低玻璃陶瓷基_表面粗度，而大幅提高前述磁性資訊記憶媒體的資爲^_餘密度。 2·根據申請專利範圍第！項之玻璃陶竞基齡其中該基板於磨光後之表面糙度（Ra)係介於！埃至5_固内。 3.根據申請專利範圍第丨項之玻璃陶瓷基板，其具有數據區及著陸區，孩著陸區中藉雷射光束照射而具有多個隆突或沉陷。 4-根據申請專利範圍第3項之玻璃陶瓷基板，其中所用》之雷射係為雷射二極體系動固態雷射。 5_根據申請專利範圍第3項之玻璃陶瓷基板，其中所用之雷射係為C Ο 2。 6·根據申請專利範圍第4項之玻璃陶瓷基板，其中該雷射二極體录動固態雷射之波長係介於〇·2微米_ 〇 6微米範園内或在1.05微米-】.40微米範圍内。 7.根據申請專利範圍第6項之玻璃陶资基板，其中波長介於〇,2微米-0.6微米範_或介於1〇5微米_14〇微米範圍内< 雷射二極體泵動之固態雷射於〇 635毫米之透射百分本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A—公嫠） ABCD 經濟部中央榡隼局員工消費合作社印^ 申請專利範圍比係為0 %至1 〇 %。 8, 根據申請專利範圍第3至5項中任一項之玻璃陶資基板，其中該數據區磨光表面之表面糙度（Ra)係介於丨埃至5埃範圍内，藉著於著陸區中照射雷射光束以形成多數隆突或/儿陷’隆突或沉陷之高度介於5〇埃至3〇〇埃範圍内，著陸區域之表面糙度（Ra)介於1〇埃至5〇埃範圍内，而隆突或沉陷的間隔介於1 〇微米至2〇〇微米範圍内。 9. 根據申請專利範圍第丨至2項中任一項之玻璃陶瓷基板，其中該玻璃陶瓷係藉著使由具有以下重量百分比之成份之基質玻璃進行熱處理而得到： Si〇2+P205 5 6 - 6 5 % 其申Si02 5 0 - 6 0 % P205 6 -1 0 % A 1 2 0 3 2 2 - 2 6 % Li20 + Mg0 + Zn0 4.0-6.5% 其中Li20 3 - 5 % MgO 0.6-2% ZnO 0.5-2% CaO+BaO 0.5-5% 其中CaO 0-4% BaO 0.5-3% 丁 i02 1 - 4 % Zr 02 1 - 4 % A s 2〇 3 0 - 2 % -2- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -1^^^— I m ^^^1 ^^^1 · I i ---1 n^i-*J U3. 、τ * (請先閲讀背面之注意ί項再填寫本頁) SB - A8 Eg C8 D8 六、申請專利範圍 Sb20 3 Ο - 2 % 其中Ρ2〇5相對於SiCh之重量比介於0.10及0·17之間，該玻璃陶瓷含有石英固體溶液（/g-Si〇2固體溶液）或召_ 石英固體溶液（/S-Si02固體溶液）與冷-鋰輝石固體溶液 (石-U2〇 · Al2〇3 · 4Si02固體溶液）之混合物之主晶相。 10.根據申請專利範圍第1項之玻璃陶瓷基板，其中該玻璃陶瓷係藉著使由具有以下重量百分比之成份组成之基質玻璃進行熱處理而製得： -----I--—装— I (請先間讀背面之注意事項再填寫本萸) 鯉濟部中央榡隼局員工消費合作社印製 Si02 + P205 5 6 - 6 5 % 其中Si02 5 0 - 6 0 % P205 6 - 1 0 % A 1 2 0 3 2 2 - 2 6 % Li20 + Mg0 + Zn0 4.0-6.5 % 其中Li20 3 - 5 % MgO 0.6-2% ZnO 0.5-2% C aO + B aO 0.5-5% 其中CaO 0 - 4 % BaO 0.5-3% Ti02 1 - 4 % Z r 0 2 1 - 4 % A S 2 〇 3 0 - 2 % Sb203 0 - 2 % 111 -3 - 本紙俵尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 434?, A8 BS C8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印製六、申請專利範圍 V2〇5 + C〇〇 + NiO + Cr203+CuOV2〇5 CoO NiO C r20 3 CuO 1 - 4 % 0 - 3 % 0 - 3 % 0 - 3 % 0 - 3 % 0 - 3 % 其中？2〇5相對於Si〇2之重量比係介於〇.1〇及〇 17之間，該玻璃陶瓷含有召-石英固體溶液（召_ s i 〇 2固體溶液）或沒-石英固體溶液（办- Si〇2固體溶液）與泠-鋰輝石固體溶液（卢-Li20 · A120 3 · 4 S i Ο 2固體溶液）之混合物之主晶相。 11·根據申晴專利範圍第1項之玻璃陶瓷基板，其中該玻璃陶瓷係藉著使玻璃材料熔化、成型並退火，並使成型之基質玻璃於650°C至750°C溫度範圍内進行熱處理以製造晶核，於750 eC至950 °C溫度範圍内進行熱處理以使之結晶而製得，在-6 0 °C至+ 600 °C溫度範圍内之熱膨脹係數係介於-10X10_7/°C及+ 20X1(T7/°C範圍内。 12. —種磁性資訊記憶媒體，其係於根據申請專利範圍第1項之玻璃陶瓷基板上形成磁性媒體薄膜。 -4- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS )八4胡及（210Χ297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· ,1T