KR19980042443A - 자기정보기억 매체용 유리 세라믹 기판 - Google Patents

자기정보기억 매체용 유리 세라믹 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 자기정보기억매체의 램프로딩 방식에 있어서, 자기헤드의 세미-콘택트 레코딩을 가능하게 하고, 또한 랜딩존 방식에서의 자기헤드의 안정부상을 가능하게 함과 동시에 대응한 데이터영역에서의 저부상화를 가능하게 하는 표면특성을 함께 갖춘 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판 및 자기정보기억매체를 제공한다.
SiO2-Al2O3-Li2O계 유리 세라믹으로 되고, 상기 유리 세라믹의 주결정상은 β-석영고용체(β-SiO2고용체) 또는 β-석영교용체와 β-리티아휘석고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)의 혼합물중 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판을 형성한다.

Description

자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판
본 발명은 정보기억장치에 이용되는 자기정보기억매체용 기판, 특히 콘택트 레코딩 방식에 대응한 기판 표면이 개선된 초평활성과 콘택트 스타트 앤드 스톱(CSS) 방식에 대응한 자기정보기억매체와 자기 헤드의 흡착을 방지, 개선한 표면특성을 유리 세라믹으로 된 자기정보기억매체용 기판 및 그 자기정보기억매체용 기판에 박막 형성 프로세스를 행하여 형성된 자기정보기억매체용 기판에 관한 것이다.
퍼스널 컴퓨터의 멀티미디어화와 디지탈 비디오 카메라 등의 형태로 이동 영상이나 음성 등의 데이터가 취급되도록 되고, 대용량의 자기정보기억매체장치가 요구되고 있다. 그 결과 자기정보기억매체는 세로 기록 밀도를 증가시키기 위해, 비트수와 트랙밀도를 증가시키고, 비트 셀의 사이즈를 축소화시킬 필요가 있다. 그것에 대응하여 자기헤드는 비트 셀의 축소화에 맞추어 자기정보기억매체 표면에 보다 근접하여 작동하도록 된다. 이와 같이 자기헤드가 자기정보기억매체 기판에 대하여 저부상상태 또는 세미-콘택트상태에서 작동하는 경우에 자기헤드의 기동 및 정지시에 자기정보기억매체와 자기헤드의 흡착, 그에 따른 자기헤드의 크래쉬 및 자성 박막의 손상을 발생시키고 있다. 이러한 문제에 대하여는, 자기헤드의 기동 및 정지 기술로서, 자기헤드의 기동 및 정지시에 완전하게 자기정보기억매체 기판 표면에서 밖으로 빼내는 기술인 램프 로딩 방식, 또는 자기정보기억매체의 특정부분(디스크 내경측의 미기록 또는 미기입부)에 흡착을 방지하여 자기헤드의 기동이나 정지를 행하는 랜딩존 방식 등의 기술개발이 중요하게 되고 있다. 현재의 자기정보기억매체 장치에 있어서, 자기헤드는, 장치 시동전에는 자기정보기억매체에 접촉하고, 장치 시동시에는 자기정보기억매체에서 부상하는 동작을 되풀이하는 CSS 방식을 행하고 있다. 이때 양쪽의 접촉면이 필요 이상으로 경면(鏡面)에 있으며, 흡착이 발생하여 마찰저항의 증대에 따라 회전 시동이 원활하지 않고, 자기정보기억매체 표면의 손상 등의 문제가 발생한다. 이와 같이 자기정보기억매체는, 기록 용량의 증대에 따라 자기헤드의 저부상화, 및 자기헤드와 자기정보기억매체의 흡착방지화의 상반되는 요구가 요망된다. 이러한 상반되는 요망에 대하여는 자기헤드를 완전히 자기정보기억매체 위에서 밖으로 빼내는 램프 로딩 기술이나 자기정보기억매체의 특정 영역에 자기헤드의 시동 및 정지부를 제작하는 랜딩 존 기술의 개발이 진행되고 있다. 또한, 현재의 고정형 정보기억장치 뿐만 아니라 탈착가능한 정보기억장치가 디지탈 비디오 카메라 등의 용도로 개발되고 있다. 이러한 새로운 기술에 대한 자기정보기억매체용 기판재에는 다음과 같은 특성이 요망되고 있다.
(1) 자기정보기억매체장치의 램프 로딩 방식에 있어서, 자기헤드는 기억용량의 증대에 따라 자기정보기억매체 표면에 대하여 세미콘택트 상태 또는 완전 콘택트 상태로 가동하고, 이런 이유 때문에 자기정보기억매체용 기판재는 자기헤드의 가동을 방해함이 없이 표면조도가 1Å 내지 5Å 이내의 초평활 표면상태에 있음과 동시에 초평활 표면의 연마가공이 충분하게 될 수 있는 것.
(2) 자기정보기억매체 장치의 랜딩 존 방식에 있어서, 랜딩 영역(자기헤드의 시동 및 정지부)은 자기헤드의 흡착을 충분히 방지할 수 있는 표면상태에 있는 것이다. 이때 자기정보기억매체 기판은 레이저 다이오드 여기 고체 레이저(laser diode pumped solid-state laser) 또는 CO2레이저에 의한 요철(凹凸) 또는 돌기의 형성이 용이하게 될 수 있는 것.
(3) 자기정보기억매체 장치의 랜딩 존 방식에 있어서, 랜딩 존에서의 CSS 특성에 있어서, 랜딩 영역의 표면상태는, 그 요철 또는 돌기가 50Å 이하의 매끄러운 표면에서는, 고속회전에 의해 일어나는 접촉저항의 증대에 따라 헤드와 자기정보기억매체 표면과의 흡착이 발생하는 한편, 표면상태의 요철 또는 돌기가 300Å 이상의 거친 표면에서는, 헤드 크러쉬 등을 발생시키기 때문에 랜딩영역의 표면상태는 요철 또는 돌기가 50Å 내지 300Å의 높이에 있을 필요가 있고, 그 요철 또는 돌기의 간격이 10㎛ 내지 200㎛로 제어됨과 동시에 표면조도(Ra)가 10㎛ 내지 50㎛으로 제어된 표면상태에 있는 것.
(4) 자기정보기억매체의 기록밀도향상에 따라 헤드의 부상량이 0.025㎛ 이하로 감소되는 경향이 있기 때문에, 자기정보기억매체 표면의 데이터 영역은 그 헤드 부상량을 가능하게 하는 표면조도(Ra)가 1Å 내지 5Å인 것.
(5) 자기정보기억매체 기판재는 세로 기록 밀도 향상에 따라 재료에 결정 이방성, 이물질, 결함이 없고, 조직이 치밀하고 균질, 미세한 것.
(6) 고속회전이나 헤드의 접촉 및 제거가능한 정보기억장치와 같은 휴대형장치의 사용으로 충분히 견디어 내는 기계적 강도, 경도를 갖는 것.
(7) 자기정보기억매체의 세로 기록밀도 향상에 따라, 자성 박막의 고정도(高精度)와 미세화(수직형 자기 기록 박막)가 필요하기 때문에, 기판재료중에 Na2O, K2O, B2O3, F, OF기 등을 함유하면, 이들의 이온이 박막 형성 공정중에 확산되어 자성 박막의 특성이 악화되기 때문에 이들 성분을 함유하지 않는 것.
(8) 자기정보기억매체의 기판재는 여러 가지 약품에 의한 세정이나 에칭에 견디는 화학적 내구성을 갖는 것.
(9) 자성박막의 형성에 대하여, 자기정보기억매체용 기판재는 박막형성 공정중에 스퍼터링(sputtering)이나 열처리에 의한 박막 특성을 회피하기 위해 낮은 열팽창 특성(-10×10-7/℃ 내지 +10×10-7/℃)의 범위에 있는 것.
종래의 자기정보기억매체 기판재에는 알루미늄합금이 사용되고 있으나, 알루미늄합금 기판에서는 여러 가지의 재료 결함의 영향에 의해, 연마공정에서의 기판표면의 돌기 또는 스포트상(spot-like)의 요철을 발생시키는 평활성의 측면에서 충분하지 않고, 또한 알루미늄 합금은 부드러운 재질이기 때문에 변형이 일어나기 쉬운 박형화(薄型化)에 대응하는 것이 어렵고, 또한 헤드의 접촉에 의한 변형 손상을 일으켜 미디어를 손상시키는 등, 최근의 기록밀도화에 충분한 대응을 할 수 없다.
또한, 알루미늄합금 기판의 문제를 해소하는 재료로서 화학적으로 강화된 유리인 소듐 라임 글라스(SiO2-CaO-Na2O)와 알루미노 실리케이트 글라스(SiO2-Al2O3-Na2O)가 알려져 있으나, 이 경우 다음과 같은 문제점이 있다:
(1) 연마는 화학적 강화 후에 행해져, 자기정보기억매체의 박판화에서 강화층의 불안정 요소가 높다.
(2) 기판에는 CSS 특성을 향상시키기 위해 기판 표면에 요철을 제작하는 택스쳐(texturing)를 행하지만, 기계적 또는 열적 가공(레이저가공) 등의 처리는 화학강화층의 뒤틀림에 의한 크래킹(cracking) 등을 발생하기 때문에, 케미칼 에칭법이나 스퍼터링(spurrering)법을 행할 필요가 있고, 제품의 낮은 코스트 안정 생산성이 어려운 결점이 있다.
(3) 유리 중에 Na2O, K2O 성분을 필수성분으로 함유하기 때문에 자성박막 특성이 악화되어, 금후의 면기록밀도의 고밀도화에 충분한 대응을 할 수 없다.
또한, 알루미늄합금 기판이나 화학강화 유리에 대하여 몇몇 유리 세마릭 기판이 알려져 있다. 예를 들면, 특개평 6-329440호 공보에 기재된 SiO2-Li2O-MgO-P2O5계 유리 세라믹은 주결정상으로서 이규산리듐(Li2O·2SiO2) 및 α-석영(α-SiO2)를 갖고, α-석영의 구상입자 사이즈를 콘트롤함으로써 종래의 기계적 텍스쳐링 또는 화학적 텍스쳐링을 필요로하지 않고, 연마하여서 된 표면조도(Ra)를 15-50Å의 범위에서 제어를 가능하게 한 기판표면 전체면 텍스쳐재로서 우수한 재료이지만, 목표로하는 표면조도(Ra)는 1-5Å이고, 급속하게 진행되는 기록 용량 향상에 합당한 저부상화에 충분히 대응할 수 없다. 또한, 랜딩영역의 형성에 대한 논의가 전혀 없다.
또한, 특개평7-169048호 공보에는 자기정보기억매체용 기판 표면에 기록영역과 랜딩영역을 형성한 것을 특징으로 하는 SiO2-Li2O계 유리에 감광성 금속인 Au, Ag를 함유하는 감광성 유리 세라믹이 개시되어 있으나, 이 유리 세라믹의 주결정상은 규산리듐(Li2O·SiO2) 및/또는 이규산리듐(Li2O·2SiO2)으로 이루어지고, 특히 규산리듐(Li2O·2SiO2)은 일반적으로 화학적 내구성이 나빠 실용상의 문제가 크다. 또한 랜딩영역의 형성에 대해서는 기체의 일부분(랜딩구역)을 결정화하여 HF 6%의 용액에 의한 화학적 에칭을 행하고 있으나, 자기정보기억매체 기체에 대하여 미결정화부와 결정화부를 형성하는 것은 열적, 기계적으로도 불안정 요소가 많다. 또한, HF에 의한 화학적 에칭에 관해서도 HF 용액의 휘발 등의 문제로 인하여 농도 콘트롤이 어려워 대량생산에 적합하지 않다.
또한, 자기정보기억매체 기판표면에의 랜딩영역 및 데이터영역의 형성에 관하여, 몇몇 기술이 알려져 있다. 예를 들면, 특개평 6-290452호 공보에는 카본 기판에 대하여 523nm 파장의 펄스 레이저(pulsed laser)에 의한 랜딩영역 형성방법이 개시되어 있으나, 이 경우 다음의 문제점이 있다.
(1) 카본 기판은 고압 프레스 및 2600℃ 정도의 고온 소성에 의해 형성체를 얻기 때문에 저코스트로 대량생산이 어렵다.
(2) 카본 기판은 기계적 특성(영률, 파괴강도)이 낮고, 금후의 박형화나 드라이브의 고속회전 사용에 충분히 대응하는 것이 곤란하다.
(3) 랜딩영역의 형성방법은 펄스 레이저에 의한 카본의 산화 및 기화를 이용하는 것이지만, 매우 강한 열산화반응을 일으키는 재료이기 때문에 레이저 가공형성이 불안정하여 재현성에 문제가 있다.
또한, 특개평6-65359호 공보, 미국특허 5062021호 공보에 펄스 레이저에 의한 알루미늄합금 기판의 랜딩영역 형성방법이 개시되어 있으나, 어느 것이나 상기에 기재된 알루미늄합금 기판의 문제가 있고, 알루미늄합금 기판의 레이저에 의한 가공에 관하여 레이저 조사후의 가공면은 금속 특유의 용융부의 산화 및 비말(飛沫)이 남는 결함이 있기 때문에 실용상의 문제가 있다.
또한, 특개소 63-46622호 공보에는 복수의 낮은 열팽창 재료를 사용한 기억매체용 하드 디스크가 개시되어 있으나, 단지 열변형에 대한 논의만이 있고, 사용가능한 재료는 96% 실리카 유리 및 석영 유리가 나타나 있고, 이 재료는 기계적 강도가 매우 적어 실용성이 없고, 또한 사용가능한 재료로 나타낸 유리 세라믹은 어느 것이나 Na2O 성분을 함유하는 일반적으로 알려져 있는 것이고, 본 발명에서 논의되는 고기억밀도화에 필요불가결한 자성박막에 주어지는 문제에 대해서도 전혀 논의된 것이 없다. 또한, 기판표면의 표면조도나 램프로딩기술, 랜딩존기술에 관해서도 전혀 논의된 것이 없다.
또한, 특개평6-92681호 공보 및 특개평8-133783호 공보에는 SiO2-Al2O3-SiO2계 저팽창 투명 유리 세라믹이 개시되어 있으나, 어느 유리 세라믹 재료도 정보기억매체용 기판재로서의 유용성을 알고있지 않고, 특히 기판표면의 초평활성에 대해서는 어떠한 논의도 되어있지 않다. 　
본 발명의 목적은 상기 종래 기술에서 발견된 제반 결점을 해소하고, 금후의 고기억밀도화에 대응한 2종류의 기술, 특히 자기헤드의 램프로방식에 적합한 기판전체면 초평활 표면특성을 갖는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판과 자기헤드의 기동·정지(CSS; 콘택트 스타드 앤드 스톱)부가 존재하는 랜딩영역에서의 자기헤드의 안정부상을 가능하게 함과 동시에 고기억밀도화에 대응한 데이터영역에서의 저부상화를 가능하게 하는 2가지의 표면특성을 갖춘 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판상에 자기 매체의 피막을 형성하여 이루어진 자기정보기억매체를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판의 중심에 있는 구멍의 외측에 형성된 랜딩영역과 데이터영역을 나타낸 평면도이고,
도 2는 랜딩영역에 형성된 요철 형상을 도시하는 단면도이고,
도 3은 랜딩영역에 형성된 돌기 형상을 도시하는 단면도이고,
도 4는 랜딩영역에 형성된 요철 또는 돌기의 간격을 도시하는 단면도이고,
도 5는 랜딩영역에 형성된 요철 또는 돌기의 높이를 도시하는 단면도이고,
도 6은 HF 에칭후 본 발명에 따른 실시예 2의 유리세라믹의 결정구조의 SEM(주사전자현미경; scanning electron microscope)상을 나타내는 사진이고,
도 7은 HF 에칭후 비교예 2의 종래의 유리세라믹의 결정구조의 SEM상을 나타내는 사진이고,
도 8은 레이저 다이오드 여기 고체레이저(1.064㎛의 레이저파장을 가진 레이저 Nd-YAG)에 의한 레이저빔의 조사후 실시예 2의 요철의 SEM 상을 나타내는 사진이고,
도 9은 CO2레이저에 의한 레이저빔의 조사후 실시예 1의 돌기의 SEM상을 나타내는 사진이고,
도 10은 레이저 다이오드 여기 고체레이저(0.266㎛의 레이저파장을 가진 레이저 Nd-YAG)에 의한 레이저빔의 조사후 종래의 알루미노 실리케이트 화학강화 유리의 SEM상을 나타내는 사진이고,
도 11은 실시예 1의 데이터영역의 표면조도(Ra)와 AFM(atomic force microscope)상을 나타내는 사진이고,
도 12는 자기헤드의 기동, 정지를 랜딩영역에서 행하는 랜딩존방식의 정보기억장치를 도시하는 도면이고,
도 13은 자기헤드의 기동, 정지를 자기정보기억매체 기판에서 바깥지역으로 행하는 램프로딩방식의 정보기억장치를 도시하는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1... 유리세라믹기판,2... 데이터영역,3... 랜딩영역,
4... 링,5... 원형구멍,6... 정보기억장치,
7... 자기헤드
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 시험연구를 거듭한 결과, SiO2-Al2O3-Li2O계 또는 이러한 계에 착색제로서 V2O5, CoO, NiO, Cr2O3, CuO 중 적어도 1종을 함유한 유리에 있어서 엄밀히 한정된 열처리온도범위에서 얻어진 유리 세라믹은 그 결정상이 β-석영고용체(β-SiO2고용체) 또는 β-석영교용체(β-SiO2고용체) 및 β-리티아휘석고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)의 혼합결정의 어느 것이 한정되고, 또한 결정입자는 어느 것이나 미세한 구성입자 형체로부터 이루어지고, 연마되어 이루어진 표면조도가 보다 평활성이 우수하다는 점에서, 램프로딩(ramping loading) 방식에 매우 유리한 자기정보기억매체용 유리세라믹이 얻어지는 것을 발견하고, 또한 레이저(레이저 다이오드 여기 고체 레이저나, CO2레이저)가공에 의한 가공특성이 우수하다는 점에서 랜딩존(landing zone) 방식에 매우 유리한 자기정보기억매체용 유리세라믹이 얻어지는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 자기정보기억매체용 유리세라믹은, 자기헤드의 기동·정지를 완전하게 자기정보기억매체 표면에서 바깥쪽으로 행하는 램프로딩(ramp loading) 방식에 대응한, 연마된 표면의 표면조도(Ra)가 1Å 내지 5Å의 범위를 갖는다.
본 발명의 한 태양에 있어서, 랜딩존 기술에 대응한 데이터영역과 랜딩영역을 갖는 자기정보기억매체용 유리세라믹 기판은 그 랜딩영역에서 레이저 빔의 조사에 의해 형성된 요철 또는 돌기를 갖는다.
랜딩존 방식에 의한 경우, 레이저 다이오드(laser diode; LD) 여기 고체 레이저 또는 CO2레이저가 바람직하다.
레이저 다이오드 여기 고체레이저로서, Nd:YAG, Nd:YVO 또는 Nd:YLF 레이저가 사용될 수 있다.
본 발명의 또다른 태양에 있어서, 상기 레이저 다이오드 여기 고체 레이저의 파장은 0.2㎛-0.6㎛의 범위내 이거나 또는 1.05㎛-1.40㎛ 범위내에 있다.
본 발명의 또다른 태양에 있어서, 0.2㎛-0.6㎛의 범위내 또는 1.05㎛-1.40㎛의 범위내 파장의 레이저 다이오드 여기 고체레이저에 의한 광선투과율은 0.635mm의 두께에서 0% 내지 10%이다.
본 발명의 또 다른 태양에 있어서, 데이터 영역의 연마된 표면의 표면조도는 1Å 내지 5Å 범위이고, 랜딩영역에서 레이저 빔의 조사에 의해 다수의 요철 또는 돌기가 형성되어 있고, 형성된 요철 또는 돌기의 높이는 50Å 내지 300Å 범위이며, 랜딩영역의 표면조도(Ra)는 10Å 내지 50Å 범위이다.
본 발명의 또다른 태양에 있어서, 랜딩영역에서 레이저빔의 조사에 의해 형성된 50Å 내지 500Å의 높이를 갖는 요철 또는 돌기의 간격은 10㎛ 내지 200㎛범위내이다.
본 발명의 또다른 태양에 있어서, 자기정보기억매체 기판의 유리-세라믹은 SiO2-Al2O3-Li2O계 유리-세라믹을 포함하고, 그 유리-세라믹의 주요 결정상은 β-석영고용체(β-SiO2고용체) 또는 β-석영고용체(β-SiO2고용체)와 β-리티아휘석 고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)의 혼합체이다.
본 발명의 또다른 태양에 있어서, 자기정보기억매체 기판의 유리-세라믹은 SiO2-Al2O3-Li2O계 유리-세라믹을 포함하고, 그 유리-세라믹의 주요 결정상은 β-석영고용체(β-SiO2고용체) 또는 β-석영고용체(β-SiO2고용체)와 β-리티아휘석 고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)의 혼합체이고, β-석영고용체와 β-리티아 휘석 고용체의 결정입자는 200Å 내지 50Å 범위이다.
본 발명의 또다른 태양에 있어서, 자기정보기억매체 기판의 유리-세라믹은 표면조도(Ra)가 1Å 내지 5Å 범위이다.
본 발명의 또다른 태양에 있어서, 상기 유리-세라믹은 중량%로 다음의 조성을 갖는 기본 유리(base glass)를 열처리하여 얻어진다.
SiO2+P2O556-65중량%
여기서 SiO250-60중량%
P2O56-10중량%
Al2O322-26중량%
Li2O+MgO+ZnO4.0-6.5중량%
여기서 Li2O3-5중량%
MgO0.6-2중량%
ZnO0.5-2중량%
CaO+BaO0.5-5중량%
여기서 CaO0-4중량%
BaO0.5-3중량%
TiO21-4중량%
ZrO21-4중량%
As2O30-2중량%
Sb2O30-2중량%
여기서, P2O5/SiO2은 중량비로 0.10-0.17이고, 상기 유리 세라믹의 주결정상이 β-석영고용체(β-SiO2고용체) 또는 β-석영고용체(β-SiO2고용체)와 β-리티아휘석고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)의 혼합물중 적어도 1종을 함유한다.
본 발명의 또다른 태양에서, 상기 유리 세라믹 기판의 유리 세라믹은 중량%로 아래와 같은 조성으로 이루어진 기본 유리를 열처리함으로써 얻어진다:
SiO2+P2O556-65중량%
여기서 SiO250-60중량%
P2O56-10중량%
Al2O322-26중량%
Li2O+MgO+ZnO4.0-6.5중량%
여기서 Li2O3-5중량%
MgO0.6-2중량%
ZnO0.5-2중량%
CaO+BaO0.5-5중량%
여기서 CaO0-4중량%
BaO0.5-3중량%
TiO21-4중량%
ZrO21-4중량%
As2O30-2중량%
Sb2O30-2중량%
V2O5+CoO+NiO+Cr2O3+CuO1-4중량%
여기서 V2O50-3중량%
CoO0-3중량%
NiO0-3중량%
Cr2O30-3중량%
CuO0-3중량%
여기서, P2O5/SiO2은 중량비로 0.10-0.17이고, 상기 유리 세라믹의 주결정상으로서 β-석영고용체(β-SiO2고용체) 또는 β-석영고용체(β-SiO2고용체)와 β-리티아휘석고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)의 혼합물중 적어도 1종을 함유한다.
본 발명의 또다른 태양에 있어서, 상기 유리-세라믹은 유리원료를 용융, 성형, 서냉후, 열처리조건으로서 결정액형성온도가 650℃ 내지 750℃, 결정화온도가 750℃ 내지 950℃로 열처리하여 얻어지고, -60℃ 내지 +600℃의 온도범위에서 -10×10-7/℃ 내지 +20×10-7/℃의 열팽창계수를 갖는다.
본 발명의 또다른 태양에 있어서, 전술된 각 실시태양의 자기정보기억매체용 유리-세라믹 기판위에 자기매체의 피막을 형성하여 이루어진 자기정보기억 매체가 제공된다.
본 발명의 유리-세라믹 기판의 조성은 기본 유리와 같은 산화물 기준으로 표시되어 있다. 전술한 각 성분의 함량범위는 이하에 설명된 이유로 선택되었다.
SiO2성분은 기본 유리가 열처리 되어질 때 유리-세라믹의 주요 결정상으로 β-석영고용체(β-SiO2고용체)와 β-리티아휘석 고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)를 생성하는 중요한 성분이다. 만약 이 성분의 양이 50% 미만이면, 얻어진 유리-세라믹의 석출결정이 불안정하여 결정조직이 너무 거칠게 되는 경향이 있고, 결과적으로 기계적 강도가 저하되어 얻어지는 표면조도가 거치게 된다. 만약 이 성분의 양이 60%를 초과하면, 기본유리를 용융하고 성형하는데 있어 어려움이 발생한다.
P2O5성분은 SiO2성분과 공존할 때 기본 유리의 용융성과 청징성(淸澄性)을 향상시키는 효과를 갖는다. 만약 이 성분의 양이 6% 이하이면, 이 효과는 달성될 수 없고, 이에 반하여 이 성분의 양이 10%를 초과하면, 기본 유리에서 실투성(失透性)이 악화됨과 동시에 유리-세라믹 조직이 거칠게 된다. 최대의 효과를 달성하기 위해, SiO2성분과 P2O5성분의 전체량은 56-65%범위내로 되어야 하고, P2O5/SiO2의 무게비는 0.10과 0.17 사이가 되어야 한다.
Al2O3성분은 유리-세라믹의 용해성과 화학적 내구성을 향상시킨다. 만약 이 성분의 양이 22% 미만이면, 기본 유리의 용융이 어렵게 되고 충분한 화학적 내구성을 얻을 수 없다. 만약 이 성분의 양이 26%를 초과하면, 용융성은 저하되고 실투성이 악화된다.
Li2O, MgO 그리고 ZnO의 세 성분은 β-석영 고용체결정을 구성하는 중요한 성분이다. 이들 성분은 SiO2와 P2O5성분의 제한된 효과로 함께 존재할 때 유리-세라믹의 낮은 열팽창 특성을 향상시키고 기본 유리의 용융성, 청징성을 향상시킨다. 만약 Li2O성분의 양이 3% 미만이면 이들 효과는 얻어질 수 없고, 더욱이 전술한 목적으로 하는 결정상 석출에 있어 곤란함이 발생한다. 만약 이 성분의 양이 5%를 초과하면, 낮은 열팽창특성은 얻어질 수 없고 기본 유리의 실투성이 악화된다. 만약 MgO 성분의 양이 0.6% 이하이면, 상기 효과는 얻을 수 없고, 반면 이 성분의 양이 2%를 초과하면 낮은 열팽창특성은 얻어질 수 없다. 만약 ZnO 성분의 양이 0.5%미만이면, 상기 효과는 얻을 수 없고, 반면 이 성분의 양이 2%를 초과하면, 낮은 열팽창특성을 얻을 수 없고 기본 유리의 실투성인 악화된다. 최고의 효과를 얻기 위해서는 Li2O, MgO 및 ZnO의 3성분의 합계량이 4.0%-6.5% 범위내가 되어야 한다.
CaO와 BaO의 2성분은 유리-세라믹 안에 결정의 석출 이후 유리 매트릭스(matrix)로서 잔존한다. 이들 성분들은 결정상과 유리매트릭스 사이의 미세 조정성분으로서 중요하다. CaO 성분의 양이 4%를 초과하면 목적으로 하는 결정상은 생성될 수 없고, 기본 유리에서 실투성이 악화된다. BaO 성분의 양이 0.5%미만이면, 상기 효과는 달성될 수 없고, 반면에 상기 성분의 양이 3%를 초과하면, 기본 유리의 용융성이 저하되고 실투성이 악화된다. 최대의 효과를 얻기 위해서는 CaO와 BaO 성분의 합계량이 0.5%-5%범위내가 되어야 한다.
TiO2와 ZrO2성분은 결정핵 형성제로서 불가결하다. 만약 상기 각 성분의 양이 1%미만이면, 소정의 결정상은 석출될 수 없고, 반면에 상기 각 성분의 양이 4%를 초과하면, 기본 유리의 용융성이 악화되어 불용물이 발생된다.
As2O3와 Sb2O3성분은 균질제품을 얻기 위해 유리 용융시에 청징제로 첨가된다. 각 성분이 2%이하로 첨가되면 충분하다.
본 발명에 있어서, 랜딩영역에서의 요철 또는 돌기를 레이저 다이오드 여기 고체레이저에 의해 행해진 경우에, 레이저빔의 흡수를 위해서 착색성분을 첨가하는 것이 꼭 필요하다. 요철 또는 돌기가 CO2레이저에 의해 형성된 경우에 있어서, 착색성분의 첨가는 불필요하지만 CO2레이저빔은 착색성분을 함유하는 계에 조사될 수 있다.
본 발명에 있어서, V2O5, CoO, NiO, Cr2O3, 및 CuO 중 적어도 한 성분이 착색성분으로 사용된다.
만약 각 성분의 양이 3%를 초과하면, 석출 결정상의 입자경이 커지고 기본유리의 실투성이 악화된다. 각 성분의 합계량이 1%미만이면, 본 발명의 목적으로 하는 광선 투과율이 얻어질 수 없고, 레이저에 의한 가공에 있어서 어려움이 발생한다. 각 성분의 합계량이 4%를 초과하면, 기본유리의 실투성이 악화되어 대량생산에 있어 어려움이 발생한다.
레이저다이오드 여기 고체레이저 가공에 대하여 사용하는 0.2㎛-0.6㎛ 또는 1.03㎛-1.40㎛ 범위내의 레이저 파장에 있어서, 레이저 출력을 과도하게 높이지 않고 레이저에 의한 충분한 가열을 수행하기 위해 필요한 광선투과율은 판두께 0.635mm에서 0% 내지 10%이다. 광선투과율을 이러한 범위로 한정함으로써 레이저빔의 조사시간을 최소한도로 유지할 수 있고, 결과적으로, 기판표면에 과잉응력을 발생시키지 않고 대량생산성 확보하여 요철 또는 돌기의 형성을 안정적으로 행할 수 있다.
자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판을 제조하기 위해서는, 상기 조성을 갖는 기본유리를 용해하여 열간성형 및/또는 냉간성형을 행한 후 650℃ 내지 750℃ 범위의 온도에서 열처리하여 결정핵을 형성하고, 계속해서 750℃ 내지 950℃범위의 온도에서 열처리하여 결정화를 행한다.
따라서 열처리에 의해서 얻어진 유리-세라믹의 주요 결정상은 β-석영고용체(β-SiO2고용체) 또는 β-석영고용체(β-SiO2고용체)와 β-리티아휘석 고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)의 혼합결정이다. 이러한 결정입자들은 구상입자 구조를 갖고, 그 크기는 착색성분을 포함하는 계와 착색성분을 포함하지 않는 계 모두 200Å 내지 5000Å 범위내의 직경을 갖는다. 유리 세라믹은 영하 60℃ 내지 영상600℃범위내의 온도에서 -10×10-7/℃ 내지 +20×10-7/℃의 열팽창계수를 갖는다.
전술된 열처리에 의해 얻어진 유리 세라믹은 종래의 랩핑(lapping)과 연마공정에 의해 1Å 내지 5Å 범위내의 표면조도(RA)를 갖는 자기정보기억매체용 유리 세라믹기판이 얻어진다.
랜딩존방식의 경우에 있어서, 상기 유리 세라믹은 랜딩영역에 요철 또는 돌기 형성을 위해 레이저다이오드 여기 고체레이저 또는 CO2레이저에 의해 랜딩영역에의 요철 또는 돌기의 형성가공을 행한다.
이 경우에 있어서, 레이저 다이오드 여기 고체레이저의 파장은 0.2㎛-0.6㎛ 또는 1.05㎛-1.40㎛의 범위로 한정된다. 상기 파장을 가진 레이저빔의 조사에 의하여, 랜딩영역에는 50Å 내지 300Å 범위 내의 높이와 10Å 내지 50Å범위 내의 표면조도(RA)를 갖는 요철 또는 돌기가 10㎛ 내지 200㎛ 범위내 간격으로 형성된다. 따라서, 50Å 내지 300Å 범위 내의 높이를 갖는 요철 또는 돌기가 형성된 랜딩영역과 평활성이 우수한 데이터영역을 겸비한 도 1에 나타낸 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판이 얻어진다. 도 1에 있어서, 유리세라믹기판(1)은 중심에 형성된 원형구멍(5)을 둘러싼 랜딩영역(3)과 랜딩영역(3)의 안쪽에 형성된 “링(ring)”이라 불리는 미기록영역이다. 도 2는 랜딩영역에 형성된 요철 또는 돌기의 모양을 보여준다. 도 3은 랜딩영역에 형성된 돌기를 나타낸다. 도 4는 랜딩영역에 형성된 요철 또는 돌기의 간격을 보여준다. 도 5는 랜딩영역에 형성된 요철 또는 돌기의 높이를 보여준다.
재료의 절단, 용접 및 미세가공과 같은 표면개질에 일반적으로 이용되는 레이저는 Ar 레이저, CO2레이저, 엑시머(excimer) 레이저 및 레이저 다이오드 여기 고체 레이저로 분류된다. 본 발명의 유리 세라믹의 레이저 가공에 대하여, Ar 레이저와 엑시머 레이저는 가공표면의 형상 및 비말(splashing)에 의한 표면결함을 발생시키기 때문에 레이저 다이오드 여기 고체 레이저와 CO2레이저로 한정되는 것이 바람직하다.
레이저 다이오드 여기 고체 레이저 또는 CO2레이저에 의해서 랜딩영역에 요철 또는 돌기를 형성하기 위해서, 연마된 유리 세라믹 기판은 스핀들에 고정된 상태로 회전되고 펄스 레이저빔(pulsed laser beam)은 일정 간격으로 랜딩 영역의 표면에 수직으로 조사된다.
펄스 레이저를 조사함에 있어서, 2㎛ 내지 50㎛ 범위 내의 스포트(spot) 직경은 레이저 다이오드 여기 고체 레이저의 경우에서 사용되고, 15㎛ 내지 50㎛ 범위 내의 스포트 직경은 CO2레이저의 경우에서 사용된다. 레이저 출력과 펄스폭(pulse width)과 같은 레이저 조사 조건은 가공되는 유리 세라믹의 조성에 따라 조절된다.
레이저짐의 조사에 의한 기판 표면위에 요철 또는 돌기의 형성에 영향을 주는 주요 조건은ⓛ레이저 출력, ②레이저 펄스의 길이, ③레이저 스포트 직경, 즉 기판표면위의 조사면적 등이 있다. 레이저 다이오드 여기 고체 레이저가 사용된 기판재료에 관하여, 사용된 레이저 파장(0.2㎛-0.6㎛ 또는 1.05㎛-1.40㎛)에서의 흡수특성, 즉 사용된 레이저 파장에서의 낮은 광선투과율이 가장 중요한 요소이다. 예를 들어, 결정을 석출하지 않는 일반적인 유리로 만든 기판은 레이저 다이오드 여기 고체 레이저의 사용파장을 선택적으로 흡수하지 않으므로 기판의 표면의 가열되지 않고, 그 결과 요철 또는 돌기가 형성되지 않는다.
레이저 가공에 의해 랜딩영역에 요철 또는 돌기가 형성된 유리 세라믹 기판은 자기정보기억매체로서의 박막형성 프로세스를 거쳐 고기억밀도용 자기정보기억매체로 된다. 즉, 유리 세라믹 기판을 진공상태에서 가열하고, 그후 스퍼터링(sputtering)에 의해 Cr의 중간층, Co합금의 자성층, C의 보호층으로 도포되고, 그 위체 윤활층의 도포를 행하여 자기디스크 등의 자기정보기억매체가 얻어진다.
실시예
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.
표 1 내지 4는 본 발명에 따른 랜딩존 방식의 자기정보기억매체용 유리세라믹 기판에 적용한 실시조성예(No. 1-No. 9) 및 비교조성예로서 Li2O-SiO2계 유리세라믹 2종(특개소62-72547호 공보기재의 것-비교예1 및 특개소63-210039호 공보기재의 것-비교예2)을 이들의 유리세라믹의 핵형성 온도, 결정화온도, 외관색, 결정상·입자직경, 결정입자형태, 0.635mm의 판두께에서 0.2㎛-0.6㎛와 1.05㎛-1.40㎛의 레이저 파장의 평균 광선투과율, 랜딩영역의 형성에 사용된 레이저의 종류 및 레이저파장, 레이저빔의 조사에 의해서 형성된 요철 또는 돌기의 높이, 랜딩영역의 표면조도(Ra), 연마후 데이터영역의 표면조도(Ra), 유리 세라믹의 열팽창계수를 나타낸다.
상기 실시예의 유리 세라믹 기판의 제조를 위해 산화물, 탄산염 그리고 질산염을 포함하는 원료들은 1450℃ 내지 1500℃ 범위의 온도에서 통상의 용해장치안에 혼합하고 용해되었다. 용해된 유리는 교반균질화한 다음 디스크 형상으로 성형하고, 냉각하여 유리성형체를 얻었다. 그 후 상기 유리성형체를 700℃ 내지 750℃ 범위의 온도에서 열처리하여 결정핵형성후, 800℃ 내지 920℃ 범위의 온도에서 열처리하고 결정화하여 소정의 유리세라믹을 얻었다. 그리고 나서 상기 유리 세라믹을 평균입경 5㎛ 내지 30㎛의 래핑입자로 랩핑하고, 그 후 평균입경 0.2㎛ 내지 2㎛의 산화세륨으로 연마하였다. 연마된 유리 세라믹 기판은 레이저 다이오드 여기 고체 레이저 또는 CO2레이저의 조사계를 고정하고, 유리세라믹 기판을 회전시키면서 레이저를 조사하여 랜딩영역에 요철 또는 돌기를 형성하였다.
펄스 레이저의 조사는 레이저 파장, 레이저 출력, 레이저 스포트 직경, 초점거리, 레이저 펄스폭 등과 같은 제반 조건을 유리 세라믹 기판의 조성에 맞게 제어하여 행하였다.
실시예 1-9에 대하여, 랜딩영역과 데이터영역의 표면조도(Ra) 및 랜딩영역의 요철 또는 돌기의 높이는 AFM(atomic force microscope)으로 측정되었다.
표 1-4와 도 6,7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예 및 종래의 Li2O-SiO2계의 비교예는 결정상과 결정입자형태에서 서로 완전히 다르다. 본 발명의 유리 세라믹에 있어서, β-석영 고용체와 β-리티아휘석 고용체는 작은 입경으로 된 구상입자를 구조를 갖는다. 이와 반대로, 비교예 1과 2의 유리 세라믹에 있어서, 리튬디실리게이트 결정은 1.0㎛ 이상의 큰 입경을 갖는 침상입자 구조를 갖는다. 더욱 매끄러운 표면이 요구되는 상황에서, 상기 결정입자 구조와 비교예의 입자 직경은 연마후 표면조도에 악영향을 주고 기판에서 결정입자가 떨어져나가는 결점이 발생된다. 그러므로, 비교예 1과 2의 유리 세라믹에서 12Å 또는 그 이하의 표면조도를 얻기가 곤란하다.
도 8-10에 나타낸 표면조도에 대해서는, 전술한 종래기술에서 기재된 것처럼 종래의 알루미늄합금 기판이나 화학강화유리에서 일어나는 결점과는 달리, 본 발명의 유리세라믹은 도 8과 도 9에서 도시된 것과 같이 균질하고 형상이 우수한 레이저가공이 가능하다. 도 10에 나타낸 공지의 알루미노 실리케니트 글라스(SiO2-Al2O3-Na2O, K2O 이온교환)는 레이저에 의한 가공이 불안정하고 유리는 레이저 다이오드 여기 고체 레이저(Nd:YAG)에 있어서, 레이저 파장이 0.266㎛ 이외의 레이저 파장 1.064㎛ 및 0.523㎛에서는, 레이저에 의한 가열이 충분히 이루어지지 않고, 레이저파장 0.266㎛에 의한 가공을 행한 것이 있으나, 레이저에 의한 가공이 불안정하고 불균일한 표면상태로 된다.
이러한 현상에 대해서는, 본 발명에 따른 유리 세라믹은 비결정질 상태에 있는 유리에 비하여 내열성이 우수하고, 화학강화유리 특유의 표면강화층과 내부의 미강화층 사이의 응력변화가 없고, 또한 본 발명의 유리세라믹의 내부에 석출되는 결정상은 여러 가지 외적 작용에 의해 생기는 마이크로크랙(microcrack)의 성장을 방지하는 효과가 있고, 이들의 총체적 효과에 의해 레이저조사에 대응하는 내구성을 향상시키는 것으로 생각된다.
도 12는 본 발명에 따른 자기정보기억매체의 일례로서 랜딩존 방식의 정보기억장치(예를 들어, 퍼스털 컴퓨터의 하드 디스크 장치)를 도시한다.
도 12에 있어서, 자기정보 기억매체(1)는 데이터영역(2)과 랜딩영역(3)을 갖는다. 자기정보기억매체(1)는 정보기억장치(6)위에 회전가능하게 설치된다. 자기헤드(7)는 정보기억장치(6)위에 축회전 가능하도록 설치된다. 상기 자기헤드(7)는 랜딩영역(3)위에서 기동하고, 데이터영역(2)에서 저부상 또는 접촉상태에서 데이터의 기록 또는 재생을 행한 후 랜딩영역(3)으로 돌아와 정지한다.
상기 본 발명의 랜딩존 방식에 따른 자기정보기억매체용 유리세라믹 기판의 상기 각 실시예는 레이저가공에 의한 랜딩가공을 행하지 않고, 램프로딩 방식의 자기정보기억매체용 유리세라믹 기판에서처럼 사용될 수 있다.
도 13은 램프로딩 방식의 자기정보기어매체를 사용하는 정보기억장치(예를 들어, 퍼스털 컴퓨터의 디스크장치)를 도시한다.
도 13에 있어서, 상기 도 12와 동일한 구성요소는 도 12와 동일한 부호로 표시되어 그 설명을 생략한다. 이 방식에 있어서는, 자기헤드(7)의 기동·정지는 도시된 자기정보기억매체(1)에서 외측으로 벗어난 위치에서 수행된다. 즉, 자기헤드(7)는 도시된 기억매체(1)에서 벗어난 위치에서 기동하고, 데이터영역(2)에서 저부상 또는 접촉상태에서 데이터의 기록 또는 재생을 수행한 후에 도시된 위치로 돌아와서 정지한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 상기 종래기술에서 나타난 제반 결점을 해소하고, 자기헤드의 기동·정지를 완전하게 자기정보기억매체 표면에서 바깥으로 램프로딩방식에 대응한 기판표면의 초평활성을 갖고, 또한 자기정보기억매체의 특정부분에 흡착방지를 행하고, 자기헤드의 기동·정지를 행하는 랜딩존방식의 랜딩영역의 레이저 가공특성을 겸비한 자기정보기억매체용 유리세라믹 기판 및 그 유리세라믹 기판상에 자기매체의 피막을 형성하여서된 자기정보기억매체를 제공할 수 있다.

Claims (13)

  1. SiO2-Al2O3-Li2O계 유리 세라믹으로 되고, 상기 유리 세라믹의 주결정상은 β-석영고용체(β-SiO2고용체) 또는 β-석영고용체(β-SiO2고용체)와 β-리티아휘석고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)의 혼합물중 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 β-석영고용체와 β--리티아휘석고용체의 결정입자 크기는 200Å 내지 5000Å 범위내의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기판의 연마가공한 후의 표면조도(Ra)는 1Å 내지 5Å인 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유리 세마믹 기판은 데이터영역과 랜딩영역을 갖고, 상기 랜딩영역은 레이저 조사에 의해 형성된 다수의 요철 또는 돌기를 갖는 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  5. 제4항에 있어서, 사용된 레이저는 레이저 다이오드(LD)는 여기 고체 레이저인 것을 특징으로 하는 자기정보기억메체용 유리 세라믹 기판.
  6. 제4항에 있어서, 사용된 레이저는 CO2레이저인 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  7. 제5항에 있어서, 상기 LD 여기 고체 레이저의 파장은 0.2㎛ 내지 6㎛ 또는 1.05㎛ 내지 1.40㎛의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  8. 제7항에 있어서, 0.2㎛ 내지 0.6㎛ 또는 1.05㎛ 내지 1.40㎛의 범위에 있는 LD 여기 고체 레이저 파장에서의 광선투과율이 0.635mm의 두께에서 0% 내지 10%인 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  9. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연마가공한 후의 표면조도(Ra)는 1Å 내지 5Å인 데이터영역을 갖고, 또한 랜딩영역에 레이저를 조사하여 다수의 요철 또는 돌기를 형성하고, 상기 요철 또는 돌기의 높이는 50Å 내지 300Å 범위에 있고, 랜딩영역의 표면조도(Ra)는 10Å 내지 50Å 범위에 있고, 상기 요철 또는 돌기의 간격은 10㎛ 내지 200㎛ 범위에 있는 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리 세라믹 기판의 유리 세라믹은 아래와 같은 조성으로 이루어진 유리를 열처리함으로써 얻어지고:
    SiO2+P2O556-65중량%
    여기서 SiO250-60중량%
    P2O56-10중량%
    Al2O322-26중량%
    Li2O+MgO+ZnO4.0-6.5중량%
    여기서 Li2O3-5중량%
    MgO0.6-2중량%
    ZnO0.5-2중량%
    CaO+BaO0.5-5중량%
    여기서 CaO0-4중량%
    BaO0.5-3중량%
    TiO21-4중량%
    ZrO21-4중량%
    As2O30-2중량%
    Sb2O30-2중량%
    여기서, P2O5/SiO2은 중량비로 0.10-0.17이고, 상기 유리 세라믹의 주결정상이 β-석영고용체(β-SiO2고용체) 또는 β-석영고용체(β-SiO2고용체)와 β-리티아휘석고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)의 혼합물중 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  11. 제1항에 있어서, 상기 유리 세라믹 기판의 유리 세라믹은 아래와 같은 조성으로 이루어진 유리를 열처리함으로써 얻어지고:
    SiO2+P2O556-65중량%
    여기서 SiO250-60중량%
    P2O56-10중량%
    Al2O322-26중량%
    LiO+MgO+ZnO4.0-6.5중량%
    여기서 Li2O3-5중량%
    MgO0.6-2중량%
    ZnO0.5-2중량%
    CaO+BaO0.5-5중량%
    여기서 CaO0-4중량%
    BaO0.5-3중량%
    TiO21-4중량%
    ZrO21-4중량%
    As2O30-2중량%
    Sb2O30-2중량%
    V2O5+CoO+NiO+Cr2O3+CuO1-4중량%
    여기서 V2O50-3중량%
    CoO0-3중량%
    NiO0-3중량%
    Cr2O30-3중량%
    CuO0-3중량%
    여기서, P2O5/SiO2은 중량비로 0.10-0.17이고, 상기 유리 세라믹의 주결정상으로서 β-석영고용체(β-SiO2고용체) 또는 β-석영고용체(β-SiO2고용체)와 β-리티아휘석고용체(β-Li2O·Al2O3·4SiO2고용체)의 혼합물중 적어도 1종을 함유하는 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  12. 제1항에 있어서, 상기 유리 세라믹은 유리 원료를 용융, 성형 및 서냉후 열처리조건으로 결정핵 형성온도가 650-750℃, 결정화온도가 750-950℃로 열처리하여 얻어지고, -60℃ 내지 +600℃의 온도범위에서 -10×10-7/℃ 내지 +20×10-7/℃의 열팽창계수를 갖는 것을 특징으로 하는 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판.
  13. 상기 제1항에 따른 자기정보기억매체용 유리 세라믹 기판상에 자기 매체의 피막을 형성하여 이루어진 자기정보기억매체.
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