JPH10208226A

JPH10208226A - 結晶化ガラス磁気ディスク基板

Info

Publication number: JPH10208226A
Application number: JP9028442A
Authority: JP
Inventors: Hideki Kawai; 秀樹河合; Sadao Nakajima; 貞夫中島; Tomoyuki Taguchi; 智之田口; Toru Obara; 融小原; Ikuo Kuriyama; 育夫栗山; Hajime Wakabayashi; 肇若林
Original assignee: Yamamura Glass KK
Current assignee: Yamamura Glass KK
Priority date: 1997-01-28
Filing date: 1997-01-28
Publication date: 1998-08-07

Abstract

(57)【要約】【課題】レーザーを用いて容易にテクスチャー加工を施
すことができ、基板上の所望の領域に所望のバンプを形
成することができる、コンピューターのハードディスク
などに適した結晶化ガラス磁気ディスク基板を提供す
る。【解決手段】レーザーテクスチャー加工に用いられる光
源特有の波長において、測定試料の厚みを０.６３５mm
としたときの光吸収率が０.１以上であることを特徴と
する結晶化ガラス磁気ディスク基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶化ガラス磁気
ディスク基板に関する。さらに詳しくは、本発明は、レ
ーザーテクスチャー加工が容易で、レーザーテクスチャ
ー加工により所望するバンプを容易に形成することがで
きる、コンピューターのハードディスクなどに適した結
晶化ガラス磁気ディスク基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスクは、主としてコンピュータ
ーなどの記録媒体として使用されている。従来より、磁
気ディスク基板材料としてアルミニウム合金が使用され
ているが、近年、磁気ディスクの小型化、薄型化、高記
録密度化の流れの中で、高平坦性、高平滑性への要望が
高まっており、アルミニウム合金では対応しきれないた
め、これに替わる磁気ディスク基板が必要になってい
る。磁気ディスク基板に必要な特性は、ディスク表面の
平坦性、平滑性や、ディスク基板の高強度、高硬度、化
学的耐久性、耐マイグレーション性、耐熱性などである
が、アルミニウム合金は強度、硬度が劣るため、ディス
クの厚みを厚くし、表面を硬化する必要がある。ディス
クの厚みを薄くすると、回転時にウネリが発生し平坦度
が悪化するため、磁気ヘッドがディスクに衝突する回数
が多くなり、ディスクの塑性変形を招き、データ破壊が
起こる。従って、フライングハイト（磁気ヘッドと磁気
ディスクの隙間）を小さくすることができないため、記
録密度が上がらないという問題が生じる。また、白金系
の磁性膜を用いると、アルミニウム合金基板と磁性膜の
間に電位差が発生し、電界腐食を引き起こすため、磁性
膜が侵されるといった現象を引き起こす。これらのアル
ミニウム合金の問題点を解決する基板材料として、結晶
化ガラス基板がある。結晶化ガラス基板は、ガラスを熱
処理して微細な結晶を析出させることにより、容易に研
磨することができ、ディスク表面の平坦性、平滑性や、
ディスク基板の高強度、高硬度、化学的耐久性、耐マイ
グレーション性、耐熱性など磁気ディスク基板に必要な
特性を兼ね備えている。ところで、磁気ディスク基板に
はもう一つの重要な特性として、磁気ディスクの始動及
び停止特性(Contact Start Stop／ＣＳＳ)が要求され
る。始動及び停止時におけるディスクへのヘッドの吸着
を防止し、ＣＳＳ特性を改良するために、基板表面をテ
クスチャー加工する必要があり、種々のテクスチャー加
工方法が提案されている。例えば、特公平７−１０１５
０７号公報には、ソーダライムシリケートガラス、化学
強化ガラス、結晶化ガラスなどの表面を、フッ化カリウ
ムとフッ酸を含む水溶液を用いて化学エッチングするこ
とにより、テクスチャー加工を施す方法が提案されてい
る。また、特開平７−２９６３８０号公報には、ＳｉＯ
₂−Ｌｉ₂Ｏ−Ａｌ₂Ｏ₃系ガラスからなる基板を結晶化処
理し、その表面を研磨したのち、フッ酸に硫酸あるいは
フッ化アンモニウムを加えたエッチング剤によりエッチ
ング処理し、テクスチャー加工を施す方法が提案されて
いる。しかし、ガラス磁気ディスク基板のエッチングに
よっては、基板の特定領域に局所的にテクスチャー加工
を施すことは困難であり、基板の全面を均一にテクスチ
ャー加工せざるを得ない。近年、磁気ディスクの一層の
高密度化が要求される中で、磁気ヘッドの始動及び停止
を、基板の内径に沿って約５〜１０mm幅のいわゆるＣＳ
Ｓゾーンにおいて行い、データゾーンの表面粗さは可能
な限り平滑にする、いわゆるゾーンテクスチャリングが
提案されている。例えば、特開平７−６５３５９号公報
には、レーザー光を用いて磁気ディスクのテクスチャー
加工を行うことにより、局所的な加工を可能とし、始動
及び停止時の接触領域をディスクの特定のトラックに設
定することを可能とする方法が提案され、アルミニウム
基板を被加工物とする例が報告されている。しかし、従
来の結晶化ガラス磁気ディスク基板はレーザー光による
加工が容易でなく、基板上の特定位置にＣＳＳゾーンを
設けることは困難であった。このため、容易にレーザー
テクスチャー加工することができ、同一基板上にバンプ
を有するＣＳＳゾーンと、平滑性に優れたデータゾーン
を設けることができる結晶化ガラス磁気ディスク基板の
開発が求められている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、レーザーを
用いて容易にテクスチャー加工を施すことができ、基板
上の所望の領域に所望のバンプを形成することができ
る、コンピューターのハードディスクなどに適した結晶
化ガラス磁気ディスク基板を提供することを目的として
なされたものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、レーザーテクス
チャー加工に用いられる光源特有の波長において、特定
の値を超える光吸収率を有する結晶化ガラス磁気ディス
ク基板がレーザーテクスチャー加工が容易であり、ま
た、結晶化ガラス磁気ディスク基板中に特定の元素を含
有せしめることにより、光吸収率を高めることが可能で
あり、さらに、これらの元素とＴｉＯ₂を共存せしめる
ことにより、光吸収率を効果的に高め得ることを見いだ
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。す
なわち、本発明は、（１）レーザーテクスチャー加工に
用いられる光源特有の波長において、測定試料の厚みを
０.６３５mmとしたときの光吸収率が０.１以上であるこ
とを特徴とする結晶化ガラス磁気ディスク基板、（２）
結晶化ガラス組成中に、Ｎｂ、Ｌａ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｍ
ｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、
Ｆｅ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｓｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｒ、Ｓ
からなる群より選択された少なくとも１成分を含有する
第(１)項記載の結晶化ガラス磁気ディスク基板、（３）
Ｎｂ、Ｌａ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｓ
ｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｒ、Ｓからなる群より選択さ
れた少なくとも１成分の含有量が、合計で０.０１〜０.
５重量％である第(２)項記載の結晶化ガラス磁気ディス
ク基板、（４）結晶化ガラス組成中に、ＴｉＯ₂を含有
する第(１)項、第(２)項又は第(３)項記載の結晶化ガラ
ス磁気ディスク基板、及び、（５）ＴｉＯ₂の含有量
が、０.１〜２０重量％である第(４)項記載の結晶化ガ
ラス磁気ディスク基板、を提供するものである。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明の結晶化ガラス磁気ディス
ク基板は、レーザーテクスチャー加工に用いられる光源
特有の波長において、測定試料の厚みを０.６３５mmと
したときの光吸収率が０.１以上、より好ましくは０.１
５以上である。レーザーテクスチャー加工には、固体レ
ーザー、エキシマレーザー、ガスレーザー、半導体レー
ザーなどが用いられ、これらのレーザーは、それぞれの
光源に特有の波長を有する。例えば、代表的なレーザー
光源としては、ＹＡＧレーザーは基本波１,０６４ｎ
ｍ、２倍波５３２ｎｍ、３倍波３５５ｎｍ、４倍波２６
６ｎｍに、ルビーレーザーは６９４ｎｍに、Ｔｉ−サフ
ァイアレーザーは基本波８６０ｎｍ、２倍波４３０ｎｍ
に、Ｈｅ−Ｃｄレーザーは４４２ｎｍに、ＫｒＦレーザ
ーは２４９ｎｍに、ＡｒＦレーザーは１９３ｎｍに、Ｘ
ｅＣｌレーザーは３０８ｎｍに、ＸｅＦレーザーは３５
０ｎｍに、ＣＯ₂レーザーは１０,６００ｎｍ、９,６０
０ｎｍに、Ａｒレーザーは５１５ｎｍ、４８８ｎｍに、
Ｋｒレーザーは６４７ｎｍ、５２１ｎｍ、４７６ｎｍ
に、それぞれ特有の発振波長を有する。本発明の結晶化
ガラス磁気ディスク基板は、これらのレーザーテクスチ
ャー加工に用いられる光源特有の波長において、測定試
料の厚みを０.６３５mmとしたときの光吸収率が０.１以
上である。結晶化ガラス磁気ディスク基板の光吸収率が
このように高いと、低いエネルギー密度のレーザーであ
っても、容易に、また、安定して所望のバンプを形成す
ることができる。測定試料の厚みを０.６３５mmとした
ときの光吸収率が０.１未満であると、効果的にレーザ
ーテクスチャー加工を行うことが困難になるおそれがあ
る。

【０００６】結晶化ガラス磁気ディスク基板の光吸収率
は、積分球を用いた分光光度計により測定することがで
きる。直径２０mm以上、厚み０.６３５mmで、両面を酸
化セリウムなどで鏡面研磨した結晶化ガラスを測定試料
とする。試料の測定に先だって、まず、リファレンス測
定を行う。リファレンス測定は、試料をセットすること
なく、１９０ｎｍ〜１,５００ｎｍの波長範囲で測定
し、光源から発せられる光の強さの補正を行う。次い
で、積分球の入り口に測定試料をセットし、同じ波長範
囲で測定し、透過率として、光源から発せられた光の補
正後の強さＩoに対する透過光の強さＩtと前方散乱光の
強さＩsfの合計の比、（Ｉt＋Ｉsf）／Ｉoを求める。次
に、積分球の入り口と相対する面に、試料押えからの光
の反射を防止する黒色のフェルトを背面にして試料をセ
ットし、吸光度を測定する。吸光度は、試料表面からの
反射光の強さをＩr、後方散乱光の強さをＩsbとする
と、ｌｏｇ｛Ｉo／（Ｉr＋Ｉsb）｝であるので、吸光度
より光源から発せられた光の補正後の強さＩoに対する
反射光の強さＩrと後方散乱光の強さＩsbの合計の比、
（Ｉr＋Ｉsb）／Ｉoを求めることができる。以上の測定
結果から、測定試料の光吸収率１−（Ｉt＋Ｉsf＋Ｉsb＋Ｉr）／Ｉo を算出することができる。例として、Ｖ₂Ｏ₅を０.２重
量％含む、主結晶相がＬｉ₂Ｏ・２ＳｉＯ₂である結晶化
ガラス磁気ディスク基板を用いて、５３２ｎｍにおける
光吸収率を求めてみる。透過率は０.６０２３であり、
吸光度は１.００４３であるので、計算により(Ｉr＋Ｉs
b)／Ｉo＝０.０９９０となる。従って、この結晶化ガラ
スの５３２ｎｍにおける光吸収率は、１−（０.６０２
３＋０.０９９０）＝０.２９８７と算出される。

【０００７】本発明においては、結晶化ガラス組成中
に、Ｎｂ、Ｌａ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｓ
ｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｒ、Ｓからなる群より選択さ
れた少なくとも１成分を含有させることが好ましい。こ
れらの成分を含有させることにより、結晶化ガラス磁気
ディスク基板の光吸収率を効果的に高めることができ
る。本発明においては、結晶化ガラス組成中に、Ｎｂ、
Ｌａ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｓｅ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｒ、Ｓからなる群より選択された少
なくとも１成分を含有させるとき、その成分の含有量
は、合計で０.０１〜０.５重量％であることが好まし
い。含有量の合計が０.０１〜０.５重量％であると、光
吸収率を高めてレーザーテクスチャー加工を容易にする
に十分な効果を有し、かつ、結晶化ガラスの結晶量、結
晶サイズ、耐熱性などのガラス物性に悪影響を及ぼすお
それがない。上記の成分の含有量の合計が０.０１重量
％未満であると、光吸収率を０.１以上とすることが困
難となるおそれがある。上記の成分の含有量の合計が
０.５重量％を超えると、結晶量、結晶サイズ、耐熱性
などが悪化するおそれがある。上記成分の含有量の合計
は、光吸収率、結晶量、結晶サイズ、耐熱性を考慮する
と、０.１〜０.４５重量％であることがより好ましい。

【０００８】本発明においては、結晶化ガラス組成中に
ＴｉＯ₂を含有せしめることが好ましい。ＴｉＯ₂は、結
晶化ガラス磁気ディスク基板の光吸収率を高める効果が
あり、その効果は、Ｎｂ、Ｌａ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆ
ｅ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｓｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｒ、Ｓか
らなる群より選択された少なくとも１成分と共存すると
き、特に顕著である。さらに、ＴｉＯ₂は、結晶化ガラ
スの製造過程において、溶融時には融剤としての、ま
た、結晶化処理時には、結晶核剤としての働きをも有す
る。本発明において、ＴｉＯ₂の含有量は、０.１〜２０
重量％であることが好ましい。ＴｉＯ₂の含有量が０.１
重量％未満であると、光吸収率を向上させる効果が少な
い上に、融剤としての効果、結晶核剤としての効果が乏
しくなるおそれがある。また、ＴｉＯ₂の添加量が２０
重量％を超えると、ガラス成形時に失透しやすくなるお
それがある。ＴｉＯ₂の含有量は、レーザー光吸収成分
としての効果、融剤及び結晶核剤としての効果、成形性
を考慮すると、０.５〜８重量％であることがより好ま
しく、１〜６重量％であることがさらに好ましい。Ｎ
ｂ、Ｌａ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｓｅ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｒ、Ｓの中で、Ｎｂ化合物は、Ｔｉ
Ｏ₂との併用による効果が特に大きい。本発明の結晶化
ガラス磁気ディスク基板をレーザーテクスチャー加工す
る方法には特に制限はなく、例えば、固体レーザー、エ
キシマレーザー、ガスレーザー、半導体レーザーなどを
用いることができる。レーザー照射条件には特に制限は
ないが、通常は、エネルギー密度を０.１〜１００Ｊ／c
m²、より好ましくは０.２〜５０Ｊ／cm²とし、パルス幅
を０.０１〜１００ｎｓ、より好ましくは０.１〜５０ｎ
ｓとすることにより、容易に所望するバンプを形成する
ことができる。バンプ高さは３００Å以下であり、高さ
のバラツキは高さの平均値の±１５％以内であることが
好ましい。

【０００９】本発明の結晶化ガラス磁気ディスク基板に
用いる第１の結晶化ガラスは、酸化物として、Ｓｉ
Ｏ₂：６６〜８０重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：５〜１５重量％、
Ｌｉ₂Ｏ：３〜８.５重量％、Ｎａ₂Ｏ：０〜３重量％、
Ｋ₂Ｏ：０〜３重量％、但し、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ
₂Ｏ：３〜１０重量％、ＴｉＯ₂：０.５〜８重量％、Ｚ
ｒＯ₂：３.５〜８重量％、Ｐ₂Ｏ₅：０.５〜３重量％、
Ｓｂ₂Ｏ₃：０〜２重量％、Ａｓ₂Ｏ₃：０〜２重量％を含
有するガラス組成物を熱処理することにより得られ、主
結晶相がＬｉ₂Ｏ・２ＳｉＯ₂及びスポジュメンの内の少
なくとも１種であるものである。また、この結晶化ガラ
ス組成物の理論的光学的塩基性度は、化学的耐久性、耐
マイグレーション性などの観点から、０.５４８以下で
あることが好ましい。第１の結晶化ガラス組成物におい
て、ＳｉＯ₂はガラス形成酸化物であり、熱処理によっ
て析出する主結晶相であるＬｉ₂Ｏ・２ＳｉＯ₂及びスポ
ジュメン（Ｌｉ₂Ｏ・Ａｌ₂Ｏ₃・４ＳｉＯ₂）の構成成分
である。ＳｉＯ₂の含有量が６６重量％未満であると、
ガラスの理論的光学的塩基性度を０.５４８以下にする
ことが困難になり、化学的耐久性が悪化する上に、上記
の結晶が析出し難くなるおそれがある。ＳｉＯ₂の含有
量が８０重量％を超えると、溶融温度が高くなりすぎて
生産が困難になるおそれがある。ＳｉＯ₂の含有量は、
生産性を考慮すると、６６〜７５重量％であることがよ
り好ましい。Ａｌ₂Ｏ₃はガラス中間酸化物であり、ガラ
スを熱処理することにより析出する主結晶相であるスポ
ジュメンの構成成分である。Ａｌ₂Ｏ₃の含有量が５重量
％未満であると、化学的耐久性が悪化するおそれがあ
る。Ａｌ₂Ｏ₃の含有量が１５重量％を超えると、溶融温
度が高くなり生産が困難になるおそれがある。Ａｌ₂Ｏ₃
の含有量は、化学的耐久性や生産性を考慮すると、５.
５〜１０重量％であることがより好ましく、５.５〜７.
５重量％であることがさらに好ましい。

【００１０】Ｌｉ₂Ｏは融剤としての役割を果たすとと
もに、熱処理によって析出する主結晶相であるＬｉ₂Ｏ
・２ＳｉＯ₂及びスポジュメンの構成成分である。Ｌｉ₂
Ｏの含有量が３重量％未満であると、溶融温度が高くな
りすぎる上に、Ｌｉ₂Ｏ・２ＳｉＯ₂及びスポジュメン結
晶が析出し難くなるおそれがある。Ｌｉ₂Ｏの含有量が
８.５重量％を超えると、ガラスの理論的光学的塩基性
度を０.５４８以下にし難く、化学的耐久性及び耐マイ
グレーション性を悪化させ、磁気膜特性に悪影響を与え
るおそれがある。Ｌｉ₂Ｏの含有量は、生産性、化学的
耐久性や耐マイグレーション性を考慮すると、４〜８.
５重量％であることがより好ましく、５〜８.５重量％
であることがさらに好ましい。Ｎａ₂Ｏ及びＫ₂Ｏは融剤
であり、ガラス組成物の溶融性を改善する。磁気ディス
ク基板の化学的耐久性、耐マイグレーション性を考慮す
ると、Ｌｉ₂Ｏのみを単独で使用するよりも、これらの
アルカリ成分をＬｉ₂Ｏと併用し、複数種のアルカリ成
分を使用することにより、化学的耐久性の低下やアルカ
リマイグレーションを防ぐことが好ましい。Ｎａ₂Ｏ又
はＫ₂Ｏの含有量が３重量％を超えるか、あるいは、Ｌ
ｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏの合計量が１０重量％を超える
と、ガラスの理論的光学的塩基性度を０.５４８以下に
保つことが困難になり、磁気ディスク基板の化学的耐久
性が低下するとともに、耐マイグレーション性も低下す
るおそれがある。Ｎａ₂Ｏ及びＫ₂Ｏのそれぞれの含有量
は、化学的耐久性、耐マイグレーション性やガラスの理
論的光学的塩基性度を考慮すると、２重量％以下である
ことがより好ましい。また、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ
の合計量は、４〜９重量％であることがより好ましく、
５〜９重量％であることがさらに好ましい。

【００１１】ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂及びＰ₂Ｏ₅は、結晶化促
進剤としての役割を果たす。さらに、前記のごとく、Ｔ
ｉＯ₂は融剤としての役割や、レーザーテクスチャー加
工時に、敏感にレーザー光を吸収して磁気ディスク基板
表面の構造変化を誘起する重要な成分としての役割も果
たす。ＴｉＯ₂の含有量が０.５重量％未満であると、結
晶化促進剤としての効果及び融剤としての効果が乏しく
なるおそれがある。ＴｉＯ₂の含有量が８重量％を超え
ると、ガラス成形時に失透しやすくなるおそれがある。
ＴｉＯ₂の含有量は、結晶化促進剤としての効果、融剤
としての効果及び失透性を考慮すると、２〜６重量％で
あることがより好ましく、２〜４重量％であることがさ
らに好ましい。ＺｒＯ₂は化学的耐久性を顕著に向上さ
せる働きも有するが、ＺｒＯ₂の含有量が３.５重量％未
満であると、化学的耐久性の向上効果が乏しくなるおそ
れがある。ＺｒＯ₂の含有量が８重量％を超えると、ガ
ラス中に溶けきれず、未溶融物となるおそれがある。Ｚ
ｒＯ₂の含有量は、結晶化促進剤としての効果、化学的
耐久性や溶融性を考慮すると、３.８〜６.５重量％であ
ることがより好ましく、４.１〜６重量％であることが
さらに好ましい。Ｐ₂Ｏ₅は融剤としての働き、特にＺｒ
Ｏ₂の難溶融性を著しく改善する働きも有するが、Ｐ₂Ｏ
₅の含有量が０.５重量％未満であると、結晶化促進剤と
しての効果及びＺｒＯ₂の難溶融性の改善効果が乏しく
なるおそれがある。Ｐ₂Ｏ₅の含有量が３重量％を超える
と溶融ルツボの腐食量が増大するおそれがある。Ｐ₂Ｏ₅
の含有量は、結晶化促進剤としての効果、融剤としての
効果、特にＺｒＯ₂の難溶融性の改善効果及びルツボの
腐食性を考慮すると、１〜２.５重量％であることがよ
り好ましい。

【００１２】Ｓｂ₂Ｏ₃及びＡｓ₂Ｏ₃は、ガラス溶融時の
清澄剤としての役割を果たす。Ｓｂ₂Ｏ₃及びＡｓ₂Ｏ
₃は、それぞれを単独で用いることができ、あるいは、
併用することができる。Ｓｂ₂Ｏ₃＋Ａｓ₂Ｏ₃の合計量が
０.１重量％未満であると、清澄剤としての作用に乏し
くなるおそれがある。Ｓｂ₂Ｏ₃＋Ａｓ₂Ｏ₃の合計量が２
重量％以下で、通常は十分な清澄効果が発揮される。Ａ
ｓ₂Ｏ₃は、環境の点からは使用しないことが好ましい。
Ｓｂ₂Ｏ₃＋Ａｓ₂Ｏ₃の合計量は、清澄効果を考慮すると
０.２〜１重量％であることがより好ましい。第１の結
晶化ガラス組成物においては、必要に応じてＢ₂Ｏ₃、Ｚ
ｎＯ及びＰｂＯを融剤として含有させることができる。
Ｂ₂Ｏ₃の含有量が、５重量％を超えると、化学的耐久性
を悪化させ、また、結晶化を抑制するおそれがある。Ｂ
₂Ｏ₃の含有量は、３.５重量％以下であることがより好
ましい。ＺｎＯは化学的耐久性を向上させる働きもある
が、ＺｎＯの含有量が５重量％を超えると、析出結晶量
が少なくなるおそれがある。ＺｎＯの含有量は、４.５
重量％以下であることがより好ましい。ＰｂＯは融剤と
して顕著な働きを有するが、環境の点からは使用しない
ことが好ましい。ＰｂＯを使用する場合は、その含有量
が３重量％を超えると、化学的耐久性を悪化させ、ま
た、析出結晶量が少なくなるおそれがある。ＰｂＯの含
有量は、１.５重量％以下であることがより好ましい。

【００１３】第１の結晶化ガラス組成物においては、必
要に応じてガラス修飾酸化物であるＭｇＯ、ＣａＯ、Ｓ
ｒＯ及びＢａＯを含有させることができる。これらの成
分は、作業温度幅を広げる働きを有する。特にＭｇＯ
は、ガラスの化学的耐久性を向上させる働きをも有す
る。ＭｇＯの含有量が８重量％を超えるか、又はＣａ
Ｏ、ＳｒＯ又はＢａＯの含有量が５重量％を超えると、
ガラスが安定になりすぎて析出結晶量が少なくなるおそ
れがある。析出結晶量を考慮すると、ＭｇＯの含有量は
５重量％以下であることがより好ましく、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯの含有量は、それぞれ３重量％以下であるこ
とがより好ましい。また、前記組成範囲を有するガラス
組成物から得られた結晶化ガラスは、理論的光学的塩基
性度が０.５４８以下であることが好ましい。理論的光
学的塩基性度がこのように低いと、結晶化ガラス中に少
量のアルカリが含まれていても、磁気ディスク基板に必
要かつ重要な特性である化学的耐久性及び耐マイグレー
ション性に優れており、信頼性の高い磁気ディスク基板
を得ることができる。磁気ディスク基板用結晶化ガラス
の理論的光学的塩基性度は、０.５４４以下であること
がより好ましく、０.５４０以下であることがさらに好
ましい。ここにいう理論的光学的塩基性度とは、Ｊ．
Ａ．ＤｕｆｆｙとＭ．Ｄ．Ｉｎｇｒａｍが、１９７５年
に、ＪｏｕｒｎａｌｏｆＩｎｏｒｇａｎｉｃａｎｄ
ＮｕｃｌｅａｒＣｈｅｍｉｓｔｒｙ、第３７巻、１２０
３頁、及び、ＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＣｈｅｍｉｓｔｒ
ｙｏｆＧｌａｓｓｅｓ、第１６巻、第６号、１１９頁
に発表した論文に掲載されたものである。

【００１４】本発明の結晶化ガラス磁気ディスク基板に
用いる第２の結晶化ガラスは、酸化物として、Ｓｉ
Ｏ₂：２０〜４５重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：２５〜４５重量
％、Ｂ₂Ｏ₃：１０〜２５重量％、ＭｇＯ：２〜２０重量
％、Ｌｉ₂Ｏ：０〜２重量％、Ｎａ₂Ｏ：０〜２重量％、
Ｋ₂Ｏ：０〜３重量％、但し、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ
₂Ｏ：０〜５重量％、ＴｉＯ₂：０.１〜８重量％、Ｐ₂Ｏ
₅：０.５〜８重量％を含有するガラス組成物を熱処理す
ることにより得られ、主結晶相がムライト及びＡｌ₁₈Ｂ
₄Ｏ₃₃、Ａｌ₅(ＢＯ₃)Ｏ₆などのホウ酸アルミニウム系結
晶の内の少なくとも１種であるものである。第２の結晶
化ガラス組成物において、ＳｉＯ₂はガラス形成酸化物
であり、主な析出結晶であるムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃・２
ＳｉＯ₂）の構成成分である。ＳｉＯ₂の含有量が２０重
量％未満であると、ムライト結晶が析出し難くなる上、
残存マトリックス相の化学的耐久性が悪化したり、耐熱
性が悪化するおそれがある。ＳｉＯ₂の含有量が４５重
量％を超えると、安定したガラス化領域に入り結晶が析
出し難くなる上、溶融温度が上がりすぎて生産が困難に
なるおそれがある。ＳｉＯ₂の含有量は、析出結晶量、
化学的耐久性、耐熱性及び生産性を考慮すると、２５〜
４０重量％であることがより好ましく、２７〜３７重量
％であることがさらに好ましい。Ａｌ₂Ｏ₃はガラス中間
酸化物であり、主な析出結晶であるムライト及びホウ酸
アルミニウム系結晶の構成成分である。Ａｌ₂Ｏ₃の含有
量が２５重量％未満であると、析出結晶量が少なく、磁
気ディスク基板として要求される強度が得られなかった
り、耐熱性が悪化するおそれがある。Ａｌ₂Ｏ₃の含有量
が４５重量％を超えると、溶融温度が高くなりすぎる
上、失透しやすくなって容易に成形し難くなるおそれが
ある。Ａｌ₂Ｏ₃の含有量は、強度や耐熱性や成形性を考
慮すると、２８〜４０重量％であることがより好まし
く、３０〜３８重量％であることがさらに好ましい。

【００１５】Ｂ₂Ｏ₃は融剤としての役割を果たすととも
に、ホウ酸アルミニウム系結晶の構成成分である。Ｂ₂
Ｏ₃の含有量が１０重量％未満であると、溶融温度が高
くなりすぎるおそれがある。Ｂ₂Ｏ₃の含有量が２５重量
％を超えると、ガラスが失透しやすくなって容易に成形
し難くなるおそれがある。Ｂ₂Ｏ₃の含有量は、溶融性や
成形性を考慮すると、１３〜２２重量％であることがよ
り好ましく、１５〜２０重量％であることがさらに好ま
しい。ＭｇＯはガラス修飾酸化物であり、作業温度幅を
広げる働きを有する上に、ガラスマトリックス相の化学
的耐久性を向上させる。ＭｇＯの含有量が２重量％未満
であると、作業温度幅が狭くなるとともに、ガラスマト
リックス相の化学的耐久性が向上しないおそれがある。
ＭｇＯの含有量が２０重量％を超えると、析出結晶相が
主にコージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃・５ＳｉＯ
₂）となり、磁気ディスク基板として要求される強度を
得ることが困難となるおそれがある。ＭｇＯの含有量
は、作業性、化学的耐久性及び強度を考慮すると、２〜
１２重量％であることがより好ましく、３〜１０重量％
であることがさらに好ましい。

【００１６】Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ及びＫ₂Ｏは融剤であ
り、ガラス組成物の溶融性を改善する。磁気ディスク基
板の耐マイグレーション性を考慮すると、これらのアル
カリ成分を含まないことが好ましいが、溶融性、成形性
などを改善するため基本組成によっては使用する。Ｌｉ
₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ及びＫ₂Ｏは１種を単独に使用することが
でき、２種以上を組み合わせて使用することができる。
磁気ディスク基板の耐マイグレーション性をできるだけ
高く保つためには、２種以上を組み合わせて使用するこ
とが好ましい。Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ及びＫ₂Ｏのうち２種
を用いる場合、どの２種を組み合わせることもできる
が、磁気ディスク基板の耐マイグレーション性を高く保
つためにはＬｉ₂ＯとＫ₂Ｏの組み合わせが最も好まし
い。Ｌｉ₂Ｏ及びＮａ₂Ｏの含有量はそれぞれ０〜２重量
％であり、Ｋ₂Ｏの含有量は０〜３重量％であり、かつ
Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏの合計量は０〜５重量％であ
る。溶融性、成形性、耐マイグレーション性及び耐熱性
を考慮すると、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏの合計量は、
０.１〜３重量％であることがより好ましく、０.３〜
１.５重量％であることがさらに好ましい。Ｌｉ₂Ｏ又は
Ｎａ₂Ｏの含有量が２重量％を超えるか、Ｋ₂Ｏの含有量
が３重量％を超えるか、あるいは、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋
Ｋ₂Ｏの合計量が５重量％を超えると、磁気ディスク基
板の耐マイグレーション性が低下したり、耐熱性が悪化
するおそれがある。第２の結晶化ガラス組成物は、この
ように無アルカリ又は低アルカリ結晶化ガラスであるの
で、磁気ディスク基板にアルカリバリヤー膜を設けるこ
となく、優れた磁気膜特性を保つことができる。

【００１７】ＴｉＯ₂及びＰ₂Ｏ₅は、結晶化促進剤及び
融剤としての役割を果たす。さらに、前記のごとく、Ｔ
ｉＯ₂はレーザーテクスチャー加工時に、敏感にレーザ
ー光を吸収して磁気ディスク基板表面の構造変化を誘起
する重要な成分としての役割も果たす。ＴｉＯ₂の含有
量が０.１重量％未満であると、結晶化促進剤としての
効果、融剤としての効果、及びレーザー光吸収成分とし
ての効果が乏しく、また、ＴｉＯ₂の含有量が８重量％
を超えると、ガラス成形時に失透しやすくなるおそれが
ある。ＴｉＯ₂の含有量は、結晶サイズと結晶量、溶融
性、成形性及びレーザー光吸収成分としての効果を考慮
すると、０.５〜６重量％であることがより好ましい。
また、Ｐ₂Ｏ₅の含有量が０.５重量％未満であると、結
晶化促進剤及び融剤としての効果が乏しく、Ｐ₂Ｏ₅の含
有量が８重量％を超えると、ガラス成形時に失透しやす
くなるおそれがある。Ｐ₂Ｏ₅の含有量は、結晶サイズと
結晶量、溶融性及び成形性を考慮すると、１〜７重量％
であることがより好ましい。その他、必要に応じてＺｒ
Ｏ₂、ＳｎＯ₂、ＭｏＯ₃及びＷＯ₃も結晶化促進剤として
それぞれ５重量％以下の範囲で含有させることができ
る。第２の結晶化ガラス組成物においては、必要に応じ
てガラス修飾酸化物であるＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯを
含有させることができる。これらは作業温度幅を広げる
働きを有する上に、ガラスマトリックス相の化学的耐久
性を向上させる。ＣａＯ、ＳｒＯ又はＢａＯの含有量が
１０重量％を超えると、ガラスが安定になりすぎて析出
結晶量が少なくなるおそれがある。ＣａＯ、ＳｒＯ及び
ＢａＯのそれぞれの含有量は、作業性や化学的耐久性や
析出結晶量を考慮すると、０.１〜７重量％であること
が好ましく、０.５〜５重量％であることがより好まし
い。

【００１８】第２の結晶化ガラス組成物においては、必
要に応じてＺｎＯを含有させることができる。ＺｎＯ
は、融剤としての役割を果たすとともに、ガラスマトリ
ックス相の化学的耐久性を向上させる働きを有する。融
剤としてのＢ₂Ｏ₃の一部をＺｎＯで置換することによ
り、溶融時に揮発しやすいＢ₂Ｏ₃量を減少させることが
できる。ＺｎＯの含有量が１０重量％を超えると、析出
結晶量が少なくなるおそれがある。ＺｎＯの含有量は、
溶融性、化学的耐久性及び析出量を考慮すると、０〜７
重量％であることが好ましく、０.１〜５重量％である
ことがより好ましい。以上に、本発明の結晶化ガラス磁
気ディスク基板に使用することができる２種の結晶化ガ
ラス組成物を挙げたが、本発明の結晶化ガラス磁気ディ
スク基板に使用することができる結晶化ガラス組成物
は、これらに限定されるものではなく、例えば、アノー
サイト系、スピネル系、エンスタタイト系、ガーナイト
系、セルジアン系などの結晶化ガラスにおいても、同様
な効果が発揮される。本発明の結晶化ガラス磁気ディス
ク基板は、レーザーテクスチャー加工に用いられる光源
特有の波長において、試料の厚みを０.６３５mmとした
ときの光吸収率が０.１以上であるので、レーザー光を
用いたゾーンテクスチャー加工が容易になり、近年、ま
すます要求が高まっている磁気ディスク基板の高平坦
性、高平滑性、すなわち高記録密度化への要求に容易に
対応することができる。

【００１９】

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。なお、実施例及び比較例におい
て使用した原料は、ＳｉＯ₂、Ａｌ(ＯＨ)₃、Ｌｉ₂Ｃ
Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、ＡｌＰＯ₄、Ｓｂ₂Ｏ
₃、Ｈ₃ＢＯ₃、Ｍｇ(ＯＨ)₂、ＣａＣＯ₃、ＢａＣＯ₃、Ｚ
ｎＯ、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｖ₂Ｏ₅、Ｃｕ₂Ｏ及びＭｎＯ₂である。
また、実施例及び比較例において、結晶相、光吸収率及
びバンプ高さは下記の方法により測定した。（１）結晶相得られた研磨成形体を、Ｘ線回折装置を用いて測定し
た。（２）光吸収率酸化セリウムを用いて研磨し、鏡面仕上げした厚み０.
６３５mmの試料について、分光光度計［(株)日立製作
所、Ｕ−３４１０型］を用いて測定した透過率及び吸光
度の値から算出した。（３）バンプ高さレーザー光照射後の研磨成形体について、原子力間顕微
鏡［ＤｉｇｉｔａｌＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製］を用
いて表面観察を行い、線分析による断面形状から求め
た。実施例１ガラス組成が、ＳｉＯ₂：７０.０重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：
６.０重量％、Ｌｉ₂Ｏ：８.０重量％、ＴｉＯ₂：２.５
重量％、ＺｒＯ₂：４.０重量％、Ｐ₂Ｏ₅：１.８重量
％、Ｓｂ₂Ｏ₃：０.２重量％、Ｂ₂Ｏ₃：２.０重量％、Ｃ
ａＯ：２.０重量％、ＢａＯ：１.３重量％、ＺｎＯ：
２.０重量％及びＮｂ₂Ｏ₅：０.２重量％となるよう各成
分原料を秤量、混合し、電気炉中の白金ルツボに投入し
て溶融し、均質になるよう撹拌したのち、５０×５０×
５mmの板状に成形し、除歪、冷却してガラス成形体を得
た。なお、このガラス組成物の理論的光学的塩基性度は
０.５３９２である。このガラス成形体を、５７０℃で
３時間、続いて６７０℃で２時間熱処理して、ガラス中
に結晶を析出させた。さらに、成形体を切断、スライス
したのち表面を平均粒径１０μｍの炭化ケイ素砥粒を用
いて３０分間ラッピングし、さらに平均粒径１μｍの酸
化セリウム砥粒で１５分間ポリッシュして厚み０.６３
５mmの研磨成形体を得た。この研磨成形体は、結晶相１
がＬｉ₂Ｏ・２ＳｉＯ₂であり、結晶相２がα−クオーツ
であった。また、研磨成形体について求めた光吸収率
は、波長５３２ｎｍにおいて０.３０であった。この研
磨成形体に、波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザー２倍波
を、エネルギー密度２Ｊ／cm²、パルス幅５ｎｓ、パル
ス回数１回の条件で照射して、テクスチャー加工を行っ
た。加工後の成形体のバンプ高さは２３５Åであり、磁
気ディスク基板として好ましい特性を備えていた。実施例２ガラス組成が、ＳｉＯ₂：７０.０重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：
６.０重量％、Ｌｉ₂Ｏ：８.０重量％、ＴｉＯ₂：２.５
重量％、ＺｒＯ₂：４.０重量％、Ｐ₂Ｏ₅：１.８重量
％、Ｓｂ₂Ｏ₃：０.２重量％、Ｂ₂Ｏ₃：２.０重量％、Ｃ
ａＯ：２.０重量％、ＢａＯ：１.１重量％、ＺｎＯ：
２.０重量％及びＶ₂Ｏ₅：０.４重量％となるよう各成分
原料を秤量、混合し、電気炉中の白金ルツボに投入して
溶融し、均質になるよう撹拌したのち、５０×５０×５
mmの板状に成形し、除歪、冷却してガラス成形体を得
た。なお、このガラス組成物の理論的光学的塩基性度は
０.５３９０である。このガラス成形体を、５７０℃で
３時間、続いて６７０℃で２時間熱処理して、ガラス中
に結晶を析出させた。さらに、成形体を切断、スライス
したのち表面を平均粒径１０μｍの炭化ケイ素砥粒を用
いて３０分間ラッピングし、さらに平均粒径１μｍの酸
化セリウム砥粒で１５分間ポリッシュして厚み０.６３
５mmの研磨成形体を得た。この研磨成形体は、結晶相１
がＬｉ₂Ｏ・２ＳｉＯ₂であり、結晶相２がα−クオーツ
であった。また、研磨成形体について求めた光吸収率
は、波長１９３ｎｍにおいて０.８７であった。この研
磨成形体に、波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザー光を、エ
ネルギー密度０.５Ｊ／cm²、パルス幅５ｎｓ、パルス回
数１回の条件で照射して、テクスチャー加工を行った。
加工後の成形体のバンプ高さは１５０Åであり、磁気デ
ィスク基板として好ましい特性を備えていた。実施例３ガラス組成が、ＳｉＯ₂：３６.０重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：３
３.０重量％、Ｌｉ₂Ｏ：０.５重量％、ＴｉＯ₂：４.５
重量％、ＳｎＯ₂：１.４５重量％、Ｐ₂Ｏ₅：１.５重量
％、Ｓｂ₂Ｏ₃：０.５重量％、Ｂ₂Ｏ₃：１５.０重量％、
ＭｇＯ：５.５重量％、ＣａＯ：１.０重量％、ＺｎＯ：
１.０重量％及びＣｕ₂Ｏ：０.０５重量％となるよう各
成分原料を秤量、混合し、電気炉中の白金ルツボに投入
して溶融し、均質になるよう撹拌したのち、５０×５０
×５mmの板状に成形し、除歪、冷却してガラス成形体を
得た。このガラス成形体を、７２０℃で３時間、続いて９００
℃で２時間熱処理して、ガラス中に結晶を析出させた。
さらに、成形体を切断、スライスしたのち表面を平均粒
径１０μｍの炭化ケイ素砥粒を用いて３０分間ラッピン
グし、さらに平均粒径１μｍの酸化セリウム砥粒で１５
分間ポリッシュして厚み０.６３５mmの研磨成形体を得
た。この研磨成形体は、結晶相１がムライトであり、結
晶相２がホウ酸アルミニウム系結晶であった。また、研
磨成形体について求めた光吸収率は、波長１０６４ｎｍ
において０.５５であった。この研磨成形体に、波長１
０６４ｎｍのＹＡＧレーザー光を、エネルギー密度１０
Ｊ／cm²、パルス幅５ｎｓ、パルス回数１回の条件で照
射して、テクスチャー加工を行った。加工後の成形体の
バンプ高さは１７４Åであり、磁気ディスク基板として
好ましい特性を備えていた。実施例４ガラス組成が、ＳｉＯ₂：３６.０重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：３
３.０重量％、Ｌｉ₂Ｏ：０.５重量％、ＴｉＯ₂：４.５
重量％、ＺｒＯ₂：１.２重量％、Ｐ₂Ｏ₅：１.５重量
％、Ｓｂ₂Ｏ₃：０.５重量％、Ｂ₂Ｏ₃：１５.０重量％、
ＭｇＯ：５.５重量％、ＣａＯ：１.０重量％、ＺｎＯ：
１.０重量％及びＭｎＯ₂：０.３重量％となるよう各成
分原料を秤量、混合し、電気炉中の白金ルツボに投入し
て溶融し、均質になるよう撹拌したのち、５０×５０×
５mmの板状に成形し、除歪、冷却してガラス成形体を得
た。このガラス成形体を、７２０℃で３時間、続いて９００
℃で２時間熱処理して、ガラス中に結晶を析出させた。
さらに、成形体を切断、スライスしたのち表面を平均粒
径１０μｍの炭化ケイ素砥粒を用いて３０分間ラッピン
グし、さらに平均粒径１μｍの酸化セリウム砥粒で１５
分間ポリッシュして厚み０.６３５mmの研磨成形体を得
た。この研磨成形体は、結晶相１がムライトであり、結
晶相２がホウ酸アルミニウム系結晶であった。また、研
磨成形体について求めた光吸収率は、波長４３０ｎｍに
おいて０.３９であった。この研磨成形体に、波長４３
０ｎｍのＴｉ−サファイアレーザー２倍波を、エネルギ
ー密度１Ｊ／cm²、パルス幅５ｎｓ、パルス回数１回の
条件で照射して、テクスチャー加工を行った。加工後の
成形体のバンプ高さは２０５Åであり、磁気ディスク基
板として好ましい特性を備えていた。実施例１〜４のガ
ラス組成、熱処理条件及び結晶相を第１表に、光吸収
率、レーザー加工条件、バンプ高さ及び磁気ディスク基
板としての特性の判定を第２表に示す。

【００２０】

【表１】

【００２１】

【表２】

【００２２】

【発明の効果】本発明の結晶化ガラス磁気ディスク基板
は、レーザーテクスチャー加工が容易であり、基板上の
特定の領域を限定してＣＳＳゾーンを設けることができ
るので、データゾーンの平滑度を優れたものとし、高記
録密度の達成が可能な磁気ディスク基板とすることがで
きる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小原融兵庫県西宮市浜松原町２番21号山村硝子株式会社内 (72)発明者栗山育夫兵庫県西宮市浜松原町２番21号山村硝子株式会社内 (72)発明者若林肇兵庫県西宮市浜松原町２番21号山村硝子株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザーテクスチャー加工に用いられる光
源特有の波長において、測定試料の厚みを０.６３５mm
としたときの光吸収率が０.１以上であることを特徴と
する結晶化ガラス磁気ディスク基板。
【請求項２】結晶化ガラス組成中に、Ｎｂ、Ｌａ、Ｓ
ｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、
Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｓｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓ
ｍ、Ｅｒ、Ｓからなる群より選択された少なくとも１成
分を含有する請求項１記載の結晶化ガラス磁気ディスク
基板。
【請求項３】Ｎｂ、Ｌａ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔ
ｅ、Ｃｅ、Ｓｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｒ、Ｓからなる
群より選択された少なくとも１成分の含有量が、合計で
０.０１〜０.５重量％である請求項２記載の結晶化ガラ
ス磁気ディスク基板。
【請求項４】結晶化ガラス組成中に、ＴｉＯ₂を含有す
る請求項１、請求項２又は請求項３記載の結晶化ガラス
磁気ディスク基板。
【請求項５】ＴｉＯ₂の含有量が、０.１〜２０重量％で
ある請求項４記載の結晶化ガラス磁気ディスク基板。